You are on page 1of 9

ahin M. E., Okumu H. .

, Gne Pili Modlnn Matlab/Simulink ile Modellenmesi ve Simlasyonu,


Cilt 3, Say 5, Syf 17-25, Haziran 2013

Gne Pili Modlnn Matlab/Simulink ile Modellenmesi ve Simlasyonu


Modeling and Simulation of Solar Cell Module in Matlab/Simulink
Mustafa Ergin ahin1, Halil brahim Okumu2
1

Fizik Blm, Fen Edebiyat Fakltesi


RTE niversitesi, RZE
mustafaerginsahin@yahoo.com
mustafaerginsahin@yahoo.com

Elektrik Elektronik Mhendislii Blm,


KT Mhendislik Mimarlk Fakltesi, TRABZON
okumus@ktu.edu.tr
okumus@ktu.edu.tr

zet
Bu almada gne pilinin genel matematiksel modeli elde
edilmi ve bu model Matlab/Simulink yazlm ile grsel olarak
programlanmtr. Modellenen gne pili iin farkl sayda
seri ve paralel bal hcreler, farkl scaklk deerleri, farkl
gne sorulma miktarlar, farkl malzeme yaps ve verime
bal dier parametrelere gre Akm-Gerilim (I-V) ve GGerilim (P-V) karakteristik erileri elde edilmi ve elde edilen
benzetim sonular teorik sonularla karlatrlmtr.
Modellenen gne piline farkl zellikteki dorusal ve
dorusal olmayan ykler balanarak k akm, k gerilimi
ve g deerlerinin deiimleri elde edilmitir. Ayrca, yaplan
almada deneysel olarak karakteristik zellikleri elde edilen
bir gne pilinin farkl aydnlanma durumlar iin I-V ve P-V
erileri elde edilerek teorik ve benzetim sonular ile
karlatrlm ve fiziki koullarn deiimi ile gne pili
erilerinin nasl etkilendii ortaya konmutur. almada
elde edilen benzetimler bu modelin dier karma sistemlerle
beraber kullanmna imkn salayacak ve ayn zamanda gne
pili retiminde ve dier uygulamalarda deneysel almalar
iin bir referans oluturacaktr.
Anahtar Kelimeler: Gne pili, gne
Matlab/Simulink ile gne pili benzetimi

pili

modl,

Abstract
In this study, a general mathematical model of solar cells has
been obtained and Matlab/Simulink software based simulation
of this model has been visually programmed. Current-Voltage
(I-V) and Power-Voltage (P-V) characteristics have been
obtained for different number of series and parallel connected
cells, different temperature values, different solar absorption
ratios and the other parameters depending on the material
structure and the efficiency. The simulation results have been
compared with theoretical results for the modeled solar cell.
Also, modeling of solar cells for different linear and nonlinear loads has been carried out to get output power, current,
and voltage curves. Still in this study a solar cell experimental
characteristic specifications have been known for different
illumination states I-V and P-V curves are obtained and
compared with theoretical and simulation results. And, it has
been revealed that how affected the curve of the solar cell with
the variation of physical conditions. The simulation results

have shown that it is possible to use the model with the other
hybrid systems. Also, the model can be used as a reference for
solar cell manufacturers and the experimental studies in
different applications.
Keywords: Solar cell, Solar cell module, Solar cell modeling
with Matlab/Simulink

1. Giri
Gnmzde hzla artan enerji ihtiyac, fosil yaktlarn snrl
olmas ve evreye zarar vermesi gibi nedenlerden dolay
yenilenebilir enerji kaynaklar alanndaki almalar hzla
artm ve olduka nemli bir hale gelmitir. zellikle gne
pili teknolojilerindeki gelimeler, yenilenebilir enerji
sistemlerinde nemli bir yeri olan gne gzeleri kullanlarak
retilen elektrik enerjisinin ebekeden bamsz olarak
kullanlmas
salanmtr.
Gne
pillerinin
retim
maliyetlerinin her geen gn daha da azalmas, bunlarn
ebekeden bamsz ve ebekeye baml sistemler olarak
kullanlmalarn gndeme getirmi ve bu konuda daha fazla
bilimsel alma yapma ihtiyac domutur [1-4]. Bu bamsz
sistemler aydnlatma sistemi, su pompalama sistemi,
havalandrma sistemi ve buna benzer AA ve DA yklerden
oluabilmektedir. Bu sistemler iin ilave bataryalar, DA-AA
ve DA-DA eviricilere ihtiya duyulmaktadr. Tm bu
sistemlerin karmakl ve gne pillerinin dier
kaynaklardan farkl kendine zg yaps, ncelikle gne
pillerinin eksiksiz olarak modellenmesi gereini dourmutur
[5-7].
Gne pillerinin verimi kendi i direnleri, kontak yaplar,
retildii malzeme, scaklk ve k iddeti deiimi gibi
parametrelerden etkilenmektedir. Dolaysyla gne pilleri ile
ilgili yaplan almalarda salkl sonular elde edebilmek
iin ncelikle deiken parametrelerin gne pili verimine
etkisini ortaya koyacak bir model oluturulmas
gerekmektedir. Matlab/Simulink yazlmnda gne pili
modlne ait byle bir modelin mevcut olmamas ve bu
konuda yaplan benzer almalarn yetersiz olmas bu
modellemenin yaplmas gereksinimini dourmutur [8- 12].
Ayrca oluturulan bu model gne pili retiminde ve gne
pili testlerinde deneysel alan kiilere de yaplan deneysel

