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FACULTAD DE INGENIERA
PROGRAMA DE ESTUDIO
FSICA DE SEMICONDUCTORES
1421
06
Asignatura
Clave
Semestre
Crditos
Ingeniera Elctrica
Divisin
Asignatura:
Obligatoria
Horas:
X
Optativa
Ingeniera Electrnica
Departamento
Total (horas):
Tericas
3.0
Semana
3.0
Prcticas
0.0
16 Semanas
48.0
Modalidad: Curso
Aprobado:
Consejo Tcnico de la Facultad
Fecha:
25 de febrero, 17 de marzo y 16 de junio de 2005
11 de agosto de 2005
Temario
NM.
NOMBRE
HORAS
1.
2.
Semiconductores
12.0
3.
Unin P-N
12.0
4.
Contactos metal-semiconductor
8.0
5.
8.0
8.0
48.0
Prcticas de laboratorio
Total
0.0
48.0
FSICA DE SEMICONDUCTORES
(2 / 4)
2 Semiconductores
Objetivo: Que el alumno analice y comprenda la estructura atmica de los semiconductores, as como su
naturaleza intrnseca-extrnseca y sus caractersticas en estado de conduccin elctrica
Contenido:
2.1 Modelo de enlace covalente para los semiconductores
2.2 Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
2.3 Modelo de bandas de energa
2.4 Distribucin de equilibrio en los electrones de las bandas
2.5 Transporte de portadores de carga en ausencia de equilibrio
2.6 Materiales tipo P y tipo N
2.7 Conduccin de corriente en semiconductores, huecos y electrones
3 Unin P-N
Objetivo: Que el alumno analice y comprenda las caractersticas estticas y dinmicas de la juntura P-N,
as como su ecuacin caracterstica, polarizacin y comportamiento en estado de conduccin elctrica
Contenido:
3.1 Esttica de la unin P-N
3.2 Electrosttica de la regin vaca
3.3 Dinmica de la unin P-N
3.4 Polarizacin y diagrama energtico de la regin vaca
3.5 Portadores mayoritarios y portadores minoritarios
3.6 Ecuacin caracterstica
FSICA DE SEMICONDUCTORES
(3 / 4)
4 Contactos metal-semiconductor
Objetivo: que el alumno analice y comprenda las caractersticas de la juntura metalsemiconductor, su
comportamiento en estado de conduccin elctrica y sus aplicaciones
Contenido:
4.1 Diagrama de bandas de energa de la unin metalsemiconductor
4.2 Barrera de Schottky
4.3 Caractersticas voltajecorriente de la barrera Schottky
4.4 Contactos hmicos entre un metal y el silicio
Bibliografa bsica:
DONALD, A. Neamen,
Semiconductor Physics and Devices, Basic principles
3a edicin
New York
Mc GrawHill, 2003
Todos
GEROLD W. Neudeck,
El Diodo PN de Unin
2a edicin
Wilmington
AddisonWesley Iberoamericana, 1993
2, 3, 4 y 5
Bibliografa complementaria:
PIERRET R.F,
Fundamentos de Semiconductores
2a edicin
Wilmington
AddisonWesley Iberoamericana, 1993
2, 3 y 4
FSICA DE SEMICONDUCTORES
Sugerencias didcticas:
Exposicin oral
Exposicin audiovisual
Ejercicios dentro de clase
Ejercicios fuera del aula
Seminarios
Forma de evaluar:
Exmenes parciales
Exmenes finales
Trabajos y tareas fuera del aula
(4 / 4)
X
X
X
X
Lecturas obligatorias
Trabajos de investigacin
Prcticas de taller o laboratorio
Prcticas de campo
Otras:
X
X
X
Participacin en clase
Asistencias a prcticas
Otras: