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 序 1

21 世紀是高科技的世紀，一場以節約能源和資源、保護生態環境、實

現可持續發展為目標的新工業革命正在興起。光觸媒技術是當今科學研究

的熱點，其應用範圍十分廣泛，如污水處理、空氣淨化、太陽能利用、抗

菌、防霧和自清潔功能等。奈米結構氧化鈦的光催化活性、降解有機物的

深度與選擇性和光量子產率均較一般氧化鈦有大幅度的提高，因而奈米氧

化鈦光催化材料正成為奈米科技較早直接造福人類的有力工具。在這種情

況下，應該讓更多的人了解和掌握奈米光催化技術的基礎知識和發展趨

勢，為知識創新、技術創新和產品創新奠定基礎。

本書從氧化鈦晶體結構和光催化基本原理入手，深入淺出地討論了氧

化鈦的晶相、能帶結構和譜學特性等多種與材料以及光催化活性密切相關

的科學問題。詳細介紹了多種形式的奈米氧化鈦光催化材料的合成與結

構，對光催化性質闡述清晰、深入，是奈米氧化鈦在製備和光催化應用方

面的專著。

本書內容豐富，素材詳實，層次分明，可以幫助人們對奈米氧化鈦光

催化原理和技術的全面了解。對從事光催化材料製備和應用研究的科研工

作者有重要的參考價值，而且還可以作為奈米光觸媒業界的普及讀物。

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 出版者的話

奈米科技（Nanotechnology）是 20 世紀 80 年代末、90 年代初逐漸發

展起來的新興學科領域。它的快速發展將在 21 世紀使幾乎所有的工業領域
產生變化。科技工作者在奈米科技研究方面已經取得了重要的進展。

在知識創新的環境下，為滿足讀者對新知識、新技術的需要，我們規
劃了一套《奈米研究與應用系列》叢書。目前該系列叢書包括如下：

奈米時代（Nano Times）
奈米材料（Nano Materials）
聚合物/層狀矽酸鹽奈米複合材料（PLS Nano Composite Materials）
奈米建材（Nano Building Material）
奈米陶瓷（Nano Ceramics）
奈米粉體合成技術與應用（Nano Powder Synthesis Technology and
Application）

奈米纖維（Nano Fiber）
奈米金屬（Nano Metal）
奈米複合材料（Nano Composite Material）
奈米催化技術（Nano Catalytic Technology）
奈米製造技術（Nano Fabrication Technology）
奈米碳管（Carbon Nanotubes）
聚合物─無機奈米複合材料（Polymer-nano Inorganic Composite Material）
奈米材料化學（Nano Material Chemistry）
奈米材料技術（Nano Material Technology）
奈米光觸媒（Nano Photocatalyst）

