Capitolul 1

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE
FOLOSITE N ELECTRONICA DE
PUTERE
1.1. Tranzistorul bipolar de putere
n acest paragraf, vor fi prezentate cteva aspecte introductive
referitoare la tranzistorul bipolar (TB) de putere, tehnologia i structura sa. n
paragrafele urmtoare, vor fi prezentate o serie de caracteristici specifice i
precauii care se iau la circuitele cu tranzistoare bipolare de putere.
1.1.1. Caracteristicile principale ale TB de putere
Tranzistorul bipolar de putere este folosit aproape exclusiv ca un
comutator. De aceea, caracteristicile sale se dau pentru starea de conducie,
pentru cea de blocare, precum i pentru regimul tranzitoriu al comutaiei ntre
strile saturat-blocat tF i blocat-saturat tS.
Mrimile maxime absolute VCES i VCEO sunt relevante n funcie
de aplicaia respectiv. Astfel, la un convertor n semipunte, valoarea VCEO

reprezint mrimea de referin, n timp ce, la un convertor forward,

important este VCES. De asemeni, constantele de timp din circuit (de exemplu,
snubber-ul)
potcolector,
determina
care din
timpiide
de saturaie
comutaiealsunt
cei mai relevani
curentului de
numit
curentul
tranzistorului
ICsat.
pentru
proiectare.
Aceste
mrimi
sunt
considerate
pentru
o
anumit
Acesta este considerat, n mod obinuit, ca fiind curentul la care valoare
lucreaza
tranzistorul. Dac curentul de lucru depete aceast valoare, atunci puterea
disipat va fi prea mare, iar dac se lucreaz la valori mai mici, atunci timpii
de comutaie pot deveni prea mari, i n plus, exit pericolul ca tranzistorul s
nu fie saturat corespunztor i deci pierderile de putere s devin
3

inacceptabile. Valoarea curentului de baz, corespunztoare saturaiei, este

notat IBsat i este, de asemenea, un parametru important pentru proiectare.
Valoarea sa depinde de tranzistor, de tipul aplicaiei n care este folosit i nu
are o definiie anume.
1.1.2. Realizarea tranzistorului bipolar de putere
O schi a unui tranzistor
funcionnd la tensiuni mari, realizat
ntr-o capsul izolat (nu s-a reprezentat i
capsula din plastic), este prezentat n
Fig.1.1. Se pot observa cele trei terminale,
ntre care dou sunt legate prin fire la
cipul tranzistorului. Al treilea terminal
este lipit de suprafaa pe care s-a realizat
tranzistorul i permite, n acest fel, o
preluare eficient a cldurii de la cip ctre
exterior. Caracteristicile tranzistorului
Fig. 1.1. Vedere de ansamblu asupra
sunt determinate, n principal, de
TB de putere.
realizarea cipului propriu-zis. O seciune
printr-un cip poate fi vzut n Fig. 1.2. Se observ c partea cea mai
important o reprezint zona n-, care va determina i tensiunea pn la care
rezist tranzistorul. Imediat dedesubt, se afl stratul n+, care realizeaz un
contact termic cu exteriorul. Regiunile de tip p, de baz i respectiv de
emitor, au prevzute contacte metalice. Remarcm faptul c aria activ, aflat
sub emitor, determin caracteristicile importante ale tranzistorului.

Fig. 1.2. Seciune printr-un tranzistor de

putere. Se observ corespondena dintre
limea zonei n+ i tensiunea VCEO.

Fig. 1.3. Timpii de comutaie i hFE n funcie de

VCEO.

Exist diferite procedee tehologice de realizare. De exemplu, unul

dintre ele pornete, n principiu, de la un strat - peste care este difuzat
n
dedesubt un strat n+, apoi se realizeaz baza p, respectiv
emitorul n+.
Suprafaa din sticl ajut la o distribuie ct mai uniform a liniilor
de cmp electric prin colectorul tranzistorului. n Fig 1.3, este prezentat o
caracteristic pentru timpii de comutaie i parametrul hFE, n funcie de
valoarea maxim a tensiunii V .
CEO

1.1.3. Distribuirea sarcinii i fenomenele de comutaie

ntr-un TB de putere
Pe durata strii de conducie,
exist trei distribuiri de sarcin
distincte, care ne vor ajuta s nelegem
evoluia curenilor prin dispozitiv. Mai
nti, avansarea jonciunii JBE n zona p
creeaz o zon de golire n jur, aceasta
provocnd o ridicare a energiei barierei
de potenial i electronii vor curge spre
baz. La TB de putere, acest efect este
Fig. 1.4. Distribuirea sarcinii n TB de
mult mai semnificativ fa de cele de putere, pe durata strii de conducie.
mic putere. Sarcina astfel aprut n
exces spre baz este notat Qb i se gsete n principal sub emitor. Aceast
sarcin excedentar influeneaz i jonciunea JBC. Sarcina n exces Qc mai
depinde i de comportamentul sarcinii exterioare din colector (de regul,
aceasta este inductiv), care determin variaia IC. Concentraia diferit ntre
sarcina din apropierea emitorului i sarcina din colector, precum i nceputul
polarizrii directe a JBC determin o
micare a sarcinii Qd de la baz spre
colector, n sens invers curentului IC.
Acest fenomen este recunoscut, n sens
clasic, ca fiind saturarea tranzistorului.
Se disting patru faze distincte
n procesul
de blocare
al tranzistorului:
1) dup
aplicarea
tensiunii
negative n baz (exemplul este pentru
tranzistoare npn), efectul va aprea i
Fig. 1.5. Dependena celor trei
asupra jonciunii JBC. Sarcina Qd se va
disipa ntruct tensiunea induce goluri concentraii de sarcin fa de VCE.
din exteriorul bazei, iar electronii se
5

vor duce spre colector, mrind puin IC. ntruct VBE<0, curentul de sarcin
mai este meninut doar de sarcina astfel stocat. Intervalul este cunoscut ca
fiind timpul de stocare (ts);
2) n aceast stare, scad drastic Qb i
Qc deci i IC.
Totodat, Qd scade, ntreinnd un curent

negativ n baz. Acest timp este cunoscut

ca fiind timpul de cdere a curentului IC
(tf);

3) n aceast faz, apare o rezisten

a stratului srcit de electroni, aflat sub
emitor, i golirea sarcinii este continuat
prin forarea unui curent negativ exterior.
Mecanismul este numit blocarea n
avalan a JBE;
4) mecanismul blocrii (strile 1-3)
poate fi ajutat cu o mic inductan n baz,
polarizat invers la 5V.
Acest curent
invers de baz va goli sarcina din
vecintatea bazei, dar o anumit sarcin
rezidual va rmne n vecintatea
colectorului. Aceast sarcin Qr trebuie
nainte de cderea complet a acestuia la Fig. 1.6. Comutarea invers la
eliminat din exterior, nainte de blocarea TB de putere.
zero n Fig. 1.7.
completPentru
a tranzistorului.
ei se
blocarea Prezena
tranzistorului,
poate
observa
ca
o
coad
a
curentului
IC, prezentate n Fig.1.8. Pentru
exist circuite de blocare hard i soft
aplicaii uzuale, pn la 50 kHz, bobina din baza circuitului de blocare soft
se calculeaz cu relaia :
12
(1.1)
LB =
H
IC

Tranzistorul blocat se comport ca o rezisten de valoare relativ

ridicat n colector. Pentru a realiza o cdere de tensiune V
de valoare
CE
mic, se injecteaz un curent n baz, ceea ce va umple regiunea colectorului
cu perechi electroni-goluri. Iniial, acestea vor veni n principal de la baz,
provocnd o mic supracretere a curentului IB.
n Fig. 1.9, se observ regimul tranzitoriu de
supracretere a
curentului Ic, datorit rezistenei din regiunea colectorului.
6

Circuit de
blocare ''hard'' + +
+V
LC
C
R
Circuit de
+I
blocare ''soft'' b
-Vb

Fig. 1.7. Momentele de timp ts, t1,

tf, t2, corespunztoare golirii
sarcinilor Qd, Qc, Qb, Qr.

+ +
L
C

Lb

Fig.1.8. Circuite de blocare

rapid a TB de putere.

Fig.1.9. Regimul
tranzitoriu al comutrii
directe.

1.1.4. Aria de operare sigur SOAi protecia TB lucrnd n

comutaie
Un tranzistor bipolar de putere are nevoie de anumite protecii
pentru a asigura limitarea nivelurilor
de tensiuni sau cureni care apar, la
valorile maxime admise. Dac se
depete nivelul maxim de curent,
n mod normal, aceasta nu conduce
la distrugerea tranzistorului. De
altfel, cele mai multe componente
semiconductoare sunt capabile s
conduc supracureni, pe intervale
scurte de timp, fr s se distrug.
1.10. Aria de funcionare sigur
Va aprea totui o supranclzire a Fig.
(SOA).
jonciunii, ceeea ce, n timp, va
deteriora dispozitivul.
n contrast cu aceasta, este strict interzis depirea valorilor de
tensiuni prescrise n catalog (VCEO) i (VCES sau VCBO). ntruct, la comutaie,
JBE trece printr-un regim nedistructiv de multiplicare n avalan, tensiunea
(VEBO) nu are o limit precizat de productor. Depirea (VCEO) i (VCES)
provoac cureni de valori mari, neuniformi, concentrai n seciuni mici de
semiconductor, ceea ce, chiar i pentru cteva nanosecunde,
duce la
distrugerea local a dispozitivului. Acest fenomen este denumit strpungerea
secundar a tranzistorului.
7

Aria de funcionare sigur (SOA) este limitat superior de valoarea

(ICM) i, la dreapta, de valoarea (VCEO). Dreptele (a) i (b) din Fig. 1.10
reprezint transpunerile logaritmice, respectiv transpunerea curbelor
strpungerii secundare i transpunerea puterii disipate maxime (PdM). Putem
exemplifica necesitatea unui circuit de protecie al unui tranzistor care are n
colector o sarcin inductiv printr-un exemplu numeric (circuitul din Fig
1.11):
dI
(1.2)
e ai = L
; V CE = E C + e
dt

ai

Pentru o inductan L=20H, un curent de saturaie IC=1A i pentru

un timp de blocare de toff =0.1 s, avem, n momentul comutaiei, o valoare a
tensiunii autoinduse de bobin de eai=200V. Aadar, aceast valoare se adun
la tensiunea de alimentare producnd, n lipsa unei protecii, depirea valorii
(VCEO) i distrugerea tranzistorului. Circuitul din Fig. 1.11 este un exemplu
de tranzistor avnd protecie maxim. Grupul D6-R6 limiteaz tensiunea din
colector la:
VCEM
V

CEM

= EC + VD 6 + R6 I CM ;
V

; ta 3

CEO

(1.3)

L6
R 66 + r L

unde ta, reprezint timpul de anulare a curentului inductiv (aproximativ egal

cu de trei ori constanta de timp a circuitului de descrcare).
Grupul D5-R5-C5 asigur o limitare rapid a tensiunii n colector,
n timp ce grupul D4-R4-C4 va prelua n continuare energia, tensiunea de pe
C4, ajutnd la comutarea direct a tranzistorului. n alte aplicaii, pentru o
D1

D3

R
5

e ai

D5
D4
C5

L0
C0

v0

L6

R6
EA

D2

rL6

D6
R4

T1

C4

Fig. 1.11. Reea de protecie maxim al unui tranzistor care are n colector
sarcini inductive.

reducere a timpului de anulare, rezistena R6 poate fi nlocuit cu o diod

Zener, caz n care avem:

(1.4)

VCEM = EC + VD6 + VZ

1.2. Tiristorul i triacul

Termenul de tiristor este denumirea generic a unui dispozitiv
semiconductor comutator, format din cel puin patru straturi suprapuse pnpn.
Exist o mare varietate de dispozitive care au aceast structur (tiristor de tip
diod, triod, tetrod etc.). Aceast component rmne unul din cele mai
folosite dispozitive semiconductoare n electronica de putere. n cele ce
urmeaz, vor fi prezentate structurile i principalele caracteristici ale acestora.
1.2.1. Structura i caracteristicile de baz
ale tiristorului i ale triacului
Cea mai simpl structur de tiristor, i dealtfel cea mai ntlnit, este
cea de triod-tiristor ca n Fig 1.12, cunocut n literatura strin i sub
prescurtarea SCR (Silicon Controlled Rectifier).
Cele trei terminale ale
tiristorului se numesc anod A, catod C i poart G. Cea mai complex
structur de tiristor este cea de triod-tiristor bidirecional, sau, cum este
cunoscut, structura de triac. Acesta (prezentat n Fig. 1.18), spre deosebire
de un SCR, este un dispozitiv bidirecional n curent, fiind astfel un important
comutator de putere n curent alternativ. Ambele dispozitive sunt componente
bipolare, care au o cdere de tensiune, n starea de conducie, foarte redus,
dar, datorit purttorilor de sarcin minoritari, care trebuie eliminai nainte
ca dispozitivul s se blocheze , timpul de comutaie este relativ lung. Acest
fapt, limiteaz frecvena de lucru a aplicaiilor cu tiristoare. Triacurile sunt
folosite, aproape exclusiv, n surse de 50 sau 60 Hz, iar unele aplicaii, n
aeronautic, extind domeniul aplicaiilor pn la 400 Hz.
1.2.2. Modul de funcionare al tiristorului
Funcionarea tiristorului poate fi urmrit din Fig. 1.12 - 1.14. Dac
potenialul catodului este mai mare dect cel al anodului, atunci jonciunile J1
i J3 sunt polarizate invers, iar dispozitivul rmne blocat. Cnd tensiunea
VAC devine pozitiv, cele dou jonciuni vor fi polarizate direct, dar J2 va fi
polarizat invers i tiristorul rmne tot n starea blocat. Dac tensiunea
invers aduce J2 n starea de strpungere prin avalan, atunci dispozitivul va
9

conduce ca o simpl jonciune polarizat direct. Modelul cu dou tranzistoare

poate fi folosit pentru a explica intrarea n conducie a structurii pnpn.
Colectorul lui T1 asigur un curent de baz pentru T2 i curentul de baz a lui
T1 este format din curentul de colector al lui T2 mpreun cu un curent din
exterior, injectat n poart.
Dac avem o amplificare supraunitar pe bucla de reacie pozitiv
baz colector ntre T1 i T2, acestea se vor satura i spunem c tiristorul s-a
aprins prin strpungere direct. Aceste condiii se ndeplinesc, fie la
atingerea pragului VA=VBO pentru IG=0, fie la valori mai mici ale tensiunii
VA, o dat
cu creterea IG.
.

Fig. 1.12. Simbolul de circuit al tiristorului

(SCR) i structura sa.

Fig. 1.13. Modelul tiristorului, cu cele

dou tranzistoare T1 i T2 i capacitatea
parazit CJ2.

Fig. 1.15. Limitarea vitezei de cretere a

tensiunii anodice cu ajutorul unui
snubber R-C.

Fig. 1.14. Caracteristica static a tiristorului.

10

Fig. 1.16. Comutaia direct a tiristorului. Se

observ timpii care intervin ton=t + tr.

Fig. 1.17. Comutaia invers a

tiristorului. Timpul de comutaie invers
este tq=t4 - t1.

Dup deschidere, curentul anodic este limitat doar de circuitul

exterior. Aadar, datorit reaciei pozitive, se realizeaz automeninerea n
conducie a tiristorului, chiar dac IG dispare, singura modalitate de stingere
fiind aducerea curentului anodic sub pragul minim, de automeninere, IH
Aprinderea tiristorului poate fi realizat prin mai multe metode :

aprinderea prin atingerea pragului de strpungere pentru

tensiuniea anodic. Aceast metod de deschidere este n general evitat,
ntruct timpul de scdere a tensiunii anodice mic (1/20 din timpul de
comutaie prin comanda pe poart) face ca tiristorul s suporte un prag
maximal de cretere a curentului anodic (di/dt) mai redus;

aprinderea prin cureni de scurgere. Datorit supranclzirii

jonciunilor, curentul de scurgere poate atinge acel prag de la care apare
automeninerea n conducie. Depirea temperaturii Tj(max) face ca tiristorul
s nu poat bloca nici cel mai mic prag de tensiune anodic;

aprinderea prin efect dv/dt. Capacitatea de barier a jonciunii

CJ2 crete o dat cu suprafaa acesteia. Curentul prin aceast capacitate, care
se nchide prin bazele celor dou structuri echivalente de
tranzistoare, depinde att de valoarea capacitii, ct i de viteza de
cretere a tensiunii anodice:
dv A
(1.5)
2
i CJ
= C J dt
2
11

Acest curent, precum i curenii care se nchid prin capacitile celorlalte

jonciuni pot determina amorsarea tiristorului. La cteva aprinderi repetate
prin acest efect, tiristorul se poate distruge. Parametrul (dvA/dt)critic este
prevzut, n cataloage, de productor.
Sunt cunoscute mai multe circuite (snubber) pentru limitarea creterilor
brute ale tensiunii anodice (fenomen destul de frecvent n circuitele de for
cu tiristoare). Se dau pentru circuitul uzual din Fig. 1.15, relaiile de
dimensionare a elementelor R-C:
(1.6)
81
R
V

R
dv
dv
V=
;
V
9

dv
R+ RS
10
dt max < dt critic
100R S A

A
critic
A

R= S ;C>
muli productori indic i valorile
pentru componentele
dt

Foarte
snubber-ului.
Valorile uzuale sunt (R=10 - 100 ; C=0,1 - 5 F).

aprinderea tiristorului cu un curent de comand n poart.

n Fig. 1.16, este prezentat regimul tranzitoriu prin care curentul anodic
crete n funcie de caracteristicile constructive ale dispozitivului. Astfel,
timpul t, reprezint perioada necesar polarizrii directe a lui J2, i de
deplasare a sarcinilor prin structurile T1 i T2, n vederea obinerii reaciei
pozitive. Timpul tr, este dat de durata necesar acumulrii purttorilor de
sarcin
n
exces,
n
vederea
asigurrii
curentului
prin
dispozitiv
(ton=1 5 sec). De fapt, intrarea n conducie a tiristorului se face ntr-o
zon ngust din apropierea porii, numit zon de conducie primar, care se

propag apoi n toat pastila de siliciu cu 100m/sec. Dac circuitul anodic

permite o cretere cu vitez mare a curentului anodic, se poate ca, n zona de
conducie, s se depeasc densitatea admis de curent, iar tiristorul se poate
distruge prin efect di/dt.
Comutaia invers forat a tiristorului se realizeaz prin
polarizarea invers anod-catod (vAC < 0), pentru scderea curentului anodic
sub limita de automeninere. Se observ n Fig. 1.17, faptul c,
dup momentul t1, o dat cu tensiunea aplicat negativ, mai exist i un
curent
invers care circul prin dispozitiv. Acesta este format din purttorii
de sarcin concentrai n jurul jonciunii J3, aceasta fiind i prima care este
polarizat
invers, datorit construciei. La momentul t2, se atinge tensiunea de
strpungere pentru J3, tensiunea pe dispozitiv rmnnd constant
pn la t3,
cnd sunt eliminai toi purttorii, inclusiv din zona J1. Ca urmare,
curentul
anodic scade pronunat, iar tensiunea pe dispozitiv crete brusc.
Dac, dup momentul t2, s-ar aplica o tensiune pozitiv,
tiristorul
s-ar reaprinde fr curent de poart, deci nu ar fi capabil s
blocheze o
tensiune anodic pozitiv. Abia dup momentul t4, el poate bloca o tensiune
anodic pozitiv iar durata:
12

(1.7)
tq = t4 - t1
se numete timpul de revenire al tiristorului. n funcie de valoarea acestuia,
exist urmtoarea clasificare pentru tiristoare:

rapide
ultrarapide

tq =tq(1=
(5 5)
10) s;
s;

normale

tq = (10 200) s;
tq > (200) s.

lente

Dac tensiunea invers atinge o anumit valoare, curentul invers

prin tiristor ncepe s creasc fr reducerea tensiunii pe dispozitiv,
producndu-se aa-numita strpungere invers, fenomen care duce la
distrugerea tiristorului.
1.2.3. Modul de funcionare al triacului
Acest dispozitiv a fost conceput pentru a nlocui, n mod economic,
o structur de comutator bilateral n curent cu dou tiristoare antiparalele:
p2n1p1n3 respectiv p1n1p2n2 din Fig. 1.18 1.19. Polaritatea tensiunii aplicate
pe dispozitiv este n mod obinuit cu referina fa de terminalul notat MT1,
iar notaia MT2+ semnific un potenial superior primului terminal.
Caracteristica static din Fig. 1.20 este foarte apropiat de cea a tiristorului n
conducie direct. Caracteristica de conducie invers este n general aceeai,
avnd uor modificate valorile pentru curentul de automeninere, sau de
comand pe poart IH, IGT etc.
Dac triacul este stins, el nu permite dect trecerea unui curent
rezidual IR. Dac triacul este polarizat, fie direct, fie invers, el poate fi
aprins cu un curent de poart, fie pozitiv, fie negativ i rmne n
conducie. De
pnaceea,
la scderea
curentului
subla valoarea
automeninere
el se folosete
numai
realizareadevariatoarelor
de
<i
iT

tensiune alternativ de 50 Hz.

