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El FET de semiconductor Oxido-metal, o MOSFET (del ingles Metal-Oxide Semiconductor FET), tiene una Fuente, puerta y drenador.

Sin embargo, a diferencia del JFET, la puerta esta aislada ertricamente Del canal. Por esta causa, la corriente de puerta es incluso menor que en un FET. El MOSFET frecuentemente se llama IGFET, que quiere decir FET de puerta aislada (del ingles insulated-gate FET). Existen dos tipos de MOSFET, el de empobrecimiento y el de enriquecimiento. Aparte de algunas Aplicaciones especificas, el MOSFET de empobrecimiento se usa muy poco. El MOSFET de enriquecimiento se usa mucho, tanto en circuitos discretos como integrados. En circuitos discretos se usan como interruptores de potencia, que significa conectar y desconectar corrientes grandes. En circuitos integrados su uso principal es en conmutacin digital, proceso bsico que fundamenta los ordenadores modernos. EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO. . MOSFET de empobrecimiento, tambin Denominado MOSFET de deplexin. Se compone de una pieza de material Tipo n con una zona p a la derecha y una puerta aislada a la izquierda. La Zona p se denomina substrato (o cuerpo). Los electrones que circulan desde La fuente hacia el drenador deben pasar a travs del estrecho canal entre la Puerta y la zona p. EL MOSFET DE ENRlQUEClMlENTO El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evoluci6n hacia el MOSFET De enriquecimiento (tarnbin llamado MOSFET de acumulacin). Sin El MOSFET de enriquecimiento no existiran los ordenadores personales, Tan empleados hoy en dia. La idea bsica En la Figura 14-3a se presenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p Se extiende a lo ancho hasta el dioxido de silicio. Como se puede ver, ya No existe un canal n entre la fuente y el drenador. com0 funciona? La Figura 14-3b muestra' las tensiones de polarizaci6n normales. Cuando la tensin de puerta es nula, la comente entre la fuente y el drenador es nula Un MOSFET de enriquecimiento para pequea seal tiene una limitacin de Potencia de 1 W o menos. Secci6n 14-1. El MOSFET de empobrecimiento El MOSFET de empobrecimiento tiene una fuente, .una puerta y un drenador. .La puerta esta aislada elctricamente Del canal. Por ello, la resistencia de entrada es muy alta. El MOSFET de empobrecimiento tiene un uso limitado, principalmente en circuitos de radiofrecuencia.

Secci6n 14-2. El MOSFET de enriquecimiento El MOSFET de enrequecirniento esta normalmente en Corte. Cuando la tensin de puerta es igual a la tensi6n Umbral, una capa de inversin de tipo n conecta la Fuente con el drenador. Cuando la tensi6n de puerta es mucho mayor que la tensi6n umbral, el dispositivo Conduce fuertemente. Debido a la delgada capa de Aislante, el MOSFET se destruye con facilidad a menos Que se tomen las debidas precauciones al manejarlo . Secci6n 14-3: La zona hmica Como el MOSFET de enriquecimiento es principalmente Un dispositivo de conmutaci6n, funciona normalmente Entre corte y saturacin. Cuando esta polarizado En la zona hmica acta como una pequea Resistencia.

Conclusiones jfet
Observamos que al variar la tensin VDS, aumenta o disminuye el ancho del canal, con lo que tambin aumenta o disminuye la corriente de drenador ID debido al cambio de la resistencia efectiva del canal. Entonces al contrario de lo que ocurre en los transistores bipolares, si consideramos a la ID como corriente de salida, sta es controlada por cambios de tensin en vez de por cambios de corriente. Como se desprende del anlisis realizado, los JFET deben su nombre al efecto de control, sobre la corriente de salida, que ejerce el campo elctrico creado en las proximidades de la unin P-N inversamente polarizada. Conclusiones: Haciendo VGS cada vez mayor en valores negativos, se reduce el valor de la ID en el punto de estrangulamiento o de pinch off. Si VGS se hace suficientemente grande (en valores negativos) el pinch off tiene lugar casi con ID = 0. El JFET estar cortado cuando la polarizacin inversa VGS sea suficiente para que ID = 0. Al igual que en los transistores bipolares se pueden distinguir tres regiones o zonas de trabajo:

saturacin: o zona hmica, que est determinada por los valores de VDS comprendidos entre el origen y el correspondiente al codo de la caracterstica de salida o de drenador. activa o lineal: es la porcin horizontal de la caracterstica. En esta zona se comporta como un dispositivo de corriente cte. corte: determinada por valores de VGS menores o iguales a V(P)GS. En esta zona, el JFET se comporta como un dispositivo de tensin cte., similar a un diodo Zener.

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