17

EMO Bilimsel Dergi, Cilt 3, Say 5, Haziran 2013

almalarn ve lmlerin doruluu asndan k tutacak


niteliktedir [13- 15]. Oluturulan bu model konuyla ilgili dier
benzetim almalar ile birletirilerek kompakt sistemlerin
modellenmesi amalanmaktadr [16,17].

TMMOB Elektrik Mhendisleri Odas

2. Gne Pilinin Genel Matematiksel Modeli


ve Edeer Devresi
Bir gne pilinin I-V karakteristii temel olarak Eitlik 1de ki
Shockley diyot eitliine dayanmaktadr. Ancak tam bir
gsterim iin dier parametreleri ieren genel gne pili
eitlii Eitlik 2deki gibi verilmitir.

Literatrde yaplan almalar incelendiinde, Francisco


tarafndan yaplan almada gne pili modl benzetimi
Matlab kodlar ile gerekletirilmi ve farkl parametreler iin

qV

(1)
denenmitir. Ancak yaplan bu almada tm parametreler

I I 0 exp
1
kT

yeterince incelenmemi ve sistemin dier elektriksel


sistemlerle nasl kullanlaca dnlmemitir. Tsai ve
(2)

q
(
V
Rs .I ) V Rs .I

I I L I 0 exp
arkadalar tarafndan yaplan alma da ise gne pili
1
Rsh
n.k .T

modl
benzetimi
Matlab/Simulink
yazlm
ile
gerekletirilmi ancak bu modelde yalnzca scaklk ve k
Burada ideallik faktr (n), seri diren (Rs) ve paralel diren
iddeti deiimlerine bal olarak benzetimler yaplm ve
(Rsh) gne pilinin zelliine gre deien parametrelerdir.
dier parametreler incelenmemitir. Modln yk durumlarna
Dier parametreler ise Boltzmann sabiti (k), elektron yk (q)
kar tepkisi incelenmemi, elektriksel bir sisteme balants
ve gne pilinin scakl (T) dir. Eitlik 2 kullanlarak ve
dnlmemi, modelin doruluu ve gerek bir gne pili ile
gerekli matematiksel ilemler yaplarak gne pilinin gerilim
uyumluluu kontrol edilmemitir. Walker, Joyce ve
ifadesi Eitlik 3deki gibi yazlabilir. Burada paralel diren
arkadalar ile, Hansen ve arkadalar tarafndan yaplan
(Rsh) ihmal edilmitir.
benzer almalarda da dier almalarda deinilen benzer
eksikler mevcut olduu grlmtr.
Alta ve Sharaf
(3)
n.k .T I L I 0 I

