薄膜沉積– PVD

姜庭隆
中 華 民 國 90 年 11 月 28 日
 摘要

片製造主要階段

段製程 (front end of the line, FEOL)

晶圓表面 / 中間製造出主動 / 被動元件

段製程 (back end of the line, BEOL)

連接元件間 / 不同層間所需的金屬 ( 線路 ) 加入晶片

 單層金屬導體技術

1. 部分區域被 2. 圖案成形： 3. 加層： 4. 圖案成形：

摻雜的晶圓 將接點微影出 加上導 將金屬導線微影出
電層
圖 1 　金屬化的程序

金屬線必須

 攜帶電流的能力良好

 和晶圓表面的黏結性良好 ( 通常表面為二氧化矽 )

 和晶圓材料的接觸電性良好
 多層金屬導體技術
 金屬堆疊層由加入阻障層 (barrier layer) 開始
- 矽表面形成矽化物以在矽表面和另一層間產生低電阻
- 如果導電材料是鋁，阻障層可避免鋁和矽接觸而形成合金化
 加入金屬間介電層 (intermetallic dielectric layer,
IDL 或 IMD)
提供金屬層間的絕緣
材料：沈積的氧化物、氮化矽、聚亞醯胺
 金屬間介電層被蝕刻出接點孔 ( 導孔 vias 梢孔、栓塞孔
plugs )
 藉沈積法將金屬填入導孔，產生導電栓塞
 用沈積加入第一層金屬層

圖 3 兩種金屬堆疊
 導電材料
1. 鋁
鋁的缺點
導電性不如銅，金

金的缺點
- 和矽的接觸阻抗值高
- 用鉑 (platinum) 做中間層，鉬 (molybdenum) 做頂層克服
金的軟

銅的缺點
- 和矽的接觸阻抗值高
- 若銅摻入元件內會破壞元件效能

鋁的優點
- 阻抗係數很低 (2.7 微歐母‧公分 )
- 傳送電流的密度佳
- 和二氧化矽的黏合性極佳
- 高純度的鋁取得不難
2. 鋁和矽形成的合金 過 量 的 鋁

為使接觸電性穩定，須對鋁和矽界面烘烤
共熔成形溫度 (eutectic formation point) 鋁 和 矽 共 熔
侵 入 晶 圓 內
- 兩種材料在接觸下被加熱，
熔化溫度低於個別熔化溫度
- 鋁矽共熔成形溫度 450°C
烘烤的問題 鋁 內 摻 入 少
量 的 矽
- 熔化的合金可能沈入晶圓
- 若晶圓表面有淺層接合界面
則合金區延伸過接合界面，造成短路
阻 隔 金 屬 層
解決方法
- 使用金屬阻隔層，將鋁和矽隔開 圖 4 鋁和矽在接點處的
共熔合
- 使用含有 1 至 2% 的矽之鋁合金 金現象
3. 鋁和銅形成合金

鋁的電遷移 (electromigration) 問題
高電流通過鋁導線時
- 電流在導線中建立電場，
- 電流產生熱會沿導線成溫度梯度 (gradient) ，
導線中的鋁沿此兩種梯度方向移動，嚴重時使導線斷裂

解決電遷移的問題
沈積含有 0.5~4% 銅或含 0.1~0.5% 鈦的鋁合金

解決合金問題及電遷移的問題
沈積含有銅和矽的鋁合金
 
沈積鋁合金的缺點
 沈積設備和製程的複雜度升高
 蝕刻速率不同
 鋁合金的膜阻抗值比純鋁高 25% 至 30%
 4. 銅 IBM/ Motorola 公司 1998 年提供銅製程技術
鋁的缺點
- 阻抗高，訊號延遲 (RC 常數高 )
- 不易沈積入高外形比的導孔或栓塞孔中
400%
減少鋁阻抗的方法
- 阻障金屬技術、堆疊
- 難熔金屬 (refractory metals)

銅製程的優點
- 阻抗比鋁小
- 不產生電遷移現象，和低 K 材料 ( 矽化鈷 ) 配合， RC 常數減低
400%
-CVD 法、 PECVD 法、濺鍍、無電膜鍍、電鍍法 ( 低溫下 ) 沈積

- 銅製程的缺點
- 技術太新缺乏學習曲線 ( 經驗 )
- 蝕刻的問題
- 易被刮傷、腐蝕
- 為防銅滲入矽中需要阻隔金屬
雙嵌刻製程 (dual damascene process)
嵌刻 damascene
在介電層中形成溝槽，沈積入金屬，常沈積過多溢出
再用 CMP 法使表面平坦

圖5
雙嵌刻使用銅作為導線 / 栓塞金屬 ( 傳統製程用鎢 )

( 步驟 3 至步驟 6)
形成栓塞孔和溝槽

( 步驟 7) 在栓塞孔溝槽內
- 沈積 / 濺鍍阻障金屬 ( 鉭 tantalum 及氮化鉭 )
- 沈積 / 濺鍍一層薄的銅種子 (seed) 層作為電鍍銅時所需要的起始層

( 步驟 8) 將金屬沈積入栓塞孔和溝槽內

( 步驟 9) 用 CMP 加工使表面平坦
1. 沈 積 氮 6 . 溝 槽和 栓
化 矽 塞 孔 被 蝕
刻 出

7. 沈 積 阻 障
2. 沈 積 氧
及種子層
化 物 介
電 層

3. 栓 塞 孔 8. 填 入 銅
微 影 成
形

4. 蝕 刻 部 9. 以 C M P 法
分 栓 塞 將 銅 平 坦
孔 化並加 上
氮 化保矽
護 蓋層
5 . 溝 槽微
影 成 形

圖 5 　雙崁刻和銅製程
阻障金屬 (barrier metals)

鋁製程 : 防止矽和鋁形成共熔合金

材料
鈦化鎢 (TiW) 、氮化鈦 (TiN)

濺鍍 / 沈積法
- 先形成一層矽化鉑
- 將鈦化鎢沈積入接觸點的開孔處
熱氮化法 (600°C)
於氮氣或氨 (NH3) 氣的環境下將鈦氮化

銅製程 : 防止銅滲入矽中破壞元件

材料
氮化鈦、鉭、氮化鉭
難熔金屬 (refractory metals) 和難熔金屬矽化物 (silicides)

優點
阻抗係數、接觸阻抗較低

目的
在 MOS ，作為填滿栓塞孔 (plug filling) 、阻障、或導電層

材料
- 鈦 (Ti) 、鎢 (W) 、鉭 (Ta) 及鉬 (Mo)
- 鎢常用作鋁和矽間的阻障材料、 MOS 的閘極中間層、栓塞
- 和矽形成合金時生成矽化物 (WSi2 , TiSi2 , TaSi2 , MoSi2)

製程法
低壓化學氣相沈積 (LPCVD) 和濺鍍

* 銅製程的優點
銅可用作栓塞材料，系統中僅使用一種金屬，可免去中間層的金屬阻抗
有摻雜的多晶矽

目的
MOS 的矽閘用沈積多晶矽為電極平板

材料
- 摻雜以增加導電性，作導體使用
- 常用磷為摻雜物（在矽中的固態溶解度高）
優點
- 和矽晶圓間有良好的歐姆接觸
- 可被氧化形成絕緣層
 1 2 3 4 5
金屬膜的用途 A

B
1. MOS 閘極 (gate) 和電容的電極 (electrodes)
C

2. 熔絲 D

- 使可程式唯讀記憶體 (PROM) 被創造 E

- 並非保護元件，而是造成斷路
熔絲 記 憶 格

構造主要有二類
圖 8 使用熔絲的記憶組列
- 由位於兩金屬導線之間的
鎳鉻合金、鈦鎢合金、或多晶矽
被通過的電流脈衝燒斷的“頸部”
- 在接觸孔內的薄層多晶矽或氧化物，
當高電流通過此層時產生熱量將此層燒 斷

3. 晶圓背面電鍍
蒸鍍法將黃金 ( 封裝中作焊料 solder) 鍍在晶背 熔斷的 熔
絲

圖 9 　薄膜熔絲
沈積的方法
真空蒸鍍法 (Vacuum Evaporation)
1970 年代以前主要的金屬沈積法
將金屬沈積在個別元件 / 低整合度的電路晶片上

蒸發原料的系統　
 電熱絲 (filaments)
 電子射束 (electron beam)
 快閃式熱平板 (flash hot plate)
將 晶 圓行 以星 位 置 排
列 ( 旋 轉 ) 的夾 承 座
高度真空
5 × 10 −5 torr
1 × 10 −7 torr

加 熱器
蒸 鍍原料

機械式 和 高
圖 10 真空蒸鍍 真 空 幫 浦
電熱絲
- 簡單，不重要的工作
- 溫度沿熱絲變化，不易控制
電子
- 原料和熱絲內的雜質被蒸發 熔 化 區 域
- 不能沈積合金 ( 因不同元素蒸發速率不同 )
水 冷式坩 鍋
電子束槍 (E-beam gun) 簡稱 E-gun 電 熱絲
- 水冷銅坩鍋
- 坩鍋下方有高溫電熱絲，釋放電子 圖 11 用電子鎗將蒸鍍原料熔化
- 磁場使電子旋轉撞擊鋁材，鋁熔化蒸發
- 適用於元素原料 ( 鋁或金 ) ，合金不適用

熱平板，或快閃式系統
- 解決電子槍蒸鍍合金的困難 鋁 合 金 線 材
- 極細合金線接觸熱平板，瞬間熔成蒸氣
- 鍍膜成分和合金線材成分極為相近
熱 平板

圖 12 快閃式蒸鍍原料
真空蒸鍍機的挑戰
均勻性、良好的階梯覆蓋性

  解決法
- 使用旋轉行星式晶圓夾承圓頂 優良
- 石英加熱器使原子到晶圓表面
時仍維持運動力，藉毛細作用填入階梯

晶 圓 在階梯處太薄

階梯處部分未被鍍到

圖 14 將晶圓以行星位置排列 圖 13 階梯的覆蓋性
並旋輚的夾承座
濺鍍沈積法 (sputter deposition 濺鍍
sputtering)
-1852 年威廉‧羅勃‧葛洛夫 (William Robert Grove) 爵士
設計
- 廣泛用在人工珠寶鍍色，光學透鏡或玻璃上的鍍膜
- 可將任何材料沈積在任何基材上
- 物理氣相沈積 (physical vapor deposition, PVD)

靶材
濺鍍原理
- 靶 (target 原料 ) 被接地 ( 負電 )
- 氬原子被離子化 ( 正電 )
- 氬離子被靶板吸引，撞擊靶板
- 氬離子將靶板原子敲出 氬 離 子 晶 圓

( 濺的動作 sputtering) 圖 15 濺鍍原理

 主要特色
靶材沈積在晶圓上時，不會造成任何化學變化或成分改變
直接利益
- 沈積合金和介電材料
- 善階梯的覆蓋性
- 膜和晶圓表面間的黏著性比蒸鍍法好
/

濺鍍方法
 二極式電偶 diode ( 直流 )
 二極式電偶 diode ( 射頻 RF 高週波 )
 三極式電偶 triode
 磁電式 magnetron
 二極式濺鍍 (diode sputtering)

- 靶材接負電位，晶圓夾承座陽極
- 負電的靶材放出電子，向陽極加速前進
- 電子和氬原子相撞將氬離子化
- 氬離子向靶材加速前進

直流電式電偶濺鍍 黑 暗 黑 暗
罩 封 靶材 罩 封
用於沈積金屬
空 間 空 間

靶材和高週波 ( 射頻 RF) 產生器負極相連 電漿區

可濺鍍非導體材料 ( 介電體 )/ 導體 ( 發光 )
 
氣體 晶 圓
量產機裝填 - 閉鎖 (load-lock) 裝置
部分抽真空 ( 真空度不高 )
的前端腔室 (antechamber) ，
接 真 空 系統
幫 浦
可將沈積用腔室維持在真空狀態

優點 圖 16 　典型的濺鍍設備
產能較高
磁電 (magnetron) 式濺鍍系統
解決電偶式濺鍍的問題
電子逃脫至腔室中，不參與建立沈積所需要的電漿場
原理
- 靶板背後及周圍加上磁場補捉 ( 限制 ) 電子在靶板的前方
- 靶材溫度低，常用於濺鍍鋁和鋁合金

磁 場 靶 ( 陰極 )

氬 電漿區
( 發光 )

晶 圓 被 濺 出原 的子
圖 17 磁電式濺鍍
使用 CVD 進行金屬化
常用來沈積鎢
LPCVD 優點
- 不需價格昂貴 / 需經常維護的超高度真空幫浦
- 階梯覆蓋性佳
- 產能高
- 進行溫度約 300°C( 低溫使製程和鋁的金屬化相容 )

六氟化鎢氣流和矽進行還原反應，進行沈積
2WF6+3Si→2W+3SiF4
六氟化鎢和氫行還原反應，沈積出鎢
WF6+3H2→W+6HF
真空幫浦（ vacuum pumps ）

1. 粗抽幫浦 (roughing pumps)

