Electrotehnic i electronic

Curs 5

Componente semiconductoare discrete i aplicaiile lor n etaje de

amplificare i control
Acest curs este dedicat prezentrii unei serii de componente electronice care, spre
deosebire de diodele semiconductoare (ce implic o singur jonciune), includ n
construcia lor mai multe jonciuni semiconductoare. Noiunea de discret se refer la
faptul c fiecare dintre dispozitivele prezentate sunt ncapsulate n mod individual, fr a fi
interconectate n aceeai capsul mai multe componente electronice, precum n cazul
circuitelor integrate. Din multitudinea de modele constructive ale unor astfel de
componente, ne vom concentra atenia doar asupra celor mai uzuale, respectiv
tranzistorul bipolar i tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciune sau cu gril izolat.
1.
1.1.

Tranzistorul bipolar (cu jonciuni)

Construcia i principiile de funcionare ale tranzistorului bipolar
Tranzistorul bipolar cu jonciuni (denumit prescurtat BJT de la denumirea n
englez Bipolar Junction Transistor) este un dispozitiv semiconductor de tip sadwich,
alctuit din trei regiuni semiconductoare distincte, denumite emitor, baz i colector.
n funcie de tipurile semiconductorilor utilizai la fabricarea BJT, aa cum este
indicat n Figura 1, se disting dou tipuri de tranzistoare: PNP i NPN.

Figura 1. Structura tranzistorului PNP (A) i NPN (B). Simbolul pentru tranzistorul PNP
(C) i NPN (D) precum i cteva exemple de capsule standardizate pentru tranzistoare.

Electrotehnic i electronic

Curs 5

Astfel, aa cum se poate observa din Figura 1, pentru tranzistorul de tip PNP,
emitorul i colectorul sunt alctuite din semiconductori de tip P iar baza este de tip N, pe
cnd la BJT de tip NPN, tipurile sunt inversate, emitorul i colectorul fiind de tip N iar
baza de tip P. La nivelul simbolurilor, cele dou tipuri de BJT se difereniaz prin direcia
sgeii suprapus peste terminalul emitorului, ea fiind orientat spre exterior n cazul
tranzistorului NPN (v. Figura 1.C), respectiv spre interior n cazul celui PNP (v. Figura
1.D). Practic, sgeata indic sensul convenional al curentului atunci cnd tranzistorul se
afl n sens normal de conducie.
Dei att emitorul ct i colectorul sunt realizai din acelai tip de semiconductor,
diferena ntre ele const n gradul diferit de dopare, n sensul c emitorul este dopat mult
mai intens dect colectorul i, n consecin, concentraia purttorilor majoritari de sarcin
(electroni pentru semiconductorul de tip N i goluri pentru cel de tip P) este mult mai mare
la nivelul emitorului dect n colector.
Un alt element esenial n construcia i funcionarea unui BJT este reprezentat de
faptul c baza acestuia are o grosime extrem de redus iar nivelul ei de dopare este
extrem de redus (conductivitate redus).
Prin prisma celor prezentate pn n acest punct, printr-o abordare extrem de
simplist, un BJT poate fi asimilat, aa cum este indicat n Figura 2.A i 2.B, cu dou
jonciuni PN conectate n opoziie, aceast aproximare fiind valabil numai n cazul n care
doar una dintre jonciuni este conectat la un circuit exterior, cel de-al treilea terminal fiind
lsat neconectat (n gol).

Figura 2. Structuri echivalente simplificate ale tranzistorului NPN n cazul conectrii

jonciunii baza-emitor (A) sau baz-colector (B) i ne-echivalena structurii n cazul
cuplrii simultane a ambelor jonciuni la circuite externe (C).
Avnd n vedere faptul c, n cazul tranzistoarelor de uz curent, datorit modului de
dopare a semiconductorilor, jonciunea emitor-baz are tensiunea invers de strpungere
relativ redus, de circa 6 V, acesta poate fi asimilat, aa cum este indicat n Figura 2A, cu
o diod Zener.
n cazul n care ambele jonciuni sunt conectate la un circuit exterior, n special n
cazul n care cea baz-emitor este polarizat n sens direct i cea baz-colector n sens
invers, datorit grosimii reduse a bazei, la nivelul structurii apare efectul de tranzistor iar

Electrotehnic i electronic

Curs 5

cele dou jonciuni evocate n modelul simplificator nu mai funcioneaz independent,

circuitul nemaifiind echivalent cu legarea direct, n opoziie, a dou diode (v. Figura 2.C).
innd cont de combinaiile posibile privind modul de polarizare al celor dou
jonciuni, se pot distinge 4 moduri (regimuri) de exploatare ale unui BJT, acestea fiind
sistematizate n Figura 3.

