Corte y Saturacin.

Se denominar punto de trabajo o punto Q del transistor, a aquel par

de valores IC, VCE de la recta de carga, que el transistor tiene en unas
condiciones detrabajo determinadas por el circuito en el que se encuentra.
Para determinar el punto Q, de manera grfica, dibujamos la recta de carga en la
grfica IC, VCE de las curvas de salida que da el fabricante, y en el punto de
interseccin de esta recta con la curva caracterstica cuya IB coincida con la IBQ
calculada anteriormente, ser el punto de trabajo.
La recta de carga se dibuja igualmente mediante dos puntos, que son los de corte
con los ejes, es decir cuando IC=0 y cuando VCE=0.
Segn la posicin del punto Q en la recta de carga, se establecen las tres zonas
de funcionamiento del transistor, con unas caractersticas diferenciadas.
Estas zonas o regiones de acuerdo a lo anterior son:
- Zona de saturacin:
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y
un voltaje VCE muy pequeo no menor a un valor denominado de saturacin
VCEsat.
Los valores tpicos de VCEsat son del orden de 0,3v.
Cuando el transistor esta saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado
entre colector y emisor.
- Zona de corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prcticamente nula y un voltaje VCE
elevado. Si hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendr un valor muy
pequeo, y por lo tanto la c.d.t. en RC ser mnima con lo que VCE=VCC.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y
emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturacin es mnima,
ya que uno de los coeficientes en ambos casos es prcticamente nulo.