FISICA MODERNA Acto 10: trabajo colaborativo 2

Presentado por: David Andrs Feria Echeverry Julio Cesar Carroll Jimenez Jonathan Cortes Fhanor Montao Hurtado

Presentado al Tutor: VICTOR MANUEL BOHORQUEZ Grupo 299003_19

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS TECONOLOGIA E INGENIERIA 2011 1

INTRODUCCION

El presente trabajo, se realiza con el objetivo de identificar, analizar, comprender e identificar la utilizacin de los diferentes instrumentos para determinar el efecto fotoelctrico; pues en ingeniera es muy usual y necesario la aplicacin de estos puesto que la concepcin exacta del efecto fotoelctrico es Fenmeno fsico por el cual una radiacin lumnica incidente libera electrones del material iluminado. Cada fotn de luz solar contiene una pequea cantidad de energa que, al ser absorbida por el material, puede liberar un electrn de ste (fotoelectrn). Para cada sustancia hay una frecuencia umbral de radiacin electromagntica por debajo de la cual no se producen fotoelectrones por ms intensa que sea la radiacin. Otra caracterstica del efecto fotoelctrico es que, una vez iniciado el efecto, la emisin electrnica aumenta cuando se incrementa la intensidad de la radiacin incidente. Lo anterior nos permite inquirir, estudiar y profundizar en temas especficos para adquirir mayores destrezas y conocimientos. Aplicables en dicha asignatura

OBJETIVOS

GENERAL Realizar la experimentacin que involucra el efecto fotoelctrico que produce un rayo de luz cuando entra en contacto con unas placas de un metal determinado. Identificar conceptos y fundamentos que rigen dicho efecto.

ESPECIFICOS: Tomar datos experimentales, que nos lleven a graficar el comportamiento del efecto fotoelctrico a estudiar. Determinar y calcular experimentalmente utilizando la grfica obtenida, la constante de Planck. Desarrollar los parmetros ms importantes que comprende el efecto fotoelctrico, para entenderlo de una forma clara y sencilla. Complementar los hechos tericos con los prcticos para un mejor entendimiento del rayo de luz incidente en una placa de un metal determinado, creando un efecto de los fotones contra los electrones.

El efecto fotoelctrico fue descubierto por Heinrich Hertz en 1887, al observar que el arco que salta entre dos electrodos conectados a alta tensin alcanza distancias mayores cuando se ilumina con luz ultravioleta que cuando se deja en la oscuridad. Un Ao despus, Hallwachs hizo una importante observacin de que la luz ultravioleta al incidir sobre un cuerpo cargado negativamente causaba la perdida su carga, mientras que no afectaba a un cuerpo con carga positiva. Diez aos mas tarde, J. Thomson y P. Lenard demostraron independientemente, que la accin de al luz era la causa de al emisin de cargas negativas libres por la superficie del metal. Aunque no hay diferencia con los dems electrones, se acostumbra al denominar fotoelectrones a estas cargas negativas. Heinrich Hertz establece bsicamente que electrones de una superficie metlica pueden escapar de ella si adquieren la energa suficiente suministrada por luz de longitud de onda lo suficientemente corta. Hallwachs y Lenard estudiaron tambin este efecto aos despus. Posteriormente Einstein le dio el significado correcto en 1905, en el que dice que un haz de luz se compone de paquetes de energa llamados cuantos de luz o fotones. Cuando el fotn choca contra un electrn en la superficie de un metal, el fotn l e puede transmitir energa al electrn, con la cual podra este escapar de la superficie del metal. Efecto fotoelctrico externo Es la formacin y liberacin de partculas elctricamente cargadas que se produce en la materia cuando es irradiada con luz u otra radiacin electromagntica. El trmino efecto fotoelctrico designa varios tipos de interacciones similares. En el efecto fotoelctrico externo se liberan electrones en la superficie de un conductor metlico al absorber energa de la luz que incide sobre dicha superficie. Este efecto se emplea en la clula fotoelctrica, donde los electrones liberados por un polo de la clula, el fotoctodo, se mueven hacia el otro polo, el nodo, bajo la influencia de un campo elctrico. El estudio del efecto fotoelctrico externo desempe un papel importante en el desarrollo de la fsica moderna. Una serie de experimentos iniciados en 1887 demostr que el efecto fotoelctrico externo tena determinadas caractersticas que no podan explicarse por las teoras de aquella poca, que consideraban que la luz y todas las dems clases de radiacin electromagntica se comportaban como ondas. Por ejemplo, a medida que la luz que incide sobre un metal se hace ms intensa, la teora ondulatoria de la luz sugiere que en el metal se liberarn electrones con una energa cada vez mayor. Sin embargo, los experimentos mostraron que la mxima energa posible de los electrones emitidos slo depende de la frecuencia de la luz incidente, y no de su intensidad. En 1905, para tratar de explicar el mecanismo del efecto fotoelctrico externo, Albert Einstein sugiri que podra considerarse que la luz se comporta en determinados casos como una partcula, y que la energa de cada partcula luminosa, o fotn, slo depende de la frecuencia de la luz. Para explicar el efecto fotoelctrico externo, Einstein consider la luz como un conjunto de "proyectiles"

