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DATOS TÉCNICOS DEL SEMICONDUCTOR por 2N5088/D

Amplifier Transistors
(Transistor amplificador) 2N5088
Silicio NPN 2N5089
COLECTOR
3

2
BASE

1
EMISOR 1
2
3
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Especificación Símbolo 2N508 2N508 Unidad CAJA 29–04, ESTILO 1
8 9 TO–92 (TO–226AA)

Tensión colector-emisor VCEO 30 25 Vdc

Tensión colector-base VCBO 35 30 Vdc
Tensión emisor-base VEBO 3,0 Vdc
Corriente del colector— contínua IC 50 mAdc
Disipación total del dispositivo en TA = 25°C PD 625 mW
Degradación por encima de 25°C 5,0 mW/°C
Disipación total del dispositivo en TC = 25°C PD 1,5 Vatios
Degradación por encima de 25°C 12 mW/°C
Margen de temperaturas de la conexión de TJ, Tstg – 55 a +150 °C
funcionamiento y de almacenamiento

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
Característica Símbolo Máx. Unidad
Resistencia térmica, conexión a ambiente RqJA(1) 200 °C/W
Resistencia térmica, conexión a caja RqJC 83,3 °C/W
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA = 25°C si no hay contraindicación)
Característica Símbolo Mín. Máx. Unidad
CARACTERÍSTICAS DE DESCONEXIÓN
Tensión de ruptura colector-emisor (2) V(BR)CEO Vdc
(IC = 1,0 mAdc, IB = 0) 2N5088 30 —
2N5089 25 —
Tensión de ruptura colector-base V(BR)CBO Vdc
(IC = 100 mAdc, IE = 0) 2N5088 35 —
2N5089 30 —
Corriente de corte del colector ICBO nAdc
(VCB = 20 Vdc, IE = 0) 2N5088 — 50
(VCB = 15 Vdc, IE = 0) 2N5089 — 50
Corriente de corte del emisor IEBO nAdc
(VEB(off) = 3,0 Vdc, IC = 0) — 50
(VEB(off) = 4,5 Vdc, IC = 0) — 100

1. RθJA se mide con el dispositivo soldado a una tabla de circuito típica impresa.
2. Prueba de impulsos: anchura entre impulsos ≤ 300 ms, ciclo de funcionamiento ≤ 2,0%.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data 1

 Motorola, Inc. 1996
2N5088 2N5089
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA = 25°C si no hay contraindicación) (Continuación)
Característica Símbolo Mín. Máx. Unidad
CARACTERÍSTICAS DE CONEXIÓN
Ganancia de corriente contínua hFE —
(IC = 100 µAdc, VCE = 5,0 Vdc) 2N5088 300 900
2N5089 400 1200

(IC = 1,0 mAdc, VCE = 5,0 Vdc) 2N5088 350 —

2N5089 450 —

(IC = 10 mAdc, VCE = 5,0 Vdc)(2) 2N5088 300 —

2N5089 400 —
Tensión de saturación colector-emisor VCE(sat) — 0,5 Vdc
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
Tensión de conexión base-emisor VBE(on) — 0,8 Vdc
(IC = 10 mAdc, VCE = 5,0 Vdc)(2)

CARACTERÍSTICAS DE PEQUEÑA SEÑAL

Producto de corriente – ganancia — ancho de banda fT 50 — MHz
(IC = 500 µAdc, VCE = 5,0 Vdc, f = 20 MHz)
Capacitancia colector-base Ccb — 4,0 pF
(VCB = 5,0 Vdc, IE = 0, f = 1,0 MHz)
Capacitancia emisor-base Ceb — 10 pF
(VEB = 0,5 Vdc, IC = 0, f = 1,0 MHz)
Ganancia de corriente de pequeña señal hfe —
(IC = 1,0 mAdc, VCE = 5,0 Vdc, f = 1,0 kHz) 2N5088 350 1400
2N5089 450 1800
Figura de ruido NF dB
(IC = 100 µAdc, VCE = 5,0 Vdc, RS = 1,0 kΩ, 2N5088 — 3,0
f = 1,0 kHz) 2N5089 — 2,0

2. Prueba de impulsos: anchura entre impulsos ≤ 300 ms, ciclo de funcionamiento ≤ 2,0%.

RS
in

en
TRANSISTOR
IDEAL

Figura 1. Modelo de ruido de transistor

2 Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos
 2N5088 2N5089
CARACTERÍSTICAS DE RUIDO
(VCE = 5,0 Vdc, TA = 25°C)

TENSIÓN DE RUIDO
30 30
ANCHO DE BANDA = 1,0 Hz ANCHO DE BANDA = 1,0 Hz
en , TENSIÓN DE RUIDO (nV)

en , TENSIÓN DE RUIDO (nV)

20 20
IC = 10 mA RS ≈ 0 RS ≈ 0

3,0 mA f = 10 Hz
10 10
100 Hz
1,0 mA
7,0 7,0
10 kHz
1,0 kHz
5,0 5,0

300 µA 100 kHz

3,0 3,0
10 20 50 100 200 500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k 50 k 100 k 0,01 0,02 0,05 0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10
f, FRECUENCIA (Hz) IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

Figura 2. Efectos de la frecuencia Figura 3. Efectos de la corriente del colector

