Republica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del poder popular para la educacin superior

Instituto Universitario Politcnico Santiago Mario
Extensin Caracas
Escuela: Ingeniera Electrnica (44)

Transistor de Unin Bipolar

(BJT)

Profesor:

Integrantes:

ndice

Introduccin.3
Transistor BJT.4
Polarizacin.4
Regiones de Operacin6
Punto de Operacin..6
Caracterstica de entrada y salida..7
Configuracin del BJT..7
Ejercicio 1 y 2....10
Conclusin..11

Introduccin
Los transistores son dispositivos los cuales tienen una resistencia interna la
que puede variar en funcin de la seal, esto provoca que pueda ser capaz de
regular la corriente que circula por un circuito. Existen 2 tipos de transistores BJT:
unin npn este consiste en una capa semiconductora y unin pnp este consiste en
una capa semiconductora entre dos capas de material dopado, son comnmente
operados con el colector a masa.
En el trabajo que se presenta ahondamos en el tema de los transistores
BJT, la polarizacin de estos y los diferentes tipos que existen, aparte de ello,
hablaremos de las regiones de operacin analizaremos las caractersticas de las
entradas y salidas de los transistores y como estn configurados; anexado a esto
tendremos diferentes graficas que muestran cada una de estas explicaciones.

Transistor de unin Bipolar (BJT)

El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en

funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea
capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que est conectado. Es
un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido
opuesto. (Emisor, Base y Colector). La unin correspondiente a la Base-Emisor, se
polariza en directa; y la Base-Colector en inversa. As, por la unin Base-Colector
circula una corriente inversa. En funcin de la situacin de las uniones, existen dos
tipos: NPN y PNP.

Tipos de transistores BJT:

Unin Npn: Consisten en una capa de material semiconductor dopado P

(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
Unin Pnp: Consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.

Polarizacin
La polarizacin del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a

las uniones de emisor-base y colector -base que permitan situar al transistor en la

regin de funcionamiento adecuada a la aplicacin que se persigue, en ausencia
de la seal de entrada. Si la aplicacin que se persigue es la utilizacin del

transistor como amplificador, situaremos el punto de trabajo en aquella zona

dnde tenga un comportamiento ms o menos lineal.
La polarizacin del transistor se logra a travs de los circuitos de
polarizacin que fijan sus corrientes y tensiones. La eleccin de un circuito u otro
depender de la aplicacin y del grado de estabilidad que se desea del punto de
polarizacin. En la siguiente figura se muestran los circuitos de polarizacin ms
tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin.

Regiones de Operacin
En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn

operando en la regin activa directa. En esta regin existe tres zonas de operacin
definidas por el estado de las uniones del transistor saturacin, lineal y corte estas
zonas representan las zonas de operacin de un transistor.
a. Regin activa lineal: En la regin activa lineal, la unin emisor-base est
directamente polarizada y la unin base-colector inversamente polarizada;
la VBE est comprendida entre 0.4 V y 0.8 V (valor tpico de 0.7 V) y la VBC
> 100mV.
b. Regin de corte: En la regin de corte las uniones de emisor y colector
estn polarizadas en inversa; la VBE y la VBC tienen tensiones inferiores a
100mV.
c. Regin de saturacin: En la regin de saturacin las uniones de emisor y
colector estn polarizadas en directa; la VBE y la VBC tienen tensiones
superiores 100mV.

Punto de Operacin o Recta de Carga (Q)

El anlisis del punto de trabajo de un dispositivo, como ya se sabe, se

puede llevar a cabo de dos formas diferentes: analtica (realizando un anlisis

matemtico de todas las ecuaciones implicadas) o grfica (recta de carga en
continua).
Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo consiste bsicamente en
obtener el valor de las diferentes tensiones y corrientes que se establecen como
incgnitas en el funcionamiento el mismo.
El mtodo analtico, se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se
establece teniendo en cuenta: las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y
corrientes que definen el funcionamiento del dispositivo; las ecuaciones que se

obtienen del comportamiento del mismo, segn la regin de funcionamiento

(circuito equivalente); y las relaciones elctricas del circuito de polarizacin usado.
Si se desea realizar el anlisis grfico, hay que disponer en primer lugar de
las curvas de funcionamiento del transistor (curvas caractersticas de entrada y
salida), que se podran obtener tambin como representacin de las ecuaciones
que definen el comportamiento del transistor. Sobre estas curvas se traza la
denominada recta de carga en continua (impuesta por el circuito elctrico externo
del transistor), y los puntos de interseccin de esta recta con las curvas del
dispositivo establece los posibles puntos de trabajo Q. El siguiente paso es
determinar exactamente cul de esos posibles puntos es el de funcionamiento.

Caractersticas de entrada y salida de transistor BJT

La entrada est formada por el diodo emisor-base, la diferencia entre un

transistor NPN y un transistor PNP, son los diodos que lo integran, el NPN tiene
uno NP y otro PN; en el transistor PNP, habrn dos diodos, uno PN, y otro NP, en
los cuales el sentido de la corriente ser diferente y se simboliza con la flecha
dibujada en el emisor.
La salida est formada por las terminales que forman el diodo basecolector. Utilizando una fuente de tensin de polaridad adecuada a las terminales
del diodo base-emisor, circular una corriente de base IB, determinada por la
tensin de alimentacin, la resistencia de base RB y la resistencia propia del
diodo.

