UNIVERSITATEA TITU MAIORESCU

IOAN VEDINAŞ EMIL CREŢU

BUCUREŞTI
- 2007 -
 PREFAŢĂ

Dezvoltarea ştiinţei a demonstrat că progresele cele mai spectaculoase se

obţin prin cercetare pluridisciplinară, situată la graniţa dintre diferite discipline.
Cu cât numărul acestor discipline concurente este mai mare, cu atât este mai
rapidă dezvoltarea noii ştiinţe iar impactul pe care îl va avea asupra societăţii va
fi mai mare.
Dicţionarul Webster defineşte cuvântul “nanotehnologie” ca fiind “arta
manipulării unor dispozitive minuscule, de dimensiuni moleculare”. Guvernul
american însă a investit în ultimii ani miliarde de dolari în cercetarea în
domeniul nanotehnologiilor, în încercarea de a transforma-o dintr-o artă într-o
“ştiinţă”. Ca urmare, activitatea de cercetare din domeniu este prodigioasă.
Progresele rapide, mai ales din chimie, au pus la îndemâna cercetătorilor în
domeniu o varietate de unelte miniaturale minunate.
Nanotehnologia a fost iniţial introdusă pentru a furniza o ţintă concretă
acurateţei pentru procesele de fabricaţie care implică finisări de ultraprecizie,
cum ar fi: tăieri ultrafine, diverse tipuri de prelucrare (procesare) cu fascicule
energetice, utilizând fascicule de fotoni, electroni sau ioni, evaporarea în strat
subţire, corodări superficiale ultrafine, etc.
De la prezentarea conceptului de nanotehnologie în anul 1974 la Tokyo,
acesta a câştigat teren atât în Europa cât şi în S.U.A., referindu-se aici la ştiinţa
fenomenelor la scară atomică.
Cercetarea ştiinţifică este evident necesară întrucât nanotehnologia nu
poate avea succes fără o înţelegere ştiinţifică de bază a fenomenelor petrecute la
scară atomică.
Noua tehnologie va transforma produsele de fiecare zi şi modul în care
sunt fabricate prin manipularea atomilor astfel încât materialele să poată fi
micşorate, îmbunătăţite şi uşurate în acelaşi timp. Deşi modeste, produsele
actuale bazate pe nanotehnologie, precum ţesături rezistente la pete şi ambalaje
pentru alimente proaspete, care au intrat pe piaţă, unii oameni de ştiinţă
estimează că nanotehnologia va juca un rol deosebit de important în viitor.
Datorită unor îmbunătăţiri a microscoapelor, oamenii de ştiinţă pot acum
plasa pentru prima dată atomi singulari unde doresc. Aplicaţiile potenţiale sunt
numeroase: computere microscopice, nanoparticule pentru tratarea cancerului şi
motoare nepoluante. Potrivit celor mai mulţi oameni de ştiinţă, viitorul
nanotehnologic ar putea să ia avânt peste 10-20 de ani, deoarece trebuiesc
depăşite principalele obstacole cum ar fi în primul rând lipsa unei producţii
economice de masă.
Unele dintre cele mai complicate dispozitive vor necesita o poziţionare
exactă a miliarde de atomi.

3
 O altă provocare este crearea unei punţi de legătură între dimensiunile
nanoscopice şi macroscopice. Cu alte cuvinte, dispozitivele nanoscopice sunt
nefolositoare atunci când trebuie ataşate la dispozitive mari, rămânând
deocamdată nesoluţionată problema depăşirii neajunsurilor menţionate. La
acestea se adaugă temerile derivate din domeniul SF, care ameninţă să deraieze
nanotehnologia, în acelaşi mod în care populara anxietate provocată de “super-
plante” şi “super-alimente” au împiedicat dezvoltarea biotehnologiei în
agricultură.
La nivel mondial, cele două domenii care ar putea câştiga potenţial de pe
urma nanotehnologiei, sunt electronica şi biotehnologia.
Spre exemplu, în domeniul biotehnologic, oamenii de ştiinţă promovează
noţiunea de nanoparticule din aur care ar putea fi activate prin telecomandă
pentru a se încălzi şi a omorî celulele canceroase.
Lucrarea de faţă îşi propune să realizeze o trecere în revistă a unora dintre
“dispozitivele minuscule” şi modalităţi de realizare cu ajutorul acestora a
diferitelor produse, păşind astfel într-o nouă eră a tehnicii de vârf.

Autorii

4
 CUPRINS

pag.
Prefaţă 3
CUPRINS 5
Capitolul 1 INTRODUCERE ÎN NANOTEHNOLOGIE 7
1.1 Prezentarea conceptului 7
1.2 Scurt istoric 8
1.3 Obiective principale 12
1.4 Tendinţe actuale de dezvoltare ştiinţifică şi tehnologică 12
1.5 Procesarea nanostructurilor 13
1.6 Direcţii de utilizare a nanotehnologiei în confecţionarea 14
echipamentelor militare
1.7 Cercetări în domeniul confecţiilor inteligente 15
1.8 Nanoştiinţa în dezvoltarea electronicii şi a tehnicii hardware 16
1.9 Dezvoltarea produselor nanochimice 23
Capitolul 2 PROPRIETĂŢILE NANOMATERIALELOR 27
2.1 Generalităţi privind proprităţile nanomaterialelor 27
2.2 Modelul cuantomecanic monopartic de formare a mediilor 30
condensate
2.3 Modelul cuantomecanic bipartic a nanomaterialelor 34
2.4 Nanotehnologia de obţinere a metaloceramicii 36
2.5 Proprietăţile mecanice ale nanomaterialelor 37
2.6 Proprietăţile mecanice ale materialelor compozite 39
2.7 Propagarea sunetului în corpurile solide şi lichide 39
2.8 Proprietatile termice ale nanomaterialelor 40
2.9 Proprietăţile de emisie ale nanomaterialelor 47
Capitolul 3 NANOLITOGRAFIA SAU SISTEME DE GRAVARE 51
BIDIMENSIONALE
3.1 Gravarea fotorezistului 51
3.2 Fotolitografia 57
3.3 Electronolitografia (litografia cu fascicul de electroni) 68
3.4 Litografia cu fascicul ionic focalizat (ionolitografia) 76
3.5 Litografia sincrotronică cu raze X 84
Capitolul 4 SISTEME DE PROCESARE LA NIVEL NANOMETRIC 94
4.1 Unitate de procesare, tensiuni de rupere şi densitate de 94
energie de procesare
4.2 Metode de prelucrare cu unităţi de prelucrare atom cu atom 97
şi cluster de atomi
4.3 Procesarea la nivel de clusteri atomici cu abrazivi fini mobili 97

5
Capitolul 5 PRELUCRARE NANOTEHNOLOGICĂ 106
5.1 Generalităţi 106
5.2 Procesarea subgranulă 108
5.3 Procesarea nanofizică 120
5.4 Procesarea nanochimică şi electrochimică 132
Capitolul 6 SISTEME DE FABRICAŢIE PENTRU 140
NANOANSAMBLE COMPUSE DIN COMPONENTE DE
PRECIZIE NANOMETRICĂ
6.1 Producţia de ULSI 140
6.2 Discuri optice 149
6.3 Tub videocaptor de imagine (SATICON) 154
6.4 Dispozitive cu cuplaj de sarcină (CCD) 159
6.5 TFT-LCD-uri 174
6.6 Panouri de afişaj cu plasmă (PDP) 179
6.7 Fibre optice şi componente optice aferente 185
6.8 Giroscoape pentru sisteme inerţiale de navigaţie 192
6.9 Micromaşini şi dispozitive nanomecanice 199
Capitolul 7 DEZVOLTAREA DE PRODUSE DE ÎNALTĂ 210
INTELIGENŢĂ ŞI SISTEMATIZAREA NANOTEHNOLOGIEI
7.1 Nanoprocesarea materialelor pentru circuite integrate de 210
densitate superînaltă
7.2 Procesarea circuitelor integrate MOS în domeniul de 212
interacţie mesoscopic sau cuantic
7.3 STM şi AFM pentru nanotehnologia sistematizată 212
7.4 Nanoprocesarea materialelor pentru componente 213
optoelectronice şi microelectronice
7.5 Componente nanomecanice pentru nanotehnologie 213
7.6 Dispozitive de servopoziţionare nanomecanică pentru 213
nanotehnologie
7.7 Procesarea cu fascicul ionic a materialelor în nanotehnologie 214
7.8 Pocesare cu fascicul laser a materialelor în nanotehnologie 214
7.9 Simularea pe calculator a aşchierii la scară atomică sau 214
moleculară
7.10 Nanotehnologia şi micromaşinile 214
BIBLIOGRAFIE 216

6
 CAPITOLUL 1
INTRODUCERE ÎN NANOTEHNOLOGIE

1.1 Prezentarea conceptului

Nanotehnologia este acea ramură a ştiinţei care permite crearea de
materiale, de dispozitive şi de sisteme la scară nanometrică (1-100 nm), prin
manipularea materiei la această scară, precum şi prin exploatarea noilor
proprietăţi ce rezultă la scară nanometrică, având un puternic impact asupra
numeroaselor aplicaţii comerciale, militare şi spaţiale.
În cele ce urmează va fi prezentată o descriere de ansamblu al conceptului
de nanotehnologie, pe baza unor exemple menite să ajute la înţelegerea
conceptului legat de fabricarea, caracteristicile, aplicaţiile şi comercializarea
produselor din aceasta categorie.
Conceptul de nanotehnologie se caracterizează prin faptul că toate
procesele care se studiază şi se produc, au ca unitate de referinţă nanometrul, ce
reprezintă a miliarda parte dintr-un metru (3 - 4 atomi).
Pornind de la definirea acestei dimensiuni, se poate uşor deduce că
nanotehnologia reprezintă practic un procedeu de asamblare la nivel molecular.
Noua tehnologie are menirea de a transforma produsele de fiecare zi şi
modul în care acestea sunt fabricate prin manipularea atomilor, astfel încât
materialele să poată fi micşorate şi îmbunătăţite în acelaşi timp.
Deşi produsele actuale bazate pe nanotehnologie sunt modeste - precum
ţesături rezistente la pete şi ambalaje pentru alimente proaspete - care au intrat
deja pe piaţă, unii oameni de ştiinţă estimează că nanotehnologia va juca un rol
deosebit de important în viitor.
Datorită unor îmbunătăţiri a microscoapelor, oamenii de ştiinţă pot acum
plasa pentru prima dată atomi singulari acolo unde doresc. Aplicaţiile potenţiale
sunt numeroase: computere microscopice, nanoparticule pentru tratarea
cancerului, motoare nepoluante, etc.
Utilizând binecunoscutele proprietăţi chimice ale atomilor şi moleculelor
(care vizează modul de “lipire” a acestora), nanotehnologia propune construirea
de dispozitive moleculare inovatoare, cu caracteristici extraordinare. Secretul
constă în a manipula atomii individual şi de a-i plasa exact acolo unde este
nevoie, astfel încât să producă structura dorită.
Nanotehnologia se poate defini şi ca fiind abilitatea de a transforma
materia ordonând cu precizie atom după atom şi moleculă după moleculă,
pentru ca în final să se producă nanostructuri din care să se poată forma
nanoproduse, adică dispozitive şi maşini.

7
 Fig.1.1 Exemplu de nanomaşini

Rezultatele anticipate datorate mânuirii acestei tehnologii sunt dincolo de

imaginaţia omului şi de ceea ce s-a realizat până acum.

1.2 Scurt istoric

La 29 decembrie 1959, laureatul premiului Nobel, Richard Feynman în
cuvântarea intitulată “There is Plenty of Room at the Bottom” în cadrul întrunirii
anuale a Societăţii Americane de Fizică, a făcut prima aluzie la nanotehnologie,
referindu-se la avantajele încă neexplorate ale miniaturizării. În cuvântarea sa, el
a descris o disciplină menită a manipula unităţi de materie din ce în ce mai mici,
permiţând aranjarea atomilor după bunul plac al cercetătorilor.
Această viziune a fizicianului este considerată de multă lume ca fiind
prima discuţie ştiinţifică despre nanotehnologie. Cu toate acestea, abia în 1974
termenul de nanotehnologie a fost adoptat de catre Universitatea Norio
Taniguchi din Tokyo. Taniguchi a delimitat ingineria la scala micrometrică – aşa
numita micro-tehnologie – de o noua inginerie, de această dată la nivel sub
micrometric, pe care a numit-o nanotehnologie.
Pentru încă un deceniu, nanotehnologia a rămas departe de cunoştinţa
publicului larg. Apoi, în 1986, fizicianul american K. Eric Drexler, a scris
“Engines of Creation”, carte considerată de majoritatea ca fiind cursul de bază al
nanotehnologiei, creând nanochimia ca ramură a nanotehnologiei, domeniu
menit a schimba radical în câteva decenii, toate laturile fundamentale ale vieţii
omenirii.
În timp ce Drexler îşi scria cartea, cercetătorii de la Universitatea Rice
studiau o molecula bizară. Prin evaporarea carbonului şi condensarea acestuia
într-un gaz inert, Richard Smalley şi echipa sa au observat cum carbonul a
format cristale extrem de stabile formate din cate şase atomi. Au observat cum
cristalele împart structura cunoscută sub numele de “minge de fotbal”, folosită în
domesticele geodezice ale arhitectului R. Buckminster, şi au numit descoperirea
"buckminsterfullerene", denumire scurtată apoi la "fullerene" sau "buckyball".

8
 “Buckyball” rămâne ca cea mai importantă descoperire a nanotehnologiei.
A dus la câştigarea premiului Prize în Chimie de către Smalley şi colegii săi, în
1996 şi a consolidat reputaţia nanotehnologiei ca un domeniu de cercetare de
vârf.
Nanotehnologia, în ansamblul ei, este un domeniu multidisciplinar.
Conceptele generale provin mai ales din biologie. În plus, în laboratoare s-au
construit deja “maşini” pentru autoreproducere şi autoactivare, care îşi
realizează “produsele” fără zgomot, căldură, gaze arse toxice sau manoperă
umană. În acest sens vom menţiona în cele ce urmează principalele laboratoare
cu activităţi în domeniul “nano” indicând şi obiectul de activitate al fiecăruia:
În plus, aceste “maşini” despre care s-a menţionat la începutul capitolului
consumă unele substanţe poluante la fel cum fac plantele. Fără îndoială, în
funcţionarea acestor “maşini” se respectă riguros toate legile fizicii, chimiei şi
biologiei. Se apreciază că un rol foarte important îl are chimia, deoarece practic
toţi atomii (hidrogen, carbon, azot, oxigen, fluor, siliciu, fosfor, sulf, clor, ş.a)
sunt implicaţi în nanostructuri. În mod practic, se estompează graniţele dintre
fizică, chimie, biologie şi alte discipline datorită interacţiunilor la nivel
submolecular ce se realizează la scară nanometrică. Calitativ, se trece şi de la
fizica clasică la cea cuantică, deoarece dispozitivele electronice moderne se
miniaturizează odată cu creşterea vitezei de funcţionare.
Practic, se vor produce două categorii principale de dispozitive, şi anume:
dispozitive convenţionale cu dimensiunea din ce în ce mai mică, până ajunge în
domeniul nanometric şi dispozitive noi, acestea din urmă concepute pe baza
unor efecte cuantice direct la dimensiuni nanometrice astfel încât “lungimea de
undă” a electronilor să fie de ordinul dimensiunilor acestor dispozitive.
Din cele prezentate rezultă că putem defini nanotehnologia ca fiind
abilitatea de a transforma materia ordonând cu precizie atom după atom şi
moleculă după moleculă pentru ca în final să se producă nanostructuri iar din
aceste nanostructuri nanoproduse, adică dispozitive şi maşini. Această metodă
este cunoscută sub denumirea “de la bază în sus”, spre deosebire de metoda
denumită “cu vârful în jos” prin care se porneşte de la suprafaţă (interfaţă) spre
interiorul nanofazelor pentru a forma un nanoprodus.
Există o mare varietate de interpretări ale noţiunii de “nanotehnologie”,
fiecare specialist adaptând-o la domeniul său şi evidenţiind în primul rând
dimensiunea nanometrică a produsului.
Interpretarea creatoare dată de cel mai recunoscut pionier în domeniu, K.
Eric Drexler, susţine că esenţial pentru conceptul de ”nanotehnologie” este
capacitatea unei nanomaşini (denumită în mod obişnuit “dispozitiv de
asamblare”) să se autoreproducă.
Figurativ, se afirmă că dispozitivul de asamblare ar fi prevăzut cu un braţ
submicroscopic de robot asistat de un nanocalculator. Asemenea dispozitive vor
funcţiona, de fapt, pe baza unor reacţii chimice cunoscute în mare măsură, care
vor aşeza diferiţi atomi cu mare precizie în molecule, iar apoi vor aşeza

9
moleculă cu moleculă pentru a construi în final orice produs, realizat în
conformitate cu legile naturii. Dispunând de programe şi materiale potrivite,
dispozitivele de asamblare vor fi capabile să realizeze şi copii după ele însele,
respectiv să se reproducă în milioane de exemplare. Dispunând de nenumărate
tipuri de maşini reproducătoare, omenirea va putea produce în cantităţi
nelimitate orice fel de material de care are nevoie în prezent şi chiar unele
materiale pe care deocamdată nu ni le putem imagina.
În prezent, comunitatea ştiinţifică internaţională apreciază că
nanotehnologia dispune de potenţialul necesar pentru a influenţa fiecare faţetă a
vieţii oamenilor cu mai multă forţă decât toate marile descoperiri ştiinţifice şi
invenţii anterioare prin aplicaţii în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii.
Unii specialişti teoretizează genurile posibile de aplicaţii ale
nanotehnologiilor, clasificându-le în principal în următoarele trei categorii:
“umede”, “uscate” şi hibride (“umede-uscate”).
Nanotehnologia “umedă” studiază sistemele biologice aflate, în principal,
în mediul acvatic. Nanostructurile funcţionale care prezintă interes “umed” sunt
membranele, enzimele genetice şi alte componente celulare. Succesul acestor
nanotehnologii este convingător demonstrat de existenţa organismelor vii ale
căror formă, funcţie şi evoluţie sunt guvernate de interacţiunile structurilor la
scară nanometrică.
Tehnologiile “uscate” provin din studiul suprafeţelor (interfeţelor) şi, în
prezent, au reuşit să asigure fabricarea structurilor de carbon (ex. fullerene şi
nanotuburi), siliciu şi alte substanţe anorganice. Spre deosebire de
nanotehnologia “umedă”, tehnologiile “uscate” permit producerea
“nanometalelor” şi “nanosemiconductorilor”. Electronii cu conductanţă activă
din aceste materiale le fac prea reactive pentru a fi utilizate deocamdată în medii
“umede”. Aceiaşi electroni asigură proprietăţi fizice care fac ca nanostructurile
“uscate” să fie utilizate deja cu succes ca dispozitive electronice, magnetice şi
optice.
Un important obiectiv în acest domeniu este realizarea unor
nanocalculatoare “uscate”, care să prezinte, în principiu, aceleaşi atribute cu cele
ale inteligenţei umane. S-a ajuns astfel la o nouă abodare a “inteligenţei
artificiale”, capabilă să ne asigure noi şi noi succese şi o soluţie acceptabilă în
10–15 ani, cu o suficientă capacitate analitică şi de predicţie. Nu trebuie să
omitem faptul că naturii i-au trebuit câteva sute de milioane de ani pentru a crea
pe “cale umedă” nanomaterie (creierul uman) funcţională.
O analiză mai amănunţită a viitoarelor sisteme de nanocalcul trebuie să
permită reducerea timpului de elaborare a nanotehnologiilor atât “uscate” cât şi
hibride “umede-uscate”, iar în viitorul previzibil chiar al nanotehnologiilor
“umede”. Aceste trei tipuri de aplicaţii nanotehnologice prezintă un grad înalt de
interdependenţă. Progresele majore din fiecare direcţie vor putea determina
rezultate importante în celelalte două direcţii prin adaptarea informaţiilor
provenind dintr-una din celelalte nanodomenii sau chiar din ambele.

10
 Privind din perspectiva nanoproduselor finale (şi nu al metodei de
producere), câteva domenii vor fi probabil mai puternic afectate de
nanotehnologie decât altele. Spre exemplu, într-un raport elborat de Ministerul
pentru Ştiinţe din Australia, s-au identificat trei domenii largi considerate ca
urmând să fie afectate în mod deosebit de nanotehnologie: separările Novel,
biosenzorii, electronica. Tehnologia separărilor Novel rezolvă o serie de
probleme, cum ar fi purificarea apei, asimilarea medicamentelor (în organism),
filtrarea sângelui. Biosenzorii se produc prin inginerie moleculară pentru
aplicaţii în medicină. S-au conceput, de exemplu, biosenzori pentru
recunoaşterea unei molecule extrem de specifice în concentraţii foarte scăzute.
De asemeni, nanotehnologia are un puternic impact şi asupra
comunicaţiilor, calculatoarelor şi produselor din sfera automatizării. Eficienţa
sporită a dispozitivelor noi, cum ar fi capacitatea acestora de a funcţiona la
viteză mare şi cu o mai mare flexibilitate, reprezintă avantajul lor principal.
Analizând la un nivel tehnic elementar, aplicaţiile nanotehnologiei pot fi
împărţite pentru o serie de domenii generale, cum ar fi: medicină, mediul
înconjurător, cosmetică, tehnologie electronică bazată pe semiconductori,
aparatură de uz casnic, etc.
Nanochimia ca ramură a nanotehnologiei se bazează pe încrederea că
noile descoperiri ştiinţifice vor face posibile şi profitabile aşa-numitele
“nanotehnologii”, cu ajutorul cărora specialiştii vor putea controla poziţia
fiecărui atom şi a fiecărei molecule în structura diferitelor materiale anorganice
şi organice, inclusiv în celulele vii. Ca urmare, asamblarea structurilor noi, cu
asemenea materiale, va permite obţinerea mai uşoară şi mai ieftină a tot ce este
necesar omenirii.
Noua ştiinţă porneşte de la realizări anterioare cunoscute şi aplicate astăzi
la scară industrială. Este suficient să amintim producerea diodelor,
tranzistoarelor şi a circuitelor integrate electronice, prin prelucrarea tot mai
rafinată a cipurilor de siliciu, unde intervenţia omului se face, în prezent, la
dimensiunea unor microni, adică a miimilor de milimetru. Este cazul să
precizăm că un nanometru, adică o miliardime dintr-un metru, este de un milion
de ori mai mic decât dimensiunea prelucrării actuale a circuitelor integrate pe
cipurile de siliciu. În plus, într-un nanometru se înscriu zeci de atomi. Prin
urmare, nanotehnologiile trebuie să aibă o precizie de zeci de milioane de ori
mai mare decât tehnologiile circuitelor integrate. Iată de ce există încă sceptici,
care consideră obţinerea preciziei respective drept o utopie, tratând nanochimia
ca pe o nouă alchimie. Câte s-au schimbat însă, în relativul scurt segment de
timp de pe vremea alchimiei şi cât de rapide sunt astăzi progresele ştiinţei!
Au fost suficienţi zece ani de la “naşterea” nanochimiei, pentru ca, în
prezent, să funcţioneze cu succes circa 2000 întreprinderi comerciale care
furnizează, contra cost, produse şi servicii nanotehnologice.
Un exemplu, luat nu la întâmplare, este dat de tuburile din diamant, prin
care se introduce cu mare precizie, picătura de azot lichid în operaţiile pe

11
creierul uman. Nici o altă tehnologie nu poate asigura producerea acestor tuburi,
indiferent din ce material s-ar încerca fabricarea acestora. Depunerea controlată
prin nanotehnologie a fiecărui atom de carbon la locul lui este singura capabilă
să producă tubul microscopic cu rezistenţa cerută, atât la solicitările mecanice
cât şi la cele termice. Este de la sine înţeles că şi acest produs tehnologic are o
contribuţie semnificativă la schimbarea sănătăţii oamenilor.
Încă de la început, fizicianul Eric Drexler clasifică produsele
nanotehnologice în următoarele trei categorii principale: asambloare,
reproducătoare şi nanocalculatoare.
“Asambloarele” sunt tehnologii menite a produce noi materiale, cu
microstructurile necesare, asigurând asigurarea fiecărui atom şi/sau molecule la
locul potrivit.
“Reproducătoarele” sunt tehnologii care produc, în flux continuu,
produsele finite de care omenirea are nevoie, inclusiv maşini care sunt copii
fidele după ele însele.
“Nanocalculatoarele” sunt maşini electronice de calcul, cu puterea
supercomputerelor generaţiilor viitoare, dar cu dimensiuni nanometrice.

1.3 Obiective principale

Sintetizarea şi procesarea nanostructurilor au ca obiect înlocuirea
diverselor tipuri de materiale organice, anorganice şi biologice, mai bune decât
cele realizate până în prezent.
O atenţie sporită va trebui acordată sintetizării şi asamblării
nanostructurilorla un înalt nivel de precizie, prin procesări inovative. Rezultatul
va consta în controlul mărimii, formei, structurii, morfologiei legăturilor dintre
molecule, nano-obiecte şi materiale nanostructurate.
Principalul obiectiv constă în realizarea de noi combinaţii la nivel nano
capabile să formeze noi materiale şi maşinării nanostructurate ale căror limite de
capabilitate să fie limitate doar de imaginaţia cercetătorului.

1.4 Tendinţe actuale de dezvoltare ştiinţifică şi

tehnologică
Ultimul deceniu a cunoscut numeroase realizări în obţinerea de
componente organice de o complexitate considerabilă. Descoperirea de noi
tehnologii pentru polimeri, dendrimeri, a dus la obţinerea unei clase interesante
de componente la nivel nano, cu proprietăţi mecanice şi optice deosebite.
Arhitecturile precise de tip nano, cu dimensiuni variind între 10 şi 100 nm
au fost sintetizate cu succes. Componentele de acest tip implică reacţia unui
înveliş reactiv de dendrimer cu un miez reactiv de dendrimer. Noile componente
astfel obţinute se referă la compoziţii moleculare ale dendrimerilor, ducând într-
o etapă de cercetare imediat următoare la obţinerea de noi faze folosind blocurile

12
copolimerice. Sunt cercetări recente în cercetarea şi obţinerea de noi blocuri
copolimerice din trei componente.
Nanocristale
În ultimii ani, un semnificativ progres a fost înregistrat în obţinerea de
nanocristale. Multe materiale comune, precum metalele, semiconductorii şi
magneţii pot fi obţinute din nanocristale, având la bază procedee chimice
coloidale. Conceptul schimbului de legătură a fost bine dezvoltat, această
metodă permiţând nanocristalelor caracterizaţi printr-o distribuţie limitată a
mărimii diametrului (în general cu o variaţie în diametru între 5-15%) de a fi
izolaţi şi folosiţi ulterior ca reactivi chimici. În acest domeniu un factor esenţial
a constat în cercetările efectuate asupra rolului dimensiunilor care au avut la
bază studii fundamentale în domeniul chimiei fizice şi al fizicii materiei
condensate. Faptul că o simplă proprietate precum emisia de lumină depinde atât
de mult de proprietăţile semiconductorilor a facilitat dezvoltarea obţinerii
efective. Aceeaşi dependenţă de mărime a fost exploatată în obţinerea unor
aplicaţii şi în alte domenii cum ar fi cel biologic.
Nanotuburi
Captivanta descoperire a fulerenilor a fost urmată aproape imediat de
descoperirea nanotuburilor de carbon. Nemaipomenita construcţie a
nanotuburilor este promiţătoare în realizarea unor matrici pentru obţinerea de
noi materiale. Graţie topologiei şi în pofida legăturilor interatomice foarte mici,
la nanotuburile de carbon nu întâlnesc efecte de suprafaţă.
În consecinţă, nanotuburile analizate individual sunt caracterizate de
proprietăţi electrice, optice şi mecanice ideale.
Structuri din nanoparticole
Obţinerea controlată a particulelor reprezintă o metodă sintetică foarte
importantă necesară realizărilor unor structuri de dimensiuni nano, constituind
tehnologia de fabricare a diferitelor produse, de la cele ceramice până la cele
specifice industriei farmaceutice.
Astfel, structurile de tip nano pot fi întâlnite sub diverse forme, dintre care
cele mai importante sunt:
- aglomerările de nanoparticule;
- aerogeluri.
Trebuie menţionat faptul că în particular, aceste structuri se caracterizează
printr-o morfologie proprie, spre exemplu: dimensiunea fractalilor şi numărul de
coordinaţie dar şi prin energia de legătură care are rolul de a păstra particulele ca
pe un tot unitar.

1.5 Procesarea nanostructurilor

Dezvoltarea metodologiei de autoasamblare a permis extinderea cu
uşurinţă a metodelor de obţinere a nanostructurilor. În proiectarea structurilor

13
complexe cum ar fi componentele electrice trebuie să ne valorificăm abilităţile
în scopul realizării modelelor litografice. Astfel, au fost dezvoltate noi
modalităţi de realizare, asamblare şi legare a macromoleculelor şi
nanoobiectelor, avându-se la bază interacţiuni ce sunt cu mult mai complexe
decât cele întâlnite în mod curent.

1.6 Direcţii de utilizare a nanotehnologiei în

confecţionarea echipamentelor militare
Domeniul cercetării militare este unul extrem de strict, iar informaţiile
care ajung la public nu reprezintă probabil nici 5% din realitatea analizată şi
procesată de oamenii de ştiinţă. Se cunoaşte totuşi că tehnologia folosită la
confecţionarea materialelor folosite pentru echipamentul are la bază viitorului
este în strînsă legătură atât cu avansata nanotehnologie precum şi cu materialele
sintetice fortificate cu diverşi polimeri.
Este cunoscut faptul că apărarea americană cheltuieşte anual sume
fabuloase pentru modernizarea forţelor militare. Miliarde de dolari sunt destinate
domeniilor de cercetare care au o singură preocupare: modernizarea
echipamentelor militare.
În pofida faptului că forţele militare americane sunt şi în prezent cele mai
dotate şi mai eficiemnte din lumea întreagă, autorităţile americane sunt foarte
interesate de a aduce noi şi noi îmbunătăţiri atât echipamentelor cât şi aparaturii
şi armamentului din dotare.
Ultimele descoperiri în materie de echipamente vor fi implementate
curând, urmând ca până în anul 2025 militarul american să aibă o uniformă
inteligentă, capabilă să-şi adapteze instantaneu culoarea într-o perfectă corelare
cu zona geografică şi fauna, dar şi cu modificarea proprietăţilor de izolare
asigurând o temperatură optimă în funcţie de condiţiile de mediu specifice
zonelor din teatrele de operaţii unde militarii îşi execută misiunile.
Uniformele inteligente se bazează pe inserarea în materialele din care
acestea sunt produse a unor particule inteligente, programate special pentru a se
adapta situaţiilor. Dincolo de faptul că această uniformă se va comporta ca un
cameleon, are şi proprietăţi inteligente: dacă se rupe, se activează un mecanism
de regenerare, iar în cazul în care intră în contact cu substanţe chimice, are un
sistem de autoapărare prin care se va evita deteriorarea. În plus, uniformele
militare din viitor nu fâşâie şi nu fac nici un fel de zgomot pe timpul mişcării.
Principala caracteristică a hainelor şi uniformelor inteligente fabricate din
materiale îmbogăţite cu anumiţi polimeri este că fac corp comun cu purtătorul.
Aceste haine respiră. În ciuda faptului că sunt rezistente şi acţionează
descurajator asupra efectelor mediului exterior, purtătorului îi dau senzaţii dintre
cele mai benefice: sunt uşoare, nu se transpiră în ele, asigură o lejeritate în
mişcare. Dacă la toate acestea mai adăugăm şi faptul că aceste haine anticipează
multe dintre posibilele efecte ale mediului înconjurător şi apără purtătorul de o

14
mulţime de pericole, putem recunoaşte pe bună dreptate că aceasta reprezintă
haina ideală pentru om şi nu doar pentru militarii viitorului.
Cercetările efectuate au luat şi iau în considerare îmbunătăţirea ţinutei
militare în ansamblul ei, deci nu numai a uniformelor propriuzise dar şi a
căştilor din dotare, accesoriu care a fost întotdeauna cea mai blamată
componentă a ţinutei militare.
Fiind de obicei dintr-un material dur – de cele mai multe ori din fier şi de
câţiva ani din kevlar – cascheta este un obiect vestimentar dificil de purtat chiar
de cei mai căliţi şi antrenaţi militari din lume. Pentru a contribui pe deplin la
mmărirea gradului de mobilitate al militarului pe timpul misiunilor, în
laboratoarele americane s-au împins cercetările astfel încât se află în stadiu de
proiect o caschetă ce va fi confecţionată dintr-un material de 70 de ori mai uşor
decât actuala piesă a garderobei militare.

1.7 Cercetări în domeniul confecţiilor inteligente

Cercetarea civilă a înregistrat şi ea anumite succese în domeniul hainelor
inteligente, însă este cu siguranţă, mult în urma celei militare. Explicaţia ar
putea fi simplă: în timp ce în domeniul militar se urmăreşte în special
pragmatismul şi eficacitatea hainelor, domeniul civil este dominat de casele de
modă şi de designerii preocupaţi doar de modă şi, de multe ori, de un succes
imediat.
Cu toate acestea, au fost deja create cămăşile care îşi rulează singure
mânecile, dar şi tricourile cu ”ecrane” din particule speciale, oferind purtătorilor
posibilitatea de a opta pentru anumite filme care se pot derula pe obiectele
vestimentare.
Însă, de departe, cea mai senzaţională realizare în domeniu o constituie
haina-computer. Este vorba de o uniformă mai puţin aspectuoasă, care include în
diversele componente ale sale un calculator miniatural cu accesoriile necesare.
Practic, există un monitor miniatural şi o tastatură delicată inclusă pe una dintre
mânecile hainei. Aceste demonstraţii sunt însă departe de realizările cercetării
militare.
Un alt exemplu din categoria hainelor inteligente destinate domeniului
civil îl constituie materialul denumit Nano Dew.
Din acest nou material sunt confecţionate hainele menite a preveni
îmbătrânirea. Este produs pe baza unei tehnologii speciale ce aparţine în
exclusivitate companiei japoneze Kanebo Spinning Corp – aşa numita
nanotehnologie. Acest material conţine vitamina E şi enzime speciale. A fost
deja creată o colecţie vestimentară pe baza tehnologiei Nano Dew, ce include
tricouri şi chimonouri. Hainele cu efect împotriva îmbătrânirii vor fi curând
disponibile în orice magazin care vinde medicamente şi produse cosmetice din
Japonia.
Abia apărute pe piaţa niponă, hainele respective se bucură deja de mare
popularitate în această ţară, unde oamenii sunt foarte preocupaţi să aibă o viaţă

15
sănătoasă. Specialiştii cred însă că aceste produse vestimentare nu se vor bucura
de acelaşi succes şi pe piaţa internaţională întrucât nu se vor putea oferi
europenilor haine care să-i protejeze de razele ultraviolete, dacă aceştia preferă
să meargă la plajă pentru a se bronza. Cu siguranţă însă, că acele persoane
ahtiate după modă vor da o suficient de mare importanţă şi noilor produse
vestimentare.
Aşa-numitele haine inteligente civile par să se afle în perioada epocii de
piatră în comparaţie cu tehnologia militară concepută în scopul îmbunătăţirii
ţinutelor militare, întrucât în misiunilor de luptă tendinţele modei sunt cu totul
diferite.

1.8 Nanoştiinţa în dezvoltarea electronicii şi a tehnicii

hardware
Un adevăr incontestabil constă în faptul că evoluţia tehnologiilor de calcul
a avut o acceleraţie greu de imaginat. Timp de cel puţin 40 de ani, de la
inventarea circuitelor integrate, rata de creştere a performanţei a fost
exponenţială, dublând puterea de calcul la fiecare 18 luni. Această evoluţie a
fost atât de inexorabilă încât a fost denumită “lege”: aceasta este celebra lege a
lui Moore.
Termenul poate fi însă înşelător: legea lui Moore este doar o observaţie
empirică şi nu o lege a naturii. Reputaţia ei a fost întărită de faptul că adesea
experţii au prezis bariere care vor stăvili avântul tehnologiei şi vor încetini
evoluţia. De fiecare dată însă, realitatea a depăşit predicţiile, şi legea lui Moore a
funcţionat timp de 40 de ani. Limitele finale sunt însă din ce în ce mai aproape.
Într-un mod mai mult sau mai puţin surprinzător, cele mai ameninţătoare bariere
care se profilează sunt de natură economică.
Spre exemplu, dacă evaluăm costul unei fabrici care produce circuite
integrate vom observa că urmează aceeaşi curbă exponenţială pe care o urmează
performanţa circuitelor integrate. O astfel de fabrică a ajuns la ora actuală să
coste cam 2 miliarde de dolari, şi la aceeaşi rată de creştere va ajunge la 50
miliarde în 2010. Acesta este un cost pe care foarte puţine companii şi-l pot
permite, mai ales că investiţia nu este lipsită de riscuri, cum ar fi spre exemplu,
războiul Intel-AMD, cu tot spectrul de întorsături neaşteptate în poziţia de lider
al pieţei.
Chiar dacă poate fi argumentată construirea fabricilor în comun de către
consorţii de fabricanţi, există o serie de costuri care nu pot fi distribuite: fiecare
circuit integrat este construit folosind o serie de măşti, şi costul acestora suferind
la rândul său o evoluţie exponenţială, ceea ce face deja prohibitivă fabricarea de
chip-uri de către companiile mici.
Creşterea costului de fabricaţie este dată de costul dispozitivelor mecanice
care sunt folosite la fabricarea integratelor. Pe măsură ce dimensiunea
tranzistoarelor scade, cerinţele de precizie pentru alinierea măştilor, şlefuirea

16
suprafeţei plăcii de siliciu, montarea nivelelor de metal ale circuitului final, etc.,
cresc şi ele; costul unor dispozitive mecanice care fac operaţii atât de precise
creşte deci exponenţial cu scăderea dimensiunii.
Anticipând sfârşitul acestei ere prodigioase din istoria calculatoarelor,
cercetătorii au început să investigheze modele alternative de calcul. În cele ce
urmează se va prezenta pe scurt o alternativă pentru următoarea generaţie
arhitecturală care substituie actualele circuite integrate CMOS (Complementary
Metal-Oxide Semiconductor) cu circuite construite prin nanotehnologie
electronică.
1.8.1 Componente nanotehnologice în electronică
Primul ingredient necesar pentru a construi circuite la scară moleculară
este … sârma. Astfel de sârme trebuie să fie foarte subţiri, lungi, rezistente
mecanic şi să aibă o conductanţă electrică bună. Din fericire chimiştii au
descoperit o serie de molecule care au exact proprietăţile necesare.
Fig.1.2 prezintă un fragment din cea mai celebră dintre moleculele
descoperite, şi anume nanotubul de carbon. Nanotubul de carbon este
caracterizat prin faptul că fiecare atom de carbon este legat covalent cu vecinii
săi. Pentru descoperirea acestor molecule, Richard Smalez de la Universitatea
Rice din S.U.A. a primit premiul Nobel pentru chimie în anul 1996. Astfel de
molecule au un diametru de 5nm şi pot avea lungimi de ordinul milimetrilor. Se
caracterizează prin excelente proprietăţi electrice şi mecanice, în pofida
dimensiunilor minuscule.

Fig. 1.2. Nanotubul de carbon. Partea din stânga a unei singure molecule

Al doilea ingredient de care avem nevoie este un comutator, care poate

închide şi deschide circuite. Din fericire şi pentru acest dispozitiv există o
pletoră de alternative. În fig. 1.3. este prezentat un astfel de comutator
molecular.
Molecula polarizată prezentată în fig. 1.3.(a) este caracterizată printr-un
nor de sarcină electric asimetric. În poziţia din stânga norul blochează trecerea
curentului electric. Aplicând un potenţial ridicat cauzăm rotirea moleculei şi

17
reorientarea norului electronic; molecula din poziţia din dreapta a figurii
menţionate conduce curent electric într-o singură direcţie, comportându-se ca o
diodă.
Molecula are “memorie”, deoarece rămâne multă vreme în poziţia în care
a fost pusă. Un potenţial mare negativ poate muta molecula înapoi la starea
neconducătoare.

Fig 1.3 a) Comutatorul molecular căruia i s-a aplicat un potenţial ridicat;

b) Comutatorul molecular plasat între două nanosârme.
În fig. 1.3.(b) este prezentată micrografia unui comutator molecular cuplat
cu două nano – sârme. Acest comutator poate fi poziţionat cu precizie ridicată
prin următoarele procedee chimice simple, astfel:
1. Cele două sârme se fabrică separat;
2. Se înmoaie una dintre sârme într-o soluţie care conţine molecule-
comutator;
3. Cele două sârme se suprapun în unghi drept.
Respectând cele menţionate mai sus, comutatorul de la intersecţia celor
două sârme se va cupla de ambele, devenind astfel operaţional.
Faptul că putem construi sârme izolate şi legate prin comutatoare nu este
suficient pentru a construi circuite complexe. Trebuie să fim capabili să
construim în mod eficient (în paralel) multe astfel de sârme cuplate cu
comutatoare.
Din fericire, chimiştii au descoperit un fenomen care ne oferă soluţia
într-un mod aproape miraculos. Acest fenomen se numeşte auto-asamblare (self-
assembly). Una din formele sale se manifestă astfel: se realizează o soluţie cu un
anumit tip de molecule.
În soluţie se înmoaie un suport după care soluţia se încălzeşte, se extrage
suportul şi în mod spontan, fără a avea vreun control dinafară, moleculele din
soluţie se aşează într-o structură aproape regulată.
În acest mod se pot construi simultan zeci sau sute de sârme paralele,
aflate la distanţe foarte mici una de alta.

18
 1.8.2 Caracteristici ale procedeului de autoasamblare
Autoasamblarea este un procedeu foarte ieftin de construcţie a unor
structuri minuscule. Cu toate acestea, trebuiesc subliniate câteva din tre
limitările sale inerente:
- Prin folosirea procedeului de autoasamblare nu pot fi construite
structuri neregulate, aperiodice. Circuitele integrate prin tehnologia
CMOS sunt însă structuri neregulate. Va trebui deci să se renunţe la
modelul circuitelor integrate digitale CMOS.
- Cel puţin în viitorul apropiat, prin folosirea procedeului de
autoasamblare se poate afirma că este practic imposibil de construit un
dispozitiv cu trei terminale, cum este tranzistorul. La dimensiuni
moleculare este imposibil de coordonat simultan poziţia a trei sârme
pentru a le face să se întâlnească aproximativ în acelaşi loc. Printr-o
manipulare minuţioasă sub microscopul electronic poate fi construit un
tranzistor, dar nu pot fi construite simultan în mod automat milioane
de astfel de componente. Tranzistorul rămâne însă ingredientul
fundamental al circuitelor integrate digitale CMOS, fără de care
acestea nu pot fi concepute. Rămâne de soluţionat problema realizării
circuitelor integrate digitale.
Pentru a găsi soluţia la problemele menţionate trebuie în primul rând să
renunţăm la metodele tradiţionale. Din fericire, răspunsul poate fi găsit prin
răsfoirea unor publicaţii vechi, îngropate în praf prin biblioteci.
La începutul anilor ‛50, înainte de inventarea tranzistorului, pentru o
vreme cercetătorii au studiat o metodă alternativă de a construi porţi logice,
folosind numai diode şi rezistenţe.
În fig. 1.4.(a) este prezentată implementarea unei porţi logice “şi” prin
folosirea diodelor şi rezistorilor, în timp ce în fig. 1.4.(b) este prezentată
posibilitatea implementării unui astfel de circuit folosind nanotehnologia. Acest
mod de a construi circuite a fost abandonat după apariţia tranzistorului, deoarece
se consumă prea mult curent şi este mai ineficient. Cu toate acestea, consumul
dispozitivelor nanoelectronice este minuscul, putând fece acest model viabil din
nou.
În cazul porţii logice “şi” implementate cu diode şi rezistenţe, atunci când
una dintre intrări va avea tensiune joasă, dioda corespunzătoare va conduce, deci
tensiunea la ieşire va fi şi ea joasă. Când ambele intrări au un potenţial ridicat,
nici una dintre diode nu va conduce şi potenţialul la ieşire va fi şi el ridicat.
La folosirea nanosârmelor şi nanocomutatoarelor se observă structura
regulată precum şi folosirea exclusivă a sârmelor care se încruţişează în unghi
drept.
În circuitele integrate digitale tranzistorul are un dublu rol: serveşte atât la
implementarea porţilor logice cât şi la amplificarea semnalului electric care se
degradează.

19
Fig. 1.4 (a) Reprezentarea unei porţi logice “şi” implementate cu diode şi rezistenţe;
(b) Implementarea porţii logice prin folosirea unor nano-sârme şi nano-
comutatoare

S-a arătat mai sus cum prima funcţionalitate poate fi înlocuită prin
nanocristale folosind diode. Este însă nevoie şi de amplificatoare la scară
moleculară. Cercetătorii în domeniu şi-au propus realizarea unui astfel de
dispozitiv menit să îndeplinească simultan trei funcţii:
- Amplifică semnalul electric restaurându-l la valoarea normală;
- Oferă sincronizare cu un semnal de ceas;
- Poate fi folosit pe post de element de memorie.
Acesta este echivalentul molecular al unui “latch” (un registru).
Atunci când avem structuri atât de mici, este inevitabil să avem o cantitate
ne-neglijabilă de defecţiuni. Mici fluctuaţii termodinamice, un grăunte de praf,
pot perturba imediat regularitatea sârmelor şi comutatoarelor. Circuitele
integrate digitale clasice trebuie să fie perfecte; după fabricaţie fiecare circuit
este testat extensiv iar cele cu defecţiuni vor fi aruncate. Această metodologie va
fi aplicată nanocircuitelor, întrucât un număr mare de defecţiuni fac practic
imposibilă existenţa unui circuit perfect. În cele ce urmează va fi prezentată încă
o posibilă soluţie pentru această ultimă problemă.
1.8.3 Hardware reconfigurabil
Hardware-ul reconfigurabil reprezintă o nouă tehnologie de construire a
calculatoarelor, fiind caracterizată de trăsături indezirabile, cum ar fi
posibilitatea de tolerare a defecţiunilor şi capacitatea de a oferi performanţă
computaţională foarte ridicată. Un dezavantaj al hardware-ul reconfigurabil
implementat în tehnologia CMOS constă în faptul că are o densitate scăzută (se
pot implementa mult mai puţine elemente computaţionale pe aceeaşi suprafaţă
decât dacă s-ar folosi hardware-ul tradiţional).
Dacă pe un substrat nanotehnologic s-ar implementa un hardware
reconfigurabil s-ar putea obţine beneficiile ambelor domenii, putându-se astfel
evita dezavantajele lor, prin atingerea următorilor performanţe:

20
 - Datorită dimensiunii foarte reduse a componentelor, nanohardware-ul
va compensa densitatea scăzută a dispozitivelor reconfigurabile;
- Datorită toleranţei la defecte, hardware-ul reconfigurabil va putea
exploata fără probleme nanocircuitele cu defecţiuni;
- Va putea fi exploatată viteza excelentă de execuţie a hardware-ului
reconfigurabil.
Un circuit reconfigurabil (fig.1.5.) conţine, ca şi un circuit digital normal,
porţi logice şi sârme. Spre deosebire de circuitele obişnuite însă, fiecare poartă
reconfigurabilă nu are o funcţionalitate fixă, ci poate fi reprogramată electronic
pentru a implementa orice funcţie logică dorită. În plus, sârmele din hardware-ul
reconfigurabil nu sunt conectate direct între porţi; între sârme avem comutatoare
care pot lega şi dezlega sârmele între ele, fiecare dintre aceştia fiind controlat tot
în mod electronic.
c) Reprezentarea memoriilor care funcţionează ca tabele de adevăr
În exemplul prezentat în fig.1.5., memoria implementează o poartă logică
“şi”. Hardware-ul reconfigurabil este deci un caz particular de circuit integrat.
Atunci când se compară un circuit reconfigurabil cu unul normal care are
aceeaşi funcţiune, cel reconfigurabil este mai mare (cam de 10 ori mai mare).
Este uşor de înţeles de ce: o poartă logică implementată cu o memorie este mult
mai mare decât aceeaşi poartă făcută din tranzistori, iar comutatoarele şi
memoriile lor aferente ocupă spaţiu suplimentar. Viteza lui mai scăzută este dată
de comutatoare, care încetinesc semnalul electric.
Avantajul hardware-ului reconfigurabil vine însă din flexibilitatea sa şi
anume, poate fi schimbată funcţiunea lui pentru fiecare nouă aplicaţie cu care
avem de-a face. Microprocesoarele oferă şi ele flexibilitate, dar sunt în general
mai ineficiente decât hardware-ul reconfigurabil, în principal, din următoarele
două motive:
- Un procesor interpretează programele scrise în cod maşină, pe când
hardware-ul reconfigurabil le execută direct. Interpretarea introduce
ineficienţă;
- Programele executate de un procesor trebuie scrise prin folosirea unui
set de instrucţiuni (în cod maşină), care nu este neapărat ideal pentru
orice aplicaţie. Hardware-ul reconfigurabil poate fi adaptat special
fiecărei aplicaţii (spre exemplu, pentru efectuarea unor operaţii de 5
biţi nu este nevoie să folosim mereu câte 32 de biţi).
În plus, capacitatea de reconfigurare poate fi folosită pentru a tolera
defecte. Să presupunem că una dintre porţile universale este defectă din
fabricaţie. Dacă cunoaştem acest lucru, putem face ca niciunul din programele
noastre să nu o folosească. Întrucât toate porţile sunt echivalente, putem folosi
oricare alta, pe care o putem conecta în locul celei defecte folosind reţeaua
reconfigurabilă.

21
 Fig. 1.5 a) Porţile logice universale legate cu o reţea de conectare în cadrul
hardware-ului reconfigurabil; b) Poziţia de închis/deschis realizată cu ajutorul
memoriei de 1 bit;

Trebuie menţionat că procesul de compilare pentru hardware

reconfigurabil se realizează în două etape; în prima etapă programul este tradus
într-un circuit, după care circuitul trebuie “aşezat” în plan, atribuind fiecărei
operaţii una sau mai multe porţi universale iar sârmelor atribuinduli-se
interconexiuni. Această ultimă fază se numeşte “plasare şi rutare” (place and
route) şi este de obicei foarte costisitoare şi complexă (ore sau zile întregi).
Cercetări recente au demonstrat că această fază poate fi accelerată
substanţial, până la viteze comparabile cu compilarea normală de programe.
În general, problema transformării eficiente a unui program dintr-un
limbaj de nivel înalt în hardware este încă nerezolvată satisfăcător. Un motiv
constă în faptul că limbajele contemporane au fost proiectate pentru un model de
execuţie von Neumann, în care maşina are procesor şi memorie.
1.8.4 Nanocalculatoarele
În această secţiune ne-am propus să schiţăm modalitatea de îmbinare a
nanotehnologiei şi a hardware-ului reconfigurabil în scopul construirii maşinilor
de calcul.
Având în vedere cercetările în domeniu, în fig.1.6 este prezentată
arhitectura unui sistem de calcul bazat pe nanotehnologii ce constă dintr-un
nanocircuit ce are la bază o grilă bidimensională de grupuri (clusters), legate
prin “sârme” configurabile de lungimi diferite, fiecare grup constând dintr-o
grilă de nanoblocuri.
Structura aceasta este foarte asemănătoare cu cea a circuitelor
reconfigurabile disponibile comercial numite FPGA (Field Programmable Gate
Array), pentru care există deja multă experienţă în proiectarea sculelor şi
tehnologiilor de compilare, plasare şi rutare.

22
 Fig. 1.6 Reprezentarea structurii unui nanocircuit şi a unui nanobloc

Astfel de circuite pot fi fabricate printr-o mixtură de tehnologii: fiecare

nanobloc este fabricat folosind nanotehnologii. Lăcaşurile pentru grupuri şi
sârmele lungi sunt fabricate prin tehnologia CMOS, fiecare nanobloc este apoi
inserat într-un astfel de locaş. Au fost puse la punct metode prin care se pot
configura nanoblocurile.
După fabricaţie, circuitele vor fi cuplate într-un calculator care va testa
grupurile, pentru a găsi unul perfect funcţional. Urmează apoi configurarea
acestui grup de către calculator cu ajutorul unui program de autotestare, prin
care restul circuitului este testat pentru a găsi alte defecte.
Nanoblocurile defecte vor fi înregistrate într-o listă de defecte ataşată
circuitului. Atunci când circuitul este utilizat, compilatorul care generează
configuraţia va folosi această listă de defecte pentru a genera un circuit care
foloseşte numai părţile funcţionale.

1.9 Dezvoltarea produselor nanochimice

Materialele în fază nanochimică şi nanocompozitele, ce sunt caracterizate
printr-o dimensiune ultra fină a granulelor (sub 50nm), prezintă un mare interes
ştiinţific şi comercial datorită proprietăţilor lor mecanice, electrice, optice şi
magnetice deosebite.
În cele ce urmează vom prezenta o parte dintre produsele nanochimice
întâlnite pe piaţa mondială, precum şi utilitatea pe care acestea o prezintă:
- Ceramicile în fază nanochimică sunt mai ductile la temperaturi ridicate
în comparaţie cu ceramicile cu granulaţie mai mare;
- Semiconductorii cu structură nanochimică prezintă proprietăţi optice
neliniare diverse, fiind de menţionat efectele cuantice ce pot duce la
proprietăţi speciale, cum ar fi luminiscenţa pulberilor de siliciu şi de
siliciu-germaniu ce sunt utilizate pentru producţia dispozitivelor
optoelectronice în infraroşu;

23
 - Pulberile metalice nanochimice se folosesc la producerea materialelor
impermeabile la gaze, a pieselor dense şi a materialelor de acoperire
poroase. Proprietăţile de sudare la rece combinate cu plasticitatea lor,
fac ca acestea să fie adecvate pentru lipirea metal pe metal, în special
în electronică;
- Particulele magnetice nanochimice singulare reprezintă monodomenii,
ceea ce duce la formarea în granulele magnetice în fază nanom,etrică
a mono-domenii. Particulele foarte mici au structuri atomice speciale,
cu stări electronice discrete, ce dau naştere unor proprietăţi speciale,
suplimentare comportamentului super-paramagnetic. Nanocompozitele
magnetice sunt folosite pentru transmiterea forţei mecanice la
ferofluide, pentru stocarea informaţiilor cu mare densitate şi pentru
răcirea magnetică;
- Clusterele şi coloizii de metale cu structură nanochimică, inclusiv cu
compoziţii plurimetalice, au un impact special în aplicaţiile catalitice.
Acestea pot fi folosite ca precursori pentru un nou tip de catalizatori
eterogeni (catalizatori Cortex) şi prezintă avantaje considerabile
privind activitatea, selectivitatea şi durata în cataliza chimică sau în
electrocataliză (pile de combustie). Cataliza enantioselectivă s-a
realizat folosind modificatori chirali pe suprafaţa particulelor metalice
nanometrice;
- Filmele subţiri de oxizi metalici cu structură nanochimică prezintă un
interes tot mai mare pentru obţinerea senzorilor de gaze (NOx, CO,
CO2, CH4 şi hidrocarburi aromatice) de mare sensibilitate şi
selectivitate;
- De dată mai recentă este folosirea oxidului metalic cu structură
nanochimică (MnO2) pentru fabricarea bateriilor uşoare şi
reîncărcabile pentru automobile şi aparatură electro-casnică.
- Compozitele pe bază de polimeri cu un conţinut ridicat de particule
anorganice permit obţinerea unei constante dielectrice mari şi
reprezintă materiale de mare interes pentru fabricarea de structuri
fotonice speciale;
- Semiconductorii cu o structură nanochimică se folosesc la fabricarea
celulelor solare, deoarece filmele siliconice nanocristaline sunt foarte
transparente, iar filmele poroase din oxid de titan au puteri mari de
transmisie şi arii considerabile, ceea ce asigură o puternică absorbţie a
luminii în celulele solare.
Aspecte tehnologice în nanochimie
Ingineria nanochimică se extinde rapid într-un mare număr de tehnologii
pentru producerea de noi materiale electronice, anorganice şi organice, cu
perfecţionări de excepţie în domeniile optice şi electronice.

24
 Producţia de materiale nanochimice sau asamblate de clustere se bazează
în mod obişnuit pe crearea unor clustere mici separate, care apoi se livrează în
vrac sau ca materiale lichide şi solide compacte. De exemplu, siliciul
nanochimic care are proprietăţi fizice şi electronice diferite de ale siliciului
monocristal poate fi folosit la fabricarea semiconductorilor macroscopici
speciali pentru noi dispozitive electronice. Alt exemplu îl dă sticla obişnuită
dopată cu nanocoloizi semiconductori, devenind astfel mediu optic de înaltă
performanţă cu aplicaţii potenţiale în viitoarele calculatoare optice.
Pentru o mai mare claritate, se impune să precizăm că produsele
nanochimice se pot asambla în două tipuri de microstructuri diferite: chimice şi
fizice. Ca exemple de microstructuri chimice pot fi date compozitele cu legături
chimice între nanoparticule de diferite compoziţii chimice. Microstructurile
fizice sunt formate din nanoparticule, de exemplu, cu aceeaşi compoziţie
chimică dar fără legături chimice între ele.
De asemenea, precizăm că, în mare, se disting două tipuri de efecte induse
de structura nanochimică. În primul rând, se evidenţiază efectul dimensiunii, în
care structura electronică volumetrică normală este înlocuită cu mai multe
niveluri electronice discrete. În al doilea rând, se evidenţiază efectul produs de
mărimea ariei suprafeţei totale sau a interfeţei, care este cu atât mai important cu
cât creşte aria suprafeţei specifice din sistemele de particule.
În timp ce primul efect se foloseşte la descrierea proprietăţilor fizice, al
doilea efect joacă un rol determinant în procesarea chimică, mai ales în cataliza
eterogenă.
Pe cale experimentală, efectul dimensiunii nanoparticulelor se pune în
evidenţă prin diferite metode fizice, în timp ce efectul produs de mărimea ariei
suprafeţei se evidenţiază prin măsurarea proprietăţilor termodinamice, cum ar fi
presiunea de vapori, căldura specifică, conductivitatea termică şi punctul de
topire al particulelor metalice.
Subliniem încă odată faptul, că datorită dimensiunilor mici, orice
acoperire a suprafeţei nanoparticulelor înfluenţează puternic proprietăţile
acestora. Fiecare din cele două tipuri de efecte ale dimensiunii a fost clar
diferenţiat în studiile efectuate asupra proprietăţilor optice ale compozitelor din
clusterele metalice. Studiile au arătat că nanoparticulele de silicon au un
comportament total diferit la cristalizare decât cel al pulberilor de dimensiuni
micronice sau al filmelor subţiri. S-a observat astfel că în fiecare nanoparticulă
se formează policristalite chiar şi la temperaturi relativ moderate.
Printre alte exemple ale efectelor dimensiunii particulelor, se constată că
aceeaşi conducţie electrică a răşinilor epoxidice cu umplutură din argint se poate
obţine cu un conţinut din ce în ce mai mic de metal pe măsura micşorării sub
100 nm a particulelor folosite ca material de umplutură. În acest caz, constanta
dielectrică a compozitului titanat de plumb-polimer scade substanţial în cazul
folosirii particulelor mai mici de 200 nm.

25
 Tabel 1.1

Proprietate
De volum:
-Domeniu magnetic singular
-Dimensiune mai mică decât lungimea
de undă
-Absorbţie optică mare şi selectivă la
nanoparticulele din metale
-Formarea porilor ultrafini datorită
aglomerării suprafine a nanoparticulelor
-Amestec omogen de diferite tipuri de
nanoparticule
-Dimensiune mai mică a granulei decât
dislocaţiile stabile posibile
De suprafaţă (de interfaţă):
Utilizare
-Înregistrare magnetică
-Absorbţia luminii sau a căldurii
-Culori, filtre, absorberi solari, materiale
fotovoltaice, fotografice şi fototropice
-Filtre moleculare
-Cercetarea şi dezvoltarea de noi
materiale
-Rezistenţă şi duritate înaltă la materiale
metalice

-Suprafaţă specifică mare -Cataliză, senzori

-Suprafaţă mare, capacitate calorică -Materiale pentru schimbătoare de
mică căldură
-Catalizatori de combustie
-Temperatură mică de sintetizare -Acceleratori de sintetizare
-Arie interfazică mare -Producerea materialelor cu nanostructură
-Comportament superelastic al -Ceramice plastice
ceramicelor
-Acoperiri cu clustere -Rezistori speciali, senzori de
temperatură
-Nanoparticule multistrat -Catalizatori foarte activi

Semiconductorii foarte mici (sub 10 nm), compozitele sticlă-metal

precum şi compozitele semiconductor-polimer prezintă interesante proprietăţi
optice şi electrice neliniare.
Pentru producerea din fază gazoasă a particulelor nanochimice şi pentru
fabricarea materialelor nanochimice se folosesc reacţii activate de laser sau
plasmă, mecanisme de evaporare-condensare, metode de gelificare sau alte
metode chimice pe cale umedă. Cele mai multe dintre aceste metode pot asigura
obţinerea unor particule foarte fine, care sunt mai mult sau mai puţin
aglomerate. Pulberile pot fi amorfe, cristaline sau pot să prezinte faze
metastabile neaşteptate, insuficient clarificate.
În tabelul 1.1 sunt prezentate posibilităţile de utilizare ale
nanomaterialelor în funcţie de proprietăţile chimice ale acestora.

26
 CAPITOLUL 2
PROPRIETĂŢILE NANOMATERIALELOR

2.1 Generalităţi privind proprităţile nanomaterialelor

Mediu condensat – este starea lichidă şi cristalină a substantei. Sistemele
moleculare complicate pot fi transformate în stare condensată ca o trecere din
starea gazoasa în stare condensată.
În stare cristalină se întilnesc toate corpurile solide. Cu studierea diferitor
structuri cristaline se ocupă cristalografia. Fără ideile de bază formate în
cristalografie, nu se poate întelege ce reprezinta un corp solid. Meritele
cristalografiei au fost atât de convingatoare, că în mare măsură au influenţat
dezvoltarea de mai departe a ideilor noastre despre fizica corpului solid. Aşa că
simetria translativă a cristalelor a determinat celulă elementară a cristalului.
Fiecarui tip de cristal îi corespunde o singura celulă elementară. Unirea celulelor
elementare formează structura cristalină. Fiecare structură cristalină are
proprietăţile sale geometrice. Pentru descrierea diferitelor direcţii în cristal se
introduc indici de direcţie. Toate acestea împreună permit să descriem corect
structura cristalină.
2.1.1 Simetria cristalelor
Corpurile cristaline au proprietăţi de simetrie. Se numesc simetrice acele
corpuri, care sînt formate din parţi identice. Elementele simetriei sunt suprafaţa
de simetrie şi axa de simetrie. La axele de simetrie se adaugă şirul simetrei. Toate
cristalele sunt simetrice, şi aceasta înseamnă, că în fiecare cristal se pot defini
suprafaţa de simetrie şi axa de simetrie de diferite ordine.
Dupa simetria formei exterioare cristalele se împart în 32 de clase, unite în
şapte sisteme: cubică, hexagonală, tetragonală, trigonală, rombică. Fiecare sistem
se caracterizeaza printr-un ansamblu determinat de elemente ale simetriei. În
cristalele sistemului cubic sunt prezente trei axe de ordinul patru; în sistemul
hexagonal – axe de ordinul şase; în cel trigonal – axe de ordinul trei; în sistemul
rombic sunt prezente trei axe perpendiculare una pe alta de ordinul doi; în
cristalele sistem monopana se conţine numai o singură axa de ordinul doi şi în
sfîrşit în sistemul tripană lipsesc total suprafeţele de simetrie şi axele de simetrie.
2.1.2. Structurile cristaline tipice
Multe material constructive, ca metalele, au structuri cristaline simple.
Dintre cele mai răspîndite este structura hexagonală compactă (SHC.) şi structura
cubică cu feţe centrate (SCFC). Numărul de atomi în celula elementară a SHC
este 5, iar în SCFC este 4. Structura cubică centrată intern (SCCI) se întâlneşte

27
mai rar, iar structura cubică simplă (SCS) are un singur element. Numărul de
atomi în celula elementară a acestor structuri este doi sau unu.
În structura cubică simplă atomii sunt distribuiţi numai în colţurile
cubului, şi se ating reciproc de-a lungul laturilor cubului.
Structura centrată intern se întâlneşte la toate metalele alcaline şi alte
metale, iar unele au o structura centrată intern numai într-o gamă de temperaturi.
celula elementară în SCCI reprezintă un cub cu atomii în fiecare colţ şi în centru.
Aşa cum numărul de atomi în SCI este de numai doi şi aceasta structura nu are
ambalare compactă. Totalitatea atomilor în SCI sunt aranjaţi în lungul diagonalei
cubului. Fiecare atom în această structură este înconjurat de 8 atomi.
Structura cubică cu feţe centrate este destul de densa. Celula elementară
conţine patru atomi, care ocupă toate colţurile cubului şi centru fiecărei feţe.
Această structură are simetrie, care permite rotirea la 900 a fiecărei laturi a
cubului. Fiecare atom din acesta structura este înconjurat de 12 vecini. Atomii se
ating unul cu altul în lungul feţei pe diagonala.
Structura hexagonală compactă în cristale se întîlneste destul de des.
Aceasta structura se formeaza prin asezarea suprafetelor compacte în
consecutivitate (şir) simplă: doua suprafeţe compacte se ating uşor una cu alta,
aşa ca, fiecare atom a unei suprafeţe cade între trei atomi a suprafeţei vecine.
Fiecare atom in asa structura este inconjurat de 12 vecini apropiati.
Piramida tetragonală. Această structură are 6 atomi, iar în stratul doi de
coordonare se află 8 atomi, care sunt ecranaţi de 6 vecini apropiaţi. În natură se
găsesc structuri şi mai compacte, ca de exemplu diamantul.
Structura diamantului. Re’eaua diamantului are structura cubică.
În colţurile cubului de bază, având structura cu feţe centrate, sunt adaugaţi
atomi, care împart cubul de bază în 8 părţi egale. De aceea o parte din atomi se
aseaza în vârfuri şi centrele feţelor unui cub, iar alta – în vârfuri şi centrele feţei
altui cub. Prima sfera de coordonate a reţelei diamantului conţine 4 atomi,
distanţa dintre ei este de 3a / 4 . A doua sfera de coordonate se află la distanţa
a / 2 şi conţine 4 atomi. A treia sfera de coordonate conţine de asemenea 4 atomi,
care sunt asezaţi la distanţa 10a / 4 , şi în sfârşit sfera patru de coordonate se află
la distanţa de 13a / 4 şi are 4 atomi. În calculele energetice ale straturilor
cristaline esta necesar să se analizeze cristalul din diferite directii în spatiu. În
legatură cu aceasta în cristalografie se studiaza câteva metode descriere a
proprităţilor substanţei.
2.1.3. Proprietăţile geometrice generale ale structurilor simple
Cristalele formează atomi şi molecule aparte. Aşezarea lor în cristal se
determină în corespondenţă cu legile generale ale naturii: toate corpurile tind să
ocupe o energie potenţială minimă. Aşa cum energia interacţiunii – mărime
negativă, din legatura fiecarui atom cu toţi atomii apropiaţi după valoare absolută
tind la maxim. Particulele din imediata apropiere formează sfere de coordonare.
Atomii primei sfere de coordonare se află faţă de atomul urmărit la distanţa cea

28
mai mică. A doua sfera de coordonare se află de asemenea la distanţă mică, dar
puţin mai departe ca în prima sfera de coordonare. A treia sfera de coordonare se
formează din atomi din următoarea distanţă apropiată de faţa particula studiată.
Cantitatea atomilor în fiecare sferă de coordonare – este numărul de coordonare.
Distanţa minimă pentru prima sfera de coordonare se determină din ecuaţia
forţelor de atracţie şi respingere. Forţele de atracţie se determină din legatura
covalentă şi ionică, iar mai departe – interacţiunii dipol-dipol.
Forţele de respingere – sunt în principal forţe Culon, care iau naştere între
nucleele încarcate pozitiv ale atomilor sau moloculelor şi norii lor electronici
încărcaţi negativ. În rezultatul acţiunii reciproce a acestor forţe se formează
formele exterioare a cristalelor.
Distanţa între atomi în cristale poate fi determinată în 2 moduri: 1) după
mărimea densităţii substanţei, 2) după valoarea lungimii feţei nucleului
elementar. Distanţele calculate după valoarea densităţii substanţei între atomi în
cristale totdeauna sunt mai mici şi coincid rar cu distanţele dimensiunilor
geometrice ale celulei elementare.
Corpurile policristaline conţin regiuni de lipire a cristalelor independente,
care trebuie să crescă puţin distanţa dintre nuclee, care este rezultată din valoarea
densităţii substanţei. În realitate situaţia este inversă. De aceea pentru S.F.C.C.
deosebirile sunt mai mari decât la S.C.C.I. Se presupune că această deosebire se
afla în limitele erorilor de dimensiune. Dar în realitate nu este aşa. Erorile
dimensionale (măsurare) ale parametrilor reţelei constituie mai puţin de 1%, iar
la măsurările densităţii substanţei ele constituie mai puţin de 1%. Rezultă că în
corpurile solide există regiuni cu densitate mai mică şi mai mare a particulelor de
substanţa. Regiunile cu o densitate mai mare prezintă nişte structuri clusterice, iar
spaţiul dintre clausteri este umplut cu particule cu densitate de concentrare mică
sau în genere pot fi libere de particulele substanţei. O astfel de interpretare
schimba complet imaginaţiile noastre despre construcţia corpului solid la nivel
micro.
Dupa descoperirea radiaţiei Roentgen şi proprietăţilor de undă ale
microparticulelor în mişcare a fost posibilă evidenţierea structurii cristaline a
corpurilor solide.
2.1.4. Stările cristalolichide
În momentul de faţă sunt analizate diferite modele ale stării lichide:
modelul sferelor dure, modelul J. Barnal, teoria fisurilor I.I. Frenchel, modelul
volumului liber, modelul cvazipolicristalic, modelul cvazichimic şi modelul
cluster.
Mai acceptabil este modelul cvazichimic, care rezultă din următoarele
condiţii :
1. Ecuaţia mişcării oscilatorii şi de translaţie a particulelor stării lichide.
2. Un rol deosebit îl joacă forţele de atracţie dintre particule.

29
 3. Simetria câmpului de forţe al interacţiunii dintre particule se păstreză
numai în mediul apropiat.
4. Energia interacţiunii dintre particulele stării lichide a structurii chimice
diferite se deosebesc considerabil.
Mai amănunţit starea lichidocristalică va fi studiată în continuare. Starea
lichidocristalică se deosebeşte de corpul solid prin poziţia particulelor mobile a
lichidului raportat la sistemul de coordonate fix funcţie de timp şi spatiu, adică
densitatea particulelor în locul dat a spaţiului are caracter static.
Cum se comportă starea lichidocristalină în dependenţă de temperatură, a
fost cercetată pe aluminiu lichid. Pe masura ridicării temperaturii lichidului starea
lichidocristalică dispare treptat. La ridicarea temperaturii are loc o distrugere
radicală a legăturilor cu sferele de coordonare doi şi trei. Ordinul de apropiere
este conditionat de interacţiunea cu prima sfera de coordonare.
Distrugerea efectivă ordinului de apropiere trebuie să se petreacă la
temperaturi mult mai mari.
Astfel scurta analiză făcută asupra structurii diferitor cristale şi a stării
lichide în continuare va fi folosit ca bază la alcătuirea teoriei cuantice a
substantelor lichide şi solide.

2.2. Modelul cuantomecanic monopartic de formare a

mediilor condensate
Primul model cuanto-mecanic a corpurilor solide a fost dezvoltat de
Brilliuen, iar pe baza ei electronii în corpul solid se distribuie pe zone energetice
– zonele Brilliuen. În toate teoriile problema multielectronilor a fost direcţionată
către mişcarea unui electron în câmpul periodic în reţeaua cristalina şi a folosit
modelul cuanto-mecanic monopartic. Aceasta teorie a permis să se determine
trecerea corpurilor solide la dielectrici, semiconductori şi metale. Proprietăţile
electrice, magnetice, termice şi optice ale corpurilor solide au găsit o explicaţie
calitativă. În continuare se vor analiza stările diferitelor modele cuantomecanice
monopartice în domeniul descrierii prorietăţilor de bază ale corpurilor solide.
2.2.1 Analiza diferitor metode de calcul a potentialului de
interactiune si energia legaturilor
Corpul solid reprezintă un sistem multinuceleic şi multielectronic, în care
acţionează forţele electrostatice. Acest sistem poate fi descris cu ecuaţiile lui
Sroedingher, determinate pentru diferite particule. În cazul ideal se foloseşte
ecuaţia staţionară a lui Sroedingher. O rezolvare aproximativă se poate face prin
reducerea la modelul monopartic. Astfel, trecerea la cristale este formată în teoria
regiunilor corpurilor solide. La alcătuirea teoriei regiunilor se poate apela la două
căi: Prima cale prevede trecerea la un ansamblu mare de atomi izolaţi ai
corpurilor solide, deasemenea şi apropierea lor treptată. Al doilea rezolvă
problema legată de mişcarea electronilor în câmpul periodic al reţelei.

30
 Corespunzător primei metode, doi atomi identici (A şi B) la început se află
la o distanţa considerabilă şi practic nu reacţionează. Nivelele enrgetice ale
atomilor sunt identice. La apropierea lor, apare între ei o interacţiune, care creşte
repede cu micşorarea distanţei şi duce la dereglarea nivelelor şi la scindarea lor.
Fiecare nivel se va scinda în două subnivele, conform principiului lui Paulli,
adică în sistemul electronilor care interacţionează numai doi electroni cu spin
opus pot să deţină aceeaşi valoare a energiei. Interactiunea reciprocă a atomilor
influenţează în primul rând stratul exterior. În straturile interne, ea este mai slabă
şi nivelele disociază mai puţin, de aceea cu cât este mai mică distanţa între atomi,
cu atit este mai mare interacţiunea, şi corespunzător, este mai mare disocierea
nivelelor. Daca apropiem nu două, ci trei sau mai multe particule, atunci fiecare
nivel se divide în trei sau mai multe subnivele,.
În interiorul acestor gropi de potenţial se află nivelele energetice, pe care
sunt asezaţi electronii. Atomii sunt separaţi unul de altul de o barieră de potenţial
de grosime anumită şi înălţime diferită pentru diferiţi electroni de lungime egală
de la nivelul corespunzător pâna la nivelul energetic nul. Aceasta barieră
împiedică trecerea liberă a electronilor de la un atom la altul. Fiecare stare
stationară a elecronilor în atom se caracterizează printr-o distribuţie determinată
a sarcinii norilor electronici.
Pe măsura apropierii atomilor şi formarea reţelei cristaline interacţiunea
dintre atomi creşte şi câmpul electric al atomilor din vecinatate schimbă valoarea
energiei electronilor izolaţi şi duce la amestecarea nivelelor atomice, aşa cum se
are loc prin efectul Starc.
Interactiunea dintre atomi duce nu numai la amestecarea şi scindarea
nivelelor atomilor, dar şi la extinderea lor în zone. Acest efect deasemenea este
determinat de proprietatea de undă a electronilor şi este legat de micşorarea
localizării lor în cristal în comparaţie cu atomul izolat.
În cristal, electronii, prin efectul de tunel, pot să treacă de la atom la atom
prin bariera de potenţial, care desparte atomii. În reţeaua cristalină viteza
electronului păstrează o valoare medie, aşa cum de fiecare data se opreşte şi
primeşte o viteza la trecerea prin barierele de potenţial între ionii şi atomii din
reţea.
Proprietăţile electrice, optice, mecanice, termice si magnetice ale corpului
solid sunt condiţionate de electronii de valenţă. De aceea teoria zonelor, care
dezvoltă legile mişcării electronilor de valenţă în cristale, are un rol fundamental
în fizica corpurilor solide.
Teoria zonelor se reduce la următoarele ipoteze:
1. Cristalul este ideal periodic.
2. Mişcarea nucleelor se reduce numai la oscilaţii mici lânga poziţii de
echilibru nemodificate. Aceasta este aşa numita apropiere adiabatică. În
asemenea apropiere cristalul se divizează în nuclee de atomi, care sunt dispuşi în
nodurile reţelei cristaline.

31
 3. Interactiunea dintre atomi poate fi descrisă prin câmpul periodic
staţionar, format de particulele înconjurătoare ale cristalului. Ca rezultat se
formează un câmp oarecare, când interacţiunea electronului dat cu toţi ceilalţi
electroni şi nuclee se schimbă odată cu actiunea asupra lui a câmpului electric
staţionar.
Aceste cazuri joacă un rol deosebit în fizica corpurilor solide şi nu pot fi
cercetate în teoria zonelor.
În metoda a doua se foloseste modelul câmpului electric, formulata de :
1) Distribuirea momentană a ionilor şi atomilor în nodurile reţelei, care pot
fi considerate periodice raportate la orientarea din mişcarea termică.
2) Distribuirea continuă a sarcinii electrice corespunzător cu aranjarea
ionilor.
Ca rezultat, lanţul periodic real a gropilor de ponţial, aşezate în direcţii
determinate, se schimbă cu lanţul gropilor de potenţial cu o formă specială,
asezate unul faţă altul la aceeaşi distanţă, ca şi atomii din cristale. Această trecere
pentru prima dată a fost folosită de Zeitz şi Vigner.
În aceasta teorie funcţiile de undă se folosesc pentru electroni liberi. Luând
în calcul periodicitatea, s-a studiat numai o singură celulă de cristal, care
corespunde volumului unui singur atom în cristal şi reprezintă în sine prima zona
a lui Brilliuen pentru reţeaua inversă.
O coincidenţă bună a energiei de legatură a atomilor în cristal, din datele
experimentale, a fost obţinută pentru litiu şi natriu, dar pentru kaliu valorile din
calculul energiei de legatură rezultă de două ori mai mici ca valorile
experimentale. Modelul fizic a lui Vigner si Zeitz nu a luat in considerare :
- influenţa ionilor la mişcarea electronilor prin pereţii Vigner-Zeitz;
- rolul ionilor în procesul ciocnirii electronului cu pereţii celulei Vigner-
Zeitz;
- marimea aportului de ioni în procesul interactiunii ionilor cu electronii.
Ca şi în modelul Vigner-Zeitz, în modelele următoare de calculul energiei
de legătură a atomilor în cristal, au fost luate în considerare următoarele ipoteze:
1. Electronii la nivelul Fermi – sunt liberi.
2. În zona de valenţă sunt independenţi.
3. Timpul de relaxare în procesul de ciocnire nu depinde starea
electronilor.
Toate metodele de calcul a energiei de legătură a atomilor în interiorul
cristalului folosesc metoda celulelor lui Vigner-Zeitz. Potenţialul dat adesea ia în
considerare :
- potrenţialul Sili;
- potentialul Berudi şi Van der Zil;
- potentialul MT;
- Pseudopotenţialul.
Aproximarea funcţiiilor de undă s-au redus la următorele metode :
- metoda funcţiilor de undă ale particulelor în mişcare liberă

32
 - metoda undelor plane legate;
- metoda funcţiilor Green;
- metoda undelor plane ortogonalizate.
În toate metodele se foloseşte aproximarea electronilor liberi. Într-o
singură celulă elementară, corespunzător principiului Pauli, sunt prezenţi doi
electroni, care interacţionează unul cu altul.
2.2.2 Starea modelelor fizice de topire şi fierbere
În procesul de topire şi fierbere nu apare nici o problemă legată de
înţelegerea fenomenului. Aceste procese la nivelul macro sunt bine determinate
de analiza transformării termodinamice a diferitelor stări de agregare a
substanţei. Aşa că, topirea se determină ca o transformare a corpului solid în stare
lichidă, petrecută cu absorbire de energie. Aceasta este aşa numita transformare
de ordin unu, care se realizează pentru fiecare substanta la temperatura
deteminata – temperatura de topire. Dependenţa temperaturii de topire de
presiune se determina cu ecuatia Clapeiro-Clausius.
Topirea se manifestă odată cu schimbarea impulsiva a energiei interne.
Aceasta se petrece ca rezultat al ruperii reţelei cristaline. După transformarea
termodinamică a unui fenomen sau altul se analizează numai aspectele lor
energetice nu şi însăşi natura fizica de formare a acestui fenomen. Iată de ce
apare necesitatea descrierii unui model fizic mai exact de topire, care ar permite
să se determine energia de legatură, temperatura de topire, procesul de distrugere
a reţelei cristaline la topire şi să se descrie corect energia căldurii ascunse de
topire.
Fierberea este procesul de transformare a lichidului în vapori în interiorul
lichidului şi prezintă o transformare fazică de ordinul unu, care, de asemenea
poate fi descris cu ecuatia lui Clapeiron-Clausius.
Procesul de fierbere începe în momentul, când presiunea de saturaţie a
aburului deasupra lichidului este egal cu presiunea externă. Dacă presiunea
aburului în urma vaporizării la suprafaţa lichidului este mai mică decât presiunea
de saturaţie a aburului la o presiune externă dată, atunci evacuarea căldurii se
compensează cu procesul vaporizării de pe suprafaţa externă a lichidului. Din
perspectiva teoriei cuanto-moleculare o determinare mai exactă a procesului de
vaporizare presupune o presiunea egală a aburului deasupra secţiunii libere a
lichidului cu presiunea externă, evacuarea căldurii de pe suprafaţa liberă a
lichidului încetează. Începe să se formeza un strat încalzit în apropierea
suprafeţei vasului, prin care se evacuează caldura. Procesul formării aburilor are
loc în interiorul lichidului. Se formează bule de vapori, dimensiunile cărora se
determină cu forţele de tensiune de suprafaţă şi marimea căldurii de aport.
În final temperatura de fierbere se determină cu valoarea energiei de
legatură între particule din interiorul lichidului. Iată de ce este necesar să se ştie
nu numai energia de legatură, dar şi dependenţa ei de temperatură şi să se

33
primească aceste date de poziţii singulare. Proprietăţile de emisie ale corpurilor
solide şi lichide se determină cu lucrul de ieşire.

2.3 Modelul cuantomecanic bipartic a nanomaterialelor

Modelul cuantomecanic monopartic în conformitate cu potenţialul
aplicabil corpurilor solide, permite să primim imaginea energetică de distribuire a
electronului de valenţă în prima zonă a lui Briliuen. Prima zona este cea mai
adâncă şi de aceea nivelul Fermi, corespunzător cu modelul considerat, trebuie să
se afle mai jos de starea de bază a atomului neutru.
În urma acesteia apar un şir de contradicţii :
1. Lucrul de ieşire al electronului din corpul solid trebuie să aibă valoarea
cel puţin egală cu energia de ionizare a atomilor neutri a sustanţei date; pentru
majoritatea substanţelor lucrul de ieşire al electronilor este mult mai jos decât
energia de ionizare.
2. La determinarea energiei de legatură a particulelor în corpurile solide
este neapărat nevoie de rezolvat problema binară a interacţiunii cu multe
particule din mediul apropiat. În cazul acesta ajungem să folosim funcţiile de
undă, considerate la rezolvarea problemei monopartice cu potenţial dat. Dar în
calculul energiei de legatură este neapărat să luăm în considerare interacţiunea cu
toate particulele apropiate.
3. Dependenţa de temperatură a energiei de legatură rămâne în
considerentelor noastre. Este de ajuns ca să se renunţe la modelul monopartic
cuanto-mecanic de descriere a corpului solid şi lichidului. Vom studia trecerea
simpla la rezolvarea problemei multipartice a corpului solid , cât şi în lichide şi
folosirea intercţiunii binare şi prin acest calcul şi a deformării norului electronic
în procesul interacţiunii binare şi de asemenea structura stării condensate la
calculul numărului particulelor în mediul apropiat şi la interacţiunea lor
reciprocă.
2.3.1 Principiile de bază pentru formarea energiei legăturilor
în mediile condensate
În baza modelului fizic propus pentru corpurile solide şi lichide au fost
puse următoarele principii :
1. Interacţiunea particulelor în corpul solid se determină cu interacţiunea
binară a celor trei stări de condensare aproximative cu calculul structurii
cristalului. Restul structurilor se neglijează. Potenţialul interacţiunii binare
introdus de Berudi şi Van der Zil este schimbat cu potenţialul interacţiunii
introdus de Sili.
2. Probabilitatea distribuţiei electronilor de valenţă se determină după
energiile din interiorul metalului, în legătură cu lărgirea stării de bază şi a tuturor
stărilor de agitare ale atomilor neutri şi care formează structura cristalină cu
calculul numărului de nivele în starea energetica dată. Probabilitatea participării
stării agitate în formarea zonei Briliuen se determină cu mărimea închiderii sau

34
lărgirii lor, ca stare de bază, şi la nivelele excitate. Nivelul Fermi se determină nu
de la adâncimea zonei de trecere , ci de la valoarea nulă a energiei.
3. În fiecare interacţiune binară s-au luat în considerare legăturile
covalente:
• ale electronilor de valenţă de ordinul I de ionizare;
• ale electronilor de ordinul II de ionizare cu electronii de valenţă de
ordinul I de ionizare, a electronilor de ordinul III de ionizare cu ordinul I şi II de
ionizare;
• ale electronilor de ordinul II şi III de ionizare unul cu altul.
4. În starea condensată, interacţiunea reciprocă a particulelor, în procesul
interacţiunii binare se determină cu coeficientul de observare.
5. Partea legăturii ionice pentru particulele atomice se determină după
timpul de aflare a electronului de valenţă în apropierea fiecărui atom, în
interacţiune binară cu calculul interacţiunilor, iar pentru particulele moleculare,
care detin contin momentul electric dipol – dupa metoda C. Coulson.
6. În interacţiunea binară se iau iîn considerare toate legăturile energetice
posibile, care se prezintă în formă de şir :
2.3.2 Clusterul metalului pur
Modelul cluster al stării condensate este bine determinat în lucrările de
specialitate.
Interacţiunea cu prima sferă coordonativă formează clusterul cu o
condensare mult mai bună (densă) şi cu o energie de legatură mult mai mare.
Acesta este un cluster elementar care conţine şapte atomi în cazul unei structuri
simple cubice, nouă atomi în cazul structurii volumului centrate şi treisprezece
atomi în cazul stucturii centrate periferic.
Clusterul principal interacţionând cu atomii liberi în volumul intern al
clusterului poate să-şi crească mărimea.
Energia de legatura a atomului liber cu clusterul se determină cu o
legatură covalentă şi datorită energiei fizice determinată de electronii celei de-a
doua şii ultimei ionizări.
La temperaturi scăzute, atomii liberi în volumul intern al clusterului
lipsesc. Interactiunea intercluster foloseşte structura dată şi atunci fiecare atom
posedă o energie de legătură care este determinată de legatură covalentă a
tuturor atomilor celor trei sfere coordonative, cu coeficienţii corespunzători. În
acest caz, toate substanţele inclusiv metalele, au cristale covalente. Se
formează o îngheţare cu o condensare puternică a clusterului, când limita
dintre clustere dispare şi lipseşte dintre ei spaţiul liber.
Ruperea legăturii cu cea de-a treia sfera coordonativă duce la faptul că
cristalul covalent începe să se destrame în clustere separate. În cristale se
formeaza goluri interclustice care se completează cu atomii liberi.

35
 Odată cu descompunerea cristalului la temperaturi mici pe clusterele
individuale energia legăturii dintre a II-a şi a III-a sferă coordonativă se
schimba esenţial, însă repartizarea părţilor în structură rămâne neschimbată.
2.3.3 Cristale ionice
Cristalele ionice, de obicei sunt formate din molecule înzestrate cu o mare
putere energetică de formare a momentelor binare, în general sunt molecule
biatomice la care unul din atomi posedă o anumită atracţie de electron şi rezultă o
electronegativitate maximă. Ionul de cristal tipic este clorura de natriu (NaCl).
Partea legăturii ionice pentru aceasta molecula alcatuieste 66,5%. Distanţa dintre
nuclee în molecula NaCl este 2.361 Α o .
Prezintă interes dinamică formării cristalelor semiconductoare cu model
cuantic dublu. Pentru aceste cristale este caracteristic apariţia zonelor interzise în
spectrul electronilor de valenţă.

2.4 Nanotehnologia de obţinere a metaloceramicii

Materialele metaloceramice se folosesc în diferite domenii: construcţii
de aeronave, motoare, în medicină şi alte domenii. O mare importanţă are
ceramica pe baza de Ti. Tipic reprezentativ pentru ceramică, reprezintă topirea
pe bază de ( Ti -2%), aluminiu titan (Ti - β % Al) şi deasemenea topirea triplă
de forma (Ti- α % C şi β % Al).
Tehnologia de obţinere a astfel de substanţe metaloceramice la
nanonivele este grea şi complicată. Este condiţionată de faptul că tehnologia de
obţinere nu are în baza sa un model fizico-chimic de formare a materialelor
metaloceramice la nanonivele. La fabricarea acestor materiale nu se obţin
rezultate bine determinate. Această tehnologie este extrem de costisitoare şi ca
atare limiteză utilizarea acestor materiale pe o scară mai largă.
Pentru obtinerea aliajelor triple de titan e necesar de a aplica metalurgia
granulară. Proporţia optimă a greutăţii compoziţiei este Ti-0,35%, C-6,44% şi
Al. Temperatura încălzirii compoziţiei amestecului trebuie să fie mai mare decât
temperatura de topire a aluminiului, dar să nu întreacă temperatura de topire a
Ti, adica trebuie sa fie o medie între aceste două temperaturi şi anume 1300-
1400 K. La presiunea 200 MP are loc un şoc triplu de temperatură, cu încalzire
la 1100 K. S-a dovedit experimental că scăderea temperaturii trebuie să dureze
pâna la 1 oră în aer atmosferic. Cu acest procedeu de încălzire şi răcire straturile
superioare vor fi saturate cu atomi de oxigen şi azot, şi care trebuie să umple
golurile intercluster de domensiuni mici din titan, odată cu formarea catalitică a
moleculelor TiO şi TiN. Aceasta va duce la o evidentă îmbunătăţire a
proprietăţilor mecanice ale acestui material metaloceramic. Astfel că straturile
superioare vor umple toate golurile fisurale şi sferice de mici dimensiuni.

36
 2.5 Proprietăţile mecanice ale nanomaterialelor
Mecanica solidului rigid deformabil, se studiază în momentul actual la
nivel micro, mezo şi macro. Mult timp, deformarea solidului rigid se studia prin
metoda determinarii cantitative a proprietăţilor de deformare la nivel micro, cu
trecerea la nivel macro, prin introducerea caracteristicilor integrale ale
comportării solidului rigid în condiţiile diferitor influenţe mecanice, trecând
pragul interfazal spre formarea nanoparticulelor sub forma de clustere cu
compozitia lor interioară şi influenţa intercluster. Acest gol l-a umplut
mezomecanica.
Rezultatele obţinute la acest nivel de studiere a proprietăţilor solidelor
rigide, a permis cunoaşterea dinamicii solidului rigid deformabil şi în special a
proprietăţilor plastice ale diferitelor materiale compozite.
Însă în mezomecanica nu studiază mecanica formării particulelor relativ
mari la nivel micro şi interacţiunea lor la nivel mezo.
În continuare se studiază această problemă din perspectiva modelului
parţial cuantomecanic al deformării solidului rigid, aplicabil la proprietăţile
mecanice ale materialelor.
Solicitările mecanice asupra solidului rigid sunt: compresiunea, răsucirea,
încovoierea. Proprietăţile electrice, magnetice şi altele vor fi studiate aparte.
Construcţia de maşini din secolul XXI pune mari probleme şi noi cerinţe
în faţa diferitelor materialelor. Materialele trebuie să lucreze în condiţii
deosebite: să reziste la temperaturi joase şi înalte, stări de tensiune prelungite, să
aibă rigiditate înaltă şi oboseală joasă. Cu toate acestea, caracteristicile masice
trebuie să fie minime. Pentru a asigura astfel de proprietăţi, este necesar să se
formuleze clar modelul fizic a reacţionii solidului rigid la diferite solicitări
mecanice având în vedere ultimele descoperiri în acest domeniu.
În momentul actual s-au propus următoarele modele de teorii asupra
solidului rigid: 1. Teoria inelară a lui Frenkel; 2. Modelul volumului liber; 3.
Teoria sibotaxis; 4. Modelul cvasichimic; 5. Modelul clusterial.
În toate aceste modele, s-a revăzut interacţiunea binară cu aplicarea
potenţialului Lenard-Jones şi modelului cuantomecanic monoparticular. La
prima vedere se părea că folosirea pseudopotentialului evident în modelul
monoparticular în locul potenţialului Lenard-Jones este de perspectivă. Însă,
toate modelele studiate sunt semiempirice. Fiecare model explică mulţumitor
doar unele proprietăţi ale solidului rigid, iar calculele teoretice pentru un model
sau altul au condus la diferenţe faţă datele experimentale cu cel puţin un ordin
de mărime. Materialul experimental foarte bogat obţinut în domeniul mecanicii
corpului rigid, a permis aprofundarea mecanicii diferitelor materiale constructiv
pentru diferite solicitări mecanice.
De exemplu: obţinerea diagramei tensiune-deformaţie (σ-ε) la întindere a
permis determinarea precisă în domeniul deformaţiilor rigide şi plastice, de a
determina pentru tip de materiale limita rigidităţii şi limita de curgere.

