I.

Estado del arte de los MOEMS

1.1 Perspectiva Histrica

La realizacin de dispositivos miniaturizados tiene motivaciones de ingeniera,
cientficas y estticas. En el siglo XX, se dio un gran avance con la llegada de los
dispositivos electrnicos que tienen un gran impacto en la actualidad. Dispositivos tales
como el transistor de punto de contacto en 1974, el transistor de unin, los dispositivos
electrnicos estuvieron basados en el tubo de vacio inventado en 1906. Con el transistor
se dio un gran avance en la reduccin de dispositivos, requerimientos de potencia y
portabilidad de los dispositivos electrnicos [31].
A mediados del siglo XX, se produjeron dispositivos electrnicos, conectando
componentes individuales (tubos de vacio, interruptores, resistores y capacitores), los
cuales tenan un consumo significante de potencia y eran de gran costo. La confiabilidad
de estos dispositivos era muy pobre debido a la gran cantidad de componentes
necesarios para su realizacin [31].
Despus de la dcada de los 50s, ocurrieron varios eventos clave, que motivaron
el desarrollo de la electrnica ms all del transistor discreto. El desarrollo del transistor
planar de silicio y el proceso de fabricacin planar de silicio marc la etapa para el
equipamiento y desarrollo de los procesos de fabricacin para poder realizar
dispositivos electrnicos monolticamente integrados en un sustrato de caractersticas de
tamao pequeas. El desarrollo de esta tecnologa para circuitos integrados inicio la
revolucin de la microelectrnica, la cual permiti la produccin de dispositivos microelectrnicos con caractersticas cada vez ms y ms pequeas que continan hasta la
fecha [31].
La tecnologa microelectrnica se desarrolla rpidamente. Gordon Moore en
1965 predijo el rpido crecimiento de la microelectrnica. El Silicio se ha aceptado
como el material para la fabricacin de dispositivos micro-electrnicos debido a la
habilidad para producir capas de dixido de Silicio estables de alta calidad, las cuales
son esenciales para la fabricacin de transistores. El crecimiento del desarrollo de la
microelectrnica se ha mantenido por varios aos [31], como se puede ver en la figura
1.1.

Figura 1.1 Ley de Moore [32].

En 1959, el Dr. Richard P. Feynman, presento una conferencia titulada Theres

Plenty of room at the Bottom en el encuentro anual de la American Physical Society
llevado a cabo en el instituto de tecnologa de california (Caltech). En esta conferencia,
el Dr. Feynmann reto a los asistentes a explorar los dispositivos de ingeniera en la
pequea escala. Esta conferencia se ubica como el inicio conceptual de los campos de
los sistemas micro-electromecnicos (Micro Electromechanical Systems MEMS) y la
nanotecnologa [31].
1.2 El Desarrollo de la tecnologa MEMS.
La tecnologa de los sistemas Microelectromecnicos MEMS (tambin
conocidos como microsistemas tecnolgicos MST) ha sido influenciada por la
revolucin de la micro-electrnica. Debido a las necesidades comerciales y tecnolgicas
de finales del siglo XX. La tabla 1.1 muestra una cronologa de algunos eventos clave
en el desarrollo de la tecnologa MEMS [31].
Ao

Evento

1947
1947
1954
1958
1959
1959
1959

Computadora ENIAC
Invencin del transistor bipolar
Efecto piezoresisitivo en el Germanio y el Silicio
Primer medidor de tensin en silicio
Theres plenty of room a the bottom
Transistor planar de Silicio
Proceso
de
fabricacin
planar
para
microelectrnica
Se demuestra el sensor de presin de Silicio
Ley de Moore
Transistor de compuerta resonante
Primer sensor de presin de alto volumen
Cabezal de inyeccin de tinta micromaquinado
Publicacion El silicio como material mecnico
Disponible el transductor de presin sangunea
Proceso de micromaquinado superficial
Se inventa el Digital Micro-mirror Device (DMD)
Elementos micro-mecnicos
Proceso LIGA
Actuador lateral comb drive
Bisagra de polisilicio
El acelermetro ADXL50 est comercialmente
disponible
Digital Ligth Processor (DLP) basado en DMD
Girscopo ADXRS

1961
1965
1967
1974
1977-1979
1982
1982
1983
1987
1988
1986
1989
1991
1993
1996
2002

Compaia
Universidad de Pennsylvania

Kulite Semiconductor

Kulite Semiconductor

National Semiconductor
IBM, Hewlett Packard
Foxboro/ICT, Honeywell
Hornbeck

Analog Devices Inc.

