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CAPITULO
Diodos
semicond uctores
1.1 INTRODUCCION
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos Cuarenta han
atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin
que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus lmites. En la actualidad se
encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el ms sencillo
elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas semiconductores
en comparacin con las redes con tubos de los aos anteriores son, en su mayor parte,
obvias: ms pequeos y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen prdidas
trmicas (lo que s sucede en el caso de los tubos), una construccin ms resistente y no
necesitan un periodo de calentamiento.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan
pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente
algunos medios para el' manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones
permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los
lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica de
diseo de la red y los lmites del equipo de manufactura y pr?cesamiento.
Vv
+
o
~
---..
Iv
(a)
+ Iv
t
~
O
-,
VD
-,
ID
Vv
/',
.1
VD
ID
(b)
RR
V
--;
='
R
5, - 20,
O mA
(tercer cuadrante) de
n
00 u
(circuito abierto)
VD
o>-----~
---o
ID
/ .corto circui:o ~
---.. o
I:"(limitada
por el circuito)
"-
(a)
o
VD
o>-----~
---o
.
---..
/
---..
0>---_
0----.-/
circuito abierto
ID=O
(b)
Figura 1.2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin
ideal. determinados por la polarizacin aplicada.
del diodo
o>-----i~----O ---..
0>-----<>---_---<0
(a)
ID=O
(b)
r-----
R ----,
R =pl/ A):
2
p = RA = (O)(cm
1
cm
O-cm
(1.1)
IRI = p-A
=P
(1 cm)
2
(1 cm)
==
Iplohms
Ser provechoso recordar este resultado al comparar los niveles de resistividad en las
explicaciones subsiguientes.
En la tabla 1.1 se incluyen valores comunes de resistividad correspondientes a tres
amplias categoras de materiales. Aunque el lector puede estar familiarizado con las
1.3 Materiales semiconductores
TABLAl.1
Conductor
p == 10-6 n-cm
(cobre)
I
I
I
I
I
I
I
I
I
de
Semiconductor
p == 50 n-cm (germanio)
p == 50 X 103 n-cm (silicio)
Aislador
p == 1012 n-cm
(mica)
propiedades
elctricas del cobre y la mica a partir de sus estudios pasados, las
caractersticas de los materiales semiconductores de germanio (Ge) y silicio (Si) pueden
ser relativamente nuevas. A medida que avance en el libro, encontrar que stos no son
los nicos dos materiales semi conductores, pero son los dos materiales que han recibido la mayor atencin en el desarrollo de los dispositivos semiconductores. En aos
recientes la tendencia se ha desviado firmemente hacia el silicio, alejndose el germanio,
pero ste se sigue produciendo aunque en menor cantidad.
Ntese en la tabla 1.1 la amplia gama entre los materiales conductores
y los
aisladores para un material de 1 cm de largo (1 cm? de rea). Dieciocho lugares separan
la posicin del punto decimal de un nmero de comparacin con el otro. El Ge y el Si
han recibido atencin por varias razones. Una consideracin muy importante es el hecho
de que pueden manufacturarse con un muy alto nivel de pureza. En realidad, los ltimos
avances han reducido los niveles de impureza en el material puro hasta 1 parte en 10 mil
millones (1: 10,000,000,(00). Cabra la pregunta de si estos niveles de impureza tan bajos
son en realidad necesarios. De hecho s, si se considera que la adicin de una parte
de impureza (del tipo apropiado) por milln en una oblea de material de silicio puede
transformar el material de un conductor relativamente pobre en un buen conductor
de electricidad. Es evidente que estamos trabajando con un espectro totalmente nuevo de
niveles de comparacin cuando tratamos con el medio semiconductor. La capacidad para
cambiar las caractersticas del material de manera significativa a travs de este proceso,
conocido como "dopado", es incluso otra razn por la que el Ge y el Si han recibido tanta
atencin. Otras razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden alterarse
notablemente mediante la aplicacin de calor y luz (una consideracin importante en el
desarrollo de los dispositivos sensibles a la luz y al calor).
Algunas de las cualidades nicas del Ge y del Si sealadas se deben a su estructura
atmica. Los tomos de ambos materiales forman un patrn bastante definido que es de
naturaleza peridica (esto es, el mismo se repite en forma continua). Un patrn completo
se denomina cristal y el arreglo peridico de los tomos, red. En el caso del Ge y el Si el
cristal tiene la estructura tridimensional del diamante como se muestra en la figura 1.5.
Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetitivas del
mismo tipo se llama estructura monocristalina.
En materiales semiconductores
de
aplicacin prctica en el campo de la electrnica, existe esta caracterstica monocristalina
y, adems, la periodicidad de la estructura no cambia de manera importante con la
adicin de impurezas en el proceso de dopado o impurificacin.
A continuacin examinemos la estructura del propio tomo y notaremos cmo sta
podra afectar las caractersticas elctricas del material. Como sabemos, el tomo se
compone de tres partculas fundame~tales: electrn, protn y neutrn. En la red atmica,
los neutrones y protones forman los ncleos, en tanto que los electrones giran alrededor
del ncleo en una rbita fija. En la figura 1.6 se muestran los modelos de Bohr de los dos
semi conductores ms comnmente usados, el germanio y el silicio.
Segn se indica en la figura 1.6a, el tomo de germanio tiene 32 electrones orbitales,
en tanto que el silicio tiene 14 electrones alrededor del ncleo. En cada caso hay 4
electrones en la capa exterior (de valencia). El potencial (potencial de ionizacin) que se
requiere para remover cualquiera de estos 4 electrones de valencia es menor que el
requerido para cualquier otro electrn en la estructura. En un cristal puro de germanio o
silicio estos 4 electrones de valencia se encuentran unidos a 4 tomos adyacentes, como
se muestra para el silicio en la figura 1.7. El Ge y el Si se dice que son tomos
tetravalentes porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia.
Un enlace de tomos, reforzado por los electrones compartidos, recibe el nombre de
enlace covalente.
Captulo 1 Diodos semi conductores
Electrones
orbitales
Electrones
de valencia
(4 cada uno)
(b)
A pesar de que el enlace covalente permite una unin ms fuerte entre los electrones
de valencia y sus tomos padres, persiste la posibilidad de que los electrones de valencia
absorban suficiente energa cintica proveniente de causas naturales para romper el
enlace covalente y asumir el estado "libre". El trmino "libre" revela que su movimiento
es bastante sensible a campos elctricos aplicados como los establecidos por fuentes-de
voltaje o una diferencia de potencial. Estas causas naturales incluyen efectos como la
energa luminosa en forma de fotones y la energa trmica que surge del medio
circundante. A la temperatura ambiente se encuentran aproximadamente
1.5 x 1010
portadores libres en un centmetro cbico de un material de silicio intrnseco.
Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que se han refinado con
todo cuidado para reducir las impurezas a un nivel muy bajo (en esencia con una
pureza tan alta como la que puede obtenerse con la tecnologa moderna).
Los electrones libres en el materia! que se deben slo a causas naturales se conocen
como portadores intrnsecos. A la misma temperatura, el material de germanio intrnseco
tendr cerca de 2.5 x 1013 portadores libres por centmetro cbico. La proporcin del
nmero de portadores en el germanio con relacin a los de silicio es mayor que 1Q3 e
indicara que el primero es mucho mejor conductor a temperatura ambiente. Esto quiz
sea cierto, pero ambos se siguen considerando malos conductores en el estado intrnseco.
Ntese en la tabla 1.1 que la resistividad difiere tambin por una proporcin de 1000: 1,
teniendo el silicio el valor mayor. Desde luego, ste debe ser el caso, ya que la
resistividad y la conductividad se relacionan de manera inversa.
Un ascenso en la temperatura de un material semiconductor puede incrementar en
forma considerable el nmero de electrones libres del material.
A medida que la temperatura aumenta desde el cero absoluto (O K), un nmero
creciente de electrones de valencia absorben suficiente energa trmica para romper el
enlace covalente y contribuyen a! nmero de portadores libres como se describi antes.
Este nmero incrementado de portadores aumentar el ndice de conductividad y como
resultado se producir un nivel menor de resistencia.
Los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reduccin de
la resistencia con el aumento de la temperatura, se dice que tienen un coeficiente
negativo de temperatura.