37
 Limitele deformaţiilor elastice depind de temperatură. Cu creşterea
temperaturii deformaţiei elastice scade spre zero.
În conditii dinamice ale încărcării apare deformarea neuniformă.
Deformarea intirzie, adică creşterea deformaţiei începe nu imediat ci peste un
timp oarecare dupa începutul încărcării.
Pentru un rind de materiale compozite, astfel de aliaj este Cu- 12%Al-
4,5%Mn si nichelat de Ti, are loc efectul retinerii formei. Astfel de materiale la
comprimare-intindere în conditii izotermice de încărcare au proprietatea de
histerezis.
Deformarea plastică a corpului solid policristalin este însoţită de o
reformare structurală când se petrece transformarea din policristalin în
monocristalin. Această proprietate a corpului solid a fost observată în etapa de
început a folosirii razelor Roentgen pentru analiza corpului solid.
În articolul său Panin V.E evidenţiază foarte clar mezomecanica, ca bază
pentru studierea proprietăţilor mecanice ale corpului solid. Prima curbă
"încărcare-deformare" poate fi definită prin trei etape ale curbei deformării şi
anume:
I. câmpul liniar, descris de legea lui Hook;
II. dependenţa neliniara reversibila, care de asemenea poate fi descrisă de
Legea lui Hook, însa folosind modelul lui Young;
III. câmpul de trecere de la dependenta reversibila la ireversibila.
Primele două nivele ale dezvoltării deformării pot fi înţelese destul de
convingător. Al treilea nivel este determinat ca un mezonivel. La mezonivelul-1
se formează structuri disipative în structura iniţială a modelului şi la
mezonivelul 2 apar distribuiri stochastatice mezopolos şi are loc fragmentarea
modelului. Trebuie să presupunem ca mezonivelul-1 iîncepe să se formeze pe o
porţiune nelineară reversibilă dependenţei tensiune-deformare, şi mezonivelul 2
în zona de curgere a modelului. La macronivel apare formarea "gâtului"
modelului cu pierderea globală a rezistenţei lui ca un întreg. Toate acestea apar
ca macrolinii localizate. La dilatarea modelului apare formarea "gâtului" exact la
mijloc. Caracterul reacţiunii se transmite cu o anumită viteză prin corpul solid
de la fiecare zonă a solicitării modelului şi aceste reacţiuni se întâlnesc cu
exactitate la mijlocul modelului, se amplifică unul pe altul şi ca rezultat în aceste
locuri apare o distrugere puternică.
Ce genuri de interacţiuni determină viteza distribuirii reactiunii în corpul
solid poate fi înteles doar la micronivele. Toate materialele constructive conţin
un număr mare de defecte de diferite provenienţe şi diferite mărimi. Distributia
acestor defecte pe volumul corpului este ceva aleator. Aleatoare pot fi şi
acţiunile exterioare. Acest fapt a condus la descrierea problemei distrugerii
folosind metoda statistică. Datele experimentale la diferite încercări de modele
din acelaşi material confirmă natura statistica a distrugerii.
Scurta analiza efectuată a proprietăţilor mecanice iniţiale ale corpurilor
solide ne permit să punem problema foarte precis: trebuie să obţinem explicarea

38
fizico-matematică a tuturor proprietăţilor la micronivel. O astfel de explicare
este necesară pentru modelarea la calculator a proprietăţilor fizico-mecanice prin
metoda analizei rezultate la micro-, mezo- si macronivele. Modelul
monomolecular cuantomecanic nu a permis efectuarea acestei analize pe deplin.
De aceea astfel de probleme se pot rezolva la un nivel nou prin aplicarea
modelului bimolecular cuantomecanic.

2.6 Proprietăţile mecanice ale materialelor compozite

Toate materialele constructive sunt compozite. Proprietăţile mecanice ale
acestor materiale sunt foarte apreciate. Ele diferă prin duritate înaltă, plasticitate
mare, rezistenţă la oboseală mică şi unele dintre ele au o proprietate interesanta-
efectul memoriei formei. Materialele compozite sunt de trei tipuri: amorfe, de
amestec si eutectice. Materialele compozite amorfe prezinta o împărţire haotică
ale structurilor clusterale de tip reţea, ale substanţelor una faţă de alta.
Interacţiunea dintre aceste structuri cluster are loc doar printr-o legatură
covalentă. Prin încălzirea materialului compozit, energia se pierde doar pentru
excitarea armonicilor şi ruperea legăturilor dintre clusterele diferite, energia
practic nu se foloseste. Amestecurile materialelor compozite prezintă în sine un
sistem independent al structurilor cluster de tip reţea, care sunt introduse unul în
altul şi interacţiunea dintre ele are loc din legatura covalentă dintre clusterii
diferitor substanţe şi interacţiunii dintre atomii suprafeţelor de contact a
diferitelor clusteri. Un reprezentant clar al unui astfel de material este TiNi. În
urma interactiunii diferitor structuri cluster apare şi deformarea lor. În nichelatul
de titan structura reţelei cluster a nichelului se deformeaza puternic şi aceasta
deformaţie la rândul său are o influenţă asupra structurii reţelei titanului.
Materialele compozite eutectice - au structura cristalină unică, se
formează din clustere, care sunt compuse din atomii diferitor substanţe, care
formeaza o structură cristalină generală a clusterelor cu o legatură covalentă şi
de schimbare energetică. Proprietăţile mecanice ale materialelor constructive
compozite ca de exemplu TiNi. Nichelatul de titan este compus din domenii
structurale, care au o orienatre cristalografică diferită. Fiecare domeniu este
dublat pe interior. Ca rezultat la "încărcarea-deformarea" aliajului TiNi se
realizeaza două limite de curgere, două portiuni dure şi două etape de deformare
nedură.

2.7 Propagarea sunetului în corpurile solide şi lichide

În procesul deformării corpului solid are loc mişcarea triplă a
mezovolumului pe schema "mişcare - întoarcere". Din punct de vedere al
construcţiei cristalului clusterului aceasta apropiere trebuie înţeleasă şi explicată
prin faptul că la clusterii structurii de tip reţea sunt introduşi unul în altul cu
generalizarea atomilor sferei a treia coordinative, care intră în calitate de verigă
de legatură, lipirea clusterilor având loc pe planele formate de atomii sferei

39
coordinative unu şi doi. Deplasarea clusterilor unu faţă de altul nu are loc
imediat, fapt care duce la schimbarea clusterilor la limita lipirii lor. Pornind de
la tabloul deformării spaţiale a reţelei cristaline, să revedem cazul general când
forţa aplicată la planul reţelei de clustere este îndreptată sub un unghi oarecare,
în direcţia axei OZ. Partea de jos a forţei aplicate se comprimă, şi partea de sus
se extinde. Ca rezultat forţa aplicată se împarte neuniform pe toate cele trei
coordonate. Apariţia forţelor pe axele OX şi OY are importanţă diferită, şi acest
fapt duce la rotirea cristalului deformat pe elipsa. În cazul forţei aplicate normal
pe planul reţelei de clustere rotirea va avea loc pe circumferinţă.
Dacă perturbarea reţelei cristaline este formată de acţiunea forţei periodice
a frecvenţei sonore, atunci prin cristal trebuie să se propage unde sonore. Cu
toate acestea sunetul se va propaga pe toate direcţii ale cele trei axe de
coordonate, însă cu viteza diferită. De-a lungul unei axei vor aparea oscilaţii
longitudionale, şi de-a lungul celorlalte axe apar oscilaţii transversale. Oscilaţiile
transversale se determină prin deformarea mişcării de deplasare. Proprietăţile
elastice ale mişcării de deplasare sunt diminuate la deformarea de comprimare şi
întindere. De aceea viteza oscilaţiilor transversale trebuie să fie mai mică decât
viteza propagării oscilaţiilor transversale. Pentru explicaţia acestei afirmaţii
există teoria lui Newton care descrie propagarea sunetului în corpurile solide,
mai precis a undelor longitudinale.
Viteza propagării undelor transversale este tot timpul mai mică decât
viteza propagării undelor longitudinale în corpuri solide. Este cunoscut că în
timp proprietăţile mecanice ale materialelor constructive se schimbă într-un mod
substanţial.

2.8 Proprietatile termice ale nanomaterialelor

Proprietatile termice ale corpurilor solide sunt în primul rând, dependenţa
legăturilor energetice de temperatură, capacitatea termică, conductibilitatea
termică, dilatarea termică, transformările fazice. Modelul cuanto-mecanic
permite obţinerea valorii energiei legăturilor atomilor în materialele solide
independent de variaţia temperaturilor. Acesta este singurul neajuns principial.
Dependenţa legăturilor energetice de temperatura este foarte importantă, încât
apare necesitatea analizarii mai detaliate a proprietăţilor fizice. Variaţia
temperaturii favorizează apariţia transformărilor fazice de primul şi al doilea
ordin. Din punct de vedere termodinamic pe baza ecuatiei lui Clapeiron-Clauss
transformările fazice pot fi explicate foarte uşor.
Dacă se cunosc parametri termodinamici iniţiali ai transformării fazice,
atunci se poate obţine soluţia ecuaţei. Pînă în acest moment astfel de abordare
satisfăcea practica şi nu era nevoie de analiza mai detaliată a transformărilor de
primul şi al doilea ordin. În prezent se cercetează modul de comportare a
sistemelor condensate în condiţii extremale. Ca exemple putem enumera,
arderea combustibilului în camera de ardere, arderea suprafeţei termoizolante,
comportarea materialelor în spaţiul cosmic etc. Apare necesitatea analizării

40
transofrmărilor fazice, ţinind cont de variaţia curgerii diferitelor structuri.
Trecerile fazice în materiale compozite şi în procesul măririi rezistenţei
materialelor constructive sunt foarte puţin studiate. În toate cazurile mai sus
mentionate folosirea ecuaţiei Clapeiron-Clauss pentru descrierea transformărilor
fazice nu mai este suficientă. Este necesar determinarea unei alte proceduri de
descriere a transformarilor fazice de primul şi al doilea ordin ţinând cont de
toate interacţiunile din interiorul mediului de condensare, între particule şi
molecule separate.
Dilatarea corpurilor solide (liniară şi volumică) odată cu creşterea
temperaturii - este un fapt experimental demonstrat. Cu toate acestea
coeficientul dilatării liniare într-un interval de temperatura dat este o valoare
cunoscută constantă. S-a determinat că dilatarea termică este determinată de
existenţa părţii nearmonice în procesul interacţiunii. O asemenea tratare nu este
criticabilă, deoarece în banda temperaturilor mici, membrul nearmonic nu este
esential. Dilatarea termică pentru unele materiale depinde de temperatură mai
mult decât alţi parametri.
Ecuaţia conductibilităţii termice obţinută de Fourier pe cale empirică, a
devenit de bază în termodinamica neliniară. Rezolvarea acestei ecuaţii prin
cunoaşterea coeficienţilor termici permite la nivel macro transpunerea corectă a
datelor obţinute experimental. Apare necesitatea cunoaşterii nu doar a
rezultatului final a arderii materiei, dar si cum decurge întregul proces de ardere.
Aceasta este foarte important pentru determinarea optimă a proceselor termice
tehnologice. De aceea apare necesitatea analizării procesului conductibilităţii
termice la nivel micro ţinând cont de viteza de propagare a undei de caldură şi a
dinamicii transmiterii ei în dependenţă de cantitatea de căldură sub influenţa
sursei externe. Pe baza acestei abordări obţinem, modul de propagare a căldurii
în corpuri solide în condiţii neproporţionale.
2.8.1. Fazele transformării în corpuri solide
În cazul general energia legăturilor se determină prin interacţiunea binară
a: atomilor din interiorul moleculelor; atomilor de pe orbitele de ordin doi;
atomilor sferei de ordinul trei;
Se cheltuieşte mai multă energia pentru ruperea legăturii, decât pentru
formarea altor noi.
Vom trata transformarea fazică de gradul întâi- topirea- din postura
construcţiei clusterului corpului solid.
1. Transformarea fazică de gradul intii – topirea
La trecerea în stare lichidă reaşezarea elementelor materiei tinde să
construiască o structură cu o compacticitate maximă. În corespondenţă cu
energia potentiala minima în ordinul apropiat apare o compacticitate maximă cu
o structura cubică, în care sunt rupte legăturile cu a doua şi a treia sfera de

41
coordonare. Se formeaza molecule cu 13 atomi, 6 atomi într-un singur plan şi
cite 3 atomi deasupra şi dedesubt ţinind cont de atomul principal.
Transformarea neîncetata a moleculelor formeaza starea lichidă.
2. Evaporarea de la suprafaţa mediilor de condensare
Fenomenul de evaporare se tratează în general pentru lichide, dar pentru
corpurile solide, elemente din materie părăsesc suprafaţa, ocolid starea lichidă.
Din acest motiv acest fenomen pentru corpurile solide a primit denumirea de
sublimaţie. Atât în primul cât şi în al doilea caz elementele părăsind suprafaţa
trec peste bariera de potenţial. Fluxul elementelor ce se evaporează depind de
temperatura suprafeţei şi de energia de legatură a elementelor în interiorul
lichidului sau corpului solid.
Fluxul total al aburului apei determină procesul condensaţiei. Se ia în
calcul că elementele aburului se lovesc de suprafaţa lichidului sub unghiuri
diferite,
Dacă temperatura suprafeţei lichidului este egală cu cea a gazului
înconjurător atunci fluxul aburului condensat la suprafaţa lichidului depăşeşte
fluxul de evaporare. Pentru a asigura echilibrul dinamic în aceste condiţii este
necesar să presupunem că presiunea aburului la suprafaţa lichidului este mai
mică decât în mediul înconjurător, sau temperatura suprafeţei lichidului este mai
mare decât a întregii mase a lichidului, aflându-se în echilibru termodinamic cu
mediul înconjurător. Prima ipoteza nu o putem considera, deoarece în acest caz
presiunea aburului la o distanţă suficientă de suprafaţa lichidului trebuie în
continuu să se micşoreze în urma condensării continue, ceea ce este imposibil în
conditiile reale. A doua ipoteza tot nu ne satisface deoarece, în condiţii reale
după normala la suprafaţa lichidului gradienţii de temperatură lipsesc. De aceea
trebuie presupus, ca la ciocnirea moleculelor izolate din abur cu suprafaţa
lichidului se produce ciocnirea cu clusterii. Acestea sunt elemente destul de
mari, de aceea o parte din moleculele aburului care cad sub o incidenţă mai mare
se vor reflecta de la suprafaţa lichidului.
Coeficientul de evaporare reprezintă probabilitatea ca elementul de abur
ales să deţină energie cinetică, care să fie mai mare decât energia liberă la
suprafeţei lichidului, ce revine unei molecule, care cade pe suprafata lichidului
sub un anumit unghi şi cu anumită probabilitate şi care transmite energia sa
clusterului, dar şi cvasielementelor, dispuse la suprafaţa lichidului.
Dacă în mediul înconjurător presiunea parţială a aburului lichidului
studiat, tinde la zero, atunci asemenea proces trebuie analizat ca evaporare în
vid. Se evaporă cu precădere elementele de lichid, care se află în interiorul
golurilor dintre clusteri. Acestea pot fi atomi separaţi, molecule separate sau
chiar clusteri de dimeniuni mici, infiltraţi în reţeaua structurală a materialului de
baza. Bariera potenţială pentru asemenea elemente se determină din energia
legăturii interacţiunii reciproce din interiorul golurilor dintre clusteri. Deci
evaporarea intensivă de la suprafaţa corpurilor lichide şi solide în vid duce la

42
micşorarea bruscă a energiei legăturilor interacţiunii dintre clusteri în straturile
superioare. Corpurile solide vor incepe să se sfărâme, iar cele lichide să fiarbă.
Acest fenomen prezintă pericolul principal pentru aparatele de zbor, care
efectuează zboruri lungi în cosmos. De aceea pentru aceste aparate trebuie
folosit ca material constructiv în special ceramică, şi care nu are în golurile
cilindrice dintre clusteri elemente libere.
Importantă este analizarea procesului de fierbere din punct de vedere al
teoriei cuantice a corpurilor solide şi lichide cu obţinerea structurilor clusterilor.
3. Procesul de fierbere in medii de condensare
La temperaturi mai mari decât temperatura de topire toate corpurile trec în
starea lichidă. Pe măsura evaporării atomilor, moleculelor din volumul dintre
clusteri în mediul înconjurator energia legăturilor inter – clusteri slăbeşte.
Spaţiile dintre clusteri se măresc, difuzia de elemente libere creşte la suprafaţa
lichidului pâna când nu se vor egala fluxurile de evaporare şi condensare. În
procesul evaporării intensive de la suprafaţa lichidului apare răcirea lichidului.
Ca acest lucru să nu se întâmple este necesar să aducem lichidului căldură
suplimentară. În cazul unei încălziri slabe a lichidului, procesul de evaporare
compensează acest lucru şi începe până la final echilibrul dinamic între căldura
primită şi cea pierdută prin evaporare, odată cu elementele evaporate. Pe măsura
măririi căldurii aduse lichidului, se realizează trecerea până când, în stare
gazoasă, pe suprafaţa de lichid nu va începe condensarea totală. Aceasta se va
întâmpla atunci când presiunea parţială a aburului asupra lichidului va fi egală
cu presiunea mediului înconjurător.
Pe măsura măririi temperaturii, evaporarea de la suprafaţa lichidului nu
mai poate să compenseze căldura primită, ce conţine şi căldura elementelor ce se
evapora. Se petrece un proces intensiv de evaporare în golurile dintre clusteri în
interiorul lichidului, şi aceasta duce la apariţia bulelor de gaz din interiorul
lichidului. Bulele de gaz ies la suprafaţa lichidului. Când bulele ajung la
suprafaţa lichidului, se formează o peliculă semisferică de lichid, care
explodează şi se fragmentează în picături mici lichide, formând “ceaţa”.
Picăturile lichide constituie nu mai mult de 5% din masei totale pierdute.
Dimensiunea bulei de gaz se găseşte din ecuaţia lui Laplace.
Astfel la temperatura fierberii, concentraţia aburului deasupra lichidului
este determinată de valoarea presiunii externe şi a temperaturii de fierbere.
Odată cu atingerea temperaturii de fierbere a fluxul aburului în lichid
(condensarea) este egală cu fluxul elementelor evaporate. Degajarea de caldură
ca urmare a evaporării se opreşte, şi atunci începe evaporarea în interiorul
lichidului, iar caldura adusă se degajă în urma procesului hidro-dinamic de
ridicare al aburului şi la spargerea bulelor la suprafaţa lichidului.

43
 2.8.2 Dilatarea termica a corpurilor solide.
La creşterea temperaturii, atomii, moleculele în corpurile solide execută
vibraţii. Amplitudinea vibraţiilor este limitată de structura cristalului şi,
corespunzător a potenţialului interacţiunii. În intervalul deformaţiilor liniare
potenţialul interacţiunilor se determină sub forma dependenţei parabolice.
Distanţa medie dintre elemente în corpurile solide creşte odată cu
creşterea temperaturii doar pentru vibraţiile transversale, care apar perpendicular
faţă de vectorul de legatur al două elemente. Vibraţiile perpendiculare nu duc la
modificarea distanţei medii dintre elemente în cristal.
La temperatura de topire, când cristalul trece total în stare lichidă, toate
legăturile binare cu a doua sferă de coordonare sunt rupte. În acest caz energia
legăturii bazată doar pe interacţiunea cu prima sfera de coordonare. La încălzirea
cristalului până la temperatura de topire nu toate legăturile binare cu a doua
sfera de coordonare sunt rupte.
O astfel de abordare este justificată doar în cazul când poziţia nivelului
Fermi şi a încărcării efective a nucleului elementelor ce interacţionează nu se
schimbă. De asemenea se cunoaşte la ce temperatură se realizează distanţa de
echilibru dintre nucleele cristalului dat. În realitate aceşti parametri variază. În
prima aproximare aceste variaţii pot fi controlate.
2.8.3 Dilatarea termică a materialelor compozite
Multe metele se folosesc în construcţie doar în combinaţie cu alte
elemente. De exemplu, fierul se aliază cu nichelul, aluminiul-cupru
(duraluminiu), cupru-aluminiu sau săruri. Pentru asemenea materiale compozite
este important de ştiut coeficientul liniar de dilatare deoarece ele se folosesc pe
scara largă în construcţia de maşini în calitate de materiale de construcţie. Vom
analiza un caz concret când fierul se aliază cu nichel. Deci, invarul
(Fe+36,1%Ni) deţine un coeficient mic de dilatare liniaă (0,9 10-6 grad -1) în
condiţii normale, pe când fierul pur are coeficientul de dilatere liniară 12,3 10-6
grad-1 şi nichelul 12,8 10-6 grad-1. De ce se întâmplă acest lucru nu este clar.
Vom analiza mai detaliat interacţiunea atomilor de fier cu nichel în
condiţiile în care aceşti atomi pot forma o legatură comună. Dacă presupunem
că fierul interactionând cu nichelul formează un cluster al structurii centrată
volumic atunci în această energie a legăturii interacţiunii elementelor în
interiorul clusterului şi între clusteri.
După răcirea amestecului fierului cu nichel care se afla în stare normală,
la început se va forma un cluster principal aşa cum legatura binară a atomilor de
fier cu atomii de nichel este maximă. Clusterul principal trebuie saturat de
atomii de fier din a doua şi a treia sferă de coordonare. În condiţii normale acest
cluster conţine 11 atomi de fier şi 8 atomi de nichel. În amestec, în unităţi de
greutate Ni reprezintă 44,26% şi Fe 11,7%. Dacă ţinem cont că pe clusterul
principal se poate absorbi fierul, făcând al patrulea, al cincilea şi al şaselea strat

44
de coordonate. Raportul se va micşora pentru nichel şi va creşte pentru fier.
Raportul de bază în amestec este de 36,1% Ni şi 63,9% Fe.
Pentru aliajul fier-nichel punctul de topire este de 1490 K. Acesta este
punctul eutectic. La această temperatura interacţiunea între clusteri se
micşorează printr-un salt şi devine mai mică decât energia atomilor liberi de fier
în mişcarea în spaţiul dintre clusteri. La ciocnirea acestor elemente cu clusterul
se rupe reţeaua structurală. Ştiind punctul eutectic putem determina dependenţa
distanţei dintre clusteri de temperatură.
Rezultă că invarul până la temperatura de – 400 K se dilată, şi la creşterea
în continuare a temperaturii se contractă. În intervalul de temperaturi 1000- 1100
K se produce o dilatare bruscă, apoi din nou o contractare treptată. De aceea în
dictionarele de spcialitate coeficientul de dilatare liniară pentru invar este dat
doar pentru intervalul de temperaturi 273- 293 K şi este de 0,9·10-6 grad-1.
Coeficientul mediu calculat de dilatare liniară pentru invar în intervalul de
temperatura 273-400 K este 1,9·10-6grad-1, adică aproximativ de două ori mai
mare. Un asemenea comportament al invarului în dependenţă de temperatură
este greu de explicat.
Amestecul titanului cu nichel nu formeaza un amestec eutectic, deoarece
ambele elemente au structura cristalică asemanătoare. Amestecul Ti+ 51,2% Ni
dispune de proprietate interesantă - efectul de memorie al formei initiale. Datele
obţinute experimental de apariţie a memoriei formei se explică în special la nivel
calitativ. Cantitativ descrierea poate fi facută din poziţia de interacţiune a
clusterilor.
Dilatarea termica ale materialelor metalo-ceramice şi ceramice depinde a
adausurile din material, dar şi de o mulţime de factori tehnologici. Coeficientul
de dilatare termică pentru asemenea materiale se modifică în intervale mari nu
doar în dependenţă de material, dar şi de condiţiile în care a fost obţinut acest
material.
2.8.4 Efectul de memorare a formei
Efectul de memorare a formei trebuie analizat prin apariţia unor
proprietăţi speciale ale corpurilor solide, odată cu încetarea acţiunii sarcinii, dar
la : păstrare îndelungată; încălzirea materialului; transormarea plastică directă în
sensul transformărilor tangenţiale interne; răcirea corpului deformat. Un
asemenea caracter de comportare a corpurilor solide trebuie analizat prin apariţia
unei proprietăţi de pseudorezistenţă. Doar o anumită clasă de materiale
compozite deţin asemenea proprietate. Acestea sunt în primul rând materialele
compozite şi eutectice.
Vom analiza datele experimentale despre efectul de memorie din poziţia
nivelului mediu al corpului solid, adică din poziţia interacţiunii între clusteri.
Mecanizmul fizic de interacţiune între clusteri permite descrierea apariţiei
efectului de memorie nu doar calitativ, dar şi cantitativ. Mai jos vom explica
interacţiunea între clusteri din pozitia teoriei cuantice a două elemente a corpului

45
solid şi a construcţiilor clusterilor în reţeaua structurală pe baza aliajului de titan
cu nichel şi a nichelului cu fierul, care posedă efectul de memorie a formei.
Nichelina de titan este un material compozit, iar nichelina de fier este un
material eutectic. Starea nichelinei de fier în punctul eutectic (Fe+36,1% Ni)
este invarul. Şi titanul şi fierul la anumite temperaturi dispun de transformări
martesitice, şi acest factor influenţează efectul de memorie.
Un exemplu comun de refacere a deformaţiei corpului solid în procesul de
încălzire este prezentat în lucrarea pentru materiale ce deţin memorie de formă,
Cu+18% Zn+7% Al. Asupra efectului de memorie influenţează următorii
factori:
- mărimea deformaţiei şi condiţiile în care se realizeză ;
- refacerea deformaţiei se petrece nu doar în afara acţiunii sarcinii dar şi în
timpul acţiunii forţelor exterioare;
- viteza de variaţie a temperaturii în cele mai multe cazuri nu are
importanţă asupra cinematicii şi asupra efectului de memorie a formei, dar în
timpul încălzirii rapide se poate ajunge la comprimarea intervalului de
temperatură al transformării inverse;
- pentru poli şi monocristale efectul de memorie a formei este calitativ la
fel, dar pentru monocristale deformarea reversibilă de obicei este mare;
- acţiunea mecanică de început nu schimbă doar intervalul de formă dar şi
se reflectă asupra mărimii şi cineticii efectului de memorie a formei;
- prelucrarea termică iniţială influenţează semnificativ asupra procesului
de refacere a formei.
Toate proprietăţile descrise ale materialelor care deţin efectul de memorie
din poziţia construcţiei clusterului a materialului compozit se explică din punct
de vedere calitativ şi cantitativ analizând reţeaua dintre clusteri ţinând cont de
proprietăţilor materialelor compozite.
2.8.5. Conductibilitatea termică a corpurilor solide
Considerăm un sens de propagare a căldurii în corpul solid. Încălzirea
corpului solid reprezintă vibraţii longitudinale şi transversale ale atomilor reţelei
cristaline.
Procesul de propagare a vibraţiilor în mediul rigid sub acţiunea fluxului de
caldură, în caz general, este descris de vectorul lui Umon.
Fie un element în stare condensată la o anumită temperatură şi care
execută vibraţii rigide. După determinarea lui R. Polea, “in interiorul
monocristalului zone separate schimbă cu locul între ele şi difuzează în
exteriorul cristalului neschimbat”. În intelegerile moderne termenul “zone”
reprezintă clusteri. Clusterii în corpurile solide formează interacţiuni binare cu
prima, a doua şi a treia sfera de coordonare. Numărul de atomi în clusteri este
determinat de structura cristalului. Aşa cum pentru structurile centrate volumic
interacţiunile binare cu prima sfera de coordonare formează cluster cu nouă
atomi; interacţiunea binară cu a doua sferă de coordonare formează un cluster cu

46
treisprezece atomi şi interacţiunea binară cu a treia sfera de coordonare
formează un claster cu 19 atomi. Pentru structurile centrate pe feţe clusterii
contin corespunzator 13, 12 şi 21 atomi. În starea lichidă, numărul de ordine
apropiat determină numarul de atomi în cluster, ceea ce corespunde structurii
centrate pe feţe cu legaturile rupte cu a doua şi a treia sfera de coordonare şi
aceştia sunt 13 atomi.
Când se rupe legatura cu a treia sfera de coordonare atunci clusterul
format de interactiunea cu a doua sferă de coordonare, intră în rolul de element
liber şi atunci el poate executa vibraţii circulare.
Ruperea legăturii cu prima sferă de coordonare determină libertatea totală
a două elemente deodată, care pot executa mişcari lineare şi circulare. Ca
rezultat clusterii se schimb[ cu atomii liberi şi în acest fel determină procese
difuze în interiorul corpului solid.
Calcularea coeficientului conductibilităţii termice este destul de dificilă,
deoarece viteza propagării frontului de căldură nu este constant şi depinde de
mărimea fluxului de caldură.

2.9 Proprietăţile de emisie ale nanomaterialelor

Modelul de clusteri tratează proprietăţile de emisie pe baza construcţiei şi
caracterului interacţiunii elementelor în interiorul clusterului şi între clusteri.
Interactiunile din interiorul clusterilor se analizează din poziţia modelului
cuanto-mecanic a două elemente, interacţiunea dintre clusteri se determină
pentru elementele pure în special prin schimb, iar pentru cele compozite prin
interactiunea dipol. Caracterul legăturilor valente cu asigurarea minimului de
energie potenţială determină construcţia geometrică a clusterului. Pentru
structurile centrate volumic cristalul clusterului reprezintă o prismă patrulateră,
iar pentru structurile centrate pe feţe o biprismă trilaterală.
Elementele separate din care este compus clusterul reprezintă o
macromoleculă cu electroni valenţi. Electronii valenţi îmbogăţiţi cu
probabilitatea schimbului interacţiunii îşi formează norul electronic exterior.
Elementele interioare atomului sunt ionizate şi formează o reţea structurală a
clusterului încarcată pozitiv. În interiorul clusterului se află un nor electronic
încărcat negativ valent. Norul încarcat negativ este bine legat de cel încarcat
pozitiv. Repartizarea electronilor valenţi după energie determină caracterul
interacţiunii binare a elementelor din interiorul clusterului unele cu altele.
Suprafaţa de separare iniţială ”mediul condensat-vid” poate fi reprezentată
de un strat electric dublu legat între ele: un strat de electroni şi stratul
superficial încărcat pozitiv şi ionizat a elementelor reţelei structurale din
interiorul clusterului. Fiecare electron al stratului dublu superficial este legat de
fortele coulombiene cu ai săi atomi ionizaţi şi se află în groapa potenţială
comună pentru toţi electronii. Valoarea groapei de potenţial este determinată de
interacţiunea dintre două elemente.

47
 Ţinând cont de cele spuse mai sus sub actiunea diferiţilor parametri
(termici, electrici, electromagnetici etc.) are loc emisia diferitelor elemente de
pe suprafaţa mediului condensat. Acţiunea exterioară în primul rând are loc
asupra elementelor stratului electric dublu, şi anume: ionii încărcaţi pozitiv din
interiorul reţelei cluster şi electronii norului exterior încărcat negativ. De aceea
de pe suprafaţa mediului condensat în primul rând în mediul înconjurător se vor
emite ionii şi electronii ionizaţi. Alte elemente sub formă de atomi neutri şi ioni
încărcaţi negativ trebuie să părăsească suprafaţa cu o probabilitate mai mică.
Energia minimă necesară unui element pentru ca el să părăsească
suprafaţa materialului se numeşte lucru de ieşire. Lucrul de ieşire este o
constantă de bază, fundamentală care caracterizează proprietăţile de emisie ale
unui material. Teoria şi practica de obţinere a acestei constante necesită
modificări profunde din postura construcţiei clusterului mediului condensat.
2.9.1 Lucrul de ieşire al electronilor, ionilor şi atomilor de pe
suprafaţa mediului condensat
Fiecare element părăsind suprafaţa deţine un lucru de ieşire propriu.
Aceasta este determinat de energia de legatură din interiorul mediului condensat
şi este diferită pentru fiecare element. În afară de aceasta, pe măsura îndepărtării
de suprafaţa, apar forţe de interacţiune între elementele ce părăsesc suprafaţa şi
suprafaţa mediului condensat, care, la fel, diferă de la material la material.
Cristalele ionice – în general sunt nitrati, oxizi şi cloraţi, care deţin un
moment electric mare şi sunt buni dielectrici. Lucrul de ieşire pentru astfel de
substanţe trebuie să fie semnificativ. Măsurările concrete efectuate au condus la
o mare împrăştiere a rezultatelor.
Măsurările experimentale a mărimilor termoelectrice şi fotoelectrice sunt
realizate funcţie de condiţiile de lucru. Dacă analizăm condiţia în care să
efectuăm măsurarea, metodelor folosite vor putea fi sistematizate astfel:
1) Substanţa conţine amestecuri;
2) Măsurarea s-a produs în cîmpuri electrice puternice;
3) S-a produs activizarea în jetul altei substanţe, ce deţine proprietăţi
metalice;
4) Straturi subţiri sunt depuse pe un miez metalic;
5) Straturi subţiri sunt expuse într-un mediu oxigenat sau azotat.
La temperature înalte, de pe suprafaţa corpului solid sau lichid se vor
evapora particulele libere din golurile dintre clustere şi particulele de legătură a
clusterului principal din substanţa dată. Atât pentru particulele libere aşa şi
pentru particulele de legătură lucrul de ieşirii este determinat de energia de
legătură a particulelor în clusterul principal la o temperatură dată. Pe baza
construcţiei clusterice a mediului condensat particulele libere interacţionează cu
clusterele, care urmează a fi privite ca nişte macromolecule.
Pentru atomii de legătură din cluster, electronii valenţi sunt generalizaţi iar
ionii formează o structură de reţea în interiorul clusterului (impurităţi ionice),

48
adică se realizează un model de constructie tip “macroatom” după Thompson,
dar cu o structură ordonată.
Pentru atomii de wolfram la temperatura de 2750 K energia legăturii
particulelor, îndeosebi clusterii, au valoarea de 8,69 eV. Valoarea experimentală
a căldurii de evaporare a wolframului, la temperaturi ridicate este de 8,6 ± 0,4
eV. Se constată, că la temperaturi ridicate energia legăturii particulelor
clusterului principal al wolframului corespunde cu căldura de evaporare a
atomilor neutri ai wolframului.
În procesul de evaporare a ionilor pozitivi, suplimentar trebuie de luată în
consideraţie forţa de interacţiune opusă. Pentru wolfram lucrul pentru înlăturarea
forţelor de interacţiune opuse este egală cu 1,655 eV. Energia legăturii rezulată
pentru ionii de wolfram este egală cu 10,4 eV, iar valoarea experimentală –
11,8 ± 0,4 eV. Pentru ionii negativi lucrul de ieşire trebuie să fie de aceeaşi
valoare ca pentru ionii încărcaţi pozitiv. Rezultatele sunt destul de satisfăcătoare.
2.9.2 Evenimentul emisiei termoelectrice
În anul 1883 Edisson a descoperit, că majoritatea substanţelor, la încălzire
emit electroni. Acest eveniment a primit denumirea de emisie termoelectrică.
Bazându-se pe teoria electrică clasică, Richardson a obţinut formula densităţii de
saturatie a curentului.
Plecând de la consideraţiile termodinamice ale teoriei cuantice Dasmen a
descoperit o altă formulă. Următoarele cercetări experimentale au arătat că
formulele lui Richardson şi Dasmen sunt necorespunzatoare pentru descrierea
emisiei termoelectrice.
Prin suprapunerea unor câmpuri electrice relative slabe se observau nişte
oscilaţii sinusoidale ale emisiei curentului pe dreapta lui Sottchi. A trebuit să se
presupună, că electronii, trecând bariera potenţială, trebuie să se reflecte de pe
pereţii acestei bariere şi ca rezultat al interferenţei undelor electrice apare o
schimbare periodică a curentului emisiei. În urma acestuia în formula lui
Dasmen s-a introdus un membru de interferenţă şi astfel a fost definită ecuaţia
lui Richardson-Laue-Dasmen. A. Modinoe comentează situaţia dată astfel: ”De
remarcat, că reflexia electronului de la limitele metalului – vacuum şi
evenimentul conditionat de ea nu se supun unei analize precise chiar şi în
apropierea electronilor liberi, aşa cum în majoritatea cazurilor reflexia
electronilor la limite este legată de natura cristalică a metalului şi de structura
regiunii treptelor energetice ale sale”.
Atomii din formaţiunile de clustere sunt sub forma ionilor pozitivi.
Variaţia acestor ioni în raport cu poziţia de echilibru determină ieşirea
electronilor de pe suprafaţa mediului condensat. Această situaţie o vom analiza
pe exemplul wolframului. Pentru descrierea schimbărilor atomilor în structurile
de cluster trebuie să folosim nu statistica cuantică, ci statistica Maxwell-
Boltzman. În condiţii de temperatură normală părţile sferei a treia de

49
coordonare, de obicei sunt libere şi se află în golurile intracluster, asigurând
schimbul interacţiunii interclusterale.
Variaţiile au loc în părţile sferei a doua de coordonare. Potenţialul
interacţiunii părţilor sferei a doua de coordare pentru formaţiile clusterale ale
wolvramului la temperaturi diferite ţine seama că, pâna la temperatura de
evaporare wolvramul se află în stare cristalină, iar peste temperatura de
evaporare – sub forma de stare lichidă. Atomii sferei a doua de coordonare în
formaţiunile clusterice se află sub forma ionilor pozitivi, care odată cu ridicarea
temperaturii realizează o mişcare de variaţie cu amplitudinea.
Odată cu mişcarea ionului în adâncimea cristalului distanţa dintre electron, care
se află la suprafaţa - Fermi, se micşorează cu o anumită valoare şi interacţiunea
ionului pozitiv cu electronul va creşte, iar cu electronul, care se află la suprafaţa
exterioară, dimpotrivă, se micşorează. Diferenţa acestor energii se consumă la
excitarea electronilor valenţi. Dacă această energie va fi mai mare ca lucrul de
ieşire al electronului, se va produce interacţiunea electronului cu mediului
înconjurător, deci apare o emisie termoelectrică.
La cercetările asupra materialelor cu proprietăţi de termoemisive a fost
nevoie de măsurarea curentului electric termoemis. Se foloseşte pentru aceasta
metoda potentialului reţinut, ca şi metoda folosirii emisiei termice şi electrice,
propusă de Sottki. Ideea lui Sotki conduce la aceea c[ suprapunerea polului
electric exterior să nu micşoreze lucrul de ieşire prea mult şi de aceea calculul
curentului emis trebuie să corespundă curentului termoemis. S-a presupus, că
suprafaţa este ideală şi nu are rugozităţi. În prezenţa rugozităţii pe unele zone,
câmpul exterior poate să crească de zeci sau sute de ori. Ca de exemplu, pentru
suprafeţele netede ale wolframului aceasta creştere ajuns la ≈ 100 − 300 ori.
Când se produc câteva străpungeri prin impulsuri ale încărcăturii electrice,
coeficientul de concentrare scade până la 20-25 ori, iar la încălzire, la
temperaturi de 1000 – 2700 oC, acest coeficient scade până la 10 – 20 ori.
Analizând această situaţie la un câmp electric exterior slab pe micropraguri se
pot realiza câmpuri electrice, din care se poate observa o emisie autoelectrică.
La termoemisia de pe suprafaţa cristalelor ionice poziţia este deviată
periodic de la curba lui Sottki şi acest lucru este ami mult decât sugestiv.
O situaţie analoagă trebuie să aibă loc pentru toată suprafaţa cristalelor
ionice. Pentru suprafetele policristalelor deviaţiile periodice de la curba lui
Sottki vor fi puţin netezite, dar devierea trebuie să aibă loc.

NOTĂ: Studenţii vor întocmi o temă de casă cu subiectul „Proprietăţile

nanomaterialor”.
Termen de predare 12.05.2007.

50
 CAPITOLUL 3
SISTEME DE PROCESARE LA NIVEL NANOMETRIC

3.1 Unitate de procesare, tensiuni de rupere şi

densitate de energie de procesare
În ultima vreme a devenit tot mai necesară fabricarea de produse
inteligente precise cu o acurateţe extrem de înaltă şi realizare fină de ordinul
nanometrilor. În mod clar, pentru a produce astfel de produse de înaltă precizie
trebuie utilizate sisteme de prelucrare/procesare în domeniul subnanometric sau
de tip atom cu atom. Unitatea de prelucrare/procesare corespunde dimensiunii
unei ”porţiuni” din cip în procesele de mascare, unui ”pas” din procesele de
deformare şi unui ”cluster” molecular în procesele de consolidare.
3.1.1 Tensiunea de rupere în domeniul reţelei atomice
Atunci când sunt utilizate unităţi de prelucrare de dimensiuni ”atomice”,
apare o problemă serioasă: rezistenţa al forfecare sau tensiunea de rupere τ s ̣(N
mm-2) sau energia specifică la forfecare (J cm-3) devine extrem de mare.
Un exemplu de dependenţă a tensiunii de forfecare de grosimea probei
pentru oţel carbon este prezentat în figura 6.1.

Fig. 3.1 Relaţia dintre grosimea probei şi rezistenţa la forfecare pentru oţel-carbon
SAE 1112

94
 Curba arată că, cu cât grosimea probei devine mai mică, rezistenţa la
forfecare la frontul de atac al sculei de aşchiere sau al granulei abrazive devine
extrem de mare, apropiindu-se de tensiunea de forfecare teoretică τth din
materialele fără defecte sau de tăria legăturii din oţel-carbon:
τth=G/2π=1,3·104 Nmm-2 (3.1)
unde G = 8,2 ·104 N mm-2 este modulul de rigiditate al oţel-carbonului.
Motivul pentru care rezistenţa la forfecare devine aşa de mare la frontul
de aşchiere pentru nivelul atomic, este acela că există numai defecte punctuale
care pot iniţia ruperea structurii la nivelul legăturilor atomice. Totuşi, după cum
se prezintă schematic în figura 6.2, în metalele ductile, ruperea prin alunecare
pentru unităţi de prelucrare/procesare între 0,1 şi 10 μm provine din dislocaţiile
relativ uşor de deplasat din granula cristalină metalică, în care intervalul mediu
de reapariţie a unei dislocaţii mobile este de circa 1 μm, iar în granula cristalină
a unei ceramici fragile, ruperea apare datorită microfisurilor care sunt, de
asemenea, distribuite pe un interval mediu de circa 1 μm.

Fig. 3.2 Distribuţia defectelor în materiale: rupere datorată dislocaţiilor mobile în

materialele ductile, respectiv microfisurilor în materialele fragile

Pentru unităţi de procesare mai mari de 10 μm, ruperea metalelor ductile

datorată deplasării prin forfecare începe într-un punct slab la limita de granulă
sau într-o cavitate, iar în ceramicile fragile ruperea apare în principal din fisurile
din jurul interfeţelor granulare. Din acest motiv, prelucrarea cu maşini-unelte

95
obişnuite ce utilizează muchii ascuţite sau abrazivi fixaţi pe sculele de şlefuire
(rectificare) nu poate produce “aşchii” de dimensiuni atomice, întrucât muchiile
de tăiere se uzează rapid datorită înaltei rezistenţe la forfecare. Însă, sculele şi
abrazivii pe bază de diamant pot fi utilizate pentru aşchiere şi rectificare fină
datorită rezistenţei lor mari la uzură. Mai mult, lepuirea şi lustruirea, care
folosesc abrazivi liberi, pot fi utilizate pentru procesarea “atom cu atom” a
materialelor.

3.1.2 Densitatea de energie de prelucrare sau limite ale

energiei specifice de procesare
Limitele energiei specifice de prelucrare sau densitatea de energie
marginală δ (J cm-3) pentru diverse tipuri de prelucrări ”atomice” sunt prezentate
în figura 4.3.

Fig. 3.3 Ruperea elastică şi limita de rupere, unde: ω este energia specifică de
rupere a materialului (J cm-3), ω>> δs; δth = limita de rupere elastică a domeniului
fără dislocaţii; δps = energia specifică pentru forfecare tangenţială (δs= δps); σth = limita
de rupere elastică fără microfisuri (σth = E/2π); σts = limita de rupere elastică echivalentă în
domeniul fără microfosuri (forfecare); δpt = energia specifică ruperii la forfecare (δt = δpt).

Pentru unităţile de prelucrare la dimensiuni atomice/moleculare < 1 nm,

energia limită specifică de prelucrare pentru a rupe materiale le dimensiuni
atomicesau moleculare variază în domeniul 104 - 106 J cm-3, ceea ce corespunde
energiei de legătură atomică.
Separarea ”bucăţilor” atomice poate fi realizată pe baza proceselor
chimice şi electrochimice utilizând atomi reactivi, solubilizări, topirea şi difuzia
pe baza energiei termice a atomilor, pe baza fasciculelor de fotoni şi electroni,

96
procese de împrăştiere (sputtering) ionică şi fotonică, precum şi recenta metodă
de evaporare în câmp electric.
Pentru unităţile de prelucrare a clusterilor atomici, pentru care defectele
punctuale în granulele policristaline variază de la 1 la 100 nm, densitatea de
prelucrare pentru ruperea din material este de circa 103 – 104 J cm-3. Aşchierea
ductilă, lepuirea şi lustruirea pe baza abrazivilor foarte fini aparţin acestei
categorii.
Pentru unităţile de prelucrare între 0,1 şi 10 μm, separarea sau deformarea
apare ca rezultat al dislocaţiilor mobile sau microfisurilor. Densitatea de energie
de prelucrare δ este aproape 103 J cm-3 pentru ruperile fragile datorate
microfisurilor şi de circa 101 – 103 J cm-3 pentru ruperile ductile datorate
dislocaţiilor.
Pentru unităţile de procesare a granulelor cristaline multiple, densitatea de
energie de procesare bazată pe defectele la limitele de granule este mai mică de
102 J cm-3 pentru ruperea fragilă şi de 10 J cm-3 pentru iniţierea ruperii ductile.
Totuşi, pentru a îndepărta materialul în acest ultim proces este necesară
îndepărtarea unor ”bucăţi” din materialul masiv prin depăşirea tensiunii de
rupere ductilă, ceea ce face necesară adăugarea unui surplus de energie
specifică, ω = 0,1 – 1 J cm-3.