Texas Instruments
Analog Devices

Tabla 1.1. Cronologa de eventos clave en el desarrollo de MEMS y otros desarrollos

contemporneos [31].

1.3 MEMS: PRESENTE Y FUTURO

Desde mediados de los 90s hasta la actualidad, se ha visto un nfasis en la
investigacin de la tecnologa MEMS, desde el desarrollo de los procesos de fabricacin
y la demostracin de sensores y actuadores prototipo para la comercializacin de
productos MEMS. El impacto de la tecnologa MEMS es muy amplio, como se puede
ver en la tabla 1.2.
Dispositivo
Sensor de presin
Acelerometro
Giroscopo
Display ptico
Dispositivos RF
Robotica
Biologa y medicina

Uso
Automotriz, mdico, industrial
Automotriz y sensor de movimiento industrial
Automotriz y sensor de movimiento industrial
Proyectores y televisiones
Interruptores, capacitores variables y filros
Sensado, actuacin
Anlisis qumico, secuencia DNA, dosificadores
Tabla 1.2 Aplicaciones de MEMS

Otro gran mercado de los MEMS es el mdico-biolgico. Por medio de la tecnologa

MEMS se pueden realizar dispositivos comparables en tamao al material biolgico. Un
ejemplo de un dispositivo MEMS es el chip secuenciador de DNA GeneChip
desarrollado por Affimetrix Inc [31].
El rango de estos productos MEMS va desde sensores fsicos (presin, inercial),
biolgicos, pticos y robticos hasta dispositivos de radiofrecuencia (RF-MEMS). En la
actualidad, en la industria automotriz es un rea un la cual los MEMS tienen un gran
impacto en la vida diaria. Por ejemplo utilizan acelermetros, girscopos, sensores de
presin, sensores de condicin de aceite, sensor de velocidad de rueda.
Uno de los dispositivos de mayor aceptacin es el micro-acelermetro, el cual se utiliza
en diversas reas. Estos se definen como sensores de aceleracin lineal a lo largo de un
eje sensible. Dentro de la industria automotriz, puede ser parte de los sistemas de la
activacin de las bolsas de aire, Los sistemas de suspensin activa y control de traccin,
los sistemas de control de seguridad y alarma antirrobo [33].
Una clasificacin de los micro-acelermetros es de acuerdo a su principio de
funcionamiento de la siguiente manera [33]:

Piezoresisitivos
Capacitivos
De corriente de efecto de tnel
Piezoelectricos
pticos
Trmicos
Resonantes

