DIODOS

Corriente, I (mA)

1. Se desea disear el circuito de polarizacin de un diodo emisor de luz (LED) de arseniuro de galio (GaAs) conforme 100 a la figura 1. La caracterstica I-V del LED se representa en la figura 2, en la que tambin se ha dibujado la recta de carga del circuito. 90 Calcule: 80 a) La tensin de polarizacin del LED, VL e I en el punto de 70 polarizacin. 60 recta de carga del cto. b) Los valores de la resistencia R y de la fuente de tensin VCC .

R VCC + _

50 40 30 20 10
LED

VL

0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5

Tensin, VL (voltios)

Figura 1

Figura 2

2. La caracterstica en directa del diodo en el circuito de la figura se rige por la ecuacin de Shockley (es decir se trata de un diodo ideal, con n=1). La corriente de saturacin es I0=210-12 A a la V D temperatura ambiente de Ta=290 K (kTa=0,025 eV) y se duplica cada 4,83 C de incremento de la temperatura. Los otros elementos del circuito, R=1 k y VAA=4,5 V, son independientes de la temperatura. a) Suponiendo VD 0,5 V, en el circuito, obtener la corriente ID. ID b) Obtener, ahora, un valor ms preciso de VD para la temperatura Ta. c) Cul es la potencia disipada en el diodo?. V R AA d) Si la temperatura de funcionamiento aumenta en 14,5 C por encima de la ambiente, deducir cul ser la variacin VD en magnitud y signo.

3. En el circuito de la figura 1 los diodos de GaAs D1, D2 y D3 son iguales y sus caractersticas I-V pueden aproximarse por el modelo lineal por tramos de la figura 2. El conmutador puede estar en una de las dos posiciones sealadas como A y B. Determine: a) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en la posicin A b) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en B si RF = 0 c) La corriente ID que atraviesa los diodos con el conmutador en B si RF = 10 Suponga siempre estado estacionario. DATOS: VCC = 10 V; IP = 5 mA; R1 = 3 k; R2 = 2 k; V = 1V.

ICC R1 VCC IP A

ID B D1 IP D2 D3 R2

ID

RF-1 VD

V
Figura 1.1
NOTA: Por un generador de corriente en circuito abierto no circula corriente.

Figura 1.2

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS

4. Suponiendo que la caracterstica I-V de los diodos Zener Z1 y Z2 es la representada en la figura 1 y que la caracterstica I-V del diodo D1 es la de la figura 2, se pide, para el circuito de la figura 3: a) Calcular ID1 y VD1 b) Sabiendo que el diodo Z1 est ON, deducir el estado de Z2 c) Calcular IZ2

IZ 0,5A 0 VZ
0
Figura 2

ID
1A

Z1

IZ1
VD

ID1 V2 D 1 R
Figura 3

-7V

V1 Z2 IZ2

V D1

Figura 1 DATOS: R = 1,1 M; V1 = 20 V; V2 = 8 V

5. El componente de dos terminales de la figura limita la tensin en bornas de la resistencia R mediante la accin de los diodos D1 y D2. a) Cul es esa tensin lmite en valor absoluto, si considera como primera aproximacin el modelo lineal por tramos para los diodos? b) Obtenga y represente grficamente la caracterstica I - V del componente en esttica, utilizando de nuevo el modelo lineal por tramos. c) Considerando como segundo nivel de aproximacin el modelo de Shockley para los diodos, calcule el valor de la resistencia equivalente rEQ del componente para pequea seal en el punto de trabajo VQ = 580 mV. DATOS: R = 1 k, Vt = 25 mV I I Parmetros de los diodos, + Modelo lineal por tramos: + V 0, rd = 0, VZ D2 D1 R V V Modelo de Shockley: IS = 2,1 pA _ _

di 1 = gd = D rd dv D

v D =VQ

NOTA: Para el clculo de pequea seal del apartado c) los efectos capacitivos de los diodos son despreciables.