que chocan contra el metal. Cuando un electrn libre del metal es golpeado por un fotn, absorbe la energa del mismo. Si el fotn tiene la suficiente energa, el electrn es expulsado del metal. La teora de Einstein explicaba muchas caractersticas del efecto fotoelctrico externo, como por ejemplo el hecho de que la energa mxima de los electrones expulsados sea independiente de la intensidad de la luz. Segn la teora de Einstein, esta energa mxima slo depende de la energa del fotn que lo expulsa, que a su vez slo depende de la frecuencia de la luz. La teora de Einstein se verific por experimentos posteriores. Su explicacin del efecto fotoelctrico, con la demostracin de que la radiacin electromagntica puede comportarse en algunos casos como un conjunto de partculas, contribuy al desarrollo de la teora cuntica. El trmino efecto fotoelctrico tambin puede referirse a otros tres procesos: la fotoionizacin, la fotoconduccin y el efecto fotovoltico. La fotoionizacin es la ionizacin de un gas por la luz u otra radiacin electromagntica. Para ello, los fotones tienen que poseer la suficiente energa para separar uno o ms electrones externos de los tomos de gas. En la fotoconduccin, los electrones de materiales cristalinos absorben energa de los fotones y llegan as a la gama de niveles de energa en la que pueden desplazarse libremente y conducir electricidad. En el efecto fotovoltico, los fotones crean pares electrn-hueco en materiales semiconductores. En un transistor, este efecto provoca la creacin de un potencial elctrico en la unin entre dos semiconductores diferentes. Efecto fotoelctrico interno En el fotoefecto interno los electrones excitados permanecen dentro de la sustancia, contrario al fotoefecto externo. Cuando el material es irradiado, electrones de la banda de valencia son llevados a la banda de conduccin y aumenta la conductividad elctrica del material irradiado. Este aumento de conductividad se llama fotoconduccin. En el caso en de los metales, debido a su alta conductividad elctrica base, el aumento de conductividad por radiacin es insignificante, por eso el fotoefecto interno se emplea tanto en los semiconductores dopados como en los intrnsecos. La conductividad intrnseca es ocasionada por electrones y huecos trmicamente generados, que estn presentes en iguales concentraciones. Cuando la sustancia es irradiada, portadores de carga libres adicionales son producidos por la energa del fotn con lo que se mejora la conductividad. Mediante el dopado deliberado de un semiconductor con donantes o aceptores, se obtiene un semiconductor tipo P o N. Fotoefecto de unin El fotoefecto de unin es un fotoefecto interno y se utiliza en fotodiodos, diodos de avalancha, fototransistores, transistores de efecto de campo y fototiristores. Estos

componentes se fabrican como semiconductores dopados donde energas cunticas ms pequeas son necesarias para elevar la conductividad que en el caso del semiconductor intrnseco. La construccin de un fotodiodo o un fototransistor es la misma en principio como en un diodo o un transistor. Elementos bsicos Los elementos bsicos del sistema de control tpico abarcan cuatro componentes principales: 1. Una fuente de radiacin tpica, esto, es algo especficamente diseado para emitir radiacin. 2. Un receptor de radiacin que contiene un elemento fotosensitivo para cambios sensibles en radiacin. 3. Un amplificador para aumentar la salida elctrica del elemento sensible a un nivel til. 4. Un dispositivo de salida que ejecute alguna funcin de control como resultado de la seal amplificada. Medida de h por Millikan La letra h en la ecuacin de Einstein, es importante porque es fundamental para la estructura de la materia y, por lo tanto, es una constante universal. Habiendo sido introducida primero por Planck, en 1901, el nombre de la constante de Planck s ha adherido firmemente a este smbolo h. La primera confirmacin experimental de la ecuacin fotoelctrica de Einstein vino en 1912, cuando A. L. Hugues; e independiente O. W. Richardon y K. T. Compton, observaron que la energa de los fotoelectrones aumentaba proporcionalmente con la frecuencia. La constante de proporcionalidad que ellos encontraron es aproximadamente igual a la constante h de Planck. Posteriormente, Millikan realizo una serie de experimentos exhaustivos que establecieron la ecuacin fotoelctrica de tan preciso, que sus trabajos se consideran ahora como los que dan el valor ms exacto de h. Para esto fue necesario medir los tres factores v, W y mv2, y despejar la incgnita h de la siguiente ecuacin: Ve = mv2 Experimentos previos realizados sobre el efecto fotoelctrico demuestran que obtenerse buenos resultados solo si las superficies metlicas estn adecuadamente limpias. Millikan logro obtener superficies metlicas no contaminadas preparndolas dispositivos.

Umbral fotoelctrico Una vez hechas las mediciones, Millikan calculo las energas correspondientes a los fotones para diversas frecuencias de luz y represento los resultados sobre un grfico. El punto de interseccin entre la recta u el eje horizontal determinara la frecuencia umbral v0. El umbral fotoelctrico se define como la frecuencia para la cual la luz que incide sobre la superficie metlica solo puede liberar los electrones, pero sin comunicarles energa cintica adicional. Para esta frecuencia, la energa cintica mv2 de la ecuacin de Einstein es nula y la energa del fotn esta dada por W = hv0 El valor de h es 6.6261965 x 10-34 joule segundo. El Premio Nobel de Fsica asignado a Millikan en 1923 le fue otorgado en primer lugar por sus importantes trabajos experimentales de determinacin de la constante de Plank y en segundo lugar tambin por la carga electrnica e. Clula fotoelctrica Componente electrnico basado en el efecto fotoelctrico. En su forma ms simple, se compone de un nodo y un ctodo recubierto de un material fotosensible. La luz que incide sobre el ctodo libera electrones que son atrados hacia el nodo, de carga positiva, originando un flujo de corriente proporcional a la intensidad de la radiacin. Las clulas fotoelctricas pueden estar vacas o llenas de un gas inerte a baja presin para obtener una mayor sensibilidad. Una variante de la clula fotoelctrica, el fototubo multiplicador o fotomultiplicador, consiste en una serie de placas metlicas dispuestas de forma que la emisin fotoelctrica se amplifica mediante una emisin elctrica secundaria. El fototubo multiplicador es capaz de detectar radiaciones extremadamente dbiles, por lo que es una herramienta esencial en el rea de la investigacin nuclear. Las clulas fotoelctricas se emplean en alarmas antirrobo, semforos de trfico y puertas automticas. Una clula fotoelctrica y un rayo de luz (que puede ser infrarrojo o invisible al ojo humano) forman una parte esencial de este tipo de circuito elctrico. La luz producida por una bombilla en un extremo del circuito cae sobre la clula, situada a cierta distancia. El circuito salta al cortarse el rayo de luz, lo que provoca el cierre de un rel y activa el sistema antirrobo u otros circuitos. Se utilizan varios tipos de clulas fotoelctricas en la grabacin de sonido, en la televisin y en los contadores de centelleo

