Mecanica Cuantica (Modulos Del XI Al XIX)

FISICA
ELECTRONICA
Tomo II
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
MDULO XI
La Juntura
1ra PARTE : propiedades bsicas
O. Von Pamel
S. Marchisio
Contenidos del mdulo

El Tratamiento genrico de la Juntura
La juntura entre dos semiconductores- La juntura P- N
La Juntura PN - no polarizada (en equilibrio).

Relaciones entre estructura de bandas y cantidades electrostticas
Ecuacin de Poisson
Regin de carga espacial en una juntura en situacin

de equilibrio.
La juntura genrica
Anlisis para el caso de una juntura abrupta
La juntura P-N polarizada (fuera del equilibrio)

Polarizacin directa - Corrientes en el diodo
Polarizacin directa elevada
Polarizacin inversa - Corrientes en el diodo
Mecanismos fsicos de ruptura de la juntura

Ruptura por avalancha
Ruptura Zener ( Tnel )
Consideraciones finales
Fsica Electrnica
Mdulo XI
Introduccin :
Como hemos visto en los captulos anteriores, la caracterizacin de

los diferentes diagramas de bandas de energa del slido, segn el valor del
ancho de energa prohibida (Eg), determina la clasificacin de los distintos
materiales como: aislantes, semiconductores y conductores con propiedades
elctricas diferentes.
La unin ntima de dos materiales, de iguales o diferentes
caractersticas elctricas va a constituir una juntura.
En base a los criterios discutidos anteriormente, puede construirse
un esquema como el de la Fig. I, en el cual los tres vrtices tienen asociados
al aislante, al semiconductor y al conductor respectivamente.
En ella se pueden ver todos los tipos de posibles junturas que se
pueden obtener a partir de combinar aislantes, semiconductores y
conductores entre s.
Fig. I : Esquema que muestra los tres elemenos que van a constituir las distintas junturas.
Termocuplas - films delgados
Soldadura M-M
C-C
C
capacitores de estado slido
soldaduras vidrio/ metal
films delgados
A-C
diodos M-SC
films delgados
La Juntura
C-SC
Clasificacin segn sus caractersticas elctricas

A
A-A
termocuplas cermicas
SC
A-SC
estructuras MOS
SC-S
diodos SC-S
sta tiene asociada una representacin a travs del modelo de

bandas que se construye a partir del conocimiento precedente. As es como
puede obtenerse la Fig. II .
En ella se han representado las bandas de conduccin, valencia y
prohibida para los distintos casos de la figura 1, considerando materiales de
estructura simple. En este punto no tenemos an construida la juntura.
O. Von Pamel
S. Marchisio
Fig. II : Diagramas de bandas para los distintos materiales. Anlisis a travs de un estudio genrico
E
x
E
x
x
E
SC C distancia tomo-tomo
E
x
E
x
E
x
La comparacin de las representaciones correspondientes a cada

material segn el modelo de bandas da informacin sobre el modo de
transformar uno en otro alterando el ancho de la banda prohibida, a
travs de la modificacin de los niveles de dopaje o de las concentraciones
de portadores.
Sobre esta base es posible encarar el estudio de una juntura
genrica. Por simplicidad partimos de una juntura entre dos
semiconductores. Luego, variando el ancho de la banda prohibida (valor del
Eg ) a travs de la alteracin de los niveles de dopaje a uno u otro lado de
sta es posible recrear todos los tipos de junturas y sus propiedades.
La juntura entre dos semiconductores - La juntura P- N

Se presenta una juntura P-N en un monocristal de un semiconductor
cuando se han formado dos zonas contiguas N y P.
En la primera figura se representan los iones y las cargas mviles.
Supondremos que ambas
dopadas
regiones
estn
uniformemente,
pero
con
concentraciones de cargas NA y ND
distintas, y que adems NA y ND
son mucho mayores que la
concentracin
intrnseca.
La
transicin entre ambas ocurre
abruptamente en la juntura
metalrgica.
A = aceptantes
D = donantes
P
A A A A A A A A
D D D D D D
A A A A A A A A
D D D D D D
NA > ND
Fsica Electrnica
Mdulo XI
Destaquemos adems que

no puede formarse una juntura P N
uniendo dos semiconductores del
tipo P y N respectivamente, por la
cantidad de imperfecciones que
presenta la unin.
n > p
= n + p
E0
Imagnese entonces una

juntura como la de la Fig. 1 a; cada
zona es neutra en s misma. En el
momento de constituirse la unin,
por difusin, electrones de la regin
N cercanos a la juntura la
atraviesan y se recombinan con
huecos de la regin P. Algo similar
ocurre con los huecos que
penetran en la regin N.
Ef n
Ef p
x
El resultado es que en
regiones sumamente delgadas
adyacentes a la juntura los iones
inmviles de impureza dejan de
estar neutralizados y conforman
dos capas delgadas de cargas
iguales y opuestas, cada una a un
+ E0
+
lado de la juntura.
C arga
Esta capa dipolar genera

un campo elctrico E0 en su
interior, cuyo efecto se opone al
flujo de cargas mayoritarias, (Fig. 1
b).
+ Q = q Na
x
Q =
q Nd
( E )
De este modo, estas

ltimas siguen cruzando, aunque
en menor nmero, y permiten la
expansin de la zona de desercin.
Esto aumenta E0 y el flujo se
reduce an ms, hasta alcanzar
un valor igual al flujo de cargas
minoritarias. Se llega as a un
estado de equilibrio dinmico, en el
que el flujo neto de cargas es
nulo.
En equilibrio se tiene una

d.d.p. entre ambas zonas, V que
resulta ser caracterstica de cada
material, poco dependiente de la
concentracin de impurezas y de la
O. Von Pamel
S. Marchisio
temperatura ambiente.
V Si
V Ge
V AsGa
0.6 V
0.1 V
1.1 V
V 2mV/C
T
La Juntura PN - no polarizada (en equilibrio).

Es de particular inters estudiar en una juntura PN, qu relacin hay
entre la estructura de bandas y las cantidades electrostticas para poder
determinar la forma de la funcin potencial electrosttica (x) para una
juntura genrica. La juntura que consideramos como genrica es asimtrica
de variacin suave. Tambin vamos a extender el estudio a un juntura
abrupta. Ambos casos se presentan normalmente en la prctica. Son los
tipos de juntura que se encuentran en todos los dispositivos de estado slido
que involucran junturas del tipo:
semiconductor - semiconductor
metal - semiconductor
Por otra parte, siguiendo un anlisis similar para una juntura
metal - metal
resultar obvio que el ancho de la regin de vaciamiento en ese
caso resulta ser 0
Relaciones entre estructura de bandas y cantidades electrostticas
El campo elctrico E se define como la fuerza actuante por unidad

de carga sobre una carga positiva; por ende, la fuerza sobre un electrn de
carga -q , es :
-q.E = F
Como adems una fuerza es igual al gradiente de la energa
potencial con signo (-), la fuerza que acta sobre un electrn puede
evaluarse como:
- q . E = - ( grad. E pot de los electrones)
La energa potencial de un electrn se representa dentro de la
estructura de bandas como el valor mnimo de energa de la banda de
conduccin, esto es:
Fsica Electrnica
Mdulo XI
Epot. de los electrones = Ec

Sin embargo, ya que slo se evala la variacin de energa
potencial, se puede considerar la variacin de cualquier nivel de energa de
la estructura de bandas que est desplazado de Ec una cantidad fija. De esta
forma se puede elegir en forma conveniente como nivel, el de la energa de
Fermi ( Ef ) .
Como grad.Ec = grad Ef, se puede evaluar la fuerza sobre un
electrn como:
-q E = - grad Ef
de donde:
(1)
E = 1 grad Ef
q
Expresado slo para una sola dimensin:

(2)
E = 1 d Ef
q d
Como el potencial electrosttico es la cantidad cuyo gradiente es () el campo elctrico, es decir :

(3)
E = -grad ; en una dimensin
(4)
E = -d
d
Se puede deducir de (1) y (3) que:

(5)
= - Ef
q
Expresin que vincula el potencial electrosttico con la energa

potencial de un electrn.
Mediante el empleo de la ecuacin de Poisson podemos encontrar
otras relaciones tiles a esta descripcin. La misma establece que:
d
2
d
2
=-
KEo
ecuacin de Poisson
Esto, segn conclusin de la ecuacin

2
d Ef
2
d
O. Von Pamel
(5)
puede escribirse como:
= q
KEo
S. Marchisio
que, a su vez resulta equivalente a:

(6)
dE
d
KEo
En esta ltima expresin es:

3
= densidad de carga por unidad de volumen [e/cm ) con
e = magnitud de la carga de electrn.
K = constante dielctrica
4
Eo = permitividad en el vaco = 55.4.10 e /V.cm
(6)
De la ecuacin
es evidente que el campo elctrico se obtiene
integrando la distribucin de carga como funcin de la distancia.
Regin de carga espacial en una juntura genrica en

situacin de equilibrio.
Para una juntura genrica
Valindonos de las
relaciones halladas, podemos
determinar para una juntura p-n
genrica
las
grficas
que
representan:
qND
XN
0
X
XP
a) (densidad de carga
espacial)
-qNA
W
a)
E
b) E (campo elctrico)
en funcin de la misma
dimensin
E max
0 = r
0
Energa de los electrones

Potencial
electrosttico
()
Ec
0
Ef
rp
Ei()
| fn |
c)
energa de los
electrones en funcin de x
(posicin) en equilibrio.
Ei(r)
Ev
Asimismo en la juntura
Fsica Electrnica
Mdulo XI
p-n sin polarizacin resulta:

0 = T
siendo : 0 = potencial barrera
Este resulta adems igual a Ei = Ei (p) - Ei (n)
Llamamos T = potencial total en equilibrio para cualquier condicin
de polarizacin.
Podemos expresar T en funcin de los potenciales de Fermi
intrnsecos como:
T = F (p) + | F (n) |
siendo:
F (p) = - Ef - Ei
q
regin p
|F (n) | = | - Ef - Ei |
q
regin n
y:
Con : Ef = energa de Fermi en la juntura.

Para evaluar, en trminos de las concentraciones y geometra de la
regin de carga espacial ( 0), el campo Emx y 01 se procede por
integracin de la ecuacin de Poisson:
dE
dX
KE0
y de la relacin entre
Ey
- d = E
dX
obtenindose las siguientes expresiones:

Respecto a la densidad , si se considera x = o en la juntura
(7)
Para
-Xn X 0
= q ND
Se puede evaluar E (o)

(8)
Para
0 < X Xp
= -q NA
Fuera de la regin de carga espacial, E = 0. Por lo cual, integrando a

(7)
partir de la ecuacin de Poisson, con la densidad de carga evaluada en ,
entre -Xn y 0, resulta:
E(o) = qND Xn
KE0
O. Von Pamel
(9)
S. Marchisio
En esta expresin E(o) resulta ser el campo elctrico en la unin.

Debido tambin al hecho de que E = 0 en las zonas neutrales en un
semiconductor, la carga total por unidad de rea en cada lado de la juntura
p-n debe ser igual y opuesta, por lo que resulta:
(10)
NDXn = NAXp
De esta forma, se puede escribir:
E (o) = q ND Xn = q NA Xp
K E0
KE0
siendo ste el valor E mx.
Debido a la relacin entre E y , el rea bajo la representacin de
E(x) da el valor de T = 0 (ver fig.), resultando:
T = E mx .W = q NA Xp W
K E0
De esta forma, se puede evaluar el espesor de W de la zona de
desercin en funcin del potencial total de la juntura T, que, sin polarizacin
externa de juntura resulta:
W = 2 K E0 0
q NA Xp
Esta expresin es vlida para una juntura genrica p-n.
Anlisis para el caso de una juntura abrupta
Un caso especial de juntura es la que se obtiene por aleacin o por

difusin.
C (cn -3 )
4x10 1 4
En stas, la concentracin
de impurezas en un lado de la
juntura es mucho mayor que en el
otro.
C d iff
n+
3
2
1
Generalmente es ND >> NA
(Fig. 3 (a) y 3 (b))
CB
0
-1
zon a n
1
jun tura
m s dopada
3 (a)
Fsica Electrnica
Para este tipo de junturas se

pueden obtener una distribucin de
impurezas como la de la figura 3
x()
10
Mdulo XI
(e/cm3)
3x1014
Es posible, igual que en el

caso de la juntura genrica, realizar
las grficas que representan la nueva
situacin.
2
1
W
El siguiente cuadro aclara

acerca de la nomenclatura empleada
en los grficos para las distintas
concentraciones.
0
-1
-1
1
2
x()
3 (b)
CB = concentracin neta de impurezas = |ND -NA| con:

Concentracin ND =concentracin de electrones en la zona neutra tipo n
de impurezas NA = concentracin de huecos en la zona neutra tipo p
Cdiff = concentracin de impurezas (por difusin) en la .
zona de juntura.
En este caso se observa una distribucin abrupta de las
impurezas difundidas.
0.6
Energia de los electrones
(V/)
0.4
Ex
Ex
Ex
Ex
T = 0.75V
Potencial
0.2
T - 0.75 V
0
-1
1
3 (c)
= T (1 - X )2
W
3(d)
Debido a que la distribucin de carga se evala como:

= q [Cdiff - CB ]
se obtiene la curva 3b a partir de la curva 3a.
En la zona de densidad de carga espacial fuera de la juntura
(fuera de x = 0),
Cdiff = 0
por lo que : -q CB ,
resultando de esta forma : -q CB -q NA
y,
O. Von Pamel
ya que xn 0,
resulta : xp W
11
S. Marchisio
siendo ste el espesor de la zona de carga espacial en juntura

abrupta.
Retomando la expresin de W para una juntura genrica en funcin
de T y aplicando las condiciones de juntura abrupta resulta :
W = 2 K E0 T =
q NA Xp
por lo que :
2 K E0 T
q CB W
W = 2 K E0 T
q CB
(11)
si se quiere evaluar T en funcin de W :

T = q CB W
2 K E0
2
(12)
( Si la polarizacin externa es cero : T = 0 )

(11)
(12)
y
, en particular, sern retomadas en un
Las expresiones
prximo captulo. stas son las que se emplean en el estudio del JFET,
debido, a que por su construccin, la juntura interviniente se puede analizar
como abrupta.
Aplicando la ecuacin de Poisson, puede evaluarse adems :
E(x) = Emax ( 1 - X )
W
vlido para una juntura abrupta.
De sta, por relacin entre el campo E y la energa de los
electrones, se puede expresar E(x) , como :
E(x) = q Emax ( x -
x ) + constante
2W
tomando como valor cero (arbitrario) de la energa de los electrones,

el de la regin neutral en p, es decir E(W) = 0, y sabiendo que :
T = Emax . W
resulta :
E(x) = -q T ( 1 - X )
W
(x) = T ( 1 - X )
W
como se muestra en la curva 3d.
Fsica Electrnica
12
Mdulo XI
NOTA 1 :
Obsrvese que en un diodo PN real, por la necesidad de los
contactos, tendremos al menos 3 junturas :
- una metal - semiconductor N
- una metal - semiconductor P
- una semiconductor P - semiconductor N
Energa
! " # $
% & '
! y ( : terminales metlicos
" y ' : contactos hmicos (juntura metal -semic.)
# : material P
& : material N
$ y % : zona de vaciamiento
NOTA 2:
Obsrvese que las junturas metal semiconductor sern siempre
abruptas. Por lo tanto en stas la zona de vaciamiento estar siempre en el
semiconductor.
La juntura PN - Polarizada (fuera del equilibrio)

Dentro de este tema vamos a analizar:
1 - polarizacin directa (inyeccin de portadores)
2 - polarizacin inversa (extraccin de portadores)
3 - mecanismos de ruptura de la juntura
4 - capacidades de la juntura.
O. Von Pamel
13
S. Marchisio
Polarizacin directa
Si se aplica un potencial negativo a la regin N respecto de la P, la

variacin total del potencial
W
electrosttico a travs de la
P
N
juntura (T) se reduce. Esto
trae
aparejado
una
disminucin del ancho de la
Eo
zona de carga espacial.
Eo-E
huecos
E
electrones
La
polarizacin
externa hace que aparezca
-V
en las zonas neutras N y P un
campo elctrico E y que en la
(b)
zona de juntura el campo se
reduzca.
El campo elctrico hace que los huecos inyectados en la regin P. (y

los electrones inyectados en la N), se aceleren (arrastre) y se amontonen en
los bordes de la zona de carga espacial.
A partir de ah se difunden y cruzan la zona de carga espacial (en
contra del campo Eo-E ) y arriban a la otra regin (los huecos a la N, los
electrones a la P) donde se recombinan rpidamente.
recombinacin
electrones
huecos
-V
( c)
Lp
Ln
Lp = Longitud de difusin de los

e- en la zona P
Ln = Longitud de difusin de los
h+ en la zona N
W = ancho de zona prohibida
E = campo producido por el
.
potencial exterior
E 0 =campo interno de la juntura
Si analizamos detenidamente la recombinacin de los pares e-h

vemos que sta tiene lugar en la zona de vaciamiento y en un pedazo de las
regiones neutras N y P (que se extiende desde el borde de la zona de
vaciamiento, hasta una distancia equivalente a una longitud de difusin).
Esto se debe a que en el resto de la regin N P, la recombinacin
es igual a la generacin de pares, por lo tanto se hallan en equilibrio y
podemos decir que las cargas slo se desplazan en estas regiones.
Por lo tanto la corriente que circula en el dispositivo se puede
considerar como debida al efecto: recombinacin en estas 3 zonas.
Fsica Electrnica
14
Mdulo XI
Z on a d e
d esp la z a m ien to
r ec om bin a cin
Z on a d e
d e sp la z .
1
V
.
2
Lp
Ln
F ig . 5
Fig. 5 :
1 = Corriente de electrones
2 = Corriente de huecos
Esta recombinacin conlleva una emisin de energa en forma de

fotones o fonones, cuyo efecto es la emisin de luz visible o no, o el
calentamiento de la red cristalina.
NOTA :
Observemos que :
Polarizacin directa
inyeccin de portadores
recombinacion de portadores
Corrientes en el diodo
La corriente que circula por el diodo puede ser dividida en

componentes, segn en que regin se produzca la recombinacin :
Irec W
Irec N
Irec P
convencionalmente se denominan :
I rec W : corriente de recombinacin
I rec N + I rec P = I diff
y se encuentra que :
: corriente de difusin
Idiff eq |VF|/KT
Irec eq |VF|/2KT
resulta interesante estudiar el cociente
I rec
I diff
En las junturas reales puede darse, dentro de los valores de

corriente de trabajo habituales, alguna de las situaciones siguientes :
O. Von Pamel
15
S. Marchisio
q V/KT
I) I rec < < 1

I diff
la corriente resulta proporcional a
II) I rec > > 1

I diff
III) I rec 1
I diff
para corrientes bajas responde a
para I altas es proporcional a
Se acepta, en general que :
q V/ KT
q V/2KT
q V/2KT
q V/KT
-1)
I = Io ( e
con 1 2
La figura siguiente nos presenta 3 casos reales :
100 ma
e q|VF||/kT
e q|VF||/kT
10 ma
1ma
100 a
Ge
Si
GaAs
e q|VF||/kT
10 a
e q|VF||/2kT e q|VF||/2kT
1a
100 na
10 na
1 na
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Comparacin de las curvas caractersticas de la polarizacin

directa para diodos de Si, Ge, y AsGa
NOTA:
Es conveniente aclarar el mecanismo de cruce de la juntura , por
parte de los portadores, en polarizacin directa .
En las figuras siguientes se pueden observar los diagramas de
bandas de un diodo sin polarizacin y en polarizacin directa.
Fsica Electrnica
16
Mdulo XI
n
-V
-V
sin polarizacin
en polarizacin directa
Estudiemos el movimiento de los electrones al cruzarla .

Un electrn acelerado por el campo E de la zona neutra ingresa a la
regin de carga espacial con velocidad v ;en esta regin el campo E0 se
opondr a su movimiento.
E0
E
E0
E0
RD F
F
En la regin de carga espacial el electrn se detendr y se invertir

su movimiento, retornando a la regin neutra de donde provena, en ese
instante, nuevamente se invertir la fuerza aplicada sobre ste y retornar a
la juntura acumulndose contra los bordes de sta.
El siguiente electrn que pase ver un escenario distinto puesto que
a la fuerza que origina E0 se le sumar la fuerza de difusin D que
provocar el aumento de la densidad de electrones en la juntura.
En la medida que se acumule carga en la juntura, D crecer y se
har mayor que la fuerza F proveniente del campo E0 . Ahora es posible el
cruce de la juntura, si se cumple otra condicin.
Observemos en los grficos de energa que debido a la inclinacin
de las bandas en la zona de carga espacial a medida que el electrn intenta
cruzarla, su energa cintica disminuye hasta hacerse nula.
O. Von Pamel
17
S. Marchisio
x
banda de conduccion
v =2 E /m
E
v =0
banda prohibida
v =0
Para que el pasaje sea posible el

electrn durante su trayectoria hasta alcanzar
Ec ( en este punto v se hace nula ) , debe
colisionar con un ion de la red y ganar una
energa E ( cintica ) que le permita
continuar con el cruce de la juntura.
Obsrvese que durante la colisin el
electrn se calienta ( aumenta su energa
cintica ) y la red se enfra ( disminuye su
energa de vibracin ) .
Difusion
Absorcion
de
energia
Polarizacin directa elevada :
A polarizaciones directas elevadas del diodo se presenta el mismo

fenmeno que observamos
vd velocidad de arrastre de los electrones
y describimos para los
por el campo electrico aplicado ( m/s )
diodos gunn en el mdulo
IX. y que es el siguiente:
AsGa
0,2
0,1
Si
1
3x108 (V/m) E
La velocidad de los
portadores
se
hace
constante, por lo que
aparece un fenmeno de
auto-oscilacin
Polarizacin inversa :
Fsica Electrnica
18
Mdulo XI
W
P
Eo
(a)
Eo+E
E
+V
electrones
huecos
(b)
Si se aplica un
potencial positivo a la regin N
respecto de la P, la variacin
total
del
potencial
electrosttico a travs de la
juntura (T) aumenta, esto
trae aparejado un aumento
del ancho de la zona de carga
espacial.
La
polarizacin
externa hace que aparezca un
campo elctrico E en las
zonas neutras N y P y que en
la zona de juntura el campo
aumente.
generacin de pares e-h
El campo elctrico
hace que los huecos que se
generen en la regin N (y los
electrones
+V electrones que se generan en
la regin P) se alejen
huecos
(acelerndose) de la zona de
( c)
carga espacial y alcancen los
Lp
W
Ln
extremos del diodo. Mientras,
el campo en la zona de carga
espacial acta como separador de las cargas que se generan, llevndolas
contra los bordes de la juntura.
Si analizamos detenidamente la generacin de las pares e-h, vemos
que sta tiene lugar en la zona de carga espacial y en un sector de las
regiones neutras adyacentes a stas. (que se extiende desde el borde de la
zona de carga espacial, hasta una distancia equivalente a una longitud de
difusin).
En este caso, la corriente que circula por el diodo se puede
considerar debida a la generacin de pares e-h por efecto trmico o por
radiacin incidente (generacin trmica o lumnica).
Las Corrientes en el diodo

La corriente inversa que circula por el diodo puede ser dividida en
componentes segn la regin en la cual se realice la generacin :
I gen N ;
I gen W ;
Convencionalmente se denominan
O. Von Pamel
19
I gen P
S. Marchisio
I gen W = I gen
corriente de generacin
I gen N + I gen P = I diff

I
corriente de difusin
donde :
2
I gen N = q . Dn .
ni . Aj
NA . LN
I gen P = q . Dp .
ni . Aj
ND . LP
V
aumento de
la iluminacion
o de la
temperatura
y
I gen W = . ni / . W
y la relacin
NOTA :
Igen / Idiff = 2 ni / NA . Ln /W
Obsrvese que
Polarizacin inversa extraccin de portadores

generacin de pares de portadores
Mecanismos fsicos de ruptura de la juntura

Existe otro efecto en la corriente inversa. Si la tensin excede cierto
valor, llamado tensin de ruptura inversa, puede circular una gran
corriente por el diodo.
I
VR
La ruptura es causada por dos

mecanismos distintos :
V
el efecto de avalancha
el efecto Zener (o tnel)
que describiremos a continuacin.
Ruptura por avalancha
Fsica Electrnica
20
Mdulo XI
Los portadores que se generan en la zona de vaciamiento por efecto

trmico, son acelerados entre colisiones por el intenso campo elctrico,
7
cuando la polarizacin inversa de este campo alcanza : 2 x 10 V/m
1) generacin
termica
2) aceleracin
3) colisin
4) cesion de
energia a la
red y
5) generacion
por colision
Los
portadores
pueden tener suficiente
energa cintica como
para
abrir
enlaces
covalentes
en
las
colisiones
con
la
estructura
cristalina,
generando nuevos pares
e-h.
3 2
4
1
5
Estos portadores secundarios pueden, antes de abandonar la zona,

producir nuevos pares de la misma manera.
Ruptura Zener ( Tnel )
Cuando los semiconductores son muy dopados, en la zona de

desercin las bandas de conduccin y de valencia pueden quedar muy
prximas entre s, pudiendo pasar un electrn de la banda de valencia a la
banda de conduccin por efecto tnel, generndose de esta forma un par
electrn hueco ( no trmico) .
7
Los campos elctricos involucrados son del orden de 5 x 10 V/m o ms.
Barrera de potencial
vista por el electron
de energia E.
E
E
x p h
x
NOTA :
O. Von Pamel
21
S. Marchisio
La tensin de ruptura inversa disminuye (o aumenta)

proporcionalmente al aumento (o disminucin) de la concentracin de
impurezas.
En la figura se muestra el campo elctrico crtico, para ruptura por
zener y avalancha, en silicio , en funcin de la concentracin de impurezas.
E ( V /cm )
107
Zener
106
105
Avalancha
1014
1015
1016
1017
CB ( cm )
1018
1019
-3
NOTA 2:
Ninguno de los dos mecanismos es destructivo en s. Cuando la
ruptura cesa, el diodo vuelve a comportarse normalmente.
La mayor parte de las junturas PN presenta ruptura por avalancha.
La tensin de ruptura resulta muy estable y sirve como referencia en
circuitos electrnicos.
Los dispositivos construidos con este fin se denominan diodos
Zener, aunque el nombre no sea apropiado en el caso de avalancha.
Estos diodos se fabrican de silicio, por tener rupturas ms abruptas
que los de germanio.
La tensin de avalancha vara entre 8 y 1000 voltios. reduciendo la
densidad de dopantes se incrementa esta tensin (el lmite terico es de
10000 V).
La ruptura Zener tiene lugar cuando ambas regiones estn
intensamente dopadas, para dar una zona de desercin muy delgada. Al ser
tan delgada, las cargas pasan a travs de ella sin tener suficientes colisiones
como para que el nmero de portadores secundarios sea significativo.
Como el campo interno es muy intenso, el efecto Zener tiene lugar a
5V o menos. Entre 5 y 8 V, ambos efectos, Zener y avalancha, son
importantes.
Fsica Electrnica
22
Mdulo XI
Los diodos Zener se usan tanto en circuitos discretos como

integrados para producir cadas de tensin fijas (tensiones de referencia).
Las entradas y salidas de ciertos circuitos integrados, especialmente
en los que se emplean elementos de efecto de campo, suelen ser protegidas
de tensiones excesivas mediante diodos Zener.
En la tabla siguiente se compara la tensin de ruptura en funcin de
la concentracin de impurezas para Ge ; Si y AsGa.
Tensin de
ruptura
(V)
1000
100
10
3
2
1
concentracin de impurezas (cm-3 )

Ge
1014
1,15 1015
2 1016
3 1016
1017
1,05 1018
Si
1,15 1014
3 1015
1,15 1017
2,5 1017
1018
-----
AsGa
1,15 1014
4 1015
1,25 1017
4 1017
-------
Consideraciones finales :
En la figura siguiente se esquematizan todas las posibles regiones (
tensin -corriente ) de operacin de un diodo genrico .
Regin de
operacin
1
1
2
2
3
3
V
figura fuera de escalas
4
4
Tipos de
diodos
rectificadores
emisores de luz
estabilizadoes
foto-pilas
emisores de
microondas
fotodiodos
termodiodos
Los diodos reales estn preparados y optimizados para operar en

una sola de estas regiones, que definen aplicaciones especificas generando
as distintas clases de diodos ( segn su aplicacin).
O. Von Pamel
23
S. Marchisio
MDULO XII
La juntura
2da. PARTE :
Otras propiedades de la juntura
O. Von Pamel
S. Marchisio

Introduccin
Capacidades de Juntura
Capacidad de la zona de desercin. Varactores
Capacitancias de difusin
Propiedades de las junturas de tres capas

Junturas PIN
Junturas entre materiales diferentes

Juntura metal semiconductor n
Juntura metal semiconductor p
Juntura aislador semiconductor
Otros tipos de junturas

a- Las junturas cunticas
b- Las junturas Josepsohn
Representacin espacial de las junturas
INTRODUCCIN :
FISICA ELECTRONICA
MDULO XII
En este mdulo buscaremos completar el anlisis de la juntura en

cuanto a sus propiedades.
Capacidades de Juntura
Capacidad de la zona de desercin. Varactores :
Existen cargas almacenadas tanto en la zona de desercin como en

las regiones neutras de la juntura PN.
En el mdulo anterior vimos tambin que las cargas almacenadas
son funcin de la tensin aplicada V.
Si V cambia con el tiempo, la corriente total tendr componentes que
alimentan los cambios de estas cargas almacenadas, los cuales se suman a
la considerada por la ecuacin del diodo.
Debemos imaginar la juntura PN como un capacitor que tiene una
considerable corriente de fuga en polarizacin directa.
Para poder determinar la capacitancia de juntura, deben poder
expresarse estas cargas en funcin de la tensin V.
V
V
-
-Q
+Q
(a)
-Q
(b)
ND
NA
Lp
Ln
L
Fig. 12
C= Q
V
Dirijamos nuestra atencin primeramente a la carga Q de la zona de

vaciamiento, con Q definida como la carga negativa de los iones aceptores
no neutralizados, como muestra la Fig. 12 (a).
Esta definicin es conveniente para que exista una completa
analoga entre la juntura PN y el capacitor representado en la Fig. 12 (b).
Ntese que si V se incrementa, se produce un incremento positivo
en Q :
O. Von Pamel
S. Marchisio
Q => Q + | Q|.
La carga de la
juntura se hace menos
negativa
por
el
movimiento
de
portadores mayoritarios
en las extremidades de
la capa que reduce la
longitud L (Fig. 13)
+
V V+ V
Q Q + Q
L +L
L
Si Qo es la
carga cuando V = 0,
entonces Q-Qo ser el
exceso
de
cargas
cuando la tensin se
Fig. 13
incrementa desde 0 a V.
Puede demostrarse que:
Q - Qo = A (2qENAND) . (o - ( o - V ) )
NA+ND
Q - Qo ( pCb )
En este anlisis, o es la
ddp propia de la juntura sin
polarizacin o potencial de barrera.
500
V
-4
-3
-2
-1
En la figura se grafica QQo en funcin de V.
1
(volt)
-500
Se llama capacidad de la
zona de desercin al cociente
-1000
(Q-Qo) / V
Fig. 14
Si la tensin V cambia con
el tiempo, la carga Q variar
absorbiendo corriente
como
ic (t) =
dQ = dQ . dV
dt
dV dt
podemos escribir:
ic (t) = Ct dV
dt
donde :
Ct = dQ
dV
FISICA ELECTRONICA
MDULO XII
Ct es la pendiente de la curva en la Fig. 15 y recibe el nombre de

capacidad incremental de la zona de desercin, o tambin capacitancia
de transicin.
Ct (pF)
1000
Fig. 15
Fig.
15:
capacidad
incremental para el diodo de la
Fig. 14.
600
200
-4
-3
-2
-1
0 V(volt)
Ct
Ic
Fig. 16 : modelo de
diodo con capacidad de juntura
Fig. 16
diodo ideal
NOTA :
Los varactores son diodos especialmente diseados para trabajar
como capacitores variables. La juntura se polariza inversamente, as la
corriente de fuga es pequea y la capacidad puede controlarse por la
tensin inversa.
Las capacitancias de difusin

