Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa

Universidad Nacional Experimental de la Fuerza Armada Bolivariana
San Tome-Estado Anzotegui.
Ingeniera en Telecomunicaciones
Ctedra: Comunicaciones pticas






















Facilitador:
Ing. Hugo Betarte
Integrantes:
Araujo Nelson C.I. 23.536.059
Inciarte Indra C.I.
MaitaNorelkys C.I. 22.574.952
Padilla Joshebett C.I. 19.143.619
VillazanaRaymar C.I. 21.178.412
Seccin 7D-01
San Tom, 29 de Abril del 2014.
2

NDICE

CONTENIDO
INTRODUCCIN .......................................................................................................................................... 4
MARCO TERICO ....................................................................................................................................... 5
TOPICOS DE FSICA DE SEMICONDUCTORES: BANDAS DE ENERGA ..................... 5
MATERIALES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS ...................................................................... 5
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS ....................................................................................... 5
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS...................................................................................... 6
SEMICONDUCTOR TIPO N ........................................................................................................... 6
SEMICONDUCTOR TIPO P ............................................................................................................ 7
UNION P-N ................................................................................................................................................. 8
POLARIZACIN DIRECTA DE LA UNIN P N ...................................................................... 8
POLARIZACIN INVERSA DE LA UNIN P - N ....................................................................... 9
DIODOS EMISORES DE LUZ LED ................................................................................................ 10
ESTRUCTURA DE UN DIODO LED ............................................................................................ 11
MATERIALES PARA FUENTES DE LUZ ................................................................................... 13
EFICIENCIA CUNTICA Y POTENCIA DE LOS LEDS ....................................................... 15
MODULACIN PTICA .................................................................................................................... 16
MODULACIN CON LED ............................................................................................................. 17
CIRCUITO DE MODULACION LED ........................................................................................ 18
DIODO LSER ....................................................................................................................................... 18
MODOS DE UN DIODO LASER ...................................................................................................... 19
OPERACIN DE ONDA CONTINUA ....................................................................................... 19
OPERACIN PULSADA ................................................................................................................. 20
CONDICIONES DE DISPARO .......................................................................................................... 21
ECUACIONES DE EMISIN ............................................................................................................ 21
EFICIENCIA CUNTICA ................................................................................................................... 24
FRECUENCIA DE RESONANCIA .............................................................................................. 24
ESTRUCTURA Y PATRONES DE RADIACIN ...................................................................... 25
LASER MONOMODO .......................................................................................................................... 26
MODULACIN ...................................................................................................................................... 26
MODULACIN DE GRAN SEAL ............................................................................................ 27
3

MODULACIN DE PEQUEA SEAL ................................................................................... 27
MODULACIN DE CDIGO DE PULSOS ............................................................................. 27
EFECTOS DE LA TEMPERATURA .............................................................................................. 28
DEPENDENCIA DE LA CORRIENTE UMBRAL CON LA TEMPERATURA .......... 28
EFECTO AUGER: ............................................................................................................................. 28
DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA DE LA FRECUENCIA DE EMISIN 28
LINEALIDAD DE LA FUENTE DE LUZ ..................................................................................... 29
LANZAMIENTO DE POTENCIA FUENTE FIBRA ............................................................. 30
PATRN DE EMISIN DE LA FUENTE .................................................................................... 30
APERTURA NUMRICA DE EQUILIBRIO. .............................................................................. 31
CLCULO DEL ACOPLE DE POTENCIA. .................................................................................. 33
LANZAMIENTO DE POTENCIA VERSUS LONGITUD DE ONDA. ............................... 35
ESQUEMA DE LENTES PARA MEJORAR EL ACOPLE. ...................................................... 35
UNIONES FIBRA A FIBRA: ............................................................................................................... 36
DESALINEAMIENTOS MECNICOS........................................................................................... 36
PRDIDAS RELACIONADAS A LA FIBRA. ............................................................................... 38
PREPARACIN DE LA FIBRA .................................................................................................... 40
CONOCER LA PARTE DEL LADO DEL EQUIPO .............................................................. 42
ACOPLE DE LEDS A FIBRAS MONOMODO. ........................................................................... 44
EMPALMES ............................................................................................................................................. 45
TCNICAS DE EMPALME ............................................................................................................... 47
EMPALME POR FUSIN .............................................................................................................. 47
EMPALME MECNICO ................................................................................................................. 50
EMPALMES EN FIBRAS MONOMODO. ..................................................................................... 50
CONECTORES ........................................................................................................................................ 51
TIPOS DE CONECTORES ................................................................................................................. 52
CONECTORES DE PROXIMIDAD ............................................................................................ 52
CONECTORES DE HAZ EXPANDIDO .................................................................................... 54
CONECTORES MONOMODO ..................................................................................................... 55
CONECTORES MULTIMODO .................................................................................................... 55
PRDIDAS POR RETORNO ............................................................................................................. 55
CONCLUSIN ............................................................................................................................................. 57
BIBLIOGRAFA .......................................................................................................................................... 58

4

INTRODUCCIN







5

MARCO TERICO

TOPICOS DE FSICA DE SEMICONDUCTORES: BANDAS DE ENERGA
El objetivo principal de la teora de las Bandas es el de encontrar un modelo analtico o
matemtico, que describa cuantitativamente el comportamiento de una partcula cargada
en el cristal, como si se estructurara del que tiene una partcula libre como una peculiar
masa denominada masa efectiva.
Cuando el electrn pasa cerca de un tomo es acelerado y cuando se aleja es desacelerado,
hasta que entra dentro del campo elctrico del siguiente tomo. Este proceso se repite
tomo tras tomo, por lo que el campo de energa potencial del cristal ideal es peridico.
Se sabe por la mecnica cuntica que la expresin que proporciona los niveles de energa
discretos de un electrn en un pozo unidimensional y simtrico es:

Donde n= 1, 2, 3
Considerando analticamente el comportamiento del electrn en redes peridicas (Redes
de Bravais) mediante un modelo basado en un potencial peridica de forma cuadrada en un
cristal unidimensional de dimensiones infinitas se describe el potencial peridico de forma
cuadrada.
Para algunos valores de energa E, el primer miembro resulta mayor que la unidad por lo
que el electrn no puede tener estas energas. Esta es la explicacin de que aparezcan
bandas de energa prohibida.

MATERIALES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 ev y 0,67 ev para el silicio y el germanio
respectivamente.
6

Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden
caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en
la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin.
Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de
recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos
permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
Ni = n = p
Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 c):
Ni (Si) = 1.5 1010cm-3
Ni (Ge) = 1.73 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores,
ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el
cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la
debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a
los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la
direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de
impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte
de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se
han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material.

SEMICONDUCTOR TIPO N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
7

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a
los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como
material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del
silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej.
Fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de
un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no
enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso
los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre
en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material
dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

SEMICONDUCTOR TIPO P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de
los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como
huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo
con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al,
Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese
tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin
de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por
la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se
ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores
son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As,
los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo iib), que contienen
8

impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de
manera natural.
UNION P-N
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos
comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT.
Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si),
aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin
a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto
qumico.
POLARIZACIN DIRECTA DE LA UNIN P N

Polarizacin directa del diodo p-n.
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la
negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:
- El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.
- El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
- Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
- Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
9

electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo
de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el
cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones
de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta
el final.
POLARIZACIN INVERSA DE LA UNIN P - N

Polarizacin inversa del diodo pn.
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:
- El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a
la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el
orbital de conduccin, adquieren estabilidad: 8 electrones en la capa de valencia, y una
carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
- El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona
p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente
7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro
de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones
en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones
negativos.
10

- Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 a) denominada corriente inversa de
saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo;
ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que
los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es
despreciable.

DIODOS EMISORES DE LUZ LED
El LED (Light-EmittingDiode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor
que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la
unin PN en la cual circula por l una corriente elctrica . Este fenmeno es una forma de
electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de diodo que trabaja como un diodo
comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Este dispositivo
semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor
resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes.
Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no
influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta
con diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser
bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa
el LED y evitar que este se pueda daar; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje
de operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con
el material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe
circular por l vara segn su aplicacin. Los Valores tpicos de corriente directa de
polarizacin de un LED estn comprendidos entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los
diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LED. Los
diodos LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su
bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de
100,000 horas. Para la proteccin del LED en caso haya picos inesperados que puedan
daarlo. Se coloca en paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio comn
11

En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula
por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un compromiso
entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad que
circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por
ellos).


Smbolo del LED

ESTRUCTURA DE UN DIODO LED
Un diodo LED comn se compone de las siguientes partes:



1.- Extremo superior abovedado de la cpsula de resina epoxi, que hace tambin funcin de
lente convexa. La existencia de esta lente permite concentrar el haz de luz que emite el
chip y proyectarlo en una sola direccin.

2.- Cpsula de resina epoxi protectora del chip.

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3.- Chip o diodo semiconductor emisor de luz.

4.- Copa reflectora. En el interior de esta copa se aloja el chip emisor de luz.

5.- Base redonda de la cpsula de resina epoxi. Esta base posee una marca plana situada
junto a uno de los dos alambres de conexin del LED al circuito externo, que sirve para
identificar el terminal negativo () correspondiente al ctodo del chip.

6.- Alambre terminal negativo () de conexin a un circuito elctrico o electrnico
externo. En un LED nuevo este terminal se identifica a simple vista, porque siempre es
ms corto que el terminal positivo.

7.- Alambre terminal positivo (+) correspondiente al nodo del chip del diodo, que se
utiliza para conectarlo al circuito externo.
8.- Alambre muy delgado de oro, conectado internamente con el terminal positivo (+) y
con el nodo del chip.



Estructura interna del chip de un diodo LED. En esta ilustracin el chip se compone de
nitruro de galio (GaN) como elemento semiconductor. Aqu la corriente de electrones I
que parte del polo negativo () de la batera B, penetra en el diodo LED por el ctodo
(negativo), correspondiente a la regin N. Cuando a este chip se le aplica un voltaje
adecuado que lo polarice de forma directa, los electrones adquieren la energa extra
necesaria que les permite circular y atravesar las dos regiones que lo componen. Desde el
mismo momento que la batera B suministra a los electrones la energa suficiente para
vencer la oposicin que les ofrece a su paso la barrera de potencial que se crea en el punto
13

de unin o juntura que limita las dos regiones del diodo, estos pueden pasar a ocupar los
huecos existentes en la regin P (positiva). Acto seguido los electrones continan su
recorrido por esa otra parte del diodo, circulan por el circuito externo, atraviesan la
resistencia limitadora de corriente R y alcanzan, finalmente, el polo positivo (+) de la
batera o fuente de energa de corriente directa, completando as su recorrido por todo el
circuito. Una vez que los electrones comienzan a circular por el interior del diodo, en el
mismo momento que cada uno de ellos atraviesa la barrera de potencial y se une a un
hueco en la regin P, el exceso de energa extra previamente adquirida procedente de la
batera la libera en forma de fotn de luz. En el caso del diodo LED de este ejemplo, la luz
emitida ser ultravioleta (UV), invisible al ojo humano, por ser nitruro de galio (GaN) el
componente qumico del material semiconductor que compone este chip.
El chip de un diodo LED comn no se considera una lmpara propiamente dicho como
ocurre con otras fuentes de iluminacin o bombillas ms tradicionales. Para que sea
considerado como tal, adems del chip emisor de luz en s, tiene que contener tambin
otros elementos adicionales, como son: un controlador electrnico o driver, un disipador
de calor y componentes pticos apropiados, tal como poseen las lmparas LED de alta
potencia luminosa utilizadas para su uso en alumbrado general.

MATERIALES PARA FUENTES DE LUZ
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiacin cuando
los pares electrn-hueco se recombinan; es decir, cuando los electrones caen desde la
banda de conduccin (de mayor energa) a la banda de valencia (de menor energa)
emitiendo fotones en el proceso. Indudablemente, por ende, su color depender de la altura
de la banda prohibida (diferencias de energa entre las bandas de conduccin y valencia), es
decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio,
emiten radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales
especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los leds e IRED (diodos
infrarrojos), adems, tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea
reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los
convencionales.






14

Compuestos empleados en la construccin de leds


Los primeros leds construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo, permitiendo el
desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para longitudes de onda cada
vez menores. En particular, los diodos azules fueron desarrollados a finales de los aos
noventa por ShujiNakamura, aadindose a los rojos y verdes desarrollados con
anterioridad, lo que permiti por combinacin de los mismos la obtencin de luz
blanca. El diodo de seleniuro de cinc puede emitir tambin luz blanca si se mezcla la luz
azul que emite con la roja y verde creada por fotoluminiscencia. La ms reciente
innovacin en el mbito de la tecnologa led son los leds ultravioleta, que se han empleado
con xito en la produccin de luz negra para iluminar materiales fluorescentes. Tanto los
leds azules como los ultravioletas son caros respecto a los ms comunes (rojo, verde,
amarillo e infrarrojo), siendo por ello menos empleados en las aplicaciones comerciales.
Los leds comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los 30 a 60 mW.
En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar con potencias de
1 vatio para uso continuo; estos diodos tienen matrices semiconductoras de dimensiones
mucho mayores para poder soportar tales potencias e incorporan aletas metlicas para
disipar el calor (vase conveccin) generado por el efecto Joule.
Hoy en da se estn desarrollando y empezando a comercializar leds con prestaciones muy
superiores a las de hace unos aos y con un futuro prometedor en diversos campos, incluso
en aplicaciones generales de iluminacin. Como ejemplo, se puede destacar que
NichiaCorporation ha desarrollado leds de luz blanca con una eficiencia luminosa de 150
lm/W utilizando para ello una corriente de polarizacin directa de 20 miliamperios (mA).
Esta eficiencia, comparada con otras fuentes de luz solamente en trminos de rendimiento,
es aproximadamente 1,7 veces superior a la de la lmpara fluorescente con prestaciones de
15

color altas (90 lm/W) y aproximadamente 11,5 veces la de una lmpara incandescente (13
lm/W). Su eficiencia es incluso ms alta que la de la lmpara de vapor de sodio de alta
presin (132 lm/W), que est considerada como una de las fuentes de luz ms eficientes.

EFICIENCIA CUNTICA Y POTENCIA DE LOS LEDS
La eficiencia cuntica interna de un LED se define como la fraccin de pares electrn-
hueco que se recombinan emitiendo radiacin ptica. sta se calcula mediante la
expresin:


DondeR
r
y R
nr
son respectivamente las razones de recombinacin radiativas y no-radiativas.
Esto puede expresarse en funcin del tiempo total de recombinacin y el tiempo de
recombinacin radiativa de la forma:


Donde el tiempo total de recombinacin es:

La potencia interna generada en el LED en funcin de la corriente inyectada al dispositivo
(I) est dada por:

Donde q es la carga del electrn y es la longitud de emisin pico.
La eficiencia externa se calcula considerando que no todos los fotones generados saldrn
del dispositivo. Para esto se consideran los efectos de reflexin en la superficie del LED
(interfase). Esto se simplifica considerando nicamente los fotones con ngulo de
incidencia normal a la interfase con lo que se utiliza el valor del coeficiente de
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transmisividad de Fresnel. Considerando que el medio externo es aire (n=1), la eficiencia
externa est dada por:

Donden es el ndice de refraccin del material semiconductor. De aqu, la potencia de
emisin del LED puede obtenerse mediante:

La sensibilidad o responsividad (responsivity) de un LED es la razn de poder emitido (P) a
corriente inyectada (I). Generalmente se expresa en unidades de W/A, y cuando la
longitud de onda se expresa en micrometrospuede calcularse como:

La potencia de salida es proporcional a la corriente inyectada en un intervalo limitado por
la saturacin del dispositivo. El ancho espectral de la emisin (en m) puede calcularse
como:

Dondek
B
T est dado en eV y la longitud de onda en m (1.24eV=1.99x10
-19
J).
MODULACIN PTICA
La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada directamente
por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del circuito driver, o ella puede
ser una modulacin externa, donde la luz es primero generada por la fuente ptica y
despus a travs de un modulador externo es modulada. En este caso es posible, pero no
usual, modular, adems de la amplitud, la fase, la frecuencia o la polarizacin de la seal
ptica. La ventaja de la modulacin externa es la posibilidad de minimizar el efecto de lo
chirp de la seal ptica, caractersticos das seales pticas moduladas directamente. Sin
embargo, la mayora de los sistemas de comunicacin por fibras pticas comercializados
actualmente utiliza la modulacin directa, debido a su simplicidad y bajo costo. Estos
sistemas son llamados de sistemas del tipo IM o sea, la potencia ptica emitida por la
fuente de luz (intensidad ptica) es modulada por la corriente electrnica inyectada en la
fuente ptica.
17


MODULACIN CON LED


La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada directamente
por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del circuito driver, o ella puede
ser una modulacin externa, donde la luz es primero generada por la fuente ptica y
despus a travs de un modulador externo es modulada. En este caso es posible, pero no
usual, modular, adems de la amplitud, la fase, la frecuencia o la polarizacin de la seal
ptica. La ventaja de la modulacin externa es la posibilidad de minimizar el efecto de lo
chirp de la seal ptica, caractersticos das seales pticas moduladas directamente. Sin
embargo, la mayora de los sistemas de comunicacin por fibras pticas comercializados
actualmente utiliza la modulacin directa, debido a su simplicidad y bajo costo. Estos
sistemas son llamados de sistemas del tipo IM o sea, la potencia ptica emitida por la
fuente de luz (intensidad ptica) es modulada por la corriente electrnica inyectada en la
fuente ptica.





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CIRCUITO DE MODULACION LED



Esta aplicacin de amp-op es un amplificador sumador donde la seal de entrada tiene una
ganancia de -1, y el suministro de 12V se amplifica por -3/7 para proporcionar voltaje
suficiente para encender el LED y llevarlo a su rango lineal. El cambio en la salida de luz
es entonces proporcional al voltaje de la seal.

DIODO LSER
Los Diodos lser, emiten luz por el principio de emisin estimulada, la cual surge cuando
un fotn induce a un electrn que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de
reposo, este proceso est acompaado con la emisin de un fotn, con la misma frecuencia
y fase del fotn estimulante. Para que el numero de fotones estimulados sea mayor que el
de los emitidos de forma espontnea, para que se compensen las perdidas, y para que se
incremente la pureza espectral, es necesario por un lado tener una fuerte inversin de
portadores, la que se logra con una polarizacin directa de la unin, y por el otro una
cavidad resonante, la cual posibilita tener una trayectoria de retroalimentacin positiva
facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas
longitudes de onda haciendo mas angosto al espectro emitido.
La presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades de la cavidad
resonante hacen que las caractersticas de salida (potencia ptica como funcin de la
corriente de polarizacin) tenga un umbral a partir del cual se obtiene emisin estimulada,
el cual es funcin de la temperatura.
19

Un diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo que significa
que todas las ondas luminosas estn en fase entre s. La idea bsica de un diodo lser
consiste en usar una cmara resonante con espejos que refuerza la emisin de ondas
luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de esta resonancia, un diodo lser produce
un haz de luz estrecho que es muy intenso, enfocado y puro.
El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin conocidos como
lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir luz visible (roja, verde o azul) y luz
invisible (infrarroja).Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.

MODOS DE UN DIODO LASER
Un lser puede ser clasificado como operar en modo continuo o pulsado, dependiendo de si
la salida de potencia es esencialmente continua en el tiempo o si su salida toma la forma de
pulsos de luz en una o en otra escala de tiempo. Por supuesto, incluso un lser cuya salida
es normalmente continua se puede girar intencionalmente dentro y fuera a una tasa con el
fin de crear pulsos de luz. Cuando la velocidad de modulacin es en escalas de tiempo
mucho ms lento que el tiempo de vida cavidad y el perodo de tiempo durante el cual la
energa se puede almacenar en el mecanismo de accin lser o medio de bombeo, a
continuacin, todava se clasifica como un "modulada" o "pulsada" lser de onda continua.
La mayora de los diodos lser utilizados en los sistemas de comunicacin caen en esa
categora.

OPERACIN DE ONDA CONTINUA
Algunas aplicaciones de los lseres dependen de un haz cuya potencia de salida es
constante en el tiempo. Tal un lser se conoce como onda continua. Se pueden hacer
muchos tipos de lser para operar en el modo de onda continua para satisfacer este tipo de
aplicacin. Muchos de estos lseres en realidad laser en varios modos longitudinales al
mismo tiempo, y tiempos entre las frecuencias ligeramente diferentes pticas de las
oscilaciones, de hecho, producir variaciones de amplitud en escalas de tiempo ms cortas
que el tiempo de ida y vuelta, tpicamente de unos pocos nanosegundos o menos. En la
mayora de los casos, estos lseres son todava llaman "onda continua" como su potencia
de salida es estable cuando se promedian sobre cualquier periodo de tiempo ms largos,
con las variaciones de energa de muy alta frecuencia que tienen poco o ningn impacto en
la aplicacin prevista.
Para el funcionamiento de onda continua que se requiere para la inversin de poblacin del
medio de ganancia que ser repuesto continuamente por una fuente de bombeo constante.
En algunos medios de accin lser es imposible. En algunos otros lseres que requerira de
bombeo del lser a un nivel muy alto de potencia continua que sera poco prctico o
20

destruir el lser mediante la produccin de calor excesivo. Estos lseres no se pueden
ejecutar en modo CW.

OPERACIN PULSADA
Operacin de pulsado de los lseres se refiere a cualquier lser no clasificados como onda
continua, de modo que la potencia ptica aparece en pulsos de una cierta duracin en algn
tasa de repeticin. Esto abarca una amplia gama de tecnologas que aborden un nmero de
diferentes motivaciones. Algunos lseres son pulsadas simplemente porque no se pueden
ejecutar en el modo continuo.
En otros casos, la aplicacin requiere la produccin de impulsos que tienen una energa
tan grande como sea posible. Puesto que la energa del pulso es igual a la potencia media
dividida por la tasa de repeticin, este objetivo a veces puede ser satisfecha mediante la
reduccin de la tasa de impulsos de modo que ms energa puede ser construida en entre
pulsos. En la ablacin con lser, por ejemplo, un pequeo volumen de material en la
superficie de una pieza de trabajo se puede evaporar si se calienta en un tiempo muy corto,
mientras que el suministro de la energa gradualmente permitira el calor para ser
absorbido en la mayor parte de la pieza , nunca alcanzar una temperatura suficientemente
alta en un punto particular.
Otras aplicaciones se basan en la potencia de cresta del impulso, especialmente con el fin
de obtener efectos pticos no lineales. Para un pulso de energa dada, esto requiere la
creacin de pulsos de duracin ms breve posible la utilizacin de tcnicas como el Q-
switching.
El ancho de banda ptica de un pulso no puede ser ms estrecha que el recproco de la
anchura del impulso. En el caso de pulsos extremadamente cortos, que implica la accin
lser en un ancho de banda considerable, muy al contrario de los anchos de banda muy
estrechos tpicos de los lseres de CW. El medio de emisin lser en algunos lseres de
colorante y los lseres de estado slido vibrnicas produce ganancia ptica en un amplio
ancho de banda, lo que hace posible un lser que puede as generar pulsos de luz de tan
slo unos pocos femtosegundos.
En un lser de Q-conmutado, se permite la inversin de poblacin para construir mediante
la introduccin de la prdida en el interior del resonador que excede la ganancia del medio,
lo que tambin puede ser descrito como una reduccin del factor de calidad o "Q" de la
cavidad. Entonces, despus de la energa de bombeo almacenada en el medio de lser se ha
acercado al nivel mximo posible, el mecanismo de prdida introducido se elimina
rpidamente, permitiendo que la accin lser para comenzar que obtiene rpidamente la
energa almacenada en el medio de ganancia. Esto se traduce en un impulso corto que la
incorporacin de la energa, y por lo tanto una alta energa mxima.
21

Un lser de modo bloqueado es capaz de emitir pulsos extremadamente cortos, del orden
de decenas de picosegundos reduce a menos de 10 femtosegundos. Estos pulsos se repetir
en el tiempo de ida y vuelta, es decir, el tiempo que la luz tarda en completar un viaje de
ida y vuelta entre los espejos que componen el resonador. Debido al lmite de Fourier, un
pulso de tal longitud temporal corto tiene un espectro extendido sobre un ancho de banda
considerable. Por lo tanto un medio de dicha ganancia debe tener un ancho de banda de
ganancia suficientemente amplia para amplificar esas frecuencias. Un ejemplo de un
material adecuado es de titanio dopado, crecido artificialmente zafiro que tiene un ancho
de banda de ganancia muy amplia y por lo tanto puede producir pulsos de slo unos pocos
femtosegundos duracin.
Tales lseres en modo bloqueado son una herramienta ms verstil para procesos que
ocurren en escalas de tiempo extremadamente cortos investigacin, para maximizar el
efecto de la no linealidad en materiales pticos debido a la gran potencia de pico, y en
aplicaciones de ablacin. Una vez ms, debido a la duracin extremadamente corta del
impulso, tal lser producir impulsos que alcanzan una potencia extremadamente alta pico.

CONDICIONES DE DISPARO
Otro mtodo de lograr la operacin de lser pulsado es para bombear el material lser con
una fuente que es en s mismo pulsada, ya sea a travs de la carga electrnica en el caso de
lmparas de flash, u otro lser que ya est pulsado. Pulsos de bombeo se utiliz
histricamente con lseres de colorante en el tiempo de vida de poblacin invertida de una
molcula de colorante era tan corto que se necesita una energa, bomba rpida alta.
La manera de superar este problema fue para cargar condensadores grandes que luego se
cambiaron a descargar a travs de lmparas de destellos, la produccin de un flash intensa.
Pulsos de bombeo tambin se requiere para lser de tres niveles en los que el nivel de
energa ms bajo se convierte rpidamente en altamente poblada evitar una mayor accin
lser hasta que esos tomos se relajan al estado fundamental. Estos lseres, como el lser
excimer y el lser de vapor de cobre, no se pueden utilizar en el modo CW.

ECUACIONES DE EMISIN
Para el anlisis del funcionamiento del lser hay que partir de las ecuaciones de
emisin (en este caso, particularizadas para el caso de lseres monomodo), que son la
solucin a las ecuaciones de Maxwell para el caso del lser:
22

[1]
[2]
Donde P y N representan la cantidad o nmero de fotones y portadores en la cavidad
respectivamente, tp es el tiempo de vida de los fotones , tn el tiempo de recombinacin de
los portadores, Resp es la tasa de emisin espontnea y G es la tasa de emisin estimulada o
ganancia ptica de la cavidad.
La definicin o el valor de cada uno de los parmetros que determinan el funcionamiento
del lser es:
- LA CANTIDAD DE FOTONES viene dada en funcin del campo elctrico:
[3]
Donde e0 es la permitividad del medio material, m es el ndice del modo, mg es ndice de los
portadores inducidos y w es la energa de un fotn.

- EL NMERO DE PORTADORES en la zona activa se define como:
[4]
Donde n es la densidad de portadores y es prcticamente constante, V=Lwd es el volumen
de la cavidad siendo L la longitud, w el ancho y del grosor de la misma.

- LA GANANCIA PTICA se halla a partir de:
[5]
donde G es el factor de confinamiento, vg es la velocidad de grupo definida como v
g= c/mg y g es una ganancia de la cavidad cuyo valor es: g = sg ( n - n0 ) , donde sg es el
coeficiente deganancia diferencial, n0 la densidad de portadores requerida para alcanzar el
nivel de transparencia y n la densidad de portadores. Como no se va a trabajar con
densidad de portadores por unidad de volumen, sino con nmero de portadores, se
23

desarrolla un poco esta definicin para llegar a otra expresin que convenga mejor: G =
GN (N-N0).

- EL TIEMPO DE VIDA DE LOS FOTONES:
[6]
Donde ae son las prdidas en los espejos, aint otras prdidas intrnseca de la cavidad.

- EL TIEMPO QUE TARDAN EN RECOMBINARSE LOS PORTADORES es:
[7]
- LA TASA DE EMISIN ESPONTNEA,viene dada por:
[8]
Donde todo lo contenido dentro del corchete se conoce como factor de inversin de la
poblacin y Ef es la energa de separacin entre los niveles de Fermi.
Si a [1] y [2] se le aade la ecuacin de emisin de la fase, se tiene el sistema de
ecuaciones de emisin de lseres monomodo completo [9].

[9]

24

EFICIENCIA CUNTICA
La Eficiencia cuntica es una cantidad definida para un dispositivo fotosensible como la
pelcula fotogrfica o un CCD como el porcentaje de fotones que chocan con la superficie
fotorreactiva que producir un par electrn-hueco. Es una medida precisa de la
sensibilidad del dispositivo. A menudo se mide sobre un rango de diferentes longitudes de
onda para caracterizar la eficiencia del dispositivo a cada energa. La pelcula fotogrfica
tiene tpicamente una eficiencia cuntica de menos del 10%, mientras los CCDs pueden
tener una eficiencia cuntica sobre 90% en algunas longitudes de onda.