3.2 Metode de prelucrare cu unităţi de prelucrare atom

cu atom şi cluster de atomi
Pentru a se obţine componente şi produse fine şi ultraprecise, cu acurateţe
nanometrică este în general necesară utilizarea unei unităţi de procesare de tip
atom cu atom sau de clusteri de atomi.
Procesarea atom cu atom este realizată prin tratamentul atom cu atom al
materialelor, şi prin urmare realizarea rezoluţiilor de ordinul subnanometrilor, în
timp ce procesarea tip ”cluster atomic” consideră clusteri de atomi, ceea ce face
ca rezoluţia să fie de ordinul a câtorva nanometri.
După cum s-a putut observa în figura 6.3, densitatea de energie de
procesare δ pentru zone atomice la punctul de prelucrare trebuie să ajungă la
104 – 106 J cm-3, ceea ce corespunde, la nivel microscopic, energiei specifice
volumice de legătură de reţea Ub (MJ m-3 sau J cm-3) sau energiei de legătură
atomice Eb (J/atom) conform tabelului 6.1. valorile pentru abrazivi ca Al2O3,
SiC şi diamant sunt cu 2 – 3 ordine de mărime mai mari decât pentru Fe; pentru
prelucrarea la nivel de clusteri atomici, valorile pot fi cu 1 – 2 ordine de mărime
mai mici.

3.3 Procesarea la nivel de clusteri atomici cu abrazivi

fini mobili
Maşinile-unelte obişnuite de tăiere sau cu discuri abrazive nu pot fi
utilizate la tăierea şi aşchierea/rectificarea în unităţi de procesare de tipul

97
clusterilor atomici datorită faptului că uzura muchiei aşchietoare devine extrem
de mare pentru şpanul din oţel. Pentru metalele uşoare ductile cum ar fi
aluminiul, este totuşi posibilă realizarea unei microprelucrări pe baza procesării
de clusteri atomici utilizând scule diamantate sau pulbere de diamant (figura
3.4).
Tabelul 3.1
Duritate Duritate
Ub Eb [eV/ Knopp Morse
Material Observaţii
[MJ m-3] [J/atom] /atom] (indentare) Woodwell
(10 MPa) (zgâriere)
Fe 2,6 · 103 1,6 · 10-20 0,1 pentru sarcină 200 durificat
(1,03 ·103) (8 · 10-21) 0,05 pentru forfecare 700 – 800
SiO2 5 · 102 4,24 · 10-19 2,65 pentru forfecare 820
Al 3,34 · 103 2,06 · 10-21 0,013 pentru forfecare
Al2O3 6,2 · 103 5,26 · 10-18 32 pentru sarcină 1600 – 2050 9
Si 7,5 · 103 1,59 · 10-17 36 pentru sarcină 2400 – 2550 11
SiC 1,38 · 103 1,1 · 10-17 67 pentru sarcină 2400 – 2550 14
B4C 2,26 · 103 1,8 · 10-17 111 pentru sarcină 2700 – 2800 19,7
Diamant I
5,64 · 103 4,56 · 10-17 274 cu N abundent 8000 – 8500 71
(natural)
Diamant II 1,02 · 103 1,6 · 10-17 513 fără N 5700 – 42,5
10400

Fig.3.4. Sisteme tipice de procesare: a) tăiere – rectificare; b) strunjire (tip oglindă)

98
 În plus, sunt larg utilizate în procesarea de tip cluster atomic lepuirea pe
bază de abrazivi fini de diamant, Al2O3, SiC, etc. precum şi lustruirea cu
abrazivi fini de pulbere de Fe2O3, Cr2O3, CeO2, etc. Abrazivii de lepuire sunt
reîmprospătaţi şi reascuţiţi prin sfărâmare în timpul operaţiei pentru a realiza
îndepărtarea continuă a materialului, în timp ce abrazivii de lustruire sunt şlefuiţi
sub acţiunea tensiunilor de forfecareextrem de mari, pe baza defectelor
punctuale din domeniul clusterilor atomici. Din acest motiv, lustruirea se
realizează cu abrazivi duri şi rezistenţi termic.
Contururile geometrice de suprafaţă pot fi precis modelate prin lepuire
folosind plăci de duritate medie şi printr-o lustruire ulterioară utilizând plăci mai
moi întrucât suprafeţele acestor plăci se uzează puţin pe durata procesării
datorită mecanismului de prelucrare. Prin urmare, procesarea continuă a
suprafeţei cu o acurateţe aproape nanometrică este posibil de realizat.
Până în prezent a fost foarte dificilă generarea suprafeţelor nesfericesau de
alte curburi, deoarece mişcarea rlativă de înaltă precizie dintre piesa de prelucrat
şi placă era dificil de realizat. Totuşi, recent a fost realizat un control numeric de
paşi fini de 0,1 µm şi drept rezultat în curând vor fi dezvoltate noi tehnologii de
fabricare a suprafeţelor curbate de precizie care utilizează sisteme generatoare
cu unelte de lepuire şi lustruire (figura 6.5).

Fig.3.5 Sisteme tipice de prelucrare: lepuirea şi lustruirea prelucrarea cu placa de

contur (sferică şi plană); b) generatoare de profil

99
 3.3.1 Procesarea atom cu atom utilizând particule elementare
de înaltă energie sau un câmp electric intens
Pentru a realiza îndepărtarea materialului atom cu atom, pentru care este
necesară o energie de procesare ridicată 104 - 106 J cm-3, au fost dezvoltate
metode de procesare cu particule de înaltă energie, în care un fascicul de
particule elementare, cum ar fi: fotoni, electroni sau ioni, atomi reactivi chimic
sau electrochimic ori chiar atomi neutri, este aplicat asupra punctului ce trebuie
prelucrat (figurile 4.6 şi 4.7, tabelele 4.2 şi 4.3).

Fig. 3.6. Sisteme tipice de prelucrare: prelucrare cu fascicul ionic; a) texturare fină;
b) prelucrarea lentilelor sferice.

Metodele de prelucrare care utilizează particule de înaltă energie au

rezoluţii de prelucrare la scară atomică sau subnanometrică. Totuşi, este foarte
dificilă poziţionarea punctului de prelucrare cu acurateţe nanometrică, întrucât
spre deosebire de situaţia utilizării maşinilor-unelte sau sculelor monobloc, nu
există nici o suprafaţă sau axă geometrică de referinţă pentru controlul poziţiei
fasciculului de particule la o precizie aşa de înaltă. În consecinţă, prelucrarea cu
fascicul de particule de înaltă energie se realizează în prezent numai cu comandă
în buclă deschisă a poziţiei axei fasciculului energetic, fără nici un fel de
informaţie de tip feedback al poziţionării în timpul efectiv al prelucrării.
În prezent, inscripţionarea bidimensională este efectuată cu o mască de
inscripţionare utilizând fascicule largi sau siteme de fascicule vectoriale de
baleiaj cu fascicul orientat.
Pentru prelucrarea tridimensională cu fascicul de energie a suprafeţelor
curbate se controlează timpul de expunere. În viitorul apropiat, vor trebui
dezvoltate sisteme de senzori şi acuatori de precizie ultraînaltă care să opereze în
timp real, cu controlul reglării în buclă închisă a punctelor de prelucrare.
Recent, utilizarea sistemelor de microscopie de baleiaj cu efect tunel
(STM – Scanning Tunnelling Microscope) a făcut posibilă îndepărtarea atomilor

100
specificaţi, cu ajutorul unui câmp electric de înaltă tensiune. În acest sistem,
comanda în buclă închisă a fost utilizată cu succes în poziţionarea punctului de
prelucrat a atomilor specificaţi cu acurateţe subnanometrică.

Fig. 3.7 Modele schematice de prelucrare cu fascicule energetice

Pentru prelucrarea atom cu atom, care implică aglomerări sau formarea de

straturi subţiri pe suprafaţa de lucru, au fost utilizate pe scară largă fascicule de
ioni cu energie redusă, cu împrăştiere atomică (fascicul “rece”) şi atomi
evaporaţi termic (fascicul “cald”) prin utilizarea fotonilor, electronilor sau prin
încălzire directă.
Totuşi, pentru a se asigura legarea atomilor de pe suprafaţă cu atomii
proiectaţi de fascicule, atomul sau molecula trebuie să aibă energia optimă
pentru realizarea adeziunii. Dacă această energie este prea mare, materialul va fi
îndepărtat, iar dacă energia este prea scăzută, legătura “adezivă” nu se va mai
realiza.
Implantarea ionică în straturile de suprafaţă şi amestecarea ionică a
structurii de suprafaţă este larg utilizată în practică.

101
 Tabelul 3.2
Sisteme de control al preciziei
Mecanismul de Metoda de procesare
dimensionale (1D);
Tip procesare (energia fasciculului de
desen–configuraţie (2D);
(dimensiune atomică) particule)
formă (3D)
1 2 3 4
Îndepărtarea
clusterilor
atomici
Nanoaşchiere Alunecare prin Aşchiere fină cu cuţit de Precizia formei şi a
forfecare, rupere la diamant cu un singur rugozităţii suprafeţei
tracţiune, ”bucăţi” vârf (pentru materiale (dependentă de maşina-
de clusteri atomici moi), lepuire ultrafină unealtă)
Superlustruire Prelucrare prin Lustruire fără contact tip Precizia formei (lustruire);
rupere atomică EEM*, prelucrare cu Precizia profilului şi
elastică, îndepărtarea fluid magnetic, lustruire adâncimii (micro)
chimică reactivă ultrafină (pentru
(solid, porţiuni materiale dure)
atomice, rupere)
Separare Descompunere Corodare chimică Acurateţea formei
(îndepărtare) chimică (gaz, lichid, (izotropică, (profiluri performante),
la nivel solid); anizotropică), corodare precizia adâncimii
atomic Activare termică în plasmă reactivă, (macro), precizia
prelucrare confioguraţiei (mască)
mecanochimică
(corodarea fotorezistului
asistată de fascicul laser,
ionic, electronic)
Descomunere Lustruire electrolitică; Acurateţea formei
electrochimică Procesare electrolitică (profiluri performante),
(lichid, solid), (corodare) precizia adâncimii
activare electrolitică (macro), precizia
configuraţiei (mască)
Vaporizare termică Prelucrare cu fascicul Precizie liniară a poziţiei
(gaz, solid) electronic, prelucrare cu (control), precizie planară
laser, prelucrare cu (macro), precizia
radiaţie termică adâncimii (macro),
precizia configuraţiei

Separare prin difuzie Îndepărtarea de material Precizia configuraţiei

(termică), (solid, prin difuzie (dizolvare) (mască), precizia formei
lichid, gaz) (macro), precizia
adâncimii
Separare prin topire Îndepărtarea topiturii Precizia formei desenului/
(termic), (lichid, /configuraţiei (mască),
gaz, solid) precizia formei (macro),
precizia adâncimii (macro)

102
 1 2 3 4
Prelucrare ionică Ruperea directă a
(solid), (dinamic) legăturii cu fotoni
(excimeri, raze X)
Îndepărtarea în câmp Evaporarea de către Sistem de comandă
electric a atomilor câmpul electric /control STM la scară
superficial ionizaţi (prelucrare cu microscop atomică
cu efect tunel cu nbaleiaj
– STM**; prelucrare cu
microscop de forţe
atomice – AFM***)
Consolidare Depunere şi legare Acoperire chimică, Precizia configuraţiei
la nivel chimică (gaz, lichid, acoperire în fază (mască), precizia grosimii
atomic solid) gazoasă, oxidare, (macro)
(depunere/acu nitrurare, acoperire prin
mulare reacţie activată (ARP)
Depunere şi legare Electroacoperire, Precizia configuraţiei
electrochimică (gaz, electroformare prin (fasonarea măştii),
lichid, solid) oxidare anodică, precizia grosimii (micro)
formare electroforetică
Depunere şi legare Depunere din vapori, Precizia configuraţiei
termică (gaz, lichid, creştere epitaxială, (fasonarea măştii),
solid) epitaxie cu fascicul precizia grosimii (micro)
molecular
Legare prin difuzie, Sinterizare, formare de Precizia configuraţiei
topire (legare goluri, nitrurare ionică, (mască), precizia grosimii
termică) imersare, acoperire prin (adâncimii) (macro)
topire
Depunere şi legare Depunere prin Precizia configuraţiei
fizică (dinamic) pulverizare, acoperire (mască), precizia
prin ionizare, epitaxie de adâncimii (micro)
clusteri ionici, depunere
cu fascicul ionic,
amestecare cu fascicul
ionic
Implantare ionică Implantare (injectare) Comanda/controlul
(dinamic) ionică prin prelucrare cu poziţiei cu precizie a
Evaporare în câmp STM configuraţiei (mască),
electric precizia adâncimii (micro)
Deformare la Curgere termică Nivelare prin tensiunea Precizia formei (macro),
nivel atomic superficială (termic, (profiluri preformate),
optic, laser, fascicul precizia adâncimii,
electronic, gaz de configuraţiei (la fasonare)
temperatură înaltă)
Curgere vâscoasă Lustruire prin flux de Precizia formei (macro),
lichid (hidrolustruire),
formare prin injecţie

103
 1 2 3 4
Lustruire prin curgerea Precizia formei (micro)
de particule fine
(polizare, lustruire,
Curgere plastică prin lepuire), imprimare, Precizia configuraţiei
frecare (alunecare ştanţare (ştanţare)
prin forfecare)
Tratamentul Activare termică Durificare, călire Macro: comandă şi control
suprafeţei (electroni, fotoni, (metale, în buclă deschisă a
ioni); semiconductoare), condiţiilor macroscopice
Amestecare, glazurare, solidificare de procesare sau a stărilor
depunere; (răşini); de procesare a agenţilor de
Reactivare chimică; Difuziune, amestecare prelucrare , de exemplu
Reactivare chimică (ionică); atomi, molecule de gaz
asistată energetic Polimerizare, sau lichid, ioni, electroni,
(asistată de fascicul depolimerizare; fotoni, etc;
electronic, ionic, Finisare reactivă a Micro: comandă şi control
fotonic). suprafeţei. în buclă închisă a stărilor
microscopice ale piesei de
prelucrat cu ajutorul
comenzuii feedback al
stării de lucru.
Reactivare catalitică Promovarea reacţiei Controlul/comanda
feedback al stării de lucru

* Elastic Emission Machining (prelucrare elastică prin emisie)

** Scanning Tunnelling Microscope (microscop tunel cu baleiaj)
*** Atomic Force Microscope (microscop de forţe atomice)

Tabelul 3.3.
Mecanism
Tratamentul
de Îndepărtare/separare Îmbinare/consolidare Formare
suprafeţei
prelucrare
1 2 3 4 5
1. Fascicul Procese termice: Sudură, laser sau Lustruirea Durificarea
luminos Laser (ZAG, CO2, termică suprafeţei suprafeţei cu
(ultraviolet la etc.)/ procese de cu laser laser sau termic
infraroşu) prelucrare termică sau termic
ractivă;
Fotocorodare, iradiere Polimerizare/
(asistată de corodare depolimerizare
chimică)
Radiaţie Procese reactive: Polimerizare/
(raze γ, raze expunere/ corodare cu depolimerizare
X şi SOR) radiaţii

104
 1 2 3 4 5
2. Procesare cu fascicul de electroni şi fascicule energetice înrudite
Fascicul Procese termice Sudură cu fascicul Lustruirea Durificarea şi
electronic (bombardare): electronic şi depuneri suprafeţei călirea suprafeţei
prelucrare cu fascicul prin evaporare cu cu fascicul
electronic fascicul electronic
Procese reactive electronic Polimerizare/
(excitare): depolimerizare
Expunere/corodare cu cu fascicul
fascicul electronic electronic
Fascicul Procese dinamice: Implantare ionică, Polizare Nitrurare ionică/
ionic Corodare prin acoperire ionică, ionică amestecare
pulverizare ionică, depunere de ioni ionică
corodare chimică pulverizaţi
asistată de ioni
Procese reactive: Acoperire cu ioni Finisarea
Corodare cu ioni reactivi suprafeţei cu ioni
reactivi, corodare în reactivi
plasmă rece
Fascicul cu Procese termice (bombardare şi încălzire rezistivă, inductivă şi dielectrică)
descărcare
electrică Procese cu descărcare Sudare prin descărcare Lustruirea Durificarea
(curent direct de electroni (frezare electrică suprafeţei suprafeţei prin
pt. metale/ prin copiere, găurire, prin descărcare
curent de i.f. tăierea sârmelor) descărcare electrică
pentru electrică
dielectrici)
3. Procesare cu fascicul de atomi sau molecule
Fascicul de Procese dinamice şi termice
atomi reci Corodare prin difuzia Depunere de atomi/ Finisare Difuzie termică a
sau calzi/ atomilor/ moleculelor molecule, creştere dinamică atomilor/
molecule epitaxială a cristalelor cu atomi/ moleculelor
prin spargere molecule
4. Procesare cu fascicul de plasmă
Fascicul de Procese termice: Sudură în arc cu Lustruire Durificarea
plasmă Prelucrare în jet de plasmă, topire în jet de în arc cu suprafeţei în arc/
fierbinte plasmă plasmă, acoperire, fascicul jet de plasmă
combinare de plasmă
5. Procesare cu fascicul reactant chimic şi electrochimic
Fascicul Procese chimice: Acoperire/ turnare Lustruirea Finisare chimică
chimic Corodare/ prelucrare chimică, depunere în flux reactivă a
chimică, corodare chimică reactivă/ chimico- suprafeţei
chimico-mecanică, vapori, cementare mecanic
fotocorodare chimică, creşterea
cristalelor sintetice
Fascicul Procese electrochimice:
electrochimic Prelucrare Acoperire/ turnare Finisare
electrochimică electrochimică electrochimică

105
 CAPITOLUL 4
PRELUCRARE NANOTEHNOLOGICĂ

4.1 Generalităţi
Nanoprelucrarea este realizată prin nanoaşchiere, nanoşlefuire şi honuire,
nanolepuire şi lustruire, etc.
Unitatea de procesare în aceste metode este de câţiva zeci de nanometri,
astfel că o comportare la indentare şi zgâriere în domeniul clusterilor atomici
constă, în principal, în alunecare prin forfecare datorită ruperii elastice, care are
la bază defectele punctuale din domeniul fără dislocaţii şi fără microfisuri.
Nanoaşchierea este principala metodă de prelucrare bazată pe forfecare
utilizând cuţite diamantate cu un singur vârf pentru materialele moi şi ductile, în
timp ce nanoşlefuirea şi honuirea sunt utilizate la prelucrarea ductilă fără
fisurare a materialelor dure şi fragile, prin folosirea discurilor şi granulelor de
diamant. Nanolepuirea şi lustruirea sunt utilizate pentru prelucrarea materialelor
dure şi fragile cu pulberi abrazive.
Nanoaşchierea implică o mărime de prelucrare de câţiva zeci de
nanometri, dar tensiunea de tăiere care acţionează la extremitatea sculei este
foarte mare, comparabilă cu forţele de legătură atomice. Drept rezultat, singurele
scule disponibile se limitează la diamant, iar prelucrarea este limitată la
materialele moi şi ductile. Nanoaşchierea produce o suprafaţă foarte fină de tip
oglindă, iar stratul degenerat rezultat este extrem de subţire. De curând, s-au
încercat simulări computerizate ale aşchierii la scară atomică.
Nanoşlefuirea şi honuirea creează o alunecare prin forfecare cu o
adâncitură de tăiere de câţiva zeci de nanometri şi sunt cele mai des folosite la
obţinerea suprafeţelor lipsite de fisuri pe materiale dure şi fragile, cum ar fi
sticla şi ceramicile. Nu este nevoie de spus că tensiunea de lucru care acţionează
la muchia tăietoare a abrazivilor este extrem de ridicată. În consecinţă, pot fi
utilizaţi numai abrazivi de diamant cu granule foarte fine prelucrare cu abrazivi
staţionari în domeniul de procesare la nivel de clusteri atomici.
Spre deosebire de prelucrarea cu abrazivi staţonari, lepuirea fină şi
lustruirea tip oglindă în domeniul clusterilor de atomi fac apel la abrazivi
regenerabili (mobili) foarte fini, dar mecanismele celor două metode sunt destul
de diferite, după cum se indică în figura 4.1. Lustruirea tip oglindă se realizează
prin polizare cu abrazivi fini teşiţi, dar rezistenţi termic, cum ar fi: Fe2 O3, Cr2O3,
CeO2 sau MgO. În această metodă, abrazivii înglobaţi în suprafaţa plăcii de
lustruire au o deplasare în raport de suprafaţa piesei de prelucrat, netezind
suprafaţa acesteia, prin forfecarea generală, de defectele punctuale. Lepuirea

106
fină, pe de altă parte, utilizează plăci semidure pentru a realiza îndepărtarea
materialului cu alungiri fine şi dure, deşi mai de grabă fragile cu muchii ascuţite,
cum ar fi diamantul, BN-cubic, SiC, SiO2 sau B4C.

Fig. 4.1 Lepuirea fină şi lustruirea tip oglindă pentru materialele dure şi fragile cum
ar fi sticla, ceramicile, aliajele superdure etc: (a) lustruirea tip oglindă a sticlei
(abrazivi: SnO2 Fe2O3, MgO, Ce2O3, rezistenţi termic); (b) lepuirea fină a sticlei
(abrazivi:diamant, SiC, B4C, c-BN) dur şi ascuţit; (c) fisurarea la întindere pentru
aşchierea fragilă; (d) alunecarea prin forfecare pentru aşchierea ductilă; (e)
prelucrarea fină ultrasonică; (f) sablare normală.

Fisurarea datorită ruperilor foarte fine de la suprafaţă este iniţială de

defectele punctuale la extremitatea cavităţilor în formă de pană imprimată de
muchiile ascuţite ale abrazivilor duri care se rostogolesc între placa de leptuire şi
suprafaţa piesei de prelucrat, după cum se prezintă în figurile 4.1 (b), (c) şi (d).
Tensiunea de rupere σ t la extremitatea ascuţită a amprentei este mărită de
efectul de pană şi de factorul de concentrare a tensiunii pentru a depaşi limita de
rupere elastică la întindere σ tf . Când limita de rupere elastică la întindere σth
este mai mică de două ori decât limita de rupere elastică de forfecare σ sf ,

107
materialul este considerat fragil. Cu alte cuvinte, avem σ tf / 2 < σ sf în materiale
de sablare cu abrazivi duri foarte fini şi reprezintă în principiu acelaşi tip de
proces ca lepuirea avansată, după cum se prezintă în figura 4.1 (e) şi (f).

4.2 Procesarea subgranulă

4.2.1 Procesarea subgranulă a metalelor ductile
Ruperea prin forfecare sau deformarea plastică a metalelor ductile
porneşte de la dislocaţiile în domeniul 1-10 μm, ceea ce corespunde unei
dimensiuni subgranulare.
a) Dislocaţiile şi vectorul Burgers
Materialele ductile, cum ar fi metalele Al şi Fe, sunt alcătuite din granule
monocristaline cu dimensiuni de la câţiva micrometri la câţiva zeci de
micrometri. În granulele cristaline, întotdeauna există defecte liniare, cum ar fi
dislocaţiile marginale şi elicoidale. Astfel de dislocaţii în monocristale
reprezintă o dezordonare a aranjamentului atomic, aşa cum se poate observa din
figurile 4.2 şi 4.3.

Fig. 4.2 Defectele liniare (dislocaţii)

108
 Fig. 4.3 Dislocaţii elicoidale (W. T Read
Jr. 1953, Dislocations in Crystals, Me
Graw –Hill, New York ) : (a) alunecare
ce produce o dislocaţie elicodială într-o
reţea cubică simplă. Dislocaţia se află
pe direcţia AD paralelă cu direcţia de
alunecare. Alunecarea a apărut în zona
ABCD; (b) aranjamentul atomic în jurul
dislocaţiei elicoidale. Planul figurii este
paralel cu linia de alunecare. ABCD
reprezintă aria “alunecată“, iar AD este
dislocaţia elicodială. Cercurile goale
reprezintă atomii din planul aflat exact
deasupra planului de alunecare, iar
cercurile pline sunt atomii din planul
aflat exact sub planul de alunecare.

O dislocaţie marginală este un defect liniar orientat al reţelei atomice,

marcat cu semnul ⊥ în secţiunea transversală în timp ce o dislocaţie elicoidală
este un defect spiral orientat al reţelei cristaline după cum arată semnul care
indică direcţia spiralei. Vectorul Burgers, care defineşte dezordinea indică
direcţia şi mărimea dislocaţiei. Direcţia vectorului Burgers pentru dislocaţiile
marginale este normală pe linia de dislocaţie, în timp ce pentru dislocaţiile
elicodale este paralelă cu linia de dislocaţie.
Densitatea dislocaţiilor poate fi definită de lungimea liniilor de dislocaţie
din unitatea de volum (cm-3), prin numărul de secţiuni ale liniilor de dislocaţii pe
unitatea de suprafaţă (cm-2), sau prin intervalul mediu dintre liniile de dislocaţii
secţionate (cm). Intervalul dintre dislocaţiile marginale este de ~ 1 cm într-un
monocristal de siliciu (cristal fără defecte).
b) Forţa Peierls-Nabarro sau tensiunea Peirls pentru alunecarea
tangenţială bazată pe defectele de dislocaţie în metalele ductile
Când se aplică o sarcină unei piese de lucru ce cauzează o alunecare
tangenţială, atomii reţelei din jurul liniei de dislocaţie se deplasează de-a lungul
vectorului Burgers. Cu alte cuvinte, linia de dislocaţie determină atomii să se
deplaseze cu o unitate de distanţă reticulară din reţeaua atomică. Tensiunea de
forfecare necesară pentru a deplasa o dislocaţie printr-o reţea cristalină într-o
anumită direcţie este dată de tensiunea Peierls τ c (Nm-2), care se bazează pe o
lege forţă atomică-distanţă de tip sinusoidal:
τ c = [2 G / (1 − 2 ν )]exp (− 2 πω / b ) (4.1)
unde :
G - modulul de elasticitate de forfecare (Nm-2);
ν - coeficientul lui Poisson;

109
 b - mărimea vectorului Burgers corespunzător distanţei atomilor dintr-o
direcţie de alunecare particulară (m);
ω - lăţimea regiunii de dislocaţie efectivă (m).
Pentru reţeaua cubică centrală intern a metalelor ductile (figura 7.4)
ω / b = 1 / (1 − ν ) pentru un plan de alunecare, iar pentru ceramicile fragile
ω / b << 1 / (1 − ν ) , astfel că ω este destul de mic din cauza creşterii tip treaptă a
potenţialului de legătură atomică lângă nodurile reţelei. Este uşor de intuit că
există un câmp potenţial înalt în jurul liniilor de dislocaţie datorită dezordinii
reţelei făcând astfel uşoară apariţia alunecării prin forfecare.
În fier (metal ductil), de exemplu, cu ν =0,28 şi ω / b = 1 / (1 − ν ) ,
τ c = [2G / (1 − 2ν )]exp(− 2π / (1 − ν )) = G / 2,9910 3 = 36 MPa (4.2)
pentru G=80 GPa.
Valoarea calculată este apropiată de valoarea reală a rezistenţei la
forfecare, care este considerabil mai scazută (cu un factor de 1/500 la 1/300)
decât rezistenţa teoretică τ c=G/2 π .

Fig. 4.4 Potenţialul de legătură atomică U0, vectorul Burgers b şi lăţimea regiunii de
dislocaţie efectivă ω în materiale fragile şi ductile.

Figura 4.5 arată un model de propagare a liniei de dislocaţie datorită unei

surse Frank-Read. În acest model, tensiunea de încărcare externă produce
deformarea dislocaţiei care se propagă.
c) Tensiunea Peierls în materiale fragile
Chiar dacă numărul de dislocaţii este extrem de mic în domeniul
subgranulă al materialelor fragile, microfisurile sunt distribuite dens. Mai mult,
tensiunea Peierls τ c datorată dislocaţiilor este destul de mare pentru că în
ecuaţia lui Peierls, G este extrem de mare când ω /b este foarte mic (comparativ
cu materialele ductile). De exemplu, τ c pentru diamant este > 10 GPa (G=900
GPa), iar τ c pentru cristalul de siliciu este 5-6 GPa (G=125 GPa). De aceea,
ruperea fragilă datorită microfisurilor este posibil să apară la tensiuni scăzute în
ceramici, după cum s-a menţionat anterior.

110
 Fig 4.5 Modul de propagare a dislocaţiei datorită sursei Frank-Read

Motivul pentru care materiale ca diamantul şi siliciul au tensiuni Peierls

extrem de mari este acela că:
- structura lor atomică constă din puternice legături covalente;
- structura lor de tip diamant cu reţele cubice centrateintern şi cu feţe
centrate conţin plane greu glisante în cristal.
Din acest motiv este foarte dificil de a depăşi bariera abruptă de potenţial
de legătură atomică şi de a deplasa un atom către următoarea poziţie din reţea.
În materiale ceramice, cum ar fi Si O2, se găsesc structuri de tip diamant
similare, constând din diferiţi atomi cu puternice forţe de legătură. Astfel,
tensiunile Peierls ale Al2O3 sau ale ceramicilor similare sunt 4-6 GPa.
La temperaturi ridicate, alunecarea tangenţială a atomilor în materialele
ceramice apare mai rapid decât la temperatura camerei, deoarece atomii posedă
o înaltă energie de vibraţie termică care corespunde unei creşteri a energiei
potenţiale libere. În acest fel devine mai uşoară depăşirea barierei de potenţial a
legăturilor atomice. În diamant, de exemplu, alunecarea de forfecare apare la o
tensiune de 50 MPa la 1800˚C. În cristalul de Si aceasta se întâmplă la 600˚C,
iar în cristalul de Ge la 800˚C. Acest efect al temperaturii apare în lustruirea la
nivel atomic şi clusterii atomici ai diamantului când piesa de diamant deseori se
încălzeşte până la roşu.
d) Indentări microfine şi straturi degenerate analizate pe baza teoriei
propagării cavităţii lui Hill
Procesarea prin deformare plastică a metalelor în domeniul subgranulă
0,1-10 μm, utilizează alunecarea tangenţială plastică bazată pe defectele de
dislocaţie. Indentările fine şi imprimarea în relief datorită deformării plastice în
domeniul subgranular pot fi analizate prin intermediul teoriei propagării cavităţii
a lui Hill, care consideră propagarea unei cavităţi presurizate într-un cap infinit
de larg. Analiza presupune un material elasto-plastic perfect fără ecruisaj.
După cum se arată în figura 4.6, Hill a propus că o cavitate sferică scobită
sub o presiune internă H (MPa) îşi realizează stabilitatea în domeniul plastic şi
elastic în următoarele condiţii:

111
 (c / a )3 = E[3(1 − ν )Y ] (4.3)

H = (2 / 3)Y [1 + 3 ln (c / a )] (4.4)
unde:
a - raza cavităţii (în m) sub presiunea internă H;
Y – rezistenţa la curgere la tensiune simplă (MPa);
E – modul de elasticitate longitudinal (MPa);
c- raza sferei de frontieră (m) între regiunile elastică şi plastică
presupunând c>>a;
ν – coeficientul lui Poisson.
Ecuaţiile lui Hill (4.3) şi (4.4) pot fi utilizate pentru a analiza indentări
microfine, unde raza penetrometrului este egală cu raza cavităţii a şi duritatea
măsurată pe baza amprentei în material corespunde presiunii cavităţii H.
Utilizând relaţiile de mai sus, pot fi obţinute diverse caracteristici ale
indentărilor şi straturilor degenerate. Prin eliminarea lui Y din ecuaţiile (4.3) şi
(7.4) se obţine:
E / H = [9 / 2(1 − ν )(c / a )] /[1 + 3 ln (c / a )] (4.5)

Fig. 4.6 Teoria cavităţii sferice a lui Hill: h, raza exterioară a cavităţii sferice
elastice; σr=Y/(3/2), tensiunea de compresiune radială la limita c; σθ=Y/3, tensiune
la întindere tangenţială la limita c.

Dacă valorile E şi H sunt măsurate experimental, se poate obţine raportul

c/a al zonei de deformare plastică pentru procesul de indentare, după cum se
prezintă în figura 4.7, unde se arată că regiunea plastică sau degenerată este
groasă în materialele moi, dar subţire în materialele dure. De exemplu, pentru un
oţel moale călit c/a este ~ 6, dar în sticlă cu o suprafaţă dură valoarea este ~ 2.
De aceea, finisarea suprafeţei cu abrazivi fini poate fi realizată cu succes pe
sticlă şi nu pe oţel călit. Dacă se elimină (c/a) în loc de Y în ecuaţiile prezentate,
obţinem:
E / H = 3 / 2(E / Y ) /[1 + ln (E / Y )] ⋅ 1 /[3(1 − ν )] (4.6)

112
 Fig. 4.7 Raportul razelor regiunii plastice (degenerate) şi de indentare, c/a, şi
raportul dintre modulul de elasticitate longitudinal şi rezistenţa de curgere la
întindere, E/Y în funcţie de raportul dintre modulul de elasticitate şi duritatea
Vickers, E/Hv.

Fig. 4.8 Modificarea lui Marsh a ecuaţiei Hill: Fig. 4.9 Duritatea Vickers,
H = (2/3) Y {1+[3/(3-λ)] ln [3/ λ + 3μ-1μ]}E/Hv în raport de constanta
=(2/3) Y [1+B ln Z], elastică E C, diamant, St(a),
unde: λ=6(1-2ν) Y/E; oţel călit; St(Φ), oţel
μ=(1+ν) Y/E durificat

113
 Prin substituţia valorilor lui E/H obţinute experimental, se poate estima
din această ecuaţie efortul de curgere Y. O ecuaţie mai detailată, modificată de
către Marsh este prezentată în figura 4.8. Figura 4.9 arată relaţia dintre duritatea
Vickers, E/Hv corespunzătoare lui H şi modulul de elasticitate E. Se observă că
E/H=250 pentru legăturile metalice ductile, 20 pentru legăturile covalente fragile
şi 20-150 pentru legăturile ionice. De aceea, putem spune că stratul degenerat
este gros pentru materialele cu legătură metalică ductilă, în timp ce pentru
materialele covalente acesta este subţire.
4.2.2 Procesarea subgranulă a ceramicilor fragile
Cu toate că densitatea de distribuţie a defectelor tip dislocaţii este foarte
scăzută în ceramicile fragile sau în cristalele anorganice în comparaţie cu
metalele, un mare număr de microfisuri sunt distribuite compact la intervale
medii de ~ 1 μm. Faptul că ruperea fragilă din ceramici este cauzată de
microfisurile preexistente este bine cunoscut. Ceramicile posedă microfisuri din
abundenţă, întrucât procesul de cristalizare favorizează creşterea lor. Structura
ceramicilor are la bază puternice legături covalente sau ionice, iar potenţialul de
legătură atomic are un increment abrupt. Pentru a diminua tensiunile interne în
timpul solidificării, trebuie să germineze şi să crească microfisuri întrucât
dislocaţiile cauzate de alunecările atomice nu apar uşor. Drep urmare,
procesarea subgranulă a ceramicilor utilizează în principal ruperile prin
microfisurare.
a) Mărimea critică a fisurii şi tensiunea critică de fisurare în teoria lui
Griffith
Pentru investigarea ruperii prin fisurare a materialelor ceramice poate fi
utilizată teoria lui Griffith. După cum se observă în figura 4.10, este examinată
ruperea fragilă într-o probă plată subţire cu o fisură de lungime 2c (m) sub
acţiunea unei tensiuni de întindere uniforme σ (N m-2), pe baza considerării unor
bilanţuri de energie elastică şi energie superficială.
Energia elastică internă pe unitatea de grosime (J m-1) a unei probe cu o
fisură este mai mică decât cea a unei probe fără fisură, cu o cantitate W1 pentru o
stare a tensiunii plane:
W1 = πc 2 σ 2 / E (4.7)
unde E este modulul de elasticitate longitudinal (N m-2).
Pentru deformarea plană în plăci groase,
W1 = (1 − ν )πc 2 σ 2 / E (4.8)
unde ν este coeficientul lui Poisson.
Totuşi, întotdeauna există o energie superficială pe unitatea de grosime
W2 la suprafaţa fisurii, dată de:
W2 = 4 γc (4.9)

114
 [(
ΔW1 − ΔW2 = Δ(W1 − W2 ) = 2πcσ 2 / E − 4γ Δc) ] (4.10)
Când ∆ W1 - ∆ W2 =0, într-o anumită condiţie critică, dimensiunea fisurii c
rămâne constantă la o anumită tensiune de încărcare σ.
Mărimea critică a fisurii Cc pentru această condiţie şi tensiunea critică de
fisurare σc se obţin ca:
Cc = 4 γE / 2πσ 2 , σ c = (2 γE / πc )1 / 2 (4.11)

Fig. 4.10 Modelul Griffith, σ

tensiunea de întindere utilă
datorită solicitării externe

Prin urmare, după cum se observă în figura 7.11, dacă tensiunea utilă σ
este mai mare decât σc sau mărimea fisurii existente este mai mare decât Cc,
atunci:
∆(W1 - W2) / ∆C>0, iar dimensiunea fisurii va creşte fără o creştere a
sarcinii, conducând la apariţia ruperii prin fisurare.

Fig. 4.11. Semilungimea fisurii şi energia

liberă totală

Dimpotrivă, dacă C > Cc sau σ < σc atunci mărimea fisurii descreşte către
zero. De aceea, teoretic, poate să nu fie nici o fisură preexistentă, dar în practică,
după cum se va discuta mai târziu, materialele ceramice nu sunt perfect elastice,
dar sunt în parte plastice în domeniul nano şi microdimensional al extremităţilor
fisurii. De aceea pentru a constrânge o fisură contra forţei rezistente la alunecare
la extremitatea fisurii, materialul trebuie să conţină fisuri de o anumită mărime.
Aceasta explică de ce materialele ceramice au fisuri preexistente.

115
 b) Remarci asupra procesării practice a ceramicilor
Când tensiunea de lucru cauzată de indentare cu unpenetrometru teşit
acţionează asupra unei arii relativ largi, cum ar fi în domeniul subgranular sau
mai mare, atunci ruperea fragilă generată de o microfisură preexistentă apare la
un punct unde a fost atinsă tensiunea critică de fisurare σc= (2 γE/πc)1/2 dată de
ecuaţia 7.11 şi care acţionează în aria de contact dintre piesa de prelucrat şi
penetrometru.
De asemenea, dacă tensiunea de lucru determinată de un penetrometru
foarte ascuţit acţionează asupra unei arii maim mici, <1 μm, în care nu există
microfisuri, atunci apare o alunecare microtangenţială (de forfecare) fără
fisurare datorită unei înalte tensiuni elastice de forfecare. Acest lucru înseamnă
că se produce o alunecare de forfecare pe baza limitei de rupere de forfecare
elastică τsf. Aceasta este rezistenţa teoretică la forfecare τth, şi care corespunde
forţei de legătură atomice.
Din acest motiv, procesarea materialelor ceramice în domeniul
subgranular, 0,1 – 10 μm, utilizează ruperea microfragilă bazată pe microfisurile
preexistente la intervale de 1 μm. În practică, lepuirea convenţională, prelucrarea
ultrasonică şi de sablare cu particule abrazive fine, precum şi aşchierea fină cu
abrazivi fixaţi reprezintă metode tipice de procesare subgranulară pentru
materialele ceramice.
Deşi în aşchierea ductilă ultrafină şi lepuirea fină ne putem aştepta la
apariţia unui strat degenerat foarte subţire, în materialele ceramice se produce la
suprafaţa lor o propagare destul de adâncă a fisurilor. De aceea, în lustruirea
convenţională a ceramicilor se utilizează procese de prefinisare, cum ar fi
lepuirea uşoară sau finisarea uşoară cu granule de diamant cu fisurare foarte
uşoară.
c) Tensiunea critică de fisurare pentru un câmp de tensiuni complexe
În cazul tensiunilor complexe într-un câmp bidimensional cu tensiunile
principale σ1 şi σ2, tensiunea critică σc pentru iniţierea fisurării atunci când
fisurile sunt distribuite întâmplător este dată de (fig. 4.12 şi 4.13):
σ1 − σ 2 + 8σ c (σ1 + σ 2 ) = 0 (4.12)
cu 3 σ1+σ2<0, unde semnul negativ indică compresiune.
Direcţia axei critice de fisurare θ este dată de relaţia:
1 σ1 − σ 2
cos 2θ = − (4.13)
2 σ1 + σ 2
atunci când σ1= 0, σ2< 0 şi cos 2θ = 0,5, adică θ = 30˚.
d) Tensiunea maximă periferică σm la extremitatea fisurii, dată de Inglis
Inglis a concluzionat că dacă se presupune o distribuţie eliptică a tensiunii
în jurul extremităţii fisurii, tensiunea maximă de întindere (tracţiune) σm (N m-2)

116
la extremitatea fisurii, corespunzând tensiunii critice de fisurare σc, este dată de
(figura 4.14):

Fig. 4.12 Aranjamentul axelor Fig. 4.13 Tensiuni combinate la

arbitrare de fisurare axele arbitrare de fisurare
σ m = σ c 2(c / ρ )1 / 2 (4.14)
unde c este semilungimea fisurii (m), iar ρ este raza extremităţilor fisurii (m);
2(c/ρ)1/2 este denumit factor de concentrare a tensiunii (SCF – Stress
Concentration Factor).
Când σm atinge rezistenţa teoretică sau limita elastică finală σth, dată de
E/2π, fisura începe să crească. Astfel, pe baza tensiunii critice de fisurare
σc=(2γE/πc)1/2 conform teoriei lui Griffith, tensiunea de iniţiere a ruperii fragile
va fi dată de:
σ m = (2 γE / πc )1 / 2 2(c / ρ )1 / 2 = (8γE / πρ)1 / 2 (4.15)
Fie ρ=2·10-4 μm şi dacă se consideră E=80 GPa şi γ=0,26 J·m-2 pentru
sticlă, rezultă σmf=15 GPa. Pe de altă parte, rezistenţa teoretică σth=E/2π
calculată a sticlei este 13 GPa. Întrucât rezistenţa teoretică furnizată de E/2π este
aproape aceeaşi cu tensiunea maximă periferică σmf obţinută pe baza teoriei lui
Griffith, se confirmă valabilitatea concepţiei lui Inglis.
e) Densitatea de energie superficială modificată pentru iniţierea
fisurării
Teoria lui Griffith pentru iniţierea fisurării presupune că densitatea de
energie superficială a unei fisuri γ (J·m-2) constă numai din disiparea energiei
pentru propagarea fisurii în materiale fragile. Într-un câmp uniform de tensiuni
de întindere, la extremitatea fisurii se obţine, în general, o tensiune de tracţiune
concentrată σ´, care pe baza factorului de concentrare a tensiunii poate fi
exprimată astfel:
σ´=σ·2(c/ρ)1/2

117
 Fig. 4.14 Tensiunea maximă periferică (Inglis)

Fig. 4.15 Densitatea de energie superficială Fig. 4.16 Diametrul fibrei de sticlă
modificată (Gilmann) şi rezistenţa la rupere (Griffith).
Compoziţia sticlei (% grav):
SiO2=69,2, Al2O3=11,9, K2O=12,0,
CaO=4,5, Na2O=0,9, MnO=0,9.
În consecinţă, dacă τ´ (corespunzând lui σ´/2) depăşeşte τth sau τsf, unde τth
este tensiunea teoretică de forfecare, iar τsf limita de rupere elastică de forfecare,
atunci se produce o alunecare prin forfecare în loc de o rupere directă la
tracţiune aşa cum se prezintă în figura 4.15.
Astfel, pentru a obţine tensiune critică de fisurare σc în formula lui
Griffith, înseamnă că densitatea de energie de forfecare p (J·m-2) trebuie să fie
adăugată la densitatea de energie superficială pură γ, în bilanţul de energie.
Densitatea de energie de forfecare p propusă de Gilmann are forma:
p = 9 γ ln (E / 2πYc ) (4.16)

118
unde Yc este tensiunea elastică de curgere corespunzătoare limitei de rupere
elastică prin forfecare τsf pentru materiale ductile.
În aceste condiţii, tensiunea critică de fisurare va fi dată de:
σ cp = 2 Eγ[1 + 9 ln (E / 2πYc )] / πc = 2 Eγ p / πc (4.17)
unde γp= γ[1+9 ln (E/2πYc] se numeşte densitate de energie superficială
modificată pentru propagarea fisurii.
f) Împrăştierea valorilor de rezistenţă la rupere fragilă
Deşi este bine cunoscut, rezistenţa la rupere fragilă a sticlei prezintă o
distribuţie cu împrăştiere largă. Acest lucru se datorează faptului că rezistenţa
fragilă depinde de cea mai mare fisură preexistentă din specimenul considerat;
cu alte cuvinte rezistenţa este controlată de veriga cea mai slabă a lanţului.
În figura 4.16 se arată că rezistenţa medie a unei fibre de sticlă se apropie
de rezistenţa teoretică sau moleculară a unei sticle lipsite de fisuri pe măsură ce
diametrul fibrei de sticlă tinde către zero, deoarece pentru o lungime dată
specimenele mai subţiri au mai puţine fisuri preexistente. Împrăştierea valorilor
rezistenţei la rupere fragilă poate fi observată în curbele de frecvenţa ruperii din
figura 4.17.
Aceste rezultate confirmă, în general, teoria referitoare la fisurile
preexistente în materialele fragile.

Fig. 4.17 Distribuţia frecvenţei rezistenţei la rupere şi sarcina la rupere

4.2.3 Procesarea subgranulă a polimerilor organici

Structura macromoleculelor organice constă din molecule mari
interconectate şi, deşi legătura dintre atomii polimerului este ionică sau
covalentă, cea dintre molecule este determinată de forţe van der Waals şi prin
urmare este foarte slabă.

119
 În consecinţă, deformarea intermoleculară a polimerilor este, în principal,
datorată alunecării vâscoase dintre grupele moleculare mari căreia i se opun
forţele de legătură van der Waals.
Totuşi, pentru aşchierea foarte fină în domeniul submicronic, uneltele
convenţionale nu sunt adecvate, întrucât separarea atomilor din molecula
polimerului necesită o prelucrare tip atom cu atom cu densităţi de energie
ridicate pentru a contracara forţele de legătură ionică sau covalentă.
De aceea, pentru îndepărtarea unor fragmente foarte fine din polimerii
înalţi sunt necesare unelte de aşchiere din carburi cementate, granule de diamant
sau abrazivi din SiC, etc.
Mai mult, în unii polimeri înalţi care prezintă comportare fragilă, cum ar
fi sticlele organice, alunecarea datorită curgerii vâscoase nu se produce uşor în
aşchierea ultrarapidă şi atunci survine ruperea fragilă.
Acest lucru se întâmplă deoarece forţa care se opune curgerii vâscoase
creşte proporţional cu creşterea vitezei de deformare.

4.3 Procesarea nanofizică

4.3.1 Evaporarea în câmp electric a atomilor specificaţi
Această metodă a fost dezvoltată de la concepţia microscopului tunel cu
baleiaj (STM – Scanning Tunneling Microscope). O diagramă schematică a
evaporării în câmp electric este prezentată în figura 4.18.
Sistemul constă dintr-un electrod cu capăt ascuţit, făcut din wolfram, care
este controlat de o unitate de poziţionare tridimensională (3D) ce are la bază un
sistem piezoelectric cu o rezoluţie şi o acurateţe subnanometrică şi o sursă de
curent continuu de câţiva volţi.

Fig. 4.18 Modele pentru evaporarea în câmp electric: electrod cu capăt ascuţit
controlat de un dispozitiv piezoelectric de poziţionare cu rezoluţie subnanometrică.
Pt indică forţa de tracţiune datorită câmpului electric concentrat la marginea
ascuţită.

120
 Piesa de prelucrat dintr-un material conductor este plasată sub electrod la
o distanţă de 0,1 nm sau similară. Intensitatea câmpului electric în spaţiul de
lucru este de 5·1010 Vm-1, ceea ce creează o forţă de tracţiune sau de extragere
asupra unui atom ionizat de la suprafaţă de 5·1010 Vm-1·1eV=8·10-8N (1eV=1,6
10-19J).
Prin comparaţie, forţa de legătură asupra unui atom aflat în nodul reţelei
cristaline este estimată a fi ~5·10-8N pentru Si, calculată pe baza energiei de
legătură atomice.
Din acest motiv ne putem aştepta ca un atom aflat la suprafaţă să poată fi
îndepărtat de un asemenea câmp electric.
4.3.2 Procesarea cu fascicul de fotoni dirijat
Un foton este o particulă elementară de energie, fără masă, şi anume
cuanta de energie din legea lui Planck. Un foton are o energie egală cu hν, unde
h este constanta lui Planck, 6,626 10-34 Js, iar ν este frecvenţa echivalentă (Hz).
Întrucât un foton poate fi considerat în acelaşi timp şi ca o undă
electromagnetică de frecvenţă ν, lungimea de undă echivalentă a unui foton (m)
este dată de relaţia:
l = c/v (4.18)
unde c este viteza luminii: 2,998 108 m/s.
Rezultă de aici că lungimea de undă a fotonilor dintr-un fascicul luminos
sau fasciculul laser este de ordinul 10 până la 0,1 μm pentru energiile fotonilor
în domeniul 0,1 – 10 eV. Pe de altă parte, lungimea de undă a fotonilor din
radiaţia X sau cea sincotronică este de ordinul 10 la 0,1 nm pentru energii
cuprinse între 0,1 şi 1 MeV. O lungime de undă a fotonilor poate fi considerată
ca o regiune în care ea există.
În tabelul 4.1 şi figura 4.19 sunt prezentate mai multe exemple de
procesare cu fascicul de fotoni, utilizând fascicule luminoase, laser sau radiative.
Fasciculul fotonic proiectat local pe suprafaţa piesei de prelucrat îşi transmite
energia electronului(ilor) exterior(i) al(ai) atomilor. Această energie este
transformată în energie termică de vibraţie sau energie de activare chimică a
atomului care este ciocnit (lovit), după cum se prezintă în figura 4.20 (a) şi (b).
Procesarea tip atom cu atom a unui atom cu un singur foton nu poate fi
realizată cu lasere obişnuite; în locul ei se realizează procesarea termică cu
fascicul fotonic, prin căldura acumulată local la punctul de procesare, căldură
condusă de la aria de proiectare a fasciculului fotonic.
Temperatura de saturare Ts (K) datorată căldurii concentrate la centrul
fasciculului proiectat este dedusă din teoria conducţiei căldurii ca (figura 4.21):
Ts=Q/(πλa)=qa/λ (4.19)
unde:
Q - puterea intrată (J s-1);
λ - conductivitatea termică (J m-1 K-1 s-1);

121
 a - raza fasciculului de energie proiectat (m);
q - densitatea de energie intrată, Q/(π a2) (Wm-2).
Tabelul 4.1 Tipuri de surse laser
Sursa Elementul Ionul Lungimea de undă, l [μm]
laser optic (energie fotonică, eV)
activ
Solid Rubin Al2O3 Cr3+ 0,694 3 (1,78) Impuls, 1J, medie
YAG Y3 Al5O12 Nd3+ 1,065 (1,15) max, 5 W
Sticlă Sticlă Nd3+ 1,065 (1,15) Impuls, continuu
40-50 w
Impuls, continuu
Semico GaAs GaAs - ~ 0,8 (1,53-) Impuls, continuu
n-ductor
Gaz CO2 CO2+He+Ne Ion de 10,63 (1,15) Continuu <5 kW
Ar Ar CO2 0,488 (2,51) Impuls, 40-100W-
Ar+ TEA
0,545 (2,24) CO2 (10-100 Hz)

He-Ne He-N2 0,633 (1,93) Continuu <5 kW

excimer (Xe, Kr, Ar) - 0,5-0,2 (2,44 Impuls, 1 kHz
+ +
+ Xe , Kr -6,12) 10W
(F, Cl, Br) Ar+ Pulverizare
fotonică directă

Fig. 4.19 Surse laser: (a) solid; (b) CO2 gazos (coaxial)

122
 Fig. 4.20 Mecanisme de transfer de energie fotonică

De exemplu, densitatea de energie termică q a unui fascicul de fotoni de

rază 0,2 μm necesară pentru a realiza temperatura de evaporare de 1500 ˚C
pentru oţel inoxidabil este de ~2,5 1011 W m-2 cu λ=0,14 102 J m-1 K-1 s-1.
Fasciculele de fotoni din radiaţiile X şi sincrotronice, faţă de cele laser pot
realiza evaporarea directă a unui atom de către un foton, din cauza energiei mari
a fotonilor, după cum se arată în tabelul 4.1.
În afară de evaporarea termică datorată energiei fotonilor, există mai
multa procese fotochimice reactive cum ar fi cele utilizate pentru plăci
fotosensibile uscate şi materiale plastice fotosensibile, în care reacţiile sunt
cauzate de fotoni proiectaţi, după cum se arată în figura 4.20 (c). fotonii
proiectaţi penetrează prin suprafaţa unui material fotosensibil transparent şi
reacţionează direct cu atomii fotoreactivi în drumul lor. Aceasta crează un centru
pentru o imagine latentă, de exemplu un atom de argint activat din fotografia cu

123
halogenuri de argint sau atomi activi polimerizaţi în materiale plastice
fotorezistive.

Fig. 4.21 Energia termică absorbită, distribuţia şi viteza de variaţie a temperaturii:

(a) model pentru încălzire: Q, rata de energie intrată; λ, conductivitatea termică; ρ,
densitatea; c, căldura specifică; t, timpul, a, raza fasciculului de energie; (b)
distribuţia şi gradientul de temperatură: Ts, temperatura de saturaţie definită de
ecuaţia 2.25; gradientul de temperatură = (0,84 – 0,254) Ts/a ~0,6 q/ λ; (c) viteza de
modificare a temperaturii pentru o putere de intrare constantă: tc, timpul
caracteristic de răspuns = πa2/K, unde K este difuzivitatea termică = λ/ ρc; (d)
modificarea distribuţiei temperaturii cu densitatea puterii intrate.

Desigur, acurateţea poziţionării ariei fotoreactive este limitată la domeniul

lungimii de undă achivalente de-a lungul axei fasciculului de fotoni. Drept
urmare, pentru a creşte rezoluţia poziţionării se utilizează laserul cu argon şi
laserul cu excimeri, cu lungimi de undă scurte, de exemplu 0,2 μm.
Aplicaţii pentru acest tip de fotolitografiere pot fi întâlnite la fabricarea
plachetelor pentru circuite integrate (IC) cu textură foarte fină în domeniul
submicronic şoi videodiscurilor master cu canale şi spoturi foarte fine de ~ 1
μm.
Recent au fost utilizate, de asemenea, fascicule de radiaţii X şi radiaţie
sincrotronică pentru procesele fotoreactive. Aceste radiaţii constau din fotoni
comparabili de înaltă energie şi, în consecinţă, cu lungimi de undă echivalente
foarte mici, de ordinul nanometrilor. Aceste fascicule sunt utilizate cu succes în
gravarea sistemelor înalt integrate (LSI). Utilizând astfel de fascicule de radiaţii,

124
rezoluţia gravării poate fi îmbunătăţită până la ordinul a 10 nm, dar pentru a
realiza gravări de înaltă rezoluţie în domeniul subnanometric trebuie
îmbunătăţită tehnologia postchimică de gravare (corodare) pentru developarea
imaginilor latente.
4.3.3 Procesarea cu fascicul electronic dirijat
În figura 7.22 se prezintă schematic o instalaţie de procesare cu fascicul
electronic focalizat; macanismul transferului de energie de la electro la atomul
piesei de prelucrat este schiţat în figurile 7.23 şi 7.24.
Procesul de bază realizat de un electron având energie cinetică îl
constituie evaporarea termică a “bucăţilor” atomice. Electronii acceleraţi
proiectaţi asupra unei piese de prelucrat îşi transferă energia lor, în general, către
învelişul exterior al atomului şi cresc energia termică de vibraţie a nucleului.
Astfel, electronii ce posedă energie pot să furnizeze efectiv energia necesară
pentru evaporarea termică într-o porţiune foarte fin localizată a materialului
supus prelucrării. Totuşi, este important de recunoscut faptul că electronul
proiectat este, în principal, absorbit în regiunea de penetrare în adâncime şi nu la
suprafaţa materialului, după cum se prezintă în figura 7.23.

Fig. 4.22 Instalaţie de procesare cu fascicul de electroni

Procesarea cu fascicul de electroni a fost dezvoltată iniţial pentru gravarea

fină a plachetelor de semiconductoare precum şi de realizarea de găuri fine şi
suprafeţe texturate pe diamant şi alte piese preţioase. Acest lucru s-a datorat

125
faptului că electronul având un diametru foarte mic de 2,8 10-6 nm (din punct de
vedere clasic) şi o masă mică de 9 10-31 kg estimată din teoria electronică
clasică, poate fi uşor focalizat într-un fascicul foarte îngust de câţiva nanometri
diametru şi căruia să I se imprime o energie înaltă de câteva sute de kilovolţi (1
keV=1,602 10-16J).

Fig. 4.23 Mecanismul conversiei energiei fascicului de electroni dintr-un material

Fig. 4.24 Domeniul de penetrare a electronilor în material

Electronul incident de înaltă energie este capabil să penetreze suprafaţa

unui material supus prelucrării prin reţeaua structurii atomice, deoarece
diametrul său efectiv este mult mai mic decât distanţa interatomică de 0,2-0,4
nm. Electronii incidenţi penetrează prin stratul superficial de la suprafaţă până la
o adâncime Rp (figura 4.24) unde cei mai mulţi dintre ei sunt absorbiţi.
Adâncimea experimentală şi teoretică de penetrare este:
R p = 2,210 −12 V 2 / ρ (cm) (4.20)
unde V reprezintă tensiunea de accelerare (în volţi), iar ρ, este densitatea
materialului penetrat (g cm-3).
De exemplu, adâncimea de penetrare în oţel pentru un electron având o
energie de 50 keV este ~7 nm, iar în aluminiu de ~ 10 μm.

126
 După cum se arată în figura 4.24, numărul electronilor absorbiţi la
suprafaţa materialului este foarte mic; sunt indicate adâncimea ratei maxime de
absorbţie Xe şi centrul adâncimii de absorbţie Xd. În consecinţă, procesarea cu
fascicul de electroni prin evaporare termică nu este potrivită pentru gravare,
inscripţionare fină sau alte prelucrări fine care necesită acurateţe nanometrică pe
suprafaţa unui material.
În opoziţie cu procesul de evaporare termică, procesarea cu fascicul de
electroni bazată pe activarea reactivă cu ajutorul unui fascicul electronic
focalizat, după cum se prezintă în figura 4.25, este larg utilizată în litografia cu
fascicul de electroni cu acurateţe şi rezoluţie nanometrică.

Fig. 4.25 Litografia cu fascicul de electroni: instalaţia JBX-64 (tip scanare

vectorială) de expunere cu fascicul de electroni cu arie variabilă.

Acest proces se bazează pe activarea materialelor electronic sensibile,

cum ar fi polimerii. Atomii din astfel de materiale sunt activaţi de electronii care
trec pe lângă nucleu. Cu alte cuvinte, electronii incidenţi activează atomii
sensibili la acţiunea electronilor, determinând polimerizarea sau depolimerizarea
de-a lungul traseului străbătut de electroni. Procesul a fost utilizat pentru a se
realiza rezoluţii de înaltă dimensiune în domeniul subnanometric, întrucât nu
apare nici un fel de difuzie termică, iar împrăştierea este neglijabilă. De aceea,

127
un fascicul de electroni fin focalizat poate produce o gravare cu o acurateţe
subnanometrică în procesarea atom cu atom bazată pe activarea reactivă.
4.3.4 Procesarea cu fascicul ionic dirijat
O metodă fundamentală de procesare a materialelor care utilizează ioni
este prelucrarea cu împrăştiere ionică. Echipamentul de bază pentru prelucrarea
cu împrăştiere ionică este prezentat schematic în figura 4.26.
Mecanismul prelucrării prin pulverizare/împrăştiere este prezentat grafic
în figura 4.27. Ionii de gaz inert, cum ar fi ionii de Ar acceleraţi în câmp electric
până la o energie medie de 10 keV (corespunzând unei viteze de ~200 km/s),
sunt orientaţi unidirecţional şi proiectaţi asupra suprafeţei materialului de
prelucrat sub un vid înalt (1,3 10-4 Pa).
Spre deosebire de procesarea cu fascicul electronic, cei mai mulţi dintre
ionii proiectaţi interacţionează cu atomii de la suprafaţa materialului din cauză
că diametrul unui ion de Ar (0,1 nm) este comparabil cu distanţa medie
interatomică a atomilor aflaţi la suprafaţă şi care este de ~0,3 nm. Drept
consecinţă, ionii proiectaţi se ciocnesc frecvent cu nucleele atomilor materialului
supus prelucrării şi expulzează sau împrăştie atomii de la suprafaţă. Astfel,
procesarea este realzată în principal prin îndepărtarea materialului atom cu atom,
această procedură este numită gravare cu ioni difuzaţi sau prelucrare cu ioni
împrăştiaţi.
În plus, când atomul împrăştiat are o energie cinetică de câteva zeci de
electronvolţi, care este mai mare decât cea a unui atom obişnuit evaporat, se
poate realiza depunerea cu împrăştiere ionică; atomul împrăştiat, având o
energie peste potenţialul barierei de suprafaţă, se ciocnesc cu un atom ţintă
localizat în poziţie opusă şi care aderă mai puternic decât în cazul depunerii
obişnuite din vapori.
Adâncimea de pătrundere a unui ion de Ar incident având 10 keV este
estimată la a fi de câţiva nanometri sau de circa 10 straturi atomice, după cum se
arată în figura 4.27. Pe de altă parte, ionii cu energi mai mari, de exemplu 100
keV, pot penetra mai departe prin reţeaua atomică, devenind atomi interstiţiali
sau substituţionali în stratul superficial. Acest tip de proces de penetrare adâncă
este utilizat pe scară largă pentru implantarea ionică, prin care impurităţi de
dimensiune atomică sunt injectate în procesul de prelucrare a plachetelor
semiconductoare.
O dezvoltare recentă o constituie amestecarea ionică, care foloseşte ioni
de înaltă energie ai unor elemente diverse; metoda este larg utilizată pentru
tratamentul suprafeţei sau modificarea suprafeţei materialelor.
O altă dezvoltare o constituie procesarea reactivă care utilizează ioni de
înaltă energie reactivi chimic. Astfel, ionii reactivi derivaţi din CCl4 sunt utilizaţi
pentru îndepărtarea Al sau CF4 pentru îndepărtarea Si, când aceşti ioni posedă şi
energie mai mare, viteza de reacţie este şi ea cu mult mai mare.

128
 Sursele de fascicule ionice de tip plasmă de înaltă frecvenţă sau tip
avalanşă ionică, utilizând descărcare în curent continuu sau în rezonator de
microunde de 2,45 GHz, prezentate în figurile 4.28 şi 4.29 sunt, de asemenea,
utilizate pe scară largă.

Fig. 4.26 Instalaţie sursă a fasciculului ionic: tip de fascicul ionic focalizat pentru
fabricarea lentilelor asferice

4.3.5 Procesarea suprafeţei cu plasmă

Plasma este definită ca o stare electrică conductoare a gazelor în care
coexistă un număr aproximativ egal de electroni şi ioni pozitivi. În general, la
presiune atmosferică, plasma apare la descărcarea în gaze în arc electric la
temperaturi 10000 - 20000 K şi este cauzată de recombinarea electronilor şi
ionilor disociaţi. Totuşi, la presiuni scăzute, plasma datorată descărcării în
curent continuu sau excitaţiei de microunde apare la temperaturi scăzute în

129
comparaţie cu cazul presiunii atmosferice; temperatura este determinată de
energia cinetică a electronilor şi ionilor din starea respectivă.

Fig. 4.27 Model grafic pentru prelucrarea prin pulverizare cu ioni.

Fig. 4.28 Sursa de fascicul ionic: tip plasmă de înaltă frecvenţă

130
Fig. 4.29 Sursa de fascicul ionic: tip avalanşă ionică (descărcare în curent continuu
şi rezonator de microunde de 2,45 GHz)

Nanoprocesarea materialelor poate fi realizată utilizând plasma la

temperaturi joase şi presiuni reduse; mecanismul de procesare este similar celor
care utilizează fascicule de electroni şi fascicule de ioni.
4.3.6 Procesarea suprafeţei cu fascicul molecular
Acest tip de proces este realizat prin bombardarea directă cu atomi şi
molecule obţinuţi prin evaporare termică cu ajutorul unui fascicul de electroni în
vid înaintat (10-7 – 10-8 Pa). Energia cinetică a atomilor sau moleculelor în
această stare este mult mai mică (~1 eV) decât în cazul împrăştierii ionice a
atomilor neutri.

Fig. 4.30 Epitaxia cu fascicul molecular (MBE – Molecular Beam Epitaxi)

131
Fig. 4.31 Creşterea cristalelor cu fascicul molecular controlat prin intermediul unui
computer digital

Procesarea cu fascicul molecular în care “bucăţi” atomice sunt depuse

direct se utilizează pentru creşterea epitaxială a cristalelor pe plachete
semiconductoare, permiţând realizarea unui control foarte fin al grosimii şi
compoziţiei. Acest tip de procesare atom cu atom a permis dezvoltarea unui
proces de sinteză pentru crearea materialelor cu superreţele pentru componente
microelectronice.
Echipamentul tipic este prezentat în figurile 4.30 şi 4.31.

4.4 Procesarea nanochimică şi electrochimică

4.4.1 Conceptul de procesare chimică şi electrochimică
Din cauza naturii reacţiilor chimice, procesarea chimică este în mod
natural o procesare atom cu atom a materialelor. O reacţie chimică reprezintă o
modificare în combinarea atomilor, a moleculelor reactante, în care legătura
chimică a moleculelor reactante este desfăcută şi se generează o nouă moleculă.
De exemplu, moleculele cu legături atomice H-H şi O-O pot fi desfăcute pentru
a se forma o nouă moleculă având legăturile H-O-H.
În cadrul procesului, un gaz sau un lichid reactiv chimic este aplicat unei
poziţii specifice pe suprafaţa solidă a materialului de prelucrat. Moleculele
reactive reacţionează apoi cu moleculele suprafeţei, iar moleculele reacţionate
solubile ori ca vapori sunt îndepărtate sau difuzate în gazul sau lichidul reactant
înconjurător. O astfel de procesare chimică a “bucăţilor” atomice are loc
uniform şi la întâmplare pe suprafaţa materialului, generând o suprafaţă plană,
netedă.
Dacă moleculele care au reacţionat sunt fie solubile, fie insolubile sub
formă de vapori se formează un strat reactiv chimic pe suprafaţa materialului;

132
dacă însă moleculele reactante sau rezultate ca produşi de reacţie difuzează prin
straturile superficiale ale materialului supus prelucrării şi reacţionează cu atomii
sau moleculele din strat, atunci se poate spune că s-a realizat un tratament
chimic reactiv al suprafeţei.
Acurateţea dimensională ce poate fi obţinută (datorită erorilor aleatoare)
în procesarea chimică reactivă este în domeniul nanometric, în condiţiile de
procesare stabilă (temperatura şi nivelul de turbulenţă în curgerea reactanţilor şi
a fluidelor implicate).
Pentru a se obţine produse de ultraprecizie cu acurateţe nanometrică
(datorită erorilor sistematice) prin intermediul procesării sau corodării chimice
sunt necesare măsuri in situ şi control de feedback al poziţiei punctului de
prelucrare şi al volumului procesat (aria şi adâncimea). Totuşi, acest lucru este
dificil de realizat în practică.
În general, controlul poziţiei punctului de prelucrare şi al ariei pe care se
face trasarea se realizează cu o mască de gravare obţinută prin metoda
fotorezistivă. Totuşi, controlul volumului sau adâncimii de prelucrare poate fi
făcută numai prin reglarea timpului de procesare şi a vitezei de curgere a
agenţilor de corodare. Deşi acest tip de proces chimic utilizează un control cu
buclă deschisă fără măsurători şi control in situ, acurateţea sau precizia
dimensională este cât se poate de ridicată. Acest lucru se datorează faptului că
pentru reacţiile chimice, viteza de procesare este foarte lentă, iar rezoluţia de
procesare foarte fină.
Pentru obţinerea unei înalte acurateţe de procesare, ar trebui dezvoltate
tehnici de măsurare şi control feedback in situ cu acurateţe nanometrică şi care
să fie aplicate procesării chimice reactive. Deşi au fost dezvoltate mai multe
tehnici in situ de măsurare şi control ale sistemelor care utilizează emisii de
radiaţii secundare la punctul în care are loc reacţia chimică, acestea nu sunt încă
satisfăcătoare.
În acest subcapitol, reacţiile chimice sunt considerate numai la nivel
macroscopic, care implică echilibru chimic şi viteze de reacţie, pe baza energiei
chimice potenţiale datorate stării cuantice a electronilor din modelul Bohr.
Tratarea microscopică a reacţiilor chimice utilizând teoria cuantică, pe baza
funcţiei de undă sau orbitalului atomic nu este discutată în prezentul subcapitol
întrucât procesarea “atomică” a materialelor nu consideră în mod direct structura
mecanic-cuantică atomică. Acest subcapitol acoperă şi procesarea
electrochimică, deoarece reacţia de bază este aceeaşi ca şi în cazul altor procese
chimice obişnuite. Totuşi, energia de activare pentru reacţii este dată de
potenţialul câmpului electric şi diferă de energia de activare obişnuită din
reacţiile chimice, care se bazează pe energia potenţială termică.
4.4.2 Echilibrul în reacţiile chimice
O reacţie chimică poate fi definită ca un proces în care legăturile
moleculelor reactante sunt rupte fiind generate noi molecule. Pentru a investiga

133
comportarea reacţiilor chimice în materialele reactante, este necesar ca mai întâi
să cunoaştem tipul de legătură chimică predominantă în molecula de reactant, de
exemplu ionică, covalentă, metalică sau moleculară (van der Waals). Apoi,
trebuie determinat gradul de echilibru al reacţiei chimice şi viteza de reacţie.
În consecinţă, pentru procesarea chimică reactivă tip atom cu atom a
materialelor, este necesară selecţionarea unui material reactant potrivit cu
materialul de lucru, prin considerarea gradului echilibrului chimic şi mărimii,
vitezei de reacţie.
a) Energia Gibbs şi energia Helmholtz
Tratarea macroscopică a reacţiilor chimice poate fi realizată pe baza
utilizării energiei libere chimice a substanţelor reactante.
În particular, energia Gibbs G, joacă un rol important în stările gazoase.
Pe baza legii întâi şi a doua a termodinamicii, G este definit ca:
G = U + pV − TS , (Jmol-1) (4.21)
unde U este energia internă a substanţei reactante gazoase. Aceasta este o
energie naturală a materialului considerat care provine din energiile cinetice de
mişcare liniară şi de rotaţie, din energia potenţială dintre nuclee şi electronii
periferici, energia nucleului şi energia electrostatică şi magnetică a câmpului
electromagnetic.
Mărimea pV este lucrul mecanic extern necesar pentru a menţine
substanţa reactantă la presiunea exterioară p şi la volumul V.
Suma U + pV este denumită entalpia H, a substanţei reactante. Termenul
final TS poate fi denumit energia entropică; T este temperatura absolută, iar S
este entropia, definită conform legii a doua a termodinamicii, care afirmă că
toate fenomenele evoluează către stări de entropie mai mare. Pentru solide,
variaţia termenului pV în timpul reacţiei chimice este neglijabilă, astfel că se
poate defini energia Helmholtz F, astfel:
F= -TS+U, (4.22)
Aici U include energia termică datorită vibraţiei atomice în jurul nodului reţelei
din cristalul solid în loc de pV.
Entropia este determinată de gradul de dezordine a stării microscopice a
materialului şi este exprimată de următoarea ecuaţie a lui Boltzmann, utilizând
costanta lui Boltzmann k=1,38 10-23 JK-1:
S = k ln W (4.23)
unde W este numărul de stări microscopice dezordonate ale materialului
considerat, iar S=0 la T=0 conform definiţiei lui Planck.
În practică, entropia S poate fi definită în termeni de creştere a entropiei
dS dată de relaţia:
dS = dQ / T (4.24)

134
unde incrementul de căldură, dQ, este căldura absorbită într-o transformare
izotermă a unei reacţii chimice cvasistatice sau căldura care nu este disponibilă
reacţiei chimice (anergie); rezltă că energia Gibbs G a unei reacţii chimice
conform ecuaţiei 4.21 corespunde energiei potenţiale chimice. Acest lucru arată
că într-o reacţie chimică sistemul se va deplasa dintr-o stare de energie Gibbs
sau Helmholtz mai ridicată către o stare de energie joasă.
b) Echilibrul unei reacţii chimice
Starea de echilibru a unei reacţii chimice este exprimată, în general, de
următoarea ecuaţie pentru condiţii gazoase la presiunea totală p şi temperatura
T:
aA + bB ↔ lL + mM (4.25)
unde A, B sunt formulele chimice ale reactanţilor şi L, M ale produşilor de
reacţie, iar a, b, l şi m reprezintă numărul de moli ai participanţilor, determinaţi
de stoichiometria reacţiilor chimice. Cantităţile (concentraţiiile sau presiunile
parţiale) de A, B, L şi m la echilibru pot fi determinate din bilanţul de energie
Gibbs totală G, ale tuturor substanţelor considerate în reacţie, şi anume,
ΔG = GRHS − G LHS = 0 (4.26)
unde indicii subscrişi se referă la partea stângă şi respectiv, dreaptă a ecuaţiei
7.25. Energiile libere totale ale părţii stângi, respectiv drepte sunt exprimate
prin:
GL + G M = lμ L + mμ M
G A + GB = aμ A + bμ B (4.27)
unde μL, μM, μA, μB sunt energiile libere sau potenţialele chimice raportate la un
mol, ale substanţelor L, M, A şi respectiv B. De aceea, la echilibru este valabilă
relaţia:
(lμ + mμ M ) − (aμ A + bμ B ) = 0 (4.28)
Energia liberă, pentru starea gazoasă a lui L de exemplu, poate fi
exprimată prin:
μ L = μ 0 L + RT ln p L (4.29)
unde: μ0L este energia liberă a substanţei L la presiunea atmosferică standard de
1 bar (J mol-1); R – constanta gazelor (8,314 J mol-1K-1); T – temperatura
absolută (K); pL – presiunea parţială a substanţei L (bar).
Relaţia 4.29 poate fi obţinută pe baza următoarei proceduri:
La temperatură constantă (dT=0) pentru un gaz ideal este valabilă
următoarea ecuaţie:
pV = nRT (4.30)

135
unde V este volumul, iar n reprezintă numărul de moli ai gazului. Pentru această
condiţie, variaţia energiei Gibbs, dG, este exprimată prin:
dG=Vdp (4.31)
conform ecuaţiei 4.21.
Astfel,
p
⎛ nRT ⎞ ⎛ p⎞
ΔG = ∫ ⎜
⎝ p ⎠
⎟⎟dp = nRT ln⎜⎜ ⎟⎟ ,
⎝ p0 ⎠
(4.32)
p0

c) Constanta de echilibru pentru starea gazoasă şi legea acţiunii

maselor
Substituind μL= μ0L + RT ln pL şi pentru ecuaţiile corespunzătoare lui M, A
şi B în ecuaţia de echilibru 7.28, vom obţine:
(lμ 0 L + RT ln p L ) + m(μ 0 M + RT ln p M ) − a(μ 0 A + RT ln p A ) −
− b(lμ 0 B + RT ln p B ) = 0
Aceasta poate fi transformată în:

(lμ 0 L + m ln p L ) − (aμ 0 A + bμ 0 B ) + RT ln ⎡⎢(pL pM )(p a p b )⎤⎥ = 0

l m
(4.33)
⎣ L M ⎦

unde pL, pM, pL şi pM sunt presiunile parţiale ale lui L, M, A şi respectiv B la

echilibru în stare gazoasă.
Mărimea ∆G, care corespunde variaţiei de energie liberă în stare standard
pentru gaze, poate fi exprimată prin:
ΔG0 = (lμ 0 L + m ln p L ) − (aμ 0 A + bμ 0 B ) (4.34)
Astfel, din ecuaţia 7.33 avem:
ΔG0 = − RT ln K p (4.35)
unde:
(
l m
K p = pL pM
)
(p p ) ,
a b
A B
(4.36)

şi, de asemenea,
K p = exp(− ΔG0 / RT ) (4.37)
Kp este definită drept constantă de echilibru şi reprezintă raportul dintre
cantitatea de reactanţi şi cea de produşi de reacţie, la echilibru.
Relaţia din ecuaţia 4.36 este denumită legea acţiunii maselor.
Cu alte cuvinte, Kp este raportul dintre presiunile parţiale (pL, pM) şi (pA,
pB) la echilibru, pentru substanţele gazoase. Kp este o constantă care depinde de
temperatură, după cum se observă din ecuaţia 4.37.

136
 Dacă starea solidă este prezentă în reacţie, atunci legea acţiunii maselor îşi
păstrează forma dacă se egalează presiunea parţială a substanţei solide cu l, care
corespunde stării standard. Pe de altă parte, pentru substanţe dizolvate în soluţie
se aplică legea lui Henry:
p=kC (4.38)
unde: p este presiunea de vapori a solutului; C este concentraţia solutului în
soluţie; k este o constantă de proporţionalitate.
Atunci, se poate scrie următoarea relaţie analoagă cu cea pentru starea
gazoasă:
μ (l ) = μ (g ) + RT ln p (4.39)
Astfel, şi în acest caz legea acţiunii maselor poate fi aplicată la fel.
Proporţiile relative de reactanţi şi produşi de reacţie sunt indicate de
constanta de echilibru, după cum urmează: Kp>103>>1: produşii de reacţie sunt
predominanţi în amestecul de reacţie; Kp<10-3<<1: reactanţii sunt predominanţi,
iar cantitatea de produşi de reacţie este mică; Kp~ 1: reactanţii şi produşii de
reacţie sunt prezenţi în cantităţi similare.
4.4.3 Viteza reacţiei chimice şi energia de activare
Fie următoarea reacţie chimică:
2HI→H2+I2 , (4.40)
Viteza de reacţie V este dată de:
V=-d[HI]/dt=k[HI] , (4.41)
unde [HI] este concentraţia de HI şi k este constanta de viteză a reacţiei, care
poate fi determinată experimental utilizându-se ecuaţia lui Arrhenius:
ln k = a - b´T
k=exp(a´)exp(b´/T) , (4.42)
unde t este temperatura absolută iar a´ şi b´ sunt constante; b´ este egal cu Ea/R
unde Ea este o anumită energie de prag (barieră de energie), iar este costanta
gazelor.
Teoria statistică a lui Boltzmann şi Maxwell arată că numărul de molecule
cu o energie mai mare decât Ea este proporţional cu exp (-Ea/RT).
Ecuaţia lui Arrhenius arată că probabilitatea ca moleculele de HI să fie
disociate este proporţională cu numărul de molecule care au energia mai mare
decât energia de prag Ea. Asta înseamnă că atunci când energia liberă a
moleculei de HI depăşeşte Ea la temperatura T, se consideră că două molecule de
HI se apropie sub o anumită distanţă care să le permită ciocnirea şi să formeze
noile legături ale H2 şi I2. Această energie Ea este denumită energia de activare a
reacţiei chimice. Astfel, în toate reacţiile chimice, cele două molecule reactante
trebuie să posede suficientă energie liberă potenţială care să le permită

137
apropierea sub o anumită distanţă pentru a se putea ciocni. De aici, rezultă că
viteza de reacţie este limitată de probabilitatea ca o moleculă de reactant să aibă
o energie liberă mai mare decât energia de activare Ea. Utilizând acest concept,
viteza de reacţie V poate fi exprimată prin intermediul următoarei ecuaţii de tip
Arrhenius:
V = A exp(− E a / RT ) (4.43)
unde A este o constantă fundamentală pentru viteza de reacţie.

Fig. 4.32 Stări de energie liberă

Mai mult, în cazul unei reacţii chimice care implică stările de energie
liberă G1 şi G2, după cum se poate vedea din figura 4.32, pentru ca reacţia
G1→G2 să aibă loc trebuie ca starea G1 să atingă starea de activare Ga, unde
Ga=G1+Ea. În acest caz, viteza de reacţie este determinată cu ecuaţia 5.43.
Invers, pentru o reacţie chimică de la G2 la G1 viteza de reacţie este dată de:
V ′ = A exp[− (E a + ΔG ) / RT ] (4.44)
Atunci, viteza de reacţie netă a sistemului este:
V − V ′ = A′ exp(− E a / RT )[1 − exp(ΔG / RT )] (4.45)
astfel că, dacă ∆G>0, rezultă V > V´ şi reacţia se desfăşoară de la starea G1 către
starea G2.
Într-o reacţie electrochimică, atomii ionizaţi din lichidele reactante sunt
acceleraţi de un câmp electric exterior până la o energie cinetică
corespunzătoare energiei de activare a reacţiei. În plus, drumul mediu liber
dintre ioni devine mai mare decât în cazul mişcării browniene obişnuite şi
probabilitatea ca atomii reactivi să se ciocnească unul de altul creşte. De aceea,

138
viteza de reacţie într-un câmp electric este mai mare decât cea în absenţa
acesteia.
Pentru a realiza, în practică, o procesare chimică, trebuie să se facă apel la
date experimentale de încredere din cauza dificultăţilor de a stabili un sistem
optim pe baze teoretice.

NOTĂ: Studenţii vor întocmi o temă de casă cu subiectul „ Metode şi

tehnici de prelucrare nanotehnologică”.
Termen de predare 12.05.2007.

139
 ,NANOMATERIALECAPITOLUL 5
SISTEME DE FABRICAŢIE PENTRU NANOANSAMBLE
COMPUSE DIN COMPONENTE DE PRECIZIE
NANOMETRICĂ

5.1 Producţia de ULSI

5.1.1 Introducere
Circuitele integrate (IC) reprezintă prin ele înşile produse care implică
microtehnologie foarte precisă şi este, de asemenea, fabricat cu o
microtehnologie foarte precisă. IC au fost îmbunătăţite continuu prin progresul
tehnologiilor de precizie din domeniul opticii, mecanicii, controlului ş.a.m.d.
Tehnologia IC a pătruns în tehnologia nanometrică, cu alte cuvinte în
nanotehnologie. În figura 6.1 se prezintă o secţiune a unui circuit integrat
avansat, observată prin tehnica SEM. Dimensiunile microstructurilor pot fi
estimate cu ajutorul scalei de 0,25 μm.
Circuitele integrate sunt
îmbunătăţite an de an. În figura 6.2 se
prezintă realizările integrării DRAM
(Dynamic Random Access Memory).
Situaţia din 1995 a nivelului de
integrare a unui cip a fost după cum
urmează: 128 Mbiţi şi 256 Mbiţi în
producţia curentă, 512 Mbiţi la
producerea de prototipuri, 1Gb în faza
de cercetare. Conform cu evoluţia
integrării, denumirea memoriei IC a
fost schimbat din LSI (Large-Scale
Integration) în VLSI (Very Large-
Scale Integration) şi respectiv ULSI Fig.8.1 Secţiune transversală prin
(Ultra- Large-Scale Integration). circuit integrat, prototipul pentru
În figura 5.3 se prezintă o 256 M DRAM, Hitachi, observat
cu ajutorul SEM (prin Hitachi
secţiune transversală a unui tranzistor
Limited)
MOS (Metal Oxide Semiconductor) ce
formează un element al unui DRAM. Dimensiunea minimă acceptabilă în
proiectarea liniilor de circuit integrat se numeşte regulă de proiectare, care
determină lăţimea minimă a liniei proiectate şi distanţa minimă dintre liniile de

140
circuit, cum ar fi desenul porţii sau punctul de contact pentru conexiune, după
cum se prezintă în figura 5.3. Regula de proiectare adoptată în cele mai avansate
circuite integrate este de 0,35 µm pentru ULSI de 64 Mbiţi şi 0,25 µm pentru un
ULSI de 256 Mbiţi.

Fig.5.2 Realizări în dezvoltarea circuitelor integrate: regula desenului (lăţime

minimă a liniei), integrarea DRAM şi sistemul de litografie.

Fig.5.3 Secţiune transversală a unui tranzistor MOS cu canal N

5.1.2 Procesul de producere a circuitelor integrate

Un circuit integrat este fabricat pe baza unui proces ce este arătat în figura
6.4. Procesul general de producere a unui circuit integrat are mai multe etape, de
la proiectarea circuitului la asamblare şi ambalare, legate în serie sau în paralel,
în funcţie de cerinţele procesului. În procesul global, prelucrarea plachetei
constituie cel mai important pas, atât timp cât nivelul tehnologic de prelucrare al
plachetei determină regula de proiectare a circuitelor.
Circuitul electric al unui circuit integrat este proiectat luându-se în
considerare atât proiectarea circuitului ca sistem, cât şi ca element de circuit
individual pe baza aspectului fizic al componentei. Circuitul este pregătit printr-
un sistem de proiectare asistat de calculator (sistem CAD) sub forma

141
configuraţiilor de mască corespunzătoare subproceselor de prelucrare a
plachetei, care sunt stocate în memoria calculatorului. Conform acestor date,
măştile sunt desenate de către un sistem de expunere la un fascicul electronic pe
o placă de sticlă.

Proiectare Realizare Desenarea Prelucrare Testare Asamblare

circuit configuraţie măştii plachetă plachetă Împachetare

Fig.5.4 Sistem global de producţie a circuitelor integrate.

Apoi, se prepară o „felie" de Si dintr-un lingou, denumită plachetă,

constituind suportul circuitului integrat. Placheta este lepuită, lustruită şi
corodată mecano-chimic pentru a se obţine o suprafaţă foarte plană, care să preia
o imagine bună a configuraţiei măştii în procesul litografic, şi în scopul atingerii
unor performanţe electrice bune.
Apoi, masca şi placheta sunt trimise în procesul de prelucrare, unde
circuitul integrat este fabricat pe plachetă. Procesul de prelucrare a plachetei va
fi descris în detaliu mai târziu.
Astfel, un circuit integrat este realizat ca un cip pe plachetă. O plachetă
ULSI conţine câteva zeci sau sute de cipuri. Fiecare cip este testat electric de
către un tester IC: puterea şi semnalele circuitului integrat sunt culese prin
intermediul unei sonde IC care se deplasează pas-cu-pas în mod automat de la
un cip la altul. Apoi, plachetele IC terminate sunt transferate în etapa de
postprocesare a producţiei de circuite integrate, în postprocesare, placheta este
tăiată în cipuri separate de către o maşină de decupat şi împachetate. Decuparea
se realizează prin tăiere cu un disc de diamant rotativ, de-a lungul liniilor de
marcaj, care reprezintă spaţii pentru decupare dintre două cipuri alăturate.
Fiecare cip separat este legat la un cadru de plumb, iar electrozii de pe cip sunt
conectaţi la vârfurile electrozilor cadrului de plumb prin fire de Au de către un
dispozitiv automat de realizare a conexiunilor, iar în final, cadrul de plumb este
împachetat cu un material polimeric sau ceramic.
Sonda IC, maşina de decupat şi instalaţia de realizare a conexiunilor
întâmpină o aceeaşi problemă şi anume, găsirea unei linii de marcaj pe plachetă
sau poziţiile electrozilor pe cipul IC într-un timp scurt. Dimensiunea desenului
punctului de conectare şi a liniei de marcaj nu poate fi foarte mică (un pătrat de
~ 30 μm şi respectiv 25 μm), iar viteza de detectare a desenului este critică
pentru o prelucrare de productivitate înaltă, în acest scop se foloseşte un sistem
automat de recunoaştere a formelor. O altă problemă comună o constituie
poziţionarea sondelor pe testerul IC, a dispozitivului maşinii de decupat şi a
capilarităţilor de legare a firelor, în aceste cazuri, pentru productivităţi mari sunt
necesare o viteză şi o precizie de poziţionare mari.

142
 5.1.3 Prelucrarea plachetelor
Procesul de prelucrare a plachetelor conţine o serie de subprocese, între
care tehnologia cheie o constituie litografia. Unele etape tehnologice
componente ale procesului pentru prelucrarea unei plachete (un ciclu conţine
combinarea unui număr de subprocese înseriate pentru fabricarea unui singur
strat) sunt prezentate în figura 5.5. Secvenţa tipică a unui astfel de ciclu este
prezentată în figura 5.6.
Metoda fotolitografică este, în general, utilizată la fabricarea desenelor
circuitelor integrate pe o plachetă, pe liniile de producţie, iar litografia cu
fascicul electronic a depăşit nivelul de cercetare. Desenul iniţial (master) al
circuitului IC este copiat pe plachetă prin procesul litografic.

Foto-
litografiere

Creştere de
Plachetă Corodare
strat subţire

Depunere de Creştere
Dopare epitaxială
strat subţire

Fig. 5.5 Etape de fabricare a porţii MOS din siliciu

Desenul master al circuitului integrat pentru stepperul optic, componenta

principală a echipamentului pentru fotolitografie, este de cinci ori mai mare
decât desenul real realizat pe plachetă şi este denumit „reticul" în loc de
„mască", şi este utilizat în cazul unui sistem de aliniere unul câte unul. În
procesul fotolitografie, desenul este expus pe placheta acoperită cu fotorezist.
Factorul cheie în copierea desenului îl constituie puterea de rezoluţie a
sistemului optic proiector, ce intră în alcătuirea sistemul litografic. Puterea de
rezoluţie se îmbunătăţeşte cu scăderea lungimii de undă a sursei de lumină
utilizate pentru expunere. Linia g (465 nm) a lămpii de mercur de înaltă presiune
cu arc a fost utilizată pe liniile de producţie, iar ulterior s-a trecut la utilizarea
liniei i (365 nm).
În mod principial, un circuit integrat posedă o structură multistrat.
Alinierea unui desen care trebuie să fie expus peste un alt desen deja realizat
anterior constituie o operaţie care trebuie realizată în fiecare etapă litografică.
Este permisă o precizie a alinierii de 1/5-1/8 din lăţimea liniei de circuit.
Placheta expusă este developată pentru obţinerea desenului ca o mască
pentru corodare sau dopare cu impurităţi.

143
 Unele părţi ale suprafeţei plachetei de Si sunt corodate printr-o metodă
fizică sau chimică. Pentru fabricarea liniilor mai înguste a fost îmbunătăţită
corodarea conform cu cerinţele de proiectare ale circuitelor. Corodarea fizică
constituie o tehnologie importantă pentru liniile mai înguste utilizate în ULSI,
faţă de corodarea chimică folosită comparativ pentru linii mai largi. Corodarea
în plasmă sau corodarea cu ioni reactivi este de asemenea folosită pe liniile de
producţie. Pentru o corodare anizotropică fără deteriorarea stratului se foloseşte
metoda de corodare cu fascicul ionic de joasă energie şi curent înalt.
După litografie şi corodare, părţile corodate sunt dopate cu materiale cum
ar fi fosforul sau borul pentru realizarea de zone semiconductoare de tip n sau p,
utilizând o atmosferă de gaze ce conţine materialul dopant sub formă de compus
chimic. Dopantul este difuzat într-o porţiune determinată a desenului circuitului
prin aperturile unei măşti. Pentru desenele mai fine utilizate în ULSI se foloseşte
metoda de dopare cu fascicul ionic sau implantarea ionică atât timp cât
adâncimea şi densitatea difuziei pot fi controlate şi comandate exact şi este
posibilă prelucrarea la temperatură joasă. Fasciculele de joasă şi medie energie,
de 10-200 keV şi curent 1-2 mA sunt folosite pentru doparea straturilor
superficiale sau de densitate redusă de dopant. Doparea în zona porţii unui
tranzistor MOS pentru controlul pragului a constituit o primă aplicaţie. Pentru
dopajul de înaltă densitate se utilizează un sistem cu fascicul ionic de curent
înalt (20-30 mA), cum ar fi pentru zonele sursă sau de scurgere.
Sistemele cu fascicul ionic de energie mare (200 keV la l MeV) sunt
implementate pentru doparea mai adâncă a straturilor. Performanţele circuitelor
integrate vor fi îmbunătăţite în continuare cu această tehnologie.
Fabricarea straturilor subţiri este utilizată în unele faze ale procesului de
prelucrare a plachetelor, în principiu, un circuit integrat are o structură
multistrat, după cum s-a menţionat deja, iar realizarea celor mai mici unităţi de
circuit, ca arie, a fost posibilă pentru o înaltă integrare numai pe baza unei astfel
de structuri. Unele dintre procedeele utilizate în acest scop sunt creşterea de
straturi subţiri, depunerea de straturi subţiri şi creşterea epitaxială.
Pentru creşterea straturilor subţiri, oxidarea substratului de Si sau a
stratului de Si constituie o metodă importantă pentru obţinerea unui bun strat
izolator şi o interfaţă stabilă pentru alte materiale. Această metodă este folosită
în diverse faze ale prelucrării plachetelor, cum ar fi izolarea elementelor de
circuit, mascarea pentru difuzia impurităţilor, izolarea porţilor şi pasivarea.
Pentru un strat de poartă în ULSI este necesar un strat de 50 nm de metal sau
oxid metalic.
Depunerea de straturi subţiri este folosită la fabricarea straturilor
izolatoare, a straturilor semiconductoare, a straturilor metalice şi altele. Metoda
de depunere utilizată în fabricarea semiconductoarelor poate fi de două feluri în
funcţie de principiul utilizat.
Evaporarea în vid, depunerea prin pulverizare şi placare ionică reprezintă
variante ale depunerii fizice din vapori PVD (Physical Vapour Deposition). Prin

144
aceste metode sunt depuse metale, cum ar fi: Al, W şi Ta sau anumiţi compuşi
chimici, pe stratul superficial al plachetei în unele faze ale procesului (straturi
izolatoare sau realizarea conexiunilor).
Depunerea chimică din vapori (CVD - Chemical Vapour Deposition)
constituie celălalt tip de metodă de depunere. Un gaz ce conţine materialul ce
urmează a fi depus sub forma unui compus chimic este descompus de o energie
furnizată sub formă de căldură, plasmă sau fotoni, în cele mai multe cazuri,
anumite straturi de siliciu policristalin sunt depuse cu ajutorul CVD.
Creşterea epitaxială este tipică pentru realizarea de straturi subţiri. Siliciul
monocristalin este crescut pe un substrat de Si. Această metodă este folosită
pentru obţinerea de Si cu impurităţi scăzute sau domenii de Si fără defecte.

Fig.5.6 Etape de fabricare a porţii MOS din siliciu

145
 Aceste subprocese sunt combinate în ciclul de fabricare a unei plachete.
Ciclul este repetat de circa 12 ori. În general, o linie de producţie conţine 12
sisteme litografice corespunzătoare fiecărui ciclu în operaţie paralelă. Apoi, este
importantă suprapunerea acestor 12 sisteme. Erorile de mărire, poziţionare şi
aliniere trebuie să fie luate în considerare în acelaşi sens şi să aibă aceeaşi
toleranţă.
În faza finală de prelucrare a plachetei, desenele de conexiuni sunt expuse
dispozitivelor fiecărui cip de circuit integrat în parte, iar materialul de conexiune
este pulverizat peste desen pentru a realiza conexiunile dintre componente.
5.1.4 Verificarea desenului
O verificare de precizie a desenului este indispensabilă pentru copierea
desenului în condiţii stabile atât pe mască, cât şi pe placheta fabricată la nivel de
producţie, precum şi la nivel de cercetare. Mai întâi sunt verificate măştile sau
reticulele înainte de utilizare în procesul litografic. Dimensiunile critice ale
desenelor, lăţimea desenului, dimensiunile punctelor şi erorile de distribuţie ale
tuturor coordonatelor de poziţie ale desenului sunt măsurate de o maşină de
măsurare optică a coordonatelor. Marginea desenului este detectată de sistemul
optic cu microscop optic şi un scaner fantă pe imaginea mărită sau prin baleierea
unui microfascicul luminos în loc de fantă. Îmbunătăţirile optice au furnizat o
precizie mai mare de detecţie a marginii, care determină repetabilitatea
măsurătorii.
Dimensiunile sunt măsurate de către un interferometru laser. Unele
corecţii îmbunătăţesc precizia de măsurare a coordonatelor, cum ar fi
compensarea pentru lungimea de undă laser, a dilatării termice a probei, şi
încovoierea ei. Compensarea presupune măsurarea arcuirii sau încovoierii
probei şi corectează măsurătorile dimensionale ale coordonatelor către valorile
care ar fi trebuit să fie observate dacă proba ar fi fost plană. Un exemplu de
specificaţie a maşinii este prezentată în tabelul 5.1.
Tabelul 5.1 Specificaţii de reglaj pentru un sistem de cap VCR
Eroarea unghiului de atac [μm] ± 3,0
Eroarea de rotaţie [arc·min] ± 14,0
Distanţa de ieşire [arc·s] ± 25,0

În fabricarea ULSI desenul copiat pe plachetă este măsurat de către un

sistem cu fascicul electronic. Desenul, care are ca paşi liniile de margine, este
scanat de către fasciculul electronic, iar electronii secundari datoraţi marginilor
sunt detectaţi. Pentru a se realiza o detectare mai precisă a marginii se prevede o
oarecare prelucrare a semnalului.

146
 Tabelul 5.2 Specificaţii ale unui sistem de inspecţie a plachetelor; măsurarea
dimensiunii critice Nikon cu SEM pentru CD-180 EB
Rezoluţia 5 nm (tensiunea de accelerare 3kV)
Repetabilitatea ≤ 10 nm (3σ)
Dimensiunea plachetei 5 – 8 inch
Mărirea :
Microscop electronic de baleiaj 600 – 200000 ×
Microscop optic 70 × / 200 ×

Fenomenul de încărcare este una dintre cauzele primare de rezoluţie

scăzută în sistemele SEM în timpul observării şi măsurării specimenelor de
joasă conductivitate, cum ar fi fotorezistul plachetei. A fost dezvoltată o metodă
de unică detecţie a electronilor secundari pentru a reduce această încărcare,
metoda ESD (Environmental Secondary Electron Detector), ceea ce a
determinat o spectaculoasă îmbunătăţire a performanţelor. Un gaz aflat cu
specimenul amplifică electronii secundari emişi de probă, iar încărcarea este
restrânsă. Un exemplu de specificaţie de maşină este prezentat în tabelul 5.2.
5.1.5 Tendinţe viitoare ale sistemelor litografice
Corespunzător cu progresul scalei de integrare a circuitelor integrate,
sistemele de litografie sunt îmbunătăţite pentru a atinge rezoluţii mai înalte.
Producţia de 64 Mbiţi ULSI a fost pornită cu o sursă de lumină de expunere cu o
linie i (365 nm) şi un sistem de iluminare îmbunătăţit (metoda iluminării
parţiale) pe aproape toate liniile de producţie. Modelul de testare pentru studiu îl
constituie un sistem de expunere cu fascicul de electroni, care a fost realizat
pentru scopuri productive. Pentru producţia de masă se foloseşte o sursă laser cu
excimeri de KrF (248 nm). Linia i poate fi folosită pentru producţia de 1 Gbiţi,
dar în acest caz trebuie realizată o îmbunătăţire a puterii de rezoluţie. Masca prin
deplasarea fazei constituie o metodă importantă pentru îmbunătăţirea puterii de
rezoluţie atât pentru linia i, cât şi pentru sursele laser cu excimeri ArF. Se
aşteaptă ca sistemul optic să crească durata de folosire a unei liniei de producţie
atunci când tehnologia de prelucrare-procesare nu va putea fi modificată prea
mult. Se realizează astefel l Gbit DRAM prin fotolitografie, gândind că
lungimea de undă a expunerii va fi în domeniul UV îndepărtat al laserului cu
excimeri ArF (193 nm) şi că ar trebui realizate unele îmbunătăţiri pentru a se
obţine o rezoluţie mai înaltă.
Totuşi, pentru realizarea unei linii de fabricaţie de 0,1 μm pe o linie de
producţie pentru 4 Gbiţi ULSI, singura metodă utilă a fost pe baza unui sistem
de raze X de micşorare prin proiecţie. Studii fundamentale, precum şi
dezvoltarea unui sistem de proiecţie de raze X au fost realizate. Pentru proiecţia

147
razelor X, se foloseşte un sistem de oglinzi: lentilele optice nu pot fi folosite,
într-un sistem de oglinzi de raze X, există o limitare foarte importantă:
reflectanţa finită a oglinzii. O reflexivitate mai mică de 0,01% se realizează cu
suprafeţe de sticlă sau metale la un unghi de incidenţă aproape normal.
Acoperirea multistrat constituie calea pentru reflexia razelor X de lungime de
undă ~ 10 nm, folosită pentru litografia de raze X. Un multistrat pentru razele X
este alcătuit din două tipuri de straturi subţiri aplicate alternativ, cu o grosime a
stratului constantă. Un multistrat Mo-Si cu 50 de straturi de perioadă 10 nm
determină o reflectanţă de 60%. Reflexivitatea finită nu permite utilizarea mai
multor oglinzi în sistemul de proiecţie.

Fig.5.7 Sistem de expunere prin proiecţie cu raze X tip Schwarzschild

Radiaţiile X sincrotroice (SOR - Synchrotron Orbital Radiation) sunt

utilizate ca sursă, în cele mai multe cazuri, datorită marii lor puteri.
Într-o primă etapă sunt utilizate două oglinzi sferice într-un aranjament
optic tip Schwarzschild, după cum se prezintă în figura 5.7. Oglinzile pentru
sisteme optice cu raze X, necesită o foarte înaltă precizie. Pentru oglinda mare
prezentată în figura 5.7, sunt considerate ca potrivite, o precizie de 20 nm pentru
contur şi o rugozitate a suprafeţei de 0,5 nm la un diametru de 150 mm.
Pentru fabricarea şi inspecţia componentelor optice de raze X ar trebui
considerată nanotehnologia. În figura 5.8 este prezentat un desen realizat cu linii
şi spaţii între linii de 0,1 µm, expus şi developat pe un rezist PMMA. Acesta a
fost realizat de Nikon Corporation în colaborare cu Sortec Corporation în 1993.
Cu sistemul optic tip Schwarzschild utilizat într-un sistem pe o singură
axă, nu se poate expune o arie mai mare de 50 µm x 50 µm, datorită
distorsiunilor optice. Ca o îmbunătăţire, s-a realizat o metodă sincronizată de
baleiere a măştii şi plachetei, precum şi componente optice asferice pentru mai
multe aplicaţii practice ale litografiei de raze X, după cum se arată în figura 5.9.
Un cip este expus de-a lungul unui fascicul precis de raze X baleiat peste el
pentru a se obţine o distorsiune minimă a ariei. Expunerea are loc cip cu cip,
astfel că sistemul este denumit baleiază-şi-păşeşte. Între mască şi plachetă va fi
admisă o precizie de sincronizare a baleiajului de ± 10 nm pe plachetă.

148
 5.2 Discuri optice
Discurile optice se clasifică în discuri ROM (Read-Only Memory),
discuri inscriptibile WO (Write On memory) şi discuri reinscriptibile.
Discurile ROM au date preînregistrate numai pentru citirea acestora.
Astăzi sunt utilizate pe scară largă CD, CR-ROM şi LD.
În discurile WO, utilizatorii pot să-şi incripţioneze datele proprii pentru a
fi stocate, pe care le pot citi în mod repetat fără însă a putea modifica datele
memorate.
În discurile reinscriptibile, utilizatorii pot să-şi inscripţioneze datele
proprii şi să le şteargă pentru reinscripţionarea datelor înmagazinate.
Structura fundamentală a discurilor optice constă dintr-un substrat
transparent optic pe care sunt formate canale submicronice şi/sau puncte pentru
ghidaj, precum şi dintr-un strat pentru înregistrare sau strat reflexiv. Procesul de
fabricare a discurilor optice este împărţit în două părţi principale: procesul de
marcare şi prelucrarea discului.

Fig. 5.8 Linie şi spaţiu de 0,1 µm pe un fotorezist PMMA expus cu un sistem de

proiecţie cu raze X, de cătreNikon şi Sortec (prin Nikon Corporation şi Sortec
Corporation)

149
 Fig. 5.9 Sistem de expunere de proiecţie cu raze X tip baleiaj

Procesul de marcare realizează forma de imprimare care este folosită

pentru obţinerea substraturilor discului optic prin turnare sub presiune. El constă
din fotolitografie submicrometrică şi transferul configuraţiei submicrometrice pe
o formă de nichel.
Prelucrarea discului constă din turnarea sub presiune pentru a forma
substratul şi a stratului de înregistrare sau reflectant, precum şi asamblarea.
Procesul de realizare a formei de imprimare pentru discul optic va fi
descris în detaliu în cele ce urmează. Sunt folosite tehnologii submicrometrice şi
nanometrice.
În figura 5.10 se arată prelucrarea formei de imprimare (matriţei) pentru
discul optic. Suprafaţa substratului de sticlă este finisat printr-o lustruire
extrafină. Rugozitatea sa este < 10 nm, iar planeitatea < 10 µm. Etapele se
prezintă după cum urmează:
1. Substratul de sticlă este curăţat cu ultrasunete, clătit cu apă deionizată
şi uscat;
2. Fotorezistul este depus pe substrat prin centrifugare, folosindu-se ca
agent de cuplare silanul. Fotorezistul pozitiv este aplicat pentru a se forma
configuraţia fină. Acest proces este similar cu cel aplicat
semiconductoarelor cu excepţia grosimii fotorezistului;
3. Fotorezistul este expus la fascicule laser. Pentru CD, CD-ROM sau LD
se expune un rând, spirală de puncte, cu un singur fascicul laser, iar pentru
discurile WO sau reinscripţionabile sunt expuse la două fascicule laser
canalele spirale şi punctele adresă localizate între canale. De regulă, panta
rândurilor acestor canale este de 1,6 µm;
4. Fotorezistul expus este developat şi se formează desenele fotorezistului
pe substratul de sticlă. Rezultatul acestei etape este denumit formă de
sticlă.
5. În figura 5.11 se prezintă configuraţiile formei de sticlă a discurilor CD
şi WO sau reinscripţionabile. Aceste procese de expunere şi developare
sunt cele mai importante în realizarea formei de imprimare.
6. Nichelul metalic este pulverizat peste forma de sticlă pentru formarea
unui start conductor electric.

150
7. Utilizând drept catod stratul de nichel pulverizat, se face
electroformarea în soluţie de sulfamat de nichel. Grosimea stratului
electroformat este de 250 sau 300 µm. Stratul de nichel depus prin
electroformare corespunde negativului formei de sticlă.
8. Partea din spate a plăcii de nichel electroformate este lustruită pentru a
reduce rugozitatea la < 0,3 µm şi pentru ajustarea grosimii, deoarece şi
aceasta este transferată pe substratul din plastic prin injecţie. Configuraţia
suprafeţei este acoperită cu un strat de protecţie.
9. Placa de nichel lustruită este imprimată cu poansonul. Diametrul
interior şi exterior este ajustat pentru maşina de injecţie.
10. După îndepărtarea stratului protectiv de pe suprafaţă şi a fotorezistului
cu solvent şi plasmă de oxigen, se obţine matriţa de presare.

Fig. 5.10 Prelucrarea matriţei de imprimare a discului optic

151
 Fig. 5.11 Etaloane de sticlă: (a) CD; (b) WO sau reinscriptibile

11. Procesul de fotolitografie a matriţei de presare a discului optic va fi

descris în detaliu. Echipamentul de expunere conţine un sistem optic cu
laser şi un sistem mecanic de înaltă precizie. Partea principală a sistemului
optic cu laser este prezentată în figura 5.12. Drept sursă laser se utilizează
în general, un laser cu ioni de Ar (457,9 nm), dar se pot folosi, de
asemenea, şi lasere cu ioni de He-Cd sau de Kr.
Puterea fasciculului laser poate fi comandată cu un modulator A-O
(Acustico-Optic), iar fasciculul este împărţit în două de către un divizor polarizat
(PBS - Polarized Beam Splitter). Puterea fiecărui fascicul este comandată şi ele
sunt modulate de un modulator A-O sau E-O (Electro-Optic). Aceste fascicule
sunt folosite pentru expunerea desenelor canalelor şi respectiv, a adânciturilor.
Semnalele modulatoare sunt furnizate de către un codificator CD sau un
generator de semnal preformat. După reglarea diametrului şi poziţiei fiecărui
fascicul prin expansoare de fascicul, cele două fascicule sunt combinate printr-
un PBS. În continuare, se combină, de asemenea, cu cele două fascicule un alt
fascicul de laser He-Ne, folosit pentru focalizare servocomandei. Aceste
fascicule sunt ghidate pe substratul de sticlă prin lentila obiectiv. Pentru
expunerea canalelor şi adânciturilor submicrometrice, fasciculele laser trebuie să
fie focalizate pe stratul de fotorezist astfel ca lentila obiectiv să fie acţionată de
către servocomanda de focalizare.
Acest echipament necesită precizie mecanică înaltă pentru rotaţia sub-
stratului de sticlă şi deplasarea lentilei obiectiv. Folosirea unui arbore pe pernă
de aer şi a unui glisor pe pernă de aer determină o precizie a rotaţiei de câţiva
ppm şi o deplasare radială de <1 % a desenului înclinării longitudinale. În cazul
CD sau CD-ROM sunt formate adânciturile care au 9 lungimi, între ~ 0,9 şi 3,3
µm. Pentru discurile WO sau reinscriptibile în format ISO, se realizează canale
în formă de V şi adâncituri-adresă între canale de 1,6 µm. Fabricarea canalelor
în formă de V este dificilă, întrucât ea necesită litografia de autotipie. Sunt
necesare un control şi o comandă precisă a puterii fasciculului pentru expunerea
de autotipie şi oprirea precisă a developării de autotipie. Developarea de
autotipie trebuie să fie oprită înainte ca developarea să atingă partea de jos a

152
fotorezistului astfel că este automat comandată prin detectarea prezenţei şi
creşterii difracţiei a unui fascicul de monitorizare.

Fig. 5.12 Sistem optic cu laser pentru fotolitografia matriţei de imprimare

Fig. 5.13 Simularea semnalelor canalului: (a) semnal de ghidaj transversal; (b)
semnal de contrafază

Canalele în formă de V sunt căile de ghidare ale discului optic. Semnalele

canalului şi adânciturii sunt specificate de către standardele ISO. Semnalul

153
canalului, semnalul de ghidaj transversal şi semnalul de contrafază se modifică
în funcţie de lăţimea şi/sau adâncimea canalului în formă de V.
În figura 5.13 sunt arătate rezultatele simulării semnalelor canalelor.
Pentru obţinerea unui semnal corespunzător sunt necesare canalele în formă de
V cu lăţimea de 0,4 µm sau 0,5 µm şi adâncime de 100 sau 110 nm, iar
adânciturile cu lăţimea de circa 0,4 µm sau 0,5 µm şi o adâncime de 150 nm.
În figura 5.14 sunt prezentate fotografii SEM ale unei matriţe de
imprimare în format ISO şi o matriţă de imprimare CD.
Au fost dezvoltate discuri optice cu o densitate de înregistrare mai înaltă.
S-au realizat prin colaborarea între ECMA sau ISO, standardizările pentru
discurile cu o capacitate de memorie de 2-3 ori mai mare faţă de cele uzuale şi
de asemenea standarde pentru discurile CD-ROM de înaltă densitate. Aceste
discuri optice prezintă un ghidaj de divizare mai îngustă şi adâncituri cu o
densitate liniară mai înaltă vor fi fabricate în viitorul apropiat.

Fig. 5.14 Fotografie SEM a matriţelor de imprimare: (a) matriţă în format ISO; (b)
matriţă de CD

5.3 Tub videocaptor de imagine (SATICON)

Inima unui sistem de televiziune o constituie un tub videocaptor al
camerei TV.
Acest tub este un traductor video optic, adică un dispozitiv proiectat să
convertească imaginile optice în semnale electrice. Un Saticon este un tub
videocaptor fotoconductor cu o ţintă pe bază de seleniu amorf. În figura 5.15 se
arată două Saticon-uri: un tub de 18 mm cu focalizare magnetică şi difracţie
magnetică pentru sistemele convenţionale şi un tub de 24 mm complet
electrostatic pentru HDTV. În proiectarea Saticon-ului sunt luaţi în considerare
mai mulţi factori, cu scopul de a se obţine imagini de înaltă calitate. Unele
necesită tehnologii avansate de fabricaţie, în acest subcapitol se descriu structura
de bază a ţintei Saticon-ului şi tehnologia de fabricare aferentă.
Ţinta unui Saticon este ilustrată schematic în figura 5.16. Faţa unei plăci
din sticlă de planeitate optică este acoperită cu un strat subţire transparent şi
conductor, care acţionează ca un electrod de semnal. Apoi, peste electrodul de
semnal se depune un strat subţire de oxid de ceriu (CeO2) pentru a face stabil

154
contactul de blocare, în final, pentru stratul de CeO2 se depune un strat subţire
de material fotoconductor (stratul ţintă al Saticon-ului). în principiu, ţinta
Saticon-ului este o ţintă de blocare pe bază de seleniu amorf.

Fig. 8.15 Saticonuri: tub de 18 Fig. 8.16 Secţiunea ţintei

mm pentru TV convenţional unui Saticon
(în faţă) şi un tub de 25 mm

Curentul de întuneric scăzut şi alte caracteristici ale unui Saticon sunt

produse de structura sa uniformă de blocare, alcătuită din faţa plăcii de sticlă
plană optic, electrodul de semnal, stratul de CeO2 şi stratul fotoconductor. Dacă
stratul de CeO2 are o grosime < 5 µm, el poate include defecte tip „gaură de
ac", să formeze insule discrete sau să faciliteze injecţia de goluri prin efect
tunel. Acestea reduc efectul de suprimare a curentului de întuneric. Dacă
grosimea stratului de CeO2 este mărită, curentul de întuneric scade gradual, până
la un minim, pentru care stratul are o grosime de ~ 30 nm. Absorbţia luminii
incidente este, de asemenea, crescută, în scopul realizării unei sensibilităţi înalte,
stratul de CeO2 trebuie să fie cât de subţire posibil însă, de asemenea, să menţină
un curent de întuneric scăzut. Pentru ţinta Saticon-ului, stratul ideal are o
grosime de ~ 20 nm. Reducerea grosimii stratului de CeO2 conduce la creşterea
curentului de întuneric, astfel că placa de sticlă şi electrodul de semnal trebuie să
nu aibă nici un defect care ar putea modifica grosimea locală a stratului de CeO2
şi ar produce pete în imaginea TV.
Neajunsurile seleniului amorf le constituie viaţa sa scurtă (datorită
cristalizării) şi insensibilitatea sa la lumina roşie. Aceste probleme au fost
depăşite prin introducerea arseniului pentru a stabiliza seleniul în forma sa
amorfă şi prin dopajul său cu telur pentru a se îmbunătăţi sensibilitatea la roşu.
Stratul ţintă al Saticon-ului este alcătuit din cinci substraturi, după cum se
arată în figura 5.17. Primul şi al doilea substrat formează o regiune fotosensibilă,
şi care are o grosime < 100 nm. Al treilea substrat furnizează un câmp electric
neted la întregul strat, astfel că golurile fotoexcitate din regiunea fotosensibilă se
pot deplasa liber către suprafaţa părţii de baleiere, el are o grosime de ~ 50 nm.

155
Al patrulea substrat micşorează capacitatea de înmagazinare a ţintei pentru a
reduce defazajul descărcării fasciculului. Al cincilea substrat previne injectarea
de electroni de la fasciculul de baleiaj şi reduce emisia de electroni secundari. A
fost dezvoltată o tehnologie de evaporare multistrat pentru a face posibilă
realizarea acestei structuri complexe.
În figura 5.18 se prezintă schema evaporatorului. Substraturile, adică
feţele plăcilor de sticlă acoperite cu un strat de electrod de semnal şi un strat de
CeO2, sunt amplasate lângă marginea unei mese turnante, care se roteşte cu ~
150 rot/min. Mai multe băi de evaporare ce conţin substanţe, cum sunt: Se, Fe şi
As2Se3 sunt plasate sub masa turnantă şi fiecare este acoperită de o manta
prevăzută cu deschidere în partea superioară. Între fiecare manta şi masa
turnantă sunt introduse o diafragmă obişnuită şi diafragmă independentă.

Fig. 5.17 Distribuţia compoziţională în structura de bază a ţintei Saticon

Diafragma obişnuită comandă începutul şi sfârşitul depunerii de la toate

sursele simultan. Diafragmele independente sunt regulatori de deschidere care
comandă vitezele de depunere în mod separat. D1 şi D2 sunt detectori plachetă
din cristal de cuarţ pentru monitorizarea depunerii. Detectorul D1 este ataşat
mesei turnante şi trece prin spaţiul dintre băi şi regulatorii de deschidere.
Detectorul D2 este plasat pe masa turnantă în aceeaşi poziţie ca şi substraturile,
în consecinţă, D1 întotdeauna primeşte o depunere de la o baie, dar D2 este expus
surselor numai în timpul depunerii unui substrat. Frecvenţa de rezonanţă a
plachetei din cristal de cuarţ se modifică atunci când primeşte o depunere.
Viteza de modificare a frecvenţei de rezonanţă este proporţională cu
viteza de depunere, iar modificarea totală a frecvenţei în timpul depunerii este
proporţională cu masa stratului depus.
În figura 5.19 se prezintă principiul de măsurare. Frecvenţele de oscilaţie
a detectorului D1 se modifică de la f0 la f1, atunci când monitorul trece peste o
baie de evaporare A şi de la f1 la f2 după trecerea peste următoarea baie B.

156
 Astfel, f 0 − f1 = f A1 reprezintă modificarea frecvenţei datorită depunerii
de la baia A în timpul unei treceri, iar f1 − f 2 = f B1 este datorită depunerii de la
baia B în timpul unei singure treceri. Grosimea totală a depunerii de la baia A
poate fi calculată din f A = f A1 + f A2 + ... + f An unde f A1 , f A2 ,..., f An sunt
modificările de frecvenţă datorate primei, a doua, ...a n-a depuneri de la baia A,
iar cea de la baia B din f B = f B1 + f B 2 + ... + f Bn ş.a.m.d.
În acest mod, viteza de evaporare pentru fiecare baie poate fi detectată în
mod separat cu un singur monitor de cuarţ, un contor digital de frecvenţă şi un
calculator. Semnalele sunt transmise înapoi la regulatorul curentului băii, iar
viteza de evaporare din fiecare baie este menţinută constant în timpul depunerii.

Fig. 5.18 Construcţia unui sistem de evaporare multistrat, comandat prin calculator

Fig. 5.19 Monitorizarea grosimii

157
 Viteza reală de depunere şi raportul compoziţional pe un substrat sunt
detectate secvenţial în timp, de către D2. Masa stratului depus în timpul
traversării peste o baie de evaporare este determinată de viteza de evaporare din
baie şi de timpul de expunere. Deşi timpul maxim de expunere este limitat de
deschiderile din manta, timpul real de expunere este decis de combinarea
diafragmelor independente, fiecare dintre ele primind semnale determinate de
rapoartele compoziţionale programate anterior.
Trebuie remarcat faptul că filmele depuse prin această metodă nu sunt
amestecuri uniforme de materiale amorfe. Dacă se utilizează seturi separate de
evaporatoare pentru Se, Te şi As2Se3, filmul depus poate avea o structură
multistrat de forma Se-Te- Se-As2Se3- Se- Te-As2Se3-... . Proprietăţile fizice ale
filmelor multistrat de Se şi As2Se3 amorf au fost, de asemenea, investigate, prin
modificarea grosimii unui singur strat Δt al fiecărui component, considerat drept
parametru, în timp ce proprietăţile optice au fost efectiv neafectate, cel puţin în
legătură cu lăţimea benzii optice, proprietăţile electrice au fost considerabil
diferite între Δt= 1 nm şi Δt = 30 nm. Acest lucru sugerează că barierele de
contact între straturile de Se şi As2Se3 sunt desăvârşite în acest domeniu de
grosime. Analiza termică a indicat faptul că filmul multistrat cu Δt=l nm a fost
de o înaltă uniformitate, deşi încă s-au evidenţiat separări de microfaze.
Caracteristicile răspunsului spectral au fost chiar mai importante pentru un film
multistrat de Se şi Te. Te cristalin pur are o bandă interzisă foarte îngustă de 0,3
eV. Deşi, nu este uşoară obţinerea unui film amorf de Te, se poate presupune că
Te amorf are aproape aceeaşi lăţime a benzii interzise ca şi Te cristalin. Mai
mult, se poate admite că banda interzisă, Eg, în aliajul amorf SexTe1− x este dat
de E g = E g ( Se) ⋅ x + E g (Te) ⋅ (1 − x ) . De aceea, dacă fiecare strat individual este
suficient de subţire, performanţele filmului multistrat de Se-Te este probabil să
aproximeze pe cea a unui aliaj amorf. Acest lucru a fost confirmat de
caracteristicile răspunsului spectral ale ţintei.
Substraturile unei ţinte Saticon astfel depuse au aproape în totalitate
aceleaşi proprietăţi fizice ca ale materialelor amestecate uniform, atunci când
grosimea medie a fiecărui strat elementar este < l nm. în realitate, viteza de
evaporare este scăzută, astfel că grosimea medie a unui singur strat al fiecărui
component poate fi < l nm.
O problemă a sistemului este aceea că viteza de depunere pe un substrat
diferă în funcţie de distanţa faţă de centrul de rotaţie al mesei turnante. Acest
lucru se întâmplă deoarece, viteza de trecere peste baia de evaporare se
modifică. Problema a fost compensată printr-o proiectare atentă a configuraţiei
spaţiului deschis. Această metodă a făcut posibilă realizarea unui control perfect
al uniformităţii laterale a grosimii fiecărui strat individual. Stratul ţintă al
Saticon-ului poate, de aceea, să fie realizat cu o grosime uniformă şi pot fi
prelucrate, în acelaşi timp, un mare număr de plăci.
Ca o metodă alternativă pentru păstrarea unei viteze constante de
evaporare, se pot dispune în incinta vidată detectori fixaţi, anexaţi băilor de

158
evaporare. Curenţii băilor de evaporare sunt comandaţi prin monitorizarea
constantă a vitezei de evaporare independent de viteza mesei turnante.
În acest sistem, fiecare înveliş trebuie să fie prevăzut cu două deschideri:
orificiul A pentru depunerea pe substraturi şi orificiul B pentru detectorul de
monitorizare a vitezei de evaporare. Mărimea orificiului A poate fi modificată
prin surse diferite, făcând posibilă selectarea unui domeniu larg de viteze de
depunere. De fapt, cu această metodă s-a realizat un dopaj de ordinul ppm.
Această tehnică de dopare a fost aplicată cu succes la fabricarea structurilor
pentru o ţintă avansată, cu caracteristici superioare, inclusiv autoexcitaţie înaltă
şi pe termen lung. Controlând constituenţii fiecărui strat, sistemele de evaporare
s-au folosit la producţia de masă a tuburilor videocaptoare. Straturile ţintă de
grosime uniformă contribuie la sensibilitatea înalt uniformă peste zona baleiată,
iar producţia simultană a multor plăci realizează caracteristici uniforme ale
tuburilor fiecărui lot.

5.4 Dispozitive cu cuplaj de sarcină (CCD)

CCD (Charge-Coupled Devices) este utilizat curent în două aplicaţii: una
este senzorul liniar în echipamentul de fax; cealaltă aplicaţie este de senzor de
arie pentru câmpurile foto. Camerele video au devenit un lucru obişnuit, iar în
industrie, camerele video sunt folosite pentru inspecţia cantitativă şi ca sisteme
de imagine pentru de roboţi, în transmisiile cu camerele TV, iar în domeniul
medical, sub formă de camere video foarte mici în diagnosticări ale stomacului
la aplicaţii de videotelefonie şi la aparate de luat vederi electrice. În figura 6.20
se prezintă un CCD de 1/3 inch (8,47 mm), 320000 (320 k)-pixeli (format PAL)
fabricat de Toshiba, iar în tabelul 6.3 se prezintă specificaţiile principale.
În figura 6.21 se prezintă tendinţa pentru CCD estimată de către autori, în
comparaţie cu tendinţa generală pentru memoria DRAM. În general,
specificaţiile principale pentru CCD sunt lungimea diagonalei (adică formatul
optic, de exemplu 1/3 inch) şi numărul de pixeli (de exemplu 320000). Camerele
video domestice au devenit mai mici şi mai uşoare de la an la an, însoţind
scăderea dimensiunii CCD. Printre dispozitivele MOS obişnuite, cele DRAM
reprezintă prima linie a tehnologiei. CCD-urile au reguli de proiectare similare
celor pentru generaţia principală DRAM.
Ca exemplu, generaţia 4 M DRAM corespunde celei de 1/3 inch, 270 000
- 350 000 pixeli pentru CCD. în CCD, mărimea a scăzut de la 1,2 inch la 1,0
inch (12,7 mm), şi ulterior la dimensiunea de 1/4 inch (6,35 mm). Producerea cu
succes a CCD de 1/5 inch (5,08 mm) a depins de îmbunătăţirea sensibilităţii lor.
Pe de altă parte, numărul de pixeli s-a plasat între 270000 - 400000. Pentru o
definiţie TV înaltă sunt utilizate CCD-uri cu cel puţin 2 milioane de pixeli.

159
 Fig. 5.20 Forma exterioară şi secţiunea transversală a CCD (1/3 inch , 320000
pixeli, Toshiba)

Tabelul 5.3 Specificaţiile principale pentru TCD Toshiba

Formatul optic 1/3 inch (8 mm)
Numărul total de pixeli 545 (0) × 587 (V)
Numărul efectiv de pixeli 514 (0) × 581 (V)
Mărimea imaginii [mm] 4,9 (0) × 3,7 (V)
Mărimea celulei elementare 9,6 (0) × 6,4 (V)
Filtrul color Tip mozaic complementar
Împachetarea 16 pin
Metoda de transfer Interlinie
Sensibilitatea [mV lx-1] 50
Tensiunea de saturare [mV] 600
Zgomotul curentului de întuneric 1 (standard)
Defazajul imaginii [mV] 0 (standard)
Raportul de murdărire [%] 0,015 (standard), 0,03 (maximum)
Marginea de supraluminozitate 1000 de ori energia luminoasă standard
Viteza obturatorului electric [s] 1/50 – 1/100000

5.4.1 Fabricarea şi configuraţia CCD

Un CCD este alcătuit din trei părţi: cipul de siliciu, filtrul de culoare de pe
cip şi ansamblul. Aşa cum se arată în figura 5.20, cipul de siliciu cu filtrul de
culoare este amplasat în interiorul ansamblului şi este sigilat cu capac de sticlă.
Cipul de siliciu, care este componentul principal al senzorului de imagine, are
patru circuite: fotodiodele (PD), CCD vertical (VCCD), CCD orizontal (HCCD)
şi amplificator de direcţie (SA) (fig. 5.22). Filtrul de culoare este format direct
pe cip prin colorare. Pentru a mări rezoluţia de culoare, se foloseşte un

160
aranjament complementar de culoare, aşa cum se prezintă în figura 5.23.
Secţiunea transversală şi secţiunea orizontală ale unui pixel sunt prezentate în
figurile 5.24 şi 5.25. Celula elementară a unui pixel este mică: 9,6 µm x 8,4 µm
pentru CCD de 1/2 inch şi 9,6 µm x 6,4 µm pentru CCD de 1/3 inch. Aria
expusă a fotodiodei, lăţimea porţii şi lăţimea canalului îngropat sunt chiar mai
mici.

* Liniile pline reprezintă generaţia principală de DRAM-uri

* În producţia de masă a CCD-urilor, regula de proiectare a DRAM pentru generaţia considerată
pare a fi fost adoptată într-un an de la începerea producţiei de masă a DRAM-ului respectiv

Fig. 5.21 Tendinţa de dezvoltare a CCD în comparaţie cu tendinţa generală pentru

memoriile DRAM

Fig. 8.22 Configuraţia CCD Fig. 8.23 Aranjamentul culorilor

161
 Fiecare fotodiodă dintr-un pixel înmagazinează sarcini (electroni)
proporţional cu intensitatea luminii şi transferă aceste sarcini către VCCD (fig.
5.22). Apoi, VCCD transferă aceste sarcini către etapa următoare utilizând un
ceas tetrafazic (ΦV1-ΦV4). În acest fel, sarcinile unei întregi coloane de pixel
sunt transferate către HCCD. HCCD transferă, la rândul său, aceste sarcini la o
viteză foarte mare către amplificatorul de direcţie folosind un ceas difazic (ΦH1-
ΦH2). Acest amplificator amplifică sarcinile pentru a comanda încărcarea
exterioară. Toate sarcinile din coloanele de pixeli sunt transferate către HCCD în
timpul unei singure perioade de baleiere TV a câmpului.

Fig. 5.24 Secţiune transversală printr-o celulă elementară

Fig. 5.25 Construcţia principială a VCCD

162
 În VCCD sarcinile sunt transferate, după cum urmează. În figura 6.26 se
arată sincronizarea transferului pentru un VCCD. Mai întâi, pentru câmpurile
impare ale baleierii TV, sarcinile din fotodiodele celor de al n-lea şi (n+l)-lea
pixeli sunt transferate către VCCD-ul lor şi combinate. Apoi, conform unor
impulsuri ale ceasului tetrafazic, sarcinile combinate sunt transferate etapei
următoare una câte una. Pentru câmpurile pare, sarcinile din fotodiodele celor de
al (n-l)-lea şi n-lea pixeli sunt combinate şi transferate. Informaţia de culoare
conţine un set de opt pixeli, aşa cum se prezintă în figura 6.23. Pentru câmpurile
impare, cele două combinaţii Gr +Ye şi Mg +Ye sunt realizate într-o singură
linie a VCCD, iar celelalte două combinaţii Mg+Cy şi Gr+Cy în linia învecinată.
Pentru câmpurile impare, combinaţiile Cy+Gr şi Cy+Mg în linia
învecinată. Într-un receptor TV, informaţia RGB (roşu-verde-albastru) se
formează din combinaţiile amintite, în regiunea spectrului vizibil, culorile
complementare sunt în general, după cum urmează: Ye=R+G; Cy=B+G;
Mg=B+R (unde s-au folosit notaţiile: R - roşu, G - verde, B - albastru).

Fig. 5.26 Sincronizarea transferului pentru VCCD

5.4.2 Principiul CCD-urilor

a) Fotodioda
Când se aplică un impuls de comutare de câmp pe cea de-a doua poartă de
polisiliciu, sarcinile libere din stratul n+ al fotodiodei sunt „spălate" către
VCCD; în acest fel stratul n+ este epuizat şi vor fi stocate sarcini noi,
proporţional cu intensitatea luminii din timpul următoarei perioade de baleiaj
TV a câmpului. Când lumina este focalizată pe fotodiodă, electronii din banda
de valenţă absorb energia luminoasă şi sunt excitaţi către banda de conducţie.
Acest lucru duce la crearea de perechi de electroni şi goluri. Golurile sunt scoase

163
către stratul p+ al fotodiodei şi către canalul opritor, care înconjoară fotodioda),
iar electronii sunt stocaţi în stratul n+ al fotodiodei. În figura 5.27 se arată curba
de potenţial a fotodiodei.
b) VCCD
Mai întâi, este necesară îndepărtarea tuturor sarcinilor libere din canalul
îngropat de tip n al VCCD. Acest lucru se realizează prin aplicarea unui impuls
pozitiv la partea de sus a porţii VCCD, care are o tensiune de scurgere înaltă
(OD), după cum se observă în figura 5.22. În acest fel, straturile canal îngropate
de tip n ale VCCD sunt epuizate şi vor avea sarcini pozitive. În figura 5.28 se
arată curba de potenţial al VCCD. Pentru a se transfera sarcini către etapa
următoare, se aplică o tensiune de poartă negativă în scopul fixării părţii
inferioare a potenţialului la ~ 0 V. Dimpotrivă, pentru a primi sarcini, tensiunea
de poartă este fixată la 0 V iar partea inferioară a potenţialului este adusă la o
tensiune pozitivă.

Fig. 8.27 Profilul potenţialului al Fig. 8.28 Profilul potenţialului al

PD VCCD
c) HCCD
HCCD este diferit de VCCD din trei motive: (1) canalele îngropate ale
unui HCCD sunt alcătuite din două tipuri, n şi n-, conform figurii 5.29, iar în
starea lor epuizată, potenţialele ambelor straturi sunt diferite; (2) HCCD este
comandat de un ceas bifazic; (3) viteza de transfer este mult mai rapidă decât în
cazul VCCD. Pentru transferul sarcinilor către etapa următoare, fazele ΦH l şi
ΦH2 sunt fixate la 0 V, respectiv la 5 V. Sarcinile stocate în stratul n al H1 sunt
transferate către stratul n al ΦH2, după cum se observă din figura 5.29.
d) Amplificatorul de direcţie
Amplificatorul este construit din surse de urmărire în două etape, un
condensator variabil, circuit-poartă de resetare şi un circuit-poartă de ieşire,
după cum se arată în figura 5.30.

164
 Circuitul de poartă al sursei de urmărire, în prima etapă este conectat la
condensatorul variabil, ce constituie sursa porţii de resetare. Circuitul poartă de
ieşire, amplasat între condensatorul variabil şi poarta finală a HCCD, blochează
sarcinile de la HCCD. Pentru a se furniza un potenţial de referinţă pentru
condensatorul variabil, se aplică un impuls de resetare circuitului-poartă, astfel
încât potenţialul condensatorului variabil devine egal cu potenţialul de scurgere.

Fig. 5.29 Structura de bază a HCCD

Când poarta finală a HCCD este fixată la 0 V, sarcinile se deplasează

către condensatorul variabil, micşorându-şi potenţialul prin sarcinile negative.
Diferenţa de potenţial faţă de referinţă este amplificată de către sursele de
urmărire, în două etape.

Fig. 5.30 Sincronizarea HCCD

165
 5.4.3 Procesul de fabricaţie
În figura 5.22 arată secţiunea transversală a unei celule elementare, iar în
tabelul 5.4, fluxul global de prelucrare a CCD-urilor.
a) Prelucrarea plachetelor
Fotodioda are patru straturi de impurităţi în direcţia longitudinală a
siliciului: p+, n+, a treia cavitate P şi substratul n. Substratul n este, de regulă,
un strat crescut epitaxial pe baza substratului de tip n pentru prevenirea
vârtejurilor, adică a defectelor de imagine care arată ca nişte arcuri. A treia
cavitate P este formată de către un implantator Mev, iar adâncimea sa este de 3 -
4 µm de la suprafaţa siliciului. Straturile p+ şi n+ sunt formate printr-un proces
de implantare cu autoaliniere, aplicat porţii de polisiliciu. Pentru a forma stratul
n+ se foloseşte un implantator Mev pentru a se stabiliza cantitatea de impurităţi,
conducând la o tensiune de saturare stabilă a semnalului (Vsat).
Stratul p+ are trei funcţii importante. Prima, este de a reduce curentul de
întuneric generat de stările de suprafaţă la 1/5 - 1/6 din cel fără stratul p+. A
doua funcţie este de a îndepărta efectiv defazajul imaginii prin menţinerea
potenţialului p+ la 0 V. A treia este aceea de a face posibilă descărcarea rapidă a
sarcinilor fotodiodice către scurgerea de supraîncărcare prin menţinerea
potenţialului p+ la 0 V în sincronizarea închizătorului electronic, făcând posibilă
închiderea cu viteză variabilă.
Funcţia celei de a treia cavităţi P este de a „scoate" rapid sarcinile
suplimentare către scurgerea de supraîncărcare. Dacă acest lucru nu este făcut
când fotodioda este expusă luminii puternice, imaginea de pe ecranul TV va
avea o supraluminozitate datorată sarcinilor suplimentare care pătrund în VCCD
de la fotodioda supraîncărcată.
VCCD-ul are cinci straturi de impurităţi: canalul îngropat de tip n, prima
cavitate P, a doua cavitate P, a treia cavitate P şi substratul n.
Tabelul 5.4 Fluxul tehnologic pentru CCD
Proces Remarci
Proces plachetă de siliciu Formarea senzorului de siliciu pentru imagine
Prelucrare filtru color pe cip Formarea filtrului color pe cip
Primul test Selectarea cipurilor bune pentru împachetare
Împachetarea Asamblarea cipului cu filtru color pe un ansamblu
Al doilea test Testul final înainte de expediere

166
 Fig. 5.31 Relaţia dintre proporţia de „murdărire" şi grosimea primului izolator

Sub canalul de tip n îngropat se formează prima cavitate P pentru a se

evita neregularităţile care apar ca pete strălucitoare. Filmul de oxid al porţii este,
de regulă, oxid crescut termic sau ONO (oxid-nitrură-oxid). Grosimea porţii este
mai mare decât cea pentru DRAM sau reţeaua de poartă (11-15 nm), deoarece se
aplică o tensiune mai mare, iar curentul de scurgere trebuie să fie minimizat.
Prima şi a doua poartă n+ din siliciu poli-cristalin se suprapun, aşa cum se
arată în figura 5.25, pentru a realiza transferurile de sarcină în mod lin.
Primul strat de metal este format pe primul strat izolator pentru a proteja
VCCD de lumină. Este necesară realizarea unei grosimi < 300 nm pentru
reducerea neregularităţilor. Pentru a se reduce în continuare efectul de
„murdărire" datorat neregularităţilor, grosimea izolatorului ar trebui făcută cât
mai mică posibil, aşa cum se arată în figura 5.31. De regulă, materialul primului
strat de metal este din Al, W sau alte metale grele. Chiar un defect tip „vârf de
ac" de 5 nm poate determina un defect de imagine. De aceea, peste primul strat
de metal se aplică un al doilea strat metalic de protecţie. Izolatorii sunt depuşi pe
metal pentru a se forma un plan neted şi pentru a proteja metalul.
Pe partea superioară a cipului de siliciu se depune un film de nitrură
pentru a bloca penetrarea de către metalele grele sau metalele alcaline cum ar fi
Na, pentru a preveni infiltrarea umidităţii şi pentru a reduce stările de suprafaţă
ale siliciului.
În tabelul 5.5 se sumarizează grosimile filmelor şi toleranţele lor.
b) Filtrul color
În CCD-urile color, o singură culoare este atribuită de la galben, azuriu,
purpuriu şi verde pe fiecare pixel. Deasupra acestuia este formată o microlentilă.
Filtrul color este format direct pe cipul de siliciu. Mai întâi, se acoperă stratul de
bază pentru a se realiza o suprafaţă netedă. Apoi, se acoperă cu un strat de
vopsire, de regulă capeină, care se gravează printr-un proces de fotogravare.
Partea reziduală este vopsită prin imersare într-un lichid de vopsire. Apoi, stratul
intermediar este acoperit, în mod separat între straturile vopsite superior şi

167
inferior. Pentru a se reduce grosimea filtrului color, stratul intermediar poate fi
omis printr-un tratament special al straturilor vopsite, adică tratament de culoare
fixată.
Tabelul 5.5 Grosimile filmelor folosite în general la CCD-uri
Grosimea Variaţia grosimii [±3σ]
filmului [nm]
Oxidul porţii 60-100 3-5
Siliciul policristalin pentru poartă 300-600 30-60
Primul izolator 100-300 10-30
Primul metal 400-1000 40-100
Al 2-lea izolator 350-1000 35-100
Al 2-lea metal 500-800 50-80
Al 3-lea izolator 350-500 35-50
Pasivare 350-500 35-50

După repetare depunrii a trei straturi

alternate de strat vopsit şi strat intermediar,
stratul de sus este acoperit pentru protecţie şi
se formează o microlentilă ale cărei grosime
şi formă sunt comandate ca să focalizeze
lumina pe fotodiodă. Culoarea verde este
produsă prin suprapunerea galbenului şi
azuriului. Grosimea totală a filtrului color
este ~ 6-9 µm.
c) Împachetarea
După ce filtrul color este format, se
efectuează un prim test pentru a elimina cipurile
de calitate inferioară.
Numai cipurile bune sunt împachetate, în
figura 5.32 se prezintă procesul de împachetare,
care constă din decupare în pătrăţele, montare,
realizarea conexiunilor, fixarea calotei de sticlă
şi sigilarea, în timpul procesului, dacă o particulă
de l µm se depune pe fotodiodă, performanţele
cipului vor avea de suferit. Astfel că procesul de
împachetare trebuie să fie condus cu grijă pentru
a se preveni depunerea de particule străine pe
cipuri. în particular, aşchiile de siliciu produse în
Fig. 8.32 Fluxul procesului
urma procesului de decupare sunt îndepărtate cu
de împachetare
mare grijă.