Aadar, el poate funciona n cele patru cadrane descrise: (1+), (1-),
(3-), (3+). Cele mai uoare regimuri de aprindere (Fig. 1.21) se ntlnesc, n
ordine, respectiv pentru modurile (1+), (3-), (1-), (3+). Dac avem o
surs de
comand cu impulsuri unipolare, vom alege modurile (3-), (1-), evitnd astfel
ultimul mod, care este cel mai dificil din punct de vedere al mrimii
curentului de poart IG.
Ca i tiristorul, triacul poate fi distrus prin efect di/dt i poate comuta
necontrolat, n mod direct, prin efect dv/dt, protecia realizndu-se prin grupul
R-C.
13

Fig. 1.18. Simbolul de circuit al triacului i

structura sa.

Fig. 1.19. Reprezentarea cu ajutorul a dou

tiristoare antiparalele pentru triac.

Fig. 1.20. Caracteristica static a triacului.

Fig. 1.21. Cadranele de conducie comandat

ale triacului.

1.2.4. Parametrii de catalog. Determinarea pierderilor de conducie

direct
n cataloage, se specific parametrii pentru tensiuni i cureni ntre
cele dou terminale principale, valori pentru mrimile din circuitul de poart,
precum i caracteristici termice ale dispozitivului.
Astfel, sunt prezentate n Fig. 1.22 definiiile urmtoarelor mrimi:
VDSM; VRSM: tensiunea maxim nerepetitiv, care poate fi blocat de tiristor,
la polarizare direct, respectiv la polarizare invers.
VDRM; VRRM: tensiunea maxim repetitiv, care poate fi blocat de tiristor, la
polarizare direct respectiv la polarizare invers.
14

VDWM; VRWM:

Tensiunile maxime repetitive,

de lucru.

curentul
IT(AV):
mediu prin tiristor. Se
presupune c acesta conduce
1800, iar Tamb<850 C.

valoarea
ITRMS:
efectiv a curentului.

curentul
ITRM:
maxim repetitiv.

curentul
ITSM:
maxim nerepetitiv care poate
aparea prin tiristor, pentru un
interval de timp determinat.
Pentru circuitul de
poart se precizeaz IGT, IGM,
VGT,

PGM, adic respectiv

curentul
de
aprindere,
valoarea maxim a curentului
de poart, tensiunea poartcatod la aprindere, puterea
maxim din circuitul de
poart. Putem estima puterea
disipat pe un tiristor prin
aproximarea
caracteristicii
sale directe cu ajutorul
tangentei, n punctul de
funcionare.
Puterea instantanee
este:
pd = v Ai A

v A = VD + rd iA

(1.8)

Fig. 1.22. Diagramele explicative cu formele de

und de tensiune i curent pentru un tiristor i
valorile lor maximale din catalog.

(a)
(b)
Fig. 1.23. (a) Circuitul termic al puterii disipate ntro capsul de tiristor; (b) Aproximarea caracteristicii
directe la un tiristor.

(1.9)
Exprimm puterea medie pe dispozitiv n funcie de rezistena dinamic rd:
2
(1.10)
Pd ( AVR ) = VD I A( AVR ) + rd I
A( RMS )

15

Circuitul termic pentru disiparea puterii include rezistenele care intervin

ntre punctele de temperaturi Tj, Tmb, Th, Ta, adic respectiv ale jonciunii, ale
capsulei, ale contactului capsul-radiator i mediului ambiant.
1.3. Tiristoare cu blocare pe poart (GTO)
1.3.1. Structura i particularitile unui GTO
Tiristorul cu blocare pe poart GTO (Gate Turn-Off Thyristor) este
un dispozitiv cu structura PNPN, care poate fi amorsat ca un tiristor obinuit,
cu un curent pozitiv prin terminalul de comand (poart), dar, n plus, poate
fi blocat, prin polarizare invers a circuitului poartcatod (cu "-" la G, "+" la
C), ceea ce produce un curent negativ de poart. Dispozitivul GTO combin
avantajele de baz ale unui tiristor (suport cureni i tensiuni ridicate) cu
cele ale unui tranzistor (n primul rnd, prin faptul c poate fi stins prin
aplicarea unui curent negativ de poart).
Posibilitatea de blocare a dispozitivului GTO confer acestor o
plaj mare de aplicaii n domeniul electronicii de putere (invertoare,
choppere, contactoare statice de c.c. etc.), ca urmare a simplificrii circuitelor
d
A
e for.
A
A
A
P1>>N1
J1
N1
J2

G
C

P
2
>
>
N
C 1

G
C

N2

N2

J3
G
N2

Fig. 1.24. Simboluri folosite i structura tiristorului GTO.

Unul dintre avantajele principale ale unui GTO, n comparaie cu un

tranzistor bipolar de putere, const n puterea relativ redus consumat pe
poart.
Acest fenomen se datoreaz faptului c GTO necesit cureni de
comand numai pe durata proceselor tranzitorii de comutaie direct,
respectiv invers, nu i n starea de conducie.
n Fig. 1.24, sunt prezentate simbolurile i structura
dispozitivului
GTO. Straturile P1, P2, N2 sunt puternic dopate n comparaie cu N1. Valoarea

1
6

tensiunii de blocare la polarizare direct este dat de grosimea stratului N1.

Catodul N2 este format din catozi elementari legai ntre ei printr-o suprafa
metalizat. n aceste condiii, GTO poate fi privit, n ansamblu ca o structur
multicelular. O consecin imediat a unei asemenea structuri o reprezint
valorile destul de ridicate ale curenilor IGT, IL i IH, care sunt aproximativ de
10 ori mai mari fa de curenii din tiristoarele convenionale, ce au aceeai
suprafa de cristal i aceeai tensiune de blocare.
1.3.2. Funcionarea GTO-ului. Caracteristica de comand
Schema echivalent a unui GTO este identic cu cea a unui tiristor
convenional, fiind realizat cu ajutorul a dou tranzistoare complementare.
Intrarea n conducie direct este ca a unui tiristor obinuit, ecuaia
curentului anodic fiind:
I
I
(1.21)
IT = n G + CB0
1 ( + )
n Fig. 1.25, este prezentat caracteristica de comand.
La comutaie
direct, punctul de comand trebuie s fie situat n

zona A. Dac valoarea lui V

GT
L1
este aceeai pentru GTO i
L2
I
tiristor convenional, valoarea
G
lui IGT a GTO-ului poate fi de 10
GM
ori mai mare (VGT=VG(25C);
A
A
IGT=IG(25C)). Avnd n vedere
structura
multicelular
a
GT
V
pentru o intrare
GTOGR
GR min
GRM
conducie direct,
ului,
V
GT
GM
GT
GM
sigur n comand trebuie s
IGR min
B
injecteze
circuitul un curent de poart de
i
I
de
valoare
aproximativ (5IGT)
GRM
viteza
de
cretere
de
n
(diG/dt 10A/s). n cazul
GR
I
care nu sunt respectate aceste
Fig.
1.25.
Caracteristica
de
comand.
cerine, exist posibilitatea ca o
parte din celulele GTO-ului s
nu intre n conducie, acestea scurtcircuitndu-se, i s determine creterea
periculoas a curentului prin celulele amorsate, iar GTO-ul se poate distruge.
Comanda de comutaie invers (blocare) se realizeaz prin
extragerea unui curent negativ de poart:
p

17

I
I G = CBO

(1.22)

n relaia de mai sus exprimnd ICBO n funcie de curentul anodic IT, curentul
IG devine :

Deci,

IG = 1 (P + IT
n
pentru a obine
o comutaie
)
n

(1.23)
invers ferm , este necesar ca valoarea

curentului (-IG=IGR) s satisfac inegalitatea:

I GR 1 p +

IT , IGR 0.2 0.3 IT

(1.24)

Valoarea negativ a sursei de tensiune pentru extragerea acestui

)
curent nu trebuien s depeasc valoarea maxim V . Caracteristica de
GRM
comand pentru acest mod de funcionare se afl n cadranul trei, zona B i ea
nu poate exista la un tiristor obinuit. Pentru GTO de mare putere, curentul
negativ de poart poate atinge valori destul de mari, ajungnd uneori la sute
de amperi, ceea ce creeaz un dezavantaj major. GTO trebuie s aib
inductana de poart foarte mic (n domeniul nH). n Fig. 1.26 este
prezentat forma de und a curentului de comand pentru GTO BIW 58 n
care avem intervalele de timp:

t1 timpul de comutaie direct;

t2 timpul de conducie;

t3 timpul de comutaie invers.