6. El rectificador de la figura es un rectificador de onda completa llamado rectificador en puente. Suponiendo que los diodos pueden representarse por un modelo lineal por tramos con tensin de codo V , dibuje la caracterstica de transferencia vO(vI) y esboce la funcin vO(t) para el caso en que vI(t) es una sinusoide de amplitud VI>2V . vI

D1 vO R D3

D2

D4

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS

7. En la figura 1 se presenta un circuito recortador utilizado para limitar el valor de la tensin a la salida, vO. Se aproxima el funcionamiento del diodo con un modelo lineal por tramos con una resistencia en directa, Rf=0 , una tensin umbral, V=0,5 V, y una tensin de disrupcin, VZ=. a) Calcule y represente la funcin de transferencia vO=f(vI) en este caso. b) Represente la seal a la salida vO(t) si la seal a la entrada, vI(t), es la seal triangular de la figura 2. c) Si se refina el modelo del diodo considerando el valor de Rf=20 , calcule la nueva expresin de la funcin de transferencia vO=f(vI) DATOS: VB = 1 V, R = 1 k

VB

R +

vI
+3 V T/2

vI

vO

T -3 V
Figura 2

Figura 1

8. Se desea disear un circuito electrnico que realice la funcin vO =

v I . Para ello, se plantea el circuito de la

figura 1.1, cuya curva de transferencia est formada por tres tramos lineales que aproximan dicha funcin, tal y como indica la figura 1.2. Para que el circuito funcione correctamente, los diodos D1 y D2 han de estar en corte en el tramo 1 (vI<1 V), D1 ha de conducir y D2 estar en corte en el tramo 2 (1< vI <4) y ambos diodos han de conducir en el tramo 3 (4<vI<9). Se pide: a) Valores de V1 y V2 que aseguran que los estados de los diodos son los arriba sealados. (0,5 p) b) Valor de R1 para que la funcin de transferencia del circuito sea la del tramo 2 para 1< vI <4. (1 p) c) Valor de R2 para que la funcin de transferencia del circuito sea la del tramo 3 para 4< vI <9. (1 p) DATOS: R=1 k. Para ambos diodos, i=0 para v<0,7 V y v=0,7 V para i>0 A.

R D1 vI V1 R1 D2
Vo(V)

V2 R2

vO

2
2

1
1

0 0 1 2 3 4 5 v I (V) 6 7 8 9 10

Figura 1.1

Figura 1.2

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS

9. Polarizando en directa un diodo de unin pn en el laboratorio, se han obtenido dos puntos significativos de su curva IV: A (10 mA, 600 mV), B (20 mA, 700 mV). Se ha verificado tambin que en inversa VZ>20 V y rZ. Se pide: a) Encontrar los parmetros V y Rf (tensin de codo y resistencia en directa) del modelo lineal por tramos que se ajusta a los dos puntos medidos (0,7 p.) Con dos diodos iguales que el anterior se construye un circuito limitador de V como el de la figura 1.

vI =5 sen wt vI

R D1
Figura 1

D2

b) Escribir las ecuaciones de la funcin de transferencia vO=f(vI) de este circuito y representarlas grficamente (1 p.)

c)

Dibujar la forma de la tensin de salida en funcin del tiempo, calculando los valores de amplitud (0,8 p.)

DATOS:

v I = 5 sent (Volts ); k T = 25 10 3 V ; e

R = 1k

10. En el circuito de la figura C es muy grande de forma que su impedancia es despreciable a las frecuencias de inters de la seal vS. Ignore tambin los efectos capacitivos en el diodo. a) Utilizando el modelo de pequea seal para el diodo, expresar la tensin de salida vO en funcin de vS y de I. Suponga RS = 1 k, VT = 0,025 V y n = 2, y particularice para I = 1 mA; 0,1 mA; 1 A. Este circuito funciona como un atenuador variable controlado por la corriente I. b) Calcule el valor de I tal que la seal de salida es la mitad de la de entrada.

RS vS

vO

11. El circuito de la figura 1 tiene un diodo cuya caracterstica I-V se muestra en la figura 2. Se le pide calcular: a) El rango de valores de VI para el que el diodo est en OFF en ausencia de seal. b) El punto de trabajo (VD, ID) para VI = 10 V. c) La resistencia equivalente del diodo en pequea seal y frecuencias medias para VD = 550 mV.

