QUE ES UN DIDO GUNN,PARA QUE SIRVE UN DIODO GUNN ,DONDE

APLICO UN DIODO GUNN COMO FUNCIONA DIDO GUNN, OBJETIVOS

GENERAL, ESPECIFICOS,, CONCLUSIONES, CURVA CARACTERISTICAS
DEL DIODO GUNN
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II

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1.

TEMA:
EL DIODO GU
NN2.

OBJETIVOS
OBJETIVOS
GENERAL

Obtener los conoci

mientos sobre las c
aractersticas del di
odo Gunn.

OBJETIVOS
ESPECIFICOS
Conocer las distint
as aplicaciones del
diodo Gunn

Ampliar
conocimientos
sobre el tema
especfico sobre
osciladores
en lnea coaxial
y engua de ondas

3.
INTRODUC
CIN.

La generacin de
frecuencias para el
rango
de microondasse
puede realizar de
variasmaneras,
siendo las ms
comunes el uso del
Klystron,
Magnetrn, sobre
todo enaplicaciones

de grandes
potencias, para
otros fines lo ms
comn es el uso
dedispositivos
de estadoslido
como
los transistoresde
efecto de campo de
AsGay diodosGunn
, sobre todo por su

tamao pequeo y
bajo consumo. En
el
presente trabajo, se
explicara acerca de
los principiosy el
funcionamiento
deloscilador Gunn,
el mismo que se
basa en el diodo
Gunn, y por ende

en el efecto que
llevael mismo
nombre. Los
mismos que se
utilizan para
aplicaciones
de semiconductores
serevisara
conceptos bsicos
referentes al diodo
Gunn, as como a

algunas de
suscaractersticas,
para desarrollar el
tema relacionado al
efecto Gunn, que es
la base deloscilador
Gunn se ver
algunas de las
configuraciones
tpicas para la
obtencin de

unoscilador Gunn
dentro de cavidades
resonantes
osciladores Gunn
en lnea coaxial y
engua de ondas.

4. MARCO T
EORICO
QUE ES UN
DIODO

Un diodo es una
sustancia cuya
conductividad es
menor que la de un
conductor y
mayorque la de un
aislante.

QUE ES UN
DIODO GUNN
Los diodos Gunn
son unos

dispositivos
electrnicos que
emiten radiacinele
ctromagnticaen el
rango de
las microondas. Es
una clase particular
de diodo,
que, junto con el di
odo de efecto tnel,
permite disponer s

olamente de una zo
na N en elmaterial
Es una forma de
diodo usado en la
electrnica de alta
frecuencia. A
diferencia de
losdiodos
ordinarios Los
diodos Gunn son
usados para

construir
osciladores en el
rango
defrecuencias
comprendido entre
los 10 Gigahertzy
frecuencias an
ms
altas(hastaTerahert
z). Este diodo
se usa

en combinacin co
n circuitosresonant
es construidoscon
guas de ondas,
cavidades coaxiales
y resonadores y la
sintonizacin es
realizadamediante
ajustes mecnico,
elctricos.Los
diodos Gunn suelen

fabricarse
de arseniuro de
galiopara
osciladores de
hasta 200GHz,
mientras que los de
Nitruro de Galio
pueden alcanzar los
3 Terahertz.Los
que estn
disponibles hoy en

da emiten
radiacin de una
frecuencia de entre
10 y100 GHz ms
o menos 1 GHz se
lee un gigahercioy
es una unidad que
significa que
laradiacin tiene
una frecuencia de
1.000.000.000 Hz,

que son
1.000.000.000 de
hercios
o1.000.000.000 de
oscilaciones por
segundo.

APLICACIONE
S
Mediciones de dist
ancia,

Deteccin de movi
mientos (que no
sean muy rpidos),
Radares de velocid
ad,
Detectores para au
tomatismos de aper
tura/cierre de puert
as,

En
general relacionada
s con deteccin
de objetos y su
movimiento
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DESCARGA

Sirve para
medir la

distancia al
coche que
tienes detrs.
COMO
FUNCIONA UN
DIODO GUNN
Los diodos Gunn
funcionan haciendo
uso del llamado

efecto Gunn, una

propiedad
dedeterminados
semiconductores J.
B. Gunn se dio
cuenta de que al
aplicar una
diferenciade
potencial constante
en otras palabras,
una tensin o un

voltaje constantes
entre losextremos
de un trocito de un
semiconductor
como el fosfuro de
indio(InP) o
el arseniurode
galio(GaAs),
dopados tipo n, la
corriente que
circulaba por el

material dejaba de
sercontinua y
oscilaba a gran
velocidad.

