FET - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os transistores de Efeito de Campo, JFET e MOSFET's, tem como caractersticas bsicas e controle de uma corrente por um campo eltrico aplicado. corrente flui entre os terminais c!amado Suplidouro " S, S e #reno " #, # e o campo de$ido a uma tens%o aplicada entre um terminal de controle, a porta &'ate& " ', ' e o suplidouro. Este compartimento anlo(o a das $l$ulas eletr)nicas pentodo. $anta(em prtica dos FET's *ue os torna cada $e+ mais comuns, principalmente os MOSFET's, sua alta inped,ncia de entrada, n%o necessria praticamente nen!uma corrente de entrada na porta para o controle da corrente de dreno.

JFET O primeiro FET desen$ol$ido foi o de -un.%o, FET /Junction Field Efect Transistor0. 1 dois tipos2 Canal 3 e Canal 4. 4 Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor 3 /ou 40, en$ol$ida no centro com material 4 /ou 30, a re(i%o 3 /ou 40 esta parte, estreita, c!amado canal, por influir a corrente controlada.
D - DRENO

N P N P

CANAL

G - GATE

S - SUPLIDOURO

Estrutura do JFET canal 3 Obs.2 3o FET de canal 4 in$ertem"se camadas semicondutores 3 e 4

D G S CANAL N G S CANAL P D

Smbolos 3ote *ue em torno de um canal forma"se uma re(i%o de potencial na -un.%o 43. Esta barreira restrin(e a rea de condu.%o de canal ao outro.

FUNCIONAMENTO

MA ID

VGS

VDS

3a fi(ura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte $ari$el 5es, *ue controla a corrente do canal 6#. 3ote *ue 5es, na polari+a.%o re$ersa /" no (ate 40. 6nicialmente fa+emos 5es 7 8. O canal 3 est normalmente aberto, pois a barreira de pot9ncia mnima, assim, circula uma corrente m:ima c!amado 6#SS, caracterstica do JFET para 5ds. (ora $amos aumentar 5es, fa+endo *ue a lar(ura da barreira de potencial aumente. Ent%o a rea de condu.%o diminui, *ue diminui a corrente de dreno. O campo eltrico entre a porta e o supridouro repele eltrons ao canal, nas pro:imidades da -un.%o e a corrente fica confinada ao centro, diminuindo. Este o efeito de campo, *ue d nome ao transistor. ;uando maior a tens%o re$ersa 5es, menor a corrente de dreno, com 5ds fi:a. Se aumentarmos (radualmente, c!e(ar num ponto em *ue a corrente se anular. tens%o 5(s nesse ponto c!amado 5(soff ou 5(scorte, a tens%o de estran(ulamento do canal, ou de corte.

CURVAS CARACTERSTICAS 1 dois tipos2 Transcund,ncia<

#reno.
ID
IDSS

VGS VESCORTE

Cur$a de Transcund,ncia Esta cur$a, $lida para 5ds = 5(s de corte, descre$e o controle de corrente de dreno pela tens%o porta > apridouro. ? a cur$a da re(i%o ati$a do JFET.

ID VGS 1 = 0V
REGIO

ATIVA

VGS 0 VGS 3 VGS 4 VGS 5 VGS = VGScorte VDS

Cur$a Caracterstica de #reno ? anlo(a @ caracterstica de coletor do transistor bipolar, e semel!ante @ caracterstica de placa e uma $l$ula pentodo. #escre$e o comportamento nas tr9s re(iAes de opera.%o, para di$ersos $alores de 5(s.