En un diodo tambin se almacenan cargas en las regiones neutras.
Para poder observar este efecto, basta detenerse en las Fig. 1 y 2 donde se
muestran las densidades de portadores. Esta capacidad resulta de inters
en especial en los casos de polarizacin directa e inversa.
Las cargas almacenadas son proporcionales a exp ( q v / kT ), pues
las concentraciones de minoritarios responden a las siguientes ecuaciones:
q v / kT
-1) . 2
- x / Lp
q v / kT
-1) . 2
- x / Ln
Pn(x) = Pno + Pno . (e
Np(x) = Npo + Npo . (e
O. Von Pamel
S. Marchisio
En ambos casos, x es la distancia medida desde el borde de la zona

de desercin hacia la correspondiente zona neutra.
La relacin entra carga Q almacenada en las regiones neutras y la
tensin aplicada, se denomina capacidad de difusin.
Es de particular importancia la capacidad incremental de difusin.
Cd = dQ / dV
La componente id = Cd . (dV/dt), es la que alimenta los cambios de
cargas almacenadas en las regiones neutras.
id
Cd es proporcional a
exp (qV/KT), por lo que resulta
despreciable
para
junturas
polarizadas inversamente. (Fig.
17)
Cd
it
Ct
Fig. 17
I
Cuando se produce un cambio repentino en la polarizacin de la
juntura PN, puede fluir una corriente instantnea grande.
1
+
Ed
Ei
+
Vd
I
Este transitorio puede

estudiarse mediante el circuito
de la Fig. 18, siguiendo el
siguiente anlisis.
Fig. 18
El diodo se encuentra inicialmente sin polarizacin.
En el instante t = 0 la llave se pasa a la posicin 1.
Inmediatamente, la tensin y la corriente varan durante el
transitorio de cierre.
Una vez llegado al rgimen permanente de conduccin, se pasa
rpidamente la llave a la posicin 2, en el instante t = t5 , y tiene lugar
un transitorio de corte.
Todo el proceso, que puede durar pocos nanosegundos, se
representa en la Fig. 19.
FISICA ELECTRONICA
MDULO XII
I
-Io
t (nseg)
0
-Ei-Vd
R
Vd
(a)
Evolucin temporal
(a) I(t) ; (b) V(t)
t (nseg)
t1 t2 t3 t4
t5 t6 t7 t8 t9 t10
-Ei
transitorio
de cierre
transitorio
de corte
(b)
Np
t5 (inicial)
t6
t7
Concentraciones
de
minoritarios durante el transitorio
de corte.
Regin P
t8
t9
Np0
t10 final
Np
Distribucin
de
minoritarios en la regin P de un
diodo durante el transitorio de
cierre.
Regin P
t4 (final)
t3
t2
t1
Np0
Inicial : t = 0
Propiedades de las junturas de tres capas

O. Von Pamel
S. Marchisio
Hasta ahora hemos estudiado las propiedades de la juntura Sc-Sc

clsica, ahora completaremos nuestro estudio de stas, con otra variante de
ellas: la juntura de tres capas. Este tipo de juntura es la que se realiza
prcticamente para modificar alguna de las propiedades de la juntura Sc-Sc.
Junturas PIN
Si se quiere aumentar el rango de operacin de las junturas en
cuanto a :
# tensiones de ruptura Vr altas ( KV )
# operacin a altas frecuencias ( cj bajas )
# regiones extensas de separacin de cargas
se construyen las junturas PIN , constituidas por :
material p - material intrnseco - material n
En esta juntura la regin de

vaciamiento se forma a ambos
lados de la regin intrnseca.
E0
+
+
+
Esto
disminuye
la
capacidad de juntura y aumenta la
tensin para la cual el efecto
avalancha tiene lugar.
Como contraparte aumenta
la resistencia en directa del diodo.
Junturas entre materiales diferentes

Hasta ahora hemos analizado propiedades de junturas de un
mismo material impurificado diferente.
Si se construye una juntura a partir de dos materiales distintos, en
general no habr una continuidad cristalogrfica entre ambos y se formar
una regin de transicin entre ellos que depender de la forma y del proceso
constructivo.
FISICA ELECTRONICA
MDULO XII
In ter fa z
ba n d a d e va len cia
esta d os d e
in ter fa z
Si
S iO 2
ba n d a d e con d u ccin
Recordemos adems que

sobre la superficie de un material , al
romperse la continuidad de la red
cristalina, aparece una cierta cantidad
de estados superficiales.
Un ejemplo de ello es el caso
del silicio. En l, los estados de
superficie aparecen dentro de la
banda prohibida y su nmero puede
13
3.
ser del orden de 10 estados por cm
Tambin debemos considerar que puede aparecer en la zona entre

los dos materiales una regin muy delgada ( interfase ) donde la
composicin qumica de ella vara, siendo en un extremo la de un material y
en el otro, la del otro. En el medio su composicin ser intermedia.
Interfaz
Material 1
Material 2
Si Ox ; 0 x 2
Si O2
Si
Por ejemplo en una unin

semiconductor aislador como puede
ser Si -Si O2, en la interfase, la
composicin qumica del material ser
del tipo Si Ox con x variando entre 0 y
2.
En esta interfase tambin

aparecern
estados
cunticos
adicionales, que nacen de la rotura de
la continuidad de la estructura
cristalina.
El esquema dibujado corresponde a una juntura Si-SiO2.

Este fenmeno es crtico en las uniones metal-semiconductor
(diodos schotky) y aislador-semiconductor ( estructuras MOS ), pues estos
estados adicionales atrapan cargas que alteran el funcionamiento de la
juntura .
O. Von Pamel
S. Marchisio
In ter fa z
ba n d a d e va len cia
esta d os d e
in ter fa z
Si
S iO 2
ba n d a d e con d u ccion
El desarrollo tecnolgico ha
permitido disminuir tales estados y
por ende las cargas adicionales a
lmites que no entorpecen el
funcionamiento normal de la juntura.
En la unin Si-SiO2 la
tecnologa
ha
logrado
una
13
10
disminucin de estados de 10 a 10
3
estados por cm .
Juntura metal semiconductor n

no polarizada
En la figura siguiente se representa el diagrama de energas del
metal y de un semiconductor tipo n antes de unirlos para conformar una
juntura. Debemos considerar para este estudio, diferentes tensiones.
E
Nivel de vaco
( referencia arbitraria )
V=0
VmM
SC
VmSC
E f SC
Ef M
Se tom una referencia arbitraria de 0 volt en el nivel de vaco.

Se indica con VmM la tensin macroscpica del metal, que es la
tensin de la superficie del metal medida con respecto a la referencia.
Se indica con VmSC la tensin macroscpica del semiconductor
que es la tensin de la superficie del semiconductor medida con respecto a
la referencia comn.
FISICA ELECTRONICA
10
MDULO XII
En todos los casos la tensin en la superficie se refiere al lado

externo de la misma, pues existen dipolos superficiales que determinan un
salto en la tensin justo en la superficie.
Estos dipolos deben su existencia a que, en la superficie del
material. el centro de cargas negativo se encuentra ms afuera que el centro
de cargas positivo. Recordemos que esto ltimo provoca una alteracin del
diagrama de bandas en la superficie del material.
Se define con M la barrera de potencial del metal, que es el
potencial que debe vencer un electrn que est en el nivel de Fermi para
llegar al lado externo de la superficie del metal. De la misma manera S ser
la barrera de potencial del semiconductor.
Como se observa en la figura los materiales no estn en este caso
en equilibrio trmico entre s pues los niveles de Fermi son diferentes.
Al equilibrarse los niveles de Fermi se produce un pasaje de carga
de un material a otro.
Como:
M > Sc
el semiconductor pierde electrones que pasan al metal. Esto se

esquematiza en la siguiente figura:
Nivel de vaco
( referencia arbitraria )
V=0
VmM
SC
VmSC
Ef SC
Ef M
VnM
Ef
VmS
En la figura se ha
formado
la
juntura
establecindose la igualdad de
los niveles de Fermi entre el
metal y el semiconductor .
Ef
El semiconductor se ha
hecho positivo y el metal
negativo.
W
regin de carga espacial
O. Von Pamel
11
S. Marchisio
La carga positiva que ha adquirido el semiconductor est distribuida

en una zona, como ocurre siempre en un semiconductor, mientras que la
carga negativa en el metal formar una pelcula superficial cuyo espesor es
del orden de 1, es decir prcticamente nulo.
Por ese motivo la regin de carga espacial se extender slo en el
semiconductor.
Es lgico aceptar que en el seno de un metal no puedan existir
diferencias de potencial debido a la enorme conductividad del mismo.
El intercambio de electrones producido en el momento inicial
determina un diferencia de potencial de contacto entre metal y
semiconductor. La barrera de potencial entre semiconductor y metal se
designa 0 y ser el potencial que deben vencer los electrones del
semiconductor para pasar al metal como asimismo el que debe vencer un
electrn del metal para pasar a la banda de conduccin del semiconductor.
En la siguiente figura se representa la distribucin de cargas en
equilibrio.
Sobre el metal existen electrones

que determinan la carga superficial QS.
QB
X
En el semiconductor existir una

carga espacial QB, igual y de signo
contrario a QS, que est determinada
+
por los iones donores N D, sin
neutralizar.
(b)
W
-Q S
Polarizacin directa
Si se polariza en forma directa, es decir, haciendo negativo al
semiconductor tipo n y positivo al metal, existe corriente debido a los
electrones del semiconductor que pasan al metal. Las figuras representan la
situacin en este caso.
0-V
+QB
EfSC
X
w
EfM
-QS
FISICA ELECTRONICA
12
MDULO XII
Se observa cmo disminuye la barrera de potencial al aumentar

la polarizacin directa:
0 0 - V
La corriente seguir una ley exponencial similar a la ya vista del
diodo sc-sc. Como en toda polarizacin directa el ancho w de la barrera
disminuye.
En la figura puede observarse tambin la disminucin de las cargas
acumuladas QB y Qs
Polarizacin inversa
Con polarizacin inversa, polarizando positivo el semiconductor tipo
n y negativo el metal, no existe corriente.
La situacin se representa en las figuras siguientes.
f
E
+V
+QB
E
-QS
Se observa que el ancho de la barrera W aumenta , as como QB y

Qs .
Juntura metal - semiconductor p

Tambin puede conseguirse una juntura entre un metal y un
semiconductor tipo p.
La conduccin en este caso slo puede tener lugar a travs de
huecos en la banda de valencia del semiconductor tipo p.
O. Von Pamel
13
S. Marchisio
La figura representa los diagramas de energas en equilibrio.

0
+QS
w
Eg
Ef
+
+
-QB
En la figura, 0 es la barrera de potencial entre el metal y el

conductor en estado de equilibrio. Esta barrera de potencial vara con las
polarizaciones tanto directa como inversa, disminuyendo con la polarizacin
directa (semiconductor positivo) y aumentando con la polarizacin inversa
(semiconductor negativo).
De esta manera la corriente de huecos que fluyen del semiconductor
al metal, - los que se recombinan en la superficie del metal-, varan en forma
exponencial con la barrera de potencial determinando una corriente I que
sigue la ley del diodo.
Estas dos figuras representan la juntura en polarizacin inversa.
+QS
l
f +V
0
EfSC
EfM
-QB
I@0
Del mismo modo, puede observarse la polarizacin directa.
+QS
f -V
0
l
EV
EfM
LV
E fSC
FISICA ELECTRONICA
14
-QB
MDULO XII
La corriente de huecos del semiconductor al metal es muy

grande en un caso y casi cero en el otro.
Juntura aislador semiconductor

Si analizamos la juntura SiO2- Si
cargas que aparecen en este sistema.
1
-
+ - +
-
tenemos que considerar las
stas son de cuatro

tipos distintos y se esquematizan
en la figura.
Na+
K+
SiO2
1- carga atrapada en el
xido (positiva y negativa,
normalmente predomina esta
+
+
+
+ + +
SiOx
ltima ). Este tipo de carga se
- - - - - - - - - - - - encuentra en todo el xido y est
4
Si
fija a ste. Es introducida por el
proceso de formacin del xido
durante la fabricacin. En general es despreciable.
2-carga debida a iones mviles ( proviene de la contaminacin del

xido por iones alcalinos durante el proceso de fabricacin). Se puede
mover por el xido.
3-carga fija en la interfase: proviene de enlaces Si-Si incompletos
y su magnitud depende de la orientacin de los cristales de Si en la interfase
Si-SiO2 , la orientacin segn el plano cristalino (100) tiene menos enlaces
incompletos que las del plano (111) minimizando as este tipo de carga.
4-carga atrapada en la interfase ( recordemos que la interfase
tiene niveles de energa dentro del gap) . Los niveles de energa que se
encuentran por debajo de Ef son ocupados por electrones modificando la
estructura de bandas.
En la figura se muestra el
diagrama de bandas entre un aislador
(SiO2) y un semiconductor intrnseco (Si)
Ef
SiO2
O. Von Pamel
Si
En la interfase aparecen los

correspondientes estados. Estos tendern
a capturar electrones generndose una
carga negativa en la interfase , la cual
modificar las bandas del semiconductor
en las cercanas de sta.
15
S. Marchisio
Los estados de interfase por abajo

del nivel de Fermi de semiconductor
estarn
ocupados
por
electrones
generando una carga neta sobre la
superficie.
Ef
SiO2
Si
Esta carga negativa provocar la

misma curvatura de bandas en un
semiconductor, ya sea intrnseco , n p ,
variando slo la magnitud de sta y por lo
tanto, la banda se curvar ms en el n y
menos en el p.
Otros tipos de junturas :

a) Las junturas cunticas
Recordemos que un slido presenta bandas de energa, pero si
reducimos sus dimensiones hasta alcanzar la longitud de onda de los
electrones, ( por ejemplo, de 20nm en el GaAs ), entonces las bandas
desaparecen. En estas condiciones, aparecen estados discretos similares a
los de un pozo de potencial.
20nm
20
20nm
nGaAs AlGaAs GaAs AlGaAs nGaAs
n G aA s A lG aA s G aA s
A lG aA s n G aA s
E g= 1 ,6 2 eV
E g = 1,4 2 eV
En una estructura
cristalina es posible hacer
aparecer
estados
discretos realizando un
sandwich de materiales.
Es decir, entre
dos estructuras extensas
(por
ejemplo
de
nAlGaAs), se intercalan
tres cubos ( AlGaAs,
GaAS, AlGaAs ) cuyas
dimensiones (largo , alto
y ancho ) sean menores
que la longitud de onda
de los electrones.
20nm
FISICA ELECTRONICA
16
MDULO XII
Este
tipo
de
estructura se conoce
como cuantum dot.
E
0,1 eV
x
E
En la figura se
observan los niveles de
energa de los electrones
correspondientes a dicha
estructura .
x
Vemos que se ha
formado una estructura
de potenciales para los
electrones, la que se
muestra en la figura. Esta
es similar a las que
fueran analizadas en el
mdulo III .
Estos pueden ser

calculados mediante la
ecuacin de Schoedinger
con
el
potencial
correspondiente.
En la figura se
muestra
cmo
la
aplicacin de una tensin
a esta juntura altera el
diagrama de energas,
permitiendo que aparezca
una
circulacin
de
corriente por efecto tnel.
La caracterstica
tensin corriente de esta
estructura se grafica en
la figura.
I
Tunel
Tunel
no tunel
V
El efecto tnel
aparece cuando la base
de la banda del nGaAs
se alinea con el primer
nivel del GaAs .
Al incrementarse la tensin los electrones ahora debern saltar al

segundo nivel, pero esto no suceder hasta que ste no se haya alineado
con la base de la banda. Por lo tanto la corriente disminuir y aparecer en
la caracterstica una pendiente negativa. Al seguir aumentando la tensin se
O. Von Pamel
17
S. Marchisio
lograr la alineacin del segundo nivel y se volver a producir el tnel y as

sucesivamente.
NOTA :
Cuando se construye un dispositivo con muchos de estos arreglos la
estructura corresponde a la de una super-red que habamos mencionado en
los primeros mdulos.
b-
Las junturas Josepsohn

Recordemos que una propiedad importante de los superconductores
es que:
La energa de Fermi en superconduccin es menor que en
conduccin normal.
Verificando esta propiedad se encuentra que el estado de
superconduccin esta separado del estado de conduccin normal por un
-4
gap ( Eg ) que es del orden de 10 eV.
A partir de estas propiedades es posible realizar una juntura
conductor- superconductor.
Esta consta de tres elementos:
Aislador
un
conductor
capaz
de
convertirse en superconductor a bajas
0
temperaturas ( tsc < 40 K )
Eg
Ef
superconductor
conductor normal
E
-
Tunel
una pelcula muy fina de aislador

( 1nm ) que facilita el efecto tnel.
un conductor normal (es decir
que
adquiere
superconductividad a
temperaturas mucho menores que el
superconductor ( tc << tsc ), por lo que a la
temperatura de trabajo mantiene la
conduccin normal.
Con polarizaciones de algunos
milivolts es posible lograr la conduccin
por efecto tnel.
Estas junturas, muy promisorias en

su momento, actualmente casi se han
dejado de lado por dificultades tcnicas
asociadas al empleo de las bajas
temperaturas necesarias para lograr el estado de superconduccin .
FISICA ELECTRONICA
18
MDULO XII
Representacin espacial de las junturas

Para poder entender algunas de las propiedades de la juntura es
necesario a veces poder representarla en el espacio.
En la figura siguiente se ha representado una juntura en el plano y
en el espacio.
x
y
En la figura se representa la estructura de bandas de una juntura

plana en el espacio.
Energa - x- y ,
E
x
y
Este
tipo
de
representaciones
es
muy
importante
para visualizar el
comportamiento de estructuras
complejas.
Su aplicacin en la descripcin de este tipo de estructuras se ver

en futuros mdulos.
O. Von Pamel
19
S. Marchisio
MDULO XIII
La Juntura
3da. PARTE :
La juntura en interaccin con el medio ambiente
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO

LA JUNTURA EN INTERACCIN CON EL MEDIO
AMBIENTE
INTRODUCCIN
EFECTOS
JUNTURA
DEL
MEDIO
AMBIENTE
SOBRE
LA
EN ESTADO DE EQUILIBRIO
Interaccin trmica
Efecto Seebeck
Termopares
Datos sobre termopares
Composicin qumica de los termopares
Termogeneracin
INTERACCIN LUMNICA
Fotogeneracin - Celdas fotovoltaicas
LA JUNTURA POLARIZADA DIRECTAMENTE

Efectos trmicos
LA JUNTURA POLARIZADA INVERSAMENTE

Efectos trmicos - Efectos lumnicos
Fotodiodos
Regin de ruptura
Efecto de la temperatura sobre los efectos zener y
avalancha
EFECTOS DE
AMBIENTE
LA JUNTURA SOBRE
EL
MEDIO
Efectos trmicos - Efecto Peltier

Efectos lumnicos
Emisin de fotones por parte de la juntura
LA JUNTURA EN INTERACCION CON EL MEDIO AMBIENTE

FISICA ELECTRONICA
MDULO XII
Introduccin
En este captulo estudiaremos los intercambios energticos entre
una juntura y el medio ambiente.
Estudiaremos como la absorcin de energa por parte de la juntura
altera el funcionamiento de sta. Esto ser analizado primero en el estado
de equilibrio y luego en las diversas polarizaciones.
Finalmente veremos cmo la juntura puede alterar el medio
ambiente.
Efectos del medio ambiente sobre la juntura

En estado de equilibrio.
Recordemos que al formarse una juntura un grupo de cargas la
atraviesa para formar la regin de carga espacial.
Por lo tanto en la juntura
aparece una diferencia de potencial que
depende del Eg del material.
En un dispositivo extenso este
fenmeno no es notable .
juntura en equilibrio
Esto resulta as debido a que se

llega
a un equilibrio entre
la
generacin, -que se produce en la zona
de vaciamiento-, y la recombinacin, que ocurre en las zonas aledaas a
sta en menos de una longitud de
difusin del portador respectivo.
Si por algn mecanismo fsico

la juntura vara su temperatura de
equilibrio con el medio ambiente, o es
iluminada, se producir un desequilibrio
evidenciado
por
el
exceso
o
disminucin de la generacin de portadores .
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Al cabo de un tiempo se
restablecer el equilibrio con una zona
de vaciamiento que se habr ampliado
o estrechado, segn el proceso.
Si se logra medir dentro de las

zonas de difusin, a travs de la
soldadura de un terminal conductor en
la juntura, observaremos un aumento
o disminucin de la diferencia de
potencial que se establece en la
juntura.
Existe un dispositivo en el que
los terminales estn unidos a la
juntura (o son su prolongacin) y la
V aparicin de esta fem. se hace notable.
ste es el caso de las junturas entre
dos
metales
o
las
llamadas
termocuplas.
Interaccin Trmica - Efecto Seebeck

Se denomina efecto Seebeck a la aparicin de una fem.
dependiente
de
la
temperatura en una juntura.
Factor de ocupacion
Este fenmeno se
1 produce por suma de tres
fenmenos, los que pasamos
a analizar :
Tb Ta
1.En
una
juntura
formada por materiales de
distinta funcin trabajo
Ta Tb
1 < 2
frente a un incremento de
temperatura
T = Tb. Ta
FISICA ELECTRONICA
en el material de
menor funcin trabajo ( 1 )
se generarn ms portadores
de carga que en el de mayor
MDULO XII
ampliacin y comparacin de las zonas

marcadas .en la figura anterior
funcin trabajo (2).

Esta desigualdad de
generacin se incrementar
a mayores incrementos de
temperatura.
difusion de portadores
2.
La
difusin
de
portadores de las zonas
ms calientes a las ms
fras.
Temperatura
Tj
Ta
x
En este
caso las
zonas de mayor temperatura
coinciden con la mayor
concentracin de portadores.
3.
El arrastre de los
portadores de carga por los
fonones.
Este
arrastre
se
produce de las zonas ms
calientes a las ms fras.
sentido de la propagacin de los

fonones
NOTA 1
Si el sistema est formado por una sola juntura (termocupla), este
efecto provocar una fem. (Efecto Seebeck absoluto )
NOTA 2 :
La fem. Seebeck aparece en junturas conductoras
semiconductoras, siendo el fenmeno ms importante en estas ultimas.
El orden de magnitud de la fem. Seebeck es :
Volt / Centgrado
mVolt / Centigrado
para metales
para semiconductores
Termopares :
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Un termopar consiste
en un par de junturas metlicas:
una fra y otra caliente. La
diferencia
de temperaturas
inducir una fem. resultante de
la diferencia entre las fems.
generadas en cada juntura.
Cuando se mide fem.

en funcin de la temperatura en
un termopar, si el circuito de
permite
medicin
una
circulacin de corriente, esta
circulacin de corriente provocar la aparicin de los efectos: Peltier,
Thompson y Joule.
La aparicin de
Seebeck.
estos efectos
altera la medicin de la fem.
La fem. en un termopar presenta una relacin con la temperatura de

tipo polinmica, la cual en determinados rangos de medicin, se puede
reducir a una relacin lineal.
V = t + t + t + ...
2
La fem. generada puede medirse con un milivoltmetro conectado a

los extremos de la termocupla. ste, a su vez, puede ser calibrado
convenientemente en grados centgrados transformndose en un sistema de
gran practicidad.
Existen dos formas de realizar la medicin :
a)
El punto de unin de los dos metales se denomina "junta de

medicin
o
caliente,
cable compensado
mientras que en los bornes
del instrumento tenemos la
"junta de referencia o fra" y
T1
su
ubicacin
puede
desplazarse por razones
prcticas prolongando cada
T2
rama mediante conductores
de similares caractersticas
termoelctricas convenientemente aislados y reunidos en un cable llamado
"compensado".
b)
Una termocupla puede constituirse tambin de la siguiente manera:
FISICA ELECTRONICA
MDULO XII
Aqu tambin la
tensin
leda
ser
proporcional a T1-T2;
pero si tomamos como T1
T1 = Tm
T2 = Tref = 0C la
temperatura
de
Metal 2
medicin y el punto de T2
lo colocamos a un bao
VT
de temperatura a 0C, la
tensin
VT
ser
directamente proporcional a T1 (en C).
Metal 1
Datos sobre termopares

La tabla de la figura muestra los termopares ms comunes, la fem.
que pueden desarrollar, la temperatura ms alta a la que pueden trabajar
satisfactoriamente y su composicin qumica.
Cable de Extensin
Lmites de
Intervalo de
medida
Tipo
f.e.m.
mV / C
Temperatura
Error
Regular
Cobre constantn
Tipo T
-185C a -60C
-60C a +95C
95C a 370C
Hierro constantn
Tipo J
0C a 425 C
425C a 750C
0C a 300C
300C a 550C
Cromel - Alumel
Tipo K
0C a 400C
0,052
-60
a
+95 C
0,8 C
0,055
0 - 200C
2,2C
0,04
0 - 200C
Premium
1,1C
3C
400C y superior
Cobre constantn
(hilo de extensin)
0 - 200C
5C
t - Pt / Rh 13 %
Tipo R
0C a 1100C
1100C a 1400C
1400C a 1600C
0,012
25 a 200C
6%
o
5%
t - Pt / Rh 13 %
Tipo S
0C a 1100C
1100C a 1400C
1400C a 1600C
0,010
25 a 200C
6%
o
5%
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Composicin qumica de los termopares
Composicin qumica ( en % )
Termo elemento
Cr
JP
Hierro (1)
Fe
Mn
Si
Ni
Cu
Al
Pt
Rh
99.5
Ind
.
Ind
.
Ind
.
Ind
.
Ind
.
Ind
.
Ind
.
45
55
87
13
90
10
JN o TN
Constantn
TP
Cobre
10
0
KP
Cromel (2)
KN
Cromel (2)
RP
Platino con 13% de
rodio
SP
Platino con 10% de
rodio
RN o SN
Platino
10
90
2
95
10
0
Tabla de seleccin de termopares
1650C
generalmente satisfactorio
1350C
satisfactorio pero
no recomendado
950C
Cromel
Cromel Alumel
Alumel
900C
550C
250C
Cobre
Constantn
Hierro
Hierro Constantn
Hierro
Constantn galga 8
Constantn galga 14
galga 20
galga 14 galga 8
Platino platino
rodio
R
o
S
0C
galga 20
- 180C
Seleccin de Termopares
FISICA ELECTRONICA
MDULO XII
TERMOGENERACIN
ep
hn
Si a una juntura se le sueldan

los contactos metlicos a los
materiales P y N respectivamente a
una distancia de la juntura menor a
las respectivas longitudes de difusin,
entonces se podr lograr una
termopila.
Esto se debe a que las cargas

producidas por la generacin de
pares electrn hueco son separadas por el campo interno de la juntura y al
llegar a las regiones neutras no alcanzan a recombinarse porque stas son
muy chicas y logran pasar a los terminales.
INTERACCION LUMINICA
Fotogeneracin- Celdas fotovoltaicas
ep
Si construimos un dispositivo
en el cual los contactos estn a una
distancia de la juntura menor a la
respectiva, ser posible convertir los
fotones en electricidad.
en
h
Para ello el contacto de la
cara expuesta a la luz deber ser
anular parra permitir el paso de la luz.
por otra parte el material junto a este
contacto deber ser muy impurificado
para permitir la conduccin, o sea que estaremos en presencia de una
juntura de tipo zener.
NOTA :
La radiacin solar que llega a la Tierra es de enorme magnitud.
Se calcula que el Sol nos regala cada 40 horas un total de energa
equivalente a la obtenida de todos los depsitos de petrleo, gas y carbn.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
La conversin directa de energa solar en elctrica ha sido deseada

desde hace mucho tiempo, pero en general, los mtodos empleados han
sido poco eficientes. Su eficiencia de conversin nunca ha excedido el 1%,
lo que ha impedido su competencia efectiva con plantas convencionales
(hidroelctricas, termoelctricas, etc.).
Es aqu donde la unin p-n de silicio ha probado su importancia al
permitir una eficiencia superior al 11%.
La pila solar consiste en una oblea de silicio de tipo n con una capa
delgada del tipo p. El espesor de la regin p es de 0,0003 cm., el mismo de
la regin de transicin de la unin p-n. la cual se caracteriza por su intenso
campo elctrico.
La luz absorbida en esta regin produce pares de electrones y
huecos. El campo elctrico obliga a estos ltimos a moverse hacia el
material p y a los primeros hacia el n, produciendo as una diferencia de
potencial entre las regiones p y n. El voltaje as producido es de 0,6 V en el
silicio.
Si se completa el circuito externo con una resistencia, se obtendr
como resultado una corriente elctrica. De este modo, la energa luminosa
se convierte en energa elctrica.
La eficiencia de la pila de silicio se ha definido como la relacin de
la potencia que aparece a travs de la resistencia del circuito, a la potencia
solar que ilumina la pila. Conviene recordar que la energa necesaria para
producir un par electrn-hueco en el silicio es de 1,1 eV, lo que quiere decir
que los fotones deben poseer una longitud de onda de 1,1 micrones (1,1 x
-4
10 cm). Si la energa del fotn es menor que esta cifra, no produce
portadores, y si es mayor, el exceso de energa se pierde en forma de calor.
El mximo nmero de fotones de la radiacin solar ocurre a:
= 0,7
que se acerca bastante a lo necesario para que el silicio sea un
excelente convertidor de energa.
La juntura polarizada directamente

Efectos trmicos
FISICA ELECTRONICA
10
MDULO XII
La existencia de efectos trmicos en

una juntura polarizada directamente incide
en particular sobre la corriente.
La corriente en polarizacin directa
es:
100A
1750C 750C
250C e
1250C
10A
q V F / K T
1A
100nA
q V F / 2 K T
I=e
10nA
1nA
q VF/ K T
12
con
100pA
segn en qu
recombinacion.
10pA
1pA
0
zona prevalezca la
1.0 V F (V)
En la figura precedente
se
representa la variacin de esta corriente con
la temperatura; en ella se indican distintas pendientes segn el .
0.2
0.4
0.6
0.8
Obsrvese que :
a
VF= cte.
si T
entonces
I= cte ,
si T
entonces VF
La juntura polarizada inversamente