El lector probablemente
recordar que la resistencia de la mayor parte de los
conductores se incrementa con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el nmero de
portadores en un conductor no aumentar en forma considerable con la temperatura, pero
1.3 Materiales semiconductores
su patrn de vibracin por encima de un punto fijo har cada vez ms difcil el paso de
los electrones. Por consiguiente,
un aumento en la temperatura produce un nivel
incrementado de resistencia y un coeficiente positivo de temperatura.
t(
Banda de energa
Banda de energa
Nivel de valencia
(capa ms exterior que contiene los electrones orbitales)
Segundo nivel
(siguiente capa en la estructura atmica)
Tercer nivel (etc.)
etc.
~ Ncleo
(a)
Energa
Banda de conduccin
A
Electrones
'libres"
para
establecer la
conduccin
Energa
- ----.
Banda de conduccin
Eg > 5 eV
Energa
Eg
V
./
Banda de valencia
Electrones de valencia
enlazados a
estructura
atmica
Banda de valencia
Banda de valencia
Eg
1.1 eV (Si)
Eg = 0.67 eV (Ge)
Aislador
Semiconductor
Conductor
(b)
Entre los niveles de energa discretos hay bandas en las que ningn electrn en la
estructura atmica aislada puede aparecer. Conforme los tomos de un material se
acercan entre s para formar la estructura de la red cristalina, hay una interaccin entre
tomos que dar como resultado que los electrones en una rbita particular de un tomo
tengan niveles de energa un poco diferentes a los de los electrones en la misma rbita de
un tomo adyacente. El resultado neto es una expansin de los niveles discretos de
energa de los posibles
estados de energa para los el ectr o nes de valencia
correspondientes a esas bandas, como se muestra en la figura 1.8b. Ntese que an se
encuentran niveles frontera y estados de energa mximos en los que puede encontrarse
cualquier electrn en la red atmica, y que persiste una regin prohibida entre la banda
de valencia y el nivel de ionizacin, Recurdese que la ionizacin es un mecanismo
mediante el cual un electrn puede absorber suficiente energa para desprenderse de la
estructura atmica y unirse a portadores "libres" en la banda de conduccin. Se notar
Captulo
1 Diodos
semiconductores
W=QV
(eV). La unidad de
(1.2)
eV
x 10-19 C)(1 V)
*'
= QV = (1.6
(1.3)
TIPOS n Y p
Las caractersticas
de los materiales
semi conductores
pueden alterarse de modo
considerable
mediante la adicin de ciertos tomos de impureza en el material
semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, .aunque quiz slo se agregue 1 parte
en 10 millones, pueden alterar la estructura de bandas lo suficente como para cambiar
totalmente las propiedades elctricas del material.
Un material semiconductor que se ha sometido a este proceso
denomina material extrnseco.
de dopado se
Material tipo n
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero predeterminado de
tomos de' impureza al silicio o germanio base. El tipo n se crea aadiendo todos aquellos
elementos de impureza que tengan cinco electrones de valencia (pentavalentes),
como
1.5 Materiales extrnsecos tipo n y p
Banda de conduccin
i --.....::"-t
f..--:------.-'-l_-Eg=
f-
i------!-----'-j
Egcomo antes
I ~
.
0.05 eV (SI), 0.01 eV (Ge)
Nivel de energa del donador
Banda de valencia
Captulo
Diodos
semiconductores
Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal puro de germanio o silicio con tomos de
impureza que tengan tres electrones de valencia. Los elementos que se emplean con
mayor frecuencia para este propsito son el boro, el gallo y el indio. El efecto de uno de
estos elementos (el boro) sobre silicio base se indica en la figura 1.11.
Ntese que ahora hay un nmero insuficiente de electrones para completar los enlaces
covalentes de la red recin formada. La vacante que resulta se denomina hueco y se presenta
por medio de un pequeo crculo o signo positivo, debido a la ausencia de carga negativa.
Puesto que la vacante resultante aceptar de inmediato un electrn "libre";
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia reciben el nombre de
tomos acepto res.
El material tipo p resultante es elctricamente
del material tipo n.
flujo de hueco .
flujo de electrones
Figura
Portadores
mayoritario
y minoritario
lones aceptores
lones donadores
Portadores
mayoritarios
+.
Portador
minoritario
Tipo n
Figura
Portadores
mayoritarios
Tipop
Portador
minoritario
10
Regin de agotamiento
~
,
-Ef}
- ~+
++
+ e + e + - ++ Ef}+ e - e -- ++ - 'G+:>
-- + +
e + + + -- ++ () +
-- ++
(i)
+ +e e
++ Ef}
+ - --- + +
le + +e -- ++
'-------y-------' \
i ... "__
Ef}
ID=OmA
=OmA
'--
- -
.,.:;;
--0+
VD=OV
_O_~----Il
(sin polarizacin)
externa.
11
VD=OV
O)---.~II---O
El smbolo para un diodo se repite en la figura 1.15 con las regiones tipo p Y tipo n
asociadas. Ntese que la flecha se asocia con el componente tipo p Y la barra con la regin
tipo n. Como ya se indic, para VD = O V, la corriente en cualquier direccin es O mA.
~
ID=OrnA
..
Flujo de portadores
1mayorteros
minoritarios
I,
=O
h:-
'----v-----"
Regin de agotamiento
VD
O>----II~.--t
"-ls
12
Regin de agotamiento
lo (mA)
----It-
f-+-+-f--!--I-+--+I--t
---
-o..
.. ------\-----++--
~------ - --[---j---[--t-----j
18'
:
1
--- 171-j--
f-+-+--+--+--.....,I--+--+- 16
---- - --j-----------~
11-"----
....--1...._ .. 1-..--
f-+-+--+--+~1--+--+-~15,+-~:1--+--+--+-'-+~-r-+-~-+~-I--+--+--+--+I-"
-----
.. --------------1"-
;---r-I
-------1----
------!
I
1
1-+-+--j--+-+--f~r_t12+-_f__j_-r_r-+-+--f~~r_
---------------1---
11
---
f-- ..
__------rl---! ._..__"--TI
i
.L
1
i
_! -----..-- ~
1--
--1--+--+-+-+-+:-1-3
r--- -
--
--..
--j---
.-- j
--
--2
+t: ---r-
1-+--+--+--+1'+-+--i1-+-1
s
(VO
Rergin de polarizacin
(Vo<OY'/o=-ls)
inversa
1--+-+-+-+--+--+--+-+-+--
.. __
r
1
.-t--t---t--t-j-----
-,->--i,
--e-
+1
--i-t-+-+-f--!----i
0.3 ~A--<Yf1-=lq-'(+!.1=Qt~-~---+----9.4
i'1 I 'i I I
1
....-4~0.....-...;3~0-+
....;-2~0....p._-""'1O~_q-o-t--.:...'-;-Q.3
I 0.5 0.7
0.1)lA
l'---l
f-+-+--+--+~-r-+,-I--+_
0.2~
! I No polarizacin
-1----------
..,",..........
lo
--
Vo
:
1./
1--+--+--+--+~-r-+,1--1-7+--f-r-+-+--+~-1--1-H/r-tf---+-+--I--+-+-+l--i'--+-6
1_
~~~e~~~;!:
f~~~~~~
-
f-+-+--f--!---1-+-+-~10
.
1
-1 __ 9
!
................
-- .-- --..- -..
....8 _..__.tI ..- - ..- ..- --)- ..--
L.____
--I---!---
-t
l
--
13
(l.4)
donde Is = corriente de saturacin inversa
k = 11,600/11 con 11 = 1 para el Ge y 11 = 2 para el Si, para niveles relativamente
bajos de corriente de diodo (en o bajo la rodilla de la curva) Y 11 = 1 tanto para
el Ge como para el Si, para niveles altos de corriente de diodo (en la seccin
de ascenso rpido de la curva)
TK= Tc+273'
Un grfico de la ecuacin (l.4) se presenta en la figura 1.19. Si desarrollamos la
ecuacin (1.4) en la forma siguiente, el componente que contribuye a cada regin de la
figura 1.19 puede describirse fcilmente:
ID = IsivdTK_
t,
123
vo
o>----I~M-------<O
~/D
~
+~-
Regin Zener
(Semejante)
Aun cuando la escala de la figura 1.19 est en decenas de volts en la regin negativa,
existe un punto donde la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar como
resultado un brusco cambio en las caractersticas, como se muestra en la figura 1.22. La
corriente se incrementa en una proporcin muy rpida en direccin opuesta a la de la
14
Vz
/
I
I
I
\
\
\
I
I
I
-,
/ ---
Regin Zener
Si una aplicacin requiere de un VPI nominal mayor que el de una sola unidad,
varios diodos de las mismas caractersticas pueden conectarse en serie. Los diodo s tambin se conectan en paralelo para aumentar la capacidad conductora de corriente.
