Problemas Tema 17

Conductividad elctrica y materiales

conductores
Problema 1.- a) Cul ser la funcin de Fermi para una energa kT por
debajo de la energa de Fermi?. b) Encontrar la temperatura a la cual
existe una probabilidad del 2% de que un estado con una energa 03 eV
por encima del nivel de Fermi est ocupado por un electrn.
Dato: k= 8,62 x 10-5 eV/K
Solucin: a) 73%; b) 621C.
Problema 2.- Suponiendo que todos los electrones de valencia
contribuyen a la corriente, calcule: a) la movilidad de un electrn de
cobre y b) la velocidad de deriva de los electrones en un alambre de
cobre de 1 metro, al aplicar 10 V.
Datos: Cu (fcc) con a= 3,61 x 10-8 cm; = 5,98 x 105 -1.cm 1;
e = 1,6 x 10-19 C.
La valencia del Cu es uno; por tanto, el nmero de electrones de
valencia es igual al nmero de tomos de Cu en el material.
Solucin: a) 44 cm2/V.s; b) 4,4 cm/s.
Problema 3.- Calcule la conductividad elctrica del cobre puro a:
a) 400 C, y b) 100C.
Datos: 25C = 1,67 x 10 6 .cm y = 0,0039.
Solucin: a) 2,43 x 105 -1.cm-1; b) 11,68 x 105 -1.cm-1
Problema 4.- A temperatura ambiente, la conductividad elctrica y la
movilidad electrnica para el aluminio son respectivamente 3,8 X 107
( cm) -1 y 0,0012 m2/Vs. Calcular:
a) El nmero de electrones libres por m3 de aluminio a temperatura
ambiente.
b) El nmero de electrones libres por tomo de aluminio.
Datos: El aluminio cristaliza en el sistema FCC, con un parmetro de red
de 0,405 nm y tiene un peso atmico de 27.
La relacin entre la movilidad y conductividad elctricas es: = n e .
Solucin: a) 1,98 x 10

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m-3; b) 3,29.

Problemas Tema 18

Materiales y dispositivos
semiconductores
Problema 1.- Calcular la resistividad elctrica del silicio a 300 K.
Datos: n i = 1016 m-3; e = 1,60 x 10-19 C; n = 0,135 m2/(Vs), y
p = 0,048 m2/(Vs).
Solucin: 3,415 x 103 .m.
Problema 2.- La resistividad elctrica del silicio puro a temperatura
ambiente (300 K) es 3,415 x 103 m. Calcular la conductividad
elctrica a 200 C (473 K).
Datos: E g del Si= 1,1 eV ; k = 8,62 x 10-5 eV/K.
Solucin: 0,698 (.m)-1.
Problema 3.- A travs de un cubo de Germanio de 10 mm de longitud
de arista, pasa una corriente de 5,6 mA cuando se aplica una diferencia
de potencial de 8,5 mV entre dos de sus caras paralelas. Suponiendo
que los portadores de carga son electrones con una movilidad de 0,41
m2 V-1s-1: a) Calcular la densidad de portadores. b) Calcular el tiempo de
relajacin si la masa efectiva del electrn en germanio es 012 m o ,
siendo m o la masa del electrn libre (m o =9,11x 10-28 g).
Datos: e = 1,60 x 10-19 C
Solucin: a) 1021 m-3; b) 2,8 x 10-13 s.
Problema 4.- La conductividad elctrica de un semiconductor es de
0,66 -1m-1. Si la relacin entre las movilidades de electrones y huecos
es de 20, siendo el nmero de electrones igual a 1019 m-3 y el de huecos
igual a 1020 m-3, calcular las respectivas movilidades de huecos y
electrones.
Dato: e = 1,60 x 10-19 C;
Solucin: n = 0,275 m2/(Vs); p = 0,0137 m2/(Vs).