+ vi VI R1 R2

iD

iD + vD Fig. 1
OFF

ON

Fig. 2

0 para v D V (estado OFF) Modelo del diodo: i D = 2 a v D V + b v D V para v D V (estado ON) DATOS: R1 = 1 k, R2 = 10 k, V = 0,50 V, a = 100 mA/V2, b = 10 mA/V

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS

12. En el circuito regulador de tensin de la figura se escoge el valor de R para tener un valor de tensin a la salida VO = 0,7 V. a) Use el modelo de pequea seal del diodo para mostrar que el cambio en el voltaje Vnr de salida que corresponde a un cambio de 1 V en la tensin no regulada VNR es: v nVT FL O = v nr nVT + V NR 0.7V R Donde n es el factor de idealidad del diodo y VT = 0,025 V la tensin trmica. Este parmetro se llama factor de regulacin de lnea (line regulation) y suele expresarse en mV/V. b) Generalice la expresin anterior para el caso de m diodos conectados en serie y el VO valor de R ajustado de forma que la tensin en cada diodo sea 0,7 V (as que VO = m 0,7 V) Calcular el valor de FL para VNR = 10 V (nominal) y (i) m = 1, (ii) m = 3. Suponga n = 2 Cunto vale FL para un regulador ideal?

13. Considere de nuevo el circuito regulador del problema anterior, pero ahora con una carga conectada al terminal de salida del que deriva una corriente IL. a) Si el valor de IL es tan pequeo que el cambio vO que induce en la tensin de salida VO permite utilizar el modelo lineal de pequea seal del diodo, demuestre que: v FC O = rd R il Donde rd es la resistencia dinmica del diodo. Llamemos a esta cifra de mrito factor de regulacin de carga (load regulation), que suele expresarse en mV/mA. Cunto valdra en un regulador ideal? b) El valor de R se escoge de manera que, sin carga (IL = 0), la corriente por el diodo es ID. Demuestre que en ese caso se puede escribir: V NR 0,7 nV FC = T I D V NR 0,7 + nVT Elija para ID el menor valor que resulta en FC 5 mV/mA . Suponga VNR (nominal) = 10 V y n = 2. Calcule el valor de R y la corriente de saturacin del diodo. 14. Considere el circuito regulador de la figura. La tensin inversa de ruptura del zner vale VZ = 9 V y la resistencia incremental en disrupcin rZ = 30 . Se trabaja con una fuente de tensin no regulada Vnr = 15 V (10%). a) El diseo del regulador se hace para los valores nominales Vnr RL = 1 k, IZ = 10 mA (corriente inversa por el diodo). Calcule el valor de R, la corriente por ella y el valor nominal de la tensin de salida regulada. R b) Para la variacin especificada de la tensin de entrada, qu IL variacin tendremos a la salida? Cunto vale el factor de regulacin de lnea? c) Si la corriente de carga se reduce en un 50% (debido a una variacin RL en el valor de la carga), cunto vale el voltaje de salida? Cul es la VO mxima corriente de carga para la que la salida est regulada? Qu voltaje de salida se tendr en ese caso? Cul es el valor del factor de regulacin de carga?

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS

15. La caracterstica I-V aproximada del diodo Zener del circuito de la figura 1 se muestra en la figura 2. En esta figura se indica que existe una cierta corriente (Imax) que, en caso de hacerse ms negativa, provocara la destruccin del Zener. Sabiendo que se puede modificar la resistencia RS (resistencia variable), se pide: a) Calcular el valor de la resistencia RS que hace que el Zener se encuentre en el punto 1 de la curva de la figura 2. b) Cul es la tensin ms negativa que puede existir en bornas del Zener sin que se destruya? c) La resistencia RS vara hasta que el Zener alcanza el punto 2 de la curva de la figura 2. Sin obtener ese valor de RS, calcular el valor de IL.. d) Calcular ahora el valor de RS que hace posible que el Zener alcance el punto 2 de la figura 2. e) El valor de RS calculado en el apartado d), es mximo o mnimo para que el Zener funcione sin peligro de deterioro? Por qu? (Razone en 2 3 lneas su respuesta)

RS

IZ

IL VB
1

RD VZ

VP

VZ IZ
Figura 1

RL

V Imax
Figura 2

RZ
2

DATOS:

VP = 15 V ; RL = 2 k ; VB = 10 V ; V = 0,6 V ; RD = 1 ; RZ = 2 ; Imax = 0,1 A

16. Se desea polarizar un diodo emisor de luz (LED) tal como se indica en la figura 1. El LED tiene una curva caracterstica V-I de esttica como la indicada en la figura 2, donde V depende de la temperatura (TJ) de la unin del LED. Esta dependencia es de la forma V (TJ ) = Vamb a (TJ Tamb ) . La temperatura de la unin TJ depende la temperatura ambiente (Tamb), de la potencia elctrica consumida por el LED (P) y de la resistencia trmica entre la unin y el ambiente (J-amb). La relacin entre estas variables es TJ Tamb = P. J . NOTA: en esta expresin se amb ha supuesto que la potencia de luz emitida es despreciable frente a la potencia elctrica consumida. Se desea disear un circuito de forma que la temperatura de la unin en operacin TJ sea 50C superior a la Tamb. a) Calcule la potencia elctrica consumida por el LED en ese caso. b) Calcule la corriente I del LED. c) Calcule el valor de la resistencia del circuito R para lograr el funcionamiento citado.

VA

R I
V V

Fig. 1 Fig. 2 Datos: a = 10

mV ; C

Vamb = 2 V ; Q J amb = 100

C ; W

VA = 5 V

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS

17. Para una determinada aplicacin se desea utilizar como generador de energa elctrica la clula solar que muestra la figura 1.a. Para ciertas condiciones de temperatura y radiacin solar (que se estima que sern similares a las de operacin real) la clula puede modelarse como un generador de corriente en paralelo con un diodo aproximado por un modelo lineal por tramos, tal y como muestra la figura 1.b. La caracterstica I-V como componente de dos terminales de la clula tiene el aspecto de la figura 1.c. Para las condiciones mencionadas, se le pide calcular de forma razonada: a) La corriente en el punto A de la figura 1.c, que es la que produce la clula cuando se cortocircuitan sus terminales (V = 0). Indique el estado en que opera el diodo en dicho punto A. (0,6 p.) b) La tensin en el punto B de la figura 1.c, que es la que aparece en bornas de la clula cuando se deja en circuito abierto (I = 0). Indique el estado en que opera el diodo en dicho punto B. (0,8 p.) c) La potencia mxima que puede generar la clula, que se obtiene cuando trabaja en el punto C de la figura 1.c. (0,6 p.) d) La resistencia de carga que habra que poner en los terminales de la clula para operase en el punto C de la figura 1.c. (0,5 p.)

+ +

I V
B

I
Figura 1.a

I
IL
Figura 1.b

C
Figura 1.c

DATOS: IL = 2 A. Modelo lineal por tramos del diodo: V = 0,5 V; rf = 0,1 .

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS SOLUCIONES 1. a)

La interseccin de la recta de carga del circuito y la caracterstica I-V del LED dan el punto de trabajo, cuyos valores son IQ=50 mA y VL=1,5 V.

b) La interseccin de la recta de carga del circuito con: -el eje de tensin da el valor VCC=4 V -el eje de corriente da el valor VCC/R=80 mA. Por tanto, R=50
V AA VD 4 mA R kTa eVD ID b) I D = I 0 exp kT 1 VD = e ln 1 + I 535,4 mV a 0 c) PD = I DVD 4 mA 535,4 mV = 2,14 mW

2.

a) I D =

d) Ahora kT = kTa

T ' = 26,25 meV ; I 0 = I 0 2 4,83 = 1,6 10 11 A Ta I kT ' ' 507,6 mV VD = VD ln 1+ D VD = 27,8 mV ' e I0

' La corriente apenas cambiar, luego VD =

3. a) Suponiendo que los diodos conducen y dado que I D = I CC I P :

VCC R1 I P 3V R1 + R2 + 3RF 8 <0 5 + 3 RF VCC = R1 I CC + 3V + I D (R2 + 3RF ) VCC R1 I P = I D (R1 + R2 + 3RF ) + 3V ID = =

independientemente del valor de RF. Esto quiere decir que los diodos estn cortados con I D = 0 b) Suponiendo que los diodos conducen y dado que ahora I D = I CC + I P :
22 = 4,4 mA > 0 5 R1 + R2 + 3RF Para el nuevo valor de RF y con los diodos en conduccin: VCC + R1 I P 3V 22 ID = = = 4,37 mA > 0 5,03 R1 + R2 + 3RF ID = = VCC + R1 I P 3V

VCC = R1 I CC + 3V + I D (R2 + 3RF ) VCC + R1 I P = I D (R1 + R2 + 3RF ) + 3V

c)

4. a) b)

c)

VD1 = -V2 = -8 V D1 est OFF con ID1 = -1 A La ecuacin de la malla que engloba ambos diodos Zener es: V1 = VZ 2 I Z 2 R + V2 I Z 2 R + VZ 1 12 V = V1 V2 = VZ 2 2 I Z 2 R + VZ 1 Si Z1 est ON, VZ1 = 0 V 12 V = VZ 2 2 I Z 2 R VZ 2 + 2 I Z 2 R = 12 V IZ2 y VZ2 han de ser negativos: diodo OFF o en disrupcin; si estuviera OFF: VZ 2 7 V, I Z 2 = 0.5 A VZ 2 + 2 I Z 2 R 7 V-1,1 V = 8,1 V , condicin incompatible con la anterior, luego Z2 est en DISRUPCIN Z2 en disrupcin VZ2 = -7 V 2IZ2R = -5 V IZ2 = -5/2,2 = -2,27 A

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS

5. a) En el modelo lineal por tramos considerado para los dos diodos, sus tensiones V = VD1 = -VD2 no pueden superar V. Por tanto |V|max = V. b) Supongamos, en primer lugar, que D1 est en ON. Entonces VD 2 = VD1 = V < V , por lo que D2 est en OFF. En esta situacin: V = V (e I D 2 = 0) mientras I D1 = I I R > 0 I >
V R Por simetra, si D2 est en ON, entonces D1 estar en OFF y V=- V mientras se cumpla I<-V/R. Para el resto de los valores de I (|I|< V/R o |V|< V), los dos diodos estn en OFF, luego I=IR=V/R. En resumen: I V V = V si I > R V / R V V si I < I= -V V R R V V V = V si I < R -V / R

1 diD vD c) Como iD = I S exp V 1 r = g d = dv t d D

v D = VQ

V IS exp D en directa Vt Vt 0 en inversa

Como para VQ=580 mV = VD1 =-VD2,, D1 est en directa y D2 en inversa, y as se tiene:

rd 1 V Vt exp Q = 1 rEQ = R // rd 1 // rd 2 rd 1 = 1 IS Vt rd 2

6. Puede ser til hacer una primera aproximacin suponiendo diodos ideales, es decir, V=0. Planteo la hiptesis sobre el estado de los diodos, veo cul es vO(vI) en ese caso, y veo qu valor ha de tener vI en ese caso. 1.a. D2 y D3 ON, D1 y D4 OFF. En ese caso, vO=vI. Compruebo las hiptesis

v0

D1 y D 4 OFF VD1 , VD 4 < 0 v I > 0 vI > 0 vI 2 3 = = > 0 > 0 v D y D ON I I I D2 D3 R

1.b. D1 y D4 ON, D2 y D3 OFF. Anlogamente, llegamos a vO=-vI, vI,<0. Se puede ver que otras combinaciones no dan resultados coherentes. Por tanto, si los diodos fueran ideales, la funcin de transferencia es la de la derecha

vI

Una vez que hemos entendido el funcionamiento de este rectificador, tenemos en cuenta el efecto de la tensin de codo. Haciendo un anlisis anlogo al anterior, 2.a. D2 y D3 ON, D1 y D4 OFF. vO=vI-2V, para vI,>2V 2.b. D1 y D4 ON, D2 y D3 OFF. vO=-vI-2V, para vI,<-2V Ahora hay un nuevo estado, en el que todos los diodos estn cortados, . vO=0 para -2V< vI,<2V La funcin de transferencia y la seal de salida para una sinusoide a la entrada se dibujan a continuacin

v0
VI-2V

v0
vI

-V

Aunque tericamente el rectificador de onda completa puede dar el doble de componente continua de lo que da un rectificador de media onda, hay que tener en cuenta que la seal a la salida se ve reducida en 2V. Actualizado en Octubre 2003

