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Que es un material semiconduotr

Que son impurezas


Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo
comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la
conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre.
Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el semiconductor. Estos
tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material semiconductor presenta una
conductividad controlable elctricamente.
Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y
determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas habr dos
tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N.
El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como
el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos. El silicio est presente
de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la naturaleza
2 diodos como la unin de dos materiales semiconductores
Fsicamente, un diodo consiste en la unin de dos materiales semiconductores, uno
de tipo P y otro de tipo N, llamada comnmente unin PN, a la que se han unido
elctricamente dos terminales. Al que se encuentra unido elctricamente al cristal
P, se le denomina nodo, y se lo representa en los diagramas mediante la letra A; y
el que es solidario con la zona N se lo llama ctodo, simbolizado por la letra K.
3 principio de funcionamiento de un diodo semiconductor
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al
nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta.
Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en
continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.

4 Caracterstica voltaje corriente de un diodo


5metodos para probar un diodo
El mtodo de prueba que se presenta aqu es el mtodo tpico de medicin de un diodo con un
multmetro analgico (el que tiene una aguja).
Para empezar, se coloca el selector para medir resistencias (ohmios / ohms), sin importar de momento
la escala. Se realizan las dos pruebas siguientes:

1 - Se coloca el cable de color rojo en el nodo de


diodo (el lado de diodo que no tiene la franja) y
el cable de color negro en el ctodo (este lado
tiene la franja).
El propsito es que el multmetro inyecte una
corriente continua en el diodo (este es el proceso
que se hace cuando se miden resistores).
Si la resistencia leda es muy alta, esto nos indica
que el diodo se comporta como se esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce
corriente.
- Si esta resistencia es muy baja puede se una indicacin de que el diodo est en "corto" y deba ser
reemplazado.
Nota:
- El cable rojo debe ir conectado al terminal del mismo color en el multmetro
- El cable negro debe ir conectado al terminal del mismo color en el multmetro (el comn / common)

Aproximaciones de un diodo

1 Aproximacin (el diodo ideal)


La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de
coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.

Polarizacin directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Polarizacin inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.

Como se ha visto, el diodo acta como un interruptor abrindose o cerrndose dependiendo


si esta en inversa o en directa. Para ver los diferentes errores que cometeremos con las
distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada aproximacin.

2 Aproximacin
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este
valor es el valor de la tensin umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de
silicio, si fuera de germanio se tomara el valor de 0,2 V).

El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarizacin directa, pero como a efectos
prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximacin el error es
menor que en la aproximacin anterior.
Polarizacin directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.

Polarizacin inversa: Es un interruptor abierto.

3 Aproximacin

La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente cuyo
valor es la inversa de la resistencia interna.

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la


polarizacin directa:

Nr.

Nombre de
la Parte

Descripcin

Fabricante

187281

BBY53

Diodo que templa del silicio (diodo que templa del alto
hyperabrupt de Q diseado para la operacin baja del
voltaje que templa)

Siemens

187282

BBY53-02L Diodos para los usos de la baja tensin VCO

187283

BBY53-02V

Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt


del silicio en el paquete ultra pequeo SC79

Infineon

187284

BBY53-02W

Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt


del silicio

Infineon

187285

BBY53-02W Diodo que templa del silicio (diodo que templa del alto

Infineon

Siemens

hyperabrupt de Q diseado para la operacin baja del


voltaje que templa)
187286

BBY53-03L Diodo Que templa Del Silicio

Infineon

187287

BBY5303LRH

Diodos para los usos de la baja tensin VCO

Infineon

187288

BBY53-03W

Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt


del silicio

Infineon

187289

Diodo que templa del silicio (diodo que templa del alto
BBY53-03W hyperabrupt de Q diseado para la operacin baja del
voltaje que templa)

187290

BBY53-05W

Varactordiodes - diodo que templa dual del alto Q


hyperabrupt del silicio

Infineon

187291

BBY55

Diodos Que templan Del Silicio

Infineon

187292

BBY55-02V

Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt


del silicio en el paquete ultra pequeo SC79

Infineon

187293

BBY55-02W

Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt


del silicio

Infineon

187294

Diodo que templa del silicio (inductancia baja de la serie del


BBY55-02W diodo hyperabrupt excelente de las linearidades que templa Siemens
del alto Q)

187295

BBY55-03W

187296

Diodo que templa del silicio (inductancia baja de la serie del


BBY55-03W diodo hyperabrupt excelente de las linearidades que templa Siemens
del alto Q)

187297

BBY56

Diodo Que templa Del Silicio

Infineon

187298

BBY56-02W

Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt


del silicio

Infineon

187299

Diodo que templa del silicio (inductancia baja de la serie del


BBY56-02W diodo hyperabrupt excelente de las linearidades que templa Siemens
del alto Q)

Varactordiodes - diodo que templa del alto Q hyperabrupt


del silicio

Siemens

Infineon

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