Semiconductor

Semiconductor es un elemento que se comporta como

un conductor o como un aislante dependiendo de diversos
factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican
en la tabla adjunta.

covalentes entre sus tomos, en la gura representados en

el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda
de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura
ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el
germanio respectivamente.

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y
13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs,
PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha
comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo
el silicio una conguracin electrnica sp.

El proceso inverso tambin se produce, de modo que

los electrones pueden caer, desde el estado energtico
correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en
la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno
se le denomina recombinacin. Sucede que, a una
determinada temperatura, las velocidades de creacin de
pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la
concentracin global de electrones y huecos permanece
constante. Siendo n la concentracin de electrones
(cargas negativas) y p la concentracin de huecos
(cargas positivas), se cumple que:

Tipos de semiconductores

n = n = p

siendo n la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de n a temperatura ambiente (27 C):
n(Si) = 1.5 1010 cm3
n(Ge) = 2.4 1013 cm3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se
somete el cristal a una diferencia de potencial se producen
dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin,
y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones
en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos
con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo
elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la
de la banda de conduccin.

1.1

Semiconductores intrnsecos

1.2 Semiconductores extrnsecos

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estruc- Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se
tura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir,
1

elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor

se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Las
impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy
en da se han logrado aadir impurezas de una parte por
cada 10 millones, logrando con ello una modicacin del
material.
1.2.1

Semiconductor tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo

un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de
portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido
como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar
a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese
el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una
valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo
(P), arsnico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese
tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no
enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones
en el material supera ampliamente el nmero de huecos,
en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios
y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de
que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que dar, son llamados tomos donadores.
Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca
est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica
neta nal de cero.
1.2.2

Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un

proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos
al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones
ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como
material aceptor y los tomos del semiconductor que han
perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia

SEMICONDUCTORES Y ELECTRNICA

de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente

(tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une
un tomo con tres electrones de valencia, tales como los
del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y
se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes
y un hueco producido que se encontrar en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los huecos. No obstante, cuando
cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve expuesto y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva.
Cuando un nmero suciente de aceptores son aadidos,
los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de
los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules
(tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un
ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de
manera natural.

2 Vase tambin
Conductividad elctrica
Diodo
Silicio
Transistor
Unin PN

3 Enlaces externos
Aniquilacin de Positrones en Semiconductores
Algunos estudios de semiconductores con Espectroscopa. Positron Lab, Como, Italy

4 Semiconductores y electrnica

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* Fsica de semiconductores

Origen del texto y las imgenes, colaboradores y licencias

5.1

Texto

Semiconductor Fuente: https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor?oldid=89877796 Colaboradores: Youssefsan, PACO, EL Willy, Moriel, Sauron, Dodo, Cookie, Opinador, Tostadora, Tano4595, Murphy era un optimista, Lnieves, Xenoforme, Troodon, Lanjoe9, Kordas,
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5.2

Imgenes

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5.3

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