Medición características estáticas tiristor triac

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

LABORATORIO DE ELECTRNICA II-P
EXPERIENCIA #1:
MEDICIN DE LAS CARACTERISTICAS ESTTICAS DEL

TIRISTOR Y DEL TRIAC
INFORME PREVIO DE LABORATORIO
DOCENTE:
ING. NUEZ CARRILLO RICARDO HUMBERTO
ALUMNO:
PRIMO FLORES ALEXANDER LUIS 20120246A
ESPECIALIDAD:
INGENIERIA ELCTRICA
CDIGO DE CURSO:
EE432 M
Lima-Per
2016
I.
OBJETIVOS

LABORATORIO DE ELECTRONICA II-P (EE432M)
II.
CICLO
ACADMICO
2016-I
Estudio y verificacin experimental de las caractersticas estticas del tiristor o SCR

(semiconductor controlled rectifier), un dispositivo semiconductor capaz de realizar una
conmutacin controlada con altos niveles de potencia. Comprender las caractersticas y los
requisitos de control de compuerta.
Estudio y verificacin experimental de las caractersticas estticas del Triac, un dispositivo
semiconductor bidireccional especial que equivale a dos tiristores conectados en paraleloinverso, se utiliza en aplicaciones de pequea potencia.
EQUIPOS Y MATERIALES
Los materiales a utilizar en el laboratorio son:

1 Tiristor BT151.
1 Triac BT136.
1 Resistencia de 220 /5W.
1 Resistencia 2 K / 0.5W.
2 Fuentes de alimentacin de DC.
III.
PREGUNTAS
1. Explique cules son las caractersticas principales del tiristor

Un tiristor es un dispositivo semiconductor con cuatro capas, de estructura pnpn, con tres uniones
pn. Tiene tres terminales: nodo, ctodo y compuerta.
Fig.01 Smbolo del tiristor y tres uniones pn
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al del ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y slo pasa una pequea corriente de
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fuga de nodo a ctodo. En este caso, se dice que el tiristor est en la condicin de bloqueo directo o
en estado apagado. Si aumenta el voltaje de polarizacin V AK de nodo a ctodo hasta un valor
suficientemente grande, se daa en forma permanente la unin J2.A esto se le llama ruptura por
avalancha, y el voltaje correspondiente se llama VB0, voltaje de ruptura directo.
Ya que las otras uniones J1y J3 ya estn polarizadas directamente, hay un flujo libre de portadores a
travs de las tres uniones, dando como resultado una gran corriente andica directa. Entonces, el
dispositivo est en estado conductor, o estado encendido. La cada de voltaje se debe a la cada
hmica en las cuatro capas, y es pequea, normalmente de 1V. En el estado de conduccin, la
corriente andica se limita por una impedancia externa, o una resistencia R L. La corriente andica
debe ser mayor que un valor llamado corriente de mantenimiento IH para mantener el flujo
necesario de portadores a travs de la unin; en caso contrario, el dispositivo regresa a la condicin
de bloqueo, cuando se reduce el voltaje de nodo a ctodo.
Cuando el voltaje catdico es positivo con respecto al nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa,
pero las uniones J1y J3 tienen polarizacin inversa. Es como dos diodos conectados en serie con
voltaje en sentido inverso a travs de ellos. El tiristor est en el estado de bloqueo en sentido
inverso y pasa por l una corriente de fuga, llamada corriente inversa. Si el voltaje en inversa sigue
aumentando se producir la conduccin equivalente a la regin Zener o de avalancha del diodo
semiconductor fundamental de dos capas.
Fig.02 Caractersticas v-i

Un tiristor se puede encender aumentando el voltaje VAK en sentido directo a ms de VB0, pero ese
encendido podra ser destructivo. En la prctica, el voltaje en sentido directo se mantiene menor que
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VB0 y el tiristor se activa aplicando un voltaje positivo entre su compuerta y su ctodo. Esto se
indica en la figura 02 con lneas interrumpidas.
MODELO DEL TIRISTOR EMPLEANDO DOS TRANSISTORES
Se puede considerar que un tiristor equivale a dos transistores complementarios, un transistor pnp,
Q1, y otro transistor npn, Q2. El modelo del circuito equivalente se ve en la figura 03.
Fig.03 Modelo de dos transistores para el tiristor.

La corriente Ic del colector de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la
corriente de fuga de la unin colector-base, ICB0, como sigue:
I C 1= 1 I A + I CB 01
Donde
1 es la ganancia en corriente e
I CB 01 es la corriente de fuga para Q1. De igual modo,
para el transistor Q2, la corriente del colector
I C 2 es:
I C 2= 2 I K + I CB02
Se combinan
IC 1 y
I C 2 para obtener:
I A =I C 1+ I C 2= 1 I A + 2 I K + I CB01 + I CB 02
Si la corriente de disparo, control, de compuerta es
IG y
la ecuacin de arriba y obtenemos:

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I K =I G + I A , despejamos
IA d e

I A=
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2 I G + I CB 01+ I CB 02
1( 1 + 2)
El aumento en los valores de
1 y 2 hace aumentar ms
efecto regenerativo, o de retroalimentacin positiva. Si (
I A . En consecuencia, hay un
1+ 2 ) tiende a la unidad, el
denominador de la ecuacin tiende a cero, resulta un valor grande de la corriente andica

el tiristor se enciende con una pequea corriente de compuerta
IA , y
IG > 0 .
MODOS DE ACTIVACION DE TIRISTOR

a) Disparo por Alto voltaje (
V AK ): Si el voltaje en sentido directo, de nodo a ctodo, es
mayor que el voltaje de ruptura en sentido directo VBO, pasa una corriente de fuga suficiente
para iniciar la activacin regenerativa. Esta clase de activacin es destructiva, y se debe
evitar.
b) Disparo por aumento de temperatura: Si la temperatura de un tiristor es alta, hay un
aumento en la cantidad de pares electrn-hueco, que aumenta las corrientes de fuga. Este
aumento en las corrientes hace aumentar a
1 y 2 . Debido a la accin regenerativa,
1+ 2 puede tender a la unidad, y el tiristor se puede activar. Este tipo de activacin

puede causar avalancha trmica, y en el caso normal se evita.
c) Disparo por gradiente de tensin: A un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva
entre nodo y ctodo con tiempo de subida muy corto (del orden de microsegundos), la
capacidad se carga a: i=C
d V AK
dt
Si esta intensidad de fugas es lo suficientemente grande, tanto como para mantener el

proceso regenerativo, el tiristor entrar en estado de conduccin estable, permaneciendo as
una vez pasado el escaln de tensin que lo dispar. Para producir este tipo de disparo
bastarn escalones de un valor final bastante menor que el valor de la tensin de ruptura por
avalancha, con tal de que el tiempo de subida sea suficientemente corto.
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Fig.04 Zona de disparo por gradiente de tensin

d) Disparo por efecto fotoelctrico: Si se deja incidir luz en las uniones de un tiristor,
aumentan los pares electrn-hueco y el tiristor puede activarse. Los tiristores activados con
luz se encienden dejando que la luz incida sobre la oblea de silicio.
e) Disparo por corriente de compuerta: Es el proceso utilizado normalmente para disparar
un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad,
mediante la conexin de un generador adecuado entre los terminales de puerta y ctodo a la
vez que se mantiene una tensin positiva entre nodo y ctodo.
Fig.05 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo en sentido directo
2. Presentar las curvas caractersticas del tiristor BT151.
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3. Copiar las especificaciones del tiristor BT151 y explicar su significado.
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Valores Lmite:
VDRM: Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo directo (Repetitive peak off-state
voltage). Expresa el valor mximo de voltaje repetitivo para el cual el fabricante garantiza
que no hay conmutacin, con la puerta en circuito abierto.
VRRM: Tensin inversa de pico repetitivo. (Repetitive peak reverse voltage). Valor mximo
de tensin que se puede aplicar durante un cierto periodo de tiempo con el terminal de
puerta abierto.
IT(AV): Corriente elctrica media. (Average on - state current). Valor mximo de la corriente
media en el sentido directo, para unas condiciones dadas de temperatura, frecuencia, forma
de onda y ngulo de conduccin.
IT(RMS): Intensidad directa eficaz. (r.m.s on state current).
ITSM: Corriente directa de pico no repetitiva. (Non-repetitive peak On- state current).
Corriente mxima que puede soportar el tiristor durante un cierto periodo de tiempo.
I2t: Valor lmite para proteccin contra sobreintensidades. (I2t Limit value). Se define como
la capacidad de soportar un exceso de corriente durante un tiempo inferior a medio ciclo.
Permite calcular el tipo de proteccin. Se debe elegir un valor de I 2t para el fusible de forma
que: I2 t (fusible) < I2 t (tiristor).
di/dt: Valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen
puntos calientes.
VGM: Tensin de puerta mxima. (Peak gate voltage). Mxima tensin directa que se puede
aplicar a la puerta.
VRGM: Tensin inversa de puerta mxima. (Peak reverse gate voltage). Mxima tensin
inversa que se puede aplicar a la puerta.
PGM: Potencia de pico disipada en la puerta. (Peak gate power dissipation). Potencia
mxima disipada en la unin puerta-ctodo, en el caso de que apliquemos una seal de
disparo no continua.
PG(AV): Potencia media disipable en la puerta. (Average gate power dissipation). Representa
el valor medio de la potencia disipada en la unin puerta-ctodo.
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Tstj: Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range). Margen de temperatura