DIODOS 10 7. a) Cuando el diodo est en corte, vO = vI -VB = vI - 1. Esto se cumple para vO -V , luego la condicin a la entrada es vI VB -V = 0,5. Para vI VB - V = 0,5 V el diodo est en conduccin, y vO = -V= -0,5 V. Representndola:
vO

VB-V -V -VB VB

vI

b)
vO (V)
3 2 0,5 -0,5 -3 V T/2

t
T

c) En el tramo en que el diodo est en corte (vI VB - V) sigue siendo vO = vI - VB = vI - 1. En el tramo en que el diodo conduce (vI VB - V), el circuito equivalente es ahora el de la figura VB R

vI

vI
y tendremos

V Rf

+ vO

v = V + R i = V + R O f f
8.

v V B + V 0,02 I = 0,5 + v 0,5 . I R+R 1 , 02 f

a) b) c)
9.

Los diodos entrarn en conduccin cuando la tensin en sus bornas sea igual a la tensin de codo, vO-V1,2=V. D1 entra en conduccin para vI=1, vO=1, luego V1=0,3 V D2 entra en conduccin para vI=4, vO=2, luego V2=1,3 V En el tramo 2, D1 conduce y D2 est cortado. Para que vO=2 V con vI=4 V, la corriente por R ha de ser 2 mA. Esta corriente debe provocar una cada de tensin en R1 de 1 V, luego R1=0,5 k. En el tramo 3, ambos diodos conducen. Para que vO=3 V con vI=9 V, la corriente por R ha de ser 6 mA. De ellos, 4 mA van por la rama de D1 y 2 mA atraviesan R2, luego R2=0,5 k.

V A VB = R f ( I A I B ) V = V + R f I (600 700) mV a) R f = (10 20) mA = 10

V = V A I A R f = 600 10.10 = 500 mV

b) Para -0,5V<vI<0,5V ningn diodo conduce y vO=vI. Para vI>0,5V conduce el diodo D1. Para vI < 0,5V conduce D2. En ambos casos tenemos una recta de pendiente

Rf R + Rf

V 10 = 9,9 10 3 , con ordenada en el origen = 0.495 V R 1010 1+ f R

vO pendiente: 9,910-3 1

5V 0,5 V
-0,5 V

4,5V x 9,910-3=44,5 mV

-0,5

0,5

vI

pendiente: 9,910-3

c)

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS 11 10.
RS

vs

rd

vo

a) En pequea seal, rd vs nV v0 = vs = , puesto que rd = T R I R S + rd I S +1 nVT v0=0,048vs para I=1 mA; v0=0,33vs para I=0,1 mA; v0=0,98vs para I=1 A; b) v0=0,5vs
RS I nVT + 1 = 2 I=0,05 mA

11. a) En OFF i D = 0 VD = VI

R2 R1 V VI V = 5,5V 1 + R R1 + R2 1

b) De a) se deduce que el diodo est en ON: 2 I D = a (VD V ) + b(VD V )

V VD VD = I I D R1 R 2
100 VD 0,50

V VI 1 2 V V + =0 b+ a (VD V ) + R // R D R // R R 1 2 1 2 2

)2 + 11.1(VD 0,50) 0,45 = 0

2 V 2 aV VD + aV bV I R1 // R2 R2
1

2 o alternativamente aVD + b +

=0

VD 0,50 =
c)
1 rEQ di D dv D

0,032 > 0 V = 0,532 V D 0,143 < 0

2 I D = 100 0,032 + 10 0,032 = 0, 422 mA

= 2 a (VD V ) + b = 2 100 (0,550 0,50) + 10 = 20m VD =550 mV rEQ = 50

12.

