Universidad de Costa Rica

Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Elctrica
Departamento de Electrnica y Telecomunicaciones

IE 0408 Laboratorio Elctrico II

Prereporte de Laboratorio
Prereporte Especial

Convertidor DC-DC Flyback

04
GRUPO:
INTEGRANTES: Juan Manuel Arteaga

PERIODO:
Fecha Entrega:
Profesora:
Grupo de LAB:

A30536
Luis Diego Goldoni Garca A32166
II Semestre de 2007
Jueves 1 de Noviembre 2007
Luca Acua
02

TABLA DE CONTENIDO
ndice de Figuras... iii
ndice de Tablas. iv

1) Nota Terica .................................................................................................. 1

1.1. Generalidades Convertidores DC-DC.................................................................................. 1
1.1.1
Convertidor DC a DC.............................................................................................. 1
1.1.2
Convertidor Boost ................................................................................................... 1
1.1.3 Convertidor Buck ........................................................................................................... 3
1.1.4
Convertidor Buck Boost........................................................................................ 3
1.2. Convertidores con Aislamiento (Flyback) ........................................................................... 5
1.2.1
Convertidor Flyback................................................................................................ 5
1.3. Aplicaciones de un Convertidor Flyback ............................................................................. 7
1.4. Transformadores de Alta Frecuencia ................................................................................... 7
1.5. Transistores .......................................................................................................................... 8
1.5.1
Transistor de unin bipolar BJT.............................................................................. 8
1.5.2
Transistor de efecto de campo de unin JFET ........................................................ 8
1.5.3
MOSFET ................................................................................................................. 9
1.5.4
Transistor IGBT .................................................................................................... 10

2) Objetivos ...................................................................................................... 12
2.0.1 Objetivos Especficos....................................................................................................... 12

3) Equipo .......................................................................................................... 13
4) Diseo........................................................................................................... 14
5) Procedimiento.............................................................................................. 32
6) Bibliografa .................................................................................................. 34
7) Anexos .......................................................................................................... 35

ndice de Figuras
Fig. 1: Esquema bsico de un convertidor Boost. [4]............................................................................ 1
Fig. 2: Las dos configuraciones de un Boost. [4]................................................................................... 2
Fig. 3: Esquema bsico de un convertidor Buck. [6] ............................................................................ 3
Fig. 4: Las dos configuraciones de un Buck. [6] ................................................................................... 3
Fig. 5: El esquemtico bsico de un convertidor buck-boost. [7] ......................................................... 4
Fig. 6: Esquemtico de un Convertidor Buck-Boost. [7] ...................................................................... 4
Fig. 7: Ambos estados de operacin de un convertidor Buck-Boost. [7].............................................. 4
Fig. 8: Diagrama del convertidor Flyback [5]....................................................................................... 5
Fig. 9: Las dos configuraciones de un Flyback. [5]............................................................................... 6
Fig. 10: Transistor de unin bipolar. [8]............................................................................................... 8
Fig. 11: Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E) [10].......... 10
Fig. 12: Seccin de un IGBT [10] ........................................................................................................ 11
Fig. 13: Circuito equivalente de un IGBT [10] ................................................................................... 11
Figura d1 Convertidor Flyback .......................................................................................................... 14
Figura d2: Estado 1 MCC ................................................................................................................... 15
Figura d3: Estado 2 MCC ................................................................................................................... 16
Figura d4: Forma de onda del inductor equivalente MCC ................................................................ 17
Figura d5: Forma de onda del voltaje en el capacitor. ....................................................................... 18
Figura d6: Tercer estado de MCD ...................................................................................................... 20
Figura d7: Forma de onda de corriente en el inductor MCD ............................................................ 21
Figura d8: Forma de onda de corriente en el diodo MCD ................................................................. 21
Figura d9: Estado 1 MCC con prdidas ............................................................................................. 23
Figura d10: Estado 2 MCC con prdidas ........................................................................................... 24
Figura d11: Estado 3 en MCD con prdidas....................................................................................... 26
Figura d12: Circuito a implementar en caso especfico...................................................................... 30
Figura d13: Salida del circuito diseado............................................................................................. 30
Figura d14: Forma de onda de la corriente en el transformador ...................................................... 31

ndice de Tablas
Tabla 1. Lista de equipo. .................................................................................................................... 13
Tabla 2. Componentes ......................................................................................................................... 13
Tabla d1: Muestreo de distintas cargas, con ajuste de D para tener una fuente de 4V..................... 29
Tabla 3: Eficiencia del Transformador para varias frecuencias........................................................ 32
Tabla 4: RQON /// 3 Transistores ....................................................................................................... 32
Tabla 5: Vd .......................................................................................................................................... 32
Tabla 6: Prdidas C/transistor. Tres dif. Frecuencias........................................................................ 32
Tabla 7: Eficiencia C/transistor. Tres dif. Frecuencias. ..................................................................... 33
Tabla 8: Comparacin Modelo Real/Terico, por C/Transistor. Tres dif. Frecuencias.................... 33
Tabla 9: Porcentaje de Error. ............................................................................................................. 33

IE-0408

Convertidor DC-DC Flyback

1) Nota Terica
1.1. Generalidades Convertidores DC-DC
1.1.1 Convertidor DC a DC
Se llama convertidor DC-DC a un dispositivo que transforma corriente continua de una
tensin a otra. Suelen ser reguladores de conmutacin, dando a su salida una tensin regulada y, la
mayora de las veces con limitacin de corriente. Se tiende a utilizar frecuencias de conmutacin
cada vez ms elevadas porque permiten reducir la capacidad de los condensadores, con el
consiguiente beneficio de volumen, peso y precio.
Ventajas de utilizar convertidores DC-DC
Simplifican la alimentacin de un sistema, porque permiten generar las tensiones donde se
necesitan, reduciendo la cantidad de lneas de potencia necesarias. Adems permiten un mejor
manejo de la potencia, control de corrientes de entrada, reduccin de armnicas y un aumento en la
seguridad. Tienen gran eficiencia.
Inconvenientes
Generan ruido, No slo en la alimentacin regulada, sino que a travs de su lnea de entrada
se puede propagar al resto del sistema. Tambin se puede propagar por radiacin. Frecuencias ms
altas simplifican el filtrado de este ruido.

1.1.2 Convertidor Boost

Fig. 1: Esquema bsico de un convertidor Boost. [4]

El interruptor suele ser un MOSFET, IGBT o BJT.

El convertidor Boost (o elevador) es un convertidor de potencia que obtiene a su salida una
tensin continua mayor que a su entrada. Es un tipo de fuente de alimentacin conmutada que
contiene al menos dos interruptores semiconductores y al menos un elemento para almacenar
energa. Frecuentemente se aaden filtros construidos con inductores y condensadores para mejorar
el rendimiento.
Un conector de suministro de energa habitual normalmente no se puede conectar
directamente a dispositivos como ordenadores, relojes o telfonos. La conexin de suministro genera
una tensin alterna (AC) y los dispositivos requieren tensiones continuas (DC). La conversin de
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Convertidor DC-DC Flyback

potencia permite que dispositivos de continua utilicen energa de fuentes de alterna, este es un
proceso llamado conversin AC a DC y en l se usan convertidores AC a DC como rectificadores.
La energa tambin puede provenir de fuentes DC como bateras, paneles solares,
rectificadores y generadores DC, pero ser de niveles inadecuados. El proceso de cambiar una tensin
de continua a otra diferente es llamado conversin DC a DC. Un convertidor Boost es uno de los
tipos de convertidores DC a DC. Presenta una tensin de salida mayor que la tensin de la fuente,
pero la corriente de salida es menor que la de entrada.
Estructura y funcionamiento

Fig. 2: Las dos configuraciones de un Boost. [4]

(a) La energa se transfiere de la fuente a la bobina y del condensador a la carga. (b) la energa
se transfiere de la fuente y de la bobina al condensador y a la carga.
El principio bsico del convertidor Boost consiste en dos estados distintos dependiendo del
estado del interruptor S:
Cuando el interruptor est cerrado (On-state) la bobina L almacena energa de la fuente, a la
vez la carga es alimentada por el condensador C.
Cuando el interruptor est abierto (Off-state) el nico camino para la corriente es a travs del
diodo D y circula por el condensador (hasta que se carga completamente) y la carga.
Aplicaciones
Generalmente los sistemas alimentados por bateras necesitan apilar varias bateras en serie
para aumentar la tensin. Sin embargo a veces no es posible conectar varias bateras en serie por
razones de peso o espacio. Los convertidores Boost pueden incrementar el voltaje y reducir el
nmero de pilas.
Algunas aplicaciones que usan convertidores Boost son vehculos hbridos (por ejemplo el
Toyota Prius) y sistemas de alumbrado.

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Convertidor DC-DC Flyback

1.1.3 Convertidor Buck

Fig. 3: Esquema bsico de un convertidor Buck. [6]

El interruptor suele ser un MOSFET, IGBT o BJT.

El convertidor Buck (o reductor) es un convertidor de potencia que obtiene a su salida una
tensin continua menor que a su entrada. El diseo es similar a un convertidor elevador o Boost,
tambin es una fuente conmutada con dos dispositivos semiconductores (transistor S y diodo D), un
inductor L y opcionalmente un condensador C a la salida.
La forma ms simple de reducir una tensin continua (DC) es usar un circuito divisor de
tensin, pero los divisores gastan mucha energa en forma de calor. Por otra parte, un convertidor
Buck puede tener una alta eficiencia (superior al 95% con circuitos integrados) y autorregulacin.
Estructura y funcionamiento

Fig. 4: Las dos configuraciones de un Buck. [6]

(a) La energa se transfiere de la fuente a la bobina al condensador y a la carga. (b) la energa

se transfiere de la bobina y el condensador a la carga.
El funcionamiento del conversor Buck es sencillo, consta de un inductor controlado por dos
dispositivos semiconductores los cuales alternan la conexin del inductor bien a la fuente de
alimentacin o bien a la carga.

1.1.4 Convertidor Buck Boost

Existen dos diferentes topologas que se les llama Convertidor Buck-Boost.
La topologa inversora. El voltaje de salida tiene signo contrario a la entrada.
Un Convertidor Buck seguido de un Boost. El voltaje de salida tiene el mismo signo que
la entrada y puede ser ms alto a bajo que sta.
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Convertidor DC-DC Flyback

El convertidor buck-boost es un tipo de convertidor DC-DC cuya magnitud del voltaje de

salida es menor o mayor al voltaje de entrada. Es una fuente de poder con un switch y una topologa
del circuito similar a la de un convertidor Buck o Boost. El voltaje de salida es ajustable basndose
en el ciclo de trabajo del transistor cambiante.
Una posible desventaja de este convertidor es que el switch no tiene un terminal a tierra y
esto complica la circuitera. Adems, la polaridad del voltaje de salida es opuesta al voltaje de
entrada. Pero ningn inconveniente presenta problemas si la fuente de poder se asla de la carga del
circuito (si, por ejemplo, la fuente es una batera) as como la fuente y el diodo simplemente se
invierten y el switch se coloca a tierra.

Fig. 5: El esquemtico bsico de un convertidor buck-boost. [7]

Principio de Operacin:

Fig. 6: Esquemtico de un Convertidor Buck-Boost. [7]

Fig. 7: Ambos estados de operacin de un convertidor Buck-Boost. [7]

Cuando el switch est en ON, la fuente del voltaje de entrada suministra la corriente al
inductor y el capacitor suministra corriente a la resistencia (carga de salida). Cuando el switch se

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Convertidor DC-DC Flyback

abre (la energa suministrada est almacenada en el inductor), el inductor suministra la corriente a la
carga va el diodo D.
El principio bsico de un convertidor Buck-Boost, es bastante simple:
Mientras el interruptor est cerrado (ON-State), el voltaje de entrada se conecta directamente
con el inductor (L). Esto causa una acumulacin de energa en L. En esta etapa, el capacitor
suministra energa a la carga de salida.
Mientras el interruptor est abierto (OFF-State), el inductor se conecta a la carga de salida y
al capacitor, as la energa se transmite desde L hacia C y R.
Comparado a los convertidores Buck y Boost, las caractersticas de un convertidor BuckBoost son principalmente:
La polaridad del voltaje de salida es opuesta al voltaje de entrada.
El voltaje de salida puede variar continuamente desde 0 hasta
(para un convertidor
ideal). Los rangos del voltaje de salida para un buck y un boost son respectivamente 0
hasta Vi y Vi hasta .

1.2. Convertidores con Aislamiento (Flyback)

1.2.1 Convertidor Flyback

Fig. 8: Diagrama del convertidor Flyback [5]

El convertidor Flyback es un convertidor DC a DC con aislamiento galvnico entre la

entrada y la(s) salida(s). Tiene la misma estructura que un convertidor Boost con un transformador
en lugar de un inductor. Gracias a ello se pueden alcanzar altos ratios de conversin. Debido a las
limitaciones intrnsecas este convertidor solo se usa en aplicaciones de baja potencia.

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Convertidor DC-DC Flyback

Estructura y funcionamiento

Fig. 9: Las dos configuraciones de un Flyback. [5]

(a) La energa se transfiere de la fuente al transformador y del condensador a la carga.

(b) la energa se transfiere del transformador al condensador y a la carga.
El diagrama del convertidor Flyback se muestra en la figura 8. Como se ha mencionado
antes, es equivalente a un convertidor boost con un transformador en vez de un inductor. Por lo tanto
el principio de funcionamiento de ambos es parecido:
Cuando el interruptor est activado (diagrama superior de la figura 9), la bobina primaria del
transformador est conectada directamente a la fuente de alimentacin. Esto provoca un incremento
del flujo magntico en el transformador. La tensin en el segundario es negativa, por lo que el diodo
est en inversa (bloqueado). El condensador de salida es el nico que proporciona energa a la carga.
Cuando el interruptor est abierto (diagrama inferior de la figura 9) la energa almacenada en el
transformador es transferida a la carga y al condensador de salida.
Limitaciones
La transferencia de energa requiere un ncleo del transformador mayor que otros
convertidores.
Comparado con otras topologas, el interruptor debe soportar voltajes ms altos.

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1.3. Aplicaciones de un Convertidor Flyback

Fuentes de alimentacin conmutadas de baja potencia como cargadores de bateras de

telfonos mviles, fuentes de alimentacin de PCs, etc.
Generacin de grandes tensiones para tubos de rayos catdicos en televisiones y
monitores.
Sistemas de ignicin en motores de combustin interna.

1.4. Transformadores de Alta Frecuencia

La ferrita en la metalurgia se denomina hierro alfa. Cristaliza en el sistema cbico y se
emplea en la fabricacin de: imanes permanentes aleados con cobalto y bario; en ncleos de
inductancias y transformadores con nquel, cinc o manganeso, ya que en ellos quedan eliminadas
prcticamente las Corrientes de Foucault o de Eddy.
Las ferritas son materiales cermicos ferromagnticos, compuestos por hierro, boro y bario,
estroncio o molibdeno.
Las ferritas tienen una alta permeabilidad magntica, lo cual les permite almacenar campos
magnticos con ms fuerza que el hierro. Las ferritas se producen a menudo en forma de polvo, con
el cual se pueden producir piezas de gran resistencia y dureza, previamente moldeadas por presin y
luego calentadas, sin llegar a la temperatura de fusin, dentro de un proceso conocido como
sinterizacin. Mediante este procedimiento se fabrican ncleos para transformadores, bobinas y otros
elementos elctricos o electrnicos.
Transformador de ncleo de aire. En aplicaciones de alta frecuencia se emplean bobinados
sobre un carrete sin ncleo o con un pequeo cilindro de ferrita que se introduce ms o menos en el
carrete, para ajustar su inductancia.
A niveles de potencia por debajo de un milivatio, los transformadores se utilizan sobre todo
para acoplar frecuencias extremadamente elevadas (UHF), frecuencias muy altas (VHF), frecuencias
de radio (RF) y frecuencias intermedias (IF), as como para aumentar su voltaje. Estos
transformadores de alta frecuencia operan por lo general en circuitos sintonizados o resonantes, en
los que se utiliza la sintonizacin para eliminar ruidos elctricos no deseados cuyas frecuencias se
encuentran fuera del rango de transmisin deseado.

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1.5. Transistores
1.5.1 Transistor de unin bipolar BJT

Fig. 10: Transistor de unin bipolar. [8]

Del ingls "Bipolar Junction Transistor" [BJT]; dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cerca entre s, que permite controlar el paso una corriente en
funcin de otra.
Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN. Tecnolgicamente se desarrollaron antes
que los de efecto de campo o FET.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres
regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que
la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que
por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de
actividad.

1.5.2 Transistor de efecto de campo de unin JFET

El transistor de efecto de campo de unin (Junction Field-Effect Transistor) es un
dispositivo semiconductor que basa su funcionamiento en la estrangulacin de un canal por la
penetracin de la zona de carga espacial de las junturas vecinas. Por este motivo, la polarizacin del
mismo es necesariamente en inversa.
Ecuacin de salida

Esta ecuacin de salida, es vlida slo para la tensin vd que hace que se estrangule la parte
superior del canal, a partir de ah, toda la tensin se desarrollar en esta parte del canal.

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Los portadores que vengan resultado de la corriente de corrimiento que se desarrolla en el

canal no se ven afectados por este aumento de tensin, pero s su energa.
Que aumente su energa no se traduce en un aumento de corriente, por lo cual, cuando el
canal se estrangula en la parte superior la corriente se mantiene en ese nivel.

1.5.3 MOSFET
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste
en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica. La prctica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn
basados en transistores MOSFET.

Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que,
mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea
sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los
transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado
el dopaje:
Tipo n-MOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
Tipo p-MOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las reas de difusin se denominan fuente y drenador, y el conductor entre ellos es la
puerta.
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:
Estado de corte
Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no
conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de
potencial entre ambos.
Conduccin lineal
Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (p-MOS) o positiva (n-MOS), se crea una
regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo
suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en n-MOS, huecos en p-MOS) en la regin
de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a estado de
conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de puerta.
Saturacin
Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la
puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre
fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

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Convertidor DC-DC Flyback

10

Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores p-MOS y n-MOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Ventajas
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y cmos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
Consumo en modo esttico muy bajo.
Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin.
Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie
que conlleva.

1.5.4 Transistor IGBT

Fig. 11: Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E) [10]

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado
en circuitos de electrnica de potencia.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada e control y un transistor bipolar como interruptor
en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en
los variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricos y convertidores de
potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente concientes
de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, etc.
Caractersticas
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11

Fig. 12: Seccin de un IGBT [10]

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 Khz. y ha sustituido al

BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias frecuencias como fuente
conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT
consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del
orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de
corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin
embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En
aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms
potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Fig. 13: Circuito equivalente de un IGBT [10]

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de

puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal
elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

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2)

Convertidor DC-DC Flyback

12

Objetivos

Armar un convertidor DC-DC con aislamiento elctrico para verificar su funcionamiento.

2.0.1 Objetivos Especficos

Comparar los diferentes tipos de transistores en conmutacin para evaluar cual tipo de transistor
es recomendable usar en una fuente conmutada.

Evaluar la eficiencia de un convertidos Flyback con diferentes transistores y a diferentes

frecuencias.

Comparar los modelos tericos (con y sin prdidas) con los resultados reales en un convertidor
Flyback.

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3) Equipo
Tabla 1. Lista de equipo.
Nombre del Equipo
Multmetro digital
Osciloscopio digital
Generador de seales
Tarjeta de prototipos
Fuente DC

Modelo

Nmero de placa

Tektronix DMM914
Tektronix TDS210
Tektronix CFG253
propia
EPS-3250

193381
193639
126592
------127388

Tabla 2. Componentes
Tipo
Restato
Transformador

Smbolo
R

Valor Nominal
(Exacto /
Comercial)

Potencia (Watts)

800
- 4
= 0,15

Vd = 0,7V

1
300mW
300mW
300mW

diodo

1N914

Capacitores

Transistores

JFET
MOSFET

300F
NTE459
NTE464

BJT

2n2222

Valor Real

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Convertidor DC-DC Flyback

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4) Diseo
El diseo se hizo basndose en tcnicas del curso, Electrnica Industrial. El proceso terico
del clculo de los transformadores DC-DC est explicado a la vez que se va haciendo el diseo.

El presente diseo va a constar de dos partes, la primera es la determinacin de la conversin

DC-DC de un convertidor flyback. Esto para tener en cuenta la transformacin terica, obtener
rizado, lmite entre estados y ecuaciones para MCC y MCD. La segunda parte ser modelar el
convertidor con prdidas para definir la eficiencia.

Por ltimo se hizo un anlisis para valores tpicos sonde en el laboratorio se van a comprobar
con diferentes componentes para poder compararlos en una aplicacin de fuente conmutada.

La notacin que se us en el diseo es la que se usa en el curso de electrnica industrial.

Parte I: Diseo sin prdidas:

El convertidor flyback tpico se muestra en la figura d1:
TX1

D1
D1N4002
C1
1n

V1

R1
1k

Q1

0Vdc

0
V1 =
V2 =
TD =
TR =
TF =
PW =
PER =

V2
Q2N2222

0
0

Figura d1 Convertidor Flyback

El transformador se puede suponer como un circuito equivalente (inductancia) en el primario

con una transformacin perfecta.

El diseo para el convertidor Flyback, se puede hacer para modo de conduccin continuo y
modo de conduccin discontinuo.

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Convertidor DC-DC Flyback

15

Parte 1.1 Modo de conduccin contino.

Se tienen dos estados, y dos elementos almacenadores de energa. Un transformador
(inductor equivalente) y un capacitor.
Estado 1: QON , DOFF
TX1

C1
1n

V1
0Vdc

R1
1k

Figura d2: Estado 1 MCC

Se tienen las siguientes ecuaciones.

v L = Vg
v
R
ig = I L

(D-1)
(D-2)

iC =

(D-3)

Haciendo una aproximacin de rizado pequeo, la parte DC de las seales es mucho mayor
que la parte AC por lo que se desprecia.

v L = Vg
V
R
ig = I L

iC =

(D-4)

Estado 2: QOFF , DON

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Convertidor DC-DC Flyback

16

TX1

C1
1n

V1
0Vdc

R1
1k

Figura d3: Estado 2 MCC

Se tienen las siguientes ecuaciones.

v
n
iL v
iC =
n R
ig = 0
vL =

(D-5)
(D-6)
(D-7)

Haciendo aproximacin de rizado pequeo.

V
n
I
V
iC = L
n R
ig = 0
vL =

(D-8)

Haciendo balance de Volt-segundos en el inductor equivalente, se obtiene la siguiente

relacin.
V
<v L >= DV g + (1 D )
= 0
n
V
D
=n
Vg
(1 D )

(D-9)

(D-10)

Haciendo un balance de carga en el capacitor.

V
<iC >= D
R

V
I

+ (1 D ) L = 0

n R
nV
IL =
(1 D )R

(D-11)

(D-12)

II Semestre de 2007

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17

De las figuras anteriores, se puede deducir la relacin de la ecuacin (D-13).

I g = DI L

(D-13)

Ahora para calcular el rizado de corriente a partir de la forma de onda del la corriente del
inductor equivalente.

Corriente

Forma de onda de corriente en L

IL

Periodo

Figura d4: Forma de onda del inductor equivalente MCC

Para cualquier inductor, se tiene que.

VL (t ) = L

diL (t )
di

(D14)

Por lo tanto en el intervalo 1, de la figura d5, se tiene que la pendiente de la grfica es.
m=

Vg

(D-15)

Leq

De ah se obtiene que:
2 i = DTs

il =

Vg
Leq

DVg
2Fs Leq

(D-16)

El rizado de voltaje de salida se obtiene a partir de la figura de forma de onda del voltaje en el
capacitor, representado en la figura d6.

II Semestre de 2007

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18

Voltaje

Forma de onda de Voltaje en C

Vc

Periodo

Figura d5: Forma de onda del voltaje en el capacitor.

Para cualquier capacitor, se tiene que.

iC (t ) = C

dVc (t )
dt

(D-17)

En el intervalo 1 de la figura d6, se obtiene que la pendiente es con la ecuacin (D-17):

m=

V
RC

(D-18)

Entonces:

V
DTs
RC

2 Vc =

VC =

DV
2f s RC

(D-19)

Ahora de (D-19) y (D-10):

VC =

nD 2V g

(1 D )

1
2f s RC

(D-20)

II Semestre de 2007

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19

Parte 1.2 Lmite entre modos.

En modo de conduccin continuo:

I L > i L

(D-21)

De (D-21), (D-16), (D-12) y (D-10), Para MCC:

n 2 DVg

(1 D )

>

DVg

(D-22)

2f s Leq

Separando las componentes D y los parmetros de (D-22):

2 f s Leq n 2
R

> (1 D )

(D-23)

Ahora:
K=

2 f s Leq n 2
(D-24)

R
2
K crit (D ) = (1 D )

Se tiene que:
K > K crit (D )

K < K crit (D )

para MCC
para MCD

II Semestre de 2007

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20

Parte 1.3 Diseo para modo de conduccin discontinuo

En modo de conduccin discontinuo, se incorpora un nuevo estado. Los dos estados de MCC
actan exactamente igual, con la diferencia que la aproximacin de rizado pequeo se puede hacer
nicamente en los voltajes y no en las corrientes.
Estado 3: QOFF , DOFF
TX1

C1
1n

V1
0Vdc

R1
1k

Figura d6: Tercer estado de MCD

vL = 0
V
iC =
R
ig = 0

(D-25)
(D-26)
(D-28)

Haciendo el balance de volt-segundos en el inductor, se obtiene la forma de voltaje de la

ecuacin (D-29).
V
v L >= DV g + (D2 )
= 0
n
V
D
=n
Vg
D2

(D-29)

(D-30)

Haciendo un balance de carga en el capacitor:

Tenemos que en el nodo del capacitor:
iD (t ) = iC (t )+ v

(t )
R

(D-31)

Y como la corriente promedio del capacitor es cero:

< iD >=

V
R

(D-32)
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21

Forma de onda de corriente en el inductor:

Forma de onda de Corriente en L MCD

Corriente

IL

Periodo

Figura d7: Forma de onda de corriente en el inductor MCD

Con un poco de geometra:

iLpk =

Vg
Leq

D1Ts

(D-33)

Forma de corriente del diodo:

Forma de onda de Corriente en D MCD

Corriente

IL

Periodo

Figura d8: Forma de onda de corriente en el diodo MCD

Con:

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iDpk =

22

iLpk

(D-34)

La corriente promedio en el diodo:

< I D >=

1 1

l Dpk D2Ts
Ts 2

(D-35)

Ahora de (D-35), (D-34), (D-33) y (D-32):

V Vg D1 D2Ts
=
R
2nLeq

(D-36)

De (D-36) se despeja D2 .
D2 =

2VnL eq
RVg D1Ts

(D-37)

Ahora de (D-37) y (D-30):

V 2 D12Ts R n 2 D12Ts R
=
= 2
Vg2
2L eq
n 2L eq

De (D-37) y (D-24) y sabiendo que K>0:

M (D1, n, K ) =

D
V
=n 1
Vg
K

(D-38)

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23

Parte II: Diseo con prdidas:

Para el diseo con prdidas se toman en cuenta, prdidas en los siguientes componentes y se
la siguiente forma:

Transistor: Se modela como una resistencia RQON cuando el transistor est encendido.

Diodo: Se modela como una fuente de voltaje Vd cuando el diodo est encendido.

Transformador: en el inductor: Se modela como una resistencia RL la cual depende de la

frecuencia.
Parte 2.1 Modo de conduccin contina

Se tienen los mismos estados que en la parte 1.1 pero con los modelos de las prdidas.
RL

TX1

1k
C1
1n

V1
0Vdc

R1
1k

0
RQON
1k

Figura d9: Estado 1 MCC con prdidas

Se obtienen las siguientes ecuaciones de este estado y de la aproximacin de rizado pequeo

utilizando la metodologa de 1.1:
v L = Vg I L RL I L RQON
V
R
ig = I L

iC =

(D-39)

Para el estado 2:

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TX1

nRL

24

Vd

1k
0Vdc
C1
1n

V1
0Vdc

R1
1k

Figura d10: Estado 2 MCC con prdidas

vL =

V Vd

I L RL
n
n
I
V
iC = L
n R
ig = 0

(D-40)

Balance Volt-segundos en el inductor equivalente:

DVg I L RL DI L RQON (1 D )

Vd
V
(1 D ) = 0
n
n

(D-41)

Balance de carga en el capacitor:

V
I
V
D
+ (1 D ) L = 0
R
n R

(D-42)

Ahora de (D-42) se despeja la corriente del inductor.

IL =

nV
(1 D )R

(D-43)

Ahora (D-43) en (D-41):

DVg

V
nV
nV
V
RL D
RQON (1 D ) d (1 D ) = 0
(1 D )R
(1 D )R
n
n

(1 D )V D
Dn

n 2 DRQON
Vd

= DVg (1 D )
2
2
n
(1 D ) R (1 D ) R
n 2 RL

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25

(1 D )V D (n 2 )(RL + DRQON ) = D (1 D ) Vd

nVg
DnVg
(1 D )2 R

( )

n 2 (RL + DRQON )
V
nD
=

D
Vg (1 D )
(1 D )2 R

D (1 D ) Vd

nV g

(D-44)

De (D-44) Se obtiene que la eficiencia del convertidor venga expresado por la parte distinta
de la ecuacin sin prdidas (D-10).

[nDV (1 D )V ][(1 D ) R]
[nV ][D(1 D ) R (n )(R + DR )]
2

Eficiencia =

(D-45)

QON

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26

Parte 2.2 Diseo con prdidas para modo de conduccin discontinuo

Se toman en cuenta los dos estados de la parte 2.1 con un tercer estado al igual que en 1.2.
TX1

nRL
1k
C1
1n

V1
0Vdc

R1
1k

Figura d11: Estado 3 en MCD con prdidas.

Se obtienen las siguientes ecuaciones:

vL = o
V
R
ig = 0

(D-46)

iC =

Haciendo balance volt-segundos:

DVg (D1 + D2 )I L RL D1 I L RQON (D2 )

Vd
V
(D2 ) = 0
n
n

(D-47)

Haciendo el balance Amp-Segundos se obtiene el resultado de la parte 1.2, la ecuacin (D37). Tambin se obtiene la ecuacin (D-48).

IL =

nV
D2 R

(D-48)

Ahora de (D-24), (D-47), (D-48) y (D-37):

2VnL eq
D1V g D1 +

RV g D1Ts

nV

2VnL
eq

RV D T
g 1 s

RL D1

2VnL eq
nV
RQON
RV D T
2VnL eq
g 1 s
R

RV D T
g 1 s

Vd 2VnL eq

n RV D T
g 1 s

V
=0
n

nRL (D12Vg ) RL
n 2 D12Vg
(VK ) V 2 K = 0
D1Vg

RQON
Vd
(Vg D1 ) Vg D1
RKV
R
2RK
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27

Dividiendo todo entre Vg, D1 y n al cuadrado y ordenando:

Vd VK
RL D1
RL
D1
1
KV 2
R
=

QON
2 RK V g2 D12 n 2 V g2 D12 n 2
n 2 nRKV n 2V g D1 R
nD
V
= 1
Vg
K

RQON D1
V VK
R D
R
1
L 1 2 L

2d 2 2
2
n
nRKV n Vg D1 R
2 RK
Vg D1 n

(D-49)

De (D-49) se obtiene la eficiencia para este caso.

Eficiencia =

RQON D1
V VK
RL D1
RL
1

2d 2 2
2
2
n
nRKV n Vg D1 R
2 RK
Vg D1 n

(D-50)

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28

Parte III: Valores:

Se hizo un anlisis con valores promedio para luego experimentalmente encontrar los valores reales
de cada uno de los parmetros de prdidas para poder comparar los componentes.
Transformador: Se va a usar en el experimento un transformador para 60Hz, lo que implica que la
eficiencia en este sentido, debe bajar para este componente.
120 20
=
18
3
El diseo se va a hacer para bajar el voltaje por lo que n se invierte.
n=

RL 2

n=

3
20

Ltipico = 400 H

(D-51)
(D-52)
(D-53)

Transistor:
RQON,PROMEDIO 0,5

(D-54)

f s = 10kHz

(D-55)

Vd tpico = 0,7V

(D-56)

Vg = 24V

(D-57)

V0 = 4V

(D-58)

Diodo:

Fuente de entrada:

Sea:

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29

Operacin del circuito:

Con ayuda de una hoja de clculo, las ecuaciones del diseo y los valores aproximados, se obtiene la
siguiente tabla de operacin.
Tabla d1: Muestreo de distintas cargas, con ajuste de D para tener una fuente de 4V
MCC
R

Dperd V
eff
ideal

8000,114
7000,123
6000,135
5000,145
4000,165
300 0,19
200 0,24
180 0,25
160 0,27
140 0,29
120 0,31
1000,345
90 0,36
800,385
70 0,42
60 0,45
50 0,51
40 0,58
30 0,7
10 0,68
8 0,62
6 0,56
4 0,54

Limite entre
MCD
modos
Vreal K
K
Kcrit V
Eff Vreal EFF
ideal

0,1140,4632 -0,51 -0,240,00020,00150,785

0,1230,5049 -0,39 -0,20,00030,00170,769
0,1350,5618 -0,25 -0,140,00030,00200,748
0,1450,6105 -0,15 -0,090,00040,00240,731
0,1650,71140,0160,0110,00050,00300,697
0,190,84440,1710,1450,00060,00400,656
0,241,13680,3850,4380,00090,00600,578
0,25
1,20,4170,5010,00100,00670,563
0,271,33150,4750,6330,00110,00750,533
0,291,47040,5250,7720,00130,00860,504
0,311,61740,569 0,920,00150,01000,476
0,3451,89620,633 1,20,00180,01200,429
0,36 2,0250,657 1,330,00200,0133 0,41
0,3852,25370,692 1,560,00230,01500,378
0,422,60690,7351,9170,00260,01710,336
0,452,94550,7672,2590,00300,02000,303
0,513,7469 0,823,0720,00360,0240 0,24
0,584,9714 0,874,3260,00450,03000,176
0,7
8,40,9437,9220,00600,0400 0,09
0,68 7,650,9837,5180,01800,12000,102
0,625,8737 0,955,5790,02250,15000,144
0,564,5818 0,924,2140,03000,20000,194
0,544,22610,939 3,970,04500,30000,212

MODO Capacitancia
necesaria

4,100,9743,99570,97363,9957MCD
4,140,9724,02410,97154,0241MCD
4,210,9694,07720,96874,0772MCD
4,130,9663,98790,96633,9879MCD
4,200,9624,03910,96164,0391MCD
4,190,9564,00310,95574,0031MCD
4,320,9444,07710,94384,0771MCD
4,270,9414,01860,94134,0186MCD
4,350,9374,07090,93654,0709MCD
4,370,9324,06890,93174,0689MCD
4,320,9274,00560,92674,0056MCD
4,390,9184,03170,91814,0317MCD
4,350,9143,97480,91443,9748MCD
4,380,9083,98040,90823,9804MCD
4,470,8994,02270,89944,0227MCD
4,440,8923,95640,89183,9564MCD
4,590,8764,02310,87654,0231MCD
4,670,858 4,0070,8582 4,007MCD
4,880,8264,03130,82614,0313MCD
2,740,8262,26190,98287,5185MCC
2,23 0,841,87440,94975,5785MCC
1,750,8511,48550,91984,2142MCC
1,370,8481,16540,93933,9697MCC

3E-08
4E-08
6E-08
9E-08
1E-07
3E-07
7E-07
8E-07
1E-06
2E-06
2E-06
3E-06
4E-06
5E-06
8E-06
1E-05
2E-05
4E-05
1E-04
0,0003
0,0002
0,0002
0,0003

Para determinar la capacitancia, de la ecuacin 19 para un rizado mximo de 100mV. Con

una resistencia mnima (requerimiento mximo de capacitancia). La capacitancia requerida es de
294uF.
La seccin marcada con rojo es la transicin de MCD a MCD la cual inestabiliza el circuito,
cuando se toman en cuenta prdidas. Es un rango de resistencias que no se puede tomar en cuenta.

II Semestre de 2007

IE-0408

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30

Factores de seguridad:

Para el voltaje del transistor:

V
= 51V
n

(D-59)

VDOFF = nVg + V = 9V

(D-60)

VQOFF = Vg +
Para el voltaje del transistor:

Simulacin:

La simulacin del circuito presenta un voltaje de la siguiente forma:

D1N4148
D1

R3
1

C1
300u

V1
24
Q1

R2
V2.1

R1
100

-0.15

Q2N2222

0
V1 = 1000 TD = 500u TF = .05u
V2 = 0
TR = .05u PW = 500u
PER = 1000u

Figura d12: Circuito a implementar en caso especfico.

6.0V

4.0V

2.0V

0V

-2.0V
0s

10ms

20ms

30ms

40ms

50ms

60ms

70ms

80ms

90ms

100ms

V(R1:2)
Time

Figura d13: Salida del circuito diseado.

II Semestre de 2007

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31

0A

-2.0A

-4.0A

-6.0A

-7.2A
0s

0.50ms

1.00ms

1.50ms

2.00ms

2.49ms

-I(D1)
Time

Figura d14: Forma de onda de la corriente en el transformador

II Semestre de 2007

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32

5) Procedimiento
5.1

Medir la eficiencia del transformador en 3 frecuencias diferentes. Se recomienda

tentativamente en 1Khz, 10Khz y 100Khz.
Tabla 3: Eficiencia del Transformador para varias frecuencias.
Frecuencias
1Khz.
10Khz.
100 Khz.

5.2

Eficiencia del Transformador

Medir RQON para los tres transistores, para as determinar las prdidas en cada elemento
y verificar la eficiencia del circuito
Tabla 4: RQON /// 3 Transistores
Transistores
BJT 2n2222
JFET NTE 459
MOSFET NTE 464

5.3

RQ ON

Medir Vd.
Tabla 5: Vd

Vd
5.4

Hacer un modelo con prdidas para cada transistor a 3 frecuencias diferentes (1Khz,
10Khz y 100Khz)
Tabla 6: Prdidas C/transistor. Tres dif. Frecuencias.
Transistor
BJT

JFET

MOSFET

5.5

Frecuencias
1Khz.
10Khz.
100 Khz.
1Khz.
10Khz.
100 Khz.
1Khz.
10Khz.
100 Khz.

Prdidas

Medir la eficiencia real para cada transistor a 3 diferentes frecuencias, haciendo barrido
de frecuencias en la carga.

II Semestre de 2007

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33

Tabla 7: Eficiencia C/transistor. Tres dif. Frecuencias.

Transistor
BJT

JFET

MOSFET

Frecuencias
1Khz.
10Khz.
100 Khz.
1Khz.
10Khz.
100 Khz.
1Khz.
10Khz.
100 Khz.

Eficiencia

5.6
Comparar el modelo terico y el real haciendo barrido de frecuencias en la carga.
Tabla 8: Comparacin Modelo Real/Terico, por C/Transistor. Tres dif. Frecuencias.

Transistor
BJT

JFET

MOSFET

5.7

Frecuencias
1Khz.
10Khz.
100 Khz.
1Khz.
10Khz.
100 Khz.
1Khz.
10Khz.
100 Khz.

Terico

Real

Calcular el porcentaje de error.

Tabla 9: Porcentaje de Error.

Modelo con Transistor ( BJT/JFET/MOSFET)

% Error.

II Semestre de 2007

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34

6) Bibliografa
Apuntes

1)

Golcher L., Electrnica Industrial, Universidad de Costa Rica, II Semestre 2007

2)

Castro D., Electrnica III, Universidad de Costa Rica, I Semestre 2007

Referencias Web

3) Convertidores DC http://es.wikipedia.org/wiki/Convertidor_DC_a_DC Consultada el 2810/2007

a las 7:54pm
4) Convertidor Boost http://es.wikipedia.org/wiki/Convertidor_Boost Consultada el 28/10/2007 a
las 8:12pm
5) Convertidor Flyback http://es.wikipedia.org/wiki/Convertidor_Flyback Consultada el 28/10/2007
a las 9:23pm
6) Convertidor Buck http://es.wikipedia.org/wiki/Convertidor_Buck Consultada el 28/10/2007 a las
9:45pm
7) Convertidor Boost-Buck http://en.wikipedia.org/wiki/Buck-boost_converter Consultada el
28/10/2007 a las 9:52pm
8) Transistores BJT http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_juntura_bipolar Consultada el
28/10/2007 a las 10:05pm
9) Transistores MOSFET http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET Consultada el 28/10/2007 a las
10:23pm
10) Transistores IGBT http://es.wikipedia.org/wiki/IGBT Consultada el 28/10/2007 a las 11:01pm
11) Transistores JFET http://es.wikipedia.org/wiki/JFET Consultada el 28/10/2007 a las 11:33pm
12) Convertidores Flyback http://www.comunidadelectronicos.com/articulos/flyback.htm Consultada
el 28/10/2007 a las 11:59pm
13) Transformadores http://es.wikipedia.org/wiki/Transformador Consultada el 29/10/2007 a las
12:52am
14) Ferritas http://es.encarta.msn.com/encnet/refpages/RefArticle.aspx?refid=761562124 Consultada
el 29/10/2007 a las 1:08am
15) Ferritas http://es.wikipedia.org/wiki/Ferrita Consultada el 29/10/2007 a las 1:22am
16) Inductancias http://es.wikipedia.org/wiki/Inductancia Consultada el 29/10/2007 a las 1:50am
17) Cmo medir inductancias http://et.nmsu.edu/~etti/fall96/electronics/induct/induct.html
Consultada el 29/10/2007 a las 2:15am
18) Resonanciahttp://es.encarta.msn.com/encyclopedia_961521720/Resonancia_(electr%C3%B3nic
a).html Consultada el 29/10/2007 a las 2:54am
Hojas de Fabricante
19) Hoja de fabricante de transistor JFET
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/N/T/E/4/NTE459.shtml
20) Hoja de fabricante de Diodo UHF
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/1/N/9/1/1N914.shtml
21) Hoja de fabricante de transistor MOSFET
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/N/T/E/4/NTE464.shtml

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7) Anexos

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