REGIO DE OPERAO 3a re(i%o ati$a, ati$a a corrente de dreno controlada pela tens%o 5(s, e *uase n%o $aria com tens%o 5ds /compartimento de fonte de corrente controlada0. 3esta o JFET pode funcionar como multiplicador de fonte"de"corrente. O JFET est nesta re(i%o *uando 5ds = 5escorte nas cur$as caractersticas a parte !ori+ontal da cur$a para uma certa 5(s /toda a rea fora de satura.%o, !ac!urada, e entre as cur$as 5(sB e 5(sC0 satura.%o ocorre *uando 5ds D 5(scorte. *ui a corrente 6# depende tanto de 5(s como 5ds /comportamento de resistor controlado0. 3as cur$as caractersticas de dreno, a reta inclinada *ue une cada cur$a a ori(em do (rfico. Eepare *ue as inclina.%o, relacionada @ resist9ncia do canal, diferente em cada uma das cur$as /$alores de 5(s0. 3esta re(i%o, o JFET atua como resistor controlado por tens%o, ou c!a$e, conforme a aplica.%o. ;uando 5(s F 5(scorte, o JFET est na re(i%o de corte, corte e a corrente de dreno nula. Gsada na opera.%o como c!a$e /alternando com a satura.%o " c!a$e fec!ada0.

APLICAES B0 Fonte de Corrente2

+ VDD RS

ID RL

O $alor de ES e a cur$a do JFET determinam a corrente 6#.

O circuito opera o JFET fica na re(i%o ati$a, ou se-a, 5ds= 5(scorte, isso impAe limite ao $alor de EH. O circuito usado em polari+a.%o, sendo fre*I9ncia dentro dos amplificadores operacionais e outros C6's analJ(icos. K0 mplificadores2 3a opera.%o como amplificadores, usamos o conceito da Transcondut,ncia, *ue define o (an!o dos FET's.

!= =

ID VGS

Transcondut,ncia, (m ou (, a rela.%o entre a $aria.%o na corrente 6d e a $aria.%o em 5(s *ue a pro$oca. 3os FET, a Transcondut,ncia maior para tens%o 5(s de polari+a.%o menor e corrente 6# maior. ssim, o (an!o determinado pela polari+a.%o como nos bipolares e $l$ulas0, e o tipo de FET. a0 4olari+a.%o2 corrente de dreno de JFET se(ue a rela.%o *uadrtica.

ID = IDSS

1 -

VGS VGS corte

Os $alores de 6#SS e 5(scorte $ariam conforme o tipo e o e:emplar, dentro de limites amplos. Gma polari+a.%o somente pode ser feita atra$s de a-uste de trimpot, ou atra$s de uma fonte de corrente com bipolar. O tipo mais comum a autopolari+a.%o. autopolari+a.%o

RS

+ VDD

RG

RS

Obs.2 3os amplificadores dreno comum Ed n%o usado. Ele n%o altera a corrente de dreno. corrente circula em Es, sur(indo uma *ueda de tens%o nele. porta est aterrada atra$s de E(, e ent%o a tens%o em Es aparece entre S e ', polari+ando o JFET com uma tens%o re$ersa, *ue se opAe @ corrente de dreno /Suplidouro0, re(ulando"a atra$s de realimenta.%o ne(ati$a. corrente ent%o fica dada pelas caractersticas do FET e o $alor de Es.

"

"

Tambm se usa polari+a.%o por di$is%o de tens%o, semel!ante @ usada com transistor bipolar, mas menos e:ata /pouco mel!or *ue a autopolari+a.%o0. b0 Supridouro comum2 ? a mais usada, pois oferece (an!o de tens%o. O sinal de entrada aplicado entre a porta e o Suplidouro, e a sada col!ida no dreno. fase in$ertida. imped,ncia de entrada muito (rande, - *ue a -un.%o porta"suplidouro est polari+ada re$ersamente, circulando apenas uma despre+$el corrente de fu(a. 3a prtica, a imped,ncia dada pelo resistor EE de polari+a.%o. J a de sada um pouco menor *ue E#. O (an!o de tens%o dado por2

G = - ! RD
Seu $alor na prtica fica entre L e L8 $e+es, em (eral /bem menor *ue no bipolar0. ? comum na entrada de instrumentos de medi.%o, e dentro de C.6. analJ(icos, pela alta imped,ncia.
+ VDD RS C e#t$ ENTRADA SA%DA

RG

RS

Obs2 Cent. pode ser omitido, em al(umas aplica.Aes. 3os amplificadores com acoplamento direto, todos os capacitores s%o dispensados, mas o (an!o diminui.

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