a) Del circuito de polarizacin, I =

v0 =

V NR 0,7 nV nVT R ; con lo que rd = T = . Del circuito de pequea seal, R I V NR 0,7

rd v nr . Sustituyendo llegamos a la expresin de FL. R + rd V NR m0,7 mnVT ; , rdT = mrd , luego FL = mnVT + Vnr m0.7V R (i) FL=0,005 V/V; (ii) FL=0,018 V/V; FL=0 en el caso ideal (aunque haya rizado en la fuente, no se nota en la tensin de carga)

b) En este caso, I =

13 a) En pequea seal,

il R rd vo

a) Del circuito se deduce la expresin para FC. En el caso ideal, FC=0 (aunque haya variacin en la corriente que se inyecta a la carga, no se nota en la tensin de la misma). V 0,7 nV , y se sustituye en la expresin de FC b) rd = T con I D = NR ID R IDmin=10 mA; Para ese valor, R=940 , y a partir de la ecuacin de Shockley IS=810-9 A

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS 12

14 a)

VNR R rZ IL IZ RL

V0 = rZ I Z + V Z = 9,3 V IL = V0 RL = 9,3 mA V NR V0 = 295 I

I = I Z + I L = 19,3 mA R =

VZ

b) Se puede resolver el circuito por mallas, para los dos valores extremos de VNR, y calcular entonces V0=RL(IL1-IL2)= rZ(IZ1-IZ2)=0,270 mV. Otra forma ms elegante, es hacer un anlisis de pequea seal, teniendo en cuenta que con el modelo del zner que tenemos, en el tramo de ruptura rd=rZ. rZ // R L R vo = v nr = 0,09v nr . Para vnr=1.5 V, vo=135 mV R + rZ // R L

vnr

vo

rZ

RL

FL =

vo = 90 mV V v nr

c)

il rZ vo

IL=4,64 mA

mA La mxima corriente de carga es la que hace que el zner pase de disrupcin a corte, luego IZ=0, V0=9 V, IL=I=20 mA

' v o = (rZ // R )I L = 126,6 mV ;

FC = 27,23 mV

15 a) El Zener en el punto 1 comienza a estabilizar la tensin, pero por l no pasa corriente. As: VR = 10 V VP RL RS = 1 - VB = VP = 1 k R R V + IZ = 0 L S B
L

b) La tensin ms negativa ser la tensin VB ms la cada de tensin en la resistencia interna del Zener RZ, cuando lo atraviesa la corriente mxima. Por tanto: VZ ,max = VB I max RZ = 10,2 V c) En el punto 2, la tensin en el Zener vale 10,2 V, que es la misma que en RL. En consecuencia, VR = 5,1 mA VR = I L RL = 10,2 V I L = RL d) V P V Z = RS I R V P VZ = 45,67 RS = IR = IZ + IL IZ + IL
L L
S S

e) Se trata de un mnimo, ya que si se disminuyera RS la corriente que la atravesara aumentara, superando el mximo admisible por el Zener.

Actualizado en Octubre 2003

DIODOS 13
16 a) b)

T Tamb = T = 50 C ;

P=

Jamb

50 C W = 0,5W 100 C

V (Tamb + T ) == Vamb aT = 2V 0,5V = 1,5V P = V .I = V .I ; I =

V A V I

P 0,5W = = 333mA V 1,5V

R=

5V 1,5V 3.5V = 10.5 1 A 0,33 A 3

17

a) Para V = VD = 0, el diodo est en OFF, e ID = 0. Por tanto I = -IL = -2 A. b) Cuando I = 0, la corriente por el diodo es ID = IL = 2 A > 0, por lo que est en ON. As, su tensin en bornas es: V= VD = V + rf ID = 0,5 V + 0,1 2 = 0,7 V c) En el punto C el diodo est en el umbral entre OFF y ON por lo que ID = 0 y V = VD = V. As la potencia disipada es Pdis = I V = -2 A 0,5 V = -1 W, por lo que la potencia generada es Pgen = -Pdis = 1 W. V 0,5 V d) La resistencia de carga necesaria viene dada por: R = = = 0,25 I 2A

Actualizado en Octubre 2003