1.3.3. Regimul de comutaie la GTO
n prezent, exist GTO care lucreaz la tensiuni i cureni foarte
mari, dar frecvenele lor de funcionare sunt limitate la 1kHz. Regimul
dinamic al GTO la comutaia direct este identic cu cel al tiristorului obinuit,
n schimb regimul dinamic la comutaia invers este diferit. n Fig. 1.27, este
prezentat diagrama corespunztoare pentru regimurile dinamice menionate.
n cazul comutaiei inverse, timpii caracteristici sunt:
- timpul de stocare tS (storage time), care caracterizeaz ineria GTO
n rspunsul lor la curentul negativ de poart. Este delimitat de momentul n
care curentul invers pe poart atinge valoarea 0.1IGRM i de cel n care
curentul iT ajunge 0.9ITGQ (90% din valoarea iniial). Cderea de tensiune pe
GTO n acest interval, vT rmne neschimbat. Creterea amplitudinii IGRM i
a ratei diGR/dt pentru curentul de intrare conduce la micorarea substanial a
lui tS;
18

- timpul de cdere tf (fall time), care este definit ca intervalul de

timp n care curentul anodic
scade de la 0.9 la 0.1 din valoarea i (A)
iniial corespunztoare strii de G1
conducie. Variaia rapid a 0.8
curentului este nsoit de
t
creterea rapid a tensiunii
0
anodice. Puterea instantanee pe
2

dispozitiv, pe durata tf, poate

atinge
valori
apreciabile,
conducnd uneori la distrugerea
7
dispozitivului prin efect termic;
t1
t2
t3
- timpul de ncheiere tt
i
(tail time), care este stabilit prin GR
(A)
convenie, ca intervalul de timp
Fig.
1.26. Forma de und a curentului de
n care curentul anodic scade de
comand.
la 10% la 2% din valoarea sa
corespunztoare conduciei directe. Timpul total de blocare este suma celor
trei timpi:
(1.25)
t =t +t +t
s

off

Scderea curentului de poart pe msura desfurrii procesului de blocare se

datoreaz creterii rezistenei interne poartcatod de la aproximativ 10m,
la nceputul lui ts, pn la cteva sute de ohmi la sfritul momentului tt.
i

ITGQ

0.9 I TGQ

VD

vT

0.1 ITGQ
t gd

iG

0.1

IGM
I GRM

comutatie
d

conductie directa

ire
cta

ts

tf

tt

t off
comutatie inversa

IGRM
i

GR

Fig.1.27. Formele de und corespunztoare comutaiei directe, conduciei i comutaiei inverse.

19

O problem important care apare tot n cazul comutaiei inverse o

reprezint aceea n care tiristorul GTO lucreaz cu sarcini care au un caracter
puternic inductiv. n aceast situaie, avem de-a face cu supratensiuni pe
GTO de valori destul de mari, iar limitarea acestui efect se poate obine prin
utilizarea circuitelor de protecie de tip "snubber" R-C-D.
1.3.4. Circuite de comand
Proiectarea etajelor finale pentru comand a porii, la comutaia
direct nu ridic probleme, etajele fiind asemntoare cu cele care comand
tiristoarele convenionale. n schimb, circuitele de comand pentru comutaia
invers au o serie de particulariti, cum ar fi :

amplitudinea
i
+V
durata impulsurilor negative de
+Vcc
comand n blocare trebuie s fie
T1
net
superioare
impulsurilor
vc
Rl
de
comand
n
pozitive,
i
GF
C
R1
conducie;

rata de cretere a
semnalul
negativ
R2
i GR
Dz
(dvGR/dt
ui
,diGR/dt) trebuie s
V
on
timpul necesar stabiliriiminimizeze
curentului
T2
IGR la valoarea sa maxim IGRM..
0
Circuitele de comand se pot
Fig.1.28. Circuit de comand fr izolare
mpart n dou categorii:
galvanic.

circuite cu cuplaj
+V
direct ;

circuite cu izolare
R
C
galvanic ; acestea, fa de
R
primele circuite, realizeaz o
separare ntre circuitul de for i
D
cel de comand, izolare realizat
V1
fie
cu
transformatoare
de
i
i
GR
p
impulsuri, fie cu optocuploare, i
T
au rolul de a evita apariia
accidental
n circuitul de
Von
comand a tensiunilor mari
Fig.1.29.
Circuit de comand cu izolare
(aceste tensiuni, sunt de obicei
galvanic.
tensiunile de alimentare ale
circuitului de sarcin).
L

20

n Fig. 1.28, este prezentat schema de comand a GTO-ului cu

cuplaj direct. Pentru tensiuni Von pozitive, tranzistorul T1 conduce, iar T2 este
blocat. Curentul furnizat de T1, ncarc pe de o parte condensatorul C la
tensiunea vc(t) cu polaritatea din figur i asigur curentul iGF, necesar
comutaiei directe a GTO. Valoarea tensiunii de pe condensatorul C este
limitat la valoarea Vz. La aplicarea tensiunii negative Von, tranzistorul T1 se
blocheaz, tranzistorul T2 intr n conducie i determin descrcarea
condensatorului C prin T2 i jonciunea poartcatod a GTO-ului. Curentul
de descrcare al condensatorului C determin comutaia invers a
iGR
tiristorului GTO.
n Fig. 1.29, se prezint schema de comand a GTO cu izolare
galvanic realizat cu ajutorul unui transformator de impulsuri.
Dac tranzistorul T este blocat, tiristorul GTO este n conducie.
Comanda de saturare a tranzistorului T permite trecerea curentului ip n
primarul transformatorului. Tensiunea indus n secundar cu
polaritatea din figur, determin conducia direct a diodei D i faciliteaz
extragerea curentului
din poarta GTO blocndu-l. Prezena
iGR
condensatorului C determin un supracurent pe poart, atunci cnd se iniiaz
procesul de comutaie invers.
1.4. Tranzistorul MOS de putere
1.4.1. Simbol. Structur. Principii de funcionare
Structural, tranzistorul clasic de tip MOS este format dintr-un
semiconductor de tip P, n care sunt difuzate dou zone de tip N, de unde se
extrag terminalele de dren (D) i surs (S), Fig. 1.30. n Fig. 1.31, sunt
prezentate simbolurile tranzistorului MOSFET cu canal N.
Aplicarea unei tensiuni vGS pozitive ntre gril i surs determin
mrirea concentraiei de purttori minoritari (electroni), n zona de jonciune
dintre semiconductorul P i stratul de oxid. Dac valoarea tensiunii v
GS

depete valoarea tensiunii de prag VGSP, n zona de jonciune vor fi numai

sarcini negative. Zona de tip N astfel format constituie un canal ce leag

sursa S de drena D. Curentul de dren iD , obinut prin aplicarea unei tensiuni
pozitive ntre dren i surs vDS, poate s treac prin acest canal i, n aceste
condiii, MOSFET-ul devine conductor. Configuraia prezentat ofer
curentului de dren un traseu "orizontal", adic paralel cu suprafaa
cristalului.
Apariia MOS-ului de putere se datoreaz noilor tehnologii, care au
permis s se ofere curentului de dren iD un traseu vertical, adic paralel cu
21

suprafaa pastilei. La nceput, s-au realizat tranzistoare de tip VMOS, V-ul

caracteriznd traiectoria vertical a curentului i forma n V a tieturii la
suprafaa cristalului. Structura unui tranzistor VMOS este prezentat n
Fig. 1.32. La ora actual, cei mai utilizai tranzistori sunt cei de tip DMOS,
D-ul indicnd procedeul de dubl difuziune, folosit n realizarea lor. n Fig.
1.33, este redat structura unei celule DMOS, pe ansamblu, un tranzistor
fiind format din mai multe astfel de celule.
La MOS-urile de putere, drena este format din dou straturi N (N+
i N ). ntr-o prim difuzie, se introduc poriuni P n substratul N-, iar n cea
de a doua difuzie se introduc poriuni N+ n substratul P (difuzat anterior).
S

Metal

D
i
D

SIO

G
V

P
V

DS

GS

Substrat

Fig.1.30. Structur clasic de

MOSFET.
S

tranzistor

Fig.1.31. Simboluri pentru tranzistoare

MOSFET.
G

SiO

N+

P -

J3

P+

J2

N -

N+

J1

Fig. 1.33. Structura tranzistorului DMOS.

Fig. 1.32. Structura tranzistorului VMOS.

Aplicarea unei tensiuni pozitive v

superioare tensiunii de prag V
GS
GSP
determin apariia canalului de tip N prin care poate circula curentul de la
dren la surs.

22

1.4.2. Caracteristici statice ale MOSFET-ului

Caracteristica de ieire
n Fig. 1.34, este prezentat variaia curentului de dren iD n funcie
de tensiunea v pentru diferite valori ale tensiunii v
Dup cum am
DS

GS.

menionat anterior, pentru valorile lui vGS mai mici ca VGSP, curentul iD este
foarte mic. Pentru tensiuni v mai mari ca V , curentul i ncepe s
GS
GSP
D

creasc. n electronica de putere n general, tranzistorul lucreaz ca un

comutator.
Caracteristuca de intrare
Din punct de vedere teoretic, grila find izolat, n regim static
vloarea curentului care circul ntre G i S este nul. n realitate datorit
structurii sale interne, prin MOS circul un curent a crei valoare este foarte
mic de ordinul microamperilor. Caracteristica principal a
MOS-ului o
impedana foarte mare de intrare
Iconstituie
(A)
I (A)(M).
D

15

10
20

T C = 2 5

V
V GS (V)

150

16

10

12
5

8
4

3
0

Fig. 1.34. Caracteristica

parametru; VDS=25V.

2
8 V DS (V)

ID=f (VDS) cu Tj,

n Fig. 1.35 este trasat

caracteristica de transfer a curentului
pentru V
ID in funcie de
VGS
DS
constant. Se observ c atunci cnd
tensiunea v
depete valoarea
GS
tensiunii de prag V
care este de
GSP
obicei ntre 2 i 4V, curentul iD crete
rapid.
Creterea
temeraturii
determin o scdere a tensiunii de
23

V GS (V)

Fig.1.35. Caracteristica ID=F(VGS) cu Tj,

parametru; VDS=25V.
R

DSON

()

2 .5

0.
5

V (V)

0.
4
0.
3
0.
01 .
2 0

GS

10

12

16

20 I (A)
D

Fig. 1.36. Caracteristica RDSON=f(ID)

cu parametru VG ; Tj=25C.

prag VGSP, dar, favorizeaz apoi creterea mai lent a curentului iD n funcie
de tensiunea vGS.
Rezistena aparent n starea de conducie RDSON

n Fig. 1.36, este prezentat variaia rezistenei RDSON n funcie de

curentul ID pentru diferite valori ale tensiunii vGS:
R DSON =

v DS

(1.26)

iD

Structura multicelular a MOSFET-ului de putere, permite punerea n paralel

a tuturor rezistenelor celulelor, pe ansamblu obinndu-se o valoare a lui
RDSON foarte mic.
Diode i capaciti parazite
Structura intern a MOSFET-ului, succesiunea zonelor N, P i Ndetermin apariia unui tranzistor bipolar NPN parazit. Prin metalizarea
sursei care se ntinde peste zonele P i N difuzate, se scurtcircuiteaz JBE a
tranzistorului parazit, rmnnd practic activ n aceste condiii JCB, care
determin apariia unei diode parazite, ce are drept anod, sursa S, iar catodul
este drena D, ca n Fig. 1.37.a. Aceast
D
diod parazit se comport ca o diod
D
redresoare i drept urmare, nrutete
timpii de comutaie ai MOSFET-ului. G
G
D2
Pentru nlturarea acestui impediment n
paralel cu dioda parazit se conecteaz
S
o diod rapid D2, ca n fig. 1.37.b,
S
b
a
dioda D2 fiind implementat pe aceeai
Fig.1.37. MOSFET cu (a) Diod parazit
capsul cu MOSFET-ul. Viteza de (b)Diod rapid n paralel i dioda
comutaie a unui tranzistor MOSFET parazit.
este limitat de capacitile parazite CGS,
D
CGD i CDS, (Fig. 1.38) este
unde: capacitatea
CGS
C
stratului de oxid ce izoleaz grila i
GD
variaz puin cu tensiunea vDS;
G
C
DS
format
n
urma
CGD
acumulrilor de sarcin n zona P sub
gril i este dependent de tensiunea vDS.

CDS capacitatea dren surs

i este inclus deobicei n calcule n

capacitii
capacitatea C . Influena
GD

24

GS

Fig.1.38. Capacitile parazite ale

MOSFET-ului

parazite n momentul comutaiei directe a MOSFET-lui este prezentat n

continuare.
capacitatea de intrare (ieirea n scurtcircuit) CISS :
C
C ISS = CGD + CGS

(1.27)
capacitatea de reacie gril

C ISS C GS

dren C :
rss

iss

C rss = C GD

capacitatea

GS

de

(1.28)
ieire

v DS
DS ON

GD

(intrarea n scurtcircuit) Coss:

Coss = CGD + C DS

DS OFF

Fig. 1.39. Evoluia capacitilor

(1.29)
Ciss, CGS i CGD funcie de vDS.
n Fig. 1.39 se prezint modul
de variaie al capacitilor sus-menionate n funcie de tensiunea v .
DS

Evoluia tensiunii vGS n funcie de sarcina QG acumulat la comutaia direct

este ilustrat n Fig. 1.40. n aceast reprezentare, se disting trei zone i

anume:

n zona 0-1,
VGS
MOSFET-ul este blocat, iar
capacitatea
de
intrare
VGG
C
se ncarc sub
3
CissOFF
GS
avnd
panta
tensiunea v ,
(Vcc,I')

DS

panta=1/Cissoff

(Vc
c,I) (Vcc',I)

Ciss OFF

n zona 1-2,
tensiunea vDS scade de la VCC
la vDSON, iar tensiunea vGS nu
se modific. Variaia sarcinii
contribuie la descrcarea

VGS1

2
pant a=1/Cisson

capacitilor CGD i CDS

QG1

QG2

(t1)

(t2)

QG3 Q

(t3) (t)

2-3,
Fig. 1.40. Evoluia vGS (QG) la comutaie direct.

n
capacitatea
de zona
intrare se
ncarc pn la intrarea n conducie direct a tranzistorului MOS; n aceste
condiii capacitatea de intrare devine:
(1.30)
CissON = CGS + CGDON
iar tensiunea vDS scade pn la valoarea: (vDSON=RDSONI). Pentru un curent I,
superior curentului I, caracteristica arat ca n varianta cu linie punctat, iar
pentru o tensiune CC superioar tensiunii V CC caracteristica arat ca n
V
varianta cu linie ntrerupt.
25

1.4.3. Comutaia direct a tranzistorului MOSFET

Se consider circuitul din Fig. 1.41 i se presupune c valoarea
curentului I este constant pe durata unei perioade de comutaie. Schemele
echivalente ale circuitului i
formele de und corespunztoare
I
procesului de comutaie direct
sunt prezentate n Fig. 1.42,
V
L
respectiv Fig. 1.43.
CC
D
n primul interval de
timp (0-t1), dac este indeplinit
iD
inegalitatea:
R
i
0<vGS<VGSP,
G
G
capacitatea de intrare C ncepe
iss
v
s se ncarce prin RG , iar VG
G
v
tensiunea de comand vGS ncepe
S
DS
s creasc de la 0 la valoarea
Fig.1.41. Circuit de comand pentru analiza
determinat de V . Expresiile
fenomenelor de comutaie.
GG

tensiunii vGS i curentului iG sunt:

vGS = VGG (1 e
iG =

VGG
RG

t
RG CGS

t
RG C GS

(1.31)

n continuare, dac VGSP<vGS<VGS1, capacitatea Ciss continu s se

ncarce, ajungnd, la sfritul primului interval de timp cnd v

devine
GS
VGS1, s aib valoarea: Ciss= CissOFFCGS.
Depirea tensiunii de prag V
determin o cretere rapid a
GSP
curentului iD. Att timp ct iD<I, dioda D conduce, tranzistorul MOSFET va fi
blocat, iar circuitul echivalent este cel din Fig. 1.43.a.
n momentul cnd t=t1, curentul iD atinge valoarea I i dioda se
blocheaz. n aceste condiii tensiunea vGS este:
v GS 1 = V GG (1 e
t 1 = R GC GS ln

R G C GS
t1

V GG

(1.32)

V GG V GS 1

Al doilea interval de timp ncepe la momentul t = t1, cnd scderea

tensiunii vDS determin descrcarea capacitilor CGD i CDS. La momentul
t=t1, tensiunea vGS1 este constant, iar curentul iG este:
26

V GG V GS 1
= const

iG =

RG

i G = C GD

d ( v DS v GS )
;i

dt

(1.33)
= C rss

Tensiunea vDS descrete cu panta

dv DS
dt

dvDS

dt

, circuitul echivalent este cel

din Fig. 1.43.b. Sfritul celui de-al doilea

interval de timp are loc la momentul t2;
durata acestui interval
QG 2 fiind:
QG1
t2 t1

(1.34)

iG

Momentul de timp t2 constituie nceputul celui de-al treilea interval

de timp n care MOSFET-ul intr n conducie. Din motive de
securitate, pentru intrarea ferm n conducie a MOSFET-ului, tensiunea vGS
se crete
se ncarce,
la sfritul
intervalului
valoareacapacitatea
CissON, iar de
tensiunea
pn
la valoarea
VGG. natingnd
aceste condiii,
intrarevGSCiss
continu s
D

RG
VG

iG

GS

GD

DS

CC

GG

GS

V
GS1

GS V
DS

a
i D =
C
i
V
GG

GD

RG

iG

i =I
D

R G

GD

G
C

R
DSON
C DS

- V

DSON

GS

c
Fig.1.42. Schemele echivalente la comutaia direct, a) intervalul 0-t1. b) intervalul t1t2. c) intervalul t3-t4.

27

DS

este:
v GS = V GG + (V GS 1 V GG ) e

Ciss =

QG3 QG2
VGGV GS1

(1.35)

= CissON

V GS

t
R G C issON

V
GS

GG

VG

V
GS
V 1
GSP

VGS

1
t

iD

i
D
I

I+IRM
I
t rr

t0

v DS

Vcc

VDS

Vcc
VDS ON
DS
toff

t c on

iG
VGG

G
0

t4

t5

t6
t

RG

t1

t2

t3

Fig.1.43. Formele de und la comutaia

direct.

Fig.1.44. Formele de und la

comutaia invers.

28

i tensiunea v devine V
DS
DSON=RDSONI,
Fig.1.43.c.

iar circuitul echivalent este cel din

1.4.4. Comutaia invers a tranzistorului MOSFET

Pentru studiul comutaiei inverse, se folosete acelai circuit ca cel
din Fig. 1.41. Formele de und corespunztoare comutaiei sunt prezentate n
Fig. 1.44.
Iniierea comutaiei inverse se realizeaz prin scderea tensiunii v

GS
de la V la zero. n prima etap, se descarc capacitatea de intrare
prin
GG
rezistena RG, curentul IG fiind negativ. Aceast etap dureaz pn la
momentul t4.
A doua etap ncepe de la t4 i se termin la timpul t5; n acest
interval, tensiunea vDS crete, dar curentul iD rmne egal cu I (dioda D fiind
nc blocat).
A treia etap incepe de la t5 i se sfrete la t6, curentul iD se
anuleaz, iar dioda D devine polarizat direct i intr n conducie.
La momentul t=t6, tranzistorul este blocat, capacitatea de intrare continu s se
vGS.
descarce pn la anularea tensiunii
Capacitile parazite au
valori de ordinul a ctorva sute de pF, timpii de comutaie ai MOSFET-ului
sunt foarte redui, iar frecvena de funcionare poate ajunge pn la 10 MHz.

1.4.5. Circuite de comand a tranzistorului MOSFET

Comutarea unui MOSFET implic ncrcarea, respectiv descrcarea
capacitii de intrare Ciss, capacitate ce este inclus n cip. O tensiune pozitiv

Fig.1.45. Circuit de
realizat cu CI CMOS.

comand

29

Fig.1.46. Circuit comand MOSFET.

aplicat ntre poart i surs de pn la 15V determin intrarea n conducie a

MOSEFT-ului. Pentru micorarea timpilor de comutaie este necesar ca la
comutaia direct, ct i la cea invers s se genereze impulsuri de curent, cu
rolul de ncrcare, respectiv, descrcare rapid a capacitii de intrare.
n Fig. 1.45, este prezentat cea mai simpl schem de comand a
unui MOSEFT, realizat cu ajutorul unei pori logice. Pentru obinerea unor
timpi de comutaie mai mici, se utilizeaz un circuit de comand
implementat tot cu ajutorul unui CI CMOS, ca n Fig. 1.46.
Un alt circuit de comand este prezentat n Fig. 1.47 i poart
denumirea push-pull. Dac T1 este n conducie, T2 este blocat, curentul de
colector al tranzistorului T1 determin ncrcarea capacitii de intrare a lui T3
i, implicit, comutaia direct a acestuia. Pentru comutaia invers a
MOSFET-ului se comand T2, tranzistorul T1 se blocheaz, iar curentul de
colector a lui T2, prin descrcarea capacitii de intrare, va bloca pe T3.
Circuitul de comand prezentat este fr izolare galvanic.
n Fig. 1.48 se prezint o schem de comand a unui tranzistor
MOSFET, folosind un transformator de impulsuri ce realizeaz izolarea
galvanic ntre circuitul de for i cel de comand. Dac tensiunea din
secundarul transformatorului de impulsuri are semnul "+", la pinul notat cu
"A" capacitatea de intrare a lui T1 se ncarc prin dioda parazit D, a lui T2.
Cnd tensiunea din secundar devine zero, capacitatea de intrare i
continu ncrcarea cu ajutorul capacitii C i, implicit, se realizeaz
comutaia direct a MOSFET-ului. Cnd pinul "B" devine pozitiv,
tranzistorul T2 intr
n conducie, polariznd invers poarta lui T1 i va determina
Vcc
descrcarea
T2
T1
T1
capacitii de intrare i comutaia invers a MOSFET-ului T1.

A
T3

T2

Fig.1.47. Circuit de comand realizat cu

tranzistoare n configuraia push-pull.

C
D

Fig.1.48. Circuit de comand cu izolare

galvanic.

1.5. Tranzistorul unijonciune (TUJ)

Tranzistoarele unijonciune au fost nc de la nceput utilizate cu
rezultate foarte bune pentru construcia oscilatoarelor de
relaxare, a
30

circuitelor de temporizare pentru comanda tiristoarelor i n alte aplicaii care

vor fi menionate n acest paragraf.
1.5.1. Proprietile i caracteristicile TUJ-urilor n regim static
Fenomenele fizice care stau la baza funcionrii tranzistoarelor
unijonciune sunt dependente de structura folosit, de construcia i de
tehnologia adoptat. n cele ce urmeaz, se va avea n vedere structura bar
cu disc de ceramic din Fig. 1.50. Simbolul de reprezentare, tensiunile i
curenii n tranzistorul unijonciune sunt artate n Fig 1.49.
Baza 1 este conectat la mas
iar la Baza 2 se aplic o tensiune
pozitiv de polarizare vBB, de valoare
constant. Pe emitor, se aplic o
tensiune pozitiv n raport cu masa vE,
care se
crete ncepnd de la zero,
tipic al caracteristicii statice este
trasndu-se
caracteristica iE =
reprezentat nastfel
Fig. 1.51.
Fig. 1.49. Tensiunile i curenii TUJ-ului.
f(vE). Aspectul
La v = 0, n circuitul
E

emitorului circul un mic curent invers

(punctul A). Cnd vE crete, iE descrete
n valoare absolut pn n punctul B,
cnd se anuleaz. Folosind acum un
generator de curent i crescnd pe iE, vE
va crete de asemenea.
n punctul P (punct de vrf),
tensiunea de emitor are o valoare
maxim VP denumit tensiune de vrf,
iar
curentul
de
emitor
corespunztor este denumit curent de
vrf (IP). Dac se
crete n continuare curentul de
emitor, utilizndu-se o surs de curent, se
constat o scdere a tensiunii de emitor
pn n punctul V (punct de vale) cnd
vE are un minim. Coordonatele punctului
V sunt denumite tensiune de
vale (VV), respectiv curent de vale (IV).
Pe caracteristica
31
static se
remarc trei regiuni cu
particulariti

Fig. 1.50. Structura unui TUJ tip bar.

Fig. 1.51. Caracteristica static IE=f(ue).

deosebite: regiunea de blocare AP, regiunea de rezisten negativ PV i

regiunea de saturaie, situat la dreapta punctului V. Fenomenele fizice care
au loc n interiorul barei de siliciu difer de la o regiune la alta.
Considerm un punct O din interiorul barei de siliciu, situat la
nivelul emitorului. Dac aplicm o tensiune vBB, ntre cele dou baze n
interiorul siliciului de tip n, se stabilete un cmp electric i atunci va
circula un curent electric. Rezistenele barei cuprinse ntre punctul O i
rB1
contactul bazelor se noteaz
cu
i rB2, iar suma lor sau rezistena
interbaz,
respectiv
raportulnotde divizare intrinsec (n englez: Stand-off ratio)

rB1
(1.36)
sunt date mai jos:
; =
rBB = rB1 + rB 2

rBB

n aceste condiii, tensiunea vE ntre punctul O i contactul bazei 1 este

(vBB).

Se disting mai multe regimuri de funcionare:

regimul de blocare (tiere) apare att timp ct vE < (vBB).

Astfel, jonciunea pn este polarizat invers i n circuitul emitorului
circul curentul invers al jonciunii, de valoare foarte mic. Pe msur ce vE
crete, iE
scade n valoare absolut. n punctul B, tensiunea vE = (vBB) i ct
timp
vE < (vBB)+VD , prin jonciunea pn vom avea un curent direct, cresctor i
de valoare relativ mic;

regimul de rezisten negativ ncepe din punctul P n care

vE = (vBB)+VD, iar curentul atinge valoarea IP. Dac cretem curentul peste
valoarea IP, o mare cantitate de goluri se injecteaz din emitor n bar. Sub
aciunea cmpului electric, golurile respective se deplaseaz spre contactul
bazei 1, mrind conductivitatea sa ntre puncul O i baza 1 i, implicit,
scznd rezistena acestei poriuni n raport cu valoarea din zona de blocare.
Golurile se recombin cu un numr egal de electroni din circuitul exterior, la
contactul bazei 1 pentru meninerea neutralitii electrice a barei. Ca urmare a
scderii rezistenei barei ntre emitor i baza 1, scade i tensiunea vE fa de
valoarea de vrf. Procesul descris, denumit modulaie de conductivitate,
continu pe msur ce curentul iE crete i astfel apare regiunea de rezisten
negativ, din Fig.1.51.

regimul de saturaie se instaleaz o dat cu creterea curentului

de emitor (peste 500mA), ca efect al scderii mobilitii purttorilor de
sarcin. Astfel, este compensat creterea concentraiei de purttori i
conductivitatea va pstra o valoare relativ constant. Panta dreptei de pe
caracteristic este cunoscut sub denumirea de rezisten dinamic de
saturaie. n aceast regiune, curentul iB2 devine neglijabil, iar caracteristica
este asemntoare cu cea a unei diode.
3
2

1.5.2. Scheme echivalente n regim static

pentru modelarea unui TUJ
Pentru caracterizarea funcionrii TUJ-ului n regim static, s-au
propus mai multe scheme echivalente, la baza crora stau fenomenele fizice
i procesele menionate anterior. n general, se stabilesc scheme echivalente
separate pentru cele trei regiuni de funcionare a TUJ-ului.
Schema echivalent valabil pentru zona de blocare (Fig. 1.52.a)
cuprinde rezistenele ohmice ale poriunilor barei situate ntre contactele
bazelor i un punct O situat la nivelul emitorului (punct de injecie) i dioda
corespunztoare jonciunii emitorului.
n zona de rezisten negativ, rezistena dintre punctul O i baza 1
se poate considera ca o sum dintre o rezisten pozitiv rS (rezistena de
saturaie) i o rezisten dinamic negativ rN. Rezistena de saturaie are o
valoare independent de iE, pe cnd rN variaz cnd iE crete. Atunci cnd
concentraia de goluri ajunge la o valoare mare (106/cm3), rN devine practic
egal cu zero (punctul de vale). Urmeaz zona de saturaie n care schema
echivalent ia forma din
Fig. 1.52.b.
n zona de rezisten negativ, caracteristica static este teoretic
neliniar din cauza variaiei rezistenei rN cu iE. Practic, exist o poriune
ntins a caracteristicii, care poate fi considerat liniar, dup care
urmeaz zona profund neliniar din apropierea punctului V.
Un alt mod de a lua n considerare fenomenul de modulaie a
conductivitii este montarea unui generator de curent n serie cu o rezisten,
n paralel cu rezistena rB1.

(a)
(b)
(c)
Fig. 1.52. Schemele echivalente respectiv pentru: (a)-zona de blocare; (b)-zona de rezisten
negativ; (c)-ambele regimuri de funcionare.

33

Astfel, se ajunge la schema echivalent din Fig. 1.52.c. Curentul dat

de generator este considerat proporional cu curentul de emitor (iE), iar rS
reprezint rezistena ohmic ntre emitor i baza 1, care nu este influenat de
modularea de conductivitate. Aceast schem echivalent este valabil att
pentru zona de rezisten negativ, ct i pentru cea de saturaie, cu alegerea
convenabil a coeficientului .
1.5.3. Oscilatoare de relaxare cu TUJ
Oscilatorul de
relaxare este circuitul
de baz n cele mai
multe aplicaii ale TUJului. El este utilizat n
circuite multivibratoare,
circuite pentru comanda
tiristoareloretc. Schema
de baz este prezentat
n Fig. 1.53.
Fig. 1.53. Formele de und asociate unui oscilator de
Cnd se aplic
relaxare cu TUJ .
tensiunea de alimentare
V1, condensatorul se ncarc exponenial prin rezistena R, pn la valoarea
de vrf VP=V1. La aceast tensiune, jonciunea EB1 este polarizat direct i
rezistena dinamic devine negativ.
Prin descrcarea condensatorului prin EB1 pe rezistena R2, va
aprea un impuls pozitiv. Cnd tensiunea VC scade la valoarea VV, TUJ-ul
trece n starea blocat. Condensatorul se va rencrca i funcionarea se
repet. Pentru calculul perioadei de oscilaie T , obsevm c t2<<t1, deci vom
considera Tt1:
RC

(1.37)
vC (t ) = V + (V0 + V )e t

(1.38)
(1.39)

V0 = VV ; V = V1
VC (t1 ) = V1

Considernd i aproximaia VV <<V1, avem n continuare relaiile:

V V
V V0 1

1
1

(1.40)

RCln a unui oscilator care s asigure condiia

T = RClnproiectarea
; T corect
Pentru
de oscilaie, trebuie s fie ndeplinit fie condiia din graficul 1.54., n care

34

dreapta de sarcin intersecteaz caracteristica TUJ-ului n zona de rezisten

negativ, fie condiia analitic:
IP
IV
1
(1.41)
<
<
tg 1 < tg < tg 2 ;
V1 (1 ) R
V1 VV
Se
observ,
la
oscilatorul din Fig. 1.53, c,
pentru a modifica perioada de
oscilaie, trebuie s modificm
rezistena R, deci curentul de
ncrcare al condensatorului.
O alt metod ar putea
modifica valoarea iniial V0.

n Fig. 1.55, sunt

prezentate cteva variante ale
Fig. 1.54. Reprezentarea grafic a condiiei
circuitului oscilator cu TUJ.
de oscilaie pentru un oscilator cu TUJ.
Astfel, primul circuit din Fig.
1.55.a regleaz perioada de tensiuni de comand
care stabilete
Vcom,
oscilaie
prin intermediul
valoarea iniial
V0, nainteaunei
fiecrei noi ncrcri prin rezistena R. Imediat
dup ncrcarea instantanee de la nceputul fiecrei perioade, dioda D va fi
polarizat invers datorit potenialului n cretere pe emitorul TUJ-ului.
Expresia perioadei de oscilaie (1.40) va deveni:
V0 = VV
V = V1

T = RC ln

V
1 com
V1

(1.42)

(a)
(b)
(c)
Fig. 1.55. Variante de oscilatoare cu TUJ, cu perioada reglabil printr-o tensiune de
comand.