Las primeras seis clases, tienen su masa de prueba en reposo mientras no se

experimente aceleracin, los micro-acelermetros resonantes continuamente estn en
resonancia para detectar la aceleracin externa
Un micro-acelermetro innovador es el desarrollado por Ball-Laboratories, el cul
utiliza una esfera en levitacin como masa ssmica. El voltaje aplicado para mantener la
esfera en su posicin, es como se detecta la aceleracin mediante este dispositivo
omnidireccional [33].
MOEMS
Los dispositivos MOEMS (Micro-Opto-Electro Mechanicals Systems), tambin han
tenido una gran influencia en el desarrollo de la tecnologa de diversas reas.
Una de las ltimas investigaciones en el manejo de luz y dispositivos MEMS es la
manipulacin de micro-fluidos por medio de luz en dispositivos opto-electrohumedos
(OEW) en escala de nano-litros. Esta manipulacin, es totalmente ptica sobre una
superficie fotosensitiva. Las acciones son llevadas a cabo comprimiendo las partculas
del fluido entre dos superficies OEW. La iluminacin ptica sobre las superficies OEW
cambia la humedad localmente de estas a travs de un mecanismo de electrohumedad.
La iluminacin ptica activa inicialmente la superficie recubierta de tefln de
hidrofobica a hidrofilica. Este proceso es reversible y puede ser controlado en tiempo
real De esta manera se han alcanzado velocidades de manipulacin de 78 mm/s para
volmenes de 100 nl. [34].
Otra manera de manipulacin de nanopartculas es a travs de electro-osmosis de AC
activada por luz (LACE), el cual es llevado a cabo encerrando entre dos superficies
fotoconductivas, un medio acuoso y un electrodo transparente de estao e indio.
Aplicando una polarizacin elctrica de AC con una frecuencia cercana a la frecuencia
de relajacin de la capa doble, Un electrodo virtual con luz enmascarada puede inducir
un flujo electro-osmotico de ac para concentrar y transportar partculas nanoscopicas
sobre la superficie fotoconductiva. Modulando con un modulador espacial de luz, tal
como un micro-espejo digital con luz, se pueden crear 31000 vortices microfluidicos
sobre un rea de 1.3 x 1 mm2 para atrapar masivamente en paralelo partculas de
poliestireno de 200 y 50 nm [35].
Los Sistemas Micro-Electromecnicos (MEMS) es una tecnologa que ha tenido
un progreso notable en aos recientes. En estos aos, han surgido varios productos
comerciales, que mejoraron su desempeo gracias a la tecnologa de los MEMS. La
aplicacin de este tipo de dispositivos en los sistemas pticos, ha dado pie a una nueva
categora de estos dispositivos, llamados MOEMS (Micro-OptoElectromechanical
Systems) o Sistemas Micro-Opto-Electro-Mecnicos.
Los Sistemas Micro-Electromecnicos (MEMS) son dispositivos que combinan
componentes mecnicos y elctricos en una escala muy pequea. Los MEMS se
construyen con la misma tecnologa de fabricacin secuencial utilizada para los
circuitos integrados. En general los dispositivos MEMS tienen partes mviles, lo cual
constituye la parte mecnica de los MEMS. Los dispositivos MEMS pueden ser
categorizados en dos grupos: Sensores y Actuadores, aunque existan dispositivos con
otras funciones, la mayora de los MEMS caen dentro de estos dos grupos. Algunos

ejemplos de sensores son: sensores de presin, acelermetros, giroscopos y sensores

qumicos. Los micromotores, microengranes, resonadores, microvalvulas y
microespejos son ejemplos clsicos de actuadores. El tamao de estos dispositivos
MEMS puede ser desde menos de 1 micrometro hasta 1 milimetro dependiendo de la
naturaleza de su aplicacin.
La fabricacin de los MEMS tiene la ventaja de las tcnicas de fabricacin
convencional de los circuitos integrados y tambin hace uso del micromaquinado de
superficie [1-2], el micromaquinado de volumen [2], el grabado profundo de iones
reactivos (DRIE) [2] y el proceso LIGA [2] (Lithographie, Galvanoformung,
Abformung). Los MEMS cubren un amplio rango de investigaciones interdisciplinarias.
Tambin es posible que los dispositivos MEMS interacten con la luz [3]. Por
las siguientes razones: Tienen dimensiones y distancias de actuacin comparables a las
longitudes de onda de la luz. Pueden utilizarse los dielctricos de superficie lisa,
semiconductores y metales en varias combinaciones; y como los fotones no tienen
peso, los MEMS relativamente ms dbiles podran manipularlos.
Los MEMS pticos los cules tambin son llamados Sistemas Micro-OptoElectro-Mecnicos, (MOEMS), son ahora una de las aplicaciones ms prometedoras de
los MEMS. En los ltimos 6 aos, los MOEMS han sido investigados a tal punto que
tienen sus propias conferencias [4-6]. Tambin por que las redes de comunicaciones
pticas estn en constante expansin, los dispositivos MEMS con aplicaciones en
comunicaciones pticas son ya aplicados en la actualidad.
I.4 Dispositivos
Algunos de los dispositivos MOEMS actuales con mayor xito en el mercado son el
sistema de micro-espejos para pantallas de proyeccin de Texas Instruments, el cul es
el dispositivo ptico MOEMS ms exitoso que se ha hecho y se comercializa ya con
varios aparatos electrnicos de consumo, as como sensores de presin pticos y los
interruptores de guas de onda que tienen un papel muy importante en la actualidad en
los sistemas de comunicacin ptica especialmente en las redes pticas.