FRECUENCIA DE RESONANCIA

Se denomina frecuencia de resonancia a aquella frecuencia caracterstica de un cuerpo o un
sistema que alcanza el grado mximo de oscilacin.
Todo cuerpo o sistema tiene una, o varias, frecuencias caractersticas. Cuando un sistema
es excitado a una de sus frecuencias caractersticas, su vibracin es la mxima posible. El
aumento de vibracin se produce porque a estas frecuencias el sistema entra en resonancia.
La eficiencia de Acople es la medida de la cantidad de potencia ptica emitida desde una
fuente que puede ser acoplada con una Fibra ptica

Pf= Potencia Acoplada a la Fibra
Ps= Potencia Emitida desde la Fuente de Luz
La eficiencia de Acople depende del tipo de fibra conectada a la fuente y del proceso de
acople (lentes u otro complemento)






25

ESTRUCTURA Y PATRONES DE RADIACIN


El modo transversal de un frente de onda electromagntica es el perfil del campo
electromagntico en un plano perpendicular (transversal) a la direccin de propagacin del
rayo. Modos transversales ocurren en las ondas de radio y microondas confinadas en una
26

gua de ondas, como tambin la luz confinada en una fibra ptica y en el resonador ptico
de un lser.
Los modos transversales son debidos a las condiciones de frontera impuestas por la gua
de ondas. Por ejemplo una onda de radio que se propaga a lo largo de una gua hueca de
paredes metlicas tendr como consecuencia que las componentes del campo elctrico
paralelas a la direccin de propagacin (eje de la gua) se anulen, y por tanto el perfil
transversal del campo elctrico estar restringido a aquellas ondas cuya longitud de onda
encaje entre las paredes conductoras. Por esta razn, los modos soportados son
cuantizados y pueden hallarse mediante la solucin de las ecuaciones de Maxwell para las
condiciones de frontera adecuadas.
LASER MONOMODO
Las comunicaciones led se producen principalmente a partir de GaAsp o GaAs. Debido a
que los ledesGaAsp operan a una mayor longitud de onda que los ledesGaAs (1,3
micrmetros contra 0,81-0,87 m), su espectro de salida es ms ancho en un factor de
alrededor de 1,7 veces. El ancho de amplio espectro de los ledes causa una alta dispersin
en la fibra, lo que limita considerablemente su producto tasa de bits-distancia (medida
comn de utilidad). Los ledes son adecuados principalmente para aplicaciones de red de
rea local con velocidades de 10 a 100 Mbit/s, y distancias de transmisin de unos pocos
kilmetros. Los leds se han desarrollado para usar varios pozos cunticos para emitir luz
en diferentes longitudes de onda en un amplio espectro, y actualmente estn en uso en
redes de rea local de multiplexado por divisin de longitud de onda.
Un lser semiconductor transmite luz a travs de la emisin estimulada en vez de emisin
espontnea, lo que da como resultado una alta potencia de salida (~100 mW), as como
otros beneficios de la luz coherente. La salida del lser es relativamente direccional, lo que
permite un acoplamiento de alta eficiencia (~50%) en fibras monomodo. La anchura
espectral estrecha permite altas tasas de transferencia de bits, ya que reduce el efecto de
dispersin cromtica. Los lseres semiconductores pueden ser modulados directamente a
altas frecuencias, debido a la recombinacin de tiempo corto.
A menudo, los diodos lser se modulan directamente, que es la salida de luz controlada por
una corriente aplicada directamente al dispositivo. Para tasas de datos muy altas o enlaces
de muy larga distancia, una fuente de lser puede ser de onda continua y la luz modulada
por un dispositivo externo como un modulador de electroabsorcin
MODULACIN
La respuesta general a los distintos mtodos de modulacin depende de factores
intrnsecos y extrnsecos del lser. Los lmites extrnsecos son varios. Una restriccin
importante es el sobrecalentamiento del lser debido a las altas corrientes de polarizacin
27

del lser. Estas altas corrientes son necesarias para poder hacer funcionar el lser a altas
velocidades. El sobrecalentamiento produce un deterioro de los parmetros del dispositivo
como la ganancia, corriente umbral, etc.
Otro aspecto importante en la polarizacin de lseres a alta potencia es la degeneracin
"catastrfica" que se produce si se daan los espejos. Esto destruye el lser al estropearse
los espejos de la cavidad. Por tanto el lser tiene un lmite superior de inyeccin, hasta el
cual puede operar con seguridad y por encima del cual se destruye el lser.
Un ltimo lmite extrnseco del lser que limita la velocidad de ste es debido a los
elementos parsitos extrnsecos del diodo lser. El lser debe ser diseado con cuidado
para que la resistencia, capacidad e inductancia no limiten la respuesta del dispositivo. Los
lmites intrnsecos de modulacin son debidos al diseo de la cavidad, arrastre y difusin
de los portadores que limitan la velocidad de la modulacin de pequea seal.

MODULACIN DE GRAN SEAL
En este tipo de modulacin el lser es puesto a ON y a OFF, es decir, la corriente pasa de
estar por encima del valor umbral a estar por debajo del valor umbral. Este tipo de
modulacin se puede utilizar para interconexiones pticas o para algunas aplicaciones
lgicas. La respuesta del lser es bastante lenta con esta modulacin (~10ns). La
modulacin de gran seal no se utiliza para comunicaciones pticas debido a la respuesta
tan lenta y debido a la anchura espectral de la salida. De hecho la respuesta en gran seal
de un lser.

MODULACIN DE PEQUEA SEAL
En modulacin de pequea seal el lser est polarizado en un punto por encima del valor
umbral y se le aplica una pequea seal ac. Este mtodo presenta la mayor respuesta en
frecuencia pudindose alcanzar anchos de banda de hasta 50GHz.

MODULACIN DE CDIGO DE PULSOS
Esta tcnica de modulacin es la ms utilizada en las comunicaciones pticas actuales. Es
un hbrido entre la modulacin de gran seal y la de pequea seal. El lser est
polarizado por encima de su valor umbral y se le aplican pulsos de corriente (o tensin) de
forma que la corriente va de un valor superior a otro inferior pero siempre, incluso en el
estado bajo, por encima del valor umbral. Con este tipo de modulacin se alcanzan anchos
de banda de hasta 10GHz.

28

EFECTOS DE LA TEMPERATURA
Como en el LED la dependencia de la temperatura de la emisin de un lser es de suma
importancia. Tal y como hemos visto en una seccin anterior, para aplicaciones de muy
alta velocidad necesitamos altas corrientes de inyeccin lo cual puede producir un
calentamiento del dispositivo an con buena refrigeracin. Los factores de mayor
importancia en el estudio de la dependencia con la temperatura son; i) efecto de la
temperatura sobre la corriente umbral y la intensidad ptica y ii) efecto de la temperatura
sobre la frecuencia de emisin.

DEPENDENCIA DE LA CORRIENTE UMBRAL CON LA TEMPERATURA

Conforme aumenta la temperatura del lser, su corriente umbral tambin aumenta y para
un nivel de inyeccin determinado, la salida de fotones cae. Se debe a dos razones
principalmente:

- El incremento de temperatura causa que puedan existir electrones y huecos con
energas mayores. En consecuencia, una mayor fraccin de la carga inyectada
podr cruzar la regin activa y entrar en el recubrimiento o regin de los
contactos. Esta corriente de prdidas ya la vimos para el LED. La corriente de
prdidas depende del diseo del lser y se puede minimizar utilizando una regin
activa ms ancha o una estructura con variacin gradual del ndice en el caso de
lseres de pozo cuntico.

- A mayor temperatura hay ms electrones y huecos con energas superiores al valor
energtico umbral necesario para que se produzca la recombinacin de Auger.
Esto, junto junto con el incremento en la densidad de portadores umbral hace que
la recombinacin de Auger crezca exponencialmente con la temperatura. Los
procesos de Auger son especialmente importantes en materiales de estrecha banda
prohibida.

EFECTO AUGER:
La ya mencionada recombinacin de Auger da lugar a calor en vez de a fotones por lo que
una fraccin de la corriente no estar disponible para la creacin fotones y, en
consecuencia, habr que aumentar el nivel de inyeccin para alcanzar la misma densidad
de fotones. Adems se produce un aumento del factor de amortiguamiento de la resonancia
reduciendo el ancho de banda.

DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA DE LA FRECUENCIA DE EMISIN

Para la mayora de las aplicaciones es deseable que la frecuencia de emisin permanezca
estable. Pero en realidad si cambia la temperatura cambia la frecuencia de emisin del
lser. Hay dos efectos que controlan esta variacin de la frecuencia:
29


- La variacin de la banda prohibida hace desplazarse el espectro de ganancia
completo a energas menores conforme aumenta la temperatura. Esta variacin de
la banda prohibida es del orden de 0,5meV/K en la mayora de los
semiconductores. Esto hace variar al espectro de ganancia en 3 o 4 por K si no
hay efectos adicionales como se muestra en la siguiente figura (a). Sin embargo, en
el lser la emisin no depende slo de la posicin del pico de ganancia si no
tambin del modo Fabry-Perot ms cercano a este pico de ganancia. Esto nos
conduce al segundo efecto.

- Conforme vara la temperatura, la expansin trmica de la cavidad lser y
lavariacin del ndice de refraccin altera la posicin de los modos resonantes.Los
modos resonantes vienen dados por (q es un entero)



Dondeq es la longitud de onda en el material y q0 la longitud de onda en el vaco. Si la
longitud efectiva de la cavidad aumenta con la temperatura, la posicin de los modos se
desplazar con respecto al espectro de ganancia que a su vez se est desplazando debido a
la temperatura.

LINEALIDAD DE LA FUENTE DE LUZ
El transmisor de fibra ptica es un dispositivo hbrido electro-ptico. Convierte seales
elctricas en pticas y enva las seales pticas a una fibra ptica. Un transmisor de fibra
ptica consiste de un circuito de interfaz, un circuito controlador de la fuente, y una fuente
ptica. El circuito interfaz acepta la seal elctrica entrante, y la procesa para que sea
compatible con el circuito controlador de la fuente. La intensidad del circuito controlador
de la fuente modula la fuente ptica variando su propia corriente.
La seal ptica se junta, se acopla a la fibra ptica a travs de la interfaz de salida del
transmisor. Hay dos tipos de diodos de juntura de emisin de luz que se usan como fuente
ptica del transmisor.
Esta el diodo emisor de luz (LED, acrnimo ingls de Light-EmittingDiode), y el diodo
lser (LD). Los LED son ms simples y generan luz incoherente, y de potencia baja. Los
LD son ms complejos y generan luz coherente, y de potencia alta.
El grfico ilustra la potencia de salida ptica, P, de cada uno de estos dispositivos en
funcin de la corriente elctrica de entrada I, del circuito de modulacin. En la figura se ve
30

que el LED tiene una caracterstica P-I relativamente lineal, mientras que el LD tiene una
caracterstica no lineal o efecto umbral. El LD tambin tiene una propensin a tener
pliegues donde la energa disminuye con el aumento del ancho de banda.



