Procesos de fabricacin II PDF 215

GOMEZ GOMEZ JACOBO DE JESUS

VALLE CERNA MILSON
PEREZ RAMIREZ KEVIN ALEXANDER
La Deposicin Qumica en fase de Vapor o CVD
DEPOSICIN QUMICA DE VAPOR
La deposicin qumica de vapor es un proceso de recubrimiento con plasma
que se puede realizar usando un sistemas de plasma a baja presin. La
deposicin qumica de vapor (CVD, por sus siglas en ingls) permite depositar
capas extremadamente delgadas sobre una superficie. Esto se logra calentando
la superficie a una temperatura elevada antes de canalizar un monmero en la
cmara. El monmero deja un recubrimiento sobre cualquier material que el
fabricante desee emplear. La CVD se emplea en el campo de los
semiconductores para aplicar pelculas o recubrimientos muy delgados sobre
superficies. Generalmente las superficies son recubiertas con capas de
carbono, silicio, nanotubos de carbono, carburo de silicio o nitruro de silicio. La
CVD tambin se puede emplear en la produccin de diamantes sintticos.
Existen numerosos procesos, dependiendo del campo de aplicacin. Estos
procesos se diferencian en el medio por que se inician las reacciones
qumicas (por ejemplo, proceso de activacin) y las condiciones del proceso.
ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD
Reaccin de uno o varios compuestos en forma de gas o vapor para
dar un producto slido (recubrimiento).
Dos tipos de reaccin:
1/ Homognea: fase gas ---- Polvo cermico
2/ Heterognea: superficie ---- Recubrimiento
ASPECTOS GENERALES
Tcnica de sntesis de materiales en capa delgada
mediante reaccin qumica en fase vapor, partiendo de
gases o lquidos precursores.
Permite depositar una gran variedad de materiales,
fundamentalmente metales y compuestos metlicos.
Posibilidad de controlar la composicin de materiales.
Recubrimiento uniforme y "conforme" (piezas en 3D) en
una gran variedad de sustratos.
ASPECTOS GENERALES
Tecnologa simple: no requiere alto vaco.
Deposicin a temperaturas relativamente bajas
(cuando existe activacin de los gases, lser,
plasma, etc.
APLICACIONES
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y MAGNETICOS
MICROELECTRONICA
RECUBRIMIENTOS OPTICOS
RECUBRIMIENTOS CERAMICOS
Proceso la deposicin qumica de vapor
Es un proceso qumico utilizado para producir productos de alta pureza y de
alto rendimiento de materiales slidos. El proceso se utiliza a menudo en la
industria de semiconductores para producir pelculas delgadas. En un
proceso CVD estndar el sustrato (oblea) se expone a uno o ms precursores
voltiles, que reaccionan o se descomponen en la superficie del sustrato para
producir el depsito deseado. Con frecuencia, tambin se producen
subproductos voltiles, que son eliminados por medio de un flujo de gas que
pasa a travs de la cmara de reaccin.
Los procesos de microfabricacin CVD se emplean ampliamente para
depositar materiales en diversas formas, incluyendo: monocristalinos,
policristalinos, amorfo, y epitaxial. Estos materiales incluyen: silicio, fibra de
carbono, nanofibras de carbono, tungsteno, carburo de silicio, nitruro de
silicio,. El proceso de CVD se utiliza tambin para producir diamantes
sintticos.
CVD asistida por plasma
La deposicin qumica de vapor asistida por plasma (PECVD, por
sus siglas en ingls) es una forma superior de CVD. En este
proceso se emplea plasma para acelerar el proceso de
recubrimiento de superficies.
La tcnica de CVD consiste en la reaccin de una mezcla de gases
en el interior de una cmara de vaco (reactor) para dar lugar a la
formacin de un material en forma de capa delgada (fig. 1). Los
subproductos de la reaccin son evacuados hacia el exterior
mediante un sistema de alta velocidad de bombeo
ETAPAS DE LA REACCION
1. Transporte de los reactantes hacia la capa lmite.
2. Difusin de los reactantes a travs de la capa.
3. Absorcin/difusin en la superficie del substrato y reaccin
qumica.
4. Nucleacin de la pelcula sobre el substrato
5. Desorcin de los subproductos.
6. Transporte de los subproductos hacia el exterior.
CLASIFICACION DE LAS TECNICAS DE CVD
CARACTERISTICAS
Versatilidad (aislantes, conductores, etc.)
Compatibilidad con otros tratamientos y procesos
Posibilidad de escalado a nivel industrial
Posibilidad de controlar la composicin del producto y
obtener capas de composicin prefijada
Homogeneidad de espesor.
Clasificacin por la presin de funcionamiento
A presin atmosfrica ECV (APCVD) - procesos de CVD a presin
atmosfrica.
CVD de baja presin (LPCVD) -. procesos CVD a presiones
subatmosfricas presiones reducidas tienden a reducir reacciones
no deseados en fase gaseosa y mejorar la uniformidad de la
pelcula sobre la oblea. Los procesos CVD ms modernos son bien
LPCVD o UHVCVD.
Ultra vaco, CVD (UHVCVD) - los procesos CVD a una presin muy
baja, por lo general por debajo de 10
-6
Pa. (~ 10
-8
torr ). Tenga en
cuenta que en otros campos, la divisin inferior entre el alto y
ultra alto vaco, es a menudo 10
-7
Pa.
Clasificadas por las caractersticas fsicas de
vapor
Aerosol CVD asistida (AACVD) - Un procedimiento de CVD en la que los
precursores son transportados al sustrato por medio de un aerosol
lquido/gas, que puede ser generado por ultrasonidos. Esta tcnica es
adecuada para su uso con precursores no voltiles.
Inyeccin directa de lquido CVD (DLICVD) - Un procedimiento de CVD en la
que los precursores se encuentran en forma lquida (lquido o slido disuelto
en un disolvente conveniente). Las soluciones lquidas se inyectan en la
cmara de vaporizacin mediante inyectores (por lo general inyectores de
automviles). A continuacin, los vapores precursores son transportados al
sustrato como en clsico procedimiento de CVD. Esta tcnica es adecuada
para su uso en precursores lquidos o slidos. Altas tasas de crecimiento se
puede alcanzar con esta tcnica.
Mtodos con Plasma: Microondas asistida por plasma CVD (MPCVD)
Mejorada por plasma CVD (PECVD) - procesos que utilizan CVD de
plasma. para mejorar la tasa de reaccin qumica de los
precursores procesamiento PECVD permite la deposicin a
temperaturas ms bajas, lo cual es a menudo crtico en la
fabricacin de semiconductores.
Remoto mejorada por plasma CVD (RPECVD) - Similar a PECVD
excepto que el sustrato (oblea) no est directamente en la regin
de descarga de plasma. La separacin de la oblea de la regin del
plasma permite procesar menores temperaturas hasta la
temperatura ambiente.
Rpido CVD trmico (RTCVD) - procesos de CVD que
utilizan lmparas de calefaccin u otros mtodos para
calentar rpidamente el sustrato de la oblea. Calentar
slo el sustrato en lugar de las paredes de gas o cmara
ayuda a reducir las reacciones en fase de gas no deseadas
que pueden conducir a la formacin de partculas.
Vapor de epitaxia en fase (VPE)
Deposicin de vapor asistida por eyeccin electroesttica
(ESAVD)
Aplicaciones.
Las aplicaciones de la deposicin qumica de vapores (CVD) se
pueden clasificar segn las caractersticas funcionales de los
productos obtenidos: aplicaciones elctricas, opto-elctricas,
pticas, mecnicas y qumicas. Esta clasificacin corresponde
aproximadamente a los diversos segmentos de la industria, tales
como la industria electrnica, la industria ptica, la industria de la
herramienta, y la industria qumica. Las aplicaciones de la tcnica
tambin se pueden clasificar por la forma de los productos
obtenidos como recubrimientos, polvos, fibras y composites.
APLICACIONES ELECTRNICAS: SEMICONDUCTORES
La tcnica de CVD es un proceso importante en la produccin de pelculas delgadas
que recubren los tres tipos de materiales electrnicos: semiconductores,
conductores y aislantes.
Los materiales semiconductores que se dan en mayor cantidad en produccin o en
desarrollo son silicio, germanio, carburo de silicio y diamante.
Aunque el silicio no puede competir con otros materiales semiconductores en reas
especficas, es en general un excelente material, un hecho demostrado por su
dominio del mercado durante los ltimos cuarenta aos. Se obtiene fcilmente con
un alto grado de pureza y a un relativo bajo coste.
La tcnica CVD es utilizada para la produccin de silicio en dos reas principales:
La produccin de silicio ultra-puro y
2) en la preparacin de pelculas epitaxiales y policristalinas.
APLICACIONES PTICAS
La siguiente lista muestra una serie de materiales pticos que son obtenidos
actualmente por CVD o bien en produccin o experimentalmente:
SnO2 para el control de la emisividad (las denominadas ventanas de baja
emisividad).
Multicapas de xidos con alto ndice de refraccin (TiO2, ZrO2, HfO2, ThO2)
y bajo ndice de refraccin (SiO2) para recubrimientos antirreflectantes.
SiO para filtros.
Nitruros de Ti, Zr, Hf para selectividad ptica.
Pelculas finas de molibdeno para la reflexin de los rayos infrarrojos

