Professional Documents
Culture Documents
Aproximaciones de un diodo
2 Aproximacin
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este
valor es el valor de la tensin umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de
silicio, si fuera de germanio se tomara el valor de 0,2 V).
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarizacin directa, pero como a efectos
prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximacin el error es
menor que en la aproximacin anterior.
Polarizacin directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.
3 Aproximacin
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente cuyo
valor es la inversa de la resistencia interna.
Nr.
Nombre de
la Parte
Descripcin
Fabricante
187281
BBY53
Diodo que templa del silicio (diodo que templa del alto
hyperabrupt de Q diseado para la operacin baja del
voltaje que templa)
Siemens
187282
187283
BBY53-02V
Infineon
187284
BBY53-02W
Infineon
187285
BBY53-02W Diodo que templa del silicio (diodo que templa del alto
Infineon
Siemens
Infineon
187287
BBY5303LRH
Infineon
187288
BBY53-03W
Infineon
187289
Diodo que templa del silicio (diodo que templa del alto
BBY53-03W hyperabrupt de Q diseado para la operacin baja del
voltaje que templa)
187290
BBY53-05W
Infineon
187291
BBY55
Infineon
187292
BBY55-02V
Infineon
187293
BBY55-02W
Infineon
187294
187295
BBY55-03W
187296
187297
BBY56
Infineon
187298
BBY56-02W
Infineon
187299
Siemens
Infineon