Problema 5.- Para el sodio se han determinado experimentalmente las

siguientes magnitudes:
Resistividad
Coeficiente de Hall
Longitud de onda crtica
Densidad

4,7x10-8 m
- 2,5x10-10 m3C-1
210 nm
971 Kgm-3

Calcular:
a) La densidad de electrones.
b) El tiempo de relajacin.
c) El nmero de electrones por tomo disponibles para la conduccin.
Datos: e = 1,60 x 10-19 C; m e = m o =9,11x 10-28 g; Pat Na = 23
Solucin: a) 2,5 x 1028 m-3 ; b) 1,07 x 10-9 s; c) 1.
Problema 6.- Un disco de silicio es dopado con 1021 tomos de
fsforo/m3. Suponga la total ionizacin de los tomos dopantes.
Calcular:
a) La concentracin de portadores mayoritarios.
b) La concentracin de portadores minoritarios.
c) La resistividad elctrica del silicio dopado a temperatura ambiente
(300 K).
Datos: e = 1,60 x 10-19 C; n i (Si)=1,5 x 1016 m-3 ; n = 0,135 m2/(Vs);
p = 0,048 m2/(Vs)
Solucin: a) 1021 m-3 ; b) 2,25 x 1011 m-3 ; c) 0,0463 .m.
Problema 7.- Una oblea de silicio dopada con fsforo tiene una
resistividad elctrica de 8,33 x 10-5 m a 27 C. Suponga que las
movilidades de los portadores de carga tienen valores constantes de
0,135 m2/(Vs) para los electrones y de 0,048 m2/(Vs) para los huecos.
a) Cul es la concentracin de portadores mayoritarios (portadores por
m3) si se supone que la ionizacin es completa?.
b) Cul es la relacin de tomos de fsforo a silicio en este material?.
Datos: e = 1,60 x 10-19 C; Pat Si = 28,08 g/mol; densidad Si= 2,33
g/cm3; N A = 6,023 x 1023 .
Solucin: a) 5,56 x 1023 m-3 ; b) 1,11 x 10-5.

Problema 8.- Un semiconductor de silicio se dopa con 1,4 x1016 tomos

de boro/cm3 y 1,0 x 1016 tomos de fsforo/cm3 a 27 C. Suponiendo la
completa ionizacin de los tomos dopantes. Calcular:
a) Las concentraciones de los portadores mayoritarios y minoritarios.
b) Las movilidades de los electrones y de los huecos.
c) La resistividad elctrica.
Datos: ni (Si) = 1,50 x 1010 cm-3

Solucin: a) Mayorit = 4 x 1015 cm-3 ; Minorit = 5,6 x 104 cm-3.

b) n = 900 cm2/(Vs); p = 300 cm2/(Vs). c) 5,2 .m.
Problema 9.- a) Calcular la conductividad elctrica intrnseca del GaAs:
a) A temperatura ambiente (27 C); b) A 70 C; c) Qu fraccin de
corriente es transportada por los electrones en el GaAs intrnseco a
temperatura ambiente (27 C)?
Datos: e = 1,60 x 10-19 C; n i = 1,4 x 1012 m-3 ; n = 0,85 m2/(Vs);
p = 0,042 m2/(Vs); E g = 1,35 eV ; k = 8,62 x 10-5 eV/K.
Solucin: a)1,998 x10-7 (.m)-1; b) 5,267 x10-6 (.m)-1;c) 95,3 %
Problema 10.- Calcular el nmero de electrones de conduccin por
tomo de aluminio si su coeficiente de Hall es de 0,28 x10-10 m3C-1.
Datos: Al (FCC); Pat = 27; densidad = 2,7 g m-3; e = 1,60 x 10-19 C;
N A = 6,023 x 1023.
Solucin: 3,7.
Problema 11.- Calcular el band gap de un material que slo absorbe
fotones de longitud de onda inferior a 300 nm.
Datos: h = 6,623 x 10-34 J.s ; c = 3 x 108 m/s ; e = 1,60 x 10-19 C.;
Solucin: 4,125 eV.

Problema 12.- Calcular el nmero de tomos de Silicio por metro

cbico. La densidad del silicio es 2,33 g/cm3, y su masa atmica de
28,08 g/mol.
Datos: N A = 6,023 x 1023.
Solucin: 5 x 1028 tomos /m3
Problema 13.- Calcular la resistividad de un substrato de silicio dopado
con 1018 at/cm3 de elemento dopante tipo donor a temperatura
ambiente.