RECUBRIMIENTOS ANTIRREFLECTANTES.
La funcin de un recubrimiento antirreflectante es reducir la reflexin
de la superficie de los elementos pticos e incrementar la cantidad de
luz transmitida. El resplandor y las imgenes fantasma de
reflexiones secundarias se reduce al mnimo.
Actualmente se producen recubrimientos mltiples que son capaces
de reducir la reflexin a un 0,3% o menos sobre un amplio rango de
frecuencias. Un tpico material anti reflectante es el fluoruro de
magnesio, MgF2.
La mayora de recubrimientos antirreflectantes todava se producen
por evaporacin, pero la tcnica de CVD est gradualmente
introduciendo particularmente en aplicaciones con superficies
tridimensionales o huecos profundos. Los recubrimientos
antirreflectantes se utilizan en numerosas aplicaciones que incluyen
rayos lser, lentes para cmaras y prismticos, paneles de
instrumentos, microscopios, telescopios, etc., as como en cristales en
la industria de la automocin y arquitectura.
El objetivo de un recubrimiento reflectante es proporcionar la mxima
reflexin. La principal aplicacin de estos recubrimientos se encuentra en
los espejos. Adems de la reflexin, otras propiedades tales como
resistencia a la abrasin y buena adhesin al vidrio a menudo son
requeridas. Un material reflectante comn es el aluminio, que tiene
excelente reflectividad.
Podemos encontrar recubrimientos reflectantes en instrumentos de la
industria aeroespacial, telescopios, espectrmetros, proyectores, lectores
de microfilms, lser y muchas otras aplicaciones.
Mas aplicaciones
RECUBRIMIENTOS EN VENTANAS
TENDENCIAS EN LAS APLICACIONES PTICAS DE CVD
Recubrimientos para bombillas de descarga de gas
Recubrimientos para el almacenamiento ptico.
Recubrimiento ultravioleta para lser excmero
APLICACIONES DE RESISTENCIA AL DESGASTE Y CORROSIN