15
ID (mA)
30
25
Ge
Si
20
15
10
5
I, (Si)
= O.OiIlA = 10 nA
Vz (Si) ~
Si
Vz (Ge)
,Ge
regin de conduccin elevada. Su valor es por lo general del orden de 0.7 V para los diodos
de silicio comerciales y de 0.3 V para los de germanio, cuando se redondea a las dcimas
ms cercanas. El valor mayor para el silicio se debe principalmente al factor TI en la
ecuacin (1.4). Este factor desempea slo una parte en la determinacin de la forma de la
curva a niveles de corriente muy bajos. Una vez que la curva inicia su aumento vertical, el
factor TI desciende a 1 (el valor continuo para el germanio). Esto se observa por las
similitudes en las curvas despus de que el voltaje de diodo se alcanza. El potencial al cual
ocurre este aumento se denomina comnmente voltaje de diodo, de umbral o potencial de
encendido. Con frecuencia, la primera letra de un trmino que describe una cantidad
particular se usa en la notacin para esa cantidad. Sin embargo, para evitar al mnimo las
confusiones con trminos como el voltaje de salida (Vo) y el voltaje directo (VF) se ha
adoptado en este libro la notacin VTde la palabra "threshold" (umbral en ingls).
En sntesis:
VT= 0.7 (S)
VT=0.3 (Ge)
Es obvio que, cuanto ms cerca se encuentre la conduccin elevada del eje vertical, el
dispositivo ser ms "ideal". Sin embargo, el resto de las caractersticas
del silicio
comparadas con las del germanio son la causa de que el primero se siga eligiendo en la
mayor parte de las unidades comerciales.
-:tF
Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo
serniconductor de silicio, como lo demuestra un tpico diodo de silicio en la figura 1.24.
Se ha encontrado experimentalmente que:
La corriente de saturacin inversa Js aumentar cerca del doble en magnitud por
cada JOoe de incremento en la temperatura.
16
ID(mA)
(392'F)
200T
12
' __
'~H"
__
H"'~H
: ,
,
6
4--------1
H"H"'_" '
2
4?
5?
...
___
I
I
I
--._
- ..
30
I
20
I
/? .....-t'
10
I
......................
..----~------------...;_____
J
__
" //J
/ /
-1
0.7
---i-:_
~.
(Punto de ebullicin
del agua)
H~--~
-t---
,:
I
I
I
,: rt
l.
6f
t-J-
--1-----
10
(V)
(-IOTF)
lOO'C 25"C -75T
(Temperatura
ambiente)
.
1
1.5
VD (V)
-2
liIIIIiIIIII
-3
I
I
,
I
I
I
I
~)
No es raro para un diodo de germanio con una Is del orden de 1 02 I.lA a 25C, tener
una corriente de fuga de 100 .LA= 0.1 mA a una temperatura de 100C. Niveles de
corriente de esta magnitud en la regin de polarizacin inversa podran ciertamente
cuestionar nuestra deseada condicin de circuito abierto en la regin de polarizacin
inversa. Los valores tpicos de Is para el silicio son mucho menores que el correspondiente al germanio para potencia y niveles de corriente similares, como se muestra en la
figura 1.23. El resultado es que, aun a altas temperaturas, los niveles de Is para diodo s de
silicio no alcanzan los mismos altos niveles obtenidos para el germanio, una muy
importante razn por la que los dispositivos de silicio gozan de un nivel significativamente mayor de desarrollo y empleo en diseos. Fundamentalmente, el equivalente
de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa se logra mejor a cualquier
temperatura con silicio que con germanio.
Los niveles incrementados de Is con la temperatura dan razn de los muy bajos niveles
del voltaje de umbral, como se muestra en la figura 1.24. Simplemente incremente el nivel
de Is en la ecuacin (1.4) y note el precoz ascenso en la corriente del diodo. Por supuesto el
nivel de TK tambin se incrementar en la misma ecuacin, pero el nivel incrementado de
Isprodominar sobre el pequeo cambio porcentual en TK. A medida que la temperatura
aumenta, las caractersticas directas efectivamente se aproximan ms a lo "ideal"; pero
cuando revisemos las hojas de especificaciones encontraremos que ms all del intervalo
normal de operacin la temperatura puede tener un efecto muy perjudicial en los niveles
mximos de potencia y corriente del diodo. En la regin de polarizacin inversa, el voltaje
de ruptura se incrementa con la temperatura, pero advierta el indeseable incremento en la
corriente de saturacin inversa.
17
Resistencia de cd o esttica
La aplicacin de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor
resultar en un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no cambiar con el
tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operacin se puede hallar sencillamente
encontrando los niveles correspondientes de VD e ID' como se muestra en la figura 1.25, y
aplicando la ecuacin siguiente:
(1.5)
____
EJEMPLO 1.1
...,0
Vo(V)
Silicio
20
10
Figura
-IOV
o
0.5
-4-----1-1~A
0.8
Vo (V)
Solucin
(a) Para ID
= 2 mA,
VD
= 0.5
V (de la curva) y
RD = VD = 0.5 V = 250
ID
18
2mA
(b) Para ID
= 20 mA,
VD
(e) Para VD
= -10
V.JD
VD
ID
= -Is = -1
R
D
0.8 V
20mA
= 40 n
VD
ID
10 V
1 .lA
= 10 M n
comentarios
Resistencia de ea o dinmica
Resulta obvio de la ecuacin 1.5 y del ejemplo 1.1 que la resistencia de cd de un diodo es
independiente de la forma de la caracterstica en la regin en torno al punto de inters. Si
se aplica una entrada senoidal en vez de una entrada de cd, la situacin cambiar por
completo. La entrada variable mover hacia arriba y abajo el punto de operacin
instantneamente en alguna regin de la caracterstica y definir un cambio especfico en
la corriente y el voltaje como se muestra en la figura 1.27. Si no se aplica una seal
variable, el punto de operacin sera el punto Q que aparece en la figura 1.27
determinado por los niveles de cd aplicados. La designacin del punto Q (punto de
operacin) se desprende de la palabra quiesciente, que significa "permanencia de nivel
invariable" (de reposo).
Caractersticas
del diodo
Lnea tangente
, Punto Q
, (operacin
de cd)
Una lnea recta tangente a la curva que pasa a travs. del punto Q definir un cambio
particular en voltaje y corriente que puede emplearse para determinar la resistencia de ea
o dinmica para esta regin de las caractersticas del diodo. Drbe procurarse conservar el
cambio de voltaje y corriente lo menos posible, as como mantenerlo equidistante de
cualquier lado del punto Q. En forma de ecuacin,
[rd=~Vd
Md
(1.6)
Cuanto mayor sea la inclinacion de la pendiente, menores sern los valores de ~ Vd para
el mismo cambio en Md y menor la resistencia. La resistencia de ea en la regin de
aumento vertical de la caracterstica es, por ello, bastante pequea, en tanto que la
resistencia de ea es mucho ms elevada a niveles de corriente bajos.
1.7
Niveles de resistencia
19
EJEMPLO 1.2
de cd para cada
ID (mA)
30
-------------------------
25
-------------------
20
------------------------,
!:;'Id
,,
,
,,
15
10
5
4
2
o
Figura 1.29 Ejemplo 1.2.