Efectos trmicos
E
En una juntura polarizada en

inversa existe una corriente que
proviene de la generacin de
portadores.
Al aumentar la temperatura
esta corriente aumenta, puesto que
aumenta la generacin de pares
electrn - hueco.
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
Si
bien
la
generacin se produce en
todo el material slo los
pares generados en las
regiones 2, 3, 4, producirn
una corriente neta, puesto
que los producidos en las
regiones
1
y
5
desaparecern
por
recombinacin.
En la regin de
vaciamiento el campo elctrico interno E0 , acta como separador de cargas
impidiendo la recombinacin de pares electrn - hueco.
La caracterstica VI
de la juntura en inversa es
la que se muestra.
Vi
V
I0(T)
T
Se ha graficado la
corriente inversa I0(T) para
varias temperaturas.
Para
una
polarizacin inversa Vi , I0
se duplica con un aumento de la temperatura de 10 C
I0
En la figura se grafica como
la generacin en las diversas
regiones contribuye a la corriente
I0h
I0e
inversa I0.
N
X
ep
hn
Efectos lumnicos
Fotodiodos
FISICA ELECTRONICA
12
MDULO XII
Al iluminarse una juntura los fotones

incidentes generaran pares electrn - hueco .
Los pares generados en las regiones 2
,3, 4 contribuirn al aumento de I0 .
Como se observa en el grfico V-I . I0

aumenta con la luz en forma similar al
aumento con la temperatura.
Vi
V
I0(L)
Regin de ruptura
Efectos trmicos
Efecto de la temperatura sobre los efectos zener y avalancha.
Es fcil distinguir cuando el

efecto est provocado por efecto tnel o
por avalancha analizando la variacin
del valor de la tensin de zener al variar
la temperatura.
25 C
75C
La figura anterior indica un caso donde al

aumentar la temperatura disminuye la
tensin de zener.
El efecto tnel domina el fenmeno en este caso.
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
La mayor agitacin trmica, que implica una elongacin mayor en la

vibracin de los electrones, disminuye la separacin fsica de la barrera que
los separa entre las zonas p y n.
v
75 C
25C
La figura representa un caso

donde al aumentar la temperatura
disminuye la tensin de zener. El efecto
de avalancha domina el fenmeno en
este caso.
La mayor agitacin trmica
disminuye tambin el tiempo libre medio
entre los electrones por lo que disminuye
tambin el tiempo libre medio entre los
impactos.
Este es el tiempo que disponen los electrones para acelerar y

alcanzar la velocidad de ionizacin. Al tener menos tiempo necesitan mayor
campo elctrico para que la fuerza sobre ellos sea mayor. Eso implica mayor
tensin.
Nota :
Obsrvese que los efectos de la temperatura sobre los diodos Zener
por efectos tnel y por efecto avalancha son inversos , esto permite que
exista una tensin de ruptura ( 5,8 V ) , para la cual estos fenmenos se
compensen y no haya variacin trmica de la tensin de ruptura .
Por lo tanto el diodo Zener de esta tensin de ruptura no variara sus
caractersticas con la temperatura.
Efectos de la juntura sobre el medio ambiente

Efectos trmicos
Efecto Peltier
Este efecto se produce cuando una corriente atraviesa una juntura

en cualquier sentido , es decir se produce tanto en polarizacin inversa
como en directa .
Por conveniencia describiremos este efecto a continuacin tanto en
polarizacin directa como en inversa.
FISICA ELECTRONICA
14
MDULO XII
Efecto Peltier en polarizacin directa:
Supongamos que la polarizacin del

circuito lleve a los electrones en su camino a
encontrarse con una barrera de potencial
como se indica en la figura, la nica forma de
cruzarla ser la absorcin de energa de la red
(durante una colisin con los iones de la red )
por parte de estos.
Al absorber los electrones energa de

la red , esta la pedrera , por lo tanto su temperatura disminuir.
Efecto Peltier en polarizacin Inversa :
Si la polarizacin fuera al revs , los

electrones en su camino encontraran libres
niveles de energa menores por lo que
perderan una energa mayor (durante la
colisin ) que seria absorbida por la red , la
que a su vez incrementara su energa .
Nota :
Este efecto de calentamiento o
enfriamiento de la juntura se produce cada
vez que un grupo de electrones la atraviesa y puede ser aprovechado para
calefaccionar o enfriar ( celdas Peltier ).
Las celdas Peltier comerciales presentan una cara fra y otra caliente
cuando por ellas circula una corriente.
Si se considera la siguiente disposicin de junturas correspondientes
a una cela Peltier :
1
T
O. VON PAMEL
2
T
15
S. MARCHISIO
La corriente causara que la juntura 2 se enfre y la 1 se caliente ,

establecindose entre ellas una diferencia de temperaturas .
En los dispositivos Peltier comerciales con corrientes del orden de
los 5 A se logran T 50 a 80 C entre junturas ( placas de la celda ).
Nota :
La fem. Seebek origina una circulacin de corriente durante la
medicin de temperaturas mediante el empleo de una termocupla , si el
mtodo de medicin es no potenciomtrico.
Esta corriente har que se produzcan adems los efectos Peltier
Thompson y Joule , los cuales afectaran la medicin.
Nota :
En un material se producen los efectos Thompson y Joule,
En una juntura se producen los efectos Seebek y Peltier
En los tratamientos clsicos empleados para corregir mediciones a
todos ellos se les asocia una fem. que lleva el respectivo nombre del efecto,
aunque el nico capaz de producir una fem. es el Seebek.
Efectos lumnicos
Emisin de fotones por parte de la juntura:
En una juntura polarizada

directamente
se
producir
la
recombinacin de los electrones
inyectados por la zona N con los
huecos inyectados por la regin P.
FISICA ELECTRONICA
16
MDULO XII
V
emisin de luz
La recombinacin se producir en las

regiones 3, 4, 5 con la consiguiente emisin de
fotones.
Dependiendo del valor de Eg del material y del tipo de impurezas

que ste presente, la emisin corresponder al rango visible o tendr un
valor de frecuencia en el infrarrojo. Las mismas variables del material sern
tambin determinantes del tipo de emisin: normal o del tipo lser.
Se produce emisin infrarroja cuando:
En los materiales de Eg muy chico se dan las transiciones
banda a banda. Resulta entonces Eg = hfotn emitido < hfotn visible Un ejemplo
lo constituye el germanio.
Siendo el Eg lo suficientemente grande la transicin se hace
a travs de niveles de impurezas cercanas al centro de la banda. En ese
caso Eg/2 = hfotn emitido . Un ejemplo de este tipo de transicin con emisin
infrarroja lo constituye el silicio.
Se produce emisin visible cuando :
El Eg es lo suficientemente grande y la transicin es banda a
banda. Esto ocurre para el AsGa.
Emisin Lser
Hemos visto en captulos anteriores la emisin lser en materiales

de estructuras simples. Esta no es demasiado eficiente puesto que la
inversin de la poblacin se realiza mediante bombeo ptico. En una juntura
es posible hacer la inversin de la poblacin mediante la inyeccin de
portadores en polarizacin directa, aumentando as la eficiencia.
Semiconductores Lseres.
El primer lser* se construy en 1960.
Este dispositivo produce una emisin de luz monocromtica,
coherente, direccional y muy potente.
Estas caractersticas de que carecen las fuentes de luz comnmente
usadas, se deben a que la emisin de luz se origina en una transicin
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
electrnica entre dos niveles cunticos de energa, lo que constituye el

reverso de la absorcin cuntica.
Ms concretamente, el lser utiliza tres niveles de energa del
sistema.
a)
E3
b)
Eg
N3
E m isi n
N2
E2
E m isin
E x cita cin
E
N1
E1
E0
* Light Amplification by Stimulated Emission Radiation (amplificacin de luz por

medio de una emisin de radiacin estimulada).
Una luz intensa excita a los electrones del nivel 1 al nivel 3, cuando
su frecuencia es igual a:
V13 =
E3 - E1
h
Esto provoca una emisin inducida entre los niveles E3 y E2,

siempre y cuando la poblacin del nivel E3 sea mayor que la de E2 , hecho
que no coincida con la distribucin normal de equilibrio.
Para esto se necesita que la relajacin entre E2 y E1 sea mayor que
entre E3 y E2. La frecuencia de la luz resultante ser de:
V32 =
E3 - E2
h
V32 =
c = ch
E3 -E2
V32
o sea:
de tal forma que una variedad de sistemas, - gaseosos, lquidos o

slidos - ,emitirn radiacin de diferente longitud de onda, dependiendo de la
separacin entre los niveles E3 y E2.
Es posible construir estructuras que amplifiquen esta emisin de luz
para producir una oscilacin sostenida.
Gran nmero de materiales emiten luz por este proceso, ya sea en
forma de pulsos o continua, con longitudes de onda que varan entre lmites
muy amplios.
El empleo de estos materiales se hace cada da ms frecuente,
tanto en la ciencia como en la tecnologa, por sus caractersticas
excepcionales.
FISICA ELECTRONICA
18
MDULO XII
En la figura se
representa el diodo lser
con el espejo y el
semiespejo
alineados
alrededor de la regin
de juntura.
FISICA ELECTRONICA
20
MDULO XII
En la figura se
representa el diodo lser
con el espejo y el
semiespejo
alineados
alrededor de la regin
de juntura.
FISICA ELECTRONICA
20
MDULO XII
MDULO XIV
LA JUNTURA
4ta. PARTE :
DISTINTOS TIPOS DE JUNTURAS y DIODOS
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO

Introduccin
Caractersticas de la juntura genrica

Distintos tipos de junturas de estado slido
Junturas metal-metal
Termocuplas o termopares
Junturas metal-semiconductor
Diodos de contacto puntual
Diodos Schottky
Contactos
Diodos SC-SC
Diodo Tnel
Diodo Inverso
Diodo Zener
a) Diodo Zener por efecto tnel.
b) Diodo Zener por efecto de avalancha.
Diodos rectificadores
Diodos PIN
Detectores de rayos

FISICA ELECTRONICA
MODULO XIV
Introduccin :
La caracterizacin de los diferentes diagramas de bandas de

energa del slido, segn el valor del ancho de energa prohibida (Eg),
determina la clasificacin de los distintos materiales como: aislantes,
semiconductores y conductores con propiedades elctricas diferentes.
La comparacin de las representaciones correspondientes a cada
material segn el modelo de bandas da informacin sobre el modo de
transformar uno en otro alterando niveles de dopaje o concentraciones de
portadores, establecindose as un vnculo entre los distintos conceptos.
La unin ntima de dos materiales, de iguales o diferentes
caractersticas elctricas constituye una juntura. Esta tiene asociada una
representacin a travs del modelo de bandas que se construyo a partir del
conocimiento precedente.
En base a los criterios discutidos anteriormente, se construye el
esquema de la figura :
Fig. I : Esquema que muestra los tres elemenos que van a constituir las distintas junturas.
Termocuplas - films delgados
Soldadura M-M
C-C
C
soldaduras vidrio/ metal
films delgados
A-C
diodos M-SC
films delgados
C-SC
La Juntura
Clasificacin segn sus carctersticas elctricas

A
A-A
termocuplas cermicas
SC
A-SC
estructuras MOS
SC-SC
diodos SC-SC
en la cual los tres vrtices tienen asociados al aislante, al

semiconductor y al conductor respectivamente.
De la combinacin de a dos para conformar posibles uniones
resultan diferentes estructuras que van a dar luego origen a los elementos
concretos. As, por ejemplo, de la unin conductor-conductor resulta la
termocupla, de la combinacin semiconductor-semiconductor surgen los
distintos tipos de diodos, del par aislante-semiconductor, las estructuras
MOS, etc..
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Si se procede a reemplazar las uniones, en el esquema de la Fig. I,

por su representacin, segn el modelo de bandas, se construye la Fig. II a.
Fig. II a : Diagramas de bandas obtenibles a travs de un estudio genrico
E
x
E
x
x
E
SC C distancia tomo-tomo
E
x
E
x
E
x
Como paso intermedio en el armado de la juntura .

A partir de esta se obtiene la Fig. II b.
Fig. II b : Las distintas junturas
E
x
E
x
E
x
E
x
La juntura genrica, ubicada en la parte central del esquema, se va

modificando hacia los vrtices obtenindose as las diferentes
representaciones.
Asimismo, recorriendo los lados se aprecian las posibles
transformaciones, a generarse por alternacin de los niveles de dopaje.
FISICA ELECTRONICA
MODULO XIV
Las distribuciones de carga espacial correspondientes en las

junturas se observan en el esquema de la Fig. III.
Fig. III : Distribuciones esperables de cargas en las distintas junturas
NA; NB>>1
XA; XB<<1
NB
XA
XB
NA
NA; NB ~0
XA ; XB
NA . XA = NB . XB
NA . XA = NB . XB
Se pone de manifiesto por ejemplo , el reducido espesor de la unin

conductor-conductor, en concordancia con los altos niveles de concentracin
de cargas.
NOTA 1 :
Concentracin de portadores (Fig. III)
referencia externa
1
Ef
conductor
En
un
la
concentracin de portadores es muy
elevada
Ef
NM >> NSC
Como no hay diferencias
sustanciales entre las concentraciones
de portadores para distintos conductores
no resulta interesante su uso para la
descripcin de una juntura donde
intervenga un conductor. (Recordemos
que N determina la posicin del nivel de
Fermi).
Ef
zona de carga
espacial
+Q
En su lugar, usamos una

funcin
asociada al potencial de
-Q
extraccin de carga ( Con = funcin
trabajo del material )
- Si tenemos dos metales, cada
uno caracterizado por su funcin trabajo:
1 > 2
1 ; 2
y si
X
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
el material 1 funcionar como aceptante y el 2 como donante

- En el caso de un metal y un semiconductor
Eg
En la figura
observa la juntura :
metal- semiconductor P.
se
En la figura
observa la juntura :
metal- semiconductor N
se
Ef
+
+
0
w
0
EF
Eg
- En el caso de dos materiales aisladores habr que tener en cuenta

las Eg de distinto valor y el tipo y
naturaleza
de las impurezas
presentes.
Si no existieran impurezas
no habra zona de carga espacial.
Ef
Eg1
Eg2
En caso de haberlas se
formar una regin de carga
espacial.
Por ejemplo, si predominaran
las impurezas de interfase, el
aislador de mayor Eg se cargar
ms negativamente que el otro )
Ef
Eg1
Eg2
Por
lo
dems
trataremos
como
a
semiconductor.
Impurezas cargadas
FISICA ELECTRONICA
MODULO XIV
lo
un
- En el caso de un
material aislador y un
semiconductor el diagrama
depender de la naturaleza
del semiconductor: i, n, p.
Ef
En la figura se
grafic esta situacin para el
caso
semiconductor
Naislador
La figura graficada
en este caso corresponde al
semiconductor P - aislador.
Ef
- En el caso de un material
aislador y un metal, si el
aislador es perfecto,
no
existir
regin de carga
espacial.
- Si presenta impurezas, la
carga en esta regin
depender de su ubicacin
energtica en la banda
prohibida .
NOTA :
Bajo estas hiptesis se pueden analizar todas las junturas en forma
genrica.
Por simplicidad, en lo que sigue, nos referimos a una juntura
semiconductor - semiconductor del tipo P-N (Fig. I a IV)
Caractersticas de la juntura genrica

O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Buscando obtener mayor informacin sobre las propiedades de la

juntura, operamos sobre ella interacciones energticas.
La aplicacin de un campo elctrico en los distintos modos de
polarizacin da como respuesta su curva caracterstica.
La caracterizacin de la ruptura en correspondencia con la
concentracin de cargas sirve de base para inferir la forma de las distintas
curvas que darn informacin sobre el grado de utilidad del elemento
construido para alguna aplicacin til a la tcnica.
La interaccin juntura genrica - campo elctrico da origen a su
curva caracterstica ubicada en la parte central del esquema de la Fig. IV.
Fig. IV : Curvas caractersticas esperables de cargas en las distintas junturas
I
V
V
I
Vr
a
V
V
V
Las restantes se van construyendo a partir de ella operando

sucesivas transformaciones.
Del mismo modo puede analizarse la familia de los diodos
semiconductor-semiconductor, representada a continuacion en las Figs. V y.
VI.
FISICA ELECTRONICA
MODULO XIV
Fig. V : Diagramas de bandas esperables de la familia de Diodos semiconductor- semiconductor

E
E
E
x
C-C
C-SC
E
A
SC-SC
As, las diferencias en los niveles de dopaje y dimensiones se

traducirn en los valores de las tensiones de ruptura de las curvas
caractersticas obtenidas con el conocimiento de la correspondencia entre
ellos.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Fig. VI : Curvas cractersticas esperables de la familia de Diodos semiconductor- semiconductor

(no estn a escala)
I
tnel
I
I
inverso
Termocupla
bigote de gato
Schotky
I
zener
C-C
C-SC
I
A
SC-SC
rectificador
baja tensin
I
rectificador
media tensin
I
rectificador
alta tensin
PIN
A continuacin analizaremos los

recorriendo la figura VI en sentido horario.
FISICA ELECTRONICA
10
distintos
tipos
de diodos,
MODULO XIV
Distintos tipos de junturas de estado slido

Junturas metal-metal
Termocuplas o termopares .
La unin de dos alambres
metlicos de diferente funcin
trabajo se denomina termocupla
r e fe r e n c ia e x te r n a
1
Ef
En la figura se observa el
diagrama de bandas antes y
despus de la unin.
Ef
La
regin
de
carga
espacial ser tan estrecha que se
puede considerar como superficial.
Ef
zon a de carga
esp a cia l
Entre los extremos libres y

por accin de la temperatura
aparece
una
tensin
cuya
magnitud
depende
de
la
temperatura a la que se expone el
punto de unin (T1).
+Q
X
- Q
Esta fem conocida como

Seebek , se debe a la generacin
de cargas ( electrones ) que se
produce en la regin de juntura y
sus cercanas, las que son
dirigidas por el campo separador
de la juntura hacia el material de
Metal a
T1
Metal b
T2
menor funcin trabajo.
Junturas metal-semiconductor
Diodos de contacto puntual
En estos, un filamento
metlico se suelda al semiconductor.
Sobre una base de cristal de
Ge (rara vez se utiliza Si) se apoya una punta
aguda metlica (de 10 a 20 m de dimetro).
La unin se obtiene haciendo pasar
por ella uno o varios impulsos de corriente
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
directa, relativamente potente

pero cortos, que originan un fuerte
recalentamiento de la regin de contacto y la punta de la aguja se funde con
el semiconductor producindose en la regin contigua a la misma una
inversin del tipo de impurificacin (de tipo p a tipo n).
Se forma as una unin p-n semiesfrica.
Se distinguen dentro de los diodos rectificadores por su baja
tensin de arranque ( 0,1 V ) y su baja capacidad. Se los emplea para
rectificar bajas seales , en general de RF.
Diodos Schottky
El diodo Schottky es poco ms que un simple contacto entre un
metal y un semiconductor.
La ecuacin del diodo Schottky es similar en su aspecto
formal a la ecuacin del diodo de juntura p-n.
I = IS ( e
qV/kT
-1)
La corriente de saturacin inversa IS tiene un origen

diferente de la Io del diodo semiconductor - semiconductor. Existen varias
teoras que llevan a la ecuacin anterior. No profundizamos en ellas en este
curso
En la figura siguiente se compara la corriente en polarizacin directa
de un juntura p-n con la de una juntura Schottky.
I
Diodo Schottky
Esta figura explica por qu una

de las aplicaciones ms promisorias de esta
juntura es la rectificacin de muy grandes
corrientes.
Juntura p-n
La menor cada de tensin significa un
menor consumo de potencia.
v
Se
propiedad.
fabrican
rectificadores
comerciales
aprovechando
esta
La rectificacin de muy altas frecuencias es otro de los campos de

aplicacin.
D io d o S c h o ttk y
Los portadores que determinan la corriente son

exclusivamente mayoritarios. No existe, por lo tanto,
almacenamiento de cargas por lo que el tiempo de
almacenamiento, tS, es prcticamente nulo. De esta
manera es muy bajo el tiempo de conmutacin.
Contactos
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO XIV
Eligiendo convenientemente las barreras de potenciales del metal y

del semiconductor pueden conseguirse contactos hmicos tericamente
perfectos.
En la figura se ilustra un
contacto
metal-semiconductor
tipo n donde :
SC > M
Ef
Eg
por lo que no se produce una

barrera para el flujo de electrones
entre la zona n y el metal, y
viceversa.
S<M
En esta figura se grafica la

situacion equivalente para una
juntura metal semiconductor p.
De esta manera, en ambos
casos,
una
tensin
aplicada,
cualquiera
sea
su
polaridad,
determinar una corriente. A partir
de ello podemos afirmar que el
Ef
contacto no ser rectificante.

Como siempre, existir una resistencia, aunque de valor muy chico.
A ste lo llamamos contacto hmico.
Los fenmenos que surgen de la variacin de las propiedades
fsicas de un semiconductor y un metal en la superficie en la situacin real
son complejos. El anlisis realizado, representa una simplificacin a los fines
de una descripcin que resulta aproximada.
Existen adems otros mtodos para realizar contactos casi
perfectos entre un metal y un semiconductor. Se basan en destruir el
diagrama de bandas en la superficie del semiconductor mediante un
despulido mecnico, y en disminuir su resistencia hmica mediante una gran
contaminacin superficial.
Si bien la teora de estos procedimientos no es totalmente conocida,
existe actualmente una gran experiencia acumulada, y se est en
condiciones de realizar contactos casi perfectos sobre cualquier
semiconductor.
Diodos SC-SC
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
Diodo Tnel
Est formado por una juntura p+ - n+.
Ec
El diagrama de energas en equilibrio es el siguiente :

Se observa que tanto la
zona p como la zona n estn
Eg
muy contaminadas.
q o
Ev
Ef
La ubicacin del nivel

de Fermi en ambos casos,
fuera de la banda prohibida, as
lo indica.
Ef
Ec
Eg
l
Ev
El ancho W de la zona de carga espacial de la juntura es

relativamente pequeo; un ancho de 100 es normal.
A travs de esa separacin fsica, existir una barrera de potencial
0. Esa barrera ser atravesada por efecto tnel debido a que la distancia
fsica W, es pequea.
La figura representa la
+i
curva
caracterstica
de
6
corriente y tensin.
3
2 4
5
-V
+V
En
punteado
se
superpone la curva que sigue
la ley del Diodo.
0
Con punto y raya se
indica el efecto tnel. Con
lnea llena el efecto total.
En los diagramas de
energas
de las
figuras
siguientes pueden observarse los distintos mecanismos de conduccin que
corresponden a los puntos 1, 2 , 3 , 4 , 5 , 6 de la figura anterior.
w
Ec
Ev
Ef
o+V
Ef
Ec
V1
Ev
FISICA ELECTRONICA
(1)
14
En el diagrama (1), la
polarizacin es inversa y los
electrones pasan, por efecto
tnel, de la banda de valencia
de la zona p+ a la banda de
conduccin de la zona n+.
La transicin ocurre
entre niveles energticos
iguales
MODULO XIV
Existen estados ocupados dentro de un rango E de energa en la

banda de valencia de la zona p+ que enfrentan estados libres y permitidos
en la zona n+.
La distancia fsica que separa a los electrones de los estados libres
y permitidos es W. Al ser esta distancia muy pequea, se produce el efecto
tnel.
Si bien la probabilidad de que un electrn pase por efecto tnel es
baja, la cantidad de electrones que existen dentro del rango E en la banda
de valencia es suficientemente elevada, lo que compensa esa baja
probabilidad.
Al aumentar la tensin inversa aplicada V, aumenta en forma lineal
E y por lo tanto la corriente inversa.
El valor de esta corriente inversa por efecto tnel es mucho mayor
que la corriente de saturacin inversa que corresponde debida a los
portadores minoritarios.
Esta corriente se debe a electrones de la banda de valencia, cuya
concentracin es similar a la de un metal.
Se observa que el diodo tnel conduce en sentido inverso mucho
mejor que un diodo normal en sentido directo; y como el efecto que provoca
la conduccin es de naturaleza cuntica no existe tiempo de trnsito.
Tampoco existe almacenamiento de portadores pues ese efecto
se relaciona con los portadores minoritarios y en este caso todos los
portadores puestos en juego son mayoritarios.
Estas dos importantes caractersticas hacen que esta conduccin
pueda utilizarse en microondas o en conmutacin de alta velocidad.
Analicemos ahora el diagrama (2).
w
Ec
f o-V
Ev
Ef
Ef
Ec
V2 > 0
(2)
Ev
La polarizacin es
ahora
directa.
Sin
embargo, la barrera 0 V es an suficientemente
grande como para que los
electrones no puedan
vencerla por la agitacin
trmica normal.
Vemos que se
enfrentan electrones en la banda de conduccin dentro de un rango de
energa E con estados vacos y permitidos en la banda de valencia de la
zona p+. Se produce por lo tanto el efecto tnel y la corriente aumenta a
medida que aumenta la zona E de enfrentamiento.
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
w
Ec
En el diagrama (3) el
enfrentamiento es mximo .
o-V1
Ev
Ef
Ef
Ec
Ev
V3 > V2
(3)
w
Ec
En el diagrama (4)
comienza nuevamente a
disminuir.
o-V2
Ev
Ef
Ef
Ec
Ev
V4 > V3
(4)
w
Ec
En el diagrama (5)
llega a cero.
o-V3
En esta situacin el
efecto tnel normal se anula,
porque todos los estados
V5 > V4
permitidos en la banda de
Ev
(5)
conduccin de la zona n+, se
enfrentan
con
estados
prohibidos en la banda de valencia de la zona p+. No existen electrones que
atraviesen zona alguna por efecto tnel en la situacin representada en el
diagrama (5).
Ev
Ef
Ef
Ec
Se representan en el mismo diagrama electrones que van de la

banda de conduccin de la zona n+ a la banda de conduccin de la zona p+
por efecto diodo normal, vale decir agitacin trmica y probabilidad de
Maxwell. Estos electrones caen a la banda de valencia por recombinacin,
mientras se difunden en la zona p+.
w
Ec
Ev
Ef
o-V4
Ef
Ec
+
Ev
FISICA ELECTRONICA
En el diagrama (6) la
corriente que prevalece es
esa, vale decir, la corriente
normal del diodo.
-
V5 > V6
(6)
16
MODULO XIV
En la zona 4, representada
nuevamente en la figura , la
resistencia dinmica es negativa.
+I
-I
V
V
+V
Las resistencias que pueden

definirse en el punto 4 son:
a) resistencia esttica
Rc = V
I
b) resistencia dinmica Rd = V
I
La resistencia dinmica negativa nos permite transformar corriente
continua en corriente alterna, que puede ser de muy alta frecuencia.
La posibilidad de trabajar en muy altas frecuencias se debe a la
ausencia de tiempo de trnsito y de cargas almacenadas en el diodo tnel.
El efecto de resistencia dinmica negativa hace que tambin se
utilice al diodo tnel en conmutacin de muy alta velocidad.
La resistencia esttica es positiva, pues tanto V como I son valores
positivos.
El dispositivo consume energa que
recibe de la fuente de tensin. La potencia
consumida ser :
I
P=V.I
Si se superpone a la fuente de
alimentacin continua, V, un generador de
alterna, V, la resistencia que este generador
ve es negativa, pues la variacin de corriente
I que produce V es negativa.
Un aumento en la tensin provoca una

disminucin en la corriente.
V
V
El tiempo de conmutacin est en el orden de los picosegundos.
Diodo Inverso
Si la contaminacin de las zonas p+ y

n+ en el diodo tnel no es tan fuerte, ste se
convierte en un diodo inverso.
La curva caracterstica y el diagrama de

energas se representan en la figuras (a) y (b).
En (c) el smbolo.
(a)
En el diagrama de energas se observa

O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
que el nivel de Fermi coincide con lo niveles EV y EC respectivamente.