Figura 3. Moduri de funcionare ale unui BJT n funcie de polarizarea, direct sau
invers, a celor dou jonciuni ale acestuia (baz-colector i baz-emitor).
Dintre posibilitile evocate n Figura 3, cea mai frecvent utilizat n montajele de
amplificare este reprezentat de regiunea activ normal (sau regimul / modul activ
normal) caracterizat prin polarizarea jonciunii baz-emitor n sens direct i a celei bazcolector n sens invers. Pentru a explica mai bine funcionarea BJT n acest regim, ne vom
concentra atenia asupra structurii NPN, configuraia PNP avnd acelai comportament,
atta doar c sensul curenilor i tensiunilor precum i rolul purttorilor de sarcin trebuie
inversate.
Pentru cazul concret al unui BJT NPN cu siliciu, msurtorile efectuate n situaia
n care doar jonciunea baz-emitor este polarizat direct, de la o surs de tensiune avnd
valoarea apropiat de tensiunea de prag a jonciunii (colectorul fiind lsat deconectat), scot
n eviden faptul c intensitatea curentului ce strbate emitorul (IE) este egal cu cea a
curentului ce strbate terminalul bazei (IB), fapt prezentat n Figura 4.A. n condiiile
prezentate, valoarea IE este similar celei obinute n cazul unei diode semiconductoare,
urmnd o lege exponenial de forma:
VEB

I E e 2VT 1

(1)

unde VEB reprezint tensiunea aplicat jonciunii baz-emitor iar VT corespunde valorii de
potenial de agitaie termic, avnd pentru Si valoarea aproximativ de 26 mV.
n cazul n care doar jonciunea baz-colector este polarizat invers (emitorul fiind
lsat deconectat), se poate constata c intensitatea curentului ce strbate colectorul (IC) este
egal cu valoarea curentului ce strbate terminalul bazei (IB), fapt ilustrat n Figura 4.B. n
aceste condiii, valoarea IC are o valoare extrem de redus, similar celei obinute n cazul
unei diode semiconductoare polarizate invers. Pentru caracterizarea BJT, aceast valoare
de curent este codificat n cataloage drept ICB0, reprezentnd curentul rezidual (de
scurgere) prin jonciunea baz-colector, pentru o anumit valoare a tensiunii de polarizare
inverse, n condiiile n care emitorul este deconectat.
3

Electrotehnic i electronic

Curs 5

Spre deosebire de aceste prime dou situaii, n care doar cte o singur jonciune
este polarizat, n cazul n care se creeaz condiiile pentru generarea regimului activ
normal de funcionare (conform Figurii 4.C), msurtorile scot n eviden faptul c:
dei jonciunea baz-colector este polarizat invers, curentul de emitor, n loc
s circule prin terminalul bazei, circul, practic, integral prin terminalul
colectorului;
curentul de baz, IB, este mult mai mic dect curenii ce strbat emitorul i
colectorul.

Figura 4. Intensitile curenilor ce strbat un BJT n funcie de modul de polarizare:

direct, doar pentru jonciunea baz-emitor (A); invers, doar pentru jonciunea bazcolector (B); n regim normal activ cu un curent de baz mai redus (C) i mai mare (D) sau
cu baza scurtcircuitat la colector (D).
Mai mult, aa cum se poate observa n cazul exemplului practic descris n Figura
4.D, odat cu creterea polarizrii jonciunii baz-emitor i deschiderea mai avansat a
acesteia, curenii de emitor i de colector cresc, rmnnd, n continuare, practic, egali. n
aceste condiii, spre deosebire de circuitul simplificator cu dou diode (v. Figura 2), se
poate constata c
ntr-un tranzistor, curentul de colector este controlat de tensiunea aplicat pe
jonciunea baz-colector.
De asemenea, dac se reduce tensiunea aplicat jonciunii baz-colector, mergnd
chiar pn la scurtcircuitarea bazei cu colectorul (conform Figurii 4.E), se va putea
constata, experimental, c intensitatea curentului de colector nu se modific, ceea ce ne
permite s facem observaia c:
n regiunea activ normal, curentul de colector este, practic, independent de
tensiunea aplicat jonciunii baz-colector.
Explicaiile tuturor acestor comportamente se bazeaz pe trei aspecte majore:
grosimea extrem de redus a bazei;
gradul diferit de impurificare a fiecrei regiuni;

Electrotehnic i electronic

Curs 5

modul de polarizare al jonciunilor.

Fenomenologia implicat n funcionarea BJT n regim normal activ este ilustrat
elocvent n Figura 5.