Solucin
(a) Para ID = 2 mA; la lnea tangente a ID = 2 mA se dibuj como se muestra en la
figura, y se escogi un intervalo de 2 mA arriba y abajo de la corriente especificada
del diodo. Para ID = 4 mA, VD = 0.76 V Y para ID = O mA, VD = 0.65 V. Los cambios
resultantes en corriente y voltaje son
fd = 4 mA - O mA
y
LlV
= 4 mA
y la resistencia de ea:
y la resistencia de ea:
20
(e) ParaID=2mA,
VD=0.7Vy
R
D
= VD = 0.7V
ID
2mA
=3500
= VD = 0.79 V =31.620
ID
25 mA
Hemos encontrado
la resistencia
dinmica en forma grfica, pero existe
definicin bsica en clculo diferencial que establece:
La derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la tangente
trazada en ese punto.
una
;'D
(ID) = :V[Is<ekV/h
dlD
1)]
+1
-= -(ID
dVD
TK
5)
Sustituyendo
11 = 1 para el Ge y el Si en la seccin
caractersticas, obtenemos
de aumento
vertical
de las
k
TK
2730 = 250
2730 = 2980
-'11,600
----== 38. 9 3
298
dID = 38.931
dVD
D
rd=
0.026
=-;;26mV
ID
I
Ge,Si
1.7 Niveles de resistencia
21
rd=
26mV
---+rB
ID
(1.8)
ohms
El factor rB puede fluctuar desde un valor tpico de 0.10 para dispositivos de alta
potencia hasta 2 O para algunos diodos de baja potencia y propsitos generales. Para el
ejemplo 1.2 se calcul una resistencia de ea igual a 2 O, a 25 mA. Utilizando la ecuacin
(1.7), obtenemos
r = 26 mV = 26 mV = 1.04 O
d
ID
25 mA
La diferencia de cerca de 1 O podra considerarse la contribucin de r B.
Para el ejemplo 1.2 se calcul una resistencia de ea igual a 27.5 O, a 2 mA.
Empleando la ecuacin (1.7), pero multiplicando por un factor de 2 para esta regin (en
la rodilla de la curva II = 2).
rd
26
= 2(
mv)
ID
(26
=2 2
mv)
mA
= 2(13
fl)
= 26
Resistencia de ea promedio
Si la seal de entrada es lo suficientemente grande como para producir la excursin
indicada en la figura 1.30, la resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se
22
ID (mA)
20
15
tJ.1"
10
indicados.
denomina
resistencia
establecen
(obsrvese
zv,
=-av
Md
pto. apto.
(1.9)
Md= 17mA-2mA=
y
con
15mA
Tabla de resumen
La tabla 1.2 se desarroll para reforzar las conclusiones importantes de estas ltimas
pginas y para enfatizar la diferencia entre los distintos niveles de resistencia. Como se
indic con anterioridad,
el contenido de esta seccin es el fundamento para varios
clculos de resistencia que se realizarn en secciones y captulos posteriores.
1.7 Niveles de resistencia
23
Caractersticas
especiales
Ecuacin
de cd
esttica
Definida como un
punto sobre las
caractersticas
deca
o
dinmica
de ea
promedio
rav=~1
d
pto. a pta.
Determinacin
grfica
24
ID (mA)
VD
(V)
VD
diodo ideal
VD
~
~
ID
ID
Figura
1.32 Componentes
estado de conduccin hasta VD alcanza el valor de 0.7 V con una polarizacin directa
(como se muestra en la figura 1.31), una batera VT opuesta a la direccin de conduccin
debe aparecer en el circuito equivalente como se ilustra en la figura 1.32. La batera
simplemente especfica que el voltaje a travs del dispositivo debe ser mayor que el
voltaje de umbral representado por la batera, antes de que se establezca la conduccin a
travs del dispositivo en la direccin dictada por el 'diodo ideal. Cuando se establece la
conduccin, la resistencia del diodo tendr el valor especificado por rayo
Sin embargo, tngase en cuenta que VT en el circuito equivalente no es una fuente de
voltaje independiente. Si se coloca un voltmetro en paralelo con un diodo aislado sobre
un banco del laboratorio, ninguna lectura de 0.7 V se podr obtener. La batera representa
nicamente el desplazamiento horizontal de las caractersticas que debe excederse para
que se establezca la conduccin.
El nivel aproximado de ray puede determinarse generalmente a partir de un punto de
operacin especifico de la hoja de especificaciones (que se explicar en la seccin 1.9).
Por ejemplo, para un diodo semiconductor de silicio, si 1F = 10 mA (una corriente de
conduccin directa para el diodo) a VD 0.8 V, sabemos que para el silicio se requiere de
un cambio de 0.7 V antes del ascenso de las caractersticas y
rav
~Vd
~ld .
pto. apto.
25
VD
VT=O.7V
o.
11-1
IO
Figura
simplificado
--I"M------<o
~
Diodo ideal
0>----1-.,__----
;-
-----<0
Diodo ideal
Figura
Tabla de resumen
Por claridad, en la tabla 1.3 se proporcionan los modelos de diodo utilizados para el
mbito de los parmetros de circuitos y aplicaciones, con sus caractersticas de segmentos
lineales. Cada uno se investigar en mayor detalle en el captulo 2. Siempre hay excepciones a la regla general, pero es francamente seguro decir que el modelo equivalente
simplificado se emplear con suma frecuencia en el anlisis de sistemas electrnicos,
mientras que el diodo ideal se aplica comnmente en el anlisis de sistemas de suministro
de energa donde se encuentran mayores voltajes.
26
Condiciones
Modelo
0-1~
Modelo
de segmentos lineales
VT
Modelo
simplificado
Rred
Caractersticas
Diodo
ideal
r;
Dispositivo
ideal
VT
Diodo
ideal
o---~+-I ----<o
Diodo
ideal
DEL DIODO
(1.10)
donde ID Y VD son la corriente
particular.
y el voltaje
de operacin
27
Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacin particular (un caso comn),
podemos sustituir VD = VT= 0.7 V para un diodo de silicio en la ecuacin (1.10) y determinar la
disipacin de potencia resultante por comparacin contra la mxima potencia nominal. Esto es,
IP
'palla
=(0.7 V)ID
(1.11)
A -
BV _ 125 V (MiN)
BV _. 200 V (MIN)
VALORES
NOMINALES
MAXIMOS
ABSOLUTOS
ESQUEMA
(Nota 1)
Temperaturas
Intervalo de temperatura de aJ:Oiacenamiento
Temperatura mxima de operacin de la unin
Tem~ratura d~ las terminales
DEL 00-35
I~
-6SC a + 2ooC
+ 17SC
+ 260C
0.180(4.57)
"
soo-ew
3.33mWrC
mximos
Voltaje inverso de trabajo
BAY73
BAl23
Corriente rectificada promedio 200 roA
lo
Corriente.en sentido directo continua
Ip
if
Corriente pico repetitiva en sentido directo
if(sobrecorriente)Pico de sobrecorriente en sentido directo
Ancho de pulso = l s
Ancho de pulso = l us
100 V
180V
0021(0533)
0019(0483)
5oo.mA
600mA
lA
MIN
(25.40)
rl1
@
@
40
-Ur
(356)
1.-
0075(1.91)
---OlA
0060(152)
NOTAS:
Terminalesdeacerorevestidasde
cobre.estalladas
1.0 A
4.0A
Encapsulado
devidriosellado
hermtticamente
Elpesodelacpsulaesde0.14g
CARACI'ERISTICAS
SIMBOLO
VF-
ELECI'RICAS
(Temperatura
BAY73
CARACTERISTICAS
MIN
Q.8S
0.81
0.78
0.69
0.67
0.60
F
G
H
1
IR-
VR
C-
tu -'--
MAX
1..00_ 1..
0.94
0.88
0.80
0.75
0,8.
125
Voliaje.deruptura
en sentido inverso
0.78
0.69
1.00
0.83
V
V
V
0.60
0.51
0.71
0.60
1-
J&
V
V
lO
5.0
nA
nA
J.I.A
nA
J.I.A
6.0
pF
--
200
8.0
Capacitancia
UNIDA CONDICIONESDEPRUEBA
DES
MAX
500
5.0
1.0
Tiempo de recuperacin
BAl29
MIN
,po
IF =200mA
IF = 100mA
IF =50mA
IF = lOmA
IF =5.0mA
l. =1.0mA
l. =0.1 mA
VR =20V, TA= 12S'C
Vo=IOOV
Vo=lOOV.TA= 12S'C
Vo=ISOV
Vo= ISOV.TA= lOO'C
lo = lOOJ.I.A
V.=O,f-1.0MHz
Ip = 10mA.Vr=3SV
Rt.= 1.0a 100k.O
CL = 10pP.JAN 2S6
NOTA:
1. Estos valores 'nominales son valores lnite por encima de los cuales el diodo puede deteriorarse.
queimpliquenpulsosu operacionesdebajociclodetrabajo.
2. Estossonlfmitesenestadoestable.Debeconsultarseala fbricaparaaplicaciones
28
Captulo
1 Diodos semiconductores
En las figuras 1.35 y 1.36 aparece una copia exacta de los datos proporcionados por
la Fairchild Camera y la Instrument Corporation para los diodos BA Y73 Y BA 129 de
alto voltaje/fugas
bajas. Este ejemplo representara
la lista ampliada de datos y
caractersticas. El trmino rectificador se aplica a un diodo cuando se usa con frecuencia
en un proceso de rectificacin que se describir en el captulo 2.
