Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr.

Hilmi KUU

NpN ve PnP Tipi Transistrler

Yukarda belirtilen deiik ilevli btn transistrlerin esas Yzey Birlemeli Transistr 'dr. Bu nedenle, yzey birlemeli transistrlerin incelenmesi, transistrlerin yaps, karakteristikleri ve alma prensipleri hakkndaki gerekli bilgileri verecektir.
Transistrler, temel yaps bakmndan aada gsterilmi olduu gibi; iki gruba ayrlr:

NPN tipi transistrler

PNP tipi transistrler

Yine her iki tip transistrn de N-P-N ve P-N-P blgeleri yle adlandrlr: 1. Emetr; "E" ile gsterilir. 2. Beyz; "B" ile gsterilir. 3. Kollektr; "C" ile gsterilir.
Blgeler u zelliklere sahiptir:

Emetr blgesi (Yayc): Akm tayclarn harekete balad blge. Beyz blgesi (Taban): Transistrn almasn etkileyen blge. Kolektr blgesi (Toplayc): Akm tayclarn topland blge. Bu blgelere irtibatlandrlan balant iletkenleri de, elektrot, ayak veya balant ucu olarak tanmlanr.
Transistr yapsnda baz kalnlnn nemi:

Akm tayclarnn Beyz blgesini kolayca geebilmesi iin, baz 'n mmkn olduunca ince yaplmas gerekir. Npn ve Pnp Tipi Transistrlerin Kutuplanmas ve almas
Transistrde Kutuplama Nedir?

Transistrn asl grevi, deiik frekanslardaki AC iaretleri ykseltmektir.

1 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Transistrn bu grevi yerine getirebilmesi iin, nce Emiter, Beyz ve Collectorn DC gerilim ile beslenmesi gerekir. Uygulanan bu DC gerilime Kutuplama Gerilimi denir.
Transistrn Kutuplanmas:

Transistrn almasn salayacak ekilde, Emiter, Beyz ve Collectornn belirli deerdeki ve iaretteki (), DC gerilim ile beslenmesine transistrn Kutuplanmas (kutuplandrlmas) denir. N Tipi Transistrn Kutuplanmas NPN transistr u iki diyodun yan yana gelmesi eklinde dnlr:

"NP" Emiter - Beyz diyodu "PN" Beyz - Collector diyodu

Bir NPN transistr altrabilmek iin, ekil 4.2 'de grld gibi, uygulanan Kutuplama gerilimi iki ekilde tanmlanabilir:
1. Diyot blmlerine gre tanmlama;

Emiter - Beyz diyodu, doru polarlr. Beyz - Collector diyodu ise, ters polarlr.

2. Kutuplama geriliminin, Emiter, Beyz ve Collectorn kristal yapsna uygulandna gre;

Emiter ve Beyz 'e kristal yapsna uygun Kutuplama gerilimi uygulanr. Collectore ise, kristal yapsnn tersi Kutuplama gerilimi uygulanr.

Buna gre ekil 4.2 'den takip edilirse, NPN tipi transistrde uygulanan Kutuplama gerilim:

Emiter N tipi kristaldir: Kristal yapya uygun, negatif (-) gerilim. Beyz P tipi kristaldir: Kristal yapya uygun, pozitif (+) gerilim. Collector N tipi kristaldir: Kristal yapya ters, pozitif (+) gerilim.

ekil 4.2 - Bir NPN transistrn Kutuplanmas ve akm ynleri. a. Blgesel gsterilimdeki balant ekli. b. Sembolik gsterilimdeki balant ekli.

ekil 4.2 - Bir NPN transistrn Kutuplanmas ve akm ynleri a) Blgesel gsterilimdeki balant ekli.
2 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

b) Sembolik gsterilimdeki balant ekli.

NOT:

1. ekil 4.2 'de grld gibi, beyz 'in Kutuplama gerilimi ile ilgili tipik bir durum var. Beyz 'e VEB kaynann pozitif kutbu, VCB kaynann ise, negatif kutbu balanmtr. Bu durumda beyz Kutuplama gerilimi ne olacaktr? 2. Yukarda belirtildi gibi, Emiter-Beyz diyodu iletimde, olduu iin, VEB kaynann pozitif kutbu etken olacaktr. Yani Beyz 'in Kutuplama gerilimi, pozitiftir. PNP transistr iin de benzer ekilde dnlr. 3. Transistrn gerek Kutuplama konusu, gerekse de alma prensibi aklanrken, anlatm kolayl bakmndan iki DC besleme kayna kullanlmaktadr. Uygulamada ise, tek besleme kayna kullanlmaktadr. Npn Transistrn almas Yukarda tanmlanm olduu gibi Kutuplama gerilimi uygulanm olan bir NPN transistrde aadaki gelimeler olur.
1. N Blgesindeki Gelimeler

ekil 4.3 'den takip edilirse;

Emiter ve collector oluturan N blgesindeki, ounluk tayclar, elektronlar u ekilde etkilenir;

VCB besleme kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisinde kalan, gerek emiter, gerekse de collector blgesi elektronlar VCB kaynana doru akar. Bu ak IC collector akmn yaratr. Ayn anda VEB kaynann negatif kutbundan ayrlan elektronlar da emitere geer. Bu gei IE emiter akmn yaratr. P blgesinden geemekte olan elektronlardan bir miktarda VEB besleme kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle VEB 'ye doru akar. Bu ak IB beyz akmn yaratr. Son olarkada VCB 'nin negatif kutbundaki elektronlar, VEB 'nin pozitif kutbuna gei yaparak akm yolunu tamamlar. Bylece devrede bir akm doar.

3 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

(--->) : N blgesindeki ve d devredeki elektron ak yn (++>) : P blgesindeki pozitif elektrik yk (oyuk) ak yn (>) : D devredeki akm yn. : Verici katk maddesi atomu (N blgesindeki etkisiz pozitif iyon) : Alc katk maddesi atomu (P blgesinde etkisiz negatif iyon) "+" : Pozitif elektrik yk (oyuk)(P blgesindeki akm tayclar) "-" : Elektron (N blgesindeki akm tayclar ekil 4.3 - NPN transistrde elektron ve pozitif elektrik yklerinin hareketleri
2. P Blgesindeki Gelimeler

NPN transistrde beyz P tipi kristaldir. P tipi kristaldeki "+" ykler (oyuklar) u ekilde aktif rol oynamaktadr:

P tipi kristaldeki katk maddesi atomlarnn d yrngesinde elektron var. Bir elektronu katk maddesi atomlarna veren Ge ve Si atomlar, pozitif elektrik yk (oyuk) haline gelir ve bunlar ounluktadr. ekil 4.3 'te grld gibi VEB besleme kaynann pozitif (+) kutbunun itme kuvveti etkisi ve negatif kutbunun da ekme kuvveti etkisiyle, beyzden emitere doru bir pozitif elektrik yk (oyuk) hareketi balar. Dier bir ifadeyle, emiterden beyz 'e doru elektron hareketi balar. Yine collectorde. Aznlk tayclar durumunda olan ok az saydaki "+" ykler (oyuklar), VCB kaynann pozitif kutbunun itme kuvveti ve negatif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle ekil 4.3 'te grld gibi beyz elektroduna doru hareket eder. Bylece ok kk bir akm doar. Bu akm, beyz collector diyodunun ters yn (kaak) akm olup ihmal edilebilecek kadar kktr.

ZETLE:

Yukarda aklanan hususlarn sonucu olarak, ekil 4.4 'te zellii olan elektrik ykleri gsterilmek suretiyle zet bir grnt verilmitir.
4 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

1. ekilde byk ok ile gsterilmi olduu gibi, emiter ve collector blgesindeki elektronlarn byk blm collector elektroduna doru ve kk bir blm de yalnzca emiterden beyz elektroduna doru akmaktadr. Elektron ak d devrede de devam eder. Bu ak IE, IB ve IC akmlarn yaratr. IE = IB + IC 'dir. Bu bant her eit devre kuruluunda ve her transistr iin geerlidir. Ancak IB akm IC akm yannda ok kk kaldndan (IB=0.02 IC), pratik hesaplamalarda IB ihmal edilir. IE = IC olarak alnr. 2. Katk maddelerine ait, "+" ve "-" iyonlarn bir etkinlii olmadndan daire ierisine alnmtr 3. Serbest elektronlarn ok hzl hareket etmesi nedeniyle NPN transistrdeki akm iletimide hzl olmaktadr. Bu nedenle NPN transistrler yksek frekanslarda almaya daha uygundur. 4. Ayrca, ekil 4.4 'te, bir NPN transistrn, ters ynde bal iki NP ve PN diyot eklinde dnlebilecei de gsterilmitir. Bylece, ters bal iki diyot devresinden akmn nasl aktda kendiliinden aklanm olmaktadr.

ekil 4.4 - NPN trnasistrde akm iletimini salayan elektronlarn ak ynleri ve transistrn ters bal iki diyot halindeki grnts Pnp Tipi Transistrn Kutuplanmas PNP transistrn, NPN transistre gre, yapmnda olduu gibi, Kutuplama geriliminde de terslik vardr. ekil 4.5 'te bir PNP transistre Kutuplama geriliminin uygulan gsterilmitir. ekilden de anlald gibi, PNP transistrde de, NPN 'de olduu gibi Kutuplama geriliminin ynleri iki ekilde tanmlanr:
1 - Diyot blmlerine gre tanmlama 5 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Emiter - Beyz diyodu, doru polarlr. Collector - Beyz diyodu, ters polarlr.

2 - Kutuplama geriliminin kristal yapya uygunluuna gre tanmlama:

Emiter P tipi kristaldir: Kristal yapsna uygun, pozitif (+) gerilim uygulanr. Beyz N tipi kristaldir: Kristal yapsna uygun, negatif (-) gerilim uygulanr. Collector P tipi kristaldir: Kristal yapsna ters, negatif (-) gerilim uygulanr.

Kutuplama durumuna gre devreden akan akmlarn yn de ekil 4.5 'te gsterilmi olduu gibidir. Daima IE = IB + IC 'dir.

ekil 4.5 - PNP tipi transistrn Kutuplanmas ve akm ynleri a. Jonksiyonel gsterilimdeki balant b. Sembolik gsterilimdeki balant Pnp Transistrn almas PNP transistrde, NPN transistrdeki elektron yerine, pozitif elektrik ykleri (oyuklar), ve pozitif elektrik ykleri yerine de elektronlar gemektedir. Bu durumda, ekil 4.6 'dan da anlalaca gibi, PNP transistrdeki akm iletimi pozitif elektrik ykleri ile aklanmaktadr.
ekil 4.6 'dan takip edilirse PNP transistrn almas u ekilde olmaktadr:

VEB besleme kaynann pozitif kutbunun itme, negatif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle, emiterdeki pozitif elektrik ykleri (oyuklar) atomdan atoma yer deitirerek bayze doru akar. Bu hareketlenme srasnda pozitif elektrik ykleri (oyuklar) collectore bal VCB besleme kaynann negatif kutbunun ekme kuvveti etkisi altnda kalr. VCB gerilimi VEB 'ye gre daima daha byk seildiinden; pozitif elektrik yklerinin (oyuklarn) %98 - %99 gibi byk bir blm collector elektroduna doru, %1 - %2 gibi kk bir blm de beyz elektroduna doru akm iletimi salar.

6 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

(++>) : P blgesindeki pozitif elektrik yk (oyuk) yollar (-->) : N blgesindeki ve d devredeki elektron yollar ( >) : D devredeki akm yn. : Verici katk maddesi atomu "+" : Pozitif elektrik yk (oyuk) : Alc katk maddesi atomu "-" : Elektron ekil 4.6 - PNP transistrde pozitif elektrik yklerinin ve elektronlarn hareketi Bu arada, bir miktar pozitif elektrik yk de, beyzdeki serbest elektronlar ile birleerek ntr hale gelir.

Ayn zamanda collector blgesindeki aznlk tayclar durumunda bulunan az saydaki elektronlar da VCB 'nin etkisiyle beyz elektroduna doru hareket eder. Bu hareket, ters yn (kaak) akmn yaratr.

D devredeki gelimeler:

ekilde gsterildii gibi, emiterden VEB besleme kaynann "+" kutbuna ve oradan da beyz'e ve VCB besleme kaynann zerinden collectore, elektron ak balar. Kat zerinde gsterilen akm yn de, yine ekildeki gibi, besleme kaynann "+" kutbundan "-" kutbuna doru olmaktadr.
ZETLE:

Bir PNP transistrdeki akm iletimi, ekil 4.7 'de gsterildii gibi, pozitif elektrik ykleri (oyuklar) ile salanmaktadr. ekil 4.7 'de ayrca transistr oluturan iki diyodun sembolik balantsda gsterilmitir...

7 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

ekil 4.7 - PNP transistrde akm iletimini salayan pozitif elektrik yklerinin (oyuk) ak ynleri ve transistrn ters bal iki diyot halindeki grnts Akm ve Gerilim Ynleri
Akm Ynleri NPN Transistrde akm ynleri:

1. Emiterde; Transistrden d devreye doru, yani emiterdeki ok ynndedir. 2. Beyz ve Collectorde; D devreden transistre dorudur.

PNP Transistrde akm ynleri:

1. Emiterde; D devreden transistre dorudur, yani okun gsterdii yndedir. 2. Beyz ve Collectorde; Transistrden d devreye dorudur.
Gerilim Ynleri:

Burada gerilim ynnden ama, Kutuplama geriliminin "+" veya "-" oluudur.
NPN Transistrde gerilim ynleri:

1. Emitere: Negatif (-) gerilim uygulanr. 2. Beyze: Pozitif (+) gerilim uygulanr. 3. Collectore: Pozitif (+) gerilim uygulanr.
8 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

PNP Transistrde gerilim ynleri:

1. Emitere: Pozitif (+) gerilim uygulanr. 2. Beyze: Negatif (-) gerilim uygulanr. 3. Collectore: Negatif (-) gerilim uygulanr. NOT: Uluslararas kabule gre, bir iletkendeki elektron ak yn ile akm yn birbirine gre terstir. Uluslararas elektroteknik kuruluu (IEC) tarafndan yaplan kabule gre; Elektrik ve Elektronik devrelerindeki AKIM YN, besleme kaynann pozitif kutbundan (+), Negatif kutbuna (-) doru olan yndr. Diyot sembollerindeki ve transistrlerin emiterindeki akm ynn gsteren oklar da "+" dan "-" 'y dorudur. Elektron yn sadece teorik aklamalar srasnda gsterilmektedir. Kirchoff kanununa gre , yaplan devre hesaplamalarnda "+" ve "-" akm ynlerinin gsterilmesi gerekebilir. Bura da, besleme kaynann pozitif kutbundan negatif kutbuna doru olan yn, "+" akm yn, bunun tersi olan yn ise "-" akm yn olarak gsterilir. Transistrlerin Multimetre le Salamlk Kontrol Transistrlerin ayrntl kontrol transistrmetrelerle yaplr. Transistrmetreler daha ok labaratuvarlarda kullanlr. Bir transistrn en kolay kontrol ekli multimetre ile yaplr, Ancak, bu halde transistre herhangi bir zarar verilmemesi iin multimetrenin iinde bulunan pilin 1.5V 'dan byk olmamasna veya devreden akacak akmn 1 mA 'den fazla olmamasna dikkat edilmelidir. " Transistr devrede iken lm yaplmaz." ekil 4.8 'de PNP ve NPN tipi transistrlerin multimetre ile kontrol srasnda ularn tutulu ekilleri gsterilmitir. Tablo 4.1 'de ise, yaplacak kontroln esaslar ve multimetrede aa yukar okunmas gereken deerler verilmitir. Tablo 4.1 'e uygun olarak yaplan kontrollerede, direncin byk okunmas gerekirken kk okunuyorsa veya kk olmas gerekirken byk deerlerle karlayorsanz transistr bozuk demektir. lmelerde, multimetrenin ierisindeki pil vastas ile byk direnlerin okunmas srasnda ters Kutuplama, kk direnlerin okunmas srasnda doru Kutuplama uygulamas yaplmaktadr. 1.5V 'luk multimetre ile yaplan kontrol srasnda transistrden akacak akm ksa bir mddet iin 1mA 'i gemeyeceinden, gnlk hayata girmi transistrlerde herhangi bir bozuklua yol amayacaktr. Fakat, yaylm yoluyla yaplan alam transistrleri gibi hassas transistrlerin kontrol srasnda, emniyet tedbiri olarak VCE collector geriliminin sfrdan balayarak gerekli gerilime kadar ayarlanmas tavsiye edilmektedir. Bu bakmdan byle transistrlerin transistrmetre ile kontrol uygun olmaktadr veya 100200 ohm 'luk seri diren kullanlr.

9 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

ekil 4.1 - Transistrn Ohmmetre ile kontrol Transistr salam ise Transistr Ohmmetre ularnn tutulu ekli Ohmmetre 'nin gsterecei Tipi deerler (+) ucu beyze, (-) ucu sra ile PNP 50 Kohm 'dan byk kollektr ve emitere (ekil 4.8 (a)) (-) ucu beyze, (+) ucu sra ile 500 Ohm 'dan kk kollektr ve emitere (ekil 4.8 (b)) (-) ucu beyze, (+) ucu sra ile NPN 50 Kohm 'dan byk kollektr ve emitere (ekil 4.8 (c)) (+) ucu beyze, (-) ucu sra ile kollektr ve emitere (ekil 4.8 500 Ohm 'dan kk (d))

Transistrlerde Ykseltme leminin Gerekletirilmesi

Transistrler yaps gerei, akm ykseltme zelliine sahiptir. Uygun, bir devre dizaynyla gerilim ve g ykseltmesi de yapar. Tabi bu ilemlerde de asl olan akmdr. Bu nedenle, nce akmn nasl ykseltildiinin bilinmesi gerekir.
10 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Transistr ykseltme ilemi nasl yaplmaktadr?

rnek olarak ekil 4.9 'da grld gibi bir NPN tipi transistr alnmtr. Transistrn alabilmesi iin elektrotlarna, u gerilimler uygulanyor: Emiter: (-)gerilim, Beyz: (+)gerilim, Collectore: (+)gerilim.

ekil 4.9 - Emiteri ortak ykselte a. Jonksiyonel balant devresi b. Sembolik balant devresi ekil 4.9 'da, emiter ucu giri ve k devrelerinde ortak olduu iin, bu ykselte "Emiteri ortak balantl ykselte" olarak tamlanr. En ok kullanlan ykselte eklidir. Transistrn bu ekilde knda bir yk direnci bulunmadan altrlmasna ksa devrede alma denmektedir. Ykseltme leminin Salanmas 1. Transistr ierisinde emiterden beyz ve collectre doru bir elektron ak vardr.. 2. Elektronlarn kk bir ksm da VBE kaynann oluturduu giri devresi zerinden, byk bir ksmda VCE kaynann oluturduu k devresi zerinden devresini tamamlar... 3. Giri ve kta dolaan elektronlarn miktar, trans. byklne bal olduu gibi, VBE ve VCE kaynak gerilimlerinin byklede baldr. 4. Emiterdeki elektronlar harekete geirmek iin "Silisyum" transistrde en az 0.6V, "Germanyum" transistrde ise 0.2V olmas gerekir. 5. Elektrolar ekebilmesi iin VCE gerilimi VBE 'ye gre olduka byk seilir. 6. Giri devresinden dolaan elektronlar "IB" beyz akmn, k devresinden dolaan elektronlarda "IC" collectr akmn oluturur. 7. Buradaki IB ve IC akmlar DC akmlardr... Eer girie AC gerilim uygulanrsa, ve IC 'de AC olarak deiir. 8. IB ve IC akmlar devrelerini tamamlarken emiter elektrodu zerinde birletiinden Ie akm, IB ve IC 'nin toplam olur............ Herzaman geerli kural: IE = IB + IC Sonuta: IB akm giri akm, IC akm da k akm olarak deerlendirilirse, IB gibi kk deerli bir akmdan, IC gibi byk deerli bir akma ulalmaktadr.
11 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Bu olay "Transistrn akm ykselteci olarak altn gstermektedir." Emiteri ortak balantda akm kazanc forml: = IC/IB 'dir...Beta:() IB ve Ic akmlar deise de, (Beta) akm kazanc sabit kalmaktadr.
Akm kazanc nasl oluyorda sabit kalyor?

ekil 4.9 'a gre; VBE gerilimi bytldnde; iki aamal u gelimeler olmaktadr: 1. Emiter - Beyz diyodu daha byk bir gerilim ile polarlm olduundan, daha ok elektron harekete geer. Bu elektronlarn, Beyz girii zerinden devre tamamlayan miktar da artacandan IB akm byr. 2. Dier taraftan, byk hareketlilik kazanan emiter elektronlar, mevcut olan VCE ekme kuvveti etkisiyle beyz 'i daha ok sayda geerek collectore ular. Bylece daha byk IC akm oluur. IB ve IC deki art ayn oranda olmaktadr. Dolaysyla da, =IC/IB deeri sabit kalmaktadr. VBE kltldnde de IB ve IC ayn oranda kldnden, (Beta) yine sabit kalr. Grld gibi, gerek IB, gerekse de IC akmnn byyp klmesinde yalnzca VBE giri gerilimi etkin olmaktadr...
VCE besleme kaynann akm kazancna etkisi nedir?

VCE gerilimi bytldnde, devreden akan elektron miktarnda, dier bir deyimle IC akmnda, nemli bir art olmamaktadr.
Nedeni;

VCE gerilimi, esas olarak, VBE geriliminin emiterde hareketlendirdii elektronlar ekmektedir. Emiterde ne kadar ok elektron hareketlenmise, VCE 'de o kadar ok elekrtron ekmektedir. Bunlara collectordeki belirli saydaki elektronlarda eklenmektedir. Ancak, collectorde daha az katk maddesi kullanldndan aa kan elektron says da daha azdr. Bunlarda IC akmn fazla etkileyememektedir. VCE 'nin bytlmesi, ekilen elektron saysn ok az artrabilmektedir. Ancak, VCE 'nin, transistr katalounda verilen deeri de gememesi gerekir. VCE 'nin belirli bir deeri gemesi halinde, ters Kutuplamal durumunda olan, Beyz-collector diyodu delineceinden, transistr yanar. Transistrn, IC, VCE ve RCE le lgili Tanm: Bu tanmlama, IC, VCE ve RCE arasndaki banty aklayan, dier bir deyimle, transistrn ykseltici srrn ortaya koyan bir tanmlamadr. Transistr, iki elektrodu arasndaki direnci, nc elektroduna uygulanan gerilim ile deitirilebilen elektrotlu bir devre elemandr.
yle ki;

Ohm kanununa gre, k devresinde u bant yazlabilecektir: VCE=IC*RCE

12 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

VCE belirli bir deer de sabit tutulduu halde, VBE ve dolaysyla da IB deiince IC 'de deitiinden, yukardaki bantya gre, RCE direnci de deiir.
Burada:

Transistrn iki elektrodu arasndaki diren: RCE 'dir. nc elektroda uygulanan gerilim ise: VBE 'dir. Teorik hesaplamalarda: IC maksimum deerine ulanca, RCE=0 olduu kabul edilir. RCE=0 olunca, VCE 'de "0" olur.
Benzer durum giri direncinde de olmaktadr:

Diyot karakteristik erisinden de bilindii gibi, VBE 'nin biraz bytlmesi halinde IB akm ok abuk bymektedir.
Buradan u sonu kmaktadr:

VBE giri gerilimi bytlnce; RBE giri direnci klr. zet olarak: Giri gerilimi bydke, hem giri direnci hem de k direnci klr. Akm Kazancnn Bulunmas Akm kazanc, ykselte olarak almakta olan bir transistrn, kndaki akmn giriindeki akma orandr. ekil 4.10 'da grld gibi, ykseltelerin balant ekli vardr.
Bu balant ekillerindeki akm kazanlar yle ifade edilir:

1. Emiteri ortak balant. 2. Beyzi ortak balant. 3. Collector ortak balant.

Akm kazanc Akm kazanc Akm kazanc

BETA, = IC/IB ALFA, = IC/IE GAMA, = IE/IC

ekil 4.10 - Transistrdeki balant halinde balant ularnn durumu. Akm Kazanlarnn Dntrlmesi
13 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Her balant eklinde de akmlar arasnda u balant vardr: IE=IC+IB veya IC=IE-IB
Bu balant ile yukardaki bantlardan yararlanlarak, , , birbirlerine dntrlr. 'nn cinsinden yazlmas:

1/ = IE/IC = IC+IB/IC = 1+IB/IC = 1+1/ 'dan

'nn cinsinden yazlmas:

= /+1 olur...

Yukardaki ", " bantsndan,

'nn cinsinden yazlmas:

= /1-

olur...

= IC/IE = IE-IB/IE = 1-IB/IE = 1-1/ = -1/ 'dan

'nn cinsinden yazlmas:

= -1/

olur...

Yukardaki ", " bantsndan,

= 1/1-

olur...

'nn cinsinden yazlmas: = -1 olur...

= IC/IB = IE-IB/IB = IE/IB-1 = -1 'den

'nn cinsinden yazlmas:

Yukardaki ", " bantsndan

= +1

olur...

zet bir tablo yaplrsa dnmler yle sralanr:

= /+1 = -1/

= /1-

= -1

= 1/1-

= +1

Transistrn Drt Blge Karakteristii

Drt blge karakteristiklerinde, DC 'de ve yksz olarak altrlan transistrn giri ve k akmlar ile gerilimleri arasndaki bantlara ait karakteristik erileri hep birlikte grntlenir. Drt blge karakteristik erilerinden yararlanlarak u statik karakteristik deerleri hesaplanabilmektedir. 1. 2. 3. 4. Giri direnci k direnci Akm kazanc Giri-k gerilim (zt reaksiyon) bants

Bunlar transistrn yapsyla ilgili karakteristik deerlerdir. Drt blge karakteristii, transistr knda yk direnci yokken karldndan bunlara ksa devre karakteristikleri de denir.

14 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Transistrn "Beyz" 'i , "Emiteri" ve "Collectoru" ortak balantl haldeki ksa devre karakteristikleri ile, ykte alma srasnda konu edilen yk dorusu ayrca "Temel ykselte devreleri" blmnde daha detayl anlatlmtr. Burada, n bilgi olarak, emiteri ortak ykseltee ait rnek verilecektir..
Drt Blge Karakteristik Erisinin Blgeleri:

ekil 4.11 'den takip edilirse; ekil 4.9 'da verilmi olan emiteri ortak ykseltece ait drt blge karakteristik erisi, u blgelerden olumaktadr. 1. Blge Karakteristik Erisi (VCE - IC): VCE k gerilimindeki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. RC=VCE/IC bants ile k direncini belirler. 2. Blge Karakteristik Erisi (IB - IC): IB giri akmndaki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. =IC/IB bants ile Akm kazancn belirler. 3. Blge Karakteristik Erisi (VBE - IB): VBE giri gerilimindeki deiime gre, IB giri akmndaki deiimi gsterir. Rg=VBE/IB bants ile Giri direncini belirler. Blge Karakteristik Erisi (VBE- VCE): "VBE - VCE" bants VBE giri gerilimindeki deiime gre, VCE k gerilimindeki deiim miktarn gsterir. Bu deiim, gerilim transfer oran olarak tanmlanr. Aslnda bu iki gerilimin biri biri zerinde nemli bir etkisi bulunmamaktadr. Bu bilgiler daha ok teorik almalar iin gereklidir

ekil 4.11 - Emiteri ortak balantl ykseltecin drt blge karakterisitii

15 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Transistrn Anahtarlama Eleman Olarak altrlmas

Sayclar (counters), bilgisayarlar (computers), ateleme devreleri (trigger circuit) gibi, bir ksm devrenin ok hzl almas (on) ve sukunete gemesi (off) gerekebilir. Bu gibi hallerde ok hassas bir anahtarlama yaplmas gerekir. Bu devrelerde, transistrden anahtar olarak yararlanlmaktadr. Transistr ile nano saniye 'lik yani 10-9 saniyelik (sn) bir alma hz salanmaktadr. Transistrden, iki ekilde anahtar olarak yararlanlabilmektedir. Normal almada Doyma halindeki almada Transistrn doyma halinde almas, ksa bir an iin, tayabilecei maksimum akmda grev yapmas demektir.
Transistrn Normal almada Anahtar Grevi Yapmas

ekil 4.12 'de bir NPN transistrn anahtar olarak almasn gsteren iki devre verilmitir. Bu devreler, 6 Volt 'luk besleme kaynakl ve emiteri ortak balantl, lamba yakan bir transistrden olumaktadr.

ekil 4.12 - Normal almada transistrden anahtar olarak yararlanma a) IB akm kumandasyla alma b) VBE gerilimi kumandasyla alma
ekil 4.12 (a) 'deki devre:

IB akmnn deimesi yoluyla altrlan bir devredir: R reostas ile IB akmnn ayar yaplmaktadr. R direnci yeterince kltlp IB akm yeterince byltldnde, IC akm lambay yakacak seviyeye ulaacaktr.
ekil 4.12 (b) 'deki devre:

VBE gerilimini kontrol etmek suretiyle altrlan bir devredir.

16 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

VBE gerilimi, S reostas zerindeki gerilim dm ile salamaktadr. "S" reostas, "0" 'dan yani en st noktadan balatlarak, yava yava bytldnde, beyz-emiter arasna uygulanan gerilimde byr. Bu gerilim, rnein, silikon transistrde 0.6V 'u geince transistr iletime geer ve lamba yanar. Bu alma eklinde, transistr kesikli alan bir ykselte olarak grev yapmtr. Transistrn gerek anlamda anahtar olarak almas, doyma halindeki almadr...

Transistrn Ykselte Olarak altrlmas

Ykselte olarak altrlan bir transistrden, u ilemin gerekletirilmesinde yararlanlr:

1. Akm kazancn salamak 2. Gerilim kazancn salamak 3. G kazancn salamak

Buradaki kazancn anlam:

Transistr giriine verilen akm, gerilim veya gcn ktan daha byk deerlerde elde edilmesidir. Bunu salamak iin de belirli devrelerin oluturulmas gerekir. Kazancn saysal deerinin bulunmas da, ktaki akm, gerilim ve g deerlerinin, giriteki akm, gerilim ve g deerlerine oranlanmas suretiyle elde edilir. Karakteristik erileri, transistrn reticileri tarafndan hazrlanan tantm kitaplarnda (katalog) verilir. Transistr, hem DC hem de AC ykselte olarak alabilir. Bu nedenle, transistr gerei gibi inceleyebilmek iin, ayr ayr DC ve AC 'deki alma hallerinin incelenmesi gerekir. DC almada giriteki ve ktaki akm ve gerilim deerleri arasndaki bantlara Statik Karakteristikleri, AC almadaki akm ve gerilim bantlarna da Dinamik Karakteristikleri denir.
Transistr ykselte olarak u bant eklinde altrlabilmektedir.

1. Emiteri ortak balantl ykselte 2. Beyz 'i ortak balantl ykselte 3. Kolektr ortak balantl ykselte Ortak balant deyimi, girite ve kta ortak olan u (elektrot) anlamnda kullanlmtr. Transistrn DC Ykselte Olarak altrlmas ekil 4.12 'de Emiteri ortak balantl bir DC ykselte devresi verilmitir. Bu ykselte devresi ile transistrn statik karakteristikleri incelenmektedir. Statik karakteristikleri incelerken yukarda da belirtildii gibi giri ve ktaki DC akm ve gerilim deerlerinden yararlanlr.

17 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

ekil 4.12 - Transistrn statik karakteristiklerini tanmlamak zere kurulan ykselte devresi

Giriteki akm ve gerilimdeki deimeler girie seri balanan mikro ampermetre (A) ve paralel balanan kk deerler lebilen voltmetre (mV) ve ktaki deimeler de, ka balanan mili Ampermetre ve normal bir Voltmetre ile llr. ekil 4.12 'ye dikkat edilirse, transistr knda baka bir eleman bulunmakszn yaplan DC lmlerdir. Uygulanan bu tr lme yntemi ile hesaplanan statik karakteristik deerlerine ve izilen erilere Ksadevre Karakteristikleri 'de denir.
ekil 4.12 'deki l aletleri ile, u deerler llmektedir:

Girie ait: Beyz akm, IB Beyz - Emiter aras gerilim, VBE ka ait: Kollektr akm, IC Kollektr - Emiter aras gerilim, VCE
llen bu deerler ile u karakteristik deerler hesaplanmaktadr:

Akm kazanc: K() = IC/IB Giri direnci: Rg = VBE/IB k direnci: R = VCE/IC Eim: S = IC/VBE Transfer oran: = VBE/VCE (%0,01-0,001) dir.

Buradan ilk l, "K, Rg ve R" her transistr iin, her devrede bilinmesi gereken karakteristik deerlerdir. Son iki "S ve " deerleri ise transistr zerinde daha derinlemesine alma yaplmas gerektiinde, ihtiya duyulan deerlerdir. Yukardaki karakteristik deerler, ekil 4.11 'de verilmi olan drt blge karakteristik erisinden yararlanlarak da hesaplanabilmektedir. 1. 2. 3. 4. Blge karakteristik erisi: (VCE,IC) Blge karakteristik erisi: (IB,IC) Blge karakteristik erisi: (VBE,IB) Blge karakteristik erisi: (VBE,VCE)

18 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Bu karakteristik erilerinin deiik noktalarndaki, kk deiim () deerleri ile yaplacak olan hesaplamalar, K, Rg ve R deerleri, hakknda daha doru bilgi verir.
yle ki;

K() = IC/IB bants, karakteristik erisi dorusal olduundan her noktada ayn deeri verir. Rg = VBE/IB bants, erisel olan karakteristik erisinin farkl noktalarnda farkl deerler verir, en iyi noktay semek gerekir. arakteristik erisinden de anlalmaktadr ki, IB beyz akm bydke transistrn Rg giri direnci klmektedir. R = RCE = VCE/IC bants da, IC bydke daha kk R verir. Grlmektedir ki, DC ykselte devresinde llen deerler ile elde edilen sonular, transistr hakknda nemli bilgi vermektedir.
Transistrn Gerilim ve G Kazanlarn Bulmak in:

ekil 4.13 'te grld gibi, giri devresine paralel olarak bir RB direnci, k devresine de yine paralel bir RL yk direnci balanr. Bunlarn zerinde oluan gerilim dmlerinin ve sarf olan glerin oran gerilim ve g kazancn verir. Gerilim kazanc: KV = VRL/VRB G kazanc: KP = PRL/PRB = IC.VRL/IB.VRB = .KV Grld gibi g kazanc ile gerilim kazancnn arpmna eit olmaktadr.

ekil 4.13 - Girie RB direnci kada RL yk direnci balanan DC ve AC ykselte

Transistrn AC Ykselte Olarak altrlmas Transistr ekil 4.13 'de grld gibi giriine, AC iaret gerilimi uygulandnda da AC ykselte olarak alr.
AC ykselteler de iki ana gruba ayrlr:

1. Ses frekans ykselteleri 2. Yksek frekans (Radyo frekans) ykselteleri Yksek frekans ykselteleri zel yapl ykseltelerdir.

19 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

AC ykselte olarak inceleme konusu, gnlk hayatta daha ok karlalan ses frekans ykselteleridir. AC iaret gerilimi, genelde sinzoidal olarak deien bir gerilim olarak dnlr. Bu gerilim, giriteki ve ktaki DC Kutuplama gerilimini byltp klterek sinzoidal olarak deimesini salar. AC almada, yalnzca AC deerler nemli olduundan, giri ve kta ampermetre ve voltmetre olarak AC l aletleri kullanlr. AC l aletleri efektif deer ltnden, gerekli hesaplamalarda efektif deerler ile yaplr.
rnein:

Akm kazanc: KAC(AC) = ICef/IBef Gerilim kazanc: KVAC = VCEef/VBEef = (ICef/IBef).(RL/RB) = AC.RL/RB G kazanc: KPAC = AC.KVAC eklinde ifade edilirler.

Alak frekans (ses frekans) ykseltelerinde: DC = AC olarak aln. Giri ve k direnleri de DC ve AC 'de ayn zelliklere sahiptir.
NOT:

ekil 4.12 ve ekil 4.13 'te verilmi olan devreler deney ve bilgi edinme devreleri olduu iin, anlatm kolayl bakmndan iki besleme kayna kullanlmtr. Uygulamada ise tek besleme kayna kullanlr.

Transistrn alma Kararlln Etkileyen Faktrler

Bir transistre kararl bir alma yaptrabilmek iin, ncelikle karakteristik deerlerine uygun bir devre dzeni kurmak gerekir. Bunu iinde, daha nceden de belirtilmi olduu gibi, katalog deerlerine ve karakteristik erilerinde verilen bilgilere uyulmaldr.
Transistrn kararl almasn etkileyen faktrler:

1. Scaklk Ar snan transistrn alma dengesi bozulur, gc der. Daha da ok snrsa yanar. Isnan transistrlerde elektron says anormal artacaktr. Bu art nedeniylede belirli giri deerleri iin alnmas gereken k deerleri deiir.Buda kararl almay nler. 2. Daha ok snma halinde ise kristal yap bozulur. Bu durumda transistrn yanmasna neden olur. Isnma transistrn kendi almasndan kaynakland gibi, scak bir ortamda bulunmasndan dolay da olabilir. 3. Frekans Her transistr, her frekansta almaz. Bu konuda ine katalog bilgilere bakmak gerekir. rnein: NPN transistrler, PNP transistrlere gre yksek frekanslarda almaya daha uygundur. Nedeni de NPN transistrlerde elektrik yk tayclar ELEKTRONLAR dr.PNP transistrlerde ise tayclar pozitif elektrik ykleridir. Elektronlar, pozitif elektrik yklerine gre ok daha hzl ve serbest hareket edebildiklerinden, yksek frekanslar iin NPN transistrler daha uygundur. 4. Limitsel Karakteristik Deerleri Her transistrn ayr alma deerleri vardr. Bu alma deerlerinden bazlarnn kesinlikle almamas gerekir. Bunara, "Limitsel Karakteristik" denir. Limitsel Karakteristik Deerleri yle Sralanr: o Maksimum kolektr gerilimi o Maksimum kolektr akm
20 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

o o o

Maksimum dayanma gc Maksimum kolektr - beyz jonksiyon scakl Maksimum alma (kesim) frekans.

Limitsel deerler gerek birbirlerine, gerekse de giri deerlerine baldr. Yukarda sralanan maksimum deerlerin ne olmasnn gerektii transistr kataloglarndan ve karakteristik erilerinden saptanr. 5. Kutuplama Yn Kutuplama gerilimini uygularken, ters Kutuplama balants yapmamaya zellikle dikkat edilmelidir. Byle bir durumda, transistr almayaca gibi, normalden fazla uygulanacak olan ters Kutuplama gerilimleri jonksiyon diyotlarnn delinmesine, yani kristal yapnn bozulmasna neden olacaktr. 6. Ar Toz ve Kirlenme Transistrlerin toza kar ve zelliklede metalik ilemlerin yapld ortamlarda ok iyi korunmas gerekir.. Ar toz ve kirlenme elektrotlar aras yaltkanl zayflatacandan kaak akmlarn artmasna neden olacaktr. Bu da transistrn kararl almasn engelleyecektir. Eer metal ve karbon (kmr) tozlaryla kark bir tozlanma varsa, transistr elektrotlarnn ksa devre olma ihtimalide mevcuttur. Tozlu ortamda altrlmas zorunlu olan transistrlerin ve btn elektronik devrelerin toza kar iyi korunmalar ve zaman zaman devrenin enerjisi kesilmek suretiyle, yumuak bir fra ve aspiratr tozlarn temizlenmesi gerekir. Tozlarn temizlenmesi srasnda, elektrik sprgesiyle fleyerek temizlik kesinlikle yaplmamaldr. Zira bu durumda yapkan tozlar daha da ok yapp kirlilii arttraca gibi, buradan kalkan tozlar dier cihaz ve devrelere konacandan baka devrelerinde tozlanmasna neden olacaktr. 7. Nem Transistrler ve btn elektronik devreler, neme karda ok iyi korunmaldr. Gerek su buhar, gerekse de baz ya ve boya buharlar, dorudan kendileri elektrotlar arasnda ksa devre yapabilecei gibi, tozlarnda yapp younlamasna neden olacandan, cihazlarn kararl almasn engelleyecektir. 8. Sarsnt Sarsntl ortamda kullanlan cihazlarda, daima balantlarn kopmas ihtimali vardr. Ar sarsnt i gerilmeleri de arttracandan kristal yapnn bozulmas da mmkndr. Sarsntl ortamlarda altrlacak cihazlara reticiler tarafndan zel sarsnt testi uygulanr. Bu gibi altrmalarda, reticisinden sarsnt testleri hakknda bilgi almak gerekir 9. Elektriksel ve Manyetik Alan Etkisi Gerek elektriksel alan, gerekse de manyetik alan serbest elektronlarn artmasna ve onlarn ynlerinin sapmasna neden olur. Bu da kararl almay nler. Bu gibi ortamlarda kullanlacak cihazlar faraday kafesiyle ve anti manyetik koruyucularla korunmaldr. 10. In Etkisi Rntgen nlar, Lazer ve benzeri ok yksek frekansl nlarda kararl almay etkiler. Bu gibi yerlerde kullanlacak cihazlarda zel koruma altna alnmaldr. 11. Kt Lehim (Souk Lehim) Transistrn ve btn elektronik devre elemanlarnn ok ustaca lehimlenmesi gerekir. Souk lehim olduu taktirde, dardan bakldnda lehimliymi gibi grnmesine ramen, elektriksel iletimin iyi olmamasna neden olacandan btn bir sistemin kararl almasn engelleyecektir. Bu tr arzalarn bulunmas da ok zordur. Ayrca ar stlarak lehim yaplmas da devre elemanlarn bozar. Belirli bir lehim pratii olmayanlarn, transistr ve benzeri elektronik devre elemanlarnn lehimini yapmamas gerekir.

Transistrlerin alma Noktasnn Stabilize Edilmesi

Stabilize etmek ne demektir? Stabilize 'nin tam Trke karl "kararl alma" dr.
Transistrn alma noktasnn stabilize edilmesi:

21 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Transistrn giriine ve kna uygulanan Kutuplama gerilimi ve akmnn alma sresince ayn kalmas iin gerekli nlemlerin alnmasdr. Daha ksa bir sylemle, "transistrn kararl almasnn salanmasdr." Her transistrn bir yk dorusu ve Q alma noktas vardr. rnein: Emiteri ortak bir ykseltete, giri Kutuplama gerilimi ve akm, belirli bir VBE ve IB, k Kutuplama gerilimi ve akm, VCE ve IC olsun. Bu deerler yk dorusu zerinde belirli bir Q noktasn gsterir. Bu nokta alma noktasdr. alma srasnda Q noktasnn deimemesi yani istikrarl olmas istenir.
Stabil almay zorlatran iki etken vardr:

1. Isnan transistrn IC kolektr akmnn artmas 2. Bir devredeki transistr yerine baka bir transistrn kullanlmas halinde, akm kazanc farkl olursa devre ayn devre olduu halde, k akm deieceinden stabilite bozulacaktr.
Isnnca, IC akmnn anormal artmasn nlemek iin: rnek olarak;

ekil 14 'te emiteri ortak bir ykselte verilmitir. IC akm artnca, RC direnci zerindeki gerilim dm artacandan, B noktasndaki gerilim klecektir. Dolaysyla IB akm klr. IC=IB bantsndan, IC akm klecek ve denge salanacaktr.

ekil 14 - Emiteri ortak ykselte

Transistorlarn Katalog Bilgileri

Bir transistr hakknda bilgi edinmek gerektiinde zerindeki ve katalogdaki bilgilerden yararlanlr. Daha geni bilgi iinde, retici firmadan yaynlanan tantm kitabna baklr. Transistor zerindeki Harf ve Rakamlarn Okunmas
Transistr zerinde genellikle u bilgiler bulunur:

retici firmann ad ve sembol, Kod numaras: (2N 2100 vb...). Transistr bu numara ile tantlr. Ayak balantlar (E,B,C) veya iareti. Kk transistrlerin genellikle kollektr veya emiter tarafnda bir nokta veya trnak bulunur.

Katalog Kullanm ve Karlklarnn Bulunmas

Transistr tantc bir yaynda veya katalogda kk deiikliklerle u bilgiler bulunur:

22 / 23

Bipolar Transistorler - Ders Sorumlusu : Yrd.Do.Dr. Hilmi KUU

Kod no: AD 159, 2N 2100 gibi, Tipi: NPN veya PNP Tr: Si veya Ge, Akm kazanc: (hFE), Maksimum kollektr akm: (ICm), Maksimum dayanma gc: (PCm), Maksimum Kollektr - Emiter gerilimi: VCEm veya VCm, Maksimum Kollektr - Beyz gerilimi: VCBm veya VCm, Maksimum Emiter - Beyz gerilimi: VEBm, Maksimum alma (kesim) Frekans: fm, Maksimum Jonksiyon scakl: TJm,
Yerine gre, bu bilgilere ek olarak unlarda verilir.

Beyz ak iken Kollektr - Emiter aras kaak akm: ICE Emiter ak iken Kollektr - Beyaz aras kaak akm: ICB - ICO Termistrn karlklar Cinsi: Sesa, alam, yaylm transistr gibi vs.

23 / 23