Physik Der Halbleiterbauelemente

Physik der Halbleiterbauelemente
Frank Thuselt
Physik der
Halbleiterbauelemente
Einfhrendes Lehrbuch
fr Ingenieure und Physiker
2. Auflage
123
Prof. Dr. Frank Thuselt

fthuselt@googlemail.com
Lsungen zu den Aufgaben des Buches und weitere Ergnzungen finden Sie auf
extras.springer.com
Passwort: 978-3-642-20031-1
ISBN 978-3-642-20031-1
e-ISBN 978-3-642-20032-8
DOI 10.1007/978-3-642-20032-8
Springer Heidelberg Dordrecht London New York
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Vorwort zur 2. Auflage
In der vorliegenden zweiten Auflage wurden Fehler korrigiert und Ergnzungen

eingefgt. Auerdem sind Zahlenwerte, wo erforderlich, aktualisiert worden. Im
Kapitel ber Bipolartransistoren wurde ein Abschnitt ber Thyristoren und Triacs,
die wichtigsten Bauelemente der heutigen Starkstromtechnik, hinzugefgt. Einige
ergnzende Aufgaben fanden ebenfalls noch Platz.
Auerdem schien es sinnvoll, die Daten- und Formelsammlung, die bisher nur
im Internet abrufbar war, in den gedruckten Teil des Buches als Anhang aufzunehmen. Auch weiterhin stehen Lsungen der bungsaufgaben, MATLAB-Dateien
und einige weitere Ergnzungen bereit, sie sind jetzt auf den Webseiten des Springer-Verlags unter extras.springer.com abrufbar.
Allen Lesern und Rezensenten, die durch Hinweise auf Verbesserungen und notwendige Korrekturen aufmerksam gemacht haben, mchte ich hiermit ausdrcklich danken.
Pforzheim und Neuluheim, Mrz 2011
Frank Thuselt
Aus dem Vorwort zur 1. Auflage
Lass die Elemente rasen,

was sie auch zusammenknobeln!
Lass das Tfteln, lass das Hobeln,
heilig halte die Ekstasen.
Christian Morgenstern
Bcher zum Thema Halbleiterphysik gibt es weltweit in beachtlicher Zahl. Bei

deutschsprachigen Lehrbchern sieht es dagegen schon anders aus, da sind nur
recht wenige auf dem Markt. Die meisten davon wenden sich an Studenten im
Hauptstudium, die eine grndliche Physikausbildung genossen haben, wozu auch
die Quantentheorie gehrt.
Man kann nicht bestreiten, dass die Quantentheorie heute eine der wichtigsten
Grundlagen der Festkrperphysik darstellt, ohne sie wren die meisten Erscheinungen mehr oder weniger unverstndlich. Trotzdem kann man nicht von jedem Studenten, der die Funktionsweise elektronischer Bauelemente genauer verstehen
will, ein vorheriges Studium dieses umfangreichen Gebiets verlangen. Soll man
deshalb auf eine tiefere Darstellung der physikalischen Prinzipien verzichten?
vi
Vorwort
Meine Erfahrungen im Vorlesungsbetrieb vor Studenten der Elektro- und Informationstechnik und der Technischen Informatik an der Hochschule Pforzheim
besttigen, dass es in gewissem Umfang auch ohne Quantentheorie geht. Kein
Zweifel der Beweis, dass zum Beispiel ein Elektron im periodischen Feld des
Kristallgitters durch eine effektive Masse beschrieben werden kann, wird nur
durch die Schrdinger-Gleichung geliefert. Stellt man sich jedoch auf den plausiblen Standpunkt, dass das Quasiteilchenkonzept brauchbar ist, und nimmt man die
Existenz von Halbleiterelektronen und Lchern als gegeben hin, so kann man
erstaunlich weit mit dem klassischen, etwas abgewandelten Drudeschen Modell
der Leitfhigkeit kommen. Damit lsst sich sogar die Funktionsweise der meisten
Bauelemente erklren. Natrlich gehrt dann dazu, dass die fehlenden quantenmechanischen Voraussetzungen an den entsprechenden Stellen wenigstens durch
anschauliche und plausible Erklrungen ersetzt werden. Diese Vereinfachung ist ja
mehr oder weniger auch das Ziel des Quasiteilchenkonzepts gewesen. Selbst dann,
wenn man die zugrunde liegenden Prinzipien nachvollziehen kann, ist es oft ntzlich, sich auf einfache Modelle zu besinnen und sich vom hohen Ross der Theorie
wieder etwas in Richtung zu Anschaulichkeit und Pragmatismus zu begeben. Das
ist mir aus meiner eigenen Studienzeit noch gut in Erinnerung.
Zuallererst wendet sich das vorliegende Buch an Studenten der ingenieurwissenschaftlichen Disziplinen, die whrend ihres Studiums entweder nicht oder erst
spter eine tiefer gehende physikalische Ausbildung erfahren. Vor allem Fachhochschulstudenten sollten sich angesprochen fhlen. Ich selbst habe bereits im zweiten
Semester groe Teile der ersten drei Kapitel und in den Anfngen das vierte Kapitel zum Inhalt meiner Vorlesungen zur Halbleiterphysik gemacht. Das ist zugegebenermaen kein leichtes Futter, aber ich glaube doch, dass es funktioniert hat. Die
spteren Kapitel waren dagegen Inhalt einer Wahlpflichtvorlesung im Hauptstudium.
Ich hoffe jedoch, dass das Buch auch denjenigen etwas bringt, die das Grundstudium bereits hinter sich gelassen haben, und es wird bestimmt auch fr angehende
Physiker interessant sein, die sich neben den allgemeinen Prinzipien der Halbleiterphysik noch ber die grundstzliche Funktionsweise von Bauelementen informieren wollen. Vielleicht benutzt auch der Fachmann im Beruf, dessen Studium
schon lange zurckliegt, das Buch noch hin und wieder zum Nachlesen oder Nachschlagen.
Wenn man nun schon auf Quantenmechanik verzichtet, ist es wenigstens erforderlich, in groben Zgen die wesentlichsten ihrer Ergebnisse zu umreien und
gleichzeitig einige notwendige Aspekte des Bohrschen Atommodells darzustellen.
Diesen vorbereitenden berlegungen zur Mikrophysik ist das erste Kapitel des
Buches gewidmet. Gleichzeitig bietet es, vom Wasserstoffmodell ausgehend, einen
berblick ber den Aufbau des Periodensystems und die chemische Bindung. Studenten, die damit schon gut vertraut sind, knnen dieses Kapitel also getrost berschlagen, vielleicht bis auf die fr die Halbleiterphysik wichtigen Aussagen zur
Kristallstruktur.
Vorwort
vii
Im zweiten Kapitel werden die Eigenschaften des homogenen Halbleiters vorgestellt, whrend die Kap. 3 bis 6 den grundlegenden Bauelementen vorbehalten
sind. Das 7. Kapitel befasst sich schlielich mit der Halbleiterfertigung.
In diesem Buch sollten vor allem die physikalischen Grundprinzipien, wie sie
fr die Funktionsweise von Bauelementen notwendig sind, ausfhrlich dargestellt
werden. Das bedeutet, dass man sich dafr in der Stoffflle beschrnken muss. Ich
habe mich bemht, die Prinzipien der wichtigsten Bauelemente wie Diode, Bipolar-, Feldeffekttransistor, LED oder Halbleiterlaser mglichst detailliert zu
beschreiben, andere sind dafr weggelassen worden oder konnten nur kurz erwhnt
werden wie zum Beispiel Thermoelement oder pin-Diode. Der Trennstrich wurde
auch dort gezogen, wo das einzelne Bauelement aufhrt die Physik und Technologie der integrierten Schaltungen hat sich heute zu einem ganz eigenstndigen
Gebiet entwickelt, hierauf wollte ich bewusst nicht nher eingehen. An dieser
Stelle muss sich das Werk von Kollegen anschlieen.
Die Auswahl der Inhalte ist naturgem immer subjektiv. Auch hier gehen persnliche Erfahrungen und Interessen aus meiner langjhrigen Berufspraxis mit ein.
So wurde zum Beispiel Wert auf Optoelektronik gelegt. Auch ein grundlegendes
Modell zur Bandgap-Schrumpfung bei hohen Dotierungen wurde mit aufgenommen gerade hohe Dotierungen werden bei modernen Bauelementen immer wichtiger.
Wie schon erwhnt, habe ich in meinen Vorlesungen die Halbleiterphysik durchaus schon Studenten im 2. Semester zugemutet und will das auch mit diesem Buch
tun. Entsprechend ist der Schwierigkeitsgrad der ersten drei Kapitel geringer. Das
ist aber sicher auch fr Studenten hherer Semester kein Nachteil. Zwangslufig
muss das Tempo aber in den spteren Kapiteln grer werden, wenn man noch ausreichend Inhalte bieten will. Da es sich um ein einfhrendes Lehrbuch handelt,
sind Herleitungen von Gleichungen mglichst nachvollziehbar gestaltet worden,
Zwischenrechnungen wurden mit angegeben. Dadurch wird natrlich der Text
etwas lnger, was auf der anderen Seite eine gewisse Auswahl unerlsslich macht.
Einige Erfahrungen aus meiner eigenen Studienzeit und dem spteren Lernen
(das ja bekanntlich nie aufhrt) sowie aus meiner Vorlesungspraxis mchte ich
gern noch weitergeben:
Lehrbcher sollte man immer mit Zettel und Bleistift in der Hand lesen, auch
ein Textmarker kann ntzlich sein. Auerdem ist es immer hilfreich, zumindest
zwei Lehrbcher zum gleichen Thema zu lesen. Jeder Autor pflegt ein anderes
Herangehen, und nur durch Fragen und Vergleiche kann man in die Tiefe eines
Fachgebiets eindringen. Machen Sie sich Notizen auf einem Zettel und skizzieren
Sie wichtige Zusammenhnge und grundlegende Aussagen! Einige Vorschlge
habe ich im vorliegendem Buch bereits gemacht, indem am Schluss jedes Kapitels
noch einmal alle entscheidenden Gedanken zusammengefasst sind.
Unverzichtbar ist es auch, Aufgaben zum Stoff zu rechnen. Zum Inhalt des
Buches gehren daher zum einen durchgerechnete Beispiele, die in den laufenden
Text eingestreut sind. Zum anderen sind am Schluss jedes Kapitels noch zahlreiche
weitere Aufgaben zu finden, die zu eigenen berlegungen anregen sollen. Der
Schwierigkeitsgrad dieser Aufgaben (wie ich ihn einschtze) ist durch Sterne
viii
Vorwort
gekennzeichnet. Eine Fnf-Sterne-Aufgabe verlangt also schon einigen Aufwand!

Ich denke jedoch, dass man nicht den Fehler machen sollte, alle schwierigeren
Aufgaben vollkommen allein rechnen zu wollen. Es ist allein schon sehr lehrreich,
vorgeschlagene Lsungswege gedanklich nachzuvollziehen. Dazu gibt es im Internet Lsungsvorschlge als PDF-Files. Ab Kap. 4 werden die Aufgaben brigens
allmhlich etwas schwerer.
Nach den mathematisch orientierten Aufgaben finden sich ganz am Schluss
noch eine Menge von Testfragen. Sie sollen insbesondere dazu dienen, qualitatives Wissen ber Fakten und Zusammenhnge zu berprfen. Deren Lsungen sind
jedoch nicht angegeben, sondern sollen anhand des Inhalts des jeweiligen Kapitels
erschlossen werden. Dadurch wird vermieden, dass der Leser vielleicht allzu
schnell auf eine prsentierte Antwort schaut und diese vielleicht sogar in Erwartung von Prfungen schematisch auswendig lernt, anstatt den Stoff in seinen
Grundzgen wirklich zu verstehen.
Zum Lsen der Fragen und Aufgaben steht eine komprimierte Formelsammlung
bereit. Sie stand ursprnglich im Internet bereit und wurde in der 2. Auflage ins
Buch aufgenommen.
Welches Werkzeug soll man zum Rechnen benutzen? Fr viele Zwecke reicht
sicher ein normaler Taschenrechner. Doch durch eine graphische Ausgabe werden
viele Aussagen noch deutlicher. Wir haben im Ingenieurbereich sehr gute Erfahrungen mit MATLAB gemacht. Das ist ein professionelles Mathematikprogramm
fr den PC, mit dem man sich so zeitig wie mglich vertraut machen sollte. Viele
Aufgaben in diesem Buch setzen deshalb die Verwendung von MATLAB voraus.
Auch fr einfachere Aufgaben hat das Arbeiten mit MATLAB Vorteile, denn man
kann zum Beispiel mit einem festen Satz physikalischer Konstanten und Halbleiterparameter arbeiten. Man muss sie dann nicht jedes Mal neu eintippen. Solche
Dateien werden zum Arbeiten mit diesem Buch im Internet bereit gestellt.
Weniger wichtige Details wurden brigens in kleinerer Schrift dargestellt,
ergnzende Abschnitte sind durch eine kursive berschrift gekennzeichnet.
Natrlich kann ein solches Lehrbuch fr Studenten, die tiefer in die Materie eindringen wollen, nicht ausreichen. Fr das weitergehende Studium muss deshalb auf
die schon vorhandenen klassischen Bcher zurckgegriffen werden. Als Student
sollten Sie auch baldmglichst Ihre Scheu vor dem Englischen ablegen und mutig
englischsprachige Literatur lesen! Insbesondere die Bcher von Seeger [Seeger
2004], Sze [Sze 1981], Singh [Singh 1994], Pierret [Pierret 1996] sowie (mit etwas
hheren Ansprchen) von Yu und Cardona [Yu und Cardona 2001] knnen an dieser Stelle empfohlen werden. Vom Springer-Verlag gibt es eine Reihe HalbleiterElektronik, einige dieser Bcher haben ebenfalls eher grundlegenden Charakter.
Um Daten zu den einzelnen Halbleitersubstanzen zu finden, wird man sicher gern
auf das Tabellenbuch von Madelung [Madelung 1996] zurckgreifen, das die
wichtigsten Messergebnisse aus dem berhmten Landoldt-Brnstein enthlt..
Viele meiner Erkenntnisse und physikalischen Vorstellungen konnten sich in der
aufgeschlossenen Atmosphre entwickeln, die ich frher in der Arbeitsgemeinschaft AIII-BV-Halbleiter an der Universitt Leipzig vorfand. Ausgesprochen
Vorwort
ix
fruchtbar war damals auch die Zusammenarbeit mit Berliner Kollegen des Zentralinstituts fr Optik und Spektroskopie und der Humboldt-Universitt.
Einige der jetzigen Kollegen an der Hochschule Pforzheim, insbesondere Prof.
Frank Kesel, Prof. Friedemann Mohr sowie Dipl-Phys. Michael Bauer, steuerten
zahlreiche kritische Bemerkungen bei. Mein Kollege Prof. Michael Felleisen hat
mich immer wieder ermuntert, die Arbeit an diesem Buch weiter zu fhren und zu
Ende zu bringen. Hierfr mein Dank an alle. Professor Cardona, langjhriger
Direktor des Max-Planck-Instituts fr Festkrperforschung, hat durch zahlreiche
Hinweise zur Auswahl und zur Darstellung der Inhalte beigetragen. Fr die Bereitstellung von Bildmaterial bin ich den beteiligten Mitarbeitern der Infineon AG,
Harpen AG, Siltronic AG und insbesondere Dipl.-Phys. Horst K.-Concewitz,
Geschftsfhrer der Contrade Mikrostrukturtechnik, zu Dank verpflichtet. Dem
Springer-Verlag, vor allem Dr. Claus Ascheron und Mrs. Lahee danke ich fr die
sehr gute Zusammenarbeit. Nicht zuletzt jedoch waren mir meine Studenten als
stets kritische Zuhrer Ansporn und Hilfe.
Dieses Buch widme ich meinen Kindern und meiner Lebensgefhrtin Henriette
Gennrich, die mich besonders in letzter Zeit whrend der Fertigstellung des Manuskripts von vielem entlastet und mir bei der Arbeit geholfen hat. Auch viele Stunden der Freizeit mussten geopfert werden.
Ganz besonders widme ich das Buch aber dem ingenieurwissenschaftlichen und
physikalischen Nachwuchs (auch in der eigenen Familie). Zum Glck gibt es
immer noch interessierte junge Leute, die die Mhe eines solchen Studiums nicht
scheuen und auf diese Weise dazu beitragen, dass die Physik und die Ingenieurwissenschaften auch zuknftig eine solide Basis fr moderne technologische Entwicklungen liefern knnen.
Pforzheim, Juni 2004
Frank Thuselt
Inhaltsverzeichnis
Kursiv gekennzeichnete Abschnitte knnen beim ersten Durcharbeiten berschlagen werden.
1 Grundlagen der Mikrophysik ......................................................................... 1

1.1 Aussagen der Quantenmechanik ................................................................. 1
1.1.1 Photonen als Teilchen ........................................................................ 2
1.1.2 Emission und Absorption von Licht................................................... 4
1.1.3 Elektronen als Wellen ........................................................................ 5
1.1.4 Heisenbergsche Unschrferelation ..................................................... 6
1.1.5 Pauli-Prinzip....................................................................................... 7
1.2 Das Bohrsche Atommodell ......................................................................... 7
1.3 Freie Elektronen ........................................................................................ 11
1.3.1 Wie entstehen freie Elektronen? ...................................................... 11
1.3.2 Zur Energieeinheit Elektronenvolt ................................................... 13
1.3.3 Zusammenhang Energie Impuls/Wellenzahl................................. 14
1.4 Aufbau der Atome und Periodensystem ................................................... 15
1.5 Kristallstrukturen und Geometrie .............................................................. 18
1.5.1 Bravais-Gitter und Elementarzellen ................................................ 18
1.5.2 Atomabstnde und Packungsdichten................................................ 20
1.5.3 Kristallrichtungen und Millersche Indizes ....................................... 21
1.5.4 Massen und Dichten von Halbleitersubstanzen................................ 23
1.6 Chemische Bindung .................................................................................. 25
1.6.1 bersicht ber die Bindungsarten ................................................... 25
1.6.2 Verbreiterung der Energieniveaus zu Bndern ................................ 29
1.7 Halbleiter ................................................................................................... 31
1.7.1 Orientierung an der elektrischen Leitfhigkeit ................................ 31
1.7.2 Bindungen und Bnder in Halbleitern.............................................. 32
1.7.3 Halbleitermaterialien ........................................................................ 33
1.8 Einige Ergnzungen .................................................................................. 35
Zusammenfassung zu Kapitel 1 ....................................................................... 37
Aufgaben zu Kapitel 1 ..................................................................................... 39
xi
xii
Inhaltsverzeichnis
2 Bnderstruktur und Ladungstransport .......................................................45

2.1 Bndermodell .............................................................................................46
2.1.1 Eigenschaften des Leitungs- und Valenzbandes ..............................46
2.1.2 Erzeugung freier Elektronen und Lcher ......................................50
2.2 Trgerdichte im Leitungs- und Valenzband ..............................................52
2.2.1 Zustandsdichte der Elektronen und Lcher ......................................52
2.2.2 Fermi-Verteilung ..............................................................................55
2.2.3 Teilchenkonzentration in den Bndern .............................................57
2.2.4 Bestimmung der Fermi-Energie........................................................62
2.3 Halbleiter mit Strstellen ...........................................................................63
2.3.1 Donatoren und Akzeptoren ..............................................................63
2.3.2 Bindungsenergie von Ladungstrgern an Strstellen .......................64
2.3.3 Ladungstrgerkonzentration bei Anwesenheit von Strstellen ........66
2.4 Die Bewegung von Ladungstrgern ..........................................................72
2.4.1 Drift...................................................................................................72
2.4.2 Anwendung: Widerstandsthermometer ............................................77
2.4.3 Hall-Effekt ........................................................................................79
2.4.4 Diffusion ...........................................................................................82
2.4.5 Einstein-Beziehung ...........................................................................84
2.4.6 Generation und Rekombination ........................................................85
2.4.7 Kontinuittsgleichungen ...................................................................89
2.4.8 Halbleiter im stationren Nichtgleichgewicht ..................................90
2.5 Temperaturabhngigkeit von Energielcke und effektiver Masse ............. 92
2.6 Halbleiter bei hohen Ladungstrgerdichten ..............................................93
2.6.1 Trgerkonzentration im Leitungsband .............................................93
2.6.2 Gapschrumpfung ..............................................................................96
2.7 Einige Ergnzungen ................................................................................101
2.7.1 Bandstruktur von Halbleitern ........................................................101
2.7.2 Ein- und zweidimensionale Halbleiter ...........................................104
2.7.3 Der Teilchenzoo der Halbleiterphysik ...........................................105
Zusammenfassung zu Kapitel 2 ..................................................................... 106
Aufgaben zu Kapitel 2 .................................................................................... 110
3 pn-bergnge ................................................................................................121
3.1 Modell einer Halbleiterdiode ...................................................................121
3.2 pn-bergang ohne uere Spannung .......................................................123
3.2.1 Qualitative Betrachtungen .............................................................123
3.2.2 Berechnung des Potentialverlaufs...................................................125
3.2.3 Breite der Sperrschicht....................................................................127
3.2.4 Diffusionsspannung ........................................................................127
3.3 pn-bergang mit uerer Spannung ........................................................131
3.3.1 Modell ............................................................................................131
3.3.2 Breite der Sperrschicht....................................................................132
3.3.3 Berechnung der Strme ..................................................................133
Inhaltsverzeichnis
xiii
3.3.4 Strom-Spannungs-Kennlinie .......................................................... 137

3.3.5 Lawinen- und Zener-Effekt ............................................................ 140
3.4 Kapazitt eines pn-bergangs ................................................................. 142
3.4.1 Sperrschichtkapazitt...................................................................... 142
3.4.2 Diffusionskapazitt......................................................................... 145
3.5 Differentieller Widerstand und Leitwert ................................................. 146
3.6 Esaki- oder Tunneldiode ......................................................................... 147
3.7 Einige Ergnzungen zu pn-bergngen .................................................. 149
Aufgaben zu Kapitel 3 ................................................................................... 152
4 Optoelektronische Bauelemente ................................................................. 161
4.1 Lumineszenz-Bauelemente ..................................................................... 161
4.1.1 Lichtemission an pn-bergngen .................................................. 161
4.1.2 Lumineszenzmaterialien................................................................. 162
4.1.3 Spektralabhngigkeit der Lumineszenz
bei Band-Band-bergngen ........................................................... 167
4.1.4 Aufbau und Technologie von Lumineszenzdioden........................ 169
4.1.5 Entwicklungstendenzen bei Lumineszenzdioden........................... 175
4.2 Einiges ber Halbleiterlaser .................................................................... 176
4.2.1 bersicht ....................................................................................... 176
4.2.2 Grundstzliches zur Funktionsweise .............................................. 177
4.2.3 Optischer Einschluss (Confinement).............................................. 178
4.2.4 Besetzungsinversion und Gewinn .................................................. 180
4.2.5 Bilanzgleichungen fr Elektronen und Photonen........................... 182
4.3 Absorptions-Bauelemente ....................................................................... 186
4.3.1 Physikalische Grundlagen der Absorption ..................................... 186
4.3.2 Photoleiter ...................................................................................... 191
4.3.3 Photodioden und weitere Photodetektoren..................................... 192
4.3.4 Materialien fr optische Empfnger............................................... 197
4.3.5 Entwicklungstendenzen bei Photodetektoren................................. 199
4.4 Solarzellen Photovoltaik .................................................................... 199
5 Bipolartransistoren und Thyristoren ......................................................... 211
5.1 Einfaches Transistormodell ..................................................................... 211
5.2 Abschtzung der Verstrkungswirkung .................................................. 215
5.2.1 Definition verschiedener Verstrkungsfaktoren ............................ 215
5.2.2 Diffusionsstrom in der Basis .......................................................... 217
5.2.3 Grenordnung der Stromverstrkung........................................... 220
5.3 Ebers-Moll-Gleichungen ......................................................................... 222
5.3.1 Relativ einfache Herleitung ........................................................... 222
5.3.2 Zusammenfassung der Herleitung.................................................. 226
xiv
Inhaltsverzeichnis
5.3.3 Allgemeine Form der Ebers-Moll-Gleichungen .............................228

5.3.4 Verschiedene Nherungen fr die Ebers-Moll-Gleichungen..........229
5.4 Herleitung der Ebers-Moll-Gleichungen
aus den Diffusionsgleichungen ................................................................232
5.4.1 Anstze fr die Diffusionsstrme ...................................................232
5.4.2 Lsungen der Diffusionsgleichungen .............................................233
5.5 Kennlinienfelder ......................................................................................235
5.5.1 Kennlinienfelder in Basisschaltung ...............................................235
5.5.2 Kennlinienfelder in Emitterschaltung .............................................237
5.5.3 Early-Effekt ....................................................................................241
5.6 Ergnzungen zu Bipolartransistoren. Tendenzen ....................................242
5.7 Thyristoren und Triacs .............................................................................242
5.7.1 Modell eines Thyristors. Thyristorkennlinie .................................242
5.7.2 Gleichungen fr den Vorwrtsstrom...............................................246
5.7.3 Triacs ..............................................................................................248
Aufgaben zu Kapitel 5 .................................................................................... 250
6 Metall-Halbleiter-Kontakte und Feldeffekt-Transistoren ........................257
6.1 Metall-Halbleiter-Kontakte .....................................................................257
6.1.1 Schottky-Dioden ............................................................................257
6.1.2 Ohmsche Kontakte..........................................................................262
6.2 Einfhrung in Feldeffekttransistoren .......................................................263
6.2.1 Die verschiedenen Typen von Feldeffekttransistoren ....................263
6.2.2 Einfaches Modell ............................................................................266
6.3 Detailliertere Beschreibung des MOSFET ..............................................270
6.3.1 Ladungszustnde eines MOS-Kondensators .................................270
6.3.2 Quantitative Betrachtung der Inversionsbedingung .......................273
6.3.3 Ladungen, Kapazitt und Sperrschichtbreite
am MOS-Kondensator ....................................................................275
6.3.4 Verfeinerte Herleitung der Kennliniengleichung............................279
6.3.5 MOS-Kondensator mit Bercksichtigung
der beweglichen Ladungstrger ....................................................283
6.4 MOSFETs in der digitalen Schaltungstechnik ........................................287
6.4.1 Binre Schaltungen .........................................................................287
6.4.2 MOSFET als Inverter......................................................................288
6.4.3 MOSFET als Lastwiderstand..........................................................289
6.4.4 MOSFET als Logikgatter................................................................290
6.4.5 CMOS-Inverter und CMOS-Logikgatter........................................291
6.4.6 Bipolartransistoren in integrierten Schaltungen .............................293
6.5 Speicherschaltkreise ................................................................................294
6.5.1 RAM-Speicher ...............................................................................294
6.5.2 ROMs..............................................................................................294
6.5.3 EPROMs und EEPROMs ...............................................................294
Inhaltsverzeichnis
xv
6.6 CCD-Bauelemente .................................................................................. 296

6.7 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren ...................................................... 297
6.8 Zur Zukunft der MOS-Technologie ........................................................ 299
7 Halbleitertechnologie ................................................................................... 307
7.1 Vom Sand zum Chip: Fertigungsschritte im berblick .......................... 307
7.2 Herstellung von Silizium-Einkristallen ................................................... 308
7.2.1 Rohsilizium ................................................................................... 308
7.2.2 Trichlorsilan und Polysilizium ....................................................... 308
7.2.3 Herstellung von Einkristallen......................................................... 311
7.3 Herstellung von Einkristallen anderer Halbleiter .................................... 313
7.3.1 Germanium .................................................................................... 313
7.3.2 Besonderheiten bei der Herstellung von Verbindungshalbleitern.. 313
7.4 Herstellung und Bearbeitung der Halbleiterscheiben ............................. 314
7.4.1 bersicht ....................................................................................... 314
7.4.2 Oxidation ........................................................................................ 317
7.4.3 Dotieren .......................................................................................... 319
7.4.4 Epitaxieverfahren ........................................................................... 322
7.4.5 Metallisierung durch Aufdampfen und Sputtern............................ 325
7.4.6 tzen .............................................................................................. 327
7.4.7 Reinigen.......................................................................................... 329
7.5 Lithographie ............................................................................................ 329
7.6 Reinraumtechnik ..................................................................................... 333
7.7 Ein Beispiel fr die Technik integrierter Schaltungen ............................ 337
7.8 Tendenzen der Halbleitertechnologie ..................................................... 340
Anhang: Daten- und Formelsammlung .......................................................... 349
Literaturverzeichnis ......................................................................................... 373
Verzeichnis der Internet-Dateien .................................................................... 377
Verwendete Formelzeichen.............................................................................. 383
Index .................................................................................................................. 391
Personenindex ................................................................................................... 407
Grundlagen der Mikrophysik
Um die Funktion eines elektronischen Bauelements richtig verstehen zu

knnen, muss man die Eigenschaften des jeweils verwendeten Halbleitermaterials gut kennen.
Halbleiterkristalle sind aus Atomen aufgebaut. Aus der Kenntnis dieses
Aufbaus lassen sich fast alle ihre Eigenschaften ableiten. Wir wollen uns
hier zunchst mit dem Aufbau einzelner Atome beschftigen; das einfachste
unter ihnen ist das Wasserstoffatom. Eigentlich bentigt man dazu Kenntnisse aus der Quantenmechanik, einer ziemlich anspruchsvollen physikalischen Disziplin. Einige ihrer Resultate werden wir, so weit es erforderlich
ist, kurz nennen, um daraus Erkenntnisse ber den Aufbau der Atome und
des Periodensystems der chemischen Elemente abzuleiten. Wir werden
sehen, welche Elemente und welche Verbindungen als Halbleitermaterialien
in Frage kommen und einiges ber die chemische Bindung und die Kristallstruktur in Halbleitern lernen.
Weiterhin lernen wir die beiden in Halbleitern gebruchlichen Betrachtungsweisen kennen: das Bindungsmodell und das fr die Erklrung der
elektronischen Eigenschaften besonders wichtige Energiebndermodell.
1.1 Aussagen der Quantenmechanik

Die Quantenmechanik ist die physikalische Disziplin, die die Verhltnisse im
Mikrokosmos beschreibt, zum Beispiel den Aufbau der Atome. Darber hinaus ist
sie zum Verstndnis des Aufbaus von Moleklen und Festkrpern notwendig. Das
optische und elektrische Verhalten von Halbleitern und der aus ihnen gefertigten
Bauelemente lsst sich ohne Quantenmechanik nicht hinreichend beschreiben.
Wir geben hier kurz die fr unsere Bedrfnisse in der Halbleiterphysik wichtigsten Aussagen wieder.
F. Thuselt, Physik der Halbleiterbauelemente.

DOI 10.1007/978-3-642-20032-8, Springer 2011
1 Grundlagen der Mikrophysik
1.1.1 Photonen als Teilchen

In vielen physikalischen Anwendungen tritt die Wellennatur des Lichts zutage. Sie
uert sich zum Beispiel bei der Beugung und bei der Interferenz. Auf der anderen
Seite hat Licht aber auch Teilcheneigenschaften. Die Lichtteilchen oder Lichtquanten werden als Photonen bezeichnet. Die Teilcheneigenschaften des Lichts
wurden zuerst beim ueren photoelektrischen Effekt durch Hertz1 und Lenard2
beobachtet. Dieser Effekt uert sich darin, dass durch Licht Elektronen aus Festkrpern herausgeschlagen werden. Eine Steigerung der Lichtintensitt erhht nicht
die Energie, sondern nur die Zahl der entstehenden Elektronen, was durch Welleneigenschaften nicht verstndlich ist. Einstein3 erklrte diese Beobachtungen mit
dem Teilchencharakter des Lichts und stellte den Zusammenhang zwischen der
Energie E der Photonen und der Frequenz des Lichts beziehungsweise seiner
Wellenlnge her:
c
E = h = h .
(1.1)
c = 2,998 108 m/s ist die Lichtgeschwindigkeit im Vakuum (also rund 3 108 m/s)
und h = 6,626 1034 Js die berhmte Plancksche Konstante,4 das so genannte
Wirkungsquantum. Oft wird auch die durch 2 dividierte Gre
Heinrich Hertz (18571894), dt. Physiker, geb. in Hamburg. Studium in Dresden,

Mnchen und Berlin. Professor fr Experimentalphysik an der Technischen Hochschule
Karlsruhe (dort Nachweis der elektromagnetischen Wellen) und in Bonn.
2 Philip Lenard (18621947), dt. Physiker, geb. in Preburg (heute Bratislava). Professor
in Heidelberg. Nobelpreis 1905 for his work on cathode rays. Hervorragender Experimentator, aber zweifelhafter Theoretiker. Pseudowissenschaftliche Schmhschriften mit
nationalsozialistischem Inhalt gegen Einstein und die jdische Physik. (Alle Zitate zu
den Nobelpreisen aus [Nobel Price Laureates 2010])
3 Albert Einstein (18791955), dt. Physiker, Professor in Zrich, Prag, Berlin und
Princeton. Er emigrierte aus Protest gegen den Nationalsozialismus 1933 nach den USA.
Neben seiner wohl spektakulrsten Entdeckung, der Relativittstheorie, hat er auch auf
anderen Gebieten der Physik Leistungen erbracht, die jede fr sich nobelpreiswrdig
wren, wie zum Beispiel auf dem Gebiet der Diffusionstheorie. Den Nobelpreis erhielt er
1921 for his services to Theoretical Physics, and especially for his discovery of the law
of the photoelectric effect (Entdeckung des lichtelektrischen Effekts und allgemeine Verdienste um die Physik).
4 Max Planck (18581947), dt. Physiker, Professor in Berlin, Prsident der Kaiser-Wilhelm-Gesellschaft (der spteren Max-Planck-Gesellschaft). Grundlegende Arbeiten zur
Thermodynamik und Begrndung der Quantentheorie. Einer seiner Shne wurde im
Zusammenhang mit dem missglckten Attentat auf Hitler hingerichtet. Nobelpreis 1918
in recognition of the services he rendered to the advancement of Physics by his discovery
of energy quanta.
==
h
= 1,0546 1034 Js
2
benutzt (gelesen als h quer).

berall in der Mikro- und Halbleiterphysik ist es blich, Energiewerte in Elektronenvolt anzugeben: 1 eV = 1,602 1019 J. Damit knnen wir die Plancksche
Konstante auch schreiben als
h = 4,136 1015 eVs
bzw.
= 6,582 1016 eVs.
Die Umrechnung der Photonenenergie in Wellenlngen geht daher nach der

Zahlenwertgleichung
E=
hc 1240 eV nm
=
(1.2)
vor sich. Diese Beziehung wird in der Halbleiterphysik so oft bentigt, dass man
den Zahlenfaktor am besten auswendig lernen sollte. Zu einer Energie von beispielsweise 2 eV gehrt demnach eine Wellenlnge von 620 nm; solches Licht
liegt im roten Spektralbereich.
Dass man Photonen auch einen Impuls zuordnen kann, wurde durch den Compton-Effekt5 erkannt, der auftritt, wenn Rntgenstrahlung an Elektronen von Festkrpern gestreut wird. Zur Erklrung dieses Effekts muss der Impulssatz herangezogen werden. Der Impuls von Lichtquanten lsst sich schreiben als
p=
h
2
== .
(1.3)
Um bei solchen Formeln nicht immer die Wellenlnge im Nenner mitschleppen

zu mssen, wird oft auch die Gre
k=
(1.4)
benutzt. Sie wird als Wellenzahl bezeichnet und ist ein wichtiges Charakteristikum
von ebenen Wellen.
Kombiniert man nun noch (1.3) mit (1.1), so erhlt man einen Zusammenhang
zwischen Energie und Impuls eines Photons in der Form
E = cp .
5
(1.5)
Arthur H. Compton (18921962), am. Physiker, Professor in Chicago und Washington.

Arbeiten unter anderem zur Rntgenbeugung und spter zur Kernphysik, baute zusammen
mit anderen Physikern den ersten Uranspaltungsreaktor und einen Reaktor mit hoher Plutonium-Ausbeute (lieferte Material fr die Nagasaki-Bombe). Nobelpreis 1927 for his
discovery of the effect named after him.
Unser Photon von 2 eV hat demnach den Impuls p = E/c = 1,07 1027 kgms1.
Ein Elektron mit der kinetischen Energie von 2 eV htte dagegen einen Impuls, der
um mehr als zwei Zehnerpotenzen grer ist (vgl. Aufgabe 1.2).
1.1.2 Emission und Absorption von Licht
Die soeben beschriebene Wechselwirkung von Elektronen mit Photonen muss

nicht dazu fhren, dass das Elektron aus dem Festkrper herausgeschlagen wird.
Es kann genauso von einem inneren Energiezustand auf einen anderen bergehen
(Abb. 1.1). Wird dabei die Energie eines ankommenden Photons gebraucht, um das
Elektron in einen Zustand hherer Energie anzuheben, so spricht man von Absorption; der Zustand hherer Energie heit auch angeregter Zustand. Die energetischen Verhltnisse werden durch den Energiesatz in der Form
E1 E2 = h
(1.6)
ausgedrckt. Statt h wird oft auch geschrieben, wobei = 2 die so genannte

Kreisfrequenz ist.
E1
h = E1 E2
E2
Absorption
Spontane Emission
Induzierte Emission
Abb. 1.1 Elementarprozesse der Erzeugung und Vernichtung von Photonen
Der umgekehrte Vorgang, bei dem ein Photon ausgesandt wird, heit Emission.
Die Emission kann sich ganz zufllig (aber mit fester mittlerer Wahrscheinlichkeit)
ereignen (spontane Emission) oder von einem ankommenden Photon ausgelst
werden (induzierte Emission). Der letztgenannte Prozess kann zu einer Kettenreaktion werden und bildet deshalb die Grundlage der Lasertechnik. Die spontane
Emission in Halbleitern wird auch als Lumineszenz bezeichnet und in Lumineszenzdioden (LEDs) praktisch ausgenutzt.
Beispiel 1.1
Eine blaue Lumineszenzdiode soll bei einer Wellenlnge von ca. 410 nm leuchten. Welche Energie (in Elektronenvolt) muss vom Halbleitermaterial zur Verfgung gestellt
werden, damit diese blaue Strahlung erzeugt wird?
Lsung:
Aus (1.2) rechnen wir unmittelbar aus:
E=
1240 eV nm
410 nm
= 3, 02 eV .
Hinweis: In Halbleitern ist die fr optische bergnge relevante Energie die Breite der
verbotenen Zone, auch Bandgap genannt wir kommen spter noch auf die Erklrung dieser Begriffe zurck. Galliumnitrid (GaN) hat ein Bandgap von 3,44 eV, es liegt
damit in der Nhe der in unserem Beispiel erforderlichen Energie. Tatschlich werden
die von Galliumnitrid emittierten Photonen aber unter Beteiligung von tiefen Strstellen gebildet, deren Energien unterhalb des Bandgaps liegen; die Emissionswellenlnge
ist dabei 413 nm.
1.1.3 Elektronen als Wellen
So wie Licht, normalerweise als typischer Wellenvorgang angesehen, auch Teilcheneigenschaften aufweist, so haben Elektronen, die man blicherweise als Teilchen betrachtet, auch Welleneigenschaften. Der Beweis fr die Welleneigenschaft
von Elektronen wurde 1927 von Davisson6 und Germer7 durch Experimente
erbracht. Wenn Elektronen an bestimmten Kristallebenen gestreut wurden, konnten
Beugungsbilder beobachtet werden.
Bereits 1924 hatte de Broglie8 vermutet, dass fr Elektronen ein hnlicher
Zusammenhang zwischen Impuls und Wellenlnge wie fr Photonen gilt. Dem
Impuls p eines Elektrons ist demnach eine Wellenlnge zugeordnet:
= h p = 2= p .
(1.7)
(de-Broglie-Wellenlnge). Bei makroskopischen Krpern, deren Masse und damit

auch Impuls sehr gro sind, ist die de-Broglie-Wellenlnge allerdings extrem klein,
so dass bei ihnen Wellenerscheinungen nicht beobachtet werden.
Clinton Joseph Davisson (18811958), amerikanischer Physiker, ttig in den Bell

Labs. Professor in Charlottsville, Virginia. Nobelpreis 1937 gemeinsam mit Thomson for
their experimental discovery of the diffraction of electrons by crystals
7 Lester Herbert Germer (18961971), amerikanischer Physiker, arbeitete bei Western
Electric, dann in den Bell Labs. Professor an der Cornell University. Arbeiten zur Elektronenbeugung und Metallphysik
8 Prince Louis-Victor Pierre Raymond de Broglie (18921987), frz. Physiker, grundlegende theoretische Arbeiten zur Wellenmechanik, lehrte und arbeitete unter anderem am
berhmten Institut Henri Poincar in Paris. Nobelpreis 1929 for his discovery of the
wave nature of electrons.
6
Beispiel 1.2
Berechnen Sie die de-Broglie-Wellenlnge eines Elektrons (Masse m0 = 9,112 1031
kg) und eines Autos (Masse 1500 kg), die sich jeweils mit einer Geschwindigkeit von
20 m/s bewegen.
Lsung:
Der Impuls ergibt sich aus p = mv und betrgt beim Elektron 1,82 1029 kgms1 und
beim Auto 3,0 104 kgms1.
Damit ergibt sich als Wellenlnge fr das Elektron 3,6 105 m und fr das Auto
2,2 10 38 m, also tatschlich ein extrem kleiner Wert, der gegen die Abmessungen des
Autos absolut zu vernachlssigen ist.
1.1.4 HEISENBERGsche Unschrferelation9

Die Heisenbergsche Unschrferelation besagt, dass sich prinzipiell Ort und Impuls
eines mikroskopischen (!) Teilchens nicht gleichzeitig beliebig genau angeben lassen.
Wenn die Unbestimmtheit des Orts mit x und die des Impulses mit p bezeichnet werden, dann knnen wir schreiben10
x p > = .
(1.8)
Damit hngt zusammen, dass der Aufenthaltsort von Teilchen nicht exakt, sondern nur mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit angegeben werden kann.
Wie wir spter sehen werden, ist der Impuls (in Halbleitern ist es der Quasiimpuls, er hngt mit dem Impuls zusammen) eine wichtige Gre fr die Erklrung
der meisten Halbleitereigenschaften. Bei herkmmlichen Bauelementen spielt die
Unschrferelation meist noch keine Rolle; dort geht man davon aus, dass selbst
vom makroskopischen Standpunkt abrupte rumliche nderungen aus mikroskopischer Sicht immer noch ganz allmhlich verlaufen. Wird jedoch die rumliche
Ausdehnung von Bauelementen in einer integrierten Schaltung sehr klein (ULSI-
Werner Heisenberg (19011976), Professor in Leipzig, Gttingen und Mnchen.

Begrndete gemeinsam mit Max Born in Gttingen die Matrizendarstellung der Quantenmechanik, im Gegensatz und in Ergnzung zu Erwin Schrdinger, der die Wellenmechanik schuf. Heisenberg war damals 23 Jahre alt! Von 1941 bis Kriegsende war
Heisenberg Direktor am damaligen Kaiser-Wilhelm-Institut in Berlin, dort Arbeiten zur
Entwicklung eines Kernreaktors. Nobelpreis 1932 for the creation of quantum mechanics, the application of which has, inter alia, led to the discovery of the allotropic forms of
hydrogen
10 Statt werden in der Literatur auf der rechten Seite auch geringfgig andere Werte der
gleichen Grenordnung angegeben.
9
1.2 Das Bohrsche Atommodell
Technik11), dann ist der Impuls nur noch ungenau bestimmt, und man kann nicht
mehr mit den gewohnten Halbleitermodellen arbeiten. Unter Umstnden knnen
sich dann ganz neue Eigenschaften ergeben. Die Grenze liegt etwa bei einigen
Atomabstnden, entsprechend etwa 5 bis 10 nm.
1.1.5 Pauli-Prinzip
Das Pauli-Prinzip (nach dem Physiker Wolfgang Pauli12) regelt die Besetzung
von Zustnden durch Elektronen:
In einem quantenmechanischen Zustand drfen sich maximal zwei Elektronen aufhalten.
Die eigentliche Formulierung dieses Prinzips ist noch strenger, es darf sich nmlich genau genommen in jedem Zustand sogar nur ein Elektron aufhalten. Elektronen treten jedoch mit zwei unterschiedlichen Eigendrehimpulsen (Spin) auf. Die
Spinzustnde lassen sich aber nur in Magnetfeldern unterscheiden, sonst fallen sie
zusammen. Deshalb kann man sagen, dass sich ohne Magnetfeld in jedem Zustand
zwei Elektronen befinden knnen.
Die Welt wre sehr eintnig, wenn das Pauli-Prinzip nicht gelten wrde. Die
Vielfalt aller Atome und daher auch der Molekle und Festkrper ist letztlich nur
durch das Pauli-Prinzip mglich.
1.2 Das BOHRsche Atommodell

Alle Substanzen in unserer Umgebung, insbesondere auch die Halbleiter, sind aus
Atomen aufgebaut. Atome bestehen aus einem positiv geladenen Kern (gebildet
aus Neutronen und Protonen) und einer negativ geladenen Hlle, gebildet aus
Elektronen. Der Beweis fr diesen Aufbau wurde durch die Rutherfordschen
Streuexperimente13 erbracht. Beim Beschuss von dnnen Folien mit geladenen
Teilchen (Helium-Kernen) stellte Rutherford fest, dass Atome im Wesentlichen
leer sind und fast die gesamte Masse in ihren Kernen konzentriert ist.
11 ULSI
ultra large scale integration: fortgeschrittenster Teil der Halbleiterintegration, ein

nach dieser Technologie gefertigter integrierter Schaltkreis kann ber 10 Millionen Bauelemente enthalten. Vorstufe: VLSI very large scale integration.
12
Wolfgang Pauli (19001958), sterreichischer Physiker, arbeitete in Hamburg, Zrich
und Princeton. Pauli war einer der brillantesten Physiker in der Mitte des 20. Jh. Arbeiten
zur Relativittstheorie; er entdeckte das Pauli-Prinzip und sagte die Existenz des Neutrinos voraus. Nobelpreis 1945 for the discovery of the Exclusion Principle, also called
the Pauli Principle.
Aus verschiedensten Grnden lohnt es, sich mit dem einfachsten Atom zu
beschftigen: dem Wasserstoffatom. Es besteht aus einem Proton und einem Elektron. Das Elektron kreist mit einem Impuls p = mv im Abstand r um den schweren
Kern, als Zentralkraft wirkt die Coulomb-Kraft.
p2
e2
=
.
m0 r 4 0 r 2
(1.9)
Hier sind e die Elementarladung, 0 die Influenzkonstante, auch als Dielektrizittskonstante des Vakuums bezeichnet und m0 die Masse des freien Elektrons. Zahlenwerte sind im Anhang aufgefhrt.
Die Energie ist die Summe aus kinetischer und potentieller Energie
E = Ekin + Epot =
p2
e2
.
2 m0 4 0 r
(1.10)
Der Impuls p kann mit Hilfe von (1.9) ersetzt werden und fllt dadurch heraus.
Somit ergibt sich:
E=
1 e2
2 40 r
(1.11)
Auf der Grundlage des beobachteten experimentellen Verhaltens der optischen

Strahlungsbergnge folgerte Niels Bohr,14 dass nur bestimmte diskrete Bahnradien und Energien mglich sein knnen. Bohr formulierte die nach ihm benannten
Bohrschen Postulate nicht fr die Energien, sondern fr die Drehimpulse. Wir
wollen hier eine etwas anschaulichere Betrachtungsweise whlen, die erst nachtrglich geprgt wurde. Dazu gehen wir von der Tatsache aus, dass Elektronen
Welleneigenschaften haben, ihre Wellenlnge ist gegeben durch (1.7). Man kann
annehmen, dass nur solche Bahnen im Atom stabil sind, auf denen ein Elektron
stehende Wellen ausbilden kann (Abb. 1.2). Dazu muss ein Vielfaches einer Wel-
Rutherford (18711937), neuseelndisch-britischer Physiker. Studium in Neuseeland und Cambridge (England). Hervorragender Experimentator, Professor in Montreal (Kanada), Manchester und Cambridge. Nobelpreis fr Chemie 1908 for his
investigations into the disintegration of the elements, and the chemistry of radioactive
substances.
14 Niels Bohr (18851962), dnischer Physiker, Professor in Kopenhagen, emigrierte im
2. Weltkrieg nach Schweden, England und den USA. Nobelpreis 1922 for his services in
the investigation of the structure of atoms and of the radiation emanating from them.
Bohr war befreundet mit dem deutschen Physiker Werner Heisenberg. Umstritten sind
bis heute die Diskussionen um Heisenbergs Zusammentreffen mit ihm whrend der Zeit
der Besetzung Dnemarks durch Deutschland, bei dem ihm Heisenberg angedeutet
haben will, dass in Deutschland ein Atombombenprojekt wohl nicht erfolgreich sein
wrde.
13 Ernest
1.2 Das Bohrsche Atommodell
Abb. 1.2 Auf den erlaubten Bahnen des

Wasserstoffatoms bilden sich stehende
Wellen aus (links, hier fr n = 5); andere
Zustnde (zum Beispiel rechts) sind nicht
stabil
lenlnge auf den Umfang der Bahn passen:

2r = n .
(1.12)
Durch Einsetzen in (1.3) erhalten wir fr die mglichen Impulswerte:

p==
2 ! =
=n .
r
(1.13)
Quadrieren und Einsetzen in (1.9) ergibt dann
n 2= 2
m0 r 3
e2
40 r 2
(1.14)
Wenn wir jetzt nach r auflsen, sehen wir, dass nur solche Radien r = an erlaubt
sind, fr die
an = n 2= 2
40
m0 e2
(1.15)
gilt; das sind die so genannten Bohrschen Radien. Die dadurch mglichen Energiewerte erhalten wir, indem fr r in (1.11) nur die erlaubten Werte an zugelassen
werden:
En =
1 e2
.
2 40 an
(1.16)
Die bergnge zwischen diesen diskreten Energieniveaus sind gem (1.6) mit
der Aufnahme oder Abgabe von Lichtstrahlung (Aufnahme oder Abgabe eines
Photons) verbunden, E n Em = h nm , whrend bei der Bewegung auf ein- und
derselben Bahn keine Energie abgegeben wird.
Zahlenwerte fr a1 und E1, also fr die erste Bohrsche Bahn (n = 1) lassen sich
durch Einsetzen der Konstanten in (1.16) leicht ausrechnen. Wir bezeichnen die
Energie und den Bohrschen Radius dieser Bahn knftig mit EB und aB und erhalten:
aB = 5,29 1011 m.
EB = 13,6 eV,
10
Dieser Zustand heit auch Grundzustand des Wasserstoffatoms. Da er energetisch

am tiefsten liegt, hlt sich das Elektron blicherweise in diesem Zustand auf.
Diese beiden Zahlenwerte sind zum Vergleich mit spteren Angaben sehr wichtig, deshalb sollten wir sie uns merken. Nicht nur fr die Historiker, sondern auch
fr die Physiker und Ingenieure ist es manchmal sinnvoll, Zahlen auswendig zu
lernen! Insbesondere der Bohrsche Radius aB gibt einen Hinweis auf die Gre
der Atome, und er lsst sich gut behalten: Der Durchmesser des Wasserstoffatoms
liegt mit 2aB ziemlich genau bei 1010 m.
Die insgesamt zulssigen Energiewerte und Bahnradien des Wasserstoffatoms
sind in Abb. 1.3 dargestellt.
Beispiel 1.3
Berechnen Sie die Wellenlnge des Lichts, das beim bergang von einem Zustand mit
der Hauptquantenzahl n = 3 nach n = 2 von einem Wasserstoffatom ausgesandt wird.
Verwenden Sie dabei den Wert fr die Grundzustandsenergie von 13,6 eV.
Lsung:
Nach (1.16) hngt die Energie vom Bohrschen Radius ab, und in diesen geht gem
(1.15) n quadratisch ein. Da sich alle Bahnradien nur durch den Faktor n2 unterscheiden, unterscheiden sich auch alle Energiewerte nur um den Faktor n2. Wir knnen demnach schreiben
1
1
1
1
E = En = 3 En = 2 = En =1 2 2 = 13,6eV 2 2 = 1,89eV.
2
2
3
3
E / eV
aB,1
E / eV
-4
aB,3
...
0
-2
aB,2
0
...
n=3
n=2
...
n=3
-2
n=2
-4
-6
E~1/ r
-6
-8
-8
-10
-10
-12
-12
-14
n=1
n=1
-14
Abb. 1.3 Energieniveaus des Wasserstoffatoms (rechts ortsabhngig, mit Ausdehnung der
Bahnen). Die Hllkurve gibt die Abhngigkeit nach (1.16) wieder
1.3 Freie Elektronen
11
Durch Umkehrung von (1.2) berechnen wir nun die Wellenlnge zu

=
1240 eV nm
= 656 nm,
E
solches Licht liegt im sichtbaren Bereich. Es handelt sich dabei um eine Wellenlnge
aus der so genannten Balmer-Serie (nach dem Schweizer Physiker und Gymnasiallehrer Johann Jakob Balmer (1825 1898)).
Sie htten doch hoffentlich nicht die Energiedifferenz durch Einsetzen aller einzelnen
Konstanten in (1.16) berechnet? Verwenden Sie bei allen Rechnungen mglichst schon
anderweitig berechnete Werte (hier 13,6 eV) und skalieren Sie die Ergebnisse!
Ein genaues Modell des Wasserstoffatoms wird durch die Quantenmechanik geliefert.
Erst die Quantenmechanik ist die Theorie, die das Verhalten im Mikroskopischen angemessen beschreibt. Es zeigt sich dort, dass die Elektronen nicht exakt auf einer Umlaufbahn zu
finden sind, sondern mit gewissen Wahrscheinlichkeiten berall in der Umgebung des
Atomkerns. In der Sprache der Quantenmechanik wird diese Wahrscheinlichkeit durch das
2
Quadrat der Wellenfunktion als so genannte Wahrscheinlichkeitsamplitude ( r ) dargestellt. Sie ergibt sich als Lsung der Schrdingerschen Wellengleichung. Diese Wahrscheinlichkeit wird in Abb. 1.4 fr die erste Umlaufbahn veranschaulicht. Die Bedeutung
unseres vereinfachten Wasserstoffatommodells besteht darin, dass es durchrechenbar ist,
wenigstens eine Orientierung fr kompliziertere Atome bietet und zudem spter anwendbar
auf Strstellen im Halbleiter ist.
Aufenthaltswahrscheinlichkeit w r 2
y-Abstand vom Zentrum
5
5
5
x-Abstand vom Zentrum
(in Einheiten von a 0)
Abb. 1.4 Verteilung der Elektronendichte im Wasserstoffatom (hier multipliziert mit r2),
zweidimensionale Darstellung, nach [Fritzsch 1996]

1.3.1 Wie entstehen freie Elektronen?
Elektronen tragen eine negative Ladung. Da fast alle Substanzen in unserer Umgebung elektrisch neutral sind, wird diese negative Ladung stets durch die positive
12
Ladung von Atomkernen kompensiert. Es ist deshalb sehr unwahrscheinlich, ein

Elektron irgendwo allein anzutreffen im Allgemeinen wird es sehr schnell ein
Atom mit einer positiven Ladung finden und sich an dieses binden. In Bildrhren
und Elektronenmikroskopen, wo man Elektronenstrahlen bentigt, werden die
hierfr bentigten Elektronen erzeugt, indem man die erforderliche Energie
zufhrt.15 Dadurch knnen sie aus der Substanz (durch Ionisieren des jeweiligen
Atoms) frei gesetzt werden. Beim Wasserstoff sind dafr mindestens 13,6 eV
erforderlich. In Bildrhren benutzt man aber tunlichst nicht Wasserstoff, sondern
Metalle, um Elektronen zu gewinnen; deren Ionisierungsenergie liegt jedoch
zumindest in hnlicher Grenordnung. Woher kommt nun diese Energie?
Im Labor kann man sie durch Photonen zufhren, deren Frequenz gerade E =
h liefert das ist der uere Photoeffekt.
In der Technik, zum Beispiel bei der Bildrhre lterer Fernsehgerte, wird die
Energie gewhnlich durch hohe Temperaturen an der Katode erzeugt. (Die Elektronen werden anschlieend im elektrischen Feld beschleunigt.) Im Mittel entfllt ja
laut Gleichverteilungssatz der Wrmetheorie auf jeden Freiheitsgrad eines Teilchens die Energie kBT/2; der Umrechnungsfaktor kB = 8,617 105 eV/K ist die
Boltzmann-Konstante. Ein Atom in einer Katode hat demnach eine thermische
Energie in der Gegend von kBT, die es dem Elektron maximal zur Verfgung stellen kann. Bei Zimmertemperatur (wir nehmen der Einfachheit immer 300 K =
27 C an) entspricht das einer Energie von lediglich 25,85 meV. Selbst 100-fache
Zimmertemperatur (30000 K) ergibt erst 2,59 eV und wrde demnach (wenn man
sie erzeugen knnte) nicht reichen, um Elektronen von ihrem Atom zu lsen. Da in
den Verteilungsfunktionen und spter auch in anderen Ausdrcken im
Exponenten in der Regel Energien stehen, erweist sich die Umrechnung der
Temperatur in Energieeinheiten als sehr sinnvoll.
Das Problem liegt in der Gleichverteilung: Die Energie kBT/2 ist eben nur die
mittlere Energie, die tatschliche Energie eines einzelnen Atoms kann auch sehr
viel hher liegen (Abb. 1.5). Auf diese Weise steht ein ganz geringer Bruchteil der
thermischen Energie immer zur Verfgung, um Elektronen frei zu setzen.
Freie Elektronen treten in Halbleitern nicht auf. Trotzdem ist das Modell mit
einigen wenigen Modifikationen auf Halbleiterelektronen bertragbar, und es lohnt
sich, wenn wir uns hier kurz mit ihren Eigenschaften befassen.
1
kBT
2
15 Damit
Abb. 1.5 Verteilung der Energien bei einer bestimmten Temperatur
sich die Elektronen dort frei bewegen knnen, ist Vakuum erforderlich.
13
1.3.2 Zur Energieeinheit Elektronenvolt
In der Halbleiterphysik ist als Energieeinheit das Elektronenvolt gebruchlich,16

eine Einheit, die sich nicht durch einfache Kombination der physikalischen Grundeinheiten ergibt.
Das Elektronenvolt ist als die Energie definiert, die ein Elektron nach Durchlaufen einer Potentialdifferenz von 1 V aufgenommen hat. In diesem Falle ergibt sich
Eel = eU = e 1 V= 1 eV.
Der Buchstabe e der Elementarladung kann, wie wir dabei sehen, rezeptartig zur
Einheit der Spannung herbergezogen werden und ergibt dann direkt die Energieeinheit eV. Zur Umrechnung von Elektronenvolt in die SI-Einheit Joule muss
jedoch die Konstante e = 1,602 10 19 As benutzt werden. Daraus folgt in Zahlenwerten
1 eV = e 1 V= 1,602 1019 VAs = 1,602 1019 J.
Beispiel 1.4
Mit welcher Geschwindigkeit fliegt ein Elektron, das durch eine Spannung von
a) 1 V, b) 1 kV und c) 10 kV beschleunigt wird?
Lsung:
Aus dem Energiesatz folgt
m0 2
v = eU .
2
Auflsen nach der Geschwindigkeit ergibt bei U = 1 V

v =
eU
=
m0
19
9,11 1031 kg
1/ 2
As V
kg
Bei U = 1 kV betrgt die Geschwindigkeit das 1000 -fache, also 18760 km/s. Bei
10 kV ergeben sich nach unserer Formel der Wert 5,93 104 km/s.
Diese Zahl msste allerdings noch ein wenig nach unten korrigiert werden, da in dem
Geschwindigkeitsbereich bereits relativistische Effekte eine Rolle spielen, bei denen
die Masse grer wird.
16 Diese
Bezeichnung stammt von Lenard.
14
1.3.3 Zusammenhang Energie Impuls/Wellenzahl
Ein frei fliegendes Elektron knnen wir als punktfrmiges Teilchen mit der Masse
m0 ansehen. Aus der klassischen Mechanik wissen wir, dass Impuls p, Geschwindigkeit v und (kinetische) Energie E eines punktfrmigen Teilchens wie folgt
geschrieben werden knnen:
(1.17)
p = m0v ,
E=
m0 2
p2
v =
,
2
2m0
(1.18)
mit p 2 = p = px2 + p 2y + pz2 .

Die Energie hngt also quadratisch von der Geschwindigkeit oder Impuls ab, es
ergibt sich eine Parabel beziehungsweise ein Paraboloid. Fr zwei Impulskomponenten ist das in. Abb. 1.6 dargestellt; bei drei Komponenten versagt leider unsere
Anschauung. Da wir wissen, dass Elektronen auch Welleneigenschaften haben,
knnen wir die kinetische Energie auch durch die Wellenzahl ausdrcken. Ordnet
man der Wellenzahl eine Richtung zu, nmlich die Ausbreitungsrichtung der
Welle, so kann man einen Wellenzahlvektor k definieren:
(1.19)
p = =k .
Dabei ist k = 2 . Die Energie freier Elektronen lsst sich somit auch schreiben als
E=
= 2k 2
,
2m0
(1.20)
dies ist ebenfalls eine Parabel.

E(p)
py
px
Abb. 1.6 Quadratische Abhngigkeit E = p2/2m0, hier ber zwei Impulskoordinaten aufgetragen
1.4 Aufbau der Atome und Periodensystem
15
Beispiel 1.5
Wie gro ist die Wellenlnge von Elektronen entsprechend Beispiel 1.4?
Lsung:
2
Aus p = -----
==
folgt durch Umstellen nach :
2
2
m2 1
= 1,054 1034 Js
= 7, 27 1010
.
31
m0v
s v
9,11 10
kg v
Durch Einsetzen der Geschwindigkeitswerte aus Beispiel 1.4 erhalten wir

a) fr U = 1 V: v = 593 km/s und = 1,23 nm,
b) fr U = 1 kV: v = 18750 km/s und = 0,039 nm,
c) fr U = 10 kV: v = 5,93 104 km/s und = 0,012 nm.
Diese Wellenlngen sind demnach kleiner als die von sichtbarem Licht, sie liegen etwa
im Bereich der Rntgenstrahlung.
In Elektronenmikroskopen spielt die Wellenlnge eine wichtige Rolle, sie bestimmt
dort die mgliche Auflsung: Zwei Objekte, deren Abstnde geringer als diese Wellenlnge sind, werden nicht mehr getrennt dargestellt. Allerdings liegen in solchen Gerten
die Beschleunigungsspannungen noch hher, nmlich bei ca. 40 bis 100 kV.

Das Energieschema des Wasserstoffatoms findet sich qualitativ auch in den komplizierteren Atomen wieder. Dabei spalten jedoch die einzelnen Niveaus (Schalen) in verschiedene Unterniveaus auf (Abb. 1.7). Die vom Wasserstoffatom her
bekannte Zhlung der Niveaus (n = 1, 2, 3 usw.) wird jetzt verfeinert. n heit
dabei Hauptquantenzahl. Die Bezeichnung der aufgespaltenen Niveaus als s-, p-,
d- und f-Zustnde hat historische Ursachen und kommt aus der Spektroskopie.17
Wieder mssen wir bedenken, dass diese Schalen eigentlich verschmiert sind
wie beim Wasserstoffatom.
Das Periodensystem sortiert die chemischen Elemente nach steigender Kernladungszahl. Diese entspricht gleichzeitig der Zahl der Elektronen in der Atomhlle.
In jedem Atom ordnen sich die Elektronen auf den zur Verfgung stehenden
Niveaus so an, dass die Gesamtenergie mglichst klein ist. Weil von Element zu
Element ein weiteres Elektron hinzugefgt wird, fllen sich die verfgbaren Pltze
in den Elektronenschalen von unten nach oben auf. Dabei wird der Bau des Periodensystems vom Pauli-Prinzip bestimmt: Auf den einzelnen Schalen finden demnach nicht beliebig viele Elektronen Platz, sondern nur so viel, dass in jedem quan-
17 von
p Prinzipalserie (= Hauptserie), s scharfe Nebenserie, d diffuse Nebenserie, f Fundamentalserie. Man muss diese Bedeutung der Buchstaben nicht unbedingt
wissen, aber es ist sicher interessant zu sehen, wie sich Begriffe historisch entwickelt
haben, vgl. [Grimsehl 1990].
16
Energie
Wasserstoffatom
allgemein
(nicht mastabsgerecht)
n=4
3d
3p
3s
n=3
usw.
4p
4s
1s
2p
n=2
2s
2s
2p
3s
3p
n=1
1s
Abb. 1.7 Energieschema komplizierterer Atome im Vergleich mit dem des Wasserstoffatoms (schematisch). Rechts die rumliche Anordnung in Schalen
tenmechanischen Zustand hchstens zwei Elektronen enthalten sind. Die s-Schale

entspricht gerade einem Zustand, daher kann sie zwei Elektronen aufnehmen. Die
p-Schale beinhaltet aber drei Zustnde (die Bahnen liegen in drei verschiedenen
Raumrichtungen), so dass es maximal 2 3 = 6 p-Elektronen geben kann. Weiterhin gibt es fnf verschiedene d-Zustnde und demnach maximal doppelt so viel,
also 10 d-Elektronen.
Folgende Besetzungen der Elektronenschalen sind insgesamt mglich:
1. Schale (n = 1)
2 s-Elektronen
2. Schale (n = 2)
8 Elektronen (davon 2 s-Elektronen und 6 p-Elektronen)
3. Schale (n = 3)
18 Elektronen (davon 2 s-Elektronen, 6 p-Elektronen und 10 d-Elektronen)
4. Schale (n = 4)
32 Elektronen (davon 2 s-Elektronen, 6 p-Elektronen, 10 d-Elektronen und
14 f-Elektronen).
5. Schale (n = 5)
Die unterschiedlichen Elektronenzahlen in den einzelnen Schalen sind also die

Ursache fr die verschieden langen Perioden des Systems der Elemente (Abb. 1.8).
Mit der Auffllung der Elektronenschalen verndert sich allerdings deren energetische Lage durch die gegenseitige Wechselwirkung der Elektronen selbst wieder, so
dass Abb. 1.7 nur qualitativ zu werten ist.
Die d-Elektronen der 3. Schale werden allerdings erst nach den s-Elektronen der
4. Schale eingebaut. Das ist bei den Nebengruppenelementen der Fall. Gleiches gilt
an spterer Stelle fr die d-Elektronen der 4. Schale. Die f-Elektronen der 4. Schale
werden sogar erst innerhalb der d-Elektronen der 5. Schale aufgefllt (bei den Lanthaniden). Wir interessieren uns im weiteren jedoch vorwiegend fr die Hauptgruppenelemente.

I
1
3
11
II
III
IV
VI
VII
Li
Na
12
13
Be
20
Rb
38
Cs
87
Fr
Ca
Sc
39
22
Ti
23
Zr
41
Hf
73
40
La
72
Ba
57
Ra
89
56
88
Sr
21
Va
24
Nb
42
Ta
Cr
25
Mb
43
Tc
75
Re
74
Mn
26
29
44
Ru
45
Rh
46
Pd
47
Ag
48
49
76
Os
79
Au
80
81
78
Pt
16
17
10
Ne
Kr
Ni
Si
15
Ar
28
Ir
36
Co
14
Zn 31Ga 32Ge 33As 34Se 35Br
27
77
18
Al
Fe
Cu
Cl
Mg
55
VIII
2
19
37
17
30
Cd
Hg
In
50
Sn
51
Tl
82
Pb
83
Sb
Bi
52
84
Te
Po
53
85
54
At
86
Xe
Rn
Ac
Abb. 1.8 Periodensystem der chemischen Elemente, vereinfacht. Die rmischen Zahlen
oben kennzeichnen die Hauptgruppen. Mit jeder Zeile wird eine neue Elektronenschale besetzt. Die Lanthaniden und Actiniden fehlen in der vorliegenden Darstellung. Eine ausfhrliche Darstellung findet sich in der Daten- und Formelsammlung des Anhangs auf
S. 352
Vollstndig aufgefllte Elektronenschalen sind chemisch uerst stabil; solche

Elemente bilden die Edelgase. Bei den brigen Elementen stehen die s- und pElektronen der nicht vollstndig aufgefllten Schalen als Bindungselektronen zur
Verfgung.
Die Elektronenkonfiguration eines chemischen Elements wird durch eine spezielle (allerdings recht eigenwillige) Bezeichnungsweise dargestellt. Dabei wird die
Zahl der Elektronen, die sich in einem bestimmten Niveau (zum Beispiel 1s) befinden, jeweils durch eine hinter der Niveaubezeichnung stehende Hochzahl angegeben. Die folgenden Beispiele machen das deutlich.
Beispiele fr die Elektronenkonfiguration einiger Elemente:
Kohlenstoff (C): 1s22s22p2
2 Elektronen auf der 1s-Schale,
2 Elektronen auf der 2s-Schale (Bindungselektronen),
2 Elektronen auf der 2p-Schale (Bindungselektronen),
also insgesamt 6 Elektronen, davon 4 Bindungselektronen;
Phosphor (P): 1s22s22p63s23p3 oder (Ne) 3s23p3
6 Elektronen auf der 2p-Schale,
2 Elektronen auf der 3s-Schale (Bindungselektronen),
3 Elektronen auf der 3p-Schale (Bindungselektronen),
also insgesamt 15 Elektronen, davon 5 Bindungselektronen;
Da die Konfiguration 1s22s22p6 der Elektronenhlle des Edelgases Neon
entspricht, wird die Phosphor-Konfiguration auch als (Ne) 3s23p3 abgekrzt.
Gallium (Ga)
1s22s22p63s23p63d104s24p1 oder (Ar) 3d104s24p1, davon sind 4s24p1 die
3 Bindungselektronen
18
1.5 Kristallstrukturen und Geometrie

1.5.1 Bravais-Gitter und Elementarzellen
Halbleitersubstanzen sind Festkrper und haben in der Regel einen kristallinen

Aufbau. Kristalle treten immer in bestimmten geometrischen Strukturen (Kristallgittern) auf. In Abb. 1.9 sind zwei Beispiele fr die Grundstrukturen, die sich periodisch zu einem Gitter fortsetzen, dargestellt; die Gitterstrukturen von Halbleitern
sind allerdings noch etwas komplizierter.
Alle Kristalltypen sind durch bestimmte Symmetrieelemente wie Spiegelungen
und Drehungen klassifizierbar. Mit diesen Symmetrieelementen lassen sich Strukturen aufbauen, die durch periodische Wiederholung den Kristall ergeben. Die
kleinste Struktur heit Elementarzelle. Durch die Gestalt der Elementarzellen sind
letztlich auch die makroskopischen Eigenschaften festgelegt, wie zum Beispiel die
Form seiner Auenflchen. Auch viele physikalische Eigenschaften hngen von
den Symmetrieverhltnissen im Kristall ab.
Prinzipiell lassen sich 14 verschiedene Elementarzellen so konstruieren, dass sie ein
lckenloses Kristallgitter bilden. Die dadurch entstehenden Gitter heien Bravais-Gitter.18
Folgende Bravais-Gitter sind mglich (Abb. 1.10):
kubisch: alle Seiten gleich lang (a = b = c), alle Winkel 90 ( = = = 90 ),
tetragonal: zwei Seiten gleich lang (a = b c), alle Winkel 90 ( = = = 90 ),
orthorhombisch: Seiten ungleich lang (a b c), alle Winkel 90 ( = = = 90 ),
Bei allen folgenden Strukturen ist wenigstens ein Winkel 90 :
hexagonal: zwei Seiten gleich lang (a = b c), = 60 , = 90 , = 120
rhomboedrisch: alle Seiten gleich lang (a = b = c), = = 90 , 60 , 109,5 ,
monoklin: Seiten ungleich lang (a b c), zwei Winkel 90 ( = = 90 , 90 ),
triklin: Seiten ungleich lang (a b c), alle Winkel verschieden ( ).
Abb. 1.9 Zwei Beispiele fr Kristallstrukturen: links kubisch-flchenzentriert, rechts kubisch-raumzentriert

18 Auguste
Bravais (18111863), frz. Physiker und Kristallograph. Professor in Lyon und

an der berhmten cole Polytechnique in Paris. Nahm an wissenschaftlichen Expeditionen in Algerien und Lappland teil und bestieg zur Durchfhrung von Beobachtungen den
Mont Blanc.
19
Allein mit kubischer Gitterstruktur sind mehrere verschiedene Elementarzellen

mglich. Einfache kubische Elementarzellen treten praktisch nicht auf, dagegen
sind kubisch-flchenzentrierte Gitter (fcc, face-centered cubic) oder kubisch-raumzentrierte Gitter (bcc, base-centered cubic) bei vielen Metallen anzutreffen. Die
gngigen Elementhalbleiter kristallisieren in der Diamantstruktur:
Bei der Diamant-Struktur sind zwei kubisch-flchenzentrierte Gitter um der
Raumdiagonale gegeneinander verschoben. In dieser Struktur kristallisieren neben
Diamant die beiden Halbleiter Silizium und Germanium.
hnlich der Diamantstruktur ist die Zinkblendestruktur, sie tritt bei Verbindungshalbleitern auf. Bei ihnen sitzen jeweils zwei unterschiedliche Atome auf
benachbarten Gitterpltzen, die Pltze sind also nicht gleichwertig. In ihrer Struktur ist sie sonst der Diamantstruktur gleich, es handelt sich also auch hier um zwei
kubisch-flchenzentrierte, ineinander geschobene Gitter. Im GaAs sitzen zum Beispiel abwechselnd Gallium- und Arsenatome auf benachbarten Gitterpltzen.
Um sich die relativ komplexe Geometrie der Diamant- oder Zinkblendestruktur deutlich
zu machen, muss man schon einige Anforderungen an das rumliche Vorstellungsvermgen
stellen. Die MATLAB-Programme, die in Aufgabe 1.16 bis Aufgabe 1.18 entwickelt werden, knnen hierbei ntzliche Dienste leisten. Selbst wenn Sie sie nicht im Detail nachvollziehen wollen, ist es sinnvoll, sich die produzierten Bilder unter mehreren Betrachtungswinkeln anzuschauen19 und somit die Kristallstruktur vertraut zu machen.
kubisch
einfach
kubisch
raumzentriert
tetragonal
einfach
orthorhombisch
einfach
kubisch
flchenzentriert
tetragonal
raumzentriert
orthorhombisch orthorhombisch orthorhombisch

basiszentriert
raumzentriert flchenzentriert
monoklin
einfach
monoklin
basiszentriert
triklin
trigonal
(rhomboedrisch)
hexagonal
Abb. 1.10 Die 14 Bravais-Gitter (nach Rudden/Wilson)

19 Dies
wird durch Anklicken des Kreissymbols im Ausgabefenster der MATLAB-Graphik

mglich.
20
1.5.2 Atomabstnde und Packungsdichten
Zur mathematischen Beschreibung der Kristallstruktur wird ein Koordinatensystem bentigt, dessen Nullpunkt in der Regel in einen Gitterpunkt gelegt wird. Die
Gre der Elementarzelle, die Gitterkonstante, lsst sich aus Rntgenbeugungsexperimenten bestimmen. In Silizium betrgt sie a0 = 0,5431 nm, also rund 1/2
Nanometer. Einige Werte fr andere Halbleitersubstanzen sind in Tabelle 1.1.
zusammengestellt. Daraus kann man wichtige Informationen ber den Abstand
von Atomen in einem Halbleiterkristall gewinnen.
Beispiel 1.6
Wie gro ist der Abstand nchster Nachbarn in einem Siliziumkristall?
Lsung:
Nach dem Satz des Pythagoras ergibt sich die Raumdiagonale eines Wrfels zu
d 0 = a02 + a02 + a02 = 3 a0 = 0,9407 nm.
(1.21)
Der Abstand nchster Nachbarn ist ein Viertel dieses Werts, also 0,2353 nm. Dieser
Abstand stellt gleichzeitig den Atomdurchmesser dar, wenn man die Atome nherungsweise als scharf begegrenzte sich berhrende Kugeln ansieht. Um eine Vorstellung von
der Grenordnung im Kopf zu behalten, sollte man sich hierfr den Nherungswert
1/4 nm merken.
Tabelle 1.1. Gitterkonstanten einiger Halbleiter mit kubischer Struktur,
aus [Madelung 1996]
Halbleiter
a0 /nm
Diamant
0,3567
Silizium
0,5431
Germanium
0,5658
GaP
0,5450
GaAs
0,5653
AlAs
0,5660
AlP
0,5464
InP
0,5869
InAs
0,6058
InSb
0,6479
Sieht man, wie soeben im Beispiel, die Atome als Kugeln an, so wird deutlich,
dass zwischen ihnen noch reichlich freier Platz vorhanden ist. Das Verhltnis des
Volumens, das die Atome einnehmen, zur Gre der Elementarzelle, heit
Packungsdichte. Zur Berechnung der Packungsdichte muss man zunchst einmal
ermitteln, wie viele Atome zu einer Elementarzelle gehren. Fr das einfache kubi-
21
Abb. 1.11 Packungsdichten in einem ebenen

Modell. Links einfach kubisches, rechts kubischflchenzentriertes Gitter
sche Gitter ist das noch relativ leicht, wenn man nur richtig zhlt: An einem ebenen Modell (Abb. 1.11) beispielsweise sehen wir, dass vier Kreise an den Ecken
eines Quadrats nur je zu einem Viertel ihrer Flche in diesem Quadrat liegen. Analog liegen im rumlichen Fall acht sich berhrende Achtelkugeln an den Ecken
eines Wrfels.
Haben wir hingegen ein kubisch-raumzentriertes Gitter, so kommt noch die
Kugel in der Mitte der Elementarzelle hinzu, damit ergeben sich 8 1 8 + 1 = 2
Atome pro Elementarzelle. Analog haben wir in einem kubisch-flchenzentrierten
Gitter zustzlich zu den acht Achtelkugeln an den Ecken noch insgesamt 6 Halbkugeln an den Flchenmitten, somit 8 1 8 + 6 1 2 = 1 + 3 = 4 Atome pro Elementarzelle. Das Diamantgitter besteht aus zwei gegeneinander verschobenen
kubisch-flchenzentrierten Gittern und hat demnach die doppelte Zahl, also 8
Atome pro Elementarzelle.
Werte fr die Packungsdichte sind in Tabelle 1.2. angegeben, ihre Berechnung
erfolgt im Rahmen der bungsaufgaben. Wir sehen daraus, dass die Diamantstruktur im Vergleich zu anderen nicht sehr dicht gepackt ist. Eine Folgerung hieraus ist
die relativ geringe Dichte solcher Substanzen.
Tabelle 1.2. Packungsdichten verschiedener Gitter
Parameter
Einfach-kubisches Gitter
(sc)
Kubisch-raumzentriertes
Gitter (bcc)
Kubisch-flchenzentriertes
Gitter (fcc)
Diamantgitter
Atome pro
Elementarzelle
Atomradius,
bezogen auf die
Gitterkonstante
a0
----2
3
a 0 ------4
2
a 0 ------4
3
a 0 ------8
Packungsdichte
--- = 52%
6
3
------- = 68%
8
2
------- = 74%
6
3
------- = 34%
16
1.5.3 Kristallrichtungen und MILLERsche Indizes
Durch die Gitterpunkte in einem Kristall knnen Ebenen unterschiedlicher Neigung gezogen werden. Man nennt diese Ebenen Netzebenen. Die Richtung der
Netzebenen wird wie in der Geometrie blich durch ihre Normalenvektoren
22
gekennzeichnet. Whrend jedoch sonst meist Einheitsvektoren benutzt werden, um

die Flchennormalen zu kennzeichnen, benutzt man in der Kristallphysik Normalenvektoren, deren Komponenten ganzzahlige Vielfache der Gitterkonstanten sind.
Die Komponenten dieser Normalenvektoren sind die Millerschen Indizes20.
Um zu einer solchen Darstellung zu gelangen, gehen wir fr rechtwinklige Koordinatensysteme von der Ebenengleichung in der Form
(r r1) n = 0
aus, bei der n der Normalenvektor und r der Vektor zu einem beliebigen Punkt der Ebene ist.
r1 ist der Ortsvektor, der zum Ursprung von n fhrt. Wir knnen r1 n auf die rechte Seite
bringen und diese Gleichung auch als
r n = r1 n d
schreiben (d zunchst noch unbestimmt!), in Komponentendarstellung ergibt sich

x nx + y n y + z nz = d .
Wenden wir nun diese Beziehung nacheinander auf die drei Schnittpunkte mit den Koordinatenachsen an, so knnen wir die Komponenten von n ermitteln. Wir tun dies hier fr das
Beispiel entsprechend Abb. 1.12:
3 nx + 0 n y + 0 nz = d ,
0 nx + 1 n y + 0 nz = d ,
0 nx + 0 n y + 2 nz = d .
Daraus folgt
nx =
d
d
, n y = d , nz = .
3
2
y
Abb. 1.12 Zur Ableitung der Millerschen Indizes.
Dargestellt ist die (263)-Ebene
Miller (18011880), brit. Mineraloge und Kristallograph, entwickelte das

grundlegende Klassifikationsschema der Kristallographie. Untersuchungen zur Hydrostatik und Hydrodynamik, Mitglied eines parlamentarischen Komitees zur Festlegung von
Lngen- und Massenstandards.
20 William
23
y
x
x
(100)-Ebene
y
x
(110)-Ebene
(111)-Ebene
Abb. 1.13 Einige wichtige Netzebenen in kubischen Kristallen
Da wir einen Normalenvektor verwenden wollen, dessen Komponenten ganzzahlig sind,

kann man jetzt d so whlen, dass diese Forderung gerade erfllt wird. Mit d = 6 erhalten wir
nx = 2, n y = 6, nz = 3.
Die zugehrige Ebene wird dann gekennzeichnet, indem diese Koordinaten einfach in runde
Klammern gesetzt werden: (263). Damit haben wir die Millerschen Indizes fr unser Beispiel ermittelt.
Ein eventuelles Minuszeichen, sofern erforderlich, wird als Strich ber die entsprechende
Zahl geschrieben, zum Beispiel als (1 13) .
Verluft eine Ebene zu einer Koordinatenachse parallel, hat also im Endlichen keinen
Schnittpunkt, so ist die zugehrige Komponente des Normalenvektors null. Eine Ebene parallel zur z-Achse hat beispielsweise die Millerschen Indizes (010). Einige wichtige Netzebenen sind in Abb. 1.13 gezeigt. Alle parallelen Ebenen tragen brigens die gleichen
Millerschen Indizes, es ist also nur das kleinste ganzzahlige Tripel von Interesse.
Die Millerschen Indizes sind wichtig fr die Charakterisierung von Halbleiteroberflchen. Viele physikalische und chemische Eigenschaften, beispielsweise das
Aufwachsen von weiteren Kristallschichten, hngen von der Orientierung der
Oberflche ab. Fr die Anwendungen sind die (100)-Richtung (eine Ebene parallel
zur Oberflche der Elementarzelle) beziehungsweise die (111)-Richtung (eine
Ebene parallel zur Raumdiagonalen) am wichtigsten.
An jeder Netzebene werden Rntgenstrahlen in bestimmter Weise gebeugt.
Durch Auswertung der Beugungsbilder lassen sich przise Daten zur Kristallstruktur von Halbleitern bestimmen, insbesondere erhlt man genaue Werte fr die Gitterkonstante und somit fr die Gre der Elementarzelle.
1.5.4 Massen und Dichten von Halbleitersubstanzen
Aus der Kenntnis der Gitterkonstanten kann man auf die Dichte der Atome in
Halbleitern und darber hinaus auf die Massendichte von Halbleitern schlieen.
Die Dichte der Atome pro Elementarzelle ist gegeben durch die Zahl der in ihr enthaltenen Atome NEZ, dividiert durch das Volumen der Elementarzelle VEZ = a03.
Dieser Wert gibt gleichzeitig die Dichte der Atome pro Kubikzentimeter an:
24
(1.22)
nAtom = N EZ / a03 .
Fr Silizium erhalten wir mit dem Wert der Gitterkonstanten a0 = 0,5431 nm

und NEZ = 8 die Atomdichte
nAtom = 8 /(0,5431 nm)3 = 4,99 10 22 cm 3 ,
also ziemlich genau 5 1022 cm3. Diesen Wert sollten wir uns im Hinblick auf
sptere Vergleiche mit der Konzentration von Fremdatomen merken.
Wir knnen auch einen Zusammenhang mit der makroskopisch ermittelbaren
Dichte von Halbleitern herstellen. Die Dichte ist definiert als Masse pro Volumeneinheit; diesen Ausdruck knnen wir zum Beispiel fr ein Mol aufschreiben:
=
molare Masse
.
=
Vm molares Volumen
(1.23)
Die molare Masse bezeichnen wir mit , wir ermitteln sie in bekannter Weise aus
der relativen Atommasse mit Hilfe des Periodensystems der Elemente. Ein Mol ist
bekanntlich die Maeinheit der Stoffmenge, es reprsentiert immer eine bestimmte
Zahl, nmlich 6,022 1023 Teilchen. Das molare Volumen lsst sich ausdrcken als
Produkt aus dem Volumen, das jedem Atom zur Verfgung steht (einschlielich
der Leerrume),21 multipliziert mit der Zahl der Atome pro Mol letzteres ist
nichts anderes als die Avogadro-Konstante22 NA = 6,022 1023 mol 1:
VAtom N A
VEZ
NA
N EZ
N EZ
= nAtom
.
VEZ N A
NA
(1.24)
Fr Silizium ergibt sich durch Einsetzen
= nAtom
21
28,1 g mol-1
= 4,99 1022 cm 3
= 2,33 g cm 3 ,
NA
6, 022 1023 mol-1
4 3
ist deshalb grer als das Volumen --- r .
3
Lorenzo Romano Amedeo Carlo Avogadro, conte di Quaregna e di Cerreto (17761856), geb. in Turin, studierte Jura, zeigte jedoch auch Interesse fr Naturwissenschaften und belegte die erste Professur fr Mathematische Physik in
Turin. Sein Beitrag zur Chemie bestand vor allem darin, den Unterschied zwischen Atomen und Moleklen herauszuarbeiten. Formulierte das nach ihm benannte AvogadroPrinzip (Gleiche Volumina aller Gase enthalten bei gleicher Temperatur und gleichem
Druck gleich viele Molekle), dies mndete spter in der Bestimmung der molaren und
atomaren Massen.
V Atom = V EZ N EZ
22 Avogadro, genauer
1.6 Chemische Bindung
25
was genau mit dem experimentell ermittelten Dichtewert bereinstimmt. Im Formelanhang sind die Dichten der wichtigsten Halbleitersubstanzen zusammengestellt.
Die Masse eines Wasserstoffatoms dient als Vergleichswert fr atomare Massen,
sie wird auch als atomare Masseneinheit (abgekrzt u) bezeichnet:23
1 u = 1g mol 1/NA = 1g mol1/6,022 1023 mol
= 1,661 1024 g.
(1.25)

1.6.1 bersicht ber die Bindungsarten
Durch die chemische Bindung von Atomen zu Moleklen oder Kristallen wird in
der Regel ein energetisch gnstigerer Zustand erreicht. Je nach ihrem Standort im
Periodensystem sind fr die einzelnen Elemente unterschiedliche Bindungstypen
vorteilhaft. Whrend in einem Molekl nur zwei oder wenige Atome gebunden
sind, enthlt ein Kristall Bindungen zwischen sehr vielen Atomen in regelmiger
Anordnung. Im Idealfall reicht die Periodizitt der Kristalle bis ins Unendliche.
(a) Heteropolare Bindung (Ionenbindung)
Eine typische Ionenbindung finden wir zum Beispiel beim Natriumchlorid, dem
Kochsalz, vor. Der Energiegewinn bei diesem Bindungstyp wird auf zweierlei Art
erreicht: Erstens bilden sich stabile Schalen wie bei den Edelgasen die Natriumatome geben ihr ueres Hllenelektron ab und erreichen damit eine Elektronenkonfiguration wie Neon; die Chloratome nehmen ein Elektron zur Bildung einer
stabilen Achter-Schale auf und erreichen damit eine Elektronenkonfiguration wie
das Argon (Abb. 1.14). Zweitens ziehen sich die jetzt elektrisch geladenen Ionen
Na
Cl
Abb. 1.14 Zustandekommen der Ionenbindung beim Natriumchlorid- (Kochsalz-) Molekl

23 Genauer:
1 u ist definiert als 1/12 der atomaren Masse eines Atoms des Kohlenstoffisotops 12C.
26
Abb. 1.15 Gitterstruktur des Natriumchlorid-Gitters als Beispiel eines Ionenkristalls
durch Coulombsche Wechselwirkung gegenseitig an, was einen zustzlichen

Energiegewinn mit sich bringt. Diese Ionenbindung tritt sowohl in einzelnen Moleklen als auch in Kristallen (Abb. 1.15) auf.
(b) Homopolare oder kovalente Bindung (Atombindung)
Die homopolare Bindung ist der andere Grenzfall. Sie tritt insbesondere berall
dort auf, wo chemisch nahezu gleiche Atome zusammentreten. Die Elemente der
IV. Hauptgruppe mit ihren vier Valenzelektronen bilden bei dieser Bindung so
genannte sp3-Hybride, dabei verhalten sich alle vier s- und p-Valenzelektronen
gleichartig und strecken ihre vier Bindungsarme unter Wahrung grtmglicher
Symmetrie nach auen. Dies fhrt zu einer Struktur, wie sie besonders deutlich im
Methanmolekl zu sehen ist, die vier Eckpunkte mit den Wasserstoffatomen bilden
dort ein Tetraeder (Abb. 1.16). Auch fr Kristalle, die aus den Elementen der
IV. Hauptgruppe allein gebildet werden, ist diese Tetraederstruktur typisch; sie tritt
beim Diamant24 sowie bei den Halbleitern Silizium und Germanium auf.
Bei der homopolaren Bindung ergibt sich der Energiegewinn durch Austauschkrfte, die nur quantenmechanisch exakt erklrbar sind. Sie fhren dazu,
C
H
H
H
H
24 Diamant
Abb. 1.16 Elektronendichteverteilung in einem

Methanmolekl CH4 (Tetraederstruktur)
ist neben Graphit und den erst spter entdeckten Fullerenen sowie Graphen (vgl.
hierzu Abschn. 1.8 am Ende dieses Kapitels) eine der Modifikationen, in denen Kohlenstoff vorkommt.
27
Abb. 1.17 Tetraedrische Bindungen von kristallinem Kohlenstoff im Diamantgitter. Die Atome,
die besonders deutlich die Mitte eines Bindungstetraeders zeigen und zum zweiten, versetzten
Gitter gehren, sind heller dargestellt. Bei der
Diamantstruktur sind zwei kubisch-flchenzentrierte Gitter ineinander geschoben, das versetzte
Gitter ist gestrichelt angedeutet. Sind die beiden
Atomsorten verschieden, handelt es sich um eine
Zinkblendestruktur
dass die ueren Elektronen der an einer Bindung beteiligten Atome in der Mitte
zwischen je zwei benachbarten Atomen Bindungsladungen aufbauen, die die verbleibenden Atomrmpfe elektrisch anziehen. Dadurch entsteht die bereits
erwhnte Struktur aus zwei um jeweils der Raumdiagonale versetzten kubischflchenzentrierten Kristallgittern (Diamantstruktur, Abb. 1.17). Im Bild sind die
Bindungen perspektivisch durch sich verjngende Linien dargestellt. Sie liegen
nicht in Richtungen der Wrfelkanten, sondern zeigen stets in Diagonalenrichtung.
Die Kanten des Wrfels sind nur gezeichnet, um die kubisch-flchenzentrierte
Struktur deutlich zu machen, fr die Bindung haben sie keine Bedeutung. In
Abb. 1.18 ist die linke untere Ecke aus dem Gitter von Abb. 1.17 herausgezeichnet.
Dadurch werden die Bindungen zu den nchsten Nachbarn deutlich.
Wenn Sie sich das Ganze dreidimensional verdeutlichen wollen, knnen Sie mit etwas
Bastelarbeit ein Modell herstellen; die Vorlage dazu finden Sie im Internet. Ebenso ntzlich
knnte das MATLAB-Programm sein, mit dem man sich die Elementarzelle aus unterschiedlichen Perspektiven anschauen kann (Aufgabe 1.17).
Oft werden die tetraedrischen Bindungen von Moleklen und Festkrpern auch
in einem vereinfachten ebenen Modell wie in Abb. 1.19 dargestellt. Dies reicht fr
manche Zwecke natrlich aus, die tatschlichen Verhltnisse werden jedoch nur
bedingt wiedergegeben.
Halbleiterverbindungen (oder Verbindungshalbleiter), deren Einzelkomponenten unmittelbar rechts und links neben denen der IV. Hauptgruppe liegen (z. B.
Galliumarsenid, GaAs)25, sind auch noch nahezu homopolar. Diese Verbindungen
werden als III-V-Halbleiter bezeichnet. Sie bilden in der Regel hnliche
Kristallstrukturen wie die Elementhalbleiter Silizium und Germanium. Allerdings
sind jetzt die Atome in den beiden kubisch-flchenzentrierten Untergittern nicht
mehr gleich, wir haben uns in Abb. 1.17 zum Beispiel unter den hellen Kugeln
Galliumatome und unter den dunklen Kugeln Arsenatome vorzustellen (oder
umgekehrt). Diese Kristallstruktur heit dann Zinkblendestruktur (nach dem Mineral Zinkblende, ZnS, eine II-VI-Verbindung).
25 GaAs
sprich Galliumarsenid. Alle derartigen Halbleiterverbindungen enden auf -id.
28
III-V-Halbleiter kristallisieren in der Regel in der Zinkblendestruktur. Diese ist aufgebaut wie die Diamantstruktur, beide Untergitter bestehen aber aus unterschiedlichen Atomsorten.
Abb. 1.18 Ausschnitt aus einem Siliziumkristall
(Diamantstruktur) zur Verdeutlichung der chemischen Bindungen in der Tetraederstruktur
H
H
C
H
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Abb. 1.19 Ebenes Modell von Substanzen mit homopolarer Bindung, links
Methanmolekl, rechts Siliziumkristall
Einige fr die Optoelektronik wichtige Substanzen wie Cadmiumsulfid (CdS),

Cadmiumselenid (CdSe) oder Galliumnitrid (GaN) kristallisieren normalerweise in
der so genannten Wurtzit-Struktur. Sie unterscheidet sich nur wenig von der Zinkblendestruktur, hat aber geringere Symmetrie.
Zwischen homopolarer und heteropolarer Bindung sind bergangsformen
mglich. Rein homopolare Bindungen gibt es nur in Kristallen, die aus einer einzigen Atomsorte bestehen. Alle Verbindungshalbleiter besitzen bereits geringe
heteropolare Anteile. In Abb. 1.20 ist die Verteilung der Elektronendichte im Kristall auf der Verbindungslinie benachbarter Atome dargestellt. Man sieht die (110)Ebene der Diamant- bzw. Zinkblendestruktur in der Reihenfolge Ge, GaAs, ZnSe.
Eine hohe Elektronendichte in der Mitte zwischen den Atomen weist auf eine
starke Bindungsladung der homopolaren Bindung hin. Beim Germanium ist diese
Dichte am grten, beide Bindungspartner sind ja dort auch gleichberechtigt. Beim
Galliumarsenid und Zinkselenid haben wir es jetzt mit jeweils unterschiedlichen
Partnern zu tun: Obwohl alle beteiligten Atome in derselben Zeile des Periodensystems stehen, finden wir sie doch in verschiedenen Hauptgruppen. Der ionare Charakter nimmt deshalb vom Germanium zum Zinkselenid zu, das heit, die Elektronen sind immer mehr an dem jeweils linken Atom lokalisiert.
Interessant ist noch die so genannte Koordinationszahl in einem Kristall. Sie
gibt die Anzahl nchster Nachbarn an und betrgt bei der Diamant- und Zinkblende-Struktur 4. Damit gibt die Koordinationszahl die chemische Wertigkeit wieder.
Die strukturelle Sichtweise des Aufbaus von Halbleitern, wie sie bisher dargestellt
wurde, bezeichnet man als Bindungsmodell.
29
Abb. 1.20 Berechnete Verteilung der

Elektronendichte auf der Verbindungslinie benachbarter Atome im Kristall
(aus: [Grimsehl 1990]). Der homopolare Charakter der Bindung nimmt von
oben nach unten ab, der ionare Charakter nimmt zu
(c) Metallische Bindung

Der Vollstndigkeit halber soll nur noch die metallische Bindung erwhnt werden.
Sie kommt durch einen kollektiven Effekt der Elektronen zustande.
1.6.2 Verbreiterung der Energieniveaus zu Bndern
Whrend wir bisher vor allem den strukturellen Aspekt der chemischen Bindung
von Kristallen im Auge hatten, betrachten wir nun, wie sich die Energieniveaus als
Folge des Zusammentretens der Atome verndern. Wir kommen damit zum Bndermodell.
(a) Bildung von Bndern
Mit Verringerung des Abstands zwischen den einzelnen Atomen (Wir stellen uns
vor, das knnte man kontinuierlich tun!) verhalten sich die Energieniveaus qualitativ so wie in Abb. 1.21 dargestellt. Aus den ursprnglich isolierten, scharfen
Energieniveaus werden durch Annherung der Atome bis zu den Abstnden, wie
wir sie im Kristall finden, verbreiterte Zustnde, die Bnder. Dabei durchdringen
sich die hherliegenden Niveaus benachbarter Atome gegenseitig und gehen sich
energetisch aus dem Weg. Diese Zustnde gehren dann nicht mehr zu einem
Atom allein, sondern sind kollektives Eigentum des gesamten Kristalls. Die tieferen Zustnde (die so genannten Rumpfniveaus) dagegen bleiben noch weitgehend
isoliert (Abb. 1.22).
30

Vakuumniveau
isolierte
Atome
Kristall
E
4p
4s
3s, 3p, 3d
2s, 2p
1s
1/r
Abb. 1.21 Niveauverbreiterung bei allmhlicher Verringerung des Atomabstands von

links nach rechts (schematisch)
Abb. 1.22 Rumliche berlappung der Energieniveaus im Kristall
(b) Besetzung der Niveaus mit Elektronen

Wie im einzelnen Atom werden auch im Kristall die energetisch tiefsten Zustnde
mit Elektronen besetzt, und die darberliegenden bleiben frei. Da die Elektronen in
den tiefsten Zustnden gerade die Bindung (Valenz) bewirken, heien die daraus
gebildeten Bnder Valenzbnder. Die Bnder sind ber den ganzen Kristall ausgebreitet. Kommt durch Energiezufuhr das eine oder andere Elektron nach oben in
einen der normalerweise freien Zustnde, so kann es sich nun leicht durch den
Kristall bewegen. Dies kann zum Beispiel zu einer elektrischen Leitung fhren.
Die (mindestens teilweise) freien Bnder heien deshalb Leitungsbnder. In den
Valenzbndern blockieren sich die Elektronen auf ihren Positionen gegenseitig,
deshalb ist dort eine elektrische Leitung durch die Elektronen nicht mglich.
1.7 Halbleiter
31
Generell kann man sagen, dass fr die strukturellen Eigenschaften der Kristalle,
zum Beispiel fr ihre Symmetrie, aber auch fr Gitterschwingungen, eher die tiefen, isolierten Zustnde wichtig sind, fr die Leitfhigkeit dagegen vor allem die
hherliegenden, ausgebreiteten Zustnde.
Die isolierten atomaren Niveaus der Atome verbreitern sich im Kristall zu Bndern.
Die energetisch tiefliegenden, besetzten Bnder sind die Valenzbnder sie tragen
zur chemischen Bindung bei; die unmittelbar darber liegenden Bnder sind die
Leitungsbnder.
1.7 Halbleiter
1.7.1 Orientierung an der elektrischen Leitfhigkeit
Der Begriff Halbleiter suggeriert, dass die Leitfhigkeit solcher Substanzen

geringer als die von Metallen, aber grer als die von Isolatoren ist. Tatschlich
liegt sie etwa zwischen 108 und 103 S/cm (Abb. 1.23), also in einem recht weiten
Bereich. Auffllig ist jedoch vor allem das Temperaturverhalten der elektrischen
Leitung. Whrend bei Metallen die Leitfhigkeit mit der Temperatur sinkt, steigt
sie bei Halbleitern oft26. Weiterhin beobachtet man eine deutliche Abhngigkeit
von der Verunreinigung (Dotierung) und von ueren Magnetfeldern.
Spezifischer Widerstand / cm
1016
1012
108
104
Glas
10-4
Ge
Ag
NiCr
Si
SiO2
10-8
Cu
GaAs
Al
Diamant
GaP
PVC
Graphit
Pt
Polystyrol
10-16
10-12
Pb
10-8
10-4
104
108
Leitfhigkeit / S cm-1
Isolatoren
Halbleiter
Metalle
Abb. 1.23 Leitfhigkeit und spezifischer Widerstand verschiedener Substanzen bei Zimmertemperatur, nach [Paul 1992]
26
Hufig wird dieses Temperaturverhalten der Halbleiter-Leitfhigkeit sogar als typischer

Unterschied zu dem der Metalle herausgestellt. Wie wir jedoch spter sehen werden, kann
man sich die Sache so einfach nicht machen (vgl. 2.4.1, Abb.2.11).
32
Damit ist aber der Begriff des Halbleiters nur ganz oberflchlich erfasst. Entscheidend fr die physikalischen Eigenschaften sind die Bindungsverhltnisse und
damit die Bnderstruktur.
1.7.2 Bindungen und Bnder in Halbleitern
Wir haben bereits erwhnt, dass sich Elektronen nur auf den tieferliegenden
Zustnden in den Bndern aufhalten, die hheren dagegen sind frei, zumindest bei
tiefen Temperaturen. Die Besetzungsgrenze heit Fermi-Energie (Bezeichnung
EF), auch Fermi-Kante oder Fermi-Niveau. Die Fermi-Energie muss nicht mit
einem besetzbaren Energiezustand zusammenfallen, sie ist ein rein mathematischer
Wert, der sozusagen die maximale Fllhhe der Elektronenflssigkeit angibt,
falls Niveaus vorhanden sind spter wird die Definition noch przisiert.
Befinden sich im Bereich der Fermi-Energie ausgebreitete Energieniveaus
(Bnder), so knnen sich die Elektronen dort durch den gesamten Kristall bewegen
und knnen dann zur Leitfhigkeit beitragen. Aus Bereichen unterhalb der FermiEnergie werden immer einige Elektronen durch thermische Energiezufuhr etwas
angehoben, so dass die Besetzungsgrenze bei Temperaturen oberhalb des absoluten
Nullpunktes unscharf ist. Metalle, Isolatoren und Halbleiter unterscheiden sich
nach der Lage der Fermi-Energie wie folgt (Abb. 1.24):
Metalle:
Die Fermi-Energie liegt im Bereich ausgebreiteter Energiezustnde. Das Band,
in dem EF liegt, ist das Leitungsband.
Isolatoren:
Die Fermi-Energie liegt in einer Lcke zwischen zwei Bndern. Dort gibt es
keine erlaubten Energiezustnde. Im darunterliegenden (Valenz-)Band sind alle
Zustnde besetzt und im darberliegenden (Leitungs-)Band alle Zustnde frei.
Die Lcke zwischen besetzten und freien Bndern, kurz Bandabstand
(Bezeichnung Eg), ist bei Isolatoren sehr gro. Dadurch wre ein sehr hoher
Leitungsband
Leitungsband
EF
Eg gro
EF
Leitungsband
Eg klein
Valenzband
Valenzband
Isolator
Halbleiter
Metall
Abb. 1.24 Lage der Fermi-Energie zwischen Valenz- und Leitungsband bei Isolatoren,
Halbleitern und Metallen. Dunkel: besetzte Bnder, hell: freie Bnder
1.7 Halbleiter
33
Energieaufwand erforderlich, um Elektronen in die freien Zustnde zu bringen;

fr die elektrische Leitung stehen sie daher nicht zur Verfgung.
Halbleiter:
Die Fermi-Energie liegt zwischen Valenz- und Leitungsband wie bei Isolatoren.
Die Lcke zwischen den beiden Bndern ist aber kleiner als bei Isolatoren.
Damit knnen Elektronen mit nicht zu groem Energieaufwand (zum Beispiel
durch Zufuhr von Licht oder Wrme) auf die ausgebreiteten Energiezustnde
gebracht werden.27 Dort tragen sie zur Leitfhigkeit bei.
Wir sehen aus dieser Gegenberstellung, dass Halbleiter qualitativ den Isolatoren
viel nher stehen als den Metallen, also gerade anders, als wir nach der Namensgebung erwarten knnten.
Die Gre des Bandabstands ist fr eine ganze Reihe von Halbleitereigenschaften verantwortlich. Neben der Leitfhigkeit wird auch das optoelektronische Verhalten ganz entscheidend vom Abstand zwischen Leitungs- und Valenzband
bestimmt.
1.7.3 Halbleitermaterialien
Nach unseren bisherigen Erkenntnissen sind Halbleitermaterialien Kristalle mit

(nahezu) kovalenter Bindung, bei denen mit relativ geringem Energieaufwand
Elektronen auf Leitungsbandniveaus angehoben werden knnen.
Kristalle mit kovalenter Bindung werden durch die Elemente der IV. Hauptgruppe (Abb. 1.25) gebildet.
Als halbleitende Kristalle treten daher Elemente wie Silizium (Si), Germanium
(Ge) und Diamant (C) auf. Allerdings bilden auch die binren III-V-Halbleiter,
z. B. Galliumphosphid (GaP), Indiumantimonid (InSb) oder Galliumarsenid
(GaAs), noch nahezu kovalente Kristalle, ebenso sind mehrere II-VI-Verbindungen, z. B. Cadmiumselenid (CdSe), Zinkselenid (ZnSe) oder Quecksilbertellurid
(HgTe), halbleitend.
Whrend die Elementhalbleiter, vor allem Silizium, die Grundlage der meisten
Bauelemente bilden, ist GaAs das Material fr die schnelle Elektronik und fr die
Optoelektronik. Die Bauelementedesigner wrden auch sehr gern Diamant einsetzen, aber grere Einkristalle aus diesem Material widersetzen sich der HerstelII
III
IV
Be
12
13
14
15
Mg
20
Ca
38
Al
...
30
Zn
31
Ga
C
Si
32
Ge
N
P
As
Sb
52
49
50
51
Ba
80
81
82
83
56
27 Diese
Hg
In
Tl
Sn
Pb
34
48
Bi
16
33
Sr
Cd
VI
8
Se
Te
84
Po
Abb. 1.25 Auszug aus dem Periodensystem

mit einigen fr Halbleitersubstanzen wichtigen Elementen
Energiezufuhr nennt man Anregung von Elektronen.
34
lung und Bearbeitung noch beharrlich so bleibt es vorlufig noch im Wesentlichen der Schmuckbranche vorbehalten. Optoelektronische Bauelemente (LEDs,
Laserdioden) werden auf der Basis von GaP (grn), GaAs (rot, infrarot), InP und
InSb (infrarot) sowie SiC und GaN (blau) hergestellt. Wesentlich fr Halbleiter ist
die Mglichkeit zur gezielten Dotierung und zur Herstellung von Schichtstrukturen. Man unterscheidet
Heterostrukturen: Unterschiedliche Materialien werden Schicht fr Schicht
aufeinander abgeschieden. Dabei ist vom chemischen Standpunkt her zu beachten, dass die Kristalle fehlerfrei aufwachsen knnen. Das ist im Allgemeinen
nur bei etwa gleichen Gitterkonstanten gewhrleistet.
Homostrukturen: Dabei handelt es sich um Folgen unterschiedlicher Dotierungen auf gleichem Grundmaterial.
Reine Halbleiter gibt es praktisch nicht. Undotiertes (engl. intrinsic) Silizium
hat eine Konzentration von Verunreinigungsatomen von ca. 1013 cm 3, ultrareines
Germanium sogar von 1010 cm 3. Zum Vergleich: Die Konzentration der Si-Atome
selbst betrgt 5 1022 cm 3, also etwa das 109-fache! Andere Halbleitermaterialien
lassen sich nicht so rein herstellen (1014 bis 1017 cm 3). Darber hinaus werden in
die Halbleitermaterialien fr die meisten Anwendungen noch gezielt Strstellen
eingebracht. Diesen Vorgang nennt man Dotieren, man spricht dann von dotierten
Kristallen.
Dotieren ist das (in der Regel gezielte) Einbringen von fremden Atomen, ohne dass
die globalen, insbesondere die chemischen und kristallographischen Eigenschaften
eines Kristalls wesentlich verndert werden. Fremdatome, die ein Atom des Wirtsgitters ersetzen, heien Strstellen.
Daneben kann man auch Mischkristalle herstellen, indem eine Halbleiterkomponente, zum Beispiel Arsen im GaAs teilweise durch eine Substanz aus derselben
Hauptgruppe des Periodensystems ersetzt wird, zum Beispiel durch Phosphor; es
entsteht dann GaAsxP1-x. Die Indizes x und y kennzeichnen dann die stchiometrischen (d. h. Mischungs-)Anteile. Die so entstehenden Verbindungen haben Eigenschaften, die zwischen denen der jeweiligen Endkomponenten liegen, im Beispiel
zwischen denen von GaAs und GaP. Weitere Beispiele sind AlxGa1-xAs oder
GaxIn1-xAs, es handelt sich dabei um ternre Verbindungen. Beim
AlxGa1-xAsySb1-y dagegen, einer quaternren Verbindung, ist auch noch die
andere Komponente gemischt. Mischkristalle sind nicht mit dotierten Kristallen zu
verwechseln, die Mischungsanteile knnen im Gegensatz zur Dotierung betrchtlich sein. Ein Mischkristall stellt bereits eine neue Substanz dar, whrend bei der
Dotierung lediglich die reine Halbleitersubstanz modifiziert wird.
Mischkristalle (engl. alloys) bestehen aus Legierungen von unterschiedlichen Halbleitern. Ihre Eigenschaften liegen zwischen denen der Endkomponenten.
1.8 Einige Ergnzungen
35

Whrend man lange Zeit der Meinung war, alles, was an halbleitenden Substanzen prinzipiell gebildet werden kann, sei bekannt, haben sich doch in den letzten Jahren erneut weitere
Erkenntnisse ergeben. Zum einen ist es gelungen, sehr dnne Schichten von unterschiedlichen Substanzen aufeinander abzuscheiden, beispielsweise immer abwechselnd GaAlAs auf
GaAs und so weiter. Jede Schicht kann dabei selbst nur wenige Atomlagen, also einige
Nanometer, dick sein, dann liegen ihre Dimensionen schon in dem Bereich, in dem die
Gesetze der Quantenmechanik gelten. Es ist auch mglich, diese Schichten nur in Streifenform aufzubringen oder sogar nur als Punktraster. In diesem Fall entstehen so genannte
Quantenpunkte von GaAs in GaAlAs (Abb. 1.26). Dieses Gitter von Quantenpunkten,
also kleinen Substanzclustern, verhlt sich ganz hnlich wie ein Gitter von einzelnen Atomen. Es bildet sozusagen einen Kristall im Kristall, mit wiederum ganz neuen Eigenschaften gegenber den homogenen Ausgangssubstanzen GaAs oder GaAlAs allein Die
Herstellungs- und Untersuchungsverfahren solcher mikroskopischen Strukturen werden oft
unter dem Stichwort Nanotechnologie eingeordnet. Eine einzelne solche Schicht wird brigens bereits in blichen Feldeffekttransistoren (FETs) realisiert.
Eine weitere Substanzgruppe im Nanometerbereich stellen auch die Kohlenstoff-Nanorhren (engl. carbon nanotubes, CNT) (Abb. 1.27) dar. Das sind Kohlenstoffverbindungen
mit fadenfrmiger Struktur, die zum Teil halbleitende Eigenschaften haben. Die Entdeckung
der Kohlenstoff-Nanorhren ging mit der Entdeckung des Fullerens einher. Schon immer
waren ja die beiden Kohlenstoff-Modifikationen Graphit und Diamant bekannt. Eine weitere
Modifikation, das Fulleren C60 es besteht aus einer Kugelschale von 60 in Form von
Benzolringen verketteten Kohlenstoffatomen und sieht etwa aus wie ein Fuball wurde
erst 1996 von Curl, Kroto und Smalley28 entdeckt. Dieses Gebilde wurde bereits vorher
als mgliche mathematische Form eines Vielflchners auf einer Kugel von Buckminster
Abb. 1.26 Schichten, Streifen und Quantenpunkte von Nanostrukturen
28 Curl,
Kroto und Smalley, erhielten den Nobelpreis fr Chemie 1996 for their discovery of fullerenes. Die bis dahin unbekannten Kohlenstoffmodifikationen erregten weltweit Aufsehen.
Robert F. Curl (geb. 1933), am. Chemiker, PhD an der University of California in Berkeley, seit 1967 Professor fr Chemie an der Rice University in Texas.
Sir Harold W. Kroto (geb. 1939), brit. Chemiker, PhD an der University of Sheffield.
Professor der Chemie in Sussex.
Richard E. Smalley (geb. 19432005), am. Chemiker, PhD an der Princeton University. 1981 Professor fr Chemie und danach 1990 Professor fr Physik an der Rice University in Texas.
36
Abb. 1.27 Strukturen von

halbleitenden und metallischen Kohlenstoff-Nanorhren, nach [Fahrner 2003]
Fuller29, einem vielseitig ttigen amerikanischen Architekten, Erfinder, Ingenieur und

Mathematiker, erkannt.
Die Kohlenstoff-Nanorhren knnen sowohl metallisches als auch halbleitendes Verhalten zeigen, je nach Atomanordnung. Anwendungen werden als elektrische Leiterbahnen, als
Transistoren und auch fr Laserstrukturen gesehen und sind zum Teil schon Gegenstand
intensiver technischer Entwicklung.
Erst im Jahr 2010 wurde ein weiterer Nobelpreis fr Forschungen auf dem Gebiet des
Kohlenstoffs vergeben. Den beiden Physikern Andre Geim und Konstantin Novoselov30 gelang es, einlagige Kohlenstoffverbindungen aus dem Graphit herzustellen. Dieses
Material, Graphen genannt, besitzt eine sehr hohe Leitfhigkeit und wird wegen dieser und
anderer interessanter Eigenschaften als zukunftstrchtiges Material fr die Mikroelektronik
und die Solartechnik angesehen.
Fuller (18951983), amerik. Architekt. Universell denkend, auerordentlich vielseitig engagiert als Ingenieur, Philosoph und Mathematiker. Sein Credo war,
die globalen Probleme der Menschheit durch immer grere Lebensqualitt fr alle bei
Schonung der Ressourcen zu lsen. Von ihm soll der Begriff Synergie stammen die Wissenschaftsdisziplin Synergetik wurde allerdings von dem Stuttgarter Physiker Haken
begrndet.
30 Andre Geim (geb. 1958), russ.-niederlnd. Physiker mit dt. Wurzeln, Professur in Manchester, und Konstantin Novoselov (geb. 1974), russ.-brit. Physiker, erhielten den
Nobelpreis 2010 for groundbreaking experiments regarding the two-dimensional material graphene.
29 Buckminster
Zusammenfassung zu Kapitel 1
37
Einige grundlegende Aussagen der Quantenmechanik
(a) Photonen und Elektronen als quantenmechanische Objekte haben
sowohl Teilchen- als auch Welleneigenschaften.
(b) Der Zusammenhang zwischen Energie E und Wellenlnge fr Licht
(Photonen) ist gegeben durch
c
E = h = h ,
der Zusammenhang mit dem Impuls p ist gegeben ber die Lichtgeschwindigkeit c:
E = cp .
(c) Die Wechselwirkung von Licht mit Materie uert sich in drei Elementarprozessen: spontane Emission, induzierte Emission und Absorption. Die
dabei vom Photon abgegebene oder aufgenommene Energie entspricht der
Energiedifferenz der beiden Niveaus:
E1 E2 = h
(d) Bei mikroskopischen Objekten sind Ort und Impuls nicht gleichzeitig
beliebig genau messbar (Heisenbergsche Unschrferelation).
(e) Pauli-Prinzip: In einem quantenmechanischen Zustand drfen sich
maximal zwei Elektronen aufhalten.
Aus dem Pauli-Prinzip resultieren die Unterschiede in den energetischen
Zustnden der Atome des Periodensystems und somit der Molekle und
Festkrper.
Wasserstoffatom als einfachstes Atom
Energien und erlaubte Bahnradien (Bohrsche Radien) des Wasserstoffatoms ergeben sich mit dem Coulombschen Gesetz fr die Zentralbewegung im Feld einer Punktladung und der Zusatzforderung, dass nur
ganzzahlige Wellenlngen auf eine Bahn passen drfen (stehende Wellen):
En =
1 e2
,
2 40 an
an = n 2= 2
40
m0 e 2
Die Energie des Grundzustandes (n = 1) betrgt 13,6 eV.
38
Der zum Impuls p eines freien Elektrons gehrende Wellenzahlvektor k ist

gegeben durch p = k. Daraus ergibt sich die Energie zu
E=
= 2k 2
.
2m0
Die Atome des Periodensystems sind nach der Struktur ihrer Elektronen-
31
hllen (Schalenstruktur) geordnet. Folgende Besetzungen sind in den Schalen (= Reihen des Periodensystems) maximal mglich:
1. Schale (n = 1): 2 s-Elektronen
2. Schale (n = 2): 8 Elektronen (davon 2 s-Elektronen und 6 p-Elektronen)
3. Schale (n = 3): 18 Elektronen (davon 2 s-Elektronen, 6 p-Elektronen
und 10 d-Elektronen31)
4. Schale (n = 4): 32 Elektronen (davon 2 s-Elektronen, 6 p-Elektronen,
10 d-Elektronen und 14 f-Elektronen32) usw
Die Elementhalbleiter (Silizium und Germanium) kristallisieren in der
Diamantstruktur, die meisten Verbindungshalbleiter (III-V-Halbleiter) in
der Zinkblendestruktur. Beide bestehen aus zwei kubisch-flchenzentrierten
Gittern, die gegeneinander um 1/4 der Raumdiagonale verschoben sind.
Die chemische Bindung der Halbleiter ist die homopolare (kovalente)
Bindung.
Die isolierten atomaren Niveaus der Atome verbreitern sich im Kristall zu
Bndern. Die energetisch tiefliegenden, besetzten Bnder sind die Valenzbnder sie tragen zur chemischen Bindung bei; die energetisch hher liegenden Bnder sind die Leitungsbnder.
Die Fermi-Energie gibt die Grenze der besetzten Elektronenzustnde an.
Sie liegt bei Halbleitern zwischen Valenz- und Leitungsband, wie bei Isolatoren; die Bandlcke von Halbleitern ist aber viel kleiner.
Dotieren ist das (meist gezielte) Einbringen von fremden Atomen, ohne
dass die globalen, insbesondere die chemischen und kristallographischen
Eigenschaften eines Kristalls wesentlich verndert werden. Im Unterschied
dazu bestehen Mischkristalle aus Legierungen von unterschiedlichen Halbleitern mit Eigenschaften, die zwischen denen der Endkomponenten liegen.
Die wichtigsten Halbleitersubstanzen:
Elementhalbleiter: Silizium (wichtigstes Material der Elektronik) und Germanium, prinzipiell auch Diamant.
d-Elektronen werden erst nach den s-Elektronen der 4. Schale eingebaut (Nebengruppenelemente)
32 d-Elektronen werden erst nach den s-Elektronen der 5. Schale eingebaut (Nebengruppenelemente); f-Elektronen werden erst innerhalb der d-Elektronen der 5. Schale aufgefllt (Lanthaniden).
Aufgaben zu Kapitel 1
39
Verbindungshalbleiter:
Siliziumcarbid (SIC) (Leistungselektronik),
III-V-Verbindungen, darunter GaAs und InP (schnelle Elektronik und
Infrarot-Optoelektronik), GaP (grne, gelbe und rote LEDs), GaN (blaue
LEDs),
II-VI-Verbindungen, darunter CdSe, ZnTe, ZnSe (optische Empfnger,
z. B. fr Infrarot-Nachtsichtgerte),
III-V-Mischkristalle: GaAsP (gelbe, orange und rote LEDs), GaInAs,
GaInAsP.
Grenordnungen, die Sie sich einprgen sollten
Konzentration der Atome in einem Siliziumkristall: mit guter Genauigkeit

nSi 5 1022 cm3.
Gitterkonstante eines Siliziumkristalls: ungefhr a0 5 1010 m = 1/2 nm.
Abstand zweier benachbarter Siliziumatome im Kristall etwa 1/4 nm; das ist
gleichzeitig der Durchmesser eines Siliziumatoms.
Das Wasserstoffatoms hat einen Durchmesser von ungefhr 2aB 1010 m

= 0,1 nm, es ist also wesentlich kleiner als ein Siliziumatom im Kristall.
Die Aufgaben sind je nach Schwierigkeitsgrad mit Sternen versehen: ein Stern: relativ
leicht, fnf Sterne: schwierig dies entspricht jedenfalls dem Empfinden des Autors. Zur
Lsung knnen die Tabellen und Zahlenwerte der Daten- und Formelsammlung (Anhang,
Seite 349) herangezogen werden.
Diese Datei knnen Sie auch aus dem Internet herunterladen, sie ist dann fr Ihre Arbeit
parallel zum Buch verfgbar.
Diejenigen Leser, die mit MATLAB oder gleichartigen Programmen vertraut sind, werden sinnvollerweise Berechnungen unter Zuhilfenahme der Parameterdateien (konstanten.m, Silizium.m usw.) durchfhren, damit sparen Sie sich eine Menge Arbeit und
vermeiden Fehler beim Eingeben von Zahlenwerten. Lsungsvorschlge sind in der im
Internet abrufbaren Lsungsdatei skizziert.33
Die im Anschluss an die Aufgaben stehenden Testfragen sollen dagegen ohne zustzliche
Hilfsmittel beantwortet werden, fr sie werden im Buch keine expliziten Antworten gegeben. Es wird dringend empfohlen, die Antworten hierfr mit Hilfe des Textes der einzelnen
Kapitel, also durch grndliches Durcharbeiten des Buches, zu erschlieen.
Fr Temperaturen nehmen wir grundstzlich, wenn nicht ausdrcklich anders angegeben,
300 K (Zimmertemperatur) an.
33 Eine
bersicht der verfgbaren Dateien mit Hinweisen zum Download findet sich am
Schluss des Buches auf Seite 377.
40
Aufgabe 1.1 Emission und Absorption (zu Abschn. 1.1) *
Welche Wellenlnge hat -Strahlung von 1,8 MeV?

Aufgabe 1.2 Impuls eines freien Elektrons (zu Abschn. 1.1) **
Welchen Impuls hat ein freies Elektron mit einer kinetischen Energie von 2 eV? Vergleichen
Sie das mit dem Impuls eines Photons, welches auch eine Energie von 2 eV hat (Ende von
Abschn. 1.1.1).
Aufgabe 1.3 Wellenlnge von freien Elektronen (zu Abschn. 1.1) **
Berechnen Sie die Wellenlnge von Elektronen, die mit 1 kV beschleunigt wurden.
Aufgabe 1.4 Heisenbergsche Unschrferelation (zu Abschn. 1.1) **
Stellen Sie sich vor, Sie wrden mit Ihrem Auto (Masse 1500 kg) in einer Tempo-30-Zone
beim Fahren mit einer Geschwindigkeit von 40 km/h geblitzt. Knnten Sie mit der Heisenbergschen Unschrferelation argumentieren, wonach bei einer scharfen Ortsmessung
(Lichtschranke) die Geschwindigkeit Ihres Autos nicht exakt angebbar sei?
Aufgabe 1.5 Wasserstoffatom (zu Abschn. 1.2) ***
Das Elektron im Grundzustand (n = 1) des Wasserstoffatoms soll durch Absorption von

Licht auf eine Bahn mit hherer Energie gehoben werden. Berechnen Sie die Energie, die
Frequenz und die Wellenlnge des Lichts, die fr den bergang
a) n = 1 nach n = 2; b) n = 1 nach n = 3 erforderlich ist.
c) Dasselbe fr den bergang n = 2 nach n = 3.
Anmerkung: Hier kann man sich vorstellen, dass jeweils ein Lichtquant (Lichtteilchen)
absorbiert wird, dessen Energie in der Energie des Elektrons aufgeht.
Aufgabe 1.6 Periodensystem der chemischen Elemente (zu Abschn. 1.4) **
a) Was ist das Gemeinsame an der Elektronenkonfiguration von Li, Na und Ka?
b) Was ist das Gemeinsame an der Elektronenkonfiguration von Al, Si, P und S?
c) Wie viele Valenzelektronen haben jeweils die Elemente Al, C, Si, Ge und As?
d) Welches Element hat die Elektronenkonfiguration 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2?
e) Schreiben Sie die Elektronenkonfiguration von Arsen auf.
Aufgabe 1.7 Kristallgeometrie (zu Abschn. 1.4) ***
Bestimmen Sie, ausgehend von der Gitterkonstanten a0, die folgenden Atomabstnde in
Halbleitern:
a) den Abstand benachbarter Galliumatome (bzw. benachbarter Arsenatome) im Galliumarsenid (= Abstand von der Ecke einer Elementarzelle zur Flchenmitte),
b) den Abstand benachbarter Gallium- und Arsenatome im Galliumarsenid und benachbarter Siliziumatome im Silizium (jeweils der Raumdiagonale einer Elementarzelle).
c) die Zahl der Gallium- und Arsenatome pro Kubikzentimeter im Galliumarsenid,
d) die Zahl der Atome pro Kubikzentimeter im Silizium.
41
Aufgabe 1.8 Netzebenen (zu Abschn. 1.5) *
In Abb. 1.28 ist die Elementarzelle eines kubischen Kristalls dargestellt. Zeichnen Sie die
folgenden Netzebenen ein: a) (010)-Ebene, b) (011)-Ebene.
y
x
Abb. 1.28 Netzebenen

(zu Aufgabe 1.8)
Aufgabe 1.9 Eigenschaften der Elementarzelle (zu Abschn. 1.5) ***
Kupfer kristallisiert im fcc-Gitter. Seine Dichte betrgt 8,885 g/cm-3.

a) Skizzieren Sie die kubische Elementarzelle dieser Struktur.
b) Wie viele Atome entfallen auf eine Elementarzelle?
c) Wie viel Mole und wie viele Atome sind in 1 cm3 enthalten?
d) Wie gro ist die Kantenlnge der kubischen Elementarzelle?
Aufgabe 1.10 Netzebenen an der Kristalloberflche (zu Abschn. 1.5) **
a) Die Oberflche eines kubisch-flchenzentrierten Kristalls sei

eine (100)-Ebene,
eine (110)-Ebene.
Skizzieren Sie die geometrische Anordnung der Atome auf der Oberflche.
b) Zeichnen Sie analoge Bilder fr einen kubisch-raumzentrierten Kristall.
Aufgabe 1.11 Atommasse (zu Abschn. 1.5) *
a) Geben Sie an, wie Sie aus der Kenntnis der molaren Masse auf die Masse eines Atoms
schlieen knnen. Wie gro ist die Masse eines Siliziumatoms?
b) Wie schwer ist eine Elementarzelle von Silizium und von GaAs (d. h. wie gro ist ihre
Gesamtmasse)?
Aufgabe 1.12 Zahl der Atome in einem Kilogramm (zu Abschn. 1.5) *
Wie viele Atome sind in einem Kilogramm hochreinem Silizium enthalten? Welches Volumen und welchen Radius hat eine Kugel aus solchem Material?
Durch Zhlen der in einem hochreinen Siliziumkristall der Masse 1 kg enthaltenen
Atome versucht man, ein neues Massenormal fr das Kilogramm zu entwickeln, das eine
bessere Reproduzierbarkeit und genauere Eichungen als der bisherige Kilogrammprototyp
gestattet. Allerdings ist es dazu erforderlich, nur Atome eines einzigen Isotops des Siliziums
zu benutzen (um nicht pfel mit Birnen zu vergleichen). Arbeiten hierzu werden zum
42
Beispiel an der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt (PTB) in Braunschweig durchgefhrt, vgl. [PTB 2003].
Aufgabe 1.13 Kristallstruktur (zu Abschn. 1.6) *
Im Abb. 1.29 ist ein GaAs-Kristall gezeigt. Markieren Sie durch unterschiedliche Farben
alle Gallium- und alle Arsenatome.
Abb. 1.29 GaAs-Kristall (zu Aufgabe 1.13)

Aufgabe 1.14 Mischkristalle (zu Abschn. 1.7) *
Wie viel Prozent Gallium und Indium, bezogen auf die IIIer-Komponente, enthlt
Ga0,3In0,7As? Wie viel Masseprozente Gallium und Indium sind in diesem Mischkristall
enthalten?
MATLAB-Aufgaben
Aufgabe 1.15 Zusammenhang Energie Impuls (zu Abschn. 1.3) **
Geben Sie ein Programm an, das die quadratische Abhngigkeit der Energie freier Elektronen ber zwei Impulskomponenten entsprechend Abb. 1.6 rumlich darstellt.
Aufgabe 1.16 Rumliche Darstellung eines kubischen Kristalls (zu Abschn. 1.5) ****
Schreiben Sie ein Programm, mit dem Sie einen einfach-kubischen Kristall rumlich darstellen knnen.
Hierzu sind die folgenden Unterprogramme ntzlich:
(a) Funktionsprogramm linie.m. Damit wird eine Linie im Dreidimensionalen gezeichnet, die die Ortsvektoren R1 und R2 verbindet:
(b) Funktionsprogramm sphere_1.m.Es zeichnet im Dreidimensionalen eine Kugel um
den Mittelpunkt R = (X, Y, Z) mit dem Radius r. Die Kugel wird von einer Seite plastisch
beleuchtet.
Aufgabe 1.17 Rumliche Darstellung der Elementarzelle eines kubisch-flchenzentrierten
Kristalls und einer Zinkblendestruktur (zu Abschn. 1.5) *****
Dieses Problem des kubisch-flchenzentrierten Kristalls ist analog zur vorigen Aufgabe zu
lsen, aber es ist noch etwas komplizierter. Ein Hinschielen zum Lsungsvorschlag sollte
deshalb schon erlaubt sein.
43
Bei der Zinkblendestruktur wird alles noch einmal um eine Stufe schwerer. Wenn Sie
sich damit begngen, auf die Lsung zu schauen und dabei das Programm gedanklich nachzuvollziehen, haben Sie sicher schon eine Menge gelernt.
Es ist empfehlenswert, die Figur, die sich ergibt, im MATLAB-Fenster hin und her zu
drehen, um in den Kristall hineinzuschauen und sich dessen Struktur zu verdeutlichen.
Aufgabe 1.18 Betrachtung von Elementarzellen aus unterschiedlichen Perspektiven
(zu Abschn. 1.5) **
Mit dem MATLAB-Befehl view lsst sich der Betrachtungswinkel einstellen, unter dem ein
dreidimensionales geometrisches Gebilde gesehen wird (Abb. 1.30). view kann durch die
Angabe der Polarwinkel und in Grad festgelegt werden: view(theta,phi). Betrachten Sie
einen Kristall in Zinkblendestruktur (Programm zinkblende.m) Welche Ebene sehen Sie,
wenn Sie view(90,45) beziehungsweise view(90,90) eingeben? (Ebenen-Darstellung ber
Millersche Indizes!)
Blickrichtung
Abb. 1.30 Polarwinkel und , die die Blickrichtung von

view bestimmen
Testfragen
Da zum ersten Kapitel noch nicht viele bungsaufgaben zum Rechnen zur Verfgung stehen, wird die grndliche Beschftigung mit den Testfragen besonders ans Herz gelegt.
1.19
Welches sind die Elementarprozesse, in denen ein Photon mit einem Elektron in
Wechselwirkung treten kann? Beschreiben Sie diese kurz in einem Energieschema.
1.20
Was besagt das Pauli-Prinzip?
1.21
Welchen Radius hat ungefhr ein Wasserstoffatom? Geben Sie die Grenordnung
an: a) ca. 0,001 nm, b) ca. 0,05 nm, c) ca. 0,1 nm, d) ca. 0,5 nm, e) 1 nm, f) ca. 10 nm,
g) 1 mm.
1.22
Wir stellen uns vor, das Elektron im Wasserstoffatom wrde durch ein Teilchen mit
geringerer (grerer) Masse ersetzt. Wird dann der Bohrsche Radius grer oder
kleiner? Wird die Energie, die zum Trennen dieses Teilchens vom Kern aufgewendet
werden muss, grer oder kleiner als beim richtigen H-Atom?
Anmerkung: Solche Flle sind in der Physik realistisch beim so genannten Myonium, das aus einem Proton und einem anderen Elementarteilchen (einem so
genannten -Meson oder Myon) anstelle des Elektrons besteht. Das -Meson ist 207mal so schwer wie ein Elektron.
44
Im Halbleiter stoen wir im nchsten Kapitel auch auf Gebilde, die sich wie ein Wasserstoffatom verhalten, das Elektron in diesem System hat jedoch eine kleinere
Masse, auerdem ist 0 durch 0 r zu ersetzen.
1.23
Wenn ein (freies) Teilchen eine bestimmte Geschwindigkeit hat, ist dann seine Energie eindeutig bestimmt? Umgekehrt: Ist bei gegebener Energie die Geschwindigkeit
eindeutig bestimmt?
1.24
Ein Elektron nimmt beim Durchlaufen einer Spannung die Energie von 1 eV =
1,602 10 19 J auf. Wenn das Elektron eine kleinere Masse htte, wre dann die aufgenommene Energie a) kleiner, b) gleich gro, c) grer?
1.25
In welcher Reihenfolge treten die Schalen (Orbitalen) bei den chemischen Elementen
auf? Wie viele Elektronen finden auf den jeweiligen Schalen maximal Platz?
1.26
Welchen Wert hat ungefhr die Gitterkonstante im Silizium? Geben Sie die Grenordnung an, benutzen Sie dabei die in Frage 1.21 vorgeschlagenen Werte.
1.27
a) Was verstehen Sie unter der (100)-Ebene in einem kubischen Kristall?

b) Wenn die (100)-Ebene die Richtung der vor Ihnen liegenden Papierseite ist, und
die y-Richtung nach rechts zeigt, wo liegen dann die [010]-Richtung, die [011]-Richtung usw.?
1.28
In welcher Struktur sind benachbarte Siliziumatome im Kristall angeordnet? Versuchen Sie die Anordnung zu skizzieren.
1.29
Erklren Sie, was Sie unter Ionenbindung (= heteropolarer) und kovalenter (=

homopolarer) Bindung verstehen und geben Sie Beispiele an.
1.30
Wie kommt die Bildung von Bndern zustande?
1.31
Welches Band liegt energetisch hher: Leitungsband oder Valenzband? Welches enthlt blicherweise mehr Elektronen?
1.32
Was ist die Fermi-Energie? Wo liegt diese bei Metallen, Halbleitern und Isolatoren?
1.33
Erklren Sie, warum ein Metall leitet und ein Isolator nicht leitet.
1.34
Wodurch ist ein Halbleiter gegenber Metall und Isolator charakterisiert?
1.35
Kennzeichnen Sie, ob bei den folgenden Materialien eher ionare oder eher kovalente
Bindung vorliegt: Silizium, GaAs, Kochsalz (NaCl)
1.36
Worin liegt der Unterschied zwischen dotierten Kristallen und Mischkristallen?
1.37
Geben Sie je ein Beispiel fr folgende Substanzgruppen an: a) Elementhalbleiter, b)

binre III-V-Halbleiter, c) ternre III-V-Halbleiter
1.38
Nennen Sie typische Einsatzgebiete fr a) Si, b) GaAs.
Bnderstruktur und Ladungstransport
Wir przisieren unsere Vorstellung von einem Halbleiter und leiten daraus
ab, wie viele Ladungstrger in den jeweiligen Bndern fr die elektrische
Leitung zur Verfgung stehen. Wir werden sehen, dass ein Halbleiter ein
interessantes Gebilde ist, in dem wir es nicht mehr mit gewhnlichen Elektronen, sondern mit ziemlich stark modifizierten Quasiteilchen zu tun
haben: den Halbleiterelektronen und Lchern. Diese Teilchen bewegen sich
im ungestrten Halbleiter so unbekmmert wie normale Elektronen im
freien Raum.
Fr die meisten Anwendungen werden nicht reine Halbleiter bentigt,
sondern solche, die (gezielt eingebrachte!) Strstellen enthalten. berraschenderweise kann man die Lage von Strstellen im Halbleiter wie die
Energieniveaus des Wasserstoffatoms behandeln. Strstellen bringen die
entscheidenden Ladungstrger fr die Leitfhigkeit und bestimmen deren
Temperaturabhngigkeit. Die Temperaturabhngigkeit von Halbleitern wird
in der Messtechnik ausgenutzt.
Schlielich berechnen wir die elektrische Leitfhigkeit von Halbleitern.
Wir werden sehen, dass es auer dem elektrischen Feld noch eine weitere
Ursache fr Strme gibt, nmlich Unterschiede der Teilchendichte. Sie fhren zum so genannten Diffusionsstrom. Die Bilanz des elektrischen Stroms
wird somit bestimmt durch den Feldstrom, den Diffusionsstrom und darber
hinaus durch die Erzeugung (Generation) und Vernichtung (Rekombination)
von Ladungstrgern.

DOI 10.1007/978-3-642-20032-8, Springer 2011
45
46
2 Bnderstruktur und Ladungstransport
2.1 Bndermodell
2.1.1 Eigenschaften des Leitungs- und Valenzbandes
Bis hierher haben wir uns den Halbleiterkristall ziemlich detailliert angesehen,
sozusagen durch eine Lupe. Wir sahen, dass sich die Elektronenzustnde der einzelnen Atome im Kristallgitter berlappen, und dass die Elektronen diese Ortsabhngigkeit spren. Ab jetzt werden wir den Halbleiter aus grerer Entfernung
betrachten, so dass seine atomare Struktur nicht mehr im Einzelnen zu erkennen
ist.
Eine vergleichbare Situation liegt vor, wenn wir mit dem Auto ber eine mit
Kopfsteinen gepflasterte Landstrae fahren. Whrend wir bisher die Strae aus der
Sicht einer Ameise betrachtet haben, die das Auf und Ab der einzelnen Steine als
deutliche Anstrengung sprt, finden wir uns nun im fahrenden Auto wieder. Der
Straenbelag ist jetzt nur noch als allgemeines Rumpeln oder Rauschen zu spren.
Die Auto-Sicht auf den Halbleiterkristall uert sich dadurch, dass sich jedes
einzelne Elektron im Leitungsband scheinbar wie ein freies Teilchen bewegt. Statt
des Reibungskoeffizienten beim Autofahren dient die relative dielektrische Konstante als pauschaler Materialparameter fr die elektrischen Eigenschaften.
Der Einfluss aller anderen Kristallelektronen und der Atomrmpfe auf die
Bewegung des Elektrons im Leitungsband wird dagegen durch eine effektive
Masse me erfasst. Somit kann man in den meisten bei Anwendungen wichtigen
Fllen fr die kinetische Energie von Halbleiterelektronen schreiben:
e =
p2
=2 k 2
=
.
2me
2me
(2.1)
Diese Formel sieht zwar uerlich genauso aus wie bei einem freien Elektron,
aber die effektive Masse eines Elektrons im Kristall ist keine universelle Naturkonstante, sondern von Substanz zu Substanz verschieden. In Spalte 3 von Tabelle 2.1.
sind einige Werte angegeben. Die Werte in den brigen Spalten werden noch erlutert. Bei der Gre p handelt es sich streng genommen nicht um einen richtigen
Impuls, da wesentliche Merkmale dieser Gre nicht erfllt werden.2 Man spricht
von einem Quasiimpuls.
Durch die gesamte Halbleiterphysik zieht sich der Begriff des Quasiteilchens:
Ein Teilchen im Halbleiter, das den Einfluss seiner Umgebung durch Parameter wie
die effektive Masse beinhaltet, wird oft als Quasiteilchen bezeichnet. Elektronen im
Leitungsband eines Halbleiters sind Beispiele von Quasiteilchen.
1
2
Auf den Bandrand bezogene Energien bezeichnen wir mit einem serifenlosen E.
Die Translationsinvarianz ist nicht gegeben.
2.1 Bndermodell
47
Tabelle 2.1. Materialparameter der wichtigsten Halbleitersubstanzen

Halbleiter
Relative
Dielektrizittskonstante
Effektive Masse
der Elektronen me/m0
Zahl der
Leitungsbandminima e
Effektive Masse
der Lcher
mh/m0
Si
11,4
0,32
6 (indirekter HL)
0,57
Ge
15,4
0,22
4 (indirekter HL)
0,36
GaP
11,2
0,58
3 (indirekter HL)
0,54
GaAs
12,4
0,066
1 (direkter HL)
0,54
InSb
15,9
0,0136
1 (direkter HL)
0,6
SiCa
10
0.45
indirekter HL
1,0
8,9
0,20
1 (direkter HL)
0,85
GaN
a
Es gibt mehrere Modifikationen von Siliziumcarbid, die sich in ihrer Kristallstruktur unterscheiden. Hier angegeben sind die Werte fr 6H-SiC, einen der wichtigsten Vertreter.
b Ebenso gibt es mehrere Modifikationen von Galliumnitrid. Hier sind die Werte fr hexagonales GaN angegeben. Es hat eine Wurtzit-Struktur
An dieser Stelle muss darauf hingewiesen werden, dass wir zunchst nur Halbleiter betrachten, deren Eigenschaften sich mit dem Ort nicht ndern, so genannte
homogene Halbleiter.
Fr das Valenzband ist die Beschreibung durch Elektronen weniger geeignet,
wir haben es hier ja stets mit einer ungeheuer groen Zahl von Elektronen zu tun.
Nur gelegentlich wird einmal eines weggenommen oder hinzugefgt. Aus der
Mathematik wissen wir, dass es auerordentlich unpraktisch ist, mit sehr kleinen
Differenzen groer Zahlen zu arbeiten man macht dabei leicht Fehler. Deshalb
hat es sich eingebrgert, statt der vielen Valenzbandelektronen lieber nur die fehlenden Elektronen zu betrachten; sie werden als Lcher3 bezeichnet und tragen, da
ja ein negatives Teilchen in der Bilanz fehlt, eine positive Ladung. Mit demselben
Recht wie das Elektron im Leitungsband wird ein Loch im Valenzband als vollkommen eigenstndiges Teilchen, mit einer eigenen effektiven Masse mh (letzte
Spalte in Tabelle 2.1.), angesehen. Ein entsprechender Zusammenhang zwischen
kinetischer Energie und Impuls gilt auch hier:
h =
p2
=2 k 2
=
.
2mh
2mh
Lcher im Valenzband sind neben den Elektronen des Leitungsbandes weitere

Quasiteilchen im Halbleiter.
Engl. hole, daher wird fr Lcher gewhnlich der Index h verwendet.
(2.2)
48
Diese quadratischen Abhngigkeiten sind jedoch nur fr kleine kinetische Energien von Elektronen und Lchern richtig. Wir wollen uns mit dem allgemeinen
Fall zwar nicht beschftigen, aber wenigstens die Begriffe und die graphischen
Zusammenhnge in Abb. 2.1 einmal aufzeigen. Diese Darstellung bezeichnet man
als Bandstruktur des Halbleiters. Sie ist besonders fr optische Eigenschaften
wichtig. Warum in Halbleitern statt des einfachen parabolischen Zusammenhangs
2 2
E ( k ) = ( k ) ( 2m 0 ) der freien Elektronen komplizierte Bandstrukturen wie in
Abb. 2.1 auftreten, wird am Ende dieses Kapitels in Abschn. 2.7.1 skizziert. Wenn
Abb. 2.1 Bandstrukturen von Galliumarsenid und Silizium, jeweils in unterschiedlichen

Kristallrichtungen (nach [Yu und Cardona 2001]). Die Pfeile kennzeichnen jeweils den
niedrigsten Punkt des Leitungsbandes und den hchsten Punkt des Valenzbandes. Die durch
Lupen gekennzeichneten Ausschnitte sind in Abb. 2.2 schematisch herausgezeichnet
Leitungsband
Valenzband
Abb. 2.2 Leitungsbandrand und Valenzbandrand eines direkten (links) und indirekten
(rechts) Halbleiters, schematisch und vereinfacht. Die Darstellungen entsprechen den durch
Lupen in Abb. 2.1 gekennzeichneten Stellen
2.1 Bndermodell
49
Sie mit der Beschreibung von Elektronen als Wellen noch nicht so vertraut sind,
sollten Sie aber jenen Abschnitt vorerst noch zurckstellen.
In Abb. 2.2 sind die interessanten Details des Leitungsbandes schematisch dargestellt: Der unterste Leitungsbandrand kann im Impulsraum direkt ber dem
Valenzbandrand liegen oder an einer davon entfernten Position. Dementsprechend
bezeichnet man die Halbleiter als direkte oder indirekte Halbleiter.
Indirekte Halbleiter haben mehrere gleichberechtigte Minima (Tler). In
ihnen besitzen die Elektronen jeweils bereits einen bestimmten Grund-Quasiimpuls. Die Zahl der Tler e ist eine wichtige Kenngre der einzelnen Halbleitermaterialien. Sie ist in Tabelle 2.1. zusammen mit der effektiven Masse angegeben.
Unterscheiden Sie direkte und indirekte Halbleiter:
In direkten Halbleitern liegt das Leitungsbandminimum im k-Raum ber dem
Valenzbandmaximum.
In indirekten Halbleitern liegt das Leitungsbandminimum im k-Raum nicht
unmittelbar ber dem Valenzbandmaximum. In diesem Falle haben wir es,
bedingt durch Symmetrieeigenschaften der Halbleiterbandstruktur, stets mit
mehreren gleichartigen Minima zu tun.
Indirekte Halbleiter besitzen neben ihren niedrigsten, indirekten Leitungsbandminima,
wie auch aus Abb. 2.2 zu erkennen ist, ebenfalls noch ein lokales direktes Minimum. Da es
aber hher liegt als die indirekten Minima, ist es im Allgemeinen nicht mit Elektronen
besetzt. Kommen durch irgendwelche Prozesse, zum Beispiel durch Erzeugung mit Licht,
doch einmal Elektronen dort hinein, so rutschen sie mglichst schnell in die tiefer liegenden
indirekten Minima.
Die Frage, ob ein Halbleiter direkt oder indirekt ist, hat groe praktische Auswirkungen. Direkte Halbleiter sind in der Optoelektronik wichtig, denn nur bei
ihnen erreicht man eine schnelle Rekombination von Elektronen und Lchern und
damit eine effiziente Strahlungsausbeute.4 Ein Beispiel hierfr ist Galliumarsenid.
Das Wechselspiel von Leitungselektronen zwischen direktem und hherliegendem
indirekten Minimum ist fr Hochfrequenzbauelemente (Gunn-Dioden) interessant.
Vereinfacht stellt man die Situation in der Nhe der Bandrnder meist wie in
Abb. 2.2 dar. Am Rand ist in sehr guter Nherung die Energie E proportional zu k2,
wie schon in (2.1) und (2.2) verwendet.
Genau genommen kann die Krmmung der Bandrnder in den verschiedenen
Richtungen des k-Raums unterschiedlich sein. Entsprechend sollte dann auch die
effektive Masse richtungsabhngig angesetzt werden, man msste demnach eine
longitudinale und transversale effektive Masse unterscheiden. In einigen Anwen4
Galliumphosphid stellt eine Ausnahme unter den fr die Optoelektronik wichtigen Substanzen dar: Es ist zwar ein indirekter Halbleiter, durch eine besondere Dotierung mit der
so genannten isoelektronischen Strstelle Stickstoff erreicht man jedoch eine mit direkten
Halbleitern vergleichbare Strahlungsausbeute.
50
dungen, zum Beispiel in der Optik, ist das auch wichtig, aber zum Glck kommt
man gerade bei Leitfhigkeitsproblemen meist mit gemittelten Werten aus, wie sie
in Tabelle 2.1. angegeben sind.5
Am oberen Rand des Valenzbandes zeigen die Parabeln brigens nach unten,
das heit, die kinetische Energie der Lcher entsprechend (2.2) wird nach unten
grer. Darber hinaus gibt es sogar zwei Parabeln mit unterschiedlichen Krmmungen fr die so genannten leichten Lcher und schweren Lcher. Auch hier vereinfachen wir wieder, indem wir ein Modell mit einem einzigen Valenzband annehmen.6 Fr die meisten Anwendungen liefert dieses Modell erstaunlich gute
Ergebnisse. Auch zuknftig werden wir uns der Einfachheit halber auf einen solchen Modell-Halbleiter beschrnken.
2.1.2 Erzeugung freier Elektronen und Lcher
Von jetzt ab werden uns nur noch die beiden energetischen Bereiche interessieren,
die nahe dem unteren Rand des niedrigsten Leitungsbandes oder nahe dem oberen
Rand des hchsten Valenzbandes liegen. Diese Bnder wollen wir knftig
schlechthin Leitungsband beziehungsweise Valenzband nennen, von der komplizierteren Struktur sehen wir dabei vollkommen ab.
Der Energiebereich Eg = Ec Ev zwischen Leitungs- und Valenzband, in dem
keine erlaubten Zustnde liegen, heit verbotene Zone oder Energielcke (engl.
gap oder bandgap). Ec ist die untere Kante des Leitungsbandes, Ev die obere Kante
des Valenzbandes. Die Bandabstnde sind ebenfalls charakteristische Halbleiterparameter, wir finden sie in Tabelle 2.2. angegeben.
Die Bandabstnde von Halbleitern sind geringfgig abhngig von der Temperatur, der Strstellenkonzentration und der Konzentration freier Elektronen und
Lcher. Diese Feinheiten spielen fr uns aber erst spter eine Rolle.
Um Angaben in der Literatur, zum Beispiel in [Madelung 1996], verarbeiten zu knnen,

muss man jedoch diese Zusammensetzung der mittleren effektiven Masse me kennen: Sie
wird wie folgt aus der longitudinalen effektiven Masse my und der transversalen effektiven
Masse mz zusammengesetzt:
2 1/ 3
me = (mymz )
6
Die mittlere effektive Masse des Valenzbandes wird aus der effektiven Masse der schweren Lcher mhh und der effektiven Masse der leichten Lcher mlh nach der Formel
2
3/ 2
3/ 2 .
m 3/
h = m lh + m hh
gebildet.
2.1 Bndermodell
51
Tabelle 2.2. Bandabstnde einiger Halbleiter. Daten fr die Isolatoren Diamant und Siliziumdioxid (SiO2) sind zum Vergleich angegeben. Werte nach [Madelung 1966] sowie [Powell u. Roland 2002]
Halbleiter
Bandabstand Eg
in eV bei 300 K
Typ (direkt oder

indirekt)
Si
1,12
indirekt
Ge
0,66
indirekt
GaP
2,26
indirekt
GaAs
1,424
direkt
InSb
0,18
direkt
SiC (6H-SiC)
2,86
indirekt a
GaN
3,39
direkt a
C (Diamant)
ca. 5,5
indirekt
SiO2
ca. 8
Wurtzit-Gitterstruktur (hexagonal); die brigen Halbleiter: Diamant- bzw. Zinkblende-Struktur
Elektronen knnen durch Aufnahme ausreichender Energie aus dem Valenzband ins Leitungsband angehoben werden man kann auch sagen, Elektronen und
Lcher werden paarweise erzeugt. Dies geschieht
durch optische Anregung (Bestrahlung mit Licht, dessen Energie mindestens
dem Bandabstand vom Leitungs- zum Valenzband entspricht): h Eg ,
durch Aufnahme thermischer Energie.
Bei Zimmertemperatur (300 K oder 27 oC) reicht die mittlere thermische Energie
von 25,9 meV nicht aus, um Elektronen ins Leitungsband zu heben, denn das ist
eine sehr kleine Energie gegenber der Breite der verbotenen Zone. Wie aber
schon in 1.3.1 erwhnt, gibt es immer einen Anteil thermischer Energie, der sehr
viel grer ist und zur Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren beitragen kann.
Andererseits werden Elektron-Loch-Paare auch immer wieder vernichtet. Unter
normalen Bedingungen, wenn optisch nichts angeregt wird, bildet sich dadurch ein
dynamisches Gleichgewicht zwischen der Generation (Erzeugung) und der
Rekombination (Vernichtung) aus.
Eine Vorstellung von der Lichtwellenlnge, die erforderlich ist, um einem Elektron die Energie Eg zuzufhren, erhalten wir durch die Aufgabe 2.1.
Da Elektronen und Lcher immer paarweise erzeugt werden, sind in einem reinen Halbleiter stets gleich viel Elektronen wie Lcher vorhanden. In einem geeignet dotierten Halbleiter jedoch ist das anders, dort berwiegt ein Typ Ladungstrger. Die Trger, die in der berzahl vorhanden sind, heien Majorittstrger, die
anderen Minorittstrger.
Elektronen und Lcher knnen sich in ihrem jeweiligen Band wie freie Teilchen
bewegen. Sie sind natrlich nicht wirklich frei, sondern noch an den Kristall
52
gebunden, aber bei Bercksichtigung ihrer effektiven Masse ist ihre Bewegung
durch die eines freien Teilchens beschreibbar.7
2.2 Trgerdichte im Leitungs- und Valenzband

Besonders in der Optoelektronik mchte man gern wissen, wie viele Elektronen
(oder Lcher) auf Zustnden sitzen, die eine bestimmte Energie E haben. Dazu
mssen wir erstens wissen, wie viele erlaubte Zustnde zu dieser Energie berhaupt gehren. Dieser Frage werden wir uns als Erstes zuwenden. Zweitens mssen wir jedoch auch die Wahrscheinlichkeit kennen, mit der die Zustnde besetzt
sind. Den Besetzungswahrscheinlichkeiten wenden wir uns anschlieend zu.
2.2.1 Zustandsdichte der Elektronen und Lcher
Um unsere berlegungen bersichtlicher zu gestalten, zhlen wir jetzt die Energie

vom Leitungsbandrand an, E = E Ec . Die Zustandsdichte gc(E)dE der Elektronen im Leitungsband pro Energieintervall dE ist eine grundlegende Gre zur
Berechnung der Teilchenkonzentration. Sie gibt an, wie viele Pltze zur Besetzung
mit Elektronen (oder Lchern) innerhalb eines gewissen Energiebereichs berhaupt zur Verfgung stehen. Darber, ob diese Pltze tatschlich besetzt werden,
macht sie allerdings noch keine Aussage.
Ihre Herleitung soll am Beispiel der Elektronen in unserem Modell-Halbleiter beschrieben werden, fr die Lcher gelten die berlegungen sinngem.
Nach dem Pauli-Prinzip (Abschn. 1.1.5) knnen sich in jedem Zustand hchstens zwei
Elektronen befinden. Das einzige Unterscheidungsmerkmal fr die mglichen Zustnde in
einem Kristall sind die Wellenvektoren k oder (Quasi-)Impulse p = k der Elektronen, sie
sind mikroskopisch diskret verteilt.
Dass in einem Kristall nur bestimmte diskrete k-Zustnde mglich sind, hngt mit den
Welleneigenschaften der Elektronen zusammen. Wenn wir uns einen Kristall als einen Quader mit ebenen Grenzflchen denken, kann man sich vorstellen, dass sich in ihm nur stehende Elektronenwellen bis zu einer maximalen Wellenlnge ausbilden knnen. Das ist
analog zu einer schwingenden Saite, bei der nur ganzzahlige Vielfache einer Grundwellenlnge vorkommen knnen. Diese maximale Wellenlnge entspricht wegen k = 2
einem minimalen Wellenvektor. Wenn also nur diskrete Werte der Wellenlnge mglich
sind, dann gibt es auch nur diskrete k-Werte. Wir erinnern uns, dass auch die gebundenen
Zustnde im Wasserstoffatom stehende Wellen sind und infolge dessen zu diskreten Zustnden fhren.
Aus makroskopischer Sicht liegen die mglichen Impulse im Halbleiter allerdings so
dicht, dass man von fast gleichmiger Verschmierung der Elektronen ausgehen kann. In
jedem dieser k-Zustnde knnen sich nach dem Pauli-Prinzip nur zwei Elektronen aufhalten,
Die Behandlung von Elektronen in einem Festkrper als freie Elektronen geht bereits auf
Paul Drude (18631906) zurck (Elektronentheorie der Metalle, 1900).
53
es knnen also nur zwei Elektronen einen bestimmten Impuls bzw. Wellenvektor k
haben.
Zu ein- und derselben Energie knnen allerdings ganz unterschiedliche Wellenzahlvektoren oder Quasi-Impulse beitragen. Da die kinetische Energie nur vom Quadrat des Quasiimpulses abhngt, sind verschiedene Kombinationen seiner x-, y- und z-Komponenten
mglich, die denselben Energiewert geben knnen:
2
2
= 2 k 2 = (k x + k y + k z )
=
.
2me
2me
2
E=
(2.3)
Dabei ist k = k x 2 + k y 2 + k z 2 .
Wir mssen also zhlen, wie viele Elektronen zu einer bestimmten Energie E beitragen.
In Abb. 2.3 ist das fr die Ebene verdeutlicht. Die Punkte symbolisieren die verschiedenen
mglichen k-Zustnde. Wenn g(k) die Dichte der Teilchenzustnde in einem Flchenelement der k-Ebene ist, dann befinden sich innerhalb des Kreisrings mit der Dicke dk und der
Flche 2kdk gerade g(k) 2k dk solche k-Zustnde. Diese Zhlung ist um so genauer, je
weiter der Kreisring vom Zentrum entfernt liegt. Je hher die Energie, desto grer auch der
Betrag des k-Vektors, desto mehr Zustnde werden durch den Kreisring erfasst. In Wahrheit
darf man nicht nur die (kx,ky)-Ebene betrachten, sondern muss auch die kz-Komponente
bercksichtigen. Dann wird aus dem Kreisring eine Kugelschale, und die Zahl der Zustnde
in dieser Schale wird zu g(k) 4k2 dk, darin ist g(k) berall konstant.
(Vergleichen Sie mit der Masse einer Kugelschale der Dicke dr im Ortsraum. Diese
ergibt sich bei gegebener Massendichte als dm = 4r2 dr, also durch einen ganz analogen Ausdruck!)
Gehen wir jetzt von k ber zur Energie, dann mssen wir die Zahl der k-Zustnde auch
im entsprechenden Energieintervall wiederfinden:
gc(E)dE = g(k) 4k2 dk.
(2.4)
Die Dichte g(k) kann hier nicht abgeleitet werden; aus quantenmechanischen und kristallographischen berlegungen (Es sind wie bei einer schwingenden Saite nur bestimmte
Moden von stehenden Wellen mglich) ergibt sie sich zu
gc (k ) =
2
(2)3
ky
k+dk
k
kx
Abb. 2.3 Zustnde im k-Raum (ebenes Modell)
54
Wir wollten jedoch die Zustandsdichte pro Energieintervall berechnen. Dazu mssen wir
dk sowie k2 durch die Energie E ausdrcken. Gl. (2.3), nach k aufgelst, ergibt
k=
2me
=2
Weiterhin erhlt man durch Differenzieren von (2.3):
d =
=2
2k dk
2me
Wenn wir beides dazu benutzen, um in (2.4) k zu ersetzen, erhalten wir
g c ( ) d = g (k ) 2
2m
d = g (k ) 2 2e
2
=
=
2me 2me
=
Auer den Impulszustnden gibt es in indirekten Halbleitern noch ein weiteres Unterscheidungskriterium fr die Zahl der mglichen Zustnde, nmlich die verschiedenen Leitungsbandminima. Deren Zahl e haben wir bei der Zhlung zustzlich zu bercksichtigen,
so dass sich endgltig ergibt:8
2m
g c ( ) d E = e
2 2e
3
(2)
=
(2.5)
Dieser Ausdruck sieht nun leider etwas kompliziert aus. Wir merken uns, dass
die Zustandsdichte proportional ist zur Wurzel aus der Energie (vom Bandrand aus
gezhlt), und dass weiterhin die effektive Masse sowie im Leitungsband die Zahl
der Minima eingeht:
g c (E ) dE ~ e (me )3 / 2 E dE
(2.6)
So viele Elektronen passen maximal in eine Energieschale der Dicke dE. Wie
wir aber auch wissen, sind nicht alle dieser Zustnde besetzt, sondern vorwiegend
die unteren bis etwa zu einer bestimmten Maximalenergie, wobei die Besetzungsgrenze in der Nhe dieser Maximalenergie durch die stndige Zufuhr von thermischer Energie unscharf ist (nchster Abschnitt).
Analoge Beziehungen (jedoch mit h = 1) gelten fr die Lcher im Valenzband;
nur zhlt dort die kinetische Energie E = Ev E nach unten. Bei einer realistischen
Beschreibung von Halbleitern knnen die Verhltnisse durch Anisotropien wesentlich komplizierter werden aber man muss ja nicht gleich das ganze Spektrum der
Probleme auffahren!
Verwechseln Sie e nicht mit der Frequenz, die wir ebenfalls durch , aber ohne Index,
bezeichnen.
55
2.2.2 Fermi-Verteilung
Wir wollen jetzt wissen, wie gro die Wahrscheinlichkeit ist, dass auch wirklich
Elektronen auf den verfgbaren Energiezustnden sitzen.
Ein vergleichbares Modell fr diese Situation finden wir in einem Fuballstadion. Die k-Zustnde sind die Sitzpltze, die Energie entspricht der Hhe ber dem
Fuballfeld. Im Kristall sind die Sitzpltze jedoch in drei Raumrichtungen verteilt,
was wir uns anschaulich schlechter vorstellen knnen. Da die Reihen im Stadion
nach auen hin grer werden, sind oben (hhere Energie) mehr Pltze vorhanden, das heit die Zustandsdichte der Pltze pro Energieintervall wird grer (nur
sicher im Fuballstadion nicht gerade wurzelfrmig!).
Nun fragen wir nach der Besetzungswahrscheinlichkeit der Pltze. Im Stadion
werden gewhnlich die unteren Sitzpltze von den Zuschauern bevorzugt. So lieben es auch die Elektronen im Kristall. Die Verteilung von Elektronen (und
Lchern) auf vorgegebene Zustnde wird im Allgemeinen durch die so genannte
Fermi-Verteilung (nach dem italienischen Physiker Enrico Fermi9) gegeben.
Diese Verteilungsfunktion gilt nicht nur im Halbleiter, sondern ganz allgemein in
der Physik. Die Fermi-Funktion ist durch die folgende Wahrscheinlichkeitsverteilung definiert (vgl. Abb. 2.4):
fe ( E ) =
f (E)
1
.
E EF
1 + exp
kBT
(2.7)
1
T=0
0,5
T wchst
0
0
E = EF
E / kBT
Abb. 2.4 Fermi-Funktion
Enrico Fermi (19011954), italienischer Physiker, emigrierte 1938 nach den USA, dort
einer der Leiter des Manhattan-Projekts (Bau der ersten Atombombe) aus Furcht vor
mglichen deutschen Entwicklungen. Nobelpreis 1938 for his demonstrations of the
existence of new radioactive elements produced by neutron irradiation, and for his related
discovery of nuclear reactions brought about by slow neutrons. Entdeckung der FermiStatistik 1926.
56
kB ist die Boltzmann-Konstante. Die Gre EF ist die bereits frher erwhnte
Besetzungsgrenze, die Fermi-Energie. Die Fermi-Funktion fllt im Wesentlichen
innerhalb eines Energiebereichs der Breite kBT von eins auf null ab. Die Besetzungswahrscheinlichkeit bei der Energie EF betrgt 50 %.
Fr die Lcher im Valenzband, die ja eigentlich fehlende Elektronen sind, ergibt
sich eine hnliche Verteilung:
f h ( E ) = 1 fe ( E ) = 1
1
1
.
=
E EF
EF E
1 + exp
1 + exp
kBT
kBT
(2.8)
Hufig bentigt man Nherungen fr die Fermi-Verteilungsfunktion. In der

Grenze sehr tiefer Temperaturen (T t 0) entsteht die Stufenfunktion, d. h.
f(E) = 1 bis zu E = EF und f(E) = 0 fr E > EF. Diesen Fall nennt man vllige
Entartung. In einem anderen Fall, wenn die betrachteten Energien weit oberhalb
der Fermi-Energie liegen, also bei E EF p kBT, wird die Exponentialfunktion im
Nenner von (2.7) viel grer als eins. Das trifft weit rechts in Abb. 2.4 zu. Man
kann dann nhern:
fe ( E ) =
E EF
1
exp
.
E EF
kBT
1 + exp
kBT
(2.9)
Fr die Lcher ergibt sich unter diesen Bedingungen analog

E EF
f h ( E ) exp
.
kBT
(2.10)
Die Berechtigung fr eine solche Nherung (sie heit auch Boltzmann-Nherung nach dem sterreichischen Physiker Ludwig Boltzmann10) ist bei Halbleitern in den meisten Fllen gegeben: Wie wir spter sehen werden, befindet sich die
Fermi-Energie in der Regel weitab von den erlaubten Energiezustnden, innerhalb
der verbotenen Zone (Abb. 2.5). Dort ist die Fermi-Funktion im Leitungsband und
im Valenzband bereits so weit abgeklungen, dass nur noch die nahezu exponentiellen Auslufer wesentlich sind.
Bei Metallen haben wir brigens gerade die umgekehrte Situation vor uns: Hier
liegt die Fermi-Energie mitten im Leitungsband, so dass man die Boltzmann-
10
Ludwig Boltzmann (18441906), sterreichischer theoretischer Physiker, Professor in

Wien, Graz, und Leipzig. Dort wegen Auseinandersetzungen mit seinem fachlichen Kontrahenten Ostwald erfolgloser Selbstmordversuch, danach Rckkehr nach Wien. 1871
Beschreibung der Moleklverteilung in Gasen durch Maxwell-Boltzmann-Verteilung.
1879 Stefan-Boltzmannsches T4-Gesetz zur Temperaturstrahlung.
57
Abb. 2.5 Projektion der Verteilungsfunktion auf Valenz- und Leitungsband im Halbleiter (a) und resultierende Elektronen- beziehungsweise Lcherkonzentration pro Energieintervall (b)
Nherung nicht mehr benutzen kann. Auch in Halbleitern kann in einigen Fllen
das Fermi-Niveau in einem der Bnder liegen, so bei intensiver Bestrahlung mit
Laserlicht oder bei sehr starker Dotierung, wie sie zum Beispiel in Tunnel- oder
Zenerdioden vorhanden ist.
2.2.3 Teilchenkonzentration in den Bndern
Die Konzentration n(E) der Elektronen pro Energieintervall dE ergibt sich aus der
Konzentration der mglichen Zustnde, multipliziert mit der Wahrscheinlichkeit,
mit der sie besetzt sind,
n(E )dE = gc (E ) fe (E )dE
(2.11)
Das entspricht der berlagerung der beiden Kurven gc(E) und f(E) von
Abb. 2.5. (Wir zhlen jetzt alle Energiewerte von den jeweiligen Bandrndern aus.)
Eine solche berlagerung von Wurzelfunktion und Exponentialfunktion luft auf
die auf der rechten Seite dieser Abbildung gezeigten Kurven hinaus. Betrachten
wir beispielsweise die Elektronenkonzentration im Leitungsband in Abhngigkeit
von der Energie. Unmittelbar ber dem Bandrand steigt sie erst einmal an, denn die
mit E ansteigende Zustandsdichte stellt immer mehr Zustnde bereit. Gleichzeitig nimmt die Wahrscheinlichkeit, mit der diese Zustnde besetzt werden knnen,
aber immer mehr ab. Dieser Abfall wird durch die Boltzmann-Verteilung
58
bestimmt, die proportional zur Exponentialfunktion f(E) = exp((E EF)/(kBT))

ist. An einer Stelle im Energiebereich oberhalb des Bandrandes kippt die Kurve
n(E) um, sie steigt dann nicht mehr an, sondern fllt steil ab. Man kann zeigen,
dass dies bei der Energie E = kBT/2 der Fall ist.
Fr die Verteilung der Elektronen auf die einzelnen Energiezustnde interessiert
man sich vor allem in der Optik. Fr die Leitfhigkeitseigenschaften dagegen ist
vorwiegende die gesamte Konzentration n der Elektronen im Leitungsband (und
hnlich auch die Konzentration der Lcher im Valenzband) wichtig. Diese erhlt
man daraus durch Summation ber alle Energien. Diese Summation wird natrlich
zur Integration, also
(2.12)
gc ( ) fe ( )d
n=
Dabei haben wir angenommen, dass die energetischen Zustnde bis zu groen Energien
noch nach der Beziehung (2.3) quadratisch von k abhngen, was eigentlich nur in der Nhe
der Bandkante gilt. Da aber die Verteilungsfunktion fe rasch kleiner wird, macht man dort
keinen groen Fehler mehr, wenn man nicht exakt rechnet. Wir gehen sogar so weit, die
Integration bis unendlich auszudehnen; dadurch wird das Integral spter wenigstens in einigen Spezialfllen noch lsbar.
Nun entsteht mit (2.5) und (2.7)
n = gc (E ) f e (E )dE =
0
2m
2 e 2e
(2)3
=
2
1
dE
E ( EF Ec )
1 + exp
kBT
(2.13)
Wir fhren jetzt zwei Substitutionen durch:
kBT
und
( EF Ec )
c .
kBT
(2.14)
Damit nimmt (2.13) folgende Gestalt an:

2m
n=
2 e 2e
3
(2)
=
2
( kBT )
1
d .
1 + exp ( c )
(2.15)
Fr das Integral
F 1 (c )=
2
1
d
1 + exp ( c )
(2.16)
kann kein geschlossener Ausdruck angegeben werden, es ist aber in einigen Halbleiterbchern tabelliert (vgl. z. B. [Blakemore 1982b]). Es heit Fermi-Integral (der Ordnung 1/2).
Auf den Webseiten zum Buch ist eine MATLAB-Funktion zu finden, die die Berechnung
von Fermi-Integralen mit sehr guter Genauigkeit erlaubt.
59
Weil der Vorfaktor in (2.15) reichlich kompliziert aussieht, fhrt man gern zwei
Abkrzungen ein:
3/ 2
m k T
N c = 2 e e B
2= 2
(2.17)
ist die sog. effektive Zustandsdichte der Leitungsbandzustnde (mit Nc =

2,73 1019 cm3 fr Silizium);11
m k T
Nv = 2 h B
2 = 2
3/ 2
(2.18)
ist analog die effektive Zustandsdichte der Valenzbandzustnde (mit Nv =

1,08 1019 cm3 fr Silizium). Im Vergleich mit (2.17) fehlt hier eine Variable
h. Wir wollen uns aber daran erinnern, dass wir stets nur von einem Valenzband ausgehen.
Dann lsst sich die gesamte Elektronenkonzentration im Leitungsband kurz
schreiben als
n = N cF 1 (c ).
(2.19)
In den meisten Fllen bentigt man die Fermi-Verteilungsfunktion (2.7) nur mit
der Boltzmann-Nherung fr die Verteilungsfunktion, die durch (2.9) gegeben ist.
In diesem Falle knnen wir das Integral vereinfachen und erhalten eine schlichte
Exponentialfunktion
F 1 (C )=
2
exp ( C ) d =
3
eC = eC .
2
( 3 2 ) = ( ) 2 ist die Gamma-Funktion. Es ergibt sich schlielich:
n = Nc e
EF Ec
kBT
(2.20)
fr das Leitungsband und

11 Hinweis:
In (2.17) steht ein Ausdruck e me3/2. In einigen anderen Lehrbchern wird

dieses Produkt als effektive Zustandsdichtemasse der Leitungselektronen definiert,
was aber physikalisch wenig gerechtfertigt ist. Beim Vergleich von Zahlenwerten ist
der Unterschied jedoch zu beachten, das heit, es ist dann der dort definierte Wert durch
e2/3 zu dividieren, um auf die hier benutzten Werte zu kommen.
60
p = Nv e
E v EF
kBT
(2.21)
fr das Valenzband.
Diese Ausdrcke wrden uns schon erlauben, n und p auszurechnen, stnde
nicht in den Gleichungen noch die unbekannte Fermi-Energie EF. Deren Lage kennen wir im Moment nicht. Wenn wir jedoch (2.20) und (2.21) multiplizieren, fllt
EF heraus und wir erhalten:
n p = Nc N v e
E E
c v
kBT
= Nc N v e
Eg
kBT
(2.22)
Jetzt sind alle Gren auf der rechten Seite bekannt. Sie hngen von den
Ladungstrgerkonzentrationen nicht mehr ab. Dies ist nichts anderes als die Widerspiegelung des von der Chemie her bekannten Massenwirkungsgesetzes, aufgeschrieben fr die Reaktion
Elektron + Loch l Energie.
In einem reinen oder intrinsischen Halbleiter12 sind keine Strstellen vorhanden. In ihm muss die Zahl der Elektronen im Leitungsband gleich der Zahl der
Lcher im Valenzband sein, da beide immer nur paarweise erzeugt werden knnen:
n = p. Wir nennen diese Konzentration intrinsische Ladungstrgerkonzentration
ni. Damit knnen wir schreiben
ni = N c N v e
Eg
2 kBT
(2.23)
Die Gre ni wird benutzt, um (2.22) in der kurzen Form
np = ni2
(2.24)
verwenden zu knnen. ni kann man in zweierlei Hinsicht interpretieren: Einmal
ist ni die intrinsische Ladungstrgerkonzentration, also die Konzentration der

Elektronen und Lcher, die sich gem (2.23) in einem reinen Halbleiter einstellt. Andererseits drfen wir ni2 aber auch einfach als eine Konstante ansehen, die fr die Einstellung des Gleichgewichts in Gleichung (2.24) sorgt, und
zwar unter beliebigen Bedingungen, auch in einem Halbleiter, in dem durch
Dotierung oder auf andere Weise eine der Konzentrationen bereits vorgegeben
ist.
12
auch Eigenhalbleiter, engl. intrinsic semiconductor
61
Die in (2.22) im Exponenten stehende Gre hat den Charakter einer Aktivierungsenergie. Man kann sich vorstellen, dass durch Energiezufuhr ein Elektron
mittels einer Energie Eg/2 aus der Mitte der verbotenen Zone ins Leitungsband
angehoben und gleichzeitig ein Loch mittels einer gleich groen Energie ins
Valenzband hinuntergedrckt wird; auf diese Weise ist keines der beiden Teilchen bevorzugt. Das Bezugsniveau in der Bandmitte ist die im folgenden noch zu
bestimmende Fermi-Energie.
Wenn dieses Bezugsniveau aus der Bandmitte an eine andere Position rckt
was zum Beispiel in Halbleitern mit Strstellen der Fall ist , so vergrert sich
zwar die Aktivierungsenergie eines der Teilchen, gleichzeitig verringert sich die
andere Aktivierungsenergie um denselben Betrag, so dass ihre Summe weiterhin
Eg bleibt.
Zahlenwerte fr die effektiven Zustandsdichten und die intrinsische Ladungstrgerkonzentration ni der wichtigsten Halbleiter bei Zimmertemperatur sind in
Tabelle 2.3. angegeben, die Werte sollen Sie zur bung selbst ausrechnen
(Aufgabe 2.4 und Aufgabe 2.5). Fr Silizium kann man sich grob ni = 1010 cm3
merken. In der Praxis knnen Substanzen nie so rein hergestellt werden, dass die
Ladungstrgerkonzentration in der Grenordnung von ni liegt. Die tatschlichen
Werte liegen in der Regel um mehrere Grenordnungen darber. Insofern ist ni
lediglich ein Rechenwert, wenn auch ein beraus ntzlicher.
Tabelle 2.3. Effektive Zustandsdichten und intrinsische Ladungstrgerkonzentration der
wichtigsten Halbleitersubstanzen bei 300 K
Halbleiter
Nc /cm3
Nv /cm3
ni /cm3
Si
2,73 1019
1,08 1019
6,71 109
1019
1018
2,14 1013
Ge
1,04
5,42
GaP
3,33 1019
9,96 1018
1,892 100
GaAs
4,25 1017
9,96 1018
2,25 106
InSb
3,98 1016
1,17 1019
2,10 1016
Beispiel 2.1
Durch Dotierung werde eine Elektronenkonzentration im Silizium von n = 1016 cm3
vorgegeben. Wie gro ist dann die Konzentration p der Lcher?
Lsung:
Die Lcherkonzentration ergibt sich unter Verwendung von (2.24) zu
10
3
ni2 10 cm
p=
=
= 10 4 cm3
n
1016 cm3
62
Um sich einen berblick zu verschaffen, kann man im Silizium stets erst einmal mit
ni = 1010 cm3 rechnen. Wie Sie sehen, ist die Lochkonzentration nur noch sehr klein
nur 10000 Lcher pro Kubikzentimeter! Das ist schon eher eine fiktive Rechengre.
Der genaue Wert ist brigens
6,71 109 cm 3
n2
p= i =
n
1016 cm 3
= 4,5 103 cm 3
Dass die Lcherkonzentration gerade kleiner wird, wenn die Elektronenkonzentration wchst, knnte vielleicht im ersten Moment verwunderlich sein. Wir mssen
jedoch bedenken, dass es sich um ein dynamisches Gleichgewicht in einer chemischen
Reaktion handelt, bei der sich ein Elektron und ein Loch finden mssen, um ein Photon zu erzeugen. Erhhen wir in Gedanken die Konzentration der Elektronen, so ist es
fr ein einzelnes Loch aussichtsreicher, ein Elektron zu treffen und zu rekombinieren,
so dass die Lcherkonzentration abnimmt
2.2.4 Bestimmung der Fermi-Energie
Oftmals ist es notwendig, die Lage der Fermi-Energie EF zu kennen. Fr den reinen Halbleiter gehen wir wieder von (2.20) und (2.21) aus und setzen diesmal
beide gleich. Das drfen wir wegen der Neutralittsbedingung13 n = p tun:
Nc e
EF Ec
kBT
= Nv e
E v EF
kBT
(2.25)
Logarithmieren beider Seiten der Gleichung und Auflsen nach EF liefert:

E + Ev kBT N v
EF = c
+
ln
Nc
2
2
(2.26)
oder
EF =
Ec + Ev kBT
m 3/ 2
ln h
.
+
2
2
e me3 / 2
(2.27)
Die soeben definierte Fermi-Energie im reinen Halbleiter bezeichnet man oft

auch mit dem Buchstaben Ei (vgl. hierzu Aufgabe 2.6). Ohne den logarithmischen
zweiten Term lge sie genau in der Mitte der verbotenen Zone. Der zweite Summand bringt hierzu nur eine kleine, schwach temperaturabhngige Korrektur.
13 Die
Konzentration der positiven Ladungstrger muss gleich der Konzentration der negativen Ladungstrger sein.
2.3 Halbleiter mit Strstellen
63

2.3.1 Donatoren und Akzeptoren
Das Einbringen von Strstellen bei der Zchtung heit Dotierung. Die technisch
interessantesten Strstellen besitzen in der Regel ein Bindungselektron mehr oder
weniger als das zu ersetzende Wirtsgitteratom. In der Praxis sind, je nach Substanz,
Dotierungskonzentrationen von etwa 1014 bis 1020 cm3 blich. Dotierungen knnen in verschiedenen Formen auftreten:
Donatoren: Donatoren sind Atome, die ein Bindungselektron mehr besitzen als
das Wirtsgitteratom, welches sie ersetzen. Die Atome der 5. Hauptgruppe haben
zum Beispiel fnf Valenzelektronen im Gegensatz zum Silizium, das nur vier
besitzt. Dieses fnfte Valenzelektron wird zur chemischen Bindung im Kristallgitter nicht bentigt und knnte sich deshalb im Prinzip frei durch den Halbleiter bewegen. Allerdings unterliegt es ja noch der Coulomb-Anziehung durch die
nicht abgesttigte Ladung des Atomkerns (vgl. Abb. 2.6).
Ein Beispiel ist Phosphor in Silizium.
Bei III-V-Halbleitern hngt es davon ab, welches Atom ersetzt wird, wenn eine
eingebaute Strstelle als Donator wirken soll. Beispielsweise stellen im GaAs
die folgenden Elemente Donatoren dar:
Sauerstoff oder Schwefel (6 Valenzelektronen) auf As-Platz (5 Valenzelektronen),
Silizium (4 Valenzelektronen) auf Ga-Platz (3 Valenzelektronen).
Akzeptoren: Akzeptoren sind Atome, die ein Bindungselektron weniger besitzen
als das zu ersetzende Wirtsgitteratom. Das fehlende, zur Bindung aber bentigte
Valenzelektron wird gleichzeitig mit einem Loch erst erschaffen. Somit ist
weiterhin Neutralitt gewhrleistet. Das Loch bewegt sich wie umgekehrt
beim Donator das Elektron im Coulomb-Feld der gegenber dem Wirtsgitteratom negativen Kernladung. Ein Beispiel fr einen Akzeptor ist Bor (3 Valenzelektronen) im Silizium (4 Valenzelektronen). Im GaAs sind Akzeptoren:
Zink (2 Valenzelektronen) auf Ga-Platz (3 Valenzelektronen),
Silizium (4 Valenzelektronen) auf As-Platz (5 Valenzelektronen).
zustzliches Elektron
(wird nicht zur chemischen
Bindung bentigt)
Si : Si : Si : Si
..
..
Si : Si : Si
..
..
Si
..
Si : Si :
: Si
..
..
..
..
..
..
..
Si : Si : Si : Si
Abb. 2.6 Ebenes Bindungsmodell fr einen Donator:

Phosphor in Silizium
64
Viel treffendere Bezeichnungen fr Donator und Akzeptor wren eigentlich die

Namen Elektronenspender und Lochspender.
Isoelektronische Strstellen: In einigen Fallen sind auch noch weitere Strstellentypen von Bedeutung. Fremdatome, die genau so viele Bindungselektronen
besitzen wie das Wirtsgitteratom, heien isoelektronische Strstellen. Sie sind
nur hinsichtlich ihrer optischen Eigenschaften interessant, bringen jedoch keine
Ladungstrger ein. Beispielsweise sorgt die isoelektronische Strstelle Stickstoff im GaP fr das intensive grne Leuchten der GaP-Lumineszenzdioden.
2.3.2 Bindungsenergie von Ladungstrgern an Strstellen
Betrachten wir jetzt der Einfachheit halber einen Donator, wie Phosphor im Silizium. Vier seiner fnf Valenzelektronen werden fr die Ausbildung der gemeinsamen kovalenten Bindung mit den benachbarten Siliziumatomen bentigt. brig
bleiben ein fnftes Valenzelektron und eine positive Kernladung.
Damit haben wir fast dasselbe Modell vor uns wie im Abschn. 1.2 beim Wasserstoffatom: Ein einzelnes Elektron bewegt sich im Feld einer positiven Atomladung. Der Unterschied besteht lediglich darin, dass das Elektron jetzt die effektive
Masse me und nicht m0 trgt (da es sich ja im Halbleitermaterial befindet) und dass
in der Coulombkraft die Dielektrizittskonstante 0 durch diejenige im
Material 0 zu ersetzen ist. Die Energiewerte der Donatorzustnde liegen unterhalb des Leitungsbandrandes.
Wenn wir die Leitungsbandzustnde als die (im Halbleiter) freien Zustnde
ansehen, ergibt sich die Bindungsenergie eines Elektrons am Donator, vom Leitungsbandrand aus gerechnet, in Analogie zu Abschn. 1.2 wie folgt:
a) Energie des Grundzustands:
me
m
1 e
Ee = Ec ED =
= 13, 6 eV 0
2 40 ae
2
2
(2.28)
(ED kennzeichnet im Gegensatz zu Ee die Absolutlage des Donatorzustands.)

b) Bohrscher Radius des Grundzustands
ae = = 2
40
me e
= aB
me
m0
= 5, 29 1011 m
.
me
m0
(2.29)
65
Beispiel 2.2
Bestimmen Sie die rumliche Ausdehnung (mit anderen Worten, die Bohrschen
Radien) und die Bindungsenergien einiger Donatoren und Akzeptoren in verschiedenen
Halbleitern.
Lsung:
Wir verwenden die folgenden Daten:
- Bindungsenergie des Elektrons im Wasserstoffatom: 13,6 eV,
- zugehriger Bohrscher Radius des Elektrons: aB = 5,29 10 9 cm.
Es mssen nur die entsprechenden Werte fr und me bzw. mh aus Tabelle 2.1. entnommen und in die Gleichungen (2.28) und (2.29) eingesetzt werden. Die Ergebnisse sind
in Tabelle 2.4. zu finden. Dort sind auch einige experimentelle Daten zum Vergleich
angegeben. Die Grenordnung liegt bei den Bindungsenergien im Bereich von Millielektronenvolt, bei den Bohr-Radien bei einigen Nanometern.
Vergleichen Sie insbesondere den Bohrschen Radius eines Elektrons am Donator in
Silizium von ca. 2 nm dieser Wert verdeutlicht die Ausdehnung des Strstellenzustands mit dem Silizium-Atomradius, der nur ungefhr 0,12 nm gro ist.
Anmerkung: In der Halbleiterliteratur wird hufig die so genannte effektive Zustandsdichtemasse angegeben, welche die Vieltalstruktur bereits enthlt, me* = mee2/3 (vgl.
Funote 11 auf Seite 59). Die so definierte Masse eignet sich aber nicht fr die Berechnung der Donatorbindungsenergien in Silizium. Statt 33,5 meV wrde sich nmlich ein
um den Faktor e2/3 = 62/3 = 3,3 grerer Wert ergeben, also 110,5 meV.
Tabelle 2.4. Einige Bindungsenergien und Bohrsche Radien von Elektronen an Strstellen,
alle Angaben beziehen sich auf 300 K. Aus [Madelung 1996], [Yu and Cardona 2001] und
[Shur 1990]
SiDonator
m
------e
m0
11,4
SiAkzeptor
Bohrscher
Radius
ae oder ah
in cm
Berechnete
Bindungsenergie
Ee oder Eh
in meV
Experimentelle
Bindungsenergie
Ee oder Eh
in meVa
0,32
1,88 10 7
(= 1,88 nm)
33,5
Si:Sb 43
Si:P 46
Si:As 54
0,578
1,06 10
59,7
Si:B 44
Si:Al 69
Si:Ga 73
5,8
GaAs:Si 5,84
GaAs:Se 5,79
0,73
ca. 0,7
GaAsDonator
12,4
0,0665
9,9 10
InSbDonator
15,9
0,0136
6,18 10
a Bezogen auf die jeweilige Bandkante des Halbleiters
66
Da Elektronen in der Regel den energetisch tiefsten Zustand einnehmen mchten, sollten sie an die Strstelle gebunden sein. Wird allerdings hinreichend Energie zugefhrt, kann das Teilchen ins Leitungsband frei gesetzt werden und damit
zur elektrischen Leitfhigkeit beitragen. Damit haben wir eine ergiebige Quelle fr
Ladungstrger gefunden: Wir mssen Halbleiter nur gengend hoch dotieren und
so viel Energie zufhren, dass die Ladungstrger alle im Band sind.
Bei Akzeptoren sind die Verhltnisse umgekehrt: Sie steuern einen positiven
Ladungstrger, also ein Loch, bei, das ebenfalls durch den Halbleiter wandern
kann. Auch jetzt haben wir es wieder mit einem wasserstoffhnlichen System zu
tun, nur mit negativer Ladung im Kern, der von einer positiven Ladung umkreist
wird. Die Energie und der Bohrsche Radius ergeben sich also nach denselben Formeln, allerdings liegen jetzt die Energiewerte oberhalb des Valenzbandrandes.
Das Wasserstoffatom ist ein typisches Beispiel dafr, wie einzelne physikalische
Modelle in ganz unterschiedlichen Bereichen der Physik Anwendung finden:
Auer im Wasserstoffatom selbst fanden wir es soeben bei Strstellen im Halbleiter wieder. Darber hinaus dient es aber auch zur Beschreibung der Wechselwirkung bei Elementarteilchen, also in einem ganz anderen Gebiet als der Halbleiterphysik: Ein Elektron kann nmlich mit dem korrespondierenden positiv geladenen
Teilchen, dem Positron, auch wieder einen gebundenen Zustand bilden, der wiederum mit dem gleichen Modell beschrieben wird. Nur die in die Berechnung eingehenden Parameter und demzufolge die Bindungsenergien sind jeweils ganz verschieden.
Am Rande sei vermerkt, dass es in Halbleitern noch weitere Gebilde gibt, bei denen sich
Bindungsenergien gem einem Wasserstoffmodell ergeben. Ein Beispiel (bei optischer
Anregung zu beobachten), ist das Exciton, bestehend aus einem Elektron und einem Loch,
die sich beide gegenseitig umkreisen bis sie sich schlielich auffressen und zerstrahlen.
Die Analogien gehen sogar noch weiter. So wie sich aus zwei Wasserstoffatomen ein
Wassermolekl (H2) bilden kann, so kann bei einem Donator (negativer Rumpf plus zugehriges gebundenes Elektron), der in der Nhe eines Akzeptors (positiver Rumpf plus zugehriges gebundenes Loch) sitzt, auch eine Moleklbindung entstehen: ein DonatorAkzeptor-Paar. Solche Paare besitzen tatschlich eine Art Molekl-Bindungsenergie. In der
Optoelektronik spielen sie zum Beispiel als Zink-Sauerstoff-Paare im GaP eine Rolle, weil
dadurch die Emissionswellenlnge vom Grnen zum Roten hin verschoben wird.
2.3.3 Ladungstrgerkonzentration bei Anwesenheit von Strstellen
Im Gleichgewicht muss ein homogener Halbleiter nach auen und in jedem Teilvolumen elektrisch neutral sein. Die Neutralittsbedingung fr die Ladungstrger
und die ionisierten Strstellenrmpfe in einem Halbleiter lautet:
N D+ + p = N A + n .
(2.30)
67
ND+ ist die Konzentration der nicht mit einem Elektron besetzten (d. h. ionisierten) Donatoren, NA ist die Konzentration der ionisierten, also nicht mit einem
Loch besetzten Akzeptoren. Im Gegensatz dazu soll ND die Konzentration aller
(geladenen und neutralen) Donatoren und NA die Konzentration aller Akzeptoren
sein.
Falls nur Donatoren vorhanden sind, fllt NA weg. Wenn wir jetzt noch p nach
dem Massenwirkungsgesetz (2.24) ersetzen und (2.30) nach n auflsen, erhalten
wir
N+
N+
n= D + D
2
2
+ ni2 .
(2.31)
Nur das Pluszeichen ist vor der Wurzel sinnvoll, denn sonst wrden sich negative
Konzentrationen ergeben.
Die Gesamtzahl der Elektronen im Leitungsband setzt sich demnach aus zwei
Anteilen zusammen: einem Anteil, der von den Donatoren stammt und infolgedessen ionisierte Donatorrmpfe mit einer Konzentration ND+ zurcklsst und einem
zweiten Anteil, der aus dem Valenzband stammt und dort Lcher zurcklsst. Die
Energie, die bentigt wird, um ein Elektron von seinem Donator zu lsen, ist
jedoch viel kleiner als die, die zum Anheben aus dem Valenzband erforderlich ist.
Deshalb wird der erste Prozess bereits bei viel niedrigeren Temperaturen einsetzen
als der letzte.
Im Einzelnen mssen wir mit wachsender Temperatur von T = 0 an folgende
Bereiche unterscheiden:
(1) Extrem tiefe Temperaturen
Bei extrem tiefen Temperaturen, in der Nhe des absoluten Temperaturnullpunkts,
reicht die thermische Energie nicht aus, um Elektronen von den Donatorniveaus zu
lsen und ins Leitungsband zu bringen. Aus dem Valenzband gelangen erst recht
keine Elektronen dahin, da fr bergnge von dort aus ein noch grerer Energiebetrag bentigt wrde. Es ist also n = 0.
Das Fermi-Niveau liegt jetzt brigens nicht mehr etwa in der Mitte der verbotenen Zone, sondern oberhalb der Doantorniveaus. Das ist auch verstndlich, denn es
muss sich ja oberhalb aller besetzten Zustnde befinden.
(2) Mittlere Temperaturen
Mit hher werdender Temperatur knnen aus dem Valenzband immer noch keine
Elektronen ins Leitungsband gehoben werden; dies ist zum Beispiel daran zu
erkennen, dass die Exponentialfunktion in n i = N c N v exp ( E g ( 2k B T ) ) sehr
klein wird. Die Strstellen sind jedoch trotzdem schon teilweise ionisiert und setzen damit Elektronen ins Leitungsband frei: (2.31) wird zu n = ND+. Diese Situation bezeichnet man als Strstellenreserve. Wir erhalten eine exponentielle Abhngigkeit der Zahl der freigesetzten Elektronen von der Temperatur:
68
n = Nc
E
ND
exp e ,
g
2kBT
wobei Ee = Ec ED .
(2.32)
g ist ein Faktor, der die Vielfachheit der Bandzustnde angibt, zu denen die Strstelle gehrt (Entartungsfaktor14). blicherweise wird g = 2 gesetzt. Korrekter
wre jedoch die Bercksichtigung der Tlerzahl e.
Zur Begrndung der Beziehung (2.32) mssten wir von dem folgenden Ausdruck ausgehen:
1
1
N D+ = N D 1
.
= ND
1
E
E
E D EF
1 + exp D
F
1
+
g
exp
g
kBT
kBT
(2.33)
Diese Formel erinnert an die Fermi-Verteilungsfunktion der Leitungsbandelektronen (2.7),

ihre Herleitung wrde allerdings tiefere Kenntnisse der statistischen Physik erfordern. Wenn
die Fermi-Energie oberhalb des Strstellenniveaus liegt dies wird erst weiter unten
gerechtfertigt , wird E D E F negativ, und die Exponentialfunktion bei niedrigen Temperaturen wegen k B T E D E F sehr gro. Man kann in diesem Fall auch hier wieder nhern
N D+ = N D
E EF
1
N
D exp D
.
ED EF
g
kBT
1 + g exp
kBT
(2.34)
Bilden wir das Produkt von ND+ aus (2.34) mit n aus (2.19), so fllt die Fermi-Energie heraus,
E Ec N D
E EF
N D ED Ec
nN D+ = N c exp F
exp D
= Nc
.
k
T
g
k
T
g kBT
B
(2.35)
Nun mssen wir nur noch bercksichtigen, dass die Leitungsbandelektronen in diesem Fall
allein von den Donatoren stammen, so dass n = ND+. Dann knnen wir auf beiden Seiten die
Wurzel ziehen und erhalten schlielich (2.32).
Analog zum Vorgehen in Abschn. 2.2.4 bei der Ableitung von (2.26) ergibt sich
hier fr die Lage der Fermi-Energie
EF =
ED + Ec kBT
N
+
ln D ,
2
2
gN c
(2.36)
sie liegt nun etwa in der Mitte zwischen dem Leitungsbandrand und dem Strstellenniveau.
14 Die
Bezeichnung Entartung an dieser Stelle hat unmittelbar nichts mit der Entartung
in der Fermi-Verteilungsfunktion zu tun.
69
(3) Normale Temperaturen (etwa Zimmertemperatur)15

Unter den Bedingungen, bei denen Bauelemente blicherweise betrieben werden,
also bei Zimmertemperatur oder etwas hher, sind alle Strstellen ionisiert,
ND = ND+ (Strstellenerschpfung). Die Zahl der Elektronen, die durch Anregung
aus dem Valenzband entstehen, ist immer noch zu vernachlssigen, so dass wir
n = ND
(2.37)
setzen knnen. Dies ist die fr Anwendungen wichtigste Situation. Insbesondere

bei Bauelementen wird dieser Fall in der Regel schon der Einfachheit halber vorausgesetzt.
Im gesamten bisher besprochenen Temperaturbereich lsst sich die Elektronenkonzentration im Leitungsband aus der Formel (2.33) ableiten, wenn wir die Konzentration n der Leitungselektronen und die Konzentration ND+ gleichsetzen. Leider steht aber im Nenner von
(2.33) noch die Fermi-Energie, die ebenfalls von n abhngt. Sie ersetzen wir mit Hilfe der
Beziehung
exp
EF
n
E
=
exp c ,
kBT N c
kBT
(2.38)
die nichts anderes ist als die Vorschrift zur Berechnung der Elektronenkonzentration im Leitungsband (2.20), hier nur etwas umgestaltet.
Durch Ersetzen des Exponentialausdrucks in (2.33) mit Hilfe von (2.38) bekommen wir
n
=
ND
1
1+ g
E ED
n
exp c
Nc
kBT
1
.
n
E
1+ g
exp e
Nc
kBT
(2.39)
Wenn wir jetzt beide Seiten mit dem Nenner multiplizieren, erhalten wir die folgende
quadratische Gleichung
n2 + n
E N N
E
Nc
exp e c D exp e = 0.
g
k
T
g
B
kBT
(2.40)
Ihre Lsung lautet

n=
E
Nc
exp e
2g
kBT

1 +

1+
E
4 gN D
exp e
Nc
kBT
(2.41)
15 Die Bezeichnung Zimmertemperatur ist natrlich nur als grober Richtwert zu verstehen.
Tatschlich hngt die Einteilung der Temperaturbereiche von der Hhe der Dotierung ab.
70
Durch Umkehrung von (2.20) erhalten wir aus der Elektronenkonzentration die Fermi-Energie:
1
n
E
EF = kBT ln = kBT ln exp e 1 +
2g
kBT
Nc
1+
E
4 gN D
exp e .
Nc
kBT
(2.42)
(4) Hohe Temperaturen (weit oberhalb der Zimmertemperatur)

Zustzlich zu den von den Donatoren frei gesetzten Elektronen kommt bei sehr
hohen Temperaturen ein groer Anteil von Elektronen durch Anregung aus dem
Valenzband ins Leitungsband. In (2.31) sind dann ni und ND+ von vergleichbarer
Grenordnung.
Mit wachsender Temperatur berwiegt schlielich der Anteil der aus dem
Valenzband kommenden Ladungstrger (n p ND+), und wir haben dann
n ni
(2.43)
Die vergleichsweise geringe Zahl der von den Donatoren gelieferten Elektronen
spielt dann kaum noch eine Rolle, es liegt Eigenleitung wie beim reinen Halbleiter
vor.
Diese Situation ist meist unerwnscht, da sich viele Eigenschaften von Bauelementen dann ndern. Um das beim bergang zu hherer Temperatur zu vermeiden, hilft es nur, auf Substanzen zurckzugreifen, die einen greren Bandabstand
haben, dann setzt die Eigenleitung erst spter ein. Da die Gap-Energie wie die
Temperatur im Exponenten von n i = N c N v exp ( E g ( 2k B T ) ) steht, macht sich
bereits eine recht kleine Erhhung von Eg dadurch bemerkbar, dass solche Halbleiter erst bei hheren Temperaturen zur Eigenleitung kommen. Als temperaturstabile
Substanzen kommen also solche mit groem Bandabstand in Frage. Silizium ist
geeigneter als Germanium, noch besser sind GaAs oder sogar GaN. In
Aufgabe 2.22 wird der bergang zur Eigenleitung abgeschtzt.
Das Fermi-Niveau rutscht beim bergang zu hheren Temperaturen aus seiner
Lage oberhalb der Strstellenzustnde, wo es sich bei T = 0 befand, heraus. Es liegt
jetzt in der Mitte der verbotenen Zone wie bei einem undotierten Halbleiter.
(5) Zusammenfassende bersicht
Alle vier soeben diskutierten Bereiche sind schematisch in Abb. 2.7 zusammengefasst.
Wie wir sahen, kann die Ermittlung der Elektronenkonzentration im Leitungsband recht kompliziert werden. Glcklicherweise arbeiten jedoch die meisten
Halbleiterbauelemente bei Zimmertemperatur (oder wenig darber), so dass man
es dann mit dem Fall der Strstellenerschpfung zu tun hat, bei dem man einfach
n = ND annehmen kann (Dichte der Leitungsbandelektronen = Dichte der Donatoren). Dies werden wir auch in Zukunft meist tun, ohne noch jedesmal besonders
darauf hinzuweisen. Es ist aber trotzdem wichtig zu wissen, dass diese Annahme
nur auf einen bestimmten Temperaturbereich bei gegebener Dotierungskonzentration begrenzt ist.
71
Elektronenkonzentration
im Leitungsband
4
1
Strstellenerschpfung
Strstellenreserve
100
200
300
400
500
600
700
800
90
900
Temperatur / K
Abb. 2.7 Temperaturabhngigkeit der Ladungstrgerkonzentration in dotierten Halbleitern.

Die gestrichelte ansteigende Kurve rechts ist der Anteil, der allein durch Eigenleitung
zustande kommt. Die Zahlen entsprechen den im Text beschriebenen Temperaturbereichen
Beispiel 2.3
Wie gro ist die Konzentration von Elektronen in einer Siliziumprobe mit einer Donatordotierung von 1017 cm3 bei Zimmertemperatur? Alle Donatoren seien dabei schon
ionisiert, das heit, sie haben ihr Elektron an das Leitungsband abgegeben.
Lsung:
Unter den genannten Bedingungen ist die Elektronenkonzentration mit guter Genauigkeit gleich der Donatorkonzentration, n = ND; die Konzentration der Lcher ergibt sich
jetzt nach dem Massenwirkungsgesetz (2.24),
6,71 109 cm 3
ni2
p=
=
ND
1017 cm 3
= 450 cm 3 ,
das ist ein extrem kleiner Wert. Elektronen- und Lochkonzentration sind in diesem
Falle also im Gegensatz zu einem reinen Halbleiter sehr verschieden. Die Elektronen
sind hier Majorittstrger, die Lcher Minorittstrger.
Zum Abschluss wollen wir noch einmal auf die oben angefhrten exponentiellen Temperaturabhngigkeiten der Ladungstrgerkonzentration zurckkommen.
Im Falle der Eigenleitung war sie durch Gl. (2.23) und im Falle der Strstellenleitung bei tiefen Temperaturen durch Gl. (2.32) bestimmt. In beiden Fllen ergab
sich ein Term, der proportional ist zu exp { E ( 2k B T ) } . Wenn man die gemessene
Ladungstrgerdichte im Band halblogarithmisch wie in Abb. 2.8 auftrgt kann man
aus einem solchen Bild sehr gut die Energien E bestimmen, die in dem Exponenten
stehen.16
16 Die
uerst schwache Temperaturabhngigkeit von Nc und Nv unter der Wurzel von

(2.23) und (2.32) wirkt sich gegenber der viel strkeren im Exponenten kaum aus.
72
Eg
2kB
Abb. 2.8 Exponentielle Temperaturabhngigkeit der Ladungstrgerkonzentration ber 1/T. Die Ladungstrgerkonzentration kann experimentell ber Leitfhigkeitsmessungen bestimmt werden
Strstellenleitung
Anstieg ~
Ee
2k B
Anstieg ~
Eigen- gemischte
leitung
Leitung
ln n
1/T
2.4 Die Bewegung von Ladungstrgern

Fr die Bewegung von Ladungstrgern in einem Halbleiter knnen zwei Grunderscheinungen verantwortlich gemacht werden, und zwar,
Drift und
Diffusion.
Beide knnen zur Bilanz der Ladungstrger in einem bestimmten Raumbereich
beitragen. Fr diese Bilanz ist als weiterer Mechanismus die Generation (Erzeugung) und der umgekehrte Prozess, die Rekombination (Vernichtung), wichtig.
Zunchst untersuchen wir Drift und Diffusion genauer.
2.4.1 Drift
Das Ohmsche Gesetz fr einen geraden Leiter der Lnge l mit konstantem Querschnitt A ist blicherweise in der Form
I=
1
A
U=
U
R
l
bekannt. ist die Leitfhigkeit. Schreiben wir dies mittels Stromdichte j = I A

und elektrischer Feldstrke E = U l auf, erhalten wir
| j | = |E |
(2.44)
Ein Strom entsteht durch Bewegung von Teilchen. In einem Halbleiter haben
wir es prinzipiell mit zwei Sorten von Ladungstrgern zu tun, dementsprechend
73
gibt es auch zwei Stromanteile: den Elektronenstrom und den Lcherstrom. Wir
betrachten jeden Beitrag fr sich.
Eine im Mittel gleichfrmige Bewegung von Teilchen in einer Richtung heit
Drift. Elektronen und Lcher bewegen sich im elektrischen Feld normalerweise
nicht mit konstanter Geschwindigkeit, sondern werden beschleunigt. Durch Ste
geben sie jedoch im Kristall ihre so gewonnene kinetische Energie an Strstellen
oder Gitterschwingungen regelmig wieder ab und werden dadurch gebremst. So
kommt im Mittel eine konstante Geschwindigkeit zustande, hnlich dem Fall einer
Kugel in einem zhen Sirup.
Welche mittlere Geschwindigkeit entsteht nun durch die Balance zwischen elektrischem Feld und Bremseffekt? Wegen der einfacheren Behandlung der Vorzeichen betrachten wir hier die Lcher (Konzentration p); ihre Driftgeschwindigkeit
bezeichnen wir mit vdh. Durch die Querschnittsflche A eines Quaders (Abb. 2.9)
strmen in der Zeiteinheit dt dN Lcher und damit die Ladung dQ = edN =
epAvdh dt hindurch; sie fllt das Volumen Avdhdt aus. Die Lcher, die zu einem
bestimmten Zeitpunkt links hineingelangt waren, befinden sich nach der Zeit dt
gerade am rechten Ende. Damit ergibt sich fr ihre Stromdichte
jh =
1 dQ
= epv dh .
A dt
(2.45)
Analog erhalten wir fr die Elektronenstromdichte (Die Elektronen bewegen

sich gegen die Feldrichtung!):
je =
1 dQ
= env de .
A dt
(2.46)
Dieser Strom heit Driftstrom oder Feldstrom.

Durch Gleichsetzen mit (2.44) kann man die Driftgeschwindigkeiten vde und vdh
mit der elektrischen Feldstrke und der Leitfhigkeit der jeweiligen Trgersorte in
Verbindung bringen:
v dh =
h
E
ep
und v de =
e
E.
en
(2.47)
Der Proportionalittsfaktor zwischen der elektrischen Feldstrke E und der

Driftgeschwindigkeit vd heit Beweglichkeit (engl. mobility); sie wird mit dem
Symbol h beziehungsweise e bezeichnet:
Volumenelement dV = A d dt
dN = pdV Lcher
pro Zeiteinheit
d dt
Abb. 2.9 Zur Ableitung der Driftgeschwindigkeit
74
v dh = hE
und v de = eE .
(2.48)
Die Leitfhigkeit ergibt sich damit zu

h = e h p und e = ee n.
(2.49)
Sie hngt also von zwei wichtigen Gren ab: von der jeweiligen Ladungstrgerkonzentration (p beziehungsweise n) und von der zugehrigen Beweglichkeit (h
beziehungsweise e). Beide Gren werden in unterschiedlicher Weise von der
Temperatur beeinflusst: Wie sich die Ladungstrgerkonzentration mit der Temperatur ndert, haben wir bereits im Abschn. 2.3 skizziert. Dort sahen wir, dass sie
mit wachsender Temperatur zunimmt. Die Beweglichkeit dagegen sinkt berwiegend mit wachsender Temperatur (vgl. Abb. 2.10), zumindest in reinem Silizium.
Das fhrt insgesamt zu einem Verhalten der Leitfhigkeit, wie es in Abb. 2.11 dargestellt ist.
Wre die Leitfhigkeit allein durch die Beweglichkeit bestimmt, msste sie
mit wachsender Temperatur sinken. Diese Situation beobachten wir zum Beispiel
bei Metallen. Bei Halbleitern berlagert sich jedoch die Zunahme der Ladungstrgerkonzentration mit wachsender Temperatur (gestrichelte Kurve in Abb. 2.11).
Beide Effekte zusammen liefern das fr Halbleiter typische Verhalten (durchgezogene Kurve der Abbildung). Es fhrt bei tiefen und hohen Temperaturen zu
einem Anwachsen von mit wachsendem T, im mittleren Temperaturbereich
dagegen zu einem Abfallen.
Aus dem Verlauf der Beweglichkeit ber der Temperatur lsst sich auf den
Streumechanismus im Halbeiter schlieen (vergleichen Sie Aufgabe 2.11). Wir
Elektronenbeweglichkeit
e in cm2 / Vs
10 6
N D 1012 cm-3
10 5
10 4
10 3
N D = 1017 cm -3
10 2
1
10
100
10 3
Temperatur T in K
Abb. 2.10 Beweglichkeit e der Elektronen im

Silizium ber der Temperatur (nach [Singh
1994]).
In reinen Halbleitern (obere Kurve) ist e durch
Streuung an Gitterschwingungen bestimmt. Mit
wachsender Temperatur schwingt das Gitter strker und e sinkt daher.
In dotierten Halbleitern (untere Kurve) wird e,
vor allem bei tiefen Temperaturen, durch Streuung an Strstellen dominiert. Da die Elektronen
mit steigender Temperatur durch ihre grere
thermische Geschwindigkeit schneller an den
Strstellen vorbeifliegen, spren sie deren
Potential weniger. Deshalb wchst e mit steigender Temperatur
75
1017 Elektronenkonzentration
Leitfhigkeit
/ (cm)-1
n / cm-3
10
1016
1015
0,1
1014
0,01
0
T/K
10
500
200
100
20
1000 -1
/K
T
75
300
Abb. 2.11 Elektronenkonzentration n (rechte Skala, gestrichelte Kurve) und Leitfhigkeit (linke Skala, durchgezogene Kurve) ber der reziproken Temperatur in Silizium.
Donatorkonzentration 1015 cm3 (nach [Neamen 1997])
knnen Aussagen ber die Beweglichkeit machen, wenn wir wieder von einer mikroskopischen Vorstellung ausgehen: Wir nehmen an, die bereits erwhnte konstante Driftgeschwindigkeit bilde sich dadurch heraus, dass die elektrische Feldkraft
eE durch eine gleich groe, geschwindigkeitsproportionale Reibungskraft kompensiert wird:
v
m d = eE .
(2.50)
Diese Reibungskraft kommt letztendlich durch verschiedene Stoprozesse der Ladungstrger (zum Beispiel Streuung an Strstellen, Streuung an Gitterschwingungen) zustande.
hat die Dimension einer Zeit und kann als die mittlere freie Flugzeit eines Ladungstrgers
zwischen zwei Sten interpretiert werden. In der Zeit gelangen die Teilchen um eine
Strecke l vorwrts. Diese Strecke heit mittlere freie Weglnge.
Durch Umstellen nach der Driftgeschwindigkeit ergibt sich
vd =
e
E .
m
Wir wissen aus der Definition (2.48), dass der Vorfaktor in dieser Gleichung die Beweglichkeit sein muss. Folglich knnen wir dafr schreiben
=
e
m
(2.51)
Da sich verschiedene Beitrge zur Reibungskraft in (2.50) addieren, mssen sich die
einzelnen mittleren Flugzeiten aus den Einzelanteilen verschiedener Stoprozesse i reziprok addieren,
76

1
=
i
Das ist die so genannte Matthiesen-Regel.
Fr praktische Anwendungen ist es wichtig, die Beweglichkeit bei Zimmertemperatur fr unterschiedliche Strstellenkonzentrationen zu kennen. Wie man schon
anhand von Abb. 2.10 ahnt, wird sie bei hheren Dotierungen kleiner die Strstellen behindern die Ladungstrger immer mehr. Der gesamte Verlauf von ber
der Strstellenkonzentration ist fr Silizium in Abb. 2.12 aufgetragen. hnliche
Abhngigkeiten gelten fr andere Halbleiter. Ein analytischer Ausdruck, der diese
Beziehung wiedergibt, wird im MATLAB-Anwendungsteil benutzt. Es handelt
sich dabei um die Funktionen mye.m und myh.m.
Aus Abb. 2.12 liest man beispielsweise folgende Werte fr die Beweglichkeit im Silizium ab:17
fr die Elektronen: e = 1340 cm2 V1 s 1 bei ND = 1014 cm3,
fr die Lcher: h = 140 cm2 V1 s1 bei ND = 1018 cm3.
Beweglichkeit in cm2 / Vs
104
Elektronen
103
Lcher
102
101
1014
1015
1016
1017
1018
1019
Strstellenkonzentration NA oder ND in cm-3
Abb. 2.12 Beweglichkeit im Silizium bei Zimmertemperatur in Abhngigkeit von der

Dotierung
17 Die
Werte fr Silizium lassen sich natrlich ebenfalls mittels der im Anhang enthaltenen
MATLAB-Funktionen mye.m und mye.m erhalten.
77
Wir wollen auch die Gre der Driftgeschwindigkeiten im Silizium wissen. Bei einer
Feldstrke E = 10 V/cm ergibt sich beispielsweise vde = eE = 134 m/s sowie vdh = 14 m/s.
Im reinen, unkompensierten Galliumarsenid liegen die Beweglichkeiten bei e =
8500 cm2 V1 s1 sowie h = 400 cm2 V1 s1. Im Indiumantimonid (InSb) erreicht die
Elektronenbeweglichkeit sogar 60000 cm2 V1 s1. Die hohe Elektronenbeweglichkeit von
8500 cm2 V1 s1 lsst verstehen, warum man fr schnelle Elektronik GaAs-Bauelemente
einsetzt.
Beispiel 2.4
Ein Stck n-Silizium (Querschnitt 0,5 mm2, Lnge 1 cm) ist mit Strstellen in einer
Hhe von 1017 cm3 dotiert. Wie gro ist der elektrische Strom, der bei einer angelegten Spannung von 5 V fliet? Die Donatoren seien bei Zimmertemperatur alle ionisiert.
Lsung:
Wir entnehmen der Abb. 2.12: e = 825 cm2 V1s1. Daraus folgt
= en = 825 cm 2 V 1s 1 1,602 1019 As 1017 cm 3 = 13, 2 1cm 1
und somit
I = A
U
5V
= 0,005 cm 2 13, 2 1cm-1
= 0,33 A.
l
1 cm
Es muss noch erwhnt werden, dass die Leitfhigkeit in starken elektrischen Feldern
(> 103 V/cm) nicht mehr feldstrkeunabhngig ist. Die Gleichung (2.47) fr die Driftgeschwindigkeit gilt dann nicht mehr, sondern v geht in einen konstanten Wert, unabhngig
von E , ber.
2.4.2 Anwendung: Widerstandsthermometer
Die Temperaturabhngigkeit des elektrischen Widerstands in Halbleitern wird zur

Temperaturmessung mittels Silizium-Sensoren ausgenutzt. Sie haben einen
Arbeitsbereich von etwa 50 C bis 150 C. Bei diesen Temperaturen befinden wir
uns, geeignete Dotierung vorausgesetzt, im Bereich der Strstellenerschpfung,
und die durch Donatoren eingebrachte Ladungstrgerkonzentration im Leitungsband ist konstant. Die Widerstandsnderung ist dann allein durch die Beweglichkeit bestimmt, so dass der Widerstand mit der Temperatur wchst (Abb. 2.13)
Es kommen aber prinzipiell auch Temperaturbereiche zur Widerstandsmessung
in Frage, bei denen sich nicht die Beweglichkeit, sondern vor allem die Ladungstrgerkonzentration ndert:
Zur Messung sehr tiefer Temperaturen (zwischen 0,1 und 100 K) werden Widerstandsthermometer aus Arsen-dotiertem Germanium eingesetzt. In diesem Bereich
ndert sich die Ladungstrgerkonzentration im Leitungsband nach dem Exponentialgesetz (2.32), so dass sich die Form exp ( E e ( 2k B T ) ) ergibt: Der Widerstand R 1 sinkt mit wachsender Temperatur, und wir erhalten demnach eine
negative Kennlinie.
78
Abb. 2.13 Kennlinie des Temperatursensors KTY 10-6. Quelle: [Infineon

Technologies 2004], S. 243. Wiedergabe mit Genehmigung der Infineon
Technologies AG, Mnchen
Bei hohen Temperaturen gilt ein hnliches Gesetz fr , wobei allerdings nun
entsprechend (2.23) die Gap-Energie statt der Strstellenenergie im Exponenten
auftritt. Das Leitfhigkeitsverhalten wird dann meist in der Form
1 1
= 0 exp B ( )
T T0
R/
108
107
106
105
104
103
102
101
100
0
100
200
300
400
T /C
Abb. 2.14
Kennlinie eines
Heileiters, nach
[Heywang 1988]
79
dargestellt. Auch hier ergibt sich wieder eine negative Kennlinie. Solche Bauelemente werden als Heileiter oder NTC-Widerstnde (NTC negative temperature
coefficient) bezeichnet. Es handelt sich dabei meist um (polykristalline) HalbleiterKeramik-Widerstnde. Die Konstante B ist eine Materialkonstante, ihr Wert liegt
zwischen 1500 und 7000 K. T0 ist eine Bezugstemperatur, zu der der Leitfhigkeitswert 0 gehrt. Die typische Kennlinie eines solchen Heileiters ist in
Abb. 2.14 gezeigt.
2.4.3 HALL-Effekt
Wenn ein Strom senkrecht zu den Feldlinien eines Magnetfeldes fliet, wird eine
Querspannung induziert. Dies ist der so genannte Hall-Effekt18. Der Hall-Effekt
ist fr die Ermittlung von grundlegenden Halbleiterdaten, vor allem der Ladungstrgerkonzentration, uerst wichtig, er wird aber auch in technischen Sensoren
hufig ausgenutzt.
Zur Ableitung einer Beziehung fr die Hall-Spannung UH betrachten wir einen
rechteckigen Leiter entsprechend Abb. 2.15. Ein elektrischer Strom fliee von
links nach rechts durch dieses Leiterstck; wir nehmen an, dass es sich um Lcher
handelt, das macht die Vorzeichenbetrachtungen einfacher. Die Lcher bewegen
sich dann auch von links nach rechts. Senkrecht zum Strom liege ein Magnetfeld B
an. Wir wissen, dass ein Ladungstrger im elektrischen und magnetischen Feld die
Lorentz-Kraft erfhrt,
JG
F = e(E + v B )
(2.52)
in dieser Form gilt die Formel fr positive Ladungstrger.
a
B
UH
z
y
x
18 Edwin
Abb. 2.15 Hall-Effekt
Herbert Hall (18551938), amerikanischer Physiker, Studium in Baltimore.

Whrend der Arbeit an seiner doctoral thesis 1879 Entdeckung des Hall-Effekts. 1895
1921 Professor in Harvard.
80
In unserem Falle ist das elektrische Feld zunchst null. So, wie wir unsere Geometrie gewhlt haben, zeigt die Lorentz-Kraft senkrecht nach oben. Das fhrt dazu,
dass sich an der oberen Flche des Leiters positive Ladungstrger ansammeln, die
untere Flche ist durch einen Mangel an Lchern dagegen negativ geladen. Diese
Ladungen werden so lange abgelenkt, bis das durch sie entstehende elektrische
Feld so gro ist, dass es die Kraftwirkung durch das Magnetfeld aufhebt. Die
Gesamtkraft ist dann null. Wir knnen (2.52) dann in der Form
JG
0 = e(E + v B )
(2.53)
schreiben. Da das E -Feld in negativer z-Richtung verluft, knnen wir diese Gleichung skalar wie folgt ausdrcken:
E = v B.
(2.54)
Die (Drift-)Geschwindigkeit drcken wir nach (2.45) durch die Stromdichte j

beziehungsweise den Strom I aus und erhalten
E =
j
I A
B=
B.
ep
ep
(2.55)
A = ab ist die Querschnittsflche. Durch das elektrische Feld entsteht eine Spannungsdifferenz, die Hall-Spannung UH =E a. Fr sie erhalten wir
UH =
1 IB
IB
= RH
ep b
b
(2.56)
mit dem Hall-Koeffizienten RH, der definiert ist durch

RH =
1
.
ep
(2.57)
Fr Elektronen gilt analog

RH =
1
.
en
(2.58)
Der Hall-Koeffizient kann sehr gut aus Messungen von UH, I, B und der Probenbreite b bestimmt werden. Damit bekommt man eine Mglichkeit, die
Ladungstrgerkonzentration p zu ermitteln eine sehr wichtige Gre in der Halbleiterphysik.
Die Formeln sind auch auf den Fall der Elektronenleitung anwendbar, wenn
man berall p durch n ersetzt und e durch e. Dann sieht man, dass der Hall-Koeffizient vom Vorzeichen der Ladungstrger abhngt, mithin lassen sich n- und p-
81
dotierte Halbleiter unterscheiden. Wenn man aus Widerstandsmessungen Werte fr

die Leitfhigkeit gewinnt, kann man dann aus der Beziehung
h = eh p
(vgl. (2.49)) Rckschlsse auf die Beweglichkeit ziehen.
Hall-Messungen lassen sich zur Messung von Magnetfeldern benutzen. Eine
andere Anwendung ergibt sich in Hall-Sensoren. Dort wird ein Halbleiter in der
Nhe eines kleinen Permanentmagneten positioniert. Die nderung der HallSpannung, die beim Annhern eines ferromagnetischen Materials durch die Vernderung des B-Feldes entsteht, kann man gut nachweisen und damit den Hall-Sensor als Positionssensor einsetzen.
Beispiel 2.5
Ermitteln Sie den Hall-Koeffizienten in einem Metall (Silber, Elektronenkonzentration n = 7 1022 cm3) und in einem n-dotierten Halbleiter (n = ND = 1017 cm3).
Lsung:
fr Silber
RH =
1
1
=
= 8,92 1019 C1 cm3 .
en 1,602 1019 As 7 1022 cm 3
(Das negative Vorzeichen entsteht, da die Ladungstrger hier Elektronen sind.)

fr den Halbleiter
RH =
1
1
=
= 62, 4 C1 cm3 .
eN D 1,602 1019 As 1017 cm 3
Der Hall-Koeffizient ist in Halbeitern also viel grer als in Metallen, da die Ladungstrgerkonzentration im Nenner steht. In Metallen ist der Hall-Effekt nahezu nicht messbar.
Der Hall-Koeffizient RH ist nicht zu verwechseln mit dem Hall-Widerstand,

der wie jeder Widerstand durch das Verhltnis von Spannung zu Strom definiert ist,
sich also laut (2.56) zu B/enb ergibt. Demnach msste der Hall-Widerstand dem
Magnetfeld proportional sein. In zweidimensionalen Halbleitern bei sehr niedrigen
Temperaturen und sehr hohen Magnetfeldern wchst er jedoch nicht kontinuierlich, sondern nur in Stufen, wenn B ansteigt. Dieser Quanten-Hall-Effekt wurde
1980 durch Klaus von Klitzing19 entdeckt und dient heute als Grundlage eines
uerst przisen Widerstandsnormals. Als zweidimensionale Struktur wurde brigens der leitfhige Kanal eines Feldeffekt-Transistors benutzt, den wir spter kennenlernen werden.
19 Klaus
von Klitzing (geb. 1943), dt. Physiker, Studium in Braunschweig, Promotion in

Wrzburg, 1980 Professor an der TU Mnchen, seit 1984 Direktor am Max-Planck-Institut fr Festkrperforschung in Stuttgart. Nobelpreis 1985 for the discovery of the
quantized Hall effect.
82
Beispiel 2.6
Die Stufen, in denen sich der Hall-Widerstand unter den erwhnten Bedingungen des
Quanten-Hall-Effekts ndert, sind ganzzahlige Bruchteile des Verhltnisses h/e2, also
allein durch die Plancksche Konstante h und die Elementarladung e bestimmt. Berechnen Sie den Zahlenwert dieser Gre und zeigen Sie, dass sich tatschlich die Dimension eines Widerstands ergibt.
Lsung:
h
e
6,626 1034 J
(1,602 10
19
As
= 2,581 104
VAs 2
A 2s 2
= 2,581 104
V
= 25,81 k .
A
Die Konstante RK = h/e2 heit von-Klitzing-Konstante.

An Schichten aus GaAlAs und GaAs gemessene Widerstandsstufen sind in der folgenden Abb. 2.16 zu erkennen.,
Abb. 2.16 Messungen des Quanten-Hall-Effekts. Nach [Leadley 1996]
2.4.4 Diffusion
Diffusion tritt infolge von Konzentrationsunterschieden auf; sie uert sich in einer
Bewegung von Teilchen aus Gebieten hoher Konzentration zu Gebieten niedrigerer
Konzentration und ist nicht an elektrische Eigenschaften gebunden.
Die Diffusion kann am einfachsten mit Hilfe eines Modells erklrt werden, bei dem man
von einer stndigen mikroskopischen Bewegung aller Teilchen ausgeht. Diese bewegen sich
im Mittel in alle Raumrichtungen mit gleicher Wahrscheinlichkeit. Wir betrachten einen
Halbleiter, in dem sich die Teilchenkonzentration n nur in x-Richtung ndert. An einem
bestimmten Punkt x0 besitzt die Hlfte aller Teilchen wir nehmen an, es seien Elektronen eine Geschwindigkeitskomponente in positiver x-Richtung, die andere Hlfte in negativer x-Richtung (Abb. 2.17). Die Teilchenstromdichte ergibt sich hnlich wie bei der Herleitung von Gleichung (2.46) als Produkt von Teilchenkonzentration und Geschwindigkeit20
zu ( n L 2 ) v fr die von links nach rechts fliegenden Teilchen und ( n R 2 ) v fr die von
rechts nach links fliegenden Teilchen. Ihre Differenz ist ( ( n L n R ) 2 ) v . Die Geschwindig-
83
Abb. 2.17 Zur Ableitung der

Diffusionsgleichung
n
nL
n L nR
nR
l
l
nR/2
nL/2
x0
keit v kann durch die mittlere freie Flugzeit und die mittlere freie Weglnge ausgedrckt
werden. Wenn wir dann noch mit der Ladung e multiplizieren, erhalten wir als Diffusionsstrom der Elektronen
jeDiff = e
nL nR l
.
2
Die relative nderung der Teilchenkonzentrationen in sehr kleinen mikroskopischen

Bereichen wird dieselbe sein, egal ob wir sie auf einer Lnge l oder einer Lnge
dx betrachten. Daher knnen wir schreiben
nL nR
dn ( x )
=
.
l
dx
Damit ergibt sich
je Diff = e
nL nR l
1 dn l 2
= e
.
2
2 dx
2
Hier knnen wir D e = l 2 abkrzen.
Der Diffusionsstrom der Elektronen (und analog der Lcher) ergibt sich damit
schlielich zu
je Diff ( x) = eDe
dn( x)
dx
und
jh Diff ( x) = eDh
dp ( x)
,
dx
(2.59)
wobei De bzw. Dh als Diffusionskoeffizienten der Elektronen bzw. Lcher

bezeichnet werden. Es handelt sich dabei um die Materialgren fr die Diffusion,
sie werden als Diffusionskoeffizienten der Elektronen bzw. Lcher bezeichnet. Die
elektrische Ladung e mssen wir dazu schreiben, weil wir uns nicht fr den Teilchenstrom, sondern fr den elektrischen Strom interessieren.
Der Gesamtstrom jeder Trgersorte, bestehend aus Drift- und Diffusionsanteil,
ist
20 Dort
betrachteten wir die elektrische Stromdichte, daher die Ladung e in (2.46).
84
je ( x) = ee n( x)E ( x) + eDe
dn ( x )
,
dx
(2.60)
jh ( x) = e h p( x)E ( x) eDh
dp ( x )
.
dx
(2.61)
Driftstrme sind bei elektronischen Bauelementen mindestens genau so wichtig

wie Feldstrme. Sie liefern unter anderem die Voraussetzungen fr das Funktionieren von Halbleiterdioden und Bipolartransistoren.
2.4.5 Einstein-Beziehung
Diffusionskoeffizient und Beweglichkeit hngen miteinander zusammen. Das ist

leicht vorstellbar, da beide Gren ja die Wechselwirkung von Elektronen (oder
Lchern) mit der Umgebung beinhalten. Der formale Zusammenhang ist zuerst
von Einstein gefunden worden.
Wir betrachten dazu eine Situation, bei der der Diffusionsstrom gleich gro wie der Driftstrom ist. Fr den Fall der Elektronen gehen wir beispielsweise von Gleichung (2.60) aus
und nehmen an, der Gesamtstrom sei null. Dann erhalten wir
e e n( x )E ( x) = eDe
dn ( x )
dx
(2.62)
Jetzt drcken wir links das elektrische Feld durch die elektrische Energie Eel aus:
eE ( x) =
dEel ( x)
dx
Bezglich der Elektronenkonzentration nehmen wir an, dass sich in kleinen Bereichen
berall ein lokales Gleichgewicht einstellt, so dass man (2.20) verwenden kann, allerdings
betrachten wir darin den Leitungsbandrand Ec(x) als ortsabhngig. Damit wird aus der rechten Seite von (2.62)
d
d
E Ec ( x)
n( x) = N c exp F
=
dx
dx
kBT
EF Ec ( x) 1 dEc
=
kBT
kBT dx
1 dEc
= n( x)
.
kBT dx
= N c exp
(2.63)
Durch Vergleich von (2.62) und (2.63) erhalten wir

e n( x)
1 dEc
dEel
= eDe n( x)
.
dx
kBT dx
(2.64)
85
Die Konzentration n(x) krzt sich sofort heraus. Nun bercksichtigen wir noch, dass die
Ortsabhngigkeit des Bandrandes allein durch die Ortsabhngigkeit der elektrischen Feldenergie hervorgerufen wird, es ist also dEel dx = dE C dx . Dadurch krzen sich die beiden Differentialquotienten ebenfalls heraus, und wir erhalten einen Zusammenhang von
Beweglichkeit, Diffusionskoeffizient und Temperatur.
Der gesuchte Zusammenhang lautet

k T
De = e B
e
und
k T
Dh = h B
e
(2.65)
fr die Elektronen beziehungsweise die Lcher.

Diese Beziehungen gelten jedoch nicht bei tieferen Temperaturen und hohen
Ladungstrgerdichten; sie sind auf den Fall der Nichtentartung beschrnkt.
Zahlenwerte fr den Diffusionskoeffizienten zum Beispiel der Elektronen im
Silizium erhalten wir, indem wir die Beweglichkeit mit Hilfe der MATLAB-Funktion mye(n,T) beziehungsweise myh(n,T) berechnen oder aus Abb. 2.12 entnehmen
und kBT/e direkt in Elektronenvolt einsetzen.
Beispiel 2.7
Bestimmen Sie den Diffusionskoeffizienten der Elektronen im Silizium bei einer Dotierungskonzentration von 1016 cm3.
Lsung:
Entweder aus mye(n,T) oder (mit geringerer Genauigkeit) aus Abb. 2.12 entnehmen
wir: e = 1260 cm2V 1s 1 bei ND = 1016 cm3. Daraus folgt
De = e
kBT
cm 2
= 1260
0,0259 V = 32,6 cm 2s 1.
Vs
e
2.4.6 Generation und Rekombination
Elektronen und Lcher knnen ber ihren thermischen Gleichgewichtswert (den

wir nun als n0 beziehungsweise p0 bezeichnen) hinaus durch besondere Anregung
erzeugt werden, dann ist n > n0 und p > p0. Dies kann durch Bestrahlung mit Licht
(Photonen) erfolgen oder auch durch Injektionsstrme, die Ladungstrger aus
anderen Raumgebieten zufhren.
Die Hufigkeit eines bestimmten Prozesses pro Zeiteinheit bezeichnet man in
der Physik als Rate. Verwechseln Sie diesen Begriff nicht mit einer Frequenz! Von
Frequenzen spricht man nur bei periodisch vernderlichen (sinusfrmigen) Signalen, Raten hingegen treten bei zuflligen Prozessen auf. In der Halbleiterphysik
interessiert man sich fr die Hufigkeit, mit der Elektronen (oder Lcher) pro Zeiteinheit erzeugt oder vernichtet werden knnen.
Die Rate der (meist optischen) Erzeugung von Ladungstrgerpaaren, die Generationsrate, bezeichnen wir mit G, die Rekombinationsrate mit R. Damit kann die
86
zeitliche Vernderung der Ladungstrgerkonzentration zum Beispiel der Elektronen ber die Differenz von Generation und Rekombination als
n
= G R.
t
(2.66)
geschrieben werden. Im Gleichgewicht ist n/t = 0 beziehungsweise G = R,

Generation und Rekombination halten sich die Waage.
Die gegenber dem Gleichgewicht erhhten Ladungstrgerkonzentrationen
knnen durch verschiedene Mechanismen abgebaut werden.
1. Direkte Band-Band-Rekombination
Ein Elektron aus dem Leitungsband kann direkt mit einem Loch aus dem Valenzband unter Aussendung eines Photons rekombinieren. Dieser Prozess ist vor allem
in direkten Halbleitern wie GaAs von Bedeutung, da dort die strahlende Rekombinationswahrscheinlichkeit entsprechend gro ist. Die Rate oder Geschwindigkeit,
mit der solch ein Prozess abluft, ist immer mit einer typischen Abklingzeit verbunden. Sie kann fr verschiedene Bedingungen angegeben werden, wir greifen
hier einige Situationen beispielhaft heraus.
Wenn Elektronen und Lcher direkt rekombinieren, ist die Rekombinationsrate
fr diese strahlenden Prozesse Rs sowohl der Elektronen- als auch der Lcherkonzentration proportional,
Rs =
np
,
s
(2.67)
mit der Rekombinationszeitkonstanten s fr strahlende Prozesse. Im GaAs kann

zum Beispiel der Wert s = 3,03 109 s/cm3 als Richtwert genommen werden
[Mller 1991]. Im Gleichgewicht (gekennzeichnet durch die Konzentrationen n0
und p0) ist die Rekombinationsrate gleich der Generationsrate G = R = n0 p0 /s.
Damit ergibt sich als effektive (oder Netto-)Rekombinationsrate
Rseff Rs Gs =
np n0 p0
s
(2.68)
Indem wir die Abweichungen vom Gleichgewichtswert n = n n0 und p = p

p0 einfhren, erhalten wir
Rseff =
(n0 + n)( p0 + p ) n0 p0 n0 p + p0 n + n p
=
.
s
s
(2.69)
87
Handelt es sich zum Beispiel um n-dotiertes Material, so ist n0 p p0 und der

Term mit p0 ist vernachlssigbar,
Rseff =
(n0 + n) p n p p
=
.
s
s
h
(2.70)
Dabei bleibt n nherungsweise konstant, denn eine Erhhung der Majorittstrgerkonzentration um n wirkt sich auf n nur geringfgig aus. Es ist also n = n0 + n
n0. Der Minorittstrgerberschuss baut sich dadurch mit einer effektiven Zeitkonstanten h = s /n0 ab:
dp p
=
.
dt
h
(2.71)
Die Lsung ist eine Exponentialfunktion

p(t ) = p(0)et
(2.72)
Die Rekombination ist hier proportional dem berschuss der Minorittstrgerkonzentration. Die Minorittstrger, also die Lcher, bilden den Engpass beim
Rekombinationsprozess, whrend Elektronen in gengender Anzahl vorhanden
sind. Dieser Rekombinationsprozess hat zum Beispiel im Bereich von pn-bergngen in Halbleiterdioden bei der Minorittstrgerinjektion Bedeutung, wie wir spter in Abschn. 3.3.3 noch sehen werden. Analoge Situationen fr n ergeben sich
natrlich, wenn p p n ist wie im n-dotierten Material.
In einem anderen Fall, wenn Elektronen- und Lcherkonzentration beide nur
wenig ber ihrem Gleichgewichtswert liegen und beide nicht zu hoch sind (so dass
sie noch der Boltzmann-Statistik gengen), kann man in (2.69) den Term mit np
vernachlssigen und erhlt
Rs =
n0 p + p0 n
.
e
(2.73)
Beispiel 2.8
Ein Stck undotiertes GaAs (so genanntes i-GaAs) werde vom Rand her gleichmig
mit Elektronen und Lchern berschwemmt. Deren Konzentration betrage n = p =
1016 cm3. Wie viele Elektron-Loch-Paare rekombinieren pro Sekunde in einem Volumenstck von 1 m3 ?
Lsung:
Die Generationsrate in Gl. (2.68) knnen wir vernachlssigen, da n0 p0 = ni2 =
(2,3 106 cm3)2 vernachlssigbar klein ist gegenber dem Produkt np. Demnach erhalten wir mit der Rekombinationszeit s von oben
1016 cm 3
np
Rs =
=
= 3,3 10 20 s 1 cm 3 .
s 3,03 109 s cm 3
88
In einem Volumen V = (1 m)3 betrgt die Rekombinationsrate deshalb
Rs V = 3,3 1020 s 1 cm 3 104 cm
= 3,3 108 s 1 ,
das heit, es rekombinieren pro Sekunde ca. 108 Elektron-Loch-Paare.
Beispiel 2.9
Zeigen Sie, dass in p-dotiertem GaAs (NA = 1016 cm3) eine durch optische Anregung
eingebrachte Konzentration von berschussladungstrgern n = p = 1014 cm3 sich
auf die Konzentration von Majorittstrgern fast nicht, auf die Konzentration von
Minorittstrgern jedoch gewaltig auswirkt.
Lsung:
Die Gesamtkonzentration von Lchern beluft sich auf p = p0 + p =NA + p =
1,01 1016 cm3, die nderung betrgt nur 1%. Die Gleichgewichtskonzentration der
Elektronen ergibt sich zu
n0 =
ni2 (2, 25 106 cm 3 )2

=
= 5,1 104 cm 3 ,
p0
1016 cm 3
das ist praktisch null.

Die Elektronenkonzentration baut sich nach der Anregung von 1014 cm3 auf null ab,
whrend die Lcherkonzentration nahezu konstant auf dem Wert von 1016 cm3 verbleibt.
2. Nichtstrahlende Rekombination ber tiefe Zentren

Rekombinationsprozesse knnen auch ohne Emission eines Photons ablaufen.
Dabei spielen in der Regel so genannte tiefe Strstellen, deren Energieniveaus in
der Mitte der verbotenen Zone liegen, eine Rolle. Sie fangen zunchst einen der
Partner, zum Beispiel das Elektron, ein, das danach mit einem Loch aus dem
Valenzband rekombinieren kann. Die Energieniveaus von tiefen Strstellen lassen
sich nicht mit dem frher verwendeten Bohrschen Modell beschreiben, sie
haben auch keine Bedeutung fr die Bildung von p- oder n-Halbleitern, sondern sie
sind lediglich fr die hier beschriebenen Rekombinationsprozesse interessant.
Derartige nichtstrahlende Prozesse (Index ns) lassen sich, wie hier aber nicht
nher begrndet werden soll, durch die Formel
eff
Rns
=
np ni2
ns (n + p )
(2.74)
beschreiben; die typische Zeitkonstante dafr ist ns . Diese Beziehung heit

Shockley-Read-Hall-Gleichung (vgl. dazu beispielsweise [Mschwitzer 1992]
oder [Singh 1994]). Solche Rekombinationsmechanismen spielen in indirekten
Halbleitern wie Silizium eine dominierende Rolle.
89
3. Nichtstrahlende Rekombination durch Auger-Prozesse

Eine andere Form der nichtstrahlenden Rekombination luft ber so genannte
Auger-Prozesse21. Bei solchen Prozessen geben das Elektron und das Loch ihre
Energie nicht an ein Photon ab wie bei der strahlenden Rekombination, sondern an
ein weiteres Elektron22 aus dem Leitungsband, das dann um einen Betrag von der
Grenordnung Eg nach oben geschleudert wird, anschlieend gibt dieses Elektron
seine berschssige Energie an das Kristallgitter wieder ab und kleckert auf den
Bandrand hinunter. An Auger-Prozessen sind demnach immer gleichzeitig drei
Ladungstrger beteiligt. Deshalb leuchtet ein, dass die Rekombinationsrate proportional zu np2 beziehungsweise n2p ist und im Falle n = p durch
RAuger = cA n3 ,
(2.75)
gegeben ist. cA ist ein Proportionalittsfaktor.

Fr weitere Flle der Rekombination sei auf spezielle Literatur verwiesen, zum
Beispiel [Singh 1995].
2.4.7 Kontinuittsgleichungen
Die Gesamtbilanz fr die zeitliche nderung der Ladungstrgerkonzentration als

Resultat von Stromfluss sowie Generation/Rekombination in Halbleitern wird
durch die Kontinuittsgleichungen beschrieben:
n 1
= div je + (G R )e ,
t e
(2.76)
p
1
= div jh + (G R )h .
t
e
(2.77)
Die Differenz (G R)e/h ist die effektive Generations-/Rekombinationsrate.
Wenn die Gren nur in x-Richtung ortsabhngig sind, reduziert sich die Divergenz auf
die Ableitung nach der x-Koordinate, nmlich /x.
Im stationren Fall (keine zeitliche Vernderung) ist die linke Seite null. Auf der
rechten Seite sind die Ausdrcke fr die Stromdichten einzusetzen, die in (2.60)
und (2.61) abgeleitet wurden.
Die Kontinuittsgleichungen besagen nichts anderes, als dass die zeitliche
nderung einer Ladungstrgerkonzentration an einem bestimmten Ort bedingt ist
durch
a die Differenz zwischen hin- und wegflieendem Strom (Drift- und Diffusionsstrom) und
b die Differenz zwischen Generation und Rekombination von Ladungstrgern.
21 sprich:
Og mit g wie in Garage.

kann auch mit einem Loch geschehen.
22 Dasselbe
90
Da in die Stromdichten je und jh die Teilchenkonzentrationen und ihre Ableitungen selbst auch wieder eingehen, knnen sich komplizierte Differentialgleichungen ergeben, die oft nur noch numerisch gelst werden knnen. Wir werden uns
jedoch mit diesem allgemeinen Fall hier nicht befassen.
Grundstzlich ist wichtig, dass eine berschusskonzentration von Ladungstrgern durch Zufluss (also durch einen Trgerstrom) oder durch intensive optische
Anregung entstehen kann.
2.4.8 Halbleiter im stationren Nichtgleichgewicht
Eine optisch oder durch Ladungstrgerzufluss entstandene rtlich erhhte Konzentration von Elektronen und Lchern kann sich nach dem Abschalten der Ursache
zeitlich wieder abbauen, wie in 2.4.6 besprochen. Sie kann aber auch fr eine
gewisse Zeit auf einem erhhten Wert verbleiben. Solche Situationen heien stationr. Bei einem stationren Fall handelt es sich nicht um ein echtes Gleichgewicht
mit Trgerkonzentrationen n0 und p0, sondern um ein Fliegleichgewicht: Im
Falle optischer Anregung hlt sich dabei die Rate der Elektron-Loch-Paar-Erzeugung die Waage mit der Rekombination, und zwar auf einem Niveau n > n0 und p >
p0 .
Bei einer ber ihren Gleichgewichtswert hinaus gehenden Konzentration von
Elektronen und Lchern msste die Verteilung auf die einzelnen Zustnde nicht
selbstverstndlich einer Fermi-Verteilungsfunktion entsprechen; tatschlich stellt
sich jedoch innerhalb des Leitungsbandes und auch innerhalb des Valenzbandes
jeweils fr sich sehr schnell eine solche Verteilung ein. Dass dies so ist, gilt durch
Experimente als gesichert. Nur der Ausgleich zwischen Leitungs- und Valenzband
dauert lnger. Das hat zur Folge, dass kein gemeinsames Fermi-Niveau fr beide
Bnder mehr existiert; es gibt jetzt fr jedes Band ein eigenes Quasi-Fermi-Niveau
EFe und EFh.
Diese Quasi-Fermi-Niveaus EFe und EFh sind definiert durch
exp
E Fe Ei
,
k BT
(2.78)
p = ni exp
Ei EFh
.
kBT
(2.79)
= ni
wobei die Energie Ei das Fermi-Nniveau im undotierten Halbleiter sein soll (vgl.
auch Aufgabe 2.6). Indem wir
ni = N c exp
Ei Ec
E Ei
= N c exp c
kBT
kBT
(2.80)
91
einsetzen, knnen wir auch schreiben:

n = N c exp
EFe Ec
,
kBT
(2.81)
p = N v exp
Ev EFh
.
kBT
(2.82)
Sehr hufig, insbesondere im stationren Nichtgleichgewicht, drckt man die Differenz des Ferminiveaus beziehungsweise Quasiferminiveaus vom Bandrand durch
das chemische Potential aus (Abb. 2.18),
*e
EFe Ec ,
*h
Ev EFh ,
(2.83)
23.
(2.84)
Eine solche Gre ist im Allgemeinen eher von chemischen Reaktionen her
bekannt, sie findet aber auch in der Halbleiterphysik ihre Berechtigung.24 Damit
knnen wir fr die gesamte Konzentration der Ladungstrger in den Bndern auch
schreiben
n = Nce
*e
kBT
p = Nve
*h
k BT
(2.85)
(2.86)
Leitungsband
E Fe
*e
E Fi
E Fh
*h
Valenzband
23 Die
EC
Quasi-Fermi-Niveau
der Elektronen
Quasi-Fermi-Niveau
der Lcher
EV
Abb. 2.18 QuasiFermi-Niveaus und chemische Potentiale
chemischen Potentiale mit einem Stern zu versehen, ist normalerweise nicht blich
wir tun dies hier nur, um sie von der Beweglichkeit, die ebenfalls mit dem Buchstaben
bezeichnet wird, zu unterscheiden.
24 Wir wollen auf die Begrndung, diese physikalische Gre hier so anwenden zu knnen,
jedoch nicht nher eingehen.
92
Mit Hilfe der soeben eingefhrten chemischen Potentiale lassen sich noch
andere ntzliche Gleichungen angeben. So lsst sich die Verteilungsfunktion (2.9)
auch schreiben als
( E Ec ) + ( Ec EFe )
E EFe
f e ( E ) = exp
=
= exp
kBT
kBT
=e
=
Ee *e
kBT kBT
n
e
Nc
e
kBT
(2.87)
Analog geht (2.10) ber in

h
p kBT
fh ( E ) =
e
.
Nv
(2.88)
2.5 Temperaturabhngigkeit von Energielcke

und effektiver Masse
Bereits in 2.1 wurde erwhnt, dass die Breite der verbotenen Zone zwischen Leitungs- und
Valenzband, das Gap, von der Temperatur abhngt. Ursache ist neben der thermischen Ausdehnung des Atomgitters die Wechselwirkung von Elektronen mit Gitterschwingungen, die
temperaturabhngig ist [Yu und Cardona 2001]. Die experimentellen Daten werden mit hinreichender Genauigkeit durch die folgende empirische Beziehung wiedergegeben [Sze
1981]:
Eg (T ) = Eg (0)
T 2
.
+T
(2.89)
Die empirischen Parameter und variieren von Halbleiter zu Halbleiter. Die

MATLAB-Funktionen Eg_Si.m, Eg_Ge.m, und Eg_GaAs.m enthalten genau diese Formel
mit den entsprechenden substanzspezifischen Parametern fr Silizium, Germanium und
GaAs.
Der Verlauf von Eg ber der Temperatur fr Si, Ge und GaAs wird graphisch mittels
MATLAB durch das Programm Egplot.m dargestellt
Auch die effektive Masse ist eine temperaturabhngige Gre. Bei ihr wirkt sich die
Temperaturabhngigkeit in der Berechnung der Eigenleitungskonzentration weniger aus als
bei Eg , da sie nicht in eine Exponentialfunktion eingeht. Fr Silizium zum Beispiel wird
diese Abhngigkeit in der MATLAB-Funktion me_Si.m dargestellt.
2.6 Halbleiter bei hohen Ladungstrgerdichten
93

Alle bisherigen Ergebnisse zur Trgerkonzentration in den Bndern und zur Fermi-Energie
gelten nicht mehr, wenn die Ladungstrgerdichten hoch sind. Diese Situation kommt in
Halbleitern nicht selten vor, sie kann bei intensiver Bestrahlung mit Licht oder bei starker
Dotierung auftreten, beispielsweise im Emittergebiet eines Bipolartransistors.
Wir wollen einige prinzipielle Modifikationen der bisher abgeleiteten Ergebnisse kennen
lernen, ohne dabei jedoch das Thema vollstndig behandeln zu knnen.
2.6.1 Trgerkonzentration im Leitungsband

Im Abschn. 2.2.3 haben wir mit (2.19) einen Ausdruck fr die Elektronenkonzentration im
Leitungsband gefunden, der im Allgemeinen nicht geschlossen auswertbar ist, sondern auf
das so genannte Fermi-Integral fhrt,
n = N cF 1 (c )
(2.90)
mit E
F 1 (c )=
2
1
d .
1 + exp ( c )
(2.91)
Die Gre = E ( k B T ) ist dabei eine normierte Energie, also die Energie, vom Bandrand aus gerechnet, geteilt durch kBT. Analog ist c = ( E F E c ) ( k B T ) die normierte
Fermi-Energie. Nur fr E EF p kBT, also c p 1, konnten wir das Integral geschlossen
lsen und erhielten dafr den Ausdruck
F 1 (c ) = ec .
2
(2.92)
Die beschriebene Approximation setzt voraus, dass die im Integranden stehenden Energiewerte E = k B T gengend weit von der Fermi-Energie EF entfernt sein mssen
(bezogen auf die thermische Energie kBT). Das ist dann der Fall, wenn EF weit unterhalb des
Bandrandes liegt, also zum Beispiel in einem eigenleitenden Halbleiter. Man nennt diesen
Grenzfall auch Boltzmann-Fall oder Hochtemperatur-Nherung.
Bei starker Dotierung und somit hheren Ladungstrgerdichten kann die Fermi-Energie
nher in Richtung der besetzbaren Energiezustnde rcken, so dass der Boltzmann-Fall
nicht mehr zulssig ist. Es bleibt uns dann meist nichts anderes brig, als das Fermi-Integral
numerisch auszuwerten. Eine entsprechende Funktion fermi.m = f(x,k) ist als MATLABFunktion verfgbar (siehe Webseite), sie leistet fr k = 1/2 genau dies. Der Wert x in dieser
Funktion entspricht unserem c.
In noch einem weiteren Grenzfall ist eine exakte Lsung des Integrals (2.91) mglich,
und zwar dann, wenn die Fermi-Verteilungsfunktion
f (c )=
1
1 + exp ( c )
einen nahezu stufenfrmigen Verlauf annimmt (Entartung). In diesem Fall reduziert sich
das Integral (2.91) nmlich auf
94
exp ( c )
1
( c )
10 1
10 0
4
3
3c
10 -1
10 -2
-4
-2
Abb. 2.19 Fermi-Integral (durchgezogene Linie) mit den beiden Nherungen fr den
Boltzmann-Fall (strichpunktiert) und Fermi-Fall (gestrichelt)
F 1 (c )=
2
d =
4
3
EF Ec
3 kBT
(2.93)
Diesen Grenzfall nennt man Fermi-Nherung oder Tieftemperatur-Nherung. Der

Begriff tiefer Temperaturen kann hier beraus grozgig gehandhabt werden, entscheidend
ist nur, dass die Annahme einer stufenfrmigen Verteilungsfunktion zutrifft. Dies ist in
Metallen sogar bei Zimmertemperatur gerechtfertigt, ebenso in Halbleitern, wenn die
Ladungstrgerdichten hoch sind.
In Abb. 2.19 ist der Verlauf des Fermi-Integrals (2.91) zusammen mit den Nherungen
(2.92) und (2.93) dargestellt.
Whrend mit (2.90) eine Beziehung zur Verfgung steht, die die Teilchendichte bei gegebener Lage des Fermi-Niveaus zu berechnen gestattet, ist hufig der umgekehrte Fall wichtig. Die Umkehrfunktion F 1 des Fermi-Integrals (2.91) bezeichnen wir als U (x) und
schreiben
n
c = U
.
Nc
(2.94)
Eine Nherungsfunktion, die in den meisten praktischen Fllen zur Berechnung ausreicht,
ist als MATLAB-Nherungsfunktion rez_fermi.m im MATLAB-Anhang gegeben (nach
[Blakemore 1982a]). Ihre Genauigkeit, die bei einigen Prozent liegt, ist fr nahezu alle praktischen Flle ausreichend.
95
Beispiel 2.10
Wir betrachten einen n-dotierten Halbleiter, Elektronen sind dann Majorittstrger,
Lcher Minorittstrger. Dann kann man fr die Minorittstrger weiterhin von Nichtentartung ausgehen, whrend man fr die Majorittstrger unter Umstnden das komplette Fermi-Integral benutzen muss. Das Massenwirkungsgesetz (2.24) ist fr diesen
Fall neu zu formulieren.
Lsung:
Wir fhren normierte Konzentrationen fr die Lcher und fr die Elektronen ein:
p
p% =
=e
Nv
E v EF
kBT
und
n% =
n
E Ev
=F 1/2 F
.
NC
kBT
(Bei Nichtentartung wre die Fermi-Funktion in der rechten Gleichung ebenfalls eine
Exponentialfunktion.) Die Umkehrung der rechten Gleichung liefert
EF Ec
=U
kBT
( n )
bzw.
EF
=U
kBT
( n ) + kEcT .
B
Damit haben wir die Lage von EF bezglich des Leitungsbandrandes bestimmt. Wir setzen dies in die Gleichung fr p ein und bekommen
p% =
p
=e
Nv
= exp
Ev EF
kBT
Eg
kBT
= exp
( n% )
Ev Ec
U
kBT
( n% )
ni2 U
e
Nc N v
( n% ) .
Damit ergibt sich schlielich

n
NC
p N ce
= ni2 ,
(2.95)
2
anstelle des bei Nichtentartung geltenden einfacheren Ausdrucks pn = n i .

Beispiel 2.11
Ein MATLAB-Programm soll geschrieben werden, das die Minorittstrgerdichten p in
Abhngigkeit von der Konzentration der Majorittstrger n = ND in Silizium graphisch
darstellt. Entartung der Majorittstrger sei zugelassen.
Dabei soll p/p0 aufgetragen werden (p0 sei die Minorittstrgerkonzentration im
angenommenen nichtentarteten Fall).
96
Lsung:
Wir schreiben die Gleichungen fr p und p0 auf:
p
=e
Nv
E v EF
kBT
und
p0
=e
Nv
Ev EF0
k BT
Die Fermi-Energie wird durch die Konzentration der Elektronen bestimmt,

n
EF Ec
=U
kBT
Nc
und
n
EF0 Ec
= ln
.
kBT
Nc
Wir ersetzen EF in der darberstehenden Gleichung und dividieren p durch p0. Daraus
folgt dann
n
n
p
= exp ln
U
.
p0
N
N c
c
Im Programm mwg.m werden diese Werte fr Silizium berechnet. Erst bei Majorittstrgerdichten oberhalb von etwa 1018 cm3 werden Korrekturen erforderlich: Die
Lcherkonzentration ist unter Bercksichtigung der Entartung kleiner als im Boltzmann-Fall.
2.6.2 Gapschrumpfung
Hohe Ladungstrgerdichten modifizieren nicht nur die Verteilung der Ladungstrger ber
die Bnder, sondern fhren auch dazu, dass sich der Abstand zwischen Leitungs- und
Valenzband verringert. Diesen Effekt bezeichnet man als Gapschrumpfung, englisch bandgap narrowing oder gap-shift. Die Ursache hierfr besteht in der kollektiven Wechselwirkung der Ladungstrger untereinander, und zwar spielen dabei sowohl Elektronen und
Lcher als auch die (ortsfesten) Strstellen eine Rolle. Ein herausgegriffenes Elektron stt
andere Elektronen in seiner Umgebung ab, whrend es eine Wolke von Ladungstrgern entgegengesetzten Vorzeichens, also Lcher (sofern vorhanden), mit sich herumschleppt. Dies
fhrt zu einem Gewinn an Energie.
Bei einigermaen hohen Temperaturen (darunter knnen wir bereits Zimmertemperatur
verstehen!) und nicht zu hohen Ladungstrgerdichten also kurz unter normalen Bedingungen im Halbleiter kann die folgende berlegung diesen Effekt anschaulich machen:
Wir suchen die Verteilung der brigen Elektronen im Feld dieses herausgegriffenen Elektrons. Auf einer Kugelflche um dieses Elektron haben wir berall das gleiche Potential. Um
die Sache einfacher zu gestalten, betrachten wir zunchst die Situation in einiger Entfernung, dort kann ein kleines Stck Kugelflche als Ebene angesehen werden. Die Ladungsverteilung n(x) der umgebenden Elektronen verursacht ein elektrisches Potential (x),
welches mit der Ladung ber die aus der Elektrotechnik bekannte Poisson-Gleichung
zusammenhngt:
( x) = 0
d 2 ( x )
dx 2
(2.96)
97
Die entscheidende Annahme ist nun, dass dieses Potential die Energie der Bandrnder verndert, sie werden ortsabhngig. Fr den Leitungsbandrand zum Beispiel schreiben wir jetzt
Ec + e(x). In den modifizierten Bndern verteilen sich dann die Elektronen gem
n( x) = N c e
EF Ec e ( x )
kBT
n exp ( e ( x) / kBT ) .
(2.97)
n auf der rechten Seite (ohne das Argument x) ist diejenige Elektronenkonzentration, die
ohne das Vorhandensein des ortsabhngigen Potentials berall vorhanden wre, also unsere
bliche Gleichgewichtskonzentration. Die Ladungsdichte bekommen wir aus (2.97) durch
Multiplikation mit der Einzelladung eines Elektrons, e.
Nun darf man jedoch nicht nur die Elektronen allein bercksichtigen. Da der Halbleiter
insgesamt elektrisch neutral ist, muss auch eine insgesamt gleich groe positive Ladung
existieren. Sie stammt bei dotierten Materialien von den geladenen Donatoren, die die Elektronen beim bergang ins Leitungsband zurckgelassen haben. Wenn wir diese ebenfalls
bercksichtigen, erhalten wir durch Einsetzen in (2.96)
d 2 ( x )
dx
en e ( x ) / kBT en
e
+
.
0
0
(2.98)
Bei kleinen Potentialen (x) und, wie vorausgesetzt, hohen Temperaturen kann man die
Exponentialfunktion entwickeln,
d 2 ( x )
dx
en e ( x) en
.
1
+
0
kBT 0
(2.99)
Damit erhalten wir die Differentialgleichung

d 2 ( x )
dx
e2n
( x),
0kBT
(2.100)
sie hat die Lsung

( x) = Ce kD x .
(2.101)
Die Lsung mit dem anderen Vorzeichen im Exponenten kann ausgeschlossen werden, da
das Potential zum Unendlichen hin nicht immer weiter wachsen darf. Die Konstante kD hat
den Wert
kD =
e2n
.
0 kBT
(2.102)
Nun htten wir eigentlich die Poisson-Gleichung fr das kugelsymmetrische Problem

aufschreiben mssen. Anstelle von (2.101) erhalten wir dann eine Lsung, die mit dem
Abstand r abfllt,
(r ) =
C kD r
e
.
r
(2.103)
98
Die Konstante C bestimmen wir aus der Forderung, dass wir fr kD = 0 das normale Coulomb-Potential erhalten mssen, damit wird
(r ) =
e
k r
e D .
40 r
(2.104)
Das Potential in der Nhe eines wechselwirkenden Elektrons sieht also wie das normale
Coulomb-Potential aus, multipliziert mit einer Exponentialfunktion, die dessen Wirkung vor
allem fr groe Entfernungen abschirmt. Dies geschieht innerhalb von Abstnden der Grenordnung LD = 1/kD, der so genannten Debyeschen Abschirmlnge.25
Vom elektrischen Potential ist es nur noch ein kleiner Schritt zur mittleren Energie eines
Teilchens. Diese Energie wird wegen des exponentiellen Abfalls im Potential nur von Beitrgen nahe r = 0 bestimmt, wir entwickeln daher die Exponentialfunktion in eine Reihe:
(r ) =
e
1 kD r... .
40 r
(2.105)
Der erste Term ist das Coulomb-Feld des herausgegriffenen Elektrons selbst, der brige Beitrag muss dann ganz offensichtlich von der Wechselwirkung mit den Elektronen der Umgebung kommen. Die weiteren Terme der Entwicklung sind klein und knnen weggelassen
werden. Damit landen wir fr die Zusatzenergie der Elektronen infolge Wechselwirkung bei
1
1 e 2 kD
eww = e =
.
2
2 40
(2.106)
Der Faktor 1/2 muss stehen, da die Wechselwirkung zwischen jeweils zwei Elektronen
immer nur einmal gezhlt werden darf. Wir bezeichnen diesen Energiebeitrag, wie es in der
Literatur blich ist, als Wechselwirkungsanteil zum chemischen Potential mit dem Buchstae
ben WW . Analog hatten wir in (2.83) einen entsprechenden Beitrag der kinetischen Energie eingefhrt.
Durch Einsetzen von kD aus (2.102) ergibt sich schlielich
eww =
1 e2
1 e2
kD =
2 40
2 40
e2n
.
0 kBT
(2.107)
Diese Formel ist noch ziemlich unanschaulich. Schn wre es zum Beispiel, sie mit der
Bindungsenergie des Elektrons an der Donatorstrstelle
25 Nach
dem Physiker Peter Debye (18841966), geb. in Maastricht (Niederlande). Studium der Elektrotechnik an der Technischen Hochschule Aachen, Professor fr Physik in
Zrich, Leipzig und Berlin. 19341939 Direktor des Kaiser-Wilhelm-Instituts fr Chemie
(des spteren Max-Planck-Instituts) in Berlin. Nach Emigration in die USA (1940) Professor an der Cornell University. Fundamentale Arbeiten zur Theorie der Elektrolytlsungen (Debye-Hckel-Theorie) und zur Atomstruktur in Kristallen (Debye-ScherrerMethode). Nobelpreis fr Chemie 1936 for his contributions to our knowledge of molecular structure through his investigations on dipole moments and on the diffraction of Xrays and electrons in gases.
Ee =
1
e2
2 40 aB
99
(2.108)
zu vergleichen. Dazu knnen wir sie schreiben als

eww = Ee
aB
.
LD
(2.109)
Da kD gem (2.107) proportional zur Wurzel aus der Elektronenkonzentration n wchst,

e
gilt das auch fr die Energie WW . Wir sehen, dass die Energie des Leitungsbandes mit der
Wurzel aus der Elektronenkonzentration kleiner wird, der Bandrand rutscht also nach unten.
Fr das Valenzband knnen wir die Ableitung im Wesentlichen wiederholen, dort ergibt sich
der gleiche Ausdruck. Noch einmal hnliche berlegungen lassen sich fr die CoulombWechselwirkung der Elektronen mit den Strstellen anstellen, dieser Beitrag ist aber jeweils
nur halb so gro wie der in (2.109) (das wollen wir hier nicht weiter begrnden). Somit kann
man zusammenfassen, dass bei Zimmertemperatur die Gap-Verschiebung proportional zu
n ist.
Die hier vorgestellte Theorie wurde von Debye zunchst fr Elektrolytlsungen entwickelt (vgl. [Landau und Lifschitz 1966]). Sie findet aber auch bei ionisierten Gasen (Plasmen) Anwendung und ebenso bei Elektronen in Metallen und Halbleitern ein gutes
Beispiel dafr, dass es sich lohnt, das physikalische Verhalten auch in ganz anderen Gebieten gut zu kennen, wenn man nach Modellen fr bestimmte Erscheinungen sucht.
Beispiel 2.12
Berechnen Sie die Werte fr die Gapschrumpfung des Leitungsbandes und des Valenzbandes in Silizium nach Gl. (2.109) bei einer Elektronenkonzentration von 1018 cm3.
Leiten Sie daraus die allgemeine Beziehung WW = WW ( n ) ab.
Lsung:
Wir berechnen zuerst die Debyesche Abschirmlnge nach (2.102):
LD =
1
0kBT
11, 4 8,854 1012 As/Vm 0,0258 eV
=
=
2
kD
e n
e 1,602 1019 As 1018 cm 3
= 4,036 10 7 cm.
Damit bekommen wir

eww = Ee
aB
1,88 109
= 33,5meV
= 15,6 meV.
LD
4,036 109
Der Beitrag fr das Valenzband ist noch einmal genauso gro, der von den Strstellen
herrhrende Beitrag (Index i) noch jeweils halb so gro, wie wir gerade gesagt hatten, so dass sich insgesamt ergibt
i,h
ww = eww + hww + i,e
ww + ww =
1
1
= 15,6 meV 15,6 meV 15,6 meV 15,6 meV = 46,8meV.
2
2
100
Um dies fr beliebige Teilchendichten zu schreiben, mssen wir nur noch mit

lieren, so dass wir erhalten:
n
ww ( n) = 46,8meV
18
10
cm 3
n ska-
(2.110)
Diese Beziehung gilt fr Konzentrationen bis zu etwa 1018 cm3.

Wie schon erwhnt, gelten unsere berlegungen vor allem fr Halbleiter mit nicht zu
hohen Ladungstrgerdichten in den Bndern. Bei Silizium ist das recht gut erfllt, denn dort
verteilen sich die Elektronen auf alle sechs Leitungsbandminima, so dass die Dichte in keinem Minimum zu hoch wird. Im Galliumarsenid, das nur ein Minimum besitzt, ist die
Anwendbarkeit schon problematischer. Wenn die Dichten der Ladungstrger grer sind,
gehorcht die Elektronenverteilung nicht mehr einer Boltzmann-Verteilung wie in (2.97),
sondern man muss mit einer Fermi-Verteilung rechnen. In diesem Falle ist die Debyesche
Abschirmlnge durch eine andere Gre, die Thomas-Fermi-Abschirmlnge 1/ kTF zu ersetzen [Kittel 1999]. Auch bei sehr tiefen Temperaturen ndern sich die Verhltnisse, dort ver14
luft die Gapschrumpfung proportional zu n
[Thuselt und Rsler 1985a].
Ein MATLAB-Programm plot_myges.m zur Berechnung der Gapschrumpfung unter
ziemlich allgemeinen Voraussetzungen wird im Paket der MATLAB-Funktionen auf den
Webseiten mitgeliefert (Abb. 2.20).
Was passiert mit den Strstellenzustnden, wenn das Gap kleiner wird? Sie werden von
dem nach unten rutschenden Bandrand einfach verschluckt. Bei hohen Ladungstrgerdichten gibt es also keine Strstellenzustnde mehr, und alle Ladungstrger sind frei, sogar bei
tiefen Temperaturen. Die Theorie, die das beschreibt, ist aber ziemlich anspruchsvoll und
geht weit ber unsere Mglichkeiten hinaus.
ND/meV
0,1
10
300 K
80 K
Ge:As bei 4,2 K

Ge:P bei 80 K
103
1012
eWW (n) = 57.9 meV
eWW (n) = 29.9 meV
1014
1016
1018
1020
1018 cm3
n
1018 cm3
Ge:As bei 80 K
100
ND/cm 3
Abb. 2.20 Gapschrumpfung in n-dotiertem Germanium bei verschiedenen Temperaturen,

berechnet mit plot_myges.m . Die Approximationen nach Gl. (2.110) sind als Geraden
eingezeichnet. Einige experimentelle Werte zum Vergleich. Nach [Thuselt und Rsler
1985b]; experimentelle Quellen siehe dort
101

2.7.1 Bandstruktur von Halbleitern
Als Ergnzung zu 2.1.1 wollen wir uns nun an einem einfachen Beispiel klar machen, wie
die Bandstruktur in einem Halbleiter zustande kommt. Dazu betrachten wir ein vereinfachtes, eindimensionales Modell.
Wir wissen bereits (Abschn. 1.1.3), dass Elektronen im Rahmen der Quantentheorie auch
Welleneigenschaften haben. Freie Elektronen bewegen sich geradlinig in einer Richtung und
sind demzufolge als fortlaufende Wellen darstellbar; eine in x-Richtung fortlaufende Welle
wird durch eine Wellenfunktion
(r ) = e
= eikx
beschrieben. Darin sind die Wellenlnge und k der Wellenzahlvektor, und es gilt
p = 2 = k . Eine in negativer x-Richtung laufende Welle sieht genau so aus, sie hat
lediglich ein Minuszeichen im Argument.
In einem Kristall werden die Elektronenwellen nun an den Punkten des Kristallgitters
gestreut und interferieren dann. In Abb. 2.21 ist die Reflexion zweier Wellen an benachbarten Netzebenen dargestellt. Die Differenz ihrer Weglngen ist das Doppelte der Gitterkonstanten, also 2a0. Ist dieser Gangunterschied gerade so gro wie eine Wellenlnge,
2a 0 = (oder ein ganzzahliges Vielfaches davon), so bilden sich stehende Wellen aus. Fr
die Ausbreitungsvektoren der Wellen bedeutet dies, dass dann
k=
2
=
a0
gilt. Elektronen mit Wellenlngen, die gengend weit davon entfernt sind, interferieren nicht
und bleiben daher fortlaufende Wellen. Ist die obige Bedingung jedoch erfllt, dann berlagern sich hin- und rcklaufende Welle und die Wellenfunktion lsst sich wegen der Eulerschen Formel fr die komplexen Exponentialfunktionen als Kosinusfunktion darstellen:
+ (r ) = 1 (r ) + 2 (r ) = e
x
a0
+e
x
a0

= 2cos x = 2cos ( kx ) .
a0
(2.111)
Die x-Koordinate zhlt vom Ort des Atomrumpfes aus. Physikalische Bedeutung hat, so
lehrt die Quantentheorie, stets das Quadrat der Wellenfunktion, es gibt die Wahrscheinlichkeitsdichte an. Wie man aus Abb. 2.22 sieht, handelt es sich in (2.111) um stehende Wellen,
deren Maximum direkt am Ort der Atomrmpfe liegt.
a0
Abb. 2.21 Reflexion von Elektronenwellen im Kristall an zwei

benachbarten Netzebenen
102
cos 2 kx
Abb. 2.22
Kristallelektronen-Wellenfunktionen
sin 2 kx
E
x
Eine andere stehende Welle ergibt sich, wenn man die Wellenfunktion 1 und 2 nicht
addiert, sondern voneinander subtrahiert,
+ (r ) = 1 (r ) 2 (r ) = e
x
a0
x
a0

= 2i sin x = 2i sin ( kx ) .
a0
(2.112)
Sie beschreibt Elektronen, deren Aufenthaltswahrscheinlichkeit wegen der Sinusfunktion in

der Mitte zwischen den Atomen am grten ist.
Diejenigen Elektronen, die vorwiegend in der Nhe des positiv geladenen Atomrumpfes
sitzen, die also durch + beschrieben werden, haben eine geringere potentielle Energie als
die, die sich zwischen den Atomen befinden und durch beschrieben werden. Betrachten
wir unter diesem Aspekt die Abhngigkeit der Energie als Funktion des Wellenvektors k.
Fr freie Elektronen gilt die parabolische Abhngigkeit gem (1.20). Fr unseren eindimensionalen Fall ist diese Parabel durch die gestrichelte Linie in Abb. 2.23 a) dargestellt.
Fr Halbleiterelektronen wird diese Abhngigkeit in der Nhe der kritischen k-Werte /a0
modifiziert. Die zu + gehrenden Energiewerte weichen nach unten aus, die zu gehrenden nach oben, somit entstehen die in Abb. 2.23 a) gezeigten durchgezogenen Kurvenzge. Betrachtet man die Energieskala, so erkennt man, dass es Energiebereiche gibt, fr die
keine Zustnde existieren. Dies sind die bereits erwhnten Energielcken oder Gaps.
Der Gangunterschied benachbarter Netzebenen braucht jedoch nicht nur eine, sondern
kann auch mehrere, nmlich m, Wellenlngen betragen. Allgemein hat man also 2 a 0 = m
zu schreiben. Dann lautet die k-Bedingung fr die Sprnge beziehungsweise Energielcken
k=
m
.
a0
(2.113)
Trgt man diese Punkte auf der k-Skala auf, so wird im Raum der k-Vektoren ein Gitter
erzeugt, das reziproke Gitter. Seine Gitterpunkte sind durch die Bedingung
G a0 = 2
(2.114)
103
ber die Gitterkonstante a0 des realen Gitters festgelegt. Die durch das reziproke Gitter
eingeteilten Zonen heien Brillouin-Zonen.
Man kann mit etwas Aufwand (den wir hier nicht treiben wollen) zeigen, dass Elektronen-Wellenfunktionen deren k-Werte sich gerade um einen reziproken Gittervektor G unterscheiden, physikalisch identisch sind.26 Ursache dafr ist die Translationssymmetrie des
Kristalls. Folglich ist es gleichgltig, in welcher Brillouin-Zone die Energiewerte des Halbleiters E(k) betrachtet werden. An Stelle der ausgebreiteten Darstellung in Abb. 2.23 a) kann
man dann die Energiewerte in die erste Brillouin-Zone hineinklappen wie in Abb. 2.23 b).
Diese Darstellung ist in der Festkrperphysik vor allem gebruchlich, allein schon deshalb,
g e h rt z u
g e h rt z u +
2
a0
a0
0
E
a0
2
a0
2 . B rillo u in Zone
2 . B rillo u in Zone
1 . B rillo u in -Z o n e
2
a0
a0
a0
2
a0
Abb. 2.23 Bandstruktur im Eindimensionalen. (a) Ausgebreitetes Schema, die gestrichelte

Linie gibt die E(k)-Abhngigkeit fr freie Elektronen wieder, die ausgezogenen Linien die
durch den Kristall modifizierten Energien. (b) Bandstruktur in die erste Brillouin-Zone
geklappt. (graue Pfeile deuten das Hineinklappen an)
26 Fr
ein vertiefendes Studium vgl. hierzu beispielsweise [Kittel 1999], Kap. 7
104
weil sie platzsparend ist. Man spricht dann von einem reduzierten Zonenschema im Gegensatz zu einem ausgebreiteten Zonenschema wie im oberen Teil der Abbildung.
Bisher haben wir alle berlegungen nur fr eine Raumrichtung ausgefhrt. Wenn man
die gesamte dreidimensionale Kristallstruktur betrachtet, gilt natrlich die einfache Beziehung 2a 0 = m nicht mehr, da dann ja die Elektronen auch schrg auf die Netzebenen des
Gitters auftreffen knnen. Wie bei der Reflexion von Licht am Spiegel geht dann zustzlich
der Einfallswinkel in die Reflexionsbedingung ein. Das hat zur Folge, dass die Bandstruktur
von der Raumrichtung abhngt, und zwar in recht komplizierter Weise. Bei den in Abb. 2.1
gezeigten Bandstrukturen von Galliumarsenid und Silizium ist das deutlich zu sehen, sie
unterscheiden sich, je nachdem ob sie lngs des Wellenvektors in [100]- oder [111]-Richtung betrachtet werden. Ausfhrlichere Behandlungen der Bandstrukturen sind zum Beispiel
in [Yu und Cardona 2001] zu finden, auf etwas elementarerem Niveau in [Kittel 1999].
2.7.2 Ein- und zweidimensionale Halbleiter

Am Ende des vorigen Kapitels (Abschn. 1.8) wurden Nanostrukturen in Form von Schichten, Streifen oder Quantenpunkten erwhnt. Dementsprechend gibt es nicht nur die blichen
dreidimensionalen Halbleiter, die wir bisher immer im Blick hatten, sondern auch zweidimensionale (Schichten), eindimensionale (Streifen) und null-dimensionale (Punkte) Halbleiter. In Analogie zu 2.2.1 lassen sich auch dafr Zustandsdichten berechnen.
Fr zweidimensionale Strukturen ist diese Berechnung der Zustandsdichte besonders einfach, dort kann nmlich die Abb. 2.3 direkt angewandt werden. Wir mssen dann die
k-Werte nicht ber eine Kugelschale, sondern ber einen Kreisring summieren, so dass wir
an Stelle von (2.4) lediglich schreiben
g ( ) d = g ( k ) 2k dk
mit
g (k ) =
2
(2)2
In der Zustandsdichte im k-Raum gc(k) steht jetzt nur die zweite Potenz im Nenner, im
Gegensatz zum dreidimensionalen Fall, wo die dritte Potenz von (2) auftritt. Analog zu
2.2.1 ergibt sich schlielich
g ( ) d =
2
(2)2
2me
=2
d =
me
= 2
d .
(2.115)
Dieser Ausdruck enthlt die Energie nicht mehr, die Zustandsdichte ist also konstant.
In eindimensionalen Halbleitern ergibt sich eine Zustandsdichte, in der die Wurzel aus
der Energie im Nenner steht,
g ( ) d =
1 2me
=2
d .
(2.116)
Die Herleitung der beiden Formeln geht analog zu der bei dreidimensionalen Halbleitern
vor sich, sie wird in Aufgabe 2.18 durchgefhrt.
105
2.7.3 Der Teilchenzoo der Halbleiterphysik

So wie in der realen Welt eine Vielzahl von verschiedenen Atomen, Moleklen, Elektronen,
Photonen und noch weiteren einzelnen oder zusammengesetzten Teilchen existiert, so gibt
es auch in der Welt des Halbleiters zahlreiche Sorten von Teilchen, nur sind es hier Quasiteilchen. Der Vorsatz Quasi muss uns nicht beeindrucken, in einfachster Nherung hat
man sich ein Quasiteilchen wie ein normales Teilchen vorzustellen. Elektronen und
Lcher als grundlegende Quasiteilchen im Halbleiter haben wir ja bereits intensiv kennen
gelernt.
Ein Halbleiterelektron ist im Prinzip ein richtiges Elektron, jedoch mit anderer Masse,
nmlich der effektiven Masse. Ein anderes Quasiteilchen, das nicht weniger wert ist als das
Elektron, ist das Loch. Lcher sind so etwas wie positiv geladene Halbleiter-Elektronen.
Auch in der realen Welt (auerhalb des Halbleiters) gibt es ein positives Gegenstck zum
Elektron, allerdings tritt es nur bei radioaktiven Zerfllen oder im Kosmos auf: das Positron.
Donator und Akzeptor (Abb. 2.24) als Halbleiter-Pendant zum Wasserstoffatom sind uns
auch schon begegnet. Kommen Donator und Akzeptor nahe zusammen, bilden sie sogar so
etwas wie ein Wasserstoffmolekl, allerdings sind darin in einer Hlfte die Ladungen vertauscht (der Atomkern ist negativ, das Hllenteilchen positiv geladen).
Elektron und Loch knnen aber auch noch gemeinsam einen gebundenen Zustand bilden,
das Exciton. Beide drehen sich in diesem Gebilde um ihren gemeinsamen Schwerpunkt, der
bei etwa gleichen effektiven Massen ziemlich genau in ihrer Mitte liegt. Das Exciton hat
ebenfalls eine Entsprechung in der realen Welt, dort ist es das Positronium, welches aus
Elektron und Positron besteht. Das Positronium ist nicht stabil und zerfllt nach kurzer Zeit,
wobei nichts brig bleibt als sehr energiereiche Strahlung. Auch das Exciton zerfllt schlielich, nur ist die entstehende Strahlung bei weitem nicht so energiereich, sondern sie liegt im
Bereich des sichtbaren Lichts. Schlielich knnen zwei Excitonen sogar ein Biexciton bilden, und es sind auch schon noch kompliziertere Gebilde beobachtet worden, die Multiexcitonen.
Von Multiexcitonen ausgehend, liegt der Gedanke an ein System aus sehr vielen Elektronen und Lchern nahe, das ist dann eine Elektron-Loch-Flssigkeit.
Wir haben schon oft davon Gebrauch gemacht, dass die Besetzungswahrscheinlichkeit
von Elektronen und Lchern nach der Fermi-Verteilungsfunktion geregelt wird ((2.7) und
(2.8)). Es gibt berhaupt nur zwei Verteilungsfunktionen fr elementare Teilchen, eine
davon ist die Fermi-Verteilung. Teilchen, die sich nach dieser Verteilung richten, heien
Fermionen. Hierzu gehren die meisten Teilchen in der Physik. Alle anderen Teilchen
gehorchen einer anderen Verteilung, der so genannten Bose-Verteilung, sie heien BoseTeilchen oder Bosonen.27 Lichtteilchen, also Photonen, gehren dazu. hnlich wie Licht in
der Teilchenvorstellung als Photon bezeichnet wird, ordnet man auch Schallwellen im Festkrper eine Teilcheneigenschaft zu, das sind dann Phononen. Phononen sind ebenfalls BoseTeilchen. Auch das Exciton als zusammengesetztes Teilchen aus Elektron und Loch gehrt
zu den Bosonen. Bosonen sind zu einer Art Kondensation fhig, wie sie auch bei der Supraleitung und Suprafluiditt auftritt. Man spricht von Bose-Einstein-Kondensation. Die
27
Satyendra Nath Bose (18941974), indischer Physiker, Studium in Kalkutta. Arbeitete

in Dacca, Paris (bei Marie Curie) und Berlin, dort Zusammentreffen mit Einstein. Professor in Dacca und Kalkutta. Nach Bose sind die Bose-Einstein-Statistik sowie die Bosonen
benannt. Bose sagte die Existenz der Bose-Einstein-Kondensate voraus. Wichtige Beitrge zur mathematischen und statistischen Physik.
106
Elektron
Abb. 2.24 QuasiteilchenStammbaum der Halbleiterphysik. Elektron und

Loch sind Fermionen;
Exciton, Biexciton, Phonon und Photon sind
Bosonen
Loch
Exciton
Donator
Akzeptor
Biexciton
Donator-Akzeptor-Paar
+

++
+ + + Elektron-Loch-Flssigkeit
+
+
+ + +
+
+
Phonon
(Gitterschwingung)
Photon
(Lichtwelle)
Suche danach gehrt zu den gegenwrtig sehr intensiv untersuchten Phnomenen in der
modernen Physik. Der Nobelpreis im Jahre 2001 wurde an eine Gruppe von drei Physikern,
darunter der Deutsche Wolfgang Ketterle, fr Arbeiten zur Bose-Einstein-Kondensation
vergeben.
So kann man im Halbleiter eine Vielzahl von exotischen Spezies beobachten. Wenn sie
auch nicht alle fr technische Anwendungen wichtig sind, so beanspruchen doch viele
davon ein grundstzliches theoretisches Interesse.
Bewegliche Ladungstrger in Halbleitern sind (negativ geladene) Elektronen im Leitungsband und (positiv geladene) Lcher im Valenzband.
Beide Trger sind Quasiteilchen und verhalten sich hnlich wie freie Teilchen, sie werden jedoch durch eine effektive Masse beschrieben.
107
Die Konzentration der Elektronen und Lcher pro Energieintervall

wird durch das Produkt aus Zustandsdichte (proportional zu E ) und
Fermi-Verteilungsfunktion gegeben.
Die Gesamtkonzentration der Elektronen und Lcher im Valenz- bzw.
Leitungsband ergibt sich durch Integration ber alle Energiezustnde des
jeweiligen Bandes. Im Leitungsband muss zustzlich mit der Zahl e der
quivalenten Leitungsbandminima multipliziert werden. Wenn die Konzentration der Ladungstrger nicht zu hoch ist (keine Entartung), ergibt sich
eine exponentielle Abhngigkeit
n = Nc e
EF Ec
kBT
fr das Leitungsband und
p = Nv e
Ev EF
kBT
fr das Valenzband.
Fr die Konzentrationen von Elektronen und Lchern in Halbleitern gilt das
Massenwirkungsgesetz.
np = ni2
Es besagt, dass das Produkt aus Elektronen- und Lcherkonzentration bei

einer bestimmten Temperatur im thermischen Gleichgewicht immer konstant ist.
Die Besetzungsgrenze der Elektronen- und Lochzustnde ist durch die
Fermi-Energie gegeben. Sie liegt bei Halbleitern in der Regel innerhalb der
verbotenen Zone, und zwar bei undotierten Halbleitern in grober Nherung
in ihrer Mitte, bei dotierten Halbleitern etwa in der Nhe der Strstellenniveaus.
Als Berechnungsschema fr die Teilchenkonzentrationen kann die
Skizze 2.25 dienen (dargestellt am Beispiel der Elektronen, fr Lcher gilt
es analog):
Fr die Beschreibung von Strstellen in Halbleitern eignet sich ein wasserstoffhnliches Modell, bei dem die Bindungsenergie und der Bohrsche
Radius (der die Ausdehnung des gebundenen Elektrons beschreibt) durch
die relative Dielektrizittskonstante und die effektive Masse me bzw. mh
skaliert werden.
Die Strstellen geben ihre Ladungstrger bei hheren Temperaturen an die
jeweiligen Bnder ab. Abhngig von der Temperatur unterscheidet man die
folgenden Bereiche
Strstellenreserve (Strstellen binden zum Teil noch Ladungstrger),
Strstellenerschpfung (alle Ladungstrger abgegeben).
108

Besetzungswahrscheinlichkeit
der Zustnde (Fermi-bzw.
Boltzmann-Verteilung):
Zahl der Zustnde im

Energieintervall dE:
g(E)dE E Ec dE
E EF
f ( E ) = e xp

kB T
Teilchendichte pro
Energieintervall
n(E) dE = f(E)g(E)dE
Integration ber alle
alle Energiezustnde
Energiezustnde
Gesamte Teilchendichte im Band
E Ec
n = Nc exp F

kBT
im reinen (intrinsischen) Halbleiter
Teilchenkonzentration n
Lage der Fermi-Energie
EF
= p = ni
Ec + Ev
2
im dotierten Halbleiter
Massenwirkungsgesetz
2
Eg

k BT
np = ni = N c N v exp
Lage der Fermi-Energie:
nahe dem Strstellenniveau
Abb. 2.25 Berechnungsschema fr die Teilchenkonzentration
Unter blichen Dotierungsbedingungen liegt in den meisten Halbleitern bei

Zimmertemperatur der Zustand der Strstellenerschpfung vor. Strstellen
knnen damit ergiebige Lieferanten freier Ladungstrger sein.
Der Strom in Halbleitern kann prinzipiell aus zwei Anteilen bestehen:
aus dem Driftstrom oder Feldstrom, hervorgerufen durch ein elektrisches
Feld,
aus dem Diffusionsstrom, hervorgerufen durch einen Gradienten der
Ladungstrgerkonzentration.
Jeder dieser Anteile kann sowohl von Elektronen als auch von Lchern
getragen werden.
Eine wichtige Kenngre von Halbleitern ist die Beweglichkeit ; sie ist
der Quotient aus Driftgeschwindigkeit und elektrischer Feldstrke. Die
elektrische Leitfhigkeit setzt sich aus zwei Anteilen zusammen, aus
Beweglichkeit und Trgerkonzentration, h = eh p bzw. e = ee n.
Mit diesen Beziehungen knnen wir die Temperaturabhngigkeit der elektrischen Leitfhigkeit (Abb. 2.26) verstehen. Sie wird gleichzeitig durch die
Temperaturabhngigkeiten der Beweglichkeit und der Ladungstrgerkonzentrationen n und p bestimmt.
109
wchst.
Ursache: n wchst, da Ladungstrger
durch Band-Band-bergnge frei gesetzt werden
(Eigenleitung)
wchst.
Ursache: n wchst, da Ladungstrger
aus den Strstellen frei gesetzt werden
(Strstellenreserve)
fllt.
Ursache: fllt, da Streuprozesse
die Bewegung der Ladungstrger
behindern
1/T
Abb. 2.26 Temperaturabhngigkeit der elektrischen Leitfhigkeit (prinzipielle

Darstellung). Eingezeichnet sind die drei wichtigsten Ursachen fr das Verhalten
von mit wachsender Temperatur
Diffusionsstrme entstehen infolge von rumlichen Ungleichheiten der

Ladungstrgerverteilung. Ihre treibende Kraft ist der Gradient der Teilchenkonzentration dn/dx beziehungsweise dp/dx, im Gegensatz dazu werden elektrische Strme durch elektrische Felder (elektrische Spannungen)
hervorgerufen.
Der Diffusionskoeffizient ist der Materialparameter, der Ursache (Konzentrationsgradient) und Wirkung (elektrische Stromdichte) miteinander verbindet. Er hngt in blichen Temperaturbereichen mit der Beweglichkeit
und der Temperatur ber die Einstein-Beziehung zusammen:
De =
e kBT
e
und
Dh =
h kBT
.
e
Durch Injektionsstrme oder durch Bestrahlung mit Licht erhhen sich die
Ladungstrgerkonzentrationen gegenber ihrem Gleichgewichtswert.
Die Rckkehr zum Gleichgewicht geschieht vorwiegend durch
strahlende Rekombination,
nichtstrahlende Rekombination ber tiefe Zentren,
nichtstrahlende Rekombination durch Auger-Prozesse.
Grenordnungen im Silizium, die Sie sich einprgen sollten
Materialparameter:
Bandabstand Eg = 1,12 eV, das sind rund 1/10 der Ionisierungsenergie
des Wasserstoffatoms (13,6 eV), relative Dielektrizittskonstante 11.
Effektive Massen von Elektronen und Lchern sind kleiner als eins.
6 Leitungsbandminima.
Intrinsische Ladungstrgerkonzentration ni 1010 cm3.
110
Strstellenbindungsenergie ca. 40 bis 50 meV, das sind nur einige Prozent

der Gap-Energie Eg .
Praktisch sinnvolle Dotierungskonzentrationen: ca. 1013 bis 1020 cm3;
zum Vergleich: Konzentration der Wirtsgitteratome: nSi 5 1022 cm3.
Bohrscher Radius eines Elektrons am Donator ca. 2 nm; eines Loches am
Akzeptor ca. 1 nm; dieser Wert verdeutlicht die Ausdehnung des Strstellenzustands. Der Silizium-Atomradius betrgt dagegen nur ungefhr
0,12 nm.
Aufgabe 2.1 Bandabstand (zu Abschn. 2.1) *
Der Bandabstand Eg ist die Energie, die aufgewendet werden muss, um ein Elektron aus
dem Valenz- ins Leitungsband anzuheben; sie kann zum Beispiel durch Licht geeigneter
Wellenlnge zugefhrt werden. Ermitteln Sie die dem Bandabstand verschiedener Substanzen entsprechende Wellenlnge des Lichts.28 Benutzen Sie dazu Tabelle 2.2., in der Werte
fr Eg zu finden sind (ohne Diamant und SiO2).
Aufgabe 2.2 Bandabstand in Halbleiter-Mischreihen (zu Abschn. 2.1) *
In Abb. 2.27 ist der Bandabstand ( = Breite der verbotenen Zone) fr Mischkristalle der
Reihe GaAs1xPx dargestellt (Abb. 2.27). Bei der Rekombination eines Elektron-Loch-Paares wird diese Energie in die Energie des ausgesandte Lichtquants berfhrt.
Schtzen Sie die erforderliche Zusammensetzung des Mischkristalls ab, wenn Licht mit
den folgenden Wellenlngen ausgesandt werden soll:
= 548 nm (grn),
= 580 nm (gelb),
= 620 nm (rot).
Aufgabe 2.3 Fermi-Verteilung (zu Abschn. 2.2) ***
Die Lcher im Valenzband stellt man sich als fehlendes Elektron vor. Folgerichtig ist ihre
Fermi-Verteilungsfunktion gegeben durch
f h ( E ) = 1 f e ( E ).
Zeigen Sie, dass man fh wie folgt schreiben kann (Beachten Sie das Minuszeichen im
Exponenten!):
fh ( E ) =
1
1 + exp(
E EF
k BT
.
)
Leiten Sie daraus die Nherungen fr sehr niedrige (E ^ EF) und sehr hohe (E p EF) Energien ab.
28 In
Wirklichkeit kommt bei optischen bergngen zur Energie Eg im Mittel noch ein
Betrag kBT/2 hinzu, wie in einer spteren Aufgabe im Kap. 4 nachgewiesen wird (Aufgabe 4.1).
111
Abb. 2.27 Bandabstand in der

Mischreihe GaAs1-xPx
Bandabstand
in eV
2,2
2,0
GaAs1-xPx
300 K
1,8
1,6
1,4
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Aufgabe 2.4 Effektive Zustandsdichten (zu Abschn. 2.2) *
Berechnen Sie mit Hilfe der Angaben in Tabelle 2.1. die effektiven Zustandsdichten Nc bzw.
Nv des Leitungs- und Valenzbandes fr die drei Halbleiter Si, Ge und GaAs bei 300 K. Die
Ergebnisse knnen Sie anhand von Tabelle 2.3 beziehungsweise Tabelle A1.2 der Datenund Formelsammlung nachprfen.
Aufgabe 2.5 Intrinsische Ladungstrgerkonzentration (zu Abschn. 2.2) *
Berechnen Sie analog die intrinsische Ladungstrgerkonzentration ni fr die Halbleiter Si,

Ge und GaAs bei 300 K. Auch hier finden Sie die Ergebnisse in Tabelle 2.3 oder Tabelle
A1.2 der Daten- und Formelsammlung.
Aufgabe 2.6 Ein anderer Ausdruck fr die Elektronenkonzentration (zu Abschn. 2.2) ****
Am Ende von Abschn. 2.2.4 wurde die Fermi-Energie im reinen (d. h. intrinsischen) Halbleiter angegeben, wir bezeichnen sie hier als Ei. Sie kann implizit durch
ni = N c exp
Ei Ec
kBT
definiert werden. Zeigen Sie, dass man unter Verwendung von Ei den Ausdruck (2.20) fr
die Elektronenkonzentration in einem beliebigen Halbleiter in der folgenden Form schreiben kann:
n = ni exp
EF Ei
.
kBT
(2.117)
112
Die Elektronenkonzentration wird hier also zurckgefhrt auf die Differenz der FermiEnergie gegenber dem Fall des intrinsischen Halbleiters. Wenn diese Differenz null ist,
dann ergibt sich folgerichtig n = ni.
Fr die Lcher ergibt sich daraus wegen p = ni2 /n der hnliche Ausdruck
p = ni exp
Ei EF
.
kBT
(2.118)
Aufgabe 2.7 Fermi-Energie bei n p (zu Abschn. 2.2) ****
Verallgemeinern Sie die Gleichungen (2.26) beziehungsweise (2.27) fr den Fall, dass die
Konzentrationen von freien Elektronen und freien Lchern nicht mehr gleich sind. Diese
Situation kann zum Beispiel in dotierten Halbleitern vorliegen. Gehen Sie dazu von den
Beziehungen (2.20) und (2.21) aus.
Aufgabe 2.8 Fermi-Energie in dotierten Halbleitern (zu Abschn. 2.3) ***
Berechnen Sie die Lage der Fermi-Energie EF in phosphordotiertem Silizium bei 30 K (Bindungsenergie 45 meV). Die Donatorkonzentration betrage ND = 1018 cm3. Zeichnen Sie
qualitativ die Lage des Phosphor-Niveaus und die von EF in das Bandschema ein.
Aufgabe 2.9 Beginn der Eigenleitung in dotierten Halbleitern (zu Abschn. 2.3) *
Gegeben seien Halbleiterproben aus Silizium und Germanium, jeweils dotiert mit Donatoren; Konzentration ND = 1015 cm3. Geben Sie mit Hilfe der Abb. 2.28 an, von welchen
Temperaturen an Eigenleitung jeweils merklich wird. Das ist offensichtlich der Fall, wenn
im Bereich der Strstellenerschpfung (ne = N) die Elektronenkonzentration mit der intrinsischen Ladungstrgerkonzentration ni identisch wird.
Aufgabe 2.10 Konzentration freier Ladungstrger in dotierten Halbleitern (zu Abschn. 2.3) ***
Eine Siliziumprobe ist mit Bor dotiert, die Konzentration betrgt 1014 cm3. Wie gro sind
die Konzentrationen der Elektronen im Leitungsband und der Lcher im Valenzband
a) bei 300 K,
b) bei 500 K?
Abb. 2.28 Eigenleitungskonzentration in Abhngigkeit von der

Temperatur. (Die Abbildung
wurde mit Hilfe des MATLABProgramms ni_Temp.m erstellt)
n i / cm 3
1015
Ge
Si
1010
105
100
150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
T/K
113
Bei den betrachteten Temperaturen kann man davon ausgehen, dass an den Strstellen
keine Ladungstrger mehr gebunden sind, sie befinden sich alle in den Bndern. Die Abhngigkeit von Eg von der Temperatur soll keine Rolle spielen. Bei 300 K trgt die Eigenleitung
zur Ladungstrgerkonzentration noch nichts bei.
Aufgabe 2.11 Temperaturabhngigkeit der Beweglichkeit (zu Abschn. 2.4) ****
In Abb. 2.29 ist der spezifische Widerstand von Tellur als Funktion der Temperatur fr
verschiedene Elektronenkonzentrationen dargestellt. Fr jede Kurve ist die Konzentration
der freien Ladungstrger jeweils konstant, daher ist = 1/ ~ 1/. Ermitteln Sie den
Exponenten n in der Temperaturabhngigkeit ~ T n in den beiden Grenzbereichen hoher
und niedriger Temperaturen. Sie mssen beachten, dass es sich in der Abbildung um eine
doppelt logarithmische Darstellung handelt. Aus einer solchen Darstellung kann man den
Exponenten n in der funktionalen Abhngigkeit unmittelbar aus dem Anstieg der Messkurve
entnehmen: ln ~ nlnT.
Ergnzende Anmerkung: Aus der Temperaturabhngigkeit von lsst sich wegen ~ 1/
auf die Temperaturabhngigkeit von schlieen. Hieraus lassen sich bei geeigneter
Kenntnis der Streumechanismen der Ladungstrger Aussagen ber die Ursachen der Beweglichkeit treffen.
Aufgabe 2.12 Leitfhigkeit (zu Abschn. 2.4) **
Die Leitfhigkeit eines Halbleiters hngt ber

= h e p + e e n
sowohl von der Elektronen- als auch der Lcherkonzentration ab. Wie gro mssen beide
sein, damit minimal wird? Der Einfachheit halber nehmen wir hier an, dass e und h
nicht von der Konzentration abhngen.
Aufgabe 2.13 Nochmals zur Leitfhigkeit (zu Abschn. 2.4) **
Durch einen Siliziumhalbleiter mit 0,1 mm2 Querschnittsflche fliet ein Strom von 1 A.
Das Material ist mit Bor (Konzentration 1017 cm3) dotiert.
10
/ cm
4
2
1
0,4
0,2
0,1
0,04
4
10
20
40
100
200
400
T/K
Abb. 2.29 Spezifischer Widerstand von Tellur als Funktion der

Temperatur; doppelt-logarithmisch aufgetragen (nach: [Kreher 1973])
114
a) Berechnen Sie die Leitfhigkeit dieses Materials.

a) Wie gro ist im Vergleich hierzu die Leitfhigkeit von intrinsischem (undotiertem) Silizium?
a) Mit welcher Driftgeschwindigkeit bewegen sich die Ladungstrger in dem mit Bor
dotierten Material?
Aufgabe 2.14 Pauschale Aussagen zur Leitfhigkeit von Halbleitern (zu Abschn. 2.4) ***
Halbleiter werden hufig dadurch charakterisiert, dass ihre Leitfhigkeit a) von der Temperatur und b) von der Dotierung abhngt. Zeigen Sie dies anhand von Gl. (2.49).
Aufgabe 2.15 Widerstand in integrierten Schaltkreisen (zu Abschn. 2.4) **
In einem Schaltkreis soll die Lnge einer Silizium-Halbleiterschicht (Querschnittsflche

2 m2, Dotierungskonzentration ND = 1014 cm3) so gewhlt werden, dass ein Widerstand
von 100 k entsteht. Welche Lnge muss der Streifen haben? Annahme: Zimmertemperatur, daher seien alle Strstellen ionisiert.
Aufgabe 2.16 Ermittlung der Gapenergie aus Leitfhigkeitsmessungen (zu Abschn. 2.4) ***
In einer Halbleiterprobe aus dotiertem Germanium werden Messungen der temperaturabhngigen Leitfhigkeit, von Zimmertemperatur an aufwrts, durchgefhrt. Das Ergebnis ist
in Abb. 2.30 dargestellt. In diesem Temperaturbereich befindet man sich in dem Gebiet, in
dem Eigenleitung einsetzt. Aus der Steigung der Kurve = (T) soll die Breite der verbotenen Zone (Gapenergie) ermittelt werden.
/ 1 cm 1
1
10-1
10-2
10-3
2,0
2,5
3,0
3,5
1
T
103 K -1
Abb. 2.30 Experimentell ermittelte Leitfhigkeit in Germanium

ber der reziproken Temperatur
115
Aufgabe 2.17 Fermi-Energie bei hoher Dotierung (zu Abschn. 2.7) ***
Berechnen Sie die Lage der Fermi-Energie in Bezug auf den Bandrand in GaAs bei einer
Dotierung ND = 1018 cm3 und 300 K. Die Donatoren seien alle ionisiert. Wie gro ist der
Fehler, wenn Sie statt des Fermi-Falls nur den Boltzmann-Fall annehmen?
Aufgabe 2.18 Zustandsdichte in ein- und zweidimensionalen Halbleitern (zu Abschn. 2.7) ***
Berechnen Sie die Zustandsdichte fr Elektronen a) in zweidimensionalen, b) in eindimensionalen Halbleitern. Starten Sie bei Gl. (2.4) und gehen Sie analog zur Herleitung von
Gl. (2.5) vor. Als Ergebnis mssen Sie die Formeln (2.115) und (2.116) erhalten.
Aufgabe 2.19 Elektronenkonzentration und Leitfhigkeit (zu Abschn. 2.3.3) *
n
Abb. 2.31 Zu Aufgabe 2.19
In Abb. 2.31 sehen Sie den Verlauf der Elektronenkonzentration in einem mit Donatoren
dotierten Halbleiter in Abhngigkeit von der Temperatur. Wie msste das Bild aussehen,
wenn
a) die Donatorkonzentration geringer ist,
b) hher ist als im dargestellten Fall? Zeichnen Sie die beiden Kurven in das Bild ein.
c) Skizzieren Sie das Verhalten der Leitfhigkeit, passend zum obigen Bild.
Aufgabe 2.20 Verhalten der Beweglichkeit (zu Abschn. 2.4.1) *
a) Im linken Bild von 2.32 ist der Verlauf der Elektronenbeweglichkeit in Halbleitern in
Abhngigkeit von der Dotierung bei Zimmertemperatur dargestellt. Erklren Sie mit
einigen Stichworten die physikalische Ursache fr das Abfallen dieser Kurve.
b
ln
ln
bei T = const
bei NA = const
ln NA
ln T
Abb. 2.32a,b Beweglichkeiten im Silizium in Abhngigkeit von Strstellenkonzentration

und Temperatur.
116
b) In Abb. 2.32b ist die Beweglichkeit ber der Temperatur aufgetragen. In diesem Fall handelt es sich um einen Halbleiter, der undotiert ist. Erklren Sie auch hier, warum die
Beweglichkeit nach rechts abfllt.
MATLAB-Aufgaben
Aufgabe 2.21 Intrinsische Ladungstrgerkonzentration als Funktion der Temperatur
(zu Abschn. 2.2) **
Stellen Sie graphisch die intrinsische Ladungstrgerkonzentration ni als Funktion der Temperatur fr Silizium dar. Die Abhngigkeit Eg(T) wollen wir hierbei nicht bercksichtigen.
Aufgabe 2.22 Beginn der Eigenleitung in dotierten Halbleitern (zu Abschn. 2.3) ***
Lsen Sie Aufgabe 2.9 numerisch statt graphisch, und zwar mit dem MATLAB-Nullstellensuchprogramm fzero.m oder einem anderen geeigneten Programm zur Nullstellensuche.
Aufgabe 2.23 Dotierungskonzentration aus Strommessungen (zu Abschn. 2.4) **
Durch ein Stck n-Silizium (Querschnitt 0,5 mm2, Lnge 1 cm) fliet bei Zimmertemperatur
ein elektrischer Strom von 1,1 mA. Die angelegte Spannung betrgt 5 V. Knnen Sie daraus
Aussagen ber die Hhe der Dotierung machen?
Die Lsung fhrt auf eine nichtlineare Gleichung, benutzen Sie daher das MATLABNullstellensuchprogramm und verwenden Sie die Approximationsfunktion mye(n,T) fr
die Beweglichkeit der Elektronen in Abhngigkeit von der Konzentration.
Testfragen
2.24
Wodurch unterscheiden sich Halbleiterelektronen und Lcher von freien Elektronen?
2.25
a) Nennen Sie je zwei Beispiele fr direkte und indirekte Halbleitermaterialien.

b) Welcher Typ eignet sich prinzipiell besser fr optoelektronische Anwendungen?
2.26
Galliumarsenid hat eine geringere Breite der verbotenen Zone als Galliumphosphid.
a) Welcher der beiden Halbleiter emittiert grnes, welcher infrarotes Licht?
b) In welchem dieser beiden Halbleiter ist die Konzentration der Ladungstrger bei
Zimmertemperatur grer (intrinsisches Material vorausgesetzt)?
2.27
Was verstehen Sie unter Minoritts- und Majorittsladungstrgern?
2.28
Stellen Sie sich vor, Sie knnten die effektive Masse des Leitungsbandes im Silizium
verringern. Wrde dann die Zustandsdichte pro Energieintervall kleiner oder grer
oder bliebe sie sogar konstant? Passen dann bei gegebener Temperatur mehr Elektronen ins Leitungsband?
2.29
Was wird durch die Fermi-Verteilung beschrieben? Wodurch ist das Ferminiveau
charakterisiert?
2.30
117
a) Skizzieren Sie den Verlauf der Fermi-Verteilungsfunktion fr Elektronen bei Zimmertemperatur. Kennzeichnen Sie darin die Lage der Fermi-Energie.
fe
1
Abb. 2.33 Zu Testfrage 2.30
b) Zeichnen Sie in das gleiche Achsensystem die Verteilungsfunktion bei T = 0 K.

2.31
Beantworten Sie die folgenden Fragen ohne Benutzung von Hilfsmitteln!

a) Extrem reines Silizium hat bei Zimmertemperatur eine Elektronenkonzentration
von ca. 7 109 cm3. Wie gro ist die Konzentration der Lcher?
b) Ein Stck Silizium sei mit Donatoren (Konzentration 1017 cm3) dotiert. Wie gro
ist (bei Zimmertemperatur) die Konzentration der Elektronen?
c) Wie gro ist in diesem Stck Silizium die Konzentration der Lcher?
2.32
Eine Siliziumprobe ist mit Arsen (Konzentration 1018 cm3) dotiert. Diese Atome
sind bei Zimmertemperatur alle ionisiert.
a) Welche Ladungstrger, Elektronen oder Lcher, sind in dieser Probe Minorittstrger, welche sind Majorittstrger?
b) Welche Konzentration haben die Majorittstrger?
c) Nach welcher Formel knnen Sie die Konzentration der Minorittstrger berechnen? (Ein Zahlenwert wird nicht verlangt.)
2.33
Nennen Sie Beispiele fr Elemente, die als Donatoren beziehungsweise Akzeptoren

in Frage kommen:
a) im Silizium,
b) im Galliumarsenid.
2.34
Kann ein Element sowohl Donator als auch Akzeptor sein? Wenn ja, unter welchen
Bedingungen?
Ordnen Sie unter diesem Gesichtspunkt ein: Schwefel, Silizium und Sauerstoff im
Grundmaterial Galliumphosphid.
2.35
a) Erklren Sie anhand des Bindungsmodells, wie man sich einen Donator und einen
Akzeptor veranschaulichen kann.
b) Wie kann man sich diese beiden Strstellen anhand des Energiebnderschemas
verdeutlichen? Wo liegen diese Zustnde im Bnderschema?
2.36
Wo liegt das Ferminiveau in donatordotierten und wo in akzeptordotierten Halbleitern?
118
2.37
Vergleichen Sie die Bindungsenergien eines Elektrons am Wasserstoffatom und eines

Halbleiterelektrons an einem Donator im Silizium.
Ist die Donatorbindungsenergie
a) etwa um den Faktor 10 kleiner, b) etwa um den Faktor 100 kleiner, c) etwa um den
Faktor 1000 kleiner, d) etwa gleich gro?
2.38
In Abb. 2.34 ist schematisch die Verteilung der Ladungstrger in einem n-Halbleiter
gezeigt. Welchem der folgenden Temperaturbereiche entspricht diese Situation?
a) etwa T 0 K,
b) etwa T < 100 K,
c) etwa Zimmertemperatur,
d) etwa T > 400 K.
(Der Anteil der aus dem Valenzband freigesetzten Elektronen ist allerdings hier bertrieben gro dargestellt.)
E
Strstellenniveaus
2.39
Abb. 2.34
frage 2.38
Zu Test-
In den drei Teilen der Abb. 2.35 sind die energetischen Zustnde dargestellt fr
1. undotiertes Silizium, 2. donatordotiertes Silizium, ND = 1016 cm3, 3. akzeptordotiertes Silizium, NA = 1018 cm3.
EC
Abb. 2.35 Zu Testfrage 2.39
EV
a) Kennzeichnen Sie an den Skizzen, welche zu Fall 1, 2 oder 3 gehrt.

b) Wie gro ist in allen drei Fllen die Konzentration freier Elektronen und Lcher
bei Zimmertemperatur? Schtzen Sie diese Werte ohne genaue Zahlenrechnung ab.
c) Skizzieren Sie jeweils grob, wo etwa die Fermi-Energie liegt.
Hinweis: Fr die intrinsische Ladungstrgerkonzentration soll ein Wert von
1010 cm-3 angenommen werden.
2.40
Benennen Sie die Ursachen von Drift- und Diffusionstrom.
2.41
a) In einem gewissen Raumbereich eines Halbleiters sei ein elektrisches Feld vorhanden. In welcher Richtung bewegen sich die Lcher, wenn sich die Elektronen nach
rechts bewegen?
119
b) Wir nehmen an, Elektronen und Lcher spren einen gleichen Dichtegradienten.
Bewegen sie sich dann in gleicher Richtung oder in entgegengesetzten Richtungen?
2.42
Sind in einem stark dotierten Halbleitermaterial die Beweglichkeiten kleiner oder

grer als in undotiertem Material, oder sind sie in beiden Fllen gleich? (Begrndung!)
2.43
Skizzieren Sie das Verhalten der Beweglichkeit bei 300 K als Funktion der Strstellenkonzentration. Erklren Sie das Abfallen mit wachsender Strstellenkonzentration.
2.44
a) Skizzieren Sie die Temperaturabhngigkeit der Ladungstrgerkonzentration n(T)

im Leitungsband eines donatordotierten Halbleiters.
b) Bezeichnen Sie in Ihrer Skizze die typischen Kurvenverlufe und nennen Sie die
Ursachen fr den Verlauf in den jeweiligen Gebieten.
2.45
Skizzieren Sie den typischen Verlauf der Leitfhigkeit von Halbleitern ber der Temperatur.
2.46
Welche beiden physikalischen Gren gehen unmittelbar in die Formel fr die Leitfhigkeit eines Halbleiters ein? Was ist bei einem Metall anders?
2.47
Skizzieren Sie die Kennlinie eines Silizium-Widerstandsthermometers und eines

NTC-Widerstands. Welcher physikalische Effekt ist jeweils fr das typische Verhalten verantwortlich?
2.48
Gegeben seien Halbleiterbauelemente aus Silizium und Germanium, jeweils dotiert

mit Donatoren; Konzentration ND = 1015 cm3.
Fr das Funktionieren von Bauelementen ist es wichtig, dass die Konzentration der
Ladungstrger in den Bndern bei Erwrmung einigermaen konstant bleibt. Geben
Sie an, bis zu welchen Temperaturen dies in den betrachteten dotierten Proben
jeweils gewhrleistet ist (kurze Erklrung).
Hilfreich knnte in diesem Zusammenhang die Abbildung Abb. 2.28 sein; sie zeigt
die so genannte intrinsische Ladungstrgerkonzentration von Silizium und Germanium.
pn-bergnge
Nachdem wir uns ausfhrlich mit dem homogenen Halbleiter befasst haben,
knnen wir jetzt zur Untersuchung von Halbleiterstrukturen bergehen. Fast
alle Bauelemente Ausnahmen waren die bereits besprochenen Widerstandsthermometer bestehen aus Bereichen mit unterschiedlichen Eigenschaften. Dabei kann es sich sowohl um Heterostrukturen handeln, also um
vollkommen unterschiedliche Grundmaterialien, als auch um Homostrukturen, also um lediglich verschieden dotierte Komponenten ein- und desselben Grundmaterials. Wir werden uns hier vorwiegend mit Homostrukturen
befassen.
Die einfachste Struktur ist der pn-bergang, der die Grundlage der
meisten Halbleiterdioden bildet. Wir behandeln zunchst, ausgehend von
den grundlegenden Kenntnissen ber Halbleitermaterialien aus dem letzten
Kapitel, den prinzipiellen Aufbau von pn-bergngen und fhren diese
berlegungen dann weiter, indem wir uere Spannungen anlegen. Dabei
gelingt es uns, ein Modell einer Halbleiterdiode abzuleiten, das die Kennlinien realer Bauelemente gut wiedergibt.
3.1 Modell einer Halbleiterdiode

Nur wenige Bauelemente, wie zum Beispiel das Widerstandsthermometer, knnen
aus einem homogenen Halbleiter hergestellt werden. In den meisten Fllen ist eine
bestimmte rumliche Struktur ntig, innerhalb derer sich die Materialeigenschaften
ndern. Das einfachste strukturierte Bauelement ist eine Halbleiterdiode. Sie
besteht im Wesentlichen aus einem pn-bergang, das ist eine Schichtfolge von nund p-dotiertem Material.
Ein pn-bergang wird meist durch Diffusion von Akzeptoren in n-Material hergestellt, so dass die vorher schon vorhandene n-Dotierung berkompensiert wird.
Mit Einzelheiten der Technologie befassen wir uns spter. Hier wollen wir uns die
Verhltnisse an einem einfachen linearen Modell (Abb. 3.1) klarmachen.

DOI 10.1007/978-3-642-20032-8, Springer 2011
121
122
3 pn-bergnge
a Dotierungskonzentration
b Dotierungskonzentration
NA
NA
ND = NA
ND NA (genhert)
ND
ND
ND NA (exakt)
0
(metallurgischer bergang)
n-Bereich
Abb. 3.1 Dotierungsprofil einer Halbleiterdiode. (a) reales Profil, (b) Differenz der Dotierungskonzentrationen (exakt und stufenfrmig genhert)
Zur Vereinfachung nehmen wir an Stelle des tatschlichen Dotierungsprofils

jedoch in Zukunft immer ein Stufenprofil wie im rechten Teil der Abbildung an,
wobei links ND = 0 und rechts NA = 0 sei. Tatschlich hat der durch Diffusion entstandene Bereich meist die Form einer Wanne in der Grundsubstanz (Abb. 3.2).
Die Geometrie ist hier gegenber Abb. 3.1 um 90 gekippt.
Im linken, akzeptordotierten Bereich der Abb. 3.1sind die beweglichen
Ladungstrger Lcher, daher spricht man von p-Leitung. Im rechten, donatordotierten Bereich sind die beweglichen Ladungstrger Elektronen (n-Leitung). An
der bergangsstelle knnen beide Sorten rekombinieren (das geschieht bereits
beim Herstellungsprozess!), so dass dieses Gebiet dann keine beweglichen
Ladungstrger mehr aufweist. Wir nehmen als einfachstes an, dass die bergnge
abrupt sind und kommen dann zu dem in Abb. 3.3 gezeigten Modell, dessen vier
Bereiche sich jeweils durch ihre Ladungsdichten unterscheiden.
Ein einfaches Modell eines pn-bergangs besteht darin, dass innerhalb einer Verarmungs- oder Sperrschicht an der Grenze von n- und p-Gebiet alle beweglichen
Ladungstrger ausgerumt sind. Dort ist also nur noch die negative beziehungsweise positive Raumladung der Strstellenrmpfe vorhanden (Raumladungszone).
metallischer Kontakt
p-Bereich
n-Bereich
metallischer Kontakt
Abb. 3.2 Technologischer Aufbau einer

Halbleiterdiode (gegenber Abb. 3.1 und
Abb. 3.3 um 90 gedreht). Rechts daneben:
Schaltzeichen
3.2 pn-bergang ohne uere Spannung
123
Sperrschicht
(Verarmungszone, depletion layer)
+ +
+ +
+ +
+ + +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

+
+
+

+
neutral
negative
Raumladung
positive
Raumladung
neutral
Grenze zwischen p- und n-Gebiet
Abb. 3.3 Modell eines Halbleiters mit pn-bergang. Rechtecke: unbewegliche Rmpfe der
Donatoren bzw. Akzeptoren; Kreise: bewegliche Ladungstrger (Elektronen und Lcher)
Die schlagartige nderung der Elektronen- bzw. Lcherkonzentration an den

Grenzen der Raumladungsgebiete fhrt zu einem Diffusionsstrom in diese Gebiete
hinein. Dieser wird jedoch durch einen gleich groen, aber entgegengesetzt gerichteten Feldstrom kompensiert, so dass insgesamt Gleichgewicht herrscht.
Die Raumladungszone heit auch Verarmungsschicht (engl. depletion layer), da
bewegliche Ladungstrger dort praktisch nicht (oder kaum) vorhanden sind.

3.2.1 Qualitative Betrachtungen
Zunchst wollen wir versuchen, die Verhltnisse am pn-bergang qualitativ zu
verstehen. Wir werden das dann durch Nachrechnen untermauern, wobei die Rechnung zunchst zunchst langwierig zu sein scheint. Wichtig ist, vor allem die
Zusammenhnge im Auge zu behalten.
Von den ortsfesten Ladungen gehen Feldlinien aus. Sie beginnen an den positiven Donatorrmpfen, in unserer Darstellung auf der rechten Seite, und enden an
den negativen Akzeptorrmpfen auf der linken Seite. Zur Mitte des Raumladungsgebiets hin werden sie dichter, da ja die Zahl der Ladungen, von denen sie ausgehen, immer grer wird. Der Betrag der Feldstrke steigt demnach bis dorthin
kontinuierlich an. In dem dargestellten Modell ist das Feld negativ, da die Feldlinien von rechts nach links zeigen. Durch das elektrische Feld wird ein Potentialunterschied zwischen den beiden Raumladungsgebieten aufgebaut. Die zur
Raumladung gehrige Feldstrke und das dadurch aufgebaute Potential sind in
Abb. 3.4 skizziert
124
3 pn-bergnge
(x)
xp
xp
xn
xn
xn
xp
Abb. 3.4 Raumladung, elektrische Feldstrke und Potentialverlauf am pn-bergang im

Modell abrupter Raumladungsgebiete
Den genauen Zusammenhang zwischen Ladungsdichte und Feldstrke stellt das
Gausssche Gesetz der Elektrostatik

= div D .
(3.1)
her, es ist eine der berhmten Maxwellschen Gleichungen. Sie drckt quantitativ aus, was wir eben qualitativ beschrieben haben: Ladungen sind die Quellen der
elektrischen Feldstrkelinien (genauer: der Linien der dielektrischen Verschiebungsflussdichte D). Bei dem hier gewhlten Modell einer Halbleiterdiode hngt
die Ladungsdichte nur von der x-Koordinate ab, und die Flussdichte lsst sich
durch die elektrische Feldstrke ber D = 0 E ausdrcken. Damit wird (3.1) zu
( x ) = 0
dE ( x )
,
dx
(3.2)
In manchen Bchern wird diese Gleichung auch als Poisson-Gleichung bezeichnet. In der
Poisson-Gleichung steht aber eigentlich auf der rechten Seite nicht die elektrische Feldstrke E , sondern der Potentialgradient gradU was dasselbe ist. Wir benutzen brigens
fr die Feldstrke ein Zierschrift-E, um sie von der Energie zu unterscheiden.
125
Anschaulich kann man sich den Zusammenhang zwischen Ladung und Flussdichte auch wie folgt verdeutlichen: Wenn wir von links nach rechts durch das
Raumladungsgebiet des pn-bergangs wandern, kommen wir an immer mehr
negativen Raumladungen vorbei, so dass die Dichte der Flusslinien bis zur Grenze
des p- und n-Gebiets immer grer wird, um danach wieder abzunehmen. Die
Zahl der Flusslinien ergibt sich also durch Summation ber die Zahl der Ladungen, an denen wir vorbergeschritten sind. Wenn wir nun noch aus der Summation
ber die Einzelladungen eine Integration ber die Ladungsdichte machen, erhalten
wir die integrale Form zu Gleichung (3.1)
D( x) = ( x)dx .
Die elektrische Feldstrke ergibt sich daraus zu
E ( x) =
1
( x)dx .
0
(3.3)
Das ist genau die integrierte Form von (3.2).

3.2.2 Berechnung des Potentialverlaufs
Wir berechnen den Verlauf der elektrischen Feldstrke E (x) gem (3.3) durch
Integration ber die Ladungsdichten in den jeweiligen im letzten Abschnitt
(Abb. 3.3) definierten vier Raumgebieten. Daraus ergibt sich anschlieend durch
nochmalige Integration das elektrische Potential U(x). Die Ergebnisse sind in
Tabelle 3.1. auf der folgenden Seite zusammengestellt.
Der gesamte Potentialunterschied zwischen dem linken (1.) und dem rechten
(4.) neutralen Bereich ist durch den Ausdruck
UD
e
N D xn 2 + N A xp 2
20
(3.4)
gegeben. Da diese Potentialdifferenz ihre Ursache letztlich in der Diffusion hat, die
die Raumladungsgebiete frei rumt, heit sie Diffusionsspannung.
Die Energie E(x) folgt wegen
E(x) = eU(x)
(3.5)
(bis auf das Vorzeichen) der Spannung U(x), womit die Bnder den in Abb. 3.5
gezeigten Verlauf annehmen.
126
3 pn-bergnge
Tabelle 3.1. Ladung, Feldstrke und Potential am pn-bergang (Die vier Bereiche
entsprechen denen in Abb. 3.3)
1.
(Neutral)
2.
(Negative
Raumladung)
3.
(Positive
Raumladung)
4.
(Neutral)
Ladungsdichte (x) (Abb. 3.4 oben)

=0
= eNA
= eND
=0
Zusammenhang Ladungsdichte Feldstrke (Abb. 3.4 Mitte) ber Gleichung (3.3)

1
E ( x ) = -------- ( x )dx
0
E =0
(feldfrei)
E (x )=
eN A
xp + x
0
E (x)=
eN D
( x xn )
0
E =0
(feldfrei)
Zusammenhang Feldstrke - Potential (Abb. 3.4 unten) ber
U ( x ) = E ( x )dx
U = 0
(feldfrei)
U ( x) = U (0)
U ( x) =
=
eN A
0
( xp + x ) d x =
eN D
0
xp
eN xp + x
= A
0
2
2
=
( x xn ) dx =
0
2
eN A xp
+
0 2
eN D
0
U ( x) = const =
e
=
N D xn2 + N A xp2
20
UD
x 2 ( x x )2
n
n
2
2
Die Energie ergibt sich aus dem Potential zu

E(x) = eU(x)
eUD
Ec(x)
EF
xp
xn
Ev(x)
x
Abb. 3.5 Energiebnder am pn-bergang
127
3.2.3 Breite der Sperrschicht
Die Ladungen links und rechts des pn-bergangs mssen sich insgesamt neutralisieren, also betragsmig gleich gro sein. Je geringer demnach ein Raumladungsgebiet dotiert ist, desto weiter muss es ausgedehnt sein, das heit
NAxp = NDxn.
(3.6)
Dieselbe Bedingung ergibt sich auch aus der Forderung, dass E an der Stelle x = 0
von rechts und von links kommend den gleichen Wert haben muss (Anschlussbedingung beim Lsen der Differentialgleichung).
Wenn wir dies in den Ausdruck fr die Diffusionsspannung (3.4) einsetzen,
erhalten wir entweder einen Zusammenhang zwischen xp und UD oder zwischen xn
und UD. Damit lsst sich die Breite des linken bzw. rechten Teils des Raumladungsgebiets angeben:
xn2 =
20U D
NA
,
2
e
ND NA + ND
(3.7)
xp2 =
20U D
ND
.
2
e
ND NA + NA
(3.8)
Die Summe aus xp und xn ergibt die gesamte Breite b der Sperrschicht
b=
20
e
ND + NA
UD .
ND NA
(3.9)
Allerdings wissen wir leider noch nicht, wie gro der Wert von UD in diesem
Ausdruck ist. Die Verwendung von (3.4) bringt in dieser Hinsicht nichts, denn daraus haben wir ja gerade erst unsere Beziehung fr b abgeleitet. Wir bentigen aber
eine Formel, die die Diffusionsspannung in Abhngigkeit von grundlegenden
Eigenschaften des pn-bergangs, beispielsweise von der Dotierung, angibt. Deren
Herleitung wird uns im nchsten Abschnitt gelingen.
3.2.4 Diffusionsspannung
Wir mssen hier noch einmal eine allgemeine berlegung zur Gte unserer Nherung fr den pn-bergang anstellen. Bisher hatten wir angenommen, dass innerhalb der Raumladungsgebiete keine beweglichen Ladungen vorhanden sind. Nur
deshalb konnten wir auch die Gleichung (3.2) lsen. Es ist aber klar, dass die Elektronen und Lcher nicht daran denken, auerhalb der Sperrschicht zu bleiben. Aufgrund des Dichtegeflles diffundieren sie in Wirklichkeit in die Raumladungszone
hinein. Das ist fr die Anwendungen auch gut so, denn andernfalls knnte ja kein
Strom flieen, und an dem sind wir ja bei einer Halbleiterdiode gerade interessiert.
128
3 pn-bergnge
Die in (3.2) einzusetzende Gesamtladung muss demnach nicht nur die Donatorund Akzeptorkonzentrationen ND und NA (stufenfrmige Abhngigkeit von x!),
sondern auch die der Elektronen n(x) und Lcher p(x) (beide in noch nicht bekannter Weise ortsabhngig) bercksichtigen,
(x) = e (ND(x) NA(x) + p(x) n(x)).
(3.10)
Dass wir zunchst die Ortsabhngigkeit von n und p vernachlssigt hatten, war
berechtigt, denn im Raumladungsgebiet dominieren die ortsfesten Ladungen der
Strstellenrmpfe. Jetzt beziehen wir aber in einem zweiten Schritt n und p mit ein.
Die Annahme einer abrupten Grenze der Elektronen und Lcher an den Stellen xp
und xn war ja auch arg willkrlich. Es ist stattdessen zu bercksichtigen, dass die
Elektronen und die Lcher in die Raumladungsgebiete hineindiffundieren. Diese
Diffusion wird jedoch gebremst durch das elektrische Feld, dem sich die Ladungstrger in den Raumladungsgebieten ausgesetzt sehen. Elektronen, die sehr weit
nach links in das Raumladungsgebiet hinein gelangen, spren die negative Ladung
der Akzeptoren auf der linken Seite und werden deshalb mehr und mehr abgestoen.
Qualitativ ist klar, wie der Ladungsverlauf im Raumladungsgebiet aussehen
muss: Im linken, p-dotierten neutralen Gebiet (Bereich 1 in Tabelle 3.1.) ist die
Lcherkonzentration gleich der Akzeptorkonzentration p = NA , und die Elektronenkonzentration n0 ergibt sich daraus mit dem Massenwirkungsgesetz zu
n0 =
ni2
.
NA
(3.11)
Im rechten, n-dotierten neutralen Gebiet (Bereich 4 in Tabelle 3.1.) haben wir analog n = ND und
p0 =
ni2
.
ND
(3.12)
Im Raumladungsgebiet wird die Ladungstrgerkonzentration dazwischen liegen, wie in Abb. 3.6 halblogarithmisch dargestellt. Der genaue Verlauf von n(x)
und p(x) muss sich als Lsung der Diffusionsgleichung ergeben.
Diese Lsung soll jetzt ermittelt werden. Dazu schreiben wir den Ausdruck fr den
Gesamtstrom auf, den wir bereits frher abgeleitet hatten fr die Elektronen war es (2.60):
je ( x) = ee n( x)E ( x) + eDe
dn( x)
=0
dx
(3.13)
Der Gesamtstrom setzt sich aus einem Feldanteil (hervorgerufen durch E (x)) und einem
Diffusionsanteil (hervorgerufen durch den Konzentrationsgradienten) zusammen. Die einzelnen Anteile brauchen jedoch selbst nicht null zu sein. Hier wird der Feldstrom durch
einen gleich groen, aber entgegengesetzt gerichteten Diffusionsstrom kompensiert. Eine
analoge Beziehung gilt natrlich fr die Lcher.
Da wir E (x) bereits kennen, knnen wir die Differentialgleichung benutzen, um nun n(x)
zu berechnen. Wir formen sie deshalb nach E (x) um, wobei wir gleich De = e kB T/e einsetzen:
ln n
ln p
p = NA
n = ND
p0
n0
0
xp
E ( x) =
129
xn
n(x)
Abb. 3.6 Ladungstrgerkonzentration in der Umgebung

des pn-bergangs (halblogarithmisch)
p(x)
x
kBT 1 dn( x)
.
e n( x) dx
(3.14)
Von hier aus kommen wir durch Trennen der Variablen weiter:
x
E ( x) dx =
xp
kBT
e
xp
dn
.
n
(3.15)
Die links stehende Gre ist gerade die Potentialdifferenz U (x) U(xp) zwischen einem
beliebigen Punkt x und dem Punkt xp. Daraus folgt
U ( x) U ( xp ) =
kBT
n(x)
ln
.
e
n( xp )
(3.16)
Der Logarithmus der Elektronenkonzentration folgt also genau dem Verlauf des elektrischen
Potentials. Nach Umformung erhalten wir aus (3.16)
e U ( x ) U ( xp )
n( x) = n( xp ) exp
kBT
) ,
(3.17)
und analog
e U ( x) U ( xp )
p( x) = p ( xp ) exp
kBT
) .
(3.18)
Damit haben wir den gesuchten Verlauf der Ladungstrgerkonzentration gefunden.
Uns interessiert jedoch anstelle von (3.16) viel eher die Potentialdifferenz ber
die gesamte Breite der Raumladungszone. Dazu schreiben wir diese Formel speziell fr den Wert x = xn auf, dann ist nmlich die Potentialdifferenz gerade gleich
der Diffusionsspannung:
U D U ( xn ) U ( xp ) =
k BT
n ( xn )
ln
.
e
n( xp )
(3.19)
Fr die Teilchenkonzentrationen knnen wir hier einsetzen

n( xn ) = N D sowie n( xp ) =
ni2
,
NA
(3.20)
130
3 pn-bergnge
und wir erhalten endgltig

UD =
k BT N D N A
ln
.
2
e
ni
(3.21)
Somit haben wir endlich einen Ausdruck fr die Diffusionsspannung erhalten, der
nur von bekannten makroskopischen Parametern (Temperatur und Dotierungskonzentrationen) abhngt. Das gleiche Ergebnis kann man brigens auch aus der
Fermi-Energie ableiten, deren Lage ja ber die gesamte Sperrschicht konstant ist
(Aufgabe 3.5).
Wenn man die Formel (3.17) in die Form
n( xp ) = n( xn ) e
eU D
kBT
(3.22)
bringt, wird deutlich, dass zum Beispiel die Dichte der Elektronen als Minorittstrger im p-Gebiet gegenber der als Majorittstrger im n-Gebiet exponentiell
kleiner ist,
n0 (p-Gebiet) = N D e
eU D
kBT
(3.23)
Das gilt umgekehrt auch fr die Lcher wegen

p( xn ) = p ( xp ) e
eU D
kBT
; bzw.
p0 (n-Gebiet) = N A e
eU D
kBT
(3.24)
Beispiel 3.1
Die Diffusionsspannung fr eine symmetrische Siliziumdiode (NA = ND = 1015 cm3)
ist zu berechnen.
Lsung:
UD =
kBT N A N D
1030
ln
=
0,026
V
ln
= 0,61 V.
e
(7 109 )2
ni 2
Beachten Sie, dass die Diffusionsspannung von der Temperatur und der Dotierungskonzentration in beiden Gebieten abhngt.
Beispiel 3.2
Berechnen Sie die Sperrschichtbreite fr die symmetrische Siliziumdiode aus
Beispiel 3.1.
Lsung:
Aus (3.7) erhalten wir
xn =
20
e
NA
U D = 0,62 m.
ND ( NA + ND )
Fr xp ergibt sich, wie es wegen NA = ND sein muss, der gleiche Wert. Daraus folgt fr
die Sperrschichtbreite: b = xn + xp = 2 0,62 m = 1,24 m.
3.3 pn-bergang mit uerer Spannung
131

3.3.1 Modell
Auch bei Anlegen einer ueren Spannung gehen wir von demselben Modell aus
wie bisher. Wir nehmen also wieder vier getrennte Gebiete wie bereits in Abb. 3.3
an:
1. links ein neutrales p-Gebiet,
2. daneben ein negatives Raumladungsgebiet, hervorgerufen durch geladene
Akzeptorrmpfe,
3. als Nchstes ein positives Raumladungsgebiet, hervorgerufen durch geladene Donatorrmpfe,
4. rechts ein neutrales n-Gebiet.
Wird eine uere Spannung U so angelegt, dass links am p-Gebiet der negative
Pol der Spannungsquelle liegt und rechts am n-Gebiet der positive Pol, so werden
Elektronen nach rechts und Lcher nach links gesaugt, so dass die Sperrschicht
breiter wird. Bei umgekehrter Polung werden die Ladungstrger in Richtung der
Sperrschicht gedrckt, so dass diese schmaler wird.
Gleichzeitig verndert sich die Energiedifferenz zwischen n- und p-Gebiet.
Durch die uere Spannung kann der n-Bereich gegenber dem p-Bereich energetisch angehoben oder abgesenkt werden, je nach Vorzeichen dieser Spannung. Ein
positives Potential rechts verringert die Energie auf dieser Seite um E = eU; die
Potentialdifferenz und ebenso energetische Differenz zwischen beiden Bereichen
wird also grer.
Umgekehrt verringert sich die Energiedifferenz, wenn eine Spannung in der
anderen Richtung angelegt wird (Abb. 3.7). Dadurch knnen jetzt mehr Elektronen
von rechts nach links und Lcher von links nach rechts gelangen. Weil stets
Ladungstrger von auen nachgeliefert werden, fliet ein Strom. Diese Polung
bezeichnet man als Durchlassrichtung (Flussspannung), im Gegensatz zur vorher
beschriebenen Sperrrichtung (Sperrspannung).
Raumladungszone
E
p-Gebiet
(wird schmaler nach Anlegen

einer Spannung)
n-Gebiet
Ec
eU
EF
Ev
eU
xp
xn
Abb. 3.7 Energiebnder

an einem pn-bergang,
wenn eine uere Spannung in Durchlassrichtung
angelegt ist. Die Bnder
sind gegenber dem spannungslosen Fall um eU
angehoben, das Fermi-Niveau spaltet im Bereich
des bergangs auf. Die
Werte von xn und xp verndern sich gegenber
dem spannungslosen Fall
132
3 pn-bergnge
Die Ladungstrgerkonzentration wird durch die uere Vorspannung ebenfalls

gendert. Dabei verbleibt die Majorittstrgerkonzentration am Rand der Raumladungszone bei ihren durch die Strstellen festgelegten Werten, also
n(xn) = ND
und
p(xp) = NA .
(3.25)
Ladungstrger strmen aber aus dem Majorittsgebiet ins jeweils andere Gebiet;
die Konzentration der Minorittstrger an den Grenzen der Raumladungsgebiete
erhht sich dadurch. Weit links im p-Gebiet, fernab von der Raumladungszone,
wird sie jedoch immer noch durch n = n0 = ni2 /NA bestimmt im p-Gebiet durch
p = p0 = ni2 /ND.
Durch eine von auen an einen pn-bergang angelegte Flussspannung
1. verringert sich die Sperrschichtbreite (Raumladungszone),
2. verkleinert sich die Energiebarriere zwischen p- und n-Gebiet.
Bei Sperrpolung kehren sich die Verhltnisse um.
Fr die weiteren berlegungen behalten wir das Modell der vorigen Abschnitte
bei und treffen zustzlich folgende Annahmen:
1. Wir gehen davon aus, dass die Ohmschen Widerstnde in den neutralen
Bereichen des Halbleiters vernachlssigbar sind. Dann fllt die gesamte
uere Spannung wie auch die Diffusionsspannung nur ber dem pn-bergang ab.
2. Die Raumladungszone ist sehr schmal, so dass keine merkliche Rekombination in diesem Bereich auftritt.
3.3.2 Breite der Sperrschicht
Die Gre des Raumladungsgebiets auf der n- als auch auf der p-Seite verndert
sich durch die von auen angelegte Spannung; die in Abschn. 3.2.3 erhaltenen
Beziehungen sind demnach zu modifizieren. Unter der obigen Annahme, dass die
gesamte uere Spannung nur ber dem pn-bergang abfllt, brauchen wir in allen
Ausdrcken, in denen UD auftritt, nur UD durch (UD U) zu ersetzen. Insbesondere erhalten wir damit fr das n-Gebiet an Stelle von (3.7)
xn2 =
2 0
NA
(U D U ) ,
e N D N A + N D2
(3.26)
und fr das p-Gebiet an Stelle von (3.8)

xp2 =
20
ND
(U D U ) .
e ND NA + NA2
(3.27)
133
Die Gesamtbreite der Sperrschicht b = xn + xp ergibt sich daraus zu

b=
20
e
ND + NA
UD U .
ND NA
(3.28)
3.3.3 Berechnung der Strme
Wenn an unserem pn-bergang eine Spannung anliegt, muss auch ein Strom flieen. Im Innern des Halbleiters wird er sich aus einem Elektronen- und einem Lochanteil zusammensetzen. Bevor wir jedoch zur Berechnung der ber einen pnbergang flieenden Strme kommen, wollen wir uns Gedanken ber die rumliche Verteilung der beweglichen Ladungstrger machen. Wir gehen dazu von (3.22)
bzw. (3.24) aus. Auch hier tritt zur Diffusionsspannung jetzt die uere Spannung
hinzu:
n( xp ) = n( xn ) e
e (U D U )
kBT
= n0 e
eU
kBT
(3.29)
sowie
p( xn ) = p ( xp ) e
e (U D U )
kB T
eU
= p0 e kBT .
(3.30)
Beim Anlegen einer positiven Spannung (Durchlassrichtung) wird der Exponent

kleiner und die Minorittstrgerdichte der Lcher an der rechten Begrenzung xn
des Raumladungsgebiets grer. Fr die Elektronen gilt sinngem das Gleiche an
der Stelle xp .
Der Abfall der Ladungstrgerdichte p(xn) bis zur Gleichgewichtsdichte p0 vollzieht sich in den an die Raumladungszone angrenzenden Bereichen exponentiell
innerhalb einer charakteristischen Lnge, der Diffusionslnge der Lcher Lh:
( x xn )
p( x) p0 = ( p( xn ) p0 ) exp
,
Lh
(3.31)
entsprechend Abb. 3.8 (Beachten Sie, dass die Raumladungszone sehr schmal ist!):
Wir leiten (3.31) am Beispiel der Lcher ab. Auerhalb der Raumladungsgebiete gibt es
kein elektrisches Feld mehr und demnach auch keinen Feldstrom. Der gesamte Strom in diesem Bereich muss daher durch den Diffusionsstrom getragen werden. Mit grerem
Abstand vom Raumladungsgebiet wird er geringer, da durch die Rekombination immer
mehr Lcher verschwinden. Quantitativ knnen wir das mit der Kontinuittsgleichung aus
Abschn. 2.4.7 erfassen. Aus (2.76) folgt
0=e
p
= div jh + e(G R )h ,
t
(3.32)
134
3 pn-bergnge
p-Gebiet
ln n
ln p
Raumladungszone
n-Gebiet
n0
p0
Le
Lh
xp
xn
Abb. 3.8 Verlauf der Trgerdichten auerhalb der Raumladungszone
wobei die Rekombination R gegenber der Generation G berwiegt. Die Differenz Reff =
R G hatten wir bereits in (2.68) als effektive Rekombinationsrate eingefhrt.
Wir erhalten
0 = div jh eR eff =
d
d
d p (x )
jh eR eff = (eDh
) eR eff .
dx
dx
dx
(3.33)
Jetzt kann man durch e dividieren und die beiden Differentiationen zusammenfassen:
Dh
d 2 p(x)
dx 2
(3.34)
R eff = 0.
Fr die Rekombination R nimmt man oft eine Beziehung der Form
R eff =
p ( x) p0
,
h
(3.35)
an, wobei h eine typische Zeitkonstante ist, die Rekombinations-Lebensdauer (Gl. (2.71) in
Abschn. 2.4.6). Daraus folgt
Dh
d 2 ( p (x) p0 )
dx
p (x) p0
= 0.
h
(3.36)
(Es spielt keine Rolle, ob wir in (3.34) p(x) oder die Differenz (p(x) p0) nach x ableiten, da
die Konstante p0 bei der Differentiation verschwindet.)
Die Lsung dieser Differentialgleichung 2. Ordnung hat die gesuchte Gestalt

von (3.31), also
x xn
p(x) p0 = ( p (xn ) p0 ) exp
Dh h
wie man durch Einsetzen in (3.36) leicht nachprfen kann.
(3.37)
135
Es ist sicher plausibel, dass auerhalb des Raumladungsgebietes kein elektrisches Feld mehr existiert und demnach auch kein Feldstrom fliet. Der gesamte
Strom in diesem Bereich muss daher durch den Diffusionsstrom getragen werden.
Mit grerem Abstand vom Raumladungsgebiet wird er geringer, da durch die
Rekombination immer mehr Lcher verschwinden. Die oben vorgestellte Lsung
drckt genau das aus und fhrt gerade zu dem dargestellten exponentiellen Abfall
mit der Entfernung von der Grenze des Raumladungsgebiets.
Die Gre
(3.38)
Lh = Dh h .
heit Diffusionslnge der Lcher. Sie enthlt unter der Wurzel den Diffusionskoeffizienten und die Rekombinations-Lebensdauer und kennzeichnet damit, wie weit
die Lcher im Mittel durch Diffusion gelangen knnen, bevor sie rekombinieren.
Analog ist
(3.39)
Le = De e
die Diffusionslnge der Elektronen und e deren Rekombinations-Lebensdauer.

Die Ladungstrgerkonzentration ist um so hher, je strker die Diffusion ist und
je langsamer die Rekombination abluft, daher erscheint die Abhngigkeit der Diffusionslnge von Dee plausibel.
Jetzt mssen wir in (3.31) noch den Wert der Lcherkonzentration p(xn) an der
Stelle xn einsetzen, er wurde in (3.30) angegeben. Wir erhalten damit nach Ausklammern von p0
eU
x xn
p(x) p0 = e kBT 1 p0 exp
.
Lh
(3.40)
Speziell an der Stelle x = xn wird die zweite Exponentialfunktion in diesem Ausdruck zu eins,
eU
p(xn ) p0 = e kBT 1 p0
(3.41)
bei xn ist die Dichte der berschussladungstrger maximal. Die Konzentration

p(x) der Lcher fllt vom Wert
p( xn ) = e
eU
kBT
p0
bei x = xn bis auf p0 im Unendlichen ab.
(3.42)
136
3 pn-bergnge
Aus dem Verlauf der Lcherkonzentration lsst sich nun der Diffusionsstrom2
jh ( x) = eDh
dp ( x )
.
dx
(3.43)
bestimmen:
eU
x xn
d kBT
jh ( x) = eDh
1 p0 exp
e
Lh
dx
eU
1
= eDh e kBT 1 p0
Lh
x xn
exp
Lh
(3.44)
Heit dies, dass der Strom fr x verschwindet? Sicher nicht. Der Minorittstrger-Diffusionsstrom ist dort vollstndig in den Driftstrom der Majorittstrger bergegangen.
Zum Lcherstrom kommt noch ein Elektronenstrom hinzu. Im Raumladungsgebiet sind beide Anteile fr sich konstant, da dort so gut wie keine Rekombination
stattfindet. Wir knnen uns also aussuchen, an welcher Stelle zwischen xp und xn
wir jeden Stromanteil berechnen und werden jeweils den Punkt whlen, bei dem
das am einfachsten ist. Der Lcherstrom beispielsweise ist an der Stelle x = xn ein
reiner Diffusionsstrom, denn an diesem Punkt beginnt ja gerade das raumladungsfreie Gebiet, in dem es keinen Feldstrom geben sollte. Wir knnen also (3.44) heranziehen, um den Lcherstrom an dieser Stelle zu berechnen.
eU
1
x xn
kBT
jh ( x = x n ) = eDh e
1 p0 exp
=
Lh
Lh
x = xn
D
=e h
Lh
eU

kBT
p .
e
1
(3.45)
Analog lsst sich der Elektronenstrom am bequemsten durch den Diffusionsstrom an der Stelle x = xp berechnen:
eU
x + xp
1
=
je ( x = xp ) = eDe e kBT 1 n0 exp
Le
Le x = xp
eU

De kBT
=e
1 n0 .
e
Le

(3.46)
Wir schreiben die Formeln wieder nur fr die Stromdichten hin, durch Multiplikation mit
der Querschnittsflche lsst sich daraus einfach der Gesamtstrom finden.
137
Die eben gewonnenen Ausdrcke fr die Strme basierten zunchst auf der
Annahme einer Polung in Durchlassrichtung. Eine Sperrpolung wrde dagegen
bedeuten, dass die Potentialunterschiede zwischen p- und n-Gebiet grer werden.
Damit sind die Minorittstrgerkonzentrationen gerade kleiner als im Gleichgewicht, also p(x) < p0 und n(x) < n0. In diesem Falle wird der Unterschied zum
Gleichgewicht nicht durch Rekombination, sondern durch Generation bewirkt. Um
diese Generation auszugleichen, mssen (kleine) Sperrstrme flieen. Ihre Richtung ist gerade entgegengesetzt zum Strom im Durchlassfall. Die erhaltenen Gleichungen (3.45) und (3.46) gelten aber auch in diesem Fall.
3.3.4 Strom-Spannungs-Kennlinie
Aus (3.45) und (3.46) ergibt sich der gesamte Strom am pn-bergang durch Summation zu
eU
eDe
kBT
eDh
j = je ( xp ) + jh ( xn ) =
n0 +
p0 e
1 .
Lh
Le
(3.47)
Er berechnet sich also aus einem Minorittstrgerstrom der Elektronen im p-Gebiet

und einem Minorittstrgerstrom der Lcher im n-Gebiet. Dies ist die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Halbleiterdiode. Der Vorfaktor
js =
eDe
eD
n0 + h p0
Le
Lh
(3.48)
stellt die Sttigungsstrom- oder Sperrstromdichte dar. Dieser Strom fliet in Sperrrichtung bei negativer uerer Spannung. Die Exponentialfunktion wird in diesem
Falle zu null.
Die Gleichung (3.47) heit Shockley-Gleichung. Sie gibt die Kennlinie einer
Halbleiterdiode, also das Verhalten des Stroms in Abhngigkeit von der angelegten
Spannung, wieder. Bereits bei nicht allzu hohen Spannungen U im Durchlassbereich berwiegt in der rechten Klammer der Exponentialterm, und die Eins kann
vernachlssigt werden.
Die Kennlinie einer pn-Halbleiterdiode ist durch einen exponentiellen Anstieg des
Stroms bei positiver angelegter Spannung (im Durchlassbereich) und einen konstanten und sehr kleinen Sperrstrom bei negativer angelegter Spannung (im Sperrbereich) gekennzeichnet. Darauf beruht ihre Gleichrichterwirkung.
Man kann den Sttigungsstrom auch anders darstellen. Hierzu drcken wir die Minorittstrgerkonzentrationen n0 und p0 durch die Majorittstrgerkonzentrationen nach dem
Massenwirkungsgesetz
n0 = ni2 / N A
und
p0 = ni2 / N D
138
3 pn-bergnge
aus und schreiben

eDe
e
eDh
h
2
js = ni2
+
+
= ni kBT
L
N
L
N
L
N
L
h D
h ND
e A
e A
4
~ ( kBT ) exp Eg kBT .
(3.49)
Aus dieser Darstellung des Sttigungsstroms kann man seine Temperaturabhngigkeit ablesen. Die Beweglichkeit und die Diffusionslnge sind nur sehr schwach temperaturabhngig,
somit hat der Ausdruck in der zweiten Zeile und darin vor allem der Exponentialterm den
strksten Einfluss.
Der in (3.48) verwendete Ausdruck fr den Sperrstrom beruhte auf unserer

Ableitung im letzten Abschnitt; darin hatten wir die Diffusionsgleichung fr die
Minorittstrger unter der Annahme gelst, dass diese gengend viel Platz haben,
um weit entfernt vom pn-bergang bis auf ihren Gleichgewichtswert abzufallen.
Der x-Bereich, in dem das geschieht, ist durch die Diffusionslngen Le beziehungsweise Lh gekennzeichnet, diese Gren tauchen deshalb typischerweise im Ausdruck fr den Sperrstrom auf. Man spricht von einer Nherung der langen Diode.
Wenn dagegen die gesamte Ausdehnung der p- und n-dotierten Bereiche (wir
bezeichnen sie mit Xp und Xn ) kleiner als die jeweilige Diffusionslnge ist, (Nherung einer kurzen Diode, Xp ^ Le und Xn ^ Lh) muss die Minorittstrgerkonzentration bereits innerhalb diese Stcks auf den Gleichgewichtswert abfallen, das
heit, der Abfall wird steiler. Im Sttigungsstrom sind dann an Stelle der Diffusionslngen die Werte Xp und Xn , also die geometrischen Abmessungen, zu finden.
Da sie im Nenner stehen, wird der Sttigungsstrom dadurch grer:
js =
eDe
eDh
n0 +
p0
( X p xp )
( X n xn )
(3.50)
Diese Situation wird uns bei der Behandlung des Bipolartransistors wieder begegnen. In jedem Fall bleibt jedoch die Form der Shockley-Gleichung bestehen:
eU
kBT
j = js e
1 .
(3.51)
Beispiel 3.3
Die Sperrstromdichte an einem unsymmetrischen p+n-bergang im Silizium ist zu
berechnen. Daten: NA = 1019 cm3, ND = 1014 cm3.
Lsung:
a) Wir bestimmen zunchst die Beweglichkeiten der Minorittstrger und berechnen
daraus den Diffusionskoeffizienten und die Diffusionslnge.
139
Im n-Gebiet sind die Minorittstrger Lcher; bei ND = 1014 cm3 liest man aus
Abb. 2.12 ab: h = 461 cm2 V1 s1 . Daraus ergibt sich
Dh = h
kBT
cm 2
= 461
0,0259 V = 12,0 cm 2s 1 .
e
Vs
Typische Werte fr die Rekombinationszeit sind 103 bis 106 s. Mit h = 106 s erhalten wir L h = D h h = 34,6 m.
Die analogen berlegungen ergeben fr das p-Gebiet mit NA = 1019 cm3
De = e
k BT
cm 2
= 101
0,0259 V = 2,6 cm 2s 1
e
Vs
sowie mit der gleichen Rekombinationszeit fr die Elektronen L e = D e e =

16,1 m.
Diffusionslngen knnen im Silizium bis zu etwa 0,2 mm reichen, im Germanium
knnen sie noch grer sein. Beim Galliumarsenid liegt der maximale Wert im Mikrometerbereich. In der Regel ist Le > Lh .
b) Nun knnen wir die Sperrstromdichte ausrechnen. In dem Ausdruck (3.48)
eD
eD n 2 eD n 2
eD
js = e n0 + h p0 = e i + h i
Lh
Lh N D
Le
Le N A
ist der Beitrag der Elektronen zum Sperrstrom auf Grund des sehr kleinen Wertes der
Elektronenkonzentration im p-Gebiet.
n0 =
ni2 (7 109 ) 2
=
cm 3 = 4,9 cm 3
NA
1019
gegen den Lcheranteil zu vernachlssigen. Mit

ni2 (7 109 ) 2
=
cm 3 = 4,9 105 cm 3
14
ND
10
ergibt sich
p0 =
js =
=
eDh
p0 =
Lh
1,602 1019 As 12,0 cm 2 s 1
4,9 105 cm 3 =
34,6 m
= 2,72 1010 A/cm 2 .

Warum ist der Minorittsstrom der Elektronen so klein, verglichen mit dem Anteil
der Lcher? Anschaulich ist das klar: Sobald die Elektronen ins p-Gebiet gelangen,
treffen sie dort gleich auf sehr viele Lcher und rekombinieren praktisch sofort. Die
Lcher hingegen werden weit ins n-Gebiet hineingetragen, bevor sie rekombinieren,
und stellen deshalb den Hauptanteil zum Sperrstrom.
140
3 pn-bergnge
An der Shockley-Gleichung (3.47) ist brigens bemerkenswert, dass die Diffusionsspannung UD darin nicht auftaucht. Insbesondere kann UD auch nicht die
Rolle einer Schwellenspannung spielen, wie zuweilen angenommen wird. Hufig wird in Datenblttern eine solche Schwellenspannung von ca. 0,6 V fr Siliziumdioden angegeben, von der an die Diode leitfhig sei. Eine irgendwie
angegebene Schwellenspannung kann aber bestenfalls den Charakter einer Vergleichsgre haben, in dem Sinne, dass der dazugehrige Strom ein Ma fr die
Krmmung der Exponentialfunktion, mit anderen Worten fr die Gre des Vorfaktors js in (3.47), (3.48) ist.
Was passiert eigentlich, wenn die von auen angelegte Spannung U grer ist
als die Diffusionsspannung UD ? In diesem Falle wrde ja theoretisch das Potential
auf der n-Seite (vgl. Abb. 3.7) so weit angehoben, dass sich die Potentialbarriere
umkehrt. Somit knnten Unmengen von Elektronen in das p-Gebiet und von
Lchern in das n-Gebiet flieen. Der Strom wrde also sehr gro. Bevor es dazu
kommt, macht sich jedoch der Bahnwiderstand zwischen Kontakten und pn-bergang bemerkbar. Wir haben ihn bisher immer vernachlssigt, doch mit wachsender
uerer Spannung fllt ein immer grerer Anteil davon in den Bahngebieten ab,
whrend sich die Spannung ber der Sperrschicht asymptotisch dem Wert UD
nhert. In den Datenblttern ist natrlich die Gesamtspannung einschlielich dem
Spannungsabfall ber den Bahngebieten angegeben. Bei sehr hohen Strmen fhrt
die starke Erwrmung schlielich zur Zerstrung des Bauelements.
3.3.5 Lawinen- und Zener-Effekt
Ein Beispiel fr eine realistische Diodenkennlinie finden Sie in Abb. 3.9 Der
steil abfallende untere Teil der Kennlinie bei hheren Sperrspannungen ist entweder durch den Zener-Effekt oder durch den Avalanche- (Lawinen)-Effekt verursacht.3 Unser bisheriges Modell kann diese nicht beschreiben.
Der Zener-Effekt ist nur quantenmechanisch zu erklren; dabei tunneln Elektronen und Lcher durch ein Gebiet hindurch, in dem eigentlich gar keine Zustnde
existieren. Das Tunneln von Elektronen und Lchern hngt mit der rumlichen
Unschrfe ihrer Zustnde zusammen. Nach blicher klassischer Vorstellung, die
auch unserer makroskopischen Erfahrung entspricht, knnen Leitungsbandelektronen nur dann in die Raumladungszone bertreten, wenn sie die dazu erforderliche Energie haben. Fr Elektronen mit geringerer Energie wirkt diese Zone
dagegen wie eine Mauer, von der sie zurckprallen. So wie aber im Bohrschen
Wasserstoffatom der Aufenthalt nicht nur an den diskreten Positionen der Bohrschen Bahnen mglich ist, sondern mit einer uerst geringen Wahrscheinlichkeit
auch in Zwischenbereichen (vgl. Abb. 1.4), so gibt es fr ein Leitungsbandelektron
ebenfalls eine endliche Wahrscheinlichkeit, sich in der Raumladungszone aufzuhalten, auch wenn es noch nicht die erforderliche Energie hat es kann die Raum-
Clarence Melvin Zener (19051993), am. Physiker
141
Abb. 3.9 Beispiel einer Diodenkennlinie. Beachten Sie die unterschiedlichen Mastbe im Durchlass- und
Sperrbereich
0,8
I / A
0,6
0,4
0,2
0,5 U / V
0,2
0,4
0,6
ladungszone sogar durchdringen4 und landet dann auf der anderen Seite im
Valenzband.
Der Lawineneffekt beruht, anders als der Zener-Effekt, auf der Stoionisation
der Ladungstrger in hohen elektrischen Feldern. Auch er fhrt zur Stromverstrkung (Abb. 3.10). Ein Elektron nimmt bei seiner Beschleunigung aus dem elektrischen Feld kinetische Energie auf. Wenn diese Energie die Gre Ekin = Eg
erreicht, kann sie zur Erzeugung eines weiteren Elektron-Loch-Paares abgegeben
werden. Setzt sich der Prozess mehrfach fort, so ist eine lawinenartige Erhhung
der Ladungstrgerkonzentration und damit des Stroms die Folge.
Obwohl beide Effekte ihrer Natur nach ganz und gar verschieden sind, fhren
sie doch zu einem nahezu gleichen Verhalten bei hheren Sperrspannungen. Lediglich das Temperaturverhalten ist unterschiedlich: Whrend beim Lawineneffekt die
Durchbruchspannung mit der Temperatur steigt die Bewegung der Ladungstrger
wird zunehmend behindert , sinkt sie beim Zener-Effekt. Bei geeigneter Dotierung und damit gnstiger Dimensionierung der Sperrschicht kann man erreichen,
dass sich beide Temperatureinflsse gerade die Waage halten. Prinzipiell tritt der
Tunneleffekt in solchen Dioden auf, in denen das Raumladungsgebiet gengend
schmal ist. Um ihn auszulsen, reicht dann bereits eine relativ kleine Sperrspannung. Den Lawineneffekt beobachtet man dagegen in Bauelementen mit geringerer
Dotierung bei hheren Sperrspannungen die Grenze liegt bei etwa 5 V. Die
Lawinendurchbruchspannung kann sehr hoch sein, je nach Dimensionierung der
Diode kann sie sogar einige Kilovolt betragen..
In der Praxis unterscheidet man die beiden Arten von Dioden oft nicht und
bezeichnet beide als Zenerdioden. Da die Zenerspannung unabhngig von der
Makroskopisch gibt es das nur im Film, beispielsweise in Ein Mann geht durch die
Wand mit Heinz Rhmann.
142
3 pn-bergnge
EC(x)
Ekin = Eg
EV(x)
Eg
++
++
Abb. 3.10 Lawineneffekt zur paarweisen Erzeugung von Elektronen und Lchern
Hhe des flieenden Strom ist, werden Zenerdioden zur Spannungsstabilisierung

eingesetzt.
3.4 Kapazitt eines pn-bergangs

Wie jede Ladung fhrt auch die Raumladung des pn-bergangs zu einer Kapazitt,
der Sperrschichtkapazitt. Der pn-bergang wird daher als Kondensator in integrierten Schaltungen verwendet. Ein herkmmlicher Kondensator ist in solchen
Schaltungen nicht einsetzbar, da er eine viel zu groe Flche bentigen wrde. Die
berschussladungstrger beim Stromfluss fhren noch zu einer weiteren Kapazitt, die als Diffusionskapazitt bezeichnet wird.
3.4.1 Sperrschichtkapazitt
Wre die Raumladung des pn-bergangs nicht kontinuierlich verteilt, sondern an

den Punkten xp und xn konzentriert, entsprchen die Verhltnisse dem Plattenkondensator, wo sich die Kapazitt nach der Formel
Cs =
0
A
b
(3.52)
143
ergibt. A ist die Flche, b der Plattenabstand; beim pn-bergang ist b = xn + | xp |.

Obwohl das elektrische Feld aber im Raumladungsgebiet des pn-bergangs anders
als im Plattenkondensator nicht homogen ist, gilt obige Formel erstaunlicherweise
trotzdem. Dies knnen wir mit unserem Modell leicht ableiten.
Die Ladungsnderung bei nderung der Sperrschichtbreite um dxp beziehungsweise dxn
ergibt sich zu dQ = eNA dxp A fr das p-Gebiet und dQ = eND dxn A fr das n-Gebiet. (A ist
die Querschnittsflche des bergangs, eNA und eND sind die Ladungsdichten der Akzeptorbeziehungsweise Donatorrmpfe). Die Kapazitt ist definiert durch die Beziehung
Cs =
dQ
(3.53)
dU
(Der Index s steht fr Sperrschicht).

Durch Einsetzen der Ausdrcke fr das Differential der Ladung erhalten wir unter Verwendung der frheren Beziehungen (3.8) fr xp5
Cs =
dQ
dU
= eN A A
= eN A A
dxp
dU
2 0
ND
dU
N D N A + N A2
(U D U ) .
(3.54)
(Der Anteil der ueren Spannung U wurde unter der Wurzel ergnzt.) Nach Ausfhren der
Differentiation ergibt sich
Cs = eN A A
20
e
ND
ND NA + N
2
A
1
1

2 UD U
(3.55)
Wir formen jetzt den Vorfaktor so um, dass wir die Sperrschichtbreite (3.28) im Nenner
einfhren knnen,
Cs = A0
N D N A2
20 N D N A + N
2
A
UD U
(3.56)
und tatschlich erhalten wir nach dem Krzen von NA unter der Wurzel den gesuchten Ausdruck (3.52).
Die Sperrschichtkapazitt eines pn-bergangs entspricht der eines Plattenkondensators mit der gleichen Flche, bei dem der Plattenabstand durch die Sperrschichtbreite b ersetzt wird.
Im Gegensatz zum Plattenkondensator hngt jedoch die Kapazitt eines pnbergangs von der angelegten Spannung ab.
5
Die Ableitung wre natrlich auch fr die rechte Seite des pn-bergangs unter Verwendung von xn mglich.
144
3 pn-bergnge
Die beschriebenen Zusammenhnge macht man sich bei Kapazitts- oder

Varaktordioden6 zunutze, welche zum Beispiel in der Mikrowellentechnik als
Bauelemente mit variabler Kapazitt eingesetzt werden. Typisch werden dabei
Kapazitten von etwa 2 20 pF erreicht.
Durch Messung der Sperrschichtkapazitt ber der an einem pn-bergang angelegten Spannung kann man einige wichtige Aussagen ber dessen Materialparameter erhalten: Wir erinnern uns dazu, wie die Sperrschichtbreite b gem Formel
(3.28) von der an die Diode angelegten Spannung U abhngt:
b=
20
e
ND + NA
UD U .
ND NA
(3.57)
Diese Beziehung lsst sich, eingesetzt in Gl. (3.52), zur Messung von b und damit
von Cs benutzen. Trgt man nmlich (1/Cs2) ber U auf, so ergibt sich eine lineare Funktion, die sehr vorteilhaft fr die Auswertung ist:
2
1 b
=
~ (U D U ).
Cs2 0 A
(3.58)
Durch Extrapolation der experimentell aufgenommenen Kurve ergibt sich also die
Diffusionsspannung (Abb. 3.11). In Aufgabe 3.14 wird daraus die Konzentration
einer Strstellensorte des Materials berechnet.
Die Bestimmung der Strstellenkonzentration aus der Sperrschichtkapazitt ist
brigens ein praktisch sehr wichtiges Verfahren. Es stehen nmlich nur sehr ungenaue Methoden zur Verfgung, diese Konzentration schon beim chemischen Herstellungsprozess der Bauelemente zu bestimmen. Mit einem etwas abgewandelten
Verfahren kann man sogar das Dotierungsprofil ermitteln.
1
Cs2
UD
6
Abb. 3.11 Reziprokwert der Sperrschichtkapazitt einer Diode ber

der Sperrspannung
engl. varactor = variable reactor, auch als Varicap (= variable capacitance) bezeichnet
145
3.4.2 Diffusionskapazitt
Die Diffusionskapazitt entsteht durch berschuss-Minorittsladungen infolge der

Diffusion.
Wir betrachten hier einen p+n-bergang, also einen bergang mit hoch dotiertem pBereich. Die Rechnungen werden dadurch bedeutend einfacher, denn wir mssen nur den
Anteil der Lcher im n-Gebiet bercksichtigen und knnen die Elektronen im p-Gebiet vernachlssigen. Jedes Loch trgt die Ladung e. In einem Volumenelement der Querschnittsflche A und der Lnge dx im Minorittsgebiet ist die Lcherdichte durch p(x)
gegeben, so dass sich die gesamte berschussladung durch Integration berechnen lsst:
Cdiff =
dQ
dU
=
diff
d
dU
eA [ p( x) p0 ] dx .
xn
(3.59)
Einen Ausdruck fr [p(x) p0] haben wir bereits in Gl. (3.31) als exponentiellen Abfall
mit der charakteristischen Diffusionslnge Lh gefunden; damit knnen wir Integration und
Differentiation unabhngig voneinander ausfhren:
d
dU
eA [ p ( x ) p0 ] dx = eA
d
U
xn
( x xn )
eU

e kBT 1 p e Lh dx =
0
xn
eU
( x xn )
e 2 kBT
e
.
=A
p0 ( Lh ) e Lh
k BT
x= x
(3.60)
Die letzte e-Funktion liefert nach dem Einsetzen der Grenzen einfach den Faktor eins.
Dadurch erhalten wir schlielich
eU
CD = A
e2
p0e kBT Lh .
kBT
(3.61)
Diesen Ausdruck schreibt man hufig noch in anderer Form, indem er zunchst erst einmal
aufgeblht wird und der Diffusionskoeffizient der Lcher und ihre Rekombinationszeit eingefhrt werden. Dazu muss man mit Dh /Lh erweitern:
eU
CD = A
eU
e2 Dh
L 2
e2 Dh
p0e kBT h = A
p0e kBT h .
kBT Lh
Dh
k BT Lh
(3.62)
Dabei haben wir noch Lh durch die Rekombinationslebensdauer h gem (3.38) ausgedrckt.
146
3 pn-bergnge
Durch die Exponentialfunktion kommt man auf den Gedanken, die Stromdichte der
Lcher aus (3.45)
jh = e
eU
Dh kBT
p0 e
1
Lh
als Abkrzung einzufhren. Lediglich die Eins strt hier, sie beschreibt den Sperrstrom. Da
wir uns aber nur fr den Durchlassfall interessieren und bei kleinen Strmen die Diffusionskapazitt sowieso vernachlssigbar ist, macht man keinen groen Fehler, wenn man die
Kapazitt durch die Lcherstromdichte jh ausdrckt.
Damit ergibt sich fr die Diffusionskapazitt der einfache Ausdruck

CD =
e
h jh A .
kBT
(3.63)
3.5 Differentieller Widerstand und Leitwert

Der differentielle Leitwert ist definiert durch
Y=
1 dI
dj
=
=A
.
r dU
dU
(3.64)
Indem wir jetzt die Stromdichte nach (3.47) verwenden und nach U ableiten, erhalten wir
eU
eD
e eDe
Y=A
n0 + h p0 e kBT .
kBT Le
Lh
(3.65)
Wie bei der Berechnung der Diffusionskapazitt spielt es kaum eine Rolle, ob
wir bei Durchlasspolung die Eins nach dem Exponenten hinschreiben oder nicht,
so dass wir den Leitwert Y durch die Stromdichte ausdrcken knnen:
Y=A
e
j (U ).
kBT
(3.66)
Beispiel 3.4
Leiten Sie einen Zusammenhang zwischen der Diffusionskapazitt (3.63) und dem
Leitwert (3.66) ab.
Lsung:
Durch Vergleich folgt unmittelbar
CD = A
e
j (U ) h = Y h .
kBT
3.6 Esaki- oder Tunneldiode
147
3.6 ESAKI- oder Tunneldiode

Wir beginnen diesen Abschnitt mit einem einfhrenden Beispiel.
Beispiel 3.5
Wie hoch muss man die beiden Teile eines pn-bergangs im Silizium dotieren, damit
das Leitungsbandniveau auf der n-Seite bis auf das Valenzbandniveau der gegenberliegenden p-Seite heruntergezogen wird? (Wir nehmen auf beiden Seiten gleich hohe
Dotierung an, NA = ND; symmetrischer pn-bergang).
Lsung:
Durch Umkehrung von (3.21) erhalten wir
NA ND
ni 2
=e
eU D
kBT
Wir verwenden sofort NA = ND und ziehen dann die Wurzel,

NA = n i e
eU D
2 kBT
Die elektrische Energie eUD muss gerade so gro sein, dass sie die Differenz zwischen
Leitungs- und Valenzband kompensieren kann. Damit ergibt sich
NA = n i e
Ec Ev
2 kBT
Mit den Zahlenwerten Ec Ev = Eg = 1,12 eV, kBT = 0,0259 eV ergibt sich NA = ND =

6,99 109 cm3 2,46 109 = 1,71 1019 cm3 .
Dieser Wert kann uns allerdings nur zur Orientierung dienen, denn bei Dotierungen in
dieser Hhe gilt die Boltzmann-Nherung fr die Fermische Verteilungsfunktion, die
wir im Abschn. 2.2.2 begrndet haben, nicht mehr. Alle berlegungen zur Ladungstrgerkonzentration und zum pn-bergang beruhten auf dieser Annahme und werden bei
hohen Konzentrationen von Elektronen und Lchern zumindest fragwrdig
(Abschn. 2.6).
Wir sehen hier, dass etwas Interessantes passiert, wenn infolge hoher Dotierung
das Leitungsband am pn-bergang bis auf Valenzbandniveau oder sogar noch weiter heruntergezogen wird. Praktisch haben wir hier die selbe Situation vor uns wie
beim Zener-Effekt; nur wird dort die Potentialbarriere durch die hohe negative
Sperrspannung abgesenkt, whrend sie jetzt bereits ohne uere Spannung, allein
infolge der hohen Dotierung, dort liegt (Abb. 3.12). Es ist also wiederum Tunneln
von Ladungstrgern mglich. Wenn die Potentialdifferenz am pn-bergang durch
wachsende Flussspannung kleiner und kleiner wird, stehen bald keine bergnge
mehr fr das Tunneln zur Verfgung, so dass der Tunnelstrom sinkt und nun der
normale Diodenstrom einsetzt. Insgesamt entsteht eine n-frmige Kennlinie.
148
3 pn-bergnge
EF
Ec(x)
Ev(x)
x
Abb. 3.12 Energiebandstruktur einer Tunneldiode
Diese Kennlinie wird in der Tunneldiode (nach ihrem Erfinder auch EsakiDiode7 genannt) ausgenutzt. Sie besteht aus einem (p+n)-bergang, bei dem
bereits ohne uere Vorspannung der Leitungsbandrand des n-Gebiets tiefer als der
Valenzbandrand des p-Gebiets liegt. Durch ihre fallende Kennlinie (Abb. 3.13)
wurde die Tunneldiode in der HF-Technik und fr Schaltanwendungen interessant.
I
Abb. 3.13 Kennlinie einer Tunneldiode mit den entsprechenden Teilstrmen
Leo Esaki (geb. 1925), japan. Physiker, B. S. und Promotion in Tokio. Grundlegende
Arbeiten zur Thermodynamik und Begrndung der Quantentheorie. Danach Arbeiten
ber stark dotierte Halbleiter bei Sony, dabei Entdeckung der Tunneldiode. Sie war das
erste Bauelement, das quantenmechanische Effekte ausnutzt. Nobelpreis 1973 gemeinsam
mit Giaever und Josephson fr for their experimental discoveries regarding tunneling
phenomena in semiconductors and superconductors, respectively.
3.7 Einige Ergnzungen zu pn-bergngen
149
3.7 Einige Ergnzungen zu pn-bergngen

Im Anschluss an unsere bisherigen berlegungen sollen hier noch bruchstckhaft
einige Ergnzungen angefgt werden:
1. Generation und Rekombination im Raumladungsgebiet
Bisher hatten wir die Generation und Rekombination im Raumladungsgebiet des
pn-bergangs vernachlssigt. Insbesondere bei Sperrspannungen oder kleinen
Flussspannungen ist das aber nicht unbedingt gerechtfertigt, vor allem in Siliziumdioden. Dann ergibt sich ein zustzlicher Beitrag zum Sperrstrom. Er wird durch
einen Exponentialfaktor
je
eU
mkBT
(3.67)
beschrieben; dieser Anteil kommt zum blichen Diffusionssperrstrom hinzu. Der

Faktor m im Nenner heit Idealittsfaktor, er ist meist gleich 2. Damit entsteht folgende Gleichung fr den Strom:
j = js,Diff e
eU
kBT
+ js,R/G e
eU
mkBT
(3.68)
js,Diff ist der Sperrstromanteil, der durch Diffusion zustande kommt, js,R/G der
Generations-/Rekombinationsanteil. Zur Herleitung vgl. z. B. [Pierret 1996] oder
[Lcherer 1992]. Bei hheren Durchlassstrmen spielt der zweite Anteil keine
Rolle mehr.
2. pin-Dioden
Wenn Halbleiterdioden fr Leistungsgleichrichter verwendet werden sollen, mssen sie zwei Kriterien erfllen:
Einmal soll die Durchbruchspannung mglichst hoch sein. Sie ist beim Lawineneffekt um so hher, je geringer die Dotierung ist. Auf der anderen Seite sollen
aber die Verluste im Durchlassbereich gering bleiben, das ist nur bei einer groen
Leitfhigkeit, also bei hoher Dotierung, zu erreichen. Beide Forderungen widersprechen einander.
Ein Ausweg wird in Form einer pin-Struktur gefunden. Bei ihr befindet sich
zwischen p- und n-Gebiet ein nahezu neutraler Bereich, also ein eigenleitendes
(intrinsisches) Gebiet. Dieses Gebiet nennt man deshalb auch i-Gebiet. Bei
schwacher Dotierung spricht man auch von psn-Strukturen (s von soft). Bei
Polung in Flussrichtung werden aus den angrenzenden hherdotierten Gebieten
gengend Ladungstrger in das i-Gebiet hineingeschwemmt, so dass dort die Leitfhigkeit gro wird. Bei Sperrpolung hingegen ist das i-Gebiet sehr hochohmig,
damit wird gerade die andere Forderung erfllt. Leistungsdioden, die aus solchen
Strukturen bestehen, knnen bei gengend groen Durchmessern Strme bis zu
1000 A gleichrichten.
150
3 pn-bergnge
Eine weitere Anwendung finden pin-Strukturen als Mikrowellendioden und als

Photodioden. Auf letztere kommen wir im Kap. 4 noch zurck.
3. Spice
Sowohl fr den Entwurf von Bauelementen als auch fr ihr Verhalten in einer
Schaltung sind sehr oft Simulationen erforderlich. Hierfr gibt es spezielle Programme, in denen die Bauelementeparameter variiert werden knnen. Heute am
hufigsten verwendet wird das Programmpaket SPICE; es kommt in den Varianten
PSpiceTM und AIM-SPICE auf den Markt. Zur Illustration zeigt das folgende Beispiel die SPICE-Parameter einer Gleichrichterdiode aus einer Bauteilebibliothek
[OrCAD 1999]. Einige uns aus den vorigen Abschnitten bekannte Parameter sind
erlutert.
Sttigungsstrom
Idealittsfaktor
Gapenergie
Kapazitt bei 0 V
*** General Purpose Fast Rectifier ***

.model D1N914 D(Is=168.1E-21 N=1 R s=.1 Ikf=0 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=4p M=.3333
+
Vj=.75 Fc=.5 Isr=100p Nr=2 B v=100 Ibv=100u Tt=11.54n)
*$
Diffusionsspannung
Serienwiderstand
(Bahnwiderstand)
Ein pn-bergang entsteht an der Grenzschicht zwischen akzeptor- und

donatordotiertem Halbleitermaterial. Dort bildet sich durch Rekombination
beweglicher Ladungstrger ein Raumladungsgebiet aus den Rmpfen der
ortsfesten Strstellenladungen. Mit dem Modell abrupter Raumladungsgrenzen lsst sich der Verlauf der elektrischen Feldstrke und des Potentials
als Lsung der entsprechenden Maxwellschen Gleichung bestimmen.
Die Breite der Raumladungszone setzt sich aus der Breite im p-Gebiet
und der im n-Gebiet gem b = |xp | + xn zusammen. Sie ergibt sich in
Abhngigkeit von der ueren Spannung zu
b=
20
e
ND + NA
UD U .
ND NA
Da die Raumladungen im p- und im n-Gebiet jeweils gleich gro sein mssen, gilt fr die Breiten xp und xn der Teilgebiete die Beziehung
NAxp = NDxn.
Zwischen p- und n-leitendem Bereich einer Halbleiterdiode, an der keine

uere Spannung anliegt, bildet sich ein Potentialunterschied aus. Er heit
Diffusionsspannung. Ihren Wert kann man aus dem Gleichgewicht von Diffusions- und Feldstrom berechnen, daraus ergibt sich
UD =
151
kBT N D N A
ln
.
e
ni 2
Durch eine von auen an einen pn-bergang angelegte Flussspannung

1. verringert sich die Sperrschichtbreite (Raumladungszone),
2. verkleinert sich die Energiebarriere zwischen p- und n-Gebiet.
Bei Sperrpolung kehren sich die Verhltnisse um.
Der ber einen pn-bergang flieende Strom setzt sich aus Elektronen- und
Lochanteil zusammen. Im Bereich der Raumladungszone sind beide Anteile
fr sich jeweils konstant, falls die Rekombination dort vernachlssigt wird.
Auerhalb sind die Teilstrme der Minorittstrger reine Diffusionsstrme,
sie klingen infolge Rekombination exponentiell ab. Das rumliche Abklingverhalten zum Beispiel der Lcherkonzentration ergibt sich aus der Diffusions-/Rekombinationsbilanz zu
eU
x xn
p(x) p0 = e kBT 1 p0 exp

,
Lh
mit der Diffusionslnge Lh. Analoges gilt fr die Elektronen. Daraus erhlt
man durch Differentiation die Diffusionsstromdichten j h (x) beziehungsweise j e (x).
Zur Berechnung des Gesamtstroms ber einen pn-bergang suchten wir
uns geeignete x-Positionen heraus, an denen sich die beiden Teilstrme
leicht berechnen lassen. Dafr eignen sich die Rnder der Raumladungsgebiete. So ergibt sich j = j e (xp) + j h (xn) und daraus der Strom-SpannungsZusammenhang (Kennliniengleichung oder Shockley-Gleichung)
eU
j = js e kBT 1 .
In der gebruchlichsten Nherung einer sehr langen Diode ist die Sperrstromdichte js durch die Minorittstrgerkonzentrationen, die Diffusionslngen und die Diffusionskoeffizienten bestimmt:
js =
eDe
eD
n0 + h p0 .
Le
Lh
152
3 pn-bergnge
Bei kurzen Dioden stehen an Stelle der Diffusionslngen die geometrischen

Ausdehnungen der Diodengebiete.
Durch die Ladungen an einem pn-bergang bauen sich Kapazitten auf.
Die Sperrschichtkapazitt wird durch die ortsfesten Ladungen gebildet, sie
lsst sich durch die selbe Formel darstellen wie die Kapazitt eines Plattenkondensators,
Cs =
0
A,
b
allerdings ist hier die Breite b der Sperrschicht von der ueren Spannung
abhngig,
Zustzlich zur Sperrschichtkapazitt entsteht infolge des bei der Diffusion
entstehenden Ladungstrgerberschusses eine Diffusionskapazitt.
Aufgabe 3.1 Lineares Dotierungsprofil (zu Abschn. 3.2) **
In Abb. 3.14 ist der Raumladungsverlauf gezeigt, wie er bei einem pn-bergang unter linearem Dotierungsprofil auftritt.
Dotierungsprofil
ND NA
p-Gebiet
n-Gebiet
Raumladungsverlauf
xp
xn
Skizzieren Sie qualitativ

a) den Verlauf der elektrischen Feldstrke E (x),
b) den Verlauf des elektrischen Potentials U(x).
Abb. 3.14 Raumladungsverlauf bei linearem Dotierungsprofil (zu Aufgabe

3.1)
153
Aufgabe 3.2 Aussagen aus der Energiebandstruktur (zu Abschn. 3.2) **
Abb. 3.15 zeigt die Bandstruktur in der Umgebung eines pn-bergangs ohne uere Spannung.
a) Geben Sie an, wo das p-dotierte Gebiet und wo das n-dotierte Gebiet liegt.
b) Zeichnen Sie qualitativ den Verlauf des elektrischen Potentials U(x),
c) den Verlauf des elektrischen Feldstrke E (x),
d) den Verlauf der Elektronen- und Lcherkonzentration n(x) und p(x).
E
Ec(x)
EF
Ev(x)
x1
x2
Abb. 3.15 Bandverlauf zu Aufgabe 3.2
Aufgabe 3.3 Diffusionsspannung und Sperrschichtbreite (zu Abschn. 3.2) **
Berechnen Sie die Diffusionsspannung und die Sperrschichtbreite fr eine unsymmetrische

Siliziumdiode (NA = 1017 cm3, ND = 1014 cm3).
Aufgabe 3.4 Nochmals: Diffusionsspannung und Sperrschichtbreite sowie Raumladungen
(zu Abschn. 3.2) ***
Aluminium wird einer Probe aus n-Si (N D = 10 16 cm3) zulegiert, dadurch wird ein abrupter
pn-bergang von kreisfrmigem Querschnitt (Durchmesser 500 m) erzeugt. Die Akzeptorkonzentration im Legierungsgebiet betrgt NA = 4 1018 cm3.
a) Berechnen Sie die Diffusionsspannung bei 300 K sowie die Breite des positiven und
negativen Raumladungsgebiets.
b) Wie gro sind die Raumladungen Q+ und Q am pn-bergang?
Aufgabe 3.5 Diffusionsspannung aus der Fermi-Energie (zu Abschn. 3.2) *****
Leiten Sie Gleichung (3.21) aus der Bedingung ab, dass die Fermi-Energie im Gleichgewicht, also ohne von auen angelegte Spannung, berall an einem pn-bergang auf dem
gleichen Niveau liegt.
Aufgabe 3.6 Spezifischer Widerstand am pn-bergang (zu Abschn. 3.2 und 2.4) **
Berechnen Sie fr die Siliziumprobe aus Aufgabe 3.4 den spezifischen Widerstand des nund des p-leitenden Bereichs auerhalb der Raumladungsgebiete. Die Beweglichkeiten der
Ladungstrger bei den entsprechenden Dotierungen sind aus Abb. 2.12 zu entnehmen.
154
3 pn-bergnge
Aufgabe 3.7 Diffusionsspannung in verschiedenen Materialien (zu Abschn. 3.2) ****
Eine Silizium- und eine Germaniumdiode seien gleich hoch dotiert. Sind die Diffusionsspannungen in den beiden Dioden gleich gro? Wenn nicht, dann geben Sie bitte an, um
welchen Wert sich beide unterscheiden.
Aufgabe 3.8 Diffusionsspannung und Dotierung (zu Abschn. 3.2) *
Bei einer Halbleiterdiode aus GaAs sind das p-Gebiet und das n-Gebiet gleich hoch dotiert.
Es wird eine Diffusionsspannung von 1,15 V bei Zimmertemperatur (27 C) gemessen. Wie
hoch ist die Dotierung der beiden Bereiche?
Aufgabe 3.9 Diffusionsspannung und Leitfhigkeit (zu Abschn. 3.2 und 2.4) **
In einer Germaniumdiode hat der n-dotierte Bereich eine Leitfhigkeit von 1,25 Scm1 und
der p-dotierte Bereich 12 Scm1 bei 300 K. Ermitteln Sie die Hhe der Diffusionsspannung
bei dieser Temperatur.
Verwenden Sie folgende Zahlenwerte: e = 3900 cm2 V1 s1 und h = 750 cm2 V1 s1.
Aufgabe 3.10 Dimensionsbetrachtung zur Diffusionslnge (zu Abschn. 3.3) *
Machen Sie sich durch eine Einheitenbetrachtung deutlich, dass die Diffusionslnge
L e = D e e tatschlich die Dimension einer Lnge hat.
Aufgabe 3.11 Breite der Raumladungszone (zu Abschn. 3.2 und 3.3) ***
Durch Diffusion von Gallium in phosphordotiertes Silizium-Grundmaterial (Dotierungskonzentration 1015 cm-3) entsteht ein pn-bergang. Bei einer Messung wird ermittelt, dass das
Raumladungsgebiet auf der n-Seite 100-mal so breit ist wie auf der p-Seite.
a) Wie hoch muss demnach die Strstellenkonzentration im galliumdotierten Bereich
sein?
b) Wie gro ist die Diffusionsspannung?
c) Eine uere Spannung von 0,5 V wird entsprechend Abb. 3.16 angelegt. Um wieviel
Prozent ndert sich die Breite der Raumladungszone? Wird sie kleiner oder grer?
n
Abb. 3.16 pn-bergang aus Aufgabe 3.11
Aufgabe 3.12 Sperrschichtbreite in Abhngigkeit von uerer Spannung (zu Abschn. 3.3)**
Die Diffusionsspannung eines pn-bergangs betrage 0,65 V. Welche uere Spannung muss
man anlegen, damit das Raumladungsgebiet doppelt beziehungsweise halb so breit ist wie
ohne uere Spannung?
Aufgabe 3.13 Sperrstrom (zu Abschn. 3.3) **
Anders als in 3.3.4 schtzen wir jetzt die Gre des Sperrstromes fr eine unsymmetrische
pn+-Siliziumdiode von 1 mm2 Querschnittsflche ab (N D = 1019 cm3, NA = 1014 cm3).
155
Entnehmen Sie die Beweglichkeiten aus Abb. 2.12; hieraus sind die Diffusionskoeffizienten und die Diffusionslngen zu bestimmen. Fr die Lebensdauern n und p sind jeweils
106 s anzunehmen.
Aufgabe 3.14 Leitwert, Sperrschichtbreite und Kapazitt (Abschn. 3.2, 3.4 und 3.5) ***
Wie gro sind fr die Diode aus der vorangehenden Aufgabe

a) der differentielle Leitwert,
b) die Breite der Sperrschicht,
c) die differentielle Kapazitt (als Summe von Sperrschichtkapazitt und Diffusionskapazitt),
wenn eine Spannung von 0,4 V in Durchlassrichtung anliegt?
Aufgabe 3.15 Strom-Spannungs-Kennlinie und Sttigungsstrom (zu Abschn. 3.3)**
Zwei ideale p+n-Dioden werden bei Zimmertemperatur miteinander verglichen. Sie sind
identisch bis auf ihre Donatordotierungen: N D1 = 1 1015 cm3 , N D2 = 1 1016 cm3 .
a) Zeichnen Sie qualitativ die Strom-Spannungs-Kennlinien beider Dioden in ein- und
demselben Achsensystem.
b) Um welchen Faktor ndert sich der Sttigungsstrom?
Beachten Sie hierbei wieder, dass sich die Dotierungskonzentrationen sehr stark unterscheiden (ND ^ NA , p+n-Diode); somit kann man bei der Berechnung der Strme den Ausdruck, der ni2/NA enthlt, gegenber dem mit ni2/ND vernachlssigen. Weiterhin knnen wir
hier mit gutem Gewissen die Abhngigkeit der Diffusionskoeffizienten und der Diffusionslngen von der Dotierung vernachlssigen.
Aufgabe 3.16 Nochmals: Strom-Spannungs-Kennlinie und Sttigungsstrom (zu Abschn. 3.2)
* a) Der Sperrstrom in einer Halbleiterdiode betrage 1014 A. Welcher Strom ist bei einer
Vorwrtsspannung von 0,4 V zu erwarten? (Annahme: ideale Diode, Zimmertemperatur)
*** b) Erklren Sie anhand der Formel fr die Strom-Spannungs-Kennlinie, warum bei
einem stark unsymmetrisch dotierten pn-bergang (zum Beispiel p+n) der Sperrstrom allein
durch die Eigenschaften der schwcher dotierten Seite bestimmt wird.
Aufgabe 3.17 Vergleich von Durchlass- und Sperrstrom (zu Abschn. 3.2) *
Welche Spannung muss an einer Halbleiterdiode anliegen, damit der Strom 10000-mal so
gro wie der Sperrstrom ist (Das Vorzeichen des Stroms soll unbeachtet bleiben)?
Aufgabe 3.18 Folgerungen aus der Sperrschichtkapazitt (zu Abschn. 3.4) ****
In Abb. 3.17 sind die Messwerte der Sperrschichtkapazitt Cs quadratisch ber der Sperrspannung an einer p+n-Si-Diode aufgetragen.
a) Wie gro ist die Sperrschichtkapazitt ohne uere Spannung?
b) Berechnen Sie aus dem Ergebnis von a) die Breite der Sperrschicht, wenn keine
uere Spannung vorhanden ist. Wie verndert sich die Sperrschichtbreite in Abhngigkeit
von der ueren Spannung (qualitativ)? Die wirksame Querschnittsflche des pn-bergangs
betrgt 0,1 mm2.
c) An welcher Stelle der graphischen Darstellung knnen Sie die Gre der Diffusionsspannung dieser Diode ablesen? Wie gro ist diese?
d) Berechnen Sie aus der Sperrschichtbreite und der Diffusionsspannung die Donatorkonzentration des Substrats. Bercksichtigen Sie dabei, dass ND ^ NA ist; daher muss man
NA nicht kennen, um ND auszurechnen.
156
3 pn-bergnge
0,04
1
Cs 2
(in pF-2)
0,03
0,02
0,01
0
-1
-0,5
0,5
1,5
U (in V)
Abb. 3.17 Sperrschichtkapazitt ber U (zu Aufgabe 3.18)
Aufgabe 3.19 Breite des Raumladungsgebiets in Abhngigkeit von der Dotierung (zu
Abschn. 3.3, als Ergnzung zu Beispiel 3.2) ****
Wir stellen uns vor, wir dotierten p- und n-Gebiet eines pn-bergangs gleich hoch, es liege
also ein symmetrischer pn-bergang vor. In Gedanken erhhen wir die Dotierung auf beiden Seiten. Wird dann das Raumladungsgebiet breiter oder schmaler? Wie breit ist es bei
einer Dotierung von NA = ND = 1017 cm3?
Aufgabe 3.20 Arbeitspunkt einer Diode (zu Abschn. 3.3) **
Der Arbeitspunkt einer Diode in der folgenden einfachen Schaltung (Abb. 3.18) ist graphisch zu bestimmen.
Die Arbeitsgerade ergibt sich aus der Gleichung
U DC = RI D + U D ,
der Diodenstrom aus der Kennliniengleichung
eU
I = I s exp D 1 .
kT
(Die Eins nach dem Exponenten in der eckigen Klammer mssen wir dabei allerdings vernachlssigen.)
R
ID
UDC
UD
Abb. 3.18 Schaltung zu Aufgabe 3.20
157
Zahlenwerte: Klemmenspannung UDC = 1.5 V; Ohmscher Widerstand R = 1 k; Sttigungsstrom der Diode IS = 2 1010 A.
Numerisch mit Hilfe von MATLAB werden wir den Arbeitspunkt in Aufgabe 3.25
bestimmen.
Aufgabe 3.21 Temperatursensor (zu Abschn. 3.3) ****
Mit Hilfe von zwei vollkommen identischen Halbleiterdioden soll ein Temperatursensor
realisiert werden.8 Die Messung geschieht gleichzeitig an den beiden pn-bergngen; die
durch sie flieenden Strme sollen auf einem Verhltnis von 1:10 festgehalten werden.
a) Zeigen Sie, dass sich unter diesen Messbedingungen die Spannungen U1 und U2 an
den beiden pn-bergngen um einen Wert unterscheiden, der direkt der absoluten Temperatur proportional ist.
b) Wie gro ist die Differenz U1 U2 bei 300 K und bei 280 K?
Aufgabe 3.22 Elektronendichte und Diffusionsstrom der Elektronen am pn-bergang (zu
Abschn. 3.3.3) ****
Geben Sie eine Gleichung fr die Elektronendichte n(x) n0 am pn-bergang analog zu Gl.
(3.31) an. Formulieren Sie daraus einen Ausdruck, der (3.40) entspricht. Leiten Sie daraus
die Diffussionsstromdichte der Elektronen ab, die in Gl. (3.46) angegeben ist. Lassen Sie
sich bei Ihren berlegungen von der analogen Herleitung fr die Lcher in Abschn. 3.3.3
leiten.
MATLAB-Aufgaben
Aufgabe 3.23 Diffusionsspannung ber Dotierungskonzentration (zu Abschn. 3.3)
Die Diffusionsspannung fr einen stark unsymmetrischen pn-bergang mit (also p+n oder
pn+) ist ber einen Bereich der Dotierungskonzentrationen von 1014 bis 1019 cm3 aufzutragen:
a)** fr Silizium allein
b)**** fr die vier Substanzen Silizium, Germanium, GaAs und GaP.
Aufgabe 3.24 Berechnung und Darstellung einer Diodenkennlinie (zu Abschn. 3.3) **
Ermitteln Sie die Strom-Spannungs-Kennlinie einer unsymmetrischen Silizium-Halbleiterdiode.

Eingangsdaten: N D = 1014 cm3, N A = 1019 cm3 , Lebensdauern e = h = 106 s. Zur
Berechnung der Beweglichkeiten knnen Sie die Funktionen mye.m und myh.m verwenden.
Aufgabe 3.25 Numerische Bestimmung des Arbeitspunkts (zu Abschn. 3.3) ****
Bestimmen Sie den Arbeitspunkt der Diode entsprechend Aufgabe 3.20 diesmal numerisch
mittels MATLAB. Dazu ist ein geeigneter Startwert fr U zu whlen, mit dem dann aus der
Arbeitsgerade der Strom I bestimmt wird. Mit diesem Wert kann man aus der Gleichung
8
In der Praxis verwendet man die Emitter-Basis-bergnge zweier Transistoren auf demselben Chip; dadurch sind vollkommen identische Materialeigenschaften garantiert [Heywang 1988].
158
3 pn-bergnge
UD =
kT I (i + 1)
ln
e I (i )
den nchsten Wert fr UD gewinnen und so fort (vgl. Abb. 3.19).

Ermittlung des Arbeitspunktes
2
Arbeitsgerade
Strom (A)
Diodenkennlinie
Abb. 3.19 Iterationsreihenfolge (zu

Aufgabe 3.25)
Spannung (V)
Als Startwert fr die Iteration knnen Sie zum Beispiel U D = 0,3 V whlen, als Abbruchbedingung der Iteration eine Toleranz der Spannungen von 1,0 106 V. Dass die Approximation konvergiert, soll hier ohne Beweis vorausgesetzt werden.
Aufgabe 3.26 Anpassung einer Diodenkennlinie (zu Abschn. 3.3) ****
An einer Halbleiterdiode werden die Spannungen und Strme in Durchlassrichtung gemessen (Tabelle 3.2.).
Tabelle 3.2. Messwerte zu Aufgabe 3.26
U/V
I/A
U/V
I/A
0.1
0.1 1012
0,5
4.1 109
0,2
2.0 1012
0,6
5.6 108
0,3
3.41 1011
0,7
8.86 107
0,4
3.21 1010
Ermitteln Sie aus diesen Werten durch bestmgliche Anpassung die Parameter n und Is
der Strom-Spannungs-Kennlinie
eU
I = I s exp
1 .
nkT
(Die Eins nach dem Exponenten in der eckigen Klammer mssen wir dabei wieder wie
schon in Aufgabe 3.20 vernachlssigen.) Der Koeffizient n ist ein Anpassfaktor, der die
Abweichungen von der Shockley-Gleichung angibt. Experimentell zeigt sich, dass er in
der Praxis zwischen 1 und 2 liegt. Es gibt hier zwei Lsungsmglichkeiten:
159
a) graphisch (zum Beispiel auf Millimeterpapier) oder

b) mittels MATLAB unter Verwendung von polyfit. Stellen Sie die mit MATLAB
gewonnenen Ergebnisse ebenfalls graphisch dar.
Testfragen
3.27
Was verstehen Sie unter einem pn-bergang? Was ist speziell mit einem p+n-bergang gemeint?
3.28
Erklren Sie die Begriffe Raumladungszone, Sperrschicht, Diffusionsspannung,

Sperrspannung und Durchlassspannung.
3.29
Bei einem pn-bergang ist die Akzeptordotierung zwei Grenordnungen hher als
die Donatordotierung. Knnen die Raumladungszonen im p-Bereich und im nBereich gleich breit sein?
3.30
In einer Halbleiterdiode, an der keine Spannung anliegt, ist die Strstellenkonzentration im p-Gebiet 100-mal so gro wie die im n-Gebiet. Die gesamte Breite der Sperrschicht betrgt 2 m. Wie breit ist der Teil der Sperrschicht, der im p-Gebiet und der
Teil, der im n-Gebiet liegt?
3.31
Wie verndert sich die Breite der Raumladungszone beim Anlagen einer Spannung in
Sperrrichtung und in Durchlassrichtung?
3.32
In Abb. 3.20 ist der Verlauf der Ladungstrgerkonzentrationen an einem pn-bergang dargestellt, wenn keine uere Spannung anliegt. Skizzieren Sie, wie sich die
Situation ndert, wenn eine uere Spannung in Flussrichtung angelegt wird.
p-Gebiet
ln n
ln p
Raumladungsgebiet
n-Gebiet
n(x)
p(x)
x
Abb. 3.20 Ladungstrgerdichten am pn-bergang (zu Testfrage 3.32)
160
3 pn-bergnge
3.33
Beschreiben Sie qualitativ:

Wie verndert sich die Diffusionsspannung UD an einem pn-bergang in Abhngigkeit von
wird
kleiner
bleibt
gleich
wird
grer
der Temperatur
der Breite der verbotenen Zone Eg
der Dotierungskonzentration NA bzw. ND
Kreuzen Sie bitte die richtige Antwort an.
3.34
Zeichnen Sie qualitativ die Kennlinie einer Halbleiterdiode. Durch welche Formel
wird der Zusammenhang zwischen Strom und Spannung beschrieben?
3.35
Warum wird die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Diode durch die Dichten der
Minorittsladungstrger bestimmt?
3.36
Wodurch nimmt die Dichte der Minorittsladungstrger mit wachsender Entfernung

vom pn-bergang ab?
3.37
Erklren Sie, wodurch die Sperrschichtkapazitt und die Diffusionskapazitt entstehen. Wann berwiegt die eine, wann die andere?
3.38
Skizzieren Sie die Kennlinie einer Zenerdiode. Welche beiden physikalischen

Effekte knnen fr ihre typische Arbeitsweise verantwortlich sein?
Optoelektronische Bauelemente
Optoelektronische Anwendungen von Halbleitern stellen neben den rein

elektrischen Anwendungen einen wichtigen Schwerpunkt der Halbleiterelektronik dar. In Lumineszenzdioden werden die lichtemittierenden Eigenschaften von pn-bergngen fr optische Anzeigeelemente ausgenutzt. Fr
die effiziente Datenbertragung sind leistungsfhige Halbleiterlaser in Verbindung mit Lichtwellenleitern unverzichtbar, dort bentigt man auf der
anderen Seite auch empfindliche Halbleiter-Photodetektoren als Nachweiselemente. Laserdioden finden aber auch in vielen anderen technischen Systemen, wie beispielsweise als Abtastsysteme in CD-Playern, Verwendung.
Die Anwendung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen reicht bis
zur Umwandlung von Sonnenlicht in elektrische Energie in der Solarzelle.
4.1 Lumineszenz-Bauelemente
4.1.1 Lichtemission an pn-bergngen
Lumineszenzdioden (englisch: light emitting diode LED) sind die einfachsten
lichtemittierenden Halbleiterbauelemente, ihr Schaltzeichen zeigt Abb. 4.1. Damit
Licht in einem Halbleiter entstehen kann, mssen Elektronen mit Lchern strahlend rekombinieren. Dabei geht ein Energiebetrag in der Grenordnung der Gapenergie Eg an das Photon ber. Der elementare Rekombinationsprozess ist
allerdings genau so wahrscheinlich wie der umgekehrte Prozess, die Absorption.
Soll die Rekombination berwiegen, so mssen im Leitungsband deutlich mehr
Elektronen und im Valenzband deutlich mehr Lcher vorhanden sein als im
Gleichgewicht. Solche berschussladungstrger stehen zum Beispiel an einem pnbergang zur Verfgung. Sie werden dort durch den elektrischen Strom nachgeliefert. In einer Lumineszenzdiode soll durch geeignete Wahl der Materialien eine
Abb. 4.1 Schaltzeichen einer Lumineszenzdiode

DOI 10.1007/978-3-642-20032-8, Springer 2011
161
162
4 Optoelektronische Bauelemente
mglichst groe Lichtausbeute garantiert und die geeignete Lichtwellenlnge eingestellt werden. Die richtige Geometrie der Anordnung sorgt dafr, dass die Lichtstrahlung mglichst vollstndig nach auen gelangt. Den gesamten Mechanismus,
der zur Lichtemission in LEDs fhrt, bezeichnet man auch als Injektions-Elektrolumineszenz.
4.1.2 Lumineszenzmaterialien
Stellen wir uns vor, wir sollten eine LED entwickeln, die Licht einer gewnschten
Farbe emittiert. Damit die Wellenlnge der emittierten Strahlung im geforderten
Wellenlngenbereich liegt sichtbares Licht zwischen etwa 390 und 770 nm,
Infrarotlicht darber (Abb. 4.2) , muss der Halbleiter die erforderliche Energie
E=
hc 1240 eV nm
=
(4.1)
(vgl. (1.2)) zur Verfgung stellen. Sie geht bei der Rekombination auf das Photon
ber. Ohne Beteiligung von Strstellen oder Gitterschwingungen liegt diese Energie in der Grenordnung der Gapenergie.1 Um sichtbares Licht zu erzeugen, muss
ein Halbleiter also zum Beispiel Gapenergien zwischen 1,77 und 3,10 eV aufweisen. Schauen wir deshalb auf die Eigenschaften der in Frage kommenden Materialien, so sehen wir, dass Silizium fr die Emission von sichtbarem Licht nicht
geeignet ist. Seine Emissionswellenlnge liegt wegen Eg = 1,12 eV bei
= 1,107 m, also im Infraroten. Viel besser fr diesen Zweck eignen sich stattviolett
blau
390
455
grn
gelb
490
580
orange
600
rot
620
770
sichtbarer Bereich
nahes UV
fernes UV
100
10
nahes
300 nm
1,5
mittleres
fernes IR
6
Wellenlnge
0,1
40
100 m
0,01
Energie / eV
Abb. 4.2 Elektromagnetisches Spektrum

1
Genau genommen liegt sie noch etwas darber, da die Elektronen- und Lcherverteilungen im Mittel je um einen Betrag kBT/2 von der jeweiligen Bandkante entfernt ihr Maximum haben. In direkten Halbleitern liegt der maximale Intensittswert zum Beispiel bei
kBT/2 (vgl. Aufgabe 4.14)
163
dessen die Verbindungshalbleiter aus der III. und V. Hauptgruppe des Periodensystems (III-V-Halbleiter). In Tabelle 4.1. werden einige typische Materialien
aufgefhrt.
Tabelle 4.1. Typische Lumineszenzmaterialien (IR = infrarot)
Material
Gapenergie
(eV)
Theoretische Wellenlnge fr BandBand-bergnge /

nm
In Bauelementen auftretender optischer bergang (Beispiel)
GaP
2,26
549
GaP:N (567 nm, grn)

GaP:Zn-O (700 nm, rot)
SiC
2,86
434
466 nm (blau)
GaN
3,39
366
450 nm (blau)
GaAs
1,424
871
GaAs:Si (950 nm, IR)
GaAsP-Mischreihe
1,42
2,26
zwischen 549 nm
(orange) und
871 nm (IR)
GaAs0,6P0,4 (1,91 eV/

650 nm, rot)
GaAs0,35P0,65:N (1,97 eV/
630 nm, orangerot)
GaAs0,14P0,86:N (2,12 eV/
585 nm, gelb)
GaAlAs-Mischreihe
1,42
2,03
zwischen 612 nm
(orange) und
871 nm (IR)
InGaAs-Mischreihe
0,35
1,42
InGaAsP-Mischreihe
InGaN
In0,53Ga0,47As (0,75 eV/

1,65 m, IR)
zwischen 590 nm
(gelb)
und 623 nm (rot)
590 nm (gelb),
611 nm (orange)
570 nm (grn)
465 nm (blau)
Voraussetzung fr ein effizientes lichtemittierendes Bauelement ist eine hohe

Wahrscheinlichkeit strahlender bergnge. Hierfr kommen (vergleichen Sie die
berlegungen zu Beginn von Kap. 2) vor allem Halbleiter mit direkter Bandstruktur in Frage, zum Beispiel Galliumarsenid. Seine typische Wellenlnge liegt bei
950 nm. Bei direkten Halbleitern sind optische bergnge vom Leitungs- in das
Valenzband unter Bercksichtigung des Energieerhaltungssatzes leichter mglich.
Die frei werdende Energie wird vom Photon abgefhrt.
Neben der Energiebilanz muss auch noch die Impulsbilanz bercksichtigt werden um es exakter zu sagen, die Bilanz des Quasi-Impulses oder Wellenvektors.
Ein Photon besitzt nur einen verschwindend kleinen Impuls, so dass in direkten
164
QuasiImpuls
Leitungsband
Eg
Eg
Valenzband
Direkter Halbleiter
Indirekter Halbleiter
Abb. 4.3 Optische bergnge in direkten und indirekten Halbleitern
Halbleitern die bergnge vom Leitungs- ins Valenzband nahezu senkrecht verlaufen, wie in Abb. 4.3 links gezeichnet.
In indirekten Halbleitern spielt dagegen der bertrag des Quasi-Impulses eine
groe Rolle. Dieser kann von einem Lichtquant allein nicht aufgenommen werden ein weiterer Partner ist ntig, in der Regel sind das Gitterschwingungen.
Dadurch verringert sich die bergangswahrscheinlichkeit jedoch betrchtlich
(Abb. 4.3 rechts). Dies favorisiert die indirekten Halbleiter wie Silizium nicht
gerade fr optische Anwendungen. Eine Ausnahme stellt Galliumphosphid dar,
dort knnen isoelektronische Strstellen (in der Regel Stickstoff) den bentigten
Quasiimpuls-bertrag liefern. Allerdings verringert sich dadurch auch die Energie
der Lumineszenzstrahlung um den Energiebetrag, um den das Strstellenniveau
unter dem Bandrand sitzt. Eine hnliche Rolle spielen im GaP auch Paare aus
Donatoren und Akzeptoren (Zink-Sauerstoff-Paare). Solche Strstellen dienen
sozusagen als Lumineszenzkatalysatoren, erniedrigen jedoch ebenfalls die Energie der entstehenden Strahlung gegenber Eg . Galliumphosphid, obwohl indirekter
Halbleiter, ist also trotzdem eine geeignete Substanz fr Lumineszenzdioden in
einem weiten Wellenlngenbereich vom Grnen bis hin zum Roten.
Darber hinaus werden Mischkristalle aus unterschiedlichen III-V-Substanzen
benutzt. Mit ihnen lassen sich praktisch alle Energiewerte und demzufolge auch
alle Wellenlngen im Bereich zwischen den beiden Endkomponenten einstellen
(Abb. 4.5). Allerdings sind nicht alle Mischungsverhltnisse beliebig gut geeignet der Grund liegt im Kristallwachstum. Um gute Kristalle zu erhalten, mssen
die Lumineszenzmaterialien auf einer mglichst fehlerfreien Unterlage (Substrat)
aus einem zweikomponentigen Halbleiter aufwachsen, in Frage kommen vor allem
Galliumarsenid und Indiumarsenid, aber auch Galliumphosphid. Die Kristallgitter
der aufwachsenden Mischkristallschichten drfen sich vom Gitter des Substrats
nicht allzu sehr unterscheiden, damit beim Aufwachsen keine Verspannungen auf-
165
treten. In Abb. 4.4 ist dargestellt, wie gro die Gitterkonstanten und Gapenergien
in den einzelnen Halbleitern und Halbleiter-Mischreihen sind. Demnach sind vor
allem solche Substrat-Schicht-Kombinationen gnstig, bei denen die Gitterkonstanten bereinstimmen, also beispielsweise GaAlAs auf GaAs oder
In0,53Ga0,47As auf InP. Ist das nicht mglich, so muss, um die Differenz der Gitterkonstanten nicht zu gro werden zu lassen, mit mehreren Zwischenschichten gearbeitet werden. So werden beispielsweise zwischen einem GaAs-Substrat und einer
gewnschten GaAs 0,6P0,4-Schicht mehrere GaAs1xPx-Zwischenschichten eingebracht, man spricht von einem graded layer.
InSb
0,64
0,62
GaSb
a0 /nm
AlSb
InAs
0,60
InP
0,58
Ge
AlAs
GaAs
0,56
GaP
Si
AlP
0,54
0
0, 5
1,0
1,5
2,0
2,5
InN
0,36
0,34
GaN
0
0, 5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
AlN
0,32
3,5
6,0
6,5
Eg /eV
Abb. 4.4 Gapenergien und Gitterkonstanten von Halbleiter-Mischreihen. Durchgezogene Linien bezeichnen die direkten und gestrichelte Linien die indirekten Halbleiter.
Nach [Madelung 1996] und [Razeghi 2000]
166
Gapenergie Eg/eV
Brechungsindex
3,6
3,0
3,5
2,5
3,4
2,0
3,3
Eg = 2,17 eV
3,2
1,5
3,1
Eg = 1,424 eV
1,0
3,0
0,5
2,9
GaAs
AlAs
Mischungsverhltnis x
GaAs
AlAs
Mischungsverhltnis x
Abb. 4.5 Gre der Gapenergie (links) und Verlauf des Brechungsindex in Abhngigkeit
vom Mischungsanteil (rechts) in Ga1xAlxAs
Beispiel 4.1
a) Die Gitterkonstanten der meisten Halbleiter-Mischreihen mit dem Mischungsverhltnis x knnen nach einer Formel der Gestalt
a x = xa1 + (1 x )a2
(4.2)
einfach linear interpoliert werden, a1 beziehungsweise a2 sind die Gitterkonstanten der

Grenzsubstanzen. Wir berechnen, welches Mischungsverhltnis von Gallium und
Indium erforderlich ist, um das Gitter von In1-xGaxAs auf InP verspannungsfrei aufwachsen zu lassen.
Lsung:
Dazu muss die Gitterkonstante des Mischkristalls gleich der von InP (a0 = 0,5869 nm)
sein. Die Grenzkomponenten der Mischreihe sind InAs und GaAs mit den Gitterkonstanten a0 = 0,6058 nm fr InAs und a0 = 0,5653 nm fr GaAs. Die Umstellung von
(4.2) nach x liefert den erforderlichen Mischungsanteil der Gallium-Komponente
x=
ax a2 0,5869 0,6058
=
= 0,47 ,
a1 a2 0,5653 0,6058
das ist genau der Wert, der schon weiter oben im Text angegeben wurde.
Die Gap-Energie der In1xGaxAs-Mischkristallreihe ergibt sich nach der empirischen
Formel [Madelung 1996] (vgl. MATLAB-Programm GaAlAs.m)
Eg ( x) = (0,324 + 0,7 x + 0, 4 x 2 ) eV .
Durch Einsetzen von x erhalten wir jetzt als Gap-Energie dieses Mischkristalls Eg =
0,74 eV. Diesen Wert htten wir auch (nur etwas ungenauer) aus Abb. 4.4 ablesen knnen, wenn wir den zur Gitterkonstante 0,5869 nm gehrenden Wert von Eg auf der
InAs-GaAs-Verbindungslinie aufgesucht htten.
Die Wellenlnge, die unserem gefundenen Eg entspricht, erhalten wir nun mittels Gl.
(4.1) zu 1,67 m. Experimentell ergibt sich brigens eine nur geringfgig grere GapEnergie von 0,75 eV, das entspricht einer Wellenlnge von 1,65 m.
167
Die erste Lumineszenzdiode, die im sichtbaren Bereich leuchtete, wurde

Anfang der sechziger Jahre von Holonyak2 entwickelt. Holonyak verwendete
erstmals Mischkristalle aus GaAsP und konnte so anstelle der infraroten Emission
des GaAs jetzt sichtbares rotes Licht erzeugen.
4.1.3 Spektralabhngigkeit der Lumineszenz
bei Band-Band-bergngen
Da Elektronen und Lcher im Halbleiter in ihren Bndern jeweils ber einen ganzen Energiebereich verteilt sein knnen, entsteht bei der Rekombination von Elektronen im Leitungsband mit Lchern im Valenzband keine Strahlung mit scharf
definierter Wellenlnge, sondern mit breiter Spektralverteilung. Diese Verteilung
soll jetzt fr direkte Halbleiter berechnet werden. Dazu bercksichtigen wir
zunchst den Energiesatz: Die Energie des ausgesandten Photons hngt mit den
kinetischen Energien des rekombinierenden Elektrons und Lochs wie folgt zusammen:
2 k 2 = 2 k 2
h = Ee Eh = Eg + ( Ee Ec ) ( Eh Ev ) =
+
.

2me
2mh
= e
= h
(4.3)
Wir haben hier wieder, wie schon einmal im Abschn. 2.1.1, die auf die jeweiligen
Bandrnder bezogenen Energien Ee und Eh verwendet. Beachten Sie, dass die
kinetische Energie der Lcher im Valenzband nach unten zhlt!
Da optische bergnge zwischen Leitungsband und Valenzband in direkten
Halbleitern nur senkrecht im k-Raum verlaufen, muss der Wellenzahlvektor von
Elektronen und Lchern hierbei gleich sein, der (Quasi-)Impuls darf sich nicht
ndern. Die kinetische Energie der Elektronen und die der Lcher muss also bei
gleichem k-Wert genommen werden.
Die Anzahl der Elektronen und Lcher, die fr optische bergnge mit der
Energie h zur Verfgung stehen, hngt von mehreren Faktoren ab: von der optischen bergangswahrscheinlichkeit weh , von der kombinierten Zustandsdichte
g eh (Ee Eh) (sie gibt die gemeinsame Zahl der Zustnde energetisch bereinander
liegender Niveaus von Elektronen und Lchern pro Energieintervall an) und von
den Fermi-Verteilungsfunktionen fe (E e) und fh (E h). Die berlegungen sind dabei
dieselben wie frher in Abschn. 2.2, nur dass statt fe (E e) allein jetzt das Produkt
fe (E e) fh (E h) genommen werden muss. Darber hinaus steht in der Zustandsdichte
g( ) jetzt die Energiedifferenz h = Ee Eh zwischen Elektronen- und Lochener-
Nick Holonyak (geb. 1928), am. Physiker. Studium an der University of Illinois. Schler von Bardeen, Forschungsarbeiten bei General Electric und in den Bell Labs. 1963
Ruf an die University of Illinois. Einer der fhrenden Wissenschaftler auf dem Gebiet der
Optoelektronik.
168
gie. Damit erhalten wir fr die Intensitt der spontanen bergange bei einer
bestimmten Frequenz h
Isp (h) = weh geh (Ee Eh ) f e (e ) f h (h ) .
(4.4)
Der Vorfaktor weh , die optische bergangswahrscheinlichkeit, hngt praktisch

nicht von der Energie ab; wir interessieren uns hier fr seinen genauen Zahlenwert
nicht, da es nur auf die spektrale Verteilung, aber nicht auf absolute Intensitten
ankommen soll. Die Zustandsdichte g eh (Ee Eh) kann ganz analog zu (2.6)
berechnet werden3 und fhrt zu einer Wurzelfunktion, die bei h Eg einsetzt,
damit entsteht
Isp (h) = const h Eg f e (e ) f h (h ).
(4.5)
Die Differenz h Eg unter der Wurzel drckt aus, dass die niedrigste Energie, mit
der ein Photon ausgesandt werden kann, bei Eg liegt.
Wenn wir jetzt fe (E e) und fh (E h) durch die Boltzmann-Verteilung (2.87) fr
die Elektronen und den analogen Ausdruck fr die Lcher (2.88) approximieren,
erhalten wir
Isp (h) = const h Eg f e (Ee ) f h (E h ) =

= const
np
Nc N v
E
E
h Eg exp e exp h .
k
T
B
kBT
(4.6)
Den Ausdruck vor der Wurzel fassen wir zu einer neuen Konstanten zusammen.
Wir schreiben jetzt die Elektronen- und Lochenergien E e und E h in den Verteilungsfunktionen noch ausfhrlich hin und fassen auch diese in geeigneter Weise
zusammen,
( E Ec ) + ( Ev Eh )
Isp (h) = const' h Eg exp e
=
kBT
(
E
E
)
(
E
E
)
h
c
v
= const' h Eg exp e
k
T
h Eg
= const' h Eg exp
kBT
(4.7)
Jetzt steht berall die Frequenz, damit knnen wir die spektrale Verteilung der
Intensitt erkennen, also die Linienform des emittierten Lichts. Sie ist in Abb. 4.6
dargestellt. Ihr Maximum liegt bei kBT/2 oberhalb der Gapenergie. Den Beweis
fhren wir in Aufgabe 4.1. Ein MATLAB-Programm zur Darstellung dieses Kurvenverlaufs soll im bungsteil zusammengestellt werden (Aufgabe 4.14).
3
Fr die genaue quantenmechanische Ableitung wird auf [Singh 1994], Abschn. 4.6 oder
[Singh 1995], Abschn. 4.4 verwiesen.
Intensitt Isp
I sp
169
h Eg
= const' h Eg exp
kBT
Abb. 4.6 Kurvenverlauf der spektralen Intensitt von Band-Bandbergngen in direkten Halbleitern
k BT
2
Eg
Energie h
Fr optische bergnge in direkten Halbleitern mssen die berlegungen modifiziert werden, dies zeigen wir in Aufgabe 4.2.
4.1.4 Aufbau und Technologie von Lumineszenzdioden
Nachdem wir bis jetzt die fr die Lumineszenz wichtigen Substanzeigenschaften

diskutiert haben, wenden wir uns nun dem Aufbau der optischen Bauelemente zu.
Wesentlich fr eine LED ist ein vorwrts gepolter pn-bergang, in dessen
Umgebung mglichst viele Rekombinationen stattfinden knnen. Wie wir von der
Diskussion des pn-bergangs im Kap. 3 wissen, ist die Rekombination innerhalb
der Raumladungszone meist vernachlssigbar, sie findet vorwiegend in den
benachbarten Diffusionsgebieten statt. In einer Schicht, deren Breite etwa durch
die Diffusionslngen Le und Lh gegeben ist, rekombinieren dort die Minorittstrger, wenn ein Strom durch die Diode fliet. Allerdings wird nur bei einem Teil dieser Prozesse Licht erzeugt, in vielen Fllen rekombinieren die Ladungstrger
strahlungslos und geben ihre Energie in Form von Wrme ab.
Damit die entstehenden Photonen nicht erneut absorbiert werden, muss das
Bauelement so aufgebaut werden, dass der emittierende Bereich nahe an der Oberflche liegt. Bei pn-Strukturen wird man deshalb mglichst nur einen der beiden
Minorittstrgerbereiche fr die optischen bergnge nutzen. Nehmen wir zum
Beispiel an, nahe der Oberflche befinde sich der p-Bereich. Dort sind die rekombinierenden Minorittsladungstrger die Elektronen. Damit mglichst viele Photonen entstehen, muss der dominierende Stromanteil also der Elektronenstrom sein.
Dieser ist gegeben durch
eU
eDe n0 kBT
,
je =
e
Le
(4.8)
analog lsst sich der Lcheranteil zum Diodenstrom schreiben als
eU
eDh p0 kBT
jh =
e
1 .
Lh
(4.9)
170
In den beiden Anteilen unterscheiden sich die Diffusionskonstanten und Diffusionslngen nur unwesentlich. Einfluss auf die Strme haben demnach vor allem die
Minorittstrgerkonzentrationen n0 im p-Gebiet und p0 im n-Gebiet. Ein hoher
Elektronenstrom beispielsweise verlangt ein groes n0 im p-Gebiet. Nun sind aber
die Minorittstrgerkonzentrationen durch die Akzeptor- beziehungsweise Donatorkonzentration bestimmt,
n0 =
ni2
NA
und
p0 =
ni2
.
ND
(4.10)
Wenn wir
je
jh
(4.11)
erreichen wollen, mssen wir demnach fr ein groes Verhltnis ND /NA sorgen,
das heit, wir bentigen in diesem Fall einen n+p-Halbleiter.
Nehmen wir an, dass aus dem oberflchennahen p-Gebiet alle Photonen aus
dem Kristall herauskommen und aus dem dahinter liegenden n-Gebiet fast keine,
so knnen wir eine innere Injektionseffizienz (oder inneren Wirkungsgrad) definieren durch
i =
je
.
je + jh
(4.12)
Falls der Elektronenstrom viel grer als der Lcherstrom ist, wird dieser Ausdruck nahezu eins. Der Wirkungsgrad wird allerdings noch reduziert durch einen
weiteren Faktor r , der den Anteil der strahlenden Rekombination (1/r) an der
Gesamtrekombination (1/r + 1/nr) angibt:
r =
1
r
1
1
+
r nr
1
.
1+ r
nr
(4.13)
Das Produkt int = ri ist der totale innere Quantenwirkungsgrad. Bei einem
Halbleiter hoher Qualitt kann int fast 1 werden, in indirekten Materialien wird
dagegen nur int 102 103 erreicht. Der uere Quantenwirkungsgrad ext
ext = int Cex
(4.14)
ist das Verhltnis von insgesamt emittiertem Photonenstrom zu eingespeistem

elektrischen Strom,
ext =
jph
jeh / e
(4.15)
Verbindungsdraht
(Golddraht)
Halbleiterchip
171
Abb. 4.7 Aufbau einer LED
Kunststoffgehuse
Reflektorwanne
Kathode
Anode
Er wird auer von int noch von den Abstrahlungseigenschaften der Lumineszenzdiode bestimmt. Diese Eigenschaften werden durch den Faktor Cex, die Austrittseffizienz, beschrieben. Damit ihr Wert mglichst gro wird, packt man den
Halbleiter zum Beispiel in eine reflektierende Wanne und versieht die Anordnung
mit einer Linse aus Epoxidharz (Abb. 4.7), um mglichst die gesamte Strahlung
nach auen zu lenken. Halbleiter haben einen hohen Brechungsindex, so dass die
Strahlung von innen fast senkrecht auf die Halbleiteroberflche treffen muss, um
heraus zu gelangen. Alle Strahlung, die flacher auf die Oberflche trifft, wird total
reflektiert und bleibt im Innern. Um das zu vermeiden, muss der Brechungsindex
der Epoxidharzlinse etwa in der Mitte zwischen dem des Halbleiters und der Luft
liegen.
Beispiel 4.2
Der Brechungsindex von GaP betrgt 3,4, der von Luft ist 1. Unter welchem Winkel
wird das austretende Licht total reflektiert?
Lsung:
Totalreflexion (bergang vom dichteren ins dnnere Medium!) tritt auf bei
sin =
nL
1
=
= 0, 29,
nGaP 3, 4
(4.16)
also bereits unter einem Winkel = 17 gegen die Oberflchennormale!
Typische Bauformen von LEDs sind in Abb. 4.8 gezeigt. In den meisten
Anwendungen werden Flchenemitter verwendet, sie garantieren eine mglichst
hohe Ausbeute. Kantenemitter finden gelegentlich Verwendung, wenn Lichtleitkabel angekoppelt werden sollen.
Voraussetzung fr den Einsatz von pn-Strukturen als LEDs ist natrlich, dass
sich pn-bergnge metallurgisch formieren lassen. Dies ist jedoch gerade bei den
fr blaue Lumineszenz bentigten Substanzen ein groes Problem. In Frage kommen prinzipiell Siliziumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN). Siliziumcarbid ist
ein sprdes und nur schwer zu bearbeitendes Material unter dem Namen Korund
ist es als Schleifmittel bekannt! und auerdem ein indirekter Halbleiter; die optische Ausbeute ist demnach sehr gering. Darber hinaus sind extrem hohe Zchtungstemperaturen notwendig. Galliumnitrid ist zwar ein direkter Halbleiter,
konnte aber lange Zeit nicht p-dotiert werden.
172
p-Diffusion
Al-Kontakt
Golddraht
Oxid
n-Epitaxieschicht
n+-Substrat
Rckseitenmetallisierung
c
Faser
Epoxidharz
n
n
p
n oder p
Abb. 4.8 Verschiedene Bauformen von Lumineszenzdioden. (a) Flchenemitter, (b) mit
Faserankopplung (Burrus-Diode), (c) Kantenemitter, aus [Heywang (1988)]
Heutige superhelle Lumineszenzdioden bestehen aus der quaternren Substanz

AlxInyGa1x-yN beziehungsweise wechselnden Schichten von GaN, InGaN und
AlGaN. Die Al InGaN-Leuchtdioden decken den kurzwelligen sichtbaren Bereich
von Grn ber Blau bis hin zum nahem Ultraviolett ab, whrend fr den langwelligen Bereich von Grn ber Orange, Gelb zu Rot hin AlInGaP-Dioden eingesetzt
werden.
Schichtfolgen aus zwei Materialien werden als Doppelheterostrukturen bezeichnet. Mit ihnen lassen sich besonders hohe Lichtausbeuten erzielen. Abwechselnd
folgen zum Beispiel jeweils eine sehr dnne Schicht und eine dickere Schicht wie
in Abb. 4.9 aufeinander. Die dnneren Schichten aus InGaN haben eine kleinere
Bandlcke als das umgebende Material. Sehr anschaulich spricht man von energetischen Potentialtpfen. Die umgebenden dickeren Schichten aus GaN wirken als
Barriere fr die Elektronen und Lcher, welche in den Potentialtpfen eingeschlossen bleiben. Da die Breite der Potentialtpfe sehr gering ist (nur etwa 1 nm) und
sich in diesen Dimensionen bereits die Eigenschaften der Quantenphysik bemerkbar machen, spricht man von Quantenfilmen.
Die Lichtausbeute von LED-Bauelementen wird durch die ausgesandte Strahlung gekennzeichnet. Die Leistungseffizienz ist definiert als Verhltnis von der pro
Flcheneinheit insgesamt abgestrahlten Lichtleistung hjph zu aufgenommener
elektrischer Leistung Ujeh. Sie kann demnach geschrieben werden als
PE =
h jph
U jeh
h
ext .
eU
(4.17)
p-GaN-Kontaktschicht
173
p-AlGaN-Elektronenbarriere
InGaN-Quantenfilm
je 10 nm
GaN-Barriere
InGaN-Quantenfilm
GaN-Barriere
InGaN-Quantenfilm
GaN-Barriere
GaN-Barriere
n-GaN-Kontaktschicht
Abb. 4.9 Beispiel fr den Aufbau einer

Lumineszenzdiode aus InGaN-Quantenfilmen und GaN-Barrieren. Unten ist der
Verlauf der Bandrnder in Abhngigkeit
vom Ort dargestellt (nach [Laubsch
(2010)])
10 nm
je 1 nm
E
EC
EV
Sie ergibt sich aus dem externen Quantenwirkungsgrad durch Multiplikation mit
der Energie h eines Photons und Division durch die angelegte Spannung U. Achtung: jph ist ein Teilchenstrom, jeh dagegen ein elektrischer Strom, also Teilchenstrom mal Ladung!
Als Ma fr die Lichtmenge kann die gesamte Strahlungsenergie oder die Strahlungsenergie pro Raumwinkel, die Strahlstrke Ie, dienen. Bei Bauelementen,
deren Licht im sichtbaren Bereich liegt und vom Menschen wahrgenommen werden soll, ist diese Gre aber nicht allein zur Charakterisierung geeignet, da das
menschliche Auge fr unterschiedliche Wellenlngen unterschiedlich empfindlich
ist. Beispielsweise erscheint rote Strahlung dunkler als grne Strahlung von gleicher Intensitt. Das Maximum der Augenempfindlichkeit liegt bei 555 nm.
Die spektrale Empfindlichkeit Vabs() des Auges (man muss sich dabei einen
Normmenschen vorstellen) dient als Bewertungsfunktion. Wenn man die Strahlstrke mit der Empfindlichkeit multipliziert, erhlt man eine Gre, die den subjektiven Helligkeitseindruck widergibt. Diese Gre heit Lichtstrke,
I v () = I e () Vabs ( ) .
(4.18)
Whrend die Strahlstrke Ie 4 in Watt (genauer Watt/Steradiant, W/sr) angegeben wird, existiert fr die Lichtstrke eine eigene Einheit, die Candela (= Lumen
pro Steradiant),
4
Der Index e soll auf energiebezogene Gren hinweisen, der Index v auf visuelle
Gren.
174
Abb. 4.10 Spektrale Empfindlichkeit V() des Auges bei Tag. Einzelne Zahlenwerte sind auch mit
der MATLAB-Funktion hellempf(lambda) zu bekommen
100
V()
101
102
103
104
105
300
400
500
600
700
800
Wellenlnge / nm
[ I e ] = W / sr ; [ I v ] = lm / sr = cd .
(4.19)
Eine 100-Watt-Glhlampe hat zum Beispiel eine Lichtstrke von 110 cd, die Lichtstrke normaler LEDs liegt im Millicandela-Bereich (ca. 10 50 mcd), sehr helle
LEDs, so genannte Superstrahler, erreichen bis zu etwa 60 cd. Die Lichtleistung
von Infrarotstrahlern kann natrlich nicht in Candela angegeben werden, die Lichtstrke wrde ja zu null. Hier muss die Strahlstrke zur Charakterisierung herhalten.
Ein Halbleiterlaser, der bei 880 nm strahlt, kann bei 2 mW Anregung eine Strahlstrke von 2 55 mW/sr erreichen. Oft wird die spektrale Empfindlichkeit V()
brigens als normierte Gre angegeben, dann schreibt man Gleichung (4.18) als
I v () = I e () V ( ) Vmax = I e ( ) V ( ) 683 lm/W .
(4.20)
Demnach wird die Leistungseffizienz5 von Bauelementen, die im sichtbaren

Bereich strahlen, ebenfalls mit der spektralen Empfindlichkeit gewichtet und in
Lumen pro Watt angegeben. Praktisch werden einige 100 lm/W erreicht.
Eine weiteres Ma zur Charakterisierung von LEDs ist auch die durchschnittliche Lebensdauer. Whrend diese bei herkmmlichen Glhlampen etwa 500 bis
1000 Betriebsstunden betrgt, liegt sie bei LEDs bei ca. 100 000 h. Aus diesem
Grund und wegen ihrer geringen Frhausfallrate sind sie zum Beispiel fr Kraftfahrzeuge (zur Instrumentenbeleuchtung, als Rcklichter oder als Tagfahrlicht)
oder fr Verkehrsampeln, in letzter Zeit aber auch immer mehr fr die Raumbeleuchtung, von groem Interesse.
engl. luminous efficacy
175
Weies Licht wird aus der Mischung dreier geeigneter Spektralfarben zusammengesetzt. Fr weileuchtende LEDs kann man auf zwei Prinzipien zurckgreifen: Entweder werden drei einfarbige LEDs, die als Mischfarbe Wei ergeben, in
einem Gehuse untergebracht. Eine Ausfhrungsform verwendet zum Beispiel
GaAsP (rot bei 635 nm), GaP (grn bei 565 nm) und GaN (blau bei 430 nm). Beim
zweiten Prinzip wird eine blaue LED (SiC oder GaN) mit einer Kappe versehen.
Die Kappe kann aus einem organischen Material bestehen und wirkt als Konversionsschicht (Beispiel: LUCOLED, Luminescence Conversion LED). Diese Schichten absorbieren einen Teil des blauen Lichts und wandeln es in Licht um, welches
den Spektralbereich von Grn ber Gelb zu Rot hin abdeckt. Auch anorganische
Konversionsschichten (zum Beispiel Yttrium-Aluminium-Granat, abgekrzt YAG)
sind verbreitet.
4.1.5 Entwicklungstendenzen bei Lumineszenzdioden
Auf allen Gebieten der Optoelektronik geht gegenwrtig die Entwicklung sehr
intensiv weiter. Unter den lichtemittierenden Bauelementen hat in den letzten Jahren die Technologie blauer LEDs groe Fortschritte gemacht. Sie sind vor allem
durch die Entwicklung von GaN-Dioden mglich geworden. Zuvor war es lediglich mglich gewesen, den Wellenlngenbereich zwischen 549 nm (entsprechend
Eg = 1,42 eV bei GaAs) und 871 nm (entsprechend Eg = 2,26 eV bei GaP) abzudecken. Dies entspricht dem Farbspektrum von infrarot nach gelbgrn und wird
durch unterschiedliche Mischungsanteile der ternren Verbindung GaAsxP1-x
erreicht (vgl. auch Tabelle 4.1.). Ein Ziel der LED-Entwicklung besteht jedoch
darin, mglichst helle wei leuchtende Lichtquellen auf den Markt zu bringen. Um
weies Licht aus drei Spektralanteilen zu mischen, wird jedoch noch eine blaue
Komponente bentigt.
Hierzu eignen sich alle Mischkristalle der Nitridverbindungen. Laut Tabelle 4.1.
liegt die theoretische Wellenlnge eines Band-Band-bergangs im Galliumnitrid
(Eg = 3,39 eV) bei 366 nm, also schon im Ultravioletten. Bis Anfang der 90er
Jahre war es jedoch nicht gelungen, dieses Material p-dotiert herzustellen. Erst
seitdem ist es dank intensiver Untersuchungen einer japanischen Gruppe mglich
geworden, pn-bergnge und damit LEDs herzustellen. Diese Entwicklung hat die
Technologie von LEDs und Lasern ziemlich revolutioniert. Heute werden grne
und sehr helle LEDs (so genannte Superstrahler) auf GaN-Basis hergestellt, im
Gegensatz zu den frheren eher gelblichgrnen GaP-LEDs. Durch die Entwicklung blauer Dioden werden nun zum Beispiel auch helle weie Lichtemitter auf der
Basis der Farbmischung produziert. Dank wesentlich grerer Ausbeute knnen in
Zukunft Lumineszenzdioden nicht nur als Anzeigeelemente, sondern auch immer
mehr fr Beleuchtungszwecke eingesetzt werden. Ihr Vorteil gegenber konventionellen Glhlampen sind die lngere Lebensdauer (ca. 100 000 Betriebsstunden
gegenber nur 500 bis 1000 Betriebsstunden bei blichen Glhlampen) sowie die
viel geringere Wrmeproduktion. Der Spektralbereich vom Blauen bis zum Grnen wird heute durch quaternre (d. h. vier Komponenten enthaltende) Mischkristalle aus der Reihe AlGaInN abgedeckt.
176
ber Silizium-Nanokristalle (ca. 1 2 nm Durchmesser) als Material fr

LEDs wird ebenfalls lebhaft diskutiert.
4.2 Einiges ber Halbleiterlaser

4.2.1 bersicht
Laser6 sind leistungsfhige optoelektronische Lichtquellen zur Erzeugung von sehr

monochromatischem und extrem kohrentem Licht. Laserlicht kann kontinuierlich
oder aber in Form von kurzen, energiereichen Impulsen ausgesandt werden. Im
Vergleich mit einem Laser ist die Technologie von LEDs zwar nicht so aufwndig
und ihre optische Ausbeute ist wesentlich geringer, aber sie sind relativ kostengnstig.
Die ersten Laser wurden 1962 aus GaAs fr den Infrarot-Bereich von Basov7
und Mitarbeitern in der UdSSR entwickelt. Kurze Zeit spter wurden schon Laser
im sichtbaren Bereich aus Mischkristallen von GaAsP hergestellt. Im Gegensatz zu
Gaslasern (z. B. Helium-Neon) oder anderen Festkrperlasern (z. B. Rubin) sind
Halbleiterlaser sehr klein (ca. 0,1 mm lang) und eignen sich hervorragend fr die
Hochfrequenzmodulation. Daher stellen sie eine ideale Lichtquelle zum Ankoppeln an Lichtwellenleiter dar, sie lassen sich unmittelbar an die Glasfasern
anschlieen allerdings ist ihre Leistung nicht so gro wie die einiger anderer
Laser.
Anwendung finden Halbleiterlaser auer bei der optischen Nachrichtenbertragung auch in Laserdruckern, beim Auslesen von Daten aus optischen Disks oder
Musik-CDs und DVDs sowie in der Grundlagenforschung.
Effiziente Halbleiterlaser mssen, wie auch Lumineszenzdioden, mglichst aus
direkten Materialien hergestellt werden, insbesondere kommen GaAs und andere
III-V-Verbindungen wie GaAlAsSb oder GaInAsP in Frage. Der Wellenlngenbereich liegt zwischen 0,3 und 30 m.
Die Entwicklung blauer Laserdioden auf der Grundlage der schon frher
beschriebenen Verbindungen AlGaInN erffnet zahlreiche neue Anwendungsmglichkeiten, etwa beim Auslesen von optischen Speichermedien (so genannte blueray disks). Die optische Auflsung ist durch die Wellenlnge des verwendeten
Lichts begrenzt. Da die Wellenlnge einer blauen Laserdiode nur etwa halb so gro
ist wie die einer roten, ist die kleinste auflsbare Flchenstruktur nur etwa 0,5 0,5
6
7
LASER Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation

Nicolaj G. Basov (19222001), russ. Physiker, erhielt gemeinsam mit seinem Landsmann Prochorov (19162002) und dem Amerikaner Townes (geb. 1915) im Jahr 1964
den Nobelpreis for fundamental work in the field of quantum electronics, which has led
to the construction of oscillators and amplifiers based on the maser-laser principle.
Basov promovierte am Moskauer Lebedev-Institut und war spter dessen Direktor. Vielfltige Arbeiten zur Quanten-Elektronik.
177
mal so gro. Es lassen sich auf einer gleich groen Flche also ca. 4-mal so viel
Informationen unterbringen. Die verbesserte Auflsung ist darber hinaus auch fr
die Belichtung von Photolack bei der Halbleiterherstellung von groem Interesse
(siehe spter, Kap. 7), dort knnen viel kleinere Strukturen erzeugt werden. Derzeit
besonders weit entwickelt sind GaN-Laser auf Saphir-Substrat. In Entwicklung
sind auch schon mittels MOCVD8 auf SiC-Substraten aufgebrachte Schichten.
Der Mischkristall SiC hat den Vorteil einer greren Wrmeleitfhigkeit, daraus
resultiert eine lngere Lebensdauer. Um existierende Patente zu umgehen, arbeiten
einige Firmen auch an der Entwicklung von Mischkristall-Lasern aus InGaN oder
AlInGaP. Weitere Informationen zu blauen Laserdioden finden Sie insbesondere
bei [Nakamura, Pearton und Fasol (2000)].
4.2.2 Grundstzliches zur Funktionsweise
Der Wirkungsweise des Halbleiterlasers liegt wie bei der Lumineszenzdiode ein
pn-bergang zugrunde (Abb. 4.11). Whrend dort jedoch Photonen durch spontane Emission erzeugt werden, ist fr die Arbeitsweise eines Lasers stimulierte
Emission die Voraussetzung. Nur durch stimulierte Emission kann kohrente
Strahlung erzeugt werden. Wie schafft man es in einem Halbleiter, in dem einen
Falle, wie bei der LED, spontane, im anderen aber, wie beim Laser, stimulierte
Emission zu erzeugen?
Grundstzlich kann ein durch Rekombination eines Elektron-Loch-Paares spontan entstandenes Photon, statt den Kristall zu verlassen, auch auf seinem weiteren
Weg durch Reabsorption verloren gehen. Es kann aber auch ber einen Prozess der
stimulierten Emission ein weiteres Elektron-Loch-Paar zur Rekombination bringen. Die Reabsorption soll natrlich bei jedem optischen Emitter so gering wie
mglich sein. Bei einer Lumineszenzdiode ist man daher bestrebt, die spontan
erzeugten Photonen mglichst sofort aus dem Kristall nach auen zu bringen. Dies
ist bei einem Laser aber nicht sinnvoll, da sollen ja die Photonen mglichst lange
im Innern verbleiben, um weitere stimulierte Emissionsprozesse anzuregen. Die
aktiver Bereich
(n-Material)
p-Material
n-Material
spiegelnde
Oberflche
raue Oberflche
Abb. 4.11 Prinzipieller Aufbau einer Laserdiode. Laserdioden sind Kantenemitter

8
Erklrung spter, vgl. Abschn. 7.4.4
178
stimulierte Emission muss daher gegenber der Absorption dominieren. Wir fragen
uns jetzt, wann dies erfllt ist.
4.2.3 Optischer Einschluss (Confinement)
Photonen knnen am Verlassen das Halbleiters am besten dadurch gehindert werden, dass man sie zwischen parallelen polierten, spiegelnden Wnden einschliet.
Dadurch wird gleichzeitig ein optischer Resonator geschaffen. Licht, dessen
Wellenlnge gerade passt, kann in diesem Resonator stehende Wellen ausbilden.
Dafr muss die Resonatorlnge L ein ganzzahliges Vielfaches der halben Wellenlnge /2 sein (Fabry-Prot-Resonator, Abb. 4.12):
L=
m
.
2
(4.21)
1. Laserbedingung: Damit sich das Licht im Halbleiter nicht durch destruktive

Interferenz teilweise auslscht, mssen sich in einem geeigneten optischen Resonator stehende Wellen ausbilden knnen, die sich gegenseitig verstrken.
Auch wenn die Grenzflchen sehr gut poliert sind, kann der austretende Lichtanteil nicht beliebig klein gehalten werden. Das liegt am Reflexionskoeffizienten,
er hat bei GaAs wegen dessen Brechungsindex von 3,66 den Wert
R=
( n 1)2
( n + 1)2
( 3, 66 1)2
( 3, 66 + 1)2
= 0,33.
(4.22)
Nur dieser Teil wird reflektiert, der Rest geht durch die Grenzflche hindurch nach
auen.
Photonen mit einer Wellenlnge entsprechend (4.21) knnen sich so weit verstrken, dass sich stimulierte Emission herausbildet. Diese Schwingungsformen
heien Lasermoden. Man mchte erreichen, dass die gesamte bei der Rekombination frei werdende Energie mglichst nur in eine einzige Mode gelangt. Dafr wre
es gnstig, dass die aktive Schicht mglichst kurz ist und die gewnschte Mode
schon mit der Bedingung m = 1 zulsst. Die nchste mgliche Mode mit m = 2
wrde dann bereits die halbe Wellenlnge und damit die doppelte Photonenenergie
erfordern. Diese steht aber schon nicht mehr zur Verfgung. Leider kann in solch
m=1
m=2
m=3
Abb. 4.12 Stehende Wellen

im Fabry-Prot-Resonator
179
kurzen Resonatorstrukturen nicht gengend Gewinn erzielt werden, ganz abgesehen von fertigungstechnischen Problemen. Deshalb muss man doch in Kauf nehmen, dass sich in der Regel gleichzeitig mehrere aktive Moden herausbilden.
Tatschlich liegt die Lnge des aktiven Gebiets der heutigen Halbleiterlaser bei
etwa 500 m.
Die Elektronen und Lcher drfen nicht aus der aktiven Laserschicht herauslaufen. Die fr den Laserbetrieb erforderlichen Ladungstrgerdichten liegen in der
Praxis bei etwa 1018 cm3. Bei diesen Dichten verringert sich das Gap des Halbleiters bereits erheblich (Gapschrumpfung, Abschn. 2.6.2). Dies kommt der Forderung nach einem Teilcheneinschluss sehr entgegen, reicht aber trotzdem meist
nicht aus. Nach einer Idee von Kroemer9 wird deshalb oft eine Struktur angewendet, bei der die aktive Schicht von Materialien umgeben wird, die schon von vornherein ein greres Gap haben. Die Ladungstrger sind dann in der Laserschicht
eingeschlossen. Derartige Strukturen bilden die so genannten Doppelheterostruktur-Laser (DH-Laser) (Abb. 4.13). Mglich ist zum Beispiel eine Laserschicht aus
GaAs, die zwischen Al0,3Ga0,7As eingebettet ist. Eine solche Schichtenfolge bietet
gleich noch einen weiteren Vorteil: Da der Brechungsindex der Randgebiete kleiner ist als derjenige der aktiven Schicht, werden die Lichtstrahlen gefhrt und teilweise tritt sogar Totalreflexion ein. Die Photonen werden dadurch in der Schicht
festgehalten. Im Gegensatz zur normalen Halbleiterdiode wird der aktive
Bereich des Lasers hier durch die Sperrschicht gebildet.
p-GaAlAs
aktiver Bereich
(GaAs)
n-GaAlAs
Abb. 4.13 Bandrand (oben) und Brechungsindex (unten) in einem GaAsGaAlAs-DH-Laser
EG
Herbert Kroemer (geb. 1928), dt.-amerik. Physiker, geb. in Weimar, Studium in Jena,
spter aus politischen Grnden in Gttingen fortgesetzt. Promotion 1952, machte bei
anschlieender Ttigkeit im Fernmeldetechnischen Zentralamt der Deutschen Post in
Darmstadt durch seine Ideen zur Verbesserung des Transistors die Fachwelt auf sich aufmerksam. Wegen geringer Chancen auf dem Arbeitsmarkt seit 1954 in den USA, dort
Arbeiten in den RCA Labs, bei Varian und an der University of Colorado. Arbeiten u. a.
zu HBTs, zu Heterostruktur-Lasern und zum Gunn-Effekt. Bezeichnet sich selbst als
angewandten Theoretiker. Nobelpreis 2000 for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics.
180
4.2.4 Besetzungsinversion und Gewinn
Um Laserlicht zu erzeugen, muss zunchst einmal mindestens ein Photon durch

Rekombination eines Elektrons mit einem Loch geboren werden. Das geschieht
ber spontane Emission. Wenn dieses Photon den Laser verlsst, ist es fr uns verloren. Wir haben aber gerade gesehen, dass dies durch die geometrische Konstruktion in Grenzen zu halten ist. Wenn das Photon im Lasergebiet bleibt, kann es
jedoch weitere Wechselwirkungen eingehen: Zum einen besteht die Mglichkeit,
dass es absorbiert wird, dann ist lediglich der gleiche Zustand wie vorher wieder
hergestellt. Es kann aber auch stimulierte Emission bewirken. Hierzu muss es auf
ein weiteres, rekombinationsfhiges Elektron-Loch-Paar treffen. Stimulierte Emission ist der erwnschte Prozess zur Erzeugung kohrenten Lichts.
Wenn wir wissen wollen, ob nun die stimulierte Emission oder die Absorption
wahrscheinlicher ist, dann mssen wir nach der Besetzung der Zustnde im Leitungs- und Valenzband fragen. Stehen dort jeweils viele freie Pltze zur Verfgung,
dann kann das Photon Elektronen und Lcher erzeugen (Absorption). Sind dagegen die vorhandenen Zustnde schon weitgehend mit Elektronen (und im Valenzband mit Lchern) besetzt, dann wird die stimulierte Emission wahrscheinlicher
sein. Daher ist die Differenz zwischen spontaner und stimulierter Emission eine
aussagekrftige Gre. Sie wird als Gewinn (engl. gain) bezeichnet. Ein groer
Gewinn stellt eine wichtige Voraussetzung fr den Laserbetrieb dar.
Photonen, die im Halbleiter wieder absorbiert werden und dadurch lediglich
neue Elektron-Loch-Paare erzeugen, sind fr die Funktion eines Lasers unbrauchbar. Daher ist die Differenz zwischen Photonen-Emission und -Absorption eine
aussagekrftige Gre. Sie wird als Gewinn (engl. gain) bezeichnet.
Gem (4.4) ist die Emissionsrate proportional zur Wahrscheinlichkeit, dass im
Leitungsband Elektronen- und direkt darunter im Valenzband (bei demselben Wert
des Quasiimpulses) Lochzustnde besetzt sind. Der Grad der Besetzung ist durch
die Fermi-Verteilungsfunktion gekennzeichnet, daher knnen wir schreiben
I st = Isp = weh geh (h) f e (e ) f h (h ) .
(4.23)
Dabei spielt es fr den Einzelprozess keine Rolle, ob es sich um spontane oder stimulierte Emission handelt, denn fr beide sind besetzte Elektronen- und Lochzustnde erforderlich. Analog ist die Absorptionsrate proportional zur Wahrscheinlichkeit, dass Zustnde unbesetzt sind:
I abs = weh geh (h) [1 fe (Ee ) ][1 f h (Eh )] .
(4.24)
Diese Situation wird gerade durch die Komplemente der Fermi-Funktion [1 f]

beschrieben. Der Gewinn ist jetzt die Differenz
g = I sp I abs
= weh geh (h) { f e f h (1 f e ) (1 f h )}
= weh geh (h) { f e + f h 1}
= weh geh (h) { f e (1 f h )} .
(4.25)
181
Es ist einleuchtend, dass die Absorption dann kleiner ist als die Emission, wenn der
Gewinn g grer als null ist. Diese Forderung kann man entsprechend (4.25) in
zweierlei Weise interpretieren:
Die erste Interpretationsmglichkeit besagt, dass die Zahl der Elektronen in
einem bestimmten Leitungsbandzustand fe grer als die Zahl der Elektronen (1
fh) im unmittelbar darunterliegenden Valenzbandzustand sein muss (letzte Zeile
von (4.25)).
Bei der anderen Interpretation, die auch sehr aufschlussreich ist, gehen wir von
der vorletzten Zeile von (4.25) aus. Sie besagt, dass die Summe von Elektronenund Loch-Besetzungswahrscheinlichkeit fe + fh grer als eins sein muss. Das ist
zum Beispiel dann der Fall, wenn beide korrespondierenden Zustnde von Elektronen und Lchern mindestens je zur Hlfte besetzt sind. Den grten Gewinn
erreicht man natrlich fr fe = fh = 1.
Solch eine Bedingung kann zum Beispiel an einem pn-bergang annhernd herbeigefhrt werden. Man spricht dann von Besetzungsinversion (Abb. 4.14). Es ist
dies die zweite Voraussetzung, die fr das Arbeiten eines Lasers notwendig ist.
2. Laserbedingung: Damit die Emission gegenber der Absorption berwiegt, ist
Besetzungsinversion notwendig. Dadurch wird eine ausreichende Zahl von Elektron-Loch-Paaren im aktiven Bereich garantiert.
EC
EV
Abb. 4.14 Besetzungsinversion am

pn-bergang
Besetzungsinversion
Gain / cm -1
2500
2000
1500
1000
500
0
-500
-1000
1
1,5
2,5
3,5
4 1018 cm-3
-1500
-2000
1,42 1,44 1,46 1,48 1,50 1,52 1,54 1,56
h / eV
Abb. 4.15 Gain in GaAs. Kurvenparameter ist die Konzentration der

Elektronen und Lcher n = p
182
Whrend der Gewinn als berschuss der spontanen Emission ber die Absorption die Voraussetzung fr das Einsetzen des Laserbetriebs darstellt, ist zum Aufrechterhalten die stimulierte Emission wichtig. Die beiden Laserbedingungen
garantieren die stimulierte Emission: Durch Besetzungsinversion wird eine ausreichende Zahl verfgbarer Elektronen und Lcher geschaffen, durch die Resonatorbedingung eine hohe Photonendichte garantiert.
Genau wie den spektralen Intensittsverlauf der spontanen Emission kann man
den Gewinn relativ leicht berechnen (vgl. Aufgabenteil, Aufgabe 4.15). Ergebnisse
fr verschiedene Dichten von Elektronen und Lchern (wohl aber mit n = p) sind
in Abb. 4.15 dargestellt.
4.2.5 Bilanzgleichungen fr Elektronen und Photonen
Um einen Halbleiterlaser zur Emission von kohrenter Strahlung zu bringen, ist

erst einmal eine Schwellanregung erforderlich. Dies sieht man anhand von Bilanzgleichungen der Elektronen und Photonen. Wir wollen uns diese in einer vereinfachten Form anschauen.
Wir betrachten die zeitliche Vernderung der Elektronenkonzentration n im Leitungsband (analog knnte man auch die Lcher im Valenzband nehmen). Bei der
Wechselwirkung mit Photonen (Dichte nph) lsst sich ihre Bilanz entsprechend der
Kontinuittsgleichung (2.76) eindimensional wie folgt schreiben:
n 1
=
j + (G R)e ,
t e x
(4.26)
das heit:
Zeitliche nderung der Elektronendichte an einem bestimmten Ort des Halbleiters = Zufluss durch elektrischen Strom plus Generation minus Rekombination.
Wir setzen die Generations- und Rekombinationsrate sowie die Teilchenkonzentration am pn-bergang also in dem Bereich, in dem der Laser arbeiten soll als
ortsunabhngig an. Dann ist es erlaubt, ber die Breite b dieses Bereichs von x = 0
bis b zu integrieren,
dn
1
b = j + (G R ) e b .
dt
e
(4.27)
Wir konkretisieren jetzt die Generations-/Rekombinationsprozesse und schreiben, wobei wir auch gleich durch b dividieren,
dn
=
dt
1
j
eb
Zufuhr
durch el. Strom
Bnph n
stimulierte
Emission
n
e
strahlende und
strahlungslose
Emission
(4.28)
183
Der erste Term beschreibt die Zufuhr von Elektronen durch elektrischen Strom, der
zweite die stimulierte Emission, die proportional der Photonenkonzentration nph
ist, der dritte die nichtstrahlende und strahlende spontane Emission mit einer
Rekombinationszeitkonstanten e. B ist eine hier nicht nher zu spezifizierende
Konstante, in die im Wesentlichen (4.25) eingeht.
Die entsprechende Gleichung fr die Photonen lautet
d nph
dt
= Bnnph +
stimulierte
Emission
n
r
spontane
Emission
nph
ph
(4.29)
Verluste
Hier beschreibt der erste Term die Erzeugung von Photonen durch stimulierte
Emission, der zweite die Erzeugung durch spontane Emission, der dritte die Verluste (ph ist die Aufenthaltszeit der Photonen im betrachteten Volumen). Da Elektronen und Lcher im Allgemeinen auch strahlungslos rekombinieren, ist
1 r < 1 e .10
Gleichungen wie (4.28) und (4.29) treffen wir sehr hufig in der Physik an, sie
werden als Ratengleichungen bezeichnet. In unserem Fall fhren sie zu zwei
gekoppelten Differentialgleichungen, die im Allgemeinen nur numerisch gelst
werden knnen. Wir beschrnken uns hier aber nur auf den stationren Fall, wenn
die linken Seiten null sind. Dann kann man sie auch analytisch lsen. Wir vereinfachen die berlegungen noch weiter, indem wir nur zwei Grenzflle betrachten. Die
allgemeine Lsung verlagern wir auf den Aufgabenteil.
1. Bei niedrigen Elektronen- und Photonendichten spielt die stimulierte Emission (der zweite Term, der B in (4.28) enthlt) noch keine Rolle, und wir erhalten
einen Zusammenhang zwischen stationrer Elektronenkonzentration und Stromdichte:
n=
1
j e .
eb
(4.30)
Durch Einsetzen in (4.29) ergibt sich, ebenfalls mit Bnnph = 0,

nph =
nph
r
1 e ph
.
j
r
eb
(4.31)
Sowohl Elektronen- als auch Photonendichte sind dem Strom proportional, aber
die Photonendichte ist noch sehr klein.
2. Im Falle hoher Elektronen- und Photonendichten dagegen liefert die stimulierte Emission den Hauptbeitrag, whrend die spontane Emission vernachlssigt
werden kann (das Glied n/r ist jetzt fast null). In diesem Falle kann (4.29) benutzt
10 Die
beiden Bilanzgleichungen (4.28) und (4.29) stellen nur ein vereinfachtes Modell dar.
In dem Term Bnnph steckt genau genommen nicht die stimulierte Emission allein, sondern ihr berschuss gegenber der Absorption, also der Gewinn gem (4.25).
184
werden, um die stationre Elektronenkonzentration n zu berechnen:
0 = Bn
ph
nph .
(4.32)
Da nph nicht null werden soll, muss der Klammerausdruck verschwinden:
n = 1 B ph .
(4.33)
Einsetzen in (4.28) und Umstellen nach nph ergibt
nph =
1
1
.
j ph
eb
B e
(4.34)
Auch jetzt hngt nph wieder linear vom Strom ab. Im Vergleich zu (4.31) ist der
Anstieg allerdings viel grer der Unterschied ist durch den Faktor e/r < 1
bedingt, also durch das Verhltnis von gesamter zu strahlender Emissionsrate der
Elektronen. Die Grenze zwischen den beiden Bereichen hoher und niedriger Photonendichte ist die Laserschwelle. Sie ergibt sich durch Gleichsetzen von (4.30)
und (4.33) und liegt bei einer Elektronenkonzentration von
ns =
1
1
j e =
.
eb
B ph
(4.35)
Die Gleichungen (4.30) und (4.31) liefern somit nherungsweise den Verlauf
der Elektronen- beziehungsweise Photonenkonzentration (mit anderen Worten der
Lichtintensitt) bei niedrigen Anregungsstromdichten. Die gesamte durch den
Strom eingespeiste Leistung schlgt sich dort in einer Erhhung der Elektronenkonzentration nieder, whrend die Lichtausbeute fast nicht wchst. In diesem
Bereich arbeitet das Bauelement als normale LED. Bei hheren Anregungsstromdichten, oberhalb der Laserschwelle, bleibt dagegen die Elektronenkonzentration
trotz wachsenden Stroms entsprechend (4.33) konstant eine Erhhung der zugefhrten Energie bewirkt unmittelbar eine strkere stimulierte Emissionsrate und
wird somit vollstndig fr die Erhhung der Photonendichte gem (4.34) aufgebraucht. Dies ist der eigentliche Laserbereich. Diese Verhltnisse sind in Abb. 4.16
dargestellt.
Der exakte Verlauf der Elektronen- und Photonenkonzentration ergibt sich, indem (4.28)
und (4.29) null gesetzt und nach n sowie nph umgestellt werden. Die genaue Rechnung soll
hier nicht wiedergegeben werden, sie wird in Aufgabe 4.16 durchgefhrt und dort als Basis
eines MATLAB-Rechenprogramms benutzt. Damit ergeben sich die in Abb. 4.16 ausgezogenen Kurven.
185
ns
n = ns = 1 B ph
nph =
1
n=
j e
eb
nph =
1
1
j ph
eb
B e
nph(J)
1 e ph
j
eb
r
Js
Photonendichte
Elektronendichte n (J)
Stromdichte J
Abb. 4.16 Verlauf der Elektronen- und Photonendichte in Abhngigkeit von der Anregungsstromdichte. Gestrichelte Kurven: Approximationen gem (4.30) und (4.31) sowie
(4.33) und (4.34). Ausgezogene Kurven: exakte Werte fr n(J) und nph(J)
Abb. 4.17 Ausgangsleistung eines GaInAsNLasers (hier: eines Quantum-Well-Lasers)

in Abhngigkeit vom Injektionsstrom (aus
[Gollub, Moses und Forchel 2004])
Ein Beispiel fr experimentelle Abhngigkeiten der Photonenintensitt von der

Strke des Injektionsstroms ist in Abb. 4.17 gezeigt. Deutlich ist die Laserschwelle
zu erkennen.
186
4.3 Absorptions-Bauelemente
Halbleiter eignen sich nicht nur zur Erzeugung, sondern auch zum Nachweis von
Licht. Ein Halbleiter-Photodetektor muss drei Bedingungen erfllen:
1. Er soll Ladungstrger (Elektron-Loch-Paare) mit hoher Ausbeute erzeugen.
2. Die erzeugten Ladungstrger mssen schnell voneinander getrennt und wegtransportiert werden, damit sie nicht sofort wieder rekombinieren. Gnstig ist es
auch, wenn sich durch Multiplikationseffekte noch weitere Ladungstrger bilden.
3. Der erzeugte Strom muss sich schlielich in angeschlossenen Gerten ausreichend nachweisen lassen.
Es gibt eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen die Absorption des Lichts
ausgenutzt wird. Das automatische Einschalten der Straenbeleuchtung bei Dunkelheit (Dmmerungsschalter), die Bestimmung der Beleuchtungsstrke in Belichtungsmessern von Fotoapparaten und der Nachweis beweglicher Objekte in einem
Bewegungsmelder durch Detektion eines Infrarotlichtstrahls sind nur einige Beispiele dafr. Eine besonders wichtige Anwendung sind Empfnger fr Licht aus
Lichtwellenleitern.
4.3.1 Physikalische Grundlagen der Absorption
Bei der Absorption handelt es sich um den zur Lumineszenz entgegengesetzten

Prozess. Whrend jedoch zur Erzeugung einer effizienten Lumineszenzstrahlung
pn-Strukturen notwendig sind, ist die Absorption an solche Strukturen nicht gebunden. Hierfr reicht im Prinzip schon ein Stck homogenes Halbleitermaterial.
Der elementare Absorptionsprozess wird in direkten Halbleitern durch die
bereits frher benutzte Formel (4.24) auf Seite 180 beschrieben:
I abs = weh geh (h) [1 f e (e )] [1 f h (h )] .
(4.24)
Unter blichen Bedingungen im Halbleiter sind die Besetzungswahrscheinlichkeiten fe und fh sehr klein gegen eins (im Gegensatz zur Situation beim Laserbetrieb).
Dann ist die Frequenzabhngigkeit der Absorption nur noch durch den Vorfaktor
geh(h) bestimmt, also durch einen Wurzelverlauf oberhalb von Eg und null darunter,
I abs = weh g eh (h ) h Eg .
(4.36)
In Abb. 4.18 ist die gemessene Absorptionsintensitt, oder der Absorptionskoeffizient, in Abhngigkeit von der Energie dargestellt, In den direkten Halbleitern
GaAs und CdTe spiegelt er diese Wurzel-Abhngigkeit wider.
Sucht man nach mglichst gut absorbierenden Materialien, so kann man sich
zunchst an den Lumineszenzeigenschaften orientieren. So sind Halbleiter beson-
187
105
Si
Ge
CdTe
Absorptionskoeffizient (cm-1)
GaAs
104
GaP
103
102
10
0.5
0,5
1,5
1.5
2,5
2.5
Photonenenergie (eV)
Abb. 4.18 Absorptionskoeffizienten verschiedener Halbleiter in Abhngigkeit von der

Energie (nach [Singh 1995]). Es ist gut zu erkennen, dass der Absorptionskoeffizient in den
direkten Halbleitern GaAs und CdTe sehr steil ansteigt (nmlich mit der Wurzel aus der
Energie). In den indirekten Halbleitern Ge, Si und GaP ist die Absorption durchweg schwcher als in den direkten. Das starke Ansteigen im Germanium oberhalb einer Energie von
1,0 eV beruht darauf, dass an dieser Stelle bereits die Absorption in dessen hherliegendes
direktes Leitungsbandminimum einsetzt.
ders empfindlich gegenber Photonen mit einer Lichtenergie geringfgig oberhalb

von Eg. Unterhalb dieser Energie sind passende Zustnde im Leitungs- und Valenzband, die die Bildung von Elektron-Loch-Paaren ermglichen wrden, nicht vorhanden zumindest nicht im reinen Halbleiter. In diesem Bereich wird deshalb
kein Licht absorbiert. Beispielsweise sehen Galliumphosphidkristalle im durchscheinenden Tageslicht rtlich aus, eine Folge der Durchlssigkeit fr das rote
Licht (h < Eg) bei gleichzeitiger Absorption des grnen Lichtanteils (h > Eg).
Siliziumcarbid und Galliumnitrid sind dagegen durchsichtig, sie absorbieren fast
kein sichtbares Licht. Silizium auf der anderen Seite lsst nur infrarotes Licht
durch, es absorbiert das gesamte sichtbare Licht und ist infolgedessen fr unser
Auge undurchsichtig. Andererseits lassen sich aber auch solche Photonen, deren
Energien weit oberhalb der Gapenergie liegt, nicht mehr gut nachweisen. Sie werden bereits nahe der Kristalloberflche schon so stark absorbiert, dass sie keine
Chance mehr haben, weit ins Kristallinnere zu gelangen, wo der Nachweis mglich
wre.
188
Wie bei der Lumineszenz gilt auch bei der Absorption, dass direkte Halbleiter
viel empfindlicher als indirekte sind. In ihnen steigt der Absorptionskoeffizient
nahe der Bandkante sehr schnell an, und zwar mit der Wurzel aus der Energie.
Trotzdem lassen sich auch indirekte Halbleiter zum Nachweis von Licht benutzen.
Nicht in allen Halbleitern werden jedoch Band-Band-bergnge ausgelst, es knnen auch bergnge auftreten, an denen Strstellenniveaus innerhalb der Bandlcke beteiligt sind.
Die Absorption soll nun quantitativ untersucht werden. Wir betrachten einen
Strom von ankommenden Lichtquanten. Die Halbleiteroberflche legen wir sinnvollerweise an die Stelle x = 0. Die Zahl der Teilchen, die pro Flchen- und Zeiteinheit eine herausgegriffene Stelle x im Halbeiter passieren, ist die
Photonenstromdichte jph(x).
Der Absorptionskoeffizient ist ein Ma fr die Zahl der Photonen, die zwischen x und x + dx absorbiert werden, wobei ihre Energie zur Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren verwendet wird. Durch die Absorption beim Durchlaufen der
dnnen Schicht dx verringert sich die Zahl der Photonen; die Photonenstromdichte
ndert sich entsprechend um den Wert
d jph = jph ( x)dx
(4.37)
(4.37) fhrt nach Division durch dx zu einer Differentialgleichung fr den Photonenstrom mit der Lsung
jph ( x) = jph (0)ex
(4.38)
Der Photonenstrom nimmt also exponentiell mit der Eindringtiefe ab.

Die Energieflussdichte (Leistungsdichte) des Lichtstrahls bezeichnen wir mit
Popt. Sie ergibt sich aus der Photonenstromdichte, indem mit der Energie eines einzelnen Photons h multipliziert wird:
Popt ( x ) = jph ( x ) h .
(4.39)
Wenn aus jedem absorbierten Photon genau ein Elektron-Loch-Paar entsteht,

liefert (4.37) auch die optische Generationsrate (Erzeugungsrate) pro Volumeneinheit von Elektronen und Lchern an der Stelle x:
G ( x) = jph ( x) .
(4.40)
Die Generation fhrt zu berschusskonzentrationen n und p der jeweiligen

Ladungstrgersorten. Sie ergeben sich im stationren Falle aus der Bilanz zwischen Erzeugung G und Zerfall durch strahlende bergnge n/e zu
n
=G.
e
(4.41)
(e ist die Rekombinations-Lebensdauer der Elektronen; eine analoge Beziehung

gilt fr die Lcher.)
189
Beispiel 4.3
Ein Lichtstrahl mit einer Wellenlnge von 730 nm fllt auf einen GaAs-Empfnger. Die
Energieflussdichte des Lichts betrage 5 W/cm2. Wie gro ist die (mittlere) Generationsrate fr die Erzeugung von Elektronen-Loch-Paaren? Der Absorptionskoeffizient soll
aus Abb. 4.18 entnommen werden.
Lsung:
Als Photonenenergie berechnen wir h = 1,70 eV. Aus der Abbildung liest man an dieser Energie den Wert = 104 cm1 ab.
Die Photonenstromdichte ergibt sich aus der Energiestromdichte Popt, indem durch die
Energie eines einzelnen Photons h dividiert wird. Daraus folgt als Generationsrate
G = jph =
Popt
h
= 104 cm 1
5 Wcm 2
.
1,70 eV
Nach Umrechnung von Elektronenvolt in Joule erhalten wir das Ergebnis G = 1.8
1023 cm3s1. Da die Intensitt des Lichtstrahls und somit die Generationsrate zum
Innern hin sinkt, gilt unsere so erhaltene Beziehung streng genommen nur an der Oberflche. Um die Grenordnung abzuschtzen, ist der gefundene Wert aber in jedem Fall
brauchbar.
Beispiel 4.4
Wie gro ist die optisch erzeugte Konzentration der berschussladungstrger aus Beispiel 4.3, wenn wir eine Rekombinationslebensdauer von 108 s annehmen?
Lsung:
n = p = G = 1,8 1023 cm 3s 1 108 s = 1,8 1015 cm 3 .
Ein Teil der durch das Licht erzeugten Elektron-Loch-Paare kann aber auch
wieder rekombinieren, wenn sie nicht rechtzeitig abgefhrt werden. Sie tragen
dann zum elektrischen Strom nichts bei. Daher ist das Verhltnis der resultierenden
elektrischen Stromdichte jeh zur Energieflussdichte des einfallenden Lichtstrahls,
Rph =
jeh
Popt
(4.42)
eine wichtige Kenngre eines Strahlungsempfngers. Sie wird als Empfindlichkeit (responsivity, sensitivity, detectivity) bezeichnet.
Oftmals aussagekrftiger ist der Quantenwirkungsgrad (quantum efficiency). Er
ist einfach als das Verhltnis von zwei Teilchenstrmen (beziehungsweise Flussdichten) definiert, nmlich der Trgerflussdichte der erzeugten Elektron-LochPaare zur Photonenstromdichte, die an der Halbleiteroberflche auftrifft. Somit ist
er als Umkehrung von (4.15) definiert:
190
Q =
Teilchenstrom der Elektronen bzw. Lcher jeh e

=
=
Photonenstrom
jph
=
N
(4.39) einsetzen
jeh h
h
= Rph
.
Popt e
e
(4.43)
Der Quantenwirkungsgrad ist eine dimensionslose Gre (Wir haben den Photonenstrom jph als Teilchenstrom, den Elektronenstrom je aber als Ladungsstrom
bezeichnet, daher die Ladung e im Nenner!) Die Empfindlichkeit lsst sich damit
umgekehrt wie folgt ausdrcken:
Rph = Q
e
.
h
(4.44)
Sie ist also proportional zur Wellenlnge. Diese Beziehung gilt nicht fr Licht, dessen Energie kleiner als die Gapenergie ist, da solche Photonen gar nicht erst absorbiert werden. In diesem Falle ist die Empfindlichkeit eigentlich null.11 Sie ist nach
(4.44) maximal, wenn die Photonenenergie gleich der Gapenergie Eg ist, und fr
noch grere Energien sinkt sie wieder. Das liegt daran, dass aus einem Photon
100
Relative
Empfindlichkeit
in Prozent
80
Germanium-Diode
60
Silizium-Diode
40
20
0
200
UV
400
600
sichtbares Licht
800
1000
1200
nahes IR
1400
1600
1800
2000
Wellenlnge /nm
fernes IR
Abb. 4.19 Spektralabhngigkeit der Empfindlichkeit, nach [Infineon Technologies 2004]

11 Das
stimmt nicht ganz, denn unterhalb von Eg gibt es noch so genannte ExcitonenNiveaus und bei Dotierung auch Strstellenzustnde, die ebenfalls absorbieren knnen.
191
immer nur ein Elektron-Loch-Paar gebildet werden kann, die darber hinausgehende Energie wird als thermische Energie vom Halbleiter aufgenommen (d. h. in
Wrme umgesetzt). ber der Wellenlnge aufgetragen ergibt das die Proportionalitt Rph i . Um eine mglichst vollstndige Umsetzung der eingestrahlten Energie
in elektrische Energie zu erreichen, wre ein Halbleiter wnschenswert, dessen
Gapenergie geringfgig kleiner als die Lichtenergie ist. Die Empfindlichkeit
(gemessene Werte siehe Abb. 4.19) liefert hierfr das geeignete Ma.
4.3.2 Photoleiter
Die Beeinflussung der elektrischen Leitfhigkeit in einem Halbleiter durch Licht

wird als Photoleitung bezeichnet. Infolge der Absorption entsteht dabei ein Elektron-Loch-Paar. Die Photoleitung wird blicherweise mit einem Photowiderstand
nachgewiesen (Abb. 4.20).
Die Photoleitfhigkeit liefert infolge der stationren Erhhung der Trgerkonzentrationen n = p einen Zusatzbeitrag zur Leitfhigkeit eines Halbleiters:
= en(e + h ) = eG (e e + h h ) .
(4.45)
Den Zusammenhang von n mit G haben wir aus (4.41) geholt.

Wie wir sehen, ist neben einer (wenn mglich) intensiven optischen Anregung
auch eine hohe Rekombinations-Lebensdauer sehr gnstig fr die Photoleitung.
Die Beweglichkeit selbst hngt von der Bestrahlung meist nicht ab. Aus (4.45)
folgt fr die Photostromdichte (das ist der optisch erzeugte Stromdichteanteil) im
Leiter
jopt = eG (e e + h h )E .
(4.46)
Glaskrper
lichtempfindliche
Schicht
Keramiktrger
kammfrmige Elektroden
Abb. 4.20 Bauform und Schaltzeichen eines Photowiderstands, nach [Tholl 1978]. Die Entfernung zwischen den Elektroden ist kurz, die Ausdehnung lngs der Elektroden dagegen
gro
192
Das Produkt aus Beweglichkeit e, h und Feldstrke E ist laut (2.48) die
Driftgeschwindigkeit vdh = hE . Diese lsst sich auch darstellen als Probenlnge L
dividiert durch die Flugzeit tF ber diese Strecke. Nehmen wir der Einfachheit halber gleiche Beweglichkeiten und gleiche Rekombinationszeiten fr Elektronen und
Lcher an, so knnen wir schreiben:
jopt = 2eG E = 2eGL
.
tF
(4.47)
Das Verhltnis der beiden Zeiten /tF man bezeichnet es auch als Gewinn (gain)
des Photoleiters12 kann in gnstigen Fllen sehr gro werden. Wir lesen daraus
ab, dass der Gewinn und damit der Photostrom um so grer wird, je lnger die
Lebensdauer der Ladungstrger ist (Das ist selbstverstndlich!) und je krzer die
Flugzeit durch den wegen der Rekombinationsmglichkeit gefhrlichen Halbleiter ist. Sobald ein Ladungstrger den Halbleiter verlassen hat, hat er sich ja der
Rekombination entzogen. Ein Photoleiter muss also in Stromrichtung mglichst
kleine Ausdehnung haben. Um trotzdem eine groe Flche zu ermglichen, werden zum Beispiel kammfrmige Anschlsse wie in Abb. 4.20 realisiert.
In Silizium werden Gewinne bis zu 1000 und mehr erreicht. Eine sehr hohe
Photoleitfhigkeit erreicht man prinzipiell auch in polykristallinen Halbleitern.
4.3.3 Photodioden und weitere Photodetektoren
Die durch Licht erzeugten Ladungstrger mssen mit Hilfe eines elektrischen Feldes eingesammelt werden, bevor sie nachzuweisen sind. In einem Photowiderstand
ist dieses Feld einfach das Feld der angelegten ueren Spannung. In einem pnbergang kann man das durch die Raumladung verursachte Feld nutzen; wie wir
wissen, ist es in Sperrrichtung besonders hoch. Deshalb werden neben homogenen
Photoleitern auch Photodioden auf der Basis eines pn-bergangs sowie andere
Hableiterstrukturen zum Nachweis von Licht verwendet.
Eine Photodiode funktioniert ganz hnlich wie eine normale pn-Diode, sie ist
allerdings so aufgebaut, dass das Licht gut in den Bereich des pn-bergangs eindringen kann. Bei Bestrahlung werden sowohl in der Raumladungszone als auch in
den angrenzenden Diffusionsgebieten (innerhalb der Diffusionslngen Le und Lh)
Elektron-Loch-Paare erzeugt (Abb. 4.21). Da jedoch die Raumladungszone im Allgemeinen klein ist, knnen wir deren Anteil bei normalen pn-Dioden vernachlssigen. Photodioden reagieren auf die einfallende Strahlung empfindlicher als
Photowiderstnde.
Wird die Photodiode in Sperrrichtung vorgespannt, dann bewegen sich die in
den Diffusionsgebieten erzeugten Ladungstrger in Richtung zum pn-bergang,
zu verwechseln mit dem Gewinn eines Lasers beides sind grundverschiedene

Gren!
12 Nicht
193
Ec
Le
Licht
Lh
Ev
rekombinieren,
bevor pn-bergang
erreicht wird
Abb. 4.21 Optische Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren am pn-bergang
wo sie durch das starke elektrische Feld sofort abgesaugt werden. Sie gelangen auf
dessen andere Seite und erhhen auf diese Weise den Sperrstrom durch die Diode.
Der normale Sperrstrom j0, der Dunkelstrom, wird also um einen Zusatz jopt
erhht:
js = j0 + jopt .
(4.48)
Wenn wir der Einfachheit halber homogene Anregung voraussetzen, knnen wir
den optischen Stromanteil durch die Generationsrate der Elektronen-Loch-Paare G
ausdrcken. Da G auf das Volumen bezogen ist, jopt aber auf die Flcheneinheit,
ergibt sich einfach
jopt = e(b + Le + Lh )G e( Le + Lh )G .
(4.49)
Die Breite b der Raumladungszone ist blicherweise klein gegen die Diffusionslngen Le und Lh und kann daher vernachlssigt werden. Der erzeugte Strom ist
nach (4.49) der optischen Generationsrate proportional. Wir knnen demnach in
Erweiterung von (3.47) die folgende Kennliniengleichung aufschreiben:
j = jopt
eU
eU
kBT
+ j0 e
1 = e( Le + Lh )G + j0 e kBT 1 .
(4.50)
Damit ergibt sich eine Kennlinienschar analog zur normalen Diodenkennlinie,

allerdings um den Betrag des optisch erzeugten Stromanteils parallel nach unten
verschoben (Abb. 4.22); die optische Anregungsrate G ist dabei ein Parameter.
Aus der Kennliniengleichung kann man folgende Spezialflle des Diodenbetriebs ableiten:
194
Abb. 4.22
Photodiode
I
G=0
Kennlinienschar einer
G wchst
Arbeitsweise als Photodiode

Eine Photodiode wird mit einer negativen Vorspannung betrieben, so dass der
pn-bergang gesperrt ist. In diesem Bereich ist die erzielte Stromnderung und
damit die Empfindlichkeit am grten (Abb. 4.22). Die Photodiode ist ein passiver Detektor.
Arbeitsweise als Photoelement
Photoelemente arbeiten ohne uere Vorspannung. Der pn-bergang selbst
dient dann als Spannungsquelle, ist also aktiv. Der Kurzschlussstrom (das ist
der Strom bei U = 0) wchst linear mit der Generationsrate der Trger. Dies ist
unmittelbar aus (4.50) fr U = 0 zu erkennen, es wird jedoch auch aus den
jeweils gleichen Abstnden der einzelnen Photostromkurven in Abb. 4.22 deutlich. Es ist jK = jopt j0 jK. Eine weitere wichtige Kenngre ist die Leerlaufspannung UL. Das ist die Spannung, die die Diode liefert, wenn kein Strom
fliet (j = 0). Diese Spannung hngt logarithmisch vom Photostrom ab,
k T jopt
U L = B ln
+ 1 ,
e
j0
(4.51)
wie wir in Aufgabe 4.10 nachweisen werden. Sie nhert sich asymptotisch der
Diffusionsspannung der Diode (Abb. 4.23)
Die optisch erzeugten Ladungstrger werden im elektrischen Feld der Raumladung getrennt. Bei Leerlauf knnen sie nicht nach auen abflieen, da der
Stromkreis nicht geschlossen ist. Deshalb wird die Breite der Raumladungszone und damit auch die Hhe der Potentialschwelle am pn-bergang vermindert. (Abb. 4.24).
Auch die Solarzelle arbeitet als Photoelement, allerdings liegt hier das Gewicht
auf einer hohen Energieausbeute, whrend Sensorelemente ein groes Signal, also
zum Beispiel einen hohen Strom, erzeugen sollen.
Die Spannungserzeugung in einem Photoelement wird als photovoltaischer
Effekt bezeichnet. Wir erkennen, dass die erzeugte Photospannung im Innern bestenfalls so hoch wie die Diffusionsspannung am pn-bergang sein kann, also weniger als 1 Volt.
Leerlaufspannung
UL
195
Abb. 4.23 Leerlaufspannung einer Photodiode in Abhngigkeit vom Photostrom
UD
Photostrom Iph
p-Gebiet
n-Gebiet
EC
eUD
EF
eUL
EV
Abb. 4.24 Energieschema eines pn-bergangs. (a) ohne optische Generation von Trgern,
(b) mit optischer Generation im Leerlauffall
Bei einer Photodiode strt noch, dass die Ladungstrger nur relativ langsam bis
zur Raumladungszone diffundieren, anschlieend im Feldbereich des pn-bergangs werden sie ja schnell abgesaugt. Die langsame Diffusion verringert die
Reaktionszeit und erhht die Wahrscheinlichkeit der Rekombination. Fr eine
schnelle Reaktion auf die optische Strahlung wre daher ein Bauelement mit einer
breiten Raumladungszone vorteilhafter. Genau dies ist bei pin-Photodioden erfllt.
Sie werden deshalb ebenfalls gern als Strahlungsempfnger eingesetzt.
Die pin-Diode wurde bereits in Abschn. 3.7 erwhnt. Sie gehrt zu den
gebruchlichsten Photodetektoren. Wie eine normale Diode besteht sie aus einer pund einer n-dotierten Schicht, dazwischen befindet sich aber jetzt eine undotierte
Halbleiterschicht, das i-Gebiet (Abb. 4.25). Dadurch wird das elektrische Feld der
Raumladungsgebiete auseinander gezogen, und zwar ber die komplette i-Schicht.
Im Sperrbereich von pn-bergngen spielt, wie wir bereits wissen, hufig die
Generation im Raumladungsgebiet eine Rolle. Bei Photodioden kann sie sogar der
dominierende Mechanismus sein. Bei pin-Dioden ist die Generation nun vollends
auf das Raumladungsgebiet bergegangen. Man kann den i-Bereich so zurechtschneidern, dass in ihm fast der gesamte Teil der Photonen absorbiert wird. Die
entstehenden Elektron-Loch-Paare werden im elektrischen Feld getrennt und
haben jetzt weniger Mglichkeiten zur Rekombination. Die groen elektrischen
Feldstrken erlauben eine hohe Geschwindigkeit der Ladungstrger, daher haben
pin-Photodioden viel kleinere Zeitkonstanten als einfache pn-Dioden.
196
p-Gebiet
i-Gebiet
n-Gebiet
EC
EV
Feldbereich
(Drift der Ladungstrger)
Abb. 4.25 pin-Diode mit optischer Anregung
Beispiel 4.5
Wir berechnen den Quantenwirkungsgrad einer pin-Diode.
Lsung:
An jeder Stelle x des i-Gebiets ist die Absorptionsrate durch (4.40) gegeben, das heit
G ( x) = jph ( x) .
Die insgesamt im i-Gebiet erzeugten Elektron-Loch-Paare ergeben sich durch Integration ber die gesamte Lnge L dieses Gebiets. Die Integration zwischen 0 und L liefert
L
L
e L 1
=
GL = G ( x)dx = jph (0)ex dx = jph (0)
0
0
= jph (0) 1 e L .
Die so erzeugten Elektronen und Lcher tragen zum elektrischen Strom bei. Die
Stromdichte finden wir durch Multiplikation mit der Elementarladung:
jL = eGL = e jph (0) 1 e L .
Gem (4.43) finden wir nun den bereits dort definierten Quantenwirkungsgrad fr
unseren Fall der pin-Diode zu
Q =
jL e GL
=
= 1 e L
jph
jph
Eine weitere Detektorvariante ist die Schottky-Photodiode. Bei ihr handelt es

sich, anders als beim pn-bergang um einen Kontakt zwischen Metall und Halbleiter, also zwischen zwei verschiedenen Materialien. Schottky-Dioden arbeiten
jedoch hnlich wie pn-bergangsdioden und haben hnliche Kennlinien. Infolgedessen kann man sie ebenfalls als optischen Detektor einsetzen. Genauer werden
Schottky-Dioden in Kap. 6 behandelt.
197
Emitter
SiO2
Al
Emitter
Si3N4 SiO2
Basis
n+
B
Bestrahlte Flche
0,2 mm2
n
Kollektor
Schnitt AB
Basis
Abb. 4.26 Aufbau eines Phototransistors (Quelle: [Heywang 1988])
Die Lawinen-(Avalanche-)Photodiode, ein weiterer Typ von Photoempfngern,

nutzt den gleichen Effekt aus, der auch bei der Zenerdiode eine Rolle spielt. Durch
eine lawinenartige Vervielfachung der optisch erzeugten Elektron-Loch-Paare wird
eine sehr hohe Empfindlichkeit erreicht, die allerdings mit einem deutlichen Rauschen erkauft werden muss.
Bei einem Phototransistor (Abb. 4.26) wird durch Licht ein Basisstrom (Erluterung spter in Kap. 5) erzeugt, wie er normalerweise durch einen elektrischen
Kontakt an der Basis injiziert wird. Wie bei einem normalen Transistor wird dieser
Basisstrom verstrkt und kann dadurch gut nachgewiesen werden.
4.3.4 Materialien fr optische Empfnger
Fr optische Empfnger mssen grundstzlich Materialien bereitstehen, die die

Strahlung der gewnschten Wellenlnge detektieren knnen. Die Kriterien sind
dabei hnlich wie fr die Lumineszenz. So soll die Energielcke des Materials zur
Photonenenergie passen. Darber hinaus spielt eine Rolle, dass die Kristallgitterstruktur defektfrei auf dem Gitter von geeigneten (das heit vor allem preiswert
herstellbaren) Substraten aufwachsen kann. Dies ist nur bei etwa gleichen Gitterkonstanten beider Materialien der Fall, wie in Abschnitt 4.1.2 bereits begrndet.
Preiswert herstellbar sind vor allem die Halbleitersubstanzen Silizium, Germanium, GaAs und InP.
Nicht in allen Halbleitermaterialien lassen sich pn-bergnge fertigen. Da man
aber zumindest fr die Photoleitung auch keine pn-Strukturen bentigt, ist man
in der Wahl der Materialien viel unabhngiger. So lassen sich vorteilhaft einige IIVI-Verbindungen einsetzen, wie Cadmiumsulfid (CdS) und Cadmiumselenid
(CdSe). Zur Illustration sind die Gapenergien einiger geeigneter Substanzen
zusammen mit den zugehrigen Wellenlngen in Tabelle 4.2. zusammengestellt.
198
Tabelle 4.2. Typische Absorptionsmaterialien fr Photowiderstnde
Material
Gapenergie (eV)
Zugehrige Grenzwellenlnge (Farbe)
ZnS
3,6
344 nm (UV)
CdS
2,42
512 nm (blaugrn)
CdSe
1.74
713 nm (rot)
Ge
0,66
1879 nm (IR)
InSb
0,18
6889 nm (fernes IR)
Welche Wellenlngen sind nun fr den Nachweis besonders interessant?

Ein wichtiger Anwendungsfall sind optische Detektoren am Ende von Glasfaserstrecken. Direkte Halbleiter wie GaAs erlauben einen sehr schnellen Nachweis
und sind deshalb prinzipiell gut geeignet. Gegen GaAs als Empfngermaterial
spricht jedoch eine typische Eigenschaft der Fasern: Ihr Dmpfungsminimum liegt
bei 1,55 mm, daneben gibt es ein weiteres Minimum bei 1,3 mm (Abb. 4.27). Diesen Bereich will man natrlich fr die Lichtleitung mglichst ausnutzen. Dafr eignet sich GaAs nun leider nicht. Seine Gapenergie betrgt 1,42 eV, dies entspricht
einer Wellenlnge von nur 873 nm. Dort ist die Dmpfung der Glasfasern noch zu
hoch. In Frage kommen stattdessen Mischkristalle, insbesondere In0,53Ga0,47As
auf InP-Substrat sowie InGaAsP, GaAlSb und HgCdTe. Da diese Detektoren aber
relativ teuer sind, begngt man sich bei Empfngern fr mittlere bertragungsentfernungen, bei denen die Dmpfung unter Umstnden grer sein darf, trotzdem
mit GaAs-Bauelementen.
Dmpfung in dB/km
100
10
0,1
0,6
0,6
0 ,8
1,0
1,2
1,4
1 ,6
/ m
Abb. 4.27 Dmpfung in einem Glasfaserkabel (nach: [Singh 1995])
1,8
4.4 Solarzellen Photovoltaik
199
Bei anderen Anwendungen kann infrarotes Licht aber auch noch mit preiswerten Silizium-Detektoren hinreichend nachgewiesen werden.
Sehr lange Wellenlngen bis zu etwa 20 m (gebruchlich zum Beispiel in Infrarot-Nachtsichtgerten) werden durch Halbleiter mit schmalem Gap (HgCdTe,
PbTe, PbSe, InSb) nachgewiesen. Eine weitere Mglichkeit bietet Silizium oder
Germanium, wenn man optische bergnge zwischen Strstellenniveaus und dem
Leitungsband benutzt.
Fr Hochgeschwindigkeits-Detektoren findet GaAs Verwendung, das speziell
bei relativ niedrigen Temperaturen eigens so gezchtet wird, dass es mit vielen
Defekten wchst. Diese Defekte sind besonders gnstig fr eine hohe optische
Generationsrate es werden Zeiten von 1 ps gegenber sonst blichen Zeiten von
1 ns erreicht. Hier haben wir also einen der seltenen Flle vor uns, wo defektreiches Material bentigt wird!
4.3.5 Entwicklungstendenzen bei Photodetektoren
Die Technologie der Photodetektoren wird durch drei Forderungen bestimmt:

a) Durchstimmbarkeit,
b) Geschwindigkeit,
c) die Mglichkeit zur Integration.
Die Integrationsfhigkeit von Photodioden ist generell uerst beschrnkt. Als
Substrat bei integrierten Schaltungen ist man heute noch auf Silizium angewiesen,
doch leider passen optische Materialien in ihrer Gitterstruktur in der Regel nicht
dazu. Hohe Schaltgeschwindigkeiten werden mit sehr kleinen Abmessungen von
InGaAs-Detektoren oder mit Schottky-Dioden erreicht.
Die Durchstimmbarkeit stt oft an Grenzen. So muss man sich damit begngen, Materialien zu finden, die optimal auf bestimmte Wellenlngenbereiche abgestimmt sind. Zum Beispiel mssen in Nachtsichtgerten, bei medizinischen
Anwendungen und bei Nebeldetektoren Wellenlngen im Mikrometerbereich
(1014 m) nachgewiesen werden. Materialien mit so kleinen Gapenergien sind
z. B. HgCdTe oder InAsSb, ebenso Multi-Quantengitter-Strukturen. Ein Problem
darin sind die Defekte, die hufig bei der Zchtung entstehen, da das Material
weich ist. Damit zeigt sich, dass auf dem Gebiet der Photovoltaik noch gengend
Raum fr weitere Forschungen vorhanden ist.

Solarzellen sind nichts anderes als Photoelemente, die hinsichtlich ihrer Leistungsabgebe optimiert sind. Das Produkt aus Strom und Spannung (im 4. Quadranten
des Kennlinienfeldes der Photodiode, also rechts unten in Abb. 4.22) muss bei
gegebener Erzeugungsrate von Elektron-Loch-Paaren maximal sein. Gute Solarzellen liefern Kurzschlussstrme von ca. 20 mA pro Quadratzentimeter Diodenfl-
200
che bei Photospannungen von unter einem Volt. Um brauchbare Spannungen zu

erzielen, muss man also mehrere Zellen in Reihe schalten, und um vernnftige
Leistungen zu erreichen, sind zahlreiche Zellen parallel zu betreiben. Praktisch
werden die Zellen bereits auf einem grerem Bauelement (einem Wafer) gemeinsam gefertigt.
Ntzliche Kenngren von Solarzellen sind die Konversionseffizienz
Konv =
Poptim
Pin
I optimU optim
Pin
(4.52)
Photostrom I
IK
Ioptim
UL
Uoptim
Abb. 4.28 Beziehungen zwischen Strom

und Spannung an der Solarzelle
Bestrahlungsstrke / Wm2 m 2
2600
im Weltraum
auf der Erdoberflche nach
Durchgang durch die Atmosphre
1400
GaAs
CdTe
InP
Si
800
CuInSe2
Ge
0
200
800
sichtbarer Bereich
1400
2000
2600
/ nm
Abb. 4.29 Spektrale Intensittsverteilung des Sonnenlichts. Die obere Kurve zeigt die
spektrale Intensitt im Weltraum, die untere diejenige an der Erdoberflche. Die den Bandkanten entsprechenden Wellenlngen verschiedener Halbleiter sind gekennzeichnet. Nach
[Shur 1990]
201
also das Verhltnis von elektrischer Ausgangsleistung zur einfallenden optischen

Leistung unter den Bedingungen maximaler Leistungsabgabe, und der Fllfaktor
F=
I optimU optim
I KU L
(4.53)
IK ist dabei der Kurzschlussstrom, Ioptim der optimale Strom, Uoptim die optimale
Spannung und UL die Leerlaufspannung (Abb. 4.28). In dieser Darstellung wird
die Kurve gegenber Abb. 4.22 blicherweise an der U-Achse gespiegelt.
Solarzellen sollen Sonnenlicht mglichst gut ausnutzen. Aus Abb. 4.29 erkennt
man, dass Silizium eigentlich nicht das gnstigste Material fr Solarzellen ist. Die
Gapenergie von GaAs wre dem Spektrum des auf der Erdoberflche einfallenden
Lichts viel besser angepasst. Seine Technologie ist jedoch wesentlich teurer, es
bleibt deshalb speziellen Anwendungen in der Raumfahrt vorbehalten. Fr Standardanwendungen wird stattdessen das kostengnstigere Silizium, insbesondere
polykristallines oder amorphes Silizium benutzt. Um das einfallende Sonnenlicht
mglichst gut auszunutzen, werden besondere Oberflchenstrukturen eingesetzt
(Abb. 4.30).
Amorphes Silizium (Bezeichnung a-Si) bildet kein Kristallgitter aus und besitzt
eine glasartige Struktur. Manche Si-Bindungen bleiben deshalb frei, an ihnen knnen sich Wasserstoffatome festsetzen. Beim amorphen Silizium haben anders als
im kristallinen Material die Energiebnder keine scharfen Bandkanten. Es gibt
selbst innerhalb des Gaps noch erlaubte Zustnde. Dadurch wird optische AbsorpKontaktbahn
Anti-ReflexBeschichtung
n+
pn-bergang
p
Rckseitenkontakt
Lichteinfang durch
die Oberflchentextur
Kontaktbahn
p+
Anti-ReflexDoppelschicht
dnne
Oxidschicht
(> 20 nm)
Rckseitenkontakt
n+ -Dotierung
p+
p+
Oxid
Abb. 4.30 Oberflchenstruktur von Solarzellen,

aus [Benner und
Kazmersky 1999]
202
tion auch bei kleineren Energien mglich. Auerdem weist amorphes Material
nicht mehr die typischen Eigenschaften der ungnstigen indirekten Bandstruktur
auf. Die Wahrscheinlichkeit fr optische bergnge ist dadurch viel grer als in
kristallinen Substanzen, der Absorptionskoeffizient wird sehr hoch (ca. 100-fach
hher als bei kristallinem Silizium).
Die maximal erzielbare Effizienz bei normalen Solarzellen betrgt derzeit ca.
25 %. Warum erzielt man keine greren Ausbeuten? Das liegt zum einen daran,
dass trotz optimierter Oberflchenstrukturen nur etwa die Hlfte des Sonnenlichts
absorbiert wird, ein anderer Teil wird zum Beispiel reflektiert. Zum anderen haben
die meisten der absorbierten Photonen Energien, die hher sind als Eg . Davon wird
aber der ber die Gapenergie hinaus gehende Anteil durch Thermalisation der
Ladungstrger in Wrme umgewandelt, das heit, die Elektronen fallen unter
Abgabe von Wrmeenergie auf den Boden des Leitungsbandes und werden erst
dann als elektrischer Strom fortgeleitet, hnliches gilt fr die Lcher. Die Empfindlichkeitskurve in Abb. 4.19 gibt diesen Sachverhalt wieder.
Leider treten aber darber hinaus noch weitere Verluste auf: Die erzeugten Elektron-Loch-Paare knnen zum Beispiel erneut rekombinieren. Dazu tragen insbesondere im Low-cost-Silizium zahlreiche Punktdefekte bei,. Diese wirken als
Rekombinationszentren. Weitere Verluste gibt es durch Anpassungsfehler bei der
Zusammenschaltung von Solarzellen zu Batterien, darber hinaus reduzieren Rahmen und Kontakte die Oberflche.
Hhere Effizienzen werden heute durch Kaskaden-bergnge (auch Tandembergnge oder multiple-junction devices genannt) erreicht: Bei dieser Technik
werden mehrere Zellen von Halbleitern mit geringer werdender Gapenergie bereinander angeordnet, so dass Licht unterschiedlicher Wellenlnge optimal absorbiert
werden kann. Auf diese Weise erreicht man Effizienzen von mehr als 30 %.
Durch kostengnstigere Herstellungsverfahren kann man den Einsatz von Solartechnik zur Energiegewinnung voranbringen. Ein Beispiel fr eine grotechnische
Anwendung von Solarzellen zeigt Abb. 4.31.
Halbleiter werden normalerweise auf dnnen Scheiben, so genannten Wafern,
produziert. Wafer aus kristallinem Silizium sind fr Solarzellen eigentlich zu teuer,
die Materialkosten knnen durch Dnnschichttechniken erheblich reduziert werden. Fr die Energieumwandlung reichen nmlich bereits Siliziumschichten von
etwa 10 m Dicke, whrend konventionelle Wafer ca. 200 bis 500 m dick sind.
Daher ist man schon dazu bergegangen, dnne Polysiliziumschichten durch Walzen auf Bndern zu erzeugen. Das polykristalline Silizium (Polysilizium) hat eine
Effizienz von ca. 19 % und kommt damit fast an die Ausbeute von Einkristallen
heran. Als Substratmaterialien dienen dabei Glas, Edelstahl oder Polymere mit leitfhiger Zwischenschicht. Etwa 80 % des fr die Elektronik vorgesehenen Siliziums wird heute fr Solarzellen produziert.
Amorphes Silizium als weitere Mglichkeit wurde bereits erwhnt. Es wchst
bei etwa 250 C oder noch darunter sehr gut auf fast allen Substraten auf und kann
zum Beispiel auf Bndern aufgewalzt werden. Dadurch ist es ein besonders preiswert zu produzierendes Material und ideal fr Massenanwendungen. Ein Problem
ist allerdings gegenwrtig noch dessen Degradation, also die Vernderung des
Materials durch Bestrahlung im Laufe der Zeit.
203
Abb. 4.31 Photovoltaik-Anlage in Kobern-Gondorf an der Mosel. Die 1988 von der RWE
gebaute Anlage war mit 344 kW auf einer Flche von 5,5 ha damals Europas grte Solaranlage. Sie enthlt 7500 Solarmodule. Im Vordergrund sind die Tische eines der drei Hauptfelder zu erkennen, im Hintergrund befindet sich das Informationsgebude mit einer 12-kWDachanlage. An der Anlage sollte die Praxistauglichkeit der auf dem Markt befindlichen
Serienmodule erprobt werden. Viele der in Kobern-Gondorf gemachten Erfahrungen schlugen sich in Produktverbesserungen bei den Modulherstellern nieder. Foto: Harpen AG,
Bereich Regenerative Energie (Wiedergabe mit Genehmigung der Harpen AG, Dortmund)
Als Alternative zum Silizium als Empfngermaterial haben wir bereits auf
GaAs hingewiesen. Diese Verbindung wie auch andere III-V-Materialien (z. B.
GaAlAs und GaInAsP) in Kombination mit multiple junctions ergeben sehr hohe
Effizienzen, sind allerdings fr terrestrische Anwendungen viel zu teuer. In Satellitenanwendungen werden sie jedoch eingesetzt, weil dort in erster Linie die hohe
Leistung, unabhngig von den jeweiligen Kosten, wichtig ist. Damit werden 30 bis
40 % Effizienz erreicht. Weiterhin werden auch Halbleiterverbindungen aus Kupfer-Indium-Diselenid (CuInSe2, CIS) (hhere Absorption) oder CdTe fr spezielle
Anwendungen verwendet. Das Gap von CuInSe2 liegt bei 1,04 eV, das von CdTe
bei 1,44 eV. Das entspricht Wellenlngen von 1192 nm beziehungsweise 828 nm.
Beide Materialien sind demnach fr die Absorption von Sonnenlicht geeignet.
Obwohl CIS prinzipiell teurer ist als Silizium und die Ausgangsmaterialien
Selen, Kupfer und vor allem Indium knapper sind, konnten dennoch in den letzten
Jahren Solarzellen aus diesem Material kostengnstig hergestellt werden. Von Vorteil gegenber Silizium ist die direkte Bandlcke. Dadurch ist von vornherein ein
hherer Wirkungsgrad mglich. Darber hinaus knnen die Halbleiterschichten
sehr viel dnner sein. Ein weiterer Punkt ist vor allem wirtschaftlicher Natur: Die
Produktionskapazitten von Silizium kamen in gewissen Zeiten an die Grenzen.
Dadurch erwies sich CIS als gnstige Alternative.
Weitere Informationen zu diesem Thema sind vor allem bei [Benner und Kazmerski 1999] zu finden.
204
Lichtemitter
Zu den lichtemittierenden Bauelementen gehren Lumineszenzdioden
(LEDs) und Laserdioden. Die Wirkung von LEDs basiert auf der spontanen
Emission, die der Laserdioden vor allem auf der stimulierten Emission. Bei
beiden Bauelementen entsteht das Licht infolge der Rekombination von
Elektronen mit Lchern am pn-bergang.
Lumineszenzbauelemente
Geeignete Substanzen fr die Lumineszenz sind, abgesehen vom GaP und
seinen Mischkristallen, direkte III-V-Halbleiter. In indirekten Halbleitern ist

die Wahrscheinlichkeit strahlender Rekombination um ein Vielfaches kleiner.
Die fr bestimmte Halbleiter typische Photonenenergie der Strahlung liegt
im Bereich der Gapenergie. Durch geeignete Wahl des Halbleitermaterials
kann die gewnsche Wellenlnge vom blauen bis in den infraroten Bereich
gewhlt werden. Der Zusammenhang von Wellenlnge und Energie (hier:
Gapenergie) ist durch folgende Formel gegeben:
E=
hc 1240 eV nm
=
Ganz grob kann man etwa folgende Zuordnung der Spektralfarben zum
emittierenden Halbleitermaterial treffen:

blau: GaN,
(gelbliches) grn: GaP,
orange, gelb und rot: GaAsP,
infrarot: GaAs
Hufig werden auch Mischkristalle anderer III-V-Verbindungen eingesetzt.
Lumineszenzdioden sind in der Regel Flchenemitter. Um mglichst hohe
Injektionseffizienz zu erreichen, wird zwischen LED und Umgebung ein
Kunststoff mit mittlerem Brechungsindex von geeigneter Linsenform zwischengeschaltet.
Laser
Laserdioden sind Kantenemitter. In der Praxis haben sich Doppelheterostruktur-Laser (DH-Laser) durchgesetzt.
205
Laserdioden mssen zwei Laserbedingungen erfllen:
1. Der Halbleiter muss einen optischen Resonator bilden (hlt die Photonen
in hoher Zahl im Kristall fest).
2. Am pn-bergang muss Besetzungsinversion herrschen (dadurch hohe
Zahl von Elektronen und Lchern). Voraussetzung hierfr ist, dass im
gewnschten Spektralbereich der Gewinn (gain) > 0 ist.
Der Laserbetrieb setzt erst ein, wenn der Injektionsstrom die Laserschwelle
berschreitet.
Absorptionsbauelemente
Fr Absorptionsbauelemente kommen prinzipiell die gleichen Substanzen
wie fr LEDs in Frage, darber hinaus aber auch Silizium. Ideal wre ein
Halbleiter, dessen Gapenergie geringfgig kleiner ist als die Energie der
einfallenden Photonen.
Als Ma fr die Zahl der absorbierten Photonen dient der Absorptionskoeffizient . Die Intensitt des in den Halbleiter eindringenden Lichts (der
Photonenstrom) nimmt exponentiell mit dem Abstand von der Oberflche
ab:
jph ( x ) = jph (0)e x
Definition von charakteristischen Absorptionsgren:

Empfindlichkeit (responsivity, sensitivity, detectivity)
Rph =
j
elektrische Stromdichte
= eh
Energieflussdichte des einfallenden Lichtstrahls Popt
Quantenwirkungsgrad (quantum efficiency).

Q =
Teilchenstrom der Elektronen bzw. Lcher

h
= Rph
.
Photonenstrom
e
Folgende Absorptionsbauelemente sind gebruchlich:
Photowiderstand,
Photodiode (als pn-, pin-, Schottky- oder Lawinen-Photodiode),
Phototransistor.
Ohne uere Vorspannung arbeitet eine Photodiode als Photoelement.
206
Solarzellen
Solarzellen sind Photoelemente, die hinsichtlich ihrer Leistungsabgabe
optimiert sind, das Produkt aus Strom und Spannung sollte maximal sein. In
der Regel werden mehrere Zellen in Reihe und parallel geschaltet.
Als Material fr Solarzellen wird in der Regel kostengnstiges Polysilizium oder amorphes Silizium verwendet. Auch Kupfer-Indium-Selenid
wurde erfolgreich eingesetzt.
Aufgabe 4.1 Maximum der Lumineszenz in direkten Halbleitern (zu Abschn. 4.1)**
An welcher Stelle ber der Gapenergie liegt das Maximum der Lumineszenzstrahlung in
direkten Halbleitern? Gehen Sie dazu von (4.6) aus. Fr ein Zahlenbeispiel knnen Sie
GaAs nehmen.
Aufgabe 4.2 Maximum der Lumineszenz in indirekten Halbleitern (zu Abschn. 4.1)**
Im Gegensatz zu direkten Halbleitern gehorcht die Spektralverteilung der Lumineszenz in

indirekten Halbleitern einem Gesetz, bei dem die Energie quadratisch eingeht, und zwar in
der Form
I ( E ) = h Eg
h Eg
exp
kBT
Das ist zum Beispiel im GaP der Fall. Bei welcher Energie oberhalb der Bandkante liegt bei
indirekten Halbleitern das Intensittsmaximum? Welcher Zahlenwert ergibt sich insbesondere fr GaP bei 300 K?
Aufgabe 4.3 Mischkristall-Tuning (zu Abschn. 4.1)**
Das Gap der Mischreihe AlxIn1xP gehorcht fr Aluminiumanteile kleiner als 44 % der Formel [Madelung 1996]
Eg = (1,34 + 2, 23 x) eV (gilt fr Mischungsverhltnisse x 0, 44) .
Welches Mischungsverhltnis msste AlxIn1xP theoretisch haben, um bei einer LED
eine Emissionswellenlnge von 620 nm zu ergeben?
Aufgabe 4.4 DH-Laser aus Ga1xAlxAs (zu Abschn. 4.2)*
Gegeben sei ein Doppelheterostruktur-Laser aus Ga1xAlxAs (x = 0,3).

a) Wie gro ist die Stufe des Gaps an der Grenzflche GaAsGa1xAlxAs in Elektronenvolt? Vergleichen Sie mit kBT bei Zimmertemperatur.
b) Berechnen Sie das Verhltnis der Brechungsindizes an dieser Stufe. Ab welchem Winkel gegenber der Austrittsnormalen wird Licht total reflektiert?
Verwenden Sie Abb. 4.5 oder die MATLAB-Funktion GaAlAs(x).
207
Aufgabe 4.5 Lasermoden (zu Abschn. 4.2)****
a) In einem GaAs-Laser ist das aktive Gebiet 100 m lang. Es wird kohrentes Licht mit
einer Wellenlnge von 862 nm emittiert. Wie viele Halbschwingungen passen in dieses
Gebiet? Berechnen Sie die Energie des Laserstrahls und entnehmen Sie aus Abb. 4.15 die
zugehrige Hhe des Gewinns. Die Ladungstrgerkonzentration sei bekannt, sie betrage
2 1018 cm3.
b) Stellen Sie in einer Tabelle zusammen, welche Wellenlngen und Photonenenergien
sich fr Schwingungsmoden zwischen m = 230 und m = 238 ergeben. Vergleichen Sie die
Photonenenergien mit Abb. 4.15 und stellen Sie fest, fr welche Moden der Gewinn grer
als null ist.
Aufgabe 4.6 Lichtstrken und Strahlstrken (zu Abschn. 4.1) ***
Eine blaue Lumineszenzdiode ( = 430 nm) strahlt laut Datenblatt mit einer Lichtstrke von
8,1 mcd, eine rote ( = 635 nm) mit einer Lichtstrke von 16 mcd. Berechnen Sie die jeweiligen Strahlstrken. Bei welcher LED ist die Strahlstrke grer? Welche LED sendet mehr
Photonen pro Raumwinkel aus?
Aufgabe 4.7 Noch einmal Lichtstrken und Strahlstrken (zu Abschn. 4.1) *
Eine rote LED aus AlGaInP ( = 646 nm) soll fr das menschliche Auge ebenso hell leuchten wie eine gelbe ( = 590 nm) aus dem gleichen Material (aber mit anderem Mischungsverhltnis). Wie viel grer muss dann die physikalische Strahlstrke Ie der roten LED sein?
Aufgabe 4.8 Leitfhigkeitsnderung durch Absorption (zu Abschn. 4.3)**
Eine Siliziumprobe (donatordotiert, ND = 1013 cm3) von 1 mm Lnge und 0,01 mm2 Querschnitt wird mit einem Lichtimpuls von 1 mW Leistung bestrahlt. Die Lichtquelle ist ein
He-Ne-Laser (Wellenlnge 632,8 m, Dauer des Impulses 10 s).
a) Wie gro ist der Ohmsche Widerstand der nicht belichteten Probe?
b) Wir nehmen an, dass die Photonen in der Probe berall gleichmig absorbiert werden
und dass jedes Photon genau ein Elektron-Loch-Paar erzeugt. Um welchen Faktor ndert
sich die Leitfhigkeit infolge der Bestrahlung? (Modell eines Photowiderstands).
Aufgabe 4.9 Absorption eines Laserstrahls (zu Abschn. 4.3)***
Ein von einem GaAs-Laser ausgesandter Laserstrahl trifft mit einer Energie h = 1,43 eV
auf einen Germanium-Empfnger. In welcher Entfernung von der Oberflche sind 90 % des
Lichts bereits absorbiert? Den Absorptionskoeffizienten von Germanium beziehen wir dabei
aus Abb. 4.18.
Aufgabe 4.10 Photodiode (zu Abschn. 4.3) **
a) Leiten Sie die Gleichung (4.51) fr die Leerlaufspannung einer Photodiode her.
b) Berechnen Sie die Leerlaufspannung bei 300 K fr folgende Zahlenwerte: Sttigungssperrstrom pro Flche: j0 = 2,49 1011 Acm2, Photostrom pro Flche: jopt = 20 mAcm2,
Flche: A = 0,1 mm2.
Aufgabe 4.11 pin-Photodiode (zu Abschn. 4.3) **
Das i-Gebiet einer Silizium-pin-Photodiode sei 20 m lang. Auf diese Photodiode trifft
Licht eines GaAs-Lasers, dessen Energie h = 1,43 eV betrgt. Die auftreffende Lichtleis-
208
tung ist 1 W/cm2. Wie gro ist die dadurch in dieser Diode erzeugte Photostromdichte? Entnehmen Sie den Absorptionskoeffizienten der Abb. 4.18.
Aufgabe 4.12 Solarzelle (zu Abschn. 4.4) **
a) Berechnen Sie den Fllfaktor einer Solarzelle, die bei einer optimalen Spannung
Uoptim = 0,455 V eine Leistung Ioptim = 18,9 mA liefert. Die Leerlaufspannung sei UL =
0,455 V und der Kurzschlossstrom IK = 20,0 mA. Hinweis: Die Zahlenwerte sind die gleichen wie in Aufgabe 4.10, die Optimalwerte werden in Aufgabe 4.18 mit MATLAB ermittelt.
b) Wie viele Solarzellen mssen Sie in Reihe schalten, um eine Spannung von mindestens 12 V zu erhalten?
c) Wie viele solcher Reihen mssen parallel angeordnet werden, wenn 100 W erzeugt
werden sollen?
Aufgabe 4.13 Alternative Materialien fr Solarzellen (zu Abschn. 4.4) **
Das Gap von CuInSe2 liegt bei 1,04 eV, das von CdTe bei 1,44 eV. Zeichnen Sie in Abbildung Abb. 4.29 ein, wo die zugehrigen Wellenlngen liegen und zeigen Sie damit, dass
beide Materialien demnach fr die Absorption von Sonnenlicht geeignet sind.
MATLAB-Aufgaben
Aufgabe 4.14 Intensitt der Lumineszenz in direkten Halbleitern (zu Abschn. 4.1)
Schreiben Sie ein MATLAB-Programm, das die spektrale Verteilung der Lumineszenzintensitt ber der Energie einer GaAs-Lumineszenzdiode darstellt.
a)* Einfachere Variante: Wir setzen Boltzmann-Verteilungsfunktionen fr Elektronen
und Lcher voraus (entsprechend Gl. (4.6)).
b)**** Erweiterung: Verwendung der kompletten Fermi-Verteilung. Die Fermi-Energien
der Elektronen und Lcher sind dann numerisch ber die Umkehrung des Fermi-Integrals zu
ermitteln.
Aufgabe 4.15 Gewinn in direkten Halbleitern (zu Abschn. 4.2) *****
Schreiben Sie analog zu Aufgabe 4.14 b) ein Programm fr die spektrale Verteilung des
Gewinns (gain) mit GaAs als Beispielsubstanz. Konzentrationen: ne = nh = 1018 cm3
Aufgabe 4.16 Photonen- und Elektronendichte sowie Laserschwelle (zu Abschn. 4.2) ****
Formen Sie die stationren Bilanzgleichungen fr Elektronen (4.28) und Photonen (4.29)
(mit d/dt = 0) so um, dass Sie die Abhngigkeit von n(j) und nph (j) explizit erkennen und
schreiben Sie ein MATLAB-Programm, das diese Abhngigkeiten graphisch darstellt.
Folgende Zahlenwerte sind zu benutzen: Breite des pn-bergangs b = 3 106 cm, Elektronenlebensdauer e = 1 109 s, Photonenlebensdauer p = 2,56 1012 s, Rate der stimulierten Emission B = 3 107 cm3 s1, Rate der spontanen Emission 1/e = 2,65 106 s1.
Das Lasermaterial sei GaAs.
209
Aufgabe 4.17 Spannungsverlauf an einer Photodiode (zu Abschn. 4.3) **
Schreiben Sie ein MATLAB-Programm zur Berechnung des Verlaufs der Leerlaufspannung an einer Photodiode. Benutzen Sie fr den Sperrstrom den Wert aus Aufgabe 4.10.
Aufgabe 4.18 Optimierung der Solarzelle mittels MATLAB (zu Abschn. 4.4) ***
Fr welche Spannung ist die Ausbeute einer Solarzelle (das Produkt aus Strom und Spannung jU im 4. Quadranten des Kennlinienfeldes) bei gegebener Generationsrate von Elektron-Loch-Paaren maximal? Berechnen Sie unter diesen Bedingungen die abgegebene
Leistung. Benutzen Sie die Zahlenwerte aus Aufgabe 4.17 und nehmen Sie eine Flche von
1 cm2 an.
Testfragen
4.19
Warum liefern LEDs aus direkten Halbleitermaterialien prinzipiell viel grere

Lichtausbeuten als solche aus indirekten Halbleitermaterialien?
4.20
Nennen Sie Beispiele fr Halbleitermaterialien, die die folgenden Spektralfarben

emittieren:
a) blau, b) grn, c) orange, d) rot.
4.21
Erklren Sie den besonderen Rekombinationsmechanismus, der zur hohen Lumineszenzausbeute des indirekten Halbleiters Galliumphosphid fhrt.
4.22
Warum werden als Substrat fr optische Bauelemente nicht ternre, sondern in der
Regel binre Halbleiterverbindungen eingesetzt? Warum kann man auf diesen Substraten nicht beliebige ternre Halbleiterschichten aufwachsen lassen?
4.23
Erklren Sie, warum die Mischreihe AlxGa1xAs bei jedem Mischungsverhltnis

annhernd gleich gut auf GaAs aufwchst.
4.24
Wie knnen wei leuchtende LEDs aufgebaut sein?
4.25
Welche beiden Bedingungen sind die wichtigsten Voraussetzungen fr den Betrieb

eines Halbleiterlasers?
4.26
Welchen Zusammenhang gibt es bei der Absorption zwischen Photonenstromdichte

und optischer Erzeugungsrate von Elektron-Loch-Paaren?
4.27
Skizzieren Sie die Abhngigkeit der Absorptionsempfindlichkeit (Responsivity) von

der Wellenlnge.
4.28
Nennen Sie mindestens vier Bauelemente, die als Photodetektoren in Frage kommen.
4.29
Was ist der Unterschied zwischen aktiven und passiven Photodetektoren?
4.30
Welches ist der Unterschied zwischen einer Photodiode und einem Photoelement?
210
4.31
Skizzieren Sie die Kennlinienschar einer Photodiode. Welche Gre muss als Parameter an die Kennlinien geschrieben werden?
4.32
a) Skizzieren Sie das Energiebnderschema eines direkten und eines indirekten Halbleiters.
b) Kreuzen Sie an, wofr die Halbleitertypen jeweils geeignet sind:
Lichtemitter
Detektor
direkter Halbleiter ist geeignet als

indirekter Halbleiter ist geeignet als
c) Welche Ausnahme stellt GaP dar und warum?
4.33
Erklren Sie die folgenden Begriffe fr eine Solarzelle:

a) Kurzschlussstrom, b) Leerlaufspannung, c) optimaler Strom und optimale Spannung.
4.34
Welche zwei Bedingungen mssen erfllt sein, damit ein Halbleiterlaser arbeiten
kann?
4.35
Warum werden Photodioden mit negativer Vorspannung betrieben?
Bipolartransistoren und Thyristoren
Nachdem wir inzwischen die Arbeitsweise einer Halbleiterdiode verstanden haben, knnen wir uns jetzt dem Bipolartransistor widmen. Ein Bipolartransistor ist ein Bauelement, das Strme verstrken kann. Wir beginnen
mit einem einfachen Transistormodell, mit dem wir die prinzipielle Arbeitsweise erklren und verstehen knnen und gehen danach zu einer detaillierteren Beschreibung ber. Weiterhin lernen wir die unterschiedlichen
Kennlinienfelder eines Transistors kennen.
Das Modell des Bipolartransistors liegt auch zwei anderen Bauelementen zugrunde, dem Thyristor und dem Triac. Sie sind heute in der Leistungselektronik unentbehrlich, um hohe elektrische Strme zu schalten, zu
steuern und umzuformen.
5.1 Einfaches Transistormodell

Ein Transistor (hier genauer: Bipolartransistor) ist in der Lage, Strme zu steuern.
Ein solches Bauelement muss mindestens drei Kontakte besitzen, ber die der steuernde und der gesteuerte Strom zugefhrt werden knnen (Abb. 5.1). Beim Transistor heien sie Emitter, Basis und Kollektor Mittels einer kleinen Vernderung
pn-bergnge
Sperrrichtung
Durchlassrichtung
Emitter (E)
Kollektor (C)
Elektronenfluss
Basis (B)
Abb. 5.1 Prinzip eines Bipolartransistors. Die Pfeile kennzeichnen die Bewegungsrichtung
der Elektronen
DOI 10.1007/978-3-642-20032-8, Springer 2011
211
212
5 Bipolartransistoren und Thyristoren

n-Gebiet
Basis
Emitter
Kollektor
SiO2-Passivierung
p
n-Gebiet
Abb. 5.2 Technologischer Aufbau eines Bipolartransistors. Das Kstchen soll den Bereich
andeuten, der dem Modell von Abb. 5.1 entspricht (um 90 gekippt)
des Stromes, der ber einen der Kontakte, zum Beispiel die Basis, fliet, kann beispielsweise eine groe Vernderung eines zweiten Stroms hervorgerufen werden.
Unsere Aufgabe wird sein, dies zu verstehen und danach auch quantitativ zu erfassen
Der Transistor wurde Ende der 40er Jahre von Bardeen und Brattain in den
Bell Labs entwickelt und 1948 erstmals vorgestellt. Die theoretische Beschreibung
wurde 1949 von Shockley geliefert.1
Wir betrachten eine Halbleiterstruktur, die aus zwei eng benachbarten pn-bergngen besteht. Um erst einmal das Prinzip zu verstehen, kann man sich auf ein
lineares Modell wie in Abb. 5.1 beschrnken, technologisch allerdings wird eine
Transistorstruktur eher entsprechend Abb. 5.2 realisiert. Die hufigste Ausfhrung
besteht in aufeinanderfolgenden Schichten von n- p- und wieder n-Material (npnTransistor) fr Emitter, Basis und Kollektor, als Substrat kommt in der Regel Silizium in Frage. Jede der drei Schichten hat Kontakte nach auen. pnp-Strukturen
sind ebenfalls mglich, jedoch weniger gebruchlich. Die Richtung der Strme an
1
Shockley, Bardeen und Brattain, erhielten den Nobelpreis 1956 for their researches
on semiconductors and their discovery of the transistor effect.
William Bradford Shockley (19101989), geboren in London, siedelte mit seinen
Eltern 1913 nach Kalifornien aus. Studium der Physik am California Institute of Technology, Ph.D. 1936 am Massachusetts Institute of Technology. Spter Leiter eines industriellen Halbleiterlabors und Professor fr Ingenieurwissenschaften an der Stanford
University. Arbeitete auf vielen Gebieten der Festkrperphysik (u. a. zu Elektronen und
Lchern sowie Strstellen in Halbleitern), der Theorie der Elektronenrhren, aber auch
der Organisationswissenschaften; er untersuchte unter anderem auch die Produktivitt der
Forschungsarbeit!
John Bardeen (19081991), geboren in Wisconsin, USA. Studium der Elektrotechnik,
Mathematik und Physik an der University of Wisconsin, zeitweilige Industriettigkeit bei
Western Electric. Arbeiten zur Geophysik (Erkundung von Erdllagersttten), zur Festkrperphysik (Leitung in Halbleitern und Metallen) sowie zur Theorie der Supraleitung,
wofr er 1972 gemeinsam mit Cooper und Schrieffer ein weiteres Mal den Nobelpreis
erhielt.
Walter Houser Brattain (19021987), geboren in Amoy, China. Physikstudium an
der University of Oregon, Ph.D. 1929 an der University of Minnesota. Seit 1929 Mitarbeiter der Bell Labs. Zahlreiche Arbeiten zur Festkrperphysik, insbesondere zu Halbleiteroberflchen.
5.1 Einfaches Transistormodell
213
IC
IB
IE
IC
IB
npn-Transistor
IE
Abb. 5.3 Schaltzeichen des Transistors

und Richtungsvereinbarungen fr die
Strme:
IB - Basisstrom,
IE - Emitterstrom,
IC - Kollektorstrom
pnp-Transistor
einem Transistor whlt man hufig entsprechend Abb. 5.3, so dass sie zum Transistor hin positiv gezhlt werden.
Schaltungstechnisch wird ein Transistor so in zwei Stromkreise eingebunden,
dass jeweils einer der Kontakte gemeinsam vom Ein- und Ausgangsstromkreis
genutzt wird. Wir betrachten zunchst nur die so genannte Basisschaltung. Dabei
liegt zwischen Emitter und Basis ein pn-bergang und ein weiterer zwischen Basis
und Kollektor. Die Basis ist dann der beiden Stromkreisen gemeinsame Kontakt.
Um die Funktion des Transistors zu verstehen, kann man sich erst einmal an die
Tatsachen erinnern, die man vom pn-bergang schon kennt. Der linke pn-bergang des Transistors das ist der zwischen Emitter und Basis ist in Durchlassrichtung gepolt und besitzt deshalb ein schmales Raumladungsgebiet. Am rechten
pn-bergang dagegen liegt eine Sperrspannung an, er besitzt deshalb ein sehr breites Raumladungsgebiet. Wie auch schon bei der Halbleiterdiode sind die Bereiche
auerhalb der Raumladungsgebiete feldfrei. Dies gilt insbesondere auch fr den
mittleren Bereich zwischen den beiden pn-bergngen, die Basis. Diese Polung
wird als aktiv-normale Betriebsart des Transistors bezeichnet. Die Energiebnder
unter diesen Bedingungen sind in Abb. 5.4 dargestellt.
ber den linken pn-bergang werden Elektronen vom Emitter in die Basis
geschickt. In einer Halbleiterdiode wrden die Elektronen, aus dem linken Bereich
kommend (hier ist es das n-Gebiet), im rechten p-Bereich rekombinieren. Diese
Mglichkeit haben sie in einem Transistor kaum, denn seine Basiszone ist sehr
schmal, in jedem Fall viel kleiner als die Diffusionslnge. Die Elektronen gelangen
deshalb nahezu vollstndig bis zum Basis-Kollektor-bergang. Dort herrscht
wegen der Sperrpolung ein sehr starkes elektrisches Feld, in dem die ankommenden Elektronen vom positiven Potential am Kollektorkontakt abgesaugt werden
EC
EV
Abb. 5.4 Verlauf der Energiebnder in einem

npn-Transistor
214
und so einen groen Strom in Sperrrichtung ergeben. Es mssen also vom Emitter
stndig Elektronen nachgeliefert werden und der Elektronenstrom kann dadurch
sehr gro werden.
In die Basis wird vom Basiskontakt her ebenfalls ein Strom injiziert, in unserem
Modell des npn-Transistors ist es ein Lcherstrom. Er besteht aus drei Anteilen:
1. dem Sperrstrom des Basis-Kollektor-bergangs; er kann klein gehalten werden
durch eine hohe Sperrspannung;
2. einem Anteil, der durch eine (allerdings nur unbedeutende) Rekombination von
Elektronen im Basisgebiet entsteht; er kann zumindest in erster Nherung vernachlssigt werden;
3. dem Basis-Emitter-Strom; er wird im Emittergebiet als Diffusionsstrom der
Minorittstrger weitergefhrt und bildet den grten Anteil zum Basisstrom.
Im Emittergebiet klingt der berschuss der Minorittsladungstrger, der Lcher,
mit der Diffusionslnge Lh ab.
Obwohl fast alle Elektronen vom Emitter zum Kollektor gelangen, wird doch
ein (allerdings sehr kleiner) Teil fr die Rekombination mit den aus der Basis einstrmenden Lchern bentigt. Dieser Teil ist fr die Funktion des Transistors aber
gerade wesentlich. Je mehr Elektronen zur Verfgung stehen, um so grer ist die
Wahrscheinlichkeit, dass ein Loch auf ein Elektron trifft und rekombiniert. Um so
grer wird damit auch der Lcherstrom. Der (groe) Elektronenstrom im Emitter
ist also proportional dem (kleinen) Lcherstrom in der Basis (Abb. 5.5).
Transistoren werden in drei mglichen Grundschaltungen eingesetzt,
(Abb. 5.6), in Abhngigkeit von dem Kontakt, der von Eingangs- und Ausgangskreis gemeinsam genutzt wird. Zwar haben wir bisher den Transistor in seiner
Basisschaltung betrachtet, aber die berlegungen bleiben natrlich auch gltig,
wenn man als gemeinsame Elektrode einen anderen Kontakt whlt, zum Beispiel
IC = IB
IE
IB
Emitterschaltung
(common emitter)
Abb. 5.5 Schematische Darstellung der

Verstrkungswirkung des Transistors
Basisschaltung
(common base)
Abb. 5.6 Grundschaltungen des Bipolartransistors
Kollektorschaltung
(common collector)
5.2 Abschtzung der Verstrkungswirkung
215
den Emitter. Wenn jetzt der Lcherstrom an der Basis geringfgig verndert wird,
so muss sich der vom Emitter kommende Elektronenstrom um ein Vielfaches
verndern, da das Verhltnis der rekombinierenden zu den durch die Basis durchgeschleusten Elektronen immer etwa konstant ist (Abb. 5.5). Anders gesagt: Verstrkt eingespeiste Lcher fordern einen hheren Strom an Elektronen an, wovon
die meisten aber nicht zur Rekombination kommen. Sie schieen stattdessen grtenteils ber ihr Ziel hinaus und gelangen zum Kollektor. Ein kleiner Basisstrom
steuert demnach einen groen Emitter-Kollektor-Strom. Wenn der Basisstrom
moduliert wird, entsteht dadurch ein verstrkter modulierter Kollektorstrom.
Wie wir schon gesagt haben, stellt der linke pn-bergang eines Transistors
einen sehr geringen Widerstand dar und lsst den Strom durch (transfer), whrend der rechte einen groen Widerstand (resistor) bildet. Aus diesen beiden
Bestandteilen ist das Wort Transistor (transfer resistor) zusammengesetzt.
Warum dient nun gerade Silizium als Material fr Transistoren? Abgesehen
davon, dass es technologisch am besten beherrscht wird, besitzt es auch wesentliche Design-Vorteile. Diese sind einerseits in seinen relativ groen Diffusionskoeffizienten begrndet, die hohe Operationsgeschwindigkeiten erlauben, sowie
andererseits in seinem stabilen Temperaturverhalten.

5.2.1 Definition verschiedener Verstrkungsfaktoren
Anschaulich drfte jetzt klar sein, wie die Verstrkungswirkung eines Transistors
zustande kommt. Diese Vorstellungen quantitativ zu untermauern, sollte damit
auch mglich sein.
Zunchst mssen allerdings noch einige bliche Bezeichnungen eingefhrt werden, die besonders in der schaltungstechnischen Literatur gebruchlich sind. Je
nach seinem Einsatz in einer Schaltung sind bei einem Transistor eine Reihe verschiedener Verstrkungsfaktoren von Interesse, die wir im Folgenden definieren
wollen. Alle Aussagen beziehen sich dabei auf Gleichstrme oder auf Wechselstrme mit kleiner Amplitude und kleiner Frequenz (so genanntes Kleinsignalverhalten).
(a) Gleichstromverstrkung in Basisschaltung
Kollektorstrom I C
=
.
Emitterstrom
IE
(5.1)
ist nach den berlegungen von Abschn. 5.1 ein positiver Wert, der bestenfalls
knapp unter eins liegt eine echte Verstrkung ist damit also nicht verbunden. Da
bei unserer Konvention der Kollektorstrom negativ ist, mussten wir in (5.1) ein
Minuszeichen einfgen.
216
Die Bezeichnung von als Gleichstromverstrkung in Basisschaltung resultiert aus der Bedeutung dieser Gre in der Schaltungstechnik. In die Definition
geht nur das Verhltnis von Kollektor- zu Emitterstrom ein, also eine rein innere
Gre des Transistors, unabhngig von der ueren Schaltung. ist deshalb selbstverstndlich auch dann noch dasselbe, wenn der Transistor nicht in Basisschaltung
betrieben wird.
(b) Stromverstrkung in Emitterschaltung
=
Kollektorstrom I C
=
.
Basisstrom
IB
(5.2)
Auch hier gilt, was schon fr gesagt wurde: Die Stromverstrkung ist allein
durch das Verhltnis zweier Strme definiert, unabhngig von der ueren Schaltung.
(c) Emitterergiebigkeit und Basis-Transportfaktor
Fr die Technologie eines Transistors ist es wichtig zu bestimmmen, wie der am
Emitter eingespeiste Strom in den Minorittstrgerstrom umgesetzt wird, der ber
den Kollektor abfliet. Dieser Strom wird auf seinem Weg zweimal reduziert:
zunchst auf dem Weg vom Emitter zur Basis und dann noch einmal auf dem zwischen Basis und Kollektor. Dies wird durch zwei charakteristische Parameter ausgedrckt. Das Verhltnis des in die Basis einflieenden Elektronenstroms zum
gesamten Emitterstrom heit Emitterergiebigkeit oder Emitterwirkungsgrad. Es ist
definiert durch den folgenden Ausdruck:
=
IE
IE
in die Basis injizierter Elektronenstrom
= E e E = e .
gesamter Emitterstrom
IE
Ie + Ih
(5.3)
Dieses Verhltnis soll mglichst nahe bei eins liegen.

E
Der Basis-Transportfaktor gibt den Anteil von I e an, der den Kollektor noch
erreicht, also nicht in der Basisschicht verloren geht:
B=
I
Kollektorstrom
= C .
in die Basis injizierter Elektronenstrom I eE
(5.4)
Die Gleichstromverstrkung lsst sich dann als Produkt aus Basis-Transportfaktor und Emitterergiebigkeit ausdrcken:
B =
I C I eE I C
=
= .
I eE I E I E
(5.5)
217
(d) Verknpfung zwischen und

Auf Grund der Kirchhoffschen Regeln ist IE + IB + IC = 0 und somit
IE IB
+
+1 = 0
IC IC
oder
(5.6)
1 1
+ + 1 = 0,

daraus erhlt man als Zusammenhang zwischen und die Beziehung

=
.
1
(5.7)
Wenn nahezu eins ist, wird demnach der Stromverstrkungsfaktor sehr gro
werden.
5.2.2 Diffusionsstrom in der Basis
Die quantitative Behandlung des Bipolartransistors wird kein leichtes Unterfangen

werden, und wir wollen uns diesem Ziel schrittweise nhern. Das Werkzeug haben
wir bereits in der Hand, da wir schon im Kap. 3 die Strme an einem pn-bergang
berechnet haben. Beim Transistor gibt es nicht nur einen, sondern zwei pn-bergnge, und eine Besonderheit ist die schmale Basisschicht. All das gilt es zu
bercksichtigen.
Als Erstes soll zunchst einmal abgeschtzt werden, wie gro typischerweise
der Elektronenstrom in der Basis berhaupt werden kann. Dieser Elektronenstrom
ist ein reiner Diffusionsstrom, er wird vom Emitter-Basis-bergang geliefert und
durch die Diffusionsgleichung (2.59) beschrieben:
jeB = eDB
d
n ( x ) ,
dx
(5.8)
mit n = n ( x ) n ( x 0 ) als der berschuss-Elektronendichte in der Basis. DB ist

der Diffusionskoeffizient der Minorittstrger (Elektronen) in der Basisschicht.2
Eigentlich mssten wir zur Lsung von (5.8) wie in Abschn. 3.3.3 bei der
Behandlung des pn-bergangs verfahren und die Diffusionsgleichung unter
Bercksichtigung der Rekombination lsen. In sehr schmalen Basisgebieten (die
Basisbreite bezeichnen wir mit w) haben die Elektronen aber kaum Gelegenheit zu
rekombinieren, so dass die Stromdichte ber die gesamte Breite von w praktisch
konstant ist.
2
Da hier klar ist, dass sich bei unserem Modell eines npn-Transistors der Diffusionskoeffizient in der Basis auf die Elektronen bezieht, lassen wir den Index e weg und schreiben
kurz DB statt DBe. hnlich wird es im Folgenden mit anderen Gren gehandhabt.
218
Die berschussladungstrgerkonzentration der Minorittstrger wird an der

rechten Seite fast zu null, da die Elektronen dort durch das starke elektrische Feld
des Basis-Kollektor-bergangs stndig abgesaugt werden.3
Der berschuss der Elektronen als Minorittstrger im p-leitenden Basisgebiet
muss sich demnach bereits innerhalb der Basisbreite w abbauen. (w ist die tatschliche Basisbreite abzglich der Raumladungsgebiete.) Wre nmlich am rechten
Ende der Basis noch ein Elektronenberschuss vorhanden, so wrde er ber den in
Sperrrichtung gepolten Basis-Kollektor-bergang sofort in das Kollektorgebiet
hineingezogen und zunichte gemacht. Das bedeutet, dass auch dn/dx konstant ist
und folglich n linear abfllt (Abb. 5.7). Als einfachste Abschtzung knnen wir
eine lineare Beziehung annehmen und schreiben
jeB = eDB
d
n(0)
n( x) = eDB
.
dx
w
(5.9)
Aus der Behandlung des pn-bergangs wissen wir, dass sich die Gre n am
Rand der Raumladungszone zu
eU EB
n(0) = n0 e kBT 1
(5.10)
ergibt (vgl. (3.29) hier nur etwas anders geschrieben). NE ist die Elektronenkonzentration im Emittergebiet.
Somit ist beim Elektronenstrom einfach die Diffusionslnge durch die Basisbreite zu ersetzen:
n
n(0)
1 m
Abb. 5.7 Linearer Abfall der Elektronenkonzentration

in der Basis
Genau genommen wird die Konzentration der berschussladungstrger sogar geringfgig negativ, wie es sich fr einen in Sperrrichtung gepolten pn-bergang gehrt.
jeB
eU EB
eDB B kBT
=
n0 e
1 ,
219
(5.11)
Dieser Ausdruck entspricht der so genannten kurzen Diode (3.50), bei der die
Breite des p-Gebiets krzer als die Diffusionslnge ist.
Das lineare Abfallen der Elektronendichte im Basisgebiet ist natrlich nur eine erste
Approximation. Spter werden wir sehen, dass eine leicht durchgebogene Kurve (exponentieller Abfall) realistischer ist. Demzufolge msste dann auch der Ausdruck (5.11) fr den
Elektronenstrom in der Basis korrekterweise durch
jeB
eD
L
= B n0B coth B
LB
w
eU EB
e kBT 1
(5.12)
ersetzt werden. Diese Feinheiten heben wir uns jedoch fr Abschn. 5.3.3 auf.
Wenn wir den Basisstrom abschtzen wollen, reicht es, fr n(0) am linken
Rand des Basisgebiets den Wert NE anzunehmen; dies ist sicher etwas zu hoch,
reicht aber fr die Grenordnung. Zahlenwerte gewinnen wir durch die folgende
berlegung:
Beispiel 5.1
Bestimmung der Diffusionsstromdichte fr einen linearen Verlauf der berschussladungstrgerkonzentration mit folgenden Ausgangsdaten: Breite der Basisschicht:
w = 1 m, Basisdotierung NB = 1015 cm3, berschusskonzentration an der Grenze
zum linken pn-bergang: n(0) = NE = 1015 cm3 (mit der Emitterdotierung gleich
gesetzt).
Lsung:
Den Diffusionskoeffizienten berechnen wir nach Gl. (2.65):
B kB T
D B = ---------------e
Aus Abb. 2.12 sieht man, dass unterhalb einer Strstellenkonzentration von 1015 cm 3
die Beweglichkeit der Elektronen generell bei 1350 cm2V 1s 1 liegt, so dass wir mit
(kBT/e) = 25,9 mV (Zimmertemperatur!) fr den Diffusionskoeffizienten den Wert DB
= 35,2 cm2/s erhalten. Nach (5.8) ergibt sich damit fr die Diffusionsstromdichte (wir
interessieren uns jetzt nur fr den Betrag)
jeB = eDB
d
n
n( x) = eDB
dx
w
= 1,60 1019 As 35, 2cm 2s 1
1015 cm 3
= 56,3A/cm 2 .
1m
Bei einer Flche von 0,1 mm2 wrde in diesem Bauelement ein Strom von 56,3 mA
ber die Basis flieen.
220
5.2.3 Grenordnung der Stromverstrkung
Wir schreiben die Formel (5.2) fr die Stromdichten in Basisschaltung auf, wobei
wir wie schon frher annehmen, dass der ber den Emitter-Basis-bergang flieende Strom, ein Elektronenstrom, unverndert auch ber den Basis-Kollektorbergang fliet: Der Kollektorstrom ist dabei im Wesentlichen gleich dem Elektronenstrom am Basis-Emitter-bergang, der Basisstrom kann durch den Lcherstrom am Basis-Emitter-bergang beschrieben werden. Damit erhalten wir fr den
Stromverstrkungsfaktor den Ausdruck
I
= C =
IB
jeB
jhE
(5.13)
Hier setzen wir jetzt die von der Diode her bekannten Ausdrcke ein. Fr den
Lcherstrom im Emittergebiet knnen wir schreiben
jhE =
eU EB
eDE E kBT
p0 e
1 .
LE
(5.14)
Wir erinnern uns, dass beim pn-bergang im Nenner die Diffusionslnge steht,
das ist hier die Diffusionslnge der Lcher im Emittergebiet. Es ist die Strecke, auf
der im Wesentlichen der berschuss der Minorittstrger nach links hin abklingt.
Der berschuss der Elektronen als Minorittstrger im p-Gebiet baut sich im
Gegensatz hierzu bereits innerhalb der sehr viel kleineren Basisbreite w ab, wie im
Fall der kurzen Diode. Deshalb haben wir in (5.11) fr den Elektronenstrom statt
der Diffusionslnge die Basisbreite w verwendet:
jeB =
eU EB
eDB B kBT
n0 e
1 ,
Setzen wir beide Strme ins Verhltnis und dividieren (5.11) durch (5.14), so erhalten wir
=
DB n0B LE
DE p0E w
1
rEB a
(5.15)
Diese Relation kann man interpretieren mittels des Verhltnisses rEB von Emitterzu Basismaterialgren,
rEB =
DE p0E LB
DB n0B LE
(5.16)
221
multipliziert mit einem Faktor

a=
w
,
LB
(5.17)
welcher die Verkrzung des Diffusionsbereichs in der Basis von LB auf w angibt.
Das Verhltnis der Diffusionskoeffizienten knnen wir wegen DB = B kB T/e
und DE = E kB T/e auch durch das Verhltnis der Minorittstrger-Beweglichkeiten ausdrcken. Weiterhin lassen sich die Minorittstrgerkonzentrationen n0 und
B
2
E
2
p0 mittels n 0 = n i N B und p 0 = n i N E durch die Akzeptorkonzentration in
der Basis beziehungsweise die Donatorkonzentration im Emitter ersetzen. Somit
ergibt sich
=
1
rEB a
DB N E LE B N E LE
=
.
E N B w
DE N B w
(5.18)
Die Stromverstrkung wchst mit dem Verhltnis der Dotierungskonzentrationen, also mit NE/NB. Aus diesem Grund benutzt man gewhnlich eine n+pStruktur fr den Emitter-Basis-bergang, dotiert demnach den Emitter relativ hoch
und die Basis nur gering.4 ist auerdem um so grer, je kleiner die Basisbreite w
ist. Weiterhin taucht noch das Verhltnis der Beweglichkeiten auf. Das kann man
bei gegebener Strstellenkonzentration nicht verndern. Allerdings sehen wir, dass
eine npn-Struktur prinzipiell ein greres Beweglichkeitsverhltnis ergibt als eine
pnp-Struktur (vgl. hierzu Aufgabe 5.2). Wenn das Emittergebiet krzer als die Diffusionslnge der Lcher ist, kann sich die Diffusion nicht ungehindert ausbreiten
und die Diffusionslnge ist nherungsweise durch die Breite des Emittergebiets zu
ersetzen, genau wie im Falle einer kurzen Diode, vgl. 3.3.4, Gl. (3.50).
Das Produkt Q G = N B w im Nenner heit Gummel-Zahl. Sie ist gleich der Zahl
der Akzeptoren im Basisgebiet, dividiert durch die Flche.
Die zugehrige Stromverstrkung in Basisschaltung berechnen wir nach
DB n0B
1
1
w
=
=
=
.
1 1 + rEB a D p E D n B
E 0 + B 0
1+
LE
w
(5.19)
(vgl. (5.7))
Dies stt natrlich an Grenzen, denn sonst werden die Ohmschen Widerstnde in der
Basis sehr hoch.
222
Beispiel 5.2
Berechnung des Verstrkungsfaktors eines npn-Transistors mit den Ausgangsdaten
NE = 1018 cm3 und NB = 1016 cm3, Diffusionslnge LE = 6 m, Als Breite der Basisschicht whlen wir w = 1 m.
Lsung:
Bei einer Dotierungskonzentration von 1018 cm3 lesen wir aus Abb. 2.12 fr die
Lcher im Emittergebiet den Wert E = 140 cm2/Vs. ab (Wir suchen ja die Beweglichkeit der Minorittstrger!), bei NB = 1016 cm3 ergibt sich analog B = 1260 cm2/Vs.
Diese Zahlenwerte, in Gl. (5.18) eingesetzt, lassen eine betrchtliche Verstrkung
erwarten,
=
1260cm 2V 1s 1 1018 cm3 6 m

140cm 2V 1s 1 1016 cm 3 1m
= 5400.
Der zugehrige Wert fr liegt entsprechend (5.19) bei 99,98 %. Solch hohe Verstrkungen werden allerdings in der Praxis nicht erreicht. Realistische Werte liegen um
mehr als eine Grenordnung darunter. Eine Ursache fr die Diskrepanz ist unsere
Annahme eines linearen Ladungstrger-Gradienten in der Basis, die meist nicht vllig
gerechtfertigt ist. Weitere Modifikationen knnen im Zusammenhang mit hoher Dotierung im Emitter auftreten. Unter diesen Bedingungen verringert sich die Bandlcke,
wodurch p0E grer wird. Dann wird aber das Verhltnis der Minorittstrgerdichten
n0B/p0E kleiner als der von uns angenommene Ausdruck NE /NB.
Ebenso ist die Annahme eines langen Emitters nicht immer gerechtfertigt. Bei kurzen Emittergebieten ist dann, hnlich wie bereits bei der Basis, LE durch die unter
Umstnden viel kleinere Emitterlnge wE zu ersetzen. Hierzu wird in Aufgabe 5.6 ein
Beispiel gerechnet.
5.3 EBERS-MOLL-Gleichungen
5.3.1 Relativ einfache Herleitung
Obwohl wir mit den berlegungen im vorigen Abschnitt bereits ein Verstndnis
und erste qualitative Abschtzungen fr die Verstrkungswirkung des Transistors
entwickelt haben, kann man die Betrachtungen doch noch weiter verfeinern. Wir
nehmen wieder einen npn-Transistor und bercksichtigen jetzt konsequent alle
Teilstrme, nmlich Lcher- und Elektronenstrme an beiden pn-bergngen
(Abb. 5.8).
Einen Zusammenhang zwischen diesen Teilstrmen stellen die Ebers-MollGleichungen her. Wir werden sie unter etwas vereinfachten Bedingungen herleiten
und den allgemeinen Fall in einem spteren Abschnitt (optional!) nachholen.
Wieder betrachten wir einen Transistor mit schmaler Basis. Der Emitterstrom
(hier mit Index V fr Vorwrtsstrom, da wir spter noch einen zweiten Anteil
bercksichtigen werden) ergbe sich nach den blichen Beziehungen fr den pnbergang (Shockley-Gleichung, (3.47)) zu
5.3 Ebers-Moll-Gleichungen
223
Emitter
Basis
Kollektor
(n-Gebiet)
(p-Gebiet)
(n-Gebiet)
Abb. 5.8 Emitter- und Kollektorstrom jVE und jVC
Raumladungszonen
j EV
jVE
j VC = V j EV
eD n B eD p E
= B 0 + E 0
w
LE
eU EB
kBT
1 .
(5.20)
Hier steht ein Minuszeichen, da n- und p-Gebiet gegenber (3.47) gerade vertauscht sind. Dass wir an Stelle der Diffusionslnge in der Basis die Basisbreite w
benutzen mssen, hatten wir bereits oben in Abschn. 5.2.3 begrndet.
Der Kollektorstrom ist nach (5.1) um den Stromverstrkungsfaktor V kleiner5,
also folgt mit (5.19)
DB n0B
C
w
jV
= V jVE =
DE p0E DB n0B
+
LE
w
eD n B
= B 0
w
eDB n0B eDE p0E

+
w
LE
eU EB
e kBT 1 .
eU EB
kBT
(5.21)
Dabei sind wir bisher stets davon ausgegangen, dass sich der Emitter am linken pnbergang befindet. In unserem bisherigen Modell sind aber Emitter und Kollektor
symmetrisch und daher prinzipiell gleichberechtigt, abgesehen von einer eventuell
unterschiedlich starken Dotierung. Demnach muss es auch mglich sein, den rechten Kontakt als Emitter und den linken Kontakt als Kollektor anzusehen. In diesem
Falle mssen in den obigen Gleichungen die entsprechenden Bezeichnungen fr
Emitter und Kollektor vertauscht werden. Wir kennzeichnen die vertauschte
Situation durch den Index R (fr Rckwrtsstrom) gegenber der vorherigen
Situation, die den Index (V) trug. Aus (5.20) erhalten wir dann fr den neuen
Emitterstrom, der nun vom rechten Kontakt ausgeht,
jRC
eU
eDB n0B eDC p0C k CB

=
+
e BT 1 .
w
LC
(5.22)
Wir schreiben hier nicht wie frher , sondern V, da spter noch ein weiterer solcher
Stromverstrkungsfaktor bentigt wird.
224
Der neue Kollektorstrom (der ber den linken Kontakt abfliet) ist nach (5.1) um
einen Stromverstrkungsfaktor R kleiner, also erhalten wir an Stelle von (5.21)
jRE
eD nB
= B 0
w
eU CB
e kBT 1 .
(5.23)
Die verkehrte Betriebsart heit Invers- oder Rckwrtsbetrieb. Praktisch hat

sie jedoch fr den Einsatz als Verstrker-Bauelement keine Bedeutung, da Design
und Dotierung eines Transistors nicht symmetrisch sind und die Verstrkung im
Vorwrtsbetrieb deshalb besser ist. Wenn Bipolartransistoren in logischen Schaltungen eingesetzt werden (NAND-Gatter, wie es spter in Abschn. 6.4.6 noch kurz
besprochen wird), kommt jedoch die inverse Betriebsart ins Spiel.
Der gesamte Emitter- sowie Kollektorstrom muss nun fr den allgemeinen Fall
aus dem Vorwrtsstrom (V) und dem Rckwrtsstrom (R) zusammengesetzt werden:
j E = jVE + jRE = [ (5.20) + (5.23)] =

eD n B eD p E
= B 0 + E 0
w
LE
eU EB
kBT
eD nB
1 + B 0
eU CB
e kBT 1 ,
(5.24)
C
j C = jV
+ jRC = [(5.21) + (5.22)] =
eD nB
= B 0
w
eU CB
eU EB
B
C
e kBT 1 eDB n0 + eDC p0 e kBT 1 .
w
LC
(5.25)
Diese beiden Gleichungen heien Ebers-Moll-Gleichungen. Sie lassen sich unter

Verwendung der blichen Abkrzungen fr die Sperrstrme
eD B B eD E E
eD B B eD C C
j Es = ---------- n0 + ---------- p 0 und j Cs = ---------- n 0 + ---------- p 0
w
LE
w
LC
(5.26)
(vgl. (3.48)) krzer wie folgt schreiben:
eU EB
eU CB
kBT
j = jEs e
1 + R jCs e kBT 1 ,
(5.27)
eU EB
eU CB
kBT
kBT
j = V jEs e
1 jCs e
1 .
(5.28)
225
Die Gren
DB n0B
1
1
w
V =
=
=
.
DB n0B DE p0E
DE p0E w 1 + rEB a
+
1+
w
LE
DB n0B LE
(5.29)
und
DB n0B
1
1
w
R =
=
=
.
B
C
C
DB n0 DC p0
DE p0 w 1 + rCB a
+
1+
w
LC
DB n0B LE
(5.30)
haben dabei folgende Bedeutung: R ist die Rckwrts-Gleichstromverstrkung in

Basisschaltung und V ist die Vorwrts-Gleichstromverstrkung in Basisschaltung. Beide Parameter hngen wie folgt miteinander zusammen:
B
eD B n 0
V j Es = R j Cs = ----------------,
w
(5.31)
wie man durch Einsetzen nachweisen kann. Das Verhltnis von Kollektor- zu
E
Basisparametern rCB = (DE pC
0 LB)/(DE n0 LE) ist hnlich definiert wie rEB in
Gl.(5.16).
Die Ebers-Moll-Gleichungen gestatten es, das Ersatzschaltbild eines Bipolartransistors in Form von zwei entgegengesetzt gerichteten Dioden und dazu parallelen Stromquellen darzustellen (Abb. 5.9). Diese Stromquellen liefern die Strme
R jR
V jV
jC
jE
Kollektor
Emitter
jV
jR
Basis
Abb. 5.9 Transistor-Ersatzschaltbild nach Ebers und Moll. Beachten Sie, dass die ueren
Strme am Emitter- und Basisanschluss definitionsgem zum Transistor hin zeigen; an den
pn-bergngen selbst weisen sie in die technische Stromrichtung fr die jeweilige Durchlassrichtung des pn-bergangs
226
eU EB
kBT
V jV = V jEs e
1
(Vorwrtsstrom)
(5.32)
(Rckwrtsstrom)
(5.33)
und
eU CB
R jR = R jCs e kBT 1
Damit erhalten die Ebers-Moll-Gleichungen eine besonders anschauliche Form:

j E = jV + R jR ,
j C = V jV jR .
(5.34)
5.3.2 Zusammenfassung der Herleitung
Die Ebers-Moll-Gleichungen sehen bereits in ihrer vereinfachten Form (5.27)

und (5.28) recht kompliziert aus. Bevor wir uns die noch kompliziertere allgemeine Darstellung ansehen, soll deshalb die bisherige Herleitung noch einmal kurz
zusammengefasst werden.
Wir beschreiben die Strme am Transistor durch berlagerung von zwei Grenzfllen. Im ersten Fall (1) ist der Emitter-Basis-bergang in Durchlassrichtung und
der Kollektor-Basis-bergang in Sperrrichtung gepolt dies ist die normale
Betriebsweise, der Vorwrtsbetrieb. Um jede beliebige Situation zu erfassen,
betrachten wir zustzlich (2) auch die umgekehrte Polung: Kollektor-Basis-bergang in Durchlassrichtung und Emitter-Basis-bergang in Sperrichtung (Rckwrtsbetrieb).
Vorwrtsbetrieb: Emitter-Basis-bergang leitend, Kollektor-Basis-bergang
gesperrt
Lcher sind Minorittstrger im unendlich weit ausgedehnten Emittergebiet. Sie knnen innerhalb der Diffusionslnge LE auf ihre Gleichgewichtsdichte p0E abfallen. Deshalb hat der Lcheranteil zum Emitter-Basis-Strom
die gleiche Form wie an einem isolierten pn-bergang.
Die Diffusion der Elektronen ist dagegen auf die kurze Basisbreite w
begrenzt. Folglich muss ihre Konzentration innerhalb w abfallen. Im Elektronenanteil zum Emitter-Basis-Strom wird deshalb in erster Nherung der
vom pn-bergang her bekannte Wert LB einfach durch w ersetzt:
jVE
jVE,e
jVE,h
227
eU EB
eDB n0B
eDE p0E kBT
=
+
1
e
w
LE

Elektronenanteil
Lcheranteil
Aus dem Elektronenanteil und dem Lcheranteil des Emitterstroms erhalten

wir die Vorwrtsstromverstrkung
V =
Elektronenstrom am Emitter-Basis-bergang B N E LE
=
Lcherstrom am Emitter-Basis-bergang
E N B w
entsprechend (5.18).
Aus V ergibt sich V ber die Beziehung
V =
1
1+
1
V
gem (5.19). Es ist also immer V < 1.

Der Vorwrtsstrom am Kollektor-Basis-bergang ist das V-fache des
Emitter-Basis-Stroms, also
jVC = V jVE .
Rckwrtsbetrieb: Kollektor-Basis-bergang leitend, Emitter-Basis-bergang gesperrt
Diese Situation ist genau spiegelbildlich zum Vorwrtsbetrieb. Wir knnen

die berlagungen alle noch einmal wiederholen und lediglich den Index
V (vorwrts) durch R (rckwrts) ersetzen.
Zusammenfassung: Summe beider Anteile
Wir addieren jetzt die Vorwrts- und Rckwrtsstromanteile

j E = jVE + jRE ,
j C = jVC + jRC
und erhalten damit die Ebers-Moll-Gleichungen (5.27) und (5.28).
228
5.3.3 Allgemeine Form der EBERS-MOLL-Gleichungen
Wenn das Basisgebiet eines Transistors schmal ist, knnen in diesem Bereich kaum
Ladungstrger rekombinieren. Dies haben wir bisher vorausgesetzt und daraus
Ausdrcke fr die Sperrstrme jEs und jCs sowie die Koeffizienten V und R der
Ebers-Moll-Gleichungen gewonnen. Diese Gleichungen in der oben abgeleiteten
Form (5.27) und (5.28) sind jedoch auch unter allgemeineren Voraussetzungen gltig. Ihre allgemeine Form lsst sich mittels der Diffusionsgleichungen fr Elektronen und Lcher einschlielich der jeweiligen Randbedingungen an den
Bereichsgrenzen ableiten. Hier sollen nur die Ergebnisse vorgestellt werden. Es ist
zwar sehr ntzlich, auch die Herleitung zu verfolgen, aber diese soll auf den
Abschn. 5.4 verschoben werden.
An Stelle von (5.27) bis (5.30) erhalten wir die allgemeinen Beziehungen
eU CB
eU EB
kBT
kBT
j = jEs e
1 + R jCs e
1
eU CB
eU EB
eDE E kBT
eDB
eDB B
B kBT
n0 coth a +
p0 e
n0 e
=
1 +
1 ,
LE
LB
LB sinh a
(5.35)
eU CB
eU EB
j C = V jEs e kBT 1 jCs e kBT 1
eU CB
eU EB
eDB B
eDC C kBT
eDB
B kBT
=
1
1
n0 e
n0 coth a +
p0 e
LB sinh a
L
L
B
C
(5.36)
mit a = w/LB. In (5.36) sind gegenber (5.35) nur die Indizes E und C vertauscht.
(5.36) und (5.35) haben zwar die gleiche Form wie (5.27) und (5.28), jedoch mit
anderen Koeffizienten. In ihnen tauchen jetzt hyperbolische Funktionen auf;
V =
1
,
cosh a + rEB sinh a
(5.37)
R =
1
.
cosh a + rCB sinh a
(5.38)
229
Zur Erinnerung: rEB war definiert durch (vgl. (5.16))

rEB =
DE p0E LB
DB n0B LE
analog entsteht rCB, wenn berall einfach der Index E durch C ersetzt wird.
Aus (5.37) folgt wegen = V /(1 V)
=
1
.
cosh a + rEB sinh a 1
(5.39)
Wir haben hier die Ebers-Moll-Gleichungen aus prinzipiellen berlegungen

abgeleitet. Sie werden aber oft auch als empirische Gleichungen benutzt, in denen
die in ihnen enthaltenen vier Parameter R, V, jEs und jCs an experimentelle Daten
angepasst werden. Bei pnp-Transistoren sind brigens die Stromrichtungen im
Ersatzschaltbild (Abb. 5.9) umzukehren.
5.3.4 Verschiedene Nherungen fr die EBERS-MOLL-Gleichungen
Fr die Ebers-Moll-Gleichungen (5.35) und (5.36) lassen sich eine ganze Reihe
von Approximationen angeben. Sie beruhen auf zum Teil unterschiedlichen
Annahmen und werden in verschiedenen Lehrbchern unterschiedlich verwendet,
was den Vergleich nicht gerade einfach macht.
(1) Nherung kleiner Basisbreite
Eine solche Nherung hatten wir bereits in Abschn. 5.3.1 benutzt, indem wir eine nur sehr
geringe Basisbreite angenommen hatten. Genauer bedeutet dies w ^ LB. Nhern wir unter
dieser Voraussetzung die Hyperbelfunktionen in (5.37) und (5.38), so erhalten wir mit den
Potenzreihenentwicklungen
sinh a a
cosh a 1 +
und
a2
2
den Ausdruck
V =
1
a2
1+
+ rEBa
2
(5.40)
fr die Vorwrtsstromverstrkung und

=
1
a2
1+
+ rEBa 1
2
1
a2
+ rEBa
2
(5.41)
230
Nur falls der erste Ausdruck im Nenner sehr klein ist a ^ rEB, also fr eine extrem kurze
Basisstrecke, kann der a2-Term vernachlssigt werden, und wir landen bei unserem frheren
Ausdruck (5.15), der sich aus unserer ersten groben Abschtzung ergab.
Beispiel 5.3
Berechnen Sie V und mit den Ausgangsdaten von Beispiel 5.2
a) exakt gem (5.37) und (5.39),
b) mit den Nherungsformeln (5.40) und (5.41)
und vergleichen Sie mit den Ergebnissen von Beispiel 5.2. Die Diffusionslnge im
Basisgebiet sei LB = 57 m.
Lsung:
Wir berechnen zunchst rEB und a:
rEB =
a=
DE p0E LB
DBn0B LE
E N B LB 140cm 2s -1 1016 cm 3 57 m
=
= 1,055 102 ;
B N E LE 1260cm 2s -1 1018 cm 3 6 m
w
1 m
=
= 0,0175.
LB 57 m
a) (5.37) und (5.39) liefern mit diesen Zahlenwerten

V =
1
cosh(0,0175) + 1,055 102 sinh(0,0175)
= 0,9996,
1
cosh(0.0175) + 1,055 102 sinh(0.0175) 1
= 2950.
Dieser Wert von ist nur etwa halb so gro wie der in der berschlagsrechnung von
Beispiel 5.2 berechnete, die dortige Annahme eines linearen Konzentrationsgradienten
in der Basis war also nicht gerechtfertigt.
b) Wir berechnen jetzt dieselben Gren mit den Nherungen (5.40) und (5.41):
1
V =
1+
a
+ rEBa
2
=
1+
0,0175
+ 1,055 102 0,0175
2
= 0,9996.
Wie man erkennt, stimmen diese Werte mit den exakten Werten aus Teil a) sehr gut
berein, es ist aber deutlich zu erkennen, dass beide Glieder im Nenner einen etwa
gleich groen Beitrag zu liefern. Damit ist jetzt gegenber dem bereits frher in
Beispiel 5.2 berechneten Wert nur noch etwa halb so gro.
=
a2
+ rEBa
2
1
0,01752
+ 1,055 102 0,0175
2
= 2950.
231
(2) Nherung Vorwrtsbetrieb

Eine andere Nherung bercksichtigt, dass blicherweise der Kollektor-Basis-bergang in
Sperrrichtung vorgespannt ist; dadurch kann der Exponentialterm, in dem UCB steht, vernachlssigbar klein werden. Umgekehrt ist es beim Emitter-Basis-bergang, hier dominiert
die Exponentialfunktion mit UEB gegenber der Eins in der Klammer. Es fallen also in
(5.35) und (5.36) jeweils in der oberen Zeile die Terme weg, die 1 enthalten und in der
unteren Zeile die Terme mit exp(eUCB/kBT). Damit bekommen wir die beiden Gleichungen
E
j = jEs e
eU EB
k BT
R jCs ,
(5.42)
eU EB
j C = V jEs e kBT + jCs .
(5.43)
Wenn wir nun auch noch den Kollektor-Sperrstrom als klein ansehen, jCs weglassen und
die beiden Gleichungen ins Verhltnis setzen, so ergibt sich
jC
jE
= V .
(5.44)
Nun kann man die obige Approximation (1) mit einer sehr kurzen Basisstrecke verwenden und erhlt den gleichen Ausdruck wie (5.1). Wir sehen auf diese Weise, mit welchen
Nherungen man aus den Ebers-Moll-Gleichungen wieder unser einfaches Modell vom
Anfang enthlt.
(3) Hohe Emitterergiebigkeit

Zu einer anderen Vereinfachung kann es bei einer hohen Emitterergiebigkeit kommen. Sie
bedeutet, dass von der Basis zum Emitter und zum Kollektor kaum Lcher injiziert werden;
deshalb findet im Emitter- und Kollektorgebiet keine Rekombination statt. In diesem Falle
ist auch der Minorittstrgeranteil der Lcher zum Emitter-Basis-Strom beziehungsweise
zum Kollektor-Basis-Strom sehr klein gegen den Anteil der Elektronen. Damit fallen in
(5.35) und (5.36) die Terme fort, die p0E oder p0C enthalten. Diese Nherung kann allerdings
nicht noch dahin weitergefhrt werden, dass man die Hyperbelfunktionen linearisiert, weil
dann Kollektor- und Emitterstrom vollkommen gleich wrden.
Arbeitshinweis:
Sie sollten, um die Auswirkungen der obigen Nherungen einschtzen zu knnen,
unbedingt mit Textmarkern die Glieder in den Formeln (5.24) bis (5.39) markieren, die
von den einzelnen Approximationen (1) bis (3) jeweils betroffen sind.
232
5.4 Herleitung der EBERS-MOLL-Gleichungen

aus den Diffusionsgleichungen
5.4.1 Anstze fr die Diffusionsstrme
Fr die Beschreibung der pn-bergnge brauchen wir nur die Diffusionsstrme der Minorittstrger zu betrachten, wie wir es im Zusammenhang mit der Halbleiterdiode im Abschn.
3.3 getan haben. In Abb. 5.10 sind die Teilchenstrme gezeigt, wie sie unter unseren Annahmen (linker pn-bergang in Durchlassrichtung, rechter in Sperrrichtung vorgespannt), auftreten. Beachten Sie dabei, dass die elektrischen Strme der Elektronen alle jeweils in die
entgegengesetzte Richtung zur Bewegungsrichtung der Teilchen zeigen mssen (technische
Stromrichtung!) Den Nullpunkt der x-Koordinate haben wir hier willkrlich auf den Wert x2
gelegt; das wird spter vorteilhaft sein.
Die Gleichungen fr die Stromdichten der Teilstrme an den pn-bergngen haben wir
bereits in Kap. 3 aufgeschrieben. Wie dort gibt es auch hier auerhalb der Raumladungsgebiete nur Diffusionsstrme, keine Feldstrme. Am Emitter-Basis-bergang sind der Lcherstrom und der Elektronenstrom gegeben durch
jhE = jhB
jeE = jeB
x1
x2
= eDE
= eDB
dpE ( x)
dx
dnB ( x )
dx
(5.45)
x1
(5.46)
x2
((5.46) ist nichts anderes als frher (5.9)). Dabei haben wir zu bercksichtigen, dass man die
Gre der jeweiligen Teilstrme nur dort angeben kann, wo sie aus der Raumladungszone
Emitter
Basis
Kollektor
(n-Gebiet)
(p-Gebiet)
(n-Gebiet)
Raumladungszonen
jeE
IE
jhE
Elektronenfluss
IC
jeC
Lcherfluss
jhC
IB
x1 x2 = 0
x3
x4
Abb. 5.10 Teilchenstrme an den bergngen des npn-Transistors. Punkte kennzeichnen

die x-Werte, an denen wir die Randbedingungen bentigen. Beachten Sie, dass bei den
Lchern technische Stromrichtung und Richtung der Teilchenbewegung bereinstimmen;
bei den Elektronen ist es gerade umgekehrt
5.4 Herleitung der Ebers-Moll-Gleichungen aus den Diffusionsgleichungen
233
austreten und zu Minorittstrgerstrmen werden. Diese Stellen sind in Abb. 5.9 durch
Punkte gekennzeichnet.
Wir haben hier die Abweichungen der Teilchenkonzentration von Gleichgewichtswert im
Minorittsgebiet verwendet,
dpE ( x) = pE ( x ) pE0 ;
(5.47)
analog fr die Elektronen. Die Diffusionskoeffizienten sind natrlich fr jedes der Raumgebiete und fr jede Trgersorte unterschiedlich.
Analog schreiben wir die Gleichungen des Basis-Kollektor-bergangs auf, ebenfalls
wieder fr den Lcherstrom und fr den Elektronenstrom:
jhC = eDC
dpC ( x)
dx
jeC = jeB
= eDB
x3
(5.48)
x4
dnB ( x)
dx
(5.49)
x3
5.4.2 Lsungen der Diffusionsgleichungen

In obigen Gleichungen bentigen wir noch Ausdrcke fr n(x). Wir erhalten sie aus den
Diffusionsgleichungen mit den bekannten Randbedingungen fr die Ladungstrgerkonzentrationen an der Grenze zum Raumladungsgebiet. In Analogie zu Abschn. 3.3.3, Gl. (3.36),
schreiben wir fr die Minorittstrger (Lcher) im Emittergebiet
DE
d 2 pE
dx 2
pE
,
E
(5.50)
Wie frher ergibt sich die Lsung an der Stelle x = 0 zu

eU EB
pE ( x1) = pE0 e kBT 1 .
(5.51)
E ist die Rekombinationslebensdauer der Lcher im Emittergebiet. Der Lcherstrom im

Emittergebiet ist dabei
jhE =
eU EB
eDE 0 kBT
pE e
1
LE
(5.52)
Fr das Kollektorgebiet schreiben wir analog

DC
d 2 pC
dx
pC
,
C
(5.53)
234
mit
(5.54)
eU CB
eDC 0 kBT
pC e
1
LC
(5.55)
pC ( x4 ) =
eU CB
0 kBT
pC e
und
jhC =
Die Diffusionsgleichung fr das Basisgebiet lautet

DB
d 2 nB
dx
nB
,
B
(5.56)
mit
eU EB
0 kBT
nB ( x2 ) = nB e
1 ,
(5.57)
eU CB
0 kBT
nB e
1 ,
(5.58)
nB ( x3 ) =
Die Lsung der Gleichungen fr das Emitter- und Kollektorgebiet war nicht neu; wir
konnten sie direkt von den entsprechenden Gleichungen des pn-bergangs bernehmen. Im
Basisgebiet wird die Lsung aber anders lauten, da wir ja hier sowohl an seiner linken als
auch der rechten Grenze Randbedingungen beachten mssen. Wir machen daher wie blich
einen Ansatz der Form6
nB ( x) = A1 e
x
LB
+ A2 e
x
LB
(5.59)
(LB ist dabei die Diffusionslnge der Elektronen in der Basis.) Die Koeffizienten A1 und A2
bestimmen wir aus den Randbedingungen (5.57) und (5.58):
eU EB
!
nB0 e kBT 1 = A1 + A2 ,
eU CB
0 kBT
nB e
w
w
!
LB
LB
1 = A1 e
+ A2 e .
Der Nullpunkt der x-Koordinate liegt entsprechend Abb. 5.10 an der Stelle x2 = 0.
(5.60)
(5.61)
5.5 Kennlinienfelder
235
Aus diesen beiden Gleichungen lassen sich A1 und A2 bestimmen. Wir sparen uns hier
den Rechengang und wollen nur das Ergebnis fr nB angeben:
eU EB
eU CB
w x k BT
x kBT
nB0
nB ( x) =
1 sinh
1 .
sinh
e
e
w
L
L
B
B
sinh
LB
(5.62)
Htten wir auch hier wieder angenommen, dass im schmalen Basisgebiet keine nennenswerte Rekombination stattfindet, so wrde die Trgerbilanz wegen
nB d 2 nB
=
=0
B
dx 2
zu null, und daraus ergbe sich dn B dx = const = C 1 . Durch Integration erhielten wir
dann
nB ( x) = C1( x x2 ) + C2 ,
(5.63)
damit sind wir wieder bei dem bereits weiter oben verwendeten linearen Fall angekommen,
nmlich
eU CB
eU EB
x
x
nB ( x) = nB0 1 e kBT 1 e kBT 1 .

w
w
(5.64)
Den Elektronenstrom in der Basis und damit auch im Emitter erhlt man aus (5.62) ber
die Ableitung von nB nach dx,
jeE = jeB = eDB
dnB ( x)
,
dx
(5.65)
Der gesamte im Emitter flieende Strom ist nun

j E = jeB + jhE ;
(5.66)
damit bekommen wir nach einer lngeren Rechnung schlielich Gleichung (5.35). Eine analoge berlegung liefert fr den Kollektorstrom die Beziehung (5.36).
5.5.1 Kennlinienfelder in Basisschaltung
Fr schaltungstechnische Anwendungen eines Transistors werden wie bei anderen

Bauelementen Kennlinienfelder bentigt, die den Zusammenhang der jeweiligen
Strme und Spannungen graphisch wiedergeben. Whrend bei einer Diode lediglich der Zusammenhang zwischen Strom und Spannung dargestellt werden muss,
sind bei einem Transistor mehrere Gren in ihrer gegenseitigen Abhngigkeit dar-
236
zustellen. Fr die Praxis muss man sich die jeweils passenden Gren heraussuchen. blicherweise verwendet man Transistoren entweder in Basisschaltung oder
in Emitterschaltung. In Basisschaltung ist der Emitterstrom die steuernde Gre,
und das Verhalten von Strom und Spannung im Eingangs- und im Ausgangskreis in
Abhngigkeit vom Emitterstrom sind von Interesse. Die Darstellung des Emitterstroms ber der Emitterspannung in der blichen aktiven Betriebsart des Transistors ist dabei nichts anderes als die Durchlasskennlinie eines pn-bergangs hier
des Emitter-Basis-bergangs. Wir erhalten eine Darstellung entsprechend
Abb. 5.11a, dort ist dieser Zusammenhang halblogarithmisch aufgetragen.
In Abb. 5.11b ist der Ausgangskreis in der Basisschaltung dargestellt, das heit
der Kollektorstrom ber der Kollektor-Basis-Spannung. Das Zustandekommen
dieser Kennlinienschar knnen wir uns leicht berlegen: Der Basis-Kollektorbergang ist im Normalfall ein in Sperrrichtung gepolter pn-bergang. Wre die
Basis-Emitter-Spannung null, so wrde die Darstellung von IC ber UCB einfach
die Kennlinie einer in Sperrrichtung gepolten Diode sein, allerdings auf den Kopf
gestellt. Wird jetzt eine Spannung UBE angelegt, die einen Emitterstrom IE zur
Folge hat, so fhrt dies einfach dazu, dass die Sperrkennlinie parallel nach oben
verschoben wird der Emitterstrom addiert sich zum Kollektorsperrstrom.
Die in Abb. 5.11 dargestellten Zusammenhnge ergeben sich unmittelbar aus den EbersMoll-Gleichungen. Die linke Kennlinie (Abb. 5.11a) entspricht Gleichung (5.35), wobei
der Exponentialausdruck mit UCB klein ist und sich nicht auswirkt. Daher ergibt sich in der
halblogarithmischen Darstellung eine einzelne Gerade.
Auch die Kennlinienschar von Abb. 5.11b wird durch die Ebers-Moll-Gleichung (5.36)
fr den Kollektorstrom gut beschrieben. Wir bringen dazu (5.35) in die Form
b
104
6
IE ; Schrittweite = 1mA
5
IC (mA)
IE (mA)
100
10-4
4
3
2
10-8
1
10-12
0
0
0,2
0,4
0,6
UEB (Volt)
0,8
-1
-0,5
0,5
1,5
UCB (Volt)
Abb. 5.11 Kennlinienfelder eines Transistors in Basisschaltung, schematisch: (a) Spannung und Strom am Emitter (Eingangskennlinienfeld), (b) am Kollektor (Ausgangskennlinienfeld) Parameter ist darin der Emitterstrom
237
eU EB
eU CB
jEs e kBT 1 = j E + R jCs e kBT 1
(5.67)
und setzen dies in (5.36) ein. Dann erhalten wir

eU CB
j C = V j E (1 V R ) jCs e kBT 1 .
(5.68)
Hier ist der zweite Term (bis auf die Modifikation durch den Vorfaktor (1 V R)) die
Sperrkennlinie des Kollektor-Basis-bergangs, der erste Term liefert eine Parallelverschiebung dieser Kennlinie nach oben. Mit dem MATLAB-Programm npn_basis.m knnen
diese Beziehungen zur Kennlinienberechnung benutzt werden.
5.5.2 Kennlinienfelder in Emitterschaltung
In den Datenblttern der Hersteller werden blicherweise die Kennlinien in Emitterschaltung dargestellt. In dieser Schaltungsart liefert ein Transistor sowohl eine
Strom- als auch eine Spannungsverstrkung und somit die maximale Leistungsverstrkung. Auch hier interessieren die Strom-Spannungs-Kennlinie des Eingangskreises das ist jetzt der Basis-Emitter-Kreis und die Kennlinien des
Ausgangskreises das ist der Kollektor-Emitter-Kreis. Hufig werden zustzlich
noch weitere Kennlinien angegeben, so dass man ein Vierquadranten-Kennlinien-
Gleichstromverstrkung
IC
Ausgangskennlinien
Parameter: IB
IB
UEC
Eingangskennlinie
Rckwirkungskennlinien
Parameter: IB
UEB
Abb. 5.12 Vierquadranten-Kennlinienfelder eines Transistors in Emitterschaltung
238
Abb. 5.13 Kennlinien eines typischen npn-Transistors in Emitterschaltung (Siemens

BCY 59). Links: Eingangskennlinie; rechts: Ausgangskennlinien, Parameter ist IB. Entnommen aus: [Siemens Bauelemente 1984]. Wiedergabe mit Genehmigung der Infineon
Technologies AG, Mnchen
feld erhlt. Abb. 5.12 zeigt eine prinzipielle Darstellung. In Abb. 5.13 sind die
Kennlinien eines marktblichen Transistors zum Vergleich gezeigt.
Diese Kennlinien lassen sich ebenfalls aus den Ebers-Moll-Gleichungen berechnen.
Hierzu sind jedoch erst einige Umformungen notwendig.
a) Eingangskennlinienfeld der Emitterschaltung, I B = f (UEB, UEC)

Das Eingangskennlinienfeld der Emitterschaltung im 3. Quadranten der Abb. 5.13
zeigt den Basistrom IB als Funktion der Emitter-Basisspannung UEB. Parameter ist
die Emitter-Kollektor-Spannung UEC.
Fr die Ableitung der Zusammenhnge greifen wir wieder auf die Stromdichten zurck.
Die Ebers-Moll-Gleichungen liefern nur Ausdrcke fr den Emitter- und den Kollektorstrom. Um auf den Basisstrom zu kommen, mssen wir die Knotenregel fr die Strme am
Transistor zu Hilfe nehmen:
jB = jE jC
(5.69)
239
Durch Einsetzen der Werte fr Emitter- und Kollektorstrom (5.35) und (5.36) erhalten wir
eU CB
eU EB
j B = jES e kBT 1 R jCS e kBT 1
eU
eU
CB
EB
+ jCS e kBT 1 V jES e kBT 1 ,
(5.70)
Nun ist es erforderlich, die Kollektor-Basisspannung UCB durch UEB und UEC auszudrcken (Maschenregel!):
(5.71)
U CB = U EB U EC
Jetzt mssen wir noch geeignet ordnen und zusammenfassen. Die Umformungen sind nicht
mehr schwer, aber man muss aufpassen, dass man nichts vergisst. Wir erhalten schlielich
j =
eU EB
B kBT
j1 e
j0B
(5.72)
mit
(5.73)
j0B = (1 V ) jES + (1 R ) jCS
und
j1B
= (1 V ) jES + (1 R ) jCSe
eU EC
kBT
(5.74)
Die Abhngigkeit von UEC ist in der Praxis weitgehend vernachlssigbar, so dass alle
Kurven zusammenfallen, es wird dann IB allein eine Funktion von UEB . Im Wesentlichen
wird hier wieder wie auch im Eingangskennlinienfeld der Basisschaltung der Verlauf
der Diodenkennlinie wiedergegeben.
b) Ausgangskennlinienfeld der Emitterschaltung, IC = f (UEC , IB )

Das Ausgangskennlinienfeld zeigt die Abhngigkeit des Kollektorstroms IC vom
Basisstrom IB und liegt im 2. Quadranten. Bis auf kleine Korekturen gibt es die
Stromverstrkung = I C / I B wieder, wie wir sie bereits in Gl. (5.13) dargestellt
haben.
240
Auch hier starten wir wieder bei der Ebers-Moll-Gleichung fr den Kollektorstrom
(5.36). Zunchst strt die Kollektor-Basis-Spannung im Exponenten, und wir ersetzen sie
nach der Maschenregel (5.71). Damit kommt man auf den Ausdruck
eU EC
eU EB
k BT
j = jCSe
+ V jES e kBT + jCS V jES .
Der Exponentialfaktor mit UEB nach der eckigen Klammer strt noch. Wir ersetzen ihn
gem (5.72) und erhalten
eU EC
j B + j0B
j = V jES jCSe kBT

+ jCS V jES .
jB
1
(5.75)
Aus dem Kennlinienfeld Abb. 5.12 ist zu erkennen, dass der Kollektorstrom nahezu
linear ansteigt und weitgehend unabhngig von der Emitter-Kollektor-Spannung UEC ist,
also I C l f (I B ).
c) Gleichstromverstrkung der Emitterschaltung, IC = f (I B , UEC)

Im 1. Quadranten wird die Abhngigkeit des Kollektorstroms IC von der Emitter-Kollektor-Spannung UEC fr unterschiedliche Basisstrme IB dargestellt. Es ist
die Darstellung der Gleichstromverstrkung der Emitterschaltung.
Fr die Berechnung der Gleichstromverstrkung knnen wir auf die gleiche Formel
zurck greifen, die wir auch fr die Darstellung des Ausgangskennlinienfeldes verwenden,
nmlich (5.75), da in beiden Kennlinienfeldern j C als Funktion von j B und UEC bentigt
wird. Allerdings ist fr das Ausgangskennlinienfeld jetzt UEC als Abszisse zu verwenden
und j B als Parameter der Kurvenschar, whrend fr die Gleichstromverstrkung UEC der
Kurvenparameter ist.
Abgesehen von einem anfnglich ziemlich steil ansteigenden Kurvenverlauf bei kleinem
UEC (in Abb. 5.12 nicht zu erkennen) steigt die Kurve dann nahezu linear an. Auch dabei
zeigt sich, dass der Kollektorstrom nur vom Basisstrom beeinflusst wird.
d) Rckwirkungskennlinienfeld der Emitterschaltung, UEB = f (UCE , IB )

Im 4. Quadranten werden schlielich noch die so genannten Rckwirkungskennlinien gezeigt. Die Rckwirkung der Ausgangsspannung UCE auf die Eingangsspannung UEB darf nur klein sein, was sich in einem sehr flachen Kurvenverhalten
zeigen sollte. Es wird also gewnscht, dass UEB = f (UCE , I B ) l f (I B ) ist.
Startpunkt kann hier die Eingangskennlinie der Emitterschaltung gem (5.72) sein. Wir
lsen nach dem Exponentialfaktor auf und erhalten
eU EB
kBT
j B j0B
j1B
241
Jetzt muss nur noch der Logarithmus gebildet werden, und das Ergebnis steht schon da:
j B j0B
U EB = kBT ln
.
jB
1
(5.76)
Dabei sind noch j0B und j0B aus (5.73) und (5.74) einzusetzen. Im Beispiel-Kennlinienfeld
der Abb. 5.12 ist die Abhngigkeit vom Basisstrom I B nur angedeutet.
Die Umsetzung von a) bis d) als MATLAB-Programm berlassen wir dem Aufgabenteil,
Aufgabe 5.13. Zur Berechnung steht das MATLAB-Programm npn_emit.m zur Verfgung.7
5.5.3 EARLY-Effekt
Auch in der Emitterschaltung wrden wir parallel verschobene Sperrstromkennlinien fr den Kollektor-Basis-bergang erwarten, denn UEC = UEB UCB ist ja
nichts anderes als die um die (festgehaltene) Emitter-Basis-Spannung UEB verschobene Kollektor-Basis-Spannung UCB. Wie wir jedoch im Ausgangskennlinienfeld von Abb. 5.12 sehen, sind die Kennlinien jetzt leicht geneigt. Die Ursache
liegt darin, dass mit wachsendem UCB der Raumladungsbereich zwischen Basis
und Kollektor breiter und demnach die Basiszone schmaler wird (Early-Effekt8).
Dadurch erhht sich der Kollektorstrom. Um das quantitativ nachzuprfen, brauchen wir uns nur an die Gleichung (5.15) zu erinnern, dort steht die Basisbreite im
Nenner, demnach steigt mit kleiner werdendem w. Der Anstieg der Kennlinien
infolge des Early-Effekts erfolgt nahezu linear. Verlngert man die Geraden bis
zur x-Achse, so schneiden sie diese alle in einem Punkt, der Early-Spannung. In
den bungsaufgaben (Aufgabe 5.14) werden wir diesen Effekt etwas genauer
unter die Lupe nehmen.
Man kann jetzt fragen, was passiert, wenn durch den Early-Effekt die Basisbreite auf null zusammenschrumpft. In diesem Fall wird der Gradient der Ladungstrgerkonzentration und damit der Elektronenstrom in der Basis (Gl. (5.11)) sehr
gro; er geht sogar gegen unendlich: Alle Elektronen werden sofort vom Kollektor
abgesaugt. Man bezeichnet dies als Early-Durchbruch. Unter solchen Bedingungen kann man den Transistor natrlich nicht mehr arbeiten lassen.
Wie bei einer in Sperrrichtung gepolten Halbleiterdiode kann es noch eine weitere Ursache fr ein Durchbruchsverhalten geben, das ist der Lawineneffekt. Er
tritt sogar in der Regel bei niedrigeren Sperrspannungen als der Early-Durch-
7
8
vgl. auch die MATLAB-Programme npn_basis.m und npn_emit.m.

James M. Early (19222004), Studium der Papiertechnologie am New York State College of Forestry, spter der Elektrotechnik an der Ohio State University. Technischer Mitarbeiter bei Bell: Arbeiten zur Halbleitertechnologie und zu Solarzellen (u. a. fr den
Telstar-Satelliten), spter bei Fairchild Arbeiten zur Halbleitertechnologie und zur CCDEntwicklung. Diese und andere interessante historische Details kann man bei Early
selbst nachlesen [Early 2001].
242
bruch auf und bildet demzufolge die eigentliche Begrenzung fr den Arbeitsbereich des Transistors.
5.6 Ergnzungen zu Bipolartransistoren. Tendenzen

Eine Schwche des Bipolartransistors besteht in Folgendem: In Gl. (5.15) fr die Stromverstrkung
=
DBn0B LE
DE p0E w
steht die Emitter-Minorittstrgerkonzentration pE im Nenner und die Basis-Minorittstrgerkonzentration nB im Zhler. Deshalb sollte pE mglichst klein sein. Normalerweise wird
dies wegen pE = ni2 /NE auf Grund des Massenwirkungsgesetzes durch hohe Majorittstrgerkonzentrationen (also hohe Emitterdotierung) erreicht. Im Emitter setzt aber unter diesen
Bedingungen schon Gapschrumpfung ein, das heit, Eg wird kleiner. Damit verkleinert sich
dann auch die Massenwirkungskonstante ni2 ,
ni2
= N c N ve
Eg
kBT
so dass die Lcherkonzentration pE nicht mehr so klein ist wie im Falle eines ungestrten
Gaps (vgl. hierzu Aufgabe 5.3).
Ein Ausweg wurde bereits 1957 durch Herbert Kroemer gewiesen (vgl. 4.2.3): Er
schlug einen Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) vor. Bei ihm wird der Emitter aus
einem anderen Material hergestellt als die Basis. Dadurch kann man Gaps unabhngig einstellen. In Frage kommen zum Beispiel die Kombinationen Silizium mit Germanium. Auf
diese Weise kann man sich von den Komplikationen der Gapschrumpfung unabhngig
machen. Der Gedanke, Heterobergnge zu verwenden, hat auch bei anderen Fllen, zum
Beispiel bei der Entwicklung des Heterostrukturlasers, Pate gestanden.
5.7 Thyristoren und Triacs

5.7.1 Modell eines Thyristors. Thyristorkennlinie
Thyristoren9 sind Bauelemente, die weite Verbreitung in der Starkstromtechnik

gefunden haben. Sie werden als steuerbare Gleichrichter eingesetzt und knnen
Stromstrken bis zu 5 kA und Spannungen bis zu 10 kV verarbeiten. Im englischen
Sprachraum werden sie meist als semiconducing controlled rectifier (SCR)
bezeichnet. Das Schaltsymbol ist in Abb. 5.14 dargestellt.
Das Wort Thyristor ist eine Zusammensetzung aus griech. thyros Tor und Transistor.
243
Abb. 5.14 Schaltsymbol eines Thyristors
Ein Thyristor besteht aus einem Silizium-Halbleiter mit drei hintereinander

geschalteten pn-bergngen (Abb. 5.15 oben). Das entspricht der Materialfolge
p+npn+.10 Das mittlere n-Gebiet (in der Abbildung durch 2 gekennzeichnet) ist
sehr schwach dotiert, die Dotierung liegt nur geringfgig ber der Eigenleitungskonzentration (Abb. 5.15 unten). Dagegen sind die Dotierungskonzentrationen der
a
IS
Steuerelektrode
IIAA
Anode
Anode
+
p1
2n
p3
n4+
1p+
2n
3p
n
4+
Katode
UAK
b
Dotierungskonzentration ND NA
in cm3
1020
1018
1016
Abstand
1016
Lh
Le
1018
10 20
Abb. 5.15 Aufbau eines Thyristors (schematisch, (a)) und Dotierungsprofil (b). Die Breiten
der mittleren Gebiete entsprechen ungefhr der Diffusionslnge der jeweiligen Minorittstrger
10 Wir
erinnern uns, dass das hochgestellte Pluszeichen auf eine besonders starke Dotierung
hinweist, jedoch keinesfalls auf elektrische Ladungen.
244
brigen Gebiete deutlich hher. Zur Steuerung dienen drei Kontakte. Sie werden
als Anode, Katode und Gate (oder Steuerelektrode) bezeichnet. Fr die Funktion
der Steuerelektrode interessieren wir uns im Moment noch nicht, dort soll noch
keine Spannung anliegen.
Um die Wirkungsweise des Thyristors zu verstehen, betrachten wir der Reihe
nach verschiedene Situationen. Zu Beginn soll links an der Anode der negative,
rechts an der Katode dagegen der positive Pol einer Spannungsquelle anliegen,
UAK ist negativ. In diesem Fall ist der mittlere pn-bergang (2-3) in Flussrichtung
gepolt, der linke (1-2) und der rechte pn-bergang (3-4) sind dagegen in Sperrrichtung gepolt.
Durch die beiden gesperrten pn-bergnge ergibt sich eine Sperrkennlinie wie
bei einer negativ gepolten Diode. Deren Kennlinie ist durch einen sehr kleinen
negativen Sperrstrom IA gekennzeichnet. Wenn die Durchbruchsspannung (bei der
Diode ist es die Zener-Spannung) UR erreicht ist, gibt es einen steilen Abfall
(Abb. 5.16). Der Index R weist auf die Rckwrtspolung hin.
Wenden wir uns jetzt dem Fall zu, dass an der Anode des Thyristors der positive
und an der Katode der negative Pol der Spannungsquelle anliegt, UAK ist positiv.
Jetzt sind der linke (1-2) und rechte (3-4) pn-bergang in Durchlassrichtung
gepolt, aber der mittlere bergang (2-3) gesperrt. Auch im Vorwrtsbereich ergibt
sich deshalb zunchst wieder eine Sperrkennlinie, es ist die untere Kennlinie im
Vorwrtsbereich von Abb. 5.16.
Mit wachsender positiver Spannung UAK und damit wachsendem Stromfluss IA
kann allerdings das Modell dreier unabhngiger Dioden die Verhltnisse nicht
mehr angemessen beschreiben. Thyristoren sind nmlich so aufgebaut, dass der ndotierte Bereich 2 gerade etwa so breit ist wie die Diffusionslnge Lh der Minori-
IA
Flusskennlinie
IG = 0
Sperrkennlinien
UR
UV2 UV1 UV0 UAK
I G wchst
Sperrbereich
Vorwrtsbereich
Abb. 5.16 Thyristorkennlinie in Abhngigkeit von verschiedenen Gate-Strmen IG. Die

jeweiligen Zndspannungen UV0 bis UV2 sind eingezeichnet
245
ttstrger-Lcher. Diese strmen aus dem pn-bergang 1-2 hinein. Solange die
Sperrspannung an dem pn-bergang 2-3 nur klein ist, rekombinieren die Minorittstrger hinreichend schnell und beeinflussen den bergang 2-3 nicht. Dies
ndert sich jedoch mit wachsender Vorwrtsspannung. Wir erinnern uns dazu, dass
die Raumladungszone eines gesperrten pn-bergangs mit wachsender Sperrspannung stetig breiter wird (Abschn. 3.3.2, Gl. (3.28)). Dadurch rutscht deren Grenze
immer weiter nach links, und die Ladungstrger knnen im Gebiet 2 nicht mehr
alle rekombinieren, sie gelangen grtenteils weiter ber den gesperrten pn-bergang ins Gebiet 3. Wir haben dann eine hnliche Situation vor uns wie in der Basis
eines pnp-Transistors.
hnlich verhlt es sich mit den Elektronen, die aus dem leitenden pn-bergang
4-3 ber die Basis 3 und den pn-bergang 3-2 hinweg ins Gebiet 2 geschwemmt
werden. Der mittlere pn-bergang 2-3 wird nun also, obwohl sperrgepolt, von beiden Seiten mit Ladungstrgern berschwemmt und leitet deshalb. Mit steigender
Vorwrtsspannung wird praktisch aus einem Bauelement mit drei unabhngigen
pn-bergngen ein Doppeltransistor. Statt des Modells dreier Dioden ist nun ein
Modell angemessener, in dem zwei Bipolartransistoren parallel geschaltet sind.
Dies ist in Abb. 5.17 dargestellt. Oben finden wir einen pnp-Transistor, der die
Bereiche 1 bis 3 umfasst, der untere Transistor ist ein npn-Transistor und umfasst
die Bereiche 2 bis 4. Die scheinbar groe Breite der Basis 2 darf uns nicht beeindrucken, denn sie ist nur schwach dotiert. Dadurch liefert sie nur wenig Gelegenheit zur Rekombination.
Der normale Bipolartransistor zeigt das fr ihn typische Verhalten bei beliebiger
Vorwrtsspannung. Beim Thyristor dagegen sind die Basisbereiche etwas breiter,
so dass die berschwemmung erst bei hherer Vorspannung einsetzt.
Mit Erreichen der Durchbruchsspannung UV0 wird der Thyristor pltzlich stark
leitend, so dass der Strom lawinenartig ansteigt. Dadurch bricht auch die Spannung
zusammen, die bisher vor allem durch das Raumladungsgebiet am bergang 2-3
aufrechterhalten wurde. Die Kennlinie schwappt vom rechten Punkt in Abb. 5.16
in den linken Zweig ber, der das Flussverhalten wiedergibt. Die Spannung an diesem Punkt heit Zndspannung.
Emitter
Basis
Kollektor
IA
3
Anode
p+
3
n
Kollektor
4
p
n+
Katode
Basis Emitter
Abb. 5.17 Zwei-Transistor-Modell eines Thyristors. Die Raumladungsgebiete sind schraffiert
246
5.7.2 Gleichungen fr den Vorwrtsstrom
Das Verhalten des Thyristors im stationren Fall lsst sich prinzipiell mit einfachen
Formeln erklren. Im Vorwrtsbetrieb greifen wir dazu auf das soeben eingefhrte
Modell zweier Transistoren (Abb. 5.17) zurck. Diese knnen wir durch die
Ebers-Moll-Gleichungen (5.34) beschreiben. Beide Transistoren sollen sich
bereits im aktiven Bereich befinden, folglich knnen wir die Rckwrtsanteile der
Strme in (5.34) vernachlssigen. Fr den Kollektorstrom jC3 des oberen Transistors 123 gilt der Zusammenhang mit dem Emitterstrom jE1
j C3 = V jV jR 123 jE1 jR .
Eine hnliche Gleichung knnen wir fr den unteren Transistor 432 aufschreiben.
Dessen Emitter ist das Gebiet 4 und sein Kollektor das Gebiet 2.
j C2 432 jE4 jR .
Zum Gesamtstrom beziehungsweise dessen Stromdichte jA tragen nun beide
Anteile bei. Hinzu kommt der Rckwrtsstrom jR, den wir hier als Sperrstrom
jSperr mit einem negativen Vorzeichen versehen wollen. Damit finden wir
jA = 123 jE1 + 432 jE4 + jSperr .

Die an den beiden Emittern flieenden Strme jE1 und jE4 sind natrlich gleich und
auch gleich dem ber die Kontakte flieenden Strom jA, so dass wir
jA = 123 jA + 432 jA + jSperr
(5.77)
erhalten. Wir lsen nach jA auf und bekommen

jA =
jSperr
1 ( 123 + 432 )
(5.78)
Nun erinnern wir uns, dass der Vorwrts-Stromverstrkungsfaktor V gem

(5.37) die Gre a = w/LB im Nenner enthielt. Das ist das Verhltnis der Basisbreite zur Diffusionslnge im Basisgebiet, Bei Thyristoren sind die Basisbreiten so
gewhlt, dass im Vorwrts-Sperrzustand a eher gro und damit V klein wird. Mit
wachsendem Raumladungsgebiet nimmt die verbleibende Breite der Basis jedoch
ab ein Beispiel fr diese Situation im Transistor konnten wir in Aufgabe 5.10
rechnen. Von einem bestimmten Zustand an kann die Summe der beiden Stromverstrkungsfaktoren im Nenner von (5.78) jedoch gegen eins gehen, dadurch wchst
jA gewaltig an. Eine hnliche Situation hatten wir im Falle des Transistors als
Early-Durchbruch kennengelernt. Zustzlich kann Stoionisation wie beim
Zener-Effekt dazu beitragen, dass 123 und 423 noch weiter wachsen. In der
247
Folge dieses Stromflusses bricht, wie schon erwhnt, die Spannung am bergang
2-3 zusammen, und der Thyristor geht in den leitenden Zustand ber.
Der beschriebene Effekt ist nicht umkehrbar. Befindet sich der Thyristor einmal
im Bereich der Flusskennlinie, so kann der Flussbereich erst dann verlassen werden, wenn die angelegte Anodenspannung UAK wieder null ist.
Der bisher beschriebene Effekt ist zwar interessant, bietet jedoch noch keine
Mglichkeit zum Steuern. Hier kommt nun die Steuerelektrode, das Gate, ins
Spiel. ber sie kann ein zustzlicher Strom jG eingespeist werden, der am rechten
pn-bergang zum Anoden-Katoden-Strom jA addiert werden muss. Dann sind die
Gleichungen (5.77) und (5.78) wie folgt abzundern:
jA = 123 jA + ( 432 jA + jG ) + jSperr
(5.79)
und
jA =
jSperr + 432 jG
1 ( 123 + 432 )
(5.80)
Der neue Term im Zhler wirkt zunchst wie ein zustzlicher Vorwrts-Sperrstrom.
Er beeinflusst darber hinaus jedoch das Schaltverhalten so, dass es bereits bei
kleineren Zndspannungen einsetzt. In Abb. 5.16 ist dies durch UV1 und UV2 symbolisiert. Das entspricht dem Verhalten eines Transistors. Auch bei diesem beeinflusst ein kleiner Basisstrom den Emitter-Kollektor-Strom stark. Wenn der
Steuerstrom nach dem Znden wieder verschwindet, bleibt der Thyristor dennoch
im leitenden Zustand, es gengen also kurze Impulse.
Statt durch einen Steuerstrom jG lassen sich zustzliche Ladungstrger auch
mittels Licht erzeugen. Dies fhrt zum gleichen Verhalten, bietet aber den groen
Vorteil der galvanischen Trennung.
Die Strom-Spannungs-Kennlinien eines Thyristors mathematisch abzuleiten, ist
ziemlich kompliziert und fr uns nicht erforderlich. Deshalb sollen die halbquantitativen berlegungen an dieser Stelle gengen.
Die Mglichkeit, durch Steuerstromimpulse das Schalten des Thyristors zu
beeinflussen, hat groe praktische Bedeutung. Auf diese Weise kann er als steuerbarer Gleichrichter (Abb. 5.18) oder Wechselrichter arbeiten, indem ein Teil der
Halbwelle eines sinusfrmigen Wechselstroms herausgefiltert wird. Thyristoren
sind in der Starkstromtechnik weit verbreitet. Obwohl die meisten Hochspannungsnetze in Europa heute mit Wechselstromleitungen betrieben werden, wrden
Gleichstromleitungen wegen der geringeren Verluste groe Vorteile bieten. Wechselrichter auf Halbleiterbasis ermglichen die kostengnstige Umwandlung von
Wechselstrom in Gleichstrom und umgekehrt.
Der technische Aufbau eines Thyristors ist in Abb. 5.19 gezeigt. Wegen der groen umgesetzten Leistungen muss auf eine ausreichende Wrmeableitung geachtet
werden.
248
IG
t
IA
Abb. 5.18 Prinzip des steuerbaren Gleichrichters. Durch Steuerstromimpulse am

Gate gelangt der Thyristor in den Flussbereich
Steuerkontakt
Katodenkontakt
n+
p
n
p+
Anodenkontak
Anodenkontakt
Trgerplatte
Abb. 5.19 Konstruktion eines Thyristor-Bauelements, aus [Mller 1991]
5.7.3 Triacs
Triacs11 sind Bauelemente, die man sich aus zwei antiparallel geschalteten Thyristoren vorstellen kann. Durch diesen Aufbau ist es im Gegensatz zum Thyristor
mglich, beide Stromrichtungen zu steuern. Die Kennlinie zeigt deshalb etwa
11 Das
Wort ist zusammengesetzt aus triode AC switch.
249
IA
Thyristor Anti-Thyristor
Ein
Steuerelektrode
n
Aus
n
p
UA
n
Aus
Ein
Abb. 5.20 Aufbau eines Triacs ((a) nach [Mller 1991]) mit Kennlinie (b)
einen Verlauf, wie er in Abb. 5.20 rechts dargestellt ist. Die Schaltleistung kann
allerdings, bedingt durch den ziemlich komplizierten Aufbau, nicht so groe Werte
annehmen wie beim Thyristor. Typischerweise sind bis zu 800 V und 40 A erreichbar. Triacs werden deshalb als Wechselstromregler fr mittlere Leistungen eingesetzt.
Bipolartransistoren sind Bauelemente, mit denen sich Strme steuern und
verstrken lassen. Sie bestehen aus den drei Gebieten Emitter, Basis und
Kollektor, zwischen denen sich pn-bergnge ausbilden. Der pn-bergang
zwischen Emitter und Basis ist in der blichen (aktiv-normalen) Betriebsart in Durchlassrichtung, der zwischen Kollektor und Basis in Sperrrichtung
vorgespannt.
Die Verstrkungswirkung des Transistors kann man sich wie folgt erklren: Weil seine Basis sehr schmal ist, knnen in diesem Bereich die vom
Emitter kommenden Elektronen kaum rekombinieren und wandern fast
vollstndig bis zum Kollektor weiter. Der Emitter-Kollektor-Strom ist
dadurch sehr gro gegenber dem Emitter-Basis-Strom, beide stehen in
einem festen Verhltnis (Stromverstrkungsfaktor in Emitterschaltung).
Wird der Basisstrom verndert, verndert sich der Kollektorstrom um das
-fache.
In erster, nur recht grober Nherung ist die Stromverstrkung eines
Transistors durch das Verhltnis vom Lcherstrom im Emitter zum Elektronenstrom in der Basis bestimmt. Sie ergibt sich dadurch zu
250
DB N E LE
.
DE N B w
hngt also in erster Nherung vom Verhltnis der Dotierungen von Basis
und Emitter und darber hinaus von zwei Lngen ab: der Diffusionslnge
im Emitter und der Basisbreite w. Bei kurzem Emittergebiet (Breite wE <
LE) ist die Diffusionslnge der Lcher im Emitter LE durch wE zu ersetzen.
Das gesamte elektrische Verhalten des Transistors bei beliebigen Vorspannungen der beiden pn-bergnge wird durch die Ebers-Moll-Gleichungen bestimmt. Sie liefern ein Ersatzschaltbild, das fr viele praktische
Zwecke der Schaltungssimulation ausreichend ist.
Die Ebers-Moll-Gleichungen haben folgende Gestalt:
j E = jV + R jR ,
j C = V jV jR .
Die Ebers-Moll-Gleichungen gestatten die Berechnung der Kennlinien.
Der Kollektorstrom ber der Kollektorspannung entspricht dabei weitgehend einer um einen konstanten Betrag verschobenen Sperrkennlinie des
pn-bergangs am Kollektor. Der Emitterstrom ber der Emitterspannung
ist die Durchlasskennlinie des Emitter-Basis-pn-bergangs.
Thyristoren haben Bedeutung als steuerbare Gleichrichter in der Starkstromtechnik. Ihre Wirkungsweise lsst sich mit einem Zwei-TransistorModell erklren. Die Thyristorkennlinie hnelt im Sperrbereich einer Diodenkennlinie. Im Vorwrtsbereich existiert fr niedrige Katodenspannungen
ebenfalls eine Sperrkennlinie. Bei hheren Spannungen wird der Thyristor
jedoch stark leitend, und die Kennlinie geht bei der Zndspannung in die
Flusskennlinie ber. Mittels des Gate-Stroms lsst sich die Zndspannung
beeinflussen und der Thyristor steuern.
Aufgabe 5.1 Stromverstrkung aus Substanzdaten (zu Abschn. 5.2) **
Seien Sie Designer eines Silizium-npn-Transistors. Das Bauelement soll eine Stromverstrkung in Basisschaltung von 99,9 % liefern.
Wir nehmen an, dass die Basisbreite 1/10 der Diffusionslnge der Lcher im Emittergebiet ist. Setzen Sie der Einfachheit halber alle Beweglichkeiten beziehungsweise alle
Diffusionskoeffizienten als etwa gleich an. In welchem Verhltnis mssen die Dotierungskonzentrationen von Emitter und Basis gewhlt werden?
251
Aufgabe 5.2 Beweglichkeitsverhltnis bei npn- und pnp-Transistoren (zu Abschn. 5.2) *
Vergleichen Sie einen npn-Transistor mit einem pnp-Transistor. Wie gro ist jeweils das
Verhltnis der Beweglichkeiten B /E von Emitter- und Basisgebiet? Die Emitterdotierung
sei NE = 1018 cm3, die Basisdotierung NB = 1016 cm3.
Aufgabe 5.3 Korrektur der Stromverstrkung bei hohen Dotierungen (zu Abschn. 5.2) *
a)* Berechnen Sie wie in Beispiel 5.2 den Stromverstrkungsfaktor eines npn-Transistors, dessen Emitterdotierung NE = 1019 cm3, Basisdotierung NB = 1016 cm3 und Basisbreite 2 m betrgt. Die Diffusionslnge der Lcher unter den Bedingungen des
Emittergebiets sei LE = 5 m.
b)*** Bei hohen Dotierungen verringert sich die Energiedifferenz zwischen Leitungsund Valenzband eines Halbleiters, also die Gap-Energie Eg. Diese Tatsache ist durch verschiedene Messungen, insbesondere bei tiefen Temperaturen, gut gesichert (vgl. Abschn.
2.6.2). Ursache sind Korrelationseffekte zwischen den einzelnen Ladungstrgern, die einen
Energiegewinn bringen. Bei einer Donatordotierung ND = 1019 cm3 betrgt diese Absenkung, die so genannte Gapschrumpfung, zum Beispiel 74,3 meV (Nach Gl. (2.110) wre die
Gapschrumpfung grer, bei so hohen Dotierungen gilt diese Beziehung aber schon nicht
mehr.)
Um welchen Faktor ndert sich dadurch die Minorittstrgerkonzentration der Lcher
gegenber dem blicherweise berechneten Wert p0?
c)*** Berechnen Sie analog zu a) den Stromverstrkungsfaktor , diesmal jedoch mit
Bercksichtigung der Gapschrumpfung. In der Basis muss bei der angenommenen Konzentration von NB = 1016 cm3 noch keine Gapschrumpfung bercksichtigt werden.
Aufgabe 5.4 Emitterwiderstand eines Transistors (zu Abschn. 5.2) **
Bestimmen Sie den differentiellen Leitwert und daraus den Widerstand im Emitterbereich
eines npn-Transistors bei Vorwrtspolung des Emitter-Basis-Kontakts. Dabei knnen Sie
sich an den Herleitungen fr den Fall des p+n-bergangs in Abschn. 3.5 orientieren. Der
Kollektorstrom soll 1 mA betragen.
Aufgabe 5.5 Kapazitt eines Transistors (zu Abschn. 5.2) ***
Analog zu Aufgabe 5.4 sollen die Sperrschichtkapazitt und die Diffusionskapazitt des
Emitter-Basis-bergangs bestimmt werden. Der Kollektorstrom soll 1 mA betragen, die
Raumladungszone des bergangs sei 0,1 m breit, und die Querschnittsflche betrage
200 m2.
Beachten Sie, dass nur derjenige Anteil der Elektronen in der Basis eine Rolle spielt, der
infolge Diffusion/Rekombination verschwindet, der also durch den Basisstrom, nicht durch
den Kollektorstrom charakterisiert ist.
Aufgabe 5.6 Verstrkung eines Transistors (zu Abschn. 5.2) **
a) Ein npn-Bipolartransistor hat eine Basisbreite von 2 m und eine Emitterbreite von
3 m. Zur Bestimmung der Diffusionslnge mssen Sie die Lebensdauer heranziehen diejenige der Lcher im Emittergebiet wird zu 10 ns angenommen. Wie gro ist die Stromverstrkung in einfacher Nherung gem (5.18)? Dotierungskonzentrationen: Emitter
1018 cm3, Basis 1016 cm3.
b) Wie gro wird , wenn es gelingt, die Lebensdauer auf 1 s zu erhhen? Beachten Sie,
dass dann die Breite des Emittergebiets eine Rolle spielt.
252
Aufgabe 5.7 Ebers-Moll-Gleichungen (zu Abschn. 5.3) ***
Berechnen Sie aus den Ebers-Moll-Gleichungen (5.35) und (5.36) den Emitterstrom und
den Kollektorstrom fr eine Emitter-Basis-Spannung von 0,6 V und eine Kollektor-BasisSpannung (Sperrspannung) von 3 V in einem npn-Silizium-Transistor. Die Designparameter sind:
Dotierungen NE = 3 1018 cm3, NB = 2 1017 cm3, NC = 1 1016 cm3; Diffusionslngen LE = 40 m, LB = 50 m, LC = 50 m; Basisbreite 1 m; Querschnittsflche
0,001 cm3. Die Diffusionskonstanten sind mit Hilfe von Abb. 2.12 ber die Beweglichkeiten auszurechnen.
Benutzen Sie von vornherein nur die Terme in den Ebers-Moll-Gleichungen, die einen
merklichen Beitrag liefern werden.
Aufgabe 5.8 Basisbreite aus geforderter Stromverstrkung (zu Abschn. 5.3) ***
Berechnen Sie die Basisbreite, die erforderlich ist, um in einem pnp-Silizium-Transistor eine
Stromverstrkung = 400 zu erzielen.
Dotierungen NE = 5 1017 cm3, NB = 1 1017 cm3; Diffusionslngen LE = 40 m, LB =
50 m.
Aufgabe 5.9 Stromverstrkung aus Kennlinienfeld (zu Abschn. 5.5) **
Ermitteln Sie aus dem (idealisierten) Kennlinienfeld der Abb. 5.21 die Stromverstrkungsfaktoren und .
140
IC / mA
120
Parameter: IB (Schrittweite 50 A)
100
80
60
40
20
0
0
0,5
1,5
2,5
3,5
4,5
5
UEC / V
Abb. 5.21 Kennlinienfeld

zu Aufgabe 5.9
Aufgabe 5.10 Verringerung der Basisbreite (zu Abschn. 5.5) ***
Fr Basis und Kollektor eines npn-Silizium-Transistors gelten folgende Substanzdaten:

Basisdotierung 3 1016 cm3; Kollektordotierung 2 1015 cm3, Basisbreite ohne uere
Spannung 1 m.
a) Berechnen Sie die Diffusionsspannung des Basis-Kollektor-bergangs.
b) Um welchen Betrag wird die Basisschicht schmaler, wenn sich die Kollektor-BasisSpannung von 0 auf 5 V ndert?
253
Aufgabe 5.11 Verschwinden der Basisbreite (zu Abschn. 5.5) ***
Ein npn-Transistor sei wie folgt dotiert: Emitter 1019 cm3, Basis 1017 cm3, Kollektor
1014 cm3. Die Basisbreite sei 5 m.
Berechnen Sie die Kollektor-Basis-Spannung, bei der die Raumladungszone des Kollektors
bis an die Raumladungszone des Emitters heranreicht. Die Emitter-Basis-Spannung betrage
0,9 V.
Aufgabe 5.12 Behandlung der Ebers-Moll-Gleichungen (zu Abschn. 5.5) **
Entwickeln Sie die hyperbolischen Funktionen in den Ebers-Moll-Gleichungen (5.35) und

(5.36) so, dass wieder die linearen Nherungen entstehen.
MATLAB-Aufgaben
Aufgabe 5.13 Kennlinienfelder in Emitterschaltung (zu Abschn. 5.5) *****
Berechnen Sie die Kennlinien eines Bipolartransistors in Emitterschaltung.

a) das Eingangskennlinienfeld der Emitterschaltung, jB als Funktion von UEB mit UEC
als Parameter nach 5.5.2 a),
b) das Ausgangskennlinienfeld der Emitterschaltung, jC als Funktion von UEC mit jB als
Parameter nach 5.5.2 b),
c) die Gleichstromverstrkung der Emitterschaltung, jC als Funktion von jB mit UEC als
Parameter nach 5.5.2 c),
d) das Rckwirkungskennlinienfeld der Emitterschaltung, UEB als Funktion von UEC mit
jB als Parameter nach 5.5.2 d).
Aufgabe 5.14 berlegungen zum Early-Effekt (zu Abschn. 5.5) *****
Der Early-Effekt bei einem Transistor beruht auf der Verkleinerung der Basisbreite durch
Ausdehnung der Raumladungsgebiete, vor allem des Basis-Emitter-bergangs, mit wachsender Sperrspannung. Wir wollen diesen Effekt zahlenmig nachweisen. Diese Aufgabe
ist etwas anspruchsvoller, und deshalb soll hier wenigstens eine kleine Hilfestellung gegeben werden.
Die einseitige Ausdehnung der Sperrschicht eines pn-bergangs ist in Abschn. 3 abgeleitet und in Aufgabe 5.10 angewendet worden. Wir wenden das in der Lsung zu dieser Aufgabe erhaltene Ergebnis auf die Vernderung der Basisbreite w wie folgt an:
w = w0 w = w0
20
NC
e N B ( NC + NB )
(U D U ) .
w0 ist die ursprngliche Basisbreite ohne uere Spannung.

Bei einer ausreichend hohen negativen (!) Spannung als Sperrspannung knnen wir UD
vernachlssigen und erhalten
w = w0
NC
z
20
U w0 1
U ,
2
e N B ( NC + N B )
w0
254
wobei
z=
2 0
NC
e N B ( NC + N B )
alle Vorfaktoren unter der Wurzel enthlt.

Die Stromverstrkung in Emitterschaltung ist demnach gegeben durch
DBn0B LE
DE n0E w
w0
= 0
w
1
z
1
U
w02
0 f (U ).
a) Tragen Sie die Korrekturfunktion
f (U ) =
1
z
1
U
w02
graphisch auf. Als Zahlenwerte knnen Sie verwenden:

w0 = 2, 23 104 cm, z = 7,6 104 cm 2 .
b) Bei welcher Spannung wird die Verstrkung unendlich (Polstelle der Funktion f (U))?
Dieser Effekt ist unerwnscht, da dann der Transistor durchbricht. Stellen Sie sich vor, Sie
wren fr das Design des Bauelements verantwortlich. Durch welche Manahmen knnten
Sie die Spannung, bei der die Polstelle auftritt, erhhen?
c) Die Korrekturfunktion hat einen Wendepunkt. In der Nhe des Wendepunktes lsst sie
sich nherungsweise durch eine Gerade beschreiben. Bestimmen Sie diese Gleichung der
Wendetangente und deren Schnittpunkt mit der x-Achse. Er gibt die Early-Spannung an.
Hinweis: Fr die Lsung dieser Aufgabe knnen Sie vorteilhaft die Symbolic Math
Toolbox von MATLAB verwenden.12 Definieren Sie zu Beginn symbolische Variablen mit
dem Befehl syms. Die Funktion f(U) knnen Sie graphisch mittels ezplot zeichnen lassen.
Mittels diff, taylor und solve lassen sich Ableitungen, Wendetangente und Schnittpunkt
mit der x-Achse ermitteln.
Selbstverstndlich kann man den Wendepunkt und den Schnittpunkt auch mit Bleistift
und Papier ohne MATLAB bestimmen!
Aufgabe 5.15 Filterfunktion eines Thyristors (zu Abschn. 5.7.2) ****
An einem Thyristor liegt eine Wechselspannung an, der Thyristor arbeitet als Gleichrichter
und lsst nur alle positiven Halbwellen durch. Nun soll ein Steuerspannungsimpuls so angelegt werden, dass nur noch 20 % der Leistung bertragen werden. In Abb. 5.22 ist die Situation erlutert. Wie gro ist der Phasenwinkel , um den der Zndimpuls vor dem Ende der
12 Diese
Toolbox gehrt jedoch nicht zum Grundumfang des MATLAB-Pakets. Die symbolischen Berechnungen, die in MATLAB mglich sind, stammen brigens aus dem Programmpaket MAPLE. In den neueren MATLAB-Versionen wird eine andere symbolische
Toolbox angeboten.
255
IG
t
I AK
0
Abb. 5.22 zu Aufgabe 5.15
Halbwelle einsetzen muss? Benutzen Sie die MATLAB-Funktion fzero zur Lsung der sich
ergebenden transzendenten Gleichung.
Testfragen
5.16
Erklren Sie qualitativ, wie die Stromverstrkung bei einem Transistor zustande
kommt.
5.17
Skizzieren Sie den ortsabhngigen Verlauf der Energie des Leitungs- und Valenzbandes eines npn- bzw. pnp-Transistors.
5.18
Warum eignet sich eine npn-Silizium-Struktur besser als Grundlage eines Bipolartransistors als eine pnp-Struktur?
5.19
Wie knnen Sie durch Einstellung der folgenden Designparameter die Stromverstrkung eines Transistors beeinflussen: a) Emitterdotierung, b) Basisdotierung,
c) Basisbreite.
5.20
Zeichnen Sie das Ersatzschaltbild eines Transistors nach Ebers und Moll und erklren Sie daran die Gleichungen fr den Emitterstrom jE und den Kollektorstrom jC.
5.21
Skizzieren Sie das Ausgangskennlinienfeld eines Transistors in Emitterschaltung.

Erklren Sie, welcher Zusammenhang zwischen diesen Kennlinien und der Kennlinie
einer Diode im Sperrbereich besteht.
5.22
Wodurch kommt der Early-Effekt zustande? Skizzieren Sie die Auswirkungen dieses Effekts auf das Ausgangskennlinienfeld der Emitterschaltung.
5.23
Welche Gren werden in den Kennlinienfeldern eines Transistors in Emitterschaltung blicherweise dargestellt? Skizzieren Sie die Darstellung in allen vier Quadranten.
5.24
Welche Schichtfolge besitzt ein Thyristor?
256
5.25
Wie sind die Elektroden eines Thyristors innerhalb der folgenden Bereiche gepolt:
Sperrbereich, Vorwrtsbereich, Flussbereich? Welche pn-bergnge sind in diesen
Bereichen jeweils in Sperrrichtung und welche in Durchlassrichtung geschaltet?
5.26
Welche physikalische Ursachen sind fr die Zndung, welche fr das Lschen eines
Thyristors verantwortlich?
5.27
Skizzieren Sie die Kennlinie eines Thyristors und eines Triacs.
Metall-Halbleiter-Kontakte
und Feldeffekt-Transistoren
Metall-Halbleiter-Kontakte sind in vielfacher Hinsicht wichtig: Sie stellen

die Stromzufhrung zu Bauelementen sicher dann mssen es rein Ohmsche Kontakte sein. Weiterhin bilden sie die Basis gleichrichtender Bauelemente, der Schottky-Dioden. Die wichtigste Anwendung finden sie
jedoch in den Feldeffekt-Transistoren, die heute die am weitesten verbreiteten steuernden Bauelemente sind. Feldeffekt-Transistoren werden als diskrete Bauelemente vor allem in der Leistungselektronik eingesetzt, und sie
stellen die berwiegende Zahl der Bauelemente in integrierten Schaltungen.
6.1 Metall-Halbleiter-Kontakte
6.1.1 SCHOTTKY-Dioden
Gleichrichtende Halbleiterbauelemente lassen sich nicht nur mit pn-Strukturen realisieren, sondern auch mit Metall-Halbleiter-bergngen. Dieser Wirkungsmechanismus wurde von Walter Schottky1 1938 erklrt, daher bezeichnet man solche
gleichrichtenden Dioden als Schottky-Dioden. Historisch gesehen waren sie
sogar die ersten verfgbaren Halbleiterbauelemente berhaupt.
Walter Schottky (18861976) dt. Physiker, Untersuchungen zur Vakuumelektronik

und zur Festkrperphysik. Geboren in Zrich, studierte in Berlin bei Max Planck und
Albert Einstein. Spter arbeitete er in Jena und Wrzburg und ab 1923 als Professor fr
Theoretische Physik in Rostock. Mehrere Zeitrume mit Arbeiten in den Siemens-Forschungslaboratorien in Berlin und in Pretzfeld (Oberfranken), insbesondere im Zeitraum
von 1927 bis 1958.

DOI 10.1007/978-3-642-20032-8, Springer 2011
257
258
6 Metall-Halbleiter-Kontakte und Feldeffekt-Transistoren
Vakuumniveau (Nullniveau)
e M
e H
e
EC
EF
EF
e M
e B
eU D
EV
EC
EF
EV
Metall
n-Halbleiter
Metall
n-Halbleiter
Abb. 6.1 Energiebnderschema fr einen Metall-Halbleiter-bergang. (a) Metall und

Halbleiter isoliert, (b) in Kontakt im thermodynamischen Gleichgewicht. Es wurde ein nHalbleiter gewhlt
Die Wirkungsweise eines Metall-Halbleiter-bergangs lsst sich am besten mit

Hilfe des Energiebnderschemas (Abb. 6.1) erklren:
In jedem Festkrper, ob Metall oder Halbleiter, sind Elektronen mit einer ganz
bestimmten Energie gebunden. Sie muss beispielsweise aufgewendet werden,
wenn man ein Elektron dem Kristallverband entreien will. Das kann bei der Emission von Elektronen ins Vakuum, zum Beispiel in der Bildrhre eines Computeroder Fernsehbildschirms, erforderlich sein. Die hierfr (bei T = 0 K) mindestens
erforderliche Energie bezeichnet man als Austrittsarbeit, das Potential der freien
Elektronen als Vakuumniveau. Zu jedem Material, ob Metall oder Halbleiter,
gehrt eine ganz spezifische Austrittsarbeit. Exakt wird sie als Energiedifferenz e
zwischen Vakuumniveau und Fermi-Energie definiert. In einem Metall setzen
genau am Fermi-Niveau die besetzten Energiezustnde ein. Bei einem Halbleiter
gibt es jedoch am Fermi-Niveau in der Regel keine Energiezustnde, womit die
gedankliche Vorstellung einer Austrittsarbeit hier wenig Sinn hat. Deshalb definiert man noch eine zweite Gre, die so genannte Elektronenaffinitt e, das ist
die Differenz zwischen Vakuumniveau und Leitungsbandrand. Diese Gre stellt
die Energie dar, die erforderlich ist, um ein Elektron aus dem Leitungsband freizusetzen.
In Tabelle 6.1. werden Beispiele fr Austrittsarbeiten und Elektronenaffinitten
verschiedener Materialien aufgefhrt. Vergleichen Sie die Gre der Elektronenaffinitten mit der von Eg : Die Elektronenaffinitten sind etwa um einen Faktor 3
bis 7 grer.
Im Normalfall sind Metall und Halbleiter getrennt. Dieser Fall wird in Abb. 6.1a
dargestellt, die Austrittsarbeiten sind eingezeichnet. Was passiert nun, wenn beide
Materialien in engen Kontakt gebracht werden?
Wir nehmen dazu an, es handele sich um einen n-Halbleiter, und die Austrittsarbeit des Metalls sei grer als die des Halbleiters. Da sich die Elektronen im Leitungsband des Halbleiters auf einem hheren Potential befinden, werden sie
zunchst zum Metall bertreten, gleichzeitig lassen sie nahe der Trennflche die
positive Raumladung der Donatorrmpfe zurck. Dadurch passiert jetzt dasselbe
259
Tabelle 6.1. Austrittsarbeiten und Elektronenaffinitten verschiedener Materialien

Material
Austrittsarbeit/Elektronenaffinitt
Gold (Au)
e = 5,1 eV
Aluminium (Al)
4,28 eV
Silber (Ag)
4,26 eV
Zum Vergleich: Wasserstoffatom
13,6 eV
Silizium
e = 4,01 eV
Germanium
4,13 eV
Galliumarsenid
4,07 eV
wie auf der n-Seite eines pn-bergangs der Bandrand wird angehoben
(Abb. 6.1b). Im Metall dagegen geschieht nichts. Die wenigen zustzlichen Elektronen, die zur riesigen Menge der Metallelektronen noch hinzukommen, bewirken
fast keine nderung. Am Ende stellt sich ein Gleichgewicht so ein, dass berall im
Metall und im Halbleiter das Fermi-Niveau auf derselben Hhe liegt. Das bedeutet
jedoch, dass im gesamten Halbleiter, auer an der bergangsstelle, alle Energien
nach unten gezogen werden. Whrend vor dem Zusammenbringen der beiden
Materialien die Fermi-Energien um e e auseinander lagen, fallen sie jetzt
zusammen, dafr wird am Rand des Halbleiters eine Barriere aufgebaut. Die Bandrnder hngen demnach vom Ort x ab, es ist Ec = Ec(x). Die Barrierenhhe UD
kann deshalb wie bei einem pn-bergang durch die Diffusionsspannung ausgedrckt werden. Mit Hilfe von Abb. 6.1 kann man nachprfen, dass eUD = e
eH ist.
Auf der Halbleiterseite hat die Barriere die Hhe eUD, auf der Metallseite aber
die Hhe eB = e e. Die Elektronen, die vom Metall zum Halbleiter bertreten, haben eine grere Barriere zu berwinden als diejenigen, die vom Halbleiter
zum Metall bertreten.
Fr den halben Kontakt auf der Halbleiterseite der Schottky-Diode gilt, was
schon fr den halben pn-bergang abgeleitet wurde: Um die Ausdehnung der
Raumladungszone zu finden, modellieren wir unseren Metall-Halbleiter-bergang
durch einen p+n-bergang. Bei diesem ist die Akzeptorkonzentration des pGebiets viel grer als die Donatorkonzentration des n-Gebiets. Diese Annahme
passt auch in unserem Fall, und so erhalten wir aus (3.15)
b=
20
e
1
UD U .
ND
(6.1)
Wie fr den p+n-bergang erhalten wir auch eine Beziehung fr die Sperrschichtkapazitt:
Cs = A
e0
ND
.
2 (U D U )
(6.2)
260
Die dynamischen Verhltnisse sind jedoch nicht ganz so leicht zu bertragen.

Um den ber den bergang flieenden Nettostrom zu berechnen, berlegen wir
uns, dass die Elektronenkonzentration des Halbleiters ngr an der Grenzflche zum
Metall kleiner ist als im Halbleiterinnern. Wie blich ist sie durch den Ausdruck
ngr = N c e
Ec, gr EF
kBT
= Nce
eB
kBT
(6.3)
gegeben, wobei sie an der Kontaktstelle infolge des vergrerten Abstandes des
Bandrandes Ec,gr von der Fermi-Energie EF deutlich gegenber dem Halbleiterinnern gesunken ist.
Bei Anlegen einer Flussspannung wird das Band im Halbleiterinnern angehoben, dadurch verringert sich die Barriere auf der Halbleiterseite um einen Betrag
eU, das heit,
ngr (U ) = N c e
e ( B U )
kBT
= ngr e
eU
kBT
(6.4)
Wir knnen annehmen, dass der vom Halbleiter zum Metall flieende Elektronenstrom proportional zur Elektronendichte an der Barriere ist:
jH M = cngr (U );
(6.5)
c ist eine Konstante, die wir zunchst nicht genauer kennen.

ber den Strom in der umgekehrten Richtung, vom Metall zum Halbleiter, wissen wir lediglich, dass er immer konstant und unabhngig von U ist, denn die Barrierenhhe ndert sich vom Metall aus gesehen ja durch die angelegte Spannung
nicht. Im Gleichgewicht, also ohne angelegte Spannung, mssen sich beide Strme
die Waage halten. Es fliet kein Nettostrom, daher ist
jM H = jH M (U = 0) = cngr (U = 0).
(6.6)
Beim Vorhandensein einer ueren Spannung U liefert die Differenz von (6.5) und
(6.6) den Nettostrom
j = jHM jM H = c ngr (U ) ngr = cN c e
eB
kBT
eU
e kBT 1 .
(6.7)
Diese Gleichung hat dieselbe Gestalt wie die entsprechende Diodenkennlinie

fr pn-bergnge und kann geschrieben werden als
eU
j = js e kBT 1 .
(6.8)
261
Der Vorfaktor stellt auch hier wieder die Sttigungsstromdichte dar. Man kann zeigen, dass er pauschal wie folgt geschrieben werden kann wir wollen die Ableitung hier jedoch im Detail nicht nachvollziehen:
js = R T e
e B
kBT
(6.9)
Die Konstante R* heit Richardson-Konstante. Sie tritt auch bei anderen Prozessen auf, bei denen Elektronen eine Barriere berwinden mssen. Ihr Zahlenwert
liegt fr freie Elektronen bei R = 120 A cm2 K2.
Im Halbleiter muss diese Konstante durch die materialabhngige Gre R*
ersetzt werden (Tabelle 6.2.) Um eine annhernd richtige Grenordnung dafr zu
erhalten, muss R mit der effektiven Masse skaliert werden. Auerdem ist zu beachten, dass im Leitungsband mehrere Minima (Tler) existieren2. Diese Skalierung
trgt der Tatsache Rechnung, dass je nach Tlerzahl und effektiver Masse sich die
Elektronen (oder Lcher) mehr oder weniger stark am unteren Bandrand ansammeln und deshalb nicht so gut ber die Barriere kommen. Die Skalierungsvorschrift ist
me(h)
R = R
e(h) .
m0
(6.10)
Tabelle 6.2. Korrekturen zur universellen Richardson-Konstanten fr verschiedene

Halbleitermaterialien
Material
R*/R, skaliert nach Gl. (6.10)
Zum Vergleich: R*/R unter

Bercksichtigung der Anisotropie
(nach [Sze 1981])
n-Si
1,92
2,1 2,1
n-Ge
0,88
1,11 1,19
n-GaAs
0,066
0,06 1,2
p-Si
0,57
0,66
p-Ge
0,36
0,34
p-GaAs
0,54
0,62
In den blichen Halbleiter-Lehrbchern wird die Tlerzahl gewhnlich weggelassen.

Die Richardson-Konstante hngt in nicht ganz einfacher Weise von der Zahl der Leitungsbandminima und auch von der Kristallorientierung am bergang ab, die Tlerzahl
geht dort neben anderen Gren mit ein. Obige Beziehung liefert immerhin eine brauchbare Grenordnung zur Abschtzung von R*.
262
Es soll abschlieend noch erwhnt werden, dass unser Modell die Realitt nur
qualitativ beschreibt. Die Beziehung B = ist nmlich in den meisten Fllen nicht erfllt, wenn man von den Differenzen zwischen Austrittsarbeiten und
Elektronenaffinitten ausgeht, wie sie in Tabelle 6.1. dargestellt sind. Das liegt
daran, dass an der Grenzflche in der Regel zahlreiche Oberflchenniveaus vorhanden sind, die viele Elektronen festhalten knnen. Dadurch wird das FermiNiveau auf einem Wert von (2/3)Eg festgehalten, so dass die Hhe der Potentialbarriere auf der Halbleiterseite nahezu unabhngig von der Art des Metalls ist.
Zwei wichtige Unterschiede gegenber dem pn-bergang sollen herausgestellt
werden:
1. Bei sonst gleichen Substanzdaten (Donatordotierung, Geometrie) ist der Sperrstrom (Sttigungsstrom) einer Schottky-Diode grer als der an einem normalen pn-bergang (siehe bungen).
2. Der Sttigungsstrom besteht im Gegensatz zur Halbleiterdiode aus Majorittstrgern.
Obwohl wir hier stets von n-Halbleitern gesprochen haben, treffen alle Aussagen aber auch sinngem fr p-Halbleiter zu.
Schottky-Dioden haben gegenber pn-Dioden mehrere Vorteile. Unter anderem ist die Diffusionskapazitt vernachlssigbar, da der Strom nicht von Minorittstrgern gebildet wird. Daher knnen sie schneller schalten, so dass sie fr die
Mikrowellentechnik interessant sind.
In den letzten Jahren werden Schottky-Dioden auf Basis von SiC als Leistungshalbleiter angeboten. Dieses Material hat eine hhere Durchbruchfeldstrke,
eine hhere Schottky-Barriere und eine sehr hohe Wrmeleitfhigkeit (Sie ist mit
der von Kupfer vergleichbar!). Auf diese Weise sind hohe Stromdichten mglich,
die Anwendungen als Schaltnetzteile mit geringeren Schaltverlusten und hheren
Schaltfrequenzen erlauben, ohne dass Khlkrper und Lfter erforderlich sind. Die
maximale Sperrspannung in Bauelementen aus Silizium liegt bei ca. 200 V, in
GaAs bei ca. 250 V und in SiC sogar bei 300 bis etwa 3500 V.
6.1.2 OHMsche Kontakte
Bei Ohmschen Kontakten mchte man eine Gleichrichtung unbedingt vermeiden,

somit ist die bei Schottky-Dioden vorhandene Potentialbarriere berhaupt nicht
erwnscht. Infolgedessen sind die Materialien so auszuwhlen, dass an den Kontaktflchen keine Barriere entstehen kann. Falls die Austrittsarbeit des Metalls
kleiner ist als die Elektronenaffinitt des Halbleiters, sind die Verhltnisse gerade
umgekehrt als in Abb. 6.1. Der Leitungsbandrand wird jetzt an der Grenzflche
nach unten verbogen, das Fermi-Niveau liegt dann nahe der Grenzflche sogar im
Leitungsband. Damit tritt an dieser Stelle kein abrupter bergang mehr auf, und
das System leitet im Gegensatz zur Schottky-Barriere in beiden Richtungen
gleich gut.
6.2 Einfhrung in Feldeffekttransistoren
263
Leider lsst sich jedoch die soeben beschriebene Situation wegen der auch hier
wieder strenden Oberflchenzustnde nicht immer verwirklichen, so dass man auf
eine andere Lsung zurckgreifen muss. Diese besteht darin, den Halbleiter in
einem Bereich nahe der Oberflche sehr stark zu dotieren. Dadurch wird die Breite
der Sperrschicht (sie ist gem (6.1) umgekehrt proportional zur Wurzel aus der
Dotierungskonzentration!) immer kleiner. Wenn sie hinreichend schmal ist, kann
sie von den Elektronen durchtunnelt werden und stellt nun kein Hindernis mehr
dar. Dieser Effekt setzt bei einer Dotierung von etwa 1018 cm3 ein.
Zusammengefasst gibt es demnach zwei Mglichkeiten, gleichrichtende Kontakte
zu vermeiden: Entweder man whlt ein Halbleitermaterial so, dass dessen Leitungsbandrand tiefer liegt als das Fermi-Niveau des Metalls, oder man dotiert den Halbleiter so stark, dass die Potentialbarriere sehr schmal wird und leicht in
Sperrrichtung durchtunnelt werden kann.

6.2.1 Die verschiedenen Typen von Feldeffekttransistoren
Feldeffekt-Transistoren sind Halbleiterbauelemente, bei denen der Strom durch ein

elektrisches Feld gesteuert wird. Sie arbeiten deshalb im Gegensatz zum Bipolartransistor leistungslos. Es gibt mehrere Typen von Feldeffekt-Transistoren. Das
Grundprinzip des wichtigsten, des Metall-Isolator-Feldeffekt-Transistors (metal
isolatorsemiconductor field effect transistor, abgekrzt MISFET) wird anhand der
folgenden Skizze (Abb. 6.2) deutlich. Die Anordnung MetallelektrodeHalbleiter
stellt dabei einen Kondensator dar. Ohne die Isolationsschicht htten wir es einfach
mit einem Ohmschen Kontakt beziehungsweise einer Schottky-Diode zu tun. Bei
diesem Typ von Feldeffekt-Transistor kommt noch die isolierende Schicht dazwischen. Die Potentialverhltnisse sind aber in vieler Hinsicht hnlich, deshalb bietet
Gate (Steuerelektrode)
Metall oder Poly-Si
Kanal
Source
Isolator (SiO2)
Drain
Strom n+
n+
p-Substrat
Halbleiter
Abb. 6.2 Prinzipieller Aufbau eines MIS-Feldeffekt-Transistors (NMOS)
264
sich die Behandlung der Feldeffekt-Transistoren jetzt an, nachdem wir gerade den
Schottky-Kontakt kennengelernt haben.
Durch Anlegen einer Steuerspannung an die Steuerelektrode, das so genannte
Gate (Tor), sammeln sich auf der gegenberliegenden Seite der Isolationsschicht
im Halbleiter, wie bei einem Kondensator, Ladungen an. Der einzige Unterschied
besteht darin, dass die Ladungen im Halbleiter nicht wie im Metall nur an der
Oberflche sitzen, sondern sich ein Stck in das Halbleiterinnere hinein erstrecken.
Diese Ladungen bewirken, dass sich in der Halbleiterschicht zwischen den beiden
Elektroden (Source und Drain) die Leitfhigkeit erhht. Damit kann der Strom, der
zwischen Source und Drain fliet, leistungslos gesteuert werden. Die leistungslose
Steuerung stellt einen groer Vorteil gegenber dem Bipolartransistor dar.
Die Gate-Elektrode wurde ursprnglich aus Aluminium gefertigt, in der modernen Halbleitertechnologie wird sie in der Regel aus hoch dotiertem polykristallinem Silizium (Polysilizium) hergestellt. Die Isolationsschicht wird durch
Siliziumdioxid (SiO2) realisiert. Daher bezeichnet man diesen Transistortyp auch
als MOSFET (engl. metaloxidsemiconductor field effect transistor).
Polysilizium ist ein im Gegensatz zu einkristallinem Silizium sehr gut leitendes
Material; Ursache fr die Leitfhigkeit sind die zahlreichen Ladungszustnde an
den Grenzen der Kristallite (den so genannten Korngrenzen). Seine Leitfhigkeit
wird durch die hohe Dotierung noch verbessert. Im Gegensatz zu Metallen lsst es
sich hervorragend in die Siliziumtechnologie integrieren. Die n+-Gebiete von
Source und Drain werden durch Diffusion in das Substrat hergestellt dieser Prozess wird im Kap. 7 noch genauer erlutert. In Abb. 6.2 ist ein MOSFET auf der
Basis eines p-leitendem Substrats dargestellt, der Kanal ist dann n-leitend, wie wir
spter noch sehen werden. Solche Feldeffekttransistoren heien deshalb NMOS. In
den meisten Fllen bentigt man auch die dazu komplementre Struktur, bei der
sich p+-Elektroden auf n-Substrat befinden (PMOS). Sie wird erzeugt, indem in
das p-Substrat zunchst eine Wanne aus n-Material eingebracht wird, auf der dann
die Source-, Drain und Gate-Anschlsse angefgt werden.
Das Prinzip des Feldeffekt-Transistors wurde bereits 1931 durch Lilienfeld3
in einem US-Patent vorgeschlagen, also noch vor der Entwicklung des Bipolartransistors. Lange Zeit jedoch scheiterte die Realisierung daran, dass die Technologie
nicht ausreichend entwickelt war. Erst im Jahre 1952 gelang auf Grund von berlegungen von Shockley die Entwicklung eines anderen Typs von Feldeffekttransistor, des Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors (junction FET, JFET) (Abb. 6.3). Er
kommt ohne Oxidschicht aus und verwendet stattdessen die Raumladungszone
Julius Edgar Lilienfeld (18811963), dt.-amerik. Physiker, studierte in Leipzig und

wanderte 1920 in die USA aus. Arbeiten zur Verflssigung von Wasserstoff, u. a. zum
Fllen der Zeppeline. Arbeiten zu Elektrolytkondensatoren und zu Festkrpergleichrichtern. Zahlreiche Patente. Von der amerikanischen physikalischen Gesellschaft APS wird
seit 1988 der Lilienfeld-Preis verliehen for outstanding contributions to physics by a single individual who also has exceptional skills in lecturing to diverse audiences. [APS
2002]
265
Raumladungsgebiete
p+
Source
Drain
Strom
p+
Abb. 6.3 Prinzipieller Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors
zwischen zwei p+n-bergngen als steuerndes Element. Wie wir wissen, ist die
Raumladungszone an einem pn-bergang je nach angelegter Spannung unterschiedlich breit. Am unsymmetrischen pn-bergang liegt sie vorwiegend im
Bereich des niedriger dotierten Gebiets, hier also des n-Gebiets. Sie vergrert sich
mit grer werdender Sperrspannung. Je hher die Sperrspannung, desto weiter
erstreckt sich die Raumladungszone ins n-Gebiet, desto schmaler wird demanch
die Flche zwischen den beiden Steuerelektroden, die fr den Strom zwischen
Source und Drain zur Verfgung steht. Die Steuerung ist auch hier rein leistungslos.
Die ersten MOSFETs wurden kommerziell Mitte der 60er Jahre angeboten.
Heute beherrscht man im Gegensatz zur Frhzeit der Halbleiterentwicklung die
Technologie der Grenzflchen hervorragend, so dass Feldeffekttransistoren sowohl
als diskrete Bauelemente als auch als Bestandteil von integrierten Schaltungen viel
hufiger als Bipolartransistoren eingesetzt werden. Da mit der MOS-Technik insbesondere sehr kleine Strukturen realisiert werden knnen, erreicht man damit
hchste Integrationsdichten. Derzeit wird mit Integrationsstrukturen deutlich unter
100 nm gearbeitet. Neben der kompakten Bauweise sind die uerst geringe Leistungsaufnahme und die hohe Arbeitsgeschwindigkeit noch weitere Vorteile.
Aber nicht nur als Transistoren, sondern auch als Widerstnde, Kondensatoren,
Speicher und Bildaufnahmeelemente (zum Beispiel in CCD-Kameras) finden
MOS-Strukturen Verwendung.
Wenn man wei, dass sich pn-bergnge fr ein steuerndes Bauelement verwenden lassen, so kommt man leicht auf die Idee, in einer hnlichen Konfiguration
auch zwei Metall-Halbleiter-bergnge, also Schottky-Kontakte, zu verwenden.
Auch diese Idee wurde schlielich realisiert. Die Bauelemente sind als MetallHalbleiter-Feldeffekttransistoren (metal semiconductor field effect transistor,
MESFET) bekannt und werden vor allem auf Galliumarsenid-Basis hergestellt. Ihr
Aufbau und ihr physikalisches Verhalten hnelt dem der MOSFETs sehr, es fehlt
lediglich die Oxidschicht am Gate.
JFET, MESFET und MOSFET sind die drei typischen MOS-Technologien
(Abb. 6.4). Hufig wird der Name MOSFET stellvertretend fr alle Bauelemente
mit Metall-Halbleiter-Sperrschichten benutzt. In den nchsten Abschnitten werden
wir die wichtigsten Vertreter, die MOS-Strukturen, genauer kennenlernen.
266

FET
NIGFET
(nichtisoliertes Gate)
JFET
(Junction FET)
MOSFET
= IGFET
a
= MISFET
MISFET*)
(isoliertes Gate)
MESFET
(MetallHalbleiter-FET)
Abb. 6.4
Zusammenstellung der
verschiedenen MOS-Technologien.
a
Die Bezeichnung MISFET ist gebruchlich, wenn die Isolationsschicht nicht aus SiO2,
6.2.2 Einfaches Modell
Das hier beschriebene einfache Modell, das so genannte Ladungssteuerungsmodell, beschreibt die Arbeitsweise der Feldeffekttransistoren in erster Nherung.
In dieser Nherung ist es fr nahezu alle Typen in hnlicher Weise gltig. Wir stellen es zunchst in den Grundzgen fr den wichtigsten Vertreter, den MOSFET,
vor; in den nchsten Abschnitten werden wir es fr dieses Bauelement noch detaillieren.
Entscheidend fr das Funktionieren eines Feldeffekttransistors ist, dass zwischen Source und Drain lngs der Oberflche ein leitender Kanal vorhanden ist. Er
entsteht durch induzierte Ladungen, die durch die am Gate anliegende Spannung
UG auf der gegenberliegenden Seite der Isolationsschicht im Halbleiter induziert
werden Eine zwischen Source und Drain angelegte Spannung fhrt jetzt zu einem
Feldstrom zwischen diesen beiden Kontakten.
Fr die weiteren berlegungen treffen wir nun folgende Annahmen:
1 Der Strom im Kanal ist ein reiner Feldstrom, der komplett von einer Sorte von
Ladungstrgern getragen wird, Diffusionsstrme sind hier im Gegensatz zu den
Bipolartransistoren vernachlssigbar.
2 Das elektrische Feld in Richtung des Kanals (x-Richtung) ndert sich nur sehr
schwach im Gegensatz zum elektrischen Feld senkrecht zum Kanal.
Solange die Drain-Source-Spannung UDS klein ist, wird die induzierte Ladung
und damit auch die Kanalbreite berall gleich sein. Auch der Widerstand ist dann
an jeder Stelle im Kanal der gleiche, und der Strom proportional zu UDS. Mit
wachsendem Strom erhht sich jedoch der Spannungsabfall im Kanal und damit
hngt die Potentialdifferenz zwischen Gate und Kanal vom Ort x ab. Die Potentialdifferenz in y-Richtung, also senkrecht zum Kanal, wird um so grer, je nher
man von der Source- zur Drain-Elektrode kommt, die Kanalbreite verringert sich
entsprechend. Der Leitwert wird dadurch an diesen Stellen kleiner. Folglich steigt
der Strom jetzt mit wachsender Drain-Source-Spannung langsamer an als am
Anfang.
267
Diese berlegungen sollen jetzt zu einer Kennliniengleichung fhren: Am Ort x

des Kanals entsteht innerhalb eines schmalen Streifens der Breite x die Ladung
Q, die ber die Kapazitt des Gate-Kondensators CG mit der Spannung wie
folgt zusammenhngt (Abb. 6.5):
Q ( x) = CG ( x) (U G U ( x) ) = CG
x
(U G U ( x) ) ,
L
(6.11)
L ist die Lnge der Strecke zwischen Source und Drain.

Die Spannung UG U(x) zwischen Gate und Halbleiter ist vom Ort x abhngig,
das Potential zwischen Source und Drain steigt von 0 V bei x = 0 auf UDS bei x = L
an. Der Bezugswert der Gatespannung ist das Source-Potential.
Wenn die induzierte Ladung aus Elektronen besteht was wir spter in
Abschn. 6.3 noch zeigen werden , dann entspricht ihr im Volumenelement V =
Ax (A ist die Querschnittsflche des Kanals) eine Teilchenkonzentration
n( x ) =
C
1 Q ( x ) 1 Q
=
= G (U G U ( x) ) .
e V
e Ax eAL
(6.12)
Das ist nun genau die Elektronenkonzentration, die fr den elektrischen Strom zwischen Source und Drain zur Verfgung steht. Da sie vom Ort abhngt, ist auch die
Leitfhigkeit ortsabhngig, und es wird global kein Ohmsches Gesetz mehr gelten.
Wir knnen es nur fr differentiell kleine Wegstckchen dx ansetzen,
I dR = dU ,
(6.13)
und den Gesamtwiderstand als Reihenschaltung der einzelnen Widerstandselemente dR berechnen. Die linke Seite von (6.13) formen wir um, wir drcken die
Leitfhigkeit wie gewohnt durch das Produkt aus Beweglichkeit und Teilchenkonzentration aus und setzen (6.12) ein,
leitfhiger Kanal
(Querschnittsflche A)
Source
Metall
Drain
w (nach hinten)
Isolator
U G U(x)
L
Halbleiter
0V
U(x)
U DS
D
G
Abb. 6.5 Feldeffekttransistor mit leitfhigem Kanal (Prinzipdarstellung hier am Beispiel

eines n-Kanal-MOSFET). Rechts: Schaltsymbol; ein weiterer Anschluss zwischen S und D
kann fr die Darstellung des Substratanschlusses benutzt werden
268
I dR = I
dx
dx
L dx
= I
=I
.
A
ee n( x) A
e CG (U G U ( x) )
(6.14)
Das Minuszeichen taucht auf, weil der elektrische Strom in negativer x-Richtung
fliet. Die Querschittsflche A, deren Gre auch vom Ort x abhngt, ist zum
Glck herausgefallen. Die Beweglichkeit ist an der Grenzflche des Halbleiters
geringer als im Halbleiterinnern, da die Elektronen an dieser Flche hufig gestreut
werden. Sie hngt genau genommen auch vom Abstand y von der Halbleiter-Isolator-Grenzflche ab, wir setzen jedoch zur Vereinfachung einen mittleren Wert e
ein.
Jetzt ist eine Differentialgleichung entstanden, die wir nach dem Sortieren der
einzelnen Beitrge durch Trennen der Variablen lsen. Dabei nehmen wir U(x) =
Ux als Integrationsvariable:
L
I dx =
0
eCG
L
U DS
(UG U x ) dU x .
(6.15)
Wir erhalten schlielich den folgenden Zusammenhang zwischen Strom und

Drain- beziehungsweise Gatespannung,
C
1 2
I = e G U GU DS U DS
,
2
2
(6.16)
also die Strom-Spannungs-Kennlinie des Bauelements. Da zwischen Gate und

Substrat kein Strom fliet, ist der Feldeffekt-Transistor ein rein spannungsgesteuertes Bauelement.
Der leitfhige Kanal bildet sich aber tatschlich erst oberhalb einer gewissen
Schwellspannung Uth (Index th von threshold), die zu seiner Bildung berwunden sein muss; dadurch wird die Gleichung noch modifiziert und erhlt die
Form
I=
eCG
1 2
(U U th )U DS U DS
,
2 G
2
(6.17)
Hufig benutzt man statt CG die Kapazitt pro Gateflche c = CG /(w L) und
bekommt dann eine skalierbare Gleichung, die zwei typische Lngenparameter w
und L enthlt, welche beide im technologischen Prozess eingestellt werden knnen,
I = ec
1 2
w
(U G U th ) U DS U DS ,
2
L
(6.18)
w ist die Breite der Gateflche (in Abb. 6.5 senkrecht zur Papierebene) und L ihre
Lnge.
269
Durch gleichzeitiges Verkleinern von Breite w und Lnge L ndern sich die Verstrkungseigenschaften eines MOS-Transistors nicht (Skalierung). Diese Tatsache ist
ein groer Vorzug der MOS-Technologie. Sie erlaubt den bergang zu immer kleineren Abmessungen, ohne dass jedesmal das gesamte Design prinzipiell verndert
werden muss.
Die durch (6.18) beschriebene Kennlinienschar hngt quadratisch von UDS ab,
sie ist in Abb. 6.6 dargestellt4 bei Bipolartransistoren hatten wir dagegen eine
exponentielle Abhngigkeit gefunden. Diese Beziehung gilt aber bestenfalls, bis
UDS = UG erreicht ist, oberhalb dieses Wertes ist nmlich die Kondensatorspannung null, und es kann sich auf der Halbleiterseite demzufolge keine Ladung mehr
bilden. Die Voraussetzung fr die Leitfhigkeit entsprechend dem Ohmschen
Gesetz, wie oben angenommen, gilt dann nicht mehr. Von diesem Wert an sind die
Kennlinien nherungsweise konstant, der Sttigungsstrom ergibt sich aus dem
Maximalwert von UDS:
Is = e c
w 1
2
(U G U th ) .
L 2
(6.19)
Warum erhht sich denn nun eigentlich der Strom in einem MOS-Transistor bei
Erhhung der Gate- oder der Drain-Spannung? Man sieht das am besten anhand
e CG w
12
L
(in V 2 )
UG = 5 V
Sttigungsgebiet
10
UG = 4 V
8
6
UG = 3 V
4
UG = 2 V
UG = 1 V
0
0
UDS (in V)
Abb. 6.6 Kennlinienschar eines Feldeffekttransistors in quadratischer Nherung gem

(6.18) und (6.19). Gestrichelt: Grenze des Sttigungsgebiets (UDS = UG Uth); die
Schwellenspannung Uth wurde hier als Null angenommen.
4
Diese Kurvenschar berechnen wir in Aufgabe 6.8 mit einem MATLAB-Programm.
270
des differentiellen Ohmschen Gesetzes IdR = dU (6.13): Eine Vergrerung des

Potentialgradienten infolge Erhhung der Drain-Source-Spannung drckt sich als
ein grerer Wert von dU aus, demzufolge wird auch der Strom I grer. Wenn
andererseits die Gatespannung erhht wird, so drckt sich das in einer Erhhung
der Elektronenladungsdichte im Kanal aus, wodurch dann die Leitfhigkeit grer
und damit der differentielle Widerstand dR kleiner wird. Bei konstant gehaltenem
dU kann sich dann der Strom vergrern.
Das eben beschriebene Ladungssteuerungsmodell (engl. charge control model)
wird spter fr den MOSFET noch modifiziert. Der Stromfluss wirkt sich nmlich
wiederum auf die Ladungstrgerkonzentration aus, was zu einer Modifikation der
Gleichungen fhrt. Diese Verfeinerungen betrachten wir in einem der folgenden
Abschnitte.
6.3 Detailliertere Beschreibung des MOSFET

6.3.1 Ladungszustnde eines MOS-Kondensators
Bevor wir zur detaillierten Erklrung der Verstrkungswirkung des MOS-Transistors kommen, wollen wir die Arbeitsweise der Metall-Isolator-Halbleiterstruktur
allein betrachten. Diese Schicht stellt einen Kondensator dar (Abb. 6.7). Er findet
weniger als eigenstndiges Bauelement sondern vornehmlich als Steuerelement
(nmlich als die Gate-Substrat-Schicht) in einem MOS-Transistor Verwendung.
Darber hinaus wird er als Steuerelement von MOS-Thyristoren und als Speicherelement in Speicherbausteinen (EPROMs) eingesetzt. MOS-Kondensatoren bilden
auch die Grundlage von CCD-Bildsensoren.
Der Metallkontakt wird aus Aluminium oder polykristallinem Silizium gefertigt, das ebenfalls metallisch leitet. Die Isolationsschicht ist gewhnlich Siliziumdioxid; dieses Material ist ein perfekter Isolator. Seine Schichtdicke liegt bei
0,1 m oder darunter. In letzter Zeit wird zunehmend auch Siliziumnitrid (Si3N4)
eingesetzt. Die angrenzende Halbleiterschicht nehmen wir als hinreichend dick
und homogen dotiert an.
Das Verhalten eines MOS-Kondensators beim Anlegen einer Spannung hngt
zunchst einmal davon ab, ob es sich um einen n- oder einen p-Halbleiter handelt.
Wie in den meisten Lehrbchern blich, whlen wir auch hier als Beispiel einen
Poly-Silizium
Isolator
Halbleiter
Abb. 6.7 Aufbau eines MOS-Kondensators (idealisiert)
271
p-Halbleiter. Die Situation lsst sich anschlieend ziemlich leicht auf den Fall des
n-Halbleiters bertragen. Die mglichen Ladungszustnde des MOS-Kondensators
sind abhngig vom Vorzeichen und von der Hhe der ueren Spannung. Danach
lassen sich qualitativ drei verschiedene Flle unterscheiden (Abb. 6.8).5
a
Isolator
Metall
Halbleiter
Akkumulation
EC
EF
eU
EF
EV
+
Elektrisches Feld
b
EC
EF
EV
eU
EF
Verarmung
c
EC
EF
EV
eU
EF
Inversion
Abb. 6.8 MOS-Kondensator bei negativer

Vorspannung (a) und bei positiver Vorspannung (b und c). Anstelle des Metalls wird in
der Praxis Poly-Silizium eingesetzt
Die Anordnung ist jetzt gegenber den berlegungen im vorigen Abschnitt um 90

gedreht.
272
(a) Akkumulation (accumulation)

Wenn das Metall gegenber dem Halbleiter negativ vorgespannt ist (Abb. 6.8a),
sammeln sich an der dem Metall gegenberliegenden Kondensatorplatte, also
am Rande des Halbleiters, positive Ladungstrger, whrend die Elektronen ins
Halbleiterinnere abgedrngt werden. Der Rand des Halbleiters nahe der Isolationsschicht ist also insgesamt positiv geladen. Diese positive Ladung beziehungsweise
das elektrische Feld bewirkt, wie auch am Schottky-Kontakt oder am pn-bergang, dass die Bnder und das Ferminiveau im Halbleiterinneren um den Betrag
eU absinken. In der Nhe der Isolationsschicht sind die Bnder nach oben verbogen, und ganz unmittelbar an der Grenzflche behalten sie ihren Wert, den sie auch
ohne ueres elektrisches Feld haben wrden.
(b) Verarmung (depletion)
Wir gehen jetzt zum anderen Fall ber, bei dem das Metall eine (zunchst nicht
sehr hohe) positive Vorspannung erhlt (Abb. 6.8b). Am Halbleiter liegt dann das
negative Potential. Dadurch werden nun die Lcher aus der Grenzschicht weggesaugt, und die Bnder werden im Halbleiterinnern relativ zur Grenzflche nach
oben gezogen. Das Ferminiveau im Halbleiter liegt jetzt hher als im Metall. Da
die Lcher bei einem p-Halbleiter Majorittstrger sind und von Akzeptoren herrhren, bleiben in der Nhe der Grenzflche die negativen Rmpfe brig. Der Beitrag von Leitungsbandelektronen zur negativen Raumladung an der Grenzschicht
bleibt zunchst noch vernachlssigbar.
(c) Inversion (inversion)
Bei strker positiver Vorspannung des Metalls und negativer Vorspannung des
Halbleiters (Abb. 6.8c) heben sich die Bnder im Halbleiterinneren noch weiter an,
und es knnen jetzt nicht nur Lcher weg-, sondern auch merklich viele Elektronen
zur Grenzschicht hinstrmen. In diesem Falle kommt zur negativen Raumladung
der Akzeptoren noch die ebenfalls negative Raumladung der Elektronen hinzu.
Diese Situation bezeichnet man als Inversion. Fr den Beginn der Inversion gibt es
aber eigentlich keine scharfe Grenze.
Als Inversionsbedingung (oder genauer: Bedingung fr starke Inversion) definiert
man die Situation an einem MOS-Kondensator, bei der die Elektronenkonzentration an der Grenze zum Isolator gerade so gro ist wie im Innern des Halbleiters die
Konzentration der Lcher.
Die Inversionsbedingung lautet als Formel

ngr = p N A .
(6.20)
Die Lcherkonzentration im Unendlichen p ist dabei durch die Akzeptorkonzentration NA festgelegt, p = NA.
273
6.3.2 Quantitative Betrachtung der Inversionsbedingung
Um welchen Betrag sind Leitungs- und Valenzband an der Grenzflche zum Isolator verbogen, wenn Inversion einsetzt?
Wir stellen uns vor, dass die Bandverbiegung durch ein ortsabhngiges elektrisches Potential (y) verursacht ist. (Die y-Achse soll senkrecht zur Oberflche ins
Innere des Halbleiters weisen, whrend die x-Achse eines Feldeffekttransistors in
Richtung von Source zu Drain zeigt.)
Die Fermi-Energie bleibt im Gleichgewicht selbstverstndlich ber den gesamten Halbleiter konstant. Bereits frher (Abschn. 2.4.8, Gleichungen (2.83) und
(2.84)) hatten wir den Abstand der Bandrnder von der Fermi-Energie durch die so
genannten chemischen Potentiale ausgedrckt. Fr eine beliebige Position y gilt
*e ( y ) = EF Ec ( y ) ,
(6.21)
*h ( y ) = Ev ( y ) EF .
(6.22)
Aus Abb. 6.9 sieht man, dass sich mit ihrer Hilfe jetzt die Gre e(y) sehr
bequem ausdrcken lsst:
e ( y ) = Eg *e ( y )
h .
(6.23)
Fr die technologische Charakterisierung sind die chemischen Potentiale allerdings nicht so geeignet, so dass man an ihrer Stelle lieber die entsprechenden
Ladungstrger- beziehungsweise Dotierungskonzentrationen benutzt, vgl. auch
(2.85) und (2.86),
n( y ) = N c e
EF Ec ( y )
kBT
= Nc e
*e ( y )
k BT
(6.24)
Ec
e(y)
Ec(y)
*e ( y )
*h ( y )
EF
Eg
Ev
Ev(y)
y
Abb. 6.9 Zur Ableitung der Inversionsbedingung. Dargestellt ist die Richtung von der
Grenzflche zum Halbleiterinnern hin
274
und
Nv e
Ev EF
kBT
= Nv e
kBT
(6.25)
,
Eg lsst sich gem (2.22) durch die intrinsische Ladungstrgerkonzentration ni2

ausdrcken. Damit ergibt sich
N N
N
N
e ( y ) = kBT ln c v kBT ln c kBT ln v .
2
n( y)

p
ni

(6.24)
(2.23)
(6.26)
(6.25)
Das Potential an der Grenzschicht (y = 0) bezeichnen wir als UHL.

Wenn die Inversion einsetzt, soll nach Definition die Konzentration der Elektronen an der Grenzflche n(y = 0) gleich der Lcherkonzentration im Unendlichen
p = NA sein, so dass man in (6.26) n(y = 0) = NA setzen kann. In diesem Falle
wird UHL = (y = 0) zum Inversionspotential inv. Durch Einsetzen und Zusammenfassen der Terme ergibt sich schlielich
2
N
N
e inv = kBT ln A = 2kBT ln A .
ni
ni
(6.27)
Beispiel 6.1
Wie hoch ist das Inversionspotential eines MOS-Kondensators in Silizium mit einer
Akzeptorkonzentration von 1016 cm3 ?
Lsung:
inv =
1 1016
2k BT N A
= 2 0,0259 V ln
ln
= 0,735 V.
9
e
ni
6,73 10
Jetzt interessieren wir uns fr den allgemeineren Fall, vor oder nach Einsetzen
der Inversion. Die am MOS-Kondensator anliegende Gatespannung UG muss
neben der ber dem Halbleiter abfallenden Spannung UHL auch noch die ber der
Isolationsschicht abfallende Spannung UIso liefern. Auerdem muss die Differenz
der Austrittsarbeiten zwischen Metall und Halbleiter berwunden werden, diesen
Beitrag bezeichnet man auch als Flachbandspannung6 Ufb = (M HL ). Ein
weil genau diese Spannung bentigt wird, um die Bnder von Halbleiter und Gate auf
gleiches Niveau zu heben
275
zustzlicher Beitrag zur Flachbandspannung kann brigens noch durch ortsfeste

Grenzflchenladungen zwischen Halbleiter und Isolator oder durch Stratome im
Innern des Isolators hinzukommen.
Somit teilt sich die Gatespannung wie folgt auf:
(6.28)
U G = U fb + U Iso + U HL .
Um Inversion zu erreichen, muss die am Halbleiter anliegende Spannung UHL

mindestens so gro wie das Inversionspotential inv sein.
6.3.3 Ladungen, Kapazitt und Sperrschichtbreite
am MOS-Kondensator
Der Spannungsabfall ber der Isolationsschicht (Dicke dIso , Dielektrizittskonstante Iso) fhrt wie beim Plattenkondensator zu einer Kapazitt
C=
dQ
.
dU
(6.29)
Bei MOS-Oberflchenschichten verwendet man lieber die Ladung und Kapazitt

pro Flcheneinheit der Halbleiter-Isolator-Grenzflche, die wir mit kleinen Buchstaben bezeichnen,
c=
dq
.
dU
(6.30)
Ladungsdichte
Wir schauen uns jetzt die drei Bereiche Akkumulation, Verarmung und Inversion genauer an (Abb. 6.10).
Metall
Isolator
Halbleiter
qdx
dqA
bmax
Akzeptorladung eNAb
(wchst bis zum Erreichen der
Inversionsbedingung)
dqe
Elektronenladung endx
(wchst nach Erreichen der Inversionsbedingung)
Abb. 6.10 Ladungsanteile an der MOS-Schicht bei Inversion
276
1. Im Bereich der Akkumulation, bei negativem Gatepotential, sammeln sich

Lcher unmittelbar an der Grenzflche zur Isolationsschicht an. Daher spielt allein
die Kapazitt der Isolationsschicht cIso eine Rolle. Sie entspricht derjenigen eines
Plattenkondensators mit der Dicke dIso,

cIso = Iso 0
d Iso
(6.31)
2. Wenn die Gatespannung jetzt in den positiven Bereich bergeht, ziehen sich
die Lcher von der Grenzflche zurck, und es entsteht die Verarmungsschicht. In
diesem Fall ist die Ladung allein durch die Raumladung der Akzeptorionen gegeben, die Lcher haben sich ja aus der Randzone bereits zurckgezogen.
Die Raumladung Q d der Akzeptorionen ist
Qd = eN A Volumen ,
(6.32)
der Index d kommt von depletion (Verarmung). Bezogen auf die Flcheneinheit kann man schreiben
qd = eN A b .
(6.33)
b ist die Breite der Sperrschicht. Da die Dichte der Akzeptorionen fest ist, muss
sich mit wachsendem Feld das Ladungsgebiet immer weiter in den Halbleiter hinein erstrecken. Mit dieser Ladung erhlt man fr die Spannung ber der Isolationsschicht UIso
U Iso =
qd
eN b
= A .
cIso
cIso
(6.34)
Die flchenbezogende Kapazitt des Isolators hingegen ist weiterhin durch

(6.31) gegeben.
Der Spannungsabfall UHL im Halbleiter hngt nun aber wie UIso ebenfalls von b
ab, der Zusammenhang wird nach derselben Beziehung bestimmt wie in
Abschn. 3.2.3, Gl. (3.4) beim pn-bergang:
U HL =
eN A 2
b .
2 HL 0
(6.35)
Um die Breite des Raumladungsgebiets in Abhngigkeit von der Gatespannung

zu bestimmen, verwenden wir (6.28), das heit, wir teilen die Gatespannung in die
einzelnen Teilspannungen
U G U fb = U Iso + U HL
auf. Nach Einsetzen von (6.34) und (6.35) entsteht eine quadratische Gleichung
fr b,
U G U fb =
eN A
eN A 2
b
b ,
cIso
2 HL 0
277
(6.36)
mit der Lsung
b=
2
HL 0
2cIso
(U G U fb )
1
+
1
+
.
cIso
HL 0 eN A
(6.37)
Die Ladungserhhung wird durch eine Verbreiterung der Raumladungszone, also

durch wachsendes b erreicht.
Falls die Kapazitt der Isolationsschicht und die Gatespannung sehr gro sind,
dominiert der zweite Summand unter der Wurzel, und man erhlt den bekannten
Ausdruck wie beim einseitigen pn-bergang
b=
2 HL 0 (U G U fb )
.
eN A
(6.38)
Diesen Ausdruck htte man in der so vereinfachten Form auch direkt aus (6.36)
erhalten knnen, da bei einer groen Isolatorkapazitt die Spannung Uiso in (6.28)
vernachlssigbar ist.
Bei Verarmung trgt demnach die Akzeptorladung sowohl zur Kapazitt der
Isolationsschicht cIso als auch zu der des Halbleiters cHL bei. Die Gesamtkapazitt
cMOS der Gate-Substrat-Schicht ergibt sich dann als Reihenschaltung
1
1
1
=
+
.
cMOS cIso cHL
(6.39)
Die Kapazitt des Halbleiterkondensators ist die aus Abschn. 3.4.1 bekannte
Sperrschichtkapazitt c HL = ( 0 ) b (hier flchenbezogen!). Zu Beginn der Verarmung ist die Sperrschichtbreite b zunchst noch sehr klein, so dass cHL gro wird
und anfangs vorwiegend die Isolationsschicht zur Gesamtkapazitt betrgt. Im allgemeinen Fall bei zunehmender Verarmung mssen aber beide Beitrge bercksichtigt werden. Umstellung von (6.39) fhrt auf
cMOS =
cIso
cIso
=
.
cIso
Iso b
1+
1+
cHL
HL d Iso
(6.40)
Setzen wir jetzt (6.37) in (6.40) ein (Die Flachbandspannung nehmen wir der
Einfachheit halber als null an.), so erhalten wir einen Ausdruck fr die Gesamtkapazitt im Akkumulationsbereich, den wir nach einer kleinen Umrechnung in die
folgende Form bringen:
cMOS =
cIso
2c 2 U
1 + Iso Iso G
HL 0 eN A
(6.41)
278
3. Nun treffen wir eine entscheidende Annahme: Bei Inversion, also oberhalb
des durch das Inversionspotential inv = UG Ufb gegebenen Wertes, wchst die
Raumladungsschicht nur noch unwesentlich weiter. Von da an sind ja gengend
Elektronen in der Inversionsschicht vorhanden, und sie reagieren viel schneller auf
eine nderung der Spannung an der Metallelektrode als die Lcher im Valenzband.
Der Akzeptor-Anteil der Raumladung bleibt nun konstant und ist gleich
qd,max = eN A bmax = 2eHL 0 N A inv .
(6.42)
(pro Flcheneinheit). Fr die Breite der Raumladungszone knnen wir in diesem

Fall schreiben
2 HL 0 inv
.
eN A
bmax =
(6.43)
Der Spannungsabfall an der Halbleiter-Grenzschicht bleibt auch konstant, sein

Wert ist
U HL =
eN A 2
bmax = inv .
2 HL 0
(6.44)
(6.43) gilt nur in den Fllen, in denen sich die Inversionsschicht im Gleichgewicht befindet. Das bedeutet unter anderem, dass Elektronen und Lcher ein gemeinsames FermiNiveau haben (vgl. Abschn. 2.4.8). Wenn allerdings lngs der Sperrschicht ein Strom fliet
wie beim MOSFET, kann man nicht mehr von einem Gleichgewichtszustand sprechen. In
diesem Fall werden fr Elektronen und Lcher getrennte Fermi-Niveaus existieren, so dass
die Verhltnisse jetzt einem pn-bergang im Nichtgleichgewicht entsprechen. Dann kommt
zu inv noch ein Beitrag hinzu, der der Differenz der Quasi-Ferminiveaus entspricht. Deshalb muss man sich nicht wundern, dass die maximale Sperrschichtbreite dann grer wird
als im Gleichgewicht.
Oft wird nicht ausdrcklich hingewiesen, woher dieser Beitrag kommt.
Beispiel 6.2
Die maximale Breite der Raumladungsschicht ist mit den Werten von Beispiel 6.1 zu
berechnen.
Lsung:
bmax =
4 HL 0 inv
4 11, 4 8,85 1012 As V 1m 1 0,735V
=
= 0, 430 m.
eN A
1,602 1019 As 1016 cm 3
Die Kapazitt ist unter Inversionsbedingungen wieder fast allein durch die
Isolatorkapazitt bestimmt.
Trgt man die Kapazitt fr die drei Bereiche als Funktion der Gatespannung
gem (6.40) graphisch auf, so ergibt sich die in Abb. 6.11 dargestellte Kurve.
cMOS/cIso
Akkumulation
Verarmung
279
Abb. 6.11 Kapazitt eines MOSKondensators entsprechend den

einfachen berlegungen im vorliegenden Abschnitt. Gestrichelt:
Realistischer Verlauf, wie er auch
durch verfeinerte Rechnung im
Abschn. 6.3.5 besttigt wird
Inversion
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
HF-Verlauf
0,1
inv
0,0
-2
-1
UG /V
Natrlich kann sich in der Realitt kein Verlauf mit derartigen Ecken und Stufen
herausbilden, sondern die bergnge verlaufen gegltteter, wie in der gestrichelten
Kurve dargestellt. Eine genauere berlegung, bei der auch die beweglichen
Ladungstrger mit bercksichtigt werden, spiegelt dieses Verhalten tatschlich
wider. Spter in Abschn. 6.3.5 wird dies hergeleitet. Die Verhltnisse bei Inversion
treffen allerdings nur zu, wenn die Ladungstrger gengend Zeit bekommen, in die
Grenzschicht hineinzuflieen. Das ist zum Beispiel beim Anlegen von Wechselspannungen mit niedrigen Frequenzen der Fall bei hohen Frequenzen bleibt im
Inversionsbereich die Kapazitt annhernd auf ihrem Wert bei der Inversionsspannung. Die beweglichen Ladungstrger knnen nmlich unter diesen Umstnden
der schnellen Feldnderung nicht folgen, so dass fr die Kapazitt weiterhin nur
die Strstellen zur Verfgung stehen. Bei einer wichtigen Anwendung des MOSKondensators, dem CCD-Bauelement, ist die leere Inversionsschicht geradezu entscheidend fr dessen Funktion, wie spter noch erlutert wird.
6.3.4 Verfeinerte Herleitung der Kennliniengleichung
Wir benutzen jetzt die Erkenntnisse, die wir am MOS-Kondensator gewonnen

haben, um die bereits frher in 6.2.2 abgeleitete Strom-Spannungs-Kennlinie des
MOSFET (6.16) zu korrigieren. Dieses verbesserte Modell bezeichnet man als
gradual channel approximation. Es gilt, wie auch das vereinfachte Modell, vor
allem fr so genannte Langkanal-MOSFETs. Damit garantieren wir die schon in
Abschn. 6.2.2 geforderten Voraussetzungen.
Um aus dem MOS-Kondensator einen MOSFET zu machen, mssen noch
Source und Gate hinzugefgt werden. Das Potential UHL setzt sich beim MOSFET
aus zwei Anteilen zusammen, aus dem Anteil e(y) senkrecht zur Grenzflche und
dem ortsabhngigen Potential U(x), hervorgerufen durch die Source-Gate-Spannung. Der erste, zur Grenzflche senkrechte Anteil kann im Inversionsbereich
280
berall gleich dem Inversionspotential inv gesetzt werden, wie wir soeben sahen.
Es ist also
U HL = inv + U ( x).
(6.45)
Das x-abhngige Potential U(x) steigt von null am Source-Kontakt (x = 0) bis zum
Wert UD am Drain-Kontakt. Somit bleibt fr das Potential an der Isolationsschicht
noch gem (6.28)
U Iso = U G U fb U HL = U G U fb inv U ( x).
(6.46)
brig. In unserem einfachen Modell von 6.2.2 hatten wir Uth als Schwellspannung
bereits ohne Begrndung benutzt und sehen jetzt, dass Uth = Ufb + inv ist.
Die Gesamtladung an der Grenze GateSubstrat ergibt aus der Spannung (6.46)
und der (auch hier wieder flchenbezogenen) Kapazitt cIso zu
qHL = cIsoU Iso = cIso (U G U fb inv U ( x) ) .
(6.47)
Wenn wir den allein durch Elektronen hervorgerufene Ladungsanteil en(x)

ermitteln wollen, mssen wir von der Gesamtladung Qs die Akzeptorladung Qd,max
abziehen:
en( x)V = QHL Qd,max .
(6.48)
Die Elektronendichte an der Oberflche ist nicht konstant, sie nimmt zum Halbleiterinnern hin ab, hngt also genau genommen sowohl von der x-Koordinate als
auch von der y-Koordinate ab, n(x) ist deshalb als ein geeigneter Mittelwert in yRichtung anzusehen. Wir verwenden auch hier wieder flchenbezogene Ladungen
und schreiben als Verallgemeinerung von (6.42)
qd,max ( x) = eN Abmax = 2e HL 0 N A ( inv + U ( x ) ) .
(6.49)
(Der Index d kam von depletion.) Hier ist also zum Inversionspotential inv
noch das x-abhngige Drain-Source-Potential U(x) hinzugekommen. Da die FermiEnergien von Elektronen und Lchern jetzt um einen Wert U(x) auseinander liegen, tritt der Fall ein, dass die maximale Sperrschichtbreite bmax und somit auch
die Gre der Akzeptor-Raumladung gegenber (6.43) jetzt x-abhngig ist, sich
also lngs des Kanals ndert.
Damit bekommen wir
ens ( x)
V
= qHL qd,max ( x) =
Flche
= cIso (U G U fb inv U ( x) ) A 2e HL 0 N A (U ( x) + inv ) .
(6.50)
281
Durch Einsetzen von ns(x) in (6.14) und Integration wie in (6.15) entsteht daraus
L
I dx = e cIso
0
1
cIso
w
L
U DS
{(U G U fb inv U ( x) )
2HL 0 eN A (U ( x) + inv ) dU
(6.51)
und somit
I = e cIso
U
w
U fb inv DS U DS
UG

L
2
=U th
2 2HL 0 eN A
3 2
32
(U DS + inv ) inv .
3
cIso
(6.52)
Verglichen mit dem Ergebnis des Ladungssteuerungsmodells (6.18) ist jetzt einmal das Inversionspotential inv im ersten Term und auerdem der gesamte zweite
Term hinzugekommen. Beide Beitrge sind negativ. Die Strme, die sich damit
ergeben, sind demnach kleiner und die I(UD)-Kennlinien gegenber denen von
(6.16) leicht nach unten verschoben.
Der Ausdruck (6.52) gilt nur bis zu seinem Maximalwert. Das ist genau der
Punkt, an dem sich der Inversionskanal, der ja zum Drainkontakt hin immer schmaler wird, abschnrt. Die zugehrige Drain-Source-Spannung heit Abschnrspannung (pinch-off voltage), wir bezeichnen sie mit Up. Bei noch hheren
Spannungen wird der Kanal krzer als der Source-Drain-Abstand, seine Lnge
lsst sich (der Einfachheit halber im Ladungssteuerungsmodell) berechnen und
ergibt sich zu
U p U th
l = L
U p U th
(6.53)
Unter diesen Umstnden knnte theoretisch eigentlich kein Strom mehr flieen.
Tatschlich bleibt der Strom jedoch bei seinem Maximalwert und ist nahezu konstant. Dies ist die gleiche Situation wie bei einem Bipolartransistor, wo ein ber die
Basis am gesperrten pn-bergang des Kollektors ankommender Strom von dem
dort herrschenden Feld herber gezogen wird.
Damit im Bereich der Abschnrung in dem sehr engen Kanal berhaupt noch ein Strom
fliet, muss dort die Feldstrke sehr gro werden. Man sieht das aus dem lokalen Ohmschen
Gesetz,
I=
U A( x )
=
U = A( x)E = ene A( x )E .
R
x
(6.54)
282
Damit der Strom lngs x trotz kleiner werdender Flche A berall konstant bleibt, muss die
Stromdichte und damit die elektrische Feldstrke E anwachsen, bei verschwindender Flche
sogar gegen unendlich streben. In diesem Fall bleibt jedoch die Beweglichkeit nicht mehr
konstant. Wie man aus Messungen der Driftgeschwindigkeit ber der Feldstrke ermittelt
e
hat (Es ist vd = ( e )E .), geht diese fr hohe Feldstrken gegen einen Grenzwert, man
spricht von Geschwindigkeits-Sttigung (velocity saturation) (Abb. 6.12).
In der Praxis haben wir es darber hinaus sehr oft mit Feldeffekttransistoren zu tun, bei
denen der Abstand zwischen Source und Drain sehr klein wird. Dann treten so genannte
Kurzkanaleffekte ein. Sie bringen ebenfalls mit sich, dass die Beweglichkeit nicht mehr
konstant bleibt, wie wir es bisher immer angenommen haben. Das spiegelt sich in den Kennliniengleichungen wider, die Sttigung wird frher erreicht. Fr die Anpassung verwendet
man meist empirische Formeln [Fjeldy, Ytterdal und Shur 1998].
Die Kennlinien eines marktblichen MOSFETs sind in Abb. 6.13 dargestellt.

Bei diesem Transistor fliet bereits bei einer Gatespannung von 0 V ein merklicher
Strom anhand von Gl. (6.52) kann man das als Folge einer endlichen negativen
Schwellspannung Uth = Ufb + < 0 interpretieren. Um den Stromfluss zu unterbinden, muss eine negative Gatespannung angelegt werden. Ein solcher Feldeffekttransistor heit selbstleitend (engl. normally on). Im umgekehrten Fall Uth > 0
sprechen wir von einem selbstsperrenden Transistor (normally off). Mit dem
MATLAB-Programm MOS_kennl.m kann man ein solches Verhalten gut simulieren.
Durch gezielte Behandlung whrend der Herstellungsphase (z. B. n-Dotierung)
ist es brigens mglich, die Flachbandspannung in gewissem Mae nach Wunsch
einzustellen.
108
GaAs
107
d / cms-1
Ge
Si
106
105
102
103
104
105
/ V cm-1
Abb. 6.12 Abweichung der Driftgeschwindigkeiten vom linearen Verlauf bei hohen Feldstrken in einigen Halbleitern, nach [Singh 1994]. Der Abfall bei hohen Feldstrken im
GaAs (und einigen anderen direkten Halbleitern) wird brigens in Gunn-Dioden fr Oszillatoren im GHz-Bereich ausgenutzt.
283
Abb. 6.13 Kennlinienschar eines

marktblichen Feldeffekttransistors
(Infineon BF 543). Aus: [Infineon
(2004)]. Wiedergabe mit Genehmigung
der Infineon Technologies AG,
Mnchen
6.3.5 MOS-Kondensator mit Bercksichtigung

der beweglichen Ladungstrger
Die Kapazitt eines MOS-Kondensators ist eine interessante physikalische Gre. C-V-Kurven werden in Labors und Fabriken mit automatischen Messeinrichtungen routinemig
aufgenommen. Fr diese Messungen wird am Gate eine Gleichspannung angelegt, der eine
kleine Wechselspannung von ca. 5 bis 10 mV berlagert wird.
Aus den Messergebnissen lassen sich wichtige Kenngren von Metall-Isolator-Strukturen und ber die Qualitt eines Bauelements ableiten. Hierzu gehrt zum Beispiel die so
genannte dielektrische Dicke der Gateschicht, das ist der Quotient dIso/Iso = 1/cmax. Eine
weitere Gre, die sich ermitteln lsst, ist die Dotierungskonzentration NA des Halbleitersubstrats. Die Dotierungsbestimmung verlangt allerdings iterative Berechnungen anhand der
Messkurven, die nicht ganz trivial sind [Shur 1990].
Als Ergnzung zum Abschn. 6.3.3 soll nun die Kapazitt eines MOS-Kondensators
ermittelt werden, wenn auch die beweglichen Ladungstrger (Lcher im Verarmungsbereich
oder Elektronen im Inversionsbereich) mit betrachtet werden. Diese Herleitungen werden
etwas komplizierter sein, und einige Teile sollen auch lediglich angedeutet werden.
Zur Berechnung der Kapazitt eines MOS-Kondensators betrachten wir zunchst die
elektrische Feldstrke an der Grenzflche des Halbleiters zur Isolationsschicht. Dazu
bercksichtigen wir wie beim pn-bergang den Zusammenhang der Ladung mit der elektrischen Feldstrke (3.3) und schreiben
E ( x) =
1
( x)dx .
0
(6.55)
Die elektrische Ladung ist dabei

( x) = e ( N A + p n ) .
(6.56)
284
(Das Grundmaterial wird als akzeptordotiert angenommen.) Wenn wir diesen Ausdruck
integrieren wrden, erhielten wir die x-Abhngigkeit der elektrischen Feldstrke. Dies ist
jedoch numerisch sehr aufwndig, und man begngt sich deshalb damit, die Feldstrke an
der Grenzflche zu kennen.
Wir schreiben den Ausdruck fr das elektrische Potential in der Form
( x)
= E ( x )
x
(6.57)
Die Ableitung der Feldstrke ist
E E n
=
.
x
n N
x
= E
(6.58)
Die linke Seite dieser Gleichung hngt ber (3.2) mit der elektrischen Ladung zusammen
1
1
E ( x)
e ( NA + p n ) ,
=
( x ) =
x
0
0
(6.59)
In Abschn. 2.6.2 haben wir ein hnliches Problem bereits behandelt. Dort hatten wir
allerdings kleine Potentialnderungen (x) vorausgesetzt, was wir hier nicht mehr tun wollen. Wir betrachten ab jetzt nicht als eine Variable von x, sondern nur noch von n (welches
jedoch seinerseits durchaus implizit von x abhngen kann). Das fhrt uns auf
E n
1
e ( NA + p n ),
E =
n
0
(6.60)
diese Gleichung kann man durch Trennen der Variablen links E , rechts n integrieren, so
dass sich ergibt
E dE
e
( N A + p n ) dn .
0 n
(6.61)
Die linke Seite ergibt E 2 /2; die rechte Seite lsst sich weiter auswerten, wenn man bercksichtigt, wie der Verlauf von n und p in x-Richtung des Halbleiters aussieht (vgl. Abb. 6.14).
Weit im Innern ist NA = p, oder, wenn wir es jetzt einmal sehr genau nehmen, NA = p
n .7 Den Zusammenhang mit p(x) und n(x) schreiben wir
n( x) = n e
e ( x )
kBT
und
p( x) = p e
e ( x )
kBT
(6.62)
Natrlich ist die Elektronenkonzentration n im Unendlichen vernachlssigbar klein, wir

schreiben sie hier aber trotzdem hin, damit die spteren Gleichungen eine schnere
Gestalt bekommen.
285
E
n
e(x)
es
EC
Abb. 6.14 Zusammenhang des

Oberflchenpotentials mit der
Bandverbiegung
n(x)
EF
p(x)
p
EV
Durch Umkehrung dieser Beziehung und Logarithmieren erhalten wir

kBT n( x)
ln
.
e
n
( x) =
(6.63)
Die Differentiation nach n ergibt

d kBT 1
=
.
dn
e n
(6.64)
Somit wird
E 2 kBT
=
2
0
k T
p n p
+ 1 dn .
n
n n
n ( p n + p n ) dn = B0
(6.65)
Da p und n ber das Massenwirkungsgesetz miteinander zusammenhngen, mssen wir

dies noch bercksichtigen und knnen dann die n-Integration ausfhren:
E 2 k BT
=
2
0
p n ni2
k T
+ 2 1 dn = B
n
n n
0
n ni2
n.
( p n ) ln
n n
(6.66)
In den meisten Lehrbchern wird dieses Ergebnis mit Hilfe des Potentials geschrieben,
das man entsprechend (6.63) einfhren kann. Damit erhlt man schlielich
E 2 kBT kBT e
e
=
+
1 + n e kBT
1
p e
2
0
kBT
kBT

Mit der bereits frher in 2.6.2 eingefhrten Debyeschen Abschirmlnge
LD =
0 kBT
e2 p
(6.67)
286
ergibt sich
E =
2 kBT
eLD
e kBT + e 1 + n e kBT e 1 .
p
kBT
kBT
(6.68)
Fr das Verhltnis n / p kann man bei p-Dotierung wegen n NA = ni2 auch schreiben
n
n
n2
= = i2 .
p N A N A
(6.69)
Aus der elektrischen Feldstrke E s ergibt sich ber die Maxwellsche Gleichung fr die
dielektrische Verschiebung Ds
r
qHL A = Ds d A = HL 0 E s d A
(6.70)
die Ladung an der Grenzflche pro Flcheneinheit

qHL = 0E s
(6.71)
(Index s von surface). Somit erhalten wir einen Zusammenhang zwischen dem Grenzflchenpotential s und qHL , der durch die in Abb. 6.15 dargestellte Kurve wiedergegeben
wird.
Aus der Ladung pro Flcheneinheit kann man nun die Kapazitt pro Flcheneinheit
durch Ableitung nach dem Potential s bestimmen,
cHL =
qHL
E s
= 0
.
s
s
(6.72)
qHL in As/ cm 3
102
100
N A = 1016 cm3
102
104
106
108
0,5
0,5
s in V
Abb. 6.15 Darstellung der

Grenzflchenladung ber dem
Potential
6.4 MOSFETs in der digitalen Schaltungstechnik
287
Die Ausfhrung gestaltet sich wegen der komplizierten Gestalt von E s recht mhevoll, so
dass wir uns hier mit dem Ergebnis begngen wollen:
cHL =
0
2 LD
1 e kBT + n e kBT 1
.
e
e k BT + e 1 + n e k BT e 1
k BT
k BT
(6.73)
Dieser Ausdruck ist nun leider weder einfach noch anschaulich.Wir knnen ihn aber vielleicht besser verstehen, wenn wir ihn numerisch verarbeiten. Mit dem MATLAB-Programm
mos_kap.m ist das mglich; wir erhalten damit zum Beispiel die bereits in Abb. 6.11
gezeigte gestrichelte Kurve.
Fr weitergehende Diskussionen zu diesem Thema sollte man spezielle Literatur zur
Hand nehmen, zum Beispiel [Sze 1981], [Streetman und Banerjee 2006] oder [Shur 1990].