CURVAS DE CARACTERISTICAS
ELECTRICAS
TIPICAS
a temperatura ambiente de 25C a menos que se seale otra cosa
VOLTAJE EN SENTIDO
DIRECTO VERSUS CORRlEN
TE EN SENTIDO DIRECTO
lOOOr---~--~--.---.---~
5oo~~~~~~
lool----+----I~~--+-,-~r__+--~
:a~
"c:
'S
10
.-----f--
-11----- ----
1;l
0.10
<;p -1--,1'--t---
~~==_
-===/:c ==. =t====
-"-
0.4
0.6
0.8
1.0
0.01
1.2
c:
0.2
.~
c5
c:
E 0.05 f-
VR
500
1.0
.M __
1---
.-
t--
10
1.0
1/
100
0.1
125
100
f.0
B
o
./
'"c:
c:
10
Ij
~ I~-t
-~
';:J
1;l
.J'
1.~
1.0
'"
!l
1/
8
~
T. - Temperatura
\.
1I
f= 1 kHz
lac =O.ldc
I I
I&<; . :r~p
I~
1"'\
0.1
1'1
50
16
c:
'E
JL
25
12
IMPEDENCIA DINAMICA
VERSUS CORRIENTE iN
SENTIDO DIRECTO
:a~
1
i
8.0
75
1'1
~
1010
1.0
10
RD - Impedancia
ambiente _ C
CURVA DE DEGRADACION
DEPOTENCJA
E
-... ""'"
2.0
......
<IJ
-!' 0.02
75
3.0 \
- mVOC
50
de temperatura
125V
I-VR
100
25
u
1\
4.0
lK
<IJ
11
5K
0.1
1
U
---\---1\---
1'-'\
O 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
lo-""!'
1
.....-
-e
4.0
CORRIENTE EN SENTIDO
INVERSO VERSUS
TEMPERATURA AMBIENTE
....
= 25'C
TA
'
==-==.~==f::::.....::=:==~:::.:::=,=
cr - Coeficiente
1.0
----
...o.
5.0
'"
.
--."\. -----\
0.1----------
VOLTAJE EN SENTIDO
INVERSO VERSUS CORRIENTE EN SENTIDO INVERSO
0.5
"'"
E
1.0
- - +---1-0.01 l...-_'---L-'---_'--_'------.J
e
>
.s"
1;l
--J----- -...
-.....
x?
1---
..:
';:J
\. 4
<IJ
VF-
o;)
"
c:
!l
1.0~~~~~
0.2
e
1
10
c:
8
1
\. - \._~=~
'"c:
'''-
c:
!l
6.0
';:J
1;l
CAPACITANCIA VERSUS
VOLTAJE EN SENTIDO
INVERSO
o
ti
:a~
'"c:
CORRIENTE EN SENTIDO
DIRECTO VERSUS COEFICIENTE DE TEMPERATURA
100
IK
dinmica -
IOK
'O
'
400
'"
.~
:a 300
<IJ
'\
'\
-e
d
'
"
e"
o
Q..
\.
\.
200
I
\.1
100
i\.
i
i
-c
E
I
s
c:
<IJ
'E
'\l
O
O 25 50 75 100 125 150175200
T. - Temperatura
ambiente -oC
ambiente
_ C
Figura 1.36 Caractersticas terminales de los diodos de alto voltaje Fairchild BA Y 73 BA 129. (Cortesa de
Fairchild Camera and Instruments Corporation.)
29
F:
Intervalo de valores de V F a una I F = l.0 mA. Ntese en este caso cmo los
lmites superiores estn alrededor de 0.7 V.
G:
= 0.5
lA,
us en la lista de condiciones
Algunas de las curvas de la figura 1.36 emplean una escala logartmica. Un breve
examen de la seccin 11.2 ayudara a la lectura de las grficas. Obsrvese en la parte
superior izquierda de la figura cmo VF se incrementa desde cerca de 0.5 V hasta poco
ms de 1 V a medida que IF se incrementa desde 10 lA hasta 100 mA. En la figura
inferior encontramos que la corriente de saturacin inversa cambia levemente con los
niveles de aumento de VR, pero se mantiene a menos de 1 nA a temperatura ambiente
hasta VR = 125 V. Sin embargo, como se observa en la figura siguiente, advirtase la
rapidez con que la corriente de saturacin inversa aumenta con el incremento de la
temperatura (como se predijo con anterioridad).
En la parte superior derecha de la figura se puede observar cmo la capacitancia
decrece conforme-se incrementa el voltaje de polarizacin inversa, y ntese en la figura
inferior que la resistencia de ea (rd) est apenas sobre 1 n a 100 mA y se incrementa
hasta 100 n para una corriente menor de 1 mA (como se esperaba de la exposicin de
secciones anteriores).
La corriente rectificada promedio, la corriente pico repetitiva en sentido directo y el
pico de sobrecorriente en sentido directo como aparecen en la hoja de especificaciones se
definen como sigue:
30
l.
2.
3.
Pico de sobrecorriente en sentido directo. Durante el encendido, fallas, etc., existirn corrientes muy elevadas a travs del dispositivo por intervalos de tiempo muy
breves (que no son repetitivos). Este valor nominal define el valor mximo de
intervalo de tiempo para tales niveles de sobrecorriente.
C(pF)
,----,-----,-----,-----r---15r-------,---.,---,
..l..~
..._...._.....-:
............................................................................
....
__
.t101
1"v:
1+Polarizacin
inversa (Cl)
f-------j-.---+-----..-----+----
-----~/,-+---------1
r----4----_t-----+-----+----5
/
r----~----_t-----r---~-------~-~J'~---4---------."
_._ __.__..L.
(V)
-25
-20
-15
-10
--
-5
.... Polarizacin
directa (CJ))
0.25
0.5
aplicada para
un diodo de silicio.
31
EN SENTIDO INVERSO
Hay ciertos datos que por lo general se incluyen en las hojas de especificaciones del
diodo que proporcionan los fabricantes. Una de tales cantidades que an no se ha
considerado es el tiempo de recuperacin en sentido inverso, denotado por t.; En el
estado de polarizacin directa se demostr al principio que hay un gran nmero de
electrones provenientes del material tipo n que avanzan a travs del material de tipo p y
de huecos en el tipo n (un requerimiento para la conduccin). Los electrones en el tipo p
y los huecos que avanzan en el material tipo n establecen un gran nmero de portadores
minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado debe invertirse para establecer una
situacin de polarizacin inversa, idealmente quisiramos observar que el diodo cambia
en forma instantnea del estado de conduccin al de no conduccin. Sin embargo, debido
a un nmero considerable
de portadores minoritarios
en cada material, el diodo
simplemen-te se invertir como se muestra en la figura 1.39 y permanecer en este nivel
mensurable durante el periodo ts (tiempo de almacenamiento)
requerido para que los
portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material
opuesto. En esencia, el diodo permanecer en el estado de corto circuito con una corriente
[inversadeterminada por los parmetros de la red. A la larga, cuando haya pasado esta fase
de almacenamiento, la corriente reducir su nivel hasta el que se asocia con el estado de
no conduccin. Este segundo periodo de tiempo se representa mediante t, (intervalo de
transicin). El tiempo de recuperacin en sentido inverso es la suma de estos' dos
intervalos: t.; = ts + tI. Naturalmente, representa una consideracin importante en las
aplicaciones
de interrupcin
de alta velocidad. La mayor parte de los diodos de
interrupcin comerciales tienen un t.; dentro del intervalo que va de unos cuantos
nanosegundos hasta 1 J..Ls.Sin embargo, se encuentran unidades con un t.; de slo unos
cuantos cientos de picosegundos (10-12).
directa
Respuesta
--7
corte)
deseada
tI
recuperacininverso.
32
./ o,K,etc.
Figura
(a)
(b)
(e)
Figura 1.41 Diversos tipos de diodos de unin. [(a) Cortesa de Motorola Ine.; (b) y (e) Cortesa de
International Reetifier Corporation.]
33
Punta rOja!
