You are on page 1of 8

S EscUeIe LrIversIterIe PcIItcrIce Ue IrQerIere TcrIce IrUUstrIeI

ELECTR0NlCA 8A3lCA
241$.'/#5
Ue trersIstcres NCGFET
5
1
EJEFCICICG Ue trersIstcres NCGFET:
ELECTR0NlCA 8A3lCA
Problema 1
D Un determinado transistor MOSFET de enriquecimiento para el que V
t
=1V y
K=0.25mA/V
2
se va a utilizar polarizado en su regin de saturacin. Si la corriente
de drenador I
D
debe ser de 4mA, hallar el valor de V
GS
y el valor mnimo necesario
de V
DS
.
E Repetir el apartado anterior si la corriente de drenador debe ser de I
D
=16mA.
6ROXFLyQ Dv03=5v. v03r|r =1v. E v03=9v. v03r|r =8v.
Problema 2
Un transistor de enriquecimiento NMOS con una tensin umbral V
t
de 2V y un factor
de transconductancia K=0.1mA/V
2
se utiliza como una resistencia lineal controlada por
tensin. Hallar el rango de valores de V
GS
para el que se obtiene una resistencia
comprendida entre 0.5k: y 5k:.
6ROXFLyQ 3v d v03 d 12v
Problema 3
Un transistor MOSFET de deplexin canal n con I
DSS
=9mA, K=1mA/V
2
y V
p
=-3V tiene
sus terminales de puerta y fuente conectados a tierra. Hallar la regin de
funcionamiento del transistor y la corriente de drenador I
D
cuando:
D V
D
=0.1V.
E V
D
=1V.
F V
D
=3V.
G V
D
=5V.
6ROXFLyQ D0rr|ca. l0=0.59rA. E 0rr|ca. l0=5rA. F3a|urac|r. l0=9rA. G Saturacin. l0=9rA.
Problema 4
Un transistor NMOS de deplexin con I
DSS
=9mA, K=1mA/V
2
y V
p
=-3V tiene su terminal
de puerta conectado a tierra y una fuente de 1V conectada al terminal de fuente. Hallar
el mnimo valor de drenador V
D
necesario para que el dispositivo est trabajando en
saturacin. Cul es el valor de la corriente de drenador que se obtiene para el valor
de tensin V
D
determinado?
6ROXFLyQ v0r|r=3v. l0=1rA.
2
Problema 5
Un transistor MOSFET de deplexin canal n trabajando en la regin ohmica con
V
DS
=0.1V, conduce una corriente de drenador de valor I
D
=1mA cuando V
GS
=-1V, y de
valor I
D
=3mA cuando V
GS
=1V. Hallar el valor de K y la tensin umbral V
p
.
6ROXFLyQ K=5rA/v
2
. vp =-2.05v.
Problema 6
Un transistor MOSFET de deplexin canal n trabajando en saturacin con V
DS
=5V,
conduce una corriente de drenador de valor I
D
=5mA cuando V
GS
=-1V, y de valor
I
D
=45mA cuando V
GS
=1V. Hallar el valor de I
DSS
y la tensin de pinch-off V
p
.
6ROXFLyQ l033=20rA. vp=-2v.
Problema 7
D A partir de la expresin de la corriente de drenador I
D
en saturacin de un MOSFET
de enriquecimiento canal n, hallar una expresin que represente la variacin
porcentual (%) del valor de la corriente de drenador por C en funcin de la
variacin porcentual del valor del factor de transconductancia K por C, del
coeficiente de temperatura de V
t
en V/C, de V
GS
y de V
t
.
E Si el valor de la tensin umbral V
t
disminuye 2mV cada C de aumento de la
temperatura, hallar el coeficiente de temperatura de K que hace que el valor de la
corriente de drenador I
D
disminuya un (0.2%)/C cuando el transistor NMOS est
polarizado con V
GS
=5V, y el valor de la tensin umbral es V
t
=1V.
6ROXFLyQ D
M
M
M
M
M
M
, ,
7
. .
7
9
7 9 9
' ' 7
*6 W
/ /
( )