Solucin: 2,1 m.cm

Problema 14.- Calcular la resistividad de un sustrato de GaAs dopado
con 1018 at/cm3 de elemento dopante tipo aceptor, a temperatura
ambiente.

Solucin: 33 m.cm
Problema 15.- Calcular la resistividad a 350 K de un semiconductor
extrnseco tipo-n dopado con 10 16 at/cm3.
Dato: n = 868 cm2/V.s
Solucin: 720 m.cm
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Problema 16.- Si la conductividad intrnseca de un semiconductor InSb

es de 2 x 104 ( m)-1 a temperatura ambiente, y de 4,6 ( m)-1 a
125C, determinar su intervalo de energas prohibido (Eg) sabiendo que
responde a una ley logartmica del tipo:

Dato: k = 8,62 x 10-5 eV/K.

Solucin: 0,17 eV
Problema 17.- Un semiconductor de GaAs se dopa para conseguir un
valor de conductividad de 4,34 (.cm)-1 a 300 K expresada por la
ecuacin: = N. e. . Calcular el orden de dopado, as como el tipo de
semiconductor obtenido (N o P).
Dato: e = 1,60 x 10-19 C

Solucin: Orden de dopado 10

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cm-3; SE tipo-p.

Problemas Tema 19

Materiales aislantes y dielctricos

Problema 1.- Se quiere fabricar un condensador que puede almacenar
una carga Q= 4x10-5 C a un potencial V= 104 V. Si la separacin entre
placas d=0,02 cm. Calcular el rea de las placas en caca caso?.
a. Entre placas tenemos espacio vaco r =1.
b. Con polietileno entre placas r =2,26.
c. Con titanato de Bario entre placas r =3000.
Dato: 0 = 8,85 x 10-12 (F/m).
Solucin: a) 904 cm2; b) 400 cm2 y c) 0,3 cm2.
Problema 2.- Si el desplazamiento promedio de los electrones con
respecto al ncleo en un tomo de Cu es de d=1,18 x 10-8 Amstrong (1
Amstrong = 10-10m), cuando se aplica un campo elctrico a una placa
de Cu. Calcular su polarizacin.
Datos: Z Cu =29; a = 3,615 Amstrong.
Solucin: P= 4,65 x 10-7 C/m2.
Problema 3.- La Polarizacin inica (P I ) observada en un cristal de
NaCl es de 4,3 x 10-8 C/m2. Calcular el desplazamiento entre lo iones de
Na+ y Cl- sabiendo que la arista de la celdilla unidad es de 5,5 Amstrong
y que tenemos 4 tomos(iones) de Na+/c.unidad.
Solucin: d= 11,2 x 10-8 Amstrong.
Problema 4-. Calcular la mxima polarizacin por unidad de volumen y
la carga mxima que se puede almacenar por cm2 para el BaTiO 3 ,
conociendo los desplazamientos y las aristas de la celdilla unidad.
Solucin: P= 1,8015 x 10-5 C/cm2; Q max = 1,8015 x 10-5 C.
Problema 5.- Un condensador de placas paralelas tiene un rea total
de 6,45 x 10-4 m2 y una separacin entre placas de 2 mm a travs de
las cuales se aplica un potencial de 12 V. Si se interpone dentro de la
regin entre las placas un material con una constante dielctrica r =6,
calcular:
a) La capacidad del condensador.
b) La magnitud de la carga almacenada en cada placa.
c) El desplazamiento dielctrico D.
d) La polarizacin.
Dato: 0 = 8,85 x 10-12 (F/m).
Solucin: a) C= 1,71 x 10-11 F; b) Q = 1,71 x 10-10 C;
c) D=2,66 x 10-7 C/m2; d) P = 2,22 x 10-7 C/m2

Problema 6.- Un condensador de placas paralelas con dimensiones

38,1 por 63,5 mm y una separacin entre placas de 1,3 mm debe tener
una capacidad mnima de 70 pF cuando se aplica un potencial de 1000 V
a una frecuencia de 1 MHz. Cul de los materiales tabulados a
continuacin son posibles candidatos?. Por qu?.

Dato: 0 = 8,85 x 10-12 (F/m).