Figura 5. Fenomene implicate n funcionarea unui BJT de tip NPN n regim normal activ
i distribuia electronilor ce trec din emitor n zona bazei: (a) electroni pierdui datorit
recombinrii cu goluri; (b) electroni pierdui pentru generarea curentului de baz; (c)
electroni ce difuzeaz, datorit dimensiunii reduse a bazei, din emitor direct pn n zona
de srcire a jonciunii baz-colector; (d) electroni accelerai de ctre cmpul electric
intens al zonei de srcire specific jonciunii baz-colector i captai de ctre colector.
Astfel, aa cum se poate observa i din Figura 5, atunci cnd un BJT de tip NPN
funcioneaz n regim normal activ, au loc urmtoarele fenomene:
prin polarizarea jonciunii baz emitor la o valoare a tensiunii superioare celei de
prag (peste 0.6 V n cazul BJT cu siliciu), aceasta se deschide, determinnd
trecerea electronilor din emitor n baz, unde devin puttori minoritari n
semiconductorul de tip P;
conform teoriei funcionrii unei jonciuni PN, electronii injectai n baz ar trebui
s se recombine cu golurile existente n aceast regiune. n cazul BJT, din cauza
doprii foarte intense a emitorului i, n special, datorit doprii foarte reduse a
bazei, doar o foarte mic parte din electronii injectai de emitor n baz se
recombin cu goluri existente n aceast regiune. Acest recombinare genereaz
fraciunea de curent (a) indicat n Figura 5, care contribuie la formarea curentului
de baz datorit necesitii de a genera noi goluri menite s le suplineasc pe cele
consumate n urma procesului de recombinare.
O alt parte foarte mic dintre electronii injectai de emitor n baz sunt atrai de
armtura metalic a bazei i curg direct spre polul pozitiv al sursei de polarizare,
genernd fraciunea de curent (b) din Figura 5, care contribuie, alturi de curentul
de recombinare (a) la formarea curentului de baz. Trebuie remarcat faptul c, n
general, curentul de baz reprezint, n cele mai multe cazuri, sub 2 5 % din
curentul global ce strbate emitorul, cobornd sub 1 % cazul tranzistoarelor de
mic putere.
Datorit grosimii foarte reduse a bazei, a doprii reduse a acesteia i a acceleraiei
impuse de polarizarea direct a jonciunii baz-emitor, majoritatea electronilor
injectai de emitor n baz ajung pn n zona de srcire a jonciunii baz-colector,
genernd fraciunea de curent (c) indicat n Figura 5. Acest fenomen este facilitat
i de faptul c, prin polarizarea invers a jonciunii baz-colector, regiunea de
srcire specific acesteia se extinde mult n spaiul bazei.
Prin polarizarea invers a jonciunii baz-colector, electronii injectai de emitor i
ajuni n regiunea de srcire a jonciunii baz-colector sunt accelerai ctre
5

Electrotehnic i electronic

Curs 5

colector, fapt desemnat de fraciunea de curent (d) din Figura 5. n acest mod,
electronii capt suficient energie pentru a traversa jonciunea, fiind rapid
colectai de colectorul polarizat pozitiv. Trebuie menionat faptul c acest fenomen
de accelerare i captare este favorizat de creterea valorii tensiunii inverse aplicate
jonciunii baz-colector.
Graie acestui fenomen de accelerare i captare, peste 95 98 % (chiar peste 99 %,
n cazul tranzistoarelor de mic putere) din electronii emii de emitor sunt
transferai colectorului. n plus, acest curent ntre emitor i colector este controlat
de curentul de baz, care este cuprins, uzual, ntre 0.1 i 5% din valoarea curentului
de emitor.
Pe baza fenomenelor descrise anterior se pot defini o serie de parametri i relaii
care descriu funcionarea unui BJT n regim normal activ. Pentru a explicita mai uor
aceti termeni i ecuaii, vom face apel la o structur de tip PNP, pentru care, aa cum este
indicat n Figura 6, direcia transportului purttorilor majoritari (golurilor) corespunde
sensului convenional al curentului electric.

Figura 6. Diagrama curenilor implicai n funcionarea unui BJT de tip PNP n regim
normal activ.
Aa cum se poate observa din Figura 6, pe lng mrimile deja introduse (IE, IC, IB
i ICB0), se definesc 3 noi cureni:
IPE ce corespunde fluxului de purttori de sarcin pozitivi (goluri) de la nivelul
emitorului;
IPC ce corespunde fluxului de purttori de sarcin pozitivi (goluri) de la nivelul
colectorului;
INE ce corespunde fluxului de purttori de sarcin negativi (electroni) de la
nivelul jonciunii baz-emitor.
n primul rnd, aplicnd legea I a lui Kirchhoff att n interiorul tranzistorului ct i
exteriorul acestuia, se poate deduce imediat c:
IE = IPE + INE
(2)
IC = IPC + ICB0
(3)
IE = IC + IB
sau
IB = IE IC
(4)
innd cont de aceste relaii, se pot defini urmtorii parametri:
Eficiena emitorului, notat (arbitrar) cu , definit de relaia:
I
PE
(5)
IE
Factorul de transport, notat cu *, definit de relaia:
I
* PC
(6)
I PE
6

Electrotehnic i electronic

Curs 5

Amplificarea n curent (pentru conexiunea cu baz comun), notat cu , definit

de relaia:
I I
C CB 0
(7)
IE
Pentru toi aceti noi parametri, valoarea ideal trebuie s fie unitar, ns, n
practic, acetia se apropie doar de 1, avnd valori cuprinse ntre 0.95 i 0.99.
Pornind de la relaia (7) se poate deduce ecuaia de baz ce leag curentul de emitor
de cel de colector, descris de relaia:
I C I E I CB 0
(8)
innd cont de faptul c, n cazul tranzistoarelor de ultim generaie, ICB0 are valori
extrem de reduse, acesta se poate neglija n raport cu IC, relaia (8) putnd fi aproximat de
ecuaia:
IC
I C I E sau
IE
(9)

1.2.

Conexiuni fundamentale pentru exploatarea tranzistorului

Aa cum se poate intui din cele prezentate anterior, principala utilizare a
tranzistoarelor bipolare este reprezentat de amplificarea semnalelor electrice. Privind
lucrurile prin aceast prism, pentru exploatarea unui BJT se pot defini trei moduri
fundamentale de conexiune, n funcie de terminalul tranzistorului care, din punct de
vedere al semnalului alternativ pe care l amplific, este comun att circuitului de intrare
ct i circuitului de ieire. Aceste trei tipuri de conexiuni sunt descrise n cele ce urmeaz
1.2.1. Conexiunea cu emitorul comun
Acest tip de conexiune, notat prescurtat CEC, reprezint configuraie cea mai
frecvent utilizat pentru exploatarea BJT, fiind aplicat n cazul circuitelor de amplificare,
de comutaie sau digitale, ea oferind ctiguri bune att n curent, ct i n tensiune i,
implicit, n putere. Aa cum se poate observa din Figura 7.A, circuitul de intrare, la care se
aplic semnalul de intrare VIN, este circuitul baz-emitor, iar circuitul de ieire este
colector-emitor.

Figura 7. Reprezentarea schematic a CEC fr (A) i cu rezisten de emitor (B).

Pentru amplificarea semnalelor de c.a., n schema bazat pe CEC se utilizeaz
condensatoarele de intrare i de ieire, CI i CO, necesare pentru separarea componentei
alternative de cea continu pentru semnalele de intrare i de ieire, VIN, respectiv VOUT. De
asemenea, n circuit este inclus rezistena de colector, R C, cu rol de rezisten de sarcin,
de limitare a curentului prin tranzistor i de a stabili regimul static de funcionare al
7

Electrotehnic i electronic

Curs 5

acestuia. Pe lng acesta, rezistenele RB1 i RB2 au rolul de a polariza baza la un potenial
care s aduc tranzistorul n regim activ normal de funcionare, ntregul montaj fiind
alimentat de la sursa de c.c., VCC.
Deoarece modificarea temperaturii jonciunii baz-emitor poate induce modificri
semnificative ale punctului static de funcionare al tranzistorului, pentru a nltura acest
neajuns, se poate recurge la introducerea, n serie cu emitorul, a rezistenei suplimentare
RE, care dicteaz, n mare msur, curentul iniial prin emitor. Pentru a menine, totui, din
punct de vedere al curentului alternativ, emitorul la mas, n paralel cu R E se monteaz
condensatorul CE care, practic, unteaz emitorul la mas.
innd cont de structura configuraiei, CEC se caracterizeaz prin:
Rezisten de intrare de valoare relativ mic (0.5 1.5 k), intrarea realizndu-se
pe jonciunea baz-emitor polarizat direct.
Rezisten de ieire de valoare relativ mare (de pn la 50 k sau chiar mai mult),
ieirea realizndu-se pe jonciunea baz-colector polarizat invers.
n alt ordine de idei, aa cum se poate observa tot din Figura 7, semnalul de ieire
este amplificat n raport cu cel de intrare iar defazajul ntre ele este de 180 o, deci, practic,
semnalul de ieire este inversat n raport cu cel de intrare.
Prin scrierea ecuaiilor pentru circuitul de intrare i cel de ieire, se poate constata
c eseniali pentru caracterizarea funcionrii CEC sunt curenii de baz i de colector,
relaia dintre ei fiind de forma:

