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SUMARIO

1. TIPOS DE JFET Y MOSFET DE CANAL N Y P

2. FABRICACION DEL JFET Y DEL MOSFET
3. CARACTERISTICAS TECNICAS
4. CONMUTACION DE LOS FET´S


 
  

 

 
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EL JFET ES UN DISPOSITIVO UNIPOLAR, YA QUE EN SU FUNCIONAMIENTO SÓLO INTERVIENEN LOS
PORTADORES MAYORITARIOS.
EXISTEN 2 TIPOS DE JFET: DE "CANAL N" Y "DE CANAL P".
EN AMBOS TIPOS DE JFET, LA CORRIENTE ID DE SALIDA SE CONTROLA POR MEDIO DE UN VOLTAJE
ENTRE LA COMPUERTA Y EL SURTIDOR.

Zona Lineal.
Zona de Saturación.
Zona de Corte.

AL COMPARAR EL JFET CON EL TBJ SE APRECIA QUE EL DRENAJE (D) ES ANÁLOGO AL COLECTOR,
EN TANTO QUE EL SURTIDOR (S) ES ANÁLOGO AL EMISOR. UN TERCER CONTACTO, LA COMPUERTA
(G), ES ANÁLOGO A LA BASE

AL IGUAL QUE LO QUE SUCEDE CON EL TBJ, EL FET TIENE TRES REGIONES DE OPERACIÓN. ESTAS
REGIONES SON:        
   

ES PRECISO HACER NOTAR QUE EN ESTE CASO, LA SATURACIÓN ALUDE A UN FENÓMENO
COMPLETAMENTE DISTINTO AL DE LOS TRANSISTORES TBJ.
          
CUANDO SE POLARIZA LA UNIÓN GS CON UNA TENSIÓN NEGATIVA, MIENTRAS QUE SE APLICA
UNA TENSIÓN MENOR ENTRE D Y S.

POR LA TERMINAL DE PUERTA (G) NO CIRCULA MÁS QUE LA CORRIENTE DE FUGA DEL DIODO GS,
QUE ES DESPRECIABLE.
LA CORRIENTE ID PRESENTA UNA DOBLE DEPENDENCIA:
‰ LA CORRIENTE ID ES DIRECTAMENTE PROPORCIONAL AL VALOR DE VDS.
‰ LA TENSIÓN VGS QUE CORTA EL CANAL SE LLAMA TENSIÓN DE CORTE !
‰ LA ANCHURA DEL CANAL ES PROPORCIONAL A LA DIFERENCIA ENTRE VGS Y VP.
‰ COMO ID ESTÁ LIMITADA POR LA RESISTENCIA DEL CANAL, CUANTO MAYOR SEA VGS - VP, MAYOR
SERÁ LA ANCHURA DEL CANAL Y MAYOR LA CORRIENTE OBTENIDA
/
EXPRESIONES QUE SE RECOGEN EN LA SIGUIENTE EXPRESIÓN: ÷
     
POR LO TANTO EN LA REGIÓN LINEAL OBTENEMOS UNA CORRIENTE DIRECTAMENTE PROPORCIONAL
A VGS Y VDS.
 EN ESTA REGIÓN EL CANAL CONDUCTOR
ENTRE DRENADOR Y FUENTE 
LA ZONA ÓHMICA O LINEAL SE SITÚA CERCA DEL ORIGEN,

 
  
 
PARA VDS<<VDS sat

LA RDS VA AUMENTANDO A MEDIDA QUE SE ESTRECHA EL

CANAL, A CONSECUENCIA DE LA POLARIZACIÓN INVERSA
PRODUCIDA POR VGS

SI SE APLICA UNA TENSIÓN VDS MAYOR QUE CERO,

APARECERÁ UNA CORRIENTE CIRCULANDO EN EL SENTIDO
DEL DRENAJE AL SURTIDOR (ID). EL VALOR DE DICHA
CORRIENTE ESTARÁ LIMITADO POR LA RESISTENCIA DEL
CANAL N DE CONDUCCIÓN.
LLEGARÁ UN MOMENTO EN QUE LA ZONA
DE TRANSICIÓN INVADA TODA LA REGIÓN
N, IMPIDIÉNDOSE TOTALMENTE LA
CONDUCCIÓN. (
 
)

LA TENSIÓN VGS QUE CORTA EL CANAL SE

LLAMA TENSIÓN DE CORTE !

LA LEY QUE RIGE LA RESISTENCIA DEL CANAL EN LA

ZONA ÓHMICA ES:
—






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   |    


LA TENSIÓN VDS PROVOCA UNA TENSIÓN NO UNIFORME A LO LARGO DEL CANAL

LA ZONA DE TRANSICIÓN NO ES UNIFORME; EN EL LADO DEL DRENADOR ES MÁS ANCHA Y EN

EL DE FUENTE ES MUY ESTRECHA.