Solucin: El fenol-formaldehido y todos los cermicos excepto la
slice vtrea.
Problema 7.- La polarizacin P de un material dielctrico entre las
placas de un condensador tiene que ser igual a 4,0 x 10 -6 C/m2.
a) Cunto debe valer la constante dielctrica ( r ) si se aplica un campo
elctrico de 105 V/m?
b) Cunto vale el desplazamiento dielctrico D?
Dato: 0 = 8,85 x 10-12 (F/m).
Solucin: a) r = 5,5 ; b) D = 4,89 x 10-6 C/m2.
Problema 8.- Aplicamos una fuerza de 200 N a una placa de titanato
de bario de 2,5 mm x 2,5 mm, que tiene un espesor de 0,25 mm.
Calcular la deformacin producida por la fuerza, y el voltaje creado.
Datos: El mdulo de elasticidad del titanato de bario es de 69 GPa.
La constante piezoelctrica d del titanato de bario es 100 x 10-12 m/V.
La intensidad del campo elctrico E ser el cociente entre la deformacin
() y la constante piezoelctrica (d) E = /d

Problema 9.- Deseamos fabricar un condensador formado por dos

placas paralelas que almacenen 5 x 10 -6 C a un potencial de 8 kV. La
distancia de separacin entre las placas va a ser de 0,30 mm.
a) Calcular el rea que deben tener las placas del condensador para la
capacidad de almacenamiento indicada, para cada uno de los siguientes
materiales.

b) Justificar qu material de los anteriores debemos emplear como el

dielctrico ms adecuado (menor superficie y coste).
Dato: 0 = 8,85 x 10-12 (F/m).
Problema 10.- Calcular la constante dielctrica absoluta y relativa de
una pelcula de dimensiones: a = 10 mm, b = 4 mm, d = 20 m,
elaboradas en:
(a) PTFE (C = 35'4 pF),
(b) PAM (C = 79'7 pF),
(c) Cermica calidad elctrica (C = 108'0 pF) y
(d) Almina (C = 157'6 pF).
Dato: 0 = 8,85 x 10-12 (F/m).
Problema 11.- Se desea disear un condensador con capacidad 950 pF
en derivado de celulosa (acetato) de constante dielctrica relativa 6'35.
La rigidez dielctrica es de 16'9 MV/m, y debe operar a una tensin de
270 V. Que dimensiones tendr cada lmina de dielctrico?
Dato: 0 = 8,85 x 10-12 (F/m).
Solucin: A= 2,7 cm2.

Problemas Tema 20

Materiales magnticos
Problema 1.- Calcular el valor terico para la M s (A/m) y la B s (T) para
el hierro puro, suponiendo que todos los momentos magnticos debidos
a los 4 electrones desapareados 3d del hierro, estn alineados en
presencia de un campo magntico.
Utilizar B s = o M s , asumiendo que o H es despreciable. El hierro tiene
una celdilla unidad cbica centrada en el cuerpo con una constante de
red a = 0287 nm.
Datos: 0 =4 x 10-7 T m/A; 1 MB = 9,27 x 10-24 A.m2
Solucin: a) 3,15. 106 A/m; b) 3,96 T.
Problema 2.- El Fe (bcc) tiene una magnetizacin de saturacin Ms=
3,15 x 106 A/m. Cul es el nmero promedio de MB/at (magnetones de
Bhr por tomo) que contribuye a esa magnetizacin?.
Datos: a = 0,287 nm; 1 MB = 9,27 x 10-24 A.m2
Solucin: 4.
Problema 3.- Calcular el valor numrico del magnetn de Bhr
utilizando la relacin: 1 MB = eh/4m.
Datos: e=1,6 x 10-19 C; m = 9,11 x 10-31 Kg;
Solucin: 9,27 x 10 -24 A.m2

h = 6,63 x 1034 J s

Problema 4.- Calcular la magnetizacin de saturacin terica y la

induccin de saturacin para la magnetita FeOFe 2 O 3 , si la constante de
red de esta ferrita es de 0,839 nm.
Datos: La magnetita presenta una estructura de espinela inversa.
Utilizar B s = o M s , asumiendo que o H es despreciable
1 MB = 9,27 x 10-24 A.m2
Solucin: a) 5,0 x 105 A/m; b) 0,63 T