INSTITUTO TECNOLGICO DE PUEBLA

INGENIERIA ELECTRNICA FISICA DE SEMICONDUCTORES PROFESOR: VCTOR MANUEL PERUSQUA ROMERO. DIODO PIN EQUIPO IV Rodolfo Cruz Martnez Hugo Flores ngeles Edgar Gonzlez Garca Miguel Angel Snchez Flores

El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre las regiones de p y n se llama diodo Pinto. El nombre se deriva del material intrnseco entre las capas p y n. Debido a su construccin, el diodo quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se vaca totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante. DESCUBRIMIENTO DEL DIODO PIN. En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequea superficie radiante, idnea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los fotodetectores, los diodos PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin dificultades y ofrecan buenas caractersticas. Sin embargo, no podan aplicarse en longitud de onda > 1100 nm. El Ge era un buen candidato a ser utilizado para trabajar entre 1100 y 1600 nm, y ya en 1966 se dispona de ellos con elevadas prestaciones elctricas. Sin embargo, la corriente de oscuridad (ruido) del Ge es elevada y da motivo a ensayos con fotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977. SIGNIFICADO DEL NOMBRE DEL DIODO PIN Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa N de alta resistividad (). El diodo PIN es un diodo que presenta una regin p y n altamente conductoras junto a una zona intrnseca poco conductiva. De ah viene el significado de sus siglas PIN. Zona tipo P. Material Intrnseco. Zona tipo N. P I N.

SMBOLO DEL DIODO PIN.

COMPOSICIN DEL DIODO PIN El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i (p) hasta la regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i (p) fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Sin embargo, como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones. Se pudo extraer un circuito equivalente del diodo para cada estado de conduccin y que se muestra en la Fig. 7. Los valores de L, RS, CT y RP son en inversa L=0.2 nH, RS=2. CT=0.02 pF y RP=2100 . Para la polarizacin directa (con intensidad de 50 mA), el circuito equivalente tiene los siguientes elementos: L=0.2 nH, RS=2. Y RI=0.8.

Fig. 7. Circuito equivalente en polarizacin inversa (a) y directa (b) del diodo PIN HPND-4005 CARACTERSTICAS RELEVANTES DEL DIODO PIN.

El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones grandes. Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN comerciales. Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden en la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN. En frecuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula. CIRCUITO DE APLICACIN. El fotodetector, un componente crtico en cualquier sistema de comunicaciones por fibra ptica, ha sido menospreciado, algunas veces, en la reciente tendencia de concentrarse en las mejoras de los transmisores lser y en las mismas fibras pticas. Simplemente con

cambiar de un tipo de foto detector a otro se puede incrementar la capacidad de un sistema ptico en un orden de magnitud sin tocar ningn otro componente. El fotodiodo PIN es el detector ms importante utilizado en los sistemas de comunicacin ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible con circuitos amplificadores de baja tensin. Adems, es sensible a un gran ancho de banda debido a que no tiene mecanismo de ganancia. Unas zonas p y n altamente conductivas junto a otra intrnseca poco conductiva, caracterizan al diodo PIN. Los fotones entran a la zona intrnseca generando pares electrn-hueco. El diodo se polariza inversamente con el fin de que las cargas generadas en la zona intrnseca sean aceleradas por el campo elctrico presente. Una tpica estructura p-i-n planar tiene, como material absorbente de luz, a un compuesto de InGaAs. La regin de absorcin es fina, siendo, generalmente, un material tipo n sobre un sustrato tipo n de indio fosforoso. La superficie superior est recubierta de un fino aislante, o capa pasiva, para proteger la superficie y reducir la recombinacin de electrones y huecos en dicha superficie. Cuando un fotn entra en la zona de deflexin, es absorbido y genera un par electrn-hueco, los cuales son dirigidos hacia los electrodos opuestos. All se recogen y aparecen como corriente en el circuito exterior. Puesto el par de portadores es separado en mucho menos tiempo que el tomado para su recombinacin, el proceso de deteccin es rpido y eficiente. Debido a que no existe mecanismo de ganancia en un fotodiodo p-i-n, la mxima eficiencia del detector es la unidad y producto ganancia x ancho de banda coincide con esta ltima. El ancho de banda de un diodo p-i-n est limitado por el tiempo tomando en colector las cargas. Este tiempo es inversamente proporcional al ancho de la zona de deflexin y directamente proporcional a la velocidad de los portadores de cargas en la regin de alto campo elctrico. La principal fuente de ruido en un fotodiodo p-i-n es el ruido de granalla, producido en la zona de deflexin de la unin p-n inversamente polarizada, generado por el proceso estadstico de los electrones atravesando la unin p-n Su aplicacin principal es como receptor de seales en circuitos de transmisin de datos por medio de fibra ptica, por ello a continuacin se muestra el principio de funcionamiento de un sistema de fibra ptica. Estos sistemas estn compuestos por un transmisor, cuya misin es la de convertir la seal elctrica en seal ptica susceptible de ser enviada a travs de una fibra ptica. En el extremo opuesto de la fibra ptica se encuentra el receptor, cuya misin es la de convertir la seal ptica en seal elctrica nuevamente. El receptor consiste en un diodo PIN o un APD, que se acopla a la fibra ptica. Se le denomina convertidor opto-electrnico (O/E). El tipo de modulacin utilizado es el de amplitud, modulando la intensidad de luz generada por el emisor. Las no linealidades de los emisores y receptores al convertir las seales

elctricas a pticas y viceversa, as como las fuentes de ruido que se sobreponen a la seal en los sistemas tpicos de fibra ptica hacen que este sistema sea especialmente apropiado para la transmisin de seales digitales, que corresponde a los estados de encendidoapagado del emisor.

No obstante tambin es posible transmitir seales analgicas. Otros tipos de modulacin, como modulacin en frecuencia y dems sistemas coherentes estn en fase de desarrollo, debido a la dificultad de obtener seales luminosas espectralmente puras y que al mismo tiempo puedan ser moduladas en frecuencia. La seal ptica que se propaga a travs de la fibra ptica se degrada por la atenuacin y restriccin de la anchura de banda de la fibra, y entonces, es preciso regenerar la seal transmitida. El mejor mtodo es tratar la seal en forma elctrica. Por lo tanto, los convertidores E/O y O/E son componentes indispensables en un repetidor ptico. El amplificador e igualador de la seal elctrica son similares a los de los sistemas de transmisin convencionales. Otra aplicacin presentada es la siguiente: ATENUADOR DE RADIO FRECUENCIA.

Otra aplicacin presentada es la siguiente:

El diodo PIN es un semiconductor que opera con una resistencia variable en RF y frecuencia de microonda. Controla altos voltajes RF con niveles de excitacin DC mucho ms pequeo, para el caso de frecuencias altas

Regin Directa

Al diodo se le aplica voltaje positivo (DC) en sus terminales (n-p). Presenta una resistencia muy pequea RS (0.5 y en funcin de la corriente DC), denominada resistencia Forward. En la Figura 2 siguiente se muestra el circuito equivalente del Diodo Pin en la regin directa.

Circuito Equivalente del Diodo Pin en la regin Directa.

Regin Inversa El diodo tiene un voltaje menor o igual a cero en sus terminales (n-p). El diodo presenta una resistencia en paralelo RP alta (mayor a 50 K y en funcin del voltaje en la regin inversa) y una capacidad CT, como se muestra en la Figura 3, ambas dependen de la frecuencia de la seal RF.

Circuito Equivalente del Diodo Pin en la Regin Inversa. Coeficiente de elevacin de la temperatura. (Rodolfo) Este coeficiente nos mide la variacin de la temperatura con respecto a la potencia consumida por el diodo (C/W). Al multiplicarlo por la potencia consumida, obtendremos el incremento de temperatura del diodo.

eff : Impedancia trmica efectiva (C/W)DF: Ciclo de trabajo (0.8%). tp : Impedancia trmica Pulsada (C/W)Reemplazando valores obtenidos en la ecuacin 3:

