Rapport de Travaux Pratiques Conception Des Circuits Analogiques

Travaux pratiques : conception des circuits analogiques
2m Anne cycle ingnieur : Gnie Electrique
ECOLE NATIONALE DES SCIENCES APPLIQUEED DE KHOURIBGA

RAPPORT DE TRAVAUX PRATIQUES CONCEPTION DES CIRCUITS ANALOGIQUES

Anne 2012-2013
Ralis par Yacine a. AMKASSOU Encadr par Pr. N.El BARBRI
MANIPULATIONS :
PARTIE A :
CONCEPTION ET SIMULATION SOUS MICROWIND
1. Transistor MOS, procds, caractrisation PARTIE B :

CONCEPTION ET SIMULATION SOUS ORCAD-PSPICE
1. Initiation au logiciel Orcad-Pcpice : simulation de circuit lectronique 2. Conception de circuit analogiques avec Pcpice
PARTIE A :
CONCEPTION ET SIMULATION SOUS MICROWIND
TP 1 : Transistor MOS, procds, caractrisation :

Objectifs :
Familiarisation avec Microwind. Simulation et caractrisation du comportement statique et dynamique des transistors. Familiarisation avec les divers procds et les effets dchelle. Premiers contacts avec le dessin de masque, conception de la distance minimale , rgles de conception . Comprhension des diffrents tapes de fabrication dun IC, coupe et structure 3D rsultantes.
Procdure : A. Dessin d'un transistor 1.et 2. rectangle allonge de polysilicium
3. diffusion n+
B. Couches et procd :
4. Coupe du transistor
l'paisseur tox =1.2nm Ajout des contacts et dune couche de mtal :
5. la structure tridimensionnelle du transistor :
C. Caractristiques statiques des transistors MOS

6. File ->Colors -> White background 7. MOS Characteristics : level 1
8. Ne10x10.MES : correspond de vritables mesures de caractristiques V-I effectues sur une puce test de 0.12 um
9. Level 3 :
BSIM4 :
D. Caractristiques dynamiques des transistors MOS

10. Pour observer le comportement dynamique, on applique une horloge la grille du nFET Time low = 0.225ns, Rise time = 0.5 ps, Time high = 0.225 ns, Fall time = 0.5 ps. le nom du signal vgrille.
11. Horloge du drain : Time low = 0.45ns, Rise time = 0.5 ps, Time high = 0.45 ns, Fall time = 0.5 ps.
12. On dsire maintenant rendre la source visible en simulation; pour ce faire on clique sur l'icne Visible node
13. Slectionnez Simulate ->Run simulation -> Voltage vs. Time.
PARTIE B :
CONCEPTION ET SIMULATION SOUS ORCAD-PSPICE
TP 1 : initiation au logiciel Orcad/PSPICE : simulation de circuits lectroniques

Objectifs :
Comprendre le principe et lintrt de la simulation lectrique Connatre les principales fonctionnalits de loutil de simulation SPICE Savoir crer un schma lectrique sous Orcad/ PSPICE Savoir configurer les diffrentes simulations de Orcad/PSPICE
Introduction :
SPICE (Simulator Program with Integrated Circuit Emphasis) est un simulateur lectrique standard qui permet l'analyse statique et transitoire des circuits linaires et non linaires. Cet outil est souvent indispensable lors de la conception lectronique afin de dimensionner correctement les diffrents lments dun circuit. Le logiciel ORCAD contient plusieurs outils ddie la simulation de circuits lectroniques .
PRISE EN MAIN DE LOUTIL DE SIMULATION ORCAD/PSPICE Creation dun projet :
Saisie dune schematique :

Avant de saisir la schmatique, il convient de copier dans son projet lensemble des composants qui formeront le circuit. Ceux-ci sont inclus lintrieur de librairies prexistantes fournies par le logiciel. La configuration de base de la version Lite donne accs un nombre limit de librairies, mais suffisant pour raliser des circuits basiques. Les librairies sont reprables par leur extension .olb. Les librairies que nous utiliserons sont les suivantes : source.olb : contient lensemble des sources de tension et de courant sourcstm.olb : source digitales et stimuli analog.olb : contient les composants passifs eval.olb : contient des composants standards du commerce special.olb : lments supplmentaires influant sur la simulation
- On place dabord les composants passifs : rsistance R et capacit C, inclus dans la librairie Analog.olb. On donne les valeurs suivantes aux composants : 100 et 1 F. - On ajoute ensuite une source de tension, incluse dans la librairie source.olb : Amplitude de 1V, un offset de 0 V et une frquence de 1 KHz , la proprit AC 1V.
Simulation du circuit:
Une fois la saisie de la schmatique termine, les simulations lectriques peuvent tre configures puis lances. PSPICE offre diffrents types de simulation : - simulation DC : le simulateur balaye les valeurs prises par une variable qui est en gnral la tension ou le courant continu . - simulation AC : lensemble des gnrateurs sont supposs harmoniques (ou sinusodaux) et le simulateur balaye un ensemble de frquence. Lamplitude et la phase des tensions - simulation TRAN : il sagit dune simulation transitoire, seul le paramtre temps est balay. Les tensions de chaque noeud et les courants traversant chaque dispositif sont calculs chaque instant. - Analyse paramtrique : il est possible de lancer les simulations prcdentes en modifiant un paramtre dun lment du modle .
Lancement dune simulation : filtre passe bas

Pour illustrer le lancement dune simulation, on prend lexemple dune simulation transitoire effectue sur le filtre passe bas. Ds quon souhaite lancer une nouvelle simulation, on commence par dfinir un nouveau profil de simulation puis on le configure
Time Domain (Transient) = Rgime transitoire. - Run to time ou TSTOP. Comme la frquence du signal est de 1 KHz, on peut fixer temps de simulation 10 ms. - temps de dbut de simulation : Start saving data after. Par dfaut, 0 s.
Netlist du circuit RC
Trace des resultats de simulation
Une fois la simulation effectue, la fentre principale de loutil PSPICE A/D souvre, avec une fentre de visualisation graphique (plot) temporelle vide.
Ajout de courbes laide de la commande Add Trace
Pour faire apparatre directement des rsultats graphiques ds louverture de PSPICE A/D la fin de la simulation, il est ncessaire de placer des probes sur la schmatique. Il sagit de probes de tension, de courant ou de puissance.
En relanant une simulation les profils de tension dentre et de sortie safficheront automatiquement.
Il est possible dajouter une nouvelle fentre daffichage graphique, pour afficher un autre type de donnes par exemple.
Simulation AC : fonction de transfer
ANALYSE PARAMETRIQUE :
Trac dune caractristique de transistor Schma ralis sous OrCad Capture :
Le paramtre est ici la valeur de la rsistance de base. Nouvelle proprit :
Analyse continue :
Dfinir alors les paramtres dune analyse continue
Dfinir ensuite les paramtres de lanalyse paramtrique :
Rsultats de simulation :
Le simulateur effectue les calculs (analyse continue ici) pour chacune des valeurs du paramtre. Une fentre permet de choisir lensemble des rsultats de simulation ou de nen slectionner que quelques uns.
Lensemble des courbes apparat dans la fentre de visualisation avec une couleur et un symbole diffrents.
- loption Information Une fentre affiche les conditions particulires de simulation pour cette courbe (ici RbVar = 40 k)
TP N2 : CONCEPTION DE CIRCUITS ANALOGIQUES AVEC PSPICE
Caractristiques d'un transistor NMOS

On se propose de tracer des caractristiques Ids= f (Vds) d'un transistor NMOS. Pour cela, crez un nouveau projet baptis caract.
Le composant transistor NMOS se trouve dans la library BREAKOUT. Choisissez MbreakN3.
Vous devez tout dabord spcifier les valeurs des caractristiques du modle que le logiciel va utiliser pour ce transistor. Pour le modle de Schichman et Hodges, il faut donc dfinir la tension VTO, le Kp et les dimensions W et L.
.model Mbreakn NMOS VTO=0.7V KP=2e-5 TOX=1.264e-8 LAMBDA=0.03 GAMMA=0.8 PHI=0.5 IS=0
spcifier les dimensions
Pour visualiser la caractristique, il est ncessaire de faire varier le potentiel VDS =V2 alors on utilise DC sweep
Rponse transitoire d un inverseur NMOS avec rsistance
NMOS
PMOS
Application 3 :
Reponse transitoire dun amplificateur inverseur NMOS avec rsistance
Pour R=10
Pour R=100
Rponse transitoire dun amplificateur inverseur CMOS avec charge active

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