2
1
E
M
M
. .
7
&
/
( . 03)/
Problema 8
Considerar el circuito de la figura, en el que los valores de los parmetros
caractersticos de los transistores Q
1
y Q
2
son V
t
=2V, P
n
C
OX
=20PA/V
2
, L
1
=L
2
=10Pm y
W
1
=50Pm. Sabiendo que k = (1/2) P
n
C
OX
(W/L)
D Hallar el valor de R para el que se establece una corriente de drenador
I
D
=0.4mA en el transistor Q
1
.
E Hallar el valor de W
2
(ancho de la puerta del transistor Q
2
) para el que Q
2
trabaja en la saturacin con una corriente I
D
=0.6mA.
Q
2
Q
1
R
2
= 10k: R
V
DD
= 1 0V
6ROXFLyQ DR=12.93|:. E w2=Z5Pr.
3
Problema 9
Analizar el circuito de la figura para determinar el valor de la corriente de drenador I
D
y
la tensin de drenador V
D
, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del
transistor NMOS son V
t
=1V y K=0.5mA/V
2
.
1 0 M :
5 k:
V
DD
= 1 0 V
1 0 M :
I
D
6ROXFLyQ l0=1.028rA. v0 =1.8v.
Problema 10
D Analizar el circuito de la figura para determinar el valor de la corriente de drenador
I
D
y la tensin de drenador V
D
, teniendo en cuenta que los parmetros
caractersticos del transistor MOSFET de deplexin son V
p
=-1V e I
DSS
=0.5mA.
E Hallar los nuevos valores de R
S
y R
D
para los que se obtiene una corriente de
drenador I
D
=0.5mA y una tensin de drenador V
D
=4V.
V
DD
= 1 0 V
R
G2
= 1 .5 M : R
S
= 1 6 k:
R
G1
= 8 .5 M : R
D
= 3 2 k:
6ROXFLyQ Dl0=0.125rA. v0 =v. E R3=3|:. R0 =12|:.
1
Problema 11
Calcular las corrientes y tensiones sealadas en los circuitos de la figura teniendo en
cuenta que para todos los dispositivos |V
t
|=1V y K=0.5mA/V
2
. Suponer que la
expresin de la corriente de drenador en la regin de saturacin para todos los
transistores tanto de deplexin como de enriquecimiento es
I
D
=K(V
GS
-V
P,T
)
2
.
6ROXFLyQ Dl1=0.5rA. E v2=-2v. Fv3=1v. G v1=.v. v5=3.33v. Hv=0v. I lZ=0.5rA. Jv8=5v.
K v9=0.293.
V
2
+ 6V
V
3
10V
V
5
V
4
10 V
I
1
+ 5 V
V
6
10V
I
7
10 V 1 0V
10 M :
10M :
V
8
10V
V
9
a) b) c) d)
e) f ) g) h)
- 5V
- 10V - 4V
5
Problema 12
Hallar el valor de las tensiones V
DS1
y V
DS2
sealadas en el circuito de la figura teniendo
en cuenta que las caractersticas de los transistores NMOS Q
1
y Q
2
empleados son las
dadas por las figuras F
1
y F
2
respectivamente.
V
DD
= + 4 V
+
V
DS1
-
+
V
DS2
-
Q
1
Q
2
V
TT
= - 2 V
V
$
(V)
I

(PA)
V
GS1
= + 1. 5V
V
GS1
= + 1. 0V
V
GS1
= - 0. 5V
V
GS1
= - 1. 0V
V
GS1
= - 1. 5V
1 2 3 4 5 6
3uu
25u
2uu
15u
1uu
5u
V
GS1
= + 0. 5V
V
GS1
= 0V
f ig ur a F 1
V
$
(V)
I

(PA)
V
GS2
= 6. 0V
V
GS2
= 5. 5V
V
GS2
= 4. 0V
V
GS2
= 3. 5V
V
GS2
= 3. 0V
1 2 3 4 5 6
3uu
25u
2uu
15u
1uu
5u
V
GS2
= 5. 0V
V
GS2
= 4. 5V
f ig ur a F 2
6ROXFLyQ v031 =1.5v. v032 =1.5v.
Problema 13
D En el circuito representado en la figura, los transistores NMOS Q
1
, Q
2
y Q
3
son
idnticos, siendo sus parmetros caractersticos V
t
=2V y K=20PA/V
2
. Determinar el
valor de la corriente I
0
y de la tensin V
0
.
E Repetir el apartado D suponiendo que se intercambian las conexiones de la
resistencia R
D
y del transistor Q
2
.
F Repetir el apartado D suponiendo que se sustituye el transistor Q
2
por un transistor
NMOS de deplexin conectado como resistencia (conectando los terminales G y S
del transistor), siendo sus parmetros caractersticos V
p
=-2V e I
DSS
=0.08mA.
6 V
V
O
I
O
R
D
= 1 0K: Q
2
Q
1
Q
3
6ROXFLyQ Dl0=l03=20PA. v0=v033=5.8v. E l0=l01=0.138rA. v0=v033=0.Z2v. Fl0=l03=0.08rA. v0=v033=5.2v.

Problema 14
Determinar el punto de trabajo de los transistores Q
1
y Q
2
en el circuito de la figura,
teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor son V
t1
=2.5V,
V
t2
=3V, K
1
=0.08mA/V
2
, K
2
=0.125mA/V
2
, y que en el circuito V
DD
=12V, V
TT
=-4V, V
GG
=11V,
R
G
=1M: y R
S
=2k:.
V
DD
Q
1
Q
2
R
G
R
S
V
GG
V
TT
6ROXFLyQ l01=2rA. v031 =Z.5v. l02=2rA. v032 =1.5v.
Problema 15
Determinar el punto de polarizacin de los transistores Q
1
y Q
2
en el circuito de la
figura, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor son V
t1
=-
3V, V
t2
=1V, K
1
=0.12mA/V
2
, y que en el circuito V
DD
=4V, V
1
=15V, R
D1
=1k:, R
D2
=18k:,
R
1
=100k: y R
2
=300k:. 1RWD Suponer K
2
=0.2mA/V
2
.
V
DD
Q
1
Q
2
V
1
R
D1
R
D2
R
2
R
1
I
D1
I
D2
6ROXFLyQ l01=-3rA. v031 =-8v. l02=0.Z5rA. v032 =1.5v.
Z
Problema 16
Calcular y justificar en qu regin estn polarizados los transistores en el circuito de la
figura, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor MOSFET
de enriquecimiento canal n son V
t
=2V y K=0.2mA/V
2
, y para el transistor bipolar npn
V
BE
=0.7V y E=200.
V
DD
= 1 2 V
Q
1
4 .4 5 k:
0 .5 6 k:
2 M :
2 M :
1 M :
8 3 :
1 6 k:
Q
2
6ROXFLyQ l0=1.3rA y v03 =1.Z8v. lC=0.301rA. vCE =Z.15v.

You might also like