1.4.1 Display de Proyeccin MEMS

Uno de los dispositivos pticos MEMS ms exitoso que ha sido producido y
comercializado es el display de proyeccin de Texas Instruments [7]. La aplicacin de
este dispositivo es principalmente en los sistemas de proyeccin, sin embargo, la
tecnologa utilizada para realizar este dispositivo ha sido habilitada por otros
dispositivos de comunicacin ptica que toman ventaja de los microespejos mviles [2].
La figura 1.2 muestra un dispositivo DLP, el cual est basado en microespejos
mviles de dos posiciones DMD, Esta chip es quiz el dispositivo ms sofisticado para
conmutacin de luz, est compuesto de ms de 2 millones de microespejos, los cuales
tienen una anchura de una quinta parte de un cabello humano[7].

Figura 1.2 Chip DLP , fabricado por Texas Instruments

Los Microespejos Digitales (Digital Micromirror Device, DMD), pueden ser
utilizados en conferencias, salones de clase, teatros en casa y auditorios. Los sistemas
anteriores de proyeccin, estaban basados en los tubos de rayos catdicos o en las
pantallas de cristal lquido de matrices activas (LCD). Estos tubos y pantallas no pueden
proveer una imagen de alta brillantez, Los sistemas LCD tienen demasiados problemas
de contraste. Estas limitaciones han llevado a la generacin de nuevos dispositivos
pticos MEMS que tienen la ventaja de fabricar millones de micro-espejos con el
proceso de fabricacin secuencial CMOS.
La figura 1.3 muestra un arreglo de dos pixeles DMD. El dispositivo completo
est compuesto de una matriz de 800 x 600 elementos como se ve en la figura 1.4. Los
espejos son de aluminio de un rea de 16 m. Pueden reflejar la luz en dos diferentes
direcciones. Estos espejos son manejados electrostticamente inclinados a 10 0. La
figura 1.5 muestra la vista detallada de las diferentes capas del mdulo completo.

Figura 1.3. Dos espejos DMD inclinados +100 y

-100.

Figura 1.5: Dispositivo DMD de tres niveles

fabricado sobre la SRAM. La capa superior es el

Figura 1.4. SEM (Scanning Electron

Microscopy) de la operacin del DMD. En la
izquierda, los espejos estn inclinados -100 y en
la derecha los espejos estn inclinados +100.

espejo de Aluminio. La capa de en medio es el

balancn (yoke) y las bisagras (hinges) que soportan el
movimiento mecnico del espejo, la capa inferior es el
metal-3 que habilita la conexin de la polarizacin
elctrica y las partes de tierra (landing). La estructura
SRAM no es mostrada en la figura.

La rotacin del espejo est limitada por los topes mecnicos a 10 0. Esto hace
que el desplazamiento del espejo est limitado a 10 0, lo cual es impuesto por la
geometra de la estructura y no por el voltaje de control u otros parmetros. La
estructura MEMS completa es fabricada en la parte superior del sustrato de la memoria
de acceso aleatorio RAM (Random Access Memory). Si la memoria est en un estado 1,
el espejo rota +100 y si est en estado 0, rota a -100.
El tiempo de conmutacin ptica el cul est definido como el tiempo de llegada
de los pulsos de luz al tiempo en que la luz entra en el lente de proyeccin, es de ~2 s.
En contraste el tiempo para que el espejo se estabilice
y se amarre
electrostaticamente, es de ~ 10 s.[2]
En contraste al micro-maquinado de superficie convencional, la baja temperatura
del proceso de fabricacin del DMD habilita la integracin de este dispositivo MEMS
con la celda RAM CMOS. Las interconexiones del Aluminio, que no pueden tolerar las
temperaturas arriba de 4500C son protegidas por este proceso de baja temperatura. En
lugar de polisilicio, el cul requiere de una deposicin de alta temperatura, el Aluminio
es usado como estructura mecnica. Para las capas de sacrificio, se utiliza fotoresist en
lugar de Oxido de Silicio. La Figura 1.6 muestra el proceso de fabricacin de este
dispositivo.

Figura 1.6: Flujo del proceso de la estructura del

DMD. Para este dispositivo se ha desarrollado un
proceso de micromaquinado superficial especial.
[2]

La SRAM es primero fabricada utilizando una tecnologa de circuitos de 0.8 m

con 2 capas de metalizacin. Un oxido grueso es depositado sobre el metal 2 de la
RAM. El xido grueso es entonces planarizado por un pulido qumico-mecnico
(CMP). El CMP es principalmente realizado para proporcionar la estructura del espejo
con una superficie muy delgada y plana. Esto asegura que la relacin de la brillantez y
el contraste del espejo sea uniforme en la matriz entera. Con el metal 3, despus se
forman los electrodos de direccin del balancn y el bus de polarizacin/reset, las
bisagras y el espejo. Todos los espacios son hechos por grabado sacrificial de las capas
de fotoresist. La figura 1.6 ilustra los principales pasos del proceso. Los chips son
empaquetados en diferentes tamaos de arreglos: SVGA (800600), XGA (1024768) y
SXGA (10241024).
Los DMD son considerados dispositivos MEMS muy confiables. Estos
dispositivos pueden tolerar 1500 g en pruebas de choques mecnicos, las pruebas de
vibracin a 20g y las pruebas de aceleracin a 10 000g. El tiempo de vida de estos
dispositivos excede las 100 000 horas.[7]
Otros dispositivos que tienen la misma funcin de la refraccin de la luz son los
siguientes: Los conectores de cruce y los policromadores, pero estos no han tenido la
misma aceptacin que el DMD.
La figura 1.7 muestra el esquemtico de un conector de cruce simple.

Figura 1.7: Esquemtico de un conector de

cruce MOEM de Lucent Technologies. La luz
incidente de las fibras son dirigidas a diferentes
canales por el arreglo de micro-espejos en dos
etapas.

Otro grupo de displays trabaja basado en la difraccin de la luz. Existen

numerosas aplicaciones de este tipo. Un esquemtico de este tipo de dispositivo se
muestra en la figura 1.8.

Figura 1.8. Otro tipo de display MEMS basado en la

difraccin de la luz llamado policromador

Algunos de los dispositivos mas nuevos desarrollados recientemente, son los utilizado
por el departamento de Defensa Investigacin y desarrollo de Toronto Canada (DRDC),
El laboratorio de investigacin de fuerza area de Canada y L3 communications de
Meza Arizona. el cul utiliza un sistema de proyeccin de alta resolucin [30] para
resolver el problema de los simuladores de vuelo que no presentaban detalles crticos
para los pilotos de reaccin inmediata. La solucin al problema, fue desarrollar un
sistema de proyeccin que tuviera una resolucin de aproximadamente 20 Megapixeles.
La figura 1.9 muestra una representacin de la situacin.

Figura 1.9 Simulador de vuelo del departamento de defensa canadiense[30] .

El dispositivo desarrollado se basa en un microespejo, en el cual su curvatura puede ser

modificada por atraccin electrosttica. Mediante un sistema ptico apropiado, el
microespejo muestra un pixel de luz, en el cual su intensidad es variable dependiendo de
la curvatura del espejo y puede ser modulada a 300 kHz. La rpida repuesta en tiempo
produce imgenes monocromticas cuando un arreglo lineal de estos microespejos se
combina con un escner.
Otro dispositivo MOEMS de reciente desarrollo es un arreglo programable el cual fue
desarrollado para aplicaciones espaciales, las cuales deben tener especificaciones de
mnimo peso y un desempeo de uso de energa mas eficiente. Este arreglo programable
es utilizado en un miniespectrometro IOSPEC de MPB Communications lo cual mejora
las condiciones de desempeo de este y lo hace ms atractivo para las misiones
espaciales. A este, se le aadi un arreglo de micro-obturadores programables lo cual
permite ser utilizados en el modo de Transformada de Hadamard. Cada obturador
incluye un elemento movil que tiene un gradiente de tensin generado durante su
fabricacin. El radio de curvatura del elemento mvil est en funcin del valor del
gradiente de tensin. El actuador tambin incluye un electrodo fabricado sobre el
sustrato base. Cuando se aplica un voltaje entre el elemento mvil y el electrodo, la
fuerza electrosttica resultante atrae al elemento al electrodo. En la prctica, el elemento
mvil es entonces enroscado (zipped) y al mismo tiempo bloquea una ranura
transparente sobre la superficie del sustrato. Dieciseis de estos actuadores forman un
arreglo. La figura 1.10 muestra una secuencia de este tipo de arreglos.[30]

Figura 1.10 Arreglo de microobturadores desarrollados por INO para MPB Communications Inc. (Montreal) y La agencia espacial
canadiense (Saint-Hubert) [30].

