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Montaje de circuitos con Transistores de efecto de campo (jFET) y dispositivos fotnicos (LED).
En esta prctica se montarn circuitos con transistores jFET y se vern sus curvas caractersticas. Tambin se evaluar un pequeo circuito de aplicacin en el que se ver a un jFET actuando de amplificador de pequea seal. .En cuanto a dispositivos fotnicos se estudiar como funciona un diodo LED y como afecta la frecuencia aplicada de la seal en su funcionamiento.
9.0 INSTRUCCIONES
Con anterioridad a la prctica, cada alumno deber leer detenidamente el guin de la misma y resolver las cuestiones previas que se plantean, las cuales aparecen enmarcadas para facilitar su identificacin. Durante la prctica se seguir el guin de la misma, y se realizarn los ejercicios propuestos, los cuales sern supervisados por los profesores.
8.1 OBJETIVOS
Al final de la prctica, el alumno debe ser capaz de: Obtener el punto de polarizacin en continua de un transistor jFET. Saber deducir en qu zona de funcionamiento se encuentra el jFET (hmica o saturacin) a partir del punto de polarizacin obtenido. Dibujar las curvas caractersticas de un jFET. Trabajar con el transistor jFET en como amplificador. Ver el funcionamiento de un diodo LED. Usar correctamente el instrumental del laboratorio.
8 6 4 2 0
10
15 20
jFET = BF245 A RD = 1 k
VDS RG
S
VGS
Vamos a usar el jFET tipo BF245A cuyas caractersticas principales son: Vp= -2 V e IDSS = 4 mA a) Anlisis terico del circuito de la figura 9.2 Este apartado deber realizarse como trabajo previo de preparacin de la prctica, para ello deber contestar a la siguiente cuestin: Cuestin 1: Obtener los valores de tensiones y corrientes del circuito para una VDD de 12 V. Indicar el procedimiento seguido para la obtencin de dichos valores, especificando las ecuaciones empleadas.
Con el multmetro podemos medir fcilmente las tensiones, pero difcilmente las intensidades, para calcular las intensidades usaremos las siguientes frmulas:
I D = I RD = VRD V ; I G = I RG = RG RD RG
12
0.5
ID (mA)
(VRS/RS)
ID
VDS
A partir de los resultados obtenidos del anlsis terico, y el montaje fsico, conteste a la siguiente cuestion: Cuestin 2: Entre que valores de VDS el jFET est en la zona hmica?. Entre que valores de VDS el jFET est en la zona de saturacin? Justifica tu respuesta.
9.2.2.- Curva de transferencia ID - VGS. En este apartado se obtendr la curva de transferencia de un jFET, es decir veremos la relacin entre la VGS y la ID cuando el jFET se encuentra en saturacin. La ID sigue en estas condiciones la ecuacin:
I DS
V = I DSS 1 GS Vp
IDSS
VP
1 -2 vGS (V)
Para realizar esto deberemos hacer el siguiente montaje: Datos del circuito:
Fuente Fija de + 15 V Fuente Variable RG +VDD RD
G D
VRD
jFET = BF245 A RD = 1 k
VDS
S
VGS
-0.25
-0.5
-0.75
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
ID (mA)
(VRS/RS)
Con los datos obtenidos dibujar la grfica. Hay que tener en cuenta que VGS ser VBAT
ID
VGS
A partir de los resultados obtenidos del anlsis terico, y el montaje fsico, conteste a la siguiente cuestion: Cuestin 2: Cul ser Vp?. Cul ser IDSS? Justifica tu respuesta.
D2 D1N4002
100
R2 1k
0
Curva del LED. 7
El diodo LED puede ser usado empleando corriente continua o corriente pulsada. Podemos hacer una experiencia y es introducir al LED una seal cuadrada de 20 Vpp e ir variando la frecuencia para saber a partir de que frecuencia, el ojo humano ya no distingue el parpadeo (para un ojo normal esta frecuencia est entre 20 y 30 Hz).
CH 1 (osciloscopio)
D1
(acoplamiento DC)
CH 2 (osciloscopio)
V1 = de +10 V a -10 V f = 10 Hz a 40 Hz
V1 D1N4002 R1 1k
(acoplamiento DC)
470 ohm
0
Fig. 9.6.- Circuito para la deteccin del parpadeo de un LED
Ciclo trabajo
10 % 20 % 30 % 40 % 50 % 60 % 70 % 80 % 90 %