instituto

Politcnico nacional
Departamento de ingeniera en comunicaciones y electrnica
Laboratorio de dispositivos
Practica #1:
DIODOS RECTIFICADORES
Prof. Acenzua bravo Sergio
Integrantes del equipo
-marcial medina jose Isabel
-Abarca Prez cesar Emmanuel
Grupo: 5Cm2
Fecha de realizacin: 23 de febrero del 2016
Fecha de entrega: 1 de marzo del 2016
Calificacin:..

Objetivos
1.1.-Indentificar el comportamiento rectificante en un diodo y
el comportamiento hmetro del resistor.
1.2.-Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N) en un
diodo rectificador.
1.3.-Obtener y comparar las curvas caractersticas (V-I), de
diodos rectificadores.

Introduccin terica
Diodo semiconductor: dispositivo electrnico de estado slido,
se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, solo la
unin de un material con un portador mayoritario de
electrones a uno con un portador mayoritario de huecos. La
simplicidad bsica de su construccin refuerza la importancia
del desarrollo de esta rea de estado slido.
Si se conectan cables conductores a los extremos de cada
material, se produce un dispositivo de dos terminales, se
dispone entonces de tres opciones: sin polarizacin,
polarizacin en directa y polarizacin en inversa. Polarizacin
se refiere a la aplicacin de un voltaje externo a travs de las
dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta.
Sin polarizacin aplicada (V=0V)
En el momento en que los dos materiales se unen, los
electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan y
provocan una carencia de portadores libres en la regin
prxima a la unin, las nicas partculas mostradas en esta
regin son los iones positivos y negativos que quedan una vez
que los portadores libres han sido absorbidos.

Esta regin de iones positivos y negativos revelados se llama

regin de empobrecimiento, debido a la disminucin de
portadores libres en la regin.
Condicin de polarizacin en inversa (VD<0V)
Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la
unin p-n con la terminal positiva conectada al material tipo n
y la negativa conectada al material tipo p, el nmero de iones
positivos revelados en la regin de empobrecimiento del
material tipo n se incrementara por la gran cantidad de
electrones libres atrados por el potencial positivo del voltaje
aplicado. Por las mismas razones, el nmero de iones
negativos no revelados se incrementara en el material tipo p.
Condicin de polarizacin en directa(VD>0V)
La condicin de polarizacin en directa o encendido se
establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el
potencial negativo al tipo n como se muestra en la figura.

Desarrollo experimental
1.-obtener en el osciloscopio la siguiente seal

B) Ahora obtener la siguiente seal, primero la seal continua

y luego ambas en el osciloscopio

2.-Distinguir
el
comportamiento
rectificante
del
comportamiento
hmico
para
diferentes
elementos
electrnicos, mediante el uso de un multmetro como
hmetro.
Cuando un multmetro en su funcin de hmetro, se usa para
identificar las terminales de un dispositivo, requiere que se

conozca previamente cul de sus terminales es (+) (voltaje de

la batera interna del mismo) y cul de ellas es (-), ya que en
base a esto, podremos saber cundo un par de terminales de
algn dispositivo, se polariza directa o inversamente y de esta
manera conocer en forma directa el tipo de regiones
semiconductoras (P o N), que dicho dispositivo contiene entre
esas terminales.
Calibrar el hmetro, use la escala X10

2.- Arme el siguiente circuito mostrado a continuacin:

Primero colocar el diodo rectificante y observar el

comportamiento de este elemento en el osciloscopio (X-Y). En
seguida quitar este elemento y colocar el resistor,

nuevamente observar y dibujar la grfica correspondiente. En

ambas acotar sus valores tpicos de C/U

Presentacin de los resultados

1.- a)
(x)Ch1=2volts/divisin
(y)Ch2=1volt/divisin

b) (x)Ch1=5volts/divisin
(y)Ch2=2volts/divisin

2.-Resistor)
(x)Ch1=1volt/divisin
(Y^-1)Ch2=1volt/divisin

Diodo)
(x)Ch1=1volt/divisin
(Y^-1)Ch2=1volt/divisin

Tabla 1.1-Mediciones de resistencias realizadas con el hmetro

para el caso de una resistencia y un diodo
Elemento
bajo Resitencia
prueba
T1(+) y T2 (-)
Diodo
comportamiento
rectificante
Resistor
comportamiento
Ohmico

Resite
T1(-) y T2(+)

Conclusin:
El diodo es un dispositivo electrnico de estado slido que se
crea al unir un material tipo n a un material tipo p, si se
conectan cables conductores a los extremos de cada material,
se produce un dispositivo de dos terminales, se dispone
entonces de tres opciones: sin polarizacin, polarizacin en
directa y polarizacin en inversa. El diodo no tiene
polarizacin cuando no se aplica voltaje a sus terminales, la
polarizacin en inversa (VD<0V) se presenta cuando se aplica

un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n con la

terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa
conectada al material tipo p, la polarizacin en directa
(VD>0V) se presenta cuando se aplica el potencial positivo al
material tipo p y el potencial negativo al tipo n.
Bibliografa:
Boylestad, Robert L. y nashelsky. Louis
Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Pearson educacin, Mxico 2009