1
IC
IB
I CB 0
(10)
1
1
Ctigul global al etaj de amplificare (sau amplificarea) este dat() de raportul ntre
semnalul de intrare i cel de ieire. n acest context, cazul etajului de amplificare echipat
cu BJT n CEC, se definete factorul de amplificare, , dat de relaia:
I
C sau
(11)
I B
1
Introducnd relaia (11) n ecuaia (10) se obine:
IC I B

1
I CB 0
1

(12)

Variabila pune n concordan modificrile curentului de colector n raport cu

variaia curentului de baz i, dac se ignor ICB0, factorul de amplificare este raportul ntre
curentul de colector i cel din baz.
1.2.2. Conexiunea cu baza comun
Acest tip de conexiune, notat prescurtat CBC, este similar celui utilizat n capitolul
1.1, cu deosebirea c, pentru a putea aplica i culege semnalele de intrare i de ieire,
circuitul este completat cu o serie de noi componente, reprezentarea schematic a acestui
tip de configuraie fiind redat n Figura 8.
Aa cum se poate observa din Figura 8.A, CBC n varianta ei clasic prezint
dezavantajul de a necesita 2 surse de alimentare, VEB pentru polarizare jonciunii bazemitor i VCB pentru polarizare jonciunii colector-baz. Pe lng acestea, n schem sunt
necesare condensatoarele de intrare i de ieire, CI i CO, utilizate pentru separarea
componentei alternative de cea continu pentru semnalele de intrare i de ieire, V IN,
respectiv VOUT. De asemenea, s-au introdus rezistenele de emitor i de colector, R E i RC,
cu rol de a limita curentul prin tranzistor i de a stabili regimul static de funcionare al
acestuia.

Electrotehnic i electronic

Curs 5

Figura 8. Reprezentarea schematic a configuraiei CBC cu dou surse de alimentare (A)

i o singur surs de alimentare.
Pentru a elimina necesitatea utilizrii a dou surse de alimentare, montajul n CBC
poate fi modificat aa cum este indicat n Figura 8.B, prin eliminarea sursei V EB i
introducerea suplimentar n circuit a componentelor R B1, RB2 i CB. Cele dou noi
rezistene au rolul de a polariza baza la un potenial care s aduc tranzistorul n regim
activ normal de funcionare, iar condensatorul CB unteaz, practic, baza la mas din
punct de vedere al curentului alternativ.
n alt ordine de idei, aa cum se poate observa tot din Figura 8.A, semnalul de
ieire este amplificat n raport cu cel de intrare, defazajul ntre ele fiind nul.
Acest tip de conexiune este utilizat n cazul n care se cere amplificare n tensiune
mare i rezisten de intrare mic, ca n cazul amplificatoarelor de microfon sau al celor de
anten pentru semnale de RF.
Amplificarea n curent a montajului n CBC este asemntoare montajului cu CEC,
definindu-se prin relaia:
I
C
(13)
I E
iar relaia ntre i este dat de ecuaia:

(14)

1.2.3. Conexiunea cu colectorul comun

La acest tip de conexiune, notat prescurtat CCC i ilustrat n Figura 9, intrarea se
face ntre baz i colector, iar semnalul de ieire se culege ntre emitor i colector.

Figura 9. Reprezentarea schematic a CCC

Aa cum se poate observa din Figura 9, CCC conine un numr redus de
componente, semnificaia i rolul acestora fiind descrise la configuraiile anterioare.

Electrotehnic i electronic

Curs 5

Spre deosebire de montajele cu CEC i CBC, la cel cu CCC se poate constata c

semnalul de ieire este n faz cu cel de intrare, ns amplitudinea celor dou este egala,
deci, practic, nu avem o amplificare n tensiune. Cu toate acestea, montajul cu CCC este
larg utilizat n practic deoarece el permite translatarea unui semnal de la o impedan
ridicat (cuprins ntre 2 i 500 k) la una sczut (ce poate fi cuprins ntre 1 i 1500 ),
fiind consacrat ca i adaptor de impedan. Dei ctigul n curent al montajului n CCC
este mare, ctigul de putere este mai redus dect n cazul celorlalte dou configuraii.
Amplificarea n curent, , specific montajului n CCC este dat de relaia:
I
E
(15)
I B
iar legtura dintre amplificarea n curent pentru CEC i CCC este dat de relaia:
1
(16)
Indiferent de configuraia n care este exploatat un BJT, ntre parametrii ce definesc
aceste modaliti de conectare exist relaia (15), la care se mai adaug relaiile (11) i
(14).
La final, n Tabelul 1, se poate face o comparaie ntre parametrii montajelor bazate
pe exploatarea celor trei moduri fundamentale de conectare a unui BJT.
Tabelul 1. Comparaie ntre parametrii montajelor bazate pe exploatarea celor trei
moduri fundamentale de conectare a unui BJT

1.3.