CUANDO LA TENSIÓN INVERSA DE LA UNIÓN EN EL LADO DE DRENADOR (VDG) ALCANCE A LA

TENSIÓN DE CORTE (VP), EL CANAL SE ESTRANGULARÁ (IDт 0)

ESTA ES LA FRONTERA ENTRE LA ZONA ÓHMICA Y LA DE SATURACIÓN

 

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ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA

(UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. ES UN DISPOSITIVO
CONTROLADO POR TENSIÓN.
      
PARA VALORES ALTOS DE VDS COMPARABLES Y SUPERIORES A VGS, LA RESISTENCIA DEL CANAL SE
CONVIERTE EN NO LINEAL, Y EL JFET PIERDE SU COMPORTAMIENTO ÓHMICO
CUANDO SE APLICA UN VOLTAJE VDS AL CANAL DE 5 VOLTS POR EJEMPLO, ÉSTE SE DISTRIBUYE A
LO LARGO DEL CANAL, ES DECIR, EN LAS PROXIMIDADES DEL TERMINAL D, LA TENSIÓN SERÁ DE
5 VOLTS, PERO A MEDIO CAMINO CIRCULANTE LA CORRIENTE HABRÁ REDUCIDO SU POTENCIAL
A LA MITAD (2,5 V), Y EN EL TERMINAL S EL VOLTAJE SERÁ NULO. POR OTRA PARTE, SI VGS ES
NEGATIVO (-2 V), LA TENSIÓN SE DISTRIBUIRÁ UNIFORMEMENTE A LO LARGO DE LA ZONA AL
NO EXISTIR NINGUNA CORRIENTE
EN LAS PROXIMIDADES DEL TERMINAL S LA TENSIÓN INVERSA APLICADA ES DE 2 V, QUE
CORRESPONDE CON LA VGS = -2 V. SIN EMBARGO, CONFORME NOS ACERCAMOS A D ESTA
TENSIÓN AUMENTA: EN LA MITAD DEL CANAL ES DE 4.5 V Y EN D ALCANZA 7 V. LA
POLARIZACIÓN INVERSA APLICADA AL CANAL NO ES CONSTANTE POR LO QUE LA ANCHURA DE
LA ZONA DE DEPLECCIÓN TAMPOCO LO SERÁ. CUANDO VDS ES PEQUEÑA, ESTA DIFERENCIA DE
ANCHURAS NO AFECTA A LA CONDUCCIÓN EN EL CANAL, PERO CUANDO AUMENTA,
LA VARIACIÓN EN LA SECCIÓN DE CONDUCCIÓN HACE QUE LA CORRIENTE DE DRENAJE SEA UNA
FUNCIÓN NO LINEAL DE VDS Y QUE DISMINUYA CON RESPECTO A LA OBTENIDA SIN TENER EN
CUENTA ESTE EFECTO
 

LA ZONA DE TIPO P, CONECTADA A LA PUERTA FORMA UN DIODO CON EL CANAL, QUE ES DE
TIPO N. CUANDO SE FORMA UNA UNIÓN PN APARECEN EN LOS BORDES DE LA MISMA ZONA
DE DEPLEXIÓN UNA ZONA EN LA QUE NO HAY PORTADORES DE CARGA LIBRES. LA ANCHURA
DE DICHA ZONA DEPENDE DE LA POLARIZACIÓN APLICADA. SI ESTA ES INVERSA, LA ZONA SE
HACE MÁS ANCHA, PROPORCIONALMENTE A LA TENSIÓN APLICADA. APLICANDO UNA
TENSIÓN VGS NEGATIVA AUMENTAMOS LA ANCHURA DE LA ZONA DE DEPLEXIÓN, CON LO
QUE DISMINUYE LA ANCHURA DEL CANAL N DE CONDUCCIÓN.

SI EL VALOR DE VGS SE HACE LO SUFICIENTEMENTE NEGATIVO, LA REGIÓN DE AGOTAMIENTO

SE EXTENDERÁ COMPLETAMENTE A TRAVÉS DEL CANAL, CON LO QUE LA RESISTENCIA DEL
MISMO SE HARÁ INFINITA Y SE IMPEDIRÁ EL PASO DE ID. EL POTENCIAL AL QUE SE SUCEDE
ESTE FENÓMENO SE LLAMA POTENCIAL DE BLOQUEO (PINCH VOLTAGE, VP).
PARA VALORES MÁS NEGATIVOS DE VP, EL TRANSISTOR SE ENCUENTRA POLARIZADO EN LA
ZONA DE CORTE, Y LA CORRIENTE DE DRENAJE RESULTA SER NULA.
   