35

n Fig. 1.55.b, se prezint o schem cu control derivaie al curentului

de ncrcare pentru condensator. n paralel cu condensatorul, avem o surs de
curent constant la nivelul colectorului tranzistorului Q.
Pentru simplificarea calculului pentru perioada de oscilaie T, vom
considera sursa de curent din colector ca fiind ideal, cu impedan infinit i
care conduce un curent constant:
V
V BE
(1.43)
i Q = com
R

Dup descrcarea condensatorului pn la VV, intr n conducie ca

diod jonciunea J , tranzistorul intrnd n regim de saturaie, iar

BC
condensatorul se va ncrca instantaneu pn la valoarea (V =V -V ).
0
com
BCsat
Constanta de ncrcare rmne RC, iar expresia din 1.40 va deveni:
V 0 V com
R
V = V1

R0
(V

T = RC ln

R0V1 (R + R0 )Vcom + RVBE

0 1

com

(1.44)

BE

com
R V (1 de
)
R(V
V cu) control serie al
n Fig. 1.55.c,
seBEprezint o schem
comand
curentului de ncrcare al condensatorului. Considernd colectorul
tranzistorului ca o surs ideal de curent, ncrcarea condensatorului se va
face liniar, rezultnd expresiile:

1
com
BE
vC (t ) = V0 + t V V dt
R
0
0

C
Vo = VV ; vC (T ) = V1

T=

R0 C
V com

(V 1 VV )

(1.45)

BE

1.6. Tranzistorul bipolar cu poart izolat (IGBT)

1.6.1. Structura i funcionarea unui IGBT
IGBT ul este un dispozitiv semiconductor ce are o structur
multicelular, fiecare celul fiind realizat dintr-un tranzistor MOS ce
comand un tranzistor bipolar de putere. n Fig. 1.56, se prezint o seciune
transversal pentru o celul a IGBT-ului cu canal N (a), schema electric (b),
schema electric simplificat (c) i simboluri (d). IGBT apare, la prima
vedere, ca fiind identic cu un tranzistor MOSFET n varianta DMOS.
Noutatea pe care o introduce IGBT-ul o reprezint utilizarea
canalului de inversiune care se formeaz la interfaa zonei P cu oxidul, n
urma aplicrii unei tensiuni pozitive pe poart. n Fig. 1.56.b, se observ
existena unui tranzistor T2-(NPN), care se formeaz datorit dispunerii
straturilor, i a unui tranzistor T1-(PNP), care apare datorit
sucesiunii celor 3
zone de la colectorul C ctre 36
emitorul E.

Tranzistoarele compuse T1, T2 formeaz un tiristor parazit, i care

n caz de conducie determin funcionarea anormal a IGBT-ului. Pentru
nlturarea acestui neajuns, n fiecare celul elementar P+N-PN+ se formeaz,
n emitorul N+, un unt central
E
prin intermediul cruia baza P
este
conectat
direct
la
Al
metalizarea emitorului printr-o
rezisten Rb.
G
N+
N+
untarea bazei P are ca
P J3
Rb
efect micorarea factorului de
J2
R N+
ctig
n
curent
npn.
P
Introducerea prin difuzie a
N
J1
purttorilor + n P, are drept
P rezistenei R , i a
scop reducerea
b
P+
ctigului n curent n a lui T2.
Aplicarea unei tensiuni VGE ntre
C
a)
gril i emitor, determin n
E
MOSFET apariia canalului N,
E
prin care se furnizeaz curent de
I
E
T3
baz pentru T1 i n consecin
G
R
T3
b
IGBT-ul intr n conducie. Dac
V
T2
G
tensiunea GE este zero, canalul
I
N va fi ntrerupt, T1 se va bloca,
DMOS
R
determinnd
blocarea IGBTNR
ului.
N
T1
Din cele menionate
T1
anterior putem trage concluzia c
C
I
c
c)
b)
IGBT-ul este comandat la fel ca
E C
C
un MOSFET avnd toate
E
avantajele
acestuia, celor
dar, datorit
interdependenei
dou
tranzistoare T1 i T2, funcionarea
G
sa este mai complicat. Pentru
G
tensiuni v <V
(tensiunea de
d)
GE
GEP
prag IGBT), absena stratului de
Fig. 1.56. a) structura IGBT cu canal n;
inversiune face ca legtura ntre
b) schema electric;
dren i surs s nu existe
c) schema electric
IGBT-ul fiind blocat.
simplificat;
d) simboluri.
Performanele la blocare
37

ale IGBT-ului sunt date de caracteristicile stratului N-, adic de grosimea lui
i de concentraia de impuriti.
Pentru v
mai mari ca zero, trebuie s se evite strpungerea
CE
jonciunilor J2, J3 din zona P, fapt ce impune ca lungimea canalului s fie
minim i este condiionat de distribuia impuritilor P.
Apariia stratului de inversiune i implicit conducia
dispozitivului
are loc n momentul n care vGE>VGEP.
Rezistena, n starea de conducie a IGBT-ului, este mult
mai
mic
conductibilitii zonei N-, efect datorat injeciei purttorilor minoritari din
dect
a unui DMOS
ce are aceeai .suprafa
de cristal
i aceeai
tensiune de
substratul
n substratul
Consecina
imediat
a acestui
+
- este determinat de efectul de modulaie al
blocare.
Scderea
rezistenei
P
N
deziderat,funcionarea
o
prezint
IGBT-ului
la
E
densiti de curent mult mai ridicate
(de exemplu, dac densitatea de
Al
curent pentru un IGBT poate depi
2
200A/cm , pentru un MOSFET cu
G
N+
N+
aceleai dimensiuni aceasta nu
P
+
Rb
depete 10A/cm2).
P
R N
innd cont de Fig. 1.56.c,
cale
curent
tensiunea de saturaie colectoremitor
N
princip
VCES este:
BE
DMOS
V CES
C
=V + I

unde:

N+

(R

P+
N

+R

(1.46)

Fig.1.57. Structura IGBT- ului asimetric.

- curentul de
IDMOS
dren al tranzistorului T3;

RN - rezistena stratului
N- modulat n conducie;

Al

RC - rezistena canalului

MOSFET-ului.
Tensiunea V
este mai
CES
ridicat ca valoare dect tensiunea de
saturaie a unui tranzistor bipolar, dar
inferioar celei a unui MOSFET.
Curentul IGBT-ului este dat
de relaia:
I C = I DMOS + I E

38

cale de
curent

N
N

P+

Fig.1.58. Structura
mbuntit a unui
IGBT.

I DMOS =

IE

(1.47)

h FET 1

hFET1 reprezint ctigul n curent al tranzistorului T1. Combinnd cele dou

relaii de mai sus, se deduce expresia curentului IC:
I C = I DMOS + hFET1 I DMOS

(1.48)

I C =IGBT-urile
I DMOS (hFET1 moderne,
+ 1)
La
se creeaz o cale preferenial, astfel nct

cea mai mare parte a curentului IC trece prin MOSFET.

Reducerea tensiunii V
se realizeaz prin scderea curentului
CES
deci
prin
creterea
lui
dar atunci crete i posibilitatea de
IDMOS,
hFET1,
"zvorre" a tranzistorului parazit T2.

Caracteristicile IGBT-ului pot fi mbuntite dac se adaug un

strat tampon N+ intre stratul P+ i zona de dren N-.
n Fig. 1.57, este prezentat structura unui IGBT ce conine stratul
tampon N+, acesta fiind cunoscut n literatura de specialitate ca IGBT
asimetric. Stratul + este subire (aproximativ 10 m), el determinnd
scderea ctigului Nn curent h , astfel tensiunea V
va crete, dar, n
FET1
CES
schimb, se evit posibilitatea de "zvorre", iar viteza de comutaie la
deschidere se reduce. Caracteristica de transfer i regimul dinamic la
comutaie sunt identice cu cele ale unui MOSFET.
1.6.2. Fenomenul de zvorre

Dac tensiunea vGE>VGEP, stratul N-, este bombardat de electroni

emii de emitor i goluri emise de colector, i n consecin,
rezistivitatea acestei zone scade foarte mult.Traiectoriile acestor goluri, sunt
direcionate n mare parte spre metalizarea emitorului, dar, o parte din ele
ajung n zona stratului de inversiune. Aceste goluri dau natere unui curent,
iar cele ce strbat zona de inversiune vor favoriza circulaia curent prin
rezistena Rb.
Dac curentul de colector IC depete o anumit valoare ICM, atunci
curentul de goluri ce strbate rezistena Rb, devine important i faciliteaz

IGBT-ul intr ntr-o stare de conducie n care tensiunea v

devine
GE
intrarea
n conducie
a tranzistorului
T2, implicitprin
i a ansamblului
-T2, carea
inoperabil,
blocarea
IGBT-ului
realizndu-se
comutaie T1forat
curentului,
ca la unui
tiristor parazit.
convenional.
Dac
rmne mult
formeaz
un tiristor
n acest
caz,dispozitivul
apare o "zvorre",
n
timp
aceast stare el se distruge prin efect termic.
sensuln c
Pentru eliminarea acestui neajuns exist mai multe posibiliti,
amintind printre acestea urmtoarele :
39

1) modificarea rezistenei Rb (micorare) prin modificarea

geometriei stratului, realizat prin:

dopajul puternic al zonei P+;

alungirea i ngustarea zona P ;

micorarea distanelor dintre celule.