168
 d) Testarea
Pentru CCD-uri sunt realizate două teste. Primul este efectuat la
temperaturi ridicate, pentru a se detecta defecte cum ar fi curenţii generaţi de
defectele cristaline din siliciu. Al doilea test este condus la temperatura camerei
pentru detectarea defectelor rezultate de la împachetare şi defecte cum ar fi
prezenţa configuraţiilor fixate în liniile verticale, care sunt uşor de detectat la
temperatura camerei. Deşi, testarea automată în înlocuirea inspecţiei vizuale
realizată de oameni este importantă din punct de vedere al economiei şi
exactităţii, este dificilă şi consumatoare de timp, în timp ce ochiul uman poate
detecta defecte de 100 nm, precum şi mici neregularităţi ale imaginii.
5.4.4 Nanotehnologia în producţia de masă a CCD
Există trei aplicaţii ale nanotehnologiei în producţia de masă a CCD-
urilor:
(1) tehnologia ce implică curenţi de semnal foarte mici de l fA - l pA;
(2) tehnologia implicată în procesul global de eliminare a defectelor de
imagine, cum ar fi defectele de 100 nm şi neregularităţile observabile
ale imaginii;
(3) tehnologia care a necesitat realizarea preciziei de aliniere şi prelucrare
a fiecărui element de ± 300 nm.
a) Tehnologia curenţilor foarte mici
În figura 5.33 se arată relaţia dintre tensiunea de ieşire a amplificatorului
şi numărul electronilor de intrare, în care sunt prezentate defectele principale.

Fig. 8.33 Relaţia dintre numărul Fig. 8.34 Defectele imaginii

electronilor de intrare în SA şi tensiunea
de ieşire, în care sunt reprezentate
defectele principale
Relaţia dintre numărul electronilor de intrare (sarcini combinate a două
fotodiode) în amplificator şi suma curenţilor generaţi în două fotodiode în
timpul unei perioade de câmp a baleiajului TV este:
q
I = n⋅ ,
t

169
unde: I este suma curenţilor generaţi în cele două fotodiode (A); n - numărul de
electroni stocaţi în două fotodiode în timpul unei perioade de baleiaj TV; t -
timpul unui baleiaj TV; q - sarcina unui electron, 1,6 ⋅ 10−19 C . Dacă t = 20 ms şi
n = 125, rezultă I = l f A.
Relaţia dintre tensiunea de ieşire şi numărul electronilor de intrare este:
V = n⋅s,
unde V este tensiunea de ieşire (V), iar s este sensibilitatea amplificatorului
−1 −1
( μVe ). Dacă s = 16 μVe şi n = 125, rezultă V = 2 mV. Defectele principale în
CCD, nivelurile curenţilor lor şi măsurile preventive sunt discutate mai jos. în
figura 6.34 se ilustrează defectele imaginii.
1. Linii verticale. Liniile verticale fine sunt în general cauzate de curenţii
de scurgere de > 0,1 f A (13 electroni) de la poarta VCCD sau de un
transfer defectuos de la VCCD la HCCD. Măsurile preventive includ
folosirea unei porţi de oxid cu o structură de scurgere scăzută şi o
concentraţie a intensităţii câmpului scăzută sau ONO, şi realizarea căii
de transfer a sarcinilor în mod omogen, astfel încât deplasarea
electronilor să nu fie obstrucţionată.
2. Zgomotul curentului de întuneric. Acesta apare ca zgomot al imaginii
cu strălucire scăzută şi este, de asemenea, denumit zgomot de
configuraţie fixă. El este creat de curentul generat de stările de
suprafaţă (~0,75-1,5 fA, sau 94-195 de electroni la 60°C).
Contramăsurile includ reducerea contaminării cu metale grele,
recoacerea într-un gaz inert, eliminarea legăturilor rezonante din
structurile siliciului şi formarea unui strat p+ pe un strat n+ al
fotodiodei.
3. Defectele pixelului
a. Pete albe. Acestea apar din cauza curenţilor generaţi de defectele
cristalului de siliciu prin contaminare cu metale grele sau de către
interacţiunea complexă a deteriorării şi contaminării de implantare.
Curentul implicat este de ~ 1,5 - 3 fA (105-375 de electroni la
60°C). Contramăsurile principale sunt: (1) utilizarea unui substrat
de tip n care are un strat cu o concentraţie scăzută de oxigen, cum
ar fi un strat crescut epitaxial pentru a crea un strat intrinsec de
evaporare a degazorului în substratul de bază de tip n; (2) reducerea
contaminării cu metale grele în toate procesele; (3) de a realiza
degazarea aproape de sfârşitul procesului; (4) păstrarea numărului
de impurităţi în stratul n+ al fotodiodei, cât de mic posibil, astfel
încât să fie satisfăcut Vsat.
b. Pete negre. Acestea sunt cauzate, în principal, de către particulele
de pe fotodiodă. O proiecţie a proeminenţei Al în fotodiodă sau o
adâncitură în linia de protecţie metalică poate, de asemenea, cauza

170
 o pată neagră. Curentul implicat este peste ~ 5 f A (625 electroni).
Contramăsurile includ minimizarea particulelor străine în toate
procesele de fabricare a plachetei până la împachetare.
4. Deficienţă a Vsat . Aceasta apare ca o neregularitate în contrast şi
este cauzată de o deficienţă în numărul de impurităţi în fotodiode
n+ şi variaţiile de concentraţie în cea de-a treia cavitate P. Pentru o
valoare Vsat de 600 mV sunt stocaţi 3,75 ⋅ 10 −4 electroni în cele
două fotodiode. Principala contramăsură este de a stabiliza procesul
de implantare prin utilizarea unui implantator Mev. Dacă
comparăm numărul electronilor de intrare din amplificatorul unui
CCD cu cel pentru o memorie 4 M DRAM (care stochează ~ 6 ⋅ 105
electroni într-un condensator unitate de ~ 40 fF pentru a obţine o
tensiune de 2,5 V), vedem că electronii de semnal din CCD sunt
mult mai mici ca număr. Numărul electronilor în CCD-uri este de ~
1/6000 -1/16 din cel pentru memoriile DRAM. De aici, pentru a
reduce curentul generat de defectele din siliciu la un nivel de 1,5
fA, se pare că este necesară, cel puţin, reducerea contaminării cu
metale grele la un nivel de 1010 atomi cm-2.
b) Tehnologia de a preveni neregularităţile imaginii
1. Linia orizontală. Aceasta apare ca o linie fină neagră şi este cauzată de
neregularităţile din desenul măştii. Dacă aceasta apare, desenul măştii
trebuie să fie verificat pentru neregularităţile >100 nm.
2. Linia diagonală a filtrului color. Acest defect apare sub formă de linii
diagonale fine la colţurile imaginii şi este determinat de o
neuniformitate de ~ 50 nm în grosimea acoperirii superficiale, care
este rezultatul neuniformităţii desenului cipului de siliciu.
3. Tremurul culorii, între câmpurile pare şi impare ale baleiajului TV,
semnalele purtătoare de informaţie a culorii sunt transferate între
diferite combinaţii de pixeli. Din acest motiv, dacă semnalele au
magnitudini diferite, acest lucru se manifestă ca un tremur în culoare.
Contramăsura este de a reduce variaţia dintre pixeli în spectrul de
culoare.
4. Defecte fine. Un defect de 100 nm poate fi vizibil ochiului. De aceea,
manipularea este realizată cu atenţie în toate procesele, în special la
împachetare. Aceste defecte sunt verificate de către ochiul uman foarte
sensibil, în alte dispozitive, fără imagine, aceste defecte nu creează
probleme.
c) Tehnologia de realizare a preciziei alinierii şi a elementelor de lucru
în prelucrarea plachetei

1. Precizia în aliniere şi prelucrare, în tabelul 5.6 se indică ţintele

estimate pentru precizia de aliniere şi a elementelor de lucru în CCD, în

171
comparaţie cu cele generate pentru memoriile DRAM. Regula de proiectare
pentru CCD-uri este aproape aceeaşi ca şi cea pentru DRAM. Totuşi, în
memoriile DRAM dimensiunea minimă de lucru este lungimea corodată a porţii
HCCD, indicată prin L în figura 5.29. Mai mult, separarea dintre celulele
elementare este realizată într-o manieră diferită, în memoriile DRAM, separarea
dintre celulele elementare este efectuată, de regulă, de izolatorii cum ar fi
oxidarea locală a siliciului (LOCOS - LOCal Oxidation of Silicon) şi de
impurităţile implantate dedesubt, în CCD-uri, totuşi, se efectuează numai. de
către impurităţile implantate denumite şi opritori canal. Acest lucru este din
cauză că în CCD-uri nu există conexiuni între porţi, care să traverseze zonele de
separaţie. Separarea semnalului între liniile învecinate ale VCCD este afectată
de erorile de aliniere în procesul de implantare în aceste celule învecinate.
Tabelul 5.6 Ţinte estimate pentru regula de proiectare şi precizia de aliniere şi a
elementelor CCD de lucru, în comparaţie cu cele generale utilizate pentru
memorii DRAM
CCD 1/2/270k 1/3/270k 1/4/270k 1/5/270k
1/2/350k 1/3/350k 1/4/350k 1/5/350k
DRAM 1M 4M 16 M 64 M
Regula de proiectare 1,0 0,8 0,5-0,6 0,35-0,40
Precizia alinierii 0,30 0,20 0,10-0,12 0,060-0,080
Precizia de lucru 0,30 0,20 0,10-0,12 0,060-0,080

Aşa cum se arată în figura 5.35, sarcinile semnal din fotodiodă pot trece în
trei deschideri diferite atunci când erorile de aliniere şi concentraţie distribuită a
impurităţilor implantate depăşesc anumite limite de prag. Prima este deschiderea
către propriul canal îngropat, când se aplică porţii impulsul de comutare. A doua
este deschiderea către scurgerea de suprasarcină atunci când o lumină intensă
cade pe fotodiodă. A treia este calea către canalul îngropat învecinat, care atunci
când este preluat poate determina un defect. Acesta poate fi cauzat de o eroare a
alinierii de > 300 nm în prima cavitate P.
2. Unghiul fasciculului ionic în procesul de implantare. Unghiul
fasciculului ionic la implantarea straturilor n+ şi p+ ale fotodiodei are un efect
mare asupra mărimii impulsului tensiunii de comutare a câmpului (Vfs), care
este tensiunea la care defazajul imaginii este zero. în figura 6.36 se arată relaţia
dintre condiţiile unghiului pentru straturile n+ şi p+ şi Vfs. Ambele sunt
implantate prin autoaliniere la poartă. Unghiul A este +10°, iar unghiul B este -
10°. Dacă unghiul pentru stratul p+ este A şi pentru stratul n+ este B, atunci Vfs
este mic. Dacă unghiul pentru stratul p+ este B, iar pentru stratul n+ este A,
atunci Vfs este mare. Diferenţa dintre A şi B creează o diferenţă de 140 nm sub
suprafaţa siliciului. Când stratul p+ se proiectează de la marginea porţii către
canalul îngropat, acesta pare să creeze o barieră de potenţial şi ridică Vfs la un

172
nivel ridicat. Astfel, straturile n+ şi p+ ale fotodiodei sunt implantate într-o
astfel de manieră încât să menţină Vfs la valori mici.

Fig. 5.35 Bariere de potenţial al fotodiodelor în raport de cele trei căi

Fig. 5.36 Relaţia dintre Vfs şi combinaţia direcţiei de implantare

173
 5.5 TFT-LCD-uri
Afişajele tip tranzistor de film subţire-cristale lichide (TFT-LCD - Thin-
Film Transistor-Liquid Crystal Display) au ajuns la utilizare practică pentru
aparatele TV portabile şi terminalele de calculatoare personale. Avantajele TFT-
LCD (fig. 5.37) le constituie tensiunea scăzută de comandă, consum mic de
energie, rezoluţie înaltă, integral color, capacitate de scală de nuanţe gri şi o
configuraţie simplă.
LCD este un tip de afişaj care controlează şi comandă lumina ambiantă
sau iluminarea inversă de către efectele electro-optice ale unui material cu
cristale lichide, cum ar fi difuzia, birefringenţa sau refracţia.
Cel mai utilizat material cu cristale lichide TFT-LCD este de tip nematic
răsucit (TN -Twisted Nematic). În LCD-urile de tip TN, moleculele de cristal
lichid sunt aliniate într-o configuraţie spirală aşa cum se arată în figura 6.38. În
absenţa unui câmp electric, lumina polarizată, prin primul polarizor este
introdusă în celula TN-LCD şi răsucită cu 90°. Lumina este transmisă prin cel
de-al doilea polarizor, astfel că se formează un pixel iluminat. În prezenţa
câmpului electric, lumina prin primul polarizor este blocată de către cel de al
doilea polarizor.

Fig. 5.37 TFT-LCD de 14 inch

Într-un afişaj cu conţinut înalt de informaţii se utilizează o metodă tip

adresă pentru un număr mare de pixeli ce folosesc elemente active pentru a
reduce interferenţele dintre pixelii învecinaţi şi pentru a creşte raportul de
contrast. Fiecare pixel este echipat cu un tranzistor de film subţire TFT (Thin-
Film-Transistor) sau o diodă TFD (Thin-Film-Diode), drept element activ pentru
a permite tensiunii de semnal să fie stocată în condensatorul de înmagazinare

174
dintre electrodul display-ului pixelului şi un electrod comun pentru durata
fiecărui cadru.

Fig. 5.38 Sistem LCD tip TN

5.5.1 Structura panoului unui TFT-LCD

În figura 5.39 este prezentat schematic un TFT-LCD color. Tranzistoarele
adresate de către liniile rând (poartă) şi coloane (semnal) pot aplica o tensiune
pe electrozii display-ului. Display-ul şi electrozii comuni, în care este umplut
materialul cu cristale lichide, formează un condensator pentru stocarea tensiunii
de semnal pe durata unui cadru. Lumina de la o lampă fluorescentă cu un
spectru de trei culori primare iluminează uniform panoul LCD folosind o placă
de difuzie. O pereche de polarizori încrucişaţi este ataşată substraturilor de
sticlă. Fiecare pixel are trei subpixeli, fiecare echipat cu un filtru roşu, verde sau
albastru. Lumina se deplasează printr-un sistem de pixeli comandaţi prin TFT-
uri de siliciu amorf. Când nu se aplică nici o tensiune pe electrodul display-ului,
lumina polarizată formează un pixel luminos. Dacă se aplică tensiunea maximă,
lumina formează un pixel întunecat.

175
 Fig. 5.39 Construcţia unui TFT-LCD color

5.5.2 Structura TFT

Tranzistoarele peliculare pot fi clasificate în funcţie de materialul
semiconductor şi structura TFT. Cele mai multe TFT folosesc siliciu amorf
hidrogenat (a-Si:H) drept material semiconductor depus prin plasmă CVD
(Chemical Vapour Deposition) datorită particularităţilor sale specifice de
depunere la temperaturi joase (< 300 °C) şi ariei de depunere mari (< 300 x 400
mm2). Un alt tip de TFT este realizat dintr-un film de siliciu policristalin drept
material semiconductor pe un substrat de cuarţ. Avantajul acesui tip de TFT îl
constituie mobilitatea sa înaltă de efect de câmp, permiţând ca circuite periferice
de comandă să fie fabricate pe acelaşi substrat de sticlă.
Există două tipuri de structuri TFT, depinzând de ordinea depunerii
filmului electrodului metalic al porţii, stratul semiconductor izolator al porţii şi
electrodul metalic sursă-scurgere. Structura rezultantă este fie coplanară, fie
alternată. Tipul coplanar este acela în care electrodul poartă şi electrodul sursă-
scurgere sunt formaţi pe aceeaşi parte a stratului semiconductor. Tipul alternat
este acela în care electrodul poartă se află pe faţa opusă a stratului
semiconductor faţă de contactele sursă-scurgere.
Cele mai multe a-Si TFT-uri sunt realizate în configuraţia alternată, în
două tipuri de variante, în figura 6.40 se prezintă schematic o secţiune
transversală a configuraţiei TFT alternate, în structura alternată normal,
izolatorul porţii este depus pe partea superioară a stratului semiconductor.
Acesta este analog tranzistorului MOS de siliciu, unde oxidul termic se află pe
partea superioară a siliciului. Structura alternată inversată are stratul izolator de
pasivare plasat pe partea de sus a TFT, în contact cu zona canalului din spate al

176
stratului semiconductor, în TFT-ul alternat normal, substratul de sticlă
acţionează drept strat de pasivare.

Fig. 5.40 Configuraţii ale TFT alternat

Structura alternată inversă se împarte apoi în alte două tipuri: corodat cu

canal de spate şi cu trei straturi, în TTF-ul corodat cu canal de spate, izolatorul
porţii este depus primul şi este posibil a se depune izolatorul porţii-
semiconductor intrinsec nedopat şi stratul semiconductor dopat n+ într-un
singur proces de depunere, dar este necesară corodarea totală a stratului n+ de a-
Si în regiunea canalului de spate înainte de depunerea izolatorului de pasivare.
în TFT-ul cu trei straturi este posibil să se depună izolatorul porţii, strat
semiconductor nedopat şi izolatorul de pasivare într-un singur proces de
depunere. Apoi, este necesară o etapă de proces litografic pentru formarea
regiunii de contact sursă-scurgere, înainte de depunerea stratului de contact n+.
Tipul cu corodare a canalului pe spate necesită şase repere, în comparaţie cu opt
repere pentru tipul cu trei straturi.
Este necesar să se protejeze tranzistorul de lumina ambiantă, în scopul de
a menţine o rezistenţă ridicată, deoarece filmul a-Si este sensibil la lumină. O
metodă de rezolvare a acestei probleme este de a încorpora un strat protector de
metal uşor plasat pe un substrat comun cu filtrul color. O alternativă este de a
depune un strat opac neconductor peste TFT.
5.5.3 Fabricarea TFT
Tranzistoarele cu straturi subţiri sunt, de regulă, fabricate prin tehnologii
de prelucrare a semiconductoarelor, cum ar fi: depunerea filmelor subţiri,
trasarea fotolitografică şi corodarea.

177
 Filmul amorf de siliciu este depus pe o sticlă borosilicatică prin depunere
chimică din vapori activată de plasmă (PECVD - Plasma Enhanced Chemical
Vapour Deposition) la o temperatură de depunere în domeniul 200 - 300 °C. O
grosime tipică a filmului de a-Si intrinsec este de 50 nm pentru tipul cu trei
straturi şi de 200 - 300 nm pentru tipul corodat cu canal de spate. Contactele
sursei şi drenei, de obicei încorporează un strat depus de a-Si de tip n+, gros de
50 nm pentru a se realiza un contact ohmic şi proprietăţi de injecţie ale
purtătorilor.
Un strat izolator de poartă este utilizat, de asemenea, pentru izolarea
electrică a liniei porţii şi a electrozilor de semnal. Un izolator de poartă dublu-
strat (SiNx/SiOx, SiNx/TaOx, sau SiNx/Al2O3) este eficient în reducerea
defectelor punctuale şi liniare cauzate de scurtcircuitul sau scurgerea dintre linia
semnalului şi linia porţii sau dintre electrodul de poartă şi electrodul sursei sau
al drenei. Un izolator de poartă din SiO2 şi /sau SiNx este depus, de asemenea,
prin PECVD. Izolatorul din strat de Tax sau A12O3 este format prin anodizarea
electrodului de poartă din Ta sau Al. Atât stratul semiconductor cât şi stratul
izolator de poartă sunt depuse secvenţial în sisteme de depunere în plasmă fără
contaminare. Aceasta reprezintă un avantaj în realizarea unei calităţi bune a
interfeţei filmului şi în reducerea numărului de particule libere care pot cauza
defecte.
Pentru electrozii sursei, drenei sau de poartă a fost utilizată o varietate
largă de metale. Criteriul principal care afectează alegerea metalului îl constituie
stabilitatea sa în următoarele etape de prelucrare. Pentru electrozii şi liniile de
poartă din structurile alternate inversate se utilizează filme depuse prin
pulverizare din tantal, aluminiu, crom sau aliaj de tantal-molibden.
Rezistivităţile specifice ale acestor filme metalice sunt în domeniul 20 - 40
μΩcm. Aceste valori fac dificilă dezvoltarea TFT-LCD pentru ecrane de
dimensiuni mari cu o mare densitate de pixeli, datorită unei creşteri a
rezistivităţii şi capacităţii liniei de poartă, care rezultă în întârzierea impulsului
de comandă a porţii. Pentru un panou LCD cu diagonala de 300 mm şi
1024x768 pixeli, rezistivitatea metalului porţii ar trebui să fie <10 μΩcm.
Electrozii display-ului pe substratul TFT şi electrodul comun pe contra-
substrat sunt groşi de ~ 100 nm şi sunt din oxid de indiu şi staniu, care este un
film conductor de transparenţă ridicată.
Procesele de realizare a modelelor pentru sistemul TFT sunt similare cu
cele pentru LSI (integrate pe scară largă). Un sistem fotolitografic trasează
substraturile sistemului TFT, mai mari de 300 x 400 mm, cu o lăţime minimă a
liniei de ~ 3 μm. Este larg utilizabil un sistem de aliniere tip stepper pentru
plachete sau tip proiecţie în oglindă cu fotorezist convenţional.
Pentru stepper-ul pentru plachete este necesară o precizie de broşare mai
mică de ±500 nm.

178
 Pentru fabricarea cu precizie a structurii TFT sunt utilizate atât tehnici
umede, cât şi uscate de corodare. înainte şi după fiecare etapă a procesului,
suprafaţa filmului este curăţată mecanic şi/sau chimic.
Tehnologiile TFT alternative rezultă dintr-un proces de autoaliniere. Aici
desenul de electrod al porţii este utilizat într-unul dintre etapele fotorezistului
pentru a se defini canalul în alinierea perfectă cu poarta. Avantajele autoalinierii
constau în eliminarea erorii de aliniere, în special când aria este mare şi în
reducerea capacităţii parazite dintre poartă şi drena, datorită suprapunerii reduse.
Înainte de asamblarea panoului TFT, filme subţiri organice pentru
alinierea cristalului lichid sunt depuse ca acoperiri atât pe suprafaţa substratului
reţelei, cât şi pe cea a contrastratului. Materialul cristalului lichid este apoi
introdus şi etanşat. Pentru a se îmbunătăţi randamentul şi productivitatea
procesului de fabricare a TFT-LCD, numărul măştilor trebuie să fie redus şi
diverse procese, în special depunerea de filme subţiri şi corodarea, trebuie
comandate şi controlate cu precizie pentru viteze ridicate de depunere şi
corodare.

5.6 Panouri de afişaj cu plasmă (PDP)

Un afişaj TV, în special pentru TV de înaltă definiţie (HDTV - High
Definition TV), ar fi suficient de mare pentru a produce o puternică senzaţie de
realitate. PDP-urile par a fi cele mai potrivite pentru această aplicaţie, deoarece
ele au meritul natural al fabricării uşoare (chiar şi panouri mari), precum şi
răspunsul rapid cerut pentru a reproduce nivelurile de gri pe celulele operate
binar.
Culorile pe PDP-uri sunt generate de către substanţe fosforescente care
sunt fotoexcitate de către lumina ultravioletă din descărcarea gazelor.
Pentru a realiza PDP-uri, în special pentru HDTV, sunt indispensabile
tehnicile de fabricare a structurilor fine.
5.6.1 Structura
În funcţie de structura electrodului, PDP-urile sunt clasificate în două
tipuri, de curent continuu şi de curent alternativ. Electrozii PDP de curent
continuu se află în contact cu descărcarea în gaz, dar cei de curent alternativ sunt
acoperiţi cu un dielectric de sticlă care cuplează electrozii capacitivi cu
descărcarea în gaz. Dielectricii sunt utilizaţi pentru a limita curentul de
descărcare.
În figurile 5.41 şi 5.42 se prezintă configuraţiile celulei elementare ale
PDP de curent continuu şi, respectiv de curent alternativ. Nervurile barierei
dielectrice acţionează ca distanţieri între placa frontală şi placa din spate, iar
ecranele ca să prevină fenomenul de intermodulaţie dintre celulele învecinate

179
 5.6.2 Fabricarea
PDP-urile de curent alternativ şi curent continuu sunt fabricate prin
procesarea individuală a două substraturi şi etanşarea/sigilarea unei perechi de
substraturi cu o frită de sticlă, astfel încât sunt formate galerii. Panoul este apoi
umplut cu un amestec gazos potrivit, de exemplu He-Xe sau Ne-Xe, iar apoi
etanşat. Etapizarea procesului este ilustrată în figura 6.43.

Fig. 5.41 Configuraţia unei celule elementare a unui PDP de curent continuu

Tehnologia de strat gros

Tehnologia de strat gros este utilizată atât pentru PDP-uri de curent

continuu cât şi de curent alternativ. Aproape toate componentele - conductori,
dielectric, nervuri de barieră şi materiale fosforescente - sunt seri-grafiate ca
filme groase. Sunt produse glazuri ca filme groase tipice la temperaturi de
curgere de 500-600 °C. Tehnica de fabricare pentru nervurile barieră, în
particular, sunt unice pentru PDP-uri. întrucât nervurile barieră fixează distanţa
dintre anozi şi catozi, abaterile înălţimii nervurii barieră afectează
caracteristicile de descărcare şi reduc marja de operare. Pentru acest motiv,
nervurile de baraj ar trebui realizate cât mai mici posibil prin introducerea
tehnicilor de fabricaţie de înaltă precizie.
Nervurile de baraj cu înălţimea de 100 - 200 μm sunt formate prin
serigrafie multiplă cu un singur ecran. Între fiecare operaţie de imprimare este
necesar un proces de uscare, timp în care placa este îndepărtată din instalaţia de
imprimare, întrucât nu este uşor de a alinia manual placa de sticlă subţire mare,
în prima poziţie de imprimare, se utilizează un sistem automat de aliniere a
poziţiei plăcii de sticlă.

180
 Fig. 5.42 Configuraţia unei celule elementare a unui PDP de curent alternativ

Fig. 5.43 Procesul de fabricare a PDP

În figura 5.44 se prezintă un exemplu de sistem automat de aliniere.

Înainte de comprimare este necesară sesizarea optică a poziţiei a trei din
marginile plăcii şi de a fixa placa în poziţia iniţială. Acest sistem este capabil de
poziţionare cu o preicizie mai bună de 10 µm.
Formarea nervurilor de baraj prin sablare a fost studiată pentru a produce
o structură fină de linii. În figura 5.45 se prezintă o metodă tipică de sablare.
După ce au fost formaţi electrozii, se acoperă cu un strat de film gros din sticlă.

181
Un film de fotorezist este laminat pe stratul de sticlă şi inscripţionat prin
fotolitografie. Sablarea este făcută cu o pulbere fină de sticlă, rezultând o
structură fină de nervuri de baraj cu lăţimea de ~ 50 µm.

Fig. 5.44 Sistem de aliniere automată pentru imprimarea filmelor groase

Fig. 5.45 Formarea nervurilor de baraj prin sablare

Tehnologia de strat subţire

Tehnologia de strat subţire este utilizată pentru PDP-uri de curent
alternativ, în principal, pentru a produce straturi conductoare, dielectrice şi de
protecţie.
Conductorii de strat subţire sunt, de regulă, combinaţii de diferite
materiale. Primul strat, de obicei, din crom, aluminiu sau tantal este aplicat prin
adeziune. Stratul următor este pentru conductivitate şi este dintr-un metal cum ar
fi cuprul sau aurul. Al treilea strat este pentru a se preveni oxidarea
conductorului sau a reacţiilor cu stratul dielectric de acoperire în timpul curgerii
înapoi.
Pentru PDP-urile de curent alternativ este esenţială o acoperire subţire cu
un oxid de material refractar, cum ar fi MgO (100-300 nm) pe suprafaţa

182
interioară a dielectricului, drept strat de protecţie pentru a se evita pulverizarea
dielectricului. O viaţă lungă poate fi obţinută prin aplicarea acestei acoperiri. Pe
lângă această performanţă excelentă, MgO produce, de asemenea, o emisie
puternică de elctroni secundari, drept care tensiunea de amorsare poate fi
micşorată. Depunerea este realizată fie prin evaporare cu fascicul E, fie prin
pulverizare, prima dintre ele fiind predominant folosită datorită vitezei sale
relativ mari de depunere a materialului. Stratul de protecţie de MgO este depus
prin evaporare cu fascicul E, datorită performanţei sale înalte ca strat de
protecţie.
Acoperirea fosforescentă
Sunt depuse trei culori fosforescente, fie prin serigrafie, fie prin litografie.
În fotolitografie, după ce se depune o suspensie de material fosforescent
fotosensibil ca o acoperire prin întindere, filare sau laminare, punctele
fosforescente sunt configurate cu ajutorul unui foto.
Depunerea prin întindere pentru substraturile plane este superioară ca
uniformitate a grosimii materialului fosforescent. În figura 5.46 se prezintă
structura de bază a unui sistem de acoperire prin întindere cu lamă. Muchia
dreaptă a lamei se deplasează de-a lungul suprafeţei plăcii, păstrând o distanţă
constantă între muchie şi placă. După curăţarea plăcii, se depune cu ajutorul
lamei un şlam fotosensibil, incluzând un material fosforescent albastru. Aşa cum
se arată în figura 5.47, stratul fotosensibil este expus la lumina UV pe partea de
sticlă printr-o mască foto şi o placă de sticlă, şi developat cu un duş de apă. în
acest proces, liniile anodice servesc, de asemenea, drept mască foto, care
realizează fotofabricarea autoliniată. în expunere, radiaţia UV de la o lampă Hg-
Xe este reflectată de o oglindă rece şi trece printr-o lentilă convexă mare,
rezultând un fascicul UV cu raze strict paralele. Lentila convexă constă dintr-un
container acrilic umplut cu apă şi o foaie de sticlă. Materialele fosforescente
roşii şi verzi sunt depuse una după alta după materialul fosforescent albastru.

Fig. 5.46 Schema de depunere prin întindere cu lamă

183
 Fig. 5.47 Expunerea pentru configurarea materialului fosforescent

5.6.3 PDP-uri complet color

S-a depus un efort considerabil pentru a se dezvolta PDP-uri de curent
continuu şi curent alternativ, complet color. Drept rezultat, a fost obţinut un PDP
de curent continuu complet color, cu diagonala de l m şi cu 1344x800 celule de
0,65 mm modulul, cu care pot fi reproduse imagini HDTV impresionante, cu
256 nuanţe de gri, după cum se arată în figura 5.48. Acest panou are o funcţie de
memorie prin utilizarea schemei de acţionare a impulsului de memorare.
În utilizarea practică, pentru PDP-uri de curent alternativ, se află în
folosinţă un PDP complet color cu diagonala de 0,5 m şi cu 1920 x 480 celule.
Deşi au existat probleme în producerea de TFT-LCD-uri, de ELD color şi
LED color cu panouri mari şi puritate a culorii, PDP-urile nu au nici o problemă.

Fig. 5.48 PDP complet color pentru HDTV, cu diagonala de 1 m

184
 5.7 Fibre optice şi componente optice aferente
Sisteme optice de comunicaţii se află deja în utilizare comercială în liniile
lungi, trase, de transmisie, unde sunt folosite efectiv caracteristicile de lăţime de
bandă înaltă şi pierderi scăzute ale fibrelor optice pe bază de silice, sunt
deasemenea folosite în sistemele de abonaţi pentru realizarea reţelelor „fibre
pentru acasă" (FTTH - Fibre-To-The Home), care conectează locuinţele
individuale prin fibre optice. Fibrele optice utilizate cel mai adesea în astfel de
sisteme sunt fibre optice unimodale pe bază de silice, care au un diametru
exterior de 125 µm şi un diametru al miezului de cel puţin 10 µm. În acest
subcapitol se descriu fibrele optice şi componentele optice aferente din punctul
de vedere al tehnologiilor de microfabricaţie sau nanofabricaţie.
5.7.1 Fabricarea fibrei optice
Fibrele optice pot fi clasificate în: (1) fibre multimod cu indice treaptă, (2)
fibre multimod cu indice gradat şi (3) fibre unimod, conform figurii 5.49.
Diametrul tipic al fibrei este de 125 µm. Diferenţa relativă de indice de refracţie
Δ, dintre miez şi protecţie, din figura 5.49, este în mod tipic de 0,3 - l %, în
funcţie de structura fibrei.

Fig. 5.49 Structuri de fibre optice

Fibrele multimod cu indice treaptă şi indice gradat, care au diametrele

miezului mai mari (câţiva zeci de microni) îşi găsesc utilizarea în sistemele de
transmisie de linii scurte. Fibrele unimod cu diametrul mai mic al miezului, de
~l0µm, sunt cele mai larg utilizate, atât în sistemele trase, lungi, cât şi în
sistemele de abonaţi, datorită pierderilor lor scăzute şi lăţimii de bandă de

185
transmisie înaltă, în comparaţie cu fibrele multimod, se cere o precizie mult mai
înaltă în manipularea fibrelor unimod şi a componentelor optice aferente.
Primul pas în fabricarea fibrelor optice pe bază de silice este de a obţine o
„preformă” a fibrei, care posedă o geometrie a secţiunii transversale similară cu
cea a fibrei-produs, dar cu un diametru exterior mult mai mare, de 20-50 mm şi
o lungime mai scurtă de 30-100 cm. Există trei metode de fabricaţie a
preformelor: (1) depunerea modificată din fază de vapori (MOCVD - Modified
Vapour-Phase-Deposition), (2) depunere exterioară din fază de vapori (OVPD -
Outside-Phase Deposition) şi (3) depunere axială din fază de vapori (VAD -
Vapour Phase Axial Deposition).
Un aranjament VAD este prezentat în figura 5.50. Particulele fine de
sticlă, sintetizate prin hidroliza în flacără a SiCl4 şi GeCl4 în arzător cu oxigen şi
hidrogen, sunt depuse pe o direcţie axială pe capătul unei bare de silice topită
care se roteşte. Preformă din sticlă poroasă, compusă din particule de SiO2-
GeO2 pentru miez şi particule de SiC2 ca material de protecţie, este apoi
încălzită la ~ 1450°C într-un cuptor electric, pentru consolidare. Diferenţa de
indice de refracţie relativ Δ, dintre miez şi protecţie, este reglată la valoarea
dorită prin comanda şi controlul debitului de GeCl4 în arzătorul interior, în
timpul depunerii.

Fig. 5.50 Fabricarea preformei de fibră optică prin metoda VAD

Preformă fibrei astfel fabricate este încălzită la o temperatură mai înaltă

(~ 2000 °C), într-un cuptor cu carbon şi trasă în fibre optice lungi, după cum se
ilustrează în figura 5.51. În timpul tragerii, diametrul exterior al fibrei este
controlat şi comandat cu precizie la 125 ± 0,5 µm, prin utilizarea unei instalaţii
de monitorizare fără contact, ce foloseşte un fascicul laser He-Ne de baleiaj.
Simultan cu tragerea, fibra este acoperită cu răşină polimerică pentru protecţia

186
suprafeţei şi manipulare uşoară. Dintr-o singură preformă se poate trage o fibră
optică lungă de câţiva zeci de kilometri.
Ar trebui amintit că acele caracteristici excelente de transmisie ale fibrei
optice pe bază de silice se datorează, în parte, procesului de depunere din fază de
vapori, prin care pot fi sintetizate preforme de sticlă de puritate ultra-înaltă, iar
pe de altă parte, procesului de tragere a fibrelor prin care se poate realiza o
margine extrem de netedă (rugozitate subnanometrică) între miez şi materialul
de protecţie.
5.7.2 Interconectarea fibră-fibră
Una dintre problemele cruciale în sistemele de fibre optice o constituie
modul cum să fie interconectate fibrele cu o eficienţă înaltă de cuplare şi costuri
scăzute. Pentru a avea pierderi scăzute de cuplare, axele optice ale celor două
fibre trebuie să fie aliniate cu precizie submicronică. Acest lucru este în opoziţie
clară faţă de cablurile metalice, unde cuplarea mutuală poate fi rapid realizată
printr-un contact sumar al celor doi conductori metalici.
În figura 5.52 se arată caracteristicile pierderii de cuplaj ale fibrelor optice
unimod, calculate din integrala de acoperire a distribuţiei câmpului optic al unei
fibre optice unimod. Din figura 5.52 se poate observa că pentru a atinge o
pierdere de cuplare < 0,1 dB, de exemplu, deplasarea Δx a axei fibrei şi unghiul
de înclinare 0 trebuie să fie < 0,5 µm şi respectiv < 0,5°.

Fig. 5.51 Procesul de tragere al fibrei optice

Interconectarea practică fibră-fibră ia în considerare conexiunile directe

(adică, interconectare permanentă sau cvasipermanentă) sau conectorii (adică,
interconectare mătuită/nemătuită), după cum urmează.

187
 Fig. 5.52 Caractersticile piederilor de cuplaj pentru fibrele unimod

Conexiunile directe în arc de topire (fig. 5.53) au cele mai mici pierderi de
cuplare, media tipică fiind de < 0,06 dB pentru fibrele unimod. Reflexia inversă
de la conexiunile obţinute prin topire pot fi cel puţin de -60 la -70 dB.
Stabilitatea în mediul înconjurător este excelentă (< 0,02 dB) atât timp cât nu
există motive pentru deplasarea între fibrele considerate.

Fig. 5.53 Realizarea conexiunii directe a fibrei optice prin topire în arc

Fig. 5.54 Conectori de fibre optice (seria SC)

188
 Au fost dezvoltate mai multe tipuri de conectori de fibre optice pentru
utilizare în cazul fibrelor unimod. În figura 5.54 se prezintă aranjamentul şi
mecanismul de aliniere pentru seria de conectori SC, care prezintă: (1) pierderi
scăzute (-0,1 dB) şi pierdere mare de retur (-40 dB) prin utilizarea inelului de
etanşare din ceramică zirconică şi a tehnicilor de contact fizic şi (2) compactitate
şi durabilitate prin utilizarea unui mecanism simplu de tip împinge-trage.
În prezent, conectorii optici sunt asamblaţi manual. Este necesară
simplificarea şi automatizarea proceselor de asamblare în scopul reducerii
costurilor, care în momentul de faţă determină jumătate din costul total al unui
conector.
5.7.3 Fabricarea ghidului de undă plan
Alături de fibrele optice, conectori şi surse/detectori de lumină, la
construcţia sistemelor optice de comunicaţii cu eficienţă de transmitere mai
înaltă şi flexibilitate a reţelei sunt solicitate diverse tipuri de componente optice.
Una dintre cele mai promiţătoare abordări pentru realizarea unor asemenea
componente este de a se introduce tehnologiile integrate ale ghidului de undă
din silice pentru formarea circuitelor planare cu unde luminoase (PLC - Planar
Lightware Circuit) pe substraturi de siliciu. Ghidurile de undă din silice au
acelaşi indice de refracţie ca şi fibrele optice, aşa că ne putem aştepta la o bună
adaptare şi potrivire cu fibrele.
În figura 5.55 se prezintă procesele de fabricare pentru ghidurile de undă
din silice, care sunt adaptate dimensiunilor miezului fibrei optice unimod.
Primul pas este de a depune două straturi succesive de particule de sticlă ale
materialului de protecţie şi miezului, pe substraturi de Si prin hidroliză în flacără
a SiCl4 şi GeCl4. După depunere, plachetele de Si cu straturile de sticlă poroasă
sunt încălzite la 1200 - 1300°C într-un cuptor electric pentru consolidare. Apoi,
sunt definite nervurile miezului ghidului de undă prin litografie. Porţiunea de
zonă care nu este necesară, din stratul de sticlă depus pentru miez, este
îndepărtată prin corodare cu ioni reactivi (RIE - Reactive Ion Etching).
Rugozitatea pereţilor laterali ai nervurilor corodate ale miezului se estimează a
fi < 0,1 µm. În final, configuraţiile nervurilor miezului sunt acoperite cu un strat
de protecţie din SiO2, care se depune tot prin hidroliză în flacără (FHD - Flame
Hydrolysis Deposition).
În figura 5.56 se arată o secţiune transversală a ghidului deundă planar
unimod din SiO2-GeO2 fabricat în modul descris anterior. Miezul de 8x8 µm,
adaptat şi potrivit miezului unei fibre optice unimod, este complet integrat şi
îmapachetat într-un material de protecţie din SiO2 gros de 50 µm pe un substrat
de Si. Diferenţa de indice Δ dintre miez şi materialul de protecţie, în figura 6.57,
este de 0,25 %.
Caracteristicile pierderii de cuplare a vidului de undă de fibra optică
unimod sunt aproape aceleaşi ca în cazul caracteristicilor pierderilor de cuplaj
prezentate în figura 5.52. Nepotrivirea geometrică dintre miezul pătrat al

189
ghidului de undă şi miezul circular al fibrei nu constituie o problemă în sistemul
unimod.

Fig. 5.55 Procese pentru fabricarea ghidurile de undă din silice pe substrat de Si

Pierderile de transmisie ale ghidurilor de undă planare din silice sunt de

ordinul 0,01 - 0,1 dB ⋅ cm −1 , fiind mult mai mari decât valorile pentru fibrele
optice pe bază de silice (0,2-0,5
dB ⋅ km −1 ). Motivul principal poate
fi căutat în rugozitatea pereţilor
laterali ai miezurilor corodate ale
ghidului de undă. Procesul de
tragere la temperaturi înalte nu
poate fi aplicat la fabricarea
ghidurilor de undă planare, în
continuare, se fac mari eforturi
pentru a se reduce rugozitatea
pereţilor laterali la < 0,01 µm.
Pierderile actuale ale ghidurilor de
undă de 0,01 - 0,1 dB ⋅ cm −1 sunt
totuşi acceptabile pentru
majoritatea aplicaţiilor circuitelor
optice cu lungimi ale ghidurilor de
Fig. 8.56 Vedere transversală a unui undă de până la câţiva zeci de
ghid de undă de silice pe substrat de Si centimetri.
5.7.4 Circuite planare de unde luminoase
Au fost fabricate diverse tipuri de circuite planare de unde luminoase
(PLC) pe baza ghidurilor de unde planare din silice pe substratul de Si. Aceste

190
circuite includ divizori optici pentru distribuirea semnalelor optice, comutatori
optici pentru modificarea drumurilor optice la utilizarea reţelelor flexibile şi
dispozitive de compunere / descompunere a divizării lungimii de undă pentru
introducerea canalelor optice multiple într-o singură fibră optică.
În figura 5.57 se prezintă planul de ansamblu al unui ghid de undă pentru
un cuplaj stea planar 8x8, alcătuit din două reţele de canale de ghid de undă în
formă de evantai aflate faţă în faţă, având o zonă de bramă care le conectează
între ele. Intervalul de ghidare a undei scade gradual în regiunea reţelelor şi
devine de câţiva micrometri la interfaţa reţelei de ghiduri şi în zona bramei.
Ghidurile de undă periferice necesită ghiduri fictive pentru a se garanta
aceeaşi condiţie de cuplare ca şi pentru ghidurile centrale. Parametrii
dispozitivului de cuplare în stea, cum ar fi unghiul de deschidere şi separarea
dintre două reţele, au fost optimizaţi în aşa fel încât să se realizeze un maxim la
ieşire şi o bună uniformitate a cuplării.
Un dispozitiv de cuplare în stea 8x8, fabricat pe un substrat de siliciu de
5x26 mm, prezintă o pierdere scăzută (1,42 dB pierdere suplimentară medie,
adăugată la pierdea intrinsecă de diviziune de 9 dB) şi o uniformitate de cuplare
bună (deviaţia standard este de 0,49 dB). Această performanţă este comparabilă
cu cea a tipului de dispozitiv convenţional de cuplare a fibrei 8 x 8, în care 12
unităţi de dispozitive de cuplare a fibrelor prin topire 2x2 sunt combinate şi
împachetate utilizând proceduri de conectare directă anevoioase.

Fig. 5.57 Cuplaj stea 8x8 de tip planar cu ghiduri de undă din silice pe substrat de Si

Geometria dispozitivelor de cuplare compacte de tip planar actuale are

capacitatea de a produce cuplaje în stea N x N de tip VLS pe un cip.
Avantajul acestei abordări optic integrate este mai evident atunci când N
devine 64 sau 128.

191
 5.8 Giroscoape pentru sisteme inerţiale de navigaţie
Giroscoapele sau proiectarea giroscoapelor şi aplicaţiilor lor în sisteme
este o ştiinţă, dar totodată şi o artă: este o ştiinţă - în sensul înţelegerii relaţiei
giroscoapelor cu alte instrumente; este o artă - în sensul că giroscoapele sunt
construite să atingă nivelul înalt de performanţă cerut în aplicaţiile moderne.
Proiectarea şi fabricarea giroscoapelor de precizie, cu viteze de deplasare
scăzute cerute pentru sistemele inerţiale de navigaţie, necesită atât o abordare
filozofică globală, cât şi o atenţie mărită pentru detalii, considerate de regulă ca
nesemnificative.
Acest subcapitol acoperă relaţiile fundamentale dintre caracteristicile de
performanţă ale giroscopului şi construcţia lui, inclusiv nanotehnologia pentru
giroscopul cu rotor liber, reglat dinamic (DTG - Dinamically Tuned free-rotor
Gyroscope).
5.8.1 Cerinţele sistemului şi performanţa giroscopului
Înainte de abordarea problemei proiectării unui giroscop, inginerul de
proiectare trebuie să devină complet familiarizat cu cerinţele globale ale
aplicaţiei particulare.
Performanţele giroscopului pentru mai multe aplicaţii sunt prezentate în
figura 5.58. în această figură, axa verticală arată stabilitatea giraţiei de zi cu zi.
Axa orizontală indică viteza unghiulară maximă permisă de intrare. Domeniul
de la 103 la 10 grade pe oră este considerat de categoria de performanţă scăzută,
de la 0,1 la 10 grade pe oră constituie categoria de performanţă medie, iar
domeniul sub 0,1 grade pe oră reprezintă categoria de performanţă înaltă.
Giroscoapele care aparţin categoriei de înaltă performanţă sunt cunoscute drept
de „calibrare iniţială". Aşa cum se arată în figura 5.58, giroscoapele care
aparţin categoriei cu performanţe scăzute sunt acum giroscoape cu viteza
limitată de un resort sau multisenzor (fabricat de Mitsubishi Precision Co. Ltd.
sub licenţă de la GEC - Marconi Electronic System Corp.). Aceste giroscoape
sunt folosite drept componente ale sistemelor de amortizare pentru diverse
rachete (proiectile) şi sistemele cu linie de vizare (LOS - Line-Of-Sight system).
Utilizarea unui amortizor indică compensarea buclei de poziţie a unui sistem de
comandă şi control al zborului. Scopul său este îmbunătăţirea frecvenţei de
răspuns şi/sau fixarea timpului de răspuns potrivit.
În mod curent, DTG este giroscopul principal din categoria de
performanţă medie. Acest giroscop are capacitatea de detecţie a vitezei după
două axe cu o buclă de captare şi este utilizat pentru sisteme LOS de înaltă
performanţă şi pentru sisteme de referinţă pentru comportarea capului-compas
(AHRS - Altitude Heading Reference System) cu o precizie a capului compas de
0,5° rădăcină pătratică medie.
În categoria de înaltă performanţă, DTG şi giroscopul laser inelar (RLG-
Ring Laser Gyro) reprezintă giroscoapele curent considerate ca opere de artă. în
general, DTG este utilizat pentru sistemul de navigaţie inerţială tip platformă

192
stabilă (INS - Inerţial Navigation System), iar RLG pentru INS tip zonă îngustă
descendentă. Aşa cum se arată în figura 5.58, viteza de derivă tipică a unui
giroscop pentru INS este de 0,010 ⋅ h −1 . Estimarea acestei viteze de drift se
bazează pe precizia poziţiei cerute pentru INS. De obicei, într-un avion
comercial precizia poziţiei este < 2 ⋅ n ⋅ mile ⋅ h −1 CEP (50%), iar într-un avion
militar < 1 ⋅ n ⋅ mile ⋅ h −1 CEP (50%), după alinierea completă a girocompasului
pentru un timp de zbor de până la l oră.