Configuraciones del BJT

Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse de manera que

quede una terminal comn en su circuito de polarizacin; es decir, un elemento

que forma parte tanto del lazo de entrada como del lazo de salida. ste puede ser

cualquiera de las tres terminales del dispositivo. As entonces, se tienen tres

configuraciones

Colector Comn: Esta configuracin se conoce tpicamente como seguidor de

emisor. Es un circuito muy importante que encuentra aplicacin frecuente en el
diseo de amplificadores. A diferencia de los circuitos emisor comn y base
comn, el circuito seguidor de emisor posee una impedancia de entrada que
depende de la impedancia de carga RL y la impedancia de salida depende de la
resistencia de la seal Rs. Por tanto, se debe tener cuidado al caracterizar el
seguidor de emisor.
La principal caracterstica de esta conjuracin es su ganancia de voltaje cercana a
la unidad y su principal aplicacin es como amortiguador de voltaje para conectar
una fuente de alta resistencia a una carga de baja resistencia (por ejemplo una
etapa de salida de un amplificador de audio).
Base Comn: Los amplificadores de base comn presentan una
impedancia de entrada muy baja. Por consiguiente, su uso se restringe
principalmente a aplicaciones de amplificacin de tensin de seales de audio.
Esta configuracin presenta una resistencia de entrada muy baja, una
ganancia de corriente aproximadamente igual a la unidad, una ganancia de voltaje
de circuito abierto positiva y de igual magnitud que el amplificador de emisor
comn y una impedancia de salida relativamente alta.
La configuracin de base comn por si sola no es atractiva como
amplificador de voltaje excepto para aplicaciones especializadas. Posee un
excelente desempeo a alta frecuencia.

Emisor Comn: Esta conjuracin es la mas frecuente en los circuitos

amplificadores BJT. Para establecer una tierra de sealen modo AC se conecta un
condensador CE. Este condensador se requiere para proveer una impedancia muy
baja a tierra (idealmente cero, un cortocircuito). De esta manera la corriente de
seal del emisor pasa por CE a tierra y, por tanto, evita la resistencia de salida de
la fuente de corriente I (y cualquier otro componente de circuito que pudiera estar
conectado al emisor); por tanto CE se llama condensador de derivacin. Es
evidente que mientras menor sea la frecuencia de la seal, menos efectivo es el
condensador.
Con el fin de no alterar las corrientes y voltajes de polarizacin DC, la seal por
amplificar, mostrada como fuente de voltaje Vs con una resistencia interna Rs, se
conecta a la base por medio de un condensador Ci denominado condensador de
acoplamiento, el cual cumple la funcin de corto circuito perfecto a las frecuencias
de seal de inters mientras bloquea la DC. En el curso de Electrnica II se
estudiara el efecto que tiene el valor de capacitancia de estos condensadores en
la respuesta la frecuencia del amplificador.

Ej. 1) Configuracin Emisor Comn

DATOS:
Rb=1, 3 M ohm
Rc=4 K ohm
Re=1 k ohm
Vbb=20 V
Vcc=20 V
Ic=?
CONSTANTE

CALCULOS
Ic=*Ib
Ib=Vbb-Vbe/Rb+(1*)*Re
Ib=20V-0,7/0,0013+(100)*1000
Ib=0,
Ic=*Ib

=100

Vce=? (pto de operacin)

Ic=100*0,019=1,9 AMP

PUNTO DE OPERACIN
VCC/Rc=20/4k ohm=5 mA
VCC= 20 v.
ICQ=*IBQ
IBQ=VCC-0,7/Rb
IBQ=20-0,7/1300 kohm
punto Q
IBQ=0,014 mA
IBQ
ICQ=100*0,014= 1,4 mA
VCEQ=Vcc-ICQ*Rc
VCEQ=20-(1.4*4)
VCEQ=20-5,6=14,4 V
VCC=20 v

IC
VCC/RC= 5 mA

ICQ= 1,4 mA

Vce
VCEQ=14,4 v

Ej. 2) Configuracin Base Comun

DATOS:
CALCULOS:
Rb=1,3 M ohm
Ib= Vcc-Vbe/Rb
Rc=4 K ohm
Ib= 20-0,7/1300 K ohm
Ic=*Ib=1,4
mA
Re=1 K ohm
Ib=0,014 mA
Ic
(SATURACION) =Vcc/Rc= 5 mA
Vee= 20 V
Vce=Vee-Rc(IC)
Ic (CORTE) =Vcc=
20 V
Vcc= 20 V
Vce=-20-4 K ohm (1,4)
Ic=?
Vce=-25,6 V
Vcb
PUNTO DE OPERACION
SATURACION= 5 ma

Vce(CORTE)=20 V

Conclusin

Despus de realizada esta investigacin y desde un punto de vista

diferente, podemos decir que los transistores son estos dispositivos que tienen
funciones especificas cuales se ven representadas en las graficas, aparte de todo
esto, estn acompaados de distintos procesos como la polarizacin por ejemplo
que consiste en aplicar tensiones adecuadas a las uniones de emisor-base y
colector-base para que permitan situar al transistor en la regin de funcionamiento
adecuada a la aplicacin que se persigue, en ausencia de la seal de entrada
tambin analizamos las distintas caractersticas de las entradas y salidas que por
una parte la entrada est formada por el diodo emisor-base y la salida est
formada por los terminales que forman el diodo base-colector.