Practica 2

Medida del coeficiente de idealidad, corriente inversa de saturación y

la resistencia en serie

A partir del circuito siguiente:

Es posible modificar el voltaje de entrada al díodo (VD) a partir

de dar distintos valores al potenciómetro RP. Como se observa en la
figura es posible conocer la caída de potencial en el dispositivo dado
que RF es valor conocido: RF =672 ± 1 Ω. Entonces a partir de los
valores tomados i tomando el logaritmo de la ecuación de Schockley:

Donde VD = V + RSI (debido a la resistencia interna del díodo),

podemos trazar la siguiente gráfica a partir de los datos:

-4

-4,5

-5

-5,5
ln (Id)

-6

-6,5
y = 22,424x - 20,009
-7

-7,5
0,56 0,58 0,6 0,62 0,64 0,66 0,68
Vd
 Rp Vd Vr ln (Id)
774,56 0,67 4,39 -5,03
788,10 0,66 3,82 -5,17
794,18 0,66 3,63 -5,22
796,58 0,66 3,56 -5,24
799,72 0,65 3,42 -5,28
805,58 0,65 3,27 -5,33
817,12 0,65 3,01 -5,41
830,02 0,65 2,76 -5,50
850,55 0,64 2,42 -5,63
866,30 0,64 2,21 -5,72
891,27 0,63 1,94 -5,85
911,78 0,63 1,76 -5,94
923,90 0,63 1,67 -6,00
932,45 0,62 1,61 -6,03
943,42 0,62 1,54 -6,08
957,37 0,62 1,46 -6,13
994,35 0,61 1,28 -6,26
1027,87 0,61 1,15 -6,37
1084,11 0,60 0,98 -6,53
1118,51 0,60 0,90 -6,62
1186,91 0,59 0,77 -6,77
1205,97 0,59 0,74 -6,81
1264,70 0,58 0,66 -6,92
1338,23 0,58 0,58 -7,05
1388,97 0,57 0,54 -7,13
1424,38 0,57 0,51 -7,18

Y de ahí podemos sacar los valores de la intensidad de

saturación y el valor de idealidad despreciando el voltaje de caída de
la resistencia que podemos considerar negligible, queda:

De modo que:

Is= 2,04 pA

n=1,72

También podemos encontrar a partir del cambio de pendiente

bservado:

V D nkT
RS = − ln I s
I Iq

Lo que nos da Rs = 315,27 Ω

Determinación de la tensión umbral del diodo

En este apartado vamos a determinar la tensión umbral del

diodo. Para ello, hemos montado el siguiente circuito en el cual
hemos comprobado la respuesta de los diodos a la frecuencia.

Los valores utilizados han sido:

R1 = 11,7 ± 0,1KΩ
R2 = 329 ± 1 Ω
Vin = 5 ± 1 V

A partir de ir variando los valores de la tensión de entrada V in,

señal sinusoidal y midiendo las caídas de potencial en ambos díodos,
podemos observar a través del osciloscopio la característica I-V:

De la observación en el osciloscopio sacamos que la tensión

umbral se encuentra entre 0,5 y 0,6V (VC). También se observa que al
aumentar la frecuencia los diodos no son capaces de responder a la
frecuencia y se forma un ciclo de histéresis.
Determinación del tiempo de vida medio de los portadores
minoritarios

A continuación hacemos el siguiente montaje:

Donde aplicamos una señal cuadrada para observar como

responde el díodo ante la aplicación de una señal negativa. La señal
no cambiará instantáneamente a saturación inversa sino que tardará
un tiempo que depende del tiempo de vida de los minoritarios. En el
osciloscopio observábamos:

Entonces el tiempo de vida de los minoritarios vendrá dado por:

 I 
t s = τ D ln 1 − F 
 IR 

Los resultados obtenidos son:

VF = 4,6 ± 0,4 V
VR = 8 ± 1 V
ts = 1,8 ± 0,2 μs

Dado que la resistencia utilizada era de 1 KΩ, tendremos IF = 4,6 ±

0,3 mA e
Ir = 8,0 ± 0,4mA. De modo que encontramos τD = 3,6 ± 0,2 μs.