V
ln
tarafndan yaplan alma ise kullanlan malzemenin
verimine
Rs .I
q
I0

bal parametreler ve edeer diren parametreleri


modellemede kullanlmamtr. Bunun yerine denemeler
Gne pilinin edeer devre modeli Lorenzo tarafndan 1994
sonucunda bulunan ve yalnzca bir trdeki gne pili iin
ylnda tanmlanmtr [11]. Bu model bir akm kayna ve
geerli alfa ve beta katsaylar kullanlmtr. Gne pili
buna bal paralel bir diyottan olumaktadr. Burada seri
modlnn farkl parametreler iin gerekli tm karakteristik
diren (Rs) akm akndan kaynaklanan gne pilinin i
erilerin doruluunu salad test edilmemitir.
kayplarn ifade etmektedir ve maksimum g retimi iin
kk olmas istenir. Diyota paralel bal (Rsh) direnci ise
Yine literatrde yer alan Uzunolu ve dierleri, Walker ve
topraa olan kaak akmlardan meydana gelen kayplar ifade
dierleri, Patel ve dierleri, Hegazy, Ropp ve dier kiiler
eder ve ok kk olduu iin genelde ihmal edilir. Gne
tarafndan yaplan benzer almalar da her ne kadar gne
pilinin edeer devre modeli ekil 1(a) da, basitletirilmi
pilleri ile ilgili benzetim almalar ve gne pillerinin farkl
edeer devre modeli ise ekil 1(b) de verilmitir.
sistemlere balantlar ile ilgili almalar yaplsa da bu
almalar tam olarak bir gne pili modln ierecek tm
parametreleri ele almamakta veya bu konularla ilgili ok zel
bir durum zerine younlam almalar olarak karmza
kmaktadr.
Yaplan bu almada ise gne pilinin verimini etkileyecek
tm parametreleri ieren genel matematiksel benzetim modeli
elde edilmi ve bu model Matlab/Simulink yazlm ile grsel
olarak programlanmtr. Bu modelle ncelikle gne pilinin
genel I-V ve P-V karakteristik erileri elde edilmitir.
Modellenen gne pili iin farkl seri ve paralel hcre saylar,
farkl scaklk deerleri, farkl gne ma ve sorulma
miktarlar ve farkl zellikte retilen gne pilleri iin
kullanlan dier parametrelere gre I-V ve P-V karakteristik
erileri elde edilmi ve elde edilen bu benzetim sonular olas
teorik sonularla karlatrlmtr. Yine modellenen gne
piline farkl diren ykleri ve bu tip sistemlerde yaygn olarak
kullanlan dorusal olmayan zellik gsteren ak yk
dorudan balanarak k akm, k gerilimi ve g
deiimlerinin elde edilmesine ynelik benzetimleri
yaplmtr. almann son ksmnda ise gerek bir gne
paneli kullanlarak farkl ma ve scaklk deiim deerleri
iin gne pili modlnn benzetim sonularnn gerek bir
gne pili modl ile karlatrmas yaplmtr.

18

(a)

(b)
ekil 1: (a) Gne pili edeer devre modeli,
(b) Basitletirilmi edeer devre modeli.

ahin M. E., Okumu H. ., Gne Pili Modlnn Matlab/Simulink ile Modellenmesi ve Simlasyonu,
Cilt 3, Say 5, Syf 17-25, Haziran 2013

Gne pilinin tipik I-V karakteristii sabit scaklk (T) ve


belirli bir k iddeti (G) iin ekil 2deki gibidir. Omik bir
yk iin yk karakteristii dorusal olarak I/V=1/Rnin eimi
olarak bulunabilir. Yke aktarlan gcn sadece dirence bal
olduu sylenebilir. Buna gre ayet R yk ok kkse
gne pili ekil 2deki M-N aralnda bir akm kayna
olarak ksa devre akmna yakn bir akm deerinde
alacaktr. ayet R yk olduka byk deerdeyse bu
durumda da gne pili erinin P-S aralnda sabit bir gerilim
kayna olarak ak devre gerilimine yakn bir gerilim
deerinde alacaktr [4].

ekil 2: Gne pilinin tipik akm-gerilim (I-V) karakteristii.


Yke aktarlan gcn maksimum olduu noktaya maksimum
g noktas denir ve bu nokta ekil 2de A (Iopt, Vopt)
noktasdr. Ve bu nokta iin ykn ald uygun deer Ropt
olur. Maksimum g Pmak ise Eitlik 4deki gibi yazlabilir.

Pmax Vopt .I opt

(4)

Gne pilinin verimi ise pile aktarlan g ile emilen k gc


arasndaki orana baldr ve Eitlik 5de gsterilmitir. Burada
G aydnlanma iddeti, A ise hcrenin alandr.

Pmax Vopt .I opt

Pin
G. A

(5)

Vopt .I opt
Pmax

Voc .I sc
Voc .I sc

Gne pili edeer devresinde ki Rs direnci Rsh direncine gre


ok daha duyarldr. Bu yzden Rsh direnci Rs direnci yannda
ak devre gibi alnabilir. Bu durumda toplam modl akm (I)
Eitlik 9daki gibi olur.

V I .RS

I
N P .I PH N P .I 0 exp(q.
/ k.TC . A) 1
NS NP

(9)
Eitlik 9da V=VPV, I=IPV, IPH=IL, A=n ve TC=T ifadeleri
yerine konularak toplam modl k gerilimi (VPV) Eitlik
10daki gibi yazlabilir.

N S .n.k .T I L I 0 I PV N P N S
ln
Rs .I PV

q
I 0 .N P

NP

(10)

Eitlik 7deki gne pilinin scakla ve gne sorulma


miktarna bal akm ifadesi, Eitlik 10da yerine yazlacak
olursa bu parametrelere bal gne pili modlnn gerilim
ifadesi Eitlik 11deki gibi yazlabilir.

VPV

(7)

(8)

ekil 3: Gne pili modl iin genel edeer devre modeli.

(6)

Gne pilinin akmnn hcresel alma scakl (T) ve gne


sorulmas (G) ye bal ifadesi Eitlik 7deki gibi
gsterilebilir. Burada G, gne enerjisi sorulma miktar
olup k iddetine gre 0-1100kW/m aralnda
deimektedir. K ise ksa devre akmna bal scaklk
katsaysdr. Genel olarak 3mA/C olarak alnr [9]. Burada bir
dier parametre de rzgar hzdr ancak literatrde genel
olarak 1-3m/s aralnda seilmi ve etkisiz eleman olarak
gzkmektedir. Ayrca gerekletirilen modelde gne
modl scakl esas alnd iin hava koullarndaki
deiimlerin scaklk etkisi dikkate alnmamtr [18].

I L I sc K I (T Tref ) .G

V I .R
N .V

I N P .I PH N P .I 0 exp q S / k.TC . A 1 P I .RS / RSH


N
N
N
P

S
S

VPV

Dier bir parametre ise maksimum gcn (Pmax), ksa devre


akm (Isc) ile ak devre gerilimi (Voc)nin arpmna
blmnden elde edilen ve Eitlik 6da gsterilen doldurma
faktrdr. Bu deer retilen gne pilleri iin hesaplanabilir
ve ideal bir gne pili iin 0.7 deerinden byk olmas
istenir.

DF

Basit bir gne pili hcresi en fazla 0.5V gerilimde 2W gce


kabilmektedir. Bu yzden hcreler seri ve paralel balanarak
istenen gerilim ve akmda gne pilleri elde edilebilir. Bu elde
edilen yaplar gne pili modl olarak adlandrlr. Edeer
devre modelinde seri hcre saylar Ns, paralel hcre saylar
ise Np olarak alnp ekil 3deki modler edeer devre modeli
gsterilmitir [9]. Bu ifade de seri hcre says gerilimi
arttrrken paralel hcre says ise akm arttrr. Bu modl iin
toplam akm ifadesi Eitlik 8deki gibi yazlabilir.

N S .n.k.T ( I SC K I (T Tref )).G I 0 I PV N P N S


ln
.Rs .I PV
q
I 0 .N P

NP

(11)

3. Gne Pilinin Matlab/Simulink Benzetimi


Saysal ifadelerin ve formllerin yazmnda, bu ifadeleri
oluturan sistemlerin modellenmesinde ve dier sistemlerle
birletirilmesinde Matlab/Simulink grsel yazlm olduka
kolaylklar salamaktadr. Bu yzden modellemede
Matlab/Simulink yazlm tercih edilmitir. Eitlik 11deki
gne pilinin tm parametrelerini ieren akma bal gerilim
ifadesinin Simulink benzetimi ekil 4de verilmitir.

19

EMO Bilimsel Dergi, Cilt 3, Say 5, Haziran 2013

TMMOB Elektrik Mhendisleri Odas

4. Gne Pili Modl iin Benzetim Sonular

1.38e-23
k

2
T

3
Ns

10

x5

x6

(a*k*T )/q

1.6e-19

Sx

1
Vpv

x1

5
Isc
3
k1

x7

1
x8

9
Tc
2

4
Np

x4

2
Ipv 2

x2

Gne pili modlne ait benzetimler ve Tablo 1deki


parametreler kullanlarak ekil 6(a)da gne piline ait akmgerilim (I-V) karakteristik erisi elde edilmitir. Bu eri iin
maksimum g noktas belirlenmitir. ekil 6(b)de ise ggerilim (P-V) karakteristii izilmi ve maksimum g noktas
iin gerilim deeri belirlenmitir. Maksimum g aktarm ise
17V iin 1800Watt civarndadr.

ln
Is+Np-Ipv

6
Ipv
7
I0

x3

IL/Io

Math
Function
8
Rs

ekil 4: Gne pilinin Simulink edeer modeli.