DESARROLLO

Para cada target, el estudiante deber encontrar la longitud de onda para la cual el material seleccionado libera electrones una vez la lmpara le suministra fotones. LONGITUD DE ONDA MINIMA PARA LA LIBERACION DE FOTONES Para la medicin de la longitud de onda mnima de emisin, se mantendrn constantes el potencial de frenado y la intensidad luminosa; la intensidad luminosa se fij en el 100% y el potencial elctrico en 8V, esto se realiz as para que la nica variable que detenga el flujo de electrones sea la longitud de onda. A continuacin se muestran las mediciones de la longitud de onda, realizadas para cada uno de los materiales en cuestin. El sodio (Na) Longitud de Onda 538 nm (luz verde) hace que el sodio comience a liberar los electrones

El Calcio Longitud de Onda 425 nm (luz violeta) hace que el calcio comience a liberar los electrones

El cobre Longitud de Onda 262 nm (luz Uv) hace que el cobre comience a liberar los electrones

El Zinc Longitud de Onda 287nm (luz Uv) hace que el Zinc comience a liberar los electrones

El Platino Longitud de Onda 196 nm (luz Uv) hace que el Platino comience a liberar los electrones

Materia desconocido Longitud de Onda 334 nm (luz Uv) hace que el Material desconocido comience a liberar los electrones

Para asociar la longitud de onda con la frecuencia de emisin, se utiliza la siguiente expresin:

Dnde:

Sodio

Calcio

Cobre

Zinc

Platino

????????

Los resultados de las mediciones y del clculo de la frecuencia de mnima de emisin son los siguientes: min Material m Sodio Calcio Cobre zinc Platino ????? Hz fmin

Las respuestas a los siguientes interrogantes: El desprendimiento de los electrones depende de la frecuencia de la seal emitida por el foco de luz en la placa, o depende de la intensidad de la luz? Demostrar esta respuesta con las mediciones. El desprendimiento de electrones depende la frecuencia de la seal emitida, ya que si observamos por ejemplo con el calcio as su intensidad sea 100% o 8% seguir desprendiendo electrones pero si con cualquier de las intensidades mencionadas antes aumentamos la longitud de onda eso quiere decir q la frecuencia es menor ya no nos desprendera electrones como se puede observar en las imgenes adjuntas a este punto ya que existe un umbral de frecuencia, tal que si la frecuencia aplicada es mayor o igual que el umbral los electrones se desprenden, sin importar el valor de la intensidad luminosa, siendo esta mayor que cero.

Observacin por encima de la frecuencia umbral. (Hay flujo de electrones)

Intensidad: 100%

Intensidad: 1%

Se observa que ambos casos hay desprendimiento de electrones.

Observacin por debajo de la frecuencia umbral. (No hay flujo de electrones)

Intensidad: 100%

Intensidad: 1%

Se observa que ambos casos no hay desprendimiento de electrones. El nmero de electrones emitidos depende de la frecuencia emitida por la seal electromagntica sobre la placa, o depende de la intensidad de la seal electromagntica? Demostrar esta respuesta con las mediciones. El nmero de electrones Depende de la intensidad de la seal electromagntica sobre la placa debido que a luz ms intensa significa ms energa a lo largo del frente de onda y ms electrones deben de arrancarse de la placa y en ausencia de la luz, la corriente no fluye en el circuito por consiguiente no abra desprendimiento de electrones o dicho de otra forma al incrementarse la

cantidad de fotones que incide sobre el material, mayor ser el nmero de electrones que se excitaran y se desprendern de la placa Y no depende de la frecuencia ya que por lo observado esta solo influye en la velocidad con la que se mueven los electrones. Observacin con una frecuencia alta. (Los electrones se mueven rpido)

Intensidad: 100% Muchos electrones excitados.

Intensidad: 10% Pocos electrones excitados.

Observacin con una frecuencia alta. (Los electrones se mueven lento)

Intensidad: 100% Muchos electrones excitados.

Intensidad: 10% Pocos electrones excitados.

 El estudiante deber encontrar el voltaje mnimo de retardo asociado a cada material. Debern asociar este voltaje de retardo con la funcin de trabajo de cada material, y buscar en internet la funcin de trabajo para cada material seleccionado. Para la obtencin del voltaje mnimo de retardo se tuvo en cuenta la longitud de onda mnima de cada material, y se asign una longitud de onda, tal que, todos los materiales pudieran emitir electrones, entonces se vari el potencial aplicado y se determin el punto donde la corriente fue nula, en el grfico de corriente vs voltaje se observa mejor la medida del voltaje mnimo de retardo, que es el voltaje donde la corriente empieza a aumentar, a continuacin se muestran los resultados de cada material con luz de longitud de onda igual a 152nm.

