CIRCUITOS DE DISPARO

Circuitos de disparo sin aislamiento

El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y consiste en
dispositivos semiconductores de potencia. Las salidas de un convertidor que depende
de la forma de onda en que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de
conmutacin es una funcin directa de la conmutacin por consiguiente, las
caractersticas del circuito de disparo son elementos clave para obtener la salida
deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia. El diseo de
un circuito excitador requiere conocer las caractersticas de compuerta y las
necesidades de dispositivos como tiristores apagados por compuerta (GTO),
transistores bipolares de unin (BJT), transistores de efecto de campo metal-oxido
semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).
EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequea, del
orden de los nanoamperes. El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo
de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se
puede reducir conectando un circuito RC como se ve en la figura, para cargar con
mayor rapidez la capacitancia de compuerta.

Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la

capacitancia es
IG = VG / RS
y el valor de estado permanente de voltaje de compuerta es

VGS = RGVG / (RS + R1 + RG)

donde RS es la resistencia interna de la fuente que excita la compuerta.
EXCITADOR DE BASE PARA BJT
La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacin,
encendido, y el tiempo de desactivacin, apagado. Se puede reducir el tiempo de
encendido permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin, dando
como resultado una B forzada baja al principio. Despus de la activacin puede

aumentar la B forzada baja hasta un valor suficientemente alto como para mantener el
transistor en la regin de casi saturacin. El tiempo de desactivacin se puede reducir
invirtiendo la corriente de base y permitiendo un pico de la corriente de base durante
la activacin. Al aumentar el valor del voltaje de pico de la corriente inversa
IB2 disminuye el tiempo de almacenamiento. En la siguiente figura se muestra una
forma de onda tpica de la corriente de base.

Aparte de una forma fija de corriente de base, como se muestra en la figura anterior, la
B forzada Bf se puede controlar en forma continua para que coincida con las
variaciones de corriente del colector. Las tcnicas de uso comn para optimizar la
activacin de la base de un transistor son:

1)
2)
3)
4)

Control
Control
Control
Control

de encendido
de apagado
proporcional en base
por antisaturacin

Control de encendido
La correccin de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la figura.
Cuando se conecta el voltaje de entrada, la corriente de base se limita con el resistor
R1 y el valor inicial de esa corriente es:
IB= (VI - VBE)/R1
Y el valor final de la corriente de base es:
IBS= (VI - VBE)/R1 + R2

Control de apagado

Si el voltaje de entrada de la figura se cambia a V2 durante el apagado, el VC se suma

a V2como el voltaje inverso a travs del transistor. Por lo tanto, habr un pico de la
corriente de base durante el apagado.
Control proporcional en base.
Si la corriente del colector cambia debido a un cambio en la demanda de carga, la
corriente de encendido de la base cambia en proporcin a la corriente del colector.

Control de saturacin
Si el transistor se excita muy rpido, el tiempo de almacenamiento que es proporcional
a la corriente de base, aumenta, y se reduce la velocidad de conmutacin. Se puede
reducir el tiempo de almacenamiento operando el transistor con una saturacin
gradual, en lugar de muy rpida. Esto se puede hacer sujetador el voltaje de colector a
emisor a un valor predeterminado, la corriente del colector es:
IC = (VCC -VCM)/RC
Donde VCM es el voltaje sujetador y VCM> VCD(Sat)