Han desaparecido los niveles totalmente ocupados en la banda de
conduccin de la zona n+; por lo tanto ha desaparecido el efecto tnel
directo.
w
Ec
Ev = Ef
Ec = Ef
Ev
(b)
(c )
Slo quedan vestigios de ese

efecto debido a los inevitables estados
permitidos que siempre existen en la
banda prohibida.
En el sentido inverso, el efecto

tnel aparece debido a que la separacin
fsica entre las dos zonas es todava muy
pequea, aunque algo mayor que en el
diodo tnel.
La caracterstica V-I de la figura (a) indica que puede utilizarse este

diodo como rectificador si la tensin aplicada no sobrepasa algunas dcimas
de volt.
El sentido de fcil conduccin es el inverso. Como la conduccin
ocurre por efecto tnel no existe tiempo de trnsito; como los portadores que
intervienen en este proceso de conduccin son nicamente mayoritarios, no
existe tiempo de almacenamiento.
Ambas caractersticas determinan que la frecuencia a la cual es
utilizable este diodo sea extremadamente grande.
Diodo Zener
El diodo genricamente denominado Zener, puede trabajar en base

a dos principios totalmente diferentes:
a) efecto tnel
b) efecto de avalancha.
En ambos casos las caractersticas estticas externas, vale decir
curvas V - I, son cualitativamente idnticas; slo difieren en los valores a los
que se alcanza la tensin de ruptura.
Por esa razn, desde el punto de vista utilitario, muchas veces, poco
interesa distinguir un diodo zener del otro, pero al analizar la fsica interna
del dispositivo surge la necesidad de hacer esa distincin.
a) Diodo Zener por efecto tnel.
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO XIV
w
Ec
0
Ef
Ev
Ec
Ef
Ev
Si se contaminan an menos la
zonas p+ y n+ de un diodo inverso de
manera que los niveles de Fermi estn
muy cerca de los niveles EC y EV, tal como
se indica en el diagrama en equilibrio de la
figura se tiene un diodo Zener por efecto
tnel.
El efecto tnel en sentido inverso

se produce slo despus de aplicar una
pequea tensin inversa VZ. En el sentido directo del diodo se comporta
como una juntura p-n normal.
El efecto tnel en sentido inverso slo puede producirse cuando la
distancia W es pequea, vale decir cuando las contaminaciones p+ y n+ de
ambas zonas de la juntura son relativamente fuertes.
W
Ec
0 + Vz
Ef
Ev
Ec
Ef
Ev
Vz
(b)
(a)
El campo elctrico mnimo necesario para producir el efecto tnel es

6
de aproximadamente 10 volt/cm.
Si las contaminaciones p y n son menores, la distancia W, o ancho
de la juntura, es demasiado grande, por lo que antes que el campo elctrico
llegue al valor crtico necesario para que se produzca el efecto tnel, se
produce el efecto llamado de avalancha, que determina tambin un valor de
tensin, llamada tambin en forma genrica como tensin de Zener.
b) Diodo Zener por efecto de avalancha.
I
En una juntura p-n, con polarizacin

inversa, el campo elctrico en la zona de carga
espacial acelera a los portadores minoritarios
generados por efecto trmico a ambos lados de
la juntura.
Vz
Io
V
Estos
portadores
minoritarios
determinan la corriente de saturacin inversa Io
.
Si
O. VON PAMEL
19
la
tensin
es
excesiva,
S. MARCHISIO
los
portadores minoritarios que determinan Io se mueven con tal velocidad que

pueden, al hacer impacto sobre tomos del cristal, provocar la ionizacin de
los mismos.
1
En este caso Vz que puede calcularse como Vz = Ec . dx asume

0
un valor grande.
La figura representa una
juntura abrupta p-n , la distribucin
de cargas, y el campo elctrico .
V
w
p+
Resumiendo los conceptos

anteriores podemos afirmar que
para valores bajos de tensin de
zener, (algunos volts), vale decir,
zonas de p y n muy contaminadas,
el efecto tnel determina la tensin
de zener.
+
+Q
X
-Q
-
Para valores mayores de la

tensin de zener la ionizacin por
impacto y la avalancha que ella
produce domina el fenmeno.
X
VZ =
E
l
E dx
0
Nota:
El diodo zener tiene muchas aplicaciones, pero fundamentalmente
se lo utiliza para estabilizar tensiones.
+
El circuito de la figura estabiliza

una tensin igual a Vz.
IR
VZ
La tensin V del generador puede

variar dentro de ciertos lmites, mientras
que la tensin de salida Vz , permanece
constante.
Diodos rectificadores
Si disminuimos aun ms el dopaje llegando a estructuras alrededor
de la juntura del tipo p-n , obtenemos los diodos rectificadores .
Cuanto ms bajo es su nivel de dopaje, a tensiones ms grandes se
producir el efecto de avalancha.
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO XIV
V
l
No nos extenderemos ms
puesto que estos son los diodos en
que basamos nuestro anlisis
genrico.
+
ND+
X
NAX
VZ =
l
Edx
0
Diodos PIN
Cuando se quiere aumentar mas aun la tensin de ruptura, bajar las
capacidades de juntura o aumentar el ancho de la regin separadora de
cargas se fabrica una estructura P-I-N donde los materiales P y el N son
muy poco dopados.
V
Sus tensiones de ruptura

varan entre los kV y 20 kV.
Presentan tensin
de arranque elevada (arriba de 1V),
y son bastante resistivos.
+
+
X
X
l
VZ = E dx
0
Detectores de rayos
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
Otra aplicacin de la unin p-n utilizada en los ltimos aos es la

deteccin de rayos .
Considrese un cristal de germanio inicialmente del tipo p. La
difusin de litio (donador) en este cristal da origen a la formacin de una
unin .
Si a esta unin se aplica un campo elctrico F, los iones positivos
del litio se desplazan y forman la estructura n - i - p, que constituye el
detector , donde i es la regin de alta resistividad (intrnseca).
+
n
i
<
+
Al atravesar el detector los

rayos gamma, producen pares
electrn-hueco
de
manera
parecida a lo que ocurre en la
fotoconductividad. operando el
detector en polarizacin inversa se
puede detectar a los portadores de
carga, que se hayan producido en
la regin del campo elctrico de la
unin p-n.
La estructura p-i-n aumenta la regin de transicin, que en la

prctica tiene de 1 a 20 mm de espesor.
El ancho de la regin i es critico debido a que la radiacin es muy
penetrante en la materia , por lo que si la zona de separacin de cargas
fuera estrecha , seria imposible detectarla.
A causa de la alta difusividad de los iones de litio, el detector tiene
que ser operado a temperaturas de 77K.
Los detectores de ms uso en la actualidad son los de Ge(Li),
debido a que su resolucin es por lo menos diez veces mejor que la de otros
detectores.
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO XIV
Mdulo XV
El transistor bijuntura
1ra. parte
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO

1 - Generalidades
2 - Conexin JE directa; JC inversa - (Modo activo)
a) Principios de la accin transistor
b) Diagramas de energa - Concentracin de portadores
c) Las corrientes y la accin transistor
1) Componentes de corriente
2) Eficiencia de emisor
3.-Distintos modos de funcionamiento del transistor

a) Las configuraciones
4.-Conexin base comn

a) Ganancia de corriente - Curvas
b) Juntura colector-base
c) Efecto de la polarizacin directa de JE sobre JC
d) Juntura de emisor
e) El transistor como amplificador
FISICA ELECTRONICA
MDULO XV
1.
Generalidades
El transistor bijuntura o bipolar es uno de lo dispositivos de estado

slido ms importantes que ha creado la tcnica electrnica.
Su invencin promovi el desarrollo de la Ingeniera y la Fsica del
estado slido sirviendo de base a muchos dispositivos discretos e integrados
que surgieron posteriormente.
Su estructura es realmente muy simple; est formado por dos
junturas fabricadas sobre un mismo cristal, y ubicadas muy cerca la una de
la otra, de manera que la interaccin entre ellas sea importante.
Pueden distinguirse en l, tres zonas que se llaman :
emisor
base
colector
contacto de base
contacto de emisor
contacto de base
(E)
(B)
(C)
juntura emisora
El emisor es una
p
n) muy dopada,
zona
(o
juntura
colectora por lo que se designa p++
(o n++).
p
n
p++
n
p
W ancho de base
colector
contacto de colector
zona base real o intrnseca
zona base extrnseca
NOTA : los contactos de base van unidos entre s
Fig. (1-a)
oE
oC
W
n
base
ND
p++
emisor
NA
juntura
metalrgica
emisora
P
colector
NA
juntura
metalrgica
colectora
B
zona de carga espacial de

la juntura emisora
zona de carga espacial de

la juntura colectora
Fig. (1-b)
O. VON PAMEL
La base es de
dopaje dbil tipo n (o p),
mientras que el colector,
tipo p (o n), no es crtico
en ese aspecto; su grado
de contaminacin con
impurezas
depende
muchas
veces
del
proceso de fabricacin
utilizado.
La juntura que
separa la zona del emisor,
de la base, se denomina:
juntura emisora (JE), (o
juntura emisor-base: JEB);
La que separa la
zona de colector, de la
base,
se
denomina:
juntura
colectora
(o
colector-base : JCB).
En la Fig. 1-a se
ilustra esquemticamente
S. MARCHISIO
el transistor p-n-p planar de silicio, del cual, para nuestro estudio,

consideramos por simplicidad el modelo unidimensional idealizado que se
representa en la Fig. 1-b, y que se obtiene seccionando el primero a lo largo
de las lneas punteadas.
B
p-n-p
B
n-p-n
Fig. (1-c)
La Fig. 1-c representa los esquemas convencionales de los

transistores p-n-p y n-p-n, que difieren solamente en el sentido de la flecha
del emisor.
Podemos comprender el funcionamiento de este dispositivo
considerando las dos junturas que lo componen dentro de un mismo cristal a
las que sometemos a distintas interacciones elctricas representadas por las
posibles polarizaciones externas siguientes:
JE
JC
E
Directa
Inversa
Inversa
Directa
P JE
JC
JC
JC
JC
B
E
P JE
n
B
Directa
Directa
E
P JE
n
B
Inversa
Inversa
E
P JE
n
B
2 - Conexin JE directa; JC inversa - (Modo activo)

a) Principios de la accin transistor
Si bien sabemos que un transistor bijuntura est constituido sobre la
base de dos junturas en interaccin en un mismo cristal, stas podran estar
relativamente ms prximas o ms alejadas entre s. Observemos la figura
siguiente.
FISICA ELECTRONICA
MDULO XV
En ella, las junturas se encuentran a una distancia mayor que la

longitud de difusin de huecos y electrones, lo que se manifiesta por las
dimensiones de la base.
p++
LP JE LN
B LN JC LP
Podemos alterar
la situacin de equilibrio
de la Fig. 2 aplicando a
las diferentes regiones,
tensiones
externas,
provocando
que
las
uniones
(o
junturas)
queden polarizadas en
forma directa o inversa.
ancho de base
Fig.2 Sin polarizacin externa la estructura se
encuentra en equilibrio
Consideramos
por
ejemplo, una de las
posibilidades
de
polarizacin de las junturas: directa la emisor-base e inversa la basecolector.
Debido a la polarizacin directa de la juntura E-B sern inyectados a
la base un gran nmero de huecos.
Al mismo tiempo, en la juntura C-B, el campo elctrico hace que los
- +
pares e -h que se generan se alejen de la zona de carga espacial llevando
electrones hacia la base tipo n y huecos hacia el colector tipo p.
Como ya vimos,
tanto la generacin como
la
recombinacin
de
-VC portadores tienen lugar en
VE
las
correspondientes
+
zonas
de
carga espacial y
e
h
en
un
sector
de las
huecos
electrones
regiones
neutras
adyacentes
a
stas
que se
LP W LN B LN W LP
extienden desde el borde
ancho de base
de las zonas de carga
Fig.3
espacial,
hasta
una
distancia equivalente a una
longitud de difusin de los portadores. (ver Fig. 3).
recombinacin
JE
p++
generacin
JC
p
Dado que en nuestro caso, la regin intermedia entre junturas fue

supuesta mayor que la longitud de difusin, los portadores que atraviesan
una de ellas, no interaccionan con la otra por lo que podramos interpretar
que esta estructura responde a un esquema de dos diodos semiconductores
en oposicin.
Situaciones similares se daran en el caso de seleccionar otro modo
de polarizacin, por lo que concluimos que: Para que se manifieste
interaccin entre junturas, es necesario que la base del transistor sea
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
de muy pequeas dimensiones, y an ms, mucho menor que la

longitud de difusin de los portadores.
De este modo, se posibilita que muchos de aquellos portadores que
atraviesan una de las junturas arriben a la otra sin recombinarse.
+VE p++
LP
-VC
LP
W<<Ldifusin
hueco
electrn
Fig. 4
Sin
embargo,
como se desprende del
anlisis de la Figura 4, si
las
junturas
estn
suficientemente cerca una
de otra, muchos de los
huecos inyectados a la
base
del
emisor,
alcanzarn
la
juntura
base-colector (B-C), los
que
podrn
cruzar
favorecidos por el campo
elctrico.
De esta forma sern colectados en el colector p. Debe hacerse notar

que, aunque la juntura C-B est polarizada inversamente, fluir a travs de
ella una gran corriente que aproximadamente iguala a la de polarizacin
directa de la juntura E-B.
Esta es la principal caracterstica de la accin transistor: Una gran
corriente fluye en una juntura inversamente polarizada debido a la
existencia de una juntura polarizada en forma directa muy prxima a
aqulla.
Debe hacerse resaltar que no todos los huecos inyectados
alcanzarn la regin de vaciamiento de la unin B-C, sino que habr algunos
que se recombinen con electrones en el camino a travs de la base.
Hay en realidad recombinacin en la zona de carga espacial de la
juntura base-emisor.
El flujo de electrones ingresa a travs de la base, esto desde el
punto de vista de los huecos, corresponde a la corriente IB saliente de ella.
IE
p++
Emisor
n
Base
p
Colector
IB
VBE = -0.5V
IC
VCE = -5 V
Fig. 5
Esto puede observarse en la Fig. 5, donde las polarizaciones directa

de la juntura JE e inversa de JC se han generado tomando como terminal de
referencia el emisor para un p-n-p.
FISICA ELECTRONICA
MDULO XV
Lo que analizamos en el prrafo anterior lo podemos expresar en

frmulas diciendo: la corriente total de emisor (IE) consiste de aquellos
huecos que alcanzan el colector (IC) y de los electrones que fluyen dentro del
transistor a travs de la conexin de base (IB), es decir :
IE = IC + IB
que expresa, adems la conservacin de la carga. Esto es vlido
tambin para un transistor n-p-n. En ese caso, los sentidos de las corrientes
se invierten, siendo IE, por ejemplo, saliente del dispositivo.
NOTA:
Si se observan los esquemas convencionales de ambos transistores
(Fig. 4-c), este hecho est representado por el sentido que en cada caso
adopta la flecha del emisor.
b) Diagramas de energa - Concentracin de portadores
La Fig. (6-a) representa el diagrama de energas de un transistor pn-p y la misma figura (b), la concentracin de portadores mayoritarios y
minoritarios en condiciones de equilibrio.
1) en equilibrio
0E
EC
- q 0E
p++
emisor
(a)
Ntese que el
nivel de Fermi, Ef , es
el mismo para todas
las
zonas
del
dispositivo,
como
corresponde a una
situacin de equilibrio.
0C
EC
n
base
p
colector
Ef
EV
EP
EV
Peo
Pco
Peb
--q 0C
Fig. 6
concentr.
Peo
nbo
neo
Pbo
O. VON PAMEL
C
Pco
nco
En el emisor,
zona tipo p muy
dopada, el nivel de
Fermi est muy cerca
del nivel de valencia
(en realidad,
EV
puede superponerse y
an solaparse con l);
en la base, est cerca
del
nivel
de
conduccin, EC, y en
el
colector,
nuevamente cerca del
nivel de valencia, EV,
pero no tan cerca
como en el emisor.
S. MARCHISIO
La juntura emisora tiene un potencial de juntura 0E entre los planos

que separan la zona de carga espacial de las dos zonas neutras del emisor y
de la base; en forma similar est acotado 0C.
En la Fig. (6-b) se indican la concentracin de huecos (con lnea
llena) y de electrones (con lnea punteada) a lo largo de todo el cristal, en
condiciones de equilibrio.
La Fig. (7-a) representa el diagrama de energas de un transistor pn-p, con polarizacin directa de la juntura JE y en cortocircuito la JC. La
misma Fig. (b), representa la distribucin de los portadores en las distintas
regiones del transistor.
2) polarizacin directa de JE; cortocircuito, juntura
colectora (VCB = 0)
E
C
0E-VEB B 0C
EC
EC
(a) q(- 0E-VEB)

+VEB
EF
qVEB
EV
Ef
EV
pb(0)
Pb(W)=Pb0
Fig. 7
concentr.
Pco
nb
Peo
(b)
Pb
ne
neo
O Pbo W
nco
En el plano
lmite de la zona neutra
de base, con la juntura
emisora, plano o, la
concentracin es ahora
muy grande.
En cambio, en
el lmite de la zona
neutra de base con JC,
plano
W,
la
concentracin es igual a
la
existente
en
equilibrio, es decir b0 .
En (7-b) se han
superpuesto
las
concentraciones
en
equilibrio,
con
las
correspondientes a la
polarizacin indicada).
En la zona de
base
ha
quedado
determinado
un
gradiente
en
la
concentracin
de
portadores.
Con esta polarizacin, muchos de los huecos inyectados a la base
desde el emisor, alcanzarn JC, los que podrn cruzar al colector
favorecidos por el campo elctrico (van hacia zonas de menor energa).
Obsrvese que de esta forma se comprueba que la corriente de
colector existe sin necesidad de polarizar negativamente JC con tal que
exista una VEB directa.
FISICA ELECTRONICA
MDULO XV
Si se polariza inversamente la juntura JC, slo vara en magnitud, la

energa que los portadores minoritarios reciben al atravesar la juntura
colectora y ceden cuando llegan al colector, pero no hay un cambio
sustancial en la corriente de colector que depende en mayor grado de la
tensin VEB.
Hay slo una pequea diferencia debido a que ahora el gradiente de
concentraciones en la
3) Polarizacin directa de JE e inversa de JC
(a) regin de base es
mayor. Fig. (8-a) y (8-b).
E
B
C
nb(a)
nb(W0)SO
Para ilustrar en
lo que respecta a
diagramas de energa y
concentracin
de
portadores, en este
caso,
se
han
representado
los
correspondientes a un
transistor n-p-n.
EC
Ef
EC
EV
Ef
0E-VEB
0C+VBC
Fig. 8
nc
Pb
en
(b)
nb
Pe
Pco
Peo
nbo
Pc
X
NOTA:
En el plano W de la base, como JC est polarizada en forma inversa,
es pb(W) 0.
Como el ancho de la base es mucho menor que una longitud de
difusin, la distribucin es aproximadamente una lnea recta que tiene como
extremos nb(0) en JE y concentracin de minoritarios = 0 en JC.
La concentracin de mayoritarios no vara sustancialmente en
polarizacin respecto del equilibrio.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
c) Las corrientes y la accin transistor

1) Componentes de corriente
Las componentes de corrientes involucradas en la accin transistor
se muestran en la Fig. 9, donde la corriente de huecos IP aparece como
funcin de la distancia desde la regin de emisor al colector a travs de la
base para un transistor p-n-p.
En el emisor p casi toda la corriente es transportada por huecos, por
lo que la corriente de huecos iguala la corriente de emisor.
Si nos acercamos al colector la corriente total tiene una proporcin
de conduccin por electrones creciente.
Consideremos el borde entre la regin de vaciamiento base-emisor y
la base tipo n designada por el plano x=0.
En ste, mostramos la fraccin de la corriente de emisor debido a
los huecos que difunden dentro de la regin de la base Idiff, B.
El resto de esa corriente es transportada por electrones. Podemos
separar la corriente electrnica en x=0 en dos componentes: la componente
1 debido a los electrones inyectados dentro del emisor tipo p y la
componente 2 debido a los electrones que son inyectados dentro de la
regin de carga espacial E-B donde se recombinan con huecos.
Si continuamos con el anlisis hacia la regin de colector, la fraccin
de corriente transportada por huecos disminuye debido a que algunos de los
huecos inyectados a la base n se recombinan con electrones.
WE
W EB
WB
A z o n a n e u tr a d e e m i so r
B
r eg i n d e c a r g a e sp a c ia l E - B
z on a n eu tra d e ba se
r e g i n d e ca r g a e s p a ci a l C -B
z o n a n e u t r a d e c o le c to r
IE
p
++
X=0
IC
IB
IP
IE
1
2
3
IC
I d iff.B
A
E
D
F i g . 9 : V a r ia c i n d e la c o r r i en t e d e h + e n fu n c i n d e x e n u n p -n - p
A la fraccin de corriente de huecos que se pierde por

recombinacin en la regin neutral de la base la denominaremos
componente de corriente 3.
La suma de las tres componentes constituye la corriente de base.
FISICA ELECTRONICA
10
MDULO XV
La corriente de h que resta luego de estos procesos analizados

prcticamente no cambia ms all del borde de la regin de carga espacial
C-B.
Suponemos en este anlisis despreciable la relativamente pequea
corriente inversa debido a la generacin en la juntura JC. Esta es propia de la
juntura JC y es independiente de la accin transistor. Consideramos su
aporte ms adelante.
En la zona neutral de colector la corriente de h+ es de portadores
mayoritarios y no disminuye por recombinacin.
Analizamos estas componentes en forma cuantitativa.
En bajo nivel de inyeccin, el transporte de portadores minoritarios
inyectados en la base puede ser descripto enteramente por difusin, segn
vimos en otro captulo.
Para obtener la distribucin correspondiente debemos resolver la
ecuacin de difusin en rgimen permanente:
2
Dp d Pn - Pn - Pno = 0
2
Tp
dx
sujetas a las condiciones de borde:
qVeb/KT
Pn(0) = Pno e
Pn(W B) = 0
donde la concentracin de equilibrio de los portadores minoritarios

dentro de la base es:
2
Pno = ni / NDB.
Siendo NDB la concentracin de donantes dentro de la regin de la
base que consideramos uniforme en nuestro modelo idealizado.
La primera de las condiciones de borde establece que la
concentracin de portadores minoritarios en el borde de la regin de carga
espacial de la juntura EB se incrementa por sobre su valor de equilibrio en
qVeb/KT
, incremento que responde a la inyeccin de
un factor exponencial e
portadores en una juntura en polarizacin directa.
La segunda condicin de borde estable que la concentracin de
portadores minoritarios en el borde de la regin de carga espacial de la
juntura C-B ser 0.
Esto es debido a su polarizacin inversa, de esta forma el campo
elctrico arrastra fuera inmediatamente cualquier portador minoritario que
alcance esa unin.
La solucin de la ecuacin de difusin con las condiciones de borde
vistas, para el caso de VEB >> KT/q nos da la expresin que se presenta a
continuacin:
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
Pn(x) Pn(0) sen h (W B-x)/LP

sen h W B/LP
Los clculos basados en esta solucin pueden verse en la Fig. 10
donde la concentracin de portadores minoritarios se muestra en funcin de
la distancia para una longitud de difusin fija Lp=10 y varios valores de
ancho de base W B.
Es evidente que para W B>>LP la distribucin de la Fig. se aproxima a
la distribucin exponencial simple para una juntura aislada. Por otro lado
para la condicin W B << LP la distribucin se aproxima a la dada por:
(x)
Pn
(0)
= Pn
(1-x )
WB
Podemos ahora analizar cuantitativamente las componentes de la

corriente total de emisor IE.
Refirindonos al plano x = 0 de la Fig. 6, vemos que IE consiste en
primer lugar de la corriente de difusin de huecos inyectados dentro de la
base Idiff, B.
En los buenos transistores W B << LP (condicin para la cual se
verifica la ecuacin anterior), por lo que empleando la distribucin de
portadores minoritarios correspondiente se llega a:
2Pno
. e
Idiff, B = qDPB . ni
NDB W B
qVeb/KT
. AJ
Donde DPB es la difusividad de huecos en la regin de base. La

corriente de difusin de los electrones inyectados en el emisor (componente
(1) de la Fig. 6), est dada por:
2
. e
Idiff, B = qDNE . ni
NAE W E
qVeb/KT
. AJ
donde hemos supuesto que

el ancho de emisor W E es << que la longitud de difusin
de los e en la regin de emisor.
NAE representa la concentracin de aceptantes en el
emisor que hemos supuesto uniforme en nuestro modelo
idealizado: y
DNE es la difusividad de e en el emisor.
-
Finalmente los e inyectados dentro de la regin de carga espacial

emisor base se recombinan con huecos.
Esto da origen a una componente de corriente (2), - ver la Fig. 9 -,
que viene dada por :
qVeb/2KT
IREC = qni W EB . e
FISICA ELECTRONICA
.
12
MDULO XV
2To
Donde W EB es el ancho de la regin de carga espacial de la juntura E-B.
1 .0
0 .8
L P= 1 0
P ./P .(0 )
0 .6
0 .4
0 .2
W B=1 5
10
20
>100
X ( )
0
2
4
6
8 10
12 14 16 18
20
F ig . 1 0 : D istribu ci n d e p o rtad o res m ino ritario s inyectad o s p ara
d iferentes valo res d e ancho d e base
2) Eficiencia de emisor
Un emisor eficiente es aquel en el cual las componentes (1) y (2) de
la Fig. 9 son pequeas.
As podemos definir la eficacia de emisor por:
=
Idiff, B
IE
Idiff, B
Idiff, B + Idiff, E + IREC
que puede expresarse como:

=
1
( 1 + Idiff, E + IREC
Idiff, B
Idiff, B
Analizando lo que representa en cada caso cada uno de los

trminos del denominador vemos las dependencias de lo que llamamos
eficiencia del emisor con los parmetros constructivos de las distintas
porciones del transistor.
As puede llegarse a determinar que depende inversamente del N
de impurezas en la regin de emisin, as como tambin depende en forma
inversa del ancho W EB y de la razn de recombinacin en la regin de carga
espacial de la misma juntura E-B.
Por la definicin dada para la eficiencia del emisor, , la cte.
transportada por los portadores minoritarios inyectados dentro de la base
est dada por IE.
Lo que representa un elemento de importancia es la fraccin de esta
cte. que alcanza la regin de vaciamiento C-B y que es colectada ah.
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
As esta porcin respecto a la inyectada a la base se denomina

factor de transporte T que se define como:
T =
cte. de h que alcanza el colector

+
cte. de h inyectados en la base
para un transistor p-n-p.

+
En la Fig. 9, esta variacin de la cte. de h a lo largo de la regin de

base se indica por el decrecimiento que representa la componente (3).
3.-Distintos modos de funcionamiento del transistor

En base al tratamiento terico de la unin p-n, hemos analizado la
interaccin de dos junturas en una configuracin que responde a la
estructura de un transistor.
Esta descripcin nos permiti abordar el estudio de algunos
elementos tales como las variaciones de potenciales, modificaciones en los
diagramas de energa y concentracin de portadores, adems del
movimiento de cargas, debidos a la accin transistor, todos ellos asociados
a fenmenos que se dan en el transistor fuera del equilibrio.
Para completar su descripcin, debemos insertarlo en un circuito y
observar (por ejemplo a travs de mediciones), aquello que se manifiesta
debido a su interaccin con l.
Esto nos permitir obtener sus curvas caractersticas y hallarle una
utilidad siendo empleado en los distintos modos de funcionamiento.
Una y otra descripcin no son excluyentes, ambas se complementan
para obtener una imagen ms acabada del dispositivo: aquello que puede
predecirse a travs de un tratamiento terico debe poder ser corroborado en
una situacin experimental mediante otro tipo de descripcin.
Las configuraciones
E
V EB
p ++
p ++
JE
B
N
V CE
JE
N
JC
JC
V EC
V CB
B
JE
N
V BE
(a)
p ++
E
JC
V BC
(b)
( c)
Fig. 11: (a) Conexin base comn en modo activo (JE directa / J C inversa)
(b) Conexin emisor comn en modo activo (JC inversa)
( c) Conexin colector comn en modo activo (J C inversa)
FISICA ELECTRONICA
14
MDULO XV
Existen distintos modos de montaje de un transistor cuando es

empleado en un circuito. De acuerdo a cul de sus tres terminales es
conectado al potencial de referencia o masa, se tienen las conexiones:
emisor comn, base comn y colector comn (Fig. 11).
Pasamos a analizar separadamente.
4.-Conexin base comn

a) Ganancia de corriente - Curvas
Observamos a travs de curvas el efecto de cada una de las
polarizaciones de juntura.
En la Fig. 12 se ha reproducido el esquema de la configuracin base
comn, pero en forma horizontal.
Resulta
conveniente en algunos
JC
caja negra casos,
JE
considerar
al
IE
IC
transistor
como
una
caja
P++ N
P
negra; de este modo,
encontramos
que
el
terminal que se encuentra
B
a masa (en este caso, la
entrada
salida
base), es el terminal
VEB
VCB
comn tanto con la
entrada como con la
salida de esa caja negra.
Entre los elementos que constituyen el circuito de entrada se
encuentra la juntura JE con sus parmetros corriente-tensin dados por IE,
VEB y en el circuito de salida se tiene JC con sus parmetros corrientetensin dados por IC y VCB; constituyndose el terminal de base comn a
ambos.
Analizamos mediante curvas tanto el circuito de entrada como el de
salida en forma independiente.
a)
Juntura colector-base
IC directo
tensin inversa (-Vca)

IE = 0
Se puede representar
la caracterstica I-V del diodo
colector-base con el emisor
abierto (IE=0).
tensin directa
VCB
IC inversa (0 - IC)
Fig. 13
O. VON PAMEL
15
Esta segn vemos en

la Fig. 13, tiene la forma
habitual de la caracterstica de
un diodo. (Para obtener esta
caracterstica la juntura JC se
polariza en forma directa
graficada
en el primer
S. MARCHISIO
cuadrante e inversa, en el tercero).