‰ SI VDS SE INCREMENTA MÁS, SE LLEGARÁ A UN PUNTO EN DONDE EL ESPESOR DEL CANAL EN EL EXTREMO DEL
DRENAJE SE ACERQUE A CERO. A PARTIR DE ESE MOMENTO, LA CORRIENTE SE MANTIENE INDEPENDIENTE DE
VDS, PUESTO QUE LOS INCREMENTOS DE TENSIÓN PROVOCAN UN MAYOR ESTRECHAMIENTO DEL CANAL CON LO
QUE LA RESISTENCIA GLOBAL AUMENTA.LA TENSIÓN VDS SE CONCENTRA , SOBRE TODO, EN LA ZONA
ESTRANGULADA DEL CANAL
‰ A MEDIDA QUE VDS VA CRECIENDO LA ZONA ESTRANGULADA AUMENTA DE LONGITUD, MANTENIÉNDOSE
CONSTANTE UNA ANCHURA MÍNIMA ȴ
‰ LA REGIÓN DE SATURACIÓN SE DA CUANDO SE ESTRANGULA EL CANAL EN EL DRENAJE, LO QUE SUCEDE CUANDO
LA TENSIÓN PUERTA-DRENAJE (VGD) ES MÁS NEGATIVA QUE VP.
‰ VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS ʹ VP
‰ EN ESTA SITUACIÓN EL FLUJO DE PORTADORES SE ESTABILIZA Y LA CORRIENTE ID SE MANTIENE CONSTANTE
‰ EN ESTA REGIÓN EL FET SE COMPORTA COMO UNA |  
 
 
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 FUENTE DE CORRIENTE

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ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIÓN DE PUERTA

(USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. ES UN DISPOSITIVO
CONTROLADO POR TENSIÓN.
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METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (MOSFET)

ES UN DISPOSITIVO UNIPOLAR: LA CONDUCCIÓN SÓLO ES DEBIDA A UN TIPO DE

PORTADOR

D
CONDUCCIÓN 
G CANAL N DEBIDA A 
ELECTRONES â
S
8 
D â  
CONDUCCIÓN 8
G
CANAL P DEBIDA A 
HUECOS
S

LOS MÁS USADOS SON LOS MOSFET DE CANAL N. LA CONDUCCIÓN ES DEBIDA A LOS
ELECTRONES Y POR TANTO, SON MÁS RÁPIDOS
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MOSFET DE ACUMULACIÓN DE CANAL a, DONDE VEMOS LA LONGITUD DE CANAL Y LA

ANCHURA DE CANAL
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APLICANDO UNA VGS POSITIVA SE INDUCE UN CANAL DE CONDUCCIÓN, POR LA INVERSIÓN
DEL SEMICONDUCTOR P A N
A LA TENSIÓN MÍNIMA NECESARIA PARA ESTABLECER EL CANAL SE LA LLAMA ͞TENSIÓN DE
UMBRAL͟ ( VT , VGS TH )
AL APLICAR AHORA UNA TENSIÓN VDS DE PEQUEÑO VALOR, SE ESTABLECERÁ UNA
INTENSIDAD DRENADOR-FUENTE
EN ESTAS CONDICIONES EL CANAL CREADO SE COMPORTA COMO UNA RESISTENCIA RDS
A MEDIDA QUE VGS AUMENTA, EL CANAL SE ENRIQUECE DE ELECTRONES, AUMENTANDO SU
CONDUCTIVIDAD, Y DISMINUYENDO LA RESISTENCIA ENTRE DRENADOR Y FUENTE RDS
AL IR AUMENTANDO LA TENSIÓN VDS SE
ESTABLECE UN GRADIENTE DE POTENCIAL EN EL
INTERIOR DEL CANAL

EL CANAL SE DEFORMA PROGRESIVAMENTE,

CAUSADO LA NO CONSTANCIA DE LA RDS

FINALMENTE, PARA UNA TENSIÓN VDS=VDS SAT, EL

CANAL SE ESTRANGULA POR EL LADO DEL
DRENADOR, SATURÁNDOSE, Y MANTENIENDO
CONSTANTE LA ID
VDS SAT = VGS - VT
 @ 8 $)

CON EL CIRCUITO ESPECIFICADO PODEMOS CONSTRUIR LA

FAMILIA DE CURVAS CARACTERÍSTICAS DE SALIDA

SITUÁNDONOS EN LA ZONA DE SATURACIÓN, TRAZANDO

UNA LÍNEA DE CARGA HIPOTÉTICA, OBTENDREMOS LA
CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR
R
LAS INTENSIDADES DE SATURACIÓN
 ˜
 ˜