Un modulador de fase, fue desarrollado para el Laboratorio de Investigacin Naval de

Washington D.C. por la empresa INO de Montreal Canada, como parte de los sistemas
de formacin de perfiles de rayo laser pequeos y econmicos, ya que estos son
comnmente pesados y voluminosos. Se desarrollo un arreglo en 2D de de microespejos
que pueden ser activados igual que los pistones, con lo cual es posible modificar
localmente la fase de una onda laser y modificar su perfil y propiedades de la
propagacin. La empresa INO fabrico, empaqueto y caracterizo los espejos. Tambin
desarrollo la electrnica de control y adecuo un software para su uso con el sistema
[30]. La figura 1.11, muestra los microespejos desarrollados por INO.

Figura 1.11 Microespejos

desarrollados por INO para el Laboratorio de Investigacin Naval de Washington D.C.

1.4.2. Sensores pticos de presin

Otro grupo de dispositivos MEMS pticos son los sensores pticos de presin.
Estos dispositivos se basan en el cambio de la propiedad de la luz reflejada de una
superficie micromaquinada (usualmente membrana). La existencia de este tipo de
dispositivos es debido a la demanda de sistemas all-optic. Para eliminar la
manipulacin elctrica de la seal, en estos sistemas slo se manejan seales pticas.
Esto mejora el tiempo de respuesta de los sistemas de comunicacin por que su seal no
es convertida del dominio ptico al dominio elctrico y pede transmitirse directamente a
las fibras pticas.
Los sensores pticos de presin se dividen en dos principales grupos: a)
Sensores pticos Fabry-Perot y b) sensores pticos de modo de polarizacin. Slo se
tratan los primeros por ser los de mayor uso. Los sensores pticos de intensidad de
modulacin son otro tipo que no son completamente desarrollados como dispositivos
MEMS.
Sensores pticos Fabry-Perot
En la figura 1.12, se muestra un corte seccional de un sensor Fabry-Perot. Este
dispositivo est compuesto de una membrana en la parte superior de la superficie fija.
Pueden ser hechos de nitruro de silicio. El
principio de funcionamiento del dispositivo se
muestra en la figura 1.13.

Figura 1.12. Seccin transversal de un

sensor ptico de presin tpico MEMS FabryPerot

Figura 1.13: La interferencia Fabry-Perot est

basada en la condicin de difraccin de Braggs.
En la figura, d es el espacio de aire entre la
superficie fija y la membrana en la figura 1.11.

La presin aplicada causa la deflexin de la membrana, as la distancia d, entre las dos

superficies cambia. tanto como 2d sen = n, las dos luces reflejadas harn una
interferencia constructiva. Esta condicin es llamada Condicin de difraccin de
Braggs. La seal reflejada entra a la fibra otra vez y es detectada en el otro extremo de
la fibra.
La principal desventaja de este tipo de dispositivo es su lmite en el rango de
presin. Es posible extender el rango de presin del dispositivo, usando mltiples
longitudes de onda. Otra tcnica incluye el uso de luz de banda ancha y espejos
dichroic para separar las longitudes de onda largas y cortas, y usando 2 longitudes de
onda separadas y el segundo conjunto de filtros Fabry-Perot despus de los detectores
para correlacionar las seales.
1.1.3. Dispositivos de guas de onda mviles
El multiplexado por divisin de longitudes de onda densa (DWDM) es
ampliamente usado en los sistemas de comunicacin pticos. Esta multiplexado lleva
mltiples longitudes de onda (tpicamente 960) en una sola fibra con una razn de bit de
2.5 a 10 Gb/seg. Todas las redes pticas deben ser rpidas flexibles y de comunicacin
confiable. En los sistemas convencionales pticos, la seal ptica es convertida a una
seal elctrica (para amplificacin y otras manipulaciones) y despus es convertida a
una seal ptica otra vez. Este proceso es llamado conversin ptica-elctrica-ptica, el
cul es muy costoso y lento. Los interruptores MEMS son candidatos para eliminar el
dominio elctrico y construir todo el sistema ptico.
Los MOEMS ofrecen caractersticas intrnsecas particularmente atractivas que
cumplen los requerimientos de muy bajo cross-talk, insensitividad a longitudes de
onda y polarizacin y tambin a escalabilidad. Se ha vuelto cada vez ms necesario
manejar el trfico de las capas pticas en crecimiento para satisfacer la creciente
demanda de ancho de banda y velocidad. Para llegar a este objetivo, se necesitan
componentes complementarios a los sistemas DWDM, tales como fuentes y filtros
entonables, sistemas add-drop (DWDM + interruptores), interruptores pticos y

matrices de conexin, atenuadores pticos variables, moduladores de reflexin y

analizadores de espectros.
La figura 1.15 muestra una gua de onda plana tpica fabricada fuera del dioxido
de silicio sobre sustrato de silicio. La figura 1.13 muestra el proceso de fabricacin del
mismo dispositivo.

Figura 1.15: gua de onda planar tpica

Figura 1.14: Iniciando de la parte superior: 1. Dos capas de dixido de silcio (slice) son depositadas sobre
el sustrato de silcio (PECVD). Cada capa tiene un ndice de refraccin ligeramente diferente. 2: Grabado de
iones reactivo (RIE) de la capa superior. 3: Se deposita slice por PECVD, para formar el revestimiento
superior de la loza de la gua de onda. 4: Las guas de onda son grabadas por RIE. 5: La gua de onda es
liberada por grabado isotropico seco del silicio.

Existen algunos obstculos tecnolgicos en la fabricacin de estas estructuras.

Primero, el grabado de iones reactivos (RIE) del silicio en el paso 4 debe ser
caracterizado cuidadosamente para que resulten unas paredes lisas. Si la rugosidad de
las paredes no es pequea (dcimas de nm al menos), la prdida ptica de las guias de
onda se incrementa significativamente. Tambin debido a la tensin residual del slice
sobre el silicio, las guas de onda pueden deflexionar (la direccin de esta deflexin
depende de si las tensiones en las capas de slice depositadas son de tensin o de
compresin). Estas dos situaciones deben ser tomadas en cuenta en proceso de diseo y
fabricacin de la estructura.
[8] presenta una gua de onda diseada para que sea monomodal a longitudes de onda
de 1.55 y 1.3 m. El tamao del modo esperado es wx=9 m, wy=7m a 1.55 m y
wx=9m, wy=6m a =1.3m, donde wx y wy son respectivamente el ancho de la onda
a una intensidad de 1/e2 en el plano de la oblea y perpendicularmente en la oblea. esta
gua de onda tiene una prdida de acoplamiento de 0.5 dB/faceta para fibra G652 y una
prdida experimental de propagacin debajo de 0.1 dB/cm. Tambin se han reportado
otros tipos de interruptores de silicio [9] como el mostrado en la figura 1.16.

Figura 1.16: (derecha e izquierda): Interruptor de fibra ptica de 22. El principio de

conmutacin se basa en un microespejo vertical que puede ser desplazado dentro de la
ruta ptica para interrumpir la luz entre dos pares de fibras. El microespejo interruptor
est diseado para aplicaciones de paso. Cunado el sistema es des-energizado, el resorte
del espejo lo regresa a su posicin de descanso y mantiene el interruptor dentro de
estado de reposo.

Debido a la prdida de la fibra, a una longitud de onda de =1.5 m, se desea

fabricar interruptores MEMS con materiales que tengan baja prdida a esta longitud de
onda partcular. el Arseniuro de Galio (GaAs), el fosfito de Indio (InP) as como otros
semiconductores de los grupos III-V y sus componentes ternarios o cuaternarios son
convenientes para los interruptores pticos. El principal cambio en realizar tales
interruptores, es que ellos no son inherentemente MEMS, y las propiedades mecnicas
de estos materiales no han sido extensivamente estudiadas, mientras el silicio, slice o
polisilicio han sido estudiados en las tres ltimas decadas. Spahn y otros han presentado
un interruptor MEMS de Arseniuro de Galio (GaAs) [10]. Se han llevado a cabo
extensivos estudios para fabricar nuevas guas de onda de InP, fuera de los materiales
clsicos como polisilicio.

Figura 1.17: Un interruptor de 12 hecho de GaAs. El interruptor es activado

electrostticamente por el voltaje de polarizacin entre la gua de onda desplazable y el
electrodo comb drive electrosttico. La gua de onda se puede mover 4 m en el plano
de la oblea. El voltaje de polarizacin est en el rango de 7 a 25 volts. La velocidad de
conmutacin es de 10 40 s. [10]

Un interruptor plano de fibra ptica es presentado por Horino y otros [11].

