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DATENBLATT / Specification
K-Nr.:
22279
K-no.:
T60404-N4644-X400
Item no.:
V AC U UM SC H M ELZE
Datum:
27.10.2009
Date:
Kunde:
Seite
Customer
Page
von
of
Anschluschema:
Schematic diagram
i1
10 + UB
5...8
9 ia
+
Ra
Ca
1...4
11 - UB
M
Nennstrom
i1Neff
3...31
iaNeff
1,5...15,5
mA
KN
1...4 : 2000
I1max
92
IBo
<
18
mA
UB
15
V 5%
UBtot
18
Ri
<
220
Ra
20...250
TU
-40...+85
70
40
92
20
85
31
92
20
C
A
A
Rated current
Nennausgangsstrom
Output current
Nennbersetzungsverhltnis
Transformation ratio
berstrom
(Ra <20 ))
Versorgungsstrom im Leerlauf
supply current
Versorgungsspannung
Supply voltage
Innenwiderstand
Interal resistance
Abschluwiderstandsbereich
Load resistance
Umgebungstemperatur
Ambient temperature
Maximum Ratings:
Maximum Ambient Temperature:
Maximum RMS-Current:
Maximum Peak-Current:
Output Resistor
(all primary current bars in parallel)
Applicable documents:
Hrsg.:
editor
Name
Le
Bd.
KB-E
60
50
92
20
Weitere Vorschriften:
Datum
27.10.09
30.08.04
50
54
92
20
Index
81
81
nderung
Anschlufeld Seite 2: Stiftabmessung fr Stifte 9-11 von 0,5x1,0 korrigiert in 0,7x0,6mm. Schreibfehler.
Umgebungstemperatur: Unterer Grenzwert von -10 auf -40 korrigiert. Lapidarnderung.
Bearb:
Ma.
KB-E B: Le
KB-PM B: Ga.
designer
check
check
Weitergabe sowie Vervielfltigung dieser Unterlage, Verwertung und Mitteilung ihres Inhalts
nicht gestattet, soweit nicht ausdrcklich zugestanden. Zuwiderhandlungen verpflichten zu
Schadenersatz. Alle Rechte fr den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten
freig.: HS.
released
Copying of this document, disclosing it to third parties or using the contents there for any
purposes without express written authorization by use illegally forbidden.
Any offenders are liable to pay all relevant damages.
Sach Nr.:
DATENBLATT / Specification
K-Nr.:
22279
K-no.:
T60404-N4644-X400
Item no.:
V AC U UM SC H M ELZE
Datum:
27.10.2009
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Kunde:
Seite
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Mabild (mm):
Anschlsse:
Mechanical outline
General tolerances
Connections:
2,77
2x2,54
1
9 10 11
7,0
1,95
3,85
14,5
1...8: 1 mm
9...11: 0,7x0,6 mm
of
11,4
8
4,5
2,54
7,62
18,0
Beschriftung:
33
marking
4644X400
F
DC
25,2
DC
0,5
3,5
3,50,5
0,7x0,6
1,0
DC=Date Code
F=Factory
1)
(V)
ia (20 A)
10
mA 0,5 %
IO
0,05
mA
Up,eff
kV,
2)
(V)
Offsetstrom
Offset current
3)
(V)
M3014*:
1s
*Die Spannungsfestigkeit gilt am separaten Bauelement zwischen den Stiften 1...8 und den Stiften 9...11.
The dielectric strength is valid between pin 1...8 and pin 9...11.
KB-E
Bearb:
Ma.