PARA CADA VGS SE LLAMAN IDSS, Y




  ƒ
RESPONDEN A LA SIGUIENTE LEY:  ˜

  ˜


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m

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VALORES QUE EL FABRICANTE SUMINISTRA EN UN PUNTO DE
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FUNCIONAMIENTO, LLAMADO , QUE NORMALMENTE EL DE
MÁXIMA CONDUCCIÓN DEL TRANSISTOR, CUANDO TRABAJA

COMO INTERRUPTOR



TENSIÓN DE UMBRAL, MÍNIMA NECESARIA PARA LA

$  8$5 CONDUCCIÓN DEL CANAL
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m 
m  ÷÷m  ÷

EN ESTE TRANSISTOR YA EXISTE,

DE PRINCIPIO UN CANAL DE
CONDUCCIÓN DE TIPO N
O

 


  



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‰ ADMITE TENSIONES VGS TANTO POSITIVAS COMO NEGATIVAS

‰ SI VGS FUERA POSITIVA EL CANAL SE ENRIQUECE DE

ELECTRONES Y AUMENTARÁ LA CONDUCCIÓN. (ACTÚA
COMO EL TRANSISTOR DE ENRIQUECIMIENTO)

‰ SI VGS FUERA NEGATIVA EL CANAL SE VACÍA DE ELECTRONES

DISMINUYENDO LA INTENSIDAD DE DRENADOR (ACTÚA
COMO UN JFET DE CANAL N)
 

m 



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m÷
 
m ÷÷m

  CORRIENTE DE SATURACIÓN PARA VGS=0


m
TENSIÓN VDS NECESARIA PARA ENTRAR EN SATURACIÓN PARA
VGS=0

m  8m?
TENSIÓN DE UMBRAL, VGS QUE CORTA EL CANAL O LA MÍNIMA
NECESARIA PARA LA CONDUCCIÓN DEL CANAL

RESISTENCIA DEL CANAL PARA LA MÁXIMA CONDUCCIÓN DEL
TRANSISTOR

LAS ECUACIONES DE FUNCIONAMIENTO EN LA ZONA DE SATURACIÓN SON LAS MISMAS

QUE LAS DEL TRANSISTOR JFET:

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 ˜



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CORRIENTE DE DRENADOR EN FUNCIÓN DE ˜
EN LA REGIÓN DE SATURACIÓN

PARA DISPOSITIVOS DE CANAL a.
  
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8 EL TERMINAL PUERTA AL AIRE ES MUY SENSIBLE A LOS RUIDOS

8 EL ÓXIDO SE PUEDE LLEGAR A PERFORAR POR LA ELECTRICIDAD ESTÁTICA DE LOS
DEDOS. A VECES SE INTEGRAN DIODOS ZENER DE PROTECCIÓN.
8 EXISTE UN DIODO PARÁSITO ENTRE FUENTE Y DRENADOR EN LOS MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO.





EL CORRECTO MANEJO DE LA PUERTA ES FUNDAMENTAL PARA UTILIZAR UN MOSFET

HAY UNA TENSIÓN MÍNIMA PARA PONERLO EN CONDUCCIÓN: TENSIÓN UMBRAL

m

 ˜ m  VGS(TH)

VALORES TÍPICOS: 3 ʹ 5 V

HAY UNA TENSIÓN MÁXIMA DE PUERTA. POR ENCIMA DE ESE VALOR, SE DESTRUYE

VALORES TÍPICOS: O 15 V, ± 20 V

EL CIRCUITO EQUIVALENTE ENTRE PUERTA Y FUENTE SE MODELA COMO UN CONDENSADOR (CISS)

8

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CUANTO MÁS ALTA ES LA TENSIÓN DE PUERTA, MENOR ES LA RDSON
INTERESA MANEJARLO CON LA TENSIÓN MÁS ALTA POSIBLE (DENTRO DEL MARGEN)

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PARA HACER QUE EL MOSFET SE ABRA Y SE CIERRE, DEBEMOS CARGAR Y DESCARGAR
EL CONDENSADOR DE PUERTA

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ESA ENERGÍA SE PIERDE Y, POR TANTO, EL HECHO DE MANEJAR EL MOSFET IMPLICA
PÉRDIDAS

 
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LA RAPIDEZ DE LAS CONMUTACIONES DEPENDE EN GRAN MEDIDA DEL MODO EN QUE SE

MANEJE LA PUERTA


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EN UN MOSFET HAY EN TOTAL TRES CAPACIDADES PARÁSITAS:
CGS, CGD Y CDS. A PARTIR DE ELLAS SE DEFINEN LAS CAPACIDADES CISS, CRSS Y
COSS. 
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