FOTOTRANSISTOR

1 de enero de 2012

Ao de la Integracin Nacional y el Reconocimiento de Nuestra Diversidad

UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS GONZAGA DE ICA

FACULTAD DE INGENIERIA MECNICA Y ELCTRICA ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

TEMA FOTOTRANSISTOR
CURSO : DIBUJO ELECTRNICO

ALUMNA

: HUAYTA

BERROCAL CAROL NLIDA

DOCENTE

: WILMER ROMAN MUNIVE

CICLO

: II

ICA - PER 2012

HUAYTA BERROCAL CAROL N.

FOTOTRANSISTOR INTRODUCCIN

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El fototransistor es un dispositivo electrnico semiconductor sensible normalmente a la luz infrarroja, que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el fototransistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los fototransistores se les considera un elemento activo (aquellos que son capaces de excitar circuitos o de realizar ganancias o control del mismo), a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

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En este trabajo se pretende realizar un resumen acerca de algunos de los tipos de fototransistores existentes, en cuanto a sus caractersticas, su principio de funcionamiento, sus modos de conexin ms comunes y las aplicaciones de los ms usados en circuitos de electrnica. OBJETIVOS - Aprender acerca del fototransistor. - Conocer sus aplicaciones del fototransistor. - Reconocer su aplicacin en los diferentes circuitos electrnicos.

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MARCO TEORICO El fototransistor no es muy diferente a un transistor normal, es decir, est compuesto por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su cpsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoelctrico. Teniendo las mismas caractersticas de un transistor normal, es posible regular su corriente de colector por medio de la corriente de base. Y tambin, dentro de sus caractersticas de elemento optoelectrnica, el fototransistor conduce ms o menos corriente de colector cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas.

SIMBOLOGIA

FIGURA 1 FORMA FISICA

FIGURA 2 ESQUEMA GRAFICO DE PINES

FIGURA 3

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Su construccin es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a travs de una ventana o lente como se muestra en la Figura 4.

Figura 4. Fototransistor (a) Smbolo. (b) Circuito equivalente. (c) Corte. FUNCIONAMIENTO Los fotones incidentes generan pares electrn-hueco en la proximidad de la gran unin CB. Las tensiones de polarizacin inversa de la unin CB, llevan los huecos a la superficie de la base y los electrones al colector. La unin BE polarizada directamente, hace que los huecos circulen de base a emisor mientras que los electrones fluyen del emisor a la base. En este punto la accin convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones inyectados del emisor cruzando la pequea regin de la base y alcanzando el colector que es ms positivo. Este flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por la luz. Los pares electrn-hueco fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el fototransistor se conecta en configuracin de emisor comn, la corriente de base inducida por la luz, aparece como corriente de colector multiplicada por hfe. La Figura 5 muestra los datos de un fototransistor tpico. La sensibilidad de radiacin colector a emisor (SRCEO) de la Fig.5, se define como la corriente de salida de colector por unidad de irradianca incidente con la base abierta. La correspondiente sensibilidad SRCBO se refiere a la corriente de la base por unidad de irradiancia incidente con el emisor abierto. As pues, SRCBO se refiere a la pequea corriente de base generada por los fotones y S RCEO incluye el factor multiplicador del fototransistor. puede calcularse de:

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Para el transistor de la Fig. 5. De la definicin de SROEO, se observar que:

HOJA DE DATOS DE UN FOTOTRANSISTOR

FIGURA 5 Puede pensarse que la combinacin de deteccin de luz y la funcin de amplificacin en un solo dispositivo, es ya el sensor perfecto, pero esto no es cierto en muchas aplicaciones. Primero, es importante tener en cuenta que en el fototransistor la corriente oscura (ICBO) tambin se multiplica por , como la fotocorriente de base. Una buena prueba de este hecho es una comparacin de la irradiancia cuando Iluz = Ioscura para varios fotodetectores. La respuesta en frecuencia de los fototransistores es menor que la de 1a combinacin fotodiodo-amplificador. Esto es debido a la gran capacidad base-colector del fototransistor que toma una carga elevada que slo puede descargarse por la corriente oscura, relativamente baja (Figura 5-22(d)). HUAYTA BERROCAL CAROL N.

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Las Figuras 6 y 7, muestran que la regin de funcionamiento lineal del fototransistor es varios rdenes de magnitud menor que en los fotodiodos. El problema de la linealidad y muchas otras limitaciones del fototransistor, se deben a la variacin de con el nivel de corriente y la temperatura.

FIGURA 6 A la vista de las desventajas mencionadas del fototransistor, su uso se restringe generalmente a aplicaciones ON-OFF, en que su ganancia propia puede eliminar la necesidad de amplificacin posterior. De hecho, el mayor mercado para el fototransistor es para las aplicaciones de mayor velocidad donde es mejor fotoconductores de una pieza y ms ganancia que un fotodiodo, con lo cual se elimina la necesidad de una amplificacin posterior.

FIGURA 7. IB en funcin de la radiacin.

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APLICACIONES Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Teniendo las mismas caractersticas de un transistor normal, es posible regular su corriente de colector por medio de la corriente de base. Y tambin, dentro de sus caractersticas de elemento optoelectrnico, el fototransistor conduce ms o menos corriente de colector cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas. Los dos modos de regulacin de la corriente de colector se pueden utilizar en forma simultnea. Si bien es comn que la conexin de base de los fototransistores no se utilice, e incluso que no se la conecte o ni siquiera venga de fbrica, a veces se aplica a ella una corriente que estabiliza el funcionamiento del transistor dentro de cierta gama deseada, o lo hace un poco ms sensible cuando se debe detectar una luz muy dbil. Esta corriente de estabilizacin (llamada bias, en ingls) cumple con las mismas reglas de cualquier transistor, es decir, tendr una relacin de amplificacin determinada por la ganancia tpica de corriente, o hfe. A esta corriente prefijada se le suman las variaciones producidas por los cambios en la luz que incide sobre el fototransistor. Los fototransistores, al igual que los fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy corto, es decir que pueden responder a variaciones muy rpidas en la luz. Debido a que existe un factor de amplificacin de por medio, el fototransistor entrega variaciones mucho mayores de corriente elctrica en respuesta a las variaciones en la intensidad de la luz.

Detectores de proximidad Detectores de color Detectores de humo Turbidimetros Instrumentacin analtica ( fluorecnecia , absorbancia, Colorimetra , bioluminiscencia) Detectores de lluvia para automviles Sistemas de comunicaciones por fibra ptica Optoacopladores de alta velocidad

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FOTOTRANSISTOR FOTOTRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

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El fotofet es similar a un FET convencional, con la excepcin de contar con una lente para enfocar la luz en la unin de la puerta. Este dispositivo fotofet proporciona una excelente combinacin de unin PN fotosensible con un dispositivo de alta impedancia y amplificadores de bajo ruido. Los fotones que penetran en el rea de la puerta excitan a los electrones de la banda de valencia hasta la banda de conduccin. Los portadores de corriente fotoexcitados originan un pequeo cambio (IG) de la corriente nominar de puerta IG fluye a travs del resistor de puerta y desarrolla un cambio de tensin puerta-surtidor (VGS). La VGS se multiplica por la transconductancia del fotofet (gfs) y se produce una corriente de drenador ID. La variacin de ID vara la cada de tensin en RD alterando as la tensin drenador-surtidor. En resumen: VDS = IGRGgfsRL La tensin desarrollada en RG por la fotocorriente inducida se amplifica por la accin del FET.

FIGURA 8. Seccin de Un fototransistor de efecto de campo; (b) esquema de un fototransistor de efecto de campo. La Figura 9 muestra los datos para un fotofet tpico. Comparando estos dispositivos con los fotodiodos, se ve que el rea activa, la sensibilidad, la corriente oscura con 10 V de polarizacin inversa, la dependencia de la corriente oscura con la temperatura y el tamao fsico, son similares. La respuesta espectral relativa del fotofet est ligeramente desplazada hacia el infrarrojo.

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FIGURA 9. Datos de un FotoFET. Las ventajas del fotofet, comparado con otros fotodetectores semiconductores, son: 1. Combinacin de unin fotosensible y el bajo ruido con la amplificacin a alta impedancia de una unin FET. 2. Eliminacin de algunas fuentes de ruido, tales como el ruido de recombinacin existente en los transistores bipolares. 3. Umbral de sensibilidad ajustable mediante el terminal de puerta. 4. Compensacin de temperatura mediante una polarizacin adecuada. 5. Tolerancia de radiacin superior. 6. Menor tensin de offset, que permite un comportamiento superior como conmutador. 7. Mayor ganancia de potencia que en muchos fototransistores. 8. Superior respuesta en frecuencia que en los fototransistores. HUAYTA BERROCAL CAROL N.

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Las desventajas de los fotofet son: 1. Menor rea efectiva sensible. 2. Menor sensibilidad y D* que algunos fotodiodos de rea mayor. 3. Mayor mnimo de corriente oscura que en los fotodiodos (baja polarizacin) y aumento del Consumo de potencia inherente a la baja tensin puerta-surtidor necesaria para una alta gfs y baja corriente oscura. 4. Respuesta lenta y mayor ruido trmico y se requiere un resistor de puerta alto para tener sensibilidad. 5. Margen lineal limitado (caractersticas de transferencia). Como ejemplo de un diseo sencillo con fotofet, con relacin a la Figura 8(b), se supondr lo siguiente: El fotofet es un P237 (Fig. 41), VDD= + 12 V RG = 1 M RD = 2.7 k y la irradiancia incidente = 0,1 mW /cm2. Entonces:

La relacin de IG a IGSS (relacin seal-corriente oscura) para VGS = 2 V, es probablemente mayor de 104.

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FOTOTRANSISTOR CIRCUITO BASICO CON FOTOTRANSISTOR

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FIGURA 10 La Figura 10 muestra un fototransistor en su aplicacin ms general, que es un interruptor sensible a la luz. En estas aplicaciones, el terminal de la base no est conectado y de hecho muchos fototransistores no cuentan con terminal de base. El fototransistor est EN CORTE antes de aplicar la radiacin, y por tanto no circula corriente de emisor por RE y la salida es 0 V. Con una iluminacin adecuada, el fototransistor CONDUCE y una gran corriente de emisor origina una salida igual a IERE. La salida aumenta cuando RE aumenta; sin embargo, la frecuencia disminuye debido a la constante de tiempo CCBRL, como muestra la figura 32. Como ejemplo del uso de los datos del fototransistor de la Figura 28, considrese que Vcc en la Figura 31 es + 20 V, RE = 1 k y que se desea una salida de 5 V cuando el fototransistor conduzca. Como VSALIDA = IERE , IE = 5 V /1 k = 5mA. Usando la Ecuacin Ic = SRSEO y el valor tpico de SRCEO de la figura 6-22(a), se ve que la densidad de flujo requerida para producir una Ic de 5Ma es:

FIGURA 11. Respuesta a la frecuencia de un fototransistor en funcin de resistencia de carga. HUAYTA BERROCAL CAROL N.

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CIRCUITO BASICO CON FOTOFET La Figura 12 muestra un circuito de un amplificador operacional diferencial fotofet, muy til en aplicaciones radiomtricas lineales de bajo nivel. El segundo fotofet, en la oscuridad, cancela los desplazamientos de la seal debidos a temperatura y otras causas, porque cualquier grado razonable de ajuste, hace que las corrientes de prdida de puerta cambien similarmente con la temperatura, etctera, y producen tensiones de surtidor iguales. Como el amplificador diferencial responde slo a las diferencias entre las tensiones de entrada, la diferencia entre las salidas de los fotofet se reducir por la accin conjunta y mejorar la estabilidad del sistema. El fotofet se conecta en configuracin de seguidor de surtidor, y por tanto, producen una ganancia de tensin casi unidad y una impedancia de entrada muy alta, permitiendo que toda la fotocorriente fluya por el resistor de realimentacin. El potencimetro del surtidor permite poner a cero el sistema y/o un ajuste fino para el punto ptimo de polarizacin del FET.

FIGURA 12. Circuito fotofet diferencial para reducir la desviacin. Los resistores de surtidor (RS1, RS2 y RSP, de la Fig. 42) se escogen de la siguiente forma. La polarizacin ptima del fotofet determina la variacin con la temperatura de las caractersticas ID en funcin de VDS, en un trazador de curvas. Esto determina el mejor punto de funcionamiento para un desplazamiento trmico mnimo. Con relacin a Q2, en la Fig. 42, se supone que los valores ptimos de VGS y de ID son -3 V y 1 mA, respectivamente. Como la cada de tensin en RG2 es despreciable, V a 0V, VB = + 3 V para una polarizacin apropiada y VDS = 9 v. HUAYTA BERROCAL CAROL N.

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Suponiendo que el contacto de RSP est centrado, la tensin desde el contacto a S2 es 15 V. Considerando que ID IS, el valor ptimo de ID = 1 mA se obtiene cuando: RS2 + RSP = 15 V /1 mA = 15 k Escogiendo RSP, RS1 y RS2 de 10 k se cumplen los requerimientos para una resistencia total desde S1 a S2 de 30 k y RSP es adecuada para 16% de variacin en la polarizacin. Las ventajas del FET como conmutador, son tensin de offset cero y alta impedancia de entrada. Otra ventaja adicional de aislamiento entre la entrada y el conmutador se obtiene combinando fotofet con lmparas miniatura o con diodos emisores de luz como entrada.

CONCLUSIN Los fototransistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Con el desarrollo de este trabajo adems de consolidar el trabajo en equipo, y consolidar nuestras capacidades investigativas nos aporta importantes conocimientos en algunos casos en forma de cultura general, y otras ocasiones conocimientos especficos acerca de los diodos y cada uno de los tipos mas conocidos. Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha proporcionado un gran avance a la ciencia no solo a la electrnica sino a la ciencia de forma general porque casi todos equipos que tenemos en la actualidad funcionan con componentes elctricos y con presencia de fototransistores. WEBGRAFIA
http://books.google.com.pe/books?id=IZQzgLA3U8sC&pg=PA146&lpg=PA146&dq=fototransistore s&source=bl&ots=1YtLCZgEgB&sig=TvFLYe7shaVszNfT3ewGs4BrJM&hl=es&sa=X&ei=bsSCUIvGNoSg9QTKjIDoBQ&ved=0CC0Q6AEwAA#v=o nepage&q=fototransistores&f=false http://books.google.com.pe/books?id=kK3LqRlaYQC&pg=PA191&lpg=PA191&dq=fototransistores+aplicaciones&source=bl&ots=YFT_j48dtV&sig=R P7v_xTpJ08ZRBDmkSIb9vEov4M&hl=es&sa=X&ei=4cSCUL_dK4fM9AT1q4HwBA&ved=0CD8Q6AEw Aw#v=onepage&q=fototransistores%20aplicaciones&f=false

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