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 2 出版者的話

微米/奈米尺度傳熱學（Micro/Nano Scale Heat Transfer）

對此系列叢書，我們秉持著出版人的堅持，會持續不斷的更新和增加
新的書種。

希望本系列叢書對於從事新技術研發和奈米材料研究的科技人員有所
幫助。

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 目 錄

第 1章 緒 論 1

1.1 半導體與奈米材料 2
1.2 奈米半導體的特殊性質 6
1.2.1 光學特性 6

1.2.2 光催化特性 11

1.2.3 光電轉換特性 12

1.2.4 電學特性 13

1.3 金屬氧化物的缺陷和半導體性質 13
1.3.1 晶體的不完整性 13

1.3.2 半導體性質與缺陷 17

1.4 奈米半導體的應用 18
1.4.1 半導體光催化性 18

1.4.2 氣敏性與傳感器 24

1.4.3 新型能源應用 25

1.4.4 通訊傳輸材料 26

參考文獻 27

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 2 奈米光觸媒

第 2章 氧化鈦的晶體結構及光譜特徵 31

2.1 陰離子的最密堆積方式 32
2.1.1 陰離子的排列方式 32

2.1.2 六方最密堆積和四方最密堆積 33

2.2 氧化鈦的晶體結構 35
2.2.1 金紅石 37

2.2.2 板鈦礦 40

2.2.3 銳鈦礦 43

2.3 氧化鈦三種晶相的物理性質比較 45
2.4 奈米氧化鈦的光譜特徵 47
2.4.1 X 射線繞射（XRD） 47

2.4.2 紫外─可見光漫反射吸收光譜（UV-vis） 48

2.4.3 拉曼光譜（Raman） 49

參考文獻 51

第 3章 奈米氧化鈦的光催化原理 53

3.1 氧化鈦的能帶結構 55
3.2 化合物半導體的光催化原理 57
3.3 光觸媒與反應物的表面結合態 61
3.4 奈米光觸媒的效應 63

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 目 錄 3

3.4.1 能級移動 64

3.4.2 光激發位置趨近表面 64

3.4.3 電荷分離的空間變小 64

3.4.4 表面積增大 65

3.5 光催化反應速率、效率的影響因素 66
3.5.1 催化劑 66

3.5.2 光源與光強 67

3.5.3 有機物濃度 68

3.5.4 pH 值 69

3.5.5 外加催化劑 69

3.5.6 鹽 70

3.5.7 反應溫度 70

3.5.8 表面螯合和共價作用的吸附物 71

參考文獻 72

第 4章 奈米氧化鈦粉體的製備和特性 75

4.1 奈米粉體製備概述 77
4.1.1 物理法製備奈米粉體 77

4.1.2 化學法製備奈米粉體 78

4.1.3 奈米氧化鈦的製備科學 80

4.1.4 工業化生產氧化鈦微粉的方法 82

4.2 四氯化鈦水解法製備奈米氧化鈦粉體 83

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 4 奈米光觸媒

4.2.1 TiCl4 的水解條件 84

4.2.2 TiCl4 水解的反應流程 85

4.2.3 TiCl4 水解的反應機制 85

4.2.4 TiCl4 水解法所製的奈米氧化鈦粉體的特性 88

4.2.5 奈米氧化鈦粉體的相變 99

4.2.6 TiCl4 水解法製備金紅石相奈米氧化鈦粉體 106

4.3 溶膠─凝膠（sol-gel）法製備奈米氧化鈦粉體 118

4.4 水熱法製備奈米氧化鈦粉體 120
4.4.1 概述 120

4.4.2 pH 值的影響 123

4.4.3 溶液濃度的影響 124

4.4.4 水熱溫度的影響 125

4.4.5 反應時間的影響 125

4.5 氣相法製備奈米氧化鈦粉體 126

4.6 微乳液法製備奈米氧化鈦粉體 128
4.6.1 微乳液的基本概念和原理 128

4.6.2 製備氧化鈦介孔膜 131

4.6.3 製備氧化鈦奈米晶體 132

4.6.4 製備氧化鈦的複合物 134

4.7 奈米粉體的乾燥技術 135

參考文獻 137

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 目 錄 5

第 5章 氧化鈦奈米晶體的光催化活性 141

5.1 影響光催化活性的因素 144

5.1.1 奈米結構對光催化活性的影響 144

5.1.2 商品奈米晶體光觸媒 150

5.1.3 光催化體系中的影響因素 151

5.1.4 光量子產率的極限和提高其量子產率
的方法 154

5.2 光氧化反應中氧化鈦的光催化活性 157

5.2.1 苯酚及光催化反應部分中間體濃度的
分析 158

5.2.2 總有機碳含量（TOC）分析 160

5.2.3 未通氧條件下氧化鈦奈米晶體的光催化
活性 160

5.2.4 氧化鈦奈米晶體的光催化活性 161

5.2.5 氧化鈦奈米晶體對苯酚深度礦化的選擇性 161

5.2.6 燒溫度對氧化鈦奈米晶體光催化活性和
深度礦化選擇性的影響 163

5.2.7 氧化鈦奈米晶體催化後變色的紅外光譜
研究 167

5.3 通氧條件下氧化鈦奈米晶體的光催化活性 169

5.3.1 氧化鈦奈米晶體的光催化活性 170

5.3.2 氧化鈦奈米晶體對苯酚深度礦化的選擇性 171

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 6 奈米光觸媒

5.3.3 燒溫度對氧化鈦奈米晶體光催化活性和
深度礦化選擇性的影響 171

5.3.4 苯酚光催化降解的機制 173

5.3.5 回收的光觸媒的催化活性 174

5.4 光還原反應中氧化鈦奈米晶體的光催化活性 175

5.4.1 鉻酸根光催化降解率的測定 175

5.4.2 影響鉻酸根光催化降解率的因素 176

5.5 金紅石相氧化鈦奈米晶體的光催化活性 183

5.5.1 苯酚光催化降解反應中的活性 185

5.5.2 鉻酸根光催化降解反應中的活性 187

參考文獻 191

第 6章 奈米氧化鈦薄膜製備、特性與光
催化性能 195

6.1 液相沉積法製備奈米氧化鈦薄膜 198

6.1.1 液相沉積法簡介 198

6.1.2 液相沉積法製備 TiO2 薄膜 200

6.1.3 TiO2 薄膜的形貌觀察與結構特徵 201

6.1.4 液相沉積法製備的 TiO2 薄膜的光催化

性能 207

6.2 溶膠─凝膠法製備奈米氧化鈦薄膜 216

6.2.1 溶膠─凝膠法簡介 216

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 目 錄 7

6.2.2 溶膠─凝膠法製備 TiO2 薄膜 219

6.2.3 溶膠─凝膠法製備 TiO2 薄膜的形貌和結

構特徵 221

6.2.4 溶膠─凝膠法製備 TiO2 薄膜光催化性能

的研究 225

6.3 化學氣相沉積法製備奈米氧化鈦薄膜 227

6.3.1 化學氣相沉積法簡介 227

6.3.2 化學氣相沉積法製備 TiO2 薄膜 230

6.3.3 化學氣相沉積法製備 TiO2薄膜的光催化

性能 233

6.3.4 製備過程中少量的水對 TiO2 薄膜物理性

質的影響 235

6.4 熱分解法製備氧化鈦薄膜 239

6.4.1 熱分解法簡介 239

6.4.2 熱分解法製備 TiO2薄膜 239

6.4.3 熱分解法製備 TiO2 薄膜光催化 NO 分解 245

6.5 磁控濺射法製備奈米氧化鈦薄膜 246

6.5.1 磁控濺射法簡介 246

6.5.2 磁控濺射法製備 TiO2 薄膜與光催化性能 250

參考文獻 256

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 8 奈米光觸媒

第 7章 於多孔材料中修飾氧化鈦和多孔氧
化鈦的製備、特性與光催化性能 259

7.1 在沸石分子篩中組裝氧化鈦 260

7.1.1 沸石分子篩簡介 260

7.1.2 沸石分子篩中組裝氧化鈦光觸媒的
製備 262

7.1.3 沸石分子篩中組裝氧化鈦光觸媒的結
構特性 263

7.1.4 沸石分子篩中組裝氧化鈦光觸媒的催
化性能 266

7.2 在介孔材料孔道表面修飾氧化鈦 270

7.2.1 介孔材料的孔道結構 270

7.2.2 氧化鈦修飾 MCM-41 的合成與結構特性 274

7.2.3 其他鈦前驅體合成氧化鈦修飾 MCM-41

的合成與結構特性 282

7.2.4 以 TiCl4 為鈦源製備氧化鈦修飾的介孔材料 295

7.3 多孔氧化鈦的製備及其物理化學性質 304

7.3.1 多孔氧化鈦的簡介 304

7.3.2 多孔氧化鈦的製備 306

7.3.3 多孔氧化鈦的結構特性 306

7.3.4 鈦矽複合粉體及多孔氧化鈦的光催化
活性 314

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 目 錄 9

參考文獻 319

第 8章 奈米氧化鈦之複合光催化材料 323

8.1 奈米氧化鈦顆粒與其他半導體化合物複合 328

8.2 奈米金屬微粒和金屬離子摻雜的氧化鈦薄膜 333
8.2.1 奈米金屬 Ag 摻雜的氧化鈦薄膜 333

8.2.2 金屬離子 W 6+ 摻雜的氧化鈦薄膜 336

8.3 於經修飾的氧化鈦表面上沉積奈米貴金屬顆粒 340

8.4 多孔氧化鈦沉積奈米貴金屬顆粒 346
參考文獻 353

第 9章 奈米氧化鈦的實際應用 355

9.1 太陽能電池 356

9.1.1 奈米晶體 TiO2 膜 357

9.1.2 染料敏化劑 359

9.1.3 電解質 361

9.1.4 對電極 362

9.2 污水處理用太陽能光反應器的類型 363

9.2.1 PTR 366

9.2.2 CPCR 367

9.2.3 管式光反應器 369

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 10 奈米光觸媒

9.2.4 DSSR 370

9.2.5 TFFBR 371

9.2.6 幾種太陽能光反應器反應效率的對比 372

9.3 空氣淨化器 375

9.4 防霧及自清潔塗層 380
9.5 抗菌材料 384
參考文獻 389

第 10 章 奈米光催化材料的應用前景展望 391

索 引 395

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 半導體與奈米材料
奈米半導體的特殊性質
金屬氧化物的缺陷和半導體性質
奈米半導體的應用

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 2 奈米光觸媒

1.1 半導體與奈米材料

半導體（semiconductor）是介於導體和絕緣體之間，電導率在
10
（10 ～104） 1
．cm 1之間的物質。半導體的主要特徵是帶隙的存
在，其電學、光學的性質也因此而產生的。半導體依照載流子（change
carries）的特徵可分為本徵半導體（intrinsic semi-conductor）、n 型半導
體和 p 型半導體。本徵半導體中，載流子是由部分電子從價電帶激發
到導電帶上產生的，形成數目相等的電子和空穴。n 型和 p 型半導體
屬於摻雜半導體，n 型半導體是施體向半導體導帶輸送電子，形成以
電子為主體的結構。p 型半導體是受體接受半導體價帶電子，形成以
空穴為主體的結構。自從矽、鍺等半導體材料應用以來，半導體材料
單質、化合物、無機物、有機物、無機─有機複合物等各式各樣的材
料紛紛出現，在電子、化工、醫藥、航空和軍事等領域得到廣泛的應
用，已經成為社會發展不可缺少的一個分支。例如，電子計算機晶片
（chip）中應用的超大規模積體電路（VLSI），就是由單晶矽、砷化
鎵等半導體所構成的，太陽能電池（solar cell）中也使用了 CdSe、
CdTe、MoO2 等半導體化合物。加拿大戈爾登國家再生能源實驗室使
用能吸收可見光的磷酸銦鎵和吸收紅外光的砷化鎵，組成了新型太陽
能電池，能夠源源不斷地產生氫氣，得到潔淨高效的能源 1 。由於半
導體具有特殊的光、電、磁等性質，因而得到廣泛應用。
奈米（nano-meter, nm）是一個長度單位，1 奈米為 10 億分之一
米，相當於 10 個氫原子一個挨一個排起來的長度。奈米科技是指在奈
米尺度空間（0.1～100nm）上研究物質的特性和相互作用，並發展為
相應多學科交叉的科學和技術。奈米科技是在 20 世紀 80 年代末 90 年

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 CHAPTER 1 緒 論 3

代初才逐步發展起來的前沿、交叉性新興學科領域，它在創造新的生
產技術、新的物質和新的產品等方面有巨大潛能。從材料的結構單元
層次來說，奈米材料（nanomaterial）一般是由 1～100nm 間的粒子組
成，它介於巨觀物質和微觀原子、分子交界的過渡區域，是一種典型
的介觀系統。1990 年 7 月在美國召開的第一屆國際奈米科學技術會
議，正式宣布奈米材料科學為材料科學的一個新分支。奈米材料的研
究主要分成兩個方面： 系統研究奈米材料的性能、微結構和光譜特
徵，藉由與一般材料（微米材料）相比較，找出奈米材料的特殊規
律，建立起奈米材料的新概念和新理論並發展和完善奈米材料科學體
系； 開發和研製新的奈米材料。
奈米材料可分為兩個體系： 奈米微粒； 奈米固體（包括在奈
米尺度上複合的複合體和組裝體）。奈米微粒是介於原子團簇和亞微
米顆粒之間的領域，是奈米固體的組成單元。其界面組成基元占較大
比例，既不同於長程有序的晶體，也不同於長程無序、短程有序的非
晶體，而是處於無序度更高的狀態，一種長短程都無序的「類氣體
（gas-like）」結構。這種特殊結構是奈米固體產生獨特的物理和化學
性能的基礎 2, 3 。
小尺寸效應 當奈米顆粒的尺寸與光波波長、傳導電子的德布羅依
波長（deBroglis wavelength）及超導態的相干波長或透射深度等物
理特徵尺寸相當或更小時，晶體周期性的邊界條件將被破壞，非晶
態奈米微粒表面層附近原子密度減小，奈米顆粒表現出新的光、
電、聲、磁等體積效應，其他性質都是此效應的延伸。例如：光吸
收顯著增加，並產生等離子體共振頻移；磁有序態向磁無序態轉
變；超導相向正常相轉變；聲子譜發生改變等。

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 4 奈米光觸媒

表面效應 奈米材料的重要特點是表面效應。隨著粒徑減小，比表
面積大大增加。奈米粒子表面原子與總原子數之比會隨著奈米粒子
尺寸的減小而大幅度增加。粒徑為 5nm 時，表面將占 40%，粒徑為
2nm 時，表面的體積百分率增加到 80%（見表 1-1）。由於龐大的
比表面，表面原子數增加，無序度增加，鍵態嚴重失配，因而出現
許多活性中心，表面臺階和粗糙度增加，表面出現非化學平衡和非
整數配位的化學價。這就是導致奈米體系的化學性質和化學平衡體
系出現很大差別的原因。

表 1-1 奈米粒子的粒徑與表面原子的關係

原子數 表面原子 原子數 表面原子

粒徑(nm) 粒徑(nm)
(個) 所占比例% (個) 所占比例%
20 2.5×105 10 2 2.5×102 80
10 3.0×104 20 1 30 99
3
5 4.0×10 40

量子尺寸效應 當粒子尺寸下降到某一值時，金屬費米附近的電子
能級由準連續變為離散相，半導體微粒中存在不連續的最高占據分
子軌道和最低未被占據的分子軌道能級，能隙變寬，以及由此導致
的不同於巨觀物體的光、電和超導等性質。一般，不同的半導體材
料，其量子尺寸是不同的，只有半導體材料的粒子尺寸小於量子尺
寸，才能明顯地觀察到其量子尺寸效應。CdS 的量子尺寸為 5～
6nm，而 PbS 的量子尺寸為 18nm 4, 5 。對於 TiO2，實驗研究顯示 6 ，
當 TiO2 粒徑小於 10nm 時，顯示明顯的量子尺寸效應，光催化反應
的量子產率迅速提高；銳鈦礦相 TiO2 粒徑為 3.8nm 時，其量子產率
是粒徑為 53nm 的 27.2 倍。圖 1-1 為量子尺寸效應示意圖。

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 CHAPTER 1 緒 論 5

半導體體相
禁
帶
(eV)

直徑(nm)

圖 1-1 奈米半導體的量子尺寸效應示意圖

巨觀量子隧道效應 微觀粒子具有貫穿勢壘的能力稱為隧道效應
（tunnel effect）。奈米粒子總的磁化強度和量子相干器件中的磁通
量等也具有隧道效應，稱之為巨觀量子隧道效應。
介電限域效應 7, 8 奈米粒子的介電限域效應（dielectric confined fi-
eld effect）較少被注意到。實際樣品中，粒子被空氣、聚合物、玻
璃和溶劑等介質所包圍，而這些介質的折射率（refractive index）通
常比無機半導體低。光照射時，由於折射率不同因而產生了界面，
鄰近奈米半導體表面的區域、甚至奈米粒子內部的場強會比輻照光
的光強較大。這種局部的場增強效應，對半導體奈米粒子的光物理
及非線性光學特性有直接的影響。對於無機─有機混成（hybrid）
材料以及用於多相反應體系中光催化材料，介電限域效應對反應過
程和動力學有重要的影響。
上述的小尺寸效應、表面效應、量子尺寸效應、巨觀量子隧道效
應和介電限域效應都是奈米微粒與奈米固體的基本特徵，這一系列效
應導致了奈米材料在熔點、蒸氣壓、相變溫度、光學性質、化學反應

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 6 奈米光觸媒

性、磁性、超導及塑性形變等許多物理和化學方面都顯示出特殊的性
能。它使奈米微粒和奈米固體呈現許多奇異的物理、化學性質。由於
奈米材料的獨特性質，奈米科學和奈米技術受到越來越多的關注和重
視，世界上許多國家都已投入大量的資金進行研究工作。日本的「創
造科學技術推進事業」、美國的「星球大戰」計畫、西歐的「尤里
卡」計畫，以及中國的「奈米科學攀登計畫」、「863 計畫」和「973
計畫」，都將它列入重點研究開發的課題。
半導體是介於導體和絕緣體之間的領域，奈米材料是聯繫巨觀物
質和微觀物質的橋樑，兩者交叉存在。特別是近幾年，半導體材料和
奈米技術結合得越來越緊密，藉著奈米材料的特殊性質，擴大了半導
體材料在光、電、磁、傳感器等領域的應用。

1.2 奈米半導體的特殊性質 9

1.2.1 光學特性

半導體奈米粒子的尺寸與物理的特徵量相差不多，如奈米粒子的
粒徑與波爾半徑（Bohr radius）或德布羅依波長（ = h/ 2mE）相當
時，奈米粒子的量子尺寸效應就十分顯著。另外，奈米粒子擁有很大
的比表面積，有相當一部分的原子處於顆粒表面，處於表面態的原
子、電子與處於顆粒內部的原子、電子的行為有很大的差別。量子尺

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 CHAPTER 1 緒 論 7

寸效應和表面效應對奈米半導體粒子的光學特性有很大影響，而且導
致奈米半導體粒子擁有一些新的光學性質。
寬頻帶強吸收 許多奈米半導體化合物粒子，例如，ZnO、Fe2 3和

TiO2 等，對紫外光有強吸收作用，而微米級的 TiO2 對紫外光幾乎不

吸收。這些奈米氧化物對紫外光的吸收主要因為它們的半導體性
質，即在紫外光照射下，電子被激發，由價帶向導帶躍遷而引起
的。
吸收邊的移動現象 與塊體材料相比，奈米粒子的吸收邊普遍有
「藍移（blue shift）」現象，即吸收帶向短波方向移動。例如，銳
鈦礦相（anatase; octahedrite）TiO2 的體相材料在紫外光區的吸收邊
為 393nm，而粒徑約為 30nm 的銳鈦礦相 TiO2 的奈米粒子，在紫外
光區的吸收邊則為 385nm，隨著粒子粒徑的減小，吸收邊藍移了
8nm。而 TiO2 膠體的吸收邊帶的藍移現象更為明顯，在紫外吸收光
譜中，採用直線外推法與長波方向的交點，可以確定吸收曲線吸收
邊帶邊界的起始點 （簡寫為 ）。新製的銳鈦礦相 TiO2 膠體吸
收邊帶邊界的起始點 為 359nm 見圖 1-2，經陳化，TiO2 膠體粒
子有所長大，其 為 372nm。這兩者的吸收帶邊界相對於金紅石
相（rutile）TiO2 塊 體 材 料（ = 410nm）分 別 藍 移 了 51nm 和
38nm 10 。
通常當半導體粒子尺寸效應與其激子波爾半徑相近時，隨著粒子
尺寸的減小，半導體粒子的有效帶隙增加，其相應的吸收光譜和螢光
光譜（fluorescent spectrum）發生藍移，從而在能帶中形成一系列分立
的能級。一些奈米半導體粒子，如 CdS、CdSe、ZnO、Cd3As2 所呈現
的量子尺寸效應可以用以下公式來描述：

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 8 奈米光觸媒

吸
收
(a. u.)

波長(nm)

圖 1-2 TiO2 膠體和粉體懸浮液的紫外吸收光譜

1 新製膠體；2 陳化膠體；3 粉體懸浮液

h2 2 1.768e 2
E r =E r= + 0.248E * （1-1）
2 r2 r
1 1
= + + 1
m m
e4
E* =
2 2h2

式中 E r ──奈米半導體粒子的吸收帶隙；
E r= ──體相半導體粒子的吸收帶隙，r 為粒子半徑；
h ──plank 常數；
e ──電子所帶電荷量；
──粒子的折合質量；
m ──電子的有效質量；
m + ──空穴的有效質量；
E * ──有限的里德伯量。

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 CHAPTER 1 緒 論 9

上式中的第二項為量子限域能（藍移），第三項為電子─空穴對
庫侖的作用能（紅移），由式（1-1）可以看出，隨著粒子半徑的減
小，其吸收光譜發生藍移。對於奈米粒子吸收邊「藍移」現象有兩種
說法： 由量子尺寸效應引起已被電子占據分子軌道能級與未被電子
占據的分子軌道之間的禁帶寬度（forbidden band width）（能隙），
由於粒子粒徑的減小而增大，而使吸收邊向短波方向移動，這種解釋
比較普遍，而且對半導體和絕緣體都適用； 表面效應導致由於奈米
粒子顆粒小，大的表面張力使晶格畸變，晶格常數變小。
量子限域效應 正常條件下，奈米半導體材料界面的空穴濃度比一
般材料高得多。當半導體奈米粒子的粒徑小於激子波爾半徑時，電
子運動的平均自由程縮短，並受粒徑的限制，被局限在很小的範圍
內，空穴約束電子很容易形成激子。導致電子和空穴波函數的重
疊，這就容易產生激子吸收帶。激子波爾半徑為：

h2 1 1
= (
4 2e2 m
+ +
m ) （1-2）

式中 ──激子波爾半徑；
──介電常數（dielectric constant）。
隨著粒徑的減小，重疊因子（在某處同時發現電子和空穴的概
率）增加，也就是激子的濃度越高。在能隙中靠近導帶底形成一些激
子能級，這些激子能級的存在就會產生激子發光帶。奈米材料的激子
發光很容易出現，而且激子發光帶的強度隨著粒徑的減小而增加並伴
隨藍移，這就是量子限域（quantum confinment）效應。激子發光是一

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 10 奈米光觸媒

般材料在相同實驗條件下不可能被觀察到的發光現象，因此，奈米半
導體微粒增強的量子限域效應，使它的光學性能不同於一般的半導
體。圖 1-3 分別是摻雜了粒徑大於 10nm 和 5nm 的 CdSexS1 x 玻璃的

吸收光譜。當半導體顆粒的尺寸減小後出現明顯的激子峰。

吸
收
(a. u.)

強
度

波長(nm) 波長(nm)

圖 1-3 摻雜 CdSexS1 x 圖 1-4 不同粒徑的奈米 Si 在室溫

玻璃的吸收光譜 下的發光光譜
1 粒徑 > 10nm；2 粒徑 = 5nm 粒徑：d1 < d2 < d3

奈米粒子的發光效應 當奈米顆粒的粒徑小到一定值時，可在一定
波長的光激發下發光。粒徑小於 6nm 的矽在室溫下可發射可見光
（見圖 1-4）。研究結果顯示，奈米半導體粒子表面經化學修飾後，
粒子周圍的介質可強烈地影響其光學性質，產生吸收光譜和螢光光
譜的紅移，這種現象初步認為是由於偶極效應和介電限域效應（die-
lectric confined field effect）導致的。對十二烷基苯磺酸鈉（DBC）
修飾的 TiO2 奈米粒子的螢光光譜和激發光譜研究發現，室溫下樣品

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 CHAPTER 1 緒 論 11

在可見光區存在著強的光致發光（photo luminescence），峰值位於
560nm，而 TiO2 體相材料在相同溫度下卻觀察不到任何發光現象。
這是由於體相半導體激子束縛能很小，對於經表面化學修飾的奈米
半導體粒子，其屏蔽效應減弱，電子─空穴庫侖作用增強，使激子
結合能和振子強度增大，介電效應的增加，會導致奈米半導體粒子
表面結構發生變化，使原來的禁戒躍遷變成允許，因而室溫下就可
以觀察到較強的光致發光現象。

1.2.2 光催化特性

Ueda 等人較早從利用太陽能的觀點出發，對奈米半導體的微多相
光催化反應進行了系統的研究。這些反應主要集中在光解水 11 、CO2
和 N2 固化 12 、光催化降解污染物 13 15
及光催化有機合成 16 等方面。
研究顯示，Pt-TiO2 奈米半導體複合粒子的量子尺寸效應（quantum size
effect）強烈地影響其光催化甲醇脫氫活性。此外，奈米半導體粒子能
夠催化體相半導體所不能進行的反應。例如，粒徑為 3nm 的 ZnS 半導
體粒子，對於光催化還原 CO2 顯示出效率高達 80%的高量子效率 17 ，
而在相應的體相半導體上卻觀察不到任何光催化活性（photo catalytic
activity）。對奈米 TiO2 、TiO2 -Al2 O3 、CdS、ZnS、PbS 等半導體粒
子的光催化活性進行系統的研究 18 之後，發現奈米粒子的光催化活性
均明顯優於相應的體相材料。這主要是由兩個原因所致： 奈米半導
體粒子所具有的量子尺寸效應使其導帶和價帶能級變為分立的能級，
能隙變寬，導帶電位變得更負，而價帶電位變得更正。這意味著奈米
半導體粒子獲得了更強的還原及氧化能力，從而提高其光催化活性。

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 12 奈米光觸媒

對於奈米半導體粒子而言，其粒徑通常小於空間電荷層的厚度，在
離開粒子中心 l 距離處的勢壘高度 V 可以表述為 19 ：

1 2
V= l/L （1-3）
6

式中，L 為半導體的 Debye 長度。在此情況下，空間電荷層的任何影

響都可忽略，光生載流子可通過簡單的擴散從粒子內部遷移到粒子表
面，而與電子給體或受體發生還原或氧化反應。計算結果顯示，在粒
徑為 1 m 的 TiO2 粒子中，電子從體內擴散到表面的時間約為 100ns；
而在粒徑為 10nm 的微粒中該時間只有 10ps。因此粒徑越小，電子與
空穴的複合機率越小，電荷分離效果越好，從而導致催化活性提高。

1.2.3 光電轉換特性

奈米半導體粒子構成的多孔大比表面積太陽能電池因其具有優越
的光電轉換（photo-electron exchange）特性而備受矚目。Grätzel 等人在
1991 年報導了經三雙 啶合釕〔Ru(dcbpy)32+〕染料敏化的奈米 TiO2 太
陽能電池的卓越性能，在模擬太陽光源照射下，其光電轉換效率
（photo-electron exchanged efficiency）可達 12%，光電流密度大於
12mA/cm2。由於奈米 TiO2 多孔電極表面吸附的染料分子數是普通電
極表面所能吸附的 50 倍，而且幾乎每個染料分子都與 TiO2 分子直接作
用，光生載流子的界面電子轉移速度快，因而具有優異的光吸收和光電轉
換特性。此外，還發現 ZnO、CdSe、CdS、 、Fe2 O3、SnO2 、Nb2 O2
等奈米晶體（nano crystal）太陽能電池均具有優異的光電轉換特性。

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 CHAPTER 1 緒 論 13

1.2.4 電學特性

介電和壓電特性是材料的基本特徵之一。奈米半導體的介電行為
和壓電特性與一般的半導體材料有很大不同，歸納起來是：奈米半導
體材料的介電常數隨測量頻率的減小呈明顯的上升趨勢；在低頻範圍
內，奈米半導體材料的介電常數呈現尺寸效應；奈米半導體可以產生
強的壓電效應（piezoelectricity effect）。

1.3 金屬氧化物的缺陷和半導體性質

1.3.1 晶體的不完整性

實際晶體不是具有規則空間結構的晶體（完全晶體），而是具有
各種不完整性。這種不完整性顯著地影響晶體的各種物理性質，尤其
是那些與晶體內組成單位和能級移動有關的物理性質。雖然一般金屬
氧化物中金屬同氧原子的電負性相差很大，禁帶寬度也大，但是發現
它們多數都具有結晶不完全性，並在半導體性質上反應出來。
晶格的不完全性稱為晶格缺陷（crystal defect），影響其性質的缺
陷主要有電子缺陷（electron defect）、點缺陷（point defect）和複合
缺陷（composite defect）。
點缺陷和電子缺陷 20, 21 點缺陷是原子缺陷，可分為單純相（計量
化合物）中的點缺陷，非計量組成產生的點缺陷和雜質帶來的點缺

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 14 奈米光觸媒

陷。一個完整晶體在溫度高於 0 K時，晶體中的原子在其平衡位置
附近作熱運動。當溫度繼續升高時，原子的平均動能隨之增加，振
動幅度增大。原子間的能量分布遵循 Maxwell 分布規律。當某些具
有較大平均動能的原子，其能量足夠大時，可能離開平衡位置而擠
入晶格間隙中，成為間隙原子（interstitial atom），原來的晶格位置
變成空位。這種在晶體中同時產生的間隙原子和空位的缺陷，稱為
Frenkel 缺陷見圖 1-5。如果晶體表面原子受熱激發，部分能量較大
的原子蒸發到表面以外的地方，在原來的位置上就產生了空位，而
晶體內部的原子又運動到表面接替了這個空位，並在內部產生了空
位。總起來看，就像空位從晶體表面向晶體內部移動一樣，這種空
位叫做 Schottky 缺陷。Schottky 缺陷是由相等數量的正離子空位和
負離子空位所構成的。

Frenkel 缺陷 Schottky 缺陷

圖 1-5 在二元化學計量比晶體中無序的類型

但是金屬氧化物特別是過渡金屬氧化物中，很多是非計量組成，
這種情況有別於上面所述。此時缺陷的濃度具有受環境影響的特點，
化合物的電中性，則由缺陷附近束縛電子或空穴來維持。以 ZnO 和

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 CHAPTER 1 緒 論 15

NiO 為例來說明，ZnO 中的過剩金屬可使晶格間存有鋅離子也因而可

束縛其周圍的電子。NiO 情況相反，金屬離子缺位，為了平衡多餘的
負電荷，陽離子缺位附近的 2 個 Ni2+ 變為 Ni3+（即束縛了空穴）。ZnO
中缺陷生成的平衡式通常是：