Caracteristica BJT
nainte de a trece la descrierea altor componente multi-jonciune, trebuie menionat
faptul c, aa cum indicam n Figura 3, BJT poate fi exploatat i n alte moduri, care pot fi
corelare cu dependena curentului de colector de tensiunea aplicat jonciunii baz-colector
i curentul impus prin baz, acest corelaie fiind ilustrat n Figura 10 pentru configuraia
CEC.
Aa cum se poate observa din Figura 10, dac tensiunea baz-emitor este mai mic
dect valoarea tensiunii de prag, atunci curentul de baz este 0 i, drept urmare, singurul
curent care circul prin circuit este ICB0 care poate fi, cel mai adesea, neglijat. n aceste
condiii, se consider c tranzistorul funcioneaz n regiunea de tiere (sau de blocare),
zona fiind situat sub dreapta generat la IB = 0.
O alt situaie extrem care poate fi pus n eviden pe caracteristica din Figura 10
este reprezentat de zona n care ambele jonciuni sunt polarizate direct, sau, cum se poate
observa de pe grafic, tensiunea de pe jonciunea baz-colector este mai mic sau egal cu
cea aplicat jonciunii baz-emitor. Practic, n acest zon, denumit i regiune de
saturaie, curentul prin colector este limitat de circuitul exterior, nemaifiind proporional cu
10

Electrotehnic i electronic

Curs 5

IB. Limita acestei regiuni se poate defini de condiiile: IB > 0 i IC < IB, acest regim de
lucru fiind exploatat intens n cadrul circuitelor digitale i al celor cu funcionare n
comutaie.

Figura 10. Dependena curentului

de colector a unui BJT n funcie de
tensiunea aplicat ntre colector i
emitor i curentul impus prin baz
n configuraia CEC.
Conform diagramei din Figura 10, regiunea activ normal este situat n cadranul I,
ntre regiunea de tiere i cea de saturaie, zon n care se observ o dependen a
curentului de colector de curentul impus prin baz.
Din pcate, n practic, regiunea activ normal nu se extinde nelimitat n cadranul
I, existnd o serie de limite (indicate n Figura 11) care, odat depite, pot conduce la
defectarea iremediabil a BJT.

Figura 11. Domeniul

funcionare al unui BJT.

sigur

de

Aceste limite sunt reprezentate de:

segmentul orizontal corespunztor curentului maxim prin colector, IC, MAX, pe care
l poate suporta tranzistorul fr s se defecteze;
segmentul vertical corespunztor tensiunii maxime ce poate fi aplicat ntre
colector i emitor, UCE, MAX, la care nu apare fenomenul de strpungere;
curba corespunztoare puterii maxime disipate, PD, MAX, valoare dat de produsul
ntre curentul de colector, IC, i tensiunea ntre colector i emitor, UCE, putere pe

11

Electrotehnic i electronic

Curs 5

care tranzistorul o poate disipa fr a atinge o temperatur periculoas pentru

integritatea sa.
Parametrii UCE, MAX, IC, MAX i PD, MAX, alturi de ICBO, i frecvena de tranziie (sau
de tiere, fT) reprezint principalii parametri care caracterizeaz un tranzistor i l fac apt
pentru o aplicaie sau alta, cteva exemple privind cteva dintre cele mai populare
tranzistoare fiind prezentate n Tabelul 2.
Tabelul 2. Principalii parametri ai ctorva BJT extrem de populare i aplicaiile lor
U
I
PD, MAX ICBO
fT
Model CE, MAX C, MAX

Aplicaii
[V]
[A]
[W]
[A]
[MHz]
BJT de mic putere pt.
BC107
50
0.2
0.3
15 nA 110460 150
aplicaii generale i AF
BJT de medie putere pt.
BD139
80
2
8
10 A 25250 190
aplicaii generale i AF
BJT de mare putere pt.
2N3055
70
15
15
1 mA 2070
3
aplicaii generale i AF
BJT de medie putere,
BF259
300
0.1
5
50 nA
25
50
nalt tensiune, video.
BJT de mare putere, nalt
BUT11A 1000
5
83
1 mA 1035
0.1
tensiune, surse
2.