Dado que en el modo activo de funcionamiento de un transistor est
polarizada inversamente, nos interesa proseguir el anlisis para la porcin
de la curva correspondiente al tercer cuadrante de la Fig. 13.
La corriente inversa de colector-base para IE=0, (o ICB0), al igual que
la corriente inversa de un diodo:
Es decir, es prcticamente independiente de la tensin por
debajo de algunas decenas de volts y aumenta rpidamente al alcanzar
la tensin de ruptura de la juntura.
Con el emisor abierto, es decir sin polarizacin de la juntura JE,
puede escribirse :
| IC | = | ICB0 |
b)Efecto de la polarizacin directa de JE sobre JC
Al estar JE polarizada directamente, (existencia de VEB), la corriente
de emisor deja de ser igual a cero.
Si se realizan las mismas mediciones para la caracterstica de la
juntura colectora, pero ahora con polarizacin directa de JE (obtenindose
las distintas IE), la curva caracterstica toma la forma de la Fig. 14.
IC mA
0
-VCB IE=0
IE = 1 mA
2 mA
3 mA
VCB (V)
-IC
En ella se
observa que todo
pasa como si la
caracterstica
anterior (IE = 0, por
ej.), se trasladara en
forma paralela hacia
corrientes
de
colector inversas de
mayor valor.
De anlisis de curvas experimentales, (con valores numricos)

podramos expresar este hecho diciendo que la corriente de colector con JC
en polarizacin inversa, aumenta proporcionalmente a la corriente que
atraviesa la JE polarizada en forma directa.
Teniendo en cuenta los sentidos de las corrientes; ahora es :
IC = IE + ICB0
con 0.96 a 0.99
recibe el nombre de ganancia de corriente en conexin base

comn.
FISICA ELECTRONICA
16
MDULO XV
Representa fsicamente los huecos colectados en el colector del

total que se inyectan desde el emisor y se define como la relacin entre
ambas corrientes para la misma polarizacin inversa de JC (VCB = cte.), es
decir :
= IC
IE
VCB = cte.
NOTA:
As definida, es ganancia de corriente en continua, tambin
llamada HFB , en conexin base comn.
-IC
9 mA = IE
8
7
6
5
4
3
2
1
0
VCB (V) 0
10
-VCB (V)
En las aplicaciones, resulta de mayor inters la caracterstica inversa

graficada en la Fig. 14, correspondientes a la juntura colectora.
Este es el motivo por el que se gira la Fig. en 180 para que quede
representada en el primer cuadrante. (Fig. 15).
La familia de curvas que se representa en la Fig. 15 es la
caracterstica de salida.
Obsrvese la casi horizontalidad de las caractersticas I-V que
revelan la existencia de una impedancia de salida muy grande para esa
conexin, como luego analizaremos.
Mediante un procedimiento similar se puede analizar qu ocurre con la:
c)Juntura de emisor
Si se obtienen mediciones de la caracterstica del diodo emisorbase, sin polarizacin de la juntura colectora y luego con ella, se obtienen las
curvas caractersticas de entrada que se representan en la Fig. 16.
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
En ellas, se observa que la polarizacin inversa de la JC produce el

arranque del diodo de emisor a una V algo menor a la vez que disminuye
la pendiente de las curvas a medida que VCB aumenta en polarizacin
inversa. Este hecho puede explicarse, segn veremos, por la reduccin del
ancho de la base, (Efecto Early).
d)El transistor como amplificador
(conexin base comn)
0,6
VCA abierto
0,4
tensin
de
0,2
emisor
VEB (V)
0
0
VCA = 0V
10
20
Fig. 16
30
40
Conectamos una
carga resistiva RL en
serie con la tensin de
alimentacin de colector
de modo tal de poder
observar
el
comportamiento
de
-1
nuestro transistor en un
-10
circuito sencillo (como el
-20
IE (mA) mostrado en la Fig. 17).
50
Una
pequea
IE
IC
E
P++
- c
VCC
RL
VL
VEB
B
+
VCB
VEB
Fig. 17
pasa a travs de RL ser
IC = IE.
variacin de tensin de
entrada, entre emisor y
base,
provoca
un
cambio
relativamente
IE
de
la
grande
corriente de emisor.
La fraccin de
esta corriente que es
tomada por el colector y
De esta forma, la variacin de la tensin de salida en la resistencia

de carga es:
VL = IC . RL
En valores numricos, este VL es muy superior al VEB que lo
origin, como lo podemos comprobar con un ejemplo sencillo:
Supongamos :
VEB = 0,1 V,
el IE IC es por ejemplo, 5 mA,
si tenemos una carga de 3 K,
la variacin de tensin VL resulta de multiplicar los
5 mA por el valor de RL dando VL = 15 V.
Encontramos entonces que hay una ganancia de tensin dada por:

Av = VL , en este caso = 150
VBE
FISICA ELECTRONICA
18
MDULO XV
La ganancia de corriente, como hemos visto, es aproximadamente

uno y en seal, se la define como :
= IC
IE VCB = cte.
Esta configuracin resulta conveniente tambin cuando se desea un
amplificacin de potencia.
Debido a que la JE est polarizada directamente, la resistencia de
entrada del transistor en base comn (definida como VEB = Re ) es muy
pequea.
IE
Pe = Re Ie
La potencia de entrada ser :
Considerando una carga RL convenientemente alta, la potencia de

salida PL evaluada como
2
PL= Ic RL,
resulta muy superior a la de entrada; la ganancia de potencia ser
Ap = PL = RL
Pe
Re
Ic
IE
RL
Re
En nuestro ejemplo, con Re = 0.1 K = 20

5
resultando, con RL = 3 K , una Ap 150
NOTA 1:
Este resultado podra haberse alcanzado tambin a travs del
clculo Ap = Av . = 150
NOTA 2:
Si bien los valores numricos de este ejemplo, con respecto a
variaciones de tensin VEB, y corriente IC, as como la carga RL fueron
supuestos, stos son valores probables de un circuito amplificador con
transistor bijuntura en esta configuracin.
VEB y IC, son variaciones alrededor del punto de trabajo en donde
los valores numricos de VEB e IC pueden ser por ejemplo, 0,7 V y 10 mA,
con una alimentacin de colector de 50 (VCC).
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
Mdulo XVI
2da parte
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO

5.-El transistor en modo inverso
6.-Las junturas JE y JC polarizadas directamente
7.-Las junturas JE y JC polarizadas inversamente
8.-Conexin emisor comn
Ganancia de corriente - Curvas
a)El circuito de salida
b)Efecto de la polarizacin directa de la JE sobre la salida Ganancia de corriente.-
c)El circuito de entrada
9.-La polarizacin directa de JE y JC en conexin emisor

comn
10.-La polarizacin inversa de JE y JC en conexin emisor
comn.
11.-Conexin colector comn
12.-Las regiones de ruptura
a)Conexin base comn
b) Conexin emisor comn
c)La perforacin del transistor
13.-Consideraciones fuera del modelo ideal del transistor

a)Limitacin del tiempo de trnsito a travs de la base
b)Regiones de base graduales
c)Efecto Early
14.- El transistor de avalancha

2da Ruptura
NOTA : El primer tiristor
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVI
5.-El transistor en modo inverso

(base comn)
Hasta ahora hemos polarizado las junturas JE y JC del transistor de
modo tal que ste se encuentra en la llamada zona activa de la
caracterstica de salida, en donde trabaja como amplificador.
En este caso las polarizaciones de junturas con las cuales
trabajamos fueron JE directa - JC inversa.
Nada nos prohibe intercambiar las polarizaciones de modo tal que
ahora, podemos analizar la respuesta del transistor cuando hacemos JE
inversa - JC directa..
En este caso el transistor se encuentra en un estado inverso (Fig.
18).
C
P ++
V EB
V CB
Fig. 18
El colector funciona como emisor, y el emisor como colector.

ste siempre puede funcionar como emisor aunque su rendimiento
de emisin ser ms bajo por su menor dopaje, (ver Fig. 1-a) y su geometra
es inadecuada para cumplir esa misin.
La inyeccin desde colector a la base ser por consiguiente menor
que desde emisor y este hecho se reflejar en una menor ganancia de
corriente (inv. < ).
El fabricante no ofrece normalmente curvas caractersticas en esta
conexin, aunque resultan similares a las correspondientes al modo activo.
6.-Las junturas JE y JC polarizadas directamente

(base comn)
Podemos analizar el circuito de la Fig. (19-a); ambas junturas estn
polarizadas en forma directa.
Una polarizacin directa significa que el material p del colector se
hace positivo con respecto a la base n y por lo tanto, la corriente de huecos
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
circula desde el lado p, a travs de la unin de colector, hacia el material n

(la base).
De este modo
podemos decir que hay
E
E
P
N
P
inyeccin
de
huecos
IC C desde emisor as como
E IE
IED
IED
desde colector. En este
modo de funcionamiento
IIC
ICI
el transistor est en
saturacin.
VEB
conc.de
portad.
IB
Peo
VCB
(a)
Pb(0)
Pc
(b)
Pb(W)
ne
nc
X
neo
Pbo
nco
Fig. 19
-IC
Mx.
VEB o IE
zona de
saturacin directa
0
-VCB
Fig. 20
zona de saturacin inversa
La
situacin
representada en la Fig.
(19-b) es la de una
saturacin
donde
predomina la inyeccin de
emisor, de esta forma, la
corriente de colector es
saliente;
la
inyeccin
provocada
por
VEB
predomina por sobre la
provocada por VCB siendo
adems el rendimiento de
emisin
del
emisor
superior al de colector.
En
las
curvas
caractersticas de salida
en base comn la zona de
saturacin est definida a
la izquierda de la ordenada
VCB=0 (es decir para
VCB>0) y por encima de la
caracterstica
correspondiente a IE = 0,
segn puede observarse en la Fig. 20.
7.-Las junturas JE y JC polarizadas inversamente

(base comn)
Podemos analizar el circuito de la Fig. (21-a); en l ambas junturas
estn polarizadas en forma inversa.
Cuando JC y JE estn polarizadas inversamente, el transistor se
encuentra al corte.
Ambas junturas estn atravesadas por las respectivas corrientes
inversas (de generacin).
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVI
Debido a las dos polarizaciones inversas, la concentracin de

minoritarios en la base ( Pb(o) y Pb(W)) en ambos extremos es nula.
P++
P
IC
IE
JE
VEB
IB
JC
VCB
(a)
nP
Pe
Tanto la corriente
de colector como la de
emisor son salientes del
dispositivo y de muy
reducido valor, resultando
la corriente de base igual
a la suma de ambas.
nb
Pc
(b)
neo
En las curvas
caractersticas de salida,
la regin de corte es la
que se encuentra por
debajo de a caracterstica
correspondiente a IE = 0
(Fig. 22).
nco
X
ne
Pb(0)
Fig. 21
Pb(W)
nc
-IC
Mx.
VEB o IE
zona de corte
-VCB
Fig. 22
8.-Conexin emisor comn Ganancia de corriente - Curvas

A partir de la polarizacin de la juntura JE, con la tensin VBE la
conexin emisor comn utiliza como parmetro de control, la corriente de
base; as como en la conexin base comn lo haca la corriente de emisor a
travs de la polarizacin con tensin VEB.
Reproducimos el transistor en conexin emisor comn, poniendo de
manifiesto los circuitos de entrada y salida (Fig. 23)
a)El circuito de salida
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Vemos primero qu sucede si no hay polarizacin de la juntura JE,

es decir si IB =0 (Fig. 24).
IC
C
Las flechas indican

la circulacin
de h+
IB
B
Fig.23
JC
JE
VCE
VBE
salida
E
entrada
IC
P
JC
N JE
P++
Al estar abierto el circuito

de base, la tensin VCE aparece
casi totalmente localizada sobre
polarizacin
la juntura JC en
inversa: la tensin VBE es casi
nula, por lo que no existe ms
que una pequea corriente de
emisor, y por lo tanto, de
colector.
Esta es la ICEO, con base abierta.
ICE0
La
tensin
colector
emisor lleva a los portadores
(huecos en un p-n-p) desde el
emisor hacia el colector, a travs
de la base.
VCE
Podemos escribir : IC = ICEO

cuando no hay alimentacin del circuito de
entrada.
Si representamos grficamente IC
vs. VCE (luego de realizar un ensayo con
distintas VCE, del circuito de salida con la
base abierta), resulta Fig. 25.
Fig. 24
IC
IB=0
VCE
Fig. 25
b)Efecto de la polarizacin directa de la JE sobre la salida Ganancia de corriente.-

La aplicacin de una tensin VBE, polarizando directamente la juntura
JE, produce un crecimiento de IE y por lo tanto de IC (IC > ICEO), as como la
aparicin de una corriente de recombinacin en la base (IB).
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVI
Esta IB se comporta como parmetro de control, segn puede

observarse en la Fig. 26.
Esta familia de curvas representa la llamada caracterstica de
salida en conexin emisor comn.
12
IB=0,12mA
10
IC (mA)
8
Fig. 26
0,10
Se puede encontrar
experimentalmente que, en un
cierto rango, la corriente de
colector
aumenta
proporcionalmente a la corriente
de base resultando :
0,08
IC = IB + ICEO
0,06
4
0,04
2
0,02
IB=0
(ICE0)
B VCE0
VCE (V)
0
0
-20
-40
-60
HFE = = IC
IB
-80
recibe el nombre de
ganancia de corriente en
conexin
emisor
comn,
definindose, la ganancia de
corriente en continua:
VCE = cte.
Dada la relacin entre las corrientes IE, IC e IB que expresa la

conservacin de la carga (IE = IC + IB ),
pueden relacionarse y obtenindose :
=
1-
NOTA 1:
Bajo condiciones normales de operacin, ser siempre menor que
1, acercndose a ese valor en un buen transistor.
Si interpretamos la ltima expresin que relaciones y resulta que
ser (por ej.):
para
para
= 0,97 ==> 33
= 0,995 ==> 200
Este ltimo valor de se alcanza en algunos casos, considerndose

un buen valor 180.
NOTA 2:
No slo interesa que el valor de sea alto sino tambin que no
caiga con el nivel de corriente.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
El HFE ( ) vara con la corriente de colector debido a la

recombinacin que tiene lugar en la juntura E-B.
Recordemos que la corriente de base como funcin de la tensin
directa E-B sigue la ley del diodo :
IB e
qVeb/mKT
siendo m = Irec
Idiff
m, en el rango de las bajas corrientes es aproximadamente igual a

1,7.
100
Esto indica el alto

grado de recombinacin
en la regin de carga
espacial E-B para esos
niveles de corriente, lo
que dara un HFE de
menor valor para menores
valores de IC.
10
hfe
1
HFE
0,1
IC
100pa 1na 10na 100na 1a 10a 100a 1ma 10ma 100ma 1a
Fig. 27 HFE y hfe en funcin de IC (VCB=0)
Esto
puede
observarse en Fig. 27
NOTA 3:
En lo que respecta a las caractersticas de salida con base comn
comparndolas con las que corresponden a la configuracin emisor comn,
puede observarse (Fig. 15 y Fig. 26), que estas ltimas presentan un
aumento en la pendiente que relaciona IC con VCE para IB (parmetro)
crecientes.
Este no es el caso de las caractersticas de salida en base comn
donde se observa una marcada horizontalidad en las grficas IC vs. VCB con
IE (parmetro) para todas las curvas.
El parmetro que puede usarse como comparacin de ambas es la
llamada resistencia dinmica de salida que se define, para conexin base
comn como:
rob =
VCB
IC
IE = cte.
y para conexin emisor comn, como:

roe =
VC
IC
IB = cte.
siendo roe < rob
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVI
Esto puede explicarse de la siguiente forma:

Un incremento VCB eleva la barrera de potencial de la JC
y ensancha la zona de carga espacial de esa juntura, o
sea que reduce el espesor de la base.
Como consecuencia: hay una disminucin de la
probabilidad de recombinacin de los portadores
inyectados por el emisor, en razn de que el trayecto es
menor.
Esta disminucin se refleja de la siguiente forma:
A) a IE constante, en un nmero menor de
recombinaciones.
B) una disminucin IB de IB ; a IB constante (igual
nmero de recombinaciones), en un incremento IE de IE.
En el caso de rob, a IE = cte., la disminucin IB afecta
muy poco a IC siendo IC muy pequeo (igual a IB) por lo
que su valor es muy alto.
En el caso de roe, dado que VCB VCE, y considerando
IB = cte., resulta IE = IC que si es apreciable. Esto da
como resultado un valor menor de roe con respecto de rob.
c)El circuito de entrada
-0,6
-0,5
tensin
-0,4
de base
-0,3
VBE (V)
-0,2
T = 25C
VCE = -10V
Fig. 28
-0,3
-0,2
-0,1
-0,1
IB (mA)
0
0
-20
-40
-60
-80
Para estudiar el
circuito de entrada, las
variables que entran en
juego sern aquellas que
tienen que ver con la
polarizacin de la JE, (VBE,
IB), y el parmetro de
control, la polarizacin de la
juntura colectora, que en el
caso de la configuracin
emisor
comn
est
asociada con la tensin
entre colector y emisor
(VCE).
De esta forma si fijamos el potencial de colector al de referencia,

hacemos VCE=0, y variando la polarizacin VBE obtenemos la caracterstica
de un diodo (el de la juntura JE), (Fig. 28).
Si VBE pasa a ser cero, IB ser tambin cero, ya que en estas
condiciones las uniones de colector y emisor estarn ambas
cortocircuitadas.
Por otra parte, el aumento de VCE, polarizando inversamente la JC,
manteniendo VBE constante provoca una disminucin del ancho de la base y
da como resultado una disminucin de la corriente de recombinacin de
base.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Estas consideraciones
caractersticas de entrada.
determinan
la
pendiente
de
las
Las caractersticas de entrada de los transistores de silicio son, en

cuanto a forma, similares a las de la Fig. 28. La nica diferencia notable en
el caso del silicio es que la corriente deja de ser cero en la gama de 0.5 a
0.6 V, mientras que el germanio lo hace entre 0.1 y 0.2 V.
(emisor comn)
Consideramos ahora el comportamiento de nuestro transistor en un
circuito sencillo como el mostrado en la Fig. (29-a).
Para una dada tensin VBE, fluyen en el transistor una corriente de
base IB y una corriente de colector IC.
IE
IC
P++
Emisor
n
Base
P
Colector
IB
(a)
Fig.29 : Empleo del transistor
como amplificador
Circuito
de entrada
VBE
~
IC (mA)
6
5
4
3
2
1
0
0.1 Ib (mA)
0.08
0.06
0.04
0.02
0.
RL
Circuito
de salida
ICRL
V aplicada entr.
Ic= hfe Ib
Ic = hFE Ib
Ib
Ib
Si a esta tensin continua VBE se le superpone una pequea seal

de alterna, la corriente de base variar en funcin del tiempo como se
muestra en la Fig. (29-b).
Esta variacin produce en la corriente de colector otra variacin que
es hfe veces mayor que la corriente de entrada, es decir :
IC = IB hfe
hfe es la ganancia de corriente en conexin emisor comn en seal,
o dinmica y se define como
FISICA ELECTRONICA
10
MDULO XVI
hfe = IC
IB
VCE = cte.
En lo que respecta a la amplificacin de tensin, el IC sobre la

carga RL da un valor VL muy superior al VBE de la entrada.
Este modo de funcionamiento con el montaje emisor comn es til
por lo tanto en lo que respecta a amplificacin de corriente, amplificacin de
tensin y tambin de potencia.
Si suponemos una ganancia en corriente hfe 100 con una ganancia
en tensin Av 150, la ganancia en corriente es
Ap = Av . hfe 15.000.
Otra cosa muy importante a tener en cuenta en esa conexin es la
impedancia de entrada definida como :
Zi = VEB
IB
VCE = cte.
es decir, la variacin de la tensin de entrada dividida por la

variacin de la corriente de entrada, para VCE = cte. sta resulta mucho
mayor que en el caso base comn.
9.-La polarizacin directa de JE y JC en conexin emisor

comn.
En la conexin emisor comn, la polarizacin directa de la juntura JC
debe lograrse a partir de la tensin VCE.
Segn se observa en la Fig.
30, la relacin entre las tensiones,
suponiendo polarizacin directa de JC
es :
Fig 30
VBE
VCB
B
P++
C
VCE = VBE - VCB
Je Jc
( VCE? )
Debido a que en una tensin

polarizada en directo las tensiones,
Qu valores adopta VCE para polarizar (V y V , en este caso), tienen un
BE
BC
. directamente Jc ?
valor de slo una pocas dcimas de
VCE
volt, VCE ser:
La conexin en lnea de trazos

corresponde a al montaje base comn
a) igual a cero (origen de la

caracterstica de salida)
b) de algunas dcimas de volt.
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
En este ltimo caso, basta con que VCB sea por lo menos la tensin
V y VBE algo mayor.
Fig 31
Ic
Max
El valor V para VCB se logra
entonces fijando polarizacin directa en
JE y haciendo VCE de igual polaridad que
VBE
VBE, pero de slo algunas dcimas de
IB
volt.
zona de
saturacion
en
El
transistor
est
directa
saturacin.
-VCE
En las curvas caractersticas de
salida, la zona correspondiente a la
saturacin est muy cerca del eje de tensin VCE nula y se extiende hasta el
codo de las curvas caractersticas.
10.-La polarizacin inversa de JE y JC en conexin emisor

comn.
Al analizar el circuito de
salida con la juntura de emisor sin
polarizar , o lo que es lo mismo, IB
= 0, vimos que la corriente de
colector era ICE0.
Fig 32
P++
>
E
VBE
IIce0
B
ICE0
sta atraviesa tambin la

juntura de emisor (ver Fig. 24), que
en estas condiciones no est
polarizada inversamente.
VCE
ICE0 es en realidad de un
valor relativamente alto si se lo
compara con IC0 (propia de la JC)
que estudiamos en la conexin
base comn y que corresponda a
la condicin de no polarizacin de
la juntura emisora o IE =0.
Fig 33
Ic
Max
zona
de
corte
VBE
o
IB
0
Esta
ltima
condicin
representaba el lmite por debajo
del
cual,
el
transistor
se
encontraba al corte.
VCE
Para que se cumpla la condicin de corte en la conexin emisor

comn se requiere entonces que ambas junturas estn polarizadas
inversamente de tal forma que pueda asegurarse que IE = 0, es decir, que
slo circule la IC0 propia de JC sin atravesar la JE (Fig. 32).
FISICA ELECTRONICA
12
MDULO XVI
En la Fig. 33 se representa la regin de corte marcada sobre las

curvas caractersticas de salida en esta conexin.
NOTA:
La relacin entre ICE0 e IC0 se puede encontrar a partir de las
ecuaciones que describen las caractersticas para las conexiones emisor
comn y base comn segn veremos:
Para la conexin base comn deducimos
IC = IE + IC0
(1)
mientras que ara emisor comn
IC = IE + ICE0
(2)
Por la conservacin de la carga
IE = IC + IB
(3)
Si se reemplaza la
(3)
en la
(1)
se obtiene:
IC = (IC + IB) + IC0

:
IC =
IB + IC0
(1 - )
comparando la
(2)
(4)
; como =
,
(1 - )
con
ICE0 =
IC0
(1 -)
dado que 0.9, el valor de ICE0 resulta, como dijimos,

relativamente grande.
11.-Conexin colector comn.

Fig 34
La
configuracin
del
transistor indicada en la Fig. 34 se
conoce con el nombre de colector
comn.
E
P++
B
VBC
Si
se
analiza
con
detenimiento, sta resulta muy
similar a la configuracin emisor
comn.
VEC
Por esa razn no se la

estudiar en detalle.
12.-Las regiones de ruptura.

a)Conexin base comn
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
Fig35
IC (mA)
10
La Fig. 35 representa las

curvas caractersticas de salida de
un transistor p-n-p en configuracin
base comn, similares a las de la
Fig. 15, pero ahora con la escala de
tensiones hasta la llamada tensin
de ruptura en base comn con
emisor abierto (BVCB0).
Ib = 10 mA
Al
analizar
las
caractersticas de salida en esta
conexin (Fig. 14), vimos que stas
0
-20 -40 -60 -80 VCB (V)
constituyen una familia de curvas
caractersticas de la JC trasladadas una de otra por la accin de la juntura
emisora polarizada directamente.
2
0
BVCB0
En ese momento no analizamos la ruptura del diodo de colector en

polarizacin inversa. Esta puede ser representada para cada una de las
curvas, de la misma forma que lo haramos para un diodo comn.
Dado que la curva es la correspondiente a un diodo, la tensin de
ruptura tiene como explicacin fsica la misma que para el caso de una
juntura p-n.
En este caso, se trata adems de una juntura con ambas zonas
dbilmente dopadas (base y colector). El mecanismo de ruptura es por lo
tanto el de multiplicacin por avalancha.
Si partimos de la curva correspondiente a IE = 0 (slo la JC), se
encuentra en ella la BVCB0 ya definida.
Para las dems curvas, corrientes de emisor crecientes por efecto
de la polarizacin directa de JE, llevan a la JC a entrar en avalancha antes,
es decir, la ruptura se produce para valores de tensiones VCB algo menores.
b) Conexin emisor comn
En las curvas caractersticas de salida en esta configuracin (Fig.
26), se observa tambin una tensin (BVCE0), a partir de la cual la corriente
de colector aumenta rpidamente.
Es conveniente encarar el anlisis de esta zona de las
caractersticas a partir de la correspondiente a IB = 0, (es decir sin
polarizacin de la JE), condicin para la cual se alcanza la BVCE0.
FISICA ELECTRONICA
14
MDULO XVI
En
este
caso,
analizaremos el dispositivo con los
dos terminales (Fig. 36).
Fig 36
P++
C
B
VCE
Cuando un cierto VCE est

aplicado con la base abierta, la
mayor parte de esa tensin cae en
la JC quedando JE levemente
polarizada en forma directa.
Desde el punto de vista

elctrico, puede representarse como una resistencia de valor relativamente
grande (codo de la caracterstica de entrada prximo a V).
Fig 37
P++
P
ICE0
Ic
C
IC0
B
VCE
ICE0
es lo mismo:
IC = ICE0 =
La corriente que atraviesa

ambas junturas, es, segn vimos :
la ICE0, que difiere de la IC0 (propia
de la JC), ya que la primera tiene
en cuenta no slo la componente
de generacin de la juntura en
inversa, sino tambin el aporte de
los portadores inyectadas desde el
emisor. recordemos que
= IC0
(1- )
ICEO + IC0
inyeccin
del emisor
, o lo que
Igen
Dado que la corriente que atraviesa la juntura colectora es en este

caso mayor que en la configuracin base comn, los portadores a ser
acelerados por el campo elctrico en la juntura son ms, hay mayor nmero
de choques y la multiplicacin por avalancha se desencadena a una menor
tensin.
Como resultado de esto, la tensin de ruptura en configuracin
emisor comn ser menor que en base comn, es decir :
BVCE0 < BVCB0,
tal como resulta de la observacin de las curvas experimentales de
las Fig. 26 y 36, ambas para un mismo transistor.
A partir del momento de la ruptura, JE y JC estn en franca
conduccin, por lo que como elementos de un circuito pueden se
representados por dos resistencias de valor muy pequeo.
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
El incremento de la cantidad de portadores (h+) que atraviesan JC y

son recogidos en el circuito exterior (IC) va acompaado adems de un no
ingreso de electrones desde el terminal de base (IB = 0).
La inyeccin desde JE, con
IB =0, en interaccin con JC en
ruptura no requiere una tensin
VCE tan elevada como la BVCE0
para ser mantenida.
Ic
Ib
Por ese motivo, la curva

caracterstica emisor comn con IB
= 0 presenta un codo de
resistencia dinmica negativa.
Ib=0
Vce
Para las dems curvas de

salida (para IB crecientes), la
ruptura de la juntura JC se da a cada vez menores tensiones VCE por lo que
llega un punto en el que la zona de resistencia dinmica negativa
desaparece. A esta ruptura tambin se la conoce como primera ruptura.
NOTA :
Trataremos de explicar a partir del anlisis de una estructura de tres
capas por qu, la primera ruptura con Ib=0 , presenta una caracterstica
negativa ( retroceso de la tensin ) en emisor comn .
En la figura se muestra el corte de un transistor real de tecnologa
planar.
En punteado se marca
cmo
lo
esquematizamos
normalmente.
P++
N
La explicacin parte del

anlisis fsico de los caminos de
circulacin de la corriente. En
particular analizamos el problema
para la configuracin emisor comn.
C
Si la base no est polarizada, ( Ib = 0) la corriente circular
directamente entre emisor y colector.
FISICA ELECTRONICA
16
MDULO XVI
Si se produce la ruptura por

avalancha, la alta concentracin de
portadores provocar el incremento
de la regin de pasaje de la corriente
debido a la difusin de stos. Este
ensanchamiento
de la regin
provocar una disminucin de la
resistencia del dispositivo.
Este fenmeno provoca a su

vez la disminucin de la tensin
durante la ruptura ( con Ib = 0 ) en
emisor comn.
C
B
Si ahora analizamos la
circulacin de corriente con una
dada Ib vemos que la mayor
polarizacin de la juntura emisora,
(en funcin de la resistividad del
material ) no est en la direccin E-C
, sino en la E-B prcticamente
perpendicular con la anterior .
Esto
provoca
que
la
corriente circule en una seccin de
anillo en la direccin E-C.
Si bajo esta situacin se

produce la ruptura, la densidad de portadores no es lo suficientemente alta
como para provocar la aparicin del fenmeno de difusin transversal.
Obsrvese que la ruptura en base comn es similar a sta ( no
presenta retroceso de la tensin).
c)La perforacin del transistor

El segundo mecanismo por el cual el transistor alcanza la ruptura
cuando se aumenta la tensin VCE, se denomina perforacin, y es el
resultado de la ampliacin de la anchura de la regin de carga espacial de la
unin de colector al incrementarse la tensin de unin.
Fig 38
Wb
P++ N+
P
BV
Una vez que la regin

de vaciamiento colector-base
alcanza la juntura B-E, las dos
regiones p quedan conectadas
con una regin continua de
vaciamiento.
Una corriente puede
fluir, o lo que es lo mismo, la
ruptura tiene lugar, an en
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
ausencia de cualquier proceso de avalancha.

A la tensin para la cual se da esta situacin se la llama BV y
corresponde a la condicin (en ingls) de punch-trough (perforacin).
La perforacin difiere de la ruptura por avalancha en que tiene lugar
a una tensin fija entre colector y base y no depende de la configuracin del
circuito de base.
13.-Consideraciones fuera del modelo ideal del transistor

a)Limitacin del tiempo de trnsito a travs de la base.
Podemos hacer una estimacin simple de la mxima frecuencia por
encima de la cual se puede esperar que el transistor trabaje bien. Esto tiene
que ver con lo que llamamos respuesta en frecuencia de un transistor.
La limitacin en frecuencia est relacionada con el tiempo requerido
para el reacomodamiento de los portadores minoritarios en la regin de
base.
Si se desea que el transistor sea til, debe esperarse que frente a un
cambio de polarizacin de la juntura E-B, la corriente de colector vare.
Fig 39
emisor
base
colector
Para
cambiar
sta,
la
distribucin de portadores minoritarios
en la base debe alterarse como se
muestra en la Fig. 39. Podemos
estimar el tiempo que se requiere
para ello, calculando el tiempo que
+
necesitan lo h para viajar a travs de
la regin de base.
distancia
Esta Fig. representa la
variacin en la distribucin de
minoritarios en la regin de base
debida a pequea seal. La distancia
+
recorrida por un h en el tiempo dt viene dada por :
dx = v(x) . dt,
+
donde v(x) es la velocidad de un h .