2) mrirea curentului ICM, fapt ce se poate realiza prin crearea unor
ci prefereniale pentru curentul de goluri, sau chiar eliminarea unei regiuni
N+ din emitor ca n Fig. 1.58.
1.6.3. Comanda IGBT-ului
IGBT- ul este un dispozitiv semiconductor care lucreaz la tensiuni
i cureni de valoare destul de ridicat (400A/1200V), iar n domeniul
frecvenelor mergnd pn la 70 kHz. Dispozitivul lucreaz n regim de
conducie direct att timp ct exist o tensiune v cuprins intre +5V i
GE
+15V. ntreruperea curentului
de colector, adic blocarea
OFF
ON
ON
v
dispozitivului, se realizeaz
GE
prin aducerea la zero a tensiunii V1
0
de polarizare a porii vGE.
t
n regim permanent de
V2
conducie, IGBT-ul nu necesit
iG
un curent de poart ridicat,
deoarece acesta este comandat
0
t
n tensiune, dar, avnd n
vedere c IGBT-ul are n
componena sa un MOSFET
Fig.1.59. Tensiunea vGE (t) i curentul iG (t).
ce prezint capaciti parazite,
este indicat ca, la comutaia
direct, respectiv invers, s
V2
T1
existe prin poart impulsuri de
curent de scurt durat care s
RG i
G
VON
ncarce, respectiv s descarce
aceste capaciti aa cum se
V
arat n Fig. 1.59.
T2 GE
0
n Fig. 1.60, se
prezint o schem de comand
V1
a unui IGBT. Intrarea n
Fig.1.60. Schem de comand realizat cu
conducie a lui T1 i blocarea
componente discrete.
lui T2 determin apariia unei
40

tensiuni V pozitive i intrarea n conducie a IGBT-ului. Rezistena R

GE
G
limiteaz amplitudinea impulsurilor de curent pe poart att la conducie, ct
i la blocare.
Marele avantaj pe care l are IGBT-ul fa de MOSFET este acela c
poate realiza un control asupra dispozitivului cu ajutorul unei tensiuni
negative poartemitor (VGE<0). Astfel, la intrarea n conducie a lui T2 i
blocarea lui T1, tensiunea V2 cu polaritatea din Fig.1.60 se aplic ntre poart
i emitorul tranzistorului, forndu-l s comute invers.
Pentru obinerea unui randament mrit, se prefer comanda
IGBT-ului pe poart doar cu impulsuri pozitive (renunndu-se la impulsurile
negative). n momentul n care VGE atinge valoarea 0, controlul pe poart
dispare. Descrcarea capacitii interne se realizeaz prin interconectarea
porii i emitorului dispozitivului IGBT prin intermediul unui MOSFET
comandat de CI TSC429, ca n Fig. 1.61.
n Fig. 1.62, se prezint schema funcional a CI TSC 429. Circuitul
poate furniza semnale de pn la 6A (valoare de vrf). Printre avantajele ce le
ofer acest circuit integrat, amintim:

energia disipat pe el este foarte mic i nu are nevoie de

radiator;

este uor de utilizat n comand, deoarece orice intrare are nivel

logic cuprins ntre 2,4V i valoarea tensiunii de alimentare a CI;

capsula integratului rezist la factorii exteriori (umiditate, praf

etc.).

V+

Pin 1,8

450 uA

TS
C
429

OUTPU
OU
T
Pin6
INPUT

Pin 2
Pin4,5

Fig.1.61. Schem de comand cu CI TSC 429.

41

Fig.1.62. Schema intern a CI

TSC 429.

1.7. Dispozitive semiconductoare de putere Smartpower.

Module de putere inteligente (IPM) i integrarea funcional
Dispozitivele de putere trebuie s fie capabile s funcioneze la
cureni importani (de la civa amperi pn la cteva sute de amperi) i la
tensiuni mari (de la 100V pn la 2000V). Din acest motiv, arhitectura lor
integrat se difereniaz de circuitele integrate clasice, deoarece au structuri
cu conducie exclusiv vertical, n care curentul circul vertical, ntre cele
dou fee ale cip-ului.
Dac evoluia circuitelor integrate clasice a solicitat tehnologii de
gravur a plachetelor de siliciu i de realizare a geometriilor din ce n ce mai
fine, tehnologia componentelor de putere a evoluat, prin progresele realizate,
n direcia unui mai bun control al proprietilor de volum ale siliciului, cum
ar fi stpnirea difuziilor profunde ale dimensiunilor zonelor crescute
epitaxial, ale periferiilor de nalt tensiune i al controlului n profunzime al
duratei de via a purttorilor.
Apariia tranzistoarelor VDMOS de putere a dus la o evoluie
rapid a tehnologiilor dispozitivelor de putere. Ameliorarea performanelor
privind timpii de comutaie,
cderea de tensiune la
conducie, aria de funcionare
sigur etc. au necesitat
realizarea unor geometrii din
ce n ce mai fine, fiind
utilizate n acest scop cele
mai recente tehnologii de
gravur. Aceasta a permis ca,
n apropierea arhitecturii de
putere, s se poat integra
circuite
logice
i/sau
analogice de comand, de
protecie i diagnostic, care
au
condus
la
apariia
componentelor de putere Fig. 1.63. Capsula (TO 218) a unui dispozitv
inteligente, n integrare smartpower de tip MOSFET SGS Thomson i
monolitic, cunoscute sub blocurile sale funcionale.
denumirea de smartpower.
Adjectivul inteligent trebuie considerat n sensul din limba englez, i
anume dispozitiv care are posibilitatea de a prelucra o anumit informaie,
42

n acest caz cu referire la

informaiile despre o stare
de conducie sau una critic,
periculoas etc.
Un prim exemplu
de dispozitiv smartpower
este prezentat n Fig. 1.63.
Acesta este un tranzistor
MOSFET de putere SGS
Thomson (n capsul TO
218 cu 3 ieiri)
de 42V,
n care sunt
comanda12m,
corespunztoare
pe
poart, proteciile i
integrate
posibilitatea de a furniza
prin intermediul conexiunii
de poart, o informaie
(diagnostic) asupra strii
Fig.1.64. Diagrama intern a unui IGBT de tip
circuitului de putere.
smartpower, produs de firma Mitsubishi.
Un alt exemplu, n
care dispozitivul de putere propriu-zis este un IGBT, realizat de firma
MITSUBISHI, este prezentat n Fig. 1.64.
Sunt prezente aceleai funcii de protecie i diagnostic, n plus fiind sesizat

(a)
(b)
Fig. 1.65. Diagramele cu dispozitivele de putere i circuitele de comand pentru modulele de tip
SkiiPACK GH (a), respectiv SKiiPACK GDL (b), ale productorului SEMIKRON.

i absena tensiunii de alimentare. Semnalizarea defectelor este realizat

printr-o ieire special.
43

Fig. 1.66. Diagrama cu blocurile componente ale unui driver de tip SKiiPACK - semipunte.

44

Pe msur ce
procesele tehnologice
privind integrarea n
domeniul electronicii
de putere au nceput s
fie din ce n ce mai
bine controlate, s-a
putut trece la realizarea
de module de putere
inteligente (Inteligent
Fig. 1.67. Prezentarea capsulei exterioare i diagrama
Power
Modules
n seciune a modulului Mitsubishi (PM200CSA060).
IPMs), care conin mai
Se observ terminalele exterioare pentru comand i
multe dispozitive de
pentru liniile de putere.
putere mpreun cu
circuitele aferente de comand, protecie i diagnoz a funcionrii. n
prezent, aceste dispozitive sunt realizate pentru puteri relativ reduse, fie pe un
singur cip, n cazul modulelor mai puin complexe, fie pe mai multe cipuri, ca
o versiune pentru electronica de putere a tehnologiei hibride. Aceste module
sunt deja prezente n cataloagele productorilor de dispozitive de putere.
Pentru exemplificare,
vom prezenta dou astfel de
module echipate cu IGBT i
diode antiparalele, mpreun cu
circuitele de comand i de
protecie aferente.
Astfel,
circuitul din Fig. 1.65.a este o
punte monofazat, iar n Fig.
1.65.b se prezint o punte
trifazat mpreun cu o ramur
folosit la frnare. Modulele
furnizeaz n exterior, sub
form de semnale analogice Fig. 1.68. Limitele de integrare pentru modulele
normalizate, valorile curentului integrate de putere.
alternativ, temperaturii radiatorului i tensiunii de pe linia de curent
continuu, pentru a fi transmise altor bucle de reglare.
Schema bloc a driver-ului unei ramuri este dat n Fig. 1.66. Se
constat posibilitile deosebite oferite de schem, precum i de flexibilitatea
asigurat n conceperea diverselor scheme.
Urmtoarea treapt (cea actual) n tehnologia de integrare din
electronica de putere o constituie integrarea funcional, n care, n tehnologie
45

uni sau multicip se realizeaz partea de for i partea de comand destinate

numai unei anumite aplicaii i se prezint utilizatorului sub form complet
ncapsulat. Aceast capsul are doar pinii semnalelor de comand i intrrile
de putere ca n Fig. 1.67. Aceste produse se numesc ASD (Application
Specific Discret).
Atunci cnd constrngerile de izolare galvanic sunt mult prea
severe pentru a fi asigurate prin procedee de izolare utilizate n
microelectronic, se recurge la o separare material ntre componentele de
putere i partea de prelucrare a semnalului. Legturile ntre ele se pot face pe
cale optic i este astfel convenabil s se integreze cu componenta de putere
funciile de detecie, de validare i de amplificare ale comenzii. Pentru
creterea fiabilitii, este util s se grefeze, pe componentele de putere, i
funciile de protecie, pentru obinerea de dispozitive ntreruptoare
autoprotejate. Majoritatea acestor funcii pot fi realizate prin componente
MOS plasate pe suprafaa dispozitivului de putere.
Integrarea funcional urmrete realizarea unor sisteme n
electronica de putere cu performane ct mai ridicate i o fiabilitate ct mai
mare. n acest scop, s-a urmrit minimizarea pierderilor n dispozitivele de
putere ntr-o aplicaie dat, minimiznd, n primul rnd, rezistena la
conducie. Creterea fiabilitii s-a obinut prin reducerea solicitrilor termice
ale comutatoarelor la frecvene ridicate (peste 500 kHz la sursele n comutaie
i peste 1 kHz la invertoarele MID).
Cele mai noi produse ASD au fost realizate pentru traciunea
electric. S-au obinut reduceri ale dimensiunilor de pn la 1/3 din modulul
anterior, cu performane superioare i cu o cretere rezonabil a preului de
c
ost.
n Fig. 1.68, sunt prezentate limitele de integrare actuale i n
perspectiv pentru electronica de putere. Dac, n prezent, modulele IPM sunt
disponibile pentru puteri atingnd 50 kVA, n viitorul apropiat modulele
ASD vor fi disponibile la puteri de peste 500 KVA. Pentru puteri mai mari,
singura soluie previzibil pe termen scurt rmne utilizarea componentelor
discrete.

46