Tranzistorul cu efect de cmp i jonciune

n general, tranzistoarele cu efect de cmp denumite generic FET (de la denumirea
englez Field Effect Transistor) sunt dispozitive electronice unipolare, n sensul c
transportul curentului electric prin aceste dispozitive se face prin intermediul unui singur
tip de purttori de sarcin. Principiul de funcionare al acestor dispozitive este relativ
simplu, constnd n aplicarea pe electrodul gril al dispozitivului un potenial care are ca
efect modificarea rezistenei unei regiuni din semiconductor, denumit canal. Capetele
canalului poart denumirea de surs i dren, fiind analoage emitorului i colectorului din
cazul BJT. n mod similar, grila unui FET poate fi asimilat cu baza unui BJT. Un exemplu
privind construcia unui FET cu canal N este prezentat n Figura 12, alturi de simbolurile
utilizate pentru acest tip de componente.

Figura 12. Reprezentarea schematic a structurii unui FET cu canal N i simbolurile

utilizate pentru acest tip de componente

12

Electrotehnic i electronic

Curs 5

Aa cum se poate observa din Figura 12, de o parte i de alta a canalului de tip N
sunt implantate dou regiuni de tip P, care constituie grila dispozitivului. Deoarece la
contactul ntre cele dou tipuri de semiconductoare ia natere o jonciune PN, dispozitivul
poart denumirea de tranzistorul cu efect de cmp i jonciune, iar denumirea lui
prescurtat este JFET (de la Junction Field Effect Transistor).
Principiul de funcionare al unui JFET cu canal N este ilustrat n Figura 13.

Figura 13. Evoluia zonei de srcire n interiorul canalului de tip N odat cu creterea tot
mai avansat a tensiunii inverse aplicate pe gril.
Aa cum se poate observa din Figura 13, polarizarea invers tot mai avansat a
grilei determin lrgirea tot mai accentuat a zonei de srcire, ajungndu-se n situaia n
care canalul este complet golit de purttori de sarcin, blocnd trecerea curentului electric.
Potenialul pentru care are loc blocarea canalului poart numele de tensiune de blocare
sau tensiune de prag, notat VP. Conectarea n circuit a unui JFET este ilustrat n Figura
14.

Figura 14. Modul de conectare al unui JFET n circuit (a) i schema echivalent (b).
Prin conectarea unei surse de curent ntre surs i dren, curentul ce strbate
canalul este controlat de polarizarea jonciunii gril-surs. Astfel, n cazul unui canal de tip
N, curentul de electroni ce strbate canalul este maxim pentru o polarizare invers minim
a grilei i poate fi redus la 0 prin creterea tensiunii inverse aplicate.
Avnd n vedere faptul c la transportul curentului electric particip un singur fel
de purttori de sarcin i c acetia nu trebuie s strbat nici o jonciuni, teoretic, canalul
poate fi polarizat n orice direcie, funcionnd ca o rezisten variabil comandat de
tensiunea aplicat pe gril, VGS. Din pcate, aa cum se poate observa din Figura 15, acest

13

Electrotehnic i electronic

Curs 5

comportament pur ohmic se manifest doar pentru un interval restrns al valorilor

tensiunii, VDS, aplicate ntre dren i surs, pentru care se definete o Zon ohmic.

Figura 15. Caracteristica ideal de funcionare a unui JFET

Odat depit aceast zon, tranzistorul JFET se comport similar unei triode
(Zona de triod), dup care, intr n zona de saturaie, n care, teoretic, curentul prin
dren, ID, este independent de VDS. Grania ntre zona de triod i cea de saturaie este
reprezentat de o curb a crei ecuaie este de forma:
|VDS| = |VP| - |VGS|
(17)
Odat cu depirea unei tensiuni critice dren-surs, curentul crete brusc,
tranzistorul intrnd n zona de strpungere, n care potenialul aplicat grilei nu mai poate
controla curentul prin dren.
Dat fiind principul de funcionare al JFET, care necesit o surs suplimentar
pentru negativarea grilei, acest tip de tranzistoare se utilizeaz cu precdere n montajele
de semnal mic i de mic putere, de la aplicaii de c.c. pn la aplicaii de radiofrecven
(RF) pn la o frecven de maxim 700 MHz, un exemplu n acest sens fiind tranzistorul
BF245.
La final trebuie reamintit faptul c, n comparaie cu BJT, tranzistorul JFET
prezint marele avantaj c, pentru corecta sa funcionare, jonciunea gril-surs trebuie
polarizat invers, ceea ce i confer o rezisten de intrare imens (de ordinul a 10 8 ) iar
curentul prin gril se rezum la curentul se scurgere al jonciunii, de ordinul a 5 nA.
3.

Tranzistorul cu efect de cmp i gril izolat

Acest tip de tranzistor, cunoscut sub numele de MOSFET (prescurtarea de Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) i bazeaz funcionarea pe crearea ntr-un
semiconductor a unei zone (sau canal) de inversie datorit unui cmp electric exterior.
Pentru a nelege funcionarea tranzistorului MOSFET, n Figura 16 sunt descrise
fenomenele care au loc la nivelul unui condensator de tip MOS.