De esta forma el tiempo de trnsito a travs de la regin de base
resulta
ttr = dx
0 v(x)
WB
FISICA ELECTRONICA
18
MDULO XVI
La velocidad de los huecos se relaciona con la cte. de los h y la

+
distribucin de h en la base por :
IP = q . v(x) . p(x) . AJ
+
Usando la aproximacin lineal de la distribucin de h , puede

demostrarse que:
ttr =
WB
2DP
Fig 40
Efectos de la frecuencia de la seal (f)
sobre el hfe en un PNP
hfe
102
10
1/ttr
1
100kc
1Mc
10 MC 100 Mc
f
1Gc
La
limitacin
en
frecuencia correspondiente a
este
tiempo
est
dada
aproximadamente por la inversa
del tiempo de trnsito.
Determinaciones experimentales de la ganancia de
corriente en seal hfe del
transistor p-n-p como funcin de
la frecuencia se muestran en la
Fig. 40.
b)Regiones de base graduales:

En los anteriores anlisis basamos el estudio en el modelo
idealizado en el que asumimos que la distribucin de impurezas en la regin
de base es uniforme.
Nd - Na (cm-3)
Esta se muestra en
la Fig. 41 donde se observa
la variacin significativa de la
concentracin de impurezas
a travs de la regin de
base.
1020
1019
1018
1016
1015
1014
x (m)
0
10
12
14
16
18
20
Distribucion de impurezas en un transistor PNP
Esto tambin da una

variacin significativa de la
concentracin
de
los
portadores mayoritarios.
Sin embargo, en equilibrio no fluye corriente, por lo que debe existir

un campo elctrico en la regin neutral de la base.
Este campo elctrico balancear la corriente de difusin debida al
gradiente de concentraciones de los mayoritarios en esa regin.
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
Esto ultimo es tambin evidente del correspondiente diagrama de

energa en la Fig. 42.
Diagrama de bandas en equilibrio correspondientes a un
transistor PNP de crecimiento epitaxial
Ef
emisor
base
colector
(sustrato)
Si los portadores minoritarios se inyectan ahora en la base, su

movimiento se ver afectado por el campo elctrico presente en la regin
neutral de la base.
En el caso del transistor p-n-p, debido al gradiente de concentracin
de impurezas, los e dentro de la base tienden a difundir hacia el colector.
-
Debe haber un campo elctrico que empuje a los e hacia la juntura

E-B. Este mismo campo elctrico tendr que tener tal direccin que
adiciones el movimiento de los huecos inyectados.
De esta forma, los portadores minoritarios inyectados no se movern
slo por difusin, sino tambin por arrastre debido a la existencia de este
campo elctrico.
Como resultado, el tiempo de trnsito a travs de la base disminuir
y la limitacin para la frecuencia superior del transistor asociado a este
tiempo de trnsito se incrementar.
c)Efecto Early:
El efecto de la polarizacin inversa de la juntura C-B sobre la
ganancia HFE no est implcita en las ecuaciones vistas.
Sin embargo, es evidente que dado que esta juntura est polarizada
inversamente, el ancho de la regin de vaciamiento de la juntura se
incrementar por lo que el ancho de la regin neutral de la base W B (ancho
efectivo de la base) se reducir.
As el gradiente de los portadores minoritarios inyectados ser ms
pronunciado en la regin neutral de la base y la corriente de colector
aumentar.
La corriente de base sin embargo, no cambiar significativamente
debido a que ella es debida primordialmente a los fenmenos que ocurren
en las proximidades de la regin de juntura B-E.
Como IC aumenta sin aumento apreciable de IB, la ganancia de
corriente tambin aumenta.
FISICA ELECTRONICA
20
MDULO XVI
Este efecto se conoce como Efecto Early. ste resulta ms

pronunciado si el dopaje es relativamente bajo en la base comparando con
el de la regin de colector.
Como ya vimos, este efecto es el causante de las pendientes de las
curvas caractersticas de salida (para distintas IB), en la configuracin emisor
comn.
13.- El transistor de avalancha
Ic
Vr/2
Vr Vce
Existe un tipo de
transistor que se emplea en la
zona de ruptura llamado de
avalancha. Es muy rpido,
pero
presenta
el
inconveniente de tener que
disipar mucha potencia al ser
la tensin a la que opera muy
alta ( Vr/2 ).
2da Ruptura
En los transistores existe otra zona de ruptura, llamada segunda
ruptura, que se produce con corrientes de base elevadas por efecto de la
formacin de focos calientes en la base del transistor.
Cuando
la
segunda
ruptura se produce, la tensin
entre bornes se hace muy
pequea por efecto de una
brusca cada de la resistividad
del transistor.
Ic
2 ruptura
1ruptura
Vce
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
Para corrientes altas la

inyeccin de portadores en la base
aumenta mucho y pueden llegar a
producirse en sta, focos o puntos
calientes.
Este proceso es destructivo a
menos que la temperatura de estos
focos se estabilice.
C
Si esto ultimo ocurre , dos

fenmenos competirn entre s :
* la alta temperatura que causar un aumento en la cantidad de
portadores, por lo cual la conductividad de la base aumentar, disminuyendo
R.
A su vez
* La disminucin de la resistividad permitir el aumento de la
corriente aumentando ms an la concentracin de portadores.
El proceso se realimentar a s mismo hasta entrar en el rgimen de
alta inyeccin.
Recordemos que en este rgimen, para sus altos niveles de
corriente, la concentracin de portadores inyectados puede exceder por
mucho la concentracin de dopaje del material ( p ej.: pn >> ND ). Por lo
tanto, para que se mantenga la neutralidad de carga en el material, la
concentracin de electrones y de huecos debe igualarse.
Para que esto se produzca la concentracin de mayoritarios tambin
deber incrementarse cuando los portadores minoritarios se incrementen.
En esta situacin, cuando el nivel de inyeccin se incrementa, el
semiconductor aparece como si estuviera ms fuertemente dopado.
Recordemos que cuanto ms dopamos un material ste se vuelve
ms conductor, es decir, su resistividad disminuir notablemente con el
aumento de la inyeccin de portadores y el dispositivo presentar una
caracterstica de resistencia negativa.
Esta condicin se conoce como modulacin de la conductividad
del semiconductor.
Por otra parte a altos niveles de corriente, una significativa carga
espacial estar presente en todo el material. Esto ltimo har desaparecer
las diferencias entre regiones neutras y regiones de carga espacial.
FISICA ELECTRONICA
22
MDULO XVI
En la actualidad existen dispositivos capaces de trabajar en esta

regin; uno de ellos es el llamado transistor-tiristor.
NOTA : El primer tiristor
Los primeros tiristores eran transistores de germanio altamente
dopados donde la juntura emisor-base era una juntura de contacto puntual
tipo bigote de gato .
Esta
configuracin
favorece una alta inyeccin de
portadores en la base. Por otra
parte, al ser la base bastante
dopada, el del transistor era de
muy
pequeo
valor.
La
consecuencia de este tipo de
estructura es la desaparicin de
la regin activa.
Ic
Esta configuracin permite

lograr que el dispositivo funcione
en la regin de segunda ruptura.
No obstante, este tipo de arreglo constructivo no permite el manejo de altas
corrientes debido al tipo de unin emisor-base.
Vce
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
Mdulo 17
Modelos
O. Von Pamel
S. Marchisio
MODELOS
Introduccin
En el presente captulo abordaremos la construccin de modelos simples de componentes
electrnicos.
Abordaremos la construccin del modelo desde un punto de vista fsico y lo
completaremos con el matemtico.
Cuando desarrollamos en mdulos anteriores los respectivos componentes, introdujimos
en forma implcita modelos que usaremos en este mdulo.
Partiremos del modelo del diodo puesto que ste es la base para la modelizacion de otros
componentes.
Generalidades
Elementos del modelo de diodo
Consideramos el diodo ideal, (como el modelo ms simple de un diodo). ste presenta una
caracterstica: deja pasar las seales de tensin positiva y bloquea las de tensin negativa.
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVII
Su curva caracterstica ideal es la de la figura. Adoptamos

para este dispositivo el smbolo standard del diodo en ella
representado.
Cuando trabajamos en un circuito debemos trabajar con

componentes reales.
La forma de aproximar el componente ideal al real es

agregando al primero, elementos que lo aproximen al real.
Consideramos a modo ilustrativo algunos de estos elementos
Por ejemplo :
V
a la tensin de arranque V del diodo la podemos

considerar agregando una batera de ese valor.
I
si quisiramos considerar la resistencia interna del diodo en

polarizacin directa, agregamos a ste una resistencia serie como
se ve en la figura.
I
V
V
Obsrvese que este modelo as planteado es lineal.

para tener en cuenta la respuesta en frecuencia del diodo
debemos agregar las capacidades de juntura.
I
V
Ceq
Por simplicidad del modelo se agrega una sola capacidad que tiene
en cuenta las de transicin y la de difusin.
Ceq es la suma de las capacidades de difusin y de transicin.
por ltimo nos queda considerar la corriente de generacin en
polarizacin inversa.
I
V
sta puede ser considerada en el modelo mediante el agregado de

una fuente de corriente.
Ceq
V
si queremos contemplar en el modelo que la corriente inversa en
el diodo en polarizacin directa sea considerada como cero, ste se
modificar como se indica en la figura.
I
V
Ceq
Observemos que estos modelos no son vlidos para diodos de

contacto puntual, dado que la corriente inversa en un diodo de contacto
puntual no puede ser considerada constante.
O. Von Pamel
S. Marchisio
NOTA
Obsrvese que la configuracin de la figura
no es posible, porque el diodo ideal cortocircuitara
al capacitor .
NOTA
Los elementos que hemos introducido en el modelo del diodo son genricos y en cada
caso particular habr que analizar sus parmetros y fundamentalmente si deben participar o no del
modelo que se realiza. En general al modelar slo es necesario describir el comportamiento de un
dispositivo en determinadas condiciones de funcionamiento.
Este ltimo punto es crucial para no complicar innecesariamente el modelo con elementos
y parmetros de escasa relevancia en las condiciones de operacin del dispositivo modelado.
A ttulo de ejemplo, a continuacin se ilustra cmo se pueden reducir los elementos
empleados en el modelado en algunas situaciones especificas.
En los casos en que slo se necesita considerar la polarizacin directa o la inversa por
separado podemos reducir los modelos a:
V
V
I
V
Ceq
R
V
Polarizacion directa
Polarizacion inv ersa
En el caso de que R y V sean pequeas el modelo se puede simplificar.

V
V
C eq
Modelos del diodo :

I
Cuando estudiamos el diodo vimos que el comportamiento de

ste se poda modelizar fsicamente a travs de la ecuacin del diodo:
I = I0 .(e
I0
V
FISICA ELECTRONICA
eV / kT
- 1)
Para contemplar la tensin de arranque en el modelo hay que

modificar la ecuacin de la siguiente forma:
MDULO XVII
I = I0 .(e
e (V -V) / kT
- 1)
Esta ecuacin nos evita la introduccin de la batera en el modelo.

V
Por otra parte en muchos casos no nos interesa describir la totalidad de la

curva del diodo, pues en un circuito se suele trabajar con una polarizacin fija (
punto de trabajo ) y la seal vara en un entorno de ste.
Para este caso en el cual la polarizacin del diodo no cambia, es posible modelarlo a
travs de :
I
i
una fuente y una resistencia dinmica que

considere la cada de tensin que el diodo produce en
esas condiciones de polarizacin.
P
V
V
rd =v/i
I
V
o simplemente por una resistencia dinmica

segn convenga.
i
P
V
V
rd =v/i
Para completar el modelo teniendo en cuenta la

respuesta en frecuencia del dispositivo, en cada caso hace falta agregar la capacidad equivalente
que presenta la juntura en condiciones de polarizacin
I
V
C
rd
C
rd
Elementos de los modelos de diodos zener

Es posible modelarlo a partir de los modelos de diodos .
Obsrvese que la siguiente configuracin reproduce las caractersticas de un diodo zener.
O. Von Pamel
S. Marchisio
V
V
rdd
I
Vz
rdz
Como los diodos zener se emplean en polarizacin inversa como reguladores de tensin
en corriente continua, es posible despreciar del modelo rdd (que a su vez es muy pequea ) y V, a
la vez que no es necesario introducir capacidades.
V
I
VZ
rdZ
Elementos de los modelos de transistor bijuntura

E
Un transistor bijuntura puede ser modelizado a

partir de los modelos del diodo. Para ello no debemos
olvidar que el transistor no puede simplificarse en base
a suponerlo como dos de stos, dado que hay que tener
en cuenta el efecto transistor ya visto. Recordemos que el
mismo consiste en la inyeccin de portadores en la
juntura colector-base, por parte de la juntura emisor-base.
Para un transistor bijuntura polarizado en modo activo
tenemos:
dos junturas, una polarizada en directa E-B y

otra en inversa C-B.
la inyeccin de portadores en el colector

provenientes del emisor
J1
B
J2
las resistencias de la regin de base.

Estas ltimas debidas a la diferencia existente
entre la base extrnseca ( B ) ( externa, el contacto) y la
intrnseca ( B ) (punto inaccesible e indeterminado en
donde se produce el pasaje de cargas).
Teniendo en cuenta lo anterior y lo ya visto para

diodos un posible un modelo, que contemple todos los elementos es el siguiente:
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVII
El
modelo
realizado no es de
uso prctico en la
electrnica , pero es
til al momento de
confeccionar
un
nuevo
modelo.
Podemos
considerarlo
como
punto de partida del anlisis a ser realizado para determinar qu elementos relevantes tenemos
que tener en cuenta y cules podemos descartar.
Para transistores bipolares dos de los modelos ms usados son los de:
Ebers y Moll
Giacoletto ( o modelo )
Trataremos de obtenerlos a partir de los elementos del modelo realizado.
Modelo de Ebers y Moll

Construyamos un modelo del transistor para seales de baja frecuencia de cualquier
amplitud vlido para todos los modos de funcionamiento en configuracin base comn .
Analicemos las caractersticas principales de este modelo :
seales de baja frecuencia
cualquier amplitud
vlido para todos los modos de funcionamiento
conexin en base comn
Partamos de nuestro modelo genrico :
y
consideremos
los
cambios necesarios
a ser realizados para
lograr que cumpla
con
las
caractersticas
enunciadas.
b
seales de
baja frecuencia:
al trabajar en baja frecuencia los efectos capacitivos son

despreciables por lo tanto podemos eliminar las capacidades.
cualquier amplitud :
considerar que :
si las seales son de amplitud considerable deberemos

las resistencias deberan ser de valor muy bajo y por lo
tanto se pueden eliminar
la magnitud de la tensin de las bateras son

despreciables frente a los valores que asume la seal y se pueden despreciar.
al desaparecer la batera que representa a V , los
diodos ideales colocados para que bloqueen la fuente de corriente (de generacin en polarizacin
inversa ) durante la polarizacin directa de la juntura tambin desaparecen.
Aplicando las consideraciones anteriores nuestro modelo se reduce a :
O. Von Pamel
S. Marchisio
el
que
todava
es
un
modelo
realizado
para emisor comn ,
pero si consideramos
como caracterstica
del modelo:
conexin
en base comn
la corriente de inyeccin de portadores entre el colector y el emisor puede ser

considerada a partir de las polarizaciones e-b y b-c en dos tramos a cada lado de la base, por lo
tanto :
Ahora a cada
lado de la base
podemos considerar
la corriente neta que
circula hacia y fuera
de ella, y para ello
usaremos
la
siguiente convencin
de signos :
consideraremos positivas las corrientes que ingresan al transistor

consideraremos positivas las tensiones que polarizan directamente los dos diodos
y recordando que el terminal de referencia es la base el modelo resultante queda :
c
b
habiendo arribado al modelo de Ebers y Moll.
Modelo de Giacoletto
Se propone a continuacin el modelo PI GIACOLETTO del transistor.
Consideraciones generales
El transistor es un dispositivo alineal, por lo tanto no es posible proponer un modelo lineal
que describa su funcionamiento.
En un modelo alineal que no obedezca a una simple ecuacin matemtica :
Ser infructuoso intentar representar todo el rango operativo del dispositivo, ya que el
modelo resultante ser slo una aproximacin grosera.
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVII
Pero si abandonamos la idea de modelizar en todo el rango de funcionamiento, para una

regin particular de ste, es siempre posible realizar un modelo lineal, el cual :
Ser correcto (en el grado deseado) , en la medida que se restrinja su validez a un rango
en el cual se puedan linealizar las ecuaciones trascendentes que describen su
comportamiento. (mtodo de TAYLOR).
Por lo tanto :
Los modelos lineales que se propongan, slo sern vlidos para pequeas variaciones de
las magnitudes alrededor de un punto particular.
El punto particular elegido se denomina punto de trabajo ( punto Q) y deber

seleccionarse teniendo en cuenta el circuito donde habr de operar el transistor y la finalidad del
circuito.
Es obvio que slo es admisible proponer un modelo

lineal en la zona activa, ya que el funcionamiento del
transistor en las regiones de corte y saturacin (es decir en
conmutacin) no admite linealizacin alguna; por lo tanto el
punto Q ser un punto de la zona activa.
Ic
B
A
Vcc
Rc
Ib
Q
C
Vcc
Cuando se polariza el transistor en zona activa,

existe un punto de operacin ( que no se modifica con el
Vce [V] funcionamiento del circuito ) determinado por las fuentes de
alimentacin y las resistencias de polarizacin.
Es evidente la conveniencia de identificar este punto esttico de operacin con el punto Q.

Designamos con el nombre de seales a las pequeas variaciones alrededor del punto Q (
representan la entrada del equipo amplificador implementado con el transistor). En general sern
acotadas pero de comportamiento aleatorio.
Notacin:
Existe una norma para la notacin de punto Q y seales,
propuesto por IEEE, y universalmente aceptada :
* Con maysculas los valores medios o eficaces, de aplicacin al
punto Q.
* Con minsculas las seales.
* Con minscula y subndice en mayscula un valor instantneo
cualquiera.
Ejemplo:
vBE = VBE + vbe

que significa:
Cualquier valor instantneo que pueda adoptar la tensin
base-emisor ( vBE ) ser igual a su valor medio ( VBE ) (punto Q) ms el
valor
instantneo
O. Von
Pamel (vbe ) que adopte en ese instante
9 la seal.S. Marchisio
Ntese que el signo de VBE es siempre constante, no as el de
Precisemos el modelo
Como dijimos, el modelo de Giacoletto es un modelo lineal, es decir, en l se establecen
relaciones lineales entre las seales, para un dado punto Q, de la zona activa. Por lo dems, ha
sido desarrollado para la configuracin emisor comn y se explica para un transistor NPN. ste es
vlido para cualquier frecuencia en el rango (0,fmax). A partir de los elementos de modelo
encontrados:
Teniendo en cuenta que el modelo ser vlido para la operacin del dispositivo en un
entorno del punto de trabajo Q de la zona activa, podemos reducir los elementos a ser tenidos en
cuenta en cada juntura a:
Redibujando el circuito
para el modo emisor
comn, llegamos a
la
representacin
clsica del modelo.
cbc
rbb
Anlisis de los
parmetros del
modelo
de
Giacoletto
c
rbc
cbe
rbe
gm.v be
rce
electrodo base. La primera situacin a ser tenida en cuenta, es :
FISICA ELECTRONICA
10
MDULO XVII
Supongamo
s que se inyecta
una corriente de
seal ib en el
Al circular lb por la base dar lugar a una cada de tensin entre ambas bases, la cual
es considerada en el modelo mediante la resistencia rbb .
Luego la seal se dirige al emisor atravesando la juntura BE.
Recordemos que :
n
Como
estamos
realizando un anlisis en
seal
no
se
debe
considerar la tensin de
umbral de la juntura; slo
se habr de tener en
cuenta
la
resistencia
dinmica rbe.
J1
B
rbb
ib
J2
n
C
Al atravesar la
juntura BE la seal ib
produce una variacin en la
polarizacin
de
sta
proporcional a :
IE
vbe = rbe . ib
rbe
sta a su vez producir una variacin de IE

IE = ie = ib + ic ic
ie
IEQ
v be
Fig. 2
como se puede apreciar en la figura, la cual dar lugar a la

aparicin de una seal ic. Esta seal ic se dirigir al colector del
transistor.
VBE
VBEQ
E
ya que:
n
J1
B
iC = . iE = . Ies .
(q.vBE/K.T)
e
derivando
se obtiene :
gm vce
J2
n
gm =
ic =
(q )
. vb e. Ic = gm. vb e
K. T
(1)
con
(q )
. Ic
K. T
Todo lo expresado puede sintetizarse en el modelo esquematizado en la Fig. 5.
rbb
gm . Vbe
En el modelo todava no han sido considerados

efectos tales como la modulacin del ancho de base (efecto
Early) y la influencia de la frecuencia de la fuente de seal.
rbe
E
E
Fig. 5
O. Von Pamel
La importancia de esta ltima se considerara en el

modelo mediante el agregado de condensadores que
representen efectos capacitivos.
11
S. Marchisio
Estos efectos capacitivos se ponen de manifiesto cuando se analiza en detalle el

movimiento de cargas dentro de la base.
Este movimiento se produce como consecuencia de la diferencia de concentracin de
portadores minoritarios (es decir los mayoritarios inyectados por el emisor) a ambos lados de la
base propiamente dicha.
Esta corriente de difusin puede en consecuencia expresarse como resultado del gradiente
de concentraciones (dn/dx) (ver Fig. 6):
nb
J1
i = q A D (dn / dx)
J2
donde :
nb (x=0)
E
BASE
Vamos a calcular esa corriente.
nb (x = W)
0
q = carga del electrn

A = rea normal a la conduccin
D=constante de difusin de portador
x = variable de referencia elegida
Fig. 6
La
distribucin
de
MAXWELBOLTZMAN, nos permite, conocida la concentracin de portadores minoritarios ( nbo constante a
una temperatura dada), conocer la concentracin nb en funcin de la tensin aplicada a la juntura
(V). Notando con W, el ancho de la base es :
q.V/ K.T
nb = nbo . e
q.vBE/ K.T
nb (0) = nbo . e
q.vCB/ K.T
nb (W) = nbo . e
Se demuestra fcilmente que la segunda relacin es idnticamente nula.

Cualquier portador minoritario de la base que arribe a la coordenada W se encuentra con
un campo acelerador ( VCB < 0 ) que la proyecta rpidamente al colector, por lo tanto no puede
existir ningn portador en: x = W.
Para poder conocer nb(x) para cualquier x, es necesario resolver la ecuacin de
continuidad de cargas y que evidencia la existencia de una ley exponencial de variacin con las
condiciones de contorno impuestas:
nb(x=0) y nb(x=W)=0.
Sin embargo como la base es intencionalmente pequea, de tal modo que W << Ld,
(donde Ld es la longitud de difusin de los portadores minoritarios), puede aproximarse linealmente
nb(x).
Para dar un orden de magnitud es 10 W = Ld (tpicamente W = 15 micras).
J1
nb
nb (0)
J2
aproximacin lineal
real, muy exagerada
W
Fig. 7
Resulta evidente en la aproximacin expresada que:
FISICA ELECTRONICA
12
MDULO XVII
iC = q. A. D.
nb(0)
W
(2)
quedando en la base almacenada una cantidad de carga :

QB = nb(0) . W . A . q . 0,5
El anlisis efectuado corresponde a una situacin estacionaria, es decir, independiente del
tiempo.
Supongamos ahora una variacin de vBE, es decir la

aplicacin de una tensin vbe .
n
rbe
B
Cbe
J1
B
p
sta origina una variacin de nb(0) y por lo tanto una

variacin proporcional de la corriente iC y de la carga almacenada QB
.
J2
La primera ya ha sido considerada en el modelo, no as la

segunda que representa una capacidad (variacin de carga asociada
a una variacin de tensin).
rbb
Esta capacidad no es la propia de la juntura, ya que el

anlisis corresponde al interior de la base; en rigor debiera ser
C
considerada, pero resulta despreciable frente a la que hemos
considerado y que designamos Cbe ya que queda entre dichos
puntos en razn de la tensin que origina.
Vamos a considerar ahora el segundo efecto mencionado: la modulacin del ancho de la
base por variacin de tensin colector-base (Efecto Early).
En la expresin (2) vemos que es posible engendrar una corriente de sea; iC si se
modifica W.
Para modificar W es suficiente modificar las polarizaciones de las junturas, en razn de
que a su vez stas modifican las zonas de deplexin y consecuentemente el ancho W.
Sin embargo una polarizacin inversa tiene mucha mayor influencia que una directa, y por
lo tanto ser predominante la incidencia de la tensin C-B.
De (2) es :
-2
ic = diC = -q . A . D . nb(0 ). (W) .dW

2
siendo :
W = K . VCB
(ver teora de juntura p-n)
derivando:
dW =
resulta :
ic = . vcb
donde :
= q . A . D . nb(0) . 0,5 .W
Por Kirchoff :
vce = vcb + vbe
K
K
. dvCB =
. vcb
2.W
2.W
-3
pero en nuestro anlisis vBE = Cte. lo que implica vbe = 0
O. Von Pamel
13
S. Marchisio
E
Por lo tanto :
ic = . vce
-1
J1
B
La constante () representa una resistencia

colocada entre C y E con la finalidad de representar los
portadores inyectados por el emisor como consecuencia de
la modulacin del ancho de base.
gm vce
rce
-1
Se nota rce a () .
J2
n
Existe adems un efecto secundario a ser

considerado: la menor recombinacin de portadores en la
C
base debido a la reduccin de W.
Esta variacin de la corriente ic al variar vcb es interpretada como una resistencia entre C y
B la que ser de alto valor.
E
n
J1
B
rbb
rbc
J2
No es posible en nuestro caso hallar

analticamente su valor en razn de haber
linealizado nb(x).
Notemos tambin en Fig. 9, la

existencia de una capacidad incremental de
difusin entre C y B que se suma a la capacidad
de juntura del colector.
J1
B
B
rbb
rbc
nb
p
Cbc
J2
nb (0)
J1
J2
C
0
Fig. 8
Incorporando al modelo todas las conclusiones obtenidas resulta el modelo PI de la Fig.

10.
cbc
rbb
c
rbc
cbe
rbe
gm.v be
FISICA ELECTRONICA
rce
e
14
MDULO XVII
MDULO XVIII
El Transistor de efecto de
campo de juntura
(JFET)
O. Von Pamel
S. Marchisio

Transistores de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de juntura (J-FET )

Principios De Funcionamiento
Caractersticas de los J-FET
Curvas de salida - Definiciones

Relacin Volt-Ampere en el J-FET
Caracterstica de transferencia
Transconductancia
Corriente de compuerta
Frecuencia mxima de operacin de los J-FET
Resistencia fuente-drenaje en saturacin
Efectos de la temperatura
Otros tipos de J-FET
J-FET foto sensible (foto-FET)
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVIII
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

El transistor de efecto de campo (FET, del ingls Field-EffectTransistor) es un dispositivo de juntura pn cuyo funcionamiento bsase en el
control de una corriente por medio de un campo elctrico.
Es el anlogo de estado slido del triodo de alto vaco.
En muchas aplicaciones, es equivalente al triodo de alto vaco y
combina muchas propiedades de ste con las del transistor bijuntura.
Como en el funcionamiento del FET slo intervienen portadores
mayoritarios suele llamrselo transistor unipolar.
Los tipos bsicos de transistor de efecto de campo son el de
juntura, abreviado JFET, y el de compuerta aislada, o IGFET, ms conocido
como transistor metal-xido-semiconductor o MOSFET.
El transistor de efecto de campo de juntura (JFET)

El transistor de efecto de campo de juntura consiste en una porcin
de material semiconductor cuya resistencia elctrica es modulada por la
variacin del rea transversal efectiva de un canal conductor creado en ese
material .
El material bsico puede ser tipo n o de tipo p, con lo que se tienen
transistores de canal n o de canal p.
puerta P
Fuente
F
Drenaje
D
Puerta
G
La Fig. 1 ilustra la estructura

bsica de un JFET de canal n, y el
uso del dispositivo en un circuito
amplificador elemental.
El JFET de canal n consiste

en una barra (el canal) de
semiconductor tipo n a cuyos
extremos se fijan contactos hmicos ;
Fig. 1 : Estructura bsica y polaridades de las
la corriente fluye a lo largo del canal ,
tensiones de polarizacin de un JFET de canal n
gracias a la tensin aplicada entre los
utilizado como amplificador elemental.
extremos de ste.
canal n
VDS
VGS
El extremo izquierdo del canal, - (en la figura),- se llama fuente o

surtidor, porque se lo considera como origen de los portadores mayoritarios;
el extremo derecho denomnase, en cambio, drenaje o drenador, porque por
all se extraen los portadores. Las dos regiones p laterales constituyen la
compuerta o puerta, la que controla, como veremos el flujo de portadores.
O. Von Pamel
S. Marchisio
Las regiones p se forman, sobre la barra, ya sea por aleacin o por

difusin al estado de vapor.
IG
Compuerta tipo p+
Regin de
desercin
D
drenaje
Z
d
IS
d(x)
ID
W(x)
fuente
Canal
tipo n
RL
x
Compuerta tipo p
L
C
compuerta
~
-
V GG
+
V DD
Los tres electrodos

del JFET, fuente (en ingls
source), drenaje (en ingls
drain) y compuerta (en
ingls
gate)
son
elctricamente anlogos al
ctodo, el nodo y la rejilla
del triodo de alto vaco, y, en
el caso del JFET de canal n,
las tensiones aplicadas a los
electrodos del JFET son de
la misma polaridad que las
adecuadas para el triodo.
En el caso del JFET

de canal p, las polaridades
se invierten con respecto a
las de la unidad de canal n.
PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO
La Fig. 2, muestra un esquema de las condiciones que prevalecen

en un JFET de canal n cuando
Puerta Valor tpico 5 micras
no
hay
polarizacin
de
Surtidor
Drenador
compuerta, o lo que es lo
uniones pn
P
mismo cuando VGS = 0
n
canal de
material n
Valor tpico 1 micrn

VDS
(a)
S
P
n
P
canal
regiones
desiertas en
forma de
cua
(b)
Fig. 2 = Seccin de un JFET, canal n, mostrando el
efecto de la polarizacin sobre las regiones desiertas.
(a) sin polarizacin ; (b) con polarizacin
Si
se
aplica
un
pequeo valor de tensin VDS al
drenaje, los electrones se
mueven de fuente a drenaje.
De esta forma habr una
circulacin de corriente desde
drenaje a fuente a travs de la
regin n encerrada entre las
dos zonas de vaciamiento de
cargas. La resistencia del canal
viene expresada por:
R=
L
S
siendo S, la seccin
efectiva del canal, que segn
Fig. 1, puede expresarse como:
S = Z (d 2W )
donde:
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVIII
L, Z y d son el largo, el ancho y el espesor del canal

respectivamente,
W es el espesor de la zona de vaciamiento o desercin de las
junturas de compuerta superior e inferior y
es la resistividad del material n dada por :
1
qnND
donde :
ND es la concentracin de impurezas donantes en la regin del
canal, q es la carga del electrn y
n es la movilidad de electrones;
Con ello puede escribirse:
R=
L
qnNDZ (d 2W )
A partir de esto vemos que cuando no hay tensin de compuerta

aplicada y VDS es pequea, las zonas de desercin, - con polarizacin nula
de compuerta - , son las que restringen el flujo de corriente entre fuente y
drenaje.
En estas condiciones la R del canal depende especficamente de las
dimensiones de ste.
Para cualquier valor dado de VDS, el voltaje a lo largo del canal vara
desde un valor cero en la fuente a VD en el drenaje.
De esta forma, ambas junturas de compuerta van incrementando su
polarizacin inversa a medida que se consideran zonas ms prximas al
drenaje.
Existe por lo tanto a lo largo del canal, un gradiente de potencial que
hace que las zonas ms prximas al drenaje estn polarizadas ms
inversamente que las de fuente.
Si se considera 0 (potencial electrosttico de juntura sin
polarizacin externa), mientras VDS sea mucho menor que 0, el espesor de
la regin de vaciamiento (W) se mantendr prcticamente independiente de
la tensin de drenaje y el canal har las veces de un resistor.
Sin embargo, a medida que se aumenta VDS, la seccin transversal
promedio del canal se reduce a causa del incremento en la polarizacin
inversa de las junturas de compuerta cerca de la zona de drenaje. De esta
forma, la resistencia del canal ( R) aumentar.
Como resultado de esto, se ven modificadas las pendientes de las
curvas caractersticas volt-ampere denotando el incremento de R.
O. Von Pamel
S. Marchisio
A medida que VDS aumenta an ms, las regiones de desercin de

las junturas tambin aumentan cerca del drenaje, hasta que eventualmente
stas se tocan cuando
W=
d
2
(-3)
Utilizando la expresin que da la variacin de potencial electrosttica

total en una juntura inversamente polarizada, puede escribirse:
(-4)
T = 0 + V DS
siendo, segn vimos al analizar la juntura abrupta:
qNDW 2
T =
2 KSE 0
(-5)
donde : KS es la constante dielctrica, E0 la permitividad y

ND la concentracin de impurezas en el canal N
De (-4) y (-5)
VDS
VDS = T 0
qNDW 2
=
0
2 KSE 0
(-6)
Si se llama VDS sat, a la tensin de drenaje para la cual se llega a la

estrangulacin del canal, aplicando la condicin (-3), la expresin (-6) queda
:
VDSsat
qNDd 2
=
0
RKSE 0
Como se ha explicado, para VDS

prcticamente reducido a cero.
sat,
para
(VGS = 0) (-7)
el grosor del canal queda
A primera vista puede parecer que en estas condiciones la corriente

del canal ID se haga cero, pero esto no ocurre. Cuando el ancho del canal
tiende a hacerse cero, la resistencia del canal aumenta y la corriente
disminuye. Esto originar una cada en el gradiente de tensin a lo largo del
canal, lo cual reduce el ancho de la regin de juntura de impurezas
ionizadas, reduciendo la resistencia del canal y permitiendo mayor paso de
corriente.
El resultado es que, con polarizacin suficiente, se alcanza un
equilibrio en el cual la corriente adquiere su valor mximo. A partir de este
punto, un incremento en VDS no produce aumento apreciable en ID.
CARACTERISTICAS DE LOS JFET
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVIII
Curvas de salida - Definiciones

Segn lo anterior, se pueden distinguir, hasta ahora, dos regiones
diferentes en la relacin volt-ampere de un transistor de efecto de campo de
juntura como se muestra en la Fig. 3.
En una de ellas,
1,5 ID (en mA)
para
pequeos
valores de
Corriente de drenador
el
rea
efectiva
del
V
DS
1,05
Regin hmica
Regin
canal
es
prcticamente
de ruptura
1,0
independiente de la tensin
de drenaje aplicada y si se
VGS=0
consideran sus curvas
0,5
Regin de pinch-off
caractersticas de salida,
stas son esencialmente
hmicas o lineales.
0
10
20
30
Tensin de drenador-surtidor en voltios (VDS)
Fig. 3 :
Caractersticas de salida en un JFET para VGS=0
Se denomina a
sta regin de operacin
de los JFET como: regin
hmica o regin lineal.
Por otro lado, para VDS VDSsat , la corriente satura a ID sat.

A esta regin de operacin del JFET se la denomina regin de
saturacin o regin de pinch-off (del ingls: estrangulamiento).
Existe adems una tercera regin que se ilustra en la Fig. 3 y que se
denomina regin de ruptura.
Ocurre cuando el diodo formado por la unin pn en el lado de la
puerta-canal alcanza la ruptura, con lo cual resulta un gran aumento de ID
para un pequeo incremento de VDS.
Mientras en la regin de pinch-off, el JFET equivale a un
dispositivo de corriente constante, en la regin de ruptura se comporta como
un dispositivo de tensin constante, similar a un diodo zener.
Como en el caso del diodo zener, la ruptura no destruye al JFET,
especialmente si la disipacin de potencia est limitada.
Hasta ahora se ha analizado el comportamiento del JFET con
VGS = 0 .
Cuando se aplica una tensin de compuerta a ambas regiones p

de tal forma que las junturas de compuerta estn inversamente polarizadas,
la regin de desercin se har ms ancha.
As, para pequeos valores de tensin de drenaje VDS, el canal
actuar nuevamente como una resistencia, pero de valor mayor.
A medida que VDS aumenta, la resistencia del canal aumenta.
O. Von Pamel
S. Marchisio
Cuando la tensin de drenaje adopte un valor suficientemente

grande, las regiones de vaciamiento nuevamente se tocarn cerca del
drenaje.
Esto tendr lugar cuando VDS iguales a VDS sat donde:
VDSsat =
qNDd 2
0 + VGS
8 K SE 0
(-8)
que representa el voltaje requerido para saturacin en presencia de

una tensin de compuerta.
Es evidente que la aplicacin de VGS de polaridad adecuada (segn
sea canal n o p) disminuye el voltaje de drenaje requerido para llevar al
JFET a saturacin.
Si la tensin VDS aumenta por sobre VDS sat, el canal se encuentra
virtualmente estrangulado y nuevamente la corriente de drenaje se
mantendr en su valor correspondiente ID sat.
Este valor, sin embargo, va a ser menor que para
que tambin es menor VDS sat.
VGS = 0 debido a
Si se analiza el comportamiento de la juntura con polarizaciones de

compuertas ms negativas se encuentra que:
debido a que la zona de desercin se extiende dentro del canal,
la altura efectiva de ste a travs de la cual deben pasar los
portadores que sustentan la corriente que va del drenaje a la
fuente, deviene cada vez ms pequea a medida que aumenta la
polarizacin inversa, lo que explica que la ID sat sea menor.
De esta forma:
si se vara el valor de VGS, as como VDS e ID, se obtiene una
familia de curvas como la representada en la Fig. 3.
Por otra parte, en la Fig. 4, se muestran unas caractersticas de la

salida tpica de un dispositivo de canal n, que se van obteniendo tal cual fue
explicada. La curva superior corresponde al caso de VGS = 0 , que se ha
analizado anteriormente.
Las otras curvas corresponden a otros valores de VGS, cuyas
polaridades son tales que polarizan inversamente la unin pn, compuertacanal.
FISICA ELECTRONICA
MDULO XVIII
Para un dispositivo de
canal n, esto significa que la
compuerta
est
polarizada
negativamente respecto de la
fuente.
JFET canal n
ID
Lugar geomtrico
del Pinch-off
VGS=0
VGS=-1V
VGS=-2V
VGS=-3V
VDS
Fig. 4
Familia de caractersticas de salida de un
JFET canal n, para distintos valores de VGS
La lnea de trazos en las

caractersticas de salida es el
lugar geomtrico de los puntos
para los cuales la suma de VDS
y VGS (ambas en valor absoluto)
es suficiente para que el JFET
entre en saturacin, o lo que es
lo mismo, alcance el pinch-off.
De esta forma se define V*P (voltaje de estrangulamiento o de

pinch-off. Para este lugar geomtrico puede escribirse:
V *P = VGS + VDSsat
Este valor de tensin coincide con el de VDS sat cuando VGS=0 visto
en la ecuacin (-7).
Asociado a las caractersticas de salida, adems de V*P, puede

definirse otro parmetro caracterstico del JFET y que tiene lugar para
VGS=0.
Se trata de IDSS, o corriente de drenaje fuente cuando la compuerta
est en cortocircuito con la fuente.
De acuerdo a las curvas caractersticas de salida de corriente de
drenaje para tensin de compuerta fuente nula, es funcin de VDS, (Fig. 4).
Si
VDS VDSsat , IDSS toma el valor de la corriente ID sat para VGS=0.
El fabricante especifica por lo tanto, el valor de VDS para la cual tiene

lugar IDSS.
Relacin Volt-Ampere en el JFET
O. Von Pamel
S. Marchisio
Si se considera al
JFET, en la regin hmica o
lineal (Fig. 5), la cada de
tensin para un elemento de
canal, est dada por:
L
VG
VP
Y
dy
p+
dV = IDdR
n
IP
dV = ID
p+
VG
Fig. 5 = Esquema de un JFET canal n
trabajando en la regin hmica.
dy
qnNDZ (d 2W ( y ))
(-9)
en analoga con la
expresin que representa a R
del canal vista anteriormente.
El espesor de la zona de desercin (W), a una distancia y de la

fuente, con polarizacin de compuerta, viene dada en funcin de V(y) y 0
por:
W ( y) =
2 K SE 0[V ( y ) + 0 V GS ]
(-10)
qN D
reemplazando la ecuacin (-10) en (-9) e integrando entre fuente

(y=0; V(0)=0) y drenaje (Y=L ; V(L)=VDS) se puede calcular ID, llegndose a la
ecuacin fundamental del transistor de efecto de campo:
2 8 K SE 0
3/ 2
ID = G 0 VDS
( 0 VGS ) 3/ 2 ]
2 [(VDS + 0 VGS )
3 qNDd
para
(-11)
0 < VDS VDSsat
donde
G0 =
ZqnNDd
L
(-12)
es la conductancia del canal n entre las dos zonas p sin tener en

cuenta la presencia de las zonas de desercin.
En este anlisis se ha despreciado la incidencia de la resistencias en
serie con R entre contacto de fuente y el comienzo del canal ( Y = 0 ) y entre
el contacto de drenaje y el fin del canal ( Y = L ).
Por esta razn las curvas que se obtienen a partir de la expresin (11) para distintas VGS difieren de las obtenidas experimentalmente para un
mismo JFET, resultando las pendientes de las curvas caractersticas de
salida tericas ms empinadas que las experimentales.
FISICA ELECTRONICA
10
MDULO XVIII
Este efecto se puede apreciar comparando las curvas de las Fig. 6.

20
20
16
VG=0
16
ID
VG=0
ID
12
-1V
12
(mA)
-1V
(mA)
8
-2V
10
-3V
-4V
-2V
4
5
VD (V)
-3V
-4V
(a)
4
5
VD (V)
8
(b)
Fig. 6 = Caractersticas de salida de un JFET canal n

(a) Experimentales
(b) Tericas - Ec (-11)
La ecuacin (-11) puede simplificarse para tensiones VDS muy

pequeas, es decir VDS << 0 - VGS.
Con esta condicin, ID para la regin hmica o lineal, toma la forma:
8 KSE 0( 0 VGS )
ID G 0 1
VDS
qNDd 2
(-12)
que representa la relacin volt-ampere de un resistor cuyo valor

aumenta con la tensin, de compuerta.
Se puede evaluar la conductancia g del canal expresado como:
g=
ID
VGS = cte.
VDS
por lo que resulta:
8 KSE 0( 0 VGS )
g = G 0 1
qNDd 2
(-13)
(regin hmica)
De la ecuacin (-13) se puede inferir que a medida que VGS

aumenta, o lo que es lo mismo, se polariza ms negativamente la juntura de
compuerta, la conductancia disminuye hasta que finalmente, para un cierto
valor de tensin de compuerta adopta el valor cero.
Esta caracterstica del comportamiento de g con VGS se verifica
tambin si se determina g a partir de resultados experimentales; llegando a
valer cero para la misma VGS para la que se obtiene conductancia nula por la
expresin terica. A esta tensin particular se la denomina tensin de
apagado o de corte ( VT ) .
O. Von Pamel
11
S. Marchisio
Por definicin, corresponde al valor de la polarizacin inversa que

debe aplicarse a las junturas de compuerta para vaciar de portadores el
canal.
VT puede evaluarse teniendo presente la condicin
W=
d
2
(condicin de estrangulamiento), siendo:
VT =
qNDd 2
+ 0
8 KSE 0
(-14)
que en valor absoluto coincide con VDS sat para VGS=0, es decir con
VP (tensin de pinch-off)
NOTA :
Es de uso corriente en la bibliografa en castellano el denominar a VT
( tensin de apagado o de corte ) tensin de pinch-off y notarla como VP (
no confundir con V*P ) .
Esta confusin de nomenclatura se debe a que pinch-off tambin
puede traducirse como corte.
Por este motivo a la tensin de Pinch-off la notamos en este escrito
como V*P y no VP como sera esperable, dejando para esta ltima la
aceptacin de corte ( VT = VP )
NOTA:
Deber observarse la diferencia entre cortar un JFET, y alcanzar el
pinch-off, que significa obtener una ID constante.
Un JFET cortado estar en pinch-off, pero un JFET en la regin de
saturacin (VDS VP ) no est necesariamente cortado.
Se dice que un JFET est al corte cuando la polarizacin inversa de
compuerta VGS es suficiente para que ID sea igual a cero.
Para tensiones : VDS VDSsat , ID se calcula a partir de la ecuacin
(-11) considerando el resultado de (-8). De esta forma:
IDsat
2 8 KSE 0( 0 VGS )
1 qNDd 2
= G 0
1( 0 VGS ) +
3 8 KSE 0
qNDd 2
3
(-15)
De acuerdo a lo expuesto, para valores de VDS VDSsat y antes de la

ruptura, la corriente ID se mantiene en ID sat, por lo que la ecuacin (-15) la
representa en la regin de saturacin o de pinch-off.
FISICA ELECTRONICA
12
MDULO XVIII
Caracterstica de transferencia
Adems de las curvas caractersticas de salida, es representable la
de transferencia segn se
20
ve en la Fig. 7 para un
TA=25C
dispositivo tpico de canal n.
16
Corriente
de drenaje
12
ID (mA)
En
ella
se
representa ID en funcin de
VGS para un VDS>VDS sat.
IDS=20mA
8.0
16
Como amplificador,
el JFET se emplea ms all
de la regin de saturacin.
12
8
4.0
4
0
Se ha visto que la
caracterstica
de
transferencia que da la
relacin entre la corriente
de drenaje de saturacin y
la tensin VGS, puede
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
VGS = Tensin compuerta-fuente (V)
Fig. 7 = Caracterstica de transferencia
aproximarse a:
3
~
2
IDsat
VGS 2
= IDSS 1
VT
De acuerdo a esto , para VGS = VT ( cuando se alcanza el corte ) ,

ID sat = 0 , aunque los elementos reales tienen siempre una mnima corriente
de fuga.
De la misma forma, puede observarse que para VGS=0, la
IDsat = IDSS
Transconductancia:
Una importante propiedad de los FET es la transconductancia

definida por:
gm =
ID
VDS = cte.
VGS
(-16)
Esta representa el cambio en la corriente de drenaje para una dada

VDS ante un cambio en la tensin de compuerta.
Puede evaluarse a partir de la ecuacin fundamental de los FET por
diferenciacin de ID (-11). Esto conduce a:
O. Von Pamel
13
S. Marchisio
gm = G 0
8 KSE 0
qNDd 2
VDS + 0 VGS 0 VGS
(-17)
Si nuevamente, se consideran tensiones VDS que correspondan a la

regin hmica, (VDS<< 0-VGS), se puede simplificar la expresin anterior
quedando:
gm = G 0
VDS
8 KSE 0
2 .
qNDd 2 0 VGS
(regin hmica)
(-18)
Haciendo ahora el anlisis para la regin de saturacin, se parte de

la ecuacin (-17) para VDS=VDS sat con lo que:
8 KSE 0( 0 VGS )
gmsat = G 0 1
(regin de saturacin)
qNDd 2
Comparando los resultados de las ecuaciones (-19) y (-19)

(-13) se
concluye que la transconductancia en la regin de saturacin, ( gm sat )
iguala a la conductancia en la regin lineal ( g ). Este importante
resultado puede deducirse de la comparacin de curvas experimentales que
representan g en funcin de VGS (Fig. 8) y gm sat en funcin de VGS (Fig. 9).
10x10-3
10x10-3
Terica (sin resistencias en serie)
Terica (sin resistencias en serie)
6
gm sat
(mho) 5
g (mho)
5
50
50
Experimental
Experimental
100
100
2 R3+R4=200
2 R3=200
VT
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
VGS (V)
Fig. 8 = Conductancia de canal de un JFET como
funcin de la tensin de compuerta en la regin
hmica.- (VDS pequeos)
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
VGS (V)
Fig. 9 = Transconductancia del mismoJFET como
funcin de la tensin de compuerta en la regin
de saturacin.- (VDS > VDS sat)
Corriente de compuerta
FISICA ELECTRONICA
14
MDULO XVIII
Debido a que la compuerta est polarizada inversamente respecto al

canal, la corriente que fluye al terminal de compuerta es muy pequea, sta
es la corriente inversa de saturacin de una juntura pn.
As la impedancia de compuerta o impedancia de entrada de un
JFET es muy alta.
Esta representa una caracterstica muy importante que distingue a
los FET de otros dispositivos amplificadores de juntura.
La resistencia de entrada de un JFET es de 10 - 10 .
8
12
Las corrientes inversas de saturacin a temperatura ambiente de

junturas p-n de silicio antes de la ruptura son normalmente del orden de los
pico-amperes a los nano -amperes.
Frecuencia mxima de operacin de los JFET

Cuando se produce un cambio en la tensin de compuerta de VGS,
el espesor de la regin de vaciamiento cambia.
Como resultante de esto, la corriente de drenaje tambin cambiar.
Esta variacin de la corriente de drenaje ID se emplear en
compensar el cambio de carga dentro de las regiones de vaciamiento de las
junturas de compuerta.
El tiempo de respuesta del JFET (to) puede entonces definirse
como el tiempo en el cual el cambio en la corriente de drenaje (ID)
compensa el cambio en la carga total de compuerta. Esto es:
t 0 ID = QGAG
(-20)
Con lo que:
t0 =
QGAG QGAG VGS CG

=
=
gm
ID
VGS ID
(-21)
Donde CG representa la capacidad total de compuerta que (segn

Fig. 1), viene dada por:
CG = 2 ZL
KSE 0
W
(-22)
siendo W el espesor medio de la zona de vaciamiento.

La mxima frecuencia de operacin de los JFET est dada entonces
por la frecuencia que corresponde a estas constantes de tiempo de carga,
O. Von Pamel
15
S. Marchisio
f0=
1 gm
=
t 0 CG
(-23)
Una simple estimacin del lmite superior de f0 puede obtenerse

haciendo el cociente entre la mxima transconductancia y la mnima
capacidad de compuerta.
De acuerdo a lo ya visto la mxima transconductancia es G0 (cuyo
valor est especificado en la ecuacin (-12).
La mnima capacidad de compuerta se obtiene cuando el espesor
de la regin de vaciamiento alcanza su mximo valor, esto es, cuando
d
W= .
2
De esta forma siendo:
f0<
G0
CGmn
se obtiene:
qnNDd 2
f0<
4 KSE 0 L2
(-24)
De la observacin de la ecuacin (-24), se deduce que esta

frecuencia lmite es proporcional a la movilidad.
Debido a que la movilidad de los electrones en el silicio es
aproximadamente el doble de la movilidad de los huecos, un
dispositivo de canal n puede trabajar con frecuencias de operacin de
alrededor del doble en su valor, respecto de lo que lo hara un
dispositivo de canal p para los mismos factores geomtricos y niveles de
dopado.
Resistencia fuente-drenaje en saturacin

Como se ha visto, en la regin de saturacin, el potencial al final del
canal (en el punto en que las dos zonas de vaciamiento se tocan), va a estar
fijo en el VDS sat que corresponda segn la VGS aplicada.
As, la polarizacin inversa a travs de las junturas de compuerta en
este punto est fija por la condicin :
W=
d
.
2
A medida que se aumenta la tensin VDS an ms, la polarizacin

inversa compuerta-drenaje se incrementa a s misma
Como resultado de esto el punto de contacto entre las dos zonas de
vaciamiento se va moviendo hacia la regin de fuente.
FISICA ELECTRONICA
16
MDULO XVIII
El potencial en ese punto va a ser el mismo que antes (ms cerca

del drenaje), pero ahora la longitud L desde fuente al lugar donde se tocan
las zonas de desercin se achica.
Es evidente, entonces, que la corriente de drenaje aumentar para
una dada tensin VGS a medida que aumenta VDS tal como surge de las
ecuaciones (-12) y (-15).
De esta forma las curvas de las caractersticas de salida de; JFET,
presentan, luego de VDS sat una pequea pendiente creciente, que se puede
hacer de un valor relativamente importante en aquellos dispositivos de
pequea longitud de canal (L).
Efectos de la temperatura
La corriente de drenaje del JFET disminuye por lo general al
aumentar la temperatura, como lo muestran las caractersticas de salida de
la Fig. 12. Por lo tanto no hay disparada trmica en el JFET.
20
Al
aumentar
la
temperatura
disminuye
la
conductividad del canal, a
causa de la disminucin de la
movilidad de los portadores,
pero aumenta su altura a
causa del decrecimiento del
espesor de la zona de
desercin (altura de la barrera
de potencial), como resultado
del desplazamiento del nivel de
Fermi.
T A=25C
16
V GS =0
12
-0,5V
-1V
8,0
-2V
-2,5V
4,0
-3V
0
20
T A=100C
16
12
.
VGS=0
8,0
0,5V
-1V
4,0
Estos efectos son

opuestos, en lo que concierne
a la corriente de drenaje, pero
la Fig. 12, sugiere que es
dominante la variacin de la
conductividad del canal.
-1,5V
Sin
embargo,
las
caractersticas de transferencia
V DS - Tensin de drenaje a fuente (V) -3V
de
la
Fig.
13-a
Fig. 12 :
correspondientes al mismo
Efecto de la temperatura sobre las caractersticas
dispositivo, muestran que el
de drenaje de un JFET de Silicio de canal n.
efecto sobre la altura del canal
predomina para tensiones de
compuerta prximas al valor de estrangulacin.
-2V
O. Von Pamel
-2,5V
17
S. Marchisio
50
VDS=15V
ID (mA)
corriente
de 10
drenaje
TA= -55C
TA=25C
TA=100C
1,0
El efecto de la
temperatura sobre gm es casi
el mismo que sobre la
corriente de drenaje, como
puede verse comparando la
Fig. 13-c, con la Fig. 13-a.
0,1
100K
ID=0
10K
f =1,0kHz
rds
Resistencia
de 1K
TA=100C
drenaje a
fuente
TA=25C
100
TA= -55C
De
la
Fig.
12
desprndese que el FET
puede ser polarizado de modo
que la temperatura no tenga
efecto importante sobre la
corriente de drenaje ni sobre
la transconductancia.
10
10
gm 5,0
(siemens)
1,0
transcond.uctancia
directa
Lo mismo indican las

grficas de la resistencia de
canal (de drenaje a fuente)
(rds) en funcin de la tensin
de compuerta de la Fig. 13-b.
VDS=15V
f=1,0kHz
TA= -55C
TA=25C
TA=100C
0,5
0,1
0
-1,0
-2,0
-3,0
-4,0
VGS - tensin de drenaje a fuente (V)
Fig.13 : Efecto de la temperatura sobre (a) corriente de
drenaje ID , (b) la resistencia de drenaje a fuente (c ) la
transconductancia gm de un JFET de silicio de canal n
El
efecto
de
la
temperatura sobre la corriente
de compuerta de un JFET es
simplemente el mismo que en
el caso de una juntura pn con
polarizacin inversa, como lo
indica la Fig. 14.
Por lo tanto, la
resistencia de entrada a baja
frecuencia de un JFET
depende fuertemente de la
temperatura.
30
VGS= -15V
IG0 (mA) VDS=0
10
corriente de
compuerta
inversa
1,0
0,1
25
45
65
85
105
125
T A - temperatura ambiente (C)
Fig.14 = Efecto de la temperatura sobre la corriente
inversa de compuerta de un JFET de silicio de canal n
FISICA ELECTRONICA
18
MDULO XVIII
Otros tipos de JFET

JFET foto sensible (foto-FET)
El foto-FET es un transistor de efecto de campo de tipo de juntura

encapsulado de tal manera que es posible enfocar un haz de luz sobre la
compuerta. Cuando se irradia la compuerta de un JFET, la corriente inversa
de la juntura de compuerta aumenta como resultado del incremento de la
concentracin de portadores minoritarios en la regin de compuerta.
+VDD
d
Foto-FET
G
RG
S
VGS
+
Fig. 10 : foto-FET dispuesto para
controlar la corriente de drenaje
en funcin de la iluminacin de
compuerta
El foto-FET se hace funcionar

intercalando RG en el circuito de
compuerta, (ver Fig. 10) de modo que
al aumentar la corriente de compuerta
disminuye la polarizacin inversa de la
juntura de compuerta y aumenta por
consiguiente la corriente de drenaje.
El foto-FET de canal n
Crystalonics tipo FF 400 experimenta
un cambio de corriente de compuerta
no menor de 1,5 mA por lux de
iluminacin a una temperatura de
color de 2800K, y puede usarse con
valores de RG de hasta 100 M.
Es
evidente
que
la
sensibilidad del foto-FET vara
directamente con RG.
ID
LED 11
I2 ,1mA/div
I1
d
30 M !
I1=25mA
VGS=0
20mA
FF400
g
S
I2
V2
VGG
-
15mA
10mA
5 mA
VDS
0
V2=1 volt/div
(a)
(b)
Fig. 11 = Combinacin de acoplamiento constituda por un diodo emisor de luz LED 11, de
General Electric, con un foto FET tipo FF400, de Crystalonics,
(a) Disposicin circuital.- (b) Caractersticasde drenaje de la combinacin.
La Fig. 11-b da las caractersticas corrientes de drenaje-tensin de

drenaje de un foto-FET, tipo FF 400 irradiado por un diodo emisor de luz
General Electric tipo LED 11 en la disposicin de la Fig. 11-a.
O. Von Pamel
19
S. Marchisio
La caracterstica ID-VDS para tensin de compuerta cero se incluye

en la figura como referencia y muestra que la juntura compuerta-drenaje
est ya polarizada en sentido directo cuando la corriente del diodo emisor de
luz (LED), es de 25 mA .
La polarizacin de compuerta VGG se ajusta de modo que haya
estrangulacin de la corriente de drenaje con I, igual a cero.
FISICA ELECTRONICA
20
MDULO XVIII
MODULO XIX
El Transistor de efecto de
campo
(MOS-FET)
Estructuras MOS
(Metal-Oxido-Semiconductor)
Introduccin :
En este captulo analizaremos primeramente:
Las caractersticas de la regin de carga espacial de superficie en el

equilibrio.
Luego, veremos la estructura MOS, que ha demostrado

extremadamente til en el estudio de los efectos de superficie.
ser
Consideremos en primer trmino sus caractersticas en base al

empleo de un modelo idealizado, extendiendo luego el estudio al efecto
producido por la existencia de diferentes funciones trabajo del metal y
semiconductor.
Posteriormente, veremos:
el transistor MOS con un anlisis en condiciones de no equilibrio donde

se pone de manifiesto la modulacin de la conductividad de un canal
inducido por la accin de una tensin variable.
1.-
Efectos de superficie
Hasta el momento hemos supuesto implcitamente que: en el

estudio de los dispositivos semiconductores, todos los procesos
analizados tenan lugar en la totalidad del volumen.
En realidad, los efectos superficiales frecuentemente modifican las
caractersticas analizadas, estando orientada la tecnologa en esos casos a
minimizarlos.
Los efectos superficiales sobre las junturas p-n se deben
principalmente al hecho que: cargas inicas externas a la superficie del
semiconductor inducen en ste una carga imagen y de esta forma
llevan a la formacin de regiones de carga espacial superficiales.
Estas zonas de carga espacial modifican las caractersticas de la
juntura.
Si bien en algunos casos los efectos de superficie son indeseables,
se los ha aprovechado convenientemente para la generacin de otros
dispositivos semiconductores cuyo funcionamiento se basa en poseer una
estructura del tipo MOS.
Caractersticas de regiones de carga espacial de superficie

Caso de equilibrio
Podemos considerar tres estructuras experimentales que se emplean
para el estudio de los efectos de superficie, (que se presentan en el transistor
MOS).
S
n+
n+
S
n+
p
n+
n+
p
B
G
n+
D
B
n+
(a)
(b)
(c)
(a) Capacitor MOS

(b) Juntura p-n controlada por campo
(c) Transistor Mos
Segn podemos observar, existen diferencias entre la estructura (a)
y las (b) y (c).
En el capacitor MOS no es posible que haya flujo de corriente
continua a travs de la regin de vaciamiento debido a que sta debera
atravesar el aislante. Segn podemos observar, s es posible pensar en un
flujo de cargas en los casos (b) y (c) debido a que, en ellos, el contacto con la
+
regin de carga espacial est realizado a travs de regiones n .
Es evidente entonces que el caso del capacitor MOS puede
estudiarse solamente en condiciones de equilibrio, o lo que es lo mismo,
2
verificndose np = ni .
En 1-(b) y 1-(c), la polarizacin altera la condicin de equilibrio por lo
que, vamos a comenzar a analizar los efectos de superficie a travs de la
estructura del capacitor MOS, continuando despus con las dos restantes.
Diagramas de energa en equilibrio

Las figuras 2-a y 2-b muestran una estructura MOS, con los
contactos en cortocircuito y el diagrama de energas correspondiente.
La estructura est
en equilibrio, por lo que EF
(nivel de Fermi) es
constante en toda la
estructura.
Para simplificar el
anlisis elegimos un metal
y un semiconductor de
iguales potencial barrera o
extraccin.
Para el caso de
estructuras
MOS
en
equilibrio,
podemos
considerar las distintas
formas de variar el
diagrama de energas de
la Fig. 2 dando diferentes
valores de tensin a la
placa
metlica
o
compuerta (gate).
Para las distintas condiciones de polarizacion tenemos los diagramas

de las Fig. 3.
En 3-a mostramos las condiciones que corresponden a una tensin

negativa aplicada a la compuerta (VG < 0).
Este potencial negativo en el metal, atraer cargas positivas en el
semiconductor, lo que representa para uno del tipo p, una acumulacin de
huecos (mayoritarios) cerca de la interfase semiconductor-aislante. Podemos

observar la correspondiente distribucin de la carga.
** Si una tensin positiva pequea se aplica a la compuerta, se
inducir en el semiconductor una carga negativa (Fig. 3-b).
En un comienzo, esta carga se deber a huecos empujados de las
proximidades de la interfase hacia el cuerpo del semiconductor, dejando una
regin de deplexin o vaciamiento que consiste de iones aceptantes no
compensados.
Esto da una distribucin de carga que puede observarse en la parte
inferior de la misma Fig. 3-b, donde se pone de manifiesto la aparicin de
una zona de vaciamiento que alcanza un espesor xd.
** Si incrementamos el potencial positivo aplicado a la compuerta, el
ancho de la regin de vaciamiento o deplexin superficial comenzar a
crecer.
De esta forma, tal como se desprende de la Fig. 3-c va a
incrementarse la variacin del potencial entre el cuerpo y la regin superficial
del semiconductor. Este defecto se pone de manifiesto por el aumento de la
curvatura de los diagramas de energa hacia el borde.
Por esta razn, la banda de conduccin se podr encontrar para
algunos valores de x, muy prximos al nivel de Fermi.
Cuando esto ocurre, la conduccin de electrones cerca de la
interfase aumenta bruscamente ocupando un pequeo espesor, mucho
menor que el de la zona de vaciamiento. La carga en estas condiciones se
modifica respecto a 3-b, apareciendo Qn en la 3-c.
La superficie de inversin ser limitada al punto para el cual el
semiconductor, (tipo p en este caso), llega a ser intrnseco (ver Fig. 3-c).
El lmite x=xi marca el lugar en que la concentracin de huecos
iguala a la de electrones en la superficie y stas vendrn dadas por el valor
de la concentracin intrnseca ni.
El mnimo valor VG para el cual se produce la inversin se denomina
VT (tensin umbral).
Luego de darse esta situacin, la mayor parte de las cargas
negativas adicionales inducidas en el semiconductor sern debidas a los
electrones en la pequea zona de inversin que se produce, considerada
ahora, como zona n.
NOTA 1:
El fenmeno de inversin puede interpretarse desde el punto de vista
de las concentraciones como sigue:
En la Fig. 4 (a,b y c) se representan las concentraciones de

portadores mayoritarios y minoritarios de un sustrato tipo p.
En (a) existe, sin tensin aplicada, un equilibrio de concentraciones.
+
En (b) se ha aplicado una tensin positiva a la compuerta VG , con

respecto al semiconductor. Por induccin atrae las cargas negativas hacia la
superficie de la pastilla semiconductora y repele las cargas positivas hacia el
interior. Se rompe as el equilibrio.
Las cargas negativas que fluyen hacia la superficie son electrones,
de manera que la concentracin n ser superior a la concentracin no en
equilibrio; las cargas positivas que fluyen hacia el interior (huecos) hacen que
la concentracin p en las vecindades de la superficie sea menor que la
concentracin po en equilibrio.
En (c) la tensin positiva aplicada a la compuerta, +VG, es mucho
mayor; la cantidad de electrones que atrae hacia la superficie es tal que la
concentracin superficial de electrones, ns, es superior a la concentracin de
huecos po, que existan en equilibrio.
Se ha producido la inversin de la naturaleza del semiconductor; era
tipo p, ahora es tipo n desde la superficie, indicada con la absisa O, hasta la
profundidad xi. Se ha producido un canal n inducido superficial.
Si bien el canal tiene una profundidad xi, la mayor concentracin
sobre la superficie determina que sta sea la determinante fundamental de la
conductividad del canal. El plano que pasa por xi puede el plano de una
juntura n-p inducida.
La carga y el potencial superficiales en el semiconductor
Espesor de la zona de vaciamiento.

