Semiconductor intrnseco Es un semiconductor puro.

A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica. es un semiconductor intrnseco hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

Simulacin En este applet podemos ver mediante una animacin en que direccin se mueven los electrones y los huecos en un semiconductor intrnseco.

Trminos de electrnica
SEMICONDUCTOR INTRNSECO
Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos en lazados unos con otros segn una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de los rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio q ue ocupaba el electrn. El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene. Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos puntos:

y y

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del material semiconductor de silicio. Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductores el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven, slo parece que lo hacen. Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos (cargas positivas), pues nos resulta ms cmodo y los resultados obtenidos son los mismos que los reales.

Otra definicin Un semiconductor es un elemento que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla siguiente. Elemento (Grupo) (Electrones en la ltima capa) Cd (IIA) (2 e- ) Al, Ga, B, In (IIIA )(3 e-) Si, Ge (IVA) (4 e-) P, As, Sb (VA) (5 e-) Se, Te, (VIA) (6 e-)

Semiconductores intrnsecos Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,1 y 0,72 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo n la concentracin de electrones (cargas negativas) y p la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: :ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, le aadimos un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al corespondiente tomo de silicio. Semiconductor extrnseco tipo n. Es el que se ha dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb). Al tener stos elementos 5 electrones en la ltima capa, resultar que al formarse, como antes, la estructura cristalina, el quinto electrn no estar ligado en ningn enlace covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico superior a los cuatro restantes. Si como antes, consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que ahora, adems de la formacin de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la energa elctrica y puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras. An siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo se aumente el nmero de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinacin, lo que resulta en un disminucin del nmero de huecos p, es decir: :n > ni = pi > p, tal que: np = ni2 Por lo que respecta a la conductividad del material, sta aumenta enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro. Semiconductor extrnseco tipo p. Es el que se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In). En este caso, las impurezas aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el formado antes con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV). En este caso, los electrones saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. Al igual que en el caso anterior, el incremento del nmero de huecos se ve compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinacin, de modo que la ley de masas tambin se cumple en este caso: :p > pi = ni > n, tal que: np = ni2

SEMICONDUCTIVIDAD EXTRNSECA
Los semiconductores extrnsecos o dopados son los que se usan en tecnologa de semiconductores basados en Ge y Si. Su mecanismo de conduccin es diferente de aquel de los semiconductores puros o intrnsecos. Los tomos de impurezas controladas que se usan para dopar, en ppm, forman soluciones slidas de sustitucin en el Si o Ge de estructura diamante.

Energa de Fermi

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La Energa de Fermi es la energa del nivel ms alto ocupado por un sistema cuntico a temperatura cero (0 K). Se denota por EF y recibe su nombre del fsico italoestadounidense Enrico Fermi. La energa de Fermi es importante a la hora de entender el comportamiento de partculas ferminicas, como por ejemplo los electrones. Los fermiones son partculas de spinsemientero que verifican el Principio de exclusin de Pauli que dicta que dos fermiones no pueden ocupar simultneamente el mismo estado cuntico. De esta manera, cuando un sistema posee varios electrones, estos ocuparn niveles de energa mayores a medida que los niveles inferiores se van llenando. La energa de Fermi es un concepto que tiene muchas aplicaciones en la teora del orbital, en el comportamiento de los semiconductores y en la fsica del estado slido en general. En fsica del estado slido la superficie de Fermi es la superficie en el espacio de momentos en la que la energa de excitacin total iguala a la energa de Fermi. Esta superficie puede tener una topologa no trivial. Brevemente se puede decir que la superficie de Fermi divide los estados electrnicos ocupados de los que permanecen libres. Enrico Fermi y Paul Dirac, derivaron las estadsticas de Fermi-Dirac. Estas estadsticas permiten predecir el comportamiento de sistemas formados por un gran nmero de electrones, especialmente en cuerpos slidos. La energa de Fermi de un gas de Fermi (o gas de electrones libres) no relativista tridimensional se puede relacionar con el potencial qumico a travs de la ecuacin:

donde F es la energa de Fermi, k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura. Por lo tanto, el potencial qumico es aproximadamente igual a la energa de Fermi a temperaturas muy inferiores a una energa caracterstica denominada Temperatura de Fermi, F/k. Esta temperatura caracterstica es del orden de 105 K para un metal a una temperatura ambiente de (300 K), por lo que la energa de Fermi y el potencial qumico son esencialmente equivalentes. Este es un detalle significativo dado que el potencial qumico, y no la energa de Fermi, es quien aparece en las estadsticas de Fermi-Dirac.