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化學鍍金 Chemical
Plating
PVD :真空蒸著、濺射蒸著、離子鍍金
特色:
(1) 電漿法。
(2) 離子束法。
(3) 其蒸著度較其他法慢。
應用:
原理:將氣相中生成物的離子直接蒸著於基板上。
(1) 形成耐蝕、耐磨耗等之氧化膜、碳化物。
(2)IC :引出線模。
(3) 低溫於塑膠上的金屬膜 以下─電子工業、太陽
能
以上─汽車工業
(4) 反應性離子鍍金 ─化合物膜,如 Si3N4 具有優秀安
定
性及對不純擴散的電阻性物
化學蒸著 CVD
低溫氧化的揮發物質 ( 氣相 ) 與高溫加熱的物質 ( 固相 )
接觸而發生高溫析出鍍金物質。
析出機構反應:
分解反應: MA MA + MB M + A + B
還原反應: MA MA + MC M + CA
置換反應: MA MA + C + D MC + DA
(1) 析出層種類極多─析出金屬、合金、氧化物、碳化物。
(2) 基版材料耐高溫性更佳。
(3) 鍍金的繞鍍性佳。
(5) 密著性較佳。
(6) 易產生有毒氣體。
(8) 鍍大面積難。
CVD 薄膜的應用
利用欲鍍金屬液及氣體噴霧至工件前而氧化,可得
500℃以下析出金屬或氧化物又稱為低溫 CVD 。
二、低壓 CVD :
大被鍍素材的充填密度及厚度均勻性。
三、電漿 CVD :
利用高周波電源上將電極,與接地的通 Ar 氣基板之
間發生電漿。
CVD 鑽石的生長
鑽石在常壓下由甲烷分解而出的碳通常為石墨。
但如果每小時沈積僅數十個原子厚時,由於甲烷析
出極慢,其本身已有的類似鑽石結構即可保持而不
致轉化成石墨。且鑽石的結構對稱而緊密,所以一
旦形成反而比疏鬆的石墨更難與氫或氧反應 , 所以不
會被氣化成甲烷或二氧化碳。因此利用甲烷已有的
的鑽石結構,碳原子可緩慢的連接成極薄 ( 奈米級 ) 的
鑽石膜。
CVD 鑽石的生長
甲烷分解時,若碳原子附近有氫原子若即若離的
陪伴,可保持鑽石結構,並連結成鑽石膜。石墨若形成
時也會被氫原子氣化回甲烷,因此鑽石膜可持續生長。
CVD 鑽石的生長
鑽石的生長速率在碳、氫及氧原子數目相近時最快
CVD 薄膜與碳源、氫濃度關
係
CVD 生長鑽石膜的瓶頸乃在避免碳氫化物形成
石墨,因此氫原子應比碳源多很多。碳源濃度決
定了鑽石膜的生長速率,但碳源太高時氫原子會
來不及維護鑽石結構而使分解出的碳變成石墨。
因此碳源太濃反而會降低轉化成鑽石的比率。
CVD 成長速率、碳源濃度和甲烷濃度關係圖
鑽石成長速率
( 左縱軸 ) 及碳源轉化
比率 ( 右縱軸 ) 和甲烷
濃度 ( 橫軸 ) 關係圖。
CVD 鑽石的生長方法
碳源的濃度與溫度也
決定了鑽石隨方向生長
速率的差異,因此也決
定了鑽石的晶形。
CVD 鑽石晶形指數
高壓製的多晶鑽石 (PVD
) 覆合片 ( 左 ) 及抽線模 ( 右 ) ,圖
中黑色部分為燒結的多晶鑽石。
而灰色者為鈷燒結的碳化鎢
(WC) 。
PVD 和 CVD 鑽石薄膜厚度關係圖
薄膜 (<3um) 常以
物理氣相沉積法的
方法生成。
厚膜 (>10um) 則
多以化學相象沉積。
PVD 鍍膜粗度比較圖
PVD 薄膜的原子顯微圖
PVD 鍍膜原理 ( 一 )
PVD 鍍膜的原理是把個別的原
子氣化成離子 , 再以電場加速撞 蒸鍍
(Evaporation
擊在基材上形成薄膜。最簡單的
PVD 方法就是把欲鍍的材料加熱成
Deposition)
為蒸汽使其薰基材並黏附在表面。
這種鍍膜方法稱為蒸鍍。
PVD 鍍膜原理 ( 二 )
使用高電壓、低電流的離
濺射 (Sputter
子鍍膜機,使離子撞擊靶材,
使用低電壓,高
電流的離子鍍膜機, 射鍍 (Ion
所以離子流量多, plating)
能量低,因此離子
不會植入靶材內,
而黏附在靶材表面
上,適合用於生長
DLC 薄膜,此法稱
為射鍍。
PVD 鍍膜方法比較圖
原 理 能量方 式 電 場 大 小 鍍 膜 速 度方 法 種 類
蒸 鍍 加 熱 低 原 子介質 氣 體 散 射 蒸 鍍
濺 鍍 電 場 加 速 高離 電子 壓 , 低 電中 流 離 子介質 磁控 濺 射
射 鍍 電 場 加 速 低離 電子 壓 , 高 電高 流 離 子介質 多弧離 子 鍍
PVD 薄膜特性
PVD 薄膜特性:
(1) 可得高純度蒸著膜
(2) 構成膜的晶粒非常小,可得強韌膜。
(3) 可得對基板之附著力強的膜
(4) 膜的表面粗糙度可同於或優於基板的粗度
(5) 濺射蒸著很適合於形成合金,化合物,絕緣物等膜。
(6) 基板內側亦可成膜,以離子鍍金最好,真空蒸著最差。
PVD 濺鍍
材,故極適用為濺鍍的離子源。 離子束也常用以噴蝕基
材 ( 有如噴砂清理表面 ) 。
在鍍 DLC 前也常用氫離子束撞擊基材表面除去雜質 ( 如鐵
鏽或油污 ) 。
PVD 與 CVD 溫度之差異
PVD 鍍膜時因不像 CVD 法需要產生化學反應,故基材溫
持在 150℃ 以下。如果離子束的流量不高,基材甚至可以
種基材上,甚至可鍍在塑膠上。
各種鍍膜溫度比較圖
基材在各種鍍膜方法所受的溫度
PVD 鍍膜技術 ( 一 )
氣體離子槍射鍍靶材示意圖
PVD 鍍膜技術 ( 二 )