La potencia consumida del diodo es la diferencia de potencias picos de dos ensayos donde el primero se mide slo la potencia pico del diodo pin y carga y en el segundo se mide la potencia pico de la carga. Para un ensayo obtuvimos una potencia consumida por el diodo pin de 390 W. Por lo que tendremos una variacin de temperatura de 25C, siendo la temperatura ambiente de 20C, el diodo tendra una temperatura de 45C. El voltaje mximo que soporta el diodo pin es 1KV de DC. SISTEMA DE CONMUTACIN RF (Rodolfo) Una solucin para el enfasamiento de la antena es activar un camino entre dos posibles, esto se hace mediante el empleo de diodos PIN. El camino est conformado por lneas de transmisin (cable RG217/U RG17 A/U). Como se necesita conmutar entre cuatro posiciones, se emplean dos sistemas de conmutacin de dos posiciones pero con diferentes enfasamientos. En la siguiente figura se muestra el sistema de enfasamiento para una polarizacin de la antena, las fases que se obtienen son de 0,90,180,270. Los diodos ubicados en la posicin 1 y 2, as como los ubicados en la posicin 3 y 4 trabajan complementariamente. Es decir si el diodo pin de la posicin 1 est conduciendo, los de la posicin 2 estn en circuito abierto. El diodo pin soporta un voltaje mximo de 1KV

Para activar un camino se aplica un voltaje continuo negativo al diodo pin (n-p), el circuito equivalente ser la misma lnea de transmisin sin diodo pin, dado que se encuentra en circuito abierto.

Camino de RF activado, aplicando voltaje Negativo al Diodo Pin. Para desactivar un camino se aplica un voltaje DC positivo al diodo pin (aproximadamente 1V), el circuito equivalente a /4 es como si no hubiese lnea de transmisin. A mayor nivel de corriente, la impedancia de diodo es menor mejorando el cortocircuito del diodo.

CUESTIONARIO. 1. Qu es el diodo PIN?

2. Cul es su smbolo?

3. Cul es el funcionamiento del diodo PIN?

Indique, al menos, tres funciones bsicas.

4. Cmo funciona?

5. Dibuje un circuito en donde se utilice el diodo PIN

6.

Qu es el fotodiodo PIN?

7. En dnde se produce el ruido de granalla en un fotodiodo pin?

8. Con cul otro nombre se le conoce al diodo lser?

9. Cul es el significado PIN?

10. Qu ocurre cuando un fotn entra en la zona de deflexin?

11. PREGUNTAS Y RESPUESTAS. 1. Qu es el diodo PIN? El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. 2. Cul es su smbolo?

3.- Cul es el funcionamiento del diodo PIN? Indique, al menos, tres funciones bsicas. Cambian su resistencia en RF (Radio Frecuencia) en funcin de las condiciones de polarizacin. Por ello, pueden actuar como: Como conmutador de RF. Como resistencia variable. Como protector de sobretensiones. Como fotodetector.

4. Cmo funciona? Cuando se polariza en directo, la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se vaca totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante. 5. Dibuje un circuito en donde se utilice el diodo PIN. Atenuador de Radio Frecuencia.

6.

Qu es el fotodiodo PIN?

Es el detector ms importante utilizado en los sistemas en los sistemas de comunicacin ptica y es compatible con circuitos amplificadores de baja tencin.

7. En dnde se produce el ruido de granalla en el fotodiodo pin?

Es producido en la zona de deflexin de la unin p-n inversamente polarizada, generado por el proceso estadstico de los electrones atravesando la unin p-n

8. Con cul otro nombre se le conoce al diodo lser?

Tambin es conocido como LED 9. Cul es el significado PIN? P I N Zona tipo p Material intrnseco Zona tipo n

6. Qu ocurre cuando un fotn entra en la zona de deflexin?

Es absorbido y genera un par electrnhueco, los cuales son dirigidos hacia los electrodos opuestos, all se recogen y aparecen como corriente en el circuito exterior

BIBLIOGRAFA Inder Bahl, Prakash Bhartia. (1995) E.E.U.U. Microwave solid state circuit design. Edit. Wiley. Ao de edicin 01/01/95. Captulos: 14. 489 pginas.

G. Deeboo, (1997), Mxico. Circuitos integrados y dispositivos semiconductores. Boixareu 1 reimpresin 10 captulos. 609 pginas.

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