LANZAMIENTO DE POTENCIA FUENTE FIBRA
PATRN DE EMISIN DE LA FUENTE
La combinacin de fuente de luz de fibra, calidad de fibra y dimetro de ncleo de la fibra
determinar no slo la distancia funcional del canal, sino tambin la velocidad de las
comunicaciones. Recientemente, la fibra multimodo ha experimentado una transicin de
fibra de 62,5/125 (ncleo/blindaje) en varias calidades a fibra de 50/125 micras, tambin
disponible en varias calidades, incluyendo la fibra de mximo rendimiento optimizada para
lser. La fibra multimodo es normalmente la opcin para distancias ms cortas. La luz se
lleva en varias rutas o modos. Un modo es la transmisin de luz en un estado constante.
La fibra monomodo permite una nica ruta/modo y es adecuada para aplicaciones de ms
largo alcance. La electrnica activa que respalda la fibra multimodo es menos costosa que
la monomodo.
31


La velocidad a la que viaja la luz en una fibra se mide por su ndice de refraccin. Se trata
de una ecuacin que compara la velocidad de la luz en un medio con su velocidad mxima
en el vaco. Esta luz viaja en el espectro no visible, normalmente 850 nm, 1300 nm o 1550
nm. El espectro visible termina aproximadamente a 750 nm. Este espectro puede llevar
seales analgicas y digitales. Los dispositivos que activan la fuente de luz convierten esas
seales en pulsos de luz dentro del espectro requerido para la transmisin. En el otro
extremo, otro dispositivo detecta los pulsos de luz que hay en cada modo y los convierte
otra vez en seales analgicas o digitales que entiende el dispositivo conectado.
La velocidad de la fibra se mide en hercios o ciclos por segundo. Cada ciclo equivale a un
pulso u onda luminosa. Un hercio equivale a un ciclo. Como la fibra transmite a tasas de
velocidad muy altas, medimos los pulsos/ciclos que un dispositivo lanza a la fibra en
megahercios (millones de hercios por segundo). Debido a que la luz no se degrada con la
distancia tan rpidamente como las seales elctricas, la atenuacin o prdida de seal es
inferior que en sus equivalentes de cobre. Ello permite que las ondas luminosas viajen
mayores distancias.

APERTURA NUMRICA DE EQUILIBRIO.
En ptica, la apertura numrica (AN) de un sistema ptico es un nmero adimensional que
caracteriza el rango de ngulos para los cuales el sistema acepta luz. Recprocamente,
tambin est relacionado con el ngulo de salida del sistema. La definicin exacta del
trmino vara segn diferentes reas de la ptica.
32

En la mayor parte de las reas de la ptica, especialmente en microscopa, la apertura
numrica de un sistema ptico tal como una lente queda definido por la siguiente ecuacin:

donde n es el ndice de refraccin del medio en el que la lente se encuentra (1 para el aire,
1,33 para el agua pura, y hasta 1,56 para algunos aceites), y es la mitad del ngulo de
aceptancia mximo que puede entrar o salir de la lente. La AN se mide generalmente con
respecto a un objeto o a un punto de una imagen y vara con la posicin del punto.

ngulo de Aceptancia: es el mximo ngulo en el cual el rayo de luz incidente es atrapado
por las paredes de la fibra. En este caso el rayo de luz se refleja totalmente en el
recubrimiento de la misma, por lo que el ngulo de transmisin, sobre el recubrimiento de
la fibra, es 90.

Las fibras pticas multimodo slo guan la luz que entra en la fibra dentro de un
determinado cono de aceptancia. La mitad del ngulo de este cono es el ngulo de
aceptancia,max. Para fibras con perfil de salto de ndice multimodo, este ngulo de
aceptancia viene determinado por la siguiente expresin

donde nn es el ndice de refraccin del ncleo de la fibra, y nc es el ndice de refraccin
de la cubierta.
Debido al gran parecido de esta expresin con las definiciones de AN de otras reas de
la ptica, es habitual llamar as al trmino de la derecha de la ecuacin anterior,
definiendo finalmente la apertura numrica de una fibra como
,
donde nn es el ndice de refraccin del eje central de la fibra. Ntese que cuando se usa esta
definicin, la relacin entre la apertura numrica y el ngulo de aceptancia es una mera
aproximacin. En particular, los fabricantes suelen dar la AN para fibras
33

monomodo bsandose en esta expresin, aunque para este tipo de fibras el ngulo de
aceptancia es algo diferente y no depende solamente de los ndices de refraccin de ncleo
y cubierta.
CLCULO DEL ACOPLE DE POTENCIA.
Potencia Acoplada de la Fuente a la Fibra

As y s son el rea y el ngulo de emisin fijo de la fuente
Af y f son el rea y y el ngulo fijo de aceptacin de la Fibra




Potencia Acoplada del LED a la Fibra







rea Activa
Fuente
ptica
Patrn de
Radiacin de
la Fuente
Angulo de
Aceptacin
de la Fibra
Potencia Perdida
rdr d d d B
dA d A B P
s
r
s
A
s s s F
m
f f
u u u u
u t t
(
(

=
=
(
(

O O =
} } } }
} }
O
max 0
0
2
0
2
0 0
sin ) , (
) , (
rdr d B
rdr d B
rdr d d B P
s
r
s
r
s
r
s
s
s
u t
u u t
u u u u t
t
t
t u
2
2
0 0
0
2
0
max 0
2
0
0
2
0 0
0
0
NA
sin
sin cos 2
max 0
} }
} }
} } }
=
=
|
|
.
|

\
|
=
A ~ =
2
1 0
2 2 2
0
2 2
step LED,
2 ) NA ( n B r B r P
s s
t t
34



Potencia Acoplada del LED a la Fibra de Salto de ndice (Step-Index Fiber)

Potencia Total ptica del LED:




Potencia Acoplada del LED a la Fibra de ndice Gradual (Graded-Index Fiber)
La Potencia acoplada desde el LED a la fibra indexada graduada se da como:

Si el medio entre la fuente y la fibra es diferente del material de ncleo con ndice de
refraccin n, la potencia acoplada en la fibra se reducir por el factor:



sin cos 2
sin ) , (
2 /
0
0
2 2
0
2
2
0
2 /
0
}
} }
= =
=
t
tt
t u u u t t
u u u
B r d B r P
d d B A P
s s s
s s
2
1
1
|
|
.
|

\
|
+

=
n n
n n
R
35

LANZAMIENTO DE POTENCIA VERSUS LONGITUD DE ONDA.
La potencia ptica slo depende de la radiacin (luminosidad) y no en la longitud de onda
del modo. Para un nmero de fibras de ndice gradual de modos est relacionada con la
longitud de onda como:

Por lo tanto el doble de muchos modos se propagan para 900nm en comparacin con
1300nm pero la potencia radiada por el modo de una fuente es

Por lo tanto el doble de potencia es lanzado por modo para 1300nm, en comparacin con
el 900nm

ESQUEMA DE LENTES PARA MEJORAR EL ACOPLE.
Varios esquemas de lentes posibles son:
1. Fibra de extremo redondeado
2. Microesferas Anidlicas (esfera pequea de cristal en contacto tanto con la fibra y
la fuente)
3. Esfera Imagen (una lente esfrica ms grande utilizado para la imagen de la fuente
en la zona ncleo del extremo de la fibra)
4. Lente cilndrica (generalmente formado a partir de una seccin corta de la fibra)
5. LED de superficie esfrica y fibra de extremo esfrico
6. Fibra de extremo Afilada o Cnica

A
|
.
|

\
|
+
=
2
1
2
2
t
o
o an
M
2

o
s
B
M
P
=
1 2
3 4
5 6
36

Problemtica en el uso de la lente:
Un problema es que el tamao de la lente es similar a la fuente y las dimensiones del
ncleo de fibra, que introduce dificultades de fabricacin y de manipulacin.
En el caso de la fibra de extremo cnica, la alineacin mecnica debe llevarse a cabo con
gran precisin.
UNIONES FIBRA A FIBRA:
Las Fibras Intercomunicadas en un sistema de fibra ptica es otro factor muy importante.
Estas interconexiones deben ser de baja prdida. Estas interconexiones se producen en:
- La fuente ptica
- El Fotodetector
- Dentro del cable de donde se conectan dos fibras
- Punto intermedio en un enlace donde se conectan dos cables
La Conexin Puede Ser:
- Vnculo permanente: conocido como EMPALME
- Conexin fcilmente desmontable: Conocido como CONECTOR
Todas las tcnicas de unin estn sujetas a diferentes niveles de prdida de energa en la
unin. Estas prdidas dependen de diferentes parmetros como:
- Distribucin de energa de entrada a la unin
- Longitud de la fibra entre la fuente y la unin
- Caractersticas geomtricas y de gua de onda de los dos extremos de la unin
- Cualidades del extremo de la fibra
La potencia ptica que se puede acoplar de una fibra a la otra se limita por el nmero de
modos que pueden propagarse en cada fibra
Una fibra con una capacidad de 500 modos conectada con la fibra de la capacidad de 400
modos slo puede acoplar 80% de la potencia
Para una fibra GIN con un radio del ncleo a, ndice n2 de revestimiento, k = 2/, y
n(r) como la variacin en el perfil de ndice de ncleo, el nmero total de modos se puede
encontrar a partir de la expresin


37

Esta ecuacin se puede asociar con la apertura numrica local general para producir

Como las diferentes fibras pueden tener diferentes valores de a, NA (0) y , de modo que
M puede ser diferente para diferentes fibras
La fraccin de energa que puede ser acoplado es proporcional al volumen de modo comn
de Mcomm. La eficiencia de Acople Fibra-a-Fibra qF est dada por:

Donde ME es el nmero de modos en la fibra emisora. La prdida de acoplamiento fibra a
fibra LF se da en trminos de qF como:
LF = -10 log qF
- Caso a: Todos los modos igualmente excitados, unin con fibra del mismo tamao
que tiene incluso una ligera desalineacin mecnica puede causar la prdida de
potencia