1
ZnO = Zni* + e + O (g)
2 2

（i 表示晶格間原子）。當平衡常數是 K，則缺陷濃度是：

* = e = K 1/2．P 2
1/4
（1-4）

以上是單組分氧化物中的點缺陷，一個更重要的缺陷結構是由雜
質原子混入而產生的。原子價不同的離子進入後（doping），為了滿
足電中性條件，同非計量化合物中一樣，將會引入過剩電子或空穴，
影響氧化物的半導體性質。以 NiO 為例，將 Li 加入原來有缺位的 NiO
中，開始由於 Li+ 進入陽離子缺位，減少了空穴數目，但是繼續添加
Li+ 時，Li+ 會置換晶格中的 Ni2+ ，而增加了 Ni3+ 的空穴。

x x 2+ 3+
2 + 1 x + 2 x 1 2x x
2 4

另一方面，加入 Cr3+ 這樣的 3 價離子空穴數目會減少，在這種情

況下，晶格缺陷顯著地受到雜質原子的原子價數和濃度的影響。
複合缺陷 22,23 上述點缺陷概念，只在點缺陷濃度十分低時才成

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 16 奈米光觸媒

立。缺陷濃度高時，它們彼此相互作用形成了所謂的複合缺陷。複
合缺陷的代表有集團結構、超晶格結構（super lattice structure）和
剪切結構（shearing structure）3 種。
集團結構（aggregate structure）是幾種缺陷結合而形成的特殊締合
結構。代表性例子是具有 NaCl 型結構的 Fe1 O，具有 Fe0.95O～Fe0.85O
廣泛範圍內的非計量組成。Koch 和 Cohen 24 根據 X 射線繞射（X-ray
diffraction）提出了如圖 1-6 所示意的集團結構，即 1 個 V 周圍有 4
個配位數為 4 的 Fei，其外周圍又有 12 個 V 存在，這種結構稱之為
Koch 集團。中子繞射實驗也證實了這一觀點。

圖 1-6 Fe1 O 中的 Koch 集團

（□：V '
：Fei）

超晶格結構中，晶格點缺陷在晶體內有規則排列，也構成晶體的
一個組成單位，在過渡金屬的硫化物中常常可以看到這種結構。氧化
物中以 TiO 和 VO 最具代表性，TiO 在 900℃以下有超晶格結構存在，
這個缺陷是 NaCl 型結構，即點缺陷（陽離子和氧離子缺位）有規則
排列，可看做 Ti4/5O4/5 的結構。此外，當氧過剩時，生成物表示為

4/5 ，其中只有 Ti 缺位有規則排列的超晶格結構，見圖 1-7。

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 CHAPTER 1 緒 論 17

Ti O V V

圖 1-7 規則的 Ti4/5O4/5 結構 和 4/5 結構

以上的兩個例子中，點缺陷可看做在三維空間排列。當點缺陷集
中在特定的晶面形成二維結構，這是另一類重要的複合缺陷。二維缺
陷的一個重要類型就是陰離子的剪切結構，這種情況可以理解為有規
則地除去晶體中特定晶面上的陰離子，為了補全晶形晶格而發生的滑
移。陰離子被除去的面稱為剪切面（Sheared plane, CS 面）。

1.3.2 半導體性質與缺陷

各種缺陷給晶體帶來了化學活性，催化作用中的活性中心常常與
晶格缺陷有密切關係，特別是與半導體性質有關的點缺陷 25 。目前氧
化物大部分具有大的禁帶寬度，或者不如說具有絕緣體的特徵。將具
有半導體性質的常見氧化物的 E 值列表（表 1-2）並進行了對比。

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 18 奈米光觸媒

表 1-2 各氧化物的禁帶寬度

氧化物 TiO2 NiO Cu2O ZnO CdO SnO2

E /eV 3.0 4.0 2.1 3.4 2.35 3.6

由於非計量組成、雜質導入、d 電子結構、禁帶中產生了雜質能
級等原因，氧化物顯示出半導體性質或改變了半導體性質。以 ZnO 為
例，過剩的晶格間，鋅緊鄰導帶下方形成施體能級，成為 n 型半導體。
這時晶格間鋅周圍的束縛電子，因為與成鍵無關而處於比價電子高的
能量狀態，但它也不是在晶體中可以自由移動的傳導電子，而是處於
比導帶低的能量狀態中。NiO 中由於陽離子缺位生成 Ni3+，根據同樣
的原因緊鄰價帶上方而產生了受體能級，因此表現為 p 型半導體。這
些施體、受體能級的密度，可以通過周圍環境和調節加入不同原子價
的雜質來控制。

1.4 奈米半導體的應用

1.4.1 半導體光催化性

光催化性是奈米半導體的獨特性能之一。奈米半導體材料在光的
照射下，通過把光能轉化為化學能，促進化合物的合成或使化合物
（有機物或無機物）降解的過程稱之為光催化（photo catalysis） 13, 14 。
1972 年，Fujishi-ma 和 Honda 首先報導了用氧化鈦作為光觸媒（光催

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 CHAPTER 1 緒 論 19

化劑）分解水來製備氫氣 26 。當時正值能源危機，利用太陽能製備氫
氣來緩解能源危機有重大的實用意義，立即引起了學術界的廣泛關
注。1977 年 Bard 用氧化鈦作光觸媒氧化 CN 為 OCN ，開創了用光
觸媒處理污水的先河 13 。其實，早在 20 世紀五六十年代，就有人研
究過 ZnO 的光催化作用，主要是一些光氧化反應，如：由氧氣製備臭
氧（ozone）或以氧氣和水來製備雙氧水等。由於量子產率（quantum
yield）低，用於化學合成上沒有實際意義因而很少受到注意。進入 20
世紀 90 年代後，由於奈米科技的高速發展，為奈米光催化技術的應用
提供了極好的機遇。隨著控制奈米粒子的粒徑、表面積等技術日趨成
熟，經由材料設計，使提高光催化材料的量子產率成為可能。同時，
由於全球工業化進程的發展，環境污染問題日益嚴重，環境保護和可
持續發展成為人們必須考慮的首要問題，從而半導體光催化材料成為
科學家們研究的重點 27 33
。近十幾年來，半導體光催化在環保、健康
等方面的應用中得到迅速發展。最近 10 年來，在水、大氣和污水處理
的領域，每年都有數千篇科學論文發表。在實際應用中，半導體光化
學和光催化產生了驚人的效益。
目前廣泛研究的半導體光觸媒大多數都屬於寬禁帶的 n 型半導體
化合物，如 CdS、SnO2、TiO2、ZnO、ZnS、PbS、MoO3、 、
V2O5、WO3 和 MoSi2 等。這些半導體中 TiO2、CdS 和 ZnO 的催化活
性最高，但 CdS、ZnO 在光照射時不穩定，因為光陽極易腐蝕而產生
、Zn2+，這些離子對生物有毒性，並對環境有害。TiO2 光催化材
料是當前最有應用潛力的一種光觸媒。它的優點是：光照後不發生光
腐蝕、耐酸鹼性好、化學性質穩定、對生物無毒性、來源豐富（世界
年消費量為 350 萬噸）、能隙較大，產生光生電子和空穴的電位電位