Gne piline bir yk balanmas ve bu yk durumuna gre
sonularn elde edildii gne piline ait gerekletirilen genel
devre modeli ekil 5de gsterilmitir.
105
Ns
148
Np

PV Graphics

3.92
Isc
277 e-6

V-I Graphics

Scope 1

(a)

Rs
350
Tc
1
Sx

Scope

PV_Model

R load
Continuous

Transport
Delay

Saturation

powergui

ekil 5: Gne pilinin Simulinkde yk balanarak elde edilen


genel modeli.
ekil 4deki gne pilinin edeer modeli ve ekil 5deki
gne piline yk balanm genel elektriksel modeli
kullanlarak benzetim sonular elde edilmitir. Bu
benzetimlerde Tablo 1deki sabit deerler ve deiken
parametreler kullanlmtr.
Tablo 1: Simlasyonlarda kullanlan sabit deerler ve
deiken parametreler

(b)
ekil 6. Gne pili modelinin I-V karakteristii(a) ve P-V
karakteristii(b) benzetimi.

Sabit Kabul Edilen Parametreler ve Deerleri


Boltzmann sabiti (k)
1.38x10-23J/K
Elektron yk (q)
1.6x10-19 C
Referans scaklk (T)
(273+25)K
Ksa devre akm scaklk sabiti (K)
3mA/C
Diyot akm (Io)
50A
Ksa devre akm (Isc)
3.92A
Deiken Parametreler ve Deerleri
Seri hcre says (Ns)
105
Paralel hcre says(Np)
148
Seri i diren(Rs)
0.0277
Deiken scaklk(Tx)
0-100C
Ik sorulmas(Sx=G)
0.1-1kW/m
deallik faktr(a=n)
1.2-5

20

(a)

ahin M. E., Okumu H. ., Gne Pili Modlnn Matlab/Simulink ile Modellenmesi ve Simlasyonu,
Cilt 3, Say 5, Syf 17-25, Haziran 2013

(b)
ekil 7: Gne modlnn farkl seri(a) ve paralel(b) hcre
saylar iin I-V karakteristii.
ekil 7(a) ve (b) de gne pili modelinin deiik saylarda
paralel ve seri bal hcreler iin akm-gerilim (I-V)
karakteristiklerinin nasl deitii gzkmektedir. Bu
grafiklerde grld zere seri hcre says artarken ak
devre gerilimine yakn deerlerde gerilim deeri artmakta ksa
devre akm deeri ise sabit kalmaktadr. Ayn ekilde paralel
hcre saylar arttnda ykl durumda akm artmakta ak
devre gerilimi ise deimemektedir. Bu benzetim sonular
beklenen teorik sonularla uyumaktadr.

(b)
ekil 8 : Farkl seri i direnler(Rs=0.0001-Rs=0.2) iin IV(a) ve P-V(b) erileri.
ekil 9(a) ve (b) de farkl scaklk deerleri iin gne pilinin
I-V ve P-V erileri gzkmektedir. ekil 9(a) da gne pilinde
scaklk artnn ak devre gerilimi (Voc) nin deerini
drd ksa devre akm (Isc) yi ise ok az miktarda da olsa
artrd gzkmektedir. Ancak ekil 9(b)de grld gibi
maksimum g noktas scaklk art ile beraber dmektedir.
Bu durum teorik hesaplara uygun bir durumdur.

ekil 8(a) ve 8(b) de ise gne pili modelinin farkl seri i


direnleri iin I-V ve P-V karakteristikleri gzkmektedir.
ekil 8(a) da grld gibi seri i diren deeri ne kadar
kltlrse I-V karakteristiinin maksimum noktas Voc ve Isc
deerlerine yaklamakta ve doldurma faktr 0.7 deerinden
byk olmaktadr. Ayn ekilde P-V karakteristiinde de
Rsnin deerinin azalmas ile maksimum g noktas
artmaktadr.

(a)

(b)
(a)

ekil 9: Farkl scaklk deerleri(T=0 C - T=100 C) iin IV(a) ve P-V(b) erileri

21

EMO Bilimsel Dergi, Cilt 3, Say 5, Haziran 2013

TMMOB Elektrik Mhendisleri Odas

ekil 10(a) ve (b) de ise gne pilinin farkl gne


sorulmas durumlar iin I-V ve P-V karakteristik erileri
izilmitir. Burada gne sorulma deerleri iin
ile Sx=1kW/m aralnda ki deerler
Sx=0.1kW/m
kullanlm ve karakteristik erileri izdirilmitir. Burada
sorulan k iddetine bal olarak gerilimin ve akmn artt
gzkmektedir. Ancak gerilimdeki art akma gre ok daha
azdr. Buna bal olarak g aktarm da ekil 10(b) de
grld gibi belli oranda artmaktadr.

(a)

(a)

(b)
ekil 11: Farkl ideallik faktrne sahip gne pilleri(n=1.25)
iin (a) I-V ve (b) P-V erileri.

5. Farkl Ykler Bal Gne Pili iin


Benzetim Sonular

(b)
ekil 10: Farkl gne sorulma deerleri (Sx = 0.1-1kW/m)
iin (a) I-V ve (b) P-V erileri.
Gne pilinin modellenmesinde kullanlan bir dier parametre
de ideallik faktrdr. Bu faktr gne pilinin retim
teknolojisine gre 1.2 ile 5 aralnda deimektedir. rnein
Silisyum mono kristali iin n=1.2 iken Kadmiyum Tellr iin
n=1.5 dur. Bu deer deiik malzeme yapsna gre farkl
deerler alabilir. ekil 11(a) ve (b) de farkl ideallik faktrne
sahip gne pilleri iin I-V ve P-V karakteristik erileri
izilmitir. deallik faktrnn bymesine bal olarak ak
devre gerilimi (Voc) ve ksa devre akm (Isc) deerleri de
bymektedir. Buna bal olarak maksimum g aktarm da
ekil 11(b) deki gibi artmaktadr.

22

Gne pilinin karakteristik erilerinde dorusal deien farkl


yklerde gne pili ykle dorusal olmayan farkl akm ve
gerilim deerlerine sahip olmaktadr. Bu durum gne pili
sisteminin dier sistemlere balanmasnda nem arz
etmektedir. Gne gzesi sistemleri kullanlarak elde edilen
enerji dorusal bir yk zellii gstermeyen aklerde
depolanmakta ve sonradan ihtiyaca gre kullanlmaktadr. Bu
almada gne pilinin omik yk ve aknn farkl arj
durumlar iin dorusal olmayan yk durumu incelenmitir.
Gne pili modeli iin ekil 5deki diren ykl
Matlab/Simulink benzetimi kullanlmtr. Diren yk bal
gne pili modeli iin akm-gerilim (I-V) karakteristiinin
farkl yklenme durumu iin alma blgesi ekil 12(a)da
verilmitir.
Omik
ykn
durumuna
gre
I-V
karakteristiindeki alma noktas maksimum g noktas ile
ak devre gerilimi aralnda deimektedir. Diren deeri
artarken akm deeri de azalmakta alma gerilimi ise

ahin M. E., Okumu H. ., Gne Pili Modlnn Matlab/Simulink ile Modellenmesi ve Simlasyonu,
Cilt 3, Say 5, Syf 17-25, Haziran 2013

artmaktadr. ekil 12(b)de grld gibi k geriliminin


deiimi zamanla sabitlenmektedir. Akmn balang deeri
sfr olduundan balangta ak devre gerilim deerinden
yklenme gerilim deerine doru gerilim zamanla deimekte
ve sabitlenmektedir. ok kk yk deerinde ise ani akm
tepkisi
sistemin
kararlln
bir
miktarda
olsa
yavalatmaktadr.

(a)

(b)
ekil 13: Farkl ykler iin;(a)k akmnn, (b) k
gcnn zamanla deiimi.
(a)

ekil 14(a) da gne piline bal 12V ve 20 amper-saatlik


aknn geriliminin zamanla deiimi 14(b) de ise ak
akmnn zamanla deiimi farkl arj seviyeleri iin
verilmitir. Farkl arj seviyeleri iin gne pilinden ekilen
akm ve buna bal gerilimin kararl olduu ancak arj seviyesi
ile dorusal deimedii gzkmektedir.

(a)

(b)
ekil 12: Farkl ykler (R=0.15, R=1, R=10) iin ;(a)I-V
karakteristiinde ki alma durumlar, (b)k geriliminin
zamanla deiimi.
ekil 13(a) da k akm, 13(b) de ise k gcnn zamanla
deiimi farkl ykler iin gsterilmitir. Kk direnler iin
gne pilinden maksimum g ekilmekte byk direnler iin
ise minimuma yakn g ekilmektedir. kn kk deerli
ykler iin daha yava kararl hale geldii ve kaynan
veriminin dt gzkmektedir.