(VQ)
2f----.
o
(a)
0.67 V
(b)
(Ohrnimetro)
R relativa baja
Punta roja
(VQ)
Punta negra
(COM)
.,
(a)
R relativa alta
Punta negra
(COM)
Puntaroja
(VQl
(b)
34
de un diodo
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 puede exhibir las caractersticas
de un gran
nmero de dispositivos, incluyendo el diodo semiconductor. Mediante las conexiones
adecuadas del diodo al tablero de prueba en la parte central inferior de la unidad y
ajustando los controles, se puede obtener la pantalla simulada de la figura 1.46. Observe
que la escala vertical es de 1 mAldiv, resultando en los niveles indicados. Para la escala
Captulo
1 Diodos
semi conductores
Vertical
por divisin
1
mA
lOmA
9mA
8mA
7mA
Horizontal
por divisin
100
6mA
mV
SmA
4mA
3mA
2mA
IJ
ImA
po
OmA
OV
O.IV O.2V O.3V OAV O.5V O.6V O.7V O.8V O.9V 1.0V '----'
Bm por
divisin
horizontal la escala es de 100 mV/div, resultando en los niveles sealados de voltaje. Para
un nivel de 2 mA como se defini para un MMD, el voltaje resultante estara alrededor de
625 mV = 0.625 V. Aunque inicialmente el instrumento parece bastante complejo, el
manual de instrucciones y unos cuantos momentos de estudio mostrarn que pueden
obtenerse generalmente
los resultados deseados sin excesiva cantidad de tiempo y
esfuerzo. Este mismo instrumento aparecer en ms de una ocasin en los captulos
subsiguientes a medida que investiguemos las caractersticas de diversos dispositivos.
Vz
Figura
Zener.
35
(b)
(a)
(b)
(a)
Vz
r,mA=I~
I zt = 12.5
mA
k---------------<
.............
r d = 8.5 Q = ZZT
1---------------i/ZM=32mA
Voltaje
Zener
nominal
Tipo
Jedec
IN961
36
Vz
(V)
10
elctricas (temperatura
Corriente
de
prueba
Impedancia
dinmica
mx.,
Izr
(mA)
Zzra lzr
(n)
12.5
8.5
del
Impedancia
en la rodilla
Zener
mxima
ZZKaIZK
(mA)
(n)
700
0.25
Corriente
inversa
mxima,
Voltaje
de
prueba
Corriente
de reguLador
mxima,
Coeficiente
de
temperatura
IRa VR
VR
12M
(JJA)
(V)
(mA)
tpico,
(%/"C)
10
7.2
32
+0.072
T -
e-
Vz{T1
x 100%
To)
(1.12)
Impedancia dinmica
versus corriente Zener
.......
Iz - Corriente Zener -
OlA
(a)
6. 8iV'r-,
I
'i i
0.10.2
0.5
lO 20
50 100
Iz - Corriente Zener - mA
(b)
Determine el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild IN961 de la tabla l.4, a una
temperatura ambiente de 100C.
EJEMPLO
1.3
Solucin:
De la ecuacin 1.12,
37
de temperatura
positivo,
el nuevo potencial
Zener, definido
V'z = Vz + 0.54 V
= 10.54 V
La variacin de la impedancia dinmica (fundamentalmente, su resistencia en serie)
con la corriente, aparece en la figura 1.51b. Tambin en este caso, el Zener de 10-V
aparece entre los Zener de 6.8 V Y 24-V. Ntese que, cuanto ms intensa sea la corriente
(o cuanto ms elevado sea el aumento vertical al que nos encontremos en la figura 1.47),
menor ser el valor de la resistencia. Obsrvese tambin que, conforme descendemos por
abajo de la rodilla Zener de la curva, la resistencia aumenta a niveles importantes.
La identificacin de terminales y el encapsulado de una diversidad de diodos Zener
se presenta en la figura 1.52. La figura 1.53 es una fotografa de varios dispositivos
Zener. Ntese que su apariencia es muy similar a la del diodo semiconductor. Algunas
reas de aplicacin correspondientes al diodo Zener se examinarn en el captulo 2.
38
Captulo
Diodos
semiconductores
El diodo emisor de luz (LED) es, como su nombre lo indica, un diodo que producir
luz visible cuando se encuentre
energizado.
En cualquier unin p-n polarizada
directamente, dentro de la estructura y cerca principalmente de la unin, ocurre una
recombinacin de huecos y electrones. Esta recombinacin requiere que la energa que
posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones p-n de
semiconductor una parte de esta energa se convertir en calor y otro tanto en la forma de
fotones. En el silicio y el germanio, el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz
emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP)
o el fosfuro de galio (GaP), el nmero de fotones de la energa luminosa emitida es
suficiente para crear una fuente luminosa muy visible.
El proceso de produccin de luz aplicando una fuente de energa elctrica se
denomina electroluminiscencia.
Como se muestra en la figura 1.54, la superficie conductora conectada al material p
es mucho menor para permitir que sobresalga un nmero mximo de fotones de energa
luminosa. Ntese en la figura que la recombinacin de los portadores inyectados debidos
a la unin polarizada directamente. da como resultado la emisin de luz en el sitio de la
recombinacin. Desde luego, es posible que haya algo de absorcin de los paquetes de
energa fotnica en la propia estructura, pero un porcentaje bastante elevado es capaz de
abandonarla, como se muestra en la figura.
Luz visible
emitida
r-ff
+
o0-----1.
~ ---0
~
(-)
ID
VD
(b)
(+) 0------411
Contacto
metlico
Contacto
metlico
(a)
39
La figura 1.55h revela que, cuanto mayor sea la duracin del pulso a una frecuencia
particular, tanto menor ser la corriente pico permitida (despus de que se pasa el valor de
corte de tp)' La figura 1.55i revela simplemente que la intensidad es mayor a 0 (o de frente)
y que el valor ms bajo ocurre a 90 (cuando se observa el dispositivo desde un lado).
Valores nominales
mximos absolutos
a TA
= 25C
Rojo
de alta
eficiencia
4160
Parmetro
Disipacin de potencia
Corriente en sentido directo
promedio
Corriente mxima en sentido directo
Rango de temperatura de
operacin y almacenamiento
Temperatura para el soldado de
las terminales
[1.6. mm (0.063 in.) desde el cuerpo)
[1) Degradacin
120
mW
20[1)
60
- 55"C a lOO'C
mA
mA
(al
(b)
Caractersticas
elctrico/pticas
a TA
= 25C
t,
291/2
~ico
A.
"s
C
eje
VF
BVR
11v
Descripcin
Intensidad luminosa
aldal
Angulo incluido entre
puntos medios de
intensidad luminosa
Longitud de onda
mxima
Longitud de onda dominante
Velocidad de respuesta
Capacitancia
Resistencia trmica
Voltaje en sentido
directo
Voltaje de ruptura
inverso
Eficiencia luminosa
Mx.
Unidades
Mn.
Tipo
1.0
3.0
mcd
80
grados
635
nm
628
90
11
120
nm
ns
pF
'CfW
Condiciones
de prueba
1F=IOmA
2.2
3.0
5.0
147
Nota l
Medicin
en el pico
Nota 2
IR=IOO~
ImfW
Nota 3
NOTAS:
lo 9 en el ngulo fuera del eje al cual la intensidad luminosa es la mitad de la intensidad luminosa axia!.
112
2. La longitud de onda dominante J...d' se obtiene del diagrama de cromaticidad CTf. y representa la nica longitud de onda
que define el color del positivo.
3. La intensidad radiante le' en watts/esterradianes, puede encontrarse a partir de la ecuacin le= Iv l11v' donde Iv es la
intensidad luminosa en candelas y 11v es la eficiencia luminosa en lumens/watt.
(c)
40
Figura 1.55 Lmpara roja subminiatura de estado slido de alta eficiencia de Hewlett-Packard:
(a) aspecto; (b) valores nominales mximos absolutos; (e) caractersticas elctrico-pticas; (d) intensidad relativa versus longitud de onda; (e) corriente en sentido directo
versus voltaj.e en sentido directo; (f) intensidad luminosa relativa versus corriente en sentido
directo; (g) eficiencia relativa versus corriente pico; (h) corriente pico mxima versus duracin
del pulso; (i) intensidad luminosa relativa versus desplazamiento angular. (Cortesa de
Hewlett-Packard Corporation.)
Unidades
1.0
/
Verde
.",'">
'E'"
"
""
GaAsProjo
Rojo de alta
eficiencia
0.5 -
.;;
e
.E
O
500
550
600
700
650
750
1.6
1.5
TA = 2YC-i--+---I
3.0
._----
....
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
2.0 J---+--t---hI"'----I
10J---+-+--+-4,~---~
1/ I
5I--t----t--I--I}I- --+---l
1.0I---+-~.r_--+---I
0.9
0.8
0.7
0.6
O~~-~~~~~'---~
VF
Corriente
en sentido directo - V
5
1F
10
15
20
--
"
I
I
--
10 20
30
1mb. - Corriente
40
50 60
mxima - mA
.s >.
..!l
o.~
'e :e .~
o
E"
~ K"81
E~
:
~'a-
~';'El 8~E8
1: o co
,~
80"
,~
..J ~
90"f--+--+-~+--'l~
t
20"
4{)"
41
-r-
0.335"
-L
0.600"
La pantalla
de la figura 1.57 se usa en calculadoras
y proporciona
ocho
dgitos.Tambin hay lmparas LED de dos guas que contienen dos LED, de modo que
una inversin en polarizacin cambiar el color de verde a rojo, o a la inversa. Ahora hay
incluso LED en rojo, verde, amarillo, anaranjado y blanco. A lo que parece, hay la
posibilidad, en futuro bastante prximo, de que se introduzca el color azul. En general,
los LED operan a niveles de voltaje de 1.7 a 3.3 V, 10 cual los hace enteramente
compatibles con los circuitos de estado slido. Son de rpida respuesta (nanosegundos) y
ofrecen buenas proporciones de contraste para visibilidad. El requisito de potencia suele
ser de 10 a 150 mW con vida de ms de 100, 000 horas. Su construccin
de
semiconductor les brinda adems un considerable factor de robustez.
Corporation).
42
--rn-En la figura 1.58 se presenta un posible arreglo. Ntese que ocho diodo s se
encuentran en el interior del arreglo de diodos Fairchild FSA 1410M. Esto es, en el
encapsulado que se muestra en la figura 1.59 hay un grupo de diodos en una sola oblea
de silicio que tienen todos los nodos conectados a la terminal 1 y los ctodos de cada
uno a las terminales de la 2 a la 9. Advirtase en la misma figura que la terminal 1 puede
determinarse como si estuviera a la izquierda de la pequea proyeccin en el
encapsulado,.si observamos de la parte inferior hacia la cpsula. Los' otros nmeros, por
tanto, siguen en secuencia. Si slo se usara un diodo, slo las terminales 1 y 2 (o
cualquier nmero del 3 al 9) se usaran.
FSA 1410M
ARREGLO MONOLITICO DE DIODO TECNOLOGIA PLANAR
AISLADO POR AIRE
C.. 5.0 pF (MAX)
LlVF... 15 mv (MAX)
10 mA
DIAGRAMADE CONEXIONES
FSA 1410M
-55'C a + 200'C
+ 150'C
+ 260'C
~~ ~~ ~ ~ ~~ ~
CARACTERISTICAS ELECfRICAS
SIMBOLO
Vp
1.0 A
2.0A
MAX.
60
en sentido inverso
en sentido inverso (TA= lSO'C)
UNIDADES
CONDICIONES
l. = 10 !lA
1.5
1.1
1.0
V
V
V
Ip= SOOmA
100
100
nA
!lA
DE PRUEBA
Ip=200mA
Ip= lOOmA
Capacitancia
5.0
pF
4.0
Ir=SOOmA.
V. =4OV
V.=4OV
V. =0. f= 1 MHz
t,,< 10 ns
trr
Tiempo
de recuperacin
directo
40
ns
Ir=SOOmA.t,,<IO
t".
Tiempo
de recuperacin
inverso
10
ns
SO
ns
Ir = Ir = 10-200 mA
~ = 100
Ree . 0.1 1"
Ir= SOOmA, 1,,= SO mA
RL = 100Cl, Rec. a 5 mA
15
mV
Acoplamiento
1'0-96
Corriente
Corriente
C.VF
Vasela descripcindelencapsulado
l.
55V
350mA
MIN.
Voltaje de ruptura
~~
CARACTERlSTICAS
Bv
t ~~ ~~
ns
a.
lp=
lOmA
NOTAS:
1. Estos valores nominales corresponden
a valores lmite por encima de los cuales la vida de servicio o rendimiento puede deteriorarse.
2 . Estos son lmites en estado estable. Debe consultarse a la fbrica para aplicaciones Que impliquen pulsos u operaciones <ir:haio ciclo til.
V F se mide usando un pulso de 8 ms.
3.
43
O.370"=1.-
oo.~2'60"
:-ff-H(.,f-H-'l'-tI
Plano de base
Notas:
0.500"
~~mm-=r'
Vidrio
Terminales de Kovar,
recubrimiento de oro
Encapsulado
hermticamente
sellado
Peso de la cpsula: 1.32g
Los diodos restantes se dejaran sin conectar y no afectaran la red a la que las
terminales 1 y 2 estn conectadas.
Otros arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es
diferente, pero la secuencia numrica aparece en el diagrama. La terminal 1 es la que se
encuentra directamente arriba de la pequea muesca cuando se mira hacia abajo sobre el
dispositivo.
Diagrama de conexin
FSA2500M
~mmff r.
~0.310"i
Plan::e
mr
Notas:
42 terminales
de aleacin.
recubrimiento de plata.
Se dispone de terminales con
recubrimiento de oro.
Empaque
cermico
sellado
hermticamente.
44
* PSpice
45
DI
(~-)-~---(~)
Figura 1.62 Etiquetas de PSpice
para la entrada de un diodo en una
descripcin de red.
de ambas cosas, lenguajes y paquetes, es una necesidad. La eleccin de con cul lenguaje
o paquete debe uno familiarizarse es principalmente funcin del rea. de investigacin.
Sin embargo, afortunadamente,
un conocimiento fluido de un lenguaje o un paquete
particular ayudar frecuentemente
al usuario a familiarizarse con otros lenguajes y
paquetes. Existe una semajanza en propsitos y procedimientos que facilitan la transicin
entre uno y otro enfoques.
Se harn en cada captulo algunos comentarios referentes al anlisis computacional.
En algunos casos se presentarn un programa en BASIC y una aplicacin en PSpice,
mientras que en otras situaciones se aplicar slo una de las dos. A medida que surja la
necesidad de aclarar detalles se proporcionar suficiente respaldo para permitir, al menos,
una comprensin superficial del anlisis.
Este captulo trata especficamente de las caractersticas del diodo semi conductor. En
el captulo 2, el diodo se investiga utilizando el paquete de programacin PSpice. Como
un primer paso hacia ese anlisis, el "modelo" del diodo semiconductor se presentar
ahora. La descripcin en el manual de PSpice comprende un total de 14 parmetros para
definir sus caractersticas
terminales. Estas incluyen la corriente de saturacin, la
resistencia serie, la capacitancia terminal, el voltaje de rompimiento inverso, la corriente
de rompimiento inverso y un sinnmero de otros factores que pueden especificarse si es
necesario para el diseo o anlisis por realizar.
La especificacin
de un diodo en una red tiene dos componentes.
La primera
especifica
la ubicacin y nombre del modelo y la otra incluye los parmetros
mencionados anteriormente. El formato para definir la ubicacin y el nombre del modelo
del diodo es el siguiente para el diodo de la figura 1.62:
DI
DI
nodo
nombre
del modelo
+
nombre
nodo
DI
'--'
nombre
del modelo
~(IS
= 2E - 15?J
..
especificaciones
del parmetro
46
PROBLEMAS
1.2 Diodo ideal
1.
2.
3.
Describa, en sus propias palabras, el significado del trmino ideal, aplicado a un dispositivo o
sistema.
Describa, con sus propias palabras, las caractersticas del diodo ideal y cmo las mismas
determinan el estado de conduccin y estado de corte del dispositivo. Sobre esto, describa por qu
son apropiados los equivalentes de corto circuito y circuito abierto.
Cul es una diferencia importante entre las caractersticas de un interruptor sencillo y las de un
diodo ideal?
6.
7.
8.
Cunta energa en joules se requiere para mover una carga de 6 C a travs de una diferencia de
potencial de 3 V?
10. Si se necesitan 48 eV para mover una carga a travs de una diferencia de potencial de 12 V,
determine la carga correspondiente.
11. Consulte su bibliografa
y determine el nivel de Eg para el GaP y ZnS, dos materiales
semiconductores de valor prctico. Adems, determine el nombre de cada material.
47
19. Describa de qu forma podra recordar los estados de polarizacin inversa y directa del diodo de
unin p-n. Esto es, cmo recordara qu tipo de potencial (positivo o negativo) se aplica y a cul
terminal?
20. Empleando la ecuacin (l.4), determine la corriente de diodo a 20C para el diodo de silicio con
Is = 50 nA y una polarizacin directa aplicada de 0.6 V.
21. Repita el problema 20 para T= 100C (punto de ebullicin del agua). Suponga que Is ha aumentado
a 5.0 1lA.
22. (a) Utilizando la ecuacin (l.4), determine la corriente de diodo a 20C para un diodo de silicio
con Is = O.IIlA a un potencial de polarizacin inverso de -10 V.
(b) Se esperaba este resultado? Por qu?
23. (a) Grafique la funcin y = eX para un intervalo de x o de O a 5.
(b) Cul es el valor de y = eX en x = O?
(e) Basndose en los resultados del inciso (b), por qu es importante el factor -1 en la ecuacin
(l.4)?
24. En la regin de polarizacin inversa la corriente de saturacin de un diodo de silicio es de
aproximadamente
0.1 IlA (T = 20C). Determine su valor aproximado si la temperatura se
incrementa 40C.
25. Compare las caractersticas de un diodo de silicio y uno de germanio y seale cul preferira utilizar
en la mayor parte de las aplicaciones prcticas. Proporcio-ne algunos detalles en torno a su
respuesta. Refirase a un listado de fabricantes y compare la caracterstica de un diodo de germanio
y de uno de silicio de valores nominales mximos similares .
. 26. Determine la cada de voltaje en sentido directo a travs del diodo cuyas caractersticas aparecen en
la figura 1.24 a temperaturas de -75C, 25C, lO00C y 200C Y una corriente de 10 mA. Para cada
temperatura, determine el nivel de la corriente de saturacin. Compare los extremos de cada uno y
opine acerca de la relacin de los dos.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
33.
34.
35.
Determine la resistencia esttica o de cd del diodo de la figura 1.19 a una corriente en sentido
directo a 2 mA.
Repita el problema 27 a una corriente en sentido directo de 15 mA Ycompare los resultados.
Determine la resistencia esttica o de cd del diodo de la figura 1.19 a un voltaje inverso de -10 V.
Cmo se compara sta con el valor determinado a un voltaje inverso de -30 V?
(a) Determine la resistencia dinmica (ea) del diodo de la figura 1.29 a una corriente en sentido
directo de lOmA utilizando la ecuacin 1.6.
(b) Determine la resistencia dinmica (ea) del diodo de la figura 1.29 a una corriente en sentido
directo de 10 mA empleando la ecuacin (1.7).
(c) Compare las soluciones de las partes (a) y (b).
Calcule la resistencia de cd y de ea para el diodo de la figura 1.29 a una corriente en sentido directo
de 10 mA Ycompare sus magnitudes.
Utilizando la ecuacin 1.6, determine la resistencia de ea de l mA y 15 mA para el diodo de la
figura 1.29. Compare las soluciones y d una conclusin general sobre la resistencia de ea y los
niveles crecientes de corriente del diodo.
Sobre la base de la ecuacin 1.7, determine la resistencia de ea a una corriente de 1 mA y de 15 mA
para el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuacin segn sea necesario para los niveles bajos de
corriente del diodo. Compare estos datos con las soluciones obtenidas en el problema 32.
Determine la resistencia de ea promedio para el diodo de la figura 1.19 para la regin entre 0.6 y 0.9 V.
Determine la resistencia de ea para el diodo de la figura 1.19 a 0.75 V Y compare con la resistencia
de ea promedio obtenida en el problema 34.
37.
48
Encuentre el circuito equivalente lineal por segmentos para el diodo de la figura 1.19. Utilice el
segmento recto que intersecta el eje horizontal en 0.7 V Y que ms se aproxima a la curva para la
regin mayor de 0.7 V.
Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29.
38.
39.
40.
41.
42.
43.
44.
Grafique I F contra V F utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Advierta
que la grfica proporcionada emplea una escala logartmica para el eje vertical (las escalas
logartrnicas se vern en las secciones 11.2 y 11.3).
Haga un comentario sobre el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de
polarizacin inversa para el diodo BA Y73.
Cambia en forma significativa la magnitud de la corriente de saturacin inversa del diodo BA Y73
para los potenciales de polarizacin inversa en el intervalo de -25 V a -100 V?
Determine, para el diodo de la figura 1.36, el nivel de IR a temperatura ambiente (25C) y al punto
de ebullicin del agua (lOOC). Es significativo el cambio? Se incrementa el nivel casi cerca del
doble por cada lOoC de incremento en la temperatura?
Para el diodo de la figura 1.36, determine la mxima resistencia de ca (dinmica) para una
corriente en sentido directo de 0.1 mA, 1.5 mA y 20 mA. Compare sus niveles y haga un
comentario sobre si los resultados mantienen las conclusiones obtenidas en las secciones iniciales
de este captulo.
Utilizando las caractersticas de la figura 1.36, determine les niveles de mxima disipacin de
energa para el diodo a temperatura ambiente (25C) y a lOC.Suponiendo que VF permanece fijo
a 0.7 V, cmo cambia el nivel mximo de IF entre estos dos niveles de temperatura?
Empleando las caractersticas de la figura 1.36, determine la temperatura a la que la corriente de
diodo estar al 50% de su valor a la temperatura ambiente (25C).
1.10 Capacitancia
del diodo
de transicin y de difusin
45.
(a) Considerando
la figura 1.37, determine la capacitancia de transicin al potencial de
polarizacin inversa de -25 V Y de -10 V. Cul es la proporcin del cambio en la
capacitancia con respecto al cambio en el voltaje?
(b) Repita
el inciso (a) para los potenciales
de polarizacin
inversa de -10 V Y
- 1 V. Determine la proporcin al cambio de la capacitancia con relacin al cambio en el
voltaje.
(c) En qu forma se comparan las proporciones determinadas en los incisos (a) y (b)? Qu es lo
que seala el intervalo que puede tener ms reas de aplicacin prctica?
46. Con referencia a la figura 1.37, determine la capacitancia de difusin a OV Y 0.25 Y.
47. Describa con sus propias palabras cmo difieren las capacitancias de transicin y de difusin.
48. Determine la reactancia que ofrece un diodo descrito por las caractersticas de la figura 1.37 a un
potencial en sentido directo de 0.2 V Y a un potencial inverso de -20 Y si la frecuencia aplicada es
de6 MHz.
inversa
= 2ts
y el tiempo total
Vi
10
+
Vi
=ni
10kQ
O
5
51.
49
52
53.
54.
* 55.
56. Considerando la figura 1.55e, cul podra ser un valor apropiado de Vr para este dispositivo?
Cmo se compara con el valor de Vr para el silicio y el germanio?
57. Utilizando la informacin que se proporciona en la figura 1.55, determine el voltaje en sentido
directo en el diodo si la intensidad luminosa relativa es de 1.5.
58. (a) Cul es el incremento porcentual en la eficiencia relativa del dispositivo de la figura 1.55, si
lacorriente mxima aumenta de 5 a lOmA?
(b) Repita el inciso (a) considerando un cambio de 30 a 35 mA (el mismo incremento en la
corriente).
(e) Compare el incremento porcentual de los incisos (a) y (b). En qu punto de la curva se podr
afirmar que hay un poco de ganancia por un incremento adicional de la corriente mxima?
59. (a) Con respecto a la figura 1.55h, determine la corriente pico mxima permisible si el periodo de
duracin del pulso es de 1 ms, la frecuencia de 300 Hz y la corriente mxima tolerable cd es de
20mA.
(b) Repita el inciso (a) para una frecuencia de 100 Hz.
60. (a) Si la intensidad luminosa a un desplazamiento angular de 0 es de 3.0 mcd para el dispositivo
de la figura 1.55, a qu ngulo ser de 0.75 mcd?
(b) A qu ngulo la prdida de intensidad luminosa desciende por debajo del 50% de su nivel?
61. Dibuje la curva de degradacin de corriente para la corriente en sentido directo promedio del LED
rojo de alta eficiencia de la figura 1.55 de acuerdo con la temperatura. (Considere los valores
nominales mximos absolutos.)
50