Medida para el Sodio

Medida para el Zinc

Medida para el Cobre

Medida para el Platino

Medida para el Calcio Los potenciales de frenado encontrados fueron los siguientes: =152nm V0 Material V Sodio Zinc Cobre Platino Calcio ????? -6.00 -4.00 -3.80 -2.00 -5.40 -4.60

Para asociar esos potenciales de frenado con la funcin de trabajo de cada material, se compara la funcin de trabajo obtenida con el potencial de frenado y con la longitud de onda mnima. La funcin de trabajo de cada material se determina teniendo en cuenta la siguiente expresin:

Dnde:

Los resultados de las funciones de trabajo son los siguientes: min Material m Sodio Zinc Cobre Platino Calcio ????? 538.0 5.58 6.93 7.59 1.01 4.68 5.95 J 3.78 6.90 7.50 9.50 4.60 J % 2.27% 0.36% 1.15% 6.74% 1.66% medido teorica Error relativo

El error relativo se calcul con:

Se puede observar que los valores de la funcin de trabajo medidos concuerdan satisfactoriamente con los encontrados en la teora, a pesar de que el platino presenta un error mayor, este se puede tomar como admisible ya que la diferencia no es mucha. Para obtener la funcin de trabajo de cada material a partir del potencia del frenado se utiliza la siguiente expresin:

Dnde:

En la siguiente tabla se resumen los resultados en varias longitudes de onda, su respectiva funcin de trabajo y el error relativo de la funcin de trabajo:

=124nm V0 Material V Sodio Zinc Cobre Platino Calcio ????? -7.80 3.548 -5.80 6.748 -5.40 7.388 -3.80 9.948 -7.20 4.508 -6.40 5.788 J % 3.42 2.55 2.61 1.89 3.60 2.73 Error relativo

=152nm V0 Material V Sodio Zinc Cobre Platino Calcio ????? -6.00 3.476 -4.00 6.676 -3.80 6.996 -2.00 9.876 -5.40 4.436 -4.60 5.716 J % 5.39 3.60 7.78 2.61 5.15 3.95 Error relativo

=182nm V0 Material V Sodio Zinc Cobre Platino Calcio ????? -4.60 3.560 -2.60 6.760 -2.20 7.400 -0.60 9.960 -4.00 4.520 -3.20 5.800 J % 3.09 2.38 2.45 1.77 3.34 2.53 Error relativo

El error relativo se calcul con:

Se observa que los potenciales medidos tienen un resultado aceptable, ya que el error relativo obtenido es bajo, del resultado se puede inferir que el potencial mnimo vara con la longitud aplicada, entre mayor sea la longitud de onda, mayor (ms positivo) ser el potencial de frenado que se deber aplicar para detener el flujo de corriente.

El voltaje mnimo para el cual no se reciben electrones entre las placas del experimento es diferente para cada material? Demostrar esta respuesta con las mediciones. Este voltaje si es diferente para cada material, y cada material vara con la longitud de onda de la fuente de luz, esto ltimo se tiene en cuenta para hacer la verificacin. Esto se puede observar en las siguientes medidas realizadas para una misma longitud de onda:

Medida realizada para el Sodio, se observ un potencial de frenado de -6.2V a una longitud de onda de 152nm.

Medida realizada para el Platino, se observ un potencial de frenado de -2.0V a una longitud de onda de 152nm. Los potenciales de frenado encontrados para material si fueron diferentes.

Comprar este fenmeno, con lo que ocurrira si se disparara con un arma varias armas de repeticin sobre un muro de concreto. Realizar el ejercicio mental, y responda si las partculas desprendidas por el muro, dependen de la frecuencia de los disparos, depende de la intensidad de los mismos. Hallar las diferencias con el efecto fotoelctrico, y responder porque el efecto fotoelctrico es un fenmeno que presenta un comportamiento totalmente diferente a la experiencia macroscpica de la cual estamos habituados.

Al disparar el arma hacia el muro ocurre una transferencia de momento lineal entre la bala y el muro, es por ello que si una bala no es capaz de transferir la suficiente energa mecnica como para desprender partculas, muchas balas probablemente puedan hacerlo, al disparar ms balas con ms armas es ms probable que aumente la masa del cuerpo que impacta al muro (suponiendo colisiones simultaneas entre las balas y el muro) y es por ello que se transferir ms energa mecnica, y posiblemente se desprendern ms partculas del muro; por tanto, entre mayor sea la intensidad (mayor cantidad de balas), mayor ser la cantidad de partculas desprendidas. En el efecto fotoelctrico no ocurre lo mismo, los fotones que chocan con los electrones transmiten su energa, y si el electrn gana la suficiente energa como para salir de su rbita, este es liberado. Pero si los electrones no ganan la suficiente energa, estos no se desprendern aun cuando la cantidad de fotones incidentes sea mayor; En este caso la cantidad de partculas desprendidas depende de la frecuencia de vibracin de los fotones ya que, estos sern ms energticos. Las diferencia entre estos dos casos, en ambos casos la energa es portada por los proyectiles (bala, fotn), pero su mecanismo de transferencia de energa es diferente, la energa de la bala no depende su vibracin o frecuencia o longitud de onda, sino de su velocidad, en tanto para un foto si depende la frecuencia y no de la velocidad, ya que este no tiene masa.

CONCLUSIONES

Del desarrollo de la actividad se puede concluir que: El efecto fotoelctrico es un fenmeno que ocurre a nivel subatmico cuando los fotones de una fuente luminosa chocan con los electrones de la superficie de un metal y los excitan, de tal manera que son desprendidos, estos fluyen, produciendo corriente elctrica. El desprendimiento de electrones depende de la frecuencia (longitud de onda) de la fuente de luz, existe un valor de frecuencia, que cuando es superado se logran desprender los electrones del material, ya que la energa de un fotn depende de la frecuencia de vibracin de este. La cantidad de electrones desprendidos depende de la intensidad de la fuente de luz y no de la frecuencia, la frecuencia solo hace que los electrones viajen con mayor velocidad (mayor energa cintica). Existe un potencial de frenado, que hace que se detenga el flujo electrones, este potencial es distinto para cualquier material a una longitud de onda dada, y para cada cuerpo el potencial de frenado varia con la frecuencia de la luz aplicada. Cada material tiene asociado una funcin de trabajo, y esta es constante e independiente de la frecuencia, intensidad y potencial de frenado, de hecho el potencial de frenado depende de dicha funcin de trabajo. Los electrones arrancados de la placa de metal se llaman fotoelectrones y son iguales que otros electrones. Luz de frecuencia bajo fo no puede arrancar electrones del metal, no importa cuan grande sea la intensidad de la luz. La teora ondulatoria de la luz no puede explicar este caso. Luz ms intensa significa ms energa a lo largo del frente de onda y ms electrones deben de arrancarse de la placa La luz que incide sobre la placa de metal debe de tener una frecuencia mnima (fo) para arrancar los electrones del metal. Esta frecuencia mnima vara con la clase de metal que se utilice. A la frecuencia mnima se la llama frecuencia umbral o de entrada.

BIBLIOGRAFA

http://www.textoscientificos.com/fisica/efecto-fotoelectrico http://www.educaplus.org/play-112-Efecto-fotoel%C3%A9ctrico.html http://www.gobiernodecanarias.org/educacion/3/Usrn/lentiscal/2-CD-FiiscaTIC/2-8Cuantica/EfectoFotoelectricoMB/fotoelectrico2-fp.htm http://webcache.googleusercontent.com/search?q=cache:LYM9SACQ0BkJ: www.textoscientificos.com/fisica/efectoFotoelectrico+efecto+fotoelectrico+depende+de&cd=2&hl=es&ct=clnk&sour ce=www.google.com MODULO FSICA MODERNA 2011 http://ciencia.glosario.net/ecotropia/efecto-fotoel%E9ctrico-9321.html