- Caso B: La propagacin de modos en el estado de equilibrio tienen un equilibrio
NA. La unin con una fibra ptica del mismo tamao del ncleo y mismas
caractersticas se encontrar (unir) a una NA de tamao ms grande en la fibra
receptora y hasta una desalineacin mecnica no puede causar la prdida de
potencia. Este caso es para fibras ms largas. La prdida de potencia se produce
cuando en la fibra receptora alcanza el estado de equilibrio
38


DESALINEAMIENTOS MECNICOS
Alineacin mecnica es el principal problema cuando se unen dos fibras teniendo en cuenta
su tamao microscpico. Un ncleo de la fibra multimodo GIN estndar es 50 100m de
dimetro (grosor de un cabello humano) La fibra monomodo tiene dimetro de ncleo de
9m. Las prdidas por radiacin se producen porque el cono de aceptacin de la fibra
emisora no es igual al cono de aceptacin de la fibra receptora. La magnitud de la prdida
de la radiacin depende del grado de desalineacin Pueden producirse tres tipos diferentes
de desalineacin
a) Separacin longitudinal
b) Desalineacin angular
c) El desplazamiento axial o desplazamiento lateral


PRDIDAS RELACIONADAS A LA FIBRA.
Igual que con el cobre, la prdida o atenuacin de seal en la fibra se mide en decibelios
(dB). La atenuacin de la fibra aumentar con cada conector o empalme. Normalmente la
prdida de empalme es de unos 0,2 dB por empalme. No obstante, las terminaciones
deficientes pueden aumentar esa cifra. La estimacin de prdida de fibra compara la
prdida real con la estimada (o prdida aceptable) segn el nmero de empalmes en el
canal. Para medir esta prdida, debe utilizarse un medidor de potencia y una fuente de luz.
Probar una fibra estrictamente con un reflectmetro ptico con indicacin temporal
(OTDR) proporciona la caracterizacin del segmento de fibra, pero no facilita el
rendimiento definitivo.
39

Se encuentran dos tipos de atenuacin en cables de fibra ptica: intrnseca y extrnseca. La
atenuacin intrnseca es inherente a la fibra y se introduce durante el proceso de
fabricacin. Un ejemplo seran las impurezas o irregularidades dentro del vidrio. Ello
provoca que las seales luminosas sean absorbidas o dispersadas y es el motivo por el que
algunas fibras admiten mayores distancias de aplicacin que otras. Los avances en
fabricacin han introducido una nueva calidad de fibra multimodo conocida como fibra
optimizada para lser.
Esta fibra incorpora dos mejoras de fabricacin esenciales. La primera es la eliminacin de
las anomalas mencionadas anteriormente, reduciendo impurezas en el ncleo de la fibra.
La segunda es un mayor control del ndice de refraccin, lo que reduce la dispersin de
modo asegurando que lleguen todos los modos al receptor bsicamente al mismo tiempo.
La combinacin de esas mejoras aumenta mucho la capacidad de ancho de banda de la
fibra, cuyo resultado es la compatibilidad con aplicaciones de mayor velocidad, incluyendo
transmisiones a 10 Gb/s, as como distancias de transmisin ms largas. TIA hace
referencia a esta fibra como fibra optimizada para lser mientras que ISO/IEC lo hace
como fibra de calidad OM3.

La atenuacin extrnseca se introduce durante la manipulacin de cables. Ejemplos seran
pequeas tensiones mecnicas (micro-torcimientos) o vulneraciones del radio de curvatura
(macro-torcimientos) y el resultado es que la luz se refracta fuera del ncleo. Hay que
respetar los lmites de radio de curvatura especificados por el fabricante en todas las
instalaciones de fibra.
40


En la fibra, las seales y los pulsos deben ser entendidos por el receptor en cada extremo.
Hacer un tendido demasiado largo de un canal de fibra puede causar errores, como pueden
hacerlo excesivos empalmes, poca calidad de la fibra y una instalacin deficiente. Cualquier
anomala que impida que un receptor registre los pulsos equivaldr a un error binario.
PREPARACIN DE LA FIBRA
de fibra ptica se necesita una fuente de luz. Puede ser un LED (diodo emisor de
luz), un lser (amplificacin de luz por emisin estimulada de radiacin) o un VCSEL
(lser emisor de superficie vertical). Los lseres y los VCSEL proporcionan una fuente de
luz ms intensa y enfocada por lo que pueden transmitir mayores distancias que sus
equivalentes LED. El equipo que genera la seal mediante las dos ltimas tecnologas es
ms caro que una fuente LED.
Con independencia del tipo de fibra, el hecho de situar los pulsos de luz en la fibra
se conoce como "lanzar". El mtodo de lanzamiento puede variar desde un lanzamiento
saturado a un lanzamiento de modo restringido. Como se expuso anteriormente, la ruta de
la luz se llama modo. En un lanzamiento saturado, la luz introduce una seal de mayor
tamao que el ncleo real de la fibra. Eso permite que todos los modos se exciten. En
lanzamiento de modo restringido, se introduce un ncleo de luz ms pequeo que excita
slo determinados modos en la fibra. En monomodo, slo se excita una nica ruta o modo.
Los pulsos de luz pueden dispersarse dentro de la fibra con la distancia, lo que se
conoce como dispersin. Cuando los pulsos se superponen, pueden limitar la capacidad del
receptor para registrar pulsos distintos, limitando en consecuencia el ancho de banda de
una fibra. La luz viaja a diferentes velocidades en diferentes colores tambin. Para
contrarrestar cierta prdida de dispersin, la fuente de luz puede proporcionar lo que se
41

llama un lanzamiento restringido, normalmente empleado para aplicaciones de mayor
velocidad.

En vez de llenar todos los modos en una fibra con luz, slo determinados modos se
excitan y por lo tanto se restringe la gama de pulsos y los efectos de dispersin.
A longitudes de onda ms largas para velocidades de gigabit funcionando en
calidades ms antiguas de fibra multimodo de 62,5/125 micras, el lanzamiento restringido
provoca retardo de modo diferencial (las seales no llegan al receptor al mismo tiempo).
Para esas aplicaciones, deben utilizarse latiguillos acondicionadores de modo. Esos
latiguillos proporcionan un desfase de manera que la luz no entra directamente en el
centro del ncleo de la fibra. Al desfasar el haz hacia un rea fuera del centro del ncleo, la
dispersin se minimiza. Debe utilizarse un juego de latiguillos de lanzamiento restringido
en cada extremo del sistema.
El ancho de banda de la fibra es la capacidad de transmisin de informacin de la
fibra. Es inversamente proporcional a la cantidad de dispersin. As, la medida en la que
pueda controlarse la dispersin determina esencialmente el ancho de banda utilizable de la
fibra.
Especificaciones ISO para ancho de banda multimodos
Ancho de banda mnimo de modo
MHz km
Tipo de
fibra
ptica
Dimetro del
ncleo(m)
Longitud de
onda (nm)
Lanzamiento
saturado (OFL)
Lanzamiento de modo
restringido (RML) 850
nm
OM1 50 or 62.5 850
1300
200
500
No especificado
No especificado
OM2 50 or 62.5 850
1300
500
500
No especificado
No especificado
OM3 50 850
1300
1500
500
2000
No especificado
42

Nota: El ancho de banda efectivo de lanzamiento de lser se garantiza usando retardo de modo
diferencial (DMD), como se especifica en IEC/PAS 6073-1-49.
Especificaciones TIA para ancho de banda multimodo
Ancho de banda mnimo de modo
MHz km
Tipo de fibra
ptica
Longitud de
onda (nm)
Lanzamiento
saturado (OFL)
Lanzamiento de modo
restringido (RML)
62.5/125m
850 160 No se requiere
Mulitmode 1300 500 No se requiere
50/125m
850 500 No se requiere
Multimode 1300 500 No se requiere
Laser-Optimized 850 1500 2000
50/125m
Multimode
1300 500 No se requiere
ISO/IEC 11801 Ed2.0 define tres tipos pticos de fibra multimodo. OM1 principalmente
comprende la fibra histrica de 62,5/125 micras. OM2 tiene un ancho de banda efectivo de
500 MHzkm a ambas longitudes de onda y representa la fibra de calidad estndar de
50/125 micras. OM3 tiene un ancho de banda de 1500/500 MHzkm para lanzamientos
saturados y 2000 MHzkm con un lanzamiento de modo restringido, y se conoce por
TIA/EIA como fibra optimizada para lser de 50/125 micras.
CONOCER LA PARTE DEL LADO DEL EQUIPO
Cada pieza de la electrnica activa tendr varias fuentes de luz empleadas para transmitir a
travs de los distintos tipos de fibra. La distancia y el ancho de banda variarn con la
fuente de luz y la calidad de la fibra. En la mayora de redes, la fibra se utiliza para
operaciones de enlace ascendente/red troncal y para conectar varios edificios juntos en un
campus. La velocidad y la distancia son una funcin del ncleo, del ancho de banda de
modo, de la calidad de la fibra y de la fuente de luz, cuestiones tratadas anteriormente.
Para transmisiones de gigabit, las distancias aprobadas por IEEE se muestran en la tabla
siguiente.
GBIC
Longitud de
onda (nm)
Tipo de
fibra
Dimetro del
ncleo (micras)
Ancho de banda
modal (MHZ/km)
distancia
del cable
1000BASE-
SX
850 MMF 62.5 160 722 ft.
(220m)
62.5 200 920 ft. (275
43

m)
50 400 1640 ft.
(500m)
1000BASE-
LX
1300 MMF 62.5 500 1804 ft.
(550m)
50 400 1804 ft.
(550m)
9/10 N/A 6.2 miles
(10km)
1000BASE-
EX
1550 SMF 9/10 N/A 43.4 to 62
miles
(70 to
100km)
Se requiere un latiguillo acondicionador de modo.
Como puede verse, segn el tipo de fibra y el tipo de fuente de luz, las distancias admitidas
varan entre 220 m y varios kilmetros. Algunas son nicamente monomodo como se
indica. El coste de cada opcin aumenta con la distancia debido al tipo de fuente de luz.
Cada una de esas distancias son valores mximos basados en el tipo, calidad e instalacin
de las fibras. La prdida adicional introducida puede cambiar las distancias en gran
medida. Los GBIC (conversores de interfaz gigabit) que aparecen en la columna uno estn
indicados como SX (corta distancia), LX (larga distancia) y EX (muy larga distancia).
Tambin es importante observar que el uso de fibra monomodo para distancias cortas
puede causar que el receptor se vea desbordado y es posible que se necesite un atenuador
en lnea para introducir atenuacin en el canal.
Para hacer notar la diferencia entre velocidades y calidad, en la siguiente tabla se
comparan distancias, empezando con aplicaciones de 100 Mb/s hasta llegar a aplicaciones
de 10 Gb/s. Como puede verse, las anomalas en la fibra, las fuentes de luz y las
velocidades globales de ancho de banda inciden en las distancias a travs de las que se
puede llevar una seal por la fibra. La distancia aumenta con productos de fibra
optimizados para lser y, por lo tanto, brindaran el retorno de la inversin ms alto. Las
distancias adicionales admitidas eliminaran la necesidad de ms electrnica costosa y
repetidores dentro de la red de fibra.
Aplicacin
Londigud
de Onda
62.5m
160/500
62.5m
200/500
50m
500/500
50m
2000/500
SMF
100BASE-SX 850nm 300m 300m 300m 300m
1000BASE-SX 850nm 220m 275m 550m 550m
44