In der heutigen Zeit werden ber 90 % der elektronischen Anwendungen, in denen
Halbleiter eine Rolle spielen, durch MOSFETs abgedeckt. MOSFETs sind die
Grundlage der gesamten digitalen Schaltungstechnik. Ein groer Vorteil der MOSTechnik resultiert aus dem sehr geringen Bedarf an Chipflche (weniger als 10 %
gegenber der blichen bipolaren Technik, der TTL-Technik). Dadurch eignen sich
MOSFETs besonders fr die Herstellung hochintegrierter Schaltungen. Darber
hinaus sind MOS-Schaltkreise einfacher als bipolare Schaltkreise herzustellen,
denn es werden weniger Prozessschritte bentigt.
MOS-Schaltkreise sind im Gegensatz zu Bipolartransistoren nahezu leistungslos steuerbar, da ber ihren Gate-Kontakt kein Strom fliet. Wenn man an die Vielzahl der Schaltelemente in integrierten Schaltungen und die dabei mgliche
Verlustleistung denkt, ist das ein entscheidender Vorteil fr die MOS-Technik.
Bipolartransistoren haben allerdings hhere Schaltgeschwindigkeiten. Anwendungen der Bipolartechnik liegen deshalb vor allem im Bereich der Hochgeschwindigkeits-Bauelemente. Dafr sind insbesondere so genannte
Heterobergangs-Bipolartransistoren (HBTs) geeignet.
6.4.1 Binre Schaltungen
In der digitalen Schaltungstechnik spielen lediglich zwei Schaltzustnde ON/OFF

entsprechend den binren Signalen 1 und 0 eine Rolle. In der Schaltalgebra oder
Booleschen Algebra wird gezeigt, dass beliebige Schaltelemente aus wenigen
Grundverknpfungen gebildet werden knnen. Sie mssen durch digitale Schaltkreise realisiert werden es lohnt sich daher, die Funktion eines Transistors in der
Schaltung daraufhin genauer zu betrachten.
288
Abb. 6.16 Schaltverhalten eines bertragungsgliedes, verglichen mit einer idealen

Kurve (gestrichelt)
Uout
Uin
Binre Schaltelemente mssen folgende Forderungen erfllen: 1. In den Endzustnden soll mglichst kein Strom flieen, damit so wenig Leistung wie mglich
verbraucht wird. 2. Die Schaltzustnde mssen eindeutig sein. Die Kurve, die die
Ausgangsspannung ber der Eingangsspannung darstellt, sollte deshalb mglichst
steil ausfallen (Abb. 6.16). Dadurch bekommen die nachfolgenden Bauelemente
eindeutige Signale, der Unterschied zwischen LOW und HIGH ist gut zu trennen. Eine steil ansteigende Kurve (idealerweise eine Stufe) bedeutet auerdem,
dass durch geringe Schwankungen im Eingangssignal Uin das Ausgangssignal Uout
nicht beeinflusst wird.
6.4.2 MOSFET als Inverter
Wir betrachten das Schaltverhalten eines MOSFETs (mit der Drain-Source-Spannung U DS), der in Reihe mit einem Lastwiderstand RL entsprechend Abb. 6.17
geschaltet ist. Die angelegte Versorgungsspannung sei UDD. Der Strom I D im Ausgangskreis gehorcht der Gleichung
U DS + I D RL = U DD .
(6.74)
Wenn die Gatespannung UG null (oder sogar negativ) ist, bleibt der Ausgangskreis
gesperrt. Es fliet dann kein Strom und folglich besitzt die Drain-Source-Spannung
UDS ihren maximalen Wert: UDS = UDD. Bei hoher Gatespannung dagegen wird
der Transistor leitend und der grte Teil der angelegten Spannung fllt ber RL ab,
so dass die Ausgangsspannung auf Low liegt. Der Transistor invertiert in seinem
Ausgangskreis den am Gate liegenden Spannungspegel. Er arbeitet folglich als
Inverter und realisiert die logische Funktion NOT. Das wird anhand der Widerstandsgeraden in Abb. 6.17 deutlich.
Einen Inverter als einzelnes Bauelement wird man allerdings kaum finden, er ist
in der Regel als Komponente im Verbund mit weiteren Schaltgliedern vorhanden.
In der Booleschen Algebra wird gezeigt, dass man seine logische Funktion wie
auch die aller anderen logischen Funktionen durch geeignete Kombination aus der
Grundfunktion NAND (verneintes UND bzw. AND) oder NOR (verneintes ODER
bzw. OR) konstruieren kann. Das sieht zwar zunchst komplizierter aus, verringert
aber auf der anderen Seite die Zahl der logischen Grundfunktionen.
289
ID
ID =
U DD
RL
Parameter: UG
UG hoch Ausgangsspannung LOW

UDD
UG = 0 Ausgangsspannung HIGH
RL
UDS
UDS
UDD
Abb. 6.17 MOSFET (NMOS-Transistor) mit Ohmschem Lastwiderstand. Daneben die

Kennlinienschar mit der Widerstandgeraden
6.4.3 MOSFET als Lastwiderstand
In der soeben besprochenen Schaltung wird der Lastwiderstand RL durch einen

Ohmschen Widerstand realisiert. In integrierten Schaltkreisen wrden Ohmsche
Widerstnde allerdings eine viel zu groe Flche einnehmen und stehen einer
Miniaturisierung erheblich im Weg. Daher muss man nach einer Alternative
suchen. Sie besteht darin, MOSFETs selbst als Lastwiderstand zu benutzen. Um
aus einem MOSFET einen Widerstand zu machen, knnen entweder Drain und
Gate oder Source und Gate kurzgeschlossen werden. Ein Beispiel fr den Kurzschluss von Drain und Gate ist in Abb. 6.18 gezeigt. In diesem Falle liegt das Gate
ID
Parameter: UG
UG = UD
ID
D
G
UDS
Abb. 6.18 Funktion eines NMOS-Transistors als Lastwiderstand durch Kurzschluss von
Gate und Drain
290
b ID
Parameter: UG
UDD
Lastwiderstand
UDS
Treiber-MOSFET
UDS
Abb. 6.19
NMOS-Transistor mit weiterem NMOS-Transistor als Lastwiderstand,
(b) daneben die Kennlinienschar mit der Arbeitskennlinie
auf Drain-Potential und die Strom-Spannungs-Zusammenhnge ergeben sich aus

denjenigen Punkten der Transistorkennlinien, fr die die Gate-Source-Spannung
gleich der Drain-Source-Spannung ist, also UG = UDS. Wird dieser nichtlineare
Widerstand als Arbeitswiderstand in Reihe mit einem als Verstrker arbeitenden
MOSFET entsprechend Abb. 6.19a geschaltet, so wird die Arbeitskennlinie jetzt
ebenfalls nichtlinear (Abb. 6.19b).
In der Praxis verwendet man hufig den Kurzschluss von Gate und Source. Das
Gate liegt hier auf Nullpotential und die Widerstandskurve fllt dann mit der Kennlinie fr den Fall UG = 0 zusammen.
6.4.4 MOSFET als Logikgatter
Durch Parallelschaltung eines weiteren Transistors gelingt es, aus der Schaltung
des Inverters nach Abb. 6.19a eine NOR-Verknpfung zu konstruieren. Solche
Grundbausteine logischer Schaltungen heien auch Gatter, die Verknpfung wird
deshalb als NOR-Gatter bezeichnet. In Wahrheits- oder Schalttabellen werden die
Ausgnge einer logischen Verknpfung in Abhngigkeit von der Belegung der
Eingnge dargestellt. In Tabelle 6.3. ist eine solche Schalttabelle fr das in
Abb. 6.20a gezeigte Gatter dargestellt. Wie man durch Vergleich der Schaltausgnge mit der ODER-Funktion in der rechten Spalte der Tabelle sieht, handelt es
sich tatschlich um ein NOR-Gatter. Seine Ersatzschaltung wird durch Abb. 6.20b
charakterisiert.
291
Tabelle 6.3. Wahrheitstabelle zum NMOS-NOR-Gatter entsprechend Abb. 6.20
Transistor A
(Gate A)
Transistor B
(Gate B)
Ausgang C mit
C = AB
Zum Vergleich:
ODER-Funktion
AB
0 (UA niedrig)
0 (UB niedrig)
1 (weder A und B leiten)
0 (UA niedrig)
1 (UB hoch)
0 (B leitet)
1 (UA hoch)
0 (UB niedrig)
0 (A leitet)
1 (UA hoch)
1 (UB hoch)
0 (A und B leiten)
UDD
UDD
RL
RL
C = A B
+
Abb. 6.20a,b NMOS-NOR-Gatter (a) und die zugehrige Ersatzschaltung (b)
6.4.5 CMOS-Inverter und CMOS-Logikgatter
Bisher haben wir Schaltungen aus NMOS-Transistoren allein betrachtet. Bei ihnen
fliet in einem der beiden Zustnde (Eingangsspannung null) ein recht groer
Strom. Betrachten wir noch einmal den Inverter: Durch Einsatz eines komplementren PMOS-Transistors als Last kann ein Stromfluss im Ruhezustand vermieden
werden (Abb. 6.21). Die Drains sind miteinander verbunden. Da beide komplementr funktionieren, schaltet entweder der NMOS- oder der PMOS-Schaltkreis
durch, whrend der jeweils andere geffnet ist. Die Funktion des Lastwiderstands
wird vom zweiten (komplementren) Transistor bernommen. Schalttransistor und
Last ergnzen sich, je nachdem, aus welcher Perspektive man es betrachtet.
Das Ergebnis ist, dass in den jeweiligen Ruhezustnden (ON oder OFF) kein
Strom fliet (auer evtl. sehr kleinen Leckstrmen), es wird also fast keine Leistung verbraucht. Diese Technologie aus zwei jeweils komplementren MOS-Transistoren heit CMOS-Technologie (complementary MOS). Sie ist wegen des
uerst geringen Stromverbrauchs unumgnglich fr alle modernen Gerte. Durch
die heutige Vielzahl der Transistoren pro Schaltkreis wrde eine starke Erwrmung
sonst zur Zerstrung des Bauelements fhren. Selbst CMOS-Bausteine (z. B. Prozessoren in PCs) bedrfen ja schon heute einer aufwndigen Khlung. Allerdings
sind CMOS-Schaltungen nicht so schnell wie NMOS-Schaltungen. In den wenigen
292
U1
oberer Transistor leitet
UDD
beide Transistoren leiten

UDD
UDD
PMOS
U1
U0
unterer Transistor leitet

NMOS
UDD
U0
Abb. 6.21ac CMOS-Inverter. (a) Schaltung, (b) Ersatzschaltung, (c) bertragungsverhalten der Ausgangs- zur Eingangsspannung
Fllen, in denen es auf hchste Schaltgeschwindigkeiten ankommt, muss deshalb

der Leistungsverbrauch von NMOS-Schaltkreisen in Kauf genommen werden.
Ein groer Vorteil von CMOS-Schaltungen ist auch, dass sie mit nur sehr wenigen Prozessschritten auf dem gleichen Substrat hergestellt werden knnen
(Abb. 6.22).
Aus CMOS-Bausteinen kann man NAND- oder NOR-Schaltungen aufbauen,
beispielsweise NOR-Gatter als notwendige Grundbausteine. Ein CMOS-NORGatter besteht aus zwei PMOS- und zwei NMOS-Transistoren. Details hierzu findet man in den meisten Lehrbchern der Mikroelektronik (zum Beispiel
[Mschwitzer 1992]) oder der Schaltungstechnik (zum Beispiel [Seifart und Beikirch 1998]).
b
Source
Gate
p+
Drain
p+
Source
n+
Gate
Gate
n-Substrat
p--Kanal-MOSFET
Kanal-MOSFET
n-Kanal-MOSFET
n
-Kanal-MOSFET
Abb. 6.22 Integrierte MOS-Transistoren: (a) PMOS, (b) NMOS
Drain
n+
293
6.4.6 Bipolartransistoren in integrierten Schaltungen
MOS-Transistoren decken heute den grten Teil der Anwendungen in integrierten

Schaltkreisen ab. Es gibt jedoch auch Integrationstechnologien mit bipolaren Transistoren. Sie gehren zwar eigentlich nicht in dieses Kapitel ber Feldeffekttransistoren, sollen jedoch wenigstens zum Vergleich kurz mit erwhnt werden.
Die drei wichtigsten bipolaren Schaltungsfamilien sind: TTL (transistor transistor logic), I2L (integrated injection logic) und ECL (emitter coupled logic).
Ein einzelner Bipolartransistor arbeitet wie ein einzelner MOSFET als Inverter.
Das einfachste logische Gatter mit zwei Eingngen ist das AND-Glied. Es wird in
TTL-Technik durch eine spezielle Bauform eines bipolaren Transistors mit zwei
oder mehr Emittern gebildet (Abb. 6.23). Liegt einer der Emitter des Transistors
T1 auf niedrigem Potential (d. h. auf hohem Potential gegenber der Basis), dann
fliet durch T1 ein Strom, und die Spannung des Transistors T2 gegenber dessen
Emitter ist klein. Folglich sperrt auch der Ausgangskreis von T2 und dessen Kollektor liegt bei UC auf hohem Potential. Liegen dagegen alle Emitter von T1 auf
hoher Spannung, so wird dieser Transistor invers betrieben (vgl. 5.3.1). Die Emitter werden jetzt zum Kollektor und der Kollektor zum Emitter. Es fliet ein groer
Strom ber T1 und damit ber die Basis von T2. Dadurch wird auch der Strom im
Ausgangskreis von T2 sehr gro und der Spannungsabfall an Rc wird sehr gro
der Potentialwert Ua wird klein. Da diese Situation nur eintritt, wenn beide Emitter
von T1 auf HIGH liegen und T2 invertiert, ist die Funktion als NAND-Glied
ersichtlich. T1 ist sozusagen fr das AND verantwortlich und T2 fr das NOT.
Die Technologien weiterer Bipolar-Schaltungen (I2L und ECL) sollen hier nicht
erlutert werden. Hierzu ist in groem Umfang spezielle Literatur vorhanden (vgl.
z. B. [Seifart 1990], [Mschwitzer 1992], [Kstner und Mschwitzer 1993] oder
[Borucki 1989])
UDD
RB
RC
Ua
T1
Emitter 1
Emitter 2
T2
Abb. 6.23 Prinzip der TTL-NAND-Schaltung
294
6.5 Speicherschaltkreise
6.5.1 RAM-Speicher
Speziell gestaltete MOS-Bauelemente werden als Datenspeicher verwendet. Einige

wichtige Anwendungen sollen hier beispielhaft vorgestellt werden, eine systematische Darstellung wrde leider zu umfangreich. Ein RAM (random-access memory)
ist ein Schreib-Lese-Speicher, also ein Speicher, aus dem Informationen ausgelesen und auch wieder eingeschrieben werden knnen. Statische Halbleiterspeicher
(SRAMs) verwenden als Speicherzellen Flipflops, die aus NMOS-Transistoren
bestehen. Dynamische RAMs (DRAM) benutzen einen Kondensator zur Informationsspeicherung, der von einem MOS-Transistor angesteuert wird. Sie mssen in
bestimmten Zeitabstnden aufgefrischt werden, damit sich der Speicherkondensator nicht entldt.
6.5.2 ROMs
Unter einem ROM (read-only memory) versteht man ein Bauelement, in dem einmal eingebrachte Information in Form von Bits (als Ladungszustnde 1 oder 0)
ber lngere Zeit gespeichert bleibt. Solche Speicher knnen auf der Basis von
MOS-Transistoren, aber auch schon unter Verwendung einfacher Dioden realisiert
werden. Bei der Transistor-Lsung wird die Ladung gewhnlich in einer GateStruktur gespeichert. Diese Ladung beeinflusst die Schwellspannung des MOSTransistors, und damit knnen zwei stabile Zustnde elektrisch dargestellt werden.
Reine ROMs bekommen die in ihnen gespeicherte Information bereits whrend
ihres Herstellungsprozesses, OTP-ROMs (one-time programmable ROM) knnen
einmalig programmiert, aber danach nicht wieder verndert werden. Dabei werden
dnne Verbindungsleitungen, so genannte fuses, im Material durchgebrannt.
6.5.3 EPROMs und EEPROMs
EPROMS sind spezielle ROMs, die vom Anwender elektrisch programmiert werden (electrical programmable ROM) knnen. Mittels UV-Bestrahlung kann die
gesamte gespeicherte Information auf einmal wieder gelscht werden. Ein solches
Bauelement lsst sich mittels einer MNOS-Struktur (metalnitrideoxidsilicon)
aufbauen.
Bei MNOS-Transistoren handelt es sich um MOSFETs, deren Isolationsschicht
aus einer Doppellage von Siliziumnitrid (Si3N4) und Siliziumdioxid (SiO2) besteht
(Abb. 6.24a). Siliziumnitrid ist wie Siliziumoxid ebenfalls ein hervorragender Isolator. An der Grenzflche zwischen Oxid- und Nitridschicht bilden sich Haftstellen
fr geladene Ladungstrger. Beim Anlegen einer ausreichend hohen positiven
Spannung am Gate knnen Elektronen vom Silizium durch die SiliziumoxidSchicht, die sehr dnn ist, hindurchtunneln und sich an diesen Haftstellen festset-
6.5 Speicherschaltkreise
295
Gate
Metallischer Kontakt
Isolator (Si3N4)
Haftstellen
Abb. 6.24 Zwei Beispiele von MOSStrukturen fr EPROMs: (a) MNOS,

(b) FLOTOX, nach [Mller 1991]
Isolator (SiO2)
Source
Drain
p+
p+
n-Si
Gate
Poly-Si
Floating Gate
(Poly-Si)
Isolator (SiO2)
Source
Drain
p+
p+
n-Si
zen. Dadurch wird der Potentialunterschied zwischen der Oxid-Nitrid-Grenzflche

und dem Substrat verringert. Der Spannungsabfall zwischen Gate und Substrat, der
sich normalerweise in zwei Anteile aufteilt, in einen Spannungsabfall ber der Isolationsschicht und einen ber dem Nitrid, reduziert sich dann weitgehend zu einem
Spannungsabfall ber der Nitridschicht allein.
Das EPROM wird dadurch geladen (programmiert), dass eine hohe Rckwrtsspannung zwischen Source und Drain angelegt wird. In dem elektrischen Feld werden die Ladungstrger sehr stark beschleunigt, bis es zur Stoionisation kommt.
Dabei entstehen so genannte heie Elektronen, von denen auch einige vom Substrat ins Oxid und dadurch zu den Haftstellen der Grenzschicht gelangen. Dort
bleiben sie dann hngen und kommen auch nach Verschwinden der Programmierspannung nicht heraus dies ist erst durch Bestrahlung mit UV-Licht mglich.
Eine andere Struktur zur Ladungsspeicherung ist die Floating-Gate-Struktur
(FLOTOX, floating-gate tunnel-oxide), sie enthlt ein schwimmendes, nicht mit
einem ueren Kontakt verbundenes zweites Gate (Abb. 6.24b). Dabei handelt es
sich um eine polykristalline, metallisch leitende Schicht im Innern des Isolators.
Hier kann eine Ladung wie an der Grenzflche der MNOS-Struktur ebenfalls
gespeichert werden. Elektronen gelangen in das Floating-Gate durch den quantenmechanischen Tunneleffekt, sie knnen es auf dieselbe Weise in umgekehrter
Richtung verlassen.
Ein negativ geladenes Floating-Gate wirkt wie eine verringerte Gateladung des
MOS-Transistors, die Schwellspannung wird dadurch nach oben verschoben. Bei
einem ungeladenen Floating-Gate hat dagegen die Ladung der eigentlichen ueren Gate-Elektrode ungehinderten Durchgriff auf die Source-Drain-Strecke. Somit
wird der Stromfluss vom Speicherzustand der Floating-Gate-Schicht mageblich
beeinflusst und kann ausgelesen werden. Die Floating-Gate-Struktur stellt die
Basis des EEPROMs dar. Ein EEPROM (electrically erasable PROM) ist ein
Speicherbaustein, der im Gegensatz zu einem normalen EPROM nicht durch UVLicht, sondern elektrisch gelscht wird.
296
6.6 CCD-Bauelemente
Die Abkrzung CCD steht fr charge-coupled device, also ladungsgekoppeltes
Bauelement. CCDs wurden 1970 in den Bell Labs entwickelt. Es handelt sich
dabei um digitale Zeilen- oder Flchensensoren, die zu komplexen integrierten
Schaltkreisen zusammengestellt werden. Ihre Funktion kann aber nicht lediglich
durch Zusammenschalten von diskreten Bauelementen erklrt werden.
Ein CCD besteht aus einer Kette von dicht benachbarten MOS-Kondensatoren
(Abb. 6.25). Als Detektor dient eine pn-Photodiode oder eine Photo-MOS-Struktur. In letzterer wird durch Bestrahlung einer Inversionsschicht mit Licht der leitfhige Kanal geschaffen, der in einer normalen MOS-Struktur durch Anlegen einer
Gatespannung entsteht.
Die in einer solchen Potentialmulde erzeugten Minorittstrger werden
anschlieend schrittweise durch das Bauelement transportiert. Dazu wird die
jeweils benachbarte Potentialmulde wie in Abb. 6.25b abgesenkt, so dass die
Ladungstrger dort hinein flieen. Es muss allerdings verhindert werden, dass auch
aus dem Halbleiterinnern Minorittstrger in die tiefe Potentialmulde nachflieen,
aus der Verarmungsschicht darf keine Inversionsschicht werden. Innerhalb sehr
kurzer Zeiten (ca. 1 s) ist das auch gewhrleistet, denn die Zeiten fr das Nachflieen der Minorittstrger liegen im Bereich von 100 s bis zu 1 s. Man bezeichnet die Situation, bevor sich die Inversionsschicht bildet, als tiefe Verarmung.
a
U1 = 5 V
U2 = 10 V
U1 = 5 V
U1 = 5 V
Kontakte
Oxid

p-Substrat
U1 = 5 V
U2 = 10 V
U3 = 15 V
U1 = 5 V
Abb. 6.25 Aufbau und Funktionsprinzip eines CCD: (a) Ladungsspeicherung, (b) Ladungstransport; nach [Yang 1988]. Beispiele fr mgliche Potentialverhltnisse sind dargestellt
6.7 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren
297
Fr diese Technik werden drei verschiedene Potentiale bentigt, alle drei

zusammen bilden eine Zelle oder Stufe des Bauelements. Das CCD verhlt sich wie
ein dynamisches Schieberegister. CCD-Bauelemente stellen hohe Anforderungen
an die Herstellungstechnologie, da in ihnen sehr kleine Strukturen mit schmalen
Lcken dazwischen realisiert werden mssen. Hierfr werden zum Beispiel so
genannte berlappende Gate-Strukturen auf der Basis von Polysilizium-Kontakten
eingesetzt. Sie erkennen, dass sehr vielfltige Erkenntnisse aus der Halbleiterphysik bentigt werden, um die Vorgnge in den zahlreichen elektronischen Bauelementen korrekt zu beschreiben.
6.7 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren
Neben der meist verwendeten Form des Feldeffekt-Transistors, dem MOSFET,
werden fr spezielle Anwendungen auch andere Feldeffekt-Bauelemente eingesetzt. Bei den Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren fehlt die Isolatorschicht zwischen Gate-Elektrode und Halbleiter. In diesem Fall kann sich zum Beispiel an der
Grenzflche im Halbleiter eine Schottky-Barriere bilden, die bei gengend hoher
Sperrspannung den Stromfluss zwischen Source und Drain behindert, wie es
bereits in 6.2.1 erlutert wurde. Dieser Typ des Sperrschicht-FETs ist der MESFET
(metal-semiconductor field effect transistor) oder Schottky-Barrieren-FET.
Es kann aber auch sein, dass der Metall-Halbleiter-Kontakt Ohmsches Verhalten
aufweist und die Sperrschicht erst durch einen pn-bergang im Halbleiter selbst
erzeugt wird. Dies ist bei einem Junction-FET (JFET) der Fall. Bei dem in
Abb. 6.26 dargestellten Feldeffekt-Transistor handelt es sich um einen JFET.
Fr den Junction-FET lsst sich eine hnliche Kennliniengleichung ableiten wie
frher fr den MOSFET. Wir betrachten ein Kanalstck der Lnge dx zwischen
zwei pn-bergngen (Abb. 6.26). Wie in (6.14) gehen wir von dem differentiellen
Potentialabfall dU aus und schreiben
dU = I dR = I
dx
dx
=I
.
A
en(a 2b( x)) w
(6.75)
Raumladungsgebiete
Gate
p+
w (nach hinten)
b(x)
Source
Drain
a
U(x)
dx
p+
UDS
x
Abb. 6.26 Zur Ableitung der Kennliniengleichung in einem SperrschichtFeldeffekt-Transistor. w ist die Tiefe
der Bauelementoberflche
298
Die Kanalbreite wird hier um die beiden Sperrschichtbreiten b reduziert und ist
dann (vgl. Abb. 6.26) gleich a 2b. Fr die Ausdehnung des Raumladungsgebiets
greifen wir wieder einmal auf die Beziehung (3.28) zurck, die wir bei der
Behandlung des pn-bergangs bereits abgeleitet haben. Wir verwenden diese unter
der Voraussetzung eines einseitig stark dotierten Gebiets, so dass NA p ND ist:
b( x ) =
2 0
e
ND + NA
UD U
ND NA
20
(U D U ) .
eN D
(6.76)
Die Rolle der ueren Spannung U wird von der Gatespannung minus der xabhngigen Potentialdifferenz zwischen aktueller Gate-Koordinate und Source
bernommen, also U UG - Ux. Das Gate ist gegen das Source in Sperrrichtung
gepolt, deshalb ist UG negativ. Bei hoher Gatespannung knnte man die Diffusionsspannung UD vernachlssigen. Einsetzen in (6.75) und Umformung liefert analog zu 6.2.2
L
U DS
0
U DS
I dx = e N D w
= e N D w
{a 2b( x)} dU x =
20
(U D + U x U G ) dU x .
a 2
eN D
(6.77)
Nach Integration erhlt man

I=
awe N D
L
32
32
4 (U D U G + U DS ) (U D U G )
U
DS
.
3
U 1/2
(6.78)
mit der Abschnrspannung (bei UD = 0)

U p = a2
e ND
.
20
(6.79)
Die Herleitung der Strom-Spannungs-Zusammenhnge beruhte lediglich auf der

Annahme einer vorhandenen Sperrschicht. Das Ergebnis ist deshalb sowohl fr pnbergnge als auch fr Schottky-Kontakte gltig.
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren auf Silizium-Basis dienen vor allem als
rauscharme Verstrker und als schnelle Schalter. Vor allem wegen ihrer hervorragenden Leitfhigkeitseigenschaften werden bei hohen Frequenzen Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MESFETs) auf GaAs- oder InP-Basis verwendet. Sie
werden im Mikrowellenbereich oberhalb von 1 GHz als rauscharme Vorverstrker,
Oszillatoren und Leistungsverstrker eingesetzt.
6.8 Zur Zukunft der MOS-Technologie
299
6.8 Zur Zukunft der MOS-Technologie

Mit dem Fortschritt der Chiptechnologie gelang es in den letzten Jahrzehnten, trotz
reduzierter Herstellungskosten immer mehr Funktionen auf integrierten Schaltkreisen unterzubringen. Eine der Ursachen fr diesen Erfolg war die immer weiter fortschreitende Miniaturisierung.
1965 formulierte Intel-Mitbegrnder Gordon Moore8 das nach ihm benannte
Mooresche Gesetz. Es fasste die damals beobachtete Marktentwicklung der integrierten Schaltkreise wie folgt zusammen:
1. Die Zahl der aktiven Elemente auf einem Chip (Transistordichte) verdoppelt
sich jedes Jahr.
2. Die Herstellungskosten von Chips wachsen im halblogarithmischen Mastab.
Diese Vorhersagen haben sich in groben Zgen bis heute besttigt. Allerdings
darf man die Geschwindigkeit dieses Anstiegs als Verdopplung pro Jahr nicht zu
wrtlich nehmen. Entscheidend ist, dass es sich um einen exponentiellen Anstieg
handelt. Aus Abb. 6.27 entnimmt man zum Beispiel eine Verdopplung alle 2 Jahre
(vgl. hierzu Aufgabe 6.6). Zum Beispiel hat sich bisher die Kapazitt von DRAMTransistoren pro Chip
108
Pentium III
Pentium 4
Pentium II
107
Pentium
486TM DX
106
386TM
286
105
8086
104
8080
4004
103
1970
8008
1980
1990
2000
Abb. 6.27 Das Mooresche Gesetz fr die Zahl der Transistoren auf Intel-Mikroprozessoren. Nach Unterlagen der Fa. Intel [Intel 2003a]
8
Gordon E. Moore (geb. 1929 in San Francisco), am. Physiker und Chemiker, Studium
an der University of California und am California Institute of Technology (Caltech). Mitarbeiter von Shockley, spter Mitbegrnder der Firmen Fairchild Semiconductors (1957)
und Intel (1968), zwischen 1975 und 1987 Prsident und CEO (chief executive officer
Generaldirektor) von Intel. Nach [PBS 2003] und [Intel 2003b].
300
Speicherchips etwa alle 18 Monate verdoppelt.

Prinzipiell ist aber klar, dass irgendwann der Zeitpunkt erreicht sein muss, zu
dem eine weitere Verkleinerung der Schaltelemente nicht mehr mglich ist sptestens dann, wenn sie in die Grenordnung der atomaren Dimensionen kommen.
Um herauszufinden, wo prinzipielle physikalische Grenzen liegen, muss man die
Randbedingungen der Miniaturisierung etwas genauer beleuchten.
Warum kann man berhaupt die Zahl der Bauelemente auf einem Chip erhhen,
ohne dass sich ihre elektronischen Eigenschaften mageblich ndern? Die Ursache
fr diese Mglichkeit der Miniaturisierung liegt in der Unabhngigkeit des Kennlinienbildes eines MOS-Transistors von den wesentlichen geometrischen Gren.
Bereits frher fanden wir heraus, dass sich ein gleichzeitiges Verndern der beiden
Lngen L und w nicht auf die elektronischen Eigenschaften (beispielsweise sein
Kennlinienbild) auswirkt. Diese Mglichkeit nennt man Skalierung.
Zustzlich vorteilhaft ist dabei die Tatsache, dass mit krzerem Gate die Laufzeit der Trger im Kanal zwischen Source und Drain geringer wird. Dadurch sind
hhere Schaltfrequenzen mglich. Diese Verkrzung bringt aber auch einige Nachteile mit sich: Zum einen kommt es zu unerwnschten Leckstrmen sie sind ein
Beispiel fr so genannte Kurzkanal-Effekte. Weiter sind die Schaltgeschwindigkeiten umgekehrt proportional zur Strukturgre. Und schlielich werden die elektrischen Feldstrken bei fest gehaltener angelegter Spannung, aber krzeren
Kanallngen sehr gro. Man kann nun die Betriebsspannungen herabsetzen und
auf diese Weise das elektrische Feld konstant lassen. In diesem Falle sind jedoch
elektronische Bauelemente untereinander in ihren Anschlusswerten nicht mehr
kompatibel. In den Entwicklungen der letzten Jahre hat man das in Kauf genommen und so Schaltkreise mit immer kleineren Versorgungsspannungen auf den
Markt gebracht.
Trotzdem gibt es immer noch Eigenschaften, die sich nicht skalieren lassen.
Beispielsweise ist die Gapenergie Eg einer Halbleitersubstanz eine (bei gleichen
ueren Bedingungen, zum Beispiel gleicher Temperatur) feste physikalische
Gre, die sich einer Skalierung nicht unterwerfen lsst.
Die heutigen Transistoren sind zum Beispiel Kurzkanal-Transistoren mit Kanallngen von weniger als 1 m und Oxiddicken bis hinunter zu 1 nm.
Ein Beispiel fr die Hinwendung zu neueren Technologien sind die so genannten double-gate MOSFETs. Bei ihnen ist der leitfhige Kanal zwischen zwei Gates
eingeschlossen. Damit hofft man, einige der Schwierigkeiten, die sich aufgrund
des notwendigen Scaling-Verhaltens bei Einfach-Gate-MOSFETS ergeben, zu vermeiden. (Zum Beispiel werden bei sehr kurzen Gates extrem hohe Dotierungen
erforderlich.) Details knnen hier nicht weiter ausgefhrt werden, Diskussionen zu
solchen neuen Entwicklungen sind jedoch regelmig in der Literatur zu finden.
Als Beispiel seien die Zeitschriften IEEE Spectrum und IEEE Circuits & Devices
Magazine genannt, zum Beispiel die Aufstze [Geppert 2002], [Gargini 2002] oder
[Chen et al. 2003] oder das Gesamtheft Proc. IEEE, No. 2/2008.
Noch ein weiterer Aspekt sollte bedacht werden: Halbleiterelektronik ist kein
rein elektrisches, sondern ein sehr komplexes physikalisches Gebiet. Whrend im
Jahre 2002 noch ca. 3,5 Millionen Transistoren auf 280 mm2 untergebracht wur-
301
den, wird im Jahre 2016 mit ca. 8,8 Milliarden zu rechnen sein. Das bringt eine
Verdopplung der Verlustleistung mit sich, so dass beim Design auch stets an eine
ausreichende Wrmeabfuhr gedacht werden muss.
Metall-Halbleiter-Kontakte spielen bei Schottky-Dioden und bei Feld
effekt-Transistoren eine Rolle, daneben sind sie natrlich auch als Ohmsche
Kontakte wichtig.
Auf Halbleiterseite hneln Schottky-Dioden bezglich ihres statischen
Verhaltens einem einseitigen pn-bergang, Breite und Kapazitt der Sperrschicht werden nach hnlichen Formeln wie beim pn-bergang ermittelt.
Fr die Breite gilt zum Beispiel (der Halbleiter sei n-leitend)
b=
20
e
1
UD U .
ND
Die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Schottky-Diode hat dieselbe

Gestalt wie die einer pn-bergangs-Diode:
eU
j = js e kBT 1 .
Allerdings ist der Sperrstrom bei der Schottky-Diode ein Strom von
Majorittstrgern. Er wird beschrieben durch die Gleichung
js = R T e
e B
kBT
Die Gre eB ist die Barrierenhhe, das heit, die Differenz zwischen
Elektronenaffinitt des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls. R* ist
die Richardson-Konstante, eine fr jeden Halbleiter typische Materialkonstante. Der Sperrstrom von Schottky-Dioden ist bei sonst vergleichbaren
Substanzdaten grer als der eines pn-bergangs.
Um Ohmsche Kontakte zu erzeugen, muss man Gleichrichtung verhindern. Dies kann auf zwei verschiedene Arten erreicht werden:
1. durch Wahl eines solchen Halbleitermaterials, bei dem die Fermi-Energie tiefer als die des Metalls liegt.
2. durch sehr starke Dotierung des Halbleiters; dann wird die Potentialbarriere zum Metall sehr schmal und kann von den Ladungstrgern durchtunnelt werden.
302
Die wichtigsten Familien der Feldeffekt-Transistoren sind:

FET
NIGFET
(nichtisoliertes Gate)
JFET
(Junction FET)
MOSFET
= IGFET
= MISFET
MISFET*)
(isoliertes Gate)
MESFET
(MetallHalbleiter-FET)
MOS-Feldeffekttransistoren bestehen aus Source, Gate und Drain. Der
Stromfluss zwischen Source und Drain wird durch die Gatespannung

gesteuert. Der Strom fliet als Driftstrom in einem leitenden Kanal (kein
Diffusionsstrom!):
beim MOSFET: Inversionskanal in der Sperrschicht,
beim JFET und MESFET: Kanal im Grundmaterial, der von der Sperrschicht frei gelassen wird.
An der Grenzschicht zwischen Gateoxid und Halbleiter eines MOS-Feldeffekt-Transistors lassen sich in Abhngigkeit von der Vorspannung des
Halbleiters drei Bereiche unterscheiden.
Akkumulation,
Verarmung,
Inversion.
Im Inversionsbereich eines n-Kanal-MOSFET (NMOS-FET) ist die Elektronenkonzentration an der Grenze grer als die Lcherkonzentration im
Halbleiterinnern (beim PMOS-FET umgekehrt). Dadurch bildet sich ein
leitfhiger Kanal zwischen Source und Drain, der durch das Gate-Potential
gesteuert wird.
Zur Herleitung der Strom-Spannungs-Kennlinien wird bei den meisten
Typen von Feldeffekttransistoren ein Modell benutzt, bei dem sich der
Gesamtwiderstand im leitenden Kanal als Reihenschaltung von differentiellen Teilwiderstnden zusammensetzt. Entsprechend ergibt sich die Gesamtspannung als Summe (Integral) ber differentiell kleine Teilspannungen.
Das Strom-Spannungs-Verhalten von Feldeffekttransistoren kann
beschrieben werden durch
das Ladungssteuerungsmodell (einfacher),
die gradual channel approximation (umfangreicher).
Strom-Spannungs-Kennlinie eines MOSFETs im Ladungssteuerungsmodell (quadratische Abhngigkeit von der Drain-Source-Spannung, bei
Bipolartransistoren hingegen exponentielles Verhalten):
303
1 2
w
(U G U th ) U DS U DS , fr U DS U th < U G ,
L
2
w 1
I = e c (U DS U th )2 (= const) darber .
L 2
I = e c
Durch gleichzeitiges Verkleinern von Breite w und Lnge L ndern sich die
Verstrkungseigenschaften eines MOS-Transistors nicht (Skalierung). Dies
erlaubt in gewissen Grenzen den bergang zu immer kleineren Abmessungen.
Aufgabe 6.1 Strom-Spannungs-Kennlinie von Schottky-Dioden (zu Abschn. 6.1) **
Vergleichen Sie die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Schottky-Diode mit der einer p+ nSilizium-Diode (gleiche Flchen angenommen).
Daten der p+ n-Diode (vgl. Abschn. 3.3.4, Beispiel 3.3): ND = 1014 cm3. Daraus folgten
dort h = 461 cm2/Vs, Lh = 34,6 m und Dh = 12,0 cm2/s.
Daten der Schottky-Diode: B = 720 mV und R* = 260 A cm2K2
Berechnen und vergleichen Sie die Sttigungsstrme.
Aufgabe 6.2 Durchlassspannung von Schottky-Dioden (zu Abschn. 6.1) **
Um welchen Betrag unterscheiden sich die Durchlassspannung der Schottky-Diode und

der p+n-Diode aus Aufgabe 6.1, wenn bei beiden die gleichen Strme flieen?
Aufgabe 6.3 Inversionsbedingung am MOS-Kondensator (zu Abschn. 6.3) **
In Aufgabe 2.6 wurde die Elektronenkonzentration n in einem dotierten Halbleiter mit Hilfe
der Gre Ei, der Fermi-Energie in einem reinen Halbleiter definiert,
n = ni exp
EF Ei
.
kBT
Zeigen Sie, dass die Gre einv mit Hilfe von Ei wie folgt geschrieben werden kann:
e inv = e ( y = 0) = 2( Ei EF ).
Diese Formel wird in vielen Lehrbchern anstelle von (6.27) zur Definition der Inversionsbedingung benutzt.
Aufgabe 6.4 MOSFET-Kennlinie bei kleinen Drain-Source-Spannungen (zu Abschn. 6.2 und 6.3)
a)** Schreiben Sie fr das Ladungssteuerungsmodell einen Ausdruck fr den linearen

Strom-Spannungs-Zusammenhang (6.18) bei kleinen Drain-Source-Spannungen UDS auf (1.
Glied einer Potenzreihenentwicklung). Geben Sie fr diesen linearen Bereich den Leitwert
des Kanals an.
b)*** Dasselbe ist fr die gradual channel approximation, Gl. (6.52) auszufhren.
304
Aufgabe 6.5 Kanalwiderstand (zu Abschn. 6.2)*
Berechnen Sie den Kanalwiderstand eines GaAs-FET bei einer Gatespannung von 0,5 V.
Hierzu soll die in Aufgabe 6.4 a) abgeleitete Formel benutzt werden. Zahlenwerte: Beweglichkeit e = 5000 cm2/Vs, Kanalbreite w = 0,25 m, Kanallnge L = 2 m, Isolatorkapazitt c = 5 106 Fcm2. Uth soll als null angenommen werden.
Aufgabe 6.6 Mooresches Gesetz (zu Abschn. 6.8) ***
Benutzen Sie Abb. 6.27, um die Zeit zu bestimmen, in der sich die Zahl der Transistoren auf
Intel-Prozessoren in den Jahren zwischen 1970 und 2000 jeweils verdoppelt hat.
Aufgabe 6.7 CCD-Bildwandler (zu Abschn. 6.6) **
Die Auflsung von Bildwandlern wird in dpi (dots per inch) angegeben. Wie klein muss ein
einzelnes Bildwandler-Bauelement eines CCD-Sensors mindestens sein, wenn eine Auflsung von 1200 dpi erreicht werden soll? (1 " (inch) = 25,4 mm).
MATLAB-Aufgabe
Aufgabe 6.8 Kennlinienfeld eines MOS-Kondensators
Berechnen Sie die Kennlinienschar eines MOS-Kondensators in quadratischer Nherung

gem (6.18) und (6.19). Die Strme sollen in relativen Einheiten verwendet werden:
I
w
C0
L
1 2
= (U G U th )U DS U DS
2
(6.80)
sowie
I
w
C0
L
1
(U G U fb )2 .
2
(6.81)
Stellen Sie auch die Kurve dar, die die Grenze des Sttigungsgebiets bildet.
Testfragen
6.9
Durch welche Art von Ladungstrgern wird der Sttigungsstrom einer SchottkyDiode gegenber der pn-Diode getragen?
6.10
Wie realisiert man Ohmsche Metall-Halbleiter-Kontakte? (zwei Mglichkeiten!)
6.11
Vergleichen Sie qualitativ den Kennlinienverlauf einer Schottky-Diode und einer

pn-Diode; stellen Sie beide in einer Skizze dar.
6.12
Erklren Sie die Begriffe Austrittsarbeit und Elektronenaffinitt.
305
6.13
Skizzieren Sie die Energiebnder an einem gleichrichtenden Metall-Halbleiter-bergang im thermodynamischen Gleichgewicht a) fr einen Kontakt aus Metall und nHalbleiter, b) fr einen Kontakt aus Metall und p-Halbleiter.
6.14
Skizzieren Sie analog zu 6.13 die Energiebnder an einem Metall-Halbleiter-bergang mit Ohmschem Verhalten.
6.15
Zeichnen Sie qualitativ fr eine Schottky-Diode (bestehend aus Metall und n-Halbleiter) a) die Raumladung, b) die elektrische Feldstrke, c) das elektrische Potential
in Abhngigkeit von der Ortskoordinate x (analog zu Abb. 3.4).
6.16
Unter welchen Bedingungen tritt bei einem MOSFET Akkumulation, Verarmung

beziehungsweise Inversion auf?
6.17
Wodurch ist die Inversionsspannung definiert?
6.18
Welche mathematische Abhngigkeit haben die Ausgangskennlinien eines MOSFET

im Vergleich mit einem Bipolartransistor?
6.19
Warum ist die Beweglichkeit im Kanal eines Feldeffekttransistors kleiner als die
Beweglichkeit im Innern eines Halbleiters?
6.20
Wodurch unterscheiden sich die Leitungsmechanismus in FETs gegenber dem

Bipolartransistor? In welchem Transistor finden wir Diffusionsstrme, in welchem
Feldstrme?
6.21
Zeichnen Sie qualitativ das Verhalten der Kapazitt eines MOS-Kondensators ber
der angelegten Spannung und erklren Sie, wodurch das Verhalten in den einzelnen
Abschnitten der Kurve bestimmt wird.
6.22
Bei welchem Typ von Feldeffekttransistor fliet der Strom im Raumladungsgebiet,

bei welchem gerade auerhalb des Raumladungsgebiets?
6.23
Welches sind die beiden Aussagen des Mooreschen Gesetzes?
Halbleitertechnologie
Nachdem wir jetzt die physikalischen Prinzipien kennengelernt haben, die

Halbleiterbauelementen zu Grunde liegen, ist es an der Zeit, dass wir uns
auch mit den Herstellungsprozessen vertraut machen. Die mglichen Technologien setzen einen Rahmen fr das, was aus Halbleitern machbar ist.
Hierbei wird auch deutlich, dass die in den vorigen Kapiteln benutzten
Modelle ntzlich, aber nicht immer realistisch sind. So wird bei der Darstellung der Dotiertechnologien klar werden, dass homogene Dotierungen nur
schwer zu erzielen sind und statt dessen in der Regel Dotierungsgradienten
erzielt werden.
Wir lernen als Erstes die Herstellungsschritte zur Gewinnung von Rohsilizium und Silizium-Einkristallen kennen und beschftigen uns danach
mit den Prozessen, die zur Produktion von Bauelementen ntig sind.
7.1 Vom Sand zum Chip: Fertigungsschritte im berblick

Sowohl fr diskrete Halbleiterbauelemente als auch fr hochintegrierte Schaltungen kommt als Material vorwiegend Silizium in Frage. Bevor aus dem Ausgangsmaterial ein fertiges elektronisches Bauelement oder Chip entsteht, ist eine
Vielzahl unterschiedlicher chemischer und physikalischer Prozessschritte ntig.
Bei einer ersten groben Einteilung unterscheiden wir
1. die Aufbereitung des Rohmaterials, das heit die Herstellung von Rohsilizium
aus Quarzsand,
2. die Zchtung von Einkristallen, ihre Reinigung sowie das Heraussgen von
Halbleiterscheiben (so genannter Wafer) aus dem Kristall,
3. die Bearbeitung der Wafer mittels Oxidation, tzen, Dotieren und Abscheidung, wobei die Lithographie unentbehrlich ist,
4. die Montage und Kontaktierung des Halbleiterchips.
Mit der Montage und Kalibrierung werden wir uns hier nicht beschftigen, die
vorangehenden Herstellungsschritte sollen im berblick dargestellt werden.

DOI 10.1007/978-3-642-20032-8, Springer 2011
307
308
7 Halbleitertechnologie
7.2 Herstellung von Silizium-Einkristallen

7.2.1 Rohsilizium
Mehr als 95 % aller Halbleiterbauelemente werden aus Silizium hergestellt. Einkristallines Silizium ist relativ einfach in hoher Reinheit grotechnisch produzierbar. Silizium ist das Element, das in der Erdkruste am zweithufigsten vorkommt.
Etwa 26 Masseprozent der Erdkruste besteht aus diesem Material (zum Vergleich:
Sauerstoff 46,7 %), entweder in der Form von Quarzsand oder Silikaten. Rohsilizium wird aus Quarz (mit anderen Worten: aus sehr reinem Sand) im Lichtbogenofen durch Reduktion mit dem Kohlenstoff der Elektroden bei etwa 2100 C nach
folgender Reaktion hergestellt:
SiO2 + 2 C Si + 2 CO
(7.1)
Diese Reaktion findet oberhalb des Schmelzpunktes von Silizium statt, welcher
bei 1413 C liegt. Dabei wird sehr viel elektrische Energie verbraucht 14 kWh
pro Kilogramm Silizium. Die Standorte zur Produktion von Rohsilizium liegen
deshalb vor allem dort, wo elektrische Energie preisgnstig verfgbar ist. Die
Anwesenheit von Eisen bei der Reaktion verhindert die Entstehung von Siliziumkarbid.
Das Reaktionsprodukt ist Rohsilizium, auch technisches Silizium oder metallurgical grade silicon (MGS) genannt. Es enthlt noch bis zu etwa 2 % Verunreinigungen, vor allem Eisen, Aluminium, Magnesium, Kalzium und Kohlenstoff, die
zum Teil sogar erst durch den Herstellungsprozess eingebracht worden sind. Die
Reinigung des Rohsiliziums ist daher unbedingt notwendig.
Die Jahresproduktion von Rohsilizium liegt bei einigen hundertausend Tonnen
pro Jahr. Davon bentigt die Halbleiterindustrie jedoch nur etwa 1 %, der Hauptteil
wird in der Stahlproduktion, fr die Herstellung von Silikonen1 und fr die Produktion von Solarzellen bentigt.
7.2.2 Trichlorsilan und Polysilizium
Fr die weitere Reinigung muss das Rohsilizium in eine flssige oder gasfrmige
Form berfhrt werden. In einem Wirbelschicht-Reaktor wird durch Hydrochlorierung bei etwa 300 C Trichlorsilan erzeugt:
Si + 3 HCl SiHCl3 + H2 .
(7.2)
Das Trichlorsilan, auch Siliziumhydrochlorid oder Silizium-Chloroform

genannt, kondensiert an den Wnden des Reaktors. Es ist unterhalb von 31,8 C
1
Silikone sind siliziumorganische Verbindungen wie zum Beispiel Silikonkautschuk. Verwechseln Sie nicht die englischen Bezeichnungen: Silizium ist englisch silicon, whrend
der Ausdruck fr die organischen Verbindungen silicone lautet.
309
Rohsilizium
(gemahlen)
leichtflchtige
Komponenten
Staubfilter
WirbelschichtReaktor
Abscheider
Abtriebskolonne
Auftriebskolonne
Tankvorlagen
(Kondensation)
H2
Vorratstank
SiHCl3
Vorlagetank
Chlorwasserstoff (HCl)
schwerflchtige
Komponenten
SiHCl3
(hochrein)
Abb. 7.1 Erzeugung von Trichlorsilan und fraktionierte Destillation nach dem SiemensVerfahren, nach [Beneking 1991] und [Chemie Grundlagen der Mikroelektronik 1994]
flssig. Dabei bilden die Verunreinigungen zum Beispiel solche Verbindungen wie
Phosphortrichlorid (PCl3) oder Bortrichlorid (BCl3). Da diese Chlorverbindungen
bereits bei hheren Temperaturen kondensieren, knnen sie durch fraktionierte
Destillation abgetrennt werden. In Abb. 7.1 ist der Prozess schematisch dargestellt,
eine industrielle Anlage ist in Abb. 7.2 zu sehen
Das zurckbleibende hochreine Silizium dissoziiert dann durch Reduktion mit
Wasserstoff (Cracken) bei ca. 1100 C nach folgenden Reaktionen:
SiHCl3 + H2
Si + 3 HCl,
4 SiHCl3 + H2 Si + 3 SiCl4 + 2H2 .
(7.3)
(7.4)
Es handelt sich hier um die umgekehrte Reaktion zur Hydrochlorierung.

Das Silizium scheidet sich bei der Reduktion auf dnnen beheizten Stben (so
genannten Seelen) als dicke polykristalline Schicht ab. Die Seelen bestehen ebenfalls bereits aus Silizium. Der endgltige Durchmesser der entstehenden Stbe
kann bis zu 200 oder sogar 300 mm betragen. Dieses Verfahren heit Siemens-Verfahren, es wurde von Spenke2 in den 50er Jahren bei Siemens entwickelt.
Die Ausbeute an Endprodukten betrgt allerdings nur etwa 30 %, da die Prozesse nicht vollstndig ablaufen.
Eberhard Spenke (19051992), dt. Physiker, geb. in Bautzen, Studium an den Universitten Bonn, Gttingen und Knigsberg. 1929 bis 1946 wiss. Mitarbeiter im Berliner Zentrallaboratorium der Siemens & Halske AG. Nach dem Ende des Zweiten Weltkrieges
Aufbau des Siemens-Halbleiterforschungslaboratoriums in Pretzfeld/Nrnberg. Arbeiten
mit Schottky und Walker fhrten 1954 erstmals zur Gewinnung von Reinstsilizium.
Spenke gilt heute als der Vater der Siliziumhalbleiter.
310
Abb. 7.2 Destillationskolonnen fr die

Trichlorsilanproduktion bei der Siltronic
AG, Burghausen. Die Kolonnen sind mehr
als haushoch. Foto: Siltronic AG (mit
Genehmigung)
Quarz (SiO2)
Reduktion bei 1500 0C

Roh-Silizium Si
Si + 3 HCl SiHCl3 + H2
Hydrochlorierung bei 300 0C

Trichlorsilan SiHCl3
Destillation
SiHCl3 + H2 Si + 3 HCl
4 SiHCl3 + H2 Si + 3 SiCl4 + 2H2
Cracken bei 1100 0C

Poly-Silizium
Tiegelziehen,
Zonenreinigung
Silizium-Einkristall
Abb. 7.3 bersicht ber die Herstellungsschritte fr Silizium
Das entstehende Polysilizium hat eine Reinheit von weniger als 109 Fremdatomen pro Siliziumatom. Der Borgehalt betrgt beispielsweise weniger als
5 1012 cm3, der Phosphorgehalt weniger als 1 1013 cm3. Andere Verunreinigungen sind in noch geringerer Konzentration enthalten. Jetzt mssen die
Konzentrationen dieser Fremdatome noch weiter verringert und auerdem aus den
polykristallinen Stben Einkristalle hergestellt werden.
Die Prozessschritte zur Polysilizium-Herstellung sind in .Abb. 7.3 noch einmal
schematisch aufgelistet.
311
7.2.3 Herstellung von Einkristallen

Zur Einkristallherstellung werden im Wesentlichen zwei Verfahren eingesetzt,
das Tiegelziehen nach Czochralski und das Zonenschmelzen. Bei letzterem werden die beiden Schritte der Reinigung und der Einkristallherstellung in einem
Schritt gemeinsam erledigt.
Die lteste und auch heute noch preisgnstigste Methode ist das Tiegelziehen
(Abb. 7.4a,b). Dabei wird der Kristall aus einer Siliziumschmelze, ausgehend von
einem eingetauchten Impfkristall, langsam nach oben gezogen, die Ziehgeschwindigkeit betrgt 1 bis 3 mm/min. Mit dem Impfkristall lsst sich die Orientierung
des spteren Einkristalls bereits vorgeben. Die Schmelze befindet sich in einem
Quarztiegel, der aus Stabilittsgrnden seinerseits in einem Graphittiegel ruht. Leider lst sich jedoch der Quarztiegel bei den hohen Temperaturen langsam auf, so
dass SiO2 und damit Sauerstoff in die Schmelze gelangt. Dessen Konzentration
kann bis zu 1018 cm3 betragen. Mit dem Tiegelschmelzen knnen Kristalle von
bis zu 300 mm Durchmesser und einem Gewicht von einigen hundert Kilogramm
hergestellt werden. Das Wachstum der Kristalle muss an einem sehr dnnen Hals
Abb. 7.4a,b Tiegelziehen nach Czochralski,

(a) ein fertiggestellter Einkristall, (b) schematisch; aus [Wacker 2000] sowie [Ruge u. Mader
1991]
312
beginnen, damit keine Versetzungen in den Kristall eingebaut werden. Der Durchmesser erweitert sich dann allmhlich bis zur Endgre.
Beim Zonenschmelzen oder Zonenziehen (Abb. 7.5) wird ein schmaler Ring des
Siliziumstabes induktiv erwrmt und schmilzt. In der Schmelze reichern sich die
Verunreinigungen an, da ihre Lslichkeit hier grer ist als im Festkrper. Der
erwrmte Ring wird langsam nach oben gezogen (ebenfalls wieder einige Millimeter pro Minute), so dass die Verunreinigungen mitwandern. Das Zonenziehverfahren wird deshalb zum Kristallziehen und gleichzeitig zum Reinigen
benutzt. Der Prozess findet unter Schutzgasatmosphre oder im Vakuum statt;
wenn er im Vakuum durchgefhrt wird, dampfen dabei auch einige Verunreinigungen ab. Die mittels Zonenziehen erzeugten Kristalle sind im Allgemeinen kleiner,
ihre Masse betrgt maximal etwas ber 40 kg und ihr Durchmesser 150 mm. Die
Reinheit der Kristalle nach mehrfachem Zonenreinigen kann bis zu 5 1010 Fremdatome pro Kubikzentimeter betragen dieser Wert ist so klein, dass er bereits im
Bereich der Eigenleitungskonzentration liegt. Bei der Herstellung der Einkristalle
ist auch bereits eine gezielte Dotierung mit Fremdatomen durch Beimischungen
zum Schutzgas mglich, zum Beispiel werden Phosphor-Donatoren mit PH3
(Phosphin) oder Bor-Akzeptoren mit B2H6 (Diboran) eingebracht.
Die mit dem preisgnstigeren Tiegelziehen hergestellten Einkristalle werden
heute fr nahezu alle Bauelemente, insbesondere jedoch zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet. Fr Reinstsilizium es wird insbesondere in der
Leistungselektronik fr hohe Durchbruchsspannungen bentigt muss jedoch auf
das Zonenschmelzverfahren zurckgegriffen werden.
Schutzgas
Quarzrohr
Poly-Silizium
Schmelzzone
HF-Energie
Heizspule
Einkristall
Impfkristall
Kristalldrehung
Gasauslass
Abb. 7.5
1991]
Zonenschmelzen, aus [Ruge u. Mader
7.3 Herstellung von Einkristallen anderer Halbleiter
313
7.3 Herstellung von Einkristallen anderer Halbleiter

7.3.1 Germanium
Es ist interessant, dass das Germanium als Substanz erst 1887 das erste Mal isoliert
wurde, nachdem 1871 Mendeleev3 seine Existenz auf Grund eines nicht besetzten Platzes im Periodensystem vorhergesagt hatte. Mendeleev bezeichnete das
Element noch als Eka-Silizium. Er hatte dessen chemische Eigenschaften auf
Grund von Daten der Nachbarelemente im Periodensystem bereits im Groben
angegeben.
In der Natur kommt Germanium in Mineralien wie Argyrodit oder Germanit
vor, hufig in Verbindung mit Schwefel. Germanium selbst reagiert nicht wie Silizium mit Chlorwasserstoff. Dafr aber reagiert GeO2 das beim Abrsten sulfidischer Erze als Nebenprodukt anfllt, mit HCl. Durch die Reaktion entsteht
Germaniumtetrachlorid (GeCl4), das hnlich wie SiCl4 durch fraktionierte Destillation gereinigt wird. Durch Hydrolyse und nachfolgende Reduktion erhlt man
daraus Germaniumpulver. Die Einkristallherstellung ist der von Silizium hnlich.
7.3.2 Besonderheiten bei der Herstellung von Verbindungshalbleitern
Die meisten Elemente der III. und V. Hauptgruppe kommen auf der Erde viel seltener vor als Silizium (Tabelle 7.1.). Die Ausgangsprodukte fallen oft als Nebenprodukt bei anderen Verfahren an, so Gallium bei der Gewinnung von Aluminium aus
Bauxit und Indium bei der Zink- und Kupferaufbereitung. Durch den verstrkten
Bedarf der elektronischen Industrie sind einige Materialien, besonders Indium, in
den letzten Jahren deutlich knapper geworden, so dass die Rohstoffpreise teilweise
bis auf das 10-fache gestiegen sind.
Tabelle 7.1. Ausgangsprodukte fr die Herstellung von III-V-Verbindungen, nach [von
Mnch 1993])
Element
Ungefhres Vorkommen in der

Erdrinde (in %)
Erze
Schmelzpunkt
Aluminium (Al)
7,5
Bauxit
660 C
Bauxit, Germanit
29 C
Gallium (Ga)
10
Indium (In)
10
Zn- und Cu-Erze
157 C
Phosphor (P)
0,13
Phosphate
(417 C)
Arsen (As)
10-4
zum Beispiel Sulfide
(610 C)
Sb2S3
630 C
Antimon (Sb)
3
-4
-5
-5
10
Dimitri Ivanovich Mendeleev (18341907), russ. Chemiker, Professor in St. Petersburg, entdeckte 1869 das Periodische System der Elemente, damals noch ohne jegliche
Kenntnis von der Schalenstruktur der Elektronenhlle.
314
Da die Elemente der V. Hauptgruppe, vor allem Phosphor und Arsen, einen sehr
hohen Dampfdruck haben, muss die Reaktion unter Druck stattfinden. Beim Bridgman-Verfahren kristallisieren die Halbleiter in einem abgeschlossenen horizontalen
Gef. Durch den Kontakt mit dem Tiegelmaterial (Quarz, Graphit, Bornitrid oder
Aluminiumnitrid) gelangen allerdings Verunreinigungen in den Kristall. Um diesen unerwnschten Effekt zu vermeiden, wird das LEC-Verfahren (Liquid Encapsulated Czochralski) eingesetzt. Es handelt sich dabei um ein CzochralskiVerfahren, bei dem sich die Halbleiterschmelze unter einer inerten (d. h. chemisch
nicht aktiven) Flssigkeit wie B2O3 befindet; dadurch kann kein Gas aus der
Schmelze austreten. Der Druck kann je nach Substanz sehr hoch sein, beispielsweise nur 1 bar bei GaAs, aber schon 30 bar bei InP und 35 bar bei GaP.
7.4 Herstellung und Bearbeitung der Halbleiterscheiben

7.4.1 bersicht
Die Basis fr die weiteren Prozessschritte sind dnne Halbeiterscheiben (die Wafer,
Abb. 7.6). Sie werden aus den Einkristall-Rohlingen durch folgende Schritte der
Oberflchenbehandlung gewonnen:
Abdrehen des Einkristallstabs auf den gewnschten Durchmesser,

Herstellen von Abflachungen (engl. flats) durch eine Diamantfrse,
Sgen (mittels Innenlochsgen) und Trennschleifen,
Oberflchenbehandlung: Lppen, Abrunden des Scheibenrands, tzen, Polieren.
Abb. 7.6 Halbleiterwafer in einem Transportbehlter (Carrier). Foto: Contrade Microstructure Technology GmbH, Wiernsheim-Pinache (mit Genehmigung)
Abb. 7.7 Wafer mit Flats zum Kennzeichnen der Kristallorientierungen
Kennzeichnungsflat
(secondary flat)
(100)
n-Typ
(111)
n-Typ
(100)
p-Typ
315
(111)
p-Typ
Orientierungsflat
(primary flat)
Die Dicke der Wafer liegt zwischen 0,4 und 0,8 mm, je nach Gre. Beim Sgen
gehen etwa 0,4 mm verloren, so dass nur etwa die Hlfte des Einkristalls verwendet wird. Die eingefrsten Flats dienen der Kennzeichnung der Oberflchenorientierung des Wafers entsprechend den Millerschen Indizes (Abb. 7.7), ihre Lage
ist nach dem Herstellerstandard fr Halbleiter-Equipment (SEMI4) genormt. Bei
den heute zumindest bei Silizium blichen greren Wafern mit Durchmessern von
200 oder 300 mm sind anstelle der Flats kleine Einkerbungen (notches) blich.
Auf dem Grundmaterial (Substrat) werden nun in weiteren Schritten die fr das
Funktionieren wichtigen Strukturen, zum Beispiel pn-bergnge, erzeugt. Aus
einem Wafer entstehen sehr viele Bauelemente. Auf einer entsprechend groen
Scheibe knnen beispielsweise bis zu etwa 900 Speicherchips platziert werden. Da
die Prozesskosten nicht allzu sehr von der Wafergre abhngen, ist die Industrie
bestrebt, zu mglichst groen Waferdurchmessern berzugehen heute sind bei
Silizium Scheibendurchmesser bis zu 300 mm blich. Als nchster Schritt sind
Wafer mit 450 mm Durchmesser vorgesehen. Bei Verbindungshalbleitern sind die
Durchmesser im Allgemeinen kleiner.
Halbleiterbauelemente knnen prinzipiell entweder in der so genannten Mesaoder in der Planartechnik hergestellt werden. In Abb. 7.8 sind beide Techniken
einander gegenber gestellt. Bei der frher blichen Mesatechnik werden kom-
Abb. 7.8 Aufbau eines bipolaren Mesatransistors (a) und eines Planartransistors (b), aus
[Ruge u. Mader 1991]. Bei den Mesas wachsen die Strukturen auf, bei den Planartransistoren wachsen sie in das Substrat hinein
4
SEMI Semiconductor Equipment and Materials International
316
plette Schichten aufgebracht und die nicht bentigten Teile anschlieend weggetzt, so dass nur noch so genannte Mesas (Tafelberge) stehen bleiben. Bei der
Planartechnik dagegen werden die Strukturen im Wesentlichen in das Substrat hineingebracht. Sie ist heute das dominierende Verfahren, insbesondere zur Herstellung integrierter Schaltungen.
Fr eine einzelne Schicht sind nacheinander folgende Bearbeitungsschritte ntig
(in Abb. 7.9 schematisch dargestellt):
Abb. 7.9 Prozessschritte bei der Bearbeitung von Halbleiterscheiben in Planartechnik

(schematisch), aus [Ruge u. Mader 1991]
317
Maskierung
Erzeugen einer Oxid- oder Nitridschicht auf der Oberflche des Wafers.
Lithographie
Aufbringen eines lichtempfindlichen Lackes (Photolack), Belichten und Entwickeln dadurch werden Strukturen fr die nachfolgenden Prozesse festgelegt.
tzen
Die durch die Lithographie freigelegten Strukturen werden durch den tzvorgang aus der ber dem Substrat liegenden Maskierungsschicht herausgelst.
Strippen
Entfernen des restlichen Lackfilms.
Beschichtungs- und Dotierungsverfahren
An den ffnungen, die aus der Maskierungsschicht herausgetzt wurden, ist
jetzt der gezielte Zugriff auf das Grundmaterial mglich. Dazu knnen im Einzelnen die folgenden Verfahren angewandt werden:
Oxidation,
Diffusion, Legieren und andere Dotierungsverfahren,
Epitaxie (Abscheidung), auch Deposition genannt,
Metallisierung.
Die beschriebenen Techniken mssen in der Regel vielfach nacheinander ausgefhrt werden, insbesondere bei hochintegrierten Schaltungen. Das Layout dafr
wird heute mittels komplexer Software-Entwurfsmethoden erzeugt. Hierzu stehen
umfangreiche Bibliotheken zur Verfgung, die bereits ganze Teile von elektronischen Schaltungen enthalten.
Nach Abschluss aller Prozessschritte werden die Bauelemente schlielich vereinzelt, mit Kontakten versehen und mit einer Kunststoffhlle vergossen. Damit
wollen wir uns hier jedoch nicht noch beschftigen, wir werden uns in den folgenden Abschnitten jedoch etwas detaillierter den einzelnen physikalisch-chemischen
Prozessschritten zuwenden.
7.4.2 Oxidation
Einer der wichtigsten und hufig auch ersten Bearbeitungsschritte ist die Oxidation
der Halbleiteroberflche. Oxidationsschichten werden vorwiegend verwendet als
Maskierungsschichten (zur lokalen Abdeckung der Oberflche), um das Wiederaustreten von Dotierstoffen zu verhindern,
Funktionsschichten bei Bauelementen (Gateoxidschichten in MOS-Strukturen),
zur Oberflchenpassivierung, das heit, um bei nachfolgenden Prozessschritten
die durch ein Oxid geschtzten Oberflchenbereiche unbeeinflusst zu lassen.5
Bei einzelnen Verfahren, zum Beispiel bei der Ionenimplantation, reicht bereits die Abdeckung mittels Photolack, so dass auf eine Oxidschicht verzichtet werden kann.
318
Unter der Einwirkung von Sauerstoff oxidiert das Silizium in einer dnnen
Schicht unterhalb der Oberflche; das entstehende Siliziumoxid bildet eine amorphe (also nicht kristalline), glasartige, harte Substanz (Quarzglas!). Die Bildung
einer kristallinen Struktur wird verhindert, da die beiden Gitter von Silizium und
Siliziumdioxid schlecht aneinander passen und die Schicht zu schnell wchst. Die
Oxidschichten knnen bei hohen Temperaturen im Trocken- oder Nassverfahren
aufgebracht werden.
Trockenverfahren:
Bei der trockenen Oxidation strmt reiner Sauerstoff ber die Siliziumoberflche,
die auf etwa 900 bis 1200C erhitzt wird:
Si + O2 SiO2 .
Die Wachstumsrate beim Trockenverfahren liegt bei etwa 20 bis 100 nm/h, je
nach Temperatur. Die Oxidationsrate ist zwar gering, es bilden sich dabei aber sehr
feste Schichten, wie sie zum Beispiel bei den Gateoxid-Schichten der MOS-Transistoren bentigt werden.
Nassverfahren:
Die feuchte Oxidation luft bei etwa gleichen Temperaturen wie die trockene ab,
aber der Sauerstoff durchstrmt bis fast zum Siedepunkt erwrmtes Wasser.
Dadurch gelangen auch Wassermolekle an die Siliziumoberflche und fhren zur
Reaktion
Si + 2 H2O SiO2 + 2 H2 .
Die Wachstumsgeschwindigkeit bei der feuchten Oxidation ist grer (etwa 100
bis 600 nm/h), die Qualitt des so entstandenen Oxids aber schlechter. Durch die
hhere Wachstumsrate sind jedoch die Prozesskosten eher vertretbar. Die auf diese
Weise erzeugten Schichten werden vor allem als Maskierungsschichten verwendet.
Bei einer weiteren Methode, der Dampfoxidation, strmt Wasserdampf direkt ber
die Halbleiteroberflche.
Bei der Oxidation nimmt durch den Einbau der Sauerstoffatome die Gesamtdicke des Materials zu, whrend gleichzeitig die Dicke der Silizium-Unterlage durch
den Verbrauch von Siliziumatomen abnimmt. Insgesamt resultiert die Gesamtdicke
der SiO2-Schicht zu 45 % aus abgetragenem Grundmaterial und zu 55 % aus
zustzlichem Dickenwachstum.
Beispiel 7.1
Ein Silizium-Wafer habe eine Oxidschicht von 1 m Dicke, die durch Oxidation
erzeugt wurde. Die Dichten von Si und SiO2 sind nahezu gleich. Unter dieser Annahme
ist zu berechnen, um welchen Betrag die ursprngliche Dicke der Siliziumschicht durch
die Oxidation abgenommen und die Gesamtdicke des Wafers zugenommen hat.
319
Lsung:
Die Masse einer Substanz ergibt sich aus dem Produkt von Dichte und Volumen; fr
Silizium gilt demnach
mSi = SiVSi ;
fr SiO2 gilt analog

mSiO 2 = SiO 2VSiO 2 .
Bei gleichen Dichten verhalten sich die Volumina wie die Massen und insbesondere
auch wie die molaren Massen. Die molaren Massen von Si und SiO2 sind 28,09 g mol-1
beziehungsweise 60 g mol-1. Damit erhalten wir
VSi
m
28
= Si = Si = .
VSiO2 mSiO2 SiO2 60
Die Dicke von Silizium muss also um den Faktor 28/60 = 46 % abgenommen haben.
Das Dickenwachstum unter Bercksichtigung der tatschlichen Dichteunterschiede
zwischen Si und SiO2 berechnen wir in Aufgabe 7.4.
7.4.3 Dotieren
Durch Dotieren sollen Strstellen gezielt in das Halbleitermaterial eingebracht
werden. Die Verfahren, die hierfr zur Verfgung stehen, sind in Abb. 7.10 schematisch aufgelistet. bliche Dotierungselemente im Silizium sind heute Bor (fr pDotierung) und Arsen (fr n-Dotierung).
Die Dotierungselemente sind, wie Arsen, zum Teil hochgiftig. Das gilt auch fr
die aus ihnen bestehenden Verbindungen, die als Ausgangsstoffe eingesetzt werden, zum Beispiel Phosphin (PH3), Diboran (B2H6) oder Arsin (AsH3). Daher
mssen besondere Sicherheitsstandards eingehalten werden.
Dotierungsverfahren
Dotieren
whrend der
Kristallzucht
Legieren
Diffusion
Ionenimplantation
Kernreaktion
(Neutronenbeschuss)
Abb. 7.10 Schema der gebruchlichen Dotierungsverfahren. Die Kernreaktion ist nur in
einem speziellen Fall einsetzbar
(a) Dotieren whrend der Kristallzucht

Bereits whrend des Kristallwachstums knnen Dotierungselemente zugesetzt
werden. Das Problem ist dabei jedoch, dass der Verteilungskoeffizient der meisten
Dotierungsstoffe an der Phasengrenze zum festen Zustand hin kleiner als eins ist
320
ein Effekt, den man sich ja gerade beim Zonenreinigen nutzbar macht. Der Halbleiter wird mit fortschreitender Kristallbildung an Strstellen rmer, in der Schmelze
reichern sie sich an. Zum Ausgleich muss der Schmelze laufend undotiertes Halbleitermaterial zugegeben werden.
(b) Legieren
Legieren (Abb. 7.11) ist das lteste Verfahren zur Dotierung. Beim Legieren wird
der Dotierstoff auf den Halbleiterkristall aufgedampft oder als Folie beziehungsweise als Metallpille aufgebracht. Anschlieend wird dieses Material geschmolzen
und lst dabei den Kristall teilweise mit an. Whrend der Abkhlung kristallisiert
der Halbleiter anschlieend neu, wobei aus der Schmelze Dotierungsatome aufgenommen werden. Vor dem Dotieren ist es notwendig, Oxidschichten von der Halbleiteroberflche zu entfernen. Das geschieht durch Ausheizen in inerter (also nicht
reaktionsfhiger) Atmosphre.
Durch die Legierung entsteht eine scharfe Grenze zwischen dotiertem und
undotiertem Bereich, im Gegensatz zur Diffusion, die nachfolgend beschrieben
wird. Allerdings neigt das auf diese Weise dotierte Silizium dazu, Risse zu bilden;
die Silizium-Legierung ist sprde. Deshalb wird dieses Verfahren vor allem noch
bei Germanium zur Herstellung von Leistungstransistoren angewandt sowie bei
III-V-Halbleitern zur Herstellung von pn-bergngen.
Abb. 7.11 Ablauf des Legierungsprozesses, hier am Beispiel der Legierung von metallischem Indium zu Germanium, aus [Ruge u. Mader 1991]
(c) Diffusion
Das hufigste Dotierverfahren in der Halbleitertechnologie ist die Diffusion. Sie ist
relativ preiswert bei hinreichender Qualitt und liefert gut reproduzierbare Ergebnisse. Die Diffusion erfolgt in einem Quarzrohr bei Temperaturen zwischen 800
und 1250 C. Dieses Rohr wird von einem Trgergas (zum Beispiel Argon oder
Stickstoff) durchstrmt, welches mit dem Dotierstoff angereichert ist. Die Dotierstoffe knnen aus einer gasfrmigen, flssigen oder beheizten festen Quelle stammen (Abb. 7.12).
321
Abb. 7.12 Diffusion im Durchstrmverfahren (hier als Beispiel aus einer Feststoffquelle),
aus [Ruge u. Mader 1991]
Ein typischer Mechanismus besteht in der Reduktion eines Oxids, zum Beispiel
Boroxid, wobei sich SiO2 bildet, das sich auf der Siliziumoberflche als Silikatglas
abscheidet und anschlieend abgetzt werden kann:
4 + 3 SiO2.
2 B2O3 + 3 Si
Die Diffusion kann mikroskopisch ber folgende drei Mechanismen erfolgen,

a) ber Zwischengitterpltze,
b) ber Leerstellen im Gitter oder
c) ber Platzwechselvorgnge (Wechsel von Dotierungsatomen und Grundgitteratomen).
(d) Ionenimplantation
Bei der Ionenimplantation werden die positiv geladenen Ionen der Dotierelemente
in einem elektrischen Feld beschleunigt und in den Halbleiter eingeschossen. Die
Ionen werden in einem Mikrowellenfeld erzeugt, welches Elektronen von ihren
Atomkernen abtrennt. Das Eindringverhalten der Dotierungsionen ist nicht durch
chemische Eigenschaften bestimmt, sondern durch die Energie der Teilchen und
ihre Abbremsung im Festkrper. Die Ionen geben erst nach mehreren Sten ihre
Energie an die Gitteratome ab, deshalb erreicht die Dotierungskonzentration ihr
Maximum erst in einer Schicht unterhalb der Oberflche, im Gegensatz zur Diffusion (Abb. 7.13). Ein Problem kann dabei sein, dass die Ionen parallel zu bestimmKonzentration
Diffusion
Ionenimplantation
Tiefe
Abb. 7.13 Tiefenverlauf der Strstellenkonzentration bei Diffusion und Ionenimplantation
322
ten Kristallachsen sozusagen in Kanlen fliegen und dadurch nicht gengend

abgebremst werden (Channeling). Man kann dies vermeiden, indem der Kristall
ein wenig gegen diese Achsen geneigt wird, etwa unter einem Winkel von 7 .
Die Ionenimplantation ist das Dotierungsverfahren, dessen Ergebnisse die
hchste Reproduzierbarkeit liefern. Sie findet bei Raumtemperatur statt, deshalb
werden bereits vorhandene Dotierungsprofile nicht wieder verndert. Fr die Maskierung ist eine einfache Photolackschicht ausreichend. Es werden aber auch Siliziumnitrid-, Polysilizium- und Siliziumoxidschichten verwendet. Wegen der
hervorragenden Reproduzierbarkeit ist es mittels Ionenimplantation mglich,
durch definierte Dotierung die Schwellspannung in MOSFETs genau einzustellen.
Durch Ionenimplantation werden die Strstellen zunchst auf Zwischengitterpltze eingebracht. Dort sind sie aber fr das elektrische Verhalten nutzlos, da ihr
Verhalten als Donator oder Akzeptor vom Einbau auf einem Gitterplatz abhngt.
Man muss deshalb den Halbleiter nach der Implantation einer Temperaturbehandlung unterziehen, bei der sich die Dotieratome auf die Gitterpltze begeben.
Gleichzeitig wird erreicht, dass die durch den Beschuss entstandenen Kristallschden wieder ausheilen.
(e) Neutronenbeschuss
Ein ebenfalls zur Dotierung verwendeter interessanter Prozess ist der Beschuss von
Silizium-Atomkernen durch Neutronen. Ein Neutron wandelt sich dabei durch eine
Kernreaktion in ein Proton des Kerns um. Phosphorkerne enthalten genau ein Proton mehr als Siliziumkerne, so dass aus dem Siliziumatom ein Phosphoratom wird.
Der Neutronenbeschuss eignet sich daher nur zur n-Dotierung.
Neutronen dringen sehr weit in den Halbleiter ein. Deshalb wird diese Technologie vor allem fr solche Anwendungen eingesetzt, bei denen sehr tiefe, gleichmig dotierte n-Gebiete gefordert sind. Wir erinnern uns, dass bei der Diffusion
dagegen die Dotierungskonzentration mit der Tiefe stark abnimmt.
7.4.4 Epitaxieverfahren
Die Epitaxie (von griech. obenauf) gehrt neben dem Aufdampfen
und Sputtern, das wir anschlieend im Zusammenhang mit der Metallisierung
besprechen, zu den wichtigsten Abscheidetechniken.
Unter Epitaxie versteht man ein geordnetes einkristallines Aufwachsen von
dnnen Substanzschichten auf einem Halbleitersubstrat. Damit werden homogene
Schichten hoher Reinheit erzeugt, die Schichtdicken betragen typisch etwa 2 bis
100 m. Die Schicht bildet sich durch Anlagerung von Atomen bei einer chemischen Reaktion. Die Eigenschaften der Schichten ndern sich im Gegensatz zu den
brigen Dotierungsverfahren abrupt. Dabei ist sorgfltig auf die Einhaltung der
Reaktionsparameter zu achten. Durch Temperatur- oder Konzentrationsnderungen
kann sich die Reaktionsrichtung nmlich auch umdrehen, so dass an Stelle der
gewnschten Reaktion eine bereits vorhandene Schicht abgetragen wird.
323
Epitaxieverfahren werden zum Beispiel zur Erzeugung gering dotierter Schichten auf hochdotiertem Trgermaterial verwendet; hierfr sind Diffusionsverfahren
unbrauchbar.
Man unterscheidet Homoepitaxie (Darunter versteht man das Aufwachsen eines
gleichen, jedoch anders dotierten Grundmaterials) und Heteroepitaxie (Das ist das
Aufwachsen einer ganz anderen Substanz; dabei spielt aber die Anpassung der Gitterstruktur eine groe Rolle)
Die Epitaxie kann chemisch, und zwar aus der gasfrmigen oder flssigen
Phase, oder physikalisch erfolgen (vgl. Abb. 7.14). Die Gasphasenepitaxie wird
berwiegend beim Silizium eingesetzt, whrend zur Herstellung hochreiner kristalliner Schichten von III-V-Halbleitern sowie fr die Heteroepitaxie die Flssigphasen-Epitaxie (liquid phase epitaxy, LPE) und die Molekularstrahl-Epitaxie
(molecular beam epitaxy, MBE) Verwendung findet.
Beim CVD-Verfahren (Abb. 7.15) werden chemische Verbindungen thermisch
zersetzt. Prozessgase sind in der Regel Wasserstoff- oder Chlor-Verbindungen wie
Silan (SiH4), Dichlorsilan (SiH2Cl2) oder Siliziumtetrachlorid (SiCl4). Gleichzeitig werden noch je nach gewnschter Dotierung der Schicht die Dotiergase eingebracht. Diese Substanzen sind grtenteils hochgiftig und zum Teil explosiv.
Beim Siliziumtetrachlorid verluft die Reaktion zum Beispiel nach dem Schema
SiCl4 + H2
2 SiCl2
SiCl2 + 2 HCl,
Si + SiCl4.
In der Summe ergibt sich daraus

SiCl4 + 2 H2
Si + 4 HCl.
Die Epitaxieprozesse finden berwiegend im Vakuum bei hohen Temperaturen

(ca. 1200 C) statt. Wenn die Anbaurate der Bausteine wesentlich geringer ist als
der pro Zeiteinheit gelieferte Reaktionsstoff, so wchst die Schicht polykristallin
auf. Eine wichtige Anwendung des CVD-Verfahrens besteht in der Herstellung von
bergittern, bei denen zum Beispiel GaAs-Schichten auf AlAs-Schichten periodisch aufeinander folgen.
Epitaxieverfahren
Chemische Verfahren
Gasphasenepitaxie;
Flssigphasenepitaxie;
vapour phase epitaxy (VPE)
liquid phase epitaxy (LPE)
auch: chemical vapour depositon
(CVD)
Abb. 7.14 bersicht ber die Epitaxieverfahren
Physikalische Verfahren
Molekularstrahlepitaxie;
molecular beam epitaxy (MBE)
324
Abb. 7.15 CVD-Reaktoren: links vertikale, rechts horizontale Ausfhrung, aus: [Ruge u.
Mader 1991]
Eine spezielle Variante des CVD-Verfahrens ist das MOCVD (metal organic
vapour deposition). Es wird speziell bei der Epitaxie von Verbindungshalbleitern
eingesetzt, um die Zufuhr der Schichtsubstanz in Gasform bei Raumtemperatur
mglichst genau dosieren zu knnen. Hierfr kommen metallorganische Verbindungen, beispielsweise Trimethylgallium, Ga(CH3)3 , in Frage.
Nicht immer kann die erforderliche Siliziumoxidschicht aus dem Grundmaterial
wie in 7.4.2 beschrieben durch Oxidation gebildet werden, zum Beispiel wenn sie
auf metallischen Schichten aufwachsen soll. Dann muss man zu einem chemischen
Abscheideverfahren greifen. Hufig lsst man Siliziumdioxid durch Silan-Pyrolyse
abscheiden (Pyrolyse ist die thermische Zersetzung einer Substanz). Sie kann nach
folgendem Schema vor sich gehen:
SiH4 + O2
SiO2 + 2 H2 (bei 400 bis 1000C),
Da Silan hochexplosiv ist und sich in der Umgebungsluft selbst entzndet, wird
es nur in sehr geringer Konzentration in einer Schutzgasatmosphre aus Stickstoff,
Wasserstoff oder Argon zugefhrt.
Abscheiden von Silan ohne Sauerstoff wrde Polysilizium oder bei geeigneter
Prozessfhrung kristallines Silizium erzeugen. Die Silan-Pyrolyse wird darber
hinaus auch zur Abscheidung von Siliziumnitridschichten eingesetzt:
Silizium:
SiH4
Si + 2 H2
(bei 600 bis 1000C),
Siliziumnitrid:
3 SiH4 + 4 NH3
Si3N4 + 12 H2 (bei 750 bis 1100C).
Anwendung finden diese Schichten als Masken sowie als Passivierungsschichten.

Auch Metalle werden mittels CVD-Verfahren abgeschieden.
Silizium kann durch Silan-Pyrolyse auch auf einem isolierenden Trgermaterial
abgeschieden werden. Dieses Verfahren wird als SOI-Technologie (silicon on insulator) bezeichnet. Von Vorteil ist dabei die isolierende Wirkung des Substrats, die
es gestattet, Transistoren voneinander durch isolierende Schichten zu trennen.
325
blicherweise werden sonst pn-bergnge zur Isolation verwendet. Das Sperrverhalten von pn-bergngen hngt aber bekanntlich von der Temperatur ab und
ndert sich zum Beispiel bei Weltraumanwendungen stark. Im Weltraum werden
deshalb bevorzugt integrierte Schaltkreise auf der Basis der SOI-Technologie eingesetzt. Das technisch wichtigste isolierende Trgermaterial ist Saphir (Aluminiumoxid, Al2O3), daher auch die Bezeichnung SOS-Verfahren (silicon on
sapphire).
Mit LPCVD (low pressure CVD; das heit CVD unter Atmosphrendruck) werden sehr gleichmige Schichten erzeugt, allerdings sind recht hohe Gasdurchsatzraten ntig.
Im Gegensatz zu LPE und CVD handelt es sich bei der Molekularstrahlepitaxie
(Abb. 7.16) um ein physikalisches Verfahren. Die Epitaxieschichten wachsen dabei
im Ultrahochvakuum auf. Von einer Verdampfungsquelle wird ein definierter Teilchenstrom auf das Substrat gerichtet. Mit dieser Methode lassen sich die Schichtdicken genau steuern und besonders scharfe bergnge erzeugen. Nachteilig ist
allerdings die geringe Wachstumsrate (nur etwa zehn Scheiben pro Tag). Dieses
Verfahren ist besonders interessant fr die Herstellung von Verbindungshalbleitern
und fr Heterostrukturen. Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen aus
Silizium spielt es dagegen keine Rolle.
Abb. 7.16 Anlage zur Molekularstrahlepitaxie (MBE), aus [Ruge und Mader 1991]
7.4.5 Metallisierung durch Aufdampfen und Sputtern

Um Kontakte und elektrische Leiterbahnen zu formen, mssen Metalle auf Halbleiterstrukturen aufgebracht werden. Bevorzugtes Material ist Aluminium wegen
seiner hohen Leitfhigkeit. Korrosionsbestndiger, jedoch auch teurer, sind Gold,
Silber oder Kupfer. Daneben sind Metalle auch fr die Herstellung von SchottkyKontakten wichtig.
Aluminium wirkt dabei in sehr interessanter Weise an der Kontaktstelle. Es ist
ein Metall aus der dritten Hauptgruppe des Periodensystems und stellt im Silizium
326
Al-Schicht
SiO2
SiO2
SiO2
pn-bergang
Spikes
Silizium
Abb. 7.17 Spikes an Metall-Halbleiter-Kontakten und an pn-bergngen
bekanntlich einen Akzeptor dar. Werden jetzt Aluminiumkontakte auf p-Silizium

aufgebracht, so diffundieren stets Aluminium-Atome in den Halbleiter hinein und
bewirken dort eine sehr hohe p-Dotierung. Wie wir wissen (Kap. 6), zeigen MetallHalbleiter-Kontakte mit hohen Halbleiterdotierungen stets Ohmsches Verhalten;
auf diese Weise werden also automatisch Ohmsche Kontakte erzeugt. Aluminium
auf n-leitenden Halbleiterschichten bildet dagegen eine Schottky-Barriere. Um bei
n-Silizium Ohmsche Kontakte zu erzeugen, bringt man deshalb hufig Zwischenschichten aus Titan, Chrom, Nickel oder Palladium auf; Metallsilizide sind ebenfalls gebruchlich.
Eine unerwnschte Eigenschaft bei der Metallisierung ist die Bildung von so
genannten Spikes, das sind Aluminiumspitzen, die teilweise tief ins Halbleiterinnere hineinragen. Sie schlieen dadurch unter Umstnden ganze pn-bergnge
kurz (Abb. 7.17). Durch Zwischenschichten, zum Beispiel aus Polysilizium oder
Siliziden, kann das verhindert werden.
Fr die Metallisierung kommen zwei Verfahren in Frage: Aufdampfen und
Sputtern.
Aufdampfen
Zum Aufdampfen (Abb. 7.18) wird das Metall (meist Aluminium) in einem Tiegel
im Hochvakuum erhitzt, das kann thermisch mittels einer Heizwendel geschehen.
Die Metallatome schlagen sich auf dem Halbleitersubtrat als polykristalline oder
amorphe Schicht nieder, die Schichtdicken betragen ca. 1 bis 2 m. Da sie auf dem
Substrat mit einer sehr niedrigen Energie auftreffen, verursachen sie keine StrahSchichtdickensensor
Wafer auf rotierender

Halterung
Blende
Verdampfungsquelle
Pumpsystem
Abb. 7.18 Aufdampfanlage, nach [Hilleringmann 1996]. Die Blende bleibt so

lange im Strahlengang, bis das verdampfende Material gengend rein ist,
und wird dann ausgeklappt
327
lenschden, allerdings haften die Schichten nicht immer gut auf strukturierten Siliziumscheiben.
Sputtern
Beim Sputtern (auch Kathodenzerstubung genannt, Abb. 7.19) treffen Ionenstrahlen, in der Regel zwischen 1 bis 10 eV, auf eine Katode, das Target, auf und schlagen aus deren Material Atome aus. Diese treffen ihrerseits auf den Wafer, der sich
gegenber auf einem drehbaren Teller befindet. Wenn das Targetmaterial selbst
direkt aufgetragen wird, spricht man von inertem (passivem) Sputtern. Wenn es
jedoch auf seinem Flug noch mit Gasmoleklen chemisch reagiert, handelt es sich
um reaktives Sputtern.
Aufdampfen und Sputtern sind nicht nur fr Halbleiter interessant. Die metallischen Schichten auf CDs werden beispielsweise ebenfalls mit diesen Techniken
erzeugt.
Argon
Abschirmung
Argon-Plasma
Sputtertarget (Katode)
(2 kV)
Wafer (Anode)
Pumpsystem
drehbarer Waferteller
(Chuck)
Gas fr
reaktives
Sputtern
Abb. 7.19 Sputteranlage, nach [Hilleringmann 1996]
7.4.6 tzen
Durch tzen werden Halbleiterschichten strukturiert. Die tzmuster werden vorher mittels Photolackmasken auf die Schicht gebracht. Fr das tzen stehen nassund trockenchemische Verfahren zur Verfgung.
Bei den nasschemischen Verfahren ist die tzrate hoch. Sie wirken selektiv
gegenber unterschiedlichen Materialien. Um eine Vorstellungen von den
gebruchlichen tzmitteln zu bekommen, seien einige davon aufgefhrt:
Mischung aus Ammoniumflourid (NH4F) und Flusssure (HF) im Verhltnis
7:1 zum Abtragen von SiO2-Schichten;
Salpeter- /Flusssuremischungen (HNO3/HF) sowie Kali- oder Natronlauge
(KOH, NaOH) zum tzen von Silizium;
konzentrierte Flusssure zum Abtragen dnner Oxidfilme;
Phosphorsure fr Siliziumnitrid.
328
Die verschiedenen tzprozesse knnen isotrop oder anisotrop wirken

(Abb. 7.20).
Isotrope, insbesondere nasschemische, Verfahren fhren oft zur so genannten
Untertzung, wie in der Abbildung dargestellt. Dadurch lassen sich Strukturen
nicht mit hchster Przision herausbilden.
Anisotrope nasschemische tzverfahren nutzen die Richtungsabhngigkeit der
Eigenschaften im kristallinen Silizium. Beispielsweise werden (100)- und (110)Ebenen schneller als (111)-Ebenen abgetragen, Ursache ist die grere Dichte von
Bindungen und dadurch hhere Bindungsenergie in dieser Ebene. Die anisotropen
tzverfahren wirken nur in der Richtung senkrecht zur Waferoberflche, dadurch
werden Strukturen schlechter aufgelst. Sie werden vorrangig genutzt, um rumliche Strukturen in Halbleitern zu erzeugen. Anwendung finden sie zum Beispiel in
der Mikromechanik. Bei Komponenten, die auf diesem Wege erzeugt werden, stehen nicht die halbleitenden, sondern die mechanischen Eigenschaften im Mittelpunkt, denn Silizium ist auch ein ausgezeichneter Werkstoff hinsichtlich Hrte,
Zugfestigkeit, spezifischem Gewicht und thermischer Eigenschaften.
Trockentzen ist heute das bevorzugte Verfahren zum Herstellen von uerst
przisen Strukturen in Halbleitern. Beim Trockentzen entstehen freie Radikale,
also reaktionsfhige Teilchen, im Plasma einer Niederdruck-Gasentladung (bei 1
bis 100 Pa). Im elektrischen Feld nehmen die Gasmolekle Energie auf, durch die
sie in die Lage versetzt werden, Substratatome herauszuschlagen. Bei inerten
Gasen (z. B. Argon) wird das Material rein physikalisch abgetragen, whrend sonst
das tzen auch durch chemische Prozesse untersttzt wird (Flour- und Chlorverbindungen als tzgase). Je nachdem, ob die Wafer im Reaktor auf der geerdeten
Anode oder auf negativem Potential liegen, treffen auf ihrer Oberflche entweder
nur neutrale ungeladene Atome (Plasmatzen) oder positiv geladene Ionen (reaktives Ionentzen) auf.
Die tzgeschwindigkeiten liegen beim Nasstzen zwischen 10 und 100 nm/min
und beim Trockentzen zwischen 10 und 36 nm/min.
Photolack
Untertzung
Substrat
Substrat
isotropes tzen
anisotropes tzen
Abb. 7.20 Isotrope und anisotrope tzverfahren
7.5 Lithographie
329
7.4.7 Reinigen
Obwohl Halbleiterproben im Reinraum unter den Bedingungen grter Sauberkeit
bearbeitet werden, sind doch noch bei verschiedenen Prozessschritten Reinigungen
ntig. Die wichtigsten Reinigungsverfahren sind:
Trockenreinigung durch Abblasen mit Stickstoff,
Brstenreinigung durch rotierende Brsten und Reinigungsflssigkeit mit Netzmittel (Abb. 7.21),
Reinigung im Ultraschallbad,
Hochdruckreinigung durch Spritzen einer Reinigungslsung auf den rotierenden
Wafer bei ca. 60 bar,
Reinigen mit tzlsungen (zum Beispiel H2SO4/H2O2-Lsung, verdnnte
Flusssure).
Abb. 7.21 Reiniger mit Brste und Reinigungsdsen. Foto: Contrade Microstructure Technology GmbH, Wiernsheim-Pinache (mit Genehmigung)
7.5 Lithographie
Auf einer Halbleiterscheibe mssen die Bauelemente in bestimmten Strukturen
angeordnet werden. Zur Erzeugung solcher Strukturen benutzt man in der Halbleitertechnologie die Verfahren der Lithographie. Dieser Vorgang ist mit dem klassischen Belichten von Photofilmen vergleichbar.
Die im Zusammenhang mit dem Auftragen von Photolacken notwendigen Prozessschritte sind im Wesentlichen:
330
Reinigen,
eventuell Auftragen eines Haftvermittlers (Primer) fr den Photolack,
Belacken, Abschleudern des Lacks, Trocknen (so genanntes pre bake),
Belichten (Licht, Elektronenstrahl, Rntgen); Kontakt und Proximity-Verfahren,
Entwickeln,
Aushrten des Lacks (post bake).
Der Photolack wird mit einem Schleuderverfahren (spin coating, Abb. 7.22) auf
den Wafer aufgebracht: Nachdem ein Lacktropfen in der Mitte der Scheibe aufgebracht wurde, wird der Wafer auf einem Drehteller in schnelle Umdrehungen
(2000 bis 8000 min-1) versetzt. Bei diesem Verfahren bildet sich eine Beschichtung mit sehr gleichmiger und glatter Oberflche. Anschlieend wird er belichtet
und gehrtet. In der Photolithographie verwendet man Positiv- und Negativlacke
(Tabelle 7.2.). Photolacke bestehen generell aus einem festen Matrixanteil und
einem lichtempfindlichen Anteil. Beide sind in einem Lsungsmittel gelst. Bei
der Verwendung von Negativlacken bleibt der belichtete Bereich beim Entwickeln
stehen, whrend er bei Positivlacken herausgelst wird (Abb. 7.23). In der Vergangenheit dominierte die Negativ-Entwicklung, whrend heute vorwiegend Positivlacke eingesetzt werden, unter anderem, weil sie nicht quellen und sich auch leichter
entsorgen lassen.
Abb. 7.22 Belackungsanlagen in einer Wafer-Prozesslinie. Typisch fr Fertigungs-Equipment in der Halbleiterindustrie sind die Lochbleche aus Edelstahl, die zur Abdeckung verwendet werden. Die Lcher gewhrleisten gute Strmungsverhltnisse fr einen laminaren
Luftstrom im Reinraum (Abschn. 7.6). Foto: Contrade Microstructure Technology GmbH,
Wiernsheim-Pinache (mit Genehmigung)
7.5 Lithographie
331
Tabelle 7.2. Eigenschaften von Positiv- und Negativlacken

Positivlacke
Negativlacke
Material fr die Positiv-Entwicklung:

Diazochinone in einem Kresol-Formaldehyd-Harz als Bindemittel.
Die Diazochinone bilden bei der Belichtung ber Zwischenprozesse Carbonsure, die sich in alkalischen Entwicklern
lst, whrend Diazochinon praktisch
unlslich ist. Der belichtete Bereich wird
beim Entwickeln herausgelst.
Material fr die Negativ-Entwicklung:

Spezieller synthetischer Kautschuk sowie
eine lichtempfindliche aromatische Azidverbindung in einem Lsungsmittel.
Bei der Belichtung wird aus der Azidverbindung Stickstoff herausgelst, wodurch
der Kautschuk vernetzt. Er ist dann gegenber dem Entwickler weitgehend resistent,
whrend der Rest herausgelst wird.
Kein Quellen whrend der Entwicklung,

da die unbelichteten Bereiche wasserabstoend sind.
Nachteil:
Aufquellen der Schichten
Ausgangspunkt des Lithographieprozesses ist der CAD-Schaltkreisentwurf. Die

Strukturbilder werden von diesem Entwurf ber Zwischenstufen (Vormaske, Muttermaske) auf eine Photomaske bertragen. Von der Photomaske wird mit Kontaktkopien oder Projektionsbelichtungsverfahren das Strukturbild auf den Photolack
gebracht.
Mit Kontaktkopien (Abb. 7.24a) ist eine sehr genaue Strukturbertragung mglich, bei Verwendung von UV-Licht beispielsweise bis zu 800 nm. Allerdings knnen dabei Partikel zwischen Maske und Photolack gelangen, auerdem nutzt sich
die Maske im Laufe der Zeit ab. Deshalb verwendet man auch die Nahbelichtung
(Abb. 7.24b), wobei die Auflsung jedoch sinkt. Mit Projektionsverfahren kann
man diese Nachteile vermeiden. In Abb. 7.24c ist ein (1:1)-Projektionsverfahren
mit Spiegeloptik dargestellt. Wesentlich vorteilhafter sind aber verkleinernde Projektionen. Dabei wird als Maske nicht der gesamte Wafer, sondern nur das Muster
eines einzigen Bauelements genommen, es wird im Step-and-repeat-Verfahren
Belichtung
Belichtung
Maske
Lackstruktur nach
Belichtung und
Entwicklung
Substrat
Substrat
Positivlack
Negativlack
Abb. 7.23 Schichtstrukturen bei Positiv- und Negativlacken
332
Abb. 7.24 Photolithographie:

(a) Kontaktbelichtung (contact
printing), (b) Nahbelichtung
(proximity printing), (c) Projektionsbelichtung (projection printing). Nach [von Mnch 1993]
Licht
Maske
Wafer
Photolackschicht
Licht
Maske
Wafer
Photolackschicht
Spiegel
Maske
Spiegel
Photolackschicht
Wafer
Licht
Abb. 7.25 Verkleinernde

Belichtung von Wafern
mittels step and repeat.
Nach [Ruge u. Mader
1991]
(Abb. 7.25) auf den Wafer bertragen. Diese Technik ist zwar zeitaufwndiger,
jedoch wirken sich Staubteilchen auf der Maske wegen der Verkleinerung nicht so
nachteilig auf die Qualitt der belichteten Schicht aus.
7.6 Reinraumtechnik
333
7.6 Reinraumtechnik
Verunreinigungen knnen die Ausbeute, die Performance und die Zuverlssigkeit
des Halbleiterfertigungsprozesses erheblich herabsetzen. Deshalb ist berall extreme Reinheit der Fertigungsrume, der Apparaturen und der Prozesschemikalien
erforderlich.
Als Verursacher der Verschmutzung kommen schon mikro- bis nanometergroe
Partikel in Frage. Sie knnen ganz unterschiedlicher Natur sein, beispielsweise
Rauchteilchen (ca. 5 m), menschliches Haar (ca. 750 m), Schmutz- und
Staubteilchen (ca. 25 m), Fingerabdrcke (ca. 10 m),
Bakterien
Metallionen (vor allem Chloride, Zink, Blei, Mangan, Aluminium, Nickel, Kupfer): Sie werden durch die Wafer-Fabrikation in den Kristall eingebracht. Im
Halbleitermaterial sind sie sehr beweglich und knnen die Funktionsweise von
Bauelementen stark beeintrchtigen oder sogar zusammenbrechen lassen.
Chemikalien: Unerwnschte Prozesschemikalien (vor allem Chlorin) und Prozesswasser knnen zum nachtrglichen tzen fhren.
Als Verunreinigungsquellen fr diese Partikel kommen in Frage:
verschmutzte Luft (vgl. Abb. 7.26),

Produktionseinrichtungen,
Reinraumpersonal,
Prozesswasser,
Prozesschemikalien,
statische elektrische Ladungen
Aerosole
Metallstube
Zementstube
Tabakrauch
Insektizid-Nebel
Menschliches Haar
1 nm
10 nm
100 nm
1 m
10 m
100 m
1 mm
Abb. 7.26 Gre von Verunreinigungen aus der Luft. Vergleichen Sie mit den Dimensionen der Strukturen auf dem Chip!
Reinraumstrategien
Um die erforderliche Reinheit zu erreichen, mssen die Halbleiterfertigungssttten
in besonders angelegten Rumen, den Reinrumen, eingerichtet werden. Die
Anforderungen an die Reinheit in solchen Rumen sind extrem. Eine Vorstellung,
wie hoch diese Anforderungen sind, lsst sich schon aus der Klassifizierung
gewinnen.
334
Die Qualitt der Luft in Reinrumen wird nach Reinraumklassen eingeteilt. Diese Klassen werden nach dem amerikanischen Standard 209 eingestuft. Whrend die Reinheit
ursprnglich als maximale Zahl der Kontaminationsteilchen pro Kubikfu angegeben wurde
(Abb. 7.27), ist seit 1992 (U.S. Fed. Standard 209E bzw. VDI-Richtlinie 2083) ein metrisches System in Kraft. Nach der neuen Revision des Standards hngt die Zahl der Teilchen
auerdem noch von der Partikelgre ab. Der Zusammenhang der metrischen Gren
(gekennzeichnet durch ein M vor der Reinraumklasse) mit der alten Bezeichnung ist aus
Tabelle 7.3. zu ersehen. Trotzdem wird im Produktionsalltag oft in den Kategorien der alten
Klassen gedacht. Zum Reinraum gehrt auch eine konstante Temperatur und Luftfeuchtigkeit (reproduzierbare Prozessparameter!). In Halbleiterfertigungsanlagen mssen Reinraumklassen von etwa 100 bis 0,1 (bei Hchstintegration) realisiert sein. Zum Vergleich:
Typische Grostadtluft hat ca. 5 Millionen Teilchen pro Kubikfu, also die Reinraumklasse 5 Millionen! Reinrume sind brigens nicht nur auf die Waferfertigung begrenzt; sie
sind auch in der Raumfahrt und in der Biologie sowie der Medizin notwendig.
Die fr den Prozess erforderliche Luftreinheit kann man mit unterschiedlichen
Strategien erreichen. In vielen Fllen ist der gesamte Prozessbereich in einem groen Reinraum der Klasse 1 bis 100 untergebracht (Abb. 7.28). Dieser Bereich ist
ein groer Raum mit den verschiedenen Prozessstationen, die in langen Reihen
angeordnet sind. ber diesen sind Filter angebracht (so genannte HEPA6-Filter).
Sie erzeugen einen laminaren Luftstrom, der sich von oben nach unten bewegt.
Eventuell vorhandene Schmutzpartikel werden dadurch nach unten abgetragen und
100000
0
00
10
Zahl der Partikel pro Kubikfu
0
10
se
as
Kl
100
1
se
as
Kl
se
as
Kl
1000
00
0
00
00
10
10
se
se
as
as
Kl
Kl
10000
1
se
as
Kl
10
0,1
0,01
0,1
Abb. 7.27 Reinraumklassen (nach U.S. Fed. Standard 209E)

6
HEPA - high-efficiency particle attenuation
10
Partikelgre / m
7.6 Reinraumtechnik
335
Frischluftzufuhr
HEPA-Filter
Geblse
Prozessbereich
(Klasse 1)
Servicebereich
(Klasse 1000)
Perforierter Fuboden
Equipment
Abb. 7.28 Reinraum-Equipment, nach [van Zant 1997]

Tabelle 7.3. Zulssige Teilchenkonzentration in Reinrumen
Partikel pro Kubikfua bzw. pro Kubikmeter
Klasse
0,1 m
0,5 m
1 (M 1,5)
35/ft3 =
1/ft3 =
10 (M 2,5)
3,50 102/ft3 =
1,24 104 m3
10/ft3 = 353 m3
1,24 103 m3
35,3
5 m
m3
100 (M 3,5)
100/ft3 =
3,53 103 m3
1 000 (M 4,5)
1 000/ft3 =
3,53 104 m3
7/ft3 =
2,47 102 m3
10 000 (M 5,5)
10 000/ft3 =
3,53 105 m3
70/ft3 =
2,47 103 m3
100 000 (M 6,5)
100 000/ft3 =
3,53 106 m3
700/ft3 =
2,47 104 m3
Hinweis: 1 ft (1 Fu) = 30,48 cm; 1 ft3 = 0,02832 m3; 1 ft3 = 35,3 m3
nicht aufgewirbelt. Die Reinraumwirkung wird durch einen geringen berdruck

gegenber der Auenluft aufrecht erhalten. Die Umgebung (der so genannte Service-Bereich, der zum Beispiel zum Nachfllen der Prozesschemikalien und zum
Installieren der Elektronik dient) befindet bei diesem Konzept in einem Reinraum
mit geringeren Anforderungen (Klasse 1000 bis 10 000).
336
Eine typische Reinraumgestaltung sieht zum Beispiel folgende Komponenten vor

(Abb. 7.29):
Eingangs- und Garderobenbereich: adhsive Fubodenmatten und Schuhreiniger am
Eingang, Puffer zwischen Reinraum und Fabrik, oft bereits mit gefilterter Luft versorgt;
das Personal wechselt hier die Kleidung (zum Beispiel Wechsel der Schuhe auf einer
Bank),
Luftdruck: im Reinraum hher, in der Garderobe niedriger,
Luftdusche: zum Abblasen der Kleidung,
Service-Gnge: generell hhere Reinraumklasse (1000 bis 10 000) als im Produktionsbereich,
Doppeltren zur Versorgung mit Chemikalien und zum Service,
Verhinderung der elektrostatischen Aufladung bei Kleidungsstcken und Materialien.
Personen mssen Handschuhe und meist auch Mundschutz und Bartbinde tragen.
Eine andere Lsung fr ein Reinraum-Equipment stellen Mini-Umgebungen

dar, bei denen die jeweiligen Maschinen einzeln gekapselt sind und bis zu Reinraumklasse 0,1 erreichen. Auerhalb knnen die Reinraumanforderungen etwas
geringer sein, sie sind aber immer noch erheblich (zum Beispiel Klasse 1000). Der
Transport der Wafer zwischen den Prozessstationen geschieht in gekapselten
Boxen (SMIF7-Boxen)
An die in Reinrumen eingesetzten Fertigungsanlagen werden besondere Anforderungen gestellt. Generell knnen hierfr keine Materialien verwendet werden,
die Abrieb oder Schuppen verursachen. Demnach ist insbesondere Edelstahl geeignet, whrend lackierte Oberflchen nicht eingesetzt werden drfen. Reinraumequipment sieht also meist edel und teuer aus.
Auch die Prozesschemikalien (Suren, Basen und Lsungsmittel) mssen extrem rein sein (electronic grade oder semiconductor grade). Dasselbe gilt fr die
Zugang zum Warten des Equipments
Service-Gang
Garderobenbereich
Luftdusche
Produktionsbereich
Schliefcher
Umkleidebank
Schleuse fr Chemikalien
Service-Gang
Abb. 7.29 Grundriss eines typischen Reinraum-Bereichs in einer Wafer-Fab, nach [van
Zant 1997]
SMIF - standard mechanical interface
7.7 Ein Beispiel fr die Technik integrierter Schaltungen
337
Prozessgase. Typische Werte fr die Gasreinheit liegen zwischen 99,99 und

99,999999 %; die Reinheit wird durch die Zahl der Neunen nach dem Komma
angegeben8. Das Prozesswasser darf weder Mineralien, Partikel, Bakterien, organische Bestandteile, gelsten Sauerstoff noch Siliziumverbindungen enthalten.
Daher wird deionisiertes Wasser (DI-Wasser) eingesetzt.

Zur Illustration der beschriebenen Techniken soll an einem Beispiel der Herstellungsprozess fr integrierte Schaltkreise dargestellt werden. Wir whlen dafr
CMOS-Schaltkreise als die heute in den Anwendungen dominierenden Bauelemente und beschrnken uns dabei auf die wichtigsten Prozessschritte (Abb. 7.30)
im Einzelnen knnen noch mehrere zustzliche Schritte zwischengeschaltet sein.
1. (Abb. 7.30-1) Als Ausgangsmaterial dient eine (100)-orientierte p-dotierte
Siliziumscheibe (NA = 1015 cm3 Bor-Dotierung), sie stellt bereits das Substrat des
n-Kanal-MOSFETs dar. Da CMOS-Schaltkreise immer aus zwei komplementren
Transistoren bestehen, muss pro NMOS-Transistor noch ein PMOS-Transistor vorgesehen werden. Fr ihn bentigt man ein n-dotiertes Basismaterial. Diese Dotierung wird in dem vorhandenen p-Material in Form einer Wanne durch
berkompensation erzeugt.
Hierzu wird die Siliziumoberflche oxidiert und mit einer Photolackmaske berzogen, in
der die Wannenflche frei gelassen wird. Die Wanne wird mittels Ionenimplantation ndotiert (ND = 1015 cm3 Phosphor-Dotierung), die Ionen dringen durch das Oxid der Wanne
bis zum Silizium hindurch. Anschlieend wird das Oxid aus der Wanne herausgetzt und
dann der Photolack entfernt. In einem weiteren Schritt lsst man die Diffusionsatome noch
weiter eindiffundieren. Damit sie nach innen und nicht nach auen wandern, muss vorher
nochmals thermisch oxidiert werden. Am Ende betrgt die Wannentiefe ca. 3 m). An diesem Beispiel wird deutlich, wie viele Einzelschritte bereits fr einen solchen Teilprozess
ntig sind.
CMOS-Schaltkreise lassen sich ebenso auf der Basis von n-dotiertem Grundmaterial
erzeugen, dann muss man im n-Silizium eine p-dotierte Wanne schaffen.
2. (Abb. 7.30-2) Als Nchstes wird das Gateoxid von 15 bis 40 nm Dicke durch
trockene Oxidation erzeugt. Hierfr wird hufig auch Siliziumnitrid (Si3N4)
benutzt.
Damit das Gate-Oxid in definierter Weise abgeschieden werden kann, ist vorher eine
Deck-Oxidschicht von 800 nm Dicke erforderlich, in der die aktiven Gebiete durch nasschemisches tzen frei gelegt werden.
3. (Abb. 7.30-3) Die metallischen Gate-Kontakte werden in Form von Polysilizium durch Silan-Pyrolyse abgeschieden (Abb. 7.31). Ein zustzliches Aufsputtern von Metallen wie Titan fhrt zur Bildung von Metall-Siliziden (MetallSilizium-Verbindungen) auf den Leiterbahnen, die die Leitfhigkeit verbessern.
99,999999 wird gelesen als six 9s pure.
338
Abb. 7.30 Die wichtigsten Prozessschritte der CMOS-Technologie, nach [Hilleringmann

1996]. Erluterungen im Text
339
Abb. 7.31 Gate-Struktur eines Feldeffekttransistors, der in der 90-nm-Technologie hergestellt wurde, aufgenommen mit einem Rasterelektronenmikroskop. Beachten Sie, wie dnn
die Silizuimdioxidschicht (unten) im Vergleich zur Gatedicke ist. Aufnahme von Intel, entnommen aus [Geppert 2002]
und kann. Dieses Verfahren ist selbstjustierend (self-aligned), das heit, die
Reaktion findet nur auf dem Silizium statt, whrend auf der Siliziumdioxidoberflche das reine Metall zurckbleibt, das dann wieder weggetzt werden kann.
4. (Abb. 7.30-4) Source- und Drainbereiche des NMOS-Transistors werden als
stark n-dotierte (n+) Gebiete durch Arsen-Implantierung erzeugt, dabei ist die
PMOS-Struktur abgedeckt.
5. (Abb. 7.30-5) Analog werden Source- und Drainbereiche des PMOS-Transistors als p+-Gebiete durch Bor-Implantierung erzeugt, dabei ist jetzt die NMOSStruktur abgedeckt.
6. (Abb. 7.30-6) Als Isolation wird eine Schicht aus Phosphorsilikatglas (PSG)
oder Bor-Phosphor-Silikatglas (BPSG) aufgetragen. Dafr benutzt man ebenfalls
ein Pyrolyse-Verfahren. Anschlieend werden die Kontaktlcher fr die Zufhrung
der Metallkontakte herausgetzt.
7. (Abb. 7.30-7) Der letzte Schritt dient der Kontaktierung mit einer dnnen
Titannitridschicht, darber wird Aluminium aufgesputtert.
Zusammen mit einem weiteren Schritt fr die Verdrahtung sind damit acht Prozessschritte notwendig. Hierzu werden in jedem Fall Masken fr die Lithographie
bentigt. Je mehr Maskierungsschritte erforderlich sind (heute 20 und mehr), desto
teurer wird die Herstellung eines Wafers allein die Herstellung einer Maske kostet schon ca. 2500 Euro.
340
7.8 Tendenzen der Halbleitertechnologie

Die Firma Intel hat bereits im Jahre 2001 die Halbleiterproduktion auf der grundlage von 300-mm-Wafern aufgenommen. Gegenber den bis dahin blichen 200mm-Strukturen ergibt das mehr als die doppelte Flche an Ausbeute. Sie knnen
das in Aufgabe 7.2 nachprfen. Trotz wachsenden Durchmessers darf die Dicke
der Wafer dabei nicht grer, sondern sie muss sogar geringer werden. Das ist beispielsweise fr den Einsatz in Smartcards erforderlich, auf diesem Markt werden
noch groe Zuwchse erwartet.
So waren zum Beispiel 200-mm-Wafer im Jahre 2002 150 m dick, einige Zeit
vorher betrugen die Waferdicken noch 250 bis 380 m. Die Entwicklung geht bis
zu 100 m bei 200 mm Durchmesser und 300 m bei 300 mm Durchmesser. Ein
Problem ist dabei die sichere Handhabung im Fertigungsprozess, da sich dnnere
Scheiben, insbesondere wenn sie groe Durchmesser haben, leicht verbiegen. Dass
an der Technologie der 450-mm-Wafer gearbeitet wird, haben wir schon erwhnt.
Bereits am Ende von Kap. 6 (Abschn. 6.8) wurde deutlich gemacht, dass die
Strukturen von Bauelementen immer kleiner werden. Dies erfordert teilweise vollkommen neue Herstellungstechniken. Insbesondere an die Lithographie werden
hohe Ansprche gestellt, die auch mit enormen Kosten verbunden sind bereits
heute kostet eine Wafer-Fab etwa eine Milliarde Euro oder Dollar.
Bisher wurden zur Belichtung Quecksilberdampflampen eingesetzt: Ihre Wellenlnge liegt bei = 436 oder 365 nm. Da die Auflsung etwa durch die Grenordnung der Lichtwellenlnge begrenzt ist, sind fr kleinere Strukturen krzere
Lichtwellenlngen erforderlich. Die bereits anfangs erwhnten 300-mm-Wafer von
Intel hatten Strukturgren von 130 nm. Fr 100-nm-Strukturen soll ein ExcimerLaser auf der Basis von KrF ( = 248 nm) oder ArF ( = 193 nm) verwendet werden, fr 70 nm ein F2-Laser ( = 157 nm). Bei noch krzeren Wellenlngen (bis zu
10-nm-Strukturen) knnte dann eine Belichtung im extremen Ultravioletten erforderlich sein (EUV-Belichtung; EUV bedeutet: extreme ultraviolet). Solche Strahlung entsteht als Synchrotronstrahlung, also als Nebenprodukt der
Beschleunigung von Elektronen auf einer Kreisbahn im Elektronenbeschleuniger.
Fr Forschungszwecke in diesem Zusammenhang ist beispielsweise der Beschleuniger BESSY II in Berlin-Adlershof vorgesehen, bei ihm laufen Elektronen auf
einer Kreisbahn mit einem Radius von 15 m, dabei wird wie bei der bewegten
Ladung auf einer Sendeantenne elektromagnetische Strahlung abgegeben.
Fr Photomasken kommen nur Substanzen in Frage, die bei solch kurzen Wellenlngen noch durchlssig sind, das knnte zum Beispiel Calciumflourid (CaF2)
sein. Dieses Material ist aber wegen seines hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten nicht geeignet. Einen Ausweg stellen stattdessen reflektierende Masken
dar, beispielsweise Si/Mb-Spiegel.
Bevor man sich diesen Schwierigkeiten aussetzt, versucht man jedoch noch, mit
Lichtquellen grerer Wellenlnge unter Ausnutzung der Interferenzgesetze zu
arbeiten.
Feinste Strukturen werden sich wegen der durch die Beugung des Lichts gesetzten Grenzen nicht mehr mit Licht bertragen lassen. Bei extrem kleinen erforderli-
7.8 Tendenzen der Halbleitertechnologie
341
chen Auflsungen sind Rntgen-, Ionen- oder Elektronenstrahl-Lithographie

denkbar. Bei diesen Verfahren ist jedoch ein enormer Zeitaufwand erforderlich, um
einen Wafer zu beschreiben.
Ein weiteres Problem stellt das Isolationsmaterial am Gate dar. Heute wird fr
hchste Ansprche immer noch Siliziumdioxid bevorzugt. Es bildet eine exzellente Grenzflche sowohl zum Silizium als auch zum Polysilizium und kann direkt
durch Oxidation auf Silizium erzeugt werden. Ein weiterer entscheidender Grund
fr seine Verbreitung ist, dass ber dieses Material eine breite technologische Wissensbasis existiert. Trotzdem wird in letzter Zeit intensiv nach anderen geeigneten
Materialien gesucht. Insbesondere Stoffe mit sehr hoher relativer Dielektrizittskonstanten sind interessant. Der Grund fr dieses Interesse ist durch die Eigenschaften des MOS-Kondensators begrndet. In dessen Kapazitt geht der Quotient
/d ein. Isolationsschichten mit hherem erlauben demnach auch grere Dicken
d bei gleicher Kapazitt C. Grere Schichtdicken wiederum verringern die durch
die Isolationsschicht flieenden Leckstrme. Beispiele fr solche Isolationsmaterialien sind Si3N4 oder sogar Ta2O5 oder HfO2 (hat = 22). Die Forschungen zu diesen Materialien sind unter dem Stichwort High-K electronics bekannt
geworden.9
Als weitere Tendenzen aus der Vielzahl der Untersuchungen seien nur kurz
genannt:
die Verwendung von SiGe-Verbindungen, die wegen der unterschiedlichen
Gre der beiden Atomsorten zu einer bewusst verspannten Halbleiteroberflche fhren (Solche Verbindungen haben eine um bis zu Faktor 60 grere
Beweglichkeit!),
die Verwendung metallischer Gates (Wolfram, Molybdn) statt Polysilizium.
Diese wenigen Beispiele zeigen schon, wie komplex die Probleme der Halbleiterherstellung in Zukunft werden. Die Halbleiterindustrie fasst die voraussichtlichen Entwicklungsrichtungen regelmig in so genannten Roadmaps zusammen.
Informationen hierzu mit stndigen Aktualisierungen sind bei der International
Technology Roadmap for Semiconductors [ITRS 2010] zu finden. Das Anliegen
der ITRS wird aus dem folgenden Zitat deutlich:
The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) is an
assessment of the semiconductor technology requirements. The objective of the
ITRS s to ensure advancements in the performance of integrated circuits. This
assessment, called roadmapping, is a cooperative effort of the global industry
manufacturers and suppliers, government organizations, consortia, and universities.
The ITRS identifies the technological challenges and needs facing the semiconductor industry over the next 15 years. It is sponsored by the Semiconductor Industry Association (SIA), the European Electronic Component Association (EECA),
9
Der Ausdruck beruht auf der im Amerikanischen blichen Verwendung des griechischen
Buchstaben (Kappa) an Stelle des fr die relative Dielektrizittskonstante. Das
Kappa hat sich in der Literatur im Laufe der Zeit zu einem lateinischen K gewandelt.
342
the Japan Electronics & Information Technology Industries Association (JEITA),

the Korean Semiconductor Industry Association (KSIA), and Taiwan Semiconductor Industry Association (TSIA).
Ausfhrlich werden diese Entwicklungen immer wieder in den bedeutenden
internationalen Zeitschriften beschrieben, zum Beispiel bei [Geppert 2002].
Die Technologie der kleiner werdenden Strukturen, die im Bereich von etlichen
Nanometern Dicke liegen, haben als neue Forschungsrichtung die Nanotechnologie (vgl. 1.8) vorangetrieben [Fahrner 2003]. Dabei geht es um ein breites
Spektrum von unterschiedlichen Anwendungen. Im einfachsten Falle steht die
Erzeugung dnner Schichten im Blickfeld, das sind die Verfahren, die soeben diskutiert wurden. Mit den so entwickelten verfeinerten Herstellungstechniken knnen aber auch bisher nicht oder nur sehr schwer herstellbare Substanzen erzeugt
werden. Ein Beispiel ist die Herstellung von Diamant ein prinzipiell hervorragendes Halbleitermaterial mittels CVD-Verfahren. Allerdings knnen damit vorerst nur Wafer von ca. 5 5 mm2 Flche hergestellt werden. Vielleicht wird in der
Zukunft jedoch einmal der Diamant nicht als edles Schmuckstck verwendet, sondern ist auch als Halbleiterwerkstoff unentbehrlich.
An dieser Stelle knnen wir nun leider nicht noch tiefer gehen. Es ist zu hoffen,
dass mit den bisherigen Kapiteln zumindest die Grundlagen fr eine weiter
gehende Beschftigung mit dem interessanten und vielseitigen Gebiet der Physik
der Halbleiterbauelemente gelegt werden konnten. Frs erste mssen wir jedoch
einmal aufhren. So halten wir es mit Joachim Ringelnatz und bescheiden uns:
In Hamburg lebten zwei Ameisen,
die wollten nach Australien reisen.
Bei Altona auf der Chaussee,
da taten ihnen die Beine weh,
und so verzichteten sie weise
dann auf den letzten Teil der Reise.
Folgende Prozessschritte sind zur Fertigung von Halbleiterbauelementen notwendig:
1. die Aufbereitung des Rohmaterials, das heit die Herstellung von Rohsilizium aus Quarzsand,
2. die Zchtung von Einkristallen, ihre Reinigung sowie das Heraussgen
der Halbleiterscheiben (so genannter Wafer) aus dem Kristall,
3. die Bearbeitung der Wafer mittels Oxidation, tzen, Dotieren und
Abscheidung, wobei die Lithographie unentbehrlich ist,
4. die Montage und Kontaktierung des Halbleiterchips.
343
Die Herstellung des Ausgangsmaterials Rohsilizium (Polysilizium)

erfolgt in folgenden Schritten:
Quarz (SiO2)
Reduktion bei 1500 0C

Roh-Silizium Si

Destillation
Cracken bei 1100 0C

Poly-Silizium
Tiegelziehen,
Zonenreinigung
Aus dem Rohsilizium werden mittels Tiegelziehen (Czochralski-Verfahren) oder Zonenschmelzen Einkristalle hergestellt.
Durch Sgen, tzen, Polieren und weitere mechanische Bearbeitung werden aus dem Einkristall Wafer herausgearbeitet.
Aus einem Wafer werden spter eine Vielzahl von einzelnen Halbleiterchips
gefertigt. Zu ihrer Herstellung werden die Strukturen in das Substrat hineingebracht. Fr eine Schicht sind nacheinander die in Abb. 7.32 aufgelisteten
Bearbeitungsschritte der Planartechnik ntig.
Die gebruchlichen Photolithographie-Verfahren:
Kontaktbelichtung (contact printing),
Nahbelichtung (proximity printing),
Projektionsbelichtung (projection printing), als 1:1-Belichtung oder step
and repeat.
Fr Beschichtung und Dotierung werden folgende Verfahren genutzt:
Dotierung
Dotierungsverfahren
Dotieren
whrend der
Kristallzucht
Legieren
- Oxidation (nass oder trocken)
Diffusion
Ionenimplantation
Kernreaktion
(Neutronenbeschuss)
344
Epitaxie (Abscheidung)
Epitaxieverfahren
Chemische Verfahren
Physikalische Verfahren
Gasphasenepitaxie;
Flssigphasenepitaxie;
vapour phase epitaxy (VPE)
liquid phase epitaxy (LPE)
auch: chemical vapour depositon
(CVD)
Molekularstrahlepitaxie;
molecular beam epitaxy (MBE)
Metallisierung (durch Aufdampfen oder Sputtern).
Ausgangsmaterial:
Siliziumscheibe
Silizium
Maskierungsschicht
Maskieren
(Erzeugen einer Oxid- oder
Nitridschicht auf der Oberflche)
Bestrahlung
Maske
Lithographie:
Lackfilm
- Belacken und Belichten
Lackfilm
- Entwickeln
tzen
Maskierungsschicht
Strippen (Entfernen des

Lackfilms)
Dotieren
Silizium
dotierte Schicht
Abb. 7.32 Bearbeitungsschritte der Planartechnik
345
Aufgabe 7.1 Menge des zuzusetzenden Dotierungsmaterials (zu Abschn. 7.2) **
a) 500 kg hochreines Silizium sollen bereits bei der Zchtung mit Bor dotiert werden. Die
gewnschte Strstellenkonzentration sei 1015 cm3. Welche Menge Bor muss der Schmelze
zugegeben werden?
Hinweis: Berechnen Sie zunchst die atomare Dichte von Silizium, d. h. die Zahl der Siliziumatome pro Kubikzentimeter. Dazu knnen Sie die Avogadro-Konstante NA =
6,02 1023 mol-1 benutzen, oder sie gehen wie in Aufgabe 1.12 vor.
Die Dichte von Silizium betrgt = 2,32 g cm3, die molaren Massen von Silizium und
Bor betragen Si = 28,09 g mol-1 und B = 10,81 g mol-1.
b) Fr wie viele 8"-Rohlinge von je 1 m Lnge reicht diese Siliziummenge?
Aufgabe 7.2 Bedeckung eines Wafers mit Chips (zu Abschn. 7.4) **
Wie viele Bauelemente der Gre 10 10 mm2 passen auf einen Wafer von 75 mm (3")
Durchmesser und wie viele auf einen 300-mm-Wafer. (Flats und eventuell nicht nutzbarer
Rand des Wafers sollen hier keine Rolle spielen.) Wie hoch ist jeweils der nutzbare
Materialanteil in Prozent?
Aufgabe 7.3 Wachstumsrate von Oxidschichten (zu Abschn. 7.4) *
In Abb. 7.33 ist die Wachstumsrate von Oxidschichten im Silizium dargestellt. Mit welcher Potenz der Zeit wchst die Schichtdicke nherungsweise?
Schichtdicke / m
10
1200 C
1100 C
1000 C
1200 C
1100 C
1000 C
nasse Oxidation
trockene Oxidation
0,1
0,01
0,1
Abb. 7.33 Wachstumsrate von Oxidschichten
10
100
Oxidationszeit / h
346
Aufgabe 7.4 Oxidschicht auf Silizium (zu Abschn. 7.4) **

Ein Silizium-Wafer habe eine Oxidschicht von 1 m Dicke.
a) Wie lange hat das Wachstum bei 1000 C und nasser Oxidation gedauert? Welche Zeit
htte die trockene Oxidation bentigt? Benutzen Sie dazu Abb. 7.33.
b) In Ergnzung zu Beispiel bercksichtigen wir jetzt die tatschlichen Dichteunterschiede von Si und SiO2, um das Dickenwachstum der 1 m-Oxidschicht zu berechnen:
Si = 2,32 g cm 3 ,
SiO 2 = 2,27 g cm 3 .
Zeigen Sie, dass sich die Gesamtdicke der SiO2-Schicht zu 45 % aus abgetragenem
Grundmaterial und zu 55 % aus zustzlichem Dickenwachstum ergibt.
Aufgabe 7.5 Temperaturkonstanz in Reinrumen (zu Abschn. 7.5 und 7.6) **
Die thermische Ausdehnung von Halbleitermaterial und Photomasken ist unterschiedlich
gro. Um ausreichende Strukturgenauigkeit zu gewhrleisten, muss deshalb bei der Belichtung die Temperatur in Reinrumen annhernd konstant gehalten werden.
Ein 200-mm-Wafer soll eine Strukturgenauigkeit von mindestens 200 nm aufweisen. Fr
die Lithographie wird Kontaktbelichtung vorgesehen. Wie stark darf die Raumtemperatur
hchstens schwanken? Der thermische Ausdehnungskoeffizient von Silizium betrgt
2,5 10 K-1, derjenige des Maskenmaterials betrgt 3,7 10 K-1.
Aufgabe 7.6 Reinraumklassen (zu Abschn. 7.6) **
Die metrischen Reinraumklassen sind wie folgt definiert:
Klasse M n entspricht einer maximalen Partikelanzahl von 10n Teilchen pro Kubikmeter
Luft (bei einer Partikelgre von 0,5 m).
Beispiel: Klasse M 2 entspricht 102 = 100 /m3.
Zeigen Sie, dass die metrischen Klassen mit den alten Klassen wie folgt zusammenhngen:
Klasse M 1,5 entspricht der alten Klasse 1 (1 Partikel/ft3),
Klasse M 2,5 entspricht der alten Klasse 10 (10 Partikel/ft3),
Klasse M 3,5 entspricht der alten Klasse 100 (100 Partikel/ft3) usw.
Testfragen
7.7
Nennen und charakterisieren Sie die wesentlichen Stufen bei der Gewinnung von
Rohsilizium aus dem Rohstoff Quarzsand.
7.8
Warum wird das Rohsilizium vor den Reinigungsprozessen erst in eine flssige Form
berfhrt?
7.9
Charakterisieren Sie die zwei wichtigen Verfahren zur Einkristallzchtung von Silizium, Welches Verfahren wird bei Verbindungshalbleitern eingesetzt?
7.10
ber welche Mechanismen knnen die Strstellen beim Diffusionsverfahren ins

Innere des Kristalls gelangen?
347
7.11
Mit welchen Verfahren knnen Siliziumoxidschichten erzeugt werden?
7.12
Welche Abscheidetechniken kennen Sie? Diskutieren Sie die Vor- und Nachteile der
einzelnen Verfahren.
7.13
Nennen Sie die drei wichtigsten Epitaxieverfahren und geben Sie die hauptschlichen Einsatzgebiete an.
7.14
Zeichnen Sie schematisch die Dotierungsprofile, die bei folgenden Verfahren entstehen:
a) Diffusion, b) Ionenimplantation, c) Epitaxie.
7.15
Charakterisieren Sie die Arbeitsweise von Positiv- und Negativentwicklern.
7.16
Welche Belichtungstechniken stehen fr die Photolithographie zur Verfgung?
7.17
Warum hlt man den Luftdruck in einem Reinraum hher als in den umgebenden
Rumen, zum Beispiel im Garderobenbereich?
Daten- und
Formelsammlung
Anhang: Daten- und Formelsammlung1
Zu Abschnitt 1: Grundlagen
Physikalische Konstanten und Umrechnungen
Frequenz und Wellenlnge des Lichts:
c = mit c = 2,998 108 m/s
Elementarladung (q):
e = 1,602 1019 As
Plancksche Konstante (h_J bzw. h):
h = 6,626 1034 Js = 4,136 1015 eVs
Plancksche Konstante, geteilt durch 2 (hquer): = 1,0546 1034 Js = 6,582 1016 eVs
Umrechnung der Energieeinheit Joule in Elektronenvolt (eV):
1 eV = 1,602 1019 J
Boltzmann-Konstante (zur Umrechnung von Energien in Temperaturen) (kB_J bzw. kB):
kB = 1,3807 1023 J/K = 8,617 105 eV/K
(Damit erhlt man z. B. die der Temperatur 300 K ( = 27 oC) entsprechende Energie (kT) zu
kB T = 0,02585 eV)
Masse des freien Elektrons (m0):
m0 = 9,109 1031 kg
Dielektrizittskonstante des Vakuums (eps0)
0 = 8,854 1012 As/Vm
Avogadro-Konstante (NAvo)
NA = 6,022 1023 mol1
Erluterung: Die hier aufgefhrten Gren sind auch in der MATLABDatei konstanten.m auf den Webseiten enthalten. Dort sind die Werte mit so vielen Stellen angegeben, wie sie gegenwrtig von der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt publiziert werden. Beim praktischen Rechnen, zum Beispiel mit dem Taschenrechner, sind
allerdings etwa vier gltige Stellen wie oben vollkommen ausreichend. (Die Bezeichnungen
der Variablen, die in der Datei konstanten.m verwendet werden, stehen bei den obigen
Daten in Klammern.)
Die Substanzdaten wurden vorwiegend entnommen aus:

Madelung O (1996) Semiconductors Basic Data. Springer, Berlin Heidelberg New York
Singh J (1994) Semiconductor Devices, McGraw-Hill, New York
Streetman B G und Banerjee S (2006) Solid State Electronic Devices. Prentice Hall,
Upper Saddle River, N.J.
Eine ausfhrliche Zusammenstellung von Halbleiter-Substanzdaten findet sich auch im
Internet auf der Webseite des russischen Ioffe-Instituts in St. Petersburg unter http://
www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond
349
350
Anhang: Daten- und Formelsammlung
Aussagen der Quantenmechanik

(a) Zusammenhang zwischen Energie E und Frequenz beziehungsweise Wellenlnge eines Photons:
Anhang
c 1240 eV nm
E = h = h
(b) Zusammenhang Impuls Wellenlnge Wellenzahl eines Photons
p=
h
2
==
= =k .
(c) Zusammenhang Energie Impuls eines Photons
E = cp .
(d) Wechselwirkung von Licht mit Materie
drei Elementarprozesse: spontane Emission, induzierte Emisssion, Absorption.
Energiesatz bei der Emission und Absorption von Licht
E1 E2 = h
(e) Heisenbergsche Unbestimmtheitsrelation:
x p > = .
(f) Pauli-Prinzip:
In einem quantenmechanischen Zustand drfen sich maximal zwei Elektronen aufhalten.
Bohrsches Atommodell
Energien und Bohrsche Radien des Wasserstoffatoms:
En =
1 e2
,
2 40 an
an = n 2 = 2
40
m0 e2
Zahlenwerte fr die erste Bohrsche Bahn (n = 1):

EB = 13,6 eV,
aB = 5,29 1011 m.
Zu Abschnitt 1: Grundlagen
351
Zusammenhang Energie Impuls fr freie Elektronen:

E=
m0 2
=2k 2
p2
v =
=
,
2
2 m0
2m0
Zusammenhang Impuls Wellenlnge Wellenzahl fr Elektronen (de BroglieBeziehung):

p=
h
2
==
= =k .
Kristallstrukturen und Geometrie

Tabelle A.1. Gitterkonstanten und Dichten einiger Halbleiter bei Zimmertemperatur.
Galliumnitrid hat Wurtzit-Struktur (hexagonal), daher zwei unterschiedliche Gitterkonstanten
Halbleiter
a0 /nm
/cm3
Silizium
Germanium
GaP
AlP
AlAs
GaAs
InP
InAs
InSb
GaN (Zinkbl.)
GaN (Wurtzit)
0,5431
0,5658
0,5450
0,5464
0,5660
0,5653
0,5869
0,6058
0,6479
0,452
0,3189/0,5185
2,329
5,323
4,138
2,40
3,760
5,318
4,81
5,667
5,775
6,15
6,15
Zusammenhang der Dichte mit der molaren Masse und dem Atomvolumen
VAtom :
=
= EZ
= nAtom
.
VAtom N A VEZ N A
NA
Atomare Masseneinheit u:
1 u = 1g mol1/NA = 1g mol1/6,022 1023 mol1 = 1,661 1024 g.
Daten- und
Formelsammlung
Freie Elektronen
Sc
21
Ti
22
Va
23
Cr
24
Mn
25
26
Fe
Co
27
Ni
28
Cu
29
Zn
30
VII
VIII
2
44,956
47,867
50,942
51,996
54,938
55,845
58,933
58,693
63,546
65,39
Ga
69,723
31
12,011
14,007
Ge
72,61
32
28,086
As
74,922
33
30,974
Al 14Si 15P
26,982
13
10,811
Se
78,96
34
Ba
137,33
56
La
138,91
57
88,906
(223)
(226)
(227)
87Fr 88Ra 89Ac
132,91
Cs
55
87,62
Hf
178,49
72
91,224
Ta
180,95
73
92,906
183,84
74
95,94
Os
190,23
76
101,07
Ir
192,22
77
102,91
Pt
195,08
78
106,42
Au
195,08
79
107,87
Hg
200,59
80
112,41
Actiniden (Ordnungszahlen ab 90)
Tl
204,38
81
114,82
Lanthaniden (Ordnungszahlen 58 bis 71)
Re
186,21
75
(98)
Pb
207,2
82
118,71
Bi
208,98
83
121,76
(209)
Po
127,60
84
18,998
Ne
20,180
Br
At
(210)
85
83,80
Kr
39,948
36
Rn
(222)
86
131,29
I 54Xe
126,90
53
79,904
35
35,453
S 17Cl 18Ar
32,066
16
15,999
Rb 38Sr 39Y 40Zr 41Nb 42Mb 43Tc 44Ru 45Rh 46Pd 47Ag 48Cd 49In 50Sn 51Sb 52Te
85,468
37
Ca
40,078
20
19
39,,098
24,305
Na 12Mg
9,0122
22,990
11
6,941
Li
10
VI
He
IV
4,0026
Be
III
II
1,0079
relative Atommasse
Chemisches Symbol des Elements
Anhang
50,942
23Va
Ordnungszahl
(ohne Lanthaniden und Actiniden)
Periodensystem der chemischen Elemente
352
Aufbau der Atome und Periodensystem
Zu Abschnitt 2: Bnderstruktur und Ladungstransport
353
Grundlegende Halbleiterparameter und berechnete Gren

Tabelle A.2. Zusammenstellung von Daten (Alle Angaben beziehen sich auf 300 K) (auch
in den MATLAB-Dateien Silizium.m, Germanium.m usw. enthalten)
Eg
Breite der verbotenen Zone (Energielcke),
relative Dielektrizittskonstante,
me/m0 effektive Masse der Elektronen im Leitungsband,
e
Zahl der Leitungsbandminima (= 1 bei direkten Halbleitern),
effektive Konzentration der Elektronen im Leitungsband, entsprechend (2.17),
Nc
mh/m0 effektive Masse der Lcher im Valenzband,
Nv
effektive Konzentration der Lcher im Valenzband, entsprechend (2.18),
intrinsische Ladungstrgerkonzentration, entsprechend (2.23).
ni
Nc, Nv und ni sind berechnete Gren, die anderen Daten sind Materialparameter.
Si
Eg
in eV
m
------e
m0
Nc
in cm3
mh
-----m0
Nv
in cm3
ni
in cm3
1,12
0,32
2,73 1019
0,57
1,08 1019
6,71 109
1019
0,36
5,42
1018
11,4
2,14 1013
Ge
0,66
15,4
0,22
1,04
GaP
2,26
11,2
0,58
3,33 1019
0,54
9,96 1018
1,892
3,07
1019
0,70
1,47 1019
0,056
1019
1019
AlP
2,45
10,9
0,55
AlAs
2,15
0,34
1,49
0,80
1,80
GaAs
1,424 12,4
0,066
4,25 1017
0,54
9,96 1018
2,25 106
InP
1,34
0.077
5,36 1017
0,64
1,28 1019
1,46 107
1016
10,1
12,5
1018
8,27 1014
InAs
0,354 15,2
0,024
9,33
InSb
0,18
0,0136
3,98 1016
0,6
1,17 1019
2,10 1016
1018
0,8
1,80
1019
2,13 1010
1,0
2,51 1019
1,62 10-5
15,9
GaNa
3,39
8,9
0,20
2,24
SiCa
2,86
10
0,45
1,17 1019
1019
Diamant 5,5
a
5,7
0,57
6,48
0,406 6,49
14,3
0,48
8,35
1018
1,47 10-27
hexagonal
Eigenleitende Halbleiter
Zustandsdichte der Elektronen pro Energieintervall dE im Leitungsband:

g c (E ) dE ~ e (me ) 3 / 2 E dE
Dabei sind: e die Zahl der Leitungsbandminima, me die effektive Masse der
Elektronen, E = E Ec der Abstand der Energie vom Leitungsbandrand Ec,
Analoge Beziehungen gelten fr die Lcher im Valenzband; dort zhlt die Energie
E = Ev E nach unten.
Daten- und
Formelsammlung
354
Fermi-Verteilungsfunktion der Elektronen und Lcher:

1
E EF
1 + exp
Anhang
kBT
fe ( E ) =
fh ( E ) =
und
1
E E
1 + exp F
kBT
Elektronenkonzentration im Leitungsband; Lcherkonzentration im Valenzband

(Annahme: keine Entartung):
n = Nc e
EF Ec
kBT
p = Nv e
und
Ev EF
kBT
Dabei sind EF die Fermi-Energie und

3/ 2
m k T
N c = 2 e e B
2= 2
und
m k T
Nv = 2 h B
2= 2
3/ 2
die effektiven Zustandsdichten der Leitungs- und Valenzbandzustnde.

Massenwirkungsgesetz der Elektronen und Lcher:
n p =
ni2
= Nc N ve
Eg
kBT
ni ist die intrinsische Ladungstrgerkonzentration und Eg = Ec Ev die Breite der

Energielcke (Gapenergie).
Lage der Fermi-Energie:
E + Ev kBT N v
EF = c
ln
+
Nc
2
2
Halbleiter mit Strstellen
Energie und Bohrscher Radius des Grundzustands:
me
m
1 e
Ee = Ec ED =
= 13, 6 eV 0
2 40 ae
2
2
ae = = 2
40
me e
= aB
me
m0
= 5, 29
355
1011 m.
me
m
0
ist die relative Dielektrizittskonstante, me die effektive Masse der Elektronen.

Temperaturabhngigkeit der Ladungstrgerkonzentration (Beispiel: Donatoren):
n=
N+
N D+
+ D
2
2
+ ni2 .
ND+ ist die Konzentration der nicht besetzten (ionisierten) Donatoren.

1) extrem tiefe Temperaturen:
Alle Elektronen sind an Strstellen gebunden.
2) mittlere Temperaturen (aber noch bei ca. unter 100 K): Strstellenreserve:
n = Nc
E
ND
exp e ,
g
2kBT
wobei Ee = Ec ED .
Fermi-Energie:
EF =
ED + Ec kBT
N
+
ln D ,
2
2
gN c
3) normale Temperaturen (etwa Zimmertemperatur): Strstellenerschpfung:

n = ND
4) hohe Temperaturen (oberhalb Zimmertemperatur):
n ni (Eigenleitung wie beim reinen Halbleiter).
Die Bewegung von Ladungstrgern
Gesamtstrom, bestehend aus Drift- und Diffusionsanteil, jeweils fr Elektronen

(Index e) und Lcher (Index h):
je ( x ) = e e n( x )E ( x ) + eDe
jh ( x ) = e h p ( x )E ( x) eDh
dn( x )
dx
dp ( x )
dx
Daten- und
Formelsammlung
356
Zusammenhang der Driftgeschwindigkeit vd mit der Beweglichkeit :

v dh = hE
und v de = eE
Zusammenhang der Leitfhigkeit mit der Beweglichkeit :
Anhang
h = e h p und e = ee n
Zusammenhang des Diffusionskoeffizienten mit der Beweglichkeit (EinsteinBeziehung):
De =
e kBT
e
und
Dh =
h kBT
e
Zahlenwerte fr die Beweglichkeiten:

Werte fr die Beweglichkeit in Silizium knnen aus Abb. A.1 entnommen werden.
Beweglichkeit in cm2 / Vs
104
Elektronen
103
Lcher
102
101
1014
1015
1016
1017
1018
1019
Strstellenkonzentration NA oder ND in cm-3
Abb. A.1 Beweglichkeit im Silizium bei Zimmertemperatur in Abhngigkeit von der Dotierung
Diese Angaben sind auch in den MATLAB-Dateien Mye.m und Myh.m enthalten
In Tabelle A.3. sind die maximalen Beweglichkeiten weiterer Halbleiter aufgefhrt
357
Tabelle A.3. Beweglichkeiten von Elektronen und Lchern in Halbleitern bei 300 K
Angegeben ist die maximale Beweglichkeit (also im Bereich der Eigenleitung, sofern messbar)
e
in cm2 /Vs
h
in cm2 /Vs
Si
1340
461
Ge
3900
1900
GaP
160
135
AlP
80
AlAs
160
135
GaAs
8500
400
InP
5370
150
InAs
33000
450
InSb
105
GaNa
1000
1700
30
hexagonales GaN (Wurtzit-Struktur)
Hall-Effekt
Hall-Spannung, ausgedrckt durch den Strom I im Magnetfeld B, wenn der Strom

senkrecht zum Feld fliet
U H = RH
IB
b
Hall-Koeffizient (Vorzeichen + fr Elektronen, fr Lcher)

RH =
1
.
en
Generation und Rekombination
Rekombinationsmechanismen
1. Effektive Rekombinationsrate bei Band-Band-Rekombination im Gleichgewicht
Rseff Rs Gs =
np n0 p0
s
(Rekombinationszeitkonstante s fr strahlende Prozesse, Gleichgewichtsonzentrationen n0 und p0)
Daten- und
Formelsammlung
358
Fr n0 p p0 :
dp
n p p
= Rseff =
.
dt
s
h
AnhangRekombination ber tiefe Zentren (Shockley-Read-Hall2. Nichtstrahlende

Gleichung)
eff
Rns
=
np ni2
ns (n + p )
3. Nichtstrahlende Rekombination durch Auger-Prozesse
RAuger = cA n3 ,
cA ist ein Proportionalittsfaktor.
Kontinuittsgleichungen
Zeitliche nderung der Ladungstrgerdichten:

e
n
= div je + e(G R )e
t
p
= div jh + e(G R) h
t
Die Differenz (G R)e/h ist die effektive Generations-/Rekombinationsrate.
Zu Abschnitt 3: pn-bergnge
pn-bergang ohne und mit uerer Spannung
Modell abrupter Raumladungsgebiete (Abb. A.2)

(x)
xp
xn
Abb. A.2
Raumladung im Modell
abrupter Raumladungsgebiete
Zu Abschnitt 3: pn-bergnge
359
20
e
b=
ND + NA
UD U .
ND NA
Diffusionsspannung
UD =
kBT N D N A
ln
.
2
e
ni
Diffusionslngen
Le = De e
und
Lh = Dh h
e und h sind die Rekombinationszeiten der Elektronen bzw. Lcher..

Strom-Spannungs-Kennlinie (Shockley-Gleichung)
eU
eU
eDe
kBT
eDh
kBT
j =
n0 +
p0 e
1 = js e
1 .
Lh
Le
Sperrstrom oder Sttigungsstrom bei einer langen Diode in zwei verschiedenen

Schreibweisen:
eDe
e
eDh
h
2
js = ni2
+
+
= ni kBT
Le N A Lh N D
Le N A Lh N D
Sperrstrom bei einer kurzen Diode (Xp und Xn sind die Ausdehungen des p- bzw. nGebiets, xp und xn sind die Ausdehungen der p- bzw. n-seitigen Sperrschicht):
js =
eDe
eDh
n0 +
p0
( X p xp )
( X n xn )
Kapazitt eines pn-bergangs

a) Sperrschichtkapazitt
Cs =
0
A
b
Daten- und
Formelsammlung
Breite des Raumladungsgebiets
360
b) Diffusionskapazitt (starke p-Dotierung)

CD =
e
h jh A .
k BT
Anhang
Differentieller Leitwert eines pn-bergangs

Y=
1
e
=A
j (U ).
r
kBT
Zu Abschnitt 4: Optoelektronische Bauelemente

Lumineszenz
Der Zusammenhang von Gapenergien und Gitterkonstanten in Halbleiter-Mischreihen ist in Abb. A.3 dargestellt.
Spektralabhngigkeit der Lumineszenzstrahlung in direkten Halbleitern:
h Eg
I sp (h ) = const' h Eg exp
kBT
Innere Injektionseffizienz (wenn die Emission aus dem p-dotierten Bereich

kommt):
i =
je
Elektronenstrom
=
.
Gesamtstrom
je + jh
Totaler innerer Quantenwirkungsgrad:
int = r i =
strahlende Rekombinationsrate
i =
gesamte Rekombinationsrate
1
.
i
1+ r
nr
uerer Quantenwirkungsgrad (Verhltnis von insgesamt emittiertem Photonenstrom zu eingespeistem elektrischen Strom):
ext = int Cex =
jph
jeh / e
Cex ist die Austrittseffizienz.
361
Daten- und
Formelsammlung
InSb
0,64
0,62
GaSb
a0 /nm
AlSb
InAs
0,60
InP
0,58
Ge
AlAs
GaAs
0,56
GaP
Si
0,54
0,5
1,0
1,5
2,0
AlP
2, 5
InN
0,36
0,34
0,5
1,0
1,5
2,0
2, 5
3,0
AlN
GaN
0,32
3,5
6,0
6,5
Eg /eV
Abb. A.3 Gapenergien und Gitterkonstanten von Halbleiter-Mischreihen, die in der Optoelektronik von Bedeutung sind. Durchgezogene Linien: direkte, gestrichelte Linien: indirekte Halbleiter
Leistungseffizienz:
PE =
h jph h
abgestrahlte Lichtleistung
=
=
ext .
aufgenommene elektrische Leistung U jeh eU
Zusammenhang von Strahlstrke Ie() mit der Lichtstrke Iv() ber die spektrale
Empfindlichkeit des Auges V() (vgl. Abb. A.4):
I v () = I e () V ( ) Vmax = I e ( ) V ( ) 683 lm/W .
[ I e ] = W / sr ; [ I v ] = lm / sr = cd .
362
Abb. A.4 Spektrale Empfindlichkeit

V() des Auges bei Tag
100
V()
101
Anhang
102
103
104
105
300
400
500
600
700
800
Wellenlnge / nm
Emissions- und Absorptionsraten
Stimulierte und spontane Emissionsrate:
Ist = I sp = weh geh (h) fe (e ) f h (h ) .

Absorptionsrate:
I abs = weh geh (h) [1 fe (Ee ) ][1 f h (E h )] .

Gewinn (gain) als Voraussetzung fr den Laserbetrieb:
g = Isp I abs = weh geh (h) { fe (1 f h )} .
Absorption
Abnahme des Photonenstroms (bzw. der Lichtintensitt) mit der Eindringtiefe x:

jph ( x ) = jph (0)e x
( ist der Absorptionskoeffizient, Werte in Abb. A.5)
Energieflussdichte (Leistungsdichte) des Lichtstrahls:

Popt ( x) = Photonenstromdichte Photonenenergie = jph ( x )h
363
Optische Generationsrate (Erzeugungsrate) pro Volumeneinheit von Elektronen

und Lchern an der Stelle x:
n
= G ( x) = jph ( x)
e
105
Si
Ge
CdTe
Absorptionskoeffizient (cm-1)
GaAs
104
GaP
103
102
10
0.5
0,5
1,5
1.5
Photonenenergie (eV)
2,5
2.5
Abb. A.5 Absorptionskoeffizienten verschiedener Halbleiter
Empfindlichkeit
j
Rph = eh
Popt
Quantenwirkungsgrad:
Q =
Teilchenstrom der Elektronen bzw. Lcher jeh e

h
=
= Rph
Photonenstrom
jph
e
Daten- und
Formelsammlung
364
Photodetektoren
Photostromdichte im Photoleiter:
j = en(e + h )E = eG (e e + h h )E
Anhang
Kennliniengleichung der Photodiode:

eU
eU
kBT
j = jopt + j0 e
1 = e( Le + Lh )G + j0 e kBT 1
Solarzellen
Konversionseffizienz und Fllfaktor:
Konv =
Poptim
Pin
I optimU optim
Pin
F=
I optimU optim
I KU L
IK ist der Kurzschlussstrom, Ioptim der optimale Strom, Uoptim die optimale Spannung und UL die Leerlaufspannung.
Zu Abschnitt 5: Bipolartransistoren und Thyristoren

Verstrkungsfaktoren
IC
IB
IE
npn-Transistor
IC
IB
IE
pnp-Transistor
Abb. A.6 Richtungsvereinbarungen fr die

Strme am Transistor
Gleichstromverstrkung in Basisschaltung und in Emitterschaltung
Kollektorstrom I C
=
,
Emitterstrom
IE
Kollektorstrom I C
=
.
Basisstrom
IB
Emitterergiebigkeit
in die Basis vom Emitter injizierter Elektronenstrom

= -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------gesamter Emitterstrom
365
B=
Kollektorstrom
.
in die Basis injizierter Elektronenstrom
Verknpfungen: = /(1 ), = B
Einfache Nherung fr die Stromverstrkung
DB n0B LE
DE p0E w
B N E LE
.
E N B w
Bei kurzem Emittergebiet (Breite wE < LE) ist die Diffusionslnge der Lcher im
Emitter LE durch wE zu ersetzen.
Ebers-Moll-Gleichungen
eU EB
eU CB
kBT
kBT
j = jEs e
1 + R jCs e
1
eU EB
eU CB
kBT
j = V jEs e
1 jCs e kBT 1
V ist die Vorwrtsstromverstrkung, R die Rckwrtsstromverstrkung in Basisschaltung. Allgemeiner lauten die Beziehungen (mit a = w/LB ):
eU CB
eU EB
kBT
kBT
j = jEs e
1 + R jCs e
1
eU CB
eU EB
eDE E kBT
eDB
eDB B
B kBT
=
1 +
1
n0 coth a +
p0 e
n0 e
L sinh a
LE
LB
eU CB
eU EB
kBT
j = V jEs e
1 jCs e kBT 1
eU EB
eU CB
eDB B
eDC C kBT
eDB
B kBT
=
1
1
n0 e
n0 coth a +
p0 e
LB sinh a
LC
LB
Daten- und
Formelsammlung
Basis-Transportfaktor
366
Vorwrts- und Rckwrtsstromverstrkung:
V =
1
,
cosh a + rEB sinh a
R =
Anhang
1
.
cosh a + rCB sinh a
Allgemeine Form der Stromverstrkung in Basisschaltung:

=
1
cosh a + rEB sinh a 1
mit
rEB =
DE p0E LB
DB n0B LE
(rCB analog),
und a = w/LB.
Kennlinienfelder
IC
Ausgangskennlinien
Parameter: IB
IB
UEC
Eingangskennlinie
Rckwirkungskennlinien
Parameter: IB
UEB
Abb. A.7 Kennlinienfelder in Emitterschaltung
Die Berechnung der Kennlinien ist mittels der MATLAB-Programme npn_basis.m

(Basisschaltung) bzw. npn_emit.m (Emitterschaltung) mglich.
367
Schematische Kennlinien eines Thyristors und eines Trics sind in der Abb. A.8 auf
der nchsten Seite dargestellt.
IA
Flusskennlinie
IG = 0
Sperrkennlinien
UR
UV2 UV1 UV0 UAK
I G wchst
Sperrbereich
Vorwrtsbereich
IA
Ein
Aus
UA
Aus
Ein
Abb. A.8 Typische Kennlinie eines Thyristors (a) und eines Triacs (b)
Daten- und
Formelsammlung
Thyristoren und Triacs
368
Zu Abschnitt 6: Metall-Halbleiter-Kontakte
und Feldeffekt-Transistoren
SCHOTTKY-Dioden
Anhang
Breite des Raumladungsgebiets:
b=
20
e
1
UD U .
ND
Sperrschichtkapazitt
Cs = A
e0
ND
.
2 (U D U )
Kennliniengleichung
eU
j = js e kBT 1
Sperrstromdichte
js = R T e
e B
kBT
(R* ist die Richardson-Konstante, B die Barrierenhhe zwischen Metall und

Halbleiter). Grenordnung von R* = 120 A cm2 K2 (mal halbleiterspezifischem Faktor)
MOSFETs
Kennliniengleichung eines MOSFET im Ladungssteuerungmodell:
(MATLAB: mos_kennl_0.m)
e CG
1 2
(U G U th )U DS U DS
=
2
2
L
w
1 2
= e c (U G U th )U DS U DS
L
2
I=
369
Kennliniengleichung in gradual channel approximation

(MATLAB: mos_kennl.m, mit Funktions-Unterprogramm phi_inv.m)
I = e cIso
U DS
w
U DS
U G U fb inv
L
2
2 2 HL 0 eN A
32
32
(U DS + inv ) inv .
3
cIso
Inversionsbedingung:
Trgerdichte an der Grenzschicht = Akzeptorkonzentration (bei p-leitenden Materialien), d. h. ngr = p = NA .
Inversionspotential:
einv = 2kBT ln
NA
.
ni
Flachbandspannung: Ufb = (M HL )
Aufteilung der Gate-Spannung:
U G = U fb + U Iso + U HL .
Flchenbezogende Kapazitt des Isolators

cIso = Iso 0 .
d Iso
Kapazitt pro Flche bei Akkumulation

cMOS =
cIso
2c 2 U
1 + Iso Iso G
HL 0 eN A
Breite der Raumladungsschicht bei Inversion:

bmax =
2 HL 0 inv
.
eN A
Spannungsabfall an der Halbleiter-Grenzschicht bei Inversion:

U HL =
eN A 2
bmax = inv .
2 HL 0
Daten- und
Formelsammlung
Zu Abschnitt 6: Metall-Halbleiter-Kontakte und Feldeffekt-Transistoren
370
Sperrschicht-FET
Kennliniengleichung eines JFET:

I=
32
32
awe
N D
4 (U D U G + U DS ) (U D U G )
Anhang
U DS
.
L
3
U 1/2
mit U p = a 2
e ND
.
20
Zu Abschnitt 7: Halbleitertechnologie
Herstellung von Rohsilizium
Quarz (SiO2)
Reduktion bei
1500 0C
Roh-Silizium Si

Destillation
Cracken bei 1100 0C

Poly-Silizium
Tiegelziehen,
Zonenreinigung
Herstellung und Bearbeitung der Halbleiterscheiben (Wafer)
Oxidation
Trockenverfahren:
Si + O2 SiO2 .
Nassverfahren:
Si + 2 H2O SiO2 + 2 H2 .
Zu Abschnitt 7: Halbleitertechnologie
371
Dotieren
Daten- und
Formelsammlung
Beispiel: Bor-Dotierung durch Diffusion
4 + 3 SiO2.
2 B2O3 + 3 Si
Epitaxie
Beispiele fr CVD-Verfahren:
- Silizium-Abscheidung aus Siliziumtetrachlorid
SiCl4 + 2 H2
Si + 4 HCl.
- Silan-Pyrolyse zur Abscheidung von Siliziumoxid

SiH4 + O2
SiO2 + 2 H2(bei 400 bis 1000C),
- Silan-Pyrolyse zur Abscheidung von Poly-Silizium oder kristallinem Silizium

SiH4
Si + 2 H2
(bei 600 bis 1000C),
- Silan-Pyrolyse zur Abscheidung von Siliziumnitrid:

3 SiH4 + 4 NH3
Si3N4 + 12 H2 (bei 750 bis 1100C).
Reinraumtechnik
Tabelle A.4. Zulssige Teilchenkonzentration in Reinrumen
Partikel pro Kubikfua bzw. pro Kubikmeter
Klasse
0,1 m
0,5 m
1 (M 1,5)
35/ft3 =
1,24 103 m3
1/ft3 = 35,3 m3
10 (M 2,5)
3,50 102/ft3 =
1,24 104 m3
10/ft3 = 353 m3
5 m
100 (M 3,5)
100/ft3 =
3,53 103 m3
1 000 (M 4,5)
1 000/ft3 =
3,53 104 m3
7/ft3 =
2,47 102 m3
10 000 (M 5,5)
10 000/ft3 =
3,53 105 m3
70/ft3 =
2,47 103 m3
100 000 (M 6,5)
100 000/ft3 =
3,53 106 m3
700/ft3 =
2,47 104 m3
Hinweis: 1 ft (1 Fu) = 30,48 cm; 1 ft3 = 0,02832 m3; 1 ft3 = 35,3 m3
372

100000
se
as
Kl
00
00
10
Anhang
0
00
10
se
as
Kl
100
1
se
as
Kl
0
10
se
as
Kl
1000
0
00
10
se
as
Kl
Zahl der Partikel pro Kubikfu
10000
1
se
as
Kl
10
0,1
0,01
0,1
Abb. A.9 Reinraumklassen (nach U.S. Fed. Standard 209E)
10
Partikelgre / m
Literaturverzeichnis
Literatur zu Kapitel 1
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Teubner, Leipzig
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Heywang W (1988) Sensorik, Springer. Berlin Heidelberg New York
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373
374
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Literatur zu MATLAB und zu numerischen Verfahren

Cody W J and Thacher H C (1967), Math. Comput. 21, 30
Zur Einfhrung in MATLAB knnen benutzt werden:
Grupp F und Grupp F (2008): MATLAB 7 fr Ingenieure. Oldenbourg, Mnchen
Benker H (2010) Ingenieurmathematik kompakt Problemlsungen mit MATLAB,
Springer, Berlin Heidelberg New York
Vertiefende und ergnzende Literatur

Hoppe B (1997) Mikroelektronik 1. Vogel-Verlag, Wrzburg (Kamprath-Reihe)
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Universitaires Romandes, Lausanne
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Paul R (1992) Elektronische Halbleiterbauelemente, Teubner, Stuttgart
Pierret R F (1996) Semiconductor Device Fundamentals.Addison Wesley, Reading, Mass.
Rudden M N und Wilson J (1995) Elementare Festkrperphysik und Halbleiterelektronik.
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Ruge I und Mader H (1991) Halbleiter-Technologie. Springer, Berlin Heidelberg New York.
Reihe Halbleiter-Elektronik, Band 4
Sapoval B und Hermann C (1995) Semiconductors, Springer New York
Seeger K (2004) Semiconductor Physics An Introduction. Springer, Berlin Heidelberg
New York
Shur M (1990) Physics of Semiconductor Devices. Prentice Hall, Englewood Cliffs
Shur M (1996) Introduction to Electronic Devices. Wiley, New York
Singh J (1994) Semiconductor Devices An Introduction.McGraw-Hill, New York
Singh J (1995) Semiconductor Optoelectronics Physics and Technology.McGraw-Hill,
New York
Streetman B G und Banerjee S (2006) Solid State Electronic Devices. Prentice Hall, Upper
Saddle River, N.J.
Sze S M (1981) Physics of Semiconductor Devices. Wiley, New York
Yang E S (1988) Microelectronic Devices. McGraw-Hill, New York
Yu P Y und Cardona M (2001) Fundamentals of Semiconductors. Springer, Berlin
Heidelberg New York
Umfangreiche Sammlung von Halbleiterdaten

Buchreihen
Reihe Halbleiter-Elektronik (Hrsg. Heywang W und Mller R). Springer, Berlin Heidelberg
New York
darunter speziell:
Mller R (1995) Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Reihe Halbleiter-Elektronik Bd.
1. Springer, Berlin Heidelberg New York
Mller R (1991) Bauelemente der Halbleiter-Elektronik, Reihe Halbleiter-Elektronik
Bd. 2. Springer, Berlin Heidelberg New York
Reihe Modular Series on Solid State Devices (Hrsg. Pierret F und Neudeck G W).
Addison-Wesley, Reading, Mass.
Verzeichnis der Internet-Dateien
Ergnzend zum Buch sind im Internet noch einige PDF-Dateien sowie Files fr
mathematische Berechnungen (MATLAB-M-Files) zu finden. Alle Dateien liegen
als ZIP-Files vor.
Die Dateien sind auf folgenden Webseiten abzurufen:
URL: extras.springer.com
Von dort aus navigieren Sie weiter zur HTML-Seite Buch Physik der Halbleiterbauelemente. Sie finden dort die im folgenden aufgefhrten Dateien (Die in der 1.
Auflage vorhandenen SysQuake- bzw. LyME-Dateien werden nicht mehr
gepflegt).
PDF-Dateien
Anhang 1 zum Buch: Daten- und Formelsammlung:
daten_formeln.pdf
Diese Datei ist identisch zum Anhang 1 des Buches. Sie wird zustzlich im Internet
bereitgestellt.
Anhang 2 zum Buch: Lsungen der bungsaufgaben:
loesungen_aufgaben.pdf
Anhang 3 zum Buch: Kristallmodell zum Anfassen:

kristallmodell.pdf
MATLAB-Dateien1
Standard
konstanten.m Physikalische Konstanten
Silizium.m, Germanium.m, GaP.m usw. Substanzparameter der jeweiligen Halblei-
ter wie Bandabstand Eg bei 300 K, effektive Massen (me und mh) Tlerzahl e,
relative Dielektrizittskonstante , Bindungsenergien von Donator und Akzep-
Zum Einarbeiten in MATLAB kann auer den Handbchern und den Hilfedateien im
Internet insbesondere das Buch [Benker 2010] empfohlen werden.
377
378
tor, effektive Zustandsdichten (Nc und Nv), Elektronenbeweglichkeit und

Lcherbeweglichkeit im eigenleitenden Material bei 300 K
Funktion Eg_Si.m Bandgap in Si in Abhngigkeit von der Temperatur in eV.
Funktionsaufruf durch Eg_Si(T)
Funktion Eg_GaN.m, Eg_GaP.m, Eg_Ge.m, Eg_InSb.m entsprechend fr andere
Halbleiter.
Funktion me_Si.m Effektive Masse in Si in Abhngigkeit von der Temperatur in
Einheiten von m0. (Bereich 200 K bis 700 K).
Funktion mye.m Elektronenbeweglichkeit im Silizium in Abhngigkeit von Temperatur und Strstellenkonzentration. Funktionsaufruf durch mye(T,N)
Funktion myh.m Elektronenbeweglichkeit im Silizium in Abhngigkeit von Temperatur und Strstellenkonzentration. Funktionsaufruf durch myh(T,N)
Kapitel 1
E_ueber_k.m Zusammenhang Energie Impuls (.Aufgabe 1.15)
Kristall
cubic.m Rumliche Darstellung eines kubischen Kristalls (Aufgabe 1.16)
(bentigt die Funktionen sphere_1.m und linie.m)
zinkblende.m Rumliche Darstellung der Elementarzelle eines kubisch-fl-
chenzentrierten Kristalls und einer Zinkblendestruktur (Aufgabe 1.17)

(bentigt die Funktionen fcc.m, sphere_1.m, fccgitter.m, bind.m, tetraeder.m und linie.m)
Kapitel 2
ni_temp.m Temperaturabhngigkeit der intrinsischen Ladungstrgerkonzentra-
tion in Silizium (Aufgabe 2.21)

Durch ndern der Substanzdaten (Ersetzen des Aufrufs silizium durch
germanium, GaAs usw.) lsst sich das Programm auch fr andere Halbleiter
verwenden.
ni_temp1.m ebenfalls Temperaturabhngigkeit der intrinsischen Ladungstrgerkonzentration, dabei wird aber noch die Temperaturabhngigkeit Eg(T)
bercksichtigt. Ruft Eg_Si.m auf
intrins_temp.m Differenz zwischen intrinsischer Ladungstrgerkonzentration
ni(T) und Strstellenkonzentration ND mit Nullstellensuchprogramm
(Aufgabe 2.22). Ruft die Funktion ni(T,ND) auf; dort ist der Halbleitertyp einzustellen.
Gegebenfalls kann die Temperaturabhngigkeit des Gaps durch die Funktion
Eg_Si.m bercksichtigt werden.
379
myplot.m Tabelle und graphische Darstellung der Beweglichkeiten im Silizium

in Abhngigkeit von der Strstellenkonzentration bei 300 K. Ruft mye.m
und myh.m auf
leitf.m Tabelle und graphische Darstellung der Leitfhigkeiten von Majoritts-
trgern im Silizium in Abhngigkeit von der Strstellenkonzentration bei 300

K. Voraussetzung ist, dass die Trgerkonzentration gleich der Strstellenkonzentration ist. Ruft mye.m und myh.m auf
dot_strom.m Ermittlung der Dotierungskonzentration aus Strommessungen (zu
Aufgabe 2.23)
M-Files zum ergnzenden Abschnitt 2.6 .
Egplot.m Plot des Bandgaps in Germanium, Silizium und GaAs als Funktion
der Temperatur. Benutzt die Funktionen Eg_Ge.m, Eg_Si.m, Eg_GaAs.m.
Funktion fermi.m Chebyshev-Approximation mit 5 Punkten fr das FermiIntegral F k(c) der Ordnung k = 1/2, 1/2 oder 3/2 entsprechend Gl.
(2.93), nach [Cody und Thacher 1967].
Funktion rez_fermi.m die reziproke Funktion U (x) (x > 0) zum Fermi-Integral F 1/2(c) entsprechend Gl. (2.94), nach [Blakemore 1982a].
mwg.m Massenwirkungsgesetz mit Bercksichtigung der Entartung (Beispiel
2.11). Berechnet die relative Konzentration von Lchern p/NC in Abhngigkeit von der Elektronenkonzentration n/Nc . x-Achse der Graphik entweder
n/Nc (normiert) oder n in cm3. ndern der Ausgabe ist durch Auskommentieren des Plot-Befehls mglich.
Gapshift
plot_myges.m Berechnung des strstellenbedingten Beitrags zur Gapschrumpfung (Gapshift), mit Unterprogrammen f_myie.m, f_myih.m, f_myxce.m und
f_myxch.m, wie am Ende von 2.6.2 erwhnt.
Kapitel 3
diffsp0.m Diffusionsspannung in Silizium an einem (p+/n)- bzw. (p/n+)-ber-
gang bei 300 K, aufgetragen ber der Dotierungskonzentration Ndot des schwcher dotierten Gebiets (Aufgabe 3.23). Durch ndern der Substanzdaten
(Ersetzen des Aufrufs silizium durch germanium, GaAs usw.) lsst sich
das Programm auch fr andere Halbleiter verwenden.
diffsp.m Diffusionsspannung in Si, Ge, GaAs und GaP an einem p+n- bzw. pn+bergang bei 300 K, aufgetragen ber der Dotierungskonzentration Ndot des
schwcher dotierten Gebiets (Aufgabe 3.23)
strom_spann.m theoretische Strom-Spannungs-Kennlinie einer Halbleiterdiode in
Silizium (Aufgabe 3.24)
380
arbeitspkt.m Ermittlung des Arbeitspunkts einer Diode (graphisch und iterativ)
(Aufgabe 3.25)
fit_diode.m Anpassung der Strom-Spannungs-Kennlinie einer Diode an experi-
mentelle Werte (Aufgabe 3.26)
Kapitel 4
Funktion GaAlAs(x).m m-File zur Berechnung der Gapenergie Eg(x) und des Brechungsindex n von Ga1-xAlxAs
hellempf.m Datenwerte fr den spektralen Hellempfindlichkeitsgrad V()
leerlaufsp.m Leerlaufspannung in Abhngigkeit vom Photostrom in Silizium,
(theoretisch) (Aufgabe 4.16)

laser.m Berechnung der Verlaufs n(J) und nph(J) bei einem Laser, mit Auffinden
der Laserschwelle (Aufgabe 4.17)
emiss_direkt (Aufgabe 4.14)

emiss_direkt_a.m Spektralabhngigkeit der Emissionslinie in direkten Halb-
leitern, Boltzmann-Nherung fr Verteilungsfunktionen

emiss_direkt_b.m Spektralabhngigkeit der Emissionslinie in direkten Halbleitern, benutzt die Funktion rez_fermi.m
gain (Aufgabe 4.15)

gain0.m Gain in direkten Halbleitern fr eine Elektronenkonzentration
gain.m Gain in direkten Halbleitern fr mehrere Elektronenkonzentrationen,
benutzt die Funktion rez_fermi.m
solar (Aufgabe 4.18)

solar_leistung_1.m Berechnung der maximalen Leistung einer Si-Solarzelle
durch Nullstellensuche in der 1. Ableitung als Funktion von U, bentigt das

Funktionsprogramm diff.p fr die Ableitung der Leistung p
solar_leistung_2.m Berechnung der maximalen Leistung einer Si-Solarzelle,
durch Minimierung als Funktion von U, bentigt das Funktionsprogramm

p.m fr die Leistung p
solar_leistung_3.m Berechnung der maximalen Leistung einer Si-Solarzelle,
durch Minimierung von Hand als Funktion von U, mit Darstellung der
Leistung als Funktion der Photospannung; Parameter der Kurvenschar ist
der Photostrom
381
Kapitel 5
npn_basis.m Berechnung der Kennlinien eines npn-Transistors in Basisschal-
tung, einschlielich Early-Effekt und Stoionisation, nach [Pierret 1996]. Zur

Bearbeitung wird das Unterprogramm npn0.m bentigt. Das Unterprogramm
npn0.m ruft seinerseits die Unterprogramme mye.m und myh.m sowie das Unterprogramm silizium.m fr die Substanzdaten auf. Fr die Bercksichtigung der
Basisweitenvernderung durch den Early-Effekt wird zustzlich das Unterprogramm npn_early.m aufgerufen.
npn_emit.m Berechnung der Kennlinien eines npn-Transistors in Emitterschaltung, einschlielich Early-Effekt und Stoionisation, nach [Pierret 1996]. Zur
Bearbeitung wird das Unterprogramm npn0.m bentigt. Das Unterprogramm
npn0.m ruft seinerseits die Unterprogramme mye.m und myh.m sowie das Unterprogramm silizium.m fr die Substanzdaten auf. Fr die Bercksichtigung der
Basisweitenvernderung durch den Early-Effekt wird zustzlich das Unterprogramm npn_early.m aufgerufen.
npn_early.m Unterprogramm zur Bercksichtigung der Basisweitenmodulation
(Early-Effekt) bei den Ebers-Moll-Parametern. Berechnung der Kennlinien
eines npn-Transistors in Emitterschaltung einschlielich Early-Effekt und
Stoionisation
npn0.m Unterprogramm mit Konstanten und Parametern zum Programm
npn_basis.m oder npn_emit.m.
early_symb.m Symbolische Rechnungen zum Early-Effekt bentigt die Symbolic Math Toolbox.
Kapitel 6
mos_kennl_0.m und mos_kennl.m Kennlinienfeld eines MOS-Kondensators
Verwendete Formelzeichen
Hinter der Erklrung steht das Kapitel bzw. die Gleichung, in der die Gre das
erste Mal benutzt wird, und gegebenenfalls ein Hinweis auf eine Tabelle mit Substanzdaten oder, falls es sich um eine Konstante handelt, der Zahlenwert.
Griechische Buchstaben
Absorptionskoeffizient, Gl. (4.37)
Gleichstromverstrkung in Basisschaltung, Abschn. 5.2.1

123, 432 Gleichstromverstrkungsfaktoren beim Triac, Abschn. 5.7.2
V
Vorwrtsstromverstrkung in Basisschaltung, Abschn. 5.3.1 und Gl. (5.29)
R
Rckwrtsstromverstrkung in Basisschaltung, Gl. (5.30)
Stromverstrkung in Emitterschaltung, Abschn. 5.2.1
Emitterergiebigkeit, Emitterwirkungsgrad, Abschn. 5.2.1

i
innere Injektionseffizienz, Gl. (4.12)
relative Dielektrizittskonstante des Halbleiters, Werte in Tabelle 2.1.

0
Dielektrizittskonstante des Vakuums, Influenzkonstante,
0 = 8,854 10-12 As/Vm
HL relative Dielektrizittskonstante des Halbleitermaterials, Abschn. 6.3.2
Iso relative Dielektrizittskonstante der Isolatormaterials, Abschn. 6.3.2
kinetische Energie, bezogen auf kBT, Gl. (2.14)

c
Energiedifferenz EF Ec, bezogen auf kBT, Gl. (2.14)
ext uerer Quantenwirkungsgrad einer LED, Gl. (4.14)
int totaler innerer Quantenwirkungsgrad einer LED, Abschn. 4.1.4
konv Konversionseffizienz einer Solarzelle, Gl. (4.52)
Q
Quantenwirkungsgrad eines Detektors, Gl. (4.42)
Wellenlnge
molare Masse, Abschn. 1.5.4
Beweglichkeit, Abschn. 2.4.1

B
Beweglichkeit in der Basis, Abschn. 5.2.2
mittlere Beweglichkeit im Kanal des MOSFET, Abschn. 6.2.2
e
e
Beweglichkeit der Elektronen, Abschn. 2.4.1
*
e
chemisches Potential der Elektronen, e* = EFe Ec , Gl. (2.83)
h
Beweglichkeit der Lcher, Abschn. 2.4.1
*
h
chemisches Potential der Lcher, e* = Ev EFh , Gl. (2.84)
383
384
e
ww
e
h
e
h
s
s*
Beitrag zur Gapschrumpfung des Leitungsbandes, Abschn. 2.6.2

Frequenz
Zahl der Leitungsbandminima, Tabelle 2.1.
Dichte, Abschn. 1.5.4
elektrische Leitfhigkeit, Abschn. 2.4.1
elektrische Leitfhigkeit der Elektronen, Abschn. 2.4.1
elektrische Leitfhigkeit der Lcher, Abschn. 2.4.1
Elektronen-Rekombinationslebensdauer, Abschn. 3.3.3
Lcher-Rekombinationslebensdauer, Abschn. 3.3.3
Rekombinationszeitkonstante strahlender Prozesse, Abschn. 2.4.6
effektive Rekombinationszeitkonstante strahlender Prozesse, s* = s /n,
Abschn. 2.4.6
ns
Rekombinationszeitkonstante nichtstrahlender Prozesse, Abschn. 2.4.6
elektrisches Potential
inv Inversionspotential, Gl. (6.27)
M, H, B, siehe unter eM, eH, eB, e
A
a
a0
aB
ae
ax
Verkrzung des Diffusionsbereichs in der Basis, Gl. (5.17)

Gitterkonstante von Halbleiterkristallen, Tabelle 1.1.
Bohrradius des Wasserstoffatoms (1. Bohrsche Bahn), aB = 5,29 1011 m,
Abschn. 1.2
Bohrradius des Donatorzustands, Gl. Werte in Tabelle 2.4.
Gitterkonstante von Halbleiterkristallen in Mischreihen, Abschn. 4.1.2
B
B
Basis-Transportfaktor, Abschn. 5.2.1
b
Sperrschichtbreite, Gl. (3.9), Kanalbreite im MOSFET, Gl. (6.38)
bmax maximale Kanalbreite im MOSFET, Gl. (6.43)
C
Lichtgeschwindigkeit, c = 2,998 108 m/s
Diffusionskapazitt, Abschn. 3.4.2
flchenbezogene Kapazitt des MOS-Kondensators, Gl. (6.39)
flchenbezogene Kapazitt der Isolationsschicht im MOS-Kondensator,
Gl. (6.31)
cMOS flchenbezogene Kapazitt des MOS-Kondensators, Gl. (6.39)
Cs
Sperrschichtkapazitt, Abschn. 3.4.1
c
Cdiff
cHL
cIso
385
D
DB
DC
De
DE
Dh
Diffusionskoeffizient in der Basis, Abschn. 5.2.2

Diffusionskoeffizient im Kollektor, Abschn. 5.2.2
Diffusionskoeffizient der Elektronen, Gl. (2.59)
Diffusionskoeffizient im Emitter, Abschn. 5.2.2
Diffusionskoeffizient der Lcher, Gl. (2.59)
E
e
E
EB
Ec
ED
Ee
EF
EFe
EFh
e
e
e
e
e
e
Eg
Eh
Ev
E
Ee
Eh
Elementarladung, e = 1,602 1019 As

elektrische Feldstrke
Bindungsenergie des Elektrons auf der ersten Bohrschen Bahn des
Wasserstoffatoms, EB = 13,6 eV, Abschn. 1.2
Energie des unteren Leitungsbandrandes
Absolutlage der Energie des Donatorzustands, Abschn. 2.3.2
Bindungsenergie des Elektrons am Donator, Ee = Ec ED , Gl. (2.28), Werte
in Tabelle 2.4.
Fermi-Energie, Fermi-Nivau, Abschn. 1.7.2
Quasi-Ferminivau der Elektronen, Abschn. 2.4.8
Quasi-Ferminivau der Lcher, Abschn. 2.4.8
Austrittsarbeit, Abschn. 6.1.1
Barrierenhhe des Metall-Halbleiter-bergangs, Abschn. 6.1.1
Austrittsarbeit eines Halbleiters, Abschn. 6.1.1
Austrittsarbeit eines Metalls, Abschn. 6.1.1
Austrittsarbeit, Abschn. 6.1.1
Elektronenaffinitt
Bandabstand (Gapenergie), Eg = Ec Ev, Werte in Tabelle 2.2.
Bindungsenergie des Lochs am Akzeptor, Eh = Ec ED , Abschn. 2.3.2,
Werte in Tabelle 2.4.
Energie des oberen Valenzbandrandes
Energie, vom jeweiligen Bandrand aus gezhlt
(kinetische) Energie des Halbleiterelektrons,
bezogen auf Leitungsbandrand, (2.1)
(kinetische) Energie des Lochs, bezogen auf Valenzbandrand (zhlt nach
unten!), Gl. (2.2)
F
F
fe
Fllfaktor einer Solarzelle, Gl. (4.53)

Fermi-Verteilungsfunktion der Elektronen, Gl. (2.7)
386
fh
Fermi-Verteilungsfunktion der Lcher, Gl. (2.8)
F1/2 Fermi-Integral, Gl. (2.16)
G
g
Entartungsfaktor der Donatorzustnde (in der Regel ist g = 2), Abschn. 2.3.3
g
Gewinn (Gain) einer Laserdiode, Gl. (4.25)
G
Generationsrate allgemein, Abschn. 2.4.6
Gs
optische Generationsrate, Abschn. 2.4.6
g()d Zustandsdichte pro Energieintervall, Abschn. 2.1.1, Gl. (2.5)
H
h
Plancksche Konstante, h = 6,626 1034 Js = 4,136 1015 eV

Plancksche Konstante, geteilt durch 2,
= 1,0546 1034 Js = 6,582 1016 eV s
I
I
IA
Iabs
IB
Strom
Anodenstrom beim Triac, Abschn. 5.7.1
Absorptionsrate, Gl. (4.24)
Basisstrom am Bipolartransistor
IC
Kollektorstrom am Bipolartransistor
Ie() Strahlstrke, Gl. (4.18)
Emitterstrom am Bipolartransistor
IE
Gate-Strom eines Triac, Abschn. 5.7.1
IG
Isp
Intensitt der spontanen Emission, Emissionsrate, Gl. (4.4)
Iv() Lichtstrke, Gl. (4.18)
J
j
j0
j B
0
jB
jG
jC
jCs
je
je
jE
jEs
jh
Stromdichte (Strom pro Querschnittsflche)

Dunkelstromdichte einer Photodiode, Gl. (4.48)
Basisstromdichte, Gl. (5.73)
Basissperrstromdichte, Gl. (5.69)
Gate-Stromdichte eines Triac, Abschn. 5.7.2
Kollektorstromdichte, Gl. (5.25)
Emittersperrstromdichte, Gl. (5.26)
Elektronenstromdichte, Abschn. 2.4.1
Elektronenstromdichte, Abschn. 2.4.1
Emitterstromdichte, Gl. (5.24)
Emittersperrstromdichte, Gl. (5.26)
Lcherstromdichte, Abschn. 2.4.1
jopt
jph
jR
jR
j RE
js
jsperr
jV
jVC
jVE
387
Photostromdichte, Gl. (4.46)

Photonenstromdichte, Gl. (4.37)
Kollektor-Rckwrtsstromdichte, Gl. (5.22)
Rckwrtsstromdichte eines Triac, Abschn. 5.7.2
Rckwrtsstromdichte, Gl. (5.33)
Sttigungstromdichte (Sperrstromdichte) einer Diode, Gl. (3.48)
Sperrstromdichte eines Triac, Abschn. 5.7.2
Vorwrtsstromdichte, Gl. (5.32)
Kollektor-Vorwrtsstromdichte, Gl. (5.21)
Emitter-Vorwrtsstromdichte, Gl. (5.20)
K
kB
kD
k
Boltzmann-Konstante, kB = 8,617 10-5 eV/K

Reziprokwert der Debyeschen Abschirmlnge, kD = 1/LD, Gl. (2.102)
Wellenzahlvektor
L
L
LB
LC
LD
Le
LE
Lh
Lnge der Drain-Source-Strecke, Abschn. 6.2.2

Diffusionslnge in der Basis, Abschn. 5.2.3
Diffusionslnge im Kollektor, Abschn. 5.3.1
Debyesche Abschirmlnge, Abschn. 2.6.2
Diffusionslnge der Elektronen, Gl. (3.38)
Diffusionslnge im Emitter, Abschn. 5.2.2
Diffusionslnge der Lcher, Gl. (3.39)
M
m
m
m0
me
mh
Masse
Idealittsfaktor (bei Halbleiterdioden), Abschn. 3.7
Masse des freien Elektrons, m0 = 9,109 10-31 kg
effektive Elektronenmasse, Tabelle 2.1.
effektive Lochmasse, Tabelle 2.1.
N
n
n0
n0B
NA
NA
Elektronenkonzentration im Leitungsband, Abschn. 2.2.3

Gleichgewichtskonzentration der Minorittstrger-Elektronen, Abschn. 3.3.3
Gleichgewichtskonzentration der Minorittstrger in der Basis, Abschn. 5.2.2
Akzeptorkonzentration, Abschn. 2.3.3
Avogadro-Konstante, NA = 6,022 1023 mol1, Abschn. 1.5.4
388
NA
nAtom
NB
ND
ND+
Ne
NE
NEZ
ni
nph
Nv
Konzentration der geladenen Akzeptoren, Abschn. 2.3.3

Atomdichte (Zahl der Atome pro Kubikzentimeter), Abschn. 1.5.4
Strstellenkonzentration in der Basis, Abschn. 5.2.3
Donatorkonzentration, Abschn. 2.3.3
Konzentration der geladenen Donatoren, Abschn. 2.3.3
effektive Zustandsdichte der Leitungsbandzustnde, Gl. (2.17),
Strstellenkonzentration im Emitter, Abschn. 5.2.3
Zahl der Atome pro Elementarzelle (Abschn. 1.5.4)
intrinsische Ladungstrgerkonzentration, Gl. (2.23), Werte in Tabelle 2.3.
Photonendichte, Abschn. 4.2.5
effektive Zustandsdichte der Valenzbandzustande, Gl. (2.18),
P
p
p0
p0C
p0E
PE
Popt
p, p
Konzentration der Lcher im Valenzband, Abschn. 2.2.3

Gleichgewichtskonzentration der Minorittstrger-Lcher, Abschn. 3.3.3
Gleichgewichtskonzentration der Minorittstrger im Kollektor, Abschn 5.3.1
Gleichgewichtskonzentration der Minorittstrger im Emitter, Abschn. 5.2.3
Leistungseffizienz einer LED, Gl. (4.17)
Energieflussdichte des Lichts, Gl. (4.39)
Impuls, Quasi-Impuls, Abschn. 1.1.1 und 2.1.1
Q
Q
q
Qd
qd
QG
elektrische Ladung
Ladung pro Flcheneinheit (am MOS-Kondensator)
Raumladung der Verarmungsschicht im MOSFET, Gl. (6.32)
flchenbezogene Raumladung der Verarmungsschicht im MOSFET, Gl. (6.33)
Gummel-Zahl, Abschn. 5.2.3
R
R
R*
rCB
rEB
RH
Rph
Rs
Rseff
Rekombinationsrate allgemein, Abschn. 2.4.6

Richardson-Konstante, Gl. (6.9)
Verhltnis von Kollektor- zu Basismaterialgren, Abschn. 5.3.3
Verhltnis von Emitter- zu Basismaterialgren, Gl. (5.16)
Hall-Koeffizient, Gl. (2.57), (2.58)
Responsivity, Gl. (4.42)
Rekombinationsrate strahlender Prozesse, Abschn. 2.4.6
Netto-Rekombinationsrate strahlender Prozesse, Rseff = Rs Gs, Abschn. 2.4.6
389
U
U
Spannung
Umkehrung der Fermi-Funktion F1/2 , Abschn. 2.6.1
UAK Anoden-Katoden-Spannung an einem Triac, Abschn. 5.7.1

UCB
Kollektor-Basis-Spannung, Gl. (5.71)
UD
Diffusionsspannung am pn-bergang, Gl. (3.21)
UDS
Drain-Source-Spannung, Abschn. 6.2.2
UEB
Emitter-Basis-Spannung,, Abschn. 5.5.2 d)
UEC
Emitter-Kollektor-Spannung,, Abschn. 5.3.1
Ufb
Flachbandspannung, Abschn. 6.3.2
UG
Gate-Spannung, Abschn. 6.2.2
UH
Hall-Spannung, Gl. (2.56)
UHL
Spannungsabfall im Halbleiterbereich des MOSFET, Abschn. 6.3.2
UIso
Spannungsabfall an der Isolatorschicht des MOSFET, Abschn. 6.3.2
UAK Anoden-Katoden-Spannung an einem Triac

UL
Leerlaufspannung, Gl. (4.51)
UR
Durchbruchsspannung im Sperrbereich eines Triac, Abschn. 5.7.1
Uth
Schwellspannung, Abschn. 6.2.2
UV0
Durchbruchsspannung im Vorwrtsbereich eines Triac, Abschn. 5.7.1
V
V()
spektraler Hellempfindlichkeitsgrad (normierte spektrale Empfindlichkeit),

Gl. (4.20)
Vabs() absolute spektrale Empfindlichkeit des Auges, Gl. (4.18)

ve
Driftgeschwindigkeit, der Elektronen, Abschn. 2.4.1
vh
Driftgeschwindigkeit der Lcher, Abschn. 2.4.1
VEZ
Volumen der Elementarzelle, Abschn. 1.5.4
Vm
molares Volumen, Abschn. 1.5.4
W
w
Basisweite beim Bipolartransistor, Abschn. 5.2.2
Kanalbreite beim MOSFET, Abschn. 6.2.2
Y
Y
differentieller Leitwert
Index
Ein (A) in Klammern nach dem Stichwort weist auf eine Aufgabe hin.
A
Abklingzeit 86
Abschirmlnge 98
Abschirmlnge, Debyesche 285
Abschnrspannung 298
Absorption 4
Absorption (A) 40
Absorptionsbauelemente 205
Absorptionskoeffizient 205
Absorptionsmaterialien 198
Absorptionsrate 180
Akkumulation 272, 275, 302
Aktivierungsenergie 61
Akzeptor 63, 105
Al InGaP
Laser 177
AlGaAs 34
AlGaAsSb 34
AlGaInN 175, 176
alloy 34
amorphes Silizium 201, 202
angeregter Zustand 4
anisotropes tzen 328
Anode 244
Anregung 33
Anregung, optische 51, 90
Arsin 319
a-Si 201
Atomabstnde 20
atomare Masseneinheit 25, 351
tzen 317, 327

anisotropes 328
isotropes 328
nasschemisch 327
trockenchemisch 327
tzmittel 327
tzprozesse 328
Aufdampfen 322, 326, 344
Auger-Prozesse 89, 109
Ausbreitungsvektor
Elektronen 101
Aushrten 330
Austrittsarbeit 258
Austrittseffizienz 171
uerer Photoeffekt 12
uerer Quantenwirkungsgrad 170
Avalanche-Effekt 140
Avalanche-Photodiode 197
B
Bahnradien des Wasserstoffatoms 10
Bandabstand 32
Bandabstnde 50, 51
Band-Band-Rekombination, direkte 86
Bnder 29, 31
Bndermodell 29
Bandgap 5, 50
Temperarurabhngigkeit 92
Bandgap Narrowing 96
Bandlcke 5, 50
Bandstruktur 48, 101
391
392
Bandverbiegung,
MOS-Kondensator 285
Basis 211
Basisbreite 218
Basisschaltung 213, 236
Basis-Transportfaktor 216
Bearbeitungsschritte von Wafern 316
Bedingung fr starke Inversion 272
Belacken 330
Belichten 330
Belichtung 340
Beschichtung 343
Beschichtungs- und Dotierungsverfahren 317
Besetzungsgrenze 107
Besetzungsinversion 180, 181, 205
Besetzungswahrscheinlichkeit 55
Betriebsart 224
Betriebsart eines Transistors, aktiv-normale 213
Beweglichkeit 73, 108
MOSFET 268
Temperaturabhngigkeit 74
Beweglichkeit bei Transistoren (A) 251
Biexciton 105
Bilanz 89
Bilanzgleichungen 182, 183
Binre Schaltelemente 288
Bindung
metallische 29
Bindungsenergie 64
Bindungsenergie eines Elektrons am
Donator 64
Bindungsmodell 28
Bipolartransistor 138, 211, 249, 287
siehe auch Transistor
Bipolartransistoren in integrierten
Schaltungen 293
Blue-ray disks 176
Bohrsche Postulate 8
Bohrscher Radius
Donator 110
H-Atom 9
Strstelle 64
Boltzmann-Fall 93, 94
Index
Boltzmann-Konstante 12
Boltzmann-Nherung 56, 59
Booleschen Algebra 287
Bortrichlorid 309
Bose-Einstein-Kondensation 105
Bose-Teilchen 105
Bose-Verteilung 105
Boson 106
Bosonen 105
Bravais-Gitter 18
Brechungsindex 166, 171
Bridgman-Verfahren 314
Brillouin-Zone 103
C
C
siehe Diamant
Candela 173
carbon nanotubes 35
Carrier 314
CCD 296
CdS
Photoleitung 197
CdSe 33
Photoleitung 197
CdTe
Lichtempfnger 203
Channeling 322
charge control model 270
charge-coupled device 296
chemisches Potential 91
chemisches Potential,
Wechselwirkungsanteil 98
CIS 203
CMOS 291
CMOS-Inverter 291
CMOS-Logikgatter 291
CMOS-Schaltkreise 337
CMOS-Technologie 338
complementary MOS 291
Compton-Effekt 3
Confinement 178
Cracken 309
Index
CVD-Verfahren 323
Czochralski-Verfahren 311, 343
D
Dampfoxidation 318
Dmpfung 198
Datenspeicher 294
de-Broglie-Wellenlnge 5
Debyesche Abschirmlnge 98, 99
deionisiertes Wasser 337
depletion layer 123
detectivity 189
DH-Laser 179
DH-Laser (A) 206
Diamant 33
Gitterstruktur 19
Diamantstruktur 19, 27
Diboran 319
Dichlorsilan 323
Dielektrizittskonstante 47, 107
Dielektrizittskonstante des
Vakuums 8
Diffusion 82, 320
Diffusionsgleichungen, Transistor 233
Diffusionskapazitt 142, 145
Diffusionskoeffizient 83, 109
Diffusionslnge 135, 139
Diffusionsspannung 125, 127
Diffusionsspannung (A) 153
Diffusionsstrom 83, 89
Diffusionsstrme 232
Diode 141
kurze 138
lange 138
siehe auch Halbleiterdiode
Diodenkennlinie 140, 141, 260
Photoleiter 193
Schottky-Diode 260
Diodenkennlinie (A) 157, 158
direkter Halbleiter 49
Donator 63, 106
Donator-Akzeptor-Paar 66
393
Doppelheterostrukturen 172
Doppelheterostruktur-Laser 179
Dotieren 34, 319
Dotieren whrend der Kristallzucht 319
dotierte Kristalle 34
Dotierung 31, 34, 63, 343
Dotierungselemente 319
Dotierungsmaterial (A) 345
Dotierungsprofil 144
Dotierungsprofil (A) 152
double-gate MOSFET 300
Drain 264, 339
Drain-Elektrode 266
Drain-Source-Spannung 266
DRAM 294
DRAM-Speicherchips 299
Drift 72
Driftgeschwindigkeit 282
Driftstrom 73, 89, 108
Dunkelstrom 193
Dnnschichttechniken 202
Durchbruchsspannung 244
Durchlassbereich 137
Durchlassrichtung 131, 133
E
Early-Durchbruch 241, 246
Early-Effekt 241
Early-Spannung 241
Ebers-Moll-Gleichungen 224, 226,
227, 250
Nherungen 229
Ebers-Moll-Gleichungen (A) 252
Ebers-Moll-Gleichungen, hohe
Emitterergiebigkeit 231
Ebers-Moll-Gleichungen, Nherung
kleiner Basisbreite, 229
Ebers-Moll-Gleichungen, Nherung
Vorwrtsbetrieb 231
ECL 293
EEPROM 294
394
effektive Masse 46, 107

Elektronen 47
leichte Lcher 50
Lcher 47
longitudinale 49, 50
schwere Lcher 50
transversale 49, 50
effektive Zustandsdichte 59
Effizienz von Solarzellen 202
Eigenhalbleiter 60
Eigenleitung (A) 112
Einkristallherstellung 311, 343
Einschluss, optischer 178
Einstein-Beziehung 84, 109
Elektron im Kristall 46
Elektronen 5
Elektronenaffinitt 258
Elektronenkonzentration (A) 111
Elektronenkonzentration im
Leitungsband 59
Elektronenstrom 73
Elektronenvolt 3
Elektron-Loch-Flssigkeit 105
Elektron-Loch-Paar-Erzeugung 90
Elementarzelle 18
Elementhalbleiter 19, 33
Emission 4
spontane 177
stimulierte 177, 182
Emission (A) 40
Emissionsrate 180
Emitter 211
emitter coupled logic 293
Emitterergiebigkeit 216
Emitterschaltung 214, 237
Emitterwiderstand (A) 251
Emitterwirkungsgrad 216
Empfnger, optische 197
Empfindlichkeit 189, 205
spektrale 173
Energie des Grundzustands 64
Energiebnder
Transistor 213
Index
Energiebnderschema, MetallHalbleiter-bergang 258

Energiebandstruktur am pn-bergang
(A) 153
Energiebilanz 163
Energieflussdichte 188
Energiegewinnung 202
Energielcke 50, 102, 197
Energiewerte des Wasserstoffatoms 10
Entartung 56
Entartungsfall 93
Entwickeln 330
Epitaxie 322
Epitaxieverfahren 344
EPROM 294
Ersatzschaltbild eines
Bipolartransistors 225
Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren
51
Esaki-Diode 147, 148
EUV-Belichtung 340
Exciton 66, 105
F
Fabry-Prot-Resonator 178
face-centered cubic 19
fcc 19
Feldeffekt-Transistor 302
Feldeffekttransistor 35, 263
Feldstrom 73, 108
Fermi-Energie 32, 107
hohe Dotierung (A) 115
Lage 32
Fermi-Energie (A) 112
Fermi-Energie im reinen Halbleiter 62
Fermi-Fall 94
Fermi-Funktion 55
Fermi-Integral 58, 93
Fermi-Integral, Umkehrfunktion 94
Fermi-Kante 32
Fermi-Nherung 94
Fermi-Niveau 32
Fermion 106
Fermionen 105
Index
Fermi-Verteilung 55
Fermi-Verteilung (A) 110
Fermi-Verteilungsfunktion 105
Fertigungsschritte,
Siliziumherstellung 307
FET
Kennlinienschar 283
selbstleitend 282
selbstsperrend 282
siehe auch MOSFET, MISFET,
JFET
Flachbandspannung 274, 282
Flchenemitter 172, 204
Flat 315
flat 315
Fliegleichgewicht 90
Floating-Gate 295
Floating-Gate-Struktur 295
FLOTOX 295
Flssigphasen-Epitaxie 323
Flussspannung 151
Fulleren 35
Fllfaktor 201
G
GaAlAs 166
Solarzelle 203
GaAlAsSb
Laser 176
GaAs 33, 34
chemische Bindung 27
Detektor 199
Gap
Laser 176
Lichtemission 163
Photoleitung 197
Solarzelle 203
Wachstum
GaAs, Schottky-Diode 262
GaAsP 34
Laser 176
LED 175
GaAs-Substrat 165
395
gain
Laser 180
Photoleiter 192
GaInAs 34
GaInAsP
Laser 176
Solarzelle 203
Galliumarsenid
siehe GaAs
Galliumnitrid 175
siehe unter GaN
Galliumphosphid
siehe GaP
GaN 34
Laser 177
LED 171, 175
optische bergnge 5
Superstrahler 175
tiefe Strstellen 5
GaP 33, 34
Brechungsindex 171
LED 164, 175
optische Anwendungen 164
Wachstum
Zink-Sauerstoff-Paare 164
Gap 50, 92, 102
Gapenergie 166
Gapschrumpfung 99, 100, 242
Gap-Shift 96
Gap-Verschiebung 99
Gasphasenepitaxie 323
Gate 244, 264
Gate-Kondensator 267
Gate-Oxid 337
Gateoxidschichten 317
Gatespannung 266, 268, 274, 275, 276,
277, 278, 282, 288
Gate-Strom 250
Gate-Struktur 339
Gatter 290
Gausssches Gesetz der
Elektrostatik 124
Ge
siehe Germanium
Generation 85, 89
396
Generation von Elektron-LochPaaren 51

Generationsrate 85, 89
Germanium 33
Detektor 199
Einkristallherstellung 313
Entdeckung 313
Gap
Gitterstruktur 19
Herstellung 313
Photoleitung 197
Vorkommen 313
Germaniumtetrachlorid 313
Gesamtstrom
pn-bergang 151
Geschwindigkeits-Sttigung 282
Gewinn
Laser 180
Photoleiter 192
Gitter, reziprokes 102
Gitterkonstante 20, 101
Halbleiter-Mischreihen 166
Gleichrichter, steuerbarer 247
Gleichrichterwirkung 137
Basisschaltung 216
graded layer 165
gradual channel approximation 279
Graphen 36
Graphit 26
Grenzflchenladung 286
Grundschaltungen des
Bipolartransistors 214
Grundzustand des
Wasserstoffatoms 10
Gummel-Zahl 221
Gunn-Diode 282
H
Haftvermittler 330
Index
Halbleiter 19, 31, 33, 34, 38

direkter 49, 163
eindimensionale 104
homogener 47
indirekter 49, 164
intrinsischer 60
polykristalliner 192
zweidimensionale 104
Halbleiterdiode
Kennlinie 137
Halbleiterelektron 105
Halbleiterkondensator 277
Halbleiterlaser 176
Halbleitermaterial, emittierendes 204
Halbleiterscheiben, Bearbeitung 314
Hall-Effekt 79
Hall-Koeffizient 80
Hall-Sensor 81
Hall-Spannung 79
Hall-Widerstand 81
HBT
siehe Heterojunction Bipolar
Transistor
Heisenbergsche Unschrferelation 6
Heileiter 79
Herstellung von Rohsilizium 343
Herstellungsprozess 337
Heteroepitaxie 323
Heterojunction Bipolar Transistor
242, 287
Heterostrukturen 34
Heterostrukturlaser 242
Heterobergangs-Bipolartransistor
siehe Heterojunction Bipolar
Transistor
HgCdTe 199
Absorption 199
HgTe 33
HIGH 288
High-K electronics 341
Hochtemperatur-Nherung 93
hohe Dotierungen (A) 251
Homoepitaxie 323
homogener Halbleiter 47
Index
Homostrukturen 34
Hydrochlorierung 308
I
I2L 293
Idealittsfaktor 149
i-Gebiet 149
III-V-Halbleiter 33
chem. Bindung 27
Lichtemission 163
III-V-Verbindungen
Laser 176
II-VI-Verbindungen 33
Photoleitung 197
Impulsbilanz 163
InAs 20
Wachstum
InAsSb 199
indirekter Halbleiter 49
Indiumarsenid
siehe InAs
induzierte Emission 4
inertes Sputtern 327
Influenzkonstante 8
InGaAs 165
InGaN
Laser 177
Injektionseffizienz
innere 170
Injektions-Elektrolumineszenz 162
InP 34
Photoleitung 197
InSb 33, 34
Absorption 199
integrated injection logic 293
Intensitt spontaner bergnge 168
Intensittsverteilung des
Sonnenlichts 200
intrinsische Ladungstrgerkonzentration 60
intrinsischer Halbleiter 60
Inversbetrieb 224
Inversion 271, 272, 275, 278, 302
Inversionsbedingung 272, 273
397
Inversionspotential 274, 278, 281

Inverter 288
Ionenimplantation 321
isoelektronische Strstelle 49, 64, 164
Isolator 31, 32, 33, 38
Isolatorkapazitt 278
isotropes tzen 328
ITRS 341
IV. Hauptgruppe, Elemente 33
J
JFET 264, 297, 302
junction FET
siehe JFET
Junction-FET
siehe JFET
K
Kanal 266
Kantenemitter 171, 172, 177, 204
Kapazitt
flchenbezogene 276
Gate-Kondensator 267
pn-bergang 142, 152
Kapazitt,
MOS-Kondensator 275, 278, 283
Kapazittsdiode 144
Kaskaden-bergnge 202
Katode 244
Kennlinie
Halbleiterdiode 137
Kennlinien
MOSFET 282
Kennlinienfeld 235, 250
Kennliniengleichung
MOSFET 282
Herleitung 267, 279
Photodiode 193
Sperrschicht-FET 297
Kennlinienschar
FET 283
MOSFET 269
Photodiode 193
kohrentes Licht 176
398
Kohlenstoff-Nanorhren 35
Kollektor 211
Kondensation, bei Elektron-Loch-Flssigkeiten 105
Kontaktbelichtung 343
Kontaktkopien 331
Kontinuittsgleichung 182
Kontinuittsgleichungen 89
Konversionseffizienz 200
Konversionsschicht 175
Konzentration
der Elektronen im
Leitungsband 59
der Elektronen und Lcher
91, 107
der Lcher im Valenzband 60
pro Energieintervall 57
Koordinationszahl 28
Korngrenzen 264
Korund 171
Kristalle, dotierte 34
Kristallelektronen 46
Kristallgeometrie (A) 40
Kristallgitter 18
kubisch-flchenzentrierte Gitter 19
kubisch-raumzentrierte Gitter 19
Kupfer-Indium-Diselenid 203
kurze Diode 138, 219
Kurzkanal-Effekte 300
Kurzkanaleffekte 282
Kurzkanal-Transistor 300
Kurzschlussstrom 194, 201
L
Ladungssteuerungsmodell 266, 270,
281
Ladungstrger 106
Ladungstrgerdichten, hohe 93
Ladungstrgerkonzentration 107
intrinsische 60, 61
lange Diode 138
Langkanal-MOSFET 279
Laser 176, 204
Index
Laserbedingung
erste 178
zweite 181
Laserbedingungen 205
Laserdiode 204
Aufbau 177
blaue 176, 177
Lasermode 178
Lasermoden (A) 207
Laserschwelle 184, 205
Laserschwelle (A) 208
Lastwiderstand 289
Lawineneffekt 140, 241
Lawinen-Photodiode 197
Lebensdauer 174
Leckstrme 300
LEC-Verfahren 314
LED 161, 204
blaue 175
gelbe 175
grne 175
weileuchtende 175
Wirkungsgrad 170
Leerlaufspannung 194
Legieren 320
leichte Lcher 50
Leistungsdichte 188
Leistungsdioden 149
Leistungseffizienz 172, 174
Leitfhigkeit 31, 72, 108
Leitfhigkeit (A) 114
Leitungsband 31, 50
Leitungsbnder 30
Leitungsbandminima 47
Leitungsbandminimum 49
Leitwert 146
Licht
kohrentes 176
Lichtausbeute 172
Lichtemitter 204
Lichtgeschwindigkeit 2
Lichtleistung 172
Lichtstrke 173
Lichtstrke (A) 207
Index
Lichtwellenleiter 176
light emitting diode
siehe LED
Liquid Encapsulated Czochralski 314
liquid phase epitaxy 323
Lithographie 317, 329, 340
Loch 105
Lcher 47
leichte 50
schwere 50
Lcherstrom 73
Logikgatter 290
longitudinale effektive Masse 49, 50
Lorentz-Kraft 79
LOW 288
low pressure CVD 325
LPCVD 325
LPE 323
Lumineszenz 4
Spektralabhngigkeit 167
Lumineszenz in direkten Halbleitern
(A) 206
Lumineszenz in indirekten Halbleitern
(A) 206
Lumineszenzbauelemente 204
Lumineszenzdiode 204
Lumineszenzdioden 161, 169
Bauformen 172
siehe auch LED
Lumineszenzmaterialien 163
M
Majorittstrger 51, 71
Maskierung 317
Maskierungsschichten 317
Masse
effektive 46, 107
Elektronen 47
leichte Lcher 50
Lcher 47
schwere Lcher 50
Masseneinheit, atomare 25, 351
Massenwirkungsgesetz 60, 95, 107
399
Materialien fr optische
Empfnger 197
Materialparameter 47
Matthiesen-Regel 76
Maximum der Lumineszenzstrahlung
(A) 206
Maxwellsche Gleichung 124
MBE
siehe Molekularstrahl-Epitaxie
Mesatechnologie 315
MESFET 265, 297, 298, 302
metal organic vapour deposition 324
Metall 19, 31, 32
Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistoren 265
Metall-Halbleiter-Kontakt 301
Metall-Halbleiter-bergnge 257
metallische Bindung 29
Metallisierung 325, 344
Metall-Isolator-Feldeffekt-Transistor
263
Metall-Isolator-Struktur 270
Metall-Isolator-Strukturen 283
metallorganische Verbindungen 324
Metall-Silizide 337
metallurgical grade silicon 308
metal-semiconductor field effect
transistor
siehe MESFET
MGS 308
Mikromechanik 328
Millersche Indizes 21
Miniaturisierung 299
Mini-Umgebungen 336
Minorittstrger 51, 71
Minorittstrgerdichten 95
Minorittstrgerinjektion 87
Minorittstrgerberschuss 87
Mischkristalle 34, 164
Mischkristalle (A) 206
Mischkristall-Laser 177
Mischungsanteil 166
MISFET 263, 266
mittlere freie Weglnge 75
MNOS 294
400
MOCVD 177
siehe metal organic vapour
deposition
Mol 24
molecular beam epitaxy
Molekularstrahl-Epitaxie 323
Molekularstrahlepitaxie 325
monochromatisches Licht 176
Mooresches Gesetz 299
MOS-Feldeffekttransistor 302
MOSFET 264, 302
als Lastwiderstand 289
Herleitung der
Kennliniengleichung 267, 279
Kennliniengleichung 282
Kennlinienschar 269
Schaltungstechnik 287
Strom-Spannungs-Kennlinie 279
MOS-Kondensator 270, 279, 283, 341
Kapazitt 275, 278, 283
Sperrschichtbreite 275
MOS-Schaltkreise 287
MOS-Technologie 265, 299
MOS-Transistor 270, 300
Multiexciton 105
multiple-junction devices 202
N
Nahbelichtung 331, 343
NAND 288
NAND-Gatter 224
Nanotechnologie 35, 342
nasschemische tzverfahren 327
Nassverfahren, Oxidation 318
Negativlacke 330
Netzebenen 21, 101
Neutralittsbedingung 62
Neutronenbeschuss 322
Nichtgleichgewicht, stationres 90
Nitridschicht 317
n-Leitung 122
NMOS 264
NMOS-FET 302
NMOS-Transistor 289, 337
Index
NMOS-Transistor als Lastwiderstand

289
NOR 288
NOR-Gatter 290, 291
normally off 282
normally on 282
NOT 288
notch 315
npn-Transistor 212
NTC-Widerstnde 79
O
Oberflchenbehandlung 314
Oberflchenpassivierung 317
Oberflchenpotential 285
Ohmsches Gesetz 72
optische Empfnger 197
optischer Resonator 178
OTP-ROM 294
Oxidation 317, 343
Oxidationsrate 318
Oxidationsschichten 317
Oxidschicht 317, 318
Oxidschicht (A) 345
P
p+n-bergang 138, 265
Packungsdichte 20
Packungsdichten 20
Pauli-Prinzip 52
PbSe
Absorption 199
PbTe
Absorption 199
Phononen 105
Phosphin 319
Phosphortrichlorid 309
Photodetektoren 192, 199
Photodiode 192, 194, 205
Kennlinien 193
Kennliniengleichung 193
Photodiode (A) 209
Photoeffekt, uerer 12
photoelektrischer Effekt 2
Index
Photoelement 194, 205

Photolack 177, 329, 330
Photoleiter 191
Photoleitfhigkeit 192
Photoleitung 191
Photolithographie 343
Photon 37, 105
Photonen 2, 105
Photonenenergie
Lumineszenz 204
Photonenstromdichte 188
Phototransistor 197, 205
Photovoltaik 199
photovoltaischer Effekt 194
Photowiderstand 191, 198, 205
pinch-off voltage 281
pin-Diode 149, 195
pin-Photodiode 195
pin-Photodiode (A) 207
pin-Struktur 149
Planartechnik 315
Planartechnik,
Bearbeitungsschritte 343
Plancksche Konstante 2
p-Leitung 122
PMOS 264
PMOS-FET 302
PMOS-Schaltkreis 291
PMOS-Transistor 291, 337
pn-Dioden 262
pnp-Struktur 212
pn-bergang 121, 150, 161, 192, 265
Poisson-Gleichung 96, 124
polykristallines Silizium
siehe Polysilizium
Polysilizium 202, 206, 324, 343
Gate-Elektrode 264
Herstellung 308
Positivlacke 330
Positron 105
post bake 330
Potential, chemisches 91, 98
Potentialtpfe 172
Potentialunterschied
pn-bergang 151
401
pre bake 330

Primer 330
Projektionsbelichtung 332, 343
Projektionsverfahren 331
Prozessschritte
Halbleiterfertigung 307, 342
integrierte Schaltungen 337
psn-Struktur 149
Pyrolyse 324
Q
Quantenfilme 172
Quanten-Hall-Effekt 81
Quantenmechanik
grundlegende Aussagen 37
Quantenwirkungsgrad
Absorption 189, 205
uerer 170
innerer 170
Quantenwirkungsgrad einer
pin-Diode 196
quantum efficiency 189
Quasi-Fermi-Niveau 90
Quasiimpuls 6, 46
Quasiteilchen 46, 105
quaternre Verbindung 34
R
RAM 294
random-access memory
siehe RAM
Ratengleichungen 183
Raumladungsgrenzen, abrupte 150
Raumladungszone
Breite 150
JFET 264
Metall-Halbleiter-bergang 259
MOS-Kondensator 277, 278
pn-bergang 122
read-only memory
siehe ROM
reaktives Sputtern 327
Reflexionskoeffizient 178
Reinigen 329
402
Reinraum 333
Reinraumgestaltung 336
Reinraumklassen 334
Reinraumstrategien 333
Rekombination 51, 85, 89, 90
Band-Band- 86
durch Auger-Prozesse 89
nichtstrahlende 109
strahlende 86, 109
ber tiefe Zentren 88
Rekombination, nichtstrahlende 88
Rekombinations-Lebensdauer 134
Rekombinationsrate 85, 89
effektive 134
Netto- 86
strahlende 86
Rekombinationsrate, effektive 86
Rekombinationszeit 135
Rekombinationszeitkonstante 86
Rekombintion
nichtstrahlende 89
Resonator, optischer 178, 205
responsivity 189
reziprokes Gitter 102
Richardson-Konstante 261, 301
Roadmap 341
Rohsilizium 308, 343
Rohsilizium-Herstellung 310
ROM 294
Rckwrtsbetrieb 224, 227
Rckwrts-Gleichstromverstrkung 225
Rckwrtsstrom 223
Rutherfordsche Streuexperimente 7
S
Saphir-Substrat 177
Sttigungsstrom 269
Schottky-Diode 262
Sttigungsstromdichte
pn-bergang 137
Schottky-Diode 261
Index
Schaltalgebra 287
Schaltelemente, binre 288
Schaltgeschwindigkeiten 287
Schaltkreise 287
Schalttabelle 290
Schaltungen, binre 287
Schaltungstechnik, MOSFET 287
Schaltverhalten eines MOSFET 288
Schleuderverfahren 330
Schottky-Barrieren-FET 297
Schottky-Diode 196, 257, 301
Schottky-Dioden 257
Schottky-Photodiode 196
Schwellspannung 268, 280, 282, 294,
295, 322
schwere Lcher 50
SCR 242
Seelen 309
selbstjustierend 339
selbstleitend 282
selbstsperrend 282
self-aligned 339
SEMI 315
semiconducing controlled rectifier 242
sensitivity 189
Shockley-Gleichung 137, 138, 151
Shockley-Read-Hall-Gleichung 88
Si
siehe Silizium
Si3N4
siehe Siliziumnitrid
SiC 34, 47, 177
LED 171, 175
Schottky-Diode 262
SiC-Substrat 177
siehe Molekularstrahl-Epitaxie
Siemens-Verfahren 309
Silan 323
Silan-Pyrolyse 324
silicon 308
silicon on insulator 324
silicon on sapphire 325
Index
Silizium 33
amorphes 201, 202, 206
Atomkonzentration 34
Bewglichkeit 74
Detektor 199
Dichte 24
Diffusionskoeffizient 85
Dotierungskonzentrationen 110
effektive Masse
effektive Zustandsdichte 59
Eigenleitungskonzentration 61
Emissionswellenlnge 162
Gap
Gapschrumpfung 99
Gitterkonstante 20, 24
Gitterstruktur 19
Leitfhigkeit 74
optische Anwendungen 164
Photoleitfhigkeit 192
polykristallines 201, 202
MOSFET 270
siehe auch Polysilizium
Schmelzpunkt 308
Schottky-Diode 262
Solarzelle 201
technisches 308
Vorkommen 308
Silizium, Beweglichkeit 76
Silizium, Diffusionskoeffizient 85
Silizium, durch Silan-Pyrolyse 324
Silizium-Detektoren 199
Siliziumdioxid
Gateoxid 341
Isolationsschicht 264
MNOS 294
MOSFET 270
Siliziumdioxid, Silan-Pyrolyse 324
Siliziumhydrochlorid 308
Silizium-Nanokristalle 176
Siliziumnitrid 324
MNOS 294
MOSFET 270
Siliziumnitridschichten 324
403
Silizium-Sensoren 77
Siliziumtetrachlorid 323
Simulationen 150
SiO2 294
siehe Siliziumdioxid
Skalierung 269, 300, 303
SMIF-Boxen 336
SOI 324
Solarzelle 194, 199, 206
Effizienz 202
Optimierung (A) 209
SOS 325
Source 264, 339
Speicherbausteine 270
Speicherschaltkreise 294
spektrale Empfindlichkeit 173
Sperrbereich 137
Sperrkennlinie 244
Sperrrichtung 131
Sperrschicht 122
Sperrschichtbreite 280
MOS-Kondensator 275, 276, 278
pn-bergang 143, 151
Sperrschichtbreite (A) 153
Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor
264, 297
Sperrschichtkapazitt 142, 143, 259
MOS-Kondensator 277
Sperrstrom 138, 262
Schottky-Diode 301
Sperrstromdichte 151
pn-bergang 137
Spice 150
spin coating 330
spontane Emission 4, 177
Sputtern 322, 327, 344
SRAM 294
step and repeat 332
Step-and-repeat-Verfahren 331
steuerbarer Gleichrichter 247
Steuerelektrode 244, 264
Steuerstromimpulse 247
Stickstoff (isoelektronische
Strstelle) 164
stimulierte Emission 177, 182
404
Stoffmenge 24
Strstelle 107
isoelektronische 64, 164
tiefe 5, 88
Strstellen 34, 63
Strstellenbindungsenergie 110
Strstellenerschpfung 69, 107
Strstellenreserve 67, 107
Strahlstrke 173
Strahlstrke (A) 207
Streumechanismus 74
Strippen 317
Strom
pn-bergang 151
Stromdichte 72, 89
Strom-Spannungs-Kennlinie 137
FET 302
MOSFET 268, 279
Schottky-Diode 301
Stromverstrkung 249
Basisschaltung 221
Emitterschaltung 216
Stromverstrkung (A) 250, 251
Stromverstrkungsfaktor 220
Substrat 164
Superstrahler 174, 175
Synchrotronstrahlung 340
T
Tler 49
Tandem-bergnge 202
Technik integrierter Schaltungen 337
Technologie der Photodetektoren 199
Teilchenkonzentration 57
Teilchenkonzentrationen, Berechnungsschema 107
ternre Verbindung 34
thermische Energie 51
Thyristor (A) 254
Thyristoren 243
Thyristorkennlinie 242, 250
tiefe Strstellen 88
tiefe Verarmung 296
tiefe Zentren 88, 109
Index
Tieftemperatur-Nherung 94
Tiegelschmelzen 311
Tiegelziehen 311, 343
totaler innerer Quantenwirkungsgrad 170
Trgerkonzentration 108
Transistor 211
Energiebnder 213
Kapazitt (A) 251
Richtung der Strme 212
Schaltzeichen 213
Verstrkung (A) 251
transistor transistor logic 293
Transistordichte 299
transversale effektive Masse 49, 50
Triac 248
Trichlorsilan 308
Trimethylgallium 324
Trockentzen 328
Trockenverfahren
Oxidation 318
TTL 287, 293
Tunneldiode 147, 148
U
u 351
bergitter 323
bertragungsglied 288
Umkehrfunktion des FermiIntegrals 94
Unschrferelation 6
Unschrferelation (A) 40
Untertzung 328
V
Vakuumniveau 258
Valenzband 31, 50
Valenzbnder 30
Valenzbandmaximum 49
Varaktordiode 144
velocity saturation 282
Verarmung 271, 272, 275, 276, 302
Verarmungsschicht 122, 123, 276
Index
Verbindung
quaternre 34
Verbindungshalbleiter 27
Herstellung 313
verbotene Zone 50, 51, 56, 61, 62,
88, 92
Verluste
Solarzellen 202
Vernichtung von Elektron-Loch-Paaren 51
Verschmutzung 333
Verstrkungsfaktoren 215
Verstrkungswirkung
Transistor 214, 249
Verteilungsfunktion 92
Verunreinigungsquellen 333
Vierquadranten-Kennlinienfeld 237
von-Klitzing-Konstante 82
Vorw 246
Vorwrtsbereich (Thyristor) 244
Vorwrtsbetrieb 226
Vorwrts-Gleichstromverstrkung 225
Vorwrtsstrom 222, 246
W
Wafer 202, 307, 314, 340
Bedeckung (A) 345
Wahrheitstabelle 290
Wasserstoffatom 8, 37
Wasserstoffatom (A) 40
Wechselrichter 247
Wechselwirkungsanteil zum
chemischen Potential 98
Weglnge, mittlere freie 75
Wellenlnge
Elektronen 101
Wellenlnge, freie Elektronen (A) 40
Wellenzahl 3
405
Wellenzahlvektor 14
Elektronen 101
Widerstandsgerade 288
Widerstandsthermometer 77
Wirbelschicht-Reaktor 308
Wirkungsgrad
LED 170
Wirkungsquantum 2
Wurtzit-Struktur 28
Z
Zeitkonstante
effektive 87
fr nichtstrahlende
Rekombination 88
Zener-Effekt 140
Zinkblendestruktur 19, 27
Zink-Sauerstoff-Paare 164
ZnSe 33
Zone, verbotene 50
Zonenschema
ausgebreitetes 104
reduziertes 104
Zonenschmelzen 311, 312, 343
Zonenziehen 312
Zndspannung 244, 245, 247, 250
Zusatzenergie der Elektronen infolge
Wechselwirkung 98
Zustandsdichte 52
effektive 59, 61
eindimensionale Halbleiter 104
eindimensionale Halbleiter (A)
115
kombinierte 167
zweidimensionale Halbleiter 104
zweidimensionale Halbleiter (A)
115
Zwei-Transistor-Modell 245, 250
Personenindex
A
Avogadro 25
Hertz 2
Holonyak 173
Bardeen 173, 222

Basov 183
Bohr 8
Boltzmann 59
Born 6
Bose 111
Brattain 222
Bravais 19
Klitzing, von 85
Kroemer 186
Kroto 37
Mendeleev 327
Miller 23
Moore 313
Compton 3
Curl 37
D
Davisson 5
de Broglie 5
Debye 102
Drude 54
Lenard 2, 13
Lilienfeld 277
N
Novoselov 38
P
Pauli 7
Planck 2
Prochorov 183
Early 252
Einstein 2
Esaki 154
Schottky 269
Schrdinger 6
Shockley 222
Smalley 37
Spenke 324
Fermi 57
Fuller 37
G
Geim 38
Germer 5
H
Hall 82
Heisenberg 6, 8
Rutherford 8
T
Townes 183
Z
Zener 146
407

Physik Der Halbleiterbauelemente - Einführendes Lehrbuch Für Ingenieure Und Physiker

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Physik Der Halbleiterbauelemente - Einführendes Lehrbuch Für Ingenieure Und Physiker

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Prof. Dr. Frank Thuselt

Vorwort zur 2. Auflage

In der vorliegenden zweiten Auflage wurden Fehler korrigiert und Ergnzungen

Aus dem Vorwort zur 1. Auflage

Lass die Elemente rasen,

Bcher zum Thema Halbleiterphysik gibt es weltweit in beachtlicher Zahl. Bei

gekennzeichnet. Eine Fnf-Sterne-Aufgabe verlangt also schon einigen Aufwand!

Pforzheim, Juni 2004

Kursiv gekennzeichnete Abschnitte knnen beim ersten Durcharbeiten berschlagen werden.

1 Grundlagen der Mikrophysik ......................................................................... 1

2 Bnderstruktur und Ladungstransport .......................................................45

3.3.4 Strom-Spannungs-Kennlinie .......................................................... 137

5.3.3 Allgemeine Form der Ebers-Moll-Gleichungen .............................228

6.6 CCD-Bauelemente .................................................................................. 296

Grundlagen der Mikrophysik

Um die Funktion eines elektronischen Bauelements richtig verstehen zu

1.1 Aussagen der Quantenmechanik

F. Thuselt, Physik der Halbleiterbauelemente.

1 Grundlagen der Mikrophysik

1.1.1 Photonen als Teilchen

Heinrich Hertz (18571894), dt. Physiker, geb. in Hamburg. Studium in Dresden,

1.1 Aussagen der Quantenmechanik

benutzt (gelesen als h quer).

= 6,582 1016 eVs.

Die Umrechnung der Photonenenergie in Wellenlngen geht daher nach der

Um bei solchen Formeln nicht immer die Wellenlnge im Nenner mitschleppen

Arthur H. Compton (18921962), am. Physiker, Professor in Chicago und Washington.

1 Grundlagen der Mikrophysik

Die soeben beschriebene Wechselwirkung von Elektronen mit Photonen muss

ausgedrckt. Statt h wird oft auch geschrieben, wobei = 2 die so genannte

Abb. 1.1 Elementarprozesse der Erzeugung und Vernichtung von Photonen

1.1 Aussagen der Quantenmechanik

1.1.3 Elektronen als Wellen

(de-Broglie-Wellenlnge). Bei makroskopischen Krpern, deren Masse und damit

Clinton Joseph Davisson (18811958), amerikanischer Physiker, ttig in den Bell

1 Grundlagen der Mikrophysik

1.1.4 HEISENBERGsche Unschrferelation9

Werner Heisenberg (19011976), Professor in Leipzig, Gttingen und Mnchen.

1.2 Das Bohrsche Atommodell

1.2 Das BOHRsche Atommodell

ultra large scale integration: fortgeschrittenster Teil der Halbleiterintegration, ein

1 Grundlagen der Mikrophysik

Auf der Grundlage des beobachteten experimentellen Verhaltens der optischen

1.2 Das Bohrsche Atommodell

Abb. 1.2 Auf den erlaubten Bahnen des

lenlnge auf den Umfang der Bahn passen:

Durch Einsetzen in (1.3) erhalten wir fr die mglichen Impulswerte:

Quadrieren und Einsetzen in (1.9) ergibt dann

1 Grundlagen der Mikrophysik

Dieser Zustand heit auch Grundzustand des Wasserstoffatoms. Da er energetisch

1.3 Freie Elektronen

Durch Umkehrung von (1.2) berechnen wir nun die Wellenlnge zu

1.3 Freie Elektronen

1 Grundlagen der Mikrophysik

Ladung von Atomkernen kompensiert. Es ist deshalb sehr unwahrscheinlich, ein

Abb. 1.5 Verteilung der Energien bei einer bestimmten Temperatur

1.3 Freie Elektronen

1.3.2 Zur Energieeinheit Elektronenvolt

In der Halbleiterphysik ist als Energieeinheit das Elektronenvolt gebruchlich,16

Auflsen nach der Geschwindigkeit ergibt bei U = 1 V

Bezeichnung stammt von Lenard.

1 Grundlagen der Mikrophysik

1.3.3 Zusammenhang Energie Impuls/Wellenzahl