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 20 奈米光觸媒

高〔有很強的氧化性（oxidization）和還原性（reduction）〕；另外，
TiO2 為白色粉末，根據需要，可製成白色或無色塊體和薄膜。所以半
導體光催化主要集中於 ，以 TiO2 作為耐久的光觸媒已經被應用在
處理各種環境問題上。文獻報導， 對於破壞微觀的細菌和氣味是
十分有用的，另外，還可以使癌細胞失活、對臭味進行控制、對氮的
固化和對於清除油的污染都是十分有效的。半導體（如 TiO2 、ZnO、
Fe2O3 和 ZnS 等）對於光誘導還原技術（reduction technology）具抗體
作用，因為這些半導體具有特殊的電子結構，這種結構由一個滿價帶
和一個空導帶來表示。
當一個具有 h 大小能量的光子或者超過這個半導體帶隙能量 E
的光子射入半導體時，一個電子 e 被從價帶 VB 激發到導帶 CB，留
下一個空穴 h+ 在價帶中。激發態的導帶電子和價帶空穴除了重新結合
並消除輸入的能量之外，電子會於材料的表面上被捕捉，也就是說電
子被吸附在半導體表面，或者是吸附在荷電的周圍粒子之雙電子層
內。如果一個適當的空穴能或表面缺陷態能被用來捕捉電子或空穴，
則可以防止電子和空穴的重新結合，之後的還原反應即可發生。價帶
的空穴是有力的氧化劑（+1.0～3.5V），而導帶的電子則是很好的還
原劑（+0.5～1.5V）。在大部分有機光致降解反應（photo degrada-
tion）中，反應不是直接就是間接地充分利用空穴氧化劑的能量；然
而，為了防止電子和空穴重新結合，必須提供一個可還原物質與電子
反應。相反地，在只有一種物質的塊體半導體電極上，不是空穴就是
電子由於鍵彎曲被用來反應。但在粒徑非常小的半導體粒子中，空穴
和電子二者懸垂在表面上，所以需要仔細地討論氧化和還原的途徑
（詳見第 3 章）。

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 索 引 395

索 引

A B

adsorption 吸附 318 Bell labs 貝爾實驗室 356

aggregate structure 集團結構 16 blue shift 藍移 7, 48, 107

amorphous silicon 非晶矽 356 Bohr radius 波爾半徑 6, 111

amorphous 無定形 89 brookite 板鈦礦 40

anatase；octahedrite 銳鈦礦 43, bulk composition 體相複合 170,

314 190, 288, 348

anatase；octahedrite 銳鈦礦相
C
7, 54, 76, 188, 332

arc heating synthesis 電弧加熱合 catalyzed photoreaction 催化光反

成法 126 應 54, 58

atomic force microscopy, AFM 原 change transfer 電荷轉移 57

子力顯微鏡 224 chelate 螯合 71
atomization 噴霧法 80 chemical oxygen demand，簡 稱
atomizing dryer 噴霧乾燥 136 COD 化學耗氧量 160

atomizing thermal decomposition Chemical Vapor Deposition，簡 稱

噴霧熱解法 79 CVD 化學氣相沉積 227

Auger electron spectroscopy 俄歇 Chemical Vapor Deposition，簡 稱

電子峰 223 CVD 化學氣相沉積法 126

chlorination 氯化法 82

composite center 複合中心 67

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 396 奈米光觸媒

composite defect 複合缺陷 13 degradation rate 降解速率 69

composite reaction 複合反應 65 degradation 降解反應 267

conjugation 共軛反應 351 degree of effective degradation 有

contact area 接觸面積 76 效降解率（D ） 167

continuous phase 連續相 264 degree of extinction 消光度 87

coordinated ion 配位離子 124 desorption control 脫附控制 318

coordination number 配位數 283 dielectric confined field effect 介電

coprecipitate 共沉澱物 78 限域效應 5, 10

Coulomb interaction force 庫侖作 dielectric constant 介電常數 9,

用能 206 13, 107

conduction band 導帶 55 dielectric effect 介電效應 206

crystal defect 晶格缺陷 13 differential scanning calorimeter,

crystal lattice spacing 晶面間距 DSC 差示掃描量熱法 91

202 diffraction broading method 繞射

crystal lattice 晶格 81 寬化法 312

crystal vacancy 晶格空位 54 diffuse reflection spectrum 漫反射
crystal vacancy 晶格空隙 233 光譜 148
cubic close packing 立方最密堆積 diffuse reflection 漫反射 48, 114
33 diffusion control 擴散控制 317
dip coating 浸漬─提拉法 217
D
dip method 浸漬法 296
deBroglis wavelength 德布羅依波 dipole effect 偶極效應 10
長 3, 6 dry ice 乾冰 136
deep oxidation 深度氧化 316 dynamic laser scattering, DLS 動態

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 索 引 397

激光散射法 306 方最密堆積 34

Fermi level 費米能階 325

E
flame hydrolysis 火焰水解法 84

electrical spark discharge 火花放電 fluorescent spectrum 螢光光譜 7,

法 80 347

electrolyte 電解質 361 forbidden band width 禁帶寬度

electron binding energy 電子束縛 （能隙） 9, 54, 56, 207, 302

能 342 freeze drying 冷凍乾燥 135

electron captured agent 電子捕獲

G
劑 69, 160

electron consumed agent 電子消耗 gel 凝膠 118

劑 215 grain cell 晶胞 36
electron defect 電子缺陷 13 grain boundary 晶界 146
electron diffusion parameter 電子
H
擴散係數 146

electron spin resonance, ESR 電子 half life 半衰期 157

自旋共振 61, 212 hexagonal close packing 六方最密
Emulsion；Macroemulsion 乳濁液 堆積 33
129 high energy ball milling 高能球磨
energy-level shift 能級移動 64 法 77
extinctioncoefficient 消光係數 361 hole-reduction agent 空穴消耗劑

215
F
hybrid 混成 5
face-centered cubic. P, FCC 面心立 hydrolysis accelerate 水解促進劑

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 398 奈米光觸媒

134
L
hydrolysis 水解反應 98

hydrolysis 水解法 79, 80 laser induced vapor deposition 激

hydrothermal 水熱法 79, 80, 120 光誘導氣相沉積法 126

Laser synthesis 激光合成法 80

I
laser thermal decomposition 激光

indirect transition 間接躍遷 206 熱解法 84

inelastic scattering 非彈性散射 Liquid Phase Deposition, LPD 液

49 相沉積法 198

infrared, IR 紅外光譜 168, 312

M
initial reaction rate 初始反應速率
69 mean pore size 平均孔徑 243
interfacial charge transfer 界面電 meta-stable phase 亞穩定相 99
荷轉移 25 methyl orange 甲基橙 225
interfacial tension 界面張力 128 Methylene blue 亞甲基藍（C16H18
interstitial atom 間隙原子 14 ClN3S．3H2O） 207, 335
intermediate 中間體 83 micro order 微米級 121

intrinsic semi-conductor 本徵半導 micro pore 微孔 144

體 2 Microemulsion 微乳液 128

ion vapor synthesis 離子氣相合成 Microemulsion 微乳液法 24

法 126 micropool 微池 129
ionization probability 電離機率 mirror reflection 鏡面反射 114
248 molecular silane 分子篩 144, 260
ionization 電離過程 98 multi-phase catalysis 多相光催化

