Harold Torrico Salazar

Ing. Electromecnica
Electrnica Analgica
Gestin 1-2015

Transistor BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido, que permite controlar
el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar
se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son
de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos,
puede ser de germanio o silicio.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por
el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin
de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Transistor NPN

Transistor PNP

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la

corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo
de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se
llama amplificacin. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada
transistor.
Entonces:

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia
ligeramente cuando se cambia Vcc.
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas,
definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
Regin activa en cuanto a la polaridad:
Corriente del emisor = ( + 1) Ib; corriente del colector= Ib
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de
corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin
es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de
los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en
modo activo.

Regin de corte:

Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (I c = Ie = 0)

Harold Torrico Salazar

Ing. Electromecnica
Electrnica Analgica
Gestin 1-2015
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin:

Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (I c Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el
colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral V CE,sat. Cuando el
transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin I c=Ib (y por
ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica
(especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y
saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y

bajo, respectivamente.

Aplicaciones de los Transistores

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
o
o

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de
radiofrecuencia)

Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de

alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura
de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales

llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga
el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.