Fig. 5.58 Distribuţia performanţelor giroscopului (1989)

5.8.2 Nanotehnologia în giroscopică

În acest subcapitol se discută despre nanotehnologia în DTG, prin
intermediul exemplelor.
a) Descrierea DTG
Înainte de a se explica nanotehnologia în DTG, se discută construcţia unui
DTG şi mecanismul care determină viteza de derivaţie. O secţiune transversală
schematică a DTG este prezentată în figura 5.59. Rotorul giroscopului din partea
superioară este învârtit (rotit) de către motorul rotativ din partea inferioară.
Rotorul giroscopului şi axul motorului sunt îmbinate printr-o suspensie
rezistentă la încovoiere, care este alcătuită dintr-o articulaţie cardanică inelară şi
un resort mecanic. Când momentul de inerţie al articulaţiei cardanice, constanta
resortului şi viteza de rotaţie satisfac condiţia de acord, rotorul giroscopului se
roteşte fără constrângeri. Aceasta este condiţia de acţionare a DTG, adică nu
există nici un cuplu de torsiune de eroare pe rotorul giroscopului. De aceea,
DTG este categorisit, în principiu, drept un giroscop liber.

193
 Fig. 5.59 Secţiune transversală schematică a unui DTG

Când viteza de derivaţie a DTG este măsurată în timpul procesului şi/sau

la testarea finală, acest giroscop este operat ca un girometru, prin utilizarea unei
bucle de captare. Girometrul utilizează fenomenul de precesie, în care viteza
unghiulară de intrare produce un moment de torsiune ca mărime de ieşire.
Momentul de torsiune indus prin precesie poate fi scris ca:
T = H ⋅ ω, (5.1)
unde H este momentul unghiular al rotorului giroscopului ( kg ⋅ m 2 ⋅ s −1 ), iar ω
este viteza de intrare ( rad ⋅ s −1 ). Această ecuaţie este utilizată şi pentru
momentul de torsiune a erorii; în acest caz ω se numeşte viteză de drift.
Mecanismul care produce viteza de drift în DTG este esenţialmente
datorat unui moment de torsiune de eroare care acţionează asupra rotorului
giroscopului, după s-a discutat anterior. Strict vorbind, trei parametri definesc
viteza de derivaţie (abatere Gindiferentă) în DTG: constanta resortului n fază
( K in2 Φ ), constanta resortului la cuadratură (defazaj de 90°) (Kq) şi unghiul de
deviaţie ( θ s ). Viteza de derivaţie datorată acestor parametri poate fi scrisă ca:

Viteza de derivaţie Gindiferentă= θ s ⋅ K in2 θ + K q2 , (5.2)

Definţia unghiului de derivaţie este prezentată în figura 5.60.

194
 Fig. 5.60 Definiţia unghiulară de deviaţie θ s

(b) Nanotehnologia în DTG

Pentru a face faţă cerinţelor de performanţă, proiectarea giroscopului este
condusă de analiză. Domeniile majore luate în considerare sunt:
(1) reducerea momentului de torsiune a erorii care acţionează asupra
rotorului giroscopului;
(2) maximizarea momentului unghiular;
(3) furnizarea unui sistem precis detaşabil şi cu moment de răsucire
maxim.
Se vor lua în considerare în principal, domeniile (1) şi (3) din punctul de
vedere al nanotehnologiei pentru DTG.
(1) Reducerea momentului de torsiune a erorii. Inginerul de giroscoape ar
trebui să facă orice efort pentru a păstra toate momentele de torsiune care
acţionează asupra unui giroscop la un minim. După cum s-a arătat anterior,
viteza de drift admisibilă şi stabilitatea sa la giroscoapele pentru INS este <
0,010 ⋅ h −1 . Presupunând că această stabilitate se datorează unei deplasări de
masă a rotorului giroscopului, se estimează o deplasare de masă permisă, pe
baza ecuaţiei (6.1), astfel:
Deplasarea de masă admisibilă = Momentul unghiului (H)xViteza de derivaţie
(Δω) /Greutatea rotorului giroscopului (W)
Să considerăm o viteză de drift de 0,010 ⋅ h −1 ~ 5 ⋅ 10 −8 ⋅ rad ⋅ s −1 ,
H = 0,1 ⋅ N ⋅ m ⋅ s şi W = 2 N . Atunci, deplasarea de masă admisibilă este 2,5
nm. Această valoare este de ordinul nanotehnologiei şi, cu alte cuvinte, devine
evident că un giroscop pentru un INS necesită realizarea unei stabilităţi
mecanice complete în unitatea finisată. Acesta este un domeniu de proiectare
care este una dintre cele mai dificile probleme pentru inginerii de giroscoape.

195
 Fig. 5.61 Stabilitatea DTG în diferite etape de fabricare: (a) înainte de fixarea
şuruburilor balansiere; (b) după fixarea şuruburilor balansiere; (c) după sudarea
capacului superior; (d) după variaţia ciclică a temperaturii (de la -35 la +75 "C, 25
de cicluri). (Zece diviziuni ale scalei corespund la 0,16 0 ⋅ h −1 .)

Fig. 5.62 Efectul rodajului asupra stabilităţii unităţilor DTG finisate

196
 Să considerăm modurile de îmbunătăţire a stabilităţii dimensionale şi de
masă pentru DTG-ul nostru. În figura 5.61 se prezintă efectul variaţiei ciclice a
temperaturii. După cum se poate observa, mărimea de ieşire seamănă cu o
turbulenţă: atât înainte, cât şi după fixarea şuruburilor balansiere ale rotorului
giroscopului, şi după sudarea capacului superior, mărimea de ieşire fluctuează
puternic. Totuşi, după variaţia ciclică a temperaturii, mărimea de ieşire a DTG
pare foarte stabilă. În figura 5.62 se arată efectul ajustării prin funcţionarea
(rodajul) componentelor finisate. Din acest rezultat se poate trage concluzia că
rodajul este foarte util pentru îmbunătăţirea stabilităţii unui giroscop, cum este
DTG.
(1) Asigurarea preciziei sesizorului. Aşa cum s-a amintit înainte, în
construcţia DTG, rotorul giroscopului este separat de motorul giroscopului. Mai
mult, săgeata de încovoiere a rotorului giroscopului (element sensibil) este
detectată de către sesizorul ataşat carcasei. De aceea, stabilitatea mărimii de
ieşire este determinată de stabilitatea distanţei spaţiului de aer din circuitul
senzorului.
Presupunând o stabilitate admisibilă a vitezei de drift de 0,010 ⋅ h −1 , iar
K in2 θ şi K q
egale cu 0,01, respectiv 0,02 0 ⋅ h −1 ⋅ arc sec −1 , unghiul de deviere, conform
ecuaţiei (6.2), este:
0,01
θs = = 0,44 ⋅ arc sec sau 2,133 ⋅ 10 −6 ⋅ rad
(0,01)2 + (0,02)2
Dacă distanţa de la axa de rotaţie la circuitul senzorului (fig. 5.60) este de
15 mm, deviaţia admisibilă este 15 ⋅ 2,133 ⋅ 10 −6 ≈ 32nm . Conform experienţei
noastre, cauza majoră a variaţiei unghiului de deviere o constituie o preîncărcare
insuficientă a rulmentului de rotaţie. Aceşti rulmenţi trebuie să suporte o
proporţie semnificativă a greutăţii rotorului giroscopului, permiţând acestuia să
se rotească cu viteză mare şi cu frecare scăzută ( K q este strâns legat de frecarea
rulmentului, şi trebuie poziţionat cu aceeaşi stabilitate completă). Pentru cele
mai bune rezultate, rulmenţii ar trebui să fie ajustaţi pe un ax sau pe o carcasă cu
o marjă de până la 0,2 µm. Trebuie să fie acordată cea mai mare atenţie erorilor
rotunjirii căii de rulare, profilului canalului, sfericităţii şi potrivirii bilelor.
Toleranţele pe căile de rulare de 0,2 µm, sfericitatea bilelor de 0,02 µm şi
potrivirea bilelor la 0,05 µm nu sunt valori comune. Mai mult, când rulmenţii
sunt asamblaţi în DTG, devine evident că utilizarea unui adeziv cu putere mare
de etanşare este vitală, iar procedura de tratament termic în condiţiile unei rotaţii
lente a rulmenţilor este o metodă bună de evitare a nealinierii unghiulare. Pe
lângă procesul de îmbătrânire şi procedura descrisă anterior, ar trebui să fie
urmărite următoarele principii de bază în proiectarea unui giroscop de înaltă
precizie:
(1) proiectarea la nivelurile tensiunilor de lucru mult sub limita elastică;

197
 (2) utilizarea de materiale cu coeficienţi de dilatare care se potrivesc;
(3) utilizarea adezivilor cu putere mare de etanşare;
(4) reducerea numărului de componente separate;
(5) preîncărcarea optimă pentru rulmenţi.
5.8.3 Exemple de giroscoape
Cea mai importantă problemă de proiectare în atingerea cerinţelor de
performanţă este de a minimiza mărimea anumitor momente de torsiune
parazite, care acţionează asupra rotorului giroscopului. Pe de altă parte, aşa cum
s-a arătat în acest subcapitol, devine evident că nanotehnologia, în cazul unui
giroscop de precizie, se bazează în general pe cunoştinţele acumulate din
experienţa prezentă. Considerând tendinţele viitoare ale nanotehnologiei unui
giroscop, este important să se descopere principiile care conduc parametrii la
instabilitatea sau incertitudinea mărimii de ieşire a giroscopului şi de a
transforma aceste cunoştinţe câştigate din experienţă într-o ştiinţă. Apoi, este
important să se recunoască că noţiunea de nanotehnologie nu înseamnă numai
fabricarea ultraprecisă, dar şi un sistem integrat de testare, procesare şi
măsurare.
Parametrii de proiectare ai DTG, consideraţi în acest subcapitol, sunt
aceia ai JDG-3W dezvoltat pentru diverse misiuni spaţiale între National Space
Development Agency din Japonia şi Mitsubishi Precision Co. Ltd. (MPC). În
figura 6.63 se prezintă o secţiune a acestui DTG. Caracteristicile de performanţă
ale DTG sunt prezentate în tabelul 5.7.

Fig. 5.63 Secţiune prin DTG-ul JDG-3W

198
 Tabelul 5.7 Caracteristicile de performanţă ale acestui DTG JDG-3W
Parametru Unităţi Valoarea Valoarea
specificaţiei tipică (medie)
1 2 3 4
Deplasarea insensibilă
Valoarea absolută ºh-1 2,0 0,3
-1
Stabilitatea zilnică ºh (1 σ) 0,017 0,01
-1
Stabilitatea pe termen scurt ºh (1 σ) 0,002 0,001
-1 -1
Sensibilitatea la temperatură ºh K - 0,009
Deplasarea G-sensibilă
Valoarea absolută ºh-1r-1G-1 2,0 1,7
-1 -1
Stabilitatea zilnică ºh G (1 σ) 0,017 0,007
-1 -1 -1
Sensibilitatea la temperatură ºh G K - 0,052
Factor de scală al momentului de torsiune
Valoarea absolută ºh-1mA-1 144 min 165,5
Stabilitatea zilnică ppm (1 σ) 100 20
1 2 3 4
Liniaritate ppm vârf 100 60
Asimetrie ppm vârf 500 100
-1
Sensibilitatea la temperatură ppm K - -438
-1 -1 -2
Anizoeleasticitate ºh r G - 0,04
2
Moment magnetic A-T-m - max. 0,006
-1 -1
A 2-a sensibilitate a vibraţiei ºh s -
unghiulare
Timp de viaţă (durata) h 20000 70000
Stabilitatea pe termen lung
Deplasarea G-insensibilă ºh-1a-1(1 σ) - 0,059
-1 -1 -1
Deplasarea G-sensibilă ºh G a (1 σ) - 0,069

5.9 Micromaşini şi dispozitive nanomecanice

5.9.1 Domeniul micromaşinilor
Omul încă nu a făcut o maşină care să fie mai mică decât un ceas de
mână, cu dimensiuni de câţiva milimetri, însă nenumărate vieţuitoare
minuscule, ca insectele (câţiva milimetri) etc. au fost active şi au contribuit la
circulaţia în lumea naturii timp de mai mult de 500 milioane de ani. Dacă ar fi
realizate micromaşini care să simuleze aceste vieţuitoare minuscule, limitele
noastre de comportament vor fi extinse nu numai în domeniul micro dar şi în cel
macro.
Cercetarea şi dezvoltarea micromaşinilor sunt direcţionate în trei domenii,
aşa cum se arată în figura 5.64. Un domeniu îl constituie extinderea ingineriei

199
mecanice, pentru a realiza roboţi mici cu dimensiuni mai mici de câţiva
milimetri. Al doilea domeniu este cel al fabricării semiconductoarelor, unde sunt
în curs de dezvoltare senzori minusculi şi obiecte mobile de ordinul
micrometrilor. Al treilea domeniu este cel al biologiei moleculare, unde sunt
produse ceea ce sunt intitulate „maşini moleculare". Aici, actuatorii vii de
ordinul nanometrilor sunt în curs de elucidare, iar rezultatele sunt dorite de
cercetători şi utilizatori din alte domenii.
5.9.2 Caracteristicile micromaşinilor
Pentru dezvoltarea micromaşinilor ar fi utilă cunoaşterea caracteristicilor
lor. Caracteristicile majore care au fost obţinute din diverse studii sunt discutate
în acest subcapitol. Ele se clasifică în cinci categorii, după cum urmează.
a) Efectul dimensiunii asupra forţelor
Fiecare tip de forţă are propriul său efect al dimensiunii [L"] în
concordanţă cu principiul său, după cum se arată în tabelul 5.8, unde n este de
ordinul dimensional al lungimii L. Acest rezultat are importanţă ca bază pentru
evaluarea performanţei unei micromaşini. Modelul triunghiular PVDF (fluorură
de polivinilidenă), prezentat în figura 5.65, nu se mişcă; atunci a fost făcut mai
mic de 3 mm. Se crede că acest defect a apărut deoarece rezistenţa datorată
atracţiei electrostatice [L°] dintre conductor şi corp şi împământare a depăşit
forţa de acţionare [L2] obişnuită din deformarea elastică a materialelor
actuatoare. în figura 5.66 se arată importanţa valorilor absolute prin compararea
forţelor electrostatice [L°] şi electromagnetice [L3]. Rezultatul arată că punctul
de egalizare a celor două forţe apare în domeniul nanometric.

Fig. 5.65 Domeniul de cercetare-dezvolatre a micromaşinilor

200
 Fig. 5.66 Model triunghiular PVDF pentru deplasare pe o suprafaţă plană

Fig. 5.67 Comparaţie între forţele electromagnetice şi cele eletrostatice

b) Creşterea de rezistenţă din materiale

Este binecunoscut că monocristalele, fibrele whisker amorfe sau alte
materiale amorfe sunt de până la 100 de ori mai rezistente faţă de forma
cristalină obişnuită a aceleiaşi substanţe chimice (iar uneori ating rezistenţa
teoretică), datorită absenţei limitelor cristalitelor care sunt defecte fizice, în

201
consecinţă, este posibil să se poiecteze un mecanism indiferent la erori, prin
utilizarea acestei rezistenţe înalte într-o micromaşină.
Tabelul 5.8 Efectul dimensiunii asupra unor tipuri de forţe

202
 c) Efect superficial crescut
Datorită predominanţei efectului superficial asupra efectului volumului
3
[L ] în domeniul micro, fenomenele chimice şi termice devin foarte active.
Aceste fenomene sunt avantajoase pentru actuatorii acţionaţi mecanochimic sau
termic, care nu sunt încă în serviciu. Datorită vitezei lor mici de acţiune apar
fenomene microtribologice unice, cum ar fi pericolul apariţiei forţei adsorbtive,
care apare indusă de tensiunea superficială a unei mici cantităţi de apă dintre
suprafeţe. În figura 5.68 (a) se prezintă câteva valori măsurate ale coeficientului
de frecare pe o suprafaţă plană, iar în figura 5.68 (b), pe suprafaţa unui lagăr de
alunecare în condiţii uscate. Se observă că există creşteri mari, odată cu scăderea
mărimii, în ambele situaţii.
În părţile componente mici de maşini, cum sunt cele pentru ceasurile de
mână, precizia poate fi decisă făcând abstracţie de mărime, de exemplu, ± l µm
sau ±5 µm. Ca rezultat al investigaţiilor relaţiei dintre mărimea L şi eroarea sa ex
ale componentelor de bază în câteva tipuri de procese de prelucrare, pare foarte
⎛e ⎞
dificilă realizarea, în prezent, a condiţiei E ⎜ x ⎟ < 10 −3 .
⎝L⎠

Fig. 5.68 Exemple de variaţie a coeficientului de frecare cu mărimea: (a) suprafaţa

plană; (b) lagăr cu alunecare

În figura 5.69 se prezintă un exemplu al relaţiei pentru diametrul unui ax.

Totuşi, în maşinile obişnuite este necesară o precizie E < 10 −4 pentru a satisface
funcţiile lor. De aceea, trebuie să fie adoptată o proiectare insensibilă la erori,
cum ar fi un mecanism simplu cu un număr mic de părţi componente,
combinarea actuatorului de înaltă deformare şi un mecansim flexibil etc.

203
 Fig. 5.69 Eroarea de prelucrare în funcţie de mărime pentru diferite metode de
prelucrare (LIGA – Llthographie Galvanoformung Abformung)

Pentru a se determina o viteză rezonabilă pentru modelul unui tipar, a fost

investigată relaţia dintre mărimea L şi viteza U sau numărul lui Reynolds Re
pentru diverse tipuri de obiecte în mişcare în apă şi aer, obţinându-se relaţia din
figura 5.70 se arată că graficul lui Re, ce exprimă raportul dintre forţa inerţială şi
forţa vâscoasă, în funcţie de L, trece prin punctul Re = l, L = 1 mm şi că Re este
proporţional cu L2. Acest lucru înseamnă că principiul de deplasare al unei
micromaşini ar trebui să difere în mare măsură de cel al unei maşini de
dimensiuni obişnuite. Investigaţiile ulterioare ale relaţiei dintre L şi Re ale
obiectelor în mişcare în apă, pe suprafaţă şi în aer, după cum se arată în figura
6.71 furnizat următoarea „lege naturală a vitezei de deplasare", unde U este dat
în mm ⋅ s −1 , iar L în mm:
- în apă: U=L
- pe suprafaţă: U=10 L
1
- în aer: U = 1000 ⋅ L2
5.9.3 Importanţa nanotehnologiei pentru micromaşini
Aşa cum caracteristicile mai sus menţionate ale unei micromaşini au fost
obţinute din cunoştinţe din domeniul mărimilor obişnuite, ar trebui realizate
teste pentru dimensiuni mai mici în domeniul nanotehnologiei, pentru a
confirma sau corecta aceste constatări, în cele ce urmează se arată câteva
exemple de cercetări necesare.

204
 d) Legea naturală a principiilor şi vitezelor

Fig. 5.70 Relaţia dintre lungime şi numărul lui Reynolds pentru corpuri care se
deplasează într-un fluid

a) Forţe
Se observă că forţa de frecare la o dimensiune < l mm este deja de două
până la trei ori mai mare decât pentru dimensiunile obişnuite şi se crede că
efectul poate fi chiar mai mare în domeniul nano. Distribuţia presiunii forţei
electrostatice, precum şi a forţei electromagnetice vor fi complexe şi ar trebui
luate în considerare la dimensiuni foarte mici şi forţele intermoleculare.
Rezultatele unui studiu de microtribologie sunt aşteptate cu interes nedisimulat.
b) Precizia geometrică
Pentru ca un mecanism să se deplaseze eficient, precizia sa dimensională
trebuie să fie în anumite limite, aşa cum s-a menţionat mai sus. Deoarece
precizia geometrică a unui mecanism produs prin metodele actuale de prelucrare
ar trebui să scadă odată cu micşorarea dimensiunii, mecansimul ar trebui să aibă
o anumită dimensiune minimă. Totuşi, precizia unui mecanism produs prin
asamblarea moleculelor se bazează pe dimensiunea moleculelor, astfel că limita
dimensională a unui astfel de mecanism ar trebui să fie depăşită.

205
206
 Fig. 5.71 Relaţia dintre lungime şi viteză pentru corpuri care se deplasează: (a) în
apă; (b) pe suprafaţă(c) în aer

c) Microactuatori
Când dorim să facem o micromaşină de dimensiunea milimetrilor,
constatăm că este dificil să se obţină un microactuator. Şi, în plus, cu cât
micromaşină este mai mică, cu atât mai serioasă devine problema. Un motor
electromagnetic cu un rotor cu diametrul de 0,8 mm, un motor electrostatic cu
un rotor de 0,05 mm şi un motor piezoultrasonic cu un rotor 3 mm se numără
printre dispozitivele ce sunt dezvoltate în scopul rezolvării acestei probleme.
Totuşi, este foarte dificil să se realizeze practic un motor mai mic pe baza
tehnologiei actuale, în domeniul biologiei moleculare au fost elucidate structura
motorului flagelar şi a fibrei musculare. De asemenea, a existat ipoteza că
enzima este o maşină moleculară (fig. 5.72). Elucidarea principiilor unor
asemenea actuatori vii va furniza indicaţii importante pentru dezvoltarea
microactuatorilor.
Micromaşinile pot fi clasificate, conform figurii 5.73, în raport cu
funcţiunile lor. O micromaşină este un dispozitiv artificial minuscul, care se
deplasează conform cu o comandă sau ca urmare a unei modificări de mediu.

207
 Fig. 5.72 (a) Motorul flagelar [4]. Rotorul se învârte contra statorului în raport de
densitatea ionului H+. (b) Fibre musculare [5]; acţionează în filamente cu diametrul
de 5 mm prin alunecare de-a lungul miofibrile . (c) Enzima capcană
[5];macroglobulina -a2 se deformează pentru a prinde în capcană enzima
proteolitică i

208
 Fig. 5.73 Clasificarea micromaşinilor în raport de funcţie

5.9.4 Conceptul de micromaşini în domeniul nanometric

Asemănător cu micromaşinile care se deplasează, există în lumea vie
organisme zburătoare în aer, cum ar fi Psylliade (cu o dimensiune de ordinul a
100 µm), acelea care se deplasează pe un material, cum este cazul Nematodei
(de ordinul a l0 µm), precum şi cele care înoată într-un lichid, cum este
Permatozoa (de ordinul a l µm). Vieţuitoarele mai mici decât acestea nu au o
locomoţie proprie şi ele sunt purtate în aer, apă etc. lipite de alte obiecte şi astfel
deplasate şi operate, în consecinţă, o maşină cu dimensiunea de ordinul
nanometrilor este una simplă, având o funcţie simplă, cum ar fi cea a unei
enzime, ori este un element într-un sistem complex, cum ar fi motorul bacterian
sau fibra musculară. Dacă tehnicile pentru crearea dispozitivelor nanomecanice
sunt dezvoltate, ele pot fi utilizate pentru a realiza micromaşini noi, mai mici,
care nu pot fi obţinute cu tehnologia de microprelucrare actuală.

NOTĂ: Studenţii vor întocmi o temă de casă cu subiectul „ Sisteme de

fabricaţie pentru componente ale unor nanoansamble utilizate în sistemele IT”.
Termen de predare 19.05.2007.

209
 CAPITOLUL 6
DEZVOLTAREA DE PRODUSE DE ÎNALTĂ
INTELIGENŢĂ ŞI SISTEMATIZAREA
NANOTEHNOLOGIEI

6.1 Nanoprocesarea materialelor pentru circuite

integrate de densitate superînaltă
Prelucrarea fină de cea mai înaltă precizie a materialelor va fi în curând
realizată în sistemele de producţie de masă pentru memoriile circuitelor
integrate de înaltă densitate de 256 Mbiţi pentru circuitele ULSI, pentru care se
cere o lăţime minimă a porţii de 0,25 µm cu o toleranţă de 30 nm. în plus, rata
randamentului de producţie se presupune că va atinge câteva zeci de procente la
plachetele de 200 nm. Totuşi, în ultima vreme circuitele integrate logice pentru
microprocesoare cu o lăţime a porţii de cel puţin 0,2 µm au devenit necesare
pentru producţia de masă a circuitelor VLSI.
Pentru a se fabrica aceste circuite ULSI sunt necesare, ca prim pas,
plachete de Si de o înaltă planeitate având o suprafaţă lipsită de defecte, lucru
dificil de realizat pe liniile de producţie. Recent, au fost dezvoltate plachete
lipsite de defecte cu o zonă descoperită, ceea ce permite producţia memoriilor
de circuite integrate de 256 Mbiţi cu randamente rezonabile.
Al doilea pas îl constituie realizarea măştii de fotorezist pentru desenarea
circuitului pe plachete ULSI utilizând litografia cu fascicul fotonic, ionic şi
electronic cu o rezoluţie de câţiva zeci de nanometri pentru a forma măştile
desenate pentru echipamentele de înaltă precizie de tip pas-şi-repetă, cu o
precizie a poziţionării de 0,1 µm şi erori ale repetării poziţionării de 30 nm.
Aici, sunt folosite lasere cu raze ultraviolete sau cu excimeri. Recent, procesul
LIGA (Litographe-Galvanoforming-Abforming) în care se utilizează SOR sau
SR (synchrotron orbit X-radiation: radiaţie X sincrotronică) pentru
electroformare, a fost dezvoltat pentru utilizare la desenarea măştilor. Mai mult,
recent au fost dezvoltate sisteme de expunere tip păşeşte-şi-repetă cu fascicul
electronic, după cum se arată în figura 9.1, în care o structură reticulară realizată
pe o plachetă de Si pentru ULSI este redusă pe plachetă de la 1/100 la 1/25.
Al treilea pas îl constituie doparea cu impurităţi a plachetei de Si prin
mască, folosind implantarea ionică sau depunerea cu fascicul molecular pentru
epi-taxie pe suprafaţa semiconductorului, corodare în plasmă şi corodare şi
depunere prin pulverizare ionică.
Recent, a fost dezvoltat un sistem de procesare pentru a crea structuri de
superreţele 3D în tehnica ULSI, folosind evaporarea în vid şi depunerea ionică.

210
 Aşa cum s-a menţionat, se poate prezice că în jurul anilor 2010 vor fi
utilizate în mod practic memorii DRAM de 4 Gbit cu o lăţime a liniei de cel
puţin 0,05 µm şi plachetă cu diametrul de 300 nm. Acest lucru va fi făcut
posibil prin sisteme optice de expunere îmbunătăţite sau sisteme de expunere cu
fascicul de raze X sau fascicul electronic.

Fig. 6.1 Sistemul litografic de proiectare a fasciculului electronic de înaltă

energie HL-800D, compus din expunerea în bloc a desenului folosind un
fotorezist cu sensibilitatea 1-2 μC- cm-2, o masă litografică de transfer
continuu, un tun electronic de curent înalt etc. În expunerea în bloc a
desenului, desenele pregătite realizate pe placa de siliciu sunt transferate de
dispozitivul cu fascicul electronic larg către plachetă cu o rată de reducere de
1/25 -1/100.

Pentru memoriile de densitate mai înaltă, vor fi dezvoltate procese şi

procedee care realizează configuraţii precise şi sisteme de dopare fără mascare,
cum ar fi cele care utilizează fascicule de ioni focalizaţi foarte fin, cu precizii de
poziţionare nanometrice şi dispozitive de comandă cu viteză mare. Unele
progrese au fost făcute în dopajul configurat prin reacţii chimice ajutate de
fascicule electronice sau lasere cu excimeri, şi prin implantare ionică directă,
folosind ioni negativi focalizaţi şi/sau o sursă punctuală de lichid.
Se înţelege de la sine, că în aceste sisteme sunt necesare: o viteză înaltă,
comanda în proces pentru feedback şi reacţia directă a poziţiei fasciculului de
energie, precum şi calculatoare de mare viteză pentru poziţia de lucru. Prin
sistematizarea nanotehnologiei care integrează controlul detecţiei şi al poziţiei,
randamentul de producţie şi productivitatea vor fi îmbunătăţite în mod marcant.

211
 Într-o măsură mai mare, sistemele combinate de detecţie care integrează
mai mulţi senzori cu un calculator ar putea deveni de o importanţă crescândă în
sistematizarea nanotehnologiei, deoarece mărimi care sunt greu de măsurat
direct, cum ar fi grosimea stratului degenerat sau a stratului bogat în defecte, pot
fi mai uşor estimate direct în proces.
Desigur, pentru a realiza o producţie înaltă şi randamente ridicate, au fost
aplicate pe liniile de producţie diverse tehnologii logistice, inclusiv furnizare de
plachete de Si fără defecte, încăperi foarte curate şi lipsite de vibraţii, apă pură
ce nu conţine Na şi Cl, şi sisteme de operare fără personal uman sau fără
supraveghere, încăperi cu temperatură şi umiditate constante şi sisteme
controlate şi comandate automat de calculator pentru testare, verificare şi
înregistrare.

6.2 Procesarea circuitelor integrate MOS în domeniul

de interacţie mesoscopic sau cuantic
A fost prezis faptul că nivelul de densitate pentru circuitele integrate
semiconductoare va atinge o anumită limită, deoarece pentru o lăţime a părţii de
100 nm pe circuitele integrate MOS, mişcarea electronului într-un
semiconductor poate deveni restricţională datorită efectelor cuantice. Lungimea
de undă cuantică, λ, a unui electron de 100 eV este ~12,4 nm, conform bine
hc
cunoscutei formule E = , unde h este constanta lui Planck, 6,63 ⋅ 10−34 J ⋅ s şi
λ
c este viteza luminii în vid, 2,998 ⋅ 108 m ⋅ s −1 , iar extinderea spaţiului unui
electron cuantic este ~ l µm. în consecinţă, în circuitele integrate MOS cu o
lăţime de poartă de ~ 100 nm, nu ne putem aştepta la o deplasare macroscopică
obişnuită a electronului, deoarece mişcarea electronului se află în domeniul de
interacţie mesoscopic sau cuantic-electronic, de asemenea cunoscut drept canal
cuantic, în canalul cuantic, mişcarea electronului încetează din cauza
caracterului ondulatoriu al electronului. De aceea, trasarea pe plachetă a lăţimii
porţii în domeniul mesonic trebuie să fie făcută printr-o prelucrare de precizie
mai înaltă. Probabil că va fi necesară o precizie de 1 nm, dar acest lucru este
foarte dificil de realizat pe liniile de producţie de masă utilizând tehnicile
actuale.

6.3 STM şi AFM pentru nanotehnologia sistematizată

Recent s-au raportat de către unii cercetători realizări de demonstraţii de
scriere a unor caractere de dimensiuni atomice pe suprafaţa unei plachete de Si
prin utilizarea echipamentului STM sau AFM. Sistemele STM implică un
electrod cu vârf punctual din wolfram pentru măsurarea curentului electric de
tunelare şi un actuator tip stivă piezoelectric care realizează poziţionări 3D
pentru electrodul cu rezoluţie subnanometrică. Actuatorul este comandat de

212
către un calculator cu viteză mare cu sisteme de detecţie a poziţiei în domeniul
subnanometric. În aceste sisteme, atomii de la suprafaţa plachetei de Si sunt
extraşi unul câte unul, datorită câmpului electric de înaltă densitate concentrat în
jurul atomului ţintă. Astfel, aceste sisteme realizează prelucrări tipic la nivel
atomic, dar în prezent este necesar un timp de lucru prea mare pentru
determinarea poziţiei cu precizii subnano-metrice. Totuşi, dacă se folosesc
conectate cu calculatoare de mare viteză, astfel de sisteme, ar putea deveni un
ajutor principal în procesarea la nivel atomic, cu măsurare şi comandă în proces
în domeniul subnanometric.

6.4 Nanoprocesarea materialelor pentru componente

optoelectronice şi microelectronice
Fenomenele care combină acţiunile electronilor şi fotonilor sunt larg
utilizate în domeniul prelucrării informaţiei, în contrast cu circuitele integrate
electronice, un circuit integrat optic care foloseşte fascicule laser de lungimi de
undă mai scurte (submicrometrice) va fi dezvoltat în curând.
Pentru dispozitivele cu circuite integrate de înaltă densitate sunt necesare
tehnologii de procesare de productivitate ridicată pentru a realiza mărimi
submicrometrice foarte fine, cu rezoluţie nanometrică.
Dispozitivele actuale optoelectronice de înregistrare a informaţiei, cum
sunt compact discurile şi discurile laser, vor avea canale de înregistrare cu lăţimi
mai fine, de ordinul a 10 nm. Acest lucru necesită o tehnologie îmbunătăţită
pentru trasarea canalelor pe plăcile de disc.
În plus, s-au dezvoltat şi vor fi disponibile pentru uz practic, în viitor, un
microtub vidat cu un catod microfin de emisie în câmp cu vârf de diametrul a
câtorva nanometri şi o grilă de comandă microfină. Dispozitivul este foarte util,
deoarece, faţă de un tranzistor obişnuit cu curent mare, poate fi tratat cu o foarte
mică pierdere de rezistenţă.

6.5 Componente nanomecanice pentru nanotehnologie

Au intrat în utilizare practică filme subţiri de diamant cu o grosime de l
µm, straturi subţiri de filme de transfer termic cu grosimi între 0,1-0,4 µm,
precum şi elemente fine de canelare pentru răcirea apei, ca rezultat al
performanţelor lor speciale de transfer termic. Sistemele lor de producţie implică
nanotehnologia.

6.6 Dispozitive de servopoziţionare nanomecanică

pentru nanotehnologie
A fost dezvoltat de către Funuc Co. un sistem de servopoziţionare
mecanică; acest sistem foloseşte elemente în mişcare fără frecare pe baza unui
ghidaj pneumatic, servomotoare electrice cu comandă numerică cu rezoluţie

213
subnanometrică şi senzori de poziţie cu rezoluţie subnanometrică. Sistemul este
prevăzut cu o macroscală cu un domeniu de deplasare de câţiva centimetri şi
poate fi folosit pentru sisteme de poziţionare cu un înalt coeficient de siguranţă,
având o precizie şi rezoluţie nanometrică.

6.7 Procesarea cu fascicul ionic a materialelor în

nanotehnologie
Procesarea cu fascicul ionic este caracterizată printr-o unitate de
prelucrare la nivel de atomi, în care este necesară o densitate de energie de
prelucrare înaltă. Totuşi, viteza macroscopică de procesare nu este suficient de
mare pentru utilizare practică. Mai mult, punctul de prelucrare a fasciculului
ionic sau a clusterilor ionici pe piesa de prelucrat nu poate fi întotdeauna
determinată cu precizie suficientă sau rezoluţie în domeniul subnanometric,
deoarece chiar şi senzorii de înaltă rezoluţie a emisiei secundare de electroni nu
sunt suficient de siguri. Totuşi, se pot realiza cu succes dezvoltări ale sistemelor
de măsurare care necesită rezoluţie subnanometrică. Când se va întâmpla acest
lucru, prelucrarea cu fascicul ionic va fi larg utilizată în nanotehnologie.

6.8 Pocesare cu fascicul laser a materialelor în

nanotehnologie
Există câteva sisteme laser dezvoltate recent a genera lungimi de undă
mai mici, cum ar fi laserele cu excimer. În comparaţie cu laserele obişnuite cu
lungimi de undă mari, laserele cu lungimi de undă submicrometrice prezintă o
utilizare potenţială pentru preluarea directă prin intermediul fotonilor înşişi.
Energia unui singur foton este suficientă pentru a îndepărta un atom individual
din reţeaua atomică a materialului. Sistemele laser cu lungime de undă scurtă
vor fi, de aceea, dezvoltate în viitor pentru procesarea la nivel atomic a
materialelor.

6.9 Simularea pe calculator a aşchierii la scară atomică

sau moleculară
De curând s-au raportat în literatură simulări ale sistemelor de nano-
aşchiere realizate pe calculator. Comportarea atomilor sau moleculelor în
tăierea/ aşchierea nanometrică este simulată utilizând dinamica moleculară
bazată pe potenţialele atomice individuale. Această metodă poate fi utilizată la
simularea proceselor de rectificare, abraziune microfină şi de lustruire.

6.10 Nanotehnologia şi micromaşinile

Recent au fost propuse mai multe tipuri de micromaşini. încă nu există o
definiţie suficientă şi concretă a micromaşinilor, dar în general, ele sunt
considerate ca ansamble de elemente mecanice mai fine în mişcare, cu mărimi

214
de ordinul 10-100 µm. într-o micromaşină există probleme speciale referitoare
la lubrifiere şi frecare într-o regiune microfină, acţionarea pentru o deplasare
microfină, măsurarea deplasării microfine etc. Dezvoltarea metodelor de
procesare pentru dimensiuni microfine cu rezoluţie nanometrică este, de
asemenea, de primă importanţă. Nanotehnologia la scară atomică va deveni unul
dintre cele mai importante aspecte ale micromaşinilor pentru aplicaţii biologice.

NOTĂ: Studenţii vor întocmi o temă de casă cu subiectul „ Tehnologia de

realizare a unor produse de înaltă inteligenţă utilizate în sistemele IT”.
Termen de predare 19.05.2007.

215
 BIBLIOGRAFIE

1. Koga, K., Nomura, J., Yasui, J., Terui, Y., Nagano, H., Fujita, K., et al.
(1990). High-perforinance synchrotron X-ray stepper. Journal of Vacuum
Science and Technology, B8,1633.
2. Ishihara, S., Kanai, M., Suzuki, M., and Fukuda, M. (1992). An advanced X-
ray stepperfor 1/5 pm SR lithography. Microcircuit Engineering, 17, 141.
3. For example, Ohki, S. and Yoshihara, H. (1990). Highprecision X-ray mask
technology. Japanese Journal of Applied Physics, 29,2600.
4. Kanai, M. and Ishihara, S. (1990). Air bearing lead screw and nut using
porous ceramic material. Journal of the Japan Society of Precision Engineering,
56, 63.
5. Une, A., Takeuchi, N., and Torii, Y. (1990). A highaccuracy alignment
technique using single- and doublepitch dual gratings. Journal of Vacuum
Science and Technology, B8, 51.
6. Deguchi, K., Miyoshi, K., Ban, H., Kyuragi, H., Konaka, S., and Matsuda, T.
(1992). Application of X-ray lithography with a single-layer resist process to
subquartermicron LSI fabrication. Journal of Vacuum Science and Technology,
B10, 3145.
7. Ito, H., England, W.P., and Lundmark, S.B. (1992). Efrects of polymer end
groups on chemical ampliflcation. SPIE Proceedings, 1672,2-14.
8. Kataoka, M. and Tokunaga, A. (1990). A highly sensitive positive electron
beam resist EBR-9 HS31. In: „Polymers for microelectronics - science and
technology", pp. 327-42. Kodansha.
9. Takigawa, T., Ogawa, Y., Yoshikawa, R., Koyama, K., Tamamushi, S.,
Ikenaga, 0., et al. (1987). Journal of Vacuum Science and Technology, B8, 1877.
10. Anze, H., Tamamushi, S., Nishimura, E., Ogawa, Y., and Takigawa, T.
(1992). In: Digest ofpapers, MicroProcess 92, 5th International MicroProcess
Conference, p. 132.
11. Magoshi, S., Koyama, K Ikenaga, 0., Watanabe, S., Saito, T., Ooki, S., and
Sakamoto, S. (1992). In: Digest ofpapers, MicroProcess '92, 5th International
MicroProcess Conference, p. 128.
12. Takigawa, T., Wada, H., Ogawa, Y., Yoshikawa, R., Mori, I., and abe, T.
(1991). Journal of Vacuum Science and Technology, B9,2981.
13. Sohda, Y., Nakayama, Y., Saito, N., Itoh, H., and Todokoro, H. (1991). Jour-
nal of Vacuum Science and Technology, B9,2940.
14. Berger, S.D., Gibson, J.m., Camarda, R.M., Farrow, R,C, Huggins, H.A.,
Kraus, J.S., and Liddle, J.A. (1991). Journal of Vacuum Science and Technology,
B9,2996.

216
15. Abe, T., Yamasaki, S., Yoshikawa, R., and Takigawa, T. (1991). Japanese
Journal of Applied Physics, B3, L528.
16. Suzuki, M., Kaneko, T., and Saitoh, Y. (1989). Replicate resist pattern
resolution with synchrotron orbital radiation. Journal of Vacuum Science and
Technology, B7,47.
17. Oertel, K.H., Weiss, M., and Huber, H.-L. (1991). Investigation oftheprocess
latitudefor sub-half micron pattern replication in X-ray lithography. Microe-
lectronic Engineering, 13, 339.
18. Ishihara, S., Yoshihara, H., and Kitayama, T. (1988). X-ray lithography for
quarter-micron structures. In: „Extended Abstracts", Ist MicroProcess Confe-
rence, Tokyo, p. 72.
19. Hayashi, T. and Yoshida, K. (1991). Traveling micromechanism. In:
Proceedings of the 8th World Congress on TMM, voi. 6, p. 59.
20. Itoh, T. et al. (1993). Ultra-miniature electromagnetic motor. In:
Proceedings of the Ist IFTOMM International Micromechanism Symposium, p.
102.
21. Ikai, A. (1992). Fundamentals ofbiochemistry. Kagaku Doujinn, Tokyo.
22. Nagata, H. et al. (1993). Soft X-ray projection imaging using 32 : l
Schwarzs-
child optics. Soft X-ray Projection Lithography Technical Digest, May 10-12,
1993. Monterey, CA. Optical Society of America. TuA4-l/49-51.
23. Kinoshita, H. et al. (1989). Soft X-ray reduction lithography using multilayer
mirrors. Journal of Vacuum Science and Technology B, 7, 1648-51.
24. Bouwhuis, G., Braat, J., Huijser, A., Pasman, J., van Rosmalen, G., and
Schouhamer Immink, K. (1985). Principles of optical disk systems, eh. 5. Adam
Hilger, Bristol.
25. Okino, Y., Sano, K., and Kashihara, T. (1982). Proceedings ofthe SPIE, 329,
236.
26. Maruyama, E., Hirai, T., Ishioka, S., Yamamoto, H., and Inao, K. (1976). US
Patent 4,121,537.
27. Nonaka, Y., Hirai, T., and Shidara, K. (1984). Japan Utility Model
1546093.
28. Shidara, K., Tanioka, K., Hirai, T., and Nonaka, Y. (1985). Recent
improvement of Saticon target. In: Proceedings of the IEE Conference on
Photoelectronic Imaging, Publication no. 253, pp. 29-32. Institution of
Electrical Engineers, London.
29. Yamada, T., Yanai, T., and Kaneko, T. (1987). 2/3 Inch 400,000pixel CCD
area image sensor. Toshiba Review, (162), 16-19.
30. Kuriyama, T., Kodama, H., Kozono, T., Kitahama, Y., Morita, Y., and
Hiroshima, Y. (1991). A 1/3-in 270000 pixel CCD image sensor. IEEE
Transactions on Electron Devices, 38,949-53.
31. Hojo, J., et al. (l991). A 1/3-in 5 l O(H) 492(V) CCD image sensor with
mirror image function. IEEE Transactions on Electron Devices, 38, 954-9.

217
32. Toyoda, A., Suzuki, Y., Orihara, K., and Hokari, Y. (1991). A novei tungsten
light shield structure for high density CCD image sensors. IEEE Transactions on
Electron Devices, 38,965-8.
33. Terao, Y., et al. (1992). In: 1992 International Symposium, Society for
Information Display, p. 724.
34. Fujii, H., et al. (1992). In: 1992 International Symposium, Society for
Information Display, p. 728.
35. Uchiike, H., Nakayâma, N., and Ohsawa, M. (1973). lEDMDigest, 191.
36. Yoshikawa, K., et al. (1992). Japan Display '92 Digest, 605.
37. Syouzi Yoshikane (1991). 13-inch FS-11 color display tube. Toshiba
Review, 46(s), 435-8.
38. Matsuda Hidemi (1992). New black enhancer color picture tube. Toshiba
Review, 47(s), 407-10.
39. Tomioka Tsunenori (1991). Fiat face brown tube. Nikkei Mechanical, 364,
74-84.
40. Kawachi, M. (1990). Silica waveguides on silicon and their application to
integrated-optic components. Optical and Quantum Electronics, 22, 391-416.
41. Okamoto, K.., Takahashi, H., Suzuki, S., and Ohmori, Y. (1991). Design and
fabrication of integrated-optic 8x8 star coupler. Electronics Letters, 27, 774-
42. McKeown, P.A., Carlisle, K., Shore, P., and Read, R.F.J. (1990).
Ultraprecision, high stiffness CNC grinding machines for ductile mode grinding
of brittle materials. In: Proceedings, International Meeting on Infrared
Technology and Application, London.
43. Yoshioka, J., Hashimoto, F., Miyashita, M., Kanai, A., Abo, T., and Daito,
M. (1985). Ultraprecision grinding technology for brittle materials: application
to surface and centreless grindingprocesses. In: Proceedings, Milton C. Shaw
Grinding Symposium, Florida, No. 17-22, pp. 209-2T. ASME, New York.
44. Kanai, A., Sano, H., Yoshioka, J., and Miyashita, M. (1991). Positioning of
200 kg carriage on plain bearing guideways to nanometer accuracy withforce
operated linear actuator. Nanotechnology, 2,43-51.

218