ELEKTRONIKA DASAR

PANJARAN UMPAN BALIK EMITER

(a) Panjaran Basis
(b) Panjaran Umpan Balik
Emiter
Panjaran
Basis
titik
kerjanya
sangat
dipengaruhi hFE.
ICQ
berbanding
dengan hFE.

linear

Pada produksi masal sulit

didapatkan hFE yang sama.
Rangkaian panjaran umpan
balik emiter merupakan
salah satu upaya untuk
menstabilakn titik kerja Q
terhadap variasi hFE.

 Ide dasar: mengurangi membesarnya arus

kolektor dengan mengecilkan arus basis.
Jika IC membesar (misal: oleh perubahan
temperatur) tegangan VE terhadap ground akan
meningkat.

V CC = I C R C + I E R E + V E
karena I C I E
VE = I E R E
Naiknya IC berarti naiknya VE.
Meningkatnya VE akan diikuti dengan VB.

V CC = I B R B + V BE + I E R E
V CC = V RB + V BE + V E
V BE = V B - V E
V CC = I B R B + V BE + I E R E
V CC = I B R B + V B

 VBE relatif tetap (VBE juga sedikit bervariasi

mengikuti perubahan temperatur, tetapi
dapat diabaikan).
Membesarnya
VE
diikuti
dengan
membesarnya VB.
Meningkatnya VB berarti menurunya
tegangan pada RB sehingga IB mengecil.
Bila VB membesar sedangkan VCC dan RB
tetap berarti IB turun. Turunya IB ini
melawan kecenderungan membesarnya
IC .

Formula-formula penting
VCC - VBE
IE =
R

B
RE +

FE
VE = I E RE
VB = VE + 0,7V
VC = VCC - I C RC

Contoh: Gambarkan garis beban dan titik kerja.

Asumsikan nilai hFE = 100 dan hFE = 300

I C(sat) menganggap VCE = 0V

I C(sat)

VCC
12V
=
=
= 13,33mA
R C + R E 900

VCE(cutoff) = VCC = 12V

Tegangan kerja h FE = 100
VCC - VBE
12V - 0,7V
=
= 3,65mA
I CQ I E =
R

100 + (300000/100)
+
RE B

FE
VCE = VC - VE = VCC - I C R C - I E R E
bila I C I E
VCEQ = 12V - 3,65mA(800 + 1000 = 8,72V

Untuk h FE = 300
VCC - VBE
12V - 0,7V
I CQ I E =
=
= 10,27mA
100 + (300000/300)
R E + R B

FE
VCEQ = 12V - 10,27mA(800 + 1000 = 2,76V

Panjaran umpan balik Kolektor

Collector feedback bias atau self-bias
adalah cara lain memberikan panjaran
pada transistor dengan mengupayakan
penstabilan titik kerja (Q).
Ide dasarnya adalah dengan mengumpan
balikan tegangan ke basis sebagai upaya
untuk
menetralisir
perubahan
arus
kolektor.

VCC - VBE
IE =
R

RC + B

h
FE

VB = VBE = 0,7V
VC = VCE = VCC - I C RC

Contoh: Gambarkan garis beban dan

titik kerja rangkaian transistor
12V
I C(sat) =
= 12mA
1K
VCE(cutoff) = VCC = 12V
I CQ

12V - 0,7V
IE =
1000 + (20000020FE )

Bila h FE = 100, maka :

12V - 0,7V
11,3V
I CQ I E =
=
= 3,77 mA
1000 W + ( 200000 W / 100 ) 3000 W
VCEQ = VCC - I CQ RC = 12V - (3,77 mAx1000 W ) = 8, 23V
Bila h FE berubah menjadi 300
12V - 0,7V
11,3V
= 6,78 mA
I CQ I E =
=
1000 W + ( 200000 W / 300 ) 1666 ,7 W
VCEQ = VCC - I C RC = 12V - (6,78 mA.1000 W ) = 5, 22V

Panjaran umpan balik kolektoremitor

Dibandingkan dengan panjaran basis, panjaran
umpan balik emitor dan umpan balik kolektor
masih lebih baik dari sisi kesetabilan titik kerja
transistor.
Meskipun demikian keduanya msh belum
memuaskan .
Meskipun ide pemberian umpan balik negatif
cukup baik, umpan balik ini belum cukup
memberi kompensasi bagi bergesernya titik
kerja. Berikutnya dicoba memberikan 2 buah
umpan balik sekaligus.

VCC - VBE
IC I E =
RC + RE + ( RB / hFE )
VE = I E RE
VB = VE + 0,7V
VC = VCC - I C RC

Contoh: Gambarkan garis beban pada titik

kerja hFE = 100 dan hFE = 300

IC ( sat)

12V
VCC
=
=
= 8mA
( RC + RE ) 1500W

VCE(cutoff ) = VCC = 12V

VCC - VBE
ICQ I E =
RC + RE + ( RB / hFE )

Untuk
IC

( sat )

V CE

I CQ I

V CEQ

Untuk
I CQ =
V CEQ

12 V
=
= 8 mA
)
1500 W

= 12 V
=

RC

V CC - V BE
+ R E + ( R B / h FE )

12 V - 0 , 7 V
= 4 , 52 mA
W / 100 )
1000 W + 500 W + ( 200000
= V C - V E = V CC - I C R C - I E R E

IC I
V CEQ

= 100

V CC
=
(R C + R

( cutoff

I CQ =

FE

= 12 V - 4 , 52 mA ( 1000
h

FE

W + 500 W ) = 5 , 22 V

= 300

12 V - 0 , 7 V
= 5 , 22 mA
1000 W + 500 W + ( 200000
W / 300 )
= 12 V - 5 , 22 mA ( 1000 W + 500 W ) = 4 ,17 V

Penguat AC Panjaran Basis

Sifat
kapasitor
menahan arus searah
dan meneruskan arus
bolak-baliTerisolasinya
arus
searah
dari
pengaruh sinyal.
Analisis Arus searah
(Q)
Dan Analisis AC pada
sinyal masukan.

 Ukuran kapasitor kopling bergantung pada

frekuensi terendah sinyal AC.
T = RC (pada frekuensi terendah)
R = Reaktansi total dalam suatu loop.
C = Nilai Kapasitor
Contoh: Jika diharapkan kapasitor kopling
dapat meneruskan sinyal berfrekuensi 20
Hz 20 KHz dan total reaktasi pada suatu
loop arus adalah 10 K maka;
C = 0,05/100000 = 5uF
XC 0,1R

Penguat AC Panjaran Emitor

Rangkaian transistor panjaran basis
jarang digunakan sebagai penguat karena
ketidakstabilan titik kerjanya (Q). Oleh
karena itu digunakan rangkaian panjaran
emitor dalam bentuk panjaran pembagi
tegangan atau dengan tegangan sumber
ganda.
Kapasitor Bypass bertindak sebagai jalur
pertanahan bagi isyarat AC.

Bila frekuensi isyarat

tinggi, C2 seolah2
menghubung
singkatkan isyarat ke
jalur pertanahan.
Agar kapasitor bypass
bekerja dengan baik,
XC > R4 pada
frekuensi terendah
dari isyarat yang
dikuatkan.
XC 0,1 R.

Menghitung titik kerja (Q):

Asumsikan semua
kapasitor terbuka.
VBE = 0,7 V, Maka

Misal: sinyal masukan

100 uV P-P, maka
VPP akan
ditumpangkan ke VB.
Tegangan Kolektor
bervariasi disekitar
5,2 V.

3000 W
VB =
.12V = 2,4V
3000 W + 12000 W
VE = VB - VBE = 2,4V - 0,7V = 1,7V
IC I E =

VE
1,7V
=
= 1,7 mA
RE 1000 W

VC = VCC - I C RC = 12V - (1,7 mA.4000 W ) = 5,2V

Titik kerja transistor:

VB 0V
VE = -0,7
3V - 0,7V
= 2,3mA
1000W
VC = (12V + 3V ) - (2,3mA.3,6KW) = 6,72V
IC I E =

Perolehan arus AC
Sebelunya perolehan Arus DC yang diberikan hFE
dan DC.
IC
hFE = DC =
IB

Pengua tan arus AC:

ic
=
ib
pada lemba r data;
dinyatak an dengan h fe

Resistansi AC dioda Emitor

Pada saat rangkaian diberikan sinyal, arus yang
mengalir pada transistor merupan julmlah dari
arus akibat panjaran dan arus akibat sinyal yang
masuk.
Ada komponen DC (panjaran) dan AC (sinyal).

