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切片 ( 金相 ) 技術及應用實例
講師 ﹕洪 偉
強
Tel: 73118
Date: 2004/8
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華南檢測中心金屬實驗室
主要內容
1. 金相制備原則
2. 金相制備過程
3. 常見制備假象及產生原因
4. 切片制作實例
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華南檢測中心金屬實驗室
一、金相制備原則
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華南檢測中心金屬實驗室
一、金相制備原則
1.4 可接受的制備結果
(Acceptable preparation results)
1) 一般而言 , 只有在少數情況下才必須得到真實結構。
對大部份檢視工作而言 , 幾道刮痕或輕微的“邊緣圓化
”無關緊要。因此我們需要一種“可接受的制備結果”。
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二、金相制備過程
˙ 金相制備過程分為五個階段 , 每個階段都必須正
確執行以確保獲得滿意的結果。這五個階段為 :
切割 鑲埋
2.1 切割 (Cutting)
目的﹕方便后續的鑲埋﹐研磨拋
光。
注意﹕ 1) 變形應盡可能的少 ( 磨粒
˙ 濕式切割
切割 ) 切割片的種類 用途
片的選擇 2) 取樣必須代表母材特性
鑽石切割片 用於切割陶瓷或燒結碳 化物
: 氧化鋁切割片 用於切割鐵系金屬
氮化硼切割片 用於切割較硬的鐵系金屬
碳化硅切割片 用於切割非鐵系金屬
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二、金相制備過程
2.2 鑲埋 (Mounting)
方法 : 1) 熱鑲 埋 (150~180℃) _ 適用於金屬材料
2) 冷鑲埋 ( 常溫 ~85℃) _ 適用於非金屬材料
目的 : 1) 固定樣品 , 方便研磨及拋光
2) 保護邊緣 , 增進制備效果
注意 : 1) 樣品標記
2) 樣品清洗 ( 超音波 )
3) 真空冷埋 , 配膠比例 , 混合均勻
熱鑲埋 冷鑲埋
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二、金相制備過程
2.3 研磨 (Grinding)
步驟 : 1) 粗磨 (320#﹐ 500#﹐ 800#)
2) 細磨 (1200#﹐ 2400)
目的 : 1) 粗磨 _ 快速移除材料
2) 細磨 _ 精確研 磨到觀察面
3) 獲得輕微磨損的表面﹐ 為 拋 光作准備
注意 : 1) 防止污染
2) 磨痕均勻 , 方向一致
3) 由粗到細 , 不可跳號
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二、金相制備過程
2.4 (Polishing)
步驟 : 1) 粗拋 (6μm 或 3μm) _ 金鋼石效果較氧化鋁要
好
2) 細拋 (1μm )_ 適用鋼 , 銅 , 鋁
3) 精拋 (0.1μm 或 0.05μm)_ 適用錫等極軟金屬
目的 : 1) 粗拋 _ 快速移除研 磨變形層
2) 細磨 _ 移除粗拋 變形層
3) 精拋 _ 消除細拋消除細拋變形層
4) 獲得基本無變形層的表面﹐ 為 拋 光作准備
注意 : 1) 防止污染
2) 拋光痕均勻 , 方向一致
3) 由粗到細 , 不可跳號
粗 細 精
拋 拋 拋 9
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二、金相制備過程
2.5 (etching) 常用腐 蝕液 適用範 圍
不同金屬適用不同的腐蝕液 . 硝酸酒 精 碳鋼 , 合金 鋼
目的 : 1) 顯現金屬內部組織結構 鹽酸 +FeCl 3 不銹鋼
2) 分清 不同金屬界面
3) 減少制備假象 氫氟酸 液 鋁合金 , 鈦合金
注意 : 1) 按標準比例配置
氨水 + 雙氧 銅合金 , 含銅電
2) 正確掌握腐蝕時間 水 + 純水 子零件
3) 注意化學藥劑的使用
安全
未顯銅分層線 銅層組織變暗 可見銅分層線
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三、常見制備假象及產生原
3.1 銅層氧化污
因
染
銅層氧 化污 染
原因 :1) 砂紙用舊﹐磨削力不足
2) 砂紙殘留磨屑過多﹐污染樣品
3) 用勁過大﹐ 鋼層不是被切割而是被磨
擦
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三、常見制備假象及產生原
因
3.2 水漬
水漬
原因 :
1) 樣品存在較多的空
隙 , 灌膠時未填潢
2) 水 , 酒精或腐蝕劑在
吹幹時 , 甚至在顯微鏡
檢視時從間隙流出
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三、常見制備假象及產生原
因
3.3 刮痕
(Scratch)
刮痕
原因 :
1) 粗磨后樣品未清 洗干淨
2) 砂紙受外來較粗顆粒污染
3) 粗磨時用力過大﹐ 磨痕不均勻
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三、常見制備假象及產生原
因
3.4 拋光不足
殘留上道磨痕
原因 :
1) 拋光時間不足
2) 拋光壓力過輕
3) 拋光布過舊
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三、常見制備假象及產生原
因
3.5 拋光黑線
Ni 層出現黑線
原因 : 1) 拋光壓力過大
2) 精拋 時間過長
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三、常見制備假象及產生原
因
3.6 磨痕
磨痕
原因 :
外來顆粒在樣品表面滾動
未作切割動作而留下的痕
跡
1) 樣品未清潔干凈
2) 拋光布受污染
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四、應用實例
1. BGA Solder Shortcircuit
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5. Failed South Bridge in M/B
情況說明 :
1100 C 版 M/B 送回台北
做 ER 測試前 , Pre-test 時
發現 SATA 硬碟插入
SATA1 連接器無法開機 ,
SATA2 則可以 , 手指壓南
橋後 則可開機 , 在南橋四
角輕輕拉起 , 則又 shout
down, 重現率 100%
台北 2D X-ray 及龍華 5D
X-ray 觀察無異常
序號如左
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4. BGA Bump Cross Section
BGA
Bump
BGA
Bump
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基準
圖 2-7-100X 2-7-5-500X
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第二排 :
第 7 顆球
2-7-1-500X 2-7-3-500X
圖 2-7-100X
2-7-2-500X 2-7-4-500X 25
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第二排 : 第 9 顆
球
圖 2-9-100X 2-9-5-500X
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第二排 :
第 9 顆球
2-9-1-500X 2-9-3-500X
圖 2-9-100X
2-9-2-500X 2-9-4-500X 27
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6. FPC 導通不良案例
1. 不良現象描述
產品型號 : MT170ES01 開發階段 :MVT 發現時間 / 日期 : 2004 /
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不良現象描述 :
在 LOT 站電檢所有 PATTERN 皆可發現有 V-Block 現象 ( 見圖
一 , 二 ), 其位置對應于一顆 IC 寬度範圍内。大多是 S1,S5 FPC, 用手碰
觸 FPC 時會發現垂直區塊消失,畫面顯示正常。手離開時,垂直區塊會
再現。
V-Block V-Block
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6. FPC 導通不良案例
2. 原因分析
測試工具:萬用錶
測試方法:將 FPC 上綫路一端進行短路處理,
將萬用錶一表筆固定于短路端,另一表筆接上一根針狀觸頭,
用針狀觸頭依次移動于每一根綫路,判斷斷路綫路。
短路區域
針狀觸頭測試端
黑色為已測出之 open 綫路
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6. FPC 導通不良案例
3. Cross Section 驗證
Ni
Cu
PI
測量綫路各層厚度 :
PI :26 um Cu : 16 um Ni:18 um
Ni 層較厚 Ni 層厚度正常
4. 結論
廠商提供的 FPC 因 Ni 層太厚 , 導致
FPC 韌性不夠 , 綫路易折斷。
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謝謝大家 !
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