(b)
ekil 14. Farkl ak arj seviyeleri iin;(a)gerilimin, (b) akmn
zamanla deiimi

23

EMO Bilimsel Dergi, Cilt 3, Say 5, Haziran 2013

TMMOB Elektrik Mhendisleri Odas

6. Gne Pili lmleri ve Benzetim


Karlatrmas
Yaplan deneysel lmlerde SUNRISE marka SR-M540100
model 100Wlk tek kristal yapya sahip bir gne paneli
kullanlmtr. Gne piline ait katalog verileri Tablo 2 de,
kurulan deney dzenei ise ekil 15 de verilmitir.
Tablo 2: Gne paneline ait katalog verileri.
Gne Panelinin Temel zellikleri
Maksimum panel gc (Pm)
Ak devre gerilimi (Voc)
Ksa devre akm (Isc)
Maksimum g voltaj (Vm)
Maksimum g akm (Im)
Modl-tek hcre verimi (%)
Hcre tipi (Si tek kristal) boyutlar
Hcre says (Pcs)
alma scakl

Saysal Deerleri
100W%3
24.35 V
5.51 A
19.80V
5.06 A
15.6- 18.43
125x125(mm)
40(4x10) Adet
-40,+85 oC

ekil 15: Kullanlan gne paneline ait lm dzenei


Kurulan deney dzeneinde gne nn aydnlatma iddeti
bir lksmetre yardm ile llmtr. Ancak gne nm
(W/m2) ile aydnlatma iddeti (lks) farkl boyutlarda olduu
iin aralarnda dorusal bir dnm yapmak mmkn
deildir. Elimizdeki klerin, katalog bilgilerine gre,
550nm dalga boyu iin lm yapabildii grlmektedir. Gn
nn grnr k blgesinde (600nm) en byk nma
sahip olduu bilinmektedir. Bu dalga boyunda aydnlanma
iddeti ile gne nm arasnda bir dnm katsays
kullanlmaktadr [19-21]. Kullanlan iki termik ift yardmyla
panelin alt ve st scakl llerek ortalama panel scakl
bulunmutur. Gne panelinin akm ve gerilimleri farkl
yklerde llerek I-V ve P-V erileri ekil 16 (a) ve (b) deki
gibi elde edilmitir. Yaplan lmler gne nmnn en
dk olduu aralk aynda gne k iddetinin 95000 lks ve
70000 lks olduu saatlerde farkl gnlerde yaplmtr.
Ortalama panel scakl 500C ve 350C olarak llmtr.
Yaplan lmlerde gne paneli erilerinin beklenen katalok
verilerine ulalm ancak, dk nmlar iin maksimum
gce ulalamamtr. Yl ierisinde en dk nm iin gne
panelinin verebilecei g miktar bulunmutur. Inm
miktarnn bir miktar art ile g miktar az da olsa artmtr.
Ancak panel scakl da artt iin nceki benzetimlerdeki
sonulara ve literatre uygun olarak maksimum g noktasnn
sanda bir miktar gerilim d olmu ve buna bal olarak
gte azalmtr [14-22].

24

(a)

(b)
ekil 16: Gne panelinin, farkl ykler iin llen akmgerilim(b), g-gerilim(a) erileri.

7. Sonular
Bu almada, gne pilinin elde edilen matematiksel modeli
Matlab/Simulink yazlm ile grsel olarak programlanm ve
gne pili modlnn benzetimi gerekletirilmitir. Elde
edilen benzetim sonularnn gne pilinin verimini etkileyen
tm parametreler iin nasl deitii incelenmitir ve teorik
sonulara yakn sonular verdii gzlenmitir. Gne pili
modelinin kna omik bir yk ve dorusal olmayan ak
yk balanarak k akm, k gerilimi ve k gcnn
farkl ykler iin zamanla deiimi incelenmitir. Elde edilen
benzetim sonularnn teorikte bilinen ideal bir kaynaa
benzer sonular verdii grlmtr. Bu nedenle modellenen
gne pilinin benzetimi yaplacak farkl elektriksel sistemlerle
beraber kullanlabilecei grlmtr.
Yaplan deneysel lmlerde ise farkl nmlar ve panel
scaklklar iin gne pilinin deneysel I-V ve P-V erileri
kartlarak benzetimlerin doruluu kantlanm ve kurulacak
gerek bir sistemde en dk nm iin en iyi alma noktas
belirlenmeye allmtr.
Gerekletirilen lmlerin srekli alan bir sistem
kurularak yaplmas daha gereki sonular verecek ve
blgesel istatistik verilerin elde edilmesi salanabilecektir.

ahin M. E., Okumu H. ., Gne Pili Modlnn Matlab/Simulink ile Modellenmesi ve Simlasyonu,
Cilt 3, Say 5, Syf 17-25, Haziran 2013

Teekkr
Bu alma, 111E292 numaral TBTAK hzl destek projesi
kapsamnda desteklenmitir. Yazarlar destek iin teekkr
ederler.

