3.

5 INDICES DE MILLER Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de deslizar unos tomos sobre otros tomos en la celda cristalina. Para poder identificar unvocamente un sistema de planos cristalogrficos se les asigna un juego de tres nmeros que reciben el nombre de ndices de Miller. Los ndices de un sistema de planos se indican genricamente con las letras (h k l) Los ndices de Miller son nmeros enteros, que pueden ser negativos o positivos, y son primos entre s. El signo negativo de un ndice de Miller debe ser colocado sobre dicho nmero. Ejes y celdas unitarias: Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente, el eje X positivo se usa saliendo del papel, el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la parte superior; en sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y cuadrantes negativos

Se utilizan celdas unitarias para situar tanto puntos, como planos. Dichas celdas unitarias son cubos los cuales se encuentran situados sobre el sistema de coordenadas X, Y, Z. Generalmente se asume un origen, el cual est ubicado en la arista inferior izquierda posterior.

Direcciones en la celda unitaria: Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran inters, dichas direcciones son los denominados ndices De Miller y son particularmente las posiciones o lugares por donde es ms susceptible un elemento en sufrir dislocaciones y movimientos en su interior cristalino. Para hallar los ndices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente manera: 1. usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas positivas y zonas negativas). 2. Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola), generando de esta manera el vector direccin y la cantidad de parmetros de red recorridos 3. Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mnima expresin 4. Encerrar los nmeros resultantes entre corchetes , sin comas, si el resultado es negativo en cualquier eje (X, Y, Z) debe situarse una barra o raya encima de dicho numero, o nmeros. Ejemplo 3.5.1

Determinar los ndices de Miller de las direcciones A, B y C.

Direccin A 1. Dos puntos son: 1,0,0 y 0,0,0 2. Se restan ambos puntos, situando en primer lugar el punto que se desea tener como direccin y sentido (cabeza del vector) 4. [ 100 ] Direccin B Dos puntos son: 1,1,1 y 0,0,0 1. Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 3. [ 111 ] Direccin C 1. Dos puntos son: 0,0,1 y ,-1,0 2. Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 4. 2(- ,-1, 1)=-1,-2,2 5. Como el resultado es negativo en las direcciones de los ejes X y Y, se sitan con una barra en la parte superior los valores para dichos ejes. 6. Aspectos importantes en el anlisis y creacin de las direcciones en los ndices De Miller: 1. las direcciones de Miller son vectores, por ende este puede ser positivo o negativo, y con ello poseer la misma lnea de accin pero diferente sentido. 2. una direccin y sus mltiplos son idnticos solo que estos aun no han sido reducidos. 3. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes, esto en un sistema cubico es ocasionado por el orden y el sentido de los vectores, ya que es posible redefinir el sistema coordenado para una misma combinacin de coordenadas. Estos grupos reciben el nombre de direcciones de una forma o familia, y se denota entre parntesis especiales <>. Es importante resaltar que un material posee las mismas propiedades en todas y cada una de las diferentes direcciones de una familia. Tabla 3.5.a Direcciones de la familia <110> en el sistema cubico 0,0,1 - ,-1,0 = - ,-1, 1 3. Esta vez el resultado debemos llevarlo a una conversin de enteros. 1,1,1 - 0,0,0 = 1,1,1 1,0,0 0,0,0 = 1,0,0 3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir

2. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir

Importancia de las direcciones cristalogrficas: Es necesario conocer las direcciones cristalogrficas para as asegurar la orientacin de un solo cristal o de un material poli cristalino. En muchas ocasiones es necesario describir dichas orientaciones; en los metales por ejemplo es ms fcil deformarlos en la direccin a lo largo de la cual los tomos estn en mayor contacto. En la industria esto es de vital importancia para el uso, deformacin y construccin de nuevos elementos y materiales. Caso ejemplar es el de los elementos magnticos los cuales funcionan como medios de grabacin con mejor y mayor eficiencia si se encuentran alineados en cierta direccin cristalogrfica, para as almacenar de manera segura y duradera la informacin. En general es necesario encontrar o tener en cuenta la posicin y direccin cristalogrfica de los elementos ya que as podr aprovecharse al mximo sus propiedades mecnicas. Planos en la celda unitaria: Los planos cristalinos son con mayor precisin los lugares por donde un material facilita su deslizamiento y transformacin fsica; dichos lugares o planos son en donde existe la mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocacin. Como se mencion anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo de los planos en los cuales los tomos estn compactados de manera ms estrecha o cercana en la celda unitaria. Es importante resaltar la orientacin y forma en la que puede crecer el cristal, para ello es necesario analizar las tensiones superficiales producidas en los principales planos de una celda unitaria. Igualmente para una mejor orientacin en los planos de un material podr existir un mejor rendimiento y aprovechamiento en las propiedades y usos mecnicos. Los ndices de Miller para planos se representan equivalentemente al sistema cartesiano (X, Y, Z) = (h, k, l) respectivamente.