1000BASE-LX 1300nm 550m 550m 550m 550m 5km
10GBASE-SR* 850nm 28m 28m 86m 300m
10GBASE-LR* 1310nm 10km
10GBASE-ER* 1550nm 40km
10GBASE-LRM 1300nm 220m 220m 220m 220m
10GBASE-LX4 1310nm 300m 300m 300m 300m 10km
*Esas interfaces tambin se ven indicadas con una X en lugar de la R, pero se pueden usar
indistintamente.
La interfaz de la fibra para 10Gb/s se llama Xenpack, a diferencia de GBIC para gigabit.
Tanto 10GBASE-SR como 10GBASE-LR tienen un equivalente de comunicaciones de
rea extensa para permitir que se conecten a redes SONET a 9,584640 Gb/s (OC-192) a
travs de su interfaz de rea extensa. Esas interfaces se conocen como 10GBASE-SW y
10GBASE-LW respectivamente.
Ahora que la velocidad gigabit en el escritorio se hace habitual, tambin son ms comunes
las redes troncales de 10 Gb/s. Las interfaces SR tambin se estn haciendo comunes en
aplicaciones de centros de datos e incluso en algunas aplicaciones de escritorio. Como
puede verse, la fibra de calidad ms elevada (o fibra optimizada para lser) proporciona
ms flexibilidad para una instalacin de planta de fibra. Aunque algunas versiones
(10GBASE-LRM y 10GBASE-LX4) admiten calidades ms antiguas de fibra para
distancias de 220 m o ms, el equipo es ms costoso. En muchos casos, resulta menos caro
actualizar fibra que comprar los componentes ms costosos que tambin comportan costes
superiores de mantenimiento con el tiempo.
Parte de la solucin 10G ip de Siemon, el sistema de fibra XGLO, es ideal para
aplicaciones de redes troncales de prxima generacin o de fibra hasta el escritorio. Los
grupos de cable XGLO cuentan con fibra de la mejor calidad que cumple la norma Gigabit
Ethernet IEEE 802.3 10, as como las especificaciones IEC-60793- 2-10 y TIA-492AAAC
para retardo de modo diferencial de ancho de banda lser (DMD). XGLO utiliza fibra
optimizada para lser con el fin de obtener un ptimo rendimiento de transmisin de
aplicaciones Ethernet 1G o 10G
ACOPLE DE LEDS A FIBRAS MONOMODO.
El Borde de emisin de los diodos de lser tienen un patrn de emisin que nominalmente
tiene FWHM de
- 30 50 en el plano perpendicular a la unin rea activa
- 5 10 en el plano paralelo a la unin
45

Como la distribucin angular de la salida de lser es mayor que el ngulo de aceptacin de
la fibra y como el rea de emisin de lser es mucho ms pequeo que el ncleo de la fibra,
se pueden utilizar:
- Lentes esfricas
- Lentes cilndricas
- Cono de fibra
Para mejorar la eficiencia de acoplamiento entre el borde de emisin de diodos lser y
fibras pticas
La misma tcnica se utiliza para los lseres emisores de superficie de cavidad vertical
(VCSEL).
Las conexiones producidas en masa de matrices de lser para ser paralelo a la fibra
multimodo tienen eficiencia de 35%
Los Acoplamiento Directos (Sin lentes) de una sola fuente VCSEL a una fibra multimodo
resulta en eficiencia de hasta un 90%.
El uso de lentes de microesferas de vidrio homogneas ha sido probado en serie de varios
cientos de conjuntos de diodos lser.
Lente de cristal esfrica del ndice de refraccin de 1,9 y dimetros que oscilan entre 50 y
60m pegados con resina a los extremos de 50 m de dimetro de ncleo de fibras de ndice
gradual con NA de 0,2. Los valores de FWHM medidos de los haces de salida de lser
fueron los siguientes
- b/w 3 y 9m para el campo cercano paralelo a la unin
- b/w 30 y 60o para el campo perpendicular a la unin
- b/w 15 y 55o para el campo paralelo a la unin
Eficacias de acoplamiento en estos experimentos variaron entre 50 y 80%.
EMPALMES
Para la instalacin de sistemas de fibra ptica es necesario utilizar tcnicas y dispositivos
de interconexin como empalmes y conectores.
Los conectores son dispositivos mecnicos utilizados para recoger la mayor cantidad de
luz. Realizan la conexin del emisor y receptor ptico.
En caso de que los ncleos no se empalmen perfecta y uniformemente, una parte de la luz
que sale de un ncleo no incide en el otro ncleo y se pierde. Por tanto las prdidas que se
introducen por esta causa pueden constituir un factor muy importante en el diseo de
46

sistemas de transmisin, particularmente en enlaces de telecomunicaciones de gran
distancia.



Los empalmes son las uniones fijas para lograr continuidad en la fibra.
En las fibras monomodo los problemas de empalme se encuentran principalmente en su
pequeo dimetro del ncleo Dn = 10m, esto exige contar con equipos y mecanismos de
alineamiento de las fibras con una mayor precisin.
Las prdidas de acoplamiento se presentan en las uniones de:
Emisor ptico a fibra, conexiones de fibra a fibra y conexiones de fibra a fotodetector.
47

Las prdidas de unin son causadas frecuente-mente por una mala alineacin lateral, mala
alineacin de separacin, mala alineacin angular, acabados de superficie imperfectos y
diferencias ya sea entre ncleos o diferencia de ndices, como los indicados en la figura.
Para realizar un empalme deben tenerse presente las siguientes consideraciones:
Sus prdidas pueden contribuir en forma considerable con el balance de potencia
del sistema (menor alcance).
Deben realizarse en el campo, no han de incluir partes delicadas difciles de
manejar o procedimientos complejos (Empalmes econmicos confiables y de
calidad).
Las prdidas se clasifican en intrnsecas (homogeneidad y composicin de la fibra)
y extrnsecas (proceso de empalme, desalineacin).

TCNICAS DE EMPALME
Existen fundamentalmente 2 tcnicas diferentes de empalme que se emplean para unir
permanentemente entre s fibras pticas.
La primera es el empalme por fusin que actualmente se utiliza en gran escala, y la
segunda el empalme mecnico.

EMPALME POR FUSIN
Consiste en la unin permanente de las fibras mediante la fusin y unin de las mismas.
Anterior a la fusin de las fibras se calientan previamente para eliminar ciertas
impurezas, evitar la formacin de burbujas.
El empalme se realiza cuando las fibras a unir llegan a una temperatura
suficientemente alta como para fundirse.
La duracin del proceso puede estar en un minuto. Luego se protege la zona del
empalme con manguito (termocontractil) el cual se le recubre con un tubito de
acero (rigidez).
Tcnica de muy altas prestaciones, se logran atenuaciones de 0,03-0,05dB (fibras
monomodo).
Tambin existen empalmadoras por fusin para multifibras las cuales reducen el
tiempo de empalme por fibra. Tienen el mismo principio descrito, pero las fibras a
empalmar se alinean con un elemento alineador multifibra de ranuras.

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EMPALME POR ADHESION
Las fibras son insertadas en un mecanismo de alineacin y luego unidas con un adhesivo
epoxico.

Mecanismos de alineacin:
- Ranura en V: Tallada en un substrato metalico, cermico o plstico
- Base tres cilindros: El empalme es hecho introduciendo la fibra dentro de tres
tubos de alineacin.
49

- Base tubo ajustado: Se introduce la fibra dentro de un tubo o manguito de vidrio
agujereado perfectamente circular (3m mayor que el dimetro de la fibra).
- Base tipo cuadrado: Se introduce la fibra dentro de un tubo de seccin cuadrada,
hacindolo ngulo de modo de orientarlas hacia la esquina.

El adhesivo epoxico adems de servir como elemento de unin es adaptador de ndices de
refraccin.

Pueden optimizarse mediante rotacin de una de las fibras.

Se logran perdidas de insercin de 0,1-0,5dB.

50

EMPALME MECNICO
Consiste en un tubo dividido horizontalmente, la parte de abajo es una base tipo V
y la de arriba una tapa plana.

El espacio entre ambas se llena de un gel adaptador, se insertan las fibras cortadas
(de longitud determinada) y luego se cierran con unas grapas de presin que
empujan las fibras hasta juntarlas.

Existen versiones para conexiones multifibrasplanares.


EMPALMES EN FIBRAS MONOMODO.
Los empalmes por fusin se utilizan sobre todo con fibra monomodo y basndonos en
razonamientos de calidad tcnica podemos asegurar que los empalmes por fusin son los
mejores ya que ofrecen menores prdidas de insercin y altas prdidas de retorno
(menores reflexiones), pero existen otras razones que hay que tener en cuenta al decidir el
tipo a utilizar, stas pueden ser: econmicas, tecnolgicas y logsticas.
En cuanto a las razones econmicas, se debe tener en cuenta que los empalmes mecnicos
requieren una inversin inicial menor, que la necesaria para los empalmes por fusin,
dependiendo de la calidad y precisin de la mquina y herramientas), pero el coste del
material fungible para la realizacin de cada empalme mecnico es ms elevado que para
51

los empalmes por fusin, ya que una vez realizados solamente es necesario utilizar un
protector termo contrctil con refuerzo metlico cuyo coste es reducido .
Las razones tecnolgicas vendrn marcadas por el tipo de industria en la que se realicen
los empalmes. En el sector de telecomunicaciones y redes de CATV, se utilizan fibras
monomodo y donde las longitudes de los cables sean elevadas se requerirn empalmes con
bajas prdidas de insercin, por lo que el empalme por fusin es el ms adecuado, pero en
enlaces de cortas distancias .
En cuanto a los condicionantes logsticos hay que tener en cuenta que el espacio necesario
para la realizacin de empalmes mecnicos es menor que el que se necesita para los
empalmes por fusin y que para estos ltimos es preciso energa, aunque en los ltimos
aos proviene de bateras, la realizacin de los empalmes mecnicos no requiere ningn
tipo de alimentacin.
Estas caractersticas hacen que los empalmes mecnicos sean muy adecuados para realizar
reparaciones rpidas, aunque en algunos casos, stas sean provisionales

CONECTORES
Los cables de fibra ptica se unen con conectores especiales o se empalman entre s. Los
conectores de fibra ptica estn hechos de un casquillo, un cuerpo conector y un mecanismo de
acoplamiento. El casquillo es un cilindro delgado que sostiene la fibra ptica en su centro
ahuecado. Los conectores de fibra ptica pueden fabricarse con metal, plstico o cermica. El
cuerpo del conector est hecho de plstico o metal. Este sostiene el casquillo y conecta con la
funda exterior del cable. El mecanismo de acoplamiento es el cuerpo que sostiene al conector
en su lugar cuando se conecta a un dispositivo electrnico. Los conectores de fibra ptica
pueden ser un clip de cierre de presin y clic, un conector con rosca o un conector de tuerca de
giro y enganche de estilo bayoneta.

Los conectores desmontables tienen una mayor complicacin ya que deben mantener una
mnima atenuacin en numerosas conexiones y desconexiones. Por tanto el diseo del
conector debe permitir la conexin y desconexin sin problemas de alineamiento, este
proceso mecnico es fcil ver que puede llevar a la degradacin de la unin.

Para mantener caractersticas ptimas los conectores tambin deben proteger a los
extremos de las fibras del dao que pueden sufrir al manejarlos, debe ser insensible a
factores ambientales (como humedad o polvo) y debe soportar la tensin del cable.
Tambin debe (idealmente) ser un componente de bajo costo (no es cierto) y permitir la
conexin de forma simple. Tras todo esto cabe afirmar que hay que analizar a los
conectores de fibra bajo una triple perspectiva

El punto de conexin, que ha de proteger el extremo de la fibra.
El alineamiento entre fibras para conseguir un acoplamiento ptico ptimo.
52

La carcasa, que mantiene la conexin y el alineamiento de las fibras, protege la
parte desnuda de las fibras del ambiente y proporciona rigidez a la unin.

El uso de algn material con el ndice de refraccin del ncleo entre las dos fibras puede
ser de ayuda ya que elimina la atenuacin por reflexin Fresnel y mantiene los extremos
de la fibra limpias de polvo ambiente. Sin embargo no son una solucin ya que por contra
no es prctica la existencia de ningn material no slido en la zona en la que se conecta y
desconecta ya que los fluidos fluirn derramndose y adems atraern polvo, que no
llegar a la fibra pero servir como barrera al paso de la luz.

Hay muchos conectores para fibra en el mercado y que tienen prdidas en el rango de 0.2 a
0.3dB.Pueden separarse en dos categoras: los conectores de proximidad
(buttjointedconnectors) y los de haz expandido (expandedbeamconnectors). La funcionalidad de
los primeros descansa en conseguir que los extremos de las fibras estn lo ms cercanos
posible de forma que los ncleos coincidan, los segundos hacen uso de lentes de forma que
el emisor expande el haz y el receptor lo enfoca al ncleo de su fibra.

TIPOS DE CONECTORES
CONECTORES DE PROXIMIDAD
Los ms utilizados son los de proximidad. Vamos a describir brevemente losconectores de
camisa concntrica (Cylindricalferruleconnectors).

Es el conector ms simple, la fibra desnuda est pegada (con resina) a una ferrula (cilndro
metlico) cuyo agujero central tiene el dimetro de la fibra. Una vez fijada la fibra (estos
conectores son macho) se introducirn en un cilndro gua de precisin que permite que los
extremos de las fibras estn pegados. Una vez colocado el conector se fija mediante un
mecanismo de retencin que puede ser un muelle.

Para este tipo de conector es muy importante que los extremos de las fibras sean suaves y
perpendiculares al eje de la fibra. Para conseguir esto se puede hacer de varias formas:

1. Clivandola fibra antes de introducirla en la ferrula.
2. Introducir la fibra en la ferrula y clivandoladespus, justo en el final de la ferrula.
3. Utilizar cualquiera de los mtodos anteriores y despus pulir la fibra hasta que quede
justo en el extremo de la ferrula.

53


Figura 6.9: Conectores de camisa concntrica: (a) estructura de un conector bsico; (b)
estructura de un conector con salida de precisin.




Figura 6.10: Esquema simplificado del funcionamiento de un conector de haz expandido.

El ltimo sistema es el que da mejores resultados pero es el ms tedioso y complicado,
sobre todo en campo abierto.

Los errores de alineamiento del sistema hacen que las prdidas estn en el orden de 1 a
2dB con fibras multimodo abruptas.

54

Para solucionar problemas de alineamiento y simplificar la fabricacin de las ferrulas se
aade en el extremo del conector un terminador (watchjewel) de precisin (figura 6.9)que
ser el que en poco espacio hace el trabajo que antes hacia la ferrula, con este tipo de
mejoras se consiguen atenuaciones entre 0.2 y 0.3dB. Comercialmente existen varios de
estos tipos de conectores, los tipos ms comunes son los ST (straighttip), SMA
(subminiatureassembly), FC (fiberConnector), PC 3(physicalcontact) y SC (subscriberconnector).

Este sistema de conector no es el nico, tambin podemos encontrarnos con conectores de
ferrulabicnicos, con los doblemente excntricos y con conectores para dos fibras y para
mltiples fibras.

CONECTORES DE HAZ EXPANDIDO
La alternativa a los conectores de proximidad son estos, podemos ver su principio de
funcionamiento en la figura 6.10, puede verse en la figura como la luz se expande debido a
la apertura numrica de la fibra, el haz se convierte en un haz paralelo debido a una lente
convergente con distancia focal adecuada (Cunto vale la f para esta lente?) y
posteriormente otra lente convergente enfocar este haz en el ncleo de la segunda fibra.

El uso de la ptica convierte el alineamiento entre conectores en algo mucho menos
crtico, la distancia entre fibras ya no es importante mientras que antes fuera crucial. Pero
por supuesto esto no es gratuito y se hace a expensas de unas exigencias angulares
mayores. Este tipo de conectores son muy tiles para conexin de mltiples fibras y para
placas de circuito impreso donde los alineamientos lateral y longitudinal son difciles de
conseguir.

Estos conectores tienen como ventaja de utilizacin que sus resultados son muy
repetitivos y consiguen sin problemas atenuaciones menores de 0.5dB.


SEGN SU UTILIDAD, los conectores se clasifican en:
Tipos de conectores de la fibra ptica.
- FC, que se usa en la transmisin de datos y en las telecomunicaciones.
- FDDI, se usa para redes de fibra ptica.
- LC y MT-Array que se utilizan en transmisiones de alta densidad de datos.
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- SC y SC-Dplex se utilizan para la transmisin de datos.
- ST o BFOC se usa en redes de edificios y en sistemas de seguridad.

SEGN EL TIPO DE FIBRA, los conectores se clasifican en:
CONECTORES MONOMODO
Las botas de los conectores monomodo son azules o blancas. El casquillo del conector a
menudo est hecho de circonio, que es un tipo de cermica. El casquillo monomodo tiene
un agujero ms pequeo que el del casquillo multimodo y no es detectable a simple vista.
CONECTORES MULTIMODO
Las botas de los conectores multimodo son de color beige o negras. La bota es la parte del
conector que est cubierta por un mango en el que termina el cable de fibra ptica. El
casquillo de un conector multimodo puede fabricarse de acero inoxidable, un compuesto de
plstico y circonio cermico

PRDIDAS POR RETORNO
La Prdida por Retorno ptica (ORL) se define como la cantidad de energa que regresa al
transmisor y que por consiguiente se pierde, esto es ocasionado por la misma fibra y por
todos loa acoplamientos mecnicos y terminaciones. Un ORL alto puede afectar algunos
sistemas de transmisin, por ejemplo, una reflexin de luz alta tiene un impacto fuerte en
las seales de video en RF, resultando en mala calidad de la imagen.
El ORL se mide en dB y entre ms grande sea el valor, significa que hay menos energa
reflejada, por lo que es mejor, por ejemplo, un valor de ORL de 40dB es mejor que uno de
30 dB. Para medir el ORL el mtodo ms preciso es el OCWR (Reflectometro de Onda
continua) que tiene una precisin de 0.5 dB a diferencia de un OTDR que ofrece una
precisin de 2dB.

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Al igual que en las pruebas de prdida de Insercin, para medir ORL usando un medidor
basado en OCWR, primero es necesario tomar una referencia para obtener el valor ORL0
utilizando el patchcord que se va a usar para la medicin y un terminador que anule la
reflexin causada por el conector suelto en el extremo final. Si no se cuenta con un
terminador, se puede usar un cable de fibra enrollado alrededor de un lpiz por ejemplo.

Una vez tomada la referencia, se conecta el instrumento a la fibra bajo prueba y se traslada
el terminador al extremo lejano del enlace. El valor medido en la pantalla del instrumento
es el ORL del Enlace.
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CONCLUSIN







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BIBLIOGRAFA


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