8. Kaynaklar
[1] Joyce A., Rodrigues C., Manso R., Modeling a PV
System, Renewable Energy 22, 275-280, 2001.
[2] Fangrui L., Shanxu D., Fei L., Bangyin L., and Yong K.,
A Variable Step Size INC MPPT Method for PV
Systems, IEEE Transactions on Industrial Electronics,
55(7), 2008.
[3] Masoum M.A.S., Dehbonei H., Fuchs E. F., Theoretical
and Experimental Analyses of Photovoltaic Systems with
Voltage and Current-Based Maximum Power-Point
Tracking, IEEE Transactions on Energy Conversion,
17(4), 2002.
[4] Hansen A. D., Srenson P., Hansen L. H., Bindner H.,
Models for a Stand-Alone PV System, Ris National
Laboratory, Roskilde, December 2000.
[5] Uzunoglu M., Onar O. C., Alam M. S., Modeling,
Control and Simulation of a PV/FC/UC Based Hybrid
Power Generation System for Stand-alone Applications,
Renewable Energy 34, 509-520, 2009.
[6] Walker G. R., Sernia P. C., Cascaded DC-DC Converter
Connection of
Photovoltaic Modules, IEEE
Transactions on Power Electronics, 19(4), 1130-1140
July 2004.
[7] Walker G., Evaluating Mppt Converter Topologies
Using A Matlab PV Model, Journal of Electrical &
Electronics Engineering, 21(1), 49-56, 2001.
[8] Alta I. H., Sharaf, A. M. A Photovoltaic Array
Simulation Model for Matlab-Simulink
GUI
Environment, IEEE Conference, 341-345, 2007.
[9] Tsai H. L., Tu C. S., and Su Y. J., Development of
Generalized
Photovoltaic
Model
Using
Matlab/Simulink, WCECS 2008, San Francisco, USA,
October 22-24, 2008
[10] Francisco M.G.L., Model of Photovoltaic Module in
Matlab, II CIBELEC, 2005,
[11] Lorenzo, E. Solar Electricity Engineering of
Photovoltaic Systems Artes Graficas Gala, S.L., Spain.
1994
[12] Ropp M. E., Gonzales S., Development of
Matlab/Simulink Model of a Single- Phase GridConnected Photovoltaic System, IEEE Transactions on
Energy Conversion, 2009.
[13] Patel H., Agarwal V., MATLAB-Based Modeling to
Study the Effects of Partial Shadings on PV Array
Characteristics, IEEE Transactions on Energy
Conversion, 23(1), 302-311, March 2008.
[14] Hegazy A. A., Comparative Study of the Performances
of Four Photovoltaic/ Thermal Solar Air Collectors,
Energy Conversion& Management 41, 861-881, 2000.
[15] Navruz T. S., Sarta M., Efficiency Variation of The
Intermediate Band Solar Cell Due to The Overlap
Between Absorption Coefficients, Solar Energy
Materials & Solar Cells 92, 273-282, 2008.
[16] Sahin M. E., Okumus H. ., A Fuzzy Logic Controlled
PV-Powered BuckBoost DC-DC Converter for BatteryLoad System, INISTA Conference, Trabzon, 2011.

[17] Sharaf A.M., Sahin M.E., A Novel Photovoltaic PVPowered Battery Charging Scheme for Electric
Vehicles, ICEAS IEEE Conference, India, 2011.
[18] Sahin M. E., Nevruzov V., Computer Controlled Solar
House for Measurement Rize City Solar Energy
Potential, NuRER Conference, Ankara, 2010.
[19] Bcher K., Kleiss G., Btzner D., Photovoltaic Modules
in Buildings: Performance and Safety, Renewable
Energy 15, 545-551, 1998.
[20] Manallah A., Bouafia M., Guechi A., Photometric Study
of a Solar Cell Panel Si-c, NuRER Conference, stanbul,
2012.
[21] nternet:
www.wikipedia.com,
Electromagnetic
spectrum and visible light,2012.
[22] Joshi A.S., Diner I., Reddy B. V., Performance
Analyses of Photovoltaic Systems: A review, Renewable
and Sustainable Energy Reviews 13, 18841897, 2009.

25