I E = I EQ + i e
I C = I CQ + i c
V BE = V BEQ + v be

 Besar ie bergantung pada lokasi Q karena grafik

hubungan VBE terhadap IE berbentuk kurva maka
besarnya ie berbeda-beda untuk vbe yang sama.
Fakta ini menyiratkan adanya resistansi AC dioda
emitor yang sifatnya dinamis.
Resistansi AC dioda emitor berkurang apabila
arus emitor bertambah.

vbe
r =
ie
'
e

pendeka tan;
25mV
'
re =
IE

 Oleh
karena
adanya
variasi
struktur
sambungan, beberapa ahli berpendapat nilai re
berkisar antara:

25mV
50mV
'
< re <
IE
IE

Contoh penguat transistor panjaran basis.

Hitunglah re ?
+12 V

500 K

VCC - VBE 12V - 0,7V

IB =
=
= 22,6mA
RB
500000W

4K

dengan b dc = 100
b dc = 100
100 uV

100K

I C I E = b dc .I B = 100.22,6mA = 2,26mA
25mV
r =
= 11,06W
2,26mA
'
e

Contoh hitung re pada rangkaian transistor dengan

panjaran pembagi tegangan ?
12 V

2K

4K
C3

C1

100 K
100uV

3K

1K

C2
Bypass

VB - VBE
IE =
RE
3KW
VB =
.12V = 7,2V
3 KW + 2 KW
7,2V - 0,7V
IE =
= 6,5mA
1KW
25mV
'
re =
= 3,85W
6,5mA

 Nilai re yang digunakan adalah pendekatan untuk

transistor pada temperatur ruang (250C).
Untuk nilai diluar ruang, formula yg juga
merupakan pendekatan praktis;

T + 273 25 mV
r =
x
IE
291
'
e

T = temperatur
contoh T = 100 C
100 + 273 25 mV
32 mV
'
re =
x
=
IE
IE
291
0

Model Ebers-Moll
Untuk menganalisis perilaku transistor
terhadap sinyal AC diperlukan rangkaian
ekivalen AC untuk transistor.
Apabila
dianggap
bahwa
penguat
beroperasi sebagai penguat sinyal kecil,
maka dioda basis-emitor berperilaku
sebagai re dan dioda basis-kolektor
berperilaku sebagai sumber iC.

Model n
Bila sinyal AC diberikan pada masukan transistor
penguat, akan timbul tegangan basis-emitor vbe pada
ujung-ujung dioda basis-emitor. Tegangan sinyal
tersebut menimbulkan arus AC pada basis yang disebut
ib. dipandang dari sisi masukan ib melihat adanya
impedansi masukan sebesar zin(basis) . Pada frekuensi
rendah bisa dianggap empedansinya murni resistif dan
besarnya adalah:

z in ( basis )

v BE
=
ib

iC
iC

ib
+
Zin(basis)

iE

re'

iE

re'

HK.Ohm

untuk

Basis - Emitor

v be = i e re'
z in ( basis

v be
i e re'
=
=
ib
ib

karena

i e i c maka ;

z in ( basis

v be
i e re'
i c re'
=
=

= b re'
ib
ib
ib

Dapat
disimpulkan
impedansi
masukan
sama dengan perolehan
arus
AC
dikalikan
dengan resistansi AC
dioda basis-emitor.
transistor
merupakan visualisasi
dari pernyataan diatas
dan dapat digambarkan
sebagai berikut:

:Model

r e'

Baik Model Ebers-Moll maupun model

merupakan rangkaian ekivalen transistor sehingga
kita dapat menggunakan salah satunya untuk
menganalisis rangkaian transistor sebagai penguat.