Makihara presenta un interruptor ptico de gua de onda capilaridad trmica [12].
Cantilevers acoplados menejados trmicamente (interruptores de 14 y 22) son
demostrados por Kopka y otros [13]. Lin y otros presentan un interruptor caracterizado
por un espejo giratorio en el espacio libre [14]. Tambin se puede utilizar silicio sobre
aislante (SOI) para fabricar guas de onda [15].
1.2. Otros dispositivos MOEMS
Adems de los dispositivos mencionados, existen los lseres MEMS de cavidad vertical
(VCSEL), los cuales son diodos laser entonables por medio del movimiento de un
espejo [16], [17]. Los microlentes reflectivos son pequeos lentes hechos con el proceso
LIGA con polimeros as como poli-metil-meta-crilato (PMMA) [18-19]. Los filtros o
espectrmetros [20-22] se pueden usar en la espectropa de la luz para diferentes
aplicaciones. Los lentes de Fresnel [23] o divisores de onda [24] as como un microinterferometro Mach-Zehnder puede ser utilizado como un interruptor, mezclador o
modulador de seales pticas [25], son otros ejemplos. Los micro-interferometros
mach-Zehnder tambin pueden ser utilizados en una configuracin planar para hacer
sensores de presin [26] o sensores qumicos [27]. Adems una nueva generacin de
dispositivos pticos para aplicaciones espaciales, ms particularmente arreglos de
micro-disparadores para la prxima generacin de microscopios espaciales esta en
desarrollo en la NASA [28,29].

TERMINOLOGIA
MEMS Micro Electro-Mechanical systems
MOEMS Micro Opto-Electro-Mechanical Systems
DRIE Deep Reactive Ion Etching
LIGA Lithographie, Galvanoformung, Abformung
DWDM Dense Wavelength Divisin Multiplexing
DMD Digital Micromirror Device
CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
CMP Chemical Mechanical Polish

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II. Diseo del micro-espejo de

barrido

Los micro-espejos de barrido son componentes clave en el diseo de sistemas MOEMS para un amplio
rango de aplicaciones, entra las cuales se incluyen: interruptores pticos, creacin de imgenes,
almacenamiento de datos pticos, lectura de cdigo de barras y control de la onda para las
comunicaciones en el espacio libre.
El micro-maquinado es una tecnologa atractiva, ya que permite la creacin de micro-espejos de barrido
de bajo peso, bajo consumo de energa, bajo costo y de bajo tamao. El resultado deseado del diseo y
fabricacin del micro-espejo es un actuador, pticamente discreto de superficie plana y elctricamente
rpido de bajo voltaje. Con la combinacin del espejo y el actuador se es capaz de obtener un ngulo
ptico de 20 .
Los micro-espejos electro-estticos pueden ser de placas paralelas o de peine y pueden ser fabricados con
micro-maquinado de superficie [1] o micro-maquinado de volumen [2] y la integracin de ambos[3,4]. El
Silicio cristalino, derivado de los mtodos de micro-maquinado de volumen o SOI es un material
adecuado para el micro-espejo. Para barridos de alta velocidad, el actuador de peine (comb drive) tiene
varias ventajas. Se puede disear una barra de torsin relativamente tiesa, requerida para la operacin en
alta frecuencia, ya que el incremento de la fuerza generada por la capacitancia provee un
aprovechamiento ms efectivo del voltaje de actuacin. Adems, el desenganche del espejo y del actuador
permite un gran ngulo de deflexin ya que, el electrodo debajo del micro-espejo no es requerido y el
lado inferior puede ser abierto para obtener un gran rango de deflexin.
Los comb-drive verticales han sido demostrados con un comb-drive vertical anclado y enmascarando las
filas de dientes fijos y mviles en distintas capas separadas por la capa del oxido de sacrificio [2] y
aadiendo un electrodo de metal exterior en la parte superior de los dientes fijos [5]. El comb-drive
vertical anclado tpicamente requiere una alineacin crtica. Los dedos del peine auto-alineado son
enmascarados en un proceso de grabado simple y subsecuentemente rotados hacia afuera del plano de la
oblea. La figura 2.1 muestra un micro-espejo con este tipo de actuador.

Fig. 2-1. SEM un micro-espejo con un actuador en peine vertical. Se muestra una ampliacin de los
dientes del peine.