TRANSISTOR DE POTENCIA, MOSFET DE POTENCIA EN CONMUTACION

TRANSISTOR DE POTENCIA (BJT)

CURVAS CARACTERISTICAS DEL BJT DE POTENCIA

TRANSISTOR EN CONMUTACION

SATURACION Ic = MAXIMA Vce= 0 CORTE Ic = 0 Vce=MAXIMA

TRANSISTOR EN CONMUTACION

Hfe = Ic/Ib GANANCIA O FACTOR DE AMPLIFICACION

CONFIGURACIONES UTILIZADAS POR LOS TRANSISTORES PARA CONMUTACION

CIRCUITO EQUIVALENTE TRANSISTOR NPN BAJO OPERACIN SEAL DC

IE = IB + IC IC = .IB + ICBO IB = CORRIENTE DE ENTRADA IC = CORRIENTE DE SALIDA

IE = IB(1 + ) IE = IC( +1)/

CIRCUITO DE TRANSISTOR OPERANDO COMO INTERRUPTOR

ECUACIONES: IB = (VB VBE)/ RB VC = VCE=VCC IC.RC VCE = VCB + VBE

ECUACIONES UTILIZADAS PARA EL DISEO DEL BJT DE POTENCIA TRABAJANDO EN MODO CONMUTACION

PRC = POTENCIA EN LA CARGA VCEMAX = VOLTAJE COLECTOR EMISOR MAXIMO IBSAT = CORRIENTE DE BASE PARA SATURACION PRB = POTENCIA EN LA RESISTENCIA DE BASE ICMAX = CORRIENTE DE COLECTOR MAXIMA SATURACION G = GARANTIA DE SATURACION HFE = GANANCIA DE CORRIENTE

FACTORES A CONSIDERAR PARA EL CALCULO DEL TRANSISTOR EN CONMUTACION

VOLTAJE E INTENSIDAD AL CUAL OPERA LA CARGA (VRC e IRC)

FACTOR DE GARANTIA A UTILIZARSE (G). VOLTAJE QUE ALIMENTA A LA BASE (VBB)

PROBLEMA :
LA BETA () DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE LA FIGURA VARIA DESDE 0 HASTA 60. LA RESISTENCIA DE CARGA ES RC=5. EL VOLTAJE DE ALIMENTACION EN CD ES VCC=100V Y EL VOLTAJE DE ENTRADA AL CIRCUITO DE LA BASE ES VB=8V. SI VCE(SAT)=2.5V Y VBE(SAT)=1.75V. ENCUENTRE (a) EL VALOR DE RB QUE RESULTA EN SATURACION CON FACTOR DE SOBREEXCITACION DE 10; (b) LA FORZADA Y (c) LA PERDIDA DE POTENCIA EN EL TRANSISTOR PT.

ACTIVIDAD EN AULA:
o SE DESEA CONTROLAR UN RELE QUE COMANDA A LOS ALOGENOS DE UN AUTOMOVIL, EL RELE FUNCIONA CON 12V Y CONSUME UNA CORRIENTE DE 0.5A. EL TRANSISTOR UTILIZADO ES COMANDADO CON CIRCUITOS TTL Y TIENE UNA GANANCIA DE 200. CALCULE EL CIRCUITO DE POLARIZACION. LA GARANTIA DEPENDE DE USTED.

MOSFET DE POTENCIA
UN MOSFET DE POTENCIA ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR VOLTAJE, QUE SOLO NECESITA UNA PEQUEA CORRIENTE DE ENTRADA

CARACTERISTICAS DE UN MOSFET DE POTENCIA

TIENEN UNA VELOCIDAD DE CONMUTACION MUY ALTA. SE UTILIZAN PRINCIPALMENTE EN APLICACIONES PARA CONVERTIDORES DE ALTA FRECUENCIA Y BAJA POTENCIA. TIENEN PROBLEMAS DE DESCARGAS ELECTROSTATICAS. TIENEN UNA IMPEDANCIA DE ENTRADA ALTA. MENOR PERDIDA DE POTENCIA POR CALENTAMIENTO.

CURVA CARACTERISTICA MOSFET DE POTENCIA

REGION DE CORTE: VGS<VT REGION DE ESTRECHAMIENTO: VDS VGS VT REGION LINEAL: VDS=VGS - VT

DE

UN

PARAMETROS MAS IMPORTANTES DEL TRANSISTOR MOSFET

MAXIMA CORRIENTE DE DRENAJE (IDMAX): 0.1A - 200A MAXIMO VOLTAJE DRENAJE FUENTE (VDSMAX) 10V hasta 600V VOLTAJE UMBRAL (VT) 2V hasta 6V RESISTENCIA DE ENCENDIDO (rd on) 5m a 10 MAXIMA POTENCIA DE DISIPACION (PD) 0.1W a 150W TRANSCONDUCTANCIA gm

CARACTERISTICAS DE CONMUTACION DE UN MOSFET

RDS = ro = VDS/ID gm = ID/VGS

SUICHE CERRADO ID= MAXIMO VDS0 SUICHE ABIERTO ID0 VDS=MAXIMO

ESQUEMAS BASICOS DE CONMUTACION MOSFET TIPO P Y TIPO N

K = ID/(VGS VT)

MOSFET DE POTENCIA QUE INCLUYE EFECTOS PARASITOS

MODELO DE CONMUTACION

FORMAS DE ONDAS Y TIEMPOS DE CONMUTACION

td(ON)= RETRASO DE ACTIVACION Tr = TIEMPO DE ELEVACION Td(OFF)=RETRASO EN LA DESACTIVACION Tf=TIEMPO DE ABATIMIENTO

CIRCUITO DE MOSFET COMO CONMUTADOR CON CIRCUITO PARA ACELERAR LA CONMUTACION

CIRCUITO PARA LA EXCITACIN DE LA COMPUERTA

TAREA:
1. LA GANANCIA DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE LA FIGURA, VARIA DESDE 12 HASTA 75. LA RESISTENCIA DE CARGA ES RC=1.5. EL VOLTAJE DE ALIMENTACION EN CD ES VCC=40V Y EL VOLTAJE DE ENTRADA DEL CIRCUITO DE LA BASE ES 6V. SI VCE(SAT)=1.2V, VBE(SAT)=1.6V Y RB=0.7, DETERMINE (a) EL FACTOR DE SOBRECARGA;(b) LA FORZADA Y (c) PERDIDAS DE POTENCIA EN EL TRANSISTORSE PRETENDE UTILIZAR UN MOSFET N PARA CONTROLAR UN PORTON ELECTRICO CONSTITUIDO POR UN ELECTROIMAN DE 30V/1A. SI EL TRANSISTOR A UTILIZAR TIENE COMO DATOS rd-on= 0.5, VT=1.5V Y K=0.8A/V. CALCULE LOS ELEMENTOS DEL CIRCUITO Y REDONDEE LOS PARAMETROS DEL TRANSISTOR, ADEMAS DIBUJE EL ESQUEMA CORRESPONDIENTE.

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