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REMERCIMENTS
AVANT TOUT ON REMERCIE LE BON DIEU, LE GRAND
SEIGNEUR DAVOIR RENDU POSSIBLE LE PRSENT PROJET DE
FIN DTUDE.
DE MME, IL EST UN DEVOIR DE RENDRE HOMMAGE CEUX
QUI NOUS ONT AID FAIRE CE MODESTE TRAVAIL.
PARMI EUX :
NOTRE PROMOTEUR M R H MOHELLEBI
jamais
sacrifices, encouragements,
Je ddie ce travail
Tous ceux qui mont aid. J'espre qu'ils trouveront dans ce travail
toute ma reconnaissance.
KHADRAOUI Cherif
Je ddie ce modeste travail :
Mes trs chers parents qui je dois tout, je profite de les remercier pour leur
encouragement, leur aide, le soutien quils mont apport et le sacrifice quils ont
fait pour moi, que Dieu les protge et les entoure de sa bndiction.
HAMMADI Cherif
Nous tenons remercier tous ceux qui ont contribus de prs ou de loin la
ralisation de ce travail.
Sommaire
Introduction gnrale
Chapitre I : Le gisement solaire
I. Introduction01
II. Donnes gomtriques et astronomiques...01
II.1.Donnes gomtriques..01
II.1.1.Le soleil.01
II.1.2: Mouvement de la terre..01
II.1.3. Mouvement apparent du soleil..02
II.2. Donnes astronomiques..03
II.2.1.Notion de position...03
II.2.1.1. Coordonnes terrestre...03
a. La latitude .03
b. La longitude ..03
c. Linclinaison du plan ....04
d. Langle dincidence ....04
II.2.1.2. Coordonnes quatoriales.....04
a. La dclinaison ...05
b. Langle horaire ...05
II.2.1.3.Coordonnes horizontales.....05
a. La hauteur de soleil x ou h .....06
b. Lazimut du soleil y........06
III. Donnes nergtiques....06
III.1.Notion de temps06
III.1.1.Temps solaire vrai(TSV).06
III.1.2.Temps solaire moyen(TSM)....07
symboles
E
E0
Units
W*m-2
W*m-2
Degr
Degr
Degr
Degr
Degr
dclinaison
Degr
n
Tsv
y
.
Heures (h)
Degr
X ou h
hauteur angulaire
Degr
TSM
TU
ET
Heures (h)
Heures (h)
Heures (h)
Heures (h)
TC
Temps civil
Heures (h)
TL
Heures (h)
Heures (h)
dj
Temps Lgal
dcalage en heure par rapport au mridien
de Greenwich
Dure du jour solaire
masse
Kg
Vitesse de la lumire
longueur donde
M*s-1
Nm
Frquence
Hz
constante de PLANCK
I
D
rayonnement direct
rayonnement dius
W*m-2
W*m-2
rayonnement global
W*m-2
G*
W*m-2
Albdo
ss0
SS
Orienta on
Frac on d ins ol a on
Insola on pot en ell e( thor i que)
Dure dinsola on
Heures (h)
Degrs
..
Heures (h)
Heures (h)
AM
i
IS
IP
ICC
Im
A
A
A
A
A
A
A
A
courant
courant de satura on de la di ode
Photo-courant
courant de court-circuit
courant maximale
courant de londuleur
courant de sortie des panneaux
courant circulant entre le boitier de raccordement et
londuleur et la batterie
courant de la batterie
constante de Boltzmann
A
.
temprature absolue
q
U
V
VCO
Vm
FF
charge de llectron
tension
tension imposer a la diode
tension de circuit ouvert
tension maximale
le facteur de forme
ev
V
V
V
V
........
puissance maximale
S
EG
%
m2
TUC
Ion
I1
I2
Ib
eV
d(25)
densit de llectrolyte 25 C
V(25)
Tension de la ba er i e 25 C
(25)
capacit de la ba er i e 25 C
Ah
Qd
Qc
Qa
taux dautodcharge
capacit avant stockage
Qp
%
Ah
Econs
PC
Ah
Heures (h)
WC
WC
NS
NP
PCU
Ep
Ec
N
..
WC
Wh/j
Wh/j
Heures (h)
Gmin
Enom
Nm
o
.
%
g
Ns
Un
Ub
S
Sm
rendement du gnrateur
nombre de module en srie
tension nominale dun module
tension de llment donn par le constructeur
surface totale du panneau solaire
surface dun module
V
V
m2
m2
Cmin
Cu
Nja
Ah
Ah
.
laa
capacit minimale de la ba er i e
capacit u le
nombre de jours dautonomie surmonter (entre 3
15 jour)
rendement des lignes de transmission
Nbs
nombre dlments ba er i e en sr i e
Nbp
Nb
Ce
Ah
rsis vi t
.mm2/m
Wh/m2
W/m2
Introduction gnrale
La production d'nergie est un dfi de grande importance pour les annes venir. En
effet, les besoins nergtiques des socits industrialises ne cessent daugmenter. Par
ailleurs, les pays en voie de dveloppement auront besoin de plus en plus dnergie pour
mener bien leur dveloppement.
De nos jours, une grande partie de la production mondiale dnergie est assure partir
de sources fossiles, La consommation de ces sources donne lieu des missions de gaz effet
de serre et donc une augmentation de la pollution, Le danger supplmentaire est quune
consommation excessive du stock de ressources naturelles rduit les rserves de ce type
dnergie de faon dangereuse pour les gnrations futures.
Par nergie renouvelable, on entend des nergies issues du soleil, du vent, de la chaleur
de la terre, de leau ou encore de la biomasse, la diffrence des nergies fossiles, les
nergies renouvelables sont des nergies ressource illimite.
Le quatrime chapitre traitera du calcul des modules et des puissances associes tenant
compte des besoins et des dures d utilisation des quipements lectriques quipant le local.
Le calcul concernera les priodes hivernale et estivale afin dapprcier les variations des
puissances disponibles.
Enfin, on terminera par une conclusion qui conduira dterminer le prix prvisionnel
du kilowattheure solaire.
Chapitre
I
L e gisement solair e
I. Introduc on :
(I.1)
Page 1
Chapitre
I
Le gisement solaire
Laxe des ples nest pas perpendiculaire lcliptique : lquateur et lcliptique font entre
eux un angle appel dclinaison et qui vaut 2327.les mouvement de la terre autour de son axe
et autour du soleil sont schmatiss sur la figure ci-dessous :
Page 2
Chapitre
I
L e gisement solair e
a.la latitude :
Cest langle form par la verticale dun lieu donn avec le plan quatorial terrestre.
Elle est compte partir de lquateur de 090, positivement vers le nord et ngativement
vers le sud. ( sur ce shma not ).
Page 3
Chapitre
I
L e gisement solair e
b.la longitude :
Cest langle form par le mridien local du site avec le Mridien de rfrence
(Mridien de Greenwich). ( sur ce shma not L).
c. linclinaison du plan :
Cest langle form entre le plan lui-mme et lhorizontal.
=0 : pour un plan horizontal tourn vers le haut.
=90 : pour un plan vertical.
=180 pour un plan horizontal tourn vers le bas
Figure I.5 schma qui montre langle dinclinaison dans un panneau photovoltaque
d. langle dincidence :
Cest langle form par le rayonnement incident et la normale la surface du plan
rcepteur.
Page 4
Chapitre
I
L e gisement solair e
a.la dclinaison :
Cest langle form par la direction du soleil avec le plan quatorial. Cette dclinaison varie
au cours de lanne entre-23,27 et +23,27.Elle est nulle aux quinoxes (21mars et 21
septembre), maximale au solstice dt (21 juin) et minimale au solstice dhiver
(21decembre).la valeur de la dclinaison peut tre calcule par la relation suivante : [2], [5]
=23,45.sin [0,980. (n-81) ]
(I.2)
Ja
n
0
Fv.
Mar
Avr.
Mai
Jui
Juil
Auo
Sep
Oct
Nov
Dec
31
59
90
120
151
181
212
243
273
304
334
b. Langle horaire :
Langle horaire du soleil est le dplacement angulaire du soleil autour de laxe polaire dans
sa course dEst en Ouest par rapport au Mridien local. Ou encore cest langle form par le
plan du mridien cleste et la projection de la direction terre/soleil sur le plan de lquateur
cleste, il est strictement proportionnel au temps solaire vrai puisquil correspond la rotation
uniforme de la terre sur elle-mme, il varie de 15 par heure et exprim par.[2], [6]
Page 5
Chapitre
I
Le gisement solaire
=15. (Tsv-12)
(1.3)
II.2.1.3.coordonnes horizontales :
Cest le reprage du soleil par sa hauteur angulaire x et lazimut y, le plan de
rfrence est lhorizon astronomique. [1], [7]
(I.4)
b. lazimut du soleil y :
Correspond langle que fait le plan mridien local avec le plan vertical
passant par lastre. Lazimut est compt infrieur 0 vers lest et suprieur 0 vers louest.
sin y =
( ).
( )
(1.5)
Page 6
Chapitre
I
L e gisement solair e
III. Donnes nergtiques :
Celles-ci sont tablies en introduisant la notion de temps
III.1.Notion de temps :
III.1.1.Temps solaire vrai(TSV) :
Cest le temps donn par les cadrans solaires.il traduit la fois le mouvement
de rotation de la terre sur elle-mme et son mouvement autour du soleil. [10]
TSV=12 +
(I.6)
TSM=TU-ET
TU : temps universel.
(I.7)
ET : quation de temps.
TU=TSM -
(I.8)
(en minutes)
Page 7
(I.9)
Chapitre
I
L e gisement solair e
N=
.(
(en minutes)
(I.10)
TL=TU
(I.11)
III.1.7.dure du jour :
Pour dterminer la dure du jour, deux instants de la journe sont
connatre : le lever et le coucher de soleil. Ces deux instants ont lieu lorsque les rayons
solaires sont confondus avec lhorizontal cest--dire sinh=0, dont la rsolution donne :
(I.12)
: la latitude du lieu
l et c : dsignent respectivement le lever et le coucher du soleil.
La dure du jour solaire vaut :
dj=
(I.13)
Page 8
(I
Chapitre
I
L e gisement solair e
III.3.1.1.La lumire :
Quand en voque la lumire en physique ;une des premires
grandeurs qui vient a lesprit est la vitesse de la lumire ,qui ne peut tre gale et encore
dpasse .Rien ne peut aller plus vite que la lumire ,et cest sur ce postulat que repose la
clbre thorie de la relativit dEINSTEIN .Il a dcouvert que la matire (m) est nergie
(E) , et vice versa ,et que ces grandeurs sont lies par la vitesse de la lumire au carr .Cest ce
quexprime sa fameuse formule E=MC2 .
Dans le vide, la vitesse de cette lumire C (pour clrit)est de 299 792 458m/s, a peine plus
dune seconde pour parcourir la distance terre /lune .Cette lumire apparait donc nos yeux
comme un rayon se propageant en ligne droite, et obissant certaines lois, dcrites par
loptique que lon appelle gomtrique : rflexion sur une surface, rfraction (dviation
du faisceau lentre dans un milieu), focalisation par une lentille, diffusion sur une surface
rugueuse ..Tous ces phnomnes sont concentrs quand il sagit de capter la lumire dans
une cellule photovoltaque.
Page 9
Chapitre
I
L e gisement solair e
=h=hc
(I .15)
Page
10
Chapitre
I
L e gisement solair e
III.3.1.3. Rpartition spectrale des ondes lectromagntiques :
Frquence
Exemple
dapplications
Rayons
0,01 nm
Rayon X
0,01-10 nm
Radiographie
Ultraviolet
10- 400nm
Bronzage,
puri ication de leau
Visible
400- 800nm
Vision diurne,
photosynthse
Proche infrarouge
800nm-10m
Vision nocturne
Infrarouge
thermique
10m-1mm
Chauffage, cuisson
Micro-onde
1mm-10cm
Fours de cuisine
Ondes radar
10cm-1m
Ondes radio
1m
3 GHz-300MHz
Tlphone portable
,dtection de vitesse
300 MHz
Page
11
Chapitre
I
Le gisement solaire
III.3.1.4.Rayonnement directe, diffus et global :
Le rayonnement global (G) qui provient la fois du soleil et la totalit de la voute cleste
G=I
o : h est la hauteur du soleil et
+D
(I .16)
direct. [15]
III.3.1.4.1. Estimation
surface horizontale :
On estime le rayonnement global G reu par une surface horizontale comme suit :
G= (0,58 + 0,41).G*
[6]
(I .17)
Avec G * est le rayonnement global du ciel clair, il est calcul par un pyranomtre et donne
D= (-0,53+0,53).
(I .18)
Page
12
Chapitre
I
L e gisement solair e
On estime le rayonnement direct I reu par une surface horizontale comme suit :
I=G-D
(I.19)
D (,) =Dcos2
+aGsin2
(I.20)
a : albdo [13]
on estime le rayonnement direct I (, ) reu par une surface incline comme suit :
(I.21)
On estime le rayonnement globale G(, ) reu par une surface incline comme suit :
G(, ) = I (, ) + Dcos2
+aGsin2
[6]
(I.22)
III.4. Insolation :
III.4.1. Insolation potentielle (thorique) (ss0) :
Linsolation potentielle ou thorique (SS0) est la valeur dinsolation pour le jour
considr en labsence datmosphre, elle ne dpend que de la position gographique du lieu.
[2]
(I .23)
Page
13
Chapitre
I
L e gisement solair e
(I .24)
III.5.Masse dair :
L'nergie reue sur la surface de la terre dpend de l'paisseur de latmosphre
traverser. Celle-ci est caractrise par le nombre de masse d'air AM.
On appelle masse dair ou AIR MASS en anglais, le rapport entre lpaisseur datmosphre
traverse par le rayonnement direct pour atteindre le sol et lpaisseur traverse la verticale
du lieu considr. Elle dpend surtout de la hauteur angulaire du soleil h .
Le rayonnement qui atteint le niveau de la mer midi dans un ciel clair est de 1000 W/m2 et
est dcrit en tant que rayonnement de la masse d'air "1" (ou AM1).
A laide des points 0, A et M et langle h on crit la longueur du trajet du soleil travers
latmosphre.
OM=
Page
14
Chapitre
I
L e gisement solair e
Page
15
Chapitre
I
L e gisement solair e
III.6. Appareils de mesures:
[11]
Le rayonnement global G est mesur par un pyranomtre (figure I.9) dont le principe
de fonctionnement revient convertir le rayonnement (la lumire) qui arrive sur la coupelle
de verre. La pile thermique se rchauffe et convertit ce rchauffement en courant lectrique,
ce dernier est proportionnel lclairement reu. Cette thermopile est protge par deux
hmisphres en verre et par un disque mtallique recouvert de peinture blanche .le verre est
transparent aux longueurs dondes comprises dans la bande spectrale (0,3 2, 5 m).
Lappareil, mont horizontalement grce un niveau bulle, donne la valeur de lclairement
global Gh. [2]
Page
16
Chapitre
I
L e gisement solair e
La dure dinsolation SS, quant elle, est mesure par un hliographe, Une boule de
cristal maintenue par un support amovible (qui peut bouger) constitue la base de l'hliographe.
Celle-ci agit comme une loupe en concentrant les rayons sur le carton. Derrire la boule de
cristal est plac un carton thermosensible sur lequel les mesures s'inscriront. L'appareil est
fix sur un support d'une hauteur approximative de 1,5 m.
Le dplacement du soleil fait changer le point de convergence des rayons sur le carton, ce
qui produit une ligne brle sur celui-ci .La longueur de cette trace donne la dure
densoleillement.
Notons toutefois que le seuil de sensibilit du papier et de 120W/m2
IV.CONCLUSION :
Ce chapitre a permis de prsenter les caractristiques essentielles au dimensionnement
dun panneau photovoltaque (donnes gomtriques et nergtiques) du gisement solaire
ainsi que les rgles de calcul des diffrentes composantes du rayonnement solaires, et les
appareils de mesure de ces derniers.
Page
17
Chapitre2
Page 18
Chapitre2
Lors des comparaisons entre diffrents modules, il faut veiller ce que leur puissance nominale soit
dfinie dans les mmes conditions
Quoi qu'il en soit, la puissance moyenne rellement fournie par un module est toujours trs infrieure sa
puissance nominale, car mme les conditions nominales des normes internationales sont trs optimistes
par rapport aux situations relles.
Page 19
Chapitre2
Une cellule photovoltaque est un composant lectronique qui gnre une tension lorsque il est
expos la lumire (photons), (l'effet photovoltaque). Le courant obtenu est un courant continu et la
tension obtenue est de l'ordre de 0,5 V.
Les cellules photovoltaques sont constitues de semi-conducteurs base de silicium (Si), de sulfure de
cadmium (CdS) ou de tellurure de cadmium (CdTe). Elles se prsentent sous la forme de deux fines
Plaques en contact troit lune est dope au phosphore(p), dite de types n , et lautre dope au bore,
dite de type p afin de crer un champ lectrique.
Ce semi-conducteur est pris en sandwich entre deux lectrodes mtalliques et le tout est protg par
Une vitre.
Page 20
Chapitre2
laspect dune mosaque compacte de fragments cristallins bleuts de quelques millimtres quelques
centimtres, appels grains.
Figure II.4 : Enchainement des tapes de fabrication dun module photovoltaque au silicium
cristallin
Page 21
Chapitre2
SiO2+2C Si + 2CO
(II.1)
2CO+O2 2CO2
(II.2)
Cette transformation, appele Rduction carbochimique, consiste porter des tempratures trs lves
Un mlange de quartz et despces carbones (rducteurs de types coke, Houille et bois), qui vont se
combiner avec loxygne du quartz pour donner Du monoxyde puis du dioxyde de carbone.
Le silicium rsultant dit mtallurgique . Sa puret est de lordre de 98 99 % (MG-Si)
Lnergie ncessaire la raction est apporte sous forme Darc lectrique par des lectrodes en graphite,
intrieur De fours mtallurgiques dits fours arc.
Page 22
Chapitre2
On peut expliciter le procde siemens comme suit : le procd Siemens sopre en trois tapes et
gnre un dgagement gazeux de trichlorsilane SiHCl3.
1-Hydroclorination :
transformation
chlorhydrique :
de
silicium
en
trichlorosilane(SiHCl3)
laide
dacide
(II.3)
2-Distillation du SiHCl3 : la raction prcdente tant rversible, elle servira rcuprer le silicium
aprs la purification, qui est ralise par distillation fractionne du trichlorosilane.
3- dcomposition thermique : le silicium obtenu par rduction lhydrogne se dposera finalement sur
une baguette de silicium chauffe sous forme de petits grains poly
cristallins. Ce silicium poly- cristallin, pur environ 99, 999%.
(II.4)
Chapitre2
Dans le cas dun racteur de type Siemens, le dpt a lieu sous cloche chauffe 1100-1200 c via des
lectrodes en graphite.
Remarque :
Il existe dautre procds de purification par voie chimique utilisant le chlore et qui diffrent par quelques
variantes. Dans tous les cas, la premire tape consiste sparer le Si des impurets mtallique en faisant
ragir le MG-Si broy avec du chlore Cl2 ou du chlorure dhydrogne HCl. A partir de cette interaction se
forment des chrolosilane de type SiHCl3 ou SICl4 et des complexe chloro-mtallique comme FECl3,
AlCl3, BCl3, faciles liminer. Les tapes suivantes permettent dobtenir du Si pur partir des silanes
chlors par des mthodes de distillation, dchange dion en sels fondus ou de pyrolyse selon les
procdes.
le procd Elkem (figure II.7) il consiste en un traitement du silicium mtallurgique par un laitier de
silicates de calcium haute temprature suivi dun lessivage chimique basse temprature. Les impurets
rsiduelles sont collectes sur le dessus du lingot obtenu aprs une solidification directionnelle. Les blocs
limins sont ensuite rintroduits en amont dans le procd. Les premires tudes montrent que la qualit
du silicium solaire obtenu est similaire celle du silicium poly cristallin obtenu de la voie Siemens.[7]
un diagramme
Chapitre2
Le tirage Czochralski (CZ), donne des lingots cylindriques de silicium monocristallin (sc-Si),
La solidification directionnelle, donne des briques de silicium multi cristallin (mc-Si)
Les techniques de tirage de ruban donnent, du silicium multi cristallin en ruban.
Page 25
Chapitre2
Chapitre2
La mthode de son laboration consiste produire des plaquettes directement partir de silicium
fondu, combine les tapes de cristallisation et de mise en forme du silicium, il est obtenu par
entrainement dun ruban de silicium sur un support plan ou tubulaire partir dun bain de silicium. Les
difficults rsident dans la dfinition du bon support au cours de ltirement.
Remarque :
Actuellement deux procds sont utiliss. La technologie ruban EFG (Edgedefined Film-fed Grouwth),
consiste tirer dun bain de silicium fondu un tube de section octogonale, jusqu 6 m de long, dont les
faces sont ensuite coupes par laser pour former des wafers, typiquement de 10 x 15 cm.
La
tenue mcanique des wafers obtenus est un paramtre critique de cette mthode car le procd et la
dcoupe fragilisent les bords des cellules. Le degr de cristallisation dpend de la vitesse de tirage, et une
faible vitesse peut conduire de silicium ruban quasi monocristallin. [17]
Le deuxime procd est, le procd string ribbon a t dvelopp aux Etats-Unis : il sagit de tirer du
bain de silicium un seul ruban, maintenu de part et dautre par des fils haute temprature (ou string). Cette
technique permette datteindre une meilleure productivit, surtout du fait de la vitesse de tirage qui peut
tre plus leve, et de lpaisseur plus faible, le rendement matire est doubl par rapport un procd de
sciage traditionnel. [17]
Page 27
Chapitre2
Pour conomiser de lnergie et rduire les couts de fabrication, la tendance actuelle des industriels cest
de raliser des chaines de fabrication procds si possible secs et dviter au maximum les
manipulations de wafers. Une autre tendance est de scie toujours plus fin, 100 m tant suffisant pour
capter tout le spectre reu sur terre, certains constructeurs essaient de traiter des wafers de 130 180 m,
mais cette paisseur est actuellement un minimum pour limiter la casse lors de la manipulation et de
chocs thermique ventuels. Le silicium monocristallin atteint les rendements les plus levs : certain
constructeurs multiplient les procds sophistiqu ; diffusion trs proche de la surface avant pour
amliorer la collecte des photons de petite longueur donde (photos trs nergtique et pntrant mois
dans le silicium), mtallisation avant extrmement fine, deux couche antireflet
Chapitre2
Chapitre2
LE BOMBARDEMENT IONIQUE : Une source (appel faisceau ionique nergtique) produit des
ions, qui sont ensuite acclrs, et par le biais d'un
Contrle trs prcis, ceux-ci vont alors se positionner sur la plaquette. L'avantage de ce principe est que
l'opration se droule temprature ambiante. Le dfaut de cette technique est qu'elle peut provoquer des
dommages au silicium induisant un rarrangement indsirable de sa structure cristalline, exigeant ainsi
une recristallisation subsquente.
Dans le processus de fabrication d'une cellule photovoltaque, les wafers, obtenus par sciage des lingots
de silicium purifi, subiront soit un dopage de type N soit un dopage de type P.
Gnralement les wafers sont dopes p partir de bore lors de la cristallisation, et la zone dope n est
forme par diffusion de phosphore partir de trichlorure de phosphoryle POCl3 dans un four passage,
800C<T< 900C.
Couche n+ en surface et n la jonction (linterface).
- Lopration de dopage sera suivie dopration de lavage, Pour le retrait de la couche rsiduelle de
silicate de phosphore(SiO2P), Dans un bain dacide fluorhydrique HF.* (PSG) = Phosphures silicate
glass.
Page 30
Chapitre2
Dcapage des bords : la couche n+ est retirait des bords de la plaque (Sur la tranche) pour, Sparer
lmetteur de la face arrire.
Page 31
Chapitre2
Dpt Antireflet plus passivation : une couche Antireflet base doxyde, Ou de nitrure de silicium
ou doxyde Mtallique est dpose en face avant.
Elle sert aussi passiver la surface en limitant les recombinaisons entre charges, afin de conserver la
conductivit du matriau.
Page 32
Chapitre2
Champ face arrire : la face arrire est dope p+ par diffusion daluminium, Cette couche joue aussi
un rle de conducteur ohmique Avec llectrode arrire. Afin de limiter les recombinaisons.
-Procdure : Diffusion thermique daluminium Al 850C partir dune pate daluminium dpose sur
toute la face arrire.
Remarque :
Il existe de nombreuses variantes pour chacun de ces tapes, qui dpendent fortement des
Equipment de production slectionns par le fabricant. Certains bains chimiques peuvent aussi tres
remplacs par des gaz fluors lorsquil sagit de graver la matire (texturation, retrait dune couche,
nettoyage des parois dun racteur). On trouve aussi des procds laser pour lisolation des bords de
plaque. Dans tous les cas, la tendance actuelle est laugmentation du nombre dtapes.
Page 33
Chapitre2
Figure II. 25 : Structure simplie de la si lice vi treus e: les rel a ons ent r e
Remarque :
Lorsque le silicium amorphe est fabrique partir du gaz de silane(SiH4), il contient une proportion
importante dhydrogne (5 10%) qui va se lier ces liaisons pendantes, ce qui rduit la densit de
dfauts et permettant la collecte des charges et le dopage du matriau.
Ce matriau est un alliage amorphe de silicium et dhydrogne que les scientifiques dsigne par: a-Si : H
(silicium amorphe hydrogn). Cet alliage prsente un gap plus lev que le silicium cristallin et absorbe
la lumire beaucoup fortement : une couche de 1m dpaisseur suffit capter le rayonnement reu sur
terre. En pratique lpaisseur des jonctions peut descendre jusqu' 0,2 m.
Chapitre2
A loppos de la filire cristalline, pour fabriquer les cellules au silicium amorphe, ce nest plus le
silicium purifi qui sera employ mais un gaz : le silane (SiH4). La technique la plus courante est le dpt
par plasma (PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition).
Nota : le principal avantage de cette technique est que lon peut empiler toutes sortes de couches
diffrentes, juste en modifiant la composition gazeuse, et mme bien sans arrter le plasma.
Les couches sont dposes directement partir de silane (SiH4) dans une enceinte sous vide secondaire.
Les supports de verre qui peut constituer la face avant de la cellule condition davoir t pralablement
couvert dun conducteur transparent (SnO2) sont introduits dans la machine, puis chauffs 150-200C.
Le silane introduit dans lenceinte est dcompos par une dcharge radiofrquence. Dans le plasma ainsi
form, le silicium et lhydrogne librs reforment un matriau solide, mais dsordonn, sur les plaques
supports.
La constitution de la jonction peut se faire par dpt de trois couches de silicium amorphe, une couche de
type p, une couche de type i (non dope, afin dobtenir un volume de jonction plus grand) et une couche
de type n.
Le dopage est effectu lors du dpt en ajoutant les lments sous forme dhydrures gazeux :
du diborane B2H6- pour le bore (dopage p) et de la phosphine PH3- pour le phosphore (dopage n).
Pour que la cellule soit complte, il faut deux lectrodes de part et dautre du silicium. Quand la cellule
est dpose sur verre, ce qui est encore le plus frquent, llectrode (+) est une couche transparente et
conductrice dpose sur le verre avant le silicium, cest un oxyde mtallique tel que le SnO2 : oxyde
dtain dop au fluor, ou lITO : oxyde dindium et dtain, la qualit de cette lectrode avant est
importante et elle contribue souvent crer de la diffusion dans le dispositif pour une meilleure
absorption de la lumire.
A larrire, llectrode (-) est le plus souvent constitue daluminium, galement en couche mince, Puis
de nickel ou dun autre matriau soudable, laluminium est un bon rflecteur de la lumire, ainsi les
photons qui traversent la jonction ont une deuxime chance dabsorption. La figure i- dessous rcapitule
la structure complte dune cellule au silicium amorphe (simple jonction).
Page 35
Chapitre2
Figure II. 28 : Structure dune cellule simple (une seul jonction; p-i-n) au silicium amorphe
hydrogn
Remarque :
1) Le gap optique du silicium amorphe est de 1,77 eV, et il nabsorbe pas la partie rouge du spectre
visible ( suprieur 0,7m) ce qui influe sur le rendement. 6% pour une simple jonction silicium
amorphe.
Lintrt de la technologie silicium en couches mince est quelle permet de raliser des structures multi
jonctions gaps diffrents, chaque jonction tant spcialise dans la conversion dune bande du spectre
de lumire. En effet, il est facile dempiler les couches en modifiant simplement le mlange gazeux au
cours du dpt de la photopile dans lenceinte plasma. Alors le germanium, galement ttravalent (avec
quatre liaisons), a un gap beaucoup plus faible et un bon alliage silicium-germanium absorbera cette
partie rouge. Donc il est intressant de placer derrire la jonction silicium (p-i-n) une jonction au siliciumgermanium. Des cellules doubles jonctions cellule tandem , ou mme triple jonctions, ont donc un
rendement plus lev quune simple jonction silicium amorphe, elles atteignent 7 9%.
Chapitre2
2) Autre Matriaux inorganique (cellule sans silicium) : Entre matriaux cristallis et couches amorphes,
il existe une autre famille de matriaux, beaucoup moins rpandus, il sagit de couches mince poly
cristallines. Le silicium poly cristallin en couche mince serait intressant notamment sil pouvait allier le
rendement du silicium cristallin fort clairement et la simplicit de fabrication des films minces.
a) cellules au CdTe (tellurure de cadmium): ce matriau est intressant du fait de son gap optique 1,45 eV
et de sa forte absorption qui permet en moins de 2 m dpaisseur dabsorber la quasi-totalit du spectre
visible. Pour constituer une cellule CdTe, on pose une couche de conducteur transparent sur un substrat
de verre, puis on dpose une couche de CdS (sulfure de cadmium) de type n, puis une couche de CdTe
dop p. On constitue ainsi une htrojonction(jonction de deux matriaux),les rsultats de laboratoire sont
trs intressants avec un rendement de 15,8 % .Cependant la production industrielle bute encore sur des
problme technique lis la maitrise des oprations de dopage p de CdTe et la fiabilit du contact
arrire . Un autre obstacle est la toxicit du cadmium.
b) cellules CIS(CuInSe2) et CIGS : cest un alliage base de cuivre, dindium, et de slnium, le procd
de fabrication, qui utilise des technologies de dpt sous vide, on dpose ce matriau(CIS) sur un substrat
de CdS de type n. Au-dessus de la couche mince poly cristalline dope p, on dpose une couche de ZnO
assez mince pour laisser passer la lumire. Thoriquement, cette htrojonction peut atteindre 25% de
rendement, elle a dexcellentes proprits dabsorption, mais un gap un peu plus faible (1eV), pour
llargir, lindium est alli au gallium et le slnium du soufre, do le symbole CIGS pour [Cu (In, Ga)
(Se, S) 2], cela donne des jonctions qui, en pratique, peuvent atteindre 17% en laboratoire et 11% en usine.
Le dveloppement de cette filire sexplique surtout parce quelle allie les avantages de la technologie
cristalline (rendement levs) et celle de la technologie couche mince de dpt de grande surface avec
une mise en srie intgre et non pas postriori par cblage extrieur.
Chapitre2
Page 38
Chapitre2
Les problmes relatifs la mise en srie de cellules diffrentes sont plus grave encore lorsque le
nombre de cellules en srie augmente, ce qui est malheureusement ncessaire pour obtenir une tension
suffisante, cest ce qui se reprsent la figue ci-dessous dans le cas dun groupe de cellules connectes
en srie comportant 17 cellules identiques et (une cellule partiellement lombre) dont le courant de
court-circuit nest que de 50 % du courant de court-circuit des autres. On obtient de la courbe couranttension totale en additionnant pour chaque valeur du courant la tension dune cellule normale, multiplie
par 17, avec la tension de la cellule plus faible
Lorsque le courant dbit est suprieur au courant de court-circuit de la cellule faible, la tension de celle
ci devient ngative, ce qui dtriore fortement les caractristiques de lensemble (la puissance optimale de
lensemble est infrieur la puissance optimum des 17 cellules normales).
Page 39
Chapitre2
autres, donc lorsquune cellule ne dbite plus parce quelle nest pas expose au rayonnement, le courant
de lensemble de la chaine tend vers zro.
En consquence la cellule masque devient rceptrice de toutes les autres de la srie, elle reoit en
tension inverse la somme de toutes leurs tension, elle se met donc chauffer do lappellation hotspot ou point chaud il est indispensable de sen protger, les dommages pouvant aller jusqu'
lincendie.
La parade contre ce phnomne est de cbler une diode en parallle par groupe de cellules, on maintient
ainsi la tension inverse applique la cellule ombre une tension infrieure sa tension de claquage, ce
qui engendre un chauffement supportable par le module. (Infrieur 60C module actuel).
Page 40
Chapitre2
Ce rsultat se gnralise sans difficult au cas de n cellules identiques montes en parallle : il suffit de
dilater la caractristique dune cellule dun facteur n dans la direction de laxe des courants.
Chapitre2
Conclusion :
1- Lorsque les cellules sont mises en srie, la tension de toutes les cellules sajoutent et le courant et le
mme que celui dune seul cellule. Dou il faut cbler des cellules du mme courant, on appelle cela l
appairage : on trie les cellules selon leur courant pour les cbler entre elle car si lune delles tait plus
faible en courant, elle imposerait son courant toute la srie ce qui pnaliserait le module complet.
2- Si lon cblait des cellules en parallle, ce sont les courants qui sajouteraient et la tension resterait
constante.il faudrait cette fois-ci appairer les tensions et non les courant .cest ce qui ce passe lors de la
mise en parallle des modules photovoltaques pour constitu un gnrateur de puissance.
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Chapitre2
La connexion des cellules dans un panneau photovoltaque base des cellules au silicium cristallin, se
fait en reliant le contacte (-) en face avant de la premire cellule avec le contacte (+) en face arrire de la
cellule suivante, le contacte (-) de cette dernire au contacte (+) de la suivante etc. Ces liaisons ncessitent
un contacte soudable de chaque cot des cellules, le plus souvent a base dtain ou dargent .on les ralise
avec des rubans de cuivre tam, la fois souples, extra-plats et soudables. Dans lindustrie cette tape
est plus souvent automatise : la machine prend les cellules laide de ventouses et les soude deux a deux
en bande appeles strings qui seront ensuite soudes entre elle par leurs extrmits.
cristallin
Page 43
Chapitre2
Les charges crs sous illumination dans les couches de silicium, sont collectes, grce aux deux
lectrodes de part et dautre, llectrode transparent, pole (+) de la photopile, et la couche mtallique, pole
(-). Les rayures pratiques dans ces 3 couches, dcales les unes par rapport aux autre, permettent la mise
en srie des photopiles adjacentes. En effet, le pole (-) de la premire photopile est ainsi relie au pole (+)
de la suivante, et ainsi de suite. Lencombrement des trois rayures est infrieur au millimtre en gnral.
Si pour cela quelle apparaissent lil nu comme une seule ligne de sparation entres les cellules
Remarque :
cette technologie est trs commode, car elle dispense de dcouper les cellules
physiquement pour les assembles ensuite.il suffit damener loutil adquat, en
loccurrence un laser, aux emplacements choisis, pour dessiner le format voulu pour
le module avec le nombre adquat de cellules en sries.
Cette technique peut tre employe aussi, avec quelques amnagements, sur des
couches minces poly cristallines en CIS ou CdTe.
Page 44
Chapitre2
Figure II. 41 : Mise en srie des cellules dun module au silicium amorphe[15]
Chapitre2
Une plaque avant transparente (revtement) : il faut placer un revtement transparent et rsistant, un verre
tremp haute transmission , il sagit de verre de moindre concertation en oxyde de fer que le verre
vitre et donc plus transparent, lpaisseur de ce verre est gnralement de 3 ou 4 mm selon la dimension
du module.
Une plaque d'EVA (actate de vinyle) : LEVA sert de matriau denrobage, elle se prsente sous forme
de feuilles de couleur blanchtre qui sont placs entre le revtement et la photopile, lEVA comporte des
additifs pour amorcer la solidification, ainsi que pour favoriser ladhrence sur le verre.
Un feutre de fibres de verre : Le feutre de fibres de verre facilitera l'vacuation de l'air lors de la
lamination, et vite la dislocation des cellules lors de la mise sous pression du module.
Une seconde plaque d'EVA
Une plaque servant de substrat arrire : gnralement du verre, selon la technique du bi-verre feuillet
inspire de la fabrication des pare-brise automobile. Cest la solution la plus rsistante, qui de plus offre
une transparence intressante pour certain application architecturale. Mais est plus conomique et par fois
efficace dutilis un film plastique de type PVF (connu sous le nom Tedlar), ou un autre film faisant
barrire lhumidit comme une multicouche plastique/mtal.
-La lamination :
Aprs avoir superpos les diffrentes couches constituant le module vient ensuite lopration de
lamination , qui a pour but d'liminer tout l'air du module et de rticuler l'EVA, afin de confrer ce
matriau une meilleure rsistance la temprature et aux UV. On chauffe lempilement
verre/EVA/photopile/EVA/verre(ou film plastique). On commence par mettre les deux chambres sous
vide, et on augmente la temprature jusqu' 110C afin de liqufier l'EVA. On laisse alors rentrer de l'air
dans la chambre 2, ce qui met le sandwich sous pression. Tout l'air est alors expuls et l'EVA remplit tous
les interstices. On lve alors la temprature 150C pour obtenir la rticulation de l'EVA. On peut alors
laisser refroidir le module et amener les deux chambres pression atmosphrique. Le dispositif utilis est
symbolis la figure ci-dessous :[17]
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Chapitre2
module
sur
une
structure.
L'arrire du module est muni d'un botier de connexion qui contient les diodes de protection contre les
points chauds et permet la connexion du module au circuit extrieur. Comme pour les modules euxmmes.
Remarque :
Le point de jonction entre le module et sont cble dalimentation doit tre tanche
lhumidit. Pour cela cette partie est noye dans une rsine adquate par le fabricant.
Les diodes by-pass sont inutiles dans le cas dun seul module amorphe, car loccultation
est improbable vu la gomtrie des cellules allonges .par contre dans les systmes sur le
rseau fonctionnant avec beaucoup de modules en srie, elles sont ncessaire.
Page 47
Chapitre2
champ
photovoltaque peut faire baisser la production du champ, sur le mme principe que le hot-spot , le
remde ce problme cest de placer une diode anti-retour de puissance adquate en sortie de chaque
srie de panneaux.
Cest diodes sont souvent mises dans des boites de raccordement qui servent aussi a runir les cbles
venant des panneaux, et a dbiter la puissance totale travers un cble de diamtre suprieur vers le
rgulateur.
Chapitre2
La conversion de lnergie est le rsultat de labsorption des photons donnant lieu la cration de paires
lectron-trou, un champ lectrique permanant, au sein de matriau assure une sparation rapide de ces
porteurs pour viter des phnomnes de recombinaison. Ce champ peu tre gnr par plusieurs manire :
par la jonction de deux semi conducteurs de nature et de type diffrents (htrojonction), soit par la
barrire de potentiel entre un mtal et un semi-conducteur (diode Schottky), ou encore linterface de
zone dun mme
semi-conducteur dont la concertation en lectrons libres sont diffrentes
(homojonctions ou jonction p-n).
Enfin le couplage de ce dispositif avec des lectrodes collectrices ou grille, en face avant et arrire,
permet la connexion de la cellule circuit lectrique externe. Cette grille mtallique doit prsenter une
rsistance de contacte petite en comparaison avec la diffrente rsistance du dispositif.
Remarque :
Suivant l'nergie de gap Eg du semi-conducteur, les photons ayant une nergie infrieure Eg ne
pourront pas tre utiliss, et seront donc convertis en chaleur. Les photons ayant une nergie suprieure
Eg pourront eux dloger un lectron utile, mais lnergie excdentaire sera perdue elle aussi. Cest ce que
montre le schma suivant :
Page 49
Chapitre2
Chapitre2
I= IS(
ou dune manire simplifie
I= IS
Avec : V tension imposer a la diode .
-1)
pour Vt<<V
(II.5)
(II.6)
Vt =KT/q=26mV 300 K.
K=1,38.10-23 constante de Boltzmann.
q=1,602.10-19 charge de llectron.
T : temprature absolue en K.
I=IP-IS(
Avec: IP photocourant
-1)
(II.7)
ICC= IP
et la tension de circuit ouvert, VCO, lorsque le courant est nul :
VCO = Ln ( 1+ )
Page 51
(II.8)
Chapitre2
v Le courant dune cellule solaire est proportionnel lclairement et la surface de la cellule .il
augmente avec la temprature.
v La tension en circuit ouvert dune cellule solaire varie de manire logarithmique avec
lclairement et baisse avec la temprature.
FF=
(II.9)
Page 52
Chapitre2
(II.10)
= I m. V m
: puissance maximale.
: Tension du circuit ouvert
: Courant du court circuit
Le rendement nergtique est dfini quant lui comme le rapport entre cette puissance maximale produite
et la puissance du rayonnement solaire qui arrive sur le module photovoltaque.
Si S est la surface de ce module, et E lclairement en W/m2 ;le rendement nergtique scrit :
(II.11)
AVEC :
E : clairement (W/m2)
S :surface de la cellule (m2)
Pm : puissance maximale.
La courbe ci-dessous montre lvolution du rendement ? en fonction de lnergie de gap Eg pour diffrents
semi conducteurs, en fonction de la temprature. Le rendement est dfini comme le rapport entre la puissance
lectrique fournie par une certaine surface de cellules et le flux dnergie solaire reu par la mme surface en
conditions AM0 (spectre solaire hors atmosphre).
Page 53
Chapitre2
Remarque :
Ce rendement est souvent mesur dans les conditions de rfrence. Cest--dire sous
lensoleillement de 1000W/m2, a la temprature de 25C e sous un spectre AM 1,5. ces conditions
normalises sont dites STC pour standard test conditions.
La puissance maximale (Pm) dun panneau dans ces conditions STC est la puissance-crte(Pc)
exprime en watts-crte.
Le tableau suivant prsente les rendements typiques et thoriques que lon peut obtenir avec les
diffrentes technologies.
Technologies
Monocristallin
Polycristallin
Amorphe
Rendement typique(%)
Rendement thoriques(%)
12-16
24
11-16
18,6
5-10
12,7
Tableau II.1 : rendement des cellules photovoltaques [15]
Actuellement, le rendement de conversion dnergie solaire en nergie lectrique est encore faible
(souvent inferieur 12%).Sous un ensoleillement nominale de 1000 W/m2, 12 m2 de panneaux
photovoltaque sont ncessaire pour fournir 1 KWc, ce qui induit un cout lev de watt crte. [15]
Page 54
Chapitre2
Comme beaucoup d'lments de circuit, une cellule solaire est caractrise par une relation entre la
tension u et le courant i ses bornes. L'allure de cette relation est indique la ci-dessous
Page 55
Chapitre2
Chapitre2
La croissance de courant de circuit est presque proportionnelle au rayonnement jusqu une valeur
limite de celui-ci, la tension est nulle lobscurit et croit rapidement avec lclairement mais prend
bientt une valeur constante. La tension et le courant correspondant la puissance optimum croissent
aussi avec le rayonnement incident, le point optimum de la caractristique dobscurit est lorigine du
graphe puisque aux autres points le module absorbe de la puissance
La puissance optimale de la cellule Pm est proportionnelle lclairement, et les points de puissance
maximale se situent la mme tension. [15]
Chapitre2
Tc=Ta +
. (TUC-20)
(II.12)
Figure II. 54 : Influence de l'angle d'incidence sur la puissance reue et absorbe de faon utile
(normalises sparment) par un module photovoltaque
Compte tenu de cette dpendance angulaire, la puissance fournie par un module dpend beaucoup de son
inclinaison et de son orientation, dou lutilit de changer lorientation et linclinaison en tenant compte
de la position du soleil.
Page 58
Chapitre2
de cellules solaires
Page 59
Chapitre2
Figure II. 57 : Courbes (I V) sous divers intensits de rayonnement dune cellule monocristalline[15]
Dans les conditions normalises STC, une telle cellule a typiquement une tension de circuit ouvert de
0,58, un courant de court-circuit de 33mA/cm2.En fonctionnement c.--d. au voisinage de coude de la
caractristique, elle produit 30 mA/cm2 sous 0,5V (ce qui donne 3A.0,5V=1,5W et 15% de rendement sur
100 cm2). En pratique, ces valeurs varient en fonction de la technologie cristalline employe.
Chapitre2
pour quiper les produits usage intrieur, oprant sous illumination rduite :montre, calculettes,
appareils de mesures, etc.
La tension perd typiquement 2mV/C et par cellule( soit -0,4%/C) ce qui la fait chuter denviron 80 mV
entre 25 et 65C ,par exemple pour un module 12V 36 cellules, cela rduit la tension de fonctionnement
Um de 16% : 16V 13,1V(36 cellules*0.08=-2,9V).il vident que cela peut avoir des consquences sur la
charge dune batterie si le panneau est soumis cette temprature de 65C, sur le terrain la temprature de
la cellule peut monter au del de 70C.
Sous leffet dune hausse de temprature, le courant gagne quant lui un petit peu dintensit. Ceci peut
sexpliqu par une meilleure absorption de la lumire, le gap baisse lorsque la temprature augmente.
Mais laccroissement du courant peut tre nglig au point des puissances maximales et le comportement
global de la cellule cristalline en temprature est en perte de 0,4 0,5% par dgre, ce qui se traduit en
pratique par des pertes de lordre de -15% environ pour des cellules 60C.
Page 61
Chapitre2
La cellule amorphe, grce a sont gap pus lev (1,77eV) que le silicium cristallin (1,1 eV), a une tension
plus leve, en circuit ouvert : 0,85 V contre 0 ,6 V pour le silicium cristallin ; comme en
fonctionnement : 0,7 V au lieu de 0,5V, mais son courant et nettement plus faible en raison de sa moins
Page 62
Chapitre2
bon collecte des charges : 13mA/cm2 au maximum contre 30-35 mA/cm2 pour du cristallin. Il en rsulte
quen fabrication industriel, les panneaux amorphes ont un rendement STC de 6 7 % en simple jonction,
ce qui est nettement moins performant que le silicium cristallin. Cest certes un handicap : puissance
crte identique (puissance mesure dans les conditions STC), un panneau au silicium amorphe et
typiquement deux fois plus grand quun panneau au silicium cristallin.
Mais le silicium amorphe a dautres atouts, dans des conditions qui ne sont pas normalise, notamment :
-sa tension baisse nettement mois que le cristallin lorsque lclairement baisse.
-sa tension baisse en gnrale moins que le cristallin lorsque la temprature slve.
-il est plus sensible a la lumire bleue.
-il est plus sensible au rayonnement diffus.
Page 63
Chapitre2
Figure II. 60 : Courbes dune photopile au silicium amorphe sous faible clairement fluorescent[15]
Cest grce cette proprit que le silicium amorphe est adapt la fabrication de cellules usage
intrieures, oprationnelles sous lfumire artificielle, mme de trs faibles clairements.
Page 64
Chapitre2
Pour linclinaison, elle est peut plus particulire dterminer. Le choix optimum de linclinaison dpend
de critre doptimisation. Si le but est de maintenir une production intressante dnergie mme pendent
la mauvaise saison, linclinaison optimum est suprieure (environ 15%) la latitude du lieu. Si le but est
dobtenir une production annuelle leve, linclinaison optimum est infrieure la latitude du lieu. Quand
lapplication ne fonctionne quen priode estivale, une inclinaison de 20 30 est prfrable, avec la
mme orientation.
a = 0 et
= 0 et inclins = 45.
X = X1 + X2 = L1 cos +
(II.13)
Page 65
Chapitre2
Dans les zones quatoriales et tropicales on observe assez peu de variations au cours de lanne, ce qui
reprsente un trs grand avantage pour lutilisation du photovoltaque. Mais plus la latitude slve, et
plus les diffrences sont marques. Cela a des consquences directes sur la conception des systmes
photovoltaque autonomes. Dans les pays de faible latitude (entre 15 S et 15 N )le rayonnement
journalier est relativement constant et la production lectrique varie peu au cours de lanne.
Page 66
Chapitre2
Page 67
Chapitre2
Les batteries stockent sous la forme chimique, lnergie lectrique produite par les panneaux photovoltaques.
Ces batteries comportent des lectrodes ngatives et positives composes dalliages dissemblables plongs dans un
lectrolyte (acier). Lensemble est encapsul dans un bac sell ou muni dun bouchon de remplissage et dun
vent. Les ractions doxydorduction qui gouvernent le fonctionnement dune batterie sont rversibles, dans la
mesure o celle-ci na pas t longtemps ni compltement dcharge ni surcharge, ce qui permet la restitution de
lnergie cintique. Et on distingue deux types couramment utiliss :
a) lectrode posi ve :
Ces plaques peuvent tre de plusieurs sortes.
Plaques a grandes surfaces : elles sont constitues plomb pur coul (sans additifs). Grace la
liaison interne les couches de la surface (bioxyde de plomb) et le noyau de plomb ces plaques ont
un bon comportement courants levs.
Plaque support : la masse ac ve de ces pl aques suppor t es t cons tue un mat ri au s par e.
Le matriau porteur est un alliage de plomb. Il existe trois types de plaques support : plaques
tubulaires, plaques ges et pl aques gr i lles .
b) Electrode ngative :
Llectrode ngative est une plaque grille. Elle dite plane pochette ou frittes. La plaque plane
pochette ngative est identique la plaque positive, mais garnie doxyde de fer et de mercure. La plaque
fritte est compose dun mlange de poudre trs fine et magntite Fe3O4 et de cuivre. Ce mlange est mis
en une couche de faible paisseur sur un grillage mtallique mailles fines tendu sur in cadre dacier, puis
lensemble est comprim forte pression.
Page 68
Chapitre2
Llectrolyte est une solution dacide sulfurique (H2SO4) qui rpond certaines normes, incolore et
liquide de tout dpt de matire insoluble. Pour compenser les pertes par lectrolyse et vaporation, on
effectue des remplissages priodiques avec de leau distille. Sa concentration est de lordre 1,9g /cm2
25 C, 1,1 g/cm3 25 C lorsquelle est dcharge. Linfluence de la temprature sur la densit de
llectrolyte nest pas ngligeable, elle est donne par la formule de correction suivante :
d(25)= d-0.0007(T-25)
(II.14)
(II.15)
b) Capacit :
C = C(25) [1 0,003(T-25)
(II.16)
Page 69
Chapitre2
d) Rendement nergtique :
(II.17)
Cest le rapport entre le nombre de wattheures restitus et le nombre de wattheures fournis.il varie
entre 0,45 et 0,6 pour un accumulateur au plomb.
e) Profondeur de dcharge :
Cest le pourcentage de la capacit dcharge. Elle influ sur la dure de vie de laccumulateur. Pour
une profondeur de 80%, le nombre de cycles de charge et de dcharge et compris entre 1000 et 1500.
f) Autodcharge :
La prsence des impurets dans la matire active o dans llectrolyte semble tre une cause de perte
de charge. Le taux dautodcharge est donn par :
(%)=
Avec :
(II.18)
g) Dure de vie :
Les batteries ont la plus petites dure de vie par rapport aux autres lments constituants le systme
photovoltaque, cette dure dpend du nombre des cycles charge/dcharge et des conditions dutilisation.
on lestime pour les accumulateurs au plomb de 6 7 ans.
III.2.Batteries au nickel-cadmium :
Elles se prsentent sous 3 formes : boutons, rond et prismatiques, la diffrence de potentiel aux borne
de deux lectrodes et de 1,29 V 25 C , et la raction globale rversible et donne ci-aprs :
2Ni(OH)2+ Cd(OH)2
2NiOOH+Cd+ 2H2O
Page 70
(II.19)
Chapitre2
La tension nominale est de 1,2 V, mais elle varie entre 1,15 et 1,45V par lment suivant ltat de
charge. La tension de fin de dcharge maximale admise oscille entre 1,1 et 1,0 V par lment.
b) Capacit :
Les accumulateurs de type semi-ouvert ont des capacits qui schelonnent de 2 200 Ah environ,
selon les constructeurs. Les accumulateurs tanches lectrodes fritts peuvent tre classs en 03
groupes :
1. les batteries a lments paralllpipdiques ayant une capacit de 1 50 Ah environ.
2. les lments cylindriques dans les capacits chelonnent de 01 10 Ah.
3. les lments boutants de 0,1 3 Ah.
Lors de la charge de laccumulateur Ni/Cd, il faut rintroduire selon le type de batterie 20 40 %
de courant supplmentaire par rapport a la quantit prlev.
c) Rendement en quantit :
Le rendement en quantit atteint environ 85%.les valeurs moyens des nergies massiques vont de 20
35 Wh/kg selon la construction et la taille de llment.
d) Rendement en nergie :
Le rendement en nergie et de lordre de 70%, les nergies volumiques tant de 60 80 Wh/dm3
e) Autodcharge :
Les lments traditionnels au cadmium sont caractrises par une autodcharge extrmement faible.
Les lments lectrodes frites on une autodcharge plus leve que ceux lectrodes traditionnelles.
f) Dure de vie :
Des accumulateurs travaillants de faon cyclique, avec des dcharges compltes, auront une capacit
maximale durant 300 cycles environ pour les lments lectrodes tubulaires, des 500 cycles pour ceux
lectrodes frtes.
Les lments plaque a pochte ont des dures de vie de plus mille cycles.
Page 71
Chapitre2
On associe des batteries en srie pour obtenir des tensions multiples de 12 V (24 V, 48V) et en
parallle pour augmenter la capacit.
de deux batteries
III.4.Protection de laccumulateur :
Les accumulateurs doivent tre absolument protgs contre les courts-circuits. Pour cela un fusible est
install immdiate du pole positif. Le fusible doit tre de faon se quaucune surtension napparaisse
dans les composantes pouvant tre court-circuites.
Chapitre2
Cest londuleur qui transforme le courant continu produit par les panneaux en courant alternatif
adapt aux normes qui sont le monophas ou triphas, 50 ou 60Hz.
Londuleur est un dispositif lectronique statique servent convertir le courant lectrique continu en
courant alternatif (signal carr ou sinusodal) avec la frquence souhaite, dont il existe une trs grandes
varit sur le march. Il est utilis dans deux types de systmes.
Les alimentations sans interruption : la source de tension continue est gnralement donne par la
batterie daccumulateurs, la tension et la frquence de sortie sont fixes.
Les variations de vitesse : la tension et la frquence de sortie sont variables.
a. Alimentation directe :
Dans ce cas, les fonctions se rduisent produire et fournir . donc lappareil aliment ne
fonctionnera quen prsence de lumire et ds que lclairement sera suffisant pour atteindre la puissance
demande. Cest intressant pour toutes les applications qui nont pas besoin de fonctionner dans
lobscurit, et pour lesquelles le besoin en nergie concide avec la prsence de lumire. Sil y a de la
lumire, a fonction, sinon a sarrte. En prend lexemple dun ventilateur qui est un appareil bien utile
dans les pays chauds. Avantage vident du solaire dans ce cas : la concordance entre le besoin de
ventilation et la fourniture dnergie .plus il fait beau et chaud, plus le panneau solaire produit, et plus le
ventilateur tourne vite.
Mais il faut calculer le panneau ou la cellule solaire de sorte quil ait assez de puissance pour alimenter
lappareil lclairement le plus faible rencontr, et cest souvent contraignant puisque par le fait, on ne
profite pas toujours des clairements plus levs : pas de stockage, donc pas de rcupration de surplus
dnergie solaire.
Page 73
Chapitre2
Il sagit de stocker de leau dans un rservoir .la pompe solaire est bronche directement sur les panneaux
solaires par lintermdiaire dun rgulateur ou dun convertisseur. Le dbit darriver deau dans le
rservoir est variable, directement fonction du rayonnement solaire, do lexpression au fil du soleil .
Quant lutilisation, elle pourra se faire nimporte quel moment, en tirant sur le rservoir.
Page 74
Chapitre2
La batterie dun tel systme se charge le jour, et sert de rservoir dnergie en permanence ,toute
comme la citerne deau du systme de pompage solaire dcrit prcdemment .Elle peut sans problme ,
un instant donn, recevoir un courant de charge et dbiter un courant de dcharge de valeur dfrente .Les
appareils aliments sont donc cbls sur la batterie au travers du rgulateur de charge. Lorsque la batterie
est pleine, ce dernier coupe la charge pour viter quelle ne soufre de surcharge .ceci a pour consquence
la perte dune part de lnergie produite (excdentaire pour lapplication) en t notamment sous nos
climats.
Quant un rcepteur doit ncessairement fonctionner en courant alternatif not AC, on recourt a une
conversion DC/AC (du courant continu en alternatif) en sortie de batterie .cela nest pas sans
consquence, notamment :
v Augmentation du cout et de lencombrement de linstallation
v Rduction du rendement nergtique (aucun convertisseur ne restitue 100% de lnergie).
v Risque de panne complte en cas de problme sur le convertisseur si toute linstallation lectrique
est aliment par sont intermdiaire.
v
Page 75
Chapitre2
Lnorme avantage de cette solution, cest que le rseau joue le rle de stockage illimit , et donc
lintgralit de lnergie et rcupre. On na plus besoin de batterie, ni de contrleur de charge.
Llectricit produite en courant continu doit cependant tre mise en forme en courant alternatif au
travers dun onduleur DC/AC qui respecter des normes sur la qualit pour tre homologu par la
compagnie dlectricit qui va recevoir ce courant ( qualit sinusodale du courant et dautres
paramtres indispensables).si le site de production est galement un site de consommation (une
habitation),il y a deux solutions possibles :soit la vente de la totalit du courant produit ,et la
consommation par ailleurs du courant fourni par la compagnie, soit la vente seulement du surplus du
courant non consomm.
Page 76
Chapitre2
Dans ce chapitre on a prsent les diffrents types de cellules photovoltaques ainsi que la
procdure de leurs fabrications et leurs caractristiques, courant tension, puissance rendements.et les
principaux domaines de leur utilisation.
Page 77
Chapitre
III
I.1. introduction :
Les gnrateurs autonomes sont les plus anciens historiquement, ils sont apparus dans les
annes 1970 avec les panneaux solaires monts sur les satellites, autonomes par
xcellence.ont trs vite suivi les applications de pompage et dlectrification rurale dans les
pays en voie de dveloppement, puis les applications autonomes domestiques et techniques
dans les pays industrialiss.
Nous avons dcrit succinctement dans les chapitres prcdents les tapes de fabrication et de
calcul dun systme photovoltaque permettant une premire estimation.
Le dimensionnement prcis est en ralit un processus relativement complexe car il y a de
nombreux paramtres prendre en considration, une certaines dose dimpondrable (la
mto), et surtouts de multiples interactions entre les choix. Par exemple la consommation du
rgulateur de charge doit tre ajoute celle des rcepteurs pour dfinir la consommation
totale du systme. Or le chois du rgulateur dpend de la taille du champ photovoltaque, lui
mme dterminer par la consommation
Donc la conception dun systme photovoltaque et le rsultat dune optimisation ralise par
itration. Le diagramme prsent la figure ci-dessous rsume la marche suivre dans le cas
simple dun systme photovoltaque (sans conversion dnergie ni source auxiliaire).
Il existe de nombreux logiciels de calcul et de doptimisation on cite par exemple
Meteonorm2000 (version 4.0), PVSYST, et le canadien RET screen. Ces logiciels ont plus au
moins de possibilits (comme celles de calculer les pertes provoques par des ombrages) mais
ils suivent tous une dmarche similaire, que lon peut rsumer en sept (7) points :[19]
Etape 1 : dtermination des besoins de lutilisateur : tension, puissance des appareils et dure
dutilisation.
Etape 2 : chiffrage de lnergie solaire rcuprable selon lemplacement et la situation
gomtrique.
Etape 3 : dfinition des modules photovoltaques : tension de fonctionnement, technologie et
la puissance totale linstaller.
Etape 4 : dfinition de la capacit de la batterie et le choix de la technologie.
Etape 5 : choix dun rgulateur.
Etape 6 : plan de
cbles
Page 78
Chapitre
III
Page 79
Chapitre
III
Remarque :
-
Ces deux grandeurs sont relies par le temps. Lnergie est le produit de la puissance par le
temps :[15]
E = P *t
(III.1)
Cette relation permet de calculer la consommation journalire en nergie, qui est le produit de
la puissance consomme par le temps dutilisation par jour. En effet, comme un systme
photovoltaque fournit son nergie le jour, il est naturel de prendre la priode de 24 heures
comme unit de temps.
On notera Econs (lnergie lectrique consomme en 24 heures par lapplication), en
wh/jour. Ou on lappelle consommation journalire
Le calcule dune consommation totale dune application, ce fait on valuant lnergie
lectrique consomme en 24 heures par chaque appareil et on les additionne :[15]
Econs = P1 * t1 + P2 * t2 + P3 * t3 + ...
(III.2)
Page 80
Chapitre
III
Quant on a le choix, lorientation idale dun module photovoltaque obit une rgle trs
simple retenir : vers lEquateur, ce qui donne :
-orientation vers le Sud dans lhmisphre nord.
-orientation vers le Nord dans lhmisphre sud,
En ce qui concerne linclinaison, cest un peut plus compliqu. Prenons dabord le cas dune
application autonome qui consomme une nergie quasi constante tout au long de lanne.
Lhiver tant la priode la moins ensoleille, cest cette priode quil faut optimiser la
production. Il en rsulte quen Europe, pour une utilisation annuelle, linclinaison idale est
environ gale la latitude du lieu + 10( pour une orientation Sud).
Quant lapplication fonctionne seulement en priode estivale, une inclinaison de 20 30 est
prfrable, toujours pour une orientation Sud.
Cette orientation Sud nest pas toujours possible sur une habitation cause de son
implantation par rapport aux points cardinaux .on exclut gnralement les orientations Nord,
Nord-est et Nord-Ouest qui sont vraiment dfavorables, il est par contre envisageable de
placer des modules vers lEst et lOuest. En effet, par rapport un emplacement idal 30
Sud, on ne perdra pas plus de 15% en production annuelle, pour les orientations Est, Ouest,
Sud-ouest et Sud-est.
Chapitre
III
II.2.c. ombrage :
Il faut faire trs attention aux ombrages partiels, mme trs ponctuels : si une cellule est
ombre, cest le courant de toute la chaine de cellules en srie qui est limit et cela peut avoir
de graves consquences si les panneaux ne sont pas quips de diodes shunt. Attention aussi
aux montages en sheds (ranges) : pour limiter de lombrage mutuel dun shed sur lautre.
PC = NS * NP * PCU
(III.3)
Page 82
Chapitre
III
E p =N*Pc
(III.4)
EP = Pcu *[
]*K
(III.5)
On a montr dans le tableau suivant les dfrentes technologies des panneaux et leurs
caractristiques :
Page 83
Chapitre
III
Type
Kaneka
(japon)
Schott solar
(Allemagne
)
Inventux
(Allemagne
)
Inventux
(Allemagne
)
XsunX
(USA)
Sharp
(japon)
Unisolar
(USA)
First solar
(USAEurope)
Sulfur cell
(allemagne)
Dimensions
du module
Silicium amorphe
simple jonction
Silicium amorphe
double jonction
UOC
Puissance > 60 Wc
960*990m 91,8V
m
1108*1308 23,4mm
23,6V
ICC
Pmax
Rendemen
t module
STC
1,19
A
6,606,69
A
1,091,16
A
1,321,42
A
67
Wc
9095
W
7994
W
105130
W
7%
127
Wc
90
W
7,9 %
136
Wc
6,3 %
5565
Wc
5060
Wc
7,6-9 %
Silicium amorphe
simple jonction
1100*1300
mm
136139V
Cellule
micromorphes
(amorphe/microcri
stalline)
Silicium amorphe
double jonction
Cellule
micromorphes
(amorphe/microcri
stalline)
Silicium amorphe
triple jonction
flexible
1100*1300
mm
128133V
1000*1600
mm
1129*934m
m
58V
3A
65,2V
2,11
A
5486*394m
m
46,2V
2,1VI
cell
1200*600m
m
8891V
5,1 A
6
mA/c
m2
1,131,15
A
1,651,7 A
CdTe
CIS
1258*658m
50m
52,5 V
6,2-6,5 %
stabiliss
5,5-6,5 %
7,3-9 %
8,5 %
6-7,2 %
Nm=
(III.6)
Page 84
Chapitre
III
g : rendement du gnrateur
(III.7)
(III.8)
(III.9)
Page 85
Chapitre
III
IV.1.Dimensionnement de laccumulateur :
Dimensionner la batterie, cest choisir un stockage tampon permettant de saffranchir des
variations climatiques temporaires, lchelle de lheure, de la journe (elle assure le
fonctionnement nocturne), et de quelques jours de mouvais temps. Dans certaines rgions,
comme par exemple dans de nombreuses parties dAfrique, trois jours dautonomie sont
suffisantes mais par contre en Amrique du nord cette valeur peut tre fixe 14 jours.
Cmin =
(III.10)
Pc < 150 Wc
150 < Pc < 1000 Wc
Pc > 1000 Wc
U=12 V.
U= 24V.
U=48 V.
Cu =
Cu : capacit utile (Ah).
U : tension de travail de linstallation (V).
Page 86
Chapitre
III
(III.12)
(III.13)
(III.14)
IV.2.Dimensionnement du rgulateur :
Le rgulateur sert augmenter la dure de vie des accumulateurs tout en atteignant les rendements
les plus levs possibles. En adaptant de faon optimale llectricit produite par le gnrateur
photovoltaque (tension et courant de charge) et destine la charge des accumulateurs.
Ils assurent principalement les taches suivantes :
-protection de laccumulateur contre les dcharges profondes.
-limitation de la tension de charge terminale (protection contre les surcharges).
-prvention de la dcharge des batteries pendant la nuit dans les rsistances internes du
gnrateur photovoltaque.
Page 87
Chapitre
III
Nota :
il est important de vrifier que les diamtres de cble choisit sont compatible avec les borniers
des composants retenus : modules et rgulateur.il arrive que ils nacceptent pas la section de
cble que lon souhaite y mettre, il faut alors une boite de jonction intermdiaire ou un bornier
supplmentaire pour y remdier
pour une bonne mesure de la tension de la batterie par le rgulateur, celui-ci doit tre plac le
plus prs possible de la batterie.
Ion
Ib
Onduleur
Chapitre
III
(III.15)
I2 = I1.Np
(III.16)
I2=Ion+Ib
(III.17)
(III.18)
R= x
(III.19)
S=
Avec : R= rsistance [].
(III.20)
(III.21)
R=
Chapitre
III
courant continu :
La premire rgle suivre est des m
e r quel les per tes en l igne sont accept abl es ; i l faut
comparer la chute de tension sur les deux ples pour courant allant et revenant au
rcepteur.
Remarque :
Pour la liaison panneau-rgulateur, on peut accepter environ 0,5V comme perte au courant
nominal des panneaux alors que pour la liaison rgulateur-batteries il faudrait rester au
dessous de 0.05V si on veut garder une bonne prcision de rgulation.
Pour le cblage des rcepteurs, une perte maximale de 4% est tolrable
Pour la liaison entre les panneaux solaires, tous les cblages en extrieur, il faut utiliser des
cbles souples multibrins isolant aux UV (caoutchouc par exemple).
Labaque ci-dessous dtermine directement les sections de cbles (pour une chute de tension
de 3 4%), on peut ensuite calculer la perte exacte au moyen de tableau prcdant.
Figure III.5 : Abaque de Dtermination des Sections De cble En courant Continu [15]
Page 90
Chapitre
III
Courant alternatif :
Pour une distribution en alternatif dans un systme onduleur, tout le cblage 230VAC doit
respecter les normes du pays concern, on pourra se renseigner auprs des compagnies
dlectricit.
Installation mcanique :
On a trois types de montage mcanique pour les panneaux photovoltaques ; le montage
surimpos en toiture ou faade, lintgration au btiment, le montage sur chassis.ces montages
sont valables pour des installations raccordes comme pour des installations autonomes.
Remarque :
Si plusieurs chssis sont placs les uns derrire les autres(en sheds) surtout en climat
tempr ou le soleil est bas, on prendra garde ne pas faire dombre aux panneaux placs
derrire. Cela peut amener rehausser les panneaux placs derrire
Pour les petits systmes autonomes, on recourt aussi souvent au montage sur mat ou sur
coffret.
Page 91
Chapitre
III
Page 92
Chapitre
III
Remarque : pour prvenir ce type de risque, il faut maintenir un tissu opaque sur les
modules pendant toutes les oprations de cblages pour quils ne produisent pas dlectricit.
Boite de connexion :
Les modules sont pour la plupart quips dune ou deux boites de connexion en face arrire
quipe avec des diodes by-pass.
Les rgles de cblages des modules sont les suivantes :
- Les presse-toupes de sortie doivent tre mis vers le bas dans la mesure du possible,
sinon sur le cot, mais jamais vers le haut, afin d viter tout infiltrations de goutte
deau
- Les gaine du cble doit entrer dans la boite de connexion, et la presse toupe serr
dessus.
- Le cble qui sort du module doit suivre la rgle de la goutte deau en faisant un U qui
dirigera lcoulement vers le bas.
- Vrification des polarits avec un voltmtre lintrieur de connexion (mme sous sa
couverture, le module aura une polarit)
- Une fois les cbles branchs, les connexions seront toutes recouvertes dune rsine de
protection genre colle froid , ainsi que la sortie de presse-toupes et le couvercle de la
boite avant fermeture
- Si un cble doit traverser une traverser une paroi extrieure, prparer le cble pour quil
forme aussi un U (goutte pendante) et quil traverse un mur en montant, puis ajouter de
la silicone autour de la section de traverse pour parfaire ltanchit,
Mise en srie.
VII. Conclusion :
Ce chapitre nous a permet de connaitre les diffrentes tapes de dimensionnements dune
installation photovoltaque autonome et les principaux facteurs prendre en considration.
Page 93
Chapitre
IV
I. Introduction :
Le dimensionnement dune installation photovoltaque a pour objectif de rpondre aux
besoins en nergie lectrique dun site. La dtermination de la puissance qui peut tre dlivre
par ces installations dpend des donnes mtorologiques (ensoleillement, insolation,
temprature extrieure) du lieu de limplantation et de la gamme des panneaux choisis elle
doit assure lapprovisionnement de lnergie lectrique tout au long de la priode
dtermine.
Nombre
Puissance (W)
(unit)
Puissance (kW)
(totale)
Dure
du lisa on
(heure)
08
Puissance
(KWh/jour)
Micro-ordinateur
224
100
22,4
Lampe
420
20
8,4
04
33,6
Imprimante
08
100
0,8
02
1,6
Photocopieuse
10
250
2,5
02
Scanner
02
250
0,5
01
0,5
179,2
219,9
Totale
Page 94
Chapitre
IV
Mois Jr
SS0
jan
Fv
Mar
Avr
mai
juin
97
105
112
132
140
144
12
10
01
22
16
03
2000
SS
86
89
89
116
120
127
0,88
0,84
0,79
0,87
0,85
0,88
jui
07 144 122 0,84
Aout 08 137 108 0,78
sep 26 119 41 0,34
2001
SS
11
68
82
115
71
128
0,11
0,64
0,73
0,87
0,50
0,88
2003
SS
66
01
71
94
60
116
2004
SS
0,68 88
0,009 91
0,63 02
0,71 92
0,42 73
0,80 114
92 0,63 31 0,21
127 0,92 72 0,52
77 0,64 108 0,90
62
70
55
0,90
0,86
0,01
0,69
0,52
0,79
2005
SS
65
88
106
119
84
02
0,43
0,51
0,46
114 0 ,79
116 0,84
64 0,53
0,67
0,83
0,94
0,90
0,60
0,01
oct
Nov
0,47 11
0,02 28
0,09
0,27
101 0,90 81
01 0,009 81
0,72
0,80
dc
17 95
0,47 75
0,78
27
0,84
59
0,62
45
Page 95
0,28
80
Jr
SS0
12
10
01
22
16
03
97
105
112
132
140
144
2006
SS
31
46
00
56
114
123
0,31
0,43
0,00
0,42
0,81
0,85
2007
SS
75
80
103
114
107
66
0,77
0,76
0,91
0,86
0,76
0,45
2008
SS
66
93
74
121
21
117
2009
SS
14
88
28
01
124
129
0,68
0,88
0,66
0,91
0,15
0,81
2010
SS
0,14 23
0,83 67
0,25 101
0,007 12
0,88 113
0,89 83
Chapitre
IV
SSmoy
0,23
0 ,63
0,90
0,09
0,80
0,57
52,5
71,1
65,6
84
88,7
100,5
0,53
0,67
0,58
0,63
0,62
0,69
juil
Aou
sep
133 0,92
122 0,89
24 0,20
98,9
99
67,5
0,69
0,71
0,56
oct
Nov
17 111 79
13 101 33
0,71 54
0,32 68
0,48 77
0,67 43
5
96
0,04
0,95
67,4
36,5
0,58
0,35
Dc
17 95
0,27 87
0,91 00
0,00 25
86
0,90
51
0,44
26
0,26
Tableau IV.2 : Relev des valeurs moyennes mensuelles des dures dinsolations (SS),et
dures maximales mensuelles dinsolation (SS0), et fraction dinsolation ( ) pour les
annes (2000..2010).[13]
Unit utilise : heure et 10eme dheure (1/10 heure =6 minutes)
G*
Janvier
fvrier
3314
4528
0,53
mars
avril
mai
juin
Juillet
Aout
septembre
octobre
novembre
dcembre
6128
4754
3524
2940
0,67
0,58
0,71
0,56
0,58
0,35
0,44
2377
3616
4502
3548
2160
1955
592
632
988
918
1049
789
744
580
1785
2984
3453
2759
1416
1375
(Wh/m )
0,63
0,62
0,69
0,69
(Wh/m )
(Wh/m )
(Wh/m )
Tableau IV. 3 : valeurs de G, D et I pour une surface horizontale
Page 96
Chapitre
IV
Janvier
Fvrie
r
Mars
avril
mai
juin
Juillet
Aout
septembre
octobre
novembre
dcembre
G (= )
D (= )
I (= )
3650
4050
4664
5046
5660
5350
5964
6220
5444
4450
4380
3522
1288
1636
1960
2152
2070
2100
1858
1736
1746
1582
1242
1159
2362
2414
2704
2894
3590
3250
4106
4484
3698
2868
3138
2368
= 3641 N
Longitude : = 403 E
Altitude : A = 20m
Albdo :
Orientation sud : =0
a=0 ,20
Inclinaison : =30
T= 0,5
;
g=0,93
Ce = 2000 Ah
Pon =2300 w
= 0,93
Enom=1000W/m2
= 2, 10-8 .m
Page 97
Chapitre
IV
].K
].0,6 = 274,7 Wh/j
EP = 130.[
EP = 274,7 Wh/j
, .
. ,
= 1026,41027 modules
Ns = 10 modules
= 10 modules
Np =
Page 98
Chapitre
IV
V. Dimensionnement de laccumulateur :
Puissance crte :
PC = NS . NP . PCU = 10 . 103 . 130 = 133,9 KW
PC = 133.9 KWC
1000WC Ub = 48 V
La capacit de la batterie :
Cmin = CS =
. .
Cmin = CS =
6934,06 Ah
, .
. , . ,
Cu =
= 31,51 Ah
Cu = 31,51 Ah
= 4,58 lments
= 0,015 1 branche
Nbp = 1 branche
Page 99
. ,
6934,06 Ah
Chapitre
IV
+ I2
Ion
B
Panneaux
solaires
Onduleur
Ib
= 5,41 A
I1 = 5,41 A
Page
100
Chapitre
IV
I2=Ion+Ib
Lorsque les batteries sont charges:
Ib=0
R=
= 0,13
R = 0,13
L1 = 20m (la longueur des cbles entre le boitier de raccordement et les panneaux)
R=x
S=
. .
= 3,07.10-6 m2
S = 3,07. 10-6 m2
Section du conducteur entre le boitier de raccordement et
londuleur et les batteries :
R=
= 1,29*.10-3
R = 1,29. 10-3
L2 = 10m (la longueur des cbles entre le boitier de raccordement et londuleur)
R= x
S=
. .
.
S = 1,55. 10- 4 m2
r=7 mm (rayon du cble)
Page
101
= 1,55. 10- 4 m2
Chapitre
IV
Gmoy,stival=
Gmoy,stival=
].K
].0,6=441.3 Wh/j
EP=441, 3 KWh/j
Lnergie totale produite par linstalation pendant la saison
estival EPt es :
EPt es = EP es * Nm = 441,3 . 1027 = 453,21 KWh/j
EPt es = 453, 21 KWh/j
VII.1. Le gain dnergie :
= EPt es - EPt =
Nombre de pompe
Dure dutilisation
(h)
Puissance totale
consomme (KWh/J)
9,1
04
04
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Chapitre
IV
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Chapitre
IV
Le cout de la facture
dlectricit produite base des
hydrocarbures pour une priode de 20 ans est :
Cout moyen dun mois est de : 90 000,00 DA REF
,
,
= 35,02 DA
VIII. conclusion :
Dans ce chapitre on a pu dimensionner une installation photovoltaque qui pourra rpondre
au besoin nergtique de la bibliothque centrale de bastos aprs avoir fait les bilans de
puissance.
Une estimation du cot du kilowattheure solaire a t effectue afin de servir de base pour une
tude technico conomique qui pourrait tre mene pour dautres travaux venir.
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Conclusion gnrale
Comptitif
Propre et sans risques sur lenvironnement
Sauvegarde les espaces environnants du fait quil ne ncessite pas de pilonnes, cbles
et autres.
Utilisable et transfrable vers des sites inaccessibles.
Bibliographie
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