EFECTO HALL

Dely Zavala Rios, Frank Murillo Caballero, Csar M. Rodrguez Osorio

Estudiantes de la Escuela de Fsica-UNT
Diciembre 6 del 2012

RESUMEN
En la presente prctica presentamos el siguiente proyecto experimental utilizando un
sensor de efecto Hall. Describimos los detalles constructivos del dispositivo
experimental, su prueba y calibracin. Nuestra principal tarea es analizar la relacin
entre el voltaje Hall V H (Tensin Hall) y el campo magntico
B producido en un
electroimn, as como estimar la constante de Hall R H para una placa de SnO2. Cabe
resaltar que este experimento puede ser realizado con elementos disponibles en un
laboratorio de enseanza y a un costo mnimo.

OBJETIVOS
Estudiar el mecanismo denominado Efecto Hall aplicado a semiconductores. Este efecto
permite caracterizar el tipo de portador dominante, la concentracin de portadores
mayoritarios, la movilidad y tambin constituye la base de dispositivos con variada
aplicacin en el campo de la electrnica actual.

FUNDAMENTO TERICO
1- Principios del efecto Hall1 en semiconductores
El efecto Hall es una consecuencia de la fuerza que se ejerce sobre una carga elctrica
en movimiento cuando se encuentra sometida a la accin de un campo elctrico y un
campo magntico.
Si por una muestra semiconductora circula una densidad de corriente J perpendicular a
un campo magntico B, ste provoca la aparicin de un campo elctrico normal al plano
determinado por B y J. Este mecanismo denominado efecto Hall puede ser usado para
determinar caractersticas del semiconductor tales como: tipo de portador (hueco o
electrn), concentracin o movilidad. Tambin es la base de dispositivos utilizados como
sensores y medidores de campos magnticos.
Supongamos que por una muestra semiconductora circula una corriente elctrica de
intensidad I, el vector de intensidad de campo elctrico E coincide su sentido con I y el
campo magntico B en principio es nulo como se muestra en la Figura 1.
Bz
z

Iy

y
x

d
VH
w

a
Figura N1

1 En 1879, el fsico E. Hall descubri

que cuando un conductor sobre el que circulaba corriente era colocado
l
en un campo magntico de direccin perpendicular a la misma, poda medirse una pequea diferencia de
potencial en la direccin perpendicular a la corriente y al campo. Ese efecto es conocido como efecto Hall.

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Si el semiconductor es homogneo, la superficie equipotencial que pasa por los

contactos a-b, en la Figura 1, est situada perpendicularmente a la direccin del campo
elctrico E y, por lo tanto, a la corriente I. La diferencia de potencial entre los puntos a y
b (VH) es igual a cero.
Se coloca ahora al semiconductor en un campo magntico de induccin B 0, como se
muestra en la Figura 1. Como se sabe, sobre una carga q que se mueve a una velocidad
v en un campo magntico B, acta una fuerza F, llamada fuerza de Lorentz:
F= q (v x B)
La direccin de esta fuerza F depende del signo de la carga del portador y del producto
vectorial de la velocidad v y del campo B. Por lo tanto, si la velocidad de los portadores
es perpendicular al campo B, por accin de la fuerza de Lorentz los portadores se
desvan en direccin perpendicular a v y B. Por lo tanto, como los electrones y los huecos
tienen tanto sus velocidades de arrastre como sus cargas de signo contrario, ambos tipos
de portadores tendern a ser acelerados en el mismo sentido por la fuerza F. Se origina
una separacin espacial de las cargas y aparece un campo elctrico, se produce entre los
puntos a y b una diferencia de potencial VH, llamada tensin de Hall.
Para determinar la direccin y sentido de la fuerza pueden usarse varias formas: la regla
de la mano izquierda
producto vectorial (v x B).
En el primer caso, se hace coincidir el dedo ndice de la mano izquierda con la direccin y
sentido del campo B y el dedo medio con la direccin y sentido de la velocidad de la
partcula. El dedo pulgar indicar la direccin y sentido de la fuerza sobre la partcula,
como se muestra en la Figura 2.

Figura
N2

En la regla de la palma, tambin para mano izquierda, las lneas de densidad de flujo
magntico deben atravesar verticalmente la palma de la mano, los dedos ndice, mayor,
anular y meique juntos, se colocan en la direccin y sentido de la corriente. La fuerza
resultante F acta en la direccin y sentido determinado por el dedo pulgar, como se
muestra en la Figura 3.

Figura N3

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En las Figuras 4 a) y 4 b)
se muestra la accin
de la fuerza de Lorentz para un hueco y para un electrn. El campo magntico B y la
corriente son perpendiculares entre s. En ambos casos los portadores experimentarn
una fuerza (Fm) que los desviar hacia la cara superior de la muestra. Un voltmetro
ubicado en los terminales a-b determinar la diferencia de potencial de Hall, VH. La
simple observacin del sentido de deflexin permite determinar el tipo de semiconductor.

+
I

Fm = +q vh B
B

VH

Fm = - q v e B
B
ve

VH

vh

Figura
N4a) de la tensin de Hall
1.1- Determinacin

Figura
N4b)

Tomando como referencia la Figura 1, la expresin de la densidad de corriente J para una

concentracin de portadores n ser:

J Jy q n v y

En estado de equilibrio la fuerza elctrica sobre los portadores se equilibrar con la

fuerza de Lorentz:

vy

Jy
q n q EH q vy Bz Despejando vy de la primera y reemplazando en la anterior, resulta:

Como en el material hay dos campos elctricos presentes, uno debido a la corriente I x
dado por:

EH

Jy Bz
Jy
Jy
Ey
qn
q n y otro debido al efecto Hall:

el campo resultante formar con la direccin de la corriente un ngulo , llamado :

ngulo de Hall, cuyo valor est dado por:
= arc tg( Bz)
Queremos encontrar una expresin que permita calcular de la tensin de Hall (V H):
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VH RH
EH

Iy Bz VH EH d Jy Bz d 1 Iy Bz d 1 Iy Bz
Iy EH Jy Bz
Jy
qn
qn dw
qn w
qn
w
dw

VH
d

La magnitud RH se denomina constante o coeficiente de Hall.

En el caso de un material de tipo N:

1
RH = - nq

En el caso de un material de tipo P:

1
RH= + pq

Conociendo el coeficiente de Hall se puede calcular la concentracin de portadores de

carga y determinar su signo. Del mismo modo, conociendo para una muestra el
coeficiente de Hall y la conductividad se puede calcular la movilidad de los portadores de
carga debida al efecto Hall: = RH .
Hasta ahora no se ha tenido en cuenta la distribucin estadstica de los portadores de
carga segn las velocidades. Considerando el mecanismo de dispersin, la expresin de
la constante de Hall se modifica:

1
RH= - rH. nq

Por ejemplo al dispersarse los portadores de carga por oscilaciones acsticas de la red
cristalina el factor rH = (3/8). En cambio, en el caso de dispersin por impurezas inicas
se tiene rH= 1.93.
Se puede extender el caso del efecto Hall a una muestra de semiconductor donde
coexisten electrones y huecos. En ese caso, el coeficiente de Hall se modificar as:
RH= (1/q) ( p p2 - n n2)
(p p + n n)2
Para un semiconductor intrnseco n = p = ni y el coeficiente se modifica as:
RH= (1/q) ( p - n)
ni (p + n)

1.2- Aplicaciones
Una de las aplicaciones del efecto Hall en semiconductores consiste en la determinacin
de la concentracin de portadores en una muestra semiconductora, o en la
determinacin de la movilidad de los portadores.
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Dado que el potencial de Hall, VH, es para un valor fijo de I proporcional al campo
magntico B, puede utilizarse el efecto Hall para la medicin de campos magnticos.
Tambin es posible fabricar circuitos multiplicadores tipo Hall, ya que la tensin de Hall
es proporcional al producto I.B. De este modo, se puede usar una tensin V1 para
generar la corriente I y otra tensin V2 para generar la intensidad de campo B. La
tensin VH que se desarrolla entre las caras de la muestra es proporcional a I.B y por lo
tanto al producto V1.V2. La desventaja del mtodo consiste en que V H es una tensin en
general pequea.
Una aplicacin tpica como multiplicador lineal sera un vatmetro, donde I se tomara
proporcional a la tensin sobre la carga y B se hara proporcional a la corriente en la
carga. En este caso, la salida, el potencial de Hall, ser proporcional a la potencia en la
carga.

INSTRUMENTOS Y MATERIALES
1-

base para muestras de peliculas que se necesita obtener el efecto Hall ver
figura N1

Figura N5:soporte de la muestra con su cable conector de

fenolplastico(baquelita)
2-

amplificador de voltaje de ganancia aproximadamente 1000V ver figura N2

Figura N6:amplificador formado por dos amplificadores

3-

electroimn 600mT maraca CENCO

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4-

Fuente de electroimn Soild State Filtered power Supply (cataloge ND79538011). ver figura N4

FiguraN7: fuente del electroimn la perilla sirve para controlar la

intensidad del campo.
5restato de 20 4.5 amperios de intensidad marca Sargent-Welch Scientific
Skorie ILL USA.
6Fuente de 5 a 12 voltios ver figura N6

Figura N8: tiene entradas de voltaje

7-

Multmetro digital modelo YF -3220

0.5V. ver figura N7

Figura N9:multimetro con sus respectivos cables

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8-

Teslmetro de rango de medida 2000mT 4060.50 Frederiksen .ver figura N8

Figura N10:teslametro con su conexion a corriente y al sensor

9-

Soporte de vaquelita para aplicar el campo magnetico ver figura N9

Figura N11: soporte de la baquelita para ubicarlo al campo magntico

METODO Y ESQUEMA EXPERIMENTAL
1.- Diseo y construccin del equipo:
Antes de proceder a las mediciones debemos atender los siguientes puntos:
Se elabor un sistema en el cual se tena que ubicar una placa (sobre la
cual se coloc SnO2) de manera perpendicular al campo magntico.
Para una mejor medicin de la tensin de Hall, se dise y construy un
circuito de amplificacin (ver, figura N12).
Tambin se construy un soporte (aluminio) para la
sonda cuya
fabricacin fue a imaginacin de los experimentadores (ver, figura N11)

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*Para la estructura que soporta la placa se tuvo que utilizar materiales

plsticos o diamagnticos, dado el alto campo magntico al que se someti la
misma.

Figura N11: Circuito para la medicion de la tension de Hall.

2.- Procedimiento:
Ensamblamos el equipo y dispositivos en general, tal como se muestra en la figura
N12.

Figura N12: Esquema del ensamblado del equipo

Para el cableado del dispositivo experimental son precisas dos fuentes de
alimentacin que suministran la corriente
I
al mdulo Hall y la corriente

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generadora del campo magntico en el electroimn. Ya que la corriente es elevada

se utiliz un restato con el fin de evitar sobrecalentamiento.
Antes de someter al mdulo de Hall a un campo magntico, realizar la correccin del
punto cero: aplicamos una corriente I hasta obtener una tensin de Hall igual a
cero en el visualizador del instrumento de medicin ; en caso de que la indicacin
vari despus de desconectar la corriente, conectar la corriente nuevamente y
repetir la correccin del punto cero.
Una vez tenidas en cuenta las indicaciones anteriormente citadas, se proceder a
medir la tensin de Hall V H , para diversos valores del campo magntico aplicado
(lo cual se efecta variando la corriente que alimenta el electroimn). Los valores
experimentales se presentan en una grfica llevando V H a ordenadas y el campo

magntico
B aplicado a las abscisas. Una vez ajustados dichos valores y
calculado la pendiente, puede obtenerse un valor de la pendiente que dar una
R H del material, as como la densidad n
aproximacin a la constante de Hall
de portadores y de su naturaleza.
DATOS EXPERIMENTALES
Siguiendo el procedimiento sealado se encontraron los siguientes resultados:
Antes de utilizar la pelcula de SnO 2 se utiliz una baquelita la cual nos sirvi de
prueba en el experimento.

TABLA N1
Tipo de Material V i 0.05 V
Baquelita

Pelcula de SnO

22.1

22.1

V 0 0.05 V

B 0.5 mT

I ? mA

23.4

234

11

371

Se experiment
dificultades
tcnicas

23.6

ANALISIS Y DISCUSION
CONCLUSIONES
REFERENCIAS BIBLOGRAFICAS

alli estan los datos

vi y v0?
dely zavala dice
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VOLTAJE DE ENTRADA Y VOLTAJE DE SALIDA

Frank Murillo Caballero dice
no hemos medido campo y corriente?
dely zavala dice
a tambien solo del primero porqaue del segundo ya no dfunciono el equipo
I11mA
11mA

4.- CONCLUSIONES
En el desarrollo del anlisis experimental se determin
Todo esto nos permite concluir que el construir un medidor de campo
magntico con un sensor de efecto Hall resulta en una actividad provechosa
dentro de un curso universitario de fsica experimental.

5.- ANEXO
Costo del equipo utilizado en el experimento:
Acrlico + polvo para acrlicoS/. 4.00
8 Pernos.S/. 4.00
2 baquelitas de ()()
1 Tubo de aluminioS/. 3.00

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