Una vez formada la capa de inversin, la profundidad de la regin de
vaciamiento superficial alcanza un mximo.
Para producir una fuerte inversin, es necesario que exista una gran
curvatura en las bandas de energa. En estas condiciones, un pequeo
incremento en la curvatura de las bandas, corresponder a un pequeo
incremento de xd, pero en un gran aumento en la carga Qn. De esta forma, xd
no crece indefinidamente, sino que alcanza un mximo denominado xd mx
que corresponde a la condicin de fuerte inversin.
Carga superficial en el semiconductor

En este punto, y luego de la observacin de la Fig. 3-c, podemos
evaluar la carga total inducida en un semiconductor (Qs) que forma parte de
una estructura MOS en condiciones de fuerte inversin.
Esta estar constituida por una carga distribuida en la zona de
vaciamiento superficial (QB) y por otra ocupando una capa de inversin (Qn).
As, la carga superficial en la interfase es:
Q s = Qn + QB
con QB = -q NA xd mx debido a que al alcanzarse la inversin, el espesor
alcanz un mximo.
Por lo que:
Q s = Q n qN Axdmax
(inversin)
Cuando se tienen tensiones VG positivas menores a VT (no alcanzada

la inversin), puede evaluarse la carga Qs, resultando:
Qs = qNAxd
(vaciamiento, sin inversin)
Distribucin del potencial superficial

Podemos analizar para los casos de vaciamiento e inversin, la
distribucin del potencial a lo largo del semiconductor. Observamos la
existencia de la diferencia entre los potenciales del cuerpo del semiconductor
y de su superficie en contacto con el aislante manifestada por la curvatura de
las bandas de energa, vimos que sta se incrementa por la accin de
tensiones VG cada vez ms positivas hasta la zona de vaciamiento alcanza el
xdmx que corresponde a la inversin. As se tiene la distribucin de carga
analizada en 2.2.2.
Para el caso de semiconductores con la distribucin de carga
correspondiente al vaciamiento puede obtenerse por integracin el potencial
electrosttico en
s(inv) =
qNA 2
xd max = kxd 2max
2ksEs
Con esta expresin, anloga a la de una juntura abrupta puede

evaluarse xdmx en funcin del potencial de superficie s(inv) resultando:
xdmax =
1
s(inv )
k
NOTA 2:
Esta analoga es razonable. Cuando la superficie del semiconductor
se invierte, se forma una delgada capa tipo n separada de un sustrato tipo p
por una zona de vaciamiento.
+
La nica diferencia entre una juntura abrupta n -p vista en otros

dispositivos (J-FET, por ejemplo) y la juntura sustrato-capa de inversin que
estamos tratando es que en el primer caso, la conductividad tipo n fue
obtenida por un proceso metalrgico: los electrones fueron introducidos en el
semiconductor por el agregado de los iones donantes.
En el segundo caso, la capa tipo n se induce por una juntura inducida
por campo a la que ya caracterizamos a travs del conocimiento de su
distribucin de carga, potenciales, y zona de vaciamiento y describimos a
travs del lenguaje formal de las relaciones matemticas correspondientes.
3.Propiedades de la estructura MOS ideal en los casos

de inversin (condiciones de equilibrio)
3.1.-
Capacidad dependiente de la tensin de compuerta
Si consideramos la estructura MOS ideal (iguales funcin trabajo del

metal y semiconductor) y en ausencia de potencial de contacto, cualquier
tensin aplicada a la compuerta aparecer repartida parte en el xido, y parte
en el semiconductor.
As:
V0 = tensin en el xido
s = tensin en el semiconductor
VG = V0 + s
De acuerdo a lo analizado respecto de le evolucin de la carga frente
a una variacin de VG en una estructura MOS ideal, podemos pensar en la
existencia de una capacidad de compuerta con determinadas caractersticas
de comportamiento.
Puede definirse una capacidad
C=
dQG
dVG
Esta capacidad C puede considerarse compuesta por

capacidades en serie:
la del aislante (C0) y la del semiconductor (Cs).
dos
Podemos evaluar C0 (capacidad por unidad de rea de la capa de xido) en

funcin de x en la regin superficial de espesor xd resultando:
= s(1
x 2
)
xd
donde s representa la diferencia total del potencial marcada por la curvatura

total de la bandas. Observar que (xd)=s
Puede encontrarse adems la dependencia del potencial s con xd,
resultando
s = kxd 2
siendo
k=
qNA
2KsE 0
Esta distribucin de potencial resulta idntica a la de una juntura

abrupta.
Por ltimo, podemos observar en la Fig. 5 las representaciones de la
carga y el potencial para las condiciones de vaciamiento e inversin.
En ella vemos que el potencial de superficie s para el que se

alcanza la inversin, es aquel para el que el nivel de Fermi (EF) en la
superficie se encuentra por encima del nivel de Fermi intrnseco en la
superficie (Ei) en un valor F. Este resulta igual en magnitud a la diferencia
de los mismos niveles en el cuerpo del semiconductor. Por esta razn, el s
para inversin resulta:
s(inv) = 2F
Puede relacionarse el s (inv) con el mximo espesor de la zona de
vaciamiento xdmx resultando funcin de constante del material y
constructivas tales como su permitividad, constante dielctrica y espesor;
resultando
K 0E0
X0
C0 =
X0 = espesor
La evaluacin de la capacidad del semiconductor en funcin de sus

parmetros correspondientes no resulta tan evidente.
Observamos la existencia de una variacin de Qs asociada a una
variacin de s por lo que tenemos :
Cs =
dQs
ds
Si queremos expresar esta capacidad en funcin de caractersticas

de la estructura, sta resulta :
Cs =
KsE 0
xd
que muestra la dependencia de Cs con el espesor de la zona de

vaciamiento.
siendo
C=
1
1
1
+
C0 Cs
NOTA 3:
Evaluacin de Cs - Dependencia de VG con la capacidad
Vimos que
VG = V0 + s
(1)
En ausencia de cargas localizadas en la interfase, la ley de Gauss requiere

que el desplazamiento elctrico sea continuo en la interfase es decir:
Ks Es = K0 E0
(2)
V0
X0
(3)
Si el campo es uniforme
E0 =
y el campo semiconductor por Gauss
Es =
Qs
Ks E 0
(4)
donde
C0 =
K 0E 0
X0
X0
Qs
Qs =
K 0E 0
C0
V0 =
Combinando (2), (3) y (4) resulta
(5)
es la capacidad por unidad de rea de la capa de
xido.
Qs
+ s
C0
VG =
Podemos re-escribir la (1) como
(6)
Por otro lado, la capacidad de compuerta es:
C=
dQS
dQG
dQS
=
=
dVG
dVG dQS + dS
C0
(7)
Debido a que C es la capacidad serie de C0 y CS, resulta :
1
1
1
=
+
C C0 CS
C=
1
1
1
+
C0 CS
(8)
Cs =
Comparando (8) y (7), resulta :
dQs KsE 0
=
ds
Xd
(9)
que es la capacidad por unidad de rea de la regin de carga espacial en el

semiconductor. As, la capacidad de la estructura MOS, mediante el
reemplazo de X0 de la (9) puede escribirse
C
=
C0
1
1+
2K 0 E 0
VG
qNAKsX 02
1
1 + KVG
(10)
De la ltima expresin se puede observar que la capacidad disminuye con la

raz cuadrada de la tensin de compuerta (
1+ KVG )
mientras la
superficie sufre el vaciamiento. Con tensiones VG cero o negativas, no existe

vaciamiento, no puede aplicarse la expresin (10).
Si se alcanza la inversin xd no crece con VG por lo que (10) da constante.
Observar para este caso la expresin (9).
Por ltimo, la expresin (9) resulta de hacer la suposicin que la totalidad de
la variacin de VG que aparece en el semiconductor se aplica en el borde de
la regin de vaciamiento.
Esto es correcto cuando se hace trabajar al capacitor MOS a altas
frecuencias. Sin embargo, si la frecuencia es baja existe un mecanismo de
recombinacin-generacin que conduce a un intercambio de carga con la
capa de inversin. En este caso, la capacidad puede aproximarse a la de la
capa de inversin solamente.
La Fig. siguiente puede aclarar estos conceptos.
De los visto, se concluye que adems de las dependencias

analizadas hay un efecto debido a la frecuencia de trabajo del MOS que hace
aparecer una variacin de carga en una zona u otra del semiconductor,
segn la frecuencia, frente a una variacin de la tensin de compuerta.
3.2.-
Tensin umbral (VT)
Segn vimos en nuestro anlisis con los diagramas de energa para

tensiones de compuerta positivas, (para un semiconductor con sustrato p),
resulta necesario que VG alcance un valor mnimo para que la superficie
cercana a la interfase alcance la inversin.
Si relacionamos la tensin de compuerta VG con los parmetros
caractersticos de la estructura retomamos la expresin (6) de la NOTA 3.
Puede obtenerse
VG =
Qs
+ s
C0
Vimos que el mnimo valor para el cual se produce la inversin se

llama tensin umbral VT. Esta representa el valor de la tensin de compuerta
a partir de la cual se constituye el canal.
Resulta por lo tanto, que para una tensin de compuerta justo en la

inversin es : Qn = 0, por lo que resulta Qs = QB. En estas condiciones : s =
s(inv)
De esta forma, la tensin umbral VT puede escribirse como
VT = VG | para inversin =
:
3.3.-
VT =
Qs
+ s
C0
| inversin
QB
+ s(inv )
C0
Conductancia del canal en condiciones de equilibrio
Una vez constituido el canal, la distribucin de carga superficial es

segn Fig. 6.
Dado que en la zona de inversin del semiconductor, hay una

distribucin de cargas mviles (electrones), cuya densidad por unidad de
rea es Qn, se puede definir una conductividad g en la zona de inversin (es
decir, una vez superado VT).
Debido a que g adquiere mayor importancia en la estructura del
transistor MOS, se deja su evaluacin para ms adelante donde puede
hacerse un tratamiento ms completo de este parmetro.
4.Efecto de la diferencia de las funciones trabajo sobre las
caractersticas MOS
Las energas de los electrones en el nivel de Fermi de un metal y en
un semiconductor de una estructura MOS sern por lo general, diferentes.
Esta diferencia de energa se expresa normalmente como una diferencia en
las funciones trabajo, o energa requerida para extraer un electrn desde el
nivel de Fermi en un material al vaco.
Cuando el metal de una estructura MOS es acercado al

semiconductor, los electrones fluirn desde el metal al semiconductor o
viceversa. Cuando se alcanza el equilibrio, los niveles de Fermi del metal y
semiconductor quedan alineados
En estas condiciones, habr una variacin del potencial electrosttico
entre las dos regiones como puede observarse en la Fig. 7.
Para evaluar el efecto de la diferencia de funciones trabajo sobre las

caractersticas MOS, resulta sencillo considerar la condicin en la cual se
aplica una tensin de compuerta que balancee a esa diferencia y haga
mantener al semiconductor en la condicin de bandas planas. Al voltaje de
compuerta requerido para alcanzar esa condicin del semiconductor se lo
representa con VFB (en ingls flat band).
Segn puede deducirse de la Fig. 7 resulta:
VFB = M - s = Ms
Observar que bandas planas representa no curvatura de bandas de
interfase.
5.-
Efectos de superficie sobre junturas p-n
Una de las principales razones del estudio de los fenmenos

superficiales en semicondutores es su efecto sobre las caractersticas en las
junturas p-n presentes en los transistores.
Hemos visto hasta aqu a travs de la estructura del capacitor MOS
las regiones de carga espacial y la generacin de un juntura inducida por
campo.
En este anlisis (hecho en condiciones de equilibrio), no tuvimos en
cuenta la posibilidad del empleo de esa zona de inversin como un canal
conductor (soporte de un flujo de cargas).
Obviamente esto no es posible en la estructura del capacitor MOS,
pero s puede analizarse con estructuras como las del diodo y transistor MOS
+
(Figs. 1-b y 1-c ) que poseen zonas n generadas metalrgicamente.
Para este anlisis necesitamos llevar al dispositivo a condiciones de

no equilibrio, es decir, polarizar con una tensin externa la juntura
+
metalrgica p-n a la vez que generamos a travs de VG las zonas de
vaciamiento e inversin inducidas.
5.1.-
Diagramas de energa para condiciones de no equilibrio

En la Fig. 8 recordamos la juntura MOS controlada por compuerta.
Al mismo tiempo, en la (8-b) tenemos una representacin idealizada

de la juntura para condiciones de equilibrio (sin polarizacin VJ).
Podemos representar tambin en Fig. 9 los diagramas de energa en
esas condiciones.
Esta representacin de las bandas de energa est hecha en funcin

de las direcciones x e y correspondientes a los ejes de la Fig. 8.
En ausencia de campos superficiales, las bandas de energa no
varan en la direccin x.
La nica variacin que se observa en los niveles es en la direccin

+
y debido al potencial de juntura metalrgica B entre las regiones n y p.
En la misma Fig. est marcado adems el ancho W de la zona de
vaciamiento de la misma juntura.
Cuando se aplica a la compuerta una tensin VG positiva
suficientemente mayor a VT, la banda de conduccin en la superficie se curva
quedando muy prxima al nivel de Fermi con lo que se obtiene la inversin
de la zona p. Este efecto puede ser observado en la Fig. 10.
En ella observamos la aparicin de la juntura inducida por el campo

entre la capa de inversin n y el silicio p. Debido a que esta juntura no est
polarizada, est en equilibrio y su nivel de Fermi es el mismo que el de la
juntura metalrgica.
La regin de carga superficial en estas condiciones se describe
mediante la teora del equilibrio ya analizada a travs de la estructura del
capacitor MOS.
Para analizar en condiciones de no equilibrio, aplicamos un potencial
VR que polariza inversamente la juntura didica.
El efecto de VR puede observarse en las Figs. (11-a), (11-b) y (11-c)
para diferentes VG; es decir para las condiciones de: (a) sin campos
superficiales, (slo zona de vaciamiento de la juntura metalrgica); (b) VG <
VT (VR), caso de vaciamiento de la regin superficial adems de la de juntura;
(c) VG suficientemente positiva; (se forma la juntura inducida).
5.2.(VP)
Tensin umbral con polarizacin de juntura - Potencial s(inv)
En 11-b se aplica un potencial positivo de compuerta VG no

suficientemente grande como para generar la inversin. Esto queda sealado
en la figura por la condicin VG < VT (VR) donde VT (VR) es la tensin de
compuerta necesaria para causar la inversin de la regin p en presencia de
VR.
Este voltaje VT (VR) resulta mayor que para una juntura sin
polarizacin pudiendo escribir
VT =
QB
+ 2F + VR
C0
(11)
Esto es debido a que una polarizacin inversa hace descender el
nivel de Fermi de los electrones, de modo tal que, aunque las bandas en la
superficie se curvan ms fuertemente que en el caso de equilibrio (Fig. 10),
este efecto es insuficiente para llevar a la banda de conduccin prxima al
nivel de Fermi de los electrones (tan prxima a ste para causar la
inversin).
Como resultado, se produce slo vaciamiento de la superficie, que
en la Fig. est representado por el rayado extendido sobre ella.
En la Fig. 11-c, la tensin VG aplicada es suficientemente grande
como para neutralizar la influencia de la polarizacin inversa, producindose
la inversin de la zona p en la superficie.
En trminos del diagrama de bandas, stas estn curvadas lo
suficientemente como para aproximar la banda de conduccin al nivel de
Fermi de los electrones. As se constituye una zona de alta conductividad que
est casi al mismo potencial que el de la regin n.
Podemos dar el valor s para el cual se produce la inversin.
As, en condiciones de polarizacin de juntura VR, resulte:
s(inv ) = VR + 2 r
(12)
(a partir de (12) se deduce (11))
Al igual que ocurra en el caso de equilibrio, la superficie de
vaciamiento alcanza un espesor mximo Xd mx en la inversin.
Este es ahora funcin de VR y resulta ser el espesor de la regin de
vaciamiento de la juntura inducida.
Puede evaluarse Xd mx en funcin de s(inv), considerando a ste en
s(inv ) = VR + 2 r
forma general como
por lo que
Xd ( max ) =
2KsE 0[VJ + 2F ]
qNA
con VJ = polarizacin de la juntura metalrgica.

5.3.-
Carga superficial en condiciones de no equilibrio
Podemos analizar si se ve modificada o no la distribucin de carga

superficial inducida en el silicio debido a la variacin de Xd mx con la
polarizacin VJ.
Es evidente que existe una dependencia.
Las modificaciones pueden observarse comparando las Figs. (12-a) y (12-b)
para casos de equilibrio y la tensin VJ inversa respectivamente.
Resulta as que la carga inducida por unidad de rea antes de la

inversin es:
Qs = -qNA Xd
y luego de ella: Qs = Qn + QB
con QB = -qNA Xd mx
6.-
El transistor MOS
Este tratamiento del transistor MOS corresponde al de canal N

considerado en la Fig. 1-c, y que se representa en la Fig. 13.
Este consiste en un sustrato de

silicio tipo p dentro del cual se
+
difunden dos zonas n : fuente y
drenaje.
La regin entre fuente y drenaje
est bajo la influencia de una placa
metlica o compuerta.
Si un potencial positivo alto se
aplica a la compuerta, la superficie
de la regin p debajo de ella puede
invertirse y un canal del tipo n
puede inducirse conectando fuente
y drenaje.
La conductividad de este canal
puede modularse variando la
tensin de compuerta.
6.1.-
Principios de funcionamiento
Vamos a considerar la situacin cuando una tensin de compuerta

suficientemente alta se aplica para inducir una capa de inversin tipo n entre
las regiones de fuente y drenaje.
Los casos de tensiones de drenaje pequeas y altas se consideran
separadamente (ver Fig. 14).
Para pequeas tensiones de drenaje, el canal inducido entre fuente y
drenaje se comporta como un resistor.
Su resistencia, puede evaluarse a partir de sus dimensiones y caractersticas
del material como:
R=
1
ZnQn
(ver dibujo Fig. 13)
donde Qn es la densidad de carga por unidad de rea superficial de los

electrones en la capa de inversin.
A medida que el voltaje de drenaje se incrementa, la diferencia de
potencial promedio desde la compuerta a la capa de inversin n decrecer.
Como resultado de ello, Qn tambin disminuir y la resistencia del canal as
aumenta.
De esta forma, la corriente de drenaje versus tensin de drenaje (VD)
en las caractersticas comenzar a torcer hacindose stas cada vez ms
horizontales.
Esto resulta evidente en la Fig. 15.
Si la VD se sigue aumentando, la cada de tensin a travs del xido

cerca del drenaje se reduce cada vez ms hasta que eventualmente cae por
debajo del nivel requerido para mantener la capa de inversin.
La tensin VD, para la cual esto ocurre se denomina VD sat. Para esta
VD, el canal en las proximidades del drenaje desaparece (ver Fig. 14-b).
El potencial al final de la capa de inversin en el punto x en la Fig.
14-b puede todava mantener una capa de inversin.
Para nuestra definicin anterior, este valor es VD sat. Una vez que el
voltaje de drenaje excede VD sat, el potencial al final de la capa de inversin
en el punto x se mantiene constante, independientemente de un aumento de

VD, aunque el punto x se vaya moviendo hacia la fuente (ver Fig. 14-c).
La corriente es debida a los portadores que fluyen a travs de la zona
de inversin y son inyectados dentro de la zona de vaciamiento cerca del
drenaje.
La magnitud de esta corriente no cambia significativamente con el
incremento de VD ya que sta (ID) depende del potencial en el punto x que se
mantiene constante. As, para tensiones VD > VD sat, la corriente no vara
substancialmente y se mantiene en ID sat como resulta evidente en la Fig. 15.
Si la tensin de compuerta se incrementa, la conductancia para
pequeos valores de tensin de drenaje ser mayor y la tensin de drenaje
para la cual la corriente sature (VD sat) ser tambin mayor.
Como resultado de ello, ID sat tambin tendr un valor mayor.
As, podemos distinguir dos regiones de operacin de los MOSFET.
Para los bajos voltajes de drenaje, las caractersticas volt-ampere de salida
son aproximadamente hmicas o lineales (regin lineal) mientras que para
tensiones de drenaje altas, la corriente satura con una tensin creciente de
drenaje (regin de saturacin).
Estas dos regiones, as como las curvas caractersticas, y la forma
en que se alcanza la saturacin resultan similares a las del JFET.
Resulta entonces instructivo comparar los principios de operacin de
uno y otro.
JFET
MOSFET
El terminal de compuerta est aislado elctricamente del canal por:

regin de vaciamiento de la juntura
aislante
La magnitud de la carga conductora es modulada por:

el ancho de la zona de vaciamiento
de la juntura en polarizacin inversa
el campo superficial
Para tensiones de drenaje pequeas, el canal es esencialmente hmico.

Una tensin creciente de drenaje reduce la magnitud de la carga
conductora, por lo que reduce la conduccin del canal.
Cuando la tensin VD excede un cierto valor, la cada de potencial desde
fuente hasta el fin del canal permanece en un valor fijo VD sat. As, el flujo
de corriente se mantiene tambin en un valor fijo ID sat para VD > VD sat.
VD sat y adems ID sat dependen del voltaje de compuerta aplicado.
De esta forma, los dispositivos son similares en todos los aspectos,

excepto en el mecanismo fsico responsable de variar la magnitud de la
carga conductora.
6.2.-
Caractersticas de los MOSFET.

a) Relacin Corriente-Voltaje
Consideramos ahora un MOSFET operando en la regin lineal, como

se observa en la Fig. 16. La cada de tensin a travs de la seccin
elemental del canal viene expresada como:
dV = IDdR =
IDdy
ZnQn ( y)
anloga a la ecuacin dada anteriormente, pero ahora considerando un

diferencial de longitud (dy) en lugar de L.
(Ntese que esta ecuacin es idntica a la correspondiente para el JFET,
excepto que en el MOSFET, la densidad de electrones por unidad de
superficie est representada por
-Qn (y), mientras que en el JFET vena
dada por qND [d-2W (y) ] ).
A una distancia y de la fuente, la carga total inducida en el valor del
semiconductor Qs consiste de :
parte de carga en la zona de inversin Qn y
parte de carga en la zona de vaciamiento debida a
los iones aceptantes QB, por lo que puede expresarse:
Qs (y) = Qn (y) + QB (y) = Qn (y) - q NA xd (y)
Por otro lado habamos obtenido la expresin de VG como funcin del
potencial s y de la carga Qs siendo:
VG =
Qs
+ s
C0
con
C0 =
X 0E 0
X0
Combinando las ecuaciones anteriores de Qs y VG, puede hallarse Qn

(y) resultando
Qn (y) = - [VG - s (y) ] C0 - QB (y)

Debido a que ya supusimos la existencia de la zona de inversin, el
s vendr dado aproximadamente por la condicin de inversin.
Cuando analizamos los potenciales en la estructura MOS vimos que
para una polarizacin V en la juntura:
s (y) = V (y) + 2 F
donde s es el potencial de Fermi del sustrato y V (y) es la polarizacin
inversa entre la seccin elemental del canal y el sustrato.
La carga dentro de la regin de vaciamiento QB viene dada por (condicin de
inversin) :
QB( y) = qNAXdmax( y) = 2KsE0qNA[V ( y) + 2F ] = ks( y)

(Recordar la expresin de Xd mx en items anteriores)
Debido a que V (y) se incrementa desde fuente a drenaje debido a la
cada IR a lo largo del canal, la juntura inducida entre la zona n de la capa de
inversin y el sustrato se hace cada vez ms polarizada inversamente
acercndose hacia drenaje.
De esta forma, tanto s como QB crecen desde source (fuente) a
drenaje.
Se pueden combinar adecuadamente las ecuaciones anteriores e
integrar entre la fuente, donde y = 0 y el drenaje donde y = L y V = VD
llegndose a una expresin de ID.
Esta resulta bastante compleja y similar a la encontrada para el
JFET. Sin embargo, si se imponen condiciones particulares que pueden
corresponder a buenas aproximaciones, se llega a una expresin de ID = f
(VD) relativamente sencilla quedando:
ID
Z
QB,0
nC 0 VG 2F +
VD
L
C 0
(*)
vlida obviamente en la regin lineal puesto que los lmites de integracin

son hasta una VD prxima a VD sat, pero no mayor.
QB,0 se denomina densidad de carga por unidad de rea en la zona de
vaciamiento en equilibrio; es decir el QB anterior con V (y) = 0.
b) Conductancia del canal
De la ecuacin (*) se deduce la existencia de una familia de curvas

con dos parmetros : VG y VD
A partir de (*) puede evaluarse la conductancia del canal
g=
ID
VG = cte
VD
en la regin lineal.
Puede hallarse entonces
g=
Z
nC0(VG VT )
L
donde VT es la tensin que debe aplicarse a la compuerta para inducir un

canal conductor y viene expresado como
VT = 2F
QB ,0
C0
La conductancia del canal del MOSFET en la regin lineal puede

verse en la Fig. 17 (En ella, aparece VFB que no fue tenido en cuenta en las
ecuaciones de la relacin volt-ampere ya que implcitamente hicimos la
suposicin de iguales potenciales de extraccin de los metal y
semiconductor).
Esta consideracin no
afecta sin embargo la ley
de variacin en forma
sustancial, puesto que VFB
es un valor constante,
independiente de y.
c) Transconductancia
De igual forma que para el JFET, la transconductancia se define
como :
gm =
ID
VD = cte.
VG
Si se resuelve la derivada, resulta, para VD VD sat:
gm =
Z
nC0VD
L
La transconductancia en la regin de saturacin puede hallarse

tambin colocando en la expresin original de ID el valor VD = VD sat.
La expresin que se logra en este caso responde a la grfica de la Fig. 18. y
resulta ser aproximadamente similar a g (conductancia) en la regin lineal sin
ser idnticas.
d) Corriente compuerta
En el MOSFET, la compuerta est aislada del canal por dixido de
silicio (aislante). Debido a sus propiedades no conductoras, la corriente entre
-14
compuerta y canal es extremadamente pequea (menor que 10 Amperes).
De esta forma el MOSFET presenta, como caracterstica adicional, la
propiedad de una gran resistencia de entrada.
7.-
Otros tipos de MOSFET
Toda la discusin y anlisis anteriores fue desarrollada para un

dispositivo de canal n, por lo que aplicbamos a la compuerta una tensin
positiva para tener canal conductor.
Mediante una analoga completa, este anlisis puede aplicarse al

dispositivo de canal p que hubiera requerido VG<0 para tener un canal
conductor.
Debido a que ninguno de estos dos MOSFET (canal n o canal p)
analizados funciona (conduce) con tensin VG igual a cero, estos MOSFET
reciben, entre otros nombres el de: normalmente off o MOSFET de
desercin.
Contrastando con estos, podemos encontrar
normalmente on, o MOSFET de acrecentamiento.
un
dispositivo
Puede obtenerse mediante un control adecuado de la tensin VFB

(tensin de banda plana). As, si VFB es suficientemente negativa en el caso
de un dispositivo canal n, o positiva en uno de canal p, existe un canal an
con VG = 0 . En este caso, la conductancia del canal aumentar o decrecer
con una adecuada VG.
Las Figs. 19 muestran ambos tipo de MOSFET. El canal conductor
se induce tanto en unos como en otros por campos superficiales, dados
generalmente por VG.
Podemos a cualquiera de los tres MOSFET de la Fig. 19 llamarlo

entonces MOSFET de canal inducido.
Es adems posible construir un canal metalrgicamente. Vemos dos
ejemplos de MOSFET de canal metalrgico en la Fig. 20.
El primero de ellos, (Fig. 20-a) responde a la tecnologa de
crecimiento epitaxial de un film tipo n sobre un sustrato tipo p.
La conductividad entre fuente y drenaje se modula por la tensin de

compuerta.
Una tensin positiva de compuerta atrae ms electrones al canal,
mientras que VG=0 vaca la superficie y modula el rea transversal que
permite el paso de corriente.
En este modo de operacin, este tipo de MOSFET trabaja de igual
forma que el JFET.
Una dispositivo similar realizado por crecimiento de silicio tipo n
sobre un sustrato aislante se observa en la Fig. 20-b.
Estos ltimos MOSFET reciben adems el nombre de MOSFET DE
CANAL PERMANENTE.

Mecanica Cuantica (Modulos Del XI Al XIX)

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FISICA

Contenidos del mdulo

La juntura entre dos semiconductores- La juntura P- N

La Juntura PN - no polarizada (en equilibrio).

Regin de carga espacial en una juntura en situacin

La juntura P-N polarizada (fuera del equilibrio)

Mecanismos fsicos de ruptura de la juntura

El Tratamiento genrico de la Juntura

Como hemos visto en los captulos anteriores, la caracterizacin de

Clasificacin segn sus caractersticas elctricas

sta tiene asociada una representacin a travs del modelo de

La comparacin de las representaciones correspondientes a cada

La juntura entre dos semiconductores - La juntura P- N

Destaquemos adems que

Imagnese entonces una

Esta capa dipolar genera

De este modo, estas

En equilibrio se tiene una

La Juntura PN - no polarizada (en equilibrio).

Relaciones entre estructura de bandas y cantidades electrostticas

El campo elctrico E se define como la fuerza actuante por unidad

Epot. de los electrones = Ec

Expresado slo para una sola dimensin:

Como el potencial electrosttico es la cantidad cuyo gradiente es () el campo elctrico, es decir :

E = -grad ; en una dimensin

Se puede deducir de (1) y (3) que:

Expresin que vincula el potencial electrosttico con la energa

Esto, segn conclusin de la ecuacin

puede escribirse como:

que, a su vez resulta equivalente a:

En esta ltima expresin es:

Regin de carga espacial en una juntura genrica en

Energa de los electrones

p-n sin polarizacin resulta:

Con : Ef = energa de Fermi en la juntura.

obtenindose las siguientes expresiones:

Se puede evaluar E (o)

Fuera de la regin de carga espacial, E = 0. Por lo cual, integrando a

En esta expresin E(o) resulta ser el campo elctrico en la unin.

Anlisis para el caso de una juntura abrupta

Un caso especial de juntura es la que se obtiene por aleacin o por

Para este tipo de junturas se

Es posible, igual que en el

El siguiente cuadro aclara

CB = concentracin neta de impurezas = |ND -NA| con:

Energia de los electrones

Debido a que la distribucin de carga se evala como:

siendo ste el espesor de la zona de carga espacial en juntura

si se quiere evaluar T en funcin de W :

( Si la polarizacin externa es cero : T = 0 )

tomando como valor cero (arbitrario) de la energa de los electrones,

como se muestra en la curva 3d.

La juntura PN - Polarizada (fuera del equilibrio)

Si se aplica un potencial negativo a la regin N respecto de la P, la

El campo elctrico hace que los huecos inyectados en la regin P. (y

Lp = Longitud de difusin de los

Si analizamos detenidamente la recombinacin de los pares e-h

Esta recombinacin conlleva una emisin de energa en forma de

La corriente que circula por el diodo puede ser dividida en

resulta interesante estudiar el cociente

En las junturas reales puede darse, dentro de los valores de

I) I rec < < 1

la corriente resulta proporcional a

II) I rec > > 1