14

Electrotehnic i electronic

Curs 5

Figura 16. A) Structura unui condensator MOS (Metal/Oxid/Semiconductor); B)

Condensator MOS polarizat.
Aa cum se poate observa din Figura 16.A, un condensator MOS este alctuit dintrun eantion de material semiconductor (de tip P, n cazul nostru) acoperit de un strat
subire de izolator din SiO2, peste care este depus un strat metalic. n momentul n care
acest condensator este polarizat ca n Figura 16.B, n prim instan, sub stratul de oxid din
dreptul armturii metalice se creeaz o zon de srcire prin respingerea golurilor de ctre
cmpul electric. Crescnd i mai mult polarizarea, dup depirea unei tensiuni de prag,
VP, zona de srcire se deplaseaz spre interiorul semiconductorului iar electronii din
acesta sunt atrai n zone adiacent stratului de oxid, dnd natere unei zone de inversie, n
sensul c electronii devin purttori majoritari ntr-un semiconductor de tip P.
Pentru construcia propriu-zis a tranzistorului MOSFET, aa cum se poate observa
din Figura 17.A, se pornete de la un eantion de substrat semiconductor de tip P n care se
formeaz, prin difuzie, dou regiuni de tip N puternic dopate, constituind sursa i drena
tranzistorului. Suprafaa semiconductorului cuprins ntre surs i dren se acoper cu un
strat de izolator (oxid), peste care se depune o pelicul metalic ce constituie grila
tranzistorului.
Contactul la substrat constituie baza tranzistorului care, n mod obinuit, se
conecteaz intern la sursa acestuia, constituind punctul de referin pentru poteniale.
n funcie de natura zonei de inversie ce ia natere la interfaa oxid/semiconductor
se pot construi tranzistoare MOSFET:
cu canal indus, ce apare n substrat numai dup aplicarea unei tensiuni electrice
ntre gril i acesta, tranzistorul rezultat purtnd denumirea de MOSFET cu canal
indus.
cu canal iniial, format prin doparea corespunztoare a suprafeei
semiconductorului de sub stratul de oxid, tranzistorul rezultat purtnd denumirea
de MOSFET cu canal iniial.

Figura 17. A) Structura unui tranzistor MOSFET; B) Tranzistor MOSFET polarizat.

Conectnd tranzistorul MOSFET n circuit aa cum este indicat n Figura 17.B,
odat cu depirea tensiunii de prag, VP, electronii sunt atrai n zona de inversie,
15

Electrotehnic i electronic

Curs 5

asigurnd circulaia curentului ntre dren i surs. Bineneles, intensitatea curentului ce

strbate canalul este controlat de tensiunea aplicat grilei, VGS. Caracteristicile de intrare
i de ieire ale unui tranzistor de tip MOSFET sunt prezentate n Figura 18.

Figura 18. A) Caracteristica de intrare a unui MOSFET; B) Caracteristica de ieire a unui

MOSFET.
Aa cum se observ din Figura 18.A, pentru a determina trecerea curentului ntre
dren i surs, tensiunea ntre gril i surs trebuie s depeasc V p, iar caracteristica
ulterioar este una neliniar.
n ceea ce privete caracteristica de ieire, aa cum se poate observa din Figura
18.B, dup o foarte ngust zon ohmic, tranzistorul intr n regiunea de saturaie, n care
curentul variaz relativ puin cu creterea tensiunii dren-surs, panta acestor dependene
depinznd de tensiunea aplicat pe gril.
Odat cu inventarea tranzistoarelor MOSFET, acestea s-au impus rapid n industria
electronic, datorit unor avantaje majore, printre care menionm:
Fa de tranzistorul JFET, potenialul aplicat grilei unui MOSFET pentru aducerea
acestuia n conducie are aceeai polaritate ca i potenialul aplicat drenei, deci se
poate utiliza o singur surs de alimentare att pentru polarizarea grilei, ct i a
drenei.
Lipsa unei jonciuni la nivelul grilei permite obinerea unor cureni de gril infimi,
de ordinul a 10-9 A.
Rezistene extrem de reduse n stare de conducie, ajungndu-se la valori sub 0.1
n cazul tranzistoarelor de putere.
Tensiuni de strpungere de valori foarte mari, de pn la 1000 V
Cureni de dren extrem de mari, de ordinul a 100-200 A.
Printre cele mai populare tranzistoare de tip MOSFET se numr modele IFR540 i
IFR510, utilizate n sursele de putere destinate echipamentelor informatice.

16