Para identificar los planos de importancia se procede de la siguiente manera: 1. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X,Y,Z en funcin de los parmetros de red (si el plano pasa por el origen se debe trasladar el origen del sistema de coordenadas). 2. los ndices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de un plano cartesiano. 3. se calculan los recprocos o inversos de los puntos o intersecciones. 4. si el reciproco es N/, donde N es cualquier numero entero real, esto significara en el plano que para este eje el plano quedara paralelo a l sin tocarlo. 5. la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad, caso que no ocurre en el estudio de las direcciones de los ndices de Miller. Ejemplo 3.5.8 Determine los ndices de Miller de los planos A, B y C Plano A

1. x=1 y=1 z=1 2. 1/x=1 , 1/y=1, 1/z=1 3. No existen fracciones que eliminar 4. (111)

Plano B 1. Debe aclararse el plano no cruza al eje z, esto es debido al cociente entre 1/ lo cual con su respectivo limite tiende a ser cero (0) 2. X=1 , y= 2, z= 3. 1/x=1, 1/y=1/2, 1/z= 0 4. Debemos eliminar las fracciones; 2(1, ,0) 5. (210)

Plano C 1. Es necesario cambiar el origen, ya que el plano pasa por el origen, ubicaremos el nuevo origen a la derecha del inicial, movindolo en direccin del eje Y positivo 2. Con el nuevo origen se tiene: x=, y=-1, z= 3. 1/x=0, 1/y=-1, 1/z=0 4. No existen fracciones que eliminar 5. Aspectos importantes para los planos en los ndices de Miller: 1. los planos positivos y negativos son idnticos. 2. los planos y sus mltiplos no son idnticos. Esto se demuestra por medio de la densidad planar y el factor de empaquetamiento.

3. los planos de forma o familia de planos son equivalentes. Se representan con llaves {} 4. en los sistemas cbicos, una direccin es perpendicular a un plano si tiene los mismos ndices de Miller que dicho plano. Ejemplo 3.5.3 Familia de planos {110} en los sistemas cbicos

Estos planos son inversos en muchos aspectos de estudio, anlisis y construccin. ndices de Miller para celdas hexagonales Para este tipo de estructura se ha desarrollado un especial conjunto de ndices de Miller-Bravais, debido a la simetra de la estructura. En este se usan ya cuatro ejes, aunque es de tenerse en cuenta que el eje a3 es redundante. El procedimiento para la obtencin de planos y direcciones es el ya estudiado, aunque para el clculo de las direcciones existen los mtodos para tres ejes o el de cuatro ejes, siendo este ltimo algo ms tedioso. En esta nueva estructura se tomaran los ndices (h, k, i, l), para los cuales se asignara un eje respectivo (a1=h, a2=k, a3=i, c=l), teniendo en cuenta que para el eje a3 su existencia radicara en la relacin h + k = -i; y la descomposicin en cuatro vectores (creacin de direcciones en cuatro ejes a partir de los ndices en los tres ejes) Relaciones: H= 1/3(2h k) K=1/3(2k h)

I=-1/3(h + k) L=l

Ejemplo 3.5.6 Determine los ndices de Miller-Bravais para los planos A y B y par las direcciones C y D.