Paso 1(a)
Esquema del
diodo.

(b)
Relacin entre la
velocidad de los

electrones y el
campo elctrico. A
un campoelctrico
aplicado E le
corresponde una
velocidad de
electrones
determinada, va.

(c)
Dependencia de la
densidad de

electrones y el
campo elctrico
respecto de la
posicindentro de
la pieza de
GaAs. Aplicando el
diferencial de
voltaje en los
extremos tenemos

(a)

Para unos
determinados
valores del campo
elctrico dentro y
fuera del dominio,
todoslos electrones
viajan a la misma
velocidad.

(b)
El dominio de
carga espacial de

Gunn ya no crece
ms y sigue su
viaje hacia
elelectrodo
positivo.

(c)
El campo elctrico
fuera del dominio
no es
suficientemente
grande como para

que seformen ms
dominios
adicionales.

FUNCIONAMIE
NTO EN
RESISTENCIA
POSITIVA

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DESCARGA

El Arseniuro de
Galio (GaAs) es
uno de los pocos
materiales

semiconductores
que en unamuestra
con dopado tipo N,
tiene una banda de
energa vaca ms
alta que la
mselevada de las
que se encuentran
ocupadas parcial o
totalmente.Cuando
se aplica una

tensin a una placa

(tipo N) de
Arseniuro de Galio
(GaAs),
loselectrones, que
el material tiene en
exceso, circulan y
producen corriente.
Si se aumentala
tensin, la corriente
aumenta.

FUNCIONAMIE
NTO EN
RESISTENCIA
NEGATIVA
Si se le sigue
aumentando la
tensin, se les
comunica a los
electrones
una mayorenerga,
pero en lugar de

moverse ms
rpido, los
electrones saltan a
una banda
deenerga ms
elevada, que
normalmente est
vaca, disminuyen
su velocidad y, por
ende,la corriente.
As, una elevacin

de la tensin en
este elemento causa
una disminucin
dela
corriente.Finalment
e, la tensin en la
placa se hace
suficiente para
extraer electrones
de la bandade
mayor energa y

menor movilidad,
por lo que la
corriente
aumentar de
nuevo con
latensin. La
caracterstica
tensin contra
corriente se parece
mucho a la
del Diodo

Tnel. Sin
embargo, una de
las dificultades de
utilizar
directamente el
compuesto como
unaresistencia
negativa en AC es
la aparicin de
inestabilidades
internas.

Fluctuacionesespon
taneas de la
densidad
electrnica
causadas por ruido
o por un efecto en
el dopadopueden
dar lugar a
acumulaciones
espaciales de carga
(dominios).En un

dispositivo de
longitud finita, el
dominio se forma
cerca del ctodo
porque estaregin
presenta una mayor
no uniformidad
debido al daado
que se produce en
el cristal alformarse
los contactos. El

dominio se
desplaza por el
cristal con una
velocidad del
ordende 105 m/s
hasta q alcanza al
nodo, donde
colapsa y el
potencial se
redistribuye en
elcampo fuera del

dominio. La
corriente tambin
aumenta con este
campo hasta
quealcanza un
valor mximo,
donde de nuevo se
cae hasta q se
forma el dominio
siguiente.Como
resultado, la

corriente a travs
del dispositivo es
una serie de pulsos
superpuestossobre
un nivel constante,
como se muestra en
la Figura.

Forma de onda
para la corriente
tpica de tiempo

de transito de un
dispositivo Gunn
La frecuencia del
oscilador esta est
determinada por el
tiempo de transito
del dominio.Sin
embargo se puede
forzar, mediante
resonadores, que
los modos colapsen

andealcanzar el
nodo, lo cual
permite modificar
el tiempo de
transito, de este
modo se
puedesintonizar la
frecuencia de
operacin.

Por lo general
existen 3 diseos

diferentes de
osciladores: