鍍 膜

化學鍍金 Chemical
Plating

氣相鍍金─ CVD ：電漿 CVD

PVD ：真空蒸著、濺射蒸著、離子鍍
金

液相鍍金─ 浸漬鍍金 (Immersion plating)

無電解鍍金 (electroless
plating)
 濺散蒸著 ( 一 )

原理：
(1) 電漿法 ─ 二極式、四極式、高週波式。
陽極：工件。
陰極：靶，施加負電壓– 2 ~ -5 kv ，使兩極間流入約
10-2 的 Ar 氣體，而發生輝光放電 ( 電漿 ) ，電漿中的
Ar+ 被陰
極暗部電場加速，衝擊靶材產生濺射，將靶的中性原子
或
分子蒸著於基板上，同時兩次中子會射向工件將工件加
熱。
四極式 ─ 易控制靶材電流極蒸著速度。
陰極及低電壓陽極間形成熱電子
(2) 離子束法：離子由離子槍引出，射向靶材產生濺射，而蒸著於
 濺散蒸著 ( 二 )

特色：

(1) 電漿法。

(2) 離子束法。

(3) 其蒸著度較其他法慢。

應用：

(1) 反應性濺鍍蒸著 ─ 形成 SiO2 、 Si3O4 。

(2) 光電變換裝置 ─ 太陽電池、固體攝影裝置等金屬氧化物

In2O3 、 SinO2 利用反應性高週波

法濺散。
 離子鍍金 Ion Plating

原理：將氣相中生成物的離子直接蒸著於基板上。

(1) 電漿法 ─ 二極式、高週波

蒸發源 ( 陽極 ) ─ 其間通 Ar 氣產生輝光放電，將蒸
發源
基板 ( 陰極 ) 所蒸發的原子離子化，再對基板
施加
負電壓 (-1~-5kv) 時，電場將
離子高速 加熱
射向基板而蒸著。同時亦會產生
基板
電阻式 (W 、 Mo) 負離子 (Ar+ ，蒸發源離子 ) 而
蝕刻，只
是蒸著速度比蝕刻速度來的大。
 離子鍍金 ─ 應用

(1) 形成耐蝕、耐磨耗等之氧化膜、碳化物。
(2)IC ：引出線模。
(3) 低溫於塑膠上的金屬膜 以下─電子工業、太陽
能
以上─汽車工業
(4) 反應性離子鍍金 ─化合物膜，如 Si3N4 具有優秀安
定
性及對不純擴散的電阻性物
 化學蒸著 CVD
低溫氧化的揮發物質 ( 氣相 ) 與高溫加熱的物質 ( 固
相)

接觸而發生高溫析出鍍金物質。

析出機構反應：

分解反應： MA MA + MB M + A + B

還原反應： MA MA + MC M + CA

置換反應： MA MA + C + D MC + DA

(1) SiH4 + Ar Si + 2H2 + Ar ─分

解反應
 CVD 特色極限制

(1) 析出層種類極多─析出金屬、合金、氧化物、碳化物。

(2) 基版材料耐高溫性更佳。

(3) 鍍金的繞鍍性佳。

(4) 析出速度較快 (1─6um/min) ，可得厚層。

(5) 密著性較佳。

(6) 易產生有毒氣體。

(7) 被鍍素材需加熱到高溫 (1000℃ 以上 ) 。

(8) 鍍大面積難。
 CVD 薄膜的應用

(1) 晶膜平面電晶體 IC ─

SiO2 、 Si3N4

(2) 太陽能電池、 MOS 感知器 ─

SiO2

(3) 切削刀具 ─

TiC 、 TiN 、 Al2O3

 CVD 薄膜製作方法

一、化學噴霧蒸著：

利用欲鍍金屬液及氣體噴霧至工件前而氧化，
可得

500℃ 以下析出金屬或氧化物又稱為低溫 CVD 。

二、低壓 CVD ：

利用 0.5 ~ 1 Torr 的低壓，則物質移動容易，

可增

大被鍍素材的充填密度及厚度均勻性。

三、電漿 CVD ：

利用高周波電源上將電極，與接地的通 Ar 氣
 CVD 鑽石的生長

鑽石在常壓下由甲烷分解而出的碳通常為石墨

但如果每小時沈積僅數十個原子厚時，由於甲烷析

出極慢，其本身已有的類似鑽石結構即可保持而不

致轉化成石墨。且鑽石的結構對稱而緊密，所以一

旦形成反而比疏鬆的石墨更難與氫或氧反應 , 所以不

會被氣化成甲烷或二氧化碳。因此利用甲烷已有的

的鑽石結構，碳原子可緩慢的連接成極薄 ( 奈米級 )
 CVD 鑽石的生長

甲烷分解時，若碳原子附近有氫原子若即若離的
陪伴，可保持鑽石結構，並連結成鑽石膜。石墨若形成
時也會被氫原子氣化回甲烷，因此鑽石膜可持續生長。
 CVD 鑽石的生長