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 索 引 399

58
P
N
paraboloid photo reactor 拋物面槽

nano cluster 奈米團簇 334 光反應器 366

nano crystal 奈米晶體 12 particle size 粒徑 19, 21

nano metal 奈米金屬 333 photo catalysis efficiency 光催化

nano powder 奈米粉體 77 效率 21
nanomaterial 奈米材料 3, 392 photo catalysis 光催化 18, 54
nanometer, nm 奈米 2 photo catalytic activity 光催化活性
11, 67, 145
O
photo conductivity 光電導率 61

optical energy gap 光學帶隙（E ） photo degradation 光致降解反應

205 20
optical fiber 光纖 26 photo degradation 光降解反應
optical quantum 光量子 69, 134 370
Ostwald Ripening 歐斯瓦德熟化 photo luminescence 光致發光 11
125 photo oxidation 光氧化反應 188
oxidation-reduction method 氧化─ photo reactor 光反應器 367, 369
還原法 79, 80 photo reduction 光還原反應 175
oxidation-reduction potential 氧化─ photo voltage 光電壓 358
還原電位 54, 107 photo-electron exchange 光電轉換
oxidization 氧化性 20 12, 358
ozone 臭氧 19, 377 photo-electron exchanged efficiency

光電轉換效率 12, 25

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 400 奈米光觸媒

photo-induced electron capture agent 206

光生電子捕獲劑 155 quantum size effect 量子尺寸效應

photo-induced electron 光生電子 11, 106, 302

60, 110, 154, 314 quantum yield 量子產率 19

photo-induced hole capture agent

R
光生空穴捕獲劑 155

photo-induced hole 光生空穴 60, radical 自由基 60, 316

110, 154, 314 Raman effect 拉曼效應 49
photosensitizes 光敏劑 156 Raman scattering 拉曼散射 49
Physical Vapor Deposition, PVD Raman spectrum 拉曼光譜 49,
物理氣相沉積法 126 91
piezoelectricity effect 壓電效應 red shift 紅移 97
13 reduction technology 還原技術
point defect 點缺陷 13 20

polycrystal silicon 多晶矽 356 reduction 還原性 20

pore volume 孔容 243 refractive index 折射率 5, 236

porosity 孔隙率 127 Reverse micells 反膠束 129

precipitation 沉澱法 79, 80 response-recovery time 響 應─ 恢

primary particle size 一次粒徑 復時間 25

47 rutile 金紅石相 7, 37, 54, 314,

pulverize method 粉碎法 77 337

Q S

quantum confinment 量子限域 9, scatting coefficient 散射係數 113

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 索 引 401

scanning electron microscopy, SEM specific catalytic activity 比催化活

掃描式電子顯微鏡 119 性 211

second order non-linear optics 二階 specific surface area 比表面積

非線性光學 361 24, 94, 243, 334

secondary particle size 二次粒徑 spectrophotometry 分光光度法

201 185

secondary synthesis 二次合成 sputter 濺射法 246

273 subporous membrane 介孔膜 131

self-cleaning material 自清潔材料 subporous molecular sieve 介孔分

197 子篩 270

self-cleaning 自清潔 383 subporous 介孔 91, 144

semiconductor 半導體 2 super lattice structure 超晶格結構

sensitized photoreaction 敏化光反 16
應 54 superoxide radical 超氧分子 316
sensitizer 敏化劑 360 supersaturated concentration 過飽
shearing structure 剪切結構 16 和濃度 81
single-crystal silicon 單晶矽 356 surface activity 表面活性 24
single-layered TiO2 單層氧化鈦 surface composite 表面複合 169,
285 288, 348
small angle x-ray diffraction, SAXD surface free energy 表面自由能
小角 X 射線繞射 92 99
sol 溶膠 118 surface polarization energy 表面極
solar cell 太陽能電池 2, 356 化能 206
sol-gel 溶膠─凝膠 25, 79, 80 surface reaction control 表面反應

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 402 奈米光觸媒

控制 318 valence band 價帶 55

surfactant 界面活性劑 126 vapor phase condensation 氣相冷

suspension volume 懸浮液體積 凝法 77

（V ） 373 vapor phase hydrolysis 氣相水解

suspension 懸浮液 112 法 84

Very Large Scale Integrated Circuit,

T
VLSI 超大規模積體電路

thermal decomposition reactive de- 198

posite 熱分解反應沉積 228

W
titration curve 滴定曲線 87

total organic carbon, TOC 總有機 work function 功 函 數（ ）

碳含量 160, 373 325

transmission electron microscopy,

X
TEM 穿透式電子顯微鏡

127 X-ray diffraction X 射線繞射 16

tunnel effect 隧道效應 5 X-ray photo electron spectra, XPS

光電子能譜 342
U
Z
UV-visible light adsorption spectrum

紫外─可見光吸收光譜 205 Zeeman-split 塞曼分裂 212

vacuum drying 真空乾燥 135

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 奈米光觸媒／高濂, 鄭珊, 張青紅編著. －－
初版.－－臺北市：五南, 2004[民93]
　面；　公分. --(奈米材料研究與應用系列)
含參考書目及索引
ISBN 978-957-11-3573-8 (平裝)
1.奈米技術　2.光觸媒
440.7 93003656

5E22

奈米光觸媒
Nano- Photocatalyst

作　　者 ─ 高　濂　鄭　珊　張青紅

校　　訂 ─ 陳憲偉

發 行 人 ─ 楊榮川

總 編 輯 ─ 龐君豪

主　　編 ─ 穆文娟

責任編輯 ─ 蘇美嬌

出 版 者 ─ 五南圖書出版股份有限公司

地　　址：106台 北 市 大 安 區 和 平 東 路 二 段 3 3 9 號 4 樓

電　　話：(02)2705-5066　　傳　　真：(02)2706-6100

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法律顧問　元貞聯合法律事務所　張澤平律師
版權聲明 出版日期　2 0 0 4 年 4 月 初 版 一 刷
作品版權（2002.12）歸化學工業出版社所有，
特此聲明，保留一切權利。繁體中文版的版權 定　　價　新 臺 幣 5 9 0 元
（2004.4）歸五南圖書股份有限公司所有，保留一
切權利。未經出版人書面許可，不得翻印或以任何
形式或方法使用本書中的任何內容或圖片版權所
有。

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