壓力範圍 10-3 托耳 ( 中度真空 ) , 初步減壓
型式 機械式真空幫浦

2. 高真空幫浦
壓力範圍 10-9 托耳以下 ( 高度 / 超高度真空 )
型式 油擴散幫浦、低溫幫浦、離子幫浦、渦輪分子式幫浦
材料
不會由材料內洩出氣體 (out-gas) 進入系統
-304 不銹鋼、不含氧的高傳導銅 (OFHC) 、 kovar 、鎳、鈦、
硼矽酸玻璃、陶瓷、鎢、金
- 低蒸氣壓力的高分子彈性體 (elastomers)
- 抽腐蝕、毒性或反應之氣體時，幫浦內壁須抗腐蝕
幫浦的選用考量因素
 所需的真空範圍
 要抽的氣體 ( 氫這類較輕的氣體較難抽 )
 抽氣速度
 整體的產能輸出
 處理脈衝式負載 ( 週期性的由內部材料中洩漏氣體 ) 的能
力
 抽具腐蝕性氣體的能力
 維修的需求性
 停機的時間
 成本
機械式幫浦
歸類 : 移置式幫浦 (displacement pumps)

迴轉含油真空幫浦 (mechanical rotary oil vacuum pumps)

取代含油式機械幫浦
 油被封住式的幫浦
 無油式幫浦
 渦卷式幫浦 (scroll pump)
 魯式幫浦 (roots pump ，也稱為魯式鼓風機 roots blowers)

排 氣閥被
浸於 油 中
氣體 入口

葉板

空 孔 圖 18 　機械式旋轉油幫浦
油擴散幫浦 (oil diffusion pump)

使用方式
- 需含油式機械幫浦，將腔室內壓力抽至 10-3 托耳
- 需相同的一台幫浦或第二台機械式幫浦在排氣端 氣體 分子 ( 未 壓縮的 )

至冷式 阻逆 凝氣
壓力範圍 裝 置和 真系統
空

10-8 托耳高度真空

問題 傘狀隔 片
- 油分子滲回腔室
冷卻 液 氣體 分子
- 無法處理腔室中的水蒸氣 ( 水或 空氣 ) ( 被壓縮的 )

至 機械式 幫 浦
噴流 疊架
解決
冷式阻逆凝氣裝置 (cold traps)
內裝液態氮，將局部溫度降至 -96°C
油、污染物及水蒸氣凝於內側壁
被 幫打上
浦 的 油 電 熱 線

圖 19 　油擴散幫浦
低溫幫浦 (cryogenic pump ， cryo pump)
- 利用絕熱膨脹 (adiabatic expansion) 進行冷卻
- 壓縮機將底部液態氦或氮抽上冷卻膨脹器 (expander)
- 腔室內的氣體會被凍聚在葉片 (Vane 指鰭片 ) 上

使用特性
 不需冷式阻逆凝氣裝置
 不需機械式的粗抽幫浦
 能抽走水蒸氣 ( 渦輪幫浦不能 ) 至腔 室
 捕捉 / 不需油，腔室被污染機率低
 可吸收來自腔室本身噴出的氣體 第 一級
 抽氣快速，操作維護簡易
  第 二級
歸類
捕捉式幫浦 (capture pumps)
使用注意事項 碳化氫或氫
被帶到室溫下時 ( 錯誤的原因或維修 ) 小心 氣的壓縮機
葉片上的凍結氣體 ( 如有毒性 / 易燃 ) 蒸發
 離子幫浦 (ion pump)/ 濺式離子幫浦 (sputter ion
pump)
/ 聚雜幫浦 (getter pump)

壓力範圍 10-11 托耳 ( 超高度真空 )

陽極 陰極

磁切

濺
氬 射

鈦 原 子 圖 21 離子真空幫浦的原理
被埋 藏的氬 離 子
渦輪分子幫浦 (turbomolecular pumps)
葉片 (blades) 軸以高速旋轉 (24,000 至 36,000 rpm)
優點 至 真腔空室
 不會有油分子逆流回腔室
 不需重新添油
 可靠度高
 可將壓力減至高真空度
缺點
 抽氣速度比油擴散及低溫幫浦慢
 高速旋轉造成震動及 軸 / 軸承 磨耗
至 低 真 空 度
的抽 氣幫 浦

  拖曳式 (drag type) 幫浦 圖 22 　渦輪分子幫浦

利用一個旋轉的圓筒或一個碟板，將氣體分子移除

複合式 ( 渦輪分子和拖曳式合併 ) 幫浦
能在高壓力的情況下抽氣