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Pontificia Universidad Catlica de Valparaso Escuela de Ingeniera Elctrica

Trabajo de Fundamen tos de Electrnic a


(Primera Prueba de Ctedra)

Alumnos: BRAULIO MIRANDA GALVEZ PEDRO LOPEZ GARCIA Profesor: Francisco Alonso V. Entrega: 22 de Diciembre de 2011
1.- Para el diodo 1N4148, anotar el valor de los siguientes parmetros proporcionados en las hojas caractersticas del fabricante: IFmx ; Ptotmx ; VRmx Comente el significado de cada uno de estos parmetros. IFmx=450 mA es la corriente que puede conducir el diodo sin fundirse x el efecto joule Ptotmx=500 mW valor mximo de potencia que dicipa el diodo VRmx= 100 V es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes del efecto abalancha

2.- Se estropeara el diodo de la Figura si se cambia la polaridad de la fuente de tensin V?

Se sabe por caractersticas de fabricacin que el diodo puede soportar un voltaje de ruptura de 100V. Al cambiar la polaridad de la fuente variable y aunque se conecte en su mximo valor este nunca pasara los 20V ni alcanzara los 100V necesarios para estropear el diodo. Por lo tanto se puede decir que el diodo no se estropeara si se cambia la polaridad de la fuente, aunque esta entregue su mximo valor.

3.- En el circuito de la figura anterior, dar a la resistencia R un valor adecuado (resistencia y potencia) para que la corriente mxima que recorra el circuito sea aproximadamente la mitad de la corriente mxima que puede soportar el 1N4148 sin que ste se estropee. IFmx = 450mA => IFmx /2 = 225mA. Si el diodo es de silicio Vd= 0.7V. Vf=20V Por LKV Ifmx*R= 20v-0.7v R= 19.3v/225mA = 85.77 R=85.77 PR= (225mA)2 *R PR= 4.34W

4.- Variando el valor del voltaje de la fuente V del circuito de la figura anterior, rellenar la tabla siguiente. Tngase en cuenta lo observado en el apartado anterior (al pasar una corriente elevada por el 1N4148 ste se calienta). VF(V) IF(mA) 0,4 4.6 0,5 5.83 0,6 6.99 0,7 8.161 0,75 8.744 0,8 9.327 0,85 9.91 0,9 10.493

5.- Dado el circuito de la figura siguiente, trazar la recta de carga sobre la caracterstica I-V proporcionada por el fabricante (a 25C), y determinar el punto de trabajo.

Recta de Carga Id= Vs Vd Rs Rs Id= 1.8 Vd 4.5 4.5 Puntos de corte Id = 0 => Vd= 1.8 Punto de corte Vd = 0 => Id= 0.4 Saturacin 1.8 Vd(V) 0.4 Id(A)

Por lo tanto el punto de trabajo quedara en: Vd=1 V y Id=175mA 6.- Los circuitos de la figura siguiente corresponden a dos puertas lgicas con diodos.

(a)(b) (a) Para cada uno de los dos circuitos anteriores rellene la tabla siguiente:

Circuito (a) VA (volt) 0 0 5 5 Circuito (b) VA (volt) 0 0 5 5

VB(volt) 0 5 0 5

VY(volt) 558.5 m 581.5m 581.5m 4.999

VB(volt) 0 5 0 5

VY(volt) 0 4.4185 4.4185 4.4115

Transformar los valores altos de tensin de las tablas en un 1 lgico y los valores bajos en un 0 lgico, y rellenar las correspondientes tablas: Circuito (a) A 0 0 1 1 Circuito (b) A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 B 0 1 0 1 Y 0 0 0 1 Y 0 1 1 1

Determine con los resultados anteriores qu tipo de compuertas son. El circuito (a) corresponde a una compuerta lgica AND El circuito (b) corresponde a una compuerta lgica OR

7.- Dados los circuitos recortadores de la figura siguiente (un circuito recortador elimina la parte de los picos de una tensin alterna)

A) Trace manualmente la forma de onda en la salida del circuito Vo = f(t) suponiendo que el diodo es ideal. B) Trace, con ayuda del Osciloscopio, la forma de onda en la salida del circuito Vo =

C) Qu diferencia puede identificar entre las curvas trazadas manualmente y las curvas trazadas con ayuda del Osciloscopio?

En primer lugar tenemos la diferencia de que el diodo en la parte a) se trabajo en forma ideal y en la parte B) en el multisim , este ultimo trabajo con los diodos en 3 aproximacin con resistencia interna y tencion umbral que hara que a las amplitudes de la grafica se le sume o reste estos parmetros que son pequeos pero no despreciables esto hacen que las curvas sean un poco diferentes

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