KB-E B: Le
KB-PM B: Ga.
designer
check
check
Weitergabe sowie Vervielfltigung dieser Unterlage, Verwertung und Mitteilung ihres Inhalts
nicht gestattet, soweit nicht ausdrcklich zugestanden. Zuwiderhandlungen verpflichten zu
Schadenersatz. Alle Rechte fr den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten
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V AC U UM SC H M ELZE
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von
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i 1,RMS
i a,RMSf
Wdg.
mA
40
20
10
92
46
23
20
20
20
KN
Ra
F ges
F ges
Beschaltung
(i 1RMS) (i 1RMS/2) connection
%
%
Ohm
1 : 2000
2 : 2000
4 : 2000
20
20
8
1
5
4
8
1
5
4
1,5
20
1,5
1,5
80,0
70,0
60,0
50,0
40,0
0,0
Hrsg.:
editor
KB-E
20,0
Bearb:
40,0
Ma.
60,0
80,0
KB-E B: Le
100,0
120,0
KB-PM B: Ga.
designer
check
check
Weitergabe sowie Vervielfltigung dieser Unterlage, Verwertung und Mitteilung ihres Inhalts
nicht gestattet, soweit nicht ausdrcklich zugestanden. Zuwiderhandlungen verpflichten zu
Schadenersatz. Alle Rechte fr den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten
140,0
160,0
180,0
200,0 220,0
Ohm
240,0
Ra
freig.: HS.
released
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V AC U UM SC H M ELZE
22279
Datum:
27.10.2009
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Fi
<
0,5
FLi
<
0,1
FTi
<
0,1
DC...100 kHz
<
Verzgerungszeit bei 1max bei einem Stromanstieg von di/dt = 100 A/s t (1max, 100 A/s) <
Linearitt
Linearity
Ansprechzeit
Response time
Ioges
<
0,1
mA
Io
<
0,05
mA
Iot
<
0,05
mA
IoT
<
0,05
mA
IoH
<
0,05
mA
ioss
<
mA
Io/UB
<
0,01
mA/V
Ck
<
pF
TL
<
15
Drift von Io
Offset current drift
Hysterese von Io
Hysteresis of Io
Offsetripple (s.Blatt 5)
Offset ripple (s. page 5)
Versorgungsspannungsdurchgriff auf Io
Supply voltage rejection ratio
Lagertemperaturbereich
Storage temperature range
Masse
Masse
Stromrichtung: Ein positiver Mestrom erscheint am Anschlu ia, wenn der Primrstrom in Pfeilrichtung fliet.
Current direction: A positiv output current appears at point ia by primary current in direction of the arrow.
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Ma.
KB-E B: Le
KB-PM B: Ga.
designer
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check
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22279
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Weitere Vorschriften:
Applicable documents:
Konstruiert, gefertigt und geprft nach VDE0160 EN 50178 und erfllt die Vorschriften.
Parameter:
Verstrkte Isolierung: Pin1...Pin8 gegen Pin9...Pin11
Verschmutzungsgrad 2
Bemessungsisolationsspannung UDC = 1 kV
Isolierstoffklasse 1
Constructed, manufactured and tested in accordance with VDE0160 EN 50178 and agrees with the standards.
Parameters:
Reinforced insulation Pin1...Pin8 to Pin9...Pin11
Pollution degree 2
Rated insulation voltage UDC = 1 kV
Insulation material group 1
UL gelistet
UL-listed.
Typprfung:
Type test
1)
Einstellwerte:
1,2 s / 50 s-Kurvenform
UP,max =
9 kV
Ri
=
60
Settings
(waveform)
2)
M3024:
Up,eff
4 kV,
60 s,
UTA,eff
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Ma.
750 V
KB-E B: Le
KB-PM B: Ga.
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Datum:
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of
Der Offsettripple kann durch einen externen Tiefpa verringert werden . Dazu mu parallel zu Ra eine Kapazitt Ca geschaltet
werden. Die Abbildung zeigt den verbleibenden Wert des Offsetripples (ioss(Ra . Ca)) bezogen auf den Wert ohne externe Kapazitt
(ioss). Hierbei wird allerdings die Ansprechzeit verlngert. Sie berechnet sich nach der Formel:
The offset ripple can be reduced by an external low pass. Therefore a capacitance Ca must be switched parallel to Ra. The diagram shows the
remaining value
.
of the offset ripple (ioss(Ra Ca)) relative to the value without external capacitance (ioss). In this case the response time is lengthened. It is calculated
from:
1
a + 2,5 Ra Ca
.
bzw. fg = -------------------2 . Ra . Ca
Beispiel:
-------------------- = 10%
Example:
ioss
Ra = 100 ;
Ca = 27 nF
a 6,8 s;
fg = 17 kHz
100.0
Ioss(Ra*Ca)
Ioss
10.0
[%]
1.0
0.1
10
100
Ra*Ca
[us]
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Ma.
KB-E B: Le
KB-PM B: Ga.
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22279
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27.10.2009
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aKrit:
Abstand eines strstromfhrenden Leiters von der Gehuseseitenflache, bei dem auch an ungnstiger Stelle die
zugeordnete
Strgre am Ausgang des Sensos 1% des Nennstroms nicht bersteigt. Den Angaben liegt ein sinusfrmiger
Strimpuls mit einer
Impulsbeite von 50 s in Hhe des Nennstroms zugrunde.
Distance of a current carring conductor from the sides of the housing, where even at the most unfavourable spot the
applicable
interference at the sensor output does not exeed 1% of rated current. The data is based on a sinusoidal interference pulse
current with a pulse
width of 50 s having the same magnitude as the rated current.
Fges(i1): Die Summe aller mglichen Fehler im gesamten Temperaturbereich bei der Messung eines Stroms i1:
The sum of all possible errors over the temperature range when measuring a current i1:
ia (i1)
100 . ---------------- - 1
KN . i1
Fges =
Fi:
Ia
Fi = 100 ----------- - 1
iaNeff
wobei Ian der offsetbereinigte Ausgangsgleichstromwert fr einen Eingangsgleichstrom in Hhe des (positiven)
Nennstroms ist (d.h. Io = 0 )
where Ian is the output DC value of an input DC current of the same magnitude as the (positive) rated current (Io = 0)
FLi:
I1
Ia
Dabei ist I1 beliebiger Eingangsgleichstrom und Ia die zugehrige offsetbereinigte Ausgangsgre (d.h. Io = 0). Ian
Linearittsfehler definiert durch
s. Erluterung zu Fi.
Where I1 is any input DC and Ia the corresponding output term. Ian see notes of Fi (Io = 0).
FTi:
Temperaturdrift der nennwertbezogene Ausgangsgren Ian (vgl. Erluterung zu Fi) im spezifischen Temperaturbereich,
gegeben
durch.
Temperatur drift of the rated value orientated output term. Ian (cf. Notes on Fi) in a specified temperature range, obtained by:
iaNeff
IaSt:
Ausgangsgleichstrom hervorgerufen durch einen Strgleichstrom in Hhe des Nennstroms in einem Leiter in 1 cm
Abstand von der Gehuseseitenflche (ungnstige Lage).
Output DC current caused by an interfering DC current of the same magnitude as the rated current in a conductor 1 cm away from the
sides of the
housing (unfavourable position).
IoH:
Nullpunktabweichung nach bersteuerung mit Gleichstrom des 4-fachen Nennwerts. (Ra = RaN)
Zero variaton after overloading with a DC of fourfold the rated value. (Ra = RaN)
Iot:
:
Ansprechzeit, gemessen als Verzgerungszeit bei i1 = 0,9 . 1 zwischen einem eingespeisten Rechteckstrom und dem
dazugehrigen Ausgangsstrom.
Response time, measured as delay time at i1 = 0,9
Verzgerungszeit zwischen 1max und dem dazugehrigen Ausgangsstrom ia bei einem Stromanstig des
Primrstroms von di1/dt = 100 A/s.
Delay time between 1max and the output current ia with a primary current rise of di1/dt = 100 A/s.
Hrsg.:
editor
KB-E
Bearb:
Ma.
KB-E B: Le
KB-PM B: Ga.
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check
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