根據上述， CVD 生長鑽石的技巧乃先以具 DLC 結構的

氫氣
體偷跑，再將這些單原子的懸浮鑽石聯接成多原子的固態鑽
石。在原子結合之前，碳與若即若離伴隨的氫原子不斷分分
合合。這樣碳原子即可保持持 sp3 的鑽石鍵結直到與沈積而
出
的鑽石結合為止。氫原子也可隨時把析出的石墨氣化成甲烷
，
減少鑽石內石墨鍵結的含量。有時氣氛內也加入少量氧氣使
石墨氧化，加速石墨的剔除。一般生長 CVD 鑽石的氣氛即含
C-H-O 三種元素，但以 H 佔絕比例。
 CVD 薄膜的 C-H-O 之關係圖

鑽石的生長速率在碳、氫及氧原子數目相近時最快
 CVD 薄膜與碳源、氫濃度關
係

CVD 生長鑽石膜的瓶頸乃在避免碳氫化物形
成
石墨，因此氫原子應比碳源多很多。碳源濃度決
定了鑽石膜的生長速率，但碳源太高時氫原子會
來不及維護鑽石結構而使分解出的碳變成石墨。
因此碳源太濃反而會降低轉化成鑽石的比率。
 CVD 成長速率、碳源濃度和甲烷濃度關係圖

鑽石成長速

( 左縱軸 ) 及 源轉

比率 ( 右縱軸 ) 和甲

烷
 CVD 鑽石的生長方法

源的濃度與溫度也

決定了鑽石隨方向生長

速率的差異，因此也決

定了鑽石的晶形。
 CVD 鑽石晶形指數

鑽石晶形指數 a 取決於 (100) 方向與 (111) 方向

生長速
率之比 a=v100/v111 。圖中箭頭指向最快的生長方向
。
 PVD 鑽石薄膜運用

高壓製的多晶鑽石 (PVD

) 覆合片 ( 左 ) 及抽線模

( 右 ) ，圖

中黑色部分為燒結的多晶鑽石

而灰色者為鈷燒結的碳化鎢
 PVD 和 CVD 鑽石薄膜厚度關係圖

薄膜 (<3um) 常

物理氣相沉積法的

方法生成。

厚膜 (>10um)

則
 PVD 鍍膜粗度比較圖

在各種鍍膜中， DLC 的表面最平滑

PVD 鍍膜表面圖

PVD 薄膜的原子顯微圖
 PVD 鍍膜原理 ( 一 )

PVD 鍍膜的原理是把個別的原

子氣化成離子 , 再以電場加速撞 蒸鍍
(Evaporation
擊在基材上形成薄膜。最簡單的

PVD 方法就是把欲鍍的材料加熱成
Deposition)

為蒸汽使其薰基材並黏附在表面。

這種鍍膜方法稱為蒸鍍。
 PVD 鍍膜原理 ( 二 )

使用高電壓、低電流的離 濺射 (Sputter

子鍍膜機，使離子撞擊靶材 Deposition)

並植入靶材內 ( 自由行程短

，
 PVD 鍍膜原理 ( 三 )

使用低電壓，高
電流的離子鍍膜機 射鍍 (Ion
， plating)
所以離子流量多，
能量低，因此離子
不會植入靶材內，
而黏附在靶材表面
上，適合用於生長
DLC 薄膜，此法稱
為射鍍。
 PVD 鍍膜方法比較圖

原理 能量方式 電場大小 鍍膜速度 方法 種類

蒸鍍 加熱 低 原子介質 氣體散射蒸鍍
濺鍍 電場加速離子 高電壓，低電流 中 離子介質 磁控濺射
射鍍 電場加速離子 低電壓，高電流 高 離子介質 多弧離子鍍
 PVD 薄膜特性

PVD 薄膜特性：

(1) 可得高純度蒸著膜

(2) 構成膜的晶粒非常小，可得強韌膜。

(3) 可得對基板之附著力強的膜

(4) 膜的表面粗糙度可同於或優於基板的粗度

(5) 濺射蒸著很適合於形成合金，化合物，絕緣物等膜。

(6) 基板內側亦可成膜，以離子鍍金最好，真空蒸著最差
。
 PVD 濺鍍

以濺鍍沉積 DLC 時靶材常為石墨。濺鍍的離子束常

採用

解離的 正離子 (Ar+) 。氫原子的質量較接近於大部份的

材，故極適用為濺鍍的離子源。 離子束也常用以噴蝕基

材 ( 有如噴砂清理表面 ) 。

在鍍 DLC 前也常用氫離子束撞擊基材表面除去雜質
 PVD 與 CVD 溫度之差異

PVD 鍍膜時因不像 CVD 法需要產生化學反應，故基材

度不需加熱，鍍膜時溫度通常低於 500℃ ，比其他鍍膜

法溫度低很多。鍍 DLC 時，基材常以水冷卻，溫度更可

持在 150℃ 以下。如果離子束的流量不高，基材甚至可

以
各種鍍膜溫度比較圖

基材在各種鍍膜方法所受的溫度
PVD 鍍膜技術 ( 一 )

氣體離子槍射鍍靶材示意圖
 PVD 鍍膜技術 ( 二 )

以亞離子槍濺射石墨靶材沉積 PVD 薄膜示意

圖