Plano A 1. a1=a2=a3=, c=1 2. 1/a1=1/a2=1/a3=0, 1/c=1 3. No existen fracciones que simplificar 4. (0001)

Plano B 1. A1=1, a2=1, a3=-1/2, c=1

2. 1/a1=1, 1/a2=1, 1/a3=-2, 1/c=1 3. No hay fracciones que simplificar 4. Direccin C 1. Dos puntos: 0,0,1 y 1,0,0 2. Realizando la resta y tomando al punto 0,0,1 como cabeza del vector, se tiene: 0,0,1 1,0,0 = -1,0,1 3. No existen fracciones que eliminar o enteros que reducir 4. Direccin D 1. Los puntos son: 0,1,0 y 1,0,0 2. La resta genera el vector: 0,1,0 1,0,0 = -1,1,0 3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4.

Comportamiento isotrpico y anisotrpico: A causa de los arreglos en los diferentes planos y direcciones cristalogrficas los materiales presentan comportamientos y desempeos diversos en sus propiedades mecnicas. Se dice que un material es cristalogrficamente anisotropico si sus propiedades dependen de la direccin cristalogrfica en la cual se mide la propiedad. Si sus propiedades son idnticas en cualquier direccin el material se conoce cristalogrficamente como isotrpico. Puede suceder que un material pase de ser anisotropico a isotrpico si sus arreglos son aleatorios en forma policristalina. En genera los materiales policristalino as muestran propiedades isotrpicas. Ejemplo de ello tenernos el aluminio, el cual si posee idnticas propiedades en todas las direcciones diremos que es un elemento cristalogrficamente isotrpico, pero si se presenta en forma policristalina se puede asumir o comportar como anisotropico.

BIBLIOGRAFA

Askeland, Donald R; Phule, Pracleep; Ciencia e Ingeniera de los Materiales; International Thomson Editores, cuarta edicin, Mxico, 2004. Smith, William F (Autor); Hashemi, Javad ( Colaborador); Cruells Cadevall, Montesrrat ( Revisor); Roca Vallmajor, Antoni ( Revisor); Espaa, Mcgraw- Hill Interamericana S.A, C2004

3.6 PLANOS CRISTALINOS

Direccin en la celda A menudo, es necesario referirnos a posiciones especficas en las redes cristalinas. Esto es especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que varan con la orientacin cristalogrfica. Para cristales cbicos los indices de las direcciones cristalogrficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltos a lo largo de cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeos. Para indicar en un diagrama la direccin en una celda cbica unitaria dibujamos un vector de direccin desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cbica) hasta que sale la superficie del cubo. Las coordenadas de posicin de la celda unidad donde el vector de posicin sale de la superficie del cubo despus de ser convertidas a enteros son los indices de direccin. Los indices de direccin se encierran entre corchetes sin separacin por comas. Planos en una celda unitaria Las superficise cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas comnmente utilizando cuatro indices en lugar de tres. Los indices para los planos cristalinos HCP ,llamados indices Miller-Bravais, son designados por las letras h, k, i, l y encerrados entre parentesis ( hkil ). estos indices hexagonales de 4indices estan basados en un sistema coordenado de 4 ejes.

Existen 3 ejes bsicos, a1, a2, a3, que forman 1200 entre si. El cuarto eje o eje c es el eje vertical y esta localizado en el centro de la celdilla unidad. La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los tomos a lo largo de estos ejes. La unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad. Los recprocos de las intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes, a1, a2, a3 proporciona los indices h, k e i mientras el recproco de la interseccin con el eje c da el ndice l. Notacin para planos Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es pralelo a los ejes, a1, a2, a3 las intersecciones de este plano con estos ejes sern todas de valor infinito. As, a1 =, a2 = a3 = El eje c, sin embargo, es nico puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Tomando los recprocos de estas intersecciones tenemos los indices de Miller-Bravais para el plano Basal HCP. As, H =0 K=0 I = 0 y L=1. El plano basal es, por tanto un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001) . BIBLIOGRAFA:

http://html.rincondelvago.com/principios-fundamentales-de-la-estructuracristalina-de-los-materiales.html http://www.esi2.us.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos.html DENSIDAD PLANAR DE FAMILIAS 100, 110 Y

3.7

111. PROTECCINDESCRIPTIVA DE PLANOS Y CORTE DE TOMOS. INTRODUCCIN Inicialmente podemos definir la densidad planar, coma la cantidad de tomos que hay en un determinado plano ejemplo: familia de planos (100). Pero una definicin ms formal la densidad planar es el nmero de tomos que tienen sus centros localizados dentro de un rea dada sobre un plano. El rea planar seleccionada debe ser representativa de los grupos de tomos repetitivos dentro del plano. Cuando ocurre deslizamiento bajo esfuerzo (deformacin plstica), ste ocurre en los planos sobre los cuales los tomos estn ms densamente empacados. La densidad planar en cristalografa nos muestra que tan lleno de tomos esta un plano lo cual es muy importante porque podemos conocer como se van a deslizar estos planos unos con respecto a otros; con su respectiva direccin de deslizamiento ( densidad

lineal) ; la combinacin de estos dos densidad planar y lineal me dan a conocer la deformacin del material, A la combinacin de un plano de deslizamiento con una direccin, es a lo que se le denomina sistema de deslizamiento, y es a travs de estos sistemas por donde se produce la deformacin de los materiales, de tal forma que cuanto mayor es el nmero de ellos mayor ser la capacidad de deformacin de stos. Para poder determinar cules son sistemas existentes, primero tenemos que ver cules son los planos y direcciones preferentes. Pues bien los planos de deslizamiento son los que poseen la fraccin atmica planar (FAP) ms grande o lo que es lo mismo, son los planos de mayor compacidad en la estructura cristalina. Se define la fraccin (1) atmica planar como:

= #ATOMOS INTERSECTADOS/AREA DEL PLANO

REDES CRISTALINAS BCC Y FCC: CALCULO DE LA DENSIDAD PLANAR: Para calcular la densidad planar usamos la siguiente convencin. Si un tomo pertenece totalmente a un rea dada, tal como la del tomo localizado en el centro de una cara en una estructura FCC, notamos que la huella de la interseccin del tomo sobre el plano es un crculo. Entonces, dentro del rea contamos un tomo en el centro y un cuarto de tomo en cada una de las esquinas, ya que cada uno intercepta solamente un cuarto de crculo en el rea. La densidad planar o del plano es 2/a2. Debemos agregar que en estos clculos de la densidad, una de las reglas bsicas es que un plano o una lnea debe pasar a travs del centro de un tomo no se cuenta el tomo en los clculos. Si determinamos la densidad planar de las distintas familias de planos de las diferentes estructuras, veremos que para el caso de la FCC, la familia de planos de mayor densidad planar es la {111}, mientras que para la estructura BCC, es la {110}.Luego los planos pertenecientes a estas familias constituyen los planos de deslizamientos de sus estructuras cristalinas correspondientes. Por lo que ya solo necesitamos conocer, Para poder determinar los sistemas, cuales son las direcciones de deslizamientos. A continuacin veremos el clculo de la densidad atmica planar de la familia de planos (100), (110), (111):

Con los resultados anteriores, y despus de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (100) se llega a la conclusin que para FCC es igual a 78,5% y para BCC es igual a 58,9%. Como ya qued dicho en la introduccin, para calcular la densidad planar, el rea del plano debe pasar por el centro del tomo, para poder tener en cuenta a ste como un tomo representativo, por eso, para calcular la densidad planar en una red cristalina BCC debemos garantizar que el plano no intercepte el tomo central. Aquello es posible saberlo haciendo proyeccin del rea y del plano, utilizando geometra analtica. Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyeccin y se ha deducido que el tomo central no corta lo suficiente al rea del plano como para tomarse como un tomo representativo, despus de esto se pasa a hacer un clculo de la densidad planar, sin tenerlo en cuenta. A continuacin se mostrar el desarrollo de lo anteriormente mencionado:

Con los resultados anteriores, y despus de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (111) se llega a la conclusin que para FCC es igual a 90,7% y para BCC es igual a 34%.

Con los resultados anteriores, y despus de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (110) se llega a la conclusin que para FCC es igual a 55,53% y para BCC es igual a 83,3%. BIBLIOGRAFIA:

http://www.uhu.es/beatriz.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat.pdf (1) SMITH, F WILLIAM, Fundamentos de la ciencia e ingeniera de materiales

http://blog.utp.edu.co/metalografia/2012/07/30/3-cristalografia/