10 20
ANCHO DE BANDA = 1,0 Hz
7,0
In, CORRIENTE DE RUIDO(pA)

5,0
NF, FIGURA DE RUIDO (dB)

IC = 10 mA 16
3,0 ANCHO DE BANDA = 10 Hz a 15,7 kHz
2,0 3.0 mA
12
1.0 mA
1,0
IC = 1,0 mA
0,7 500 µA
300 µA 8,0
0,5
100 µA
0,3 100 µA
4,0 10 µA
0,2
10 µA 30 µA
RS ≈ 0
0,1 0
10 20 50 100 200 500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k 50 k 100 k 10 20 50 100 200 500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
f, FRECUENCIA (Hz) RS, RESISTENCIA DE FUENTE (OHMIOS)

Figura 4. Corriente de ruido Figura 5. Figura de ruido de banda ancha

DATOS DE RUIDO DE 100 Hz

300 20
200 ANCHO DE BANDA = 1,0 Hz
VT, TENSIÓN DE RUIDO TOTAL (nV)

IC = 10 mA
NF, FIGURA DE RUIDO (dB)

16 IC = 10 mA 3,0 mA
100 100 µA
70 3,0 mA 1,0 mA
50 12
1,0 mA
30 300 µA
300 µA
20 30 µA 8,0
100 µA
10
10 µA
7,0 4,0 30 µA
10 µA
5,0
ANCHO DE BANDA = 1,0 Hz
3,0 0
10 20 50 100 200 500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k 50 k 100 k 10 20 50 100 200 500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
RS, RESISTENCIA DE FUENTE (OHMIOS) RS, RESISTENCIA DE FUENTE (OHMIOS)

Figura 6. Tensión total de ruido Figura 7. Figura de ruido

Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos 3
2N5088 2N5089
h FE, GANANCIA DE CORRIENTE CONTÍNUA (NORMALIZADA)
4,0
3,0
VCE = 5.0 V
2,0 TA = 125°C
25°C
1,0
– 55°C
0,7

0,5
0,4
0,3

0,2
0,01 0,02 0,03 0,05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2,0 3,0 5.0 10
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

Figura 8. Ganancia de corriente contínua

Rθ VBE, COEFICIENTE DE TEMPERATURA

1,0 – 0,4
TJ = 25°C
0,8 (mV/ ºC) BASE-EMISOR – 0,8
V, TENSIÓN (VOLTIOS)

0,6 VBE @ VCE = 5,0 V – 1,2

0,4 – 1,6 TJ = 25°C a 125°C

0,2 – 2,0
– 55°C a 25°C
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0 – 2,4
0,01 0,02 0,05 0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 20 50 100 0,01 0,02 0,05 0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 20 50 100
IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA) IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

Figura 9. Tensiones de conexión Figura 10. Coeficientes de temperatura

f T, PRODUCTO DE CORRIENTE –GANANCIA — ANCHO D EBANDA (MHz)

8,0 500

6,0 TJ = 25°C
300
Cob
C, CAPACITANCIA (pF)

4,0 Ceb Cib

200
3,0 Ccb

2,0
100

VCE = 5.0 V
70
1,0 TJ = 25°C
0,8 50
0,1 0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 20 50 100 1,0 2,0 3.0 5.0 7,0 10 20 30 50 70 100
VR, TENSIÓN INVERSA (VOLTIOS) IC, CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

Figura 11. Capacitancia Figura 12. Producto de corriente – ganancia — ancho de banda

4 Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos
 2N5088 2N5089
DIMENSIONES DEL ENCAPSULADO

NOTAS:
1. DIMESNIONAMIENTO Y TOLERANCIA POR ANSI
A B
Y14.5M, 1982.
2. DIMENSION DE OCNTROL: PULGADA (INCH).
3. NO ESTÁ CONTROLADO EL CONTORNO DE ENVOLTURA
MÁS A LLÁ DE LA DIMENSIÓN R.
R 4. LA DIMENSIÓN F SE APLICA ENTRE P Y L. LAS DIMENSIONES
D Y J SE APLICAN ENTRE L Y K MÍNIMA. LA DIMENSIÓN EN
P DERIVACIÓN NO ESTÁ CONTROLADA NI EN P NI MÁS ALLÁ
DE LA DIMENSIÓN K MÍNIMA.
L
PLANO DE F
ASIENTO K INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0,175 0,205 4,45 5,20
D B 0,170 0,210 4,32 5,33
C 0,125 0,165 3,18 4,19
J D 0,016 0,022 0,41 0,55
X X F 0,016 0,019 0,41 0,48
G G 0,045 0,055 1,15 1,39
H H 0,095 0,105 2,42 2,66
SECCIÓN X–X J 0,015 0,020 0,39 0,50
V C K 0,500 ––– 12,70 –––
L 0,250 ––– 6,35 –––
N 0,080 0,105 2,04 2,66
1 N P ––– 0,100 ––– 2,54
R 0,115 ––– 2,93 –––
N V 0,135 ––– 3,43 –––

ESTILO 1:
CAJA 029–04 CLAVIJA 1. EMISOR
2. BASE
(TO–226AA) 3. COLECTOR
ISSUE AD

Datos de los dispositivos Motorola tales como transistores de pequeña señal, FET y diodos 5
 2N5088 2N5089

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6 Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

*2N5088/D*
◊ 2N5088/D