de almacenamiento.
Tj: Temperatura de la unin. (Juntion temperature). Indica el margen de la temperatura de
la unin, en funcionamiento.
Resistencias Trmicas:
Rthj-mb: Resistencia trmica unin-contenedor. (Thermal resistance, Junction to ambient)
Rth j-a: Resistencia trmica unin ambiente al aire libre. (Termal resistance juntion to
ambient in free air).
Caractersticas Estticas:
IGT: Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de puerta que
asegura el disparo con un determinado voltaje de nodo.
IL: Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de nodo mnima que hace
bascular al tiristor del estado de bloqueo al estado de conduccin.
IH: Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mnima corriente de nodo que
conserva al tiristor en su estado de conduccin.
VT: Tensin en extremos del tiristor en estado de conduccin. ( On - state voltage).
VGT: Tensin de disparo de puerta. (Tensin de encendido). (Gate voltage to trigger).
Tensin de puerta que asegura el disparo con tensin nodo - ctodo en directo.
Caractersticas Dinmicas:
dvD/dt: Valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo de la cual no se produce el
cebado sin seal de puerta.
tgt: Tiempo de paso a conduccin. (Gate controlled turn on time).
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tq: Tiempo de bloqueo, (Circuit commutated turn - off time). Intervalo de tiempo necesario
para que el tiristor pase al estado de bloqueo de manera que aunque se aplique un nuevo
voltaje en sentido directo, no conduce hasta que haya una nueva seal de puerta.
4. Explique cules son las caractersticas principales del Triac.

El triac es un semiconductor de tres terminales, dos principales (TM1, TM2) y otro de
control denominado puerta (G). Este dispositivo tiene la capacidad de controlar el paso de
corriente en ambas direcciones, por tanto se puede decir que se trata de un dispositivo
bidireccional. Distinto de los tiristores, el triac estndar puede ser disparado por circulacin
de corriente positiva o negativa entre compuerta y MT1. El triac acta como dos
rectificadores controlados de silicio (SCR) en anti paralelo como se muestra en la figura 01.
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Fig.01 Construccin bsica, smbolo y circuito equivalente
La figura 02 describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a travs del
Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1. El punto VBO (tensin de
ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la
corriente, a travs del Triac, crece con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de
mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la fuente. Una vez
que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla ms la conduccin, por esta razn se
acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa
sobrante en la compuerta.
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Fig.02 Cuadrantes de disparo y Caractersticas V-I del Triac

El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es
negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un
componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica
en el cuadrante I de la curva es igual a la del III.
5. Presente las curvas caractersticas del Triac BT136.
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6. Cules son los modos de disparo del Triac?

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales puerta y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da
una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se
vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.
Modo I +: Terminal MT2 positiva con respecto a MT1.

Intensidad de puerta entrante.
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la
P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en
parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que
es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella
inicindose la conduccin.
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Modo I - : Terminal MT2 positivo respecto a MT1.

Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado MT1 de puerta y P de
ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de MT2 y polariza
fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La
unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
Modo III +: Terminal MT2 negativo respecto a MT1.

Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin
la estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que
alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose
ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la
unin P2N1 prxima a ella que la prxima a MT1, provocndose una inyeccin de huecos
desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin
exterior y se produce la entrada en conduccin.
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Modo III - : Terminal MT2 negativo respecto a MT1.

Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de MT1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la
prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la
unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y
III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y
debe evitarse su empleo en lo posible.
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IV.
PROCEDIMIENTO
1. Arme el circuito mostrado de la figura
R1
220
R2
D1
BT151_500R
2.0k
V1
V2
2. Coloque V2 en 12v y aumente el valor de V1 desde 1 voltio en pasos de 0.1V

conectando y desconectando R2 en cada paso hasta que conduzca el tiristor
permanentemente. Anote el valor de V1 de VR1 en R1 y VAK(ON).
I L=
V R1
R1
3. Estando conduciendo desconecte la resistencia R2 = 2K y verifique el valorde V1

como en el caso anterior. Luego disminuya lentamente el valor de V1 hasta que deje
de
conducir
el
tiristor
y
anote
el
valor
de
V1.
La corriente de mantenimiento ser:
V V AK (ON )
I H= 1
R1
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4. Coloque el valor de V1 en 12V. Aumente el valor de V2 desde 0 voltios hasta que conduzca
el
tiristor
y
anote
el
valor
de
V R2
en
R2.
La
corriente
de
puesta
a
mnima
para
disparar
al
tiristor
ser:
I GTmin =
V R2
R2
5. Repita los pasos del (1) al (4) reemplazando al tiristor por un TRIAC.
6. Repita los pasos del (1) al (4) invirtiendo la polaridad de la fuente de alimentacin
solo de V1.
7. Repita los pasos del (1) al (4) invirtiendo la polaridad de la fuente de alimentacin
solo V2 con R2=220 / 5w.
8. Repita los pasos del (1) al (4) invirtiendo la polaridad de las dos fuente de
alimentacin con R2=220 / 5w.
V.
CALCULOS PREVIOS
Con switch on:

La corriente de compuerta seria:
IG =
12V min
R1
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con V min =0.6 V
IG =
120.6
5.7 mA > I min (2 mA )
2k
La corriente andica deber ser:
I A=
V 1V T on
I L (Corriente de enganche)
R2
V 11.4 10 mA (0.22 K )
V 1 2.2+1.4
V 1 3.6 V
La tensin mnima para
V1 :
I A I H (corriente de mantenimiento)
V 1 V T on
7 mA
R2
V 1 min 1.4
=7 mA
0.22 K
1 m=2.94 V
V
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VI.
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BIBLIOGRAFIA
Muhammad H. Rashid, ELECTRONICA DE POTENCIA, Circuitos, dispositivos

y aplicaciones. Mxico. 3a Edicin. Prentice Hall, 2004.
https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/05/diacs-y-triacs.pdf
http://www1.frm.utn.edu.ar/epotencia/apuntes/recomendaciones.pdf
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BT136_SERIES.pdf
http://www.futurlec.com/Diodes/BT151.shtml
Pgina 25

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MEDICIN DE LAS CARACTERISTICAS ESTTICAS DEL

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Estudio y verificacin experimental de las caractersticas estticas del tiristor o SCR

Los materiales a utilizar en el laboratorio son:

1. Explique cules son las caractersticas principales del tiristor

Fig.01 Smbolo del tiristor y tres uniones pn

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Fig.02 Caractersticas v-i

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Fig.03 Modelo de dos transistores para el tiristor.

I CB 01 es la corriente de fuga para Q1. De igual modo,

para el transistor Q2, la corriente del colector

la ecuacin de arriba y obtenemos:

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El aumento en los valores de

efecto regenerativo, o de retroalimentacin positiva. Si (

denominador de la ecuacin tiende a cero, resulta un valor grande de la corriente andica

MODOS DE ACTIVACION DE TIRISTOR

V AK ): Si el voltaje en sentido directo, de nodo a ctodo, es

1 y 2 . Debido a la accin regenerativa,

1+ 2 puede tender a la unidad, y el tiristor se puede activar. Este tipo de activacin

Si esta intensidad de fugas es lo suficientemente grande, tanto como para mantener el

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2. Presentar las curvas caractersticas del tiristor BT151.

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3. Copiar las especificaciones del tiristor BT151 y explicar su significado.

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Tstj: Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range). Margen de temperatura

tgt: Tiempo de paso a conduccin. (Gate controlled turn on time).

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4. Explique cules son las caractersticas principales del Triac.

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Fig.01 Construccin bsica, smbolo y circuito equivalente

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Fig.02 Cuadrantes de disparo y Caractersticas V-I del Triac

5. Presente las curvas caractersticas del Triac BT136.

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6. Cules son los modos de disparo del Triac?

Modo I +: Terminal MT2 positiva con respecto a MT1.

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Modo I - : Terminal MT2 positivo respecto a MT1.

Modo III +: Terminal MT2 negativo respecto a MT1.

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Modo III - : Terminal MT2 negativo respecto a MT1.

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2. Coloque V2 en 12v y aumente el valor de V1 desde 1 voltio en pasos de 0.1V

3. Estando conduciendo desconecte la resistencia R2 = 2K y verifique el valorde V1

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con V min =0.6 V

La corriente andica deber ser: