Bài 1:

Viết chương trình lần lượt đọc 500 ô nhớ của Ram ngoài từ địa chỉ 2000H và xuất ra
port1.
Giải:
MOV R1,#05H
MOV DPTR,#2000H
LAP1:
MOV R0,#64H
LAP2:
MOVX A,@DPTR
MOV P1,A
INC DPTR
DJNZ R0,LAP2
DJNZ R1,LAP1
Bài 2:
Viết chương trình lần lượt đọc 300 byte trong Ram nội từ địa chỉ 30H và xuất ra port1.
Giải:
MOV R1,#03H
MOV R0,#30H
LAP1:
MOV R2,#64H
LAP2:
MOV P1,@R0
INC R0
DJNZ R2,LAP2
DJNZ R1,LAP1
Bài 3:
Viết chương trình lấy lần lượt 400 ô nhớ Ram nội từ địa chỉ 20H và ghi vào Ram ngoài từ
địa chỉ 1000H.
Giải:
MOV R1,#04H
MOV R0,#20H
MOV DPTR,#1000H
LAP1:
MOV R2,#64H
LAP2:
MOV A,@R0
MOVX @DPTR,A
INC R0
DJNZ R2,LAP2
DJNZ R1,LAP1
Bài 4:
Viết chương trình lấy data từ Ram nội từ địa chỉ 30H xuất ra port3 cho đến khi data là
FFH.
Giải:
MOV R0,#30H
LAP:
MOV P3,@R0
INC R0
CJNE @R0,#FFH,LAP
Bài 5:
Viết chương trình lấy data từ Ram ngoại bắt đầu từ địa chỉ 4000H và xuất ra port1 với
data ≤ 80H.
Giải:
MOV DPTR,#4000H
LAP1:
MOVX A,@DPTR
INC DPTR
CJNE A,#80H,LAP2
LAP2:
JC LAP3
LAP3:
MOV P1,A
LJMP LAP1
Bài 6:
Viết chương trình tạo thời gian trễ 100 µs thạch anh 12MHz.
Giải:
MOV A,#50H
LAP:
DEC A
JNZ LAP