1er CURSO I. T.

TELECOMUNICACIN CURSO 2009-2010 TECNOLOGIA Y COMPONENTES ELECTRONICOS Y FOTONICOS

PROBLEMAS DE TRANSISTORES BIPOLARES 1) Sea un transistor bipolar NPN en el que IEp = 0.15 mA, IEn = 3 mA, ICp = 0.5 A, e ICn = 2.9 mA. Calcula los siguientes parmetros e intensidades: , T, F, F, IB, ICO. (Suponer que el colector est mucho menos impurificado que la base) 2) Supongamos un transistor bipolar PNP de silicio en equilibrio trmico a temperatura ambiente, con los siguientes dopados en cada zona: NAE=51017 cm-3, NDB=1015 cm-3, NAC=1014 cm-3. a) Representar el diagrama de bandas indicando en cada una de las zonas neutras la distancia entre EF y Ei. Indicar tambin la anchura de las zonas de carga espacial de cada unin. b) Dibujar el campo elctrico a lo largo del transistor, indicando valores numricos. c) Calcular la diferencia de potencial total entre el emisor y el colector. d) Si a la unin EB de este transistor se le aplica un voltaje externo V1 = 0.3V, que polariza dicha unin en directa, y se polariza la unin CB en inversa aplicando un voltaje externo V2=2V, dibujar el diagrama de bandas resultante, y las distribuciones de portadores minoritarios en todo el transistor. 3) Si aumentamos la anchura de la base de un transistor bipolar NPN, cmo se modifican los siguientes parmetros? (aumentan, disminuyen o casi no varan): T, , dc, efecto Early 4) Supongamos un transistor bipolar NPN de silicio en equilibrio trmico a temperatura ambiente, con los siguientes dopados en cada zona: NDE=1017 cm-3, NAB=1016 cm-3, NDC=1015 cm-3. a) Representar el diagrama de bandas indicando en cada una de las zonas neutras la distancia entre EF y Ei. Indicar tambin la anchura de las zonas de carga espacial de cada unin. b) Dibujar la densidad de carga y el campo elctrico a lo largo del transistor, indicando valores numricos. c) Calcular la diferencia de potencial total entre el emisor y el colector. 5) Se tienen los tres transistores bipolares NPN de la figura. Decir en cul(es) de ellos: a) es menor la alfa de continua, F b) el efecto Early ser ms apreciable
NDE=11019 cm-3 NAB=11017 cm-3 NDC=11015 cm-3 WBB= 0,4 m NDE=11019 cm-3 NAB=11017 cm-3 NDC=11015 cm-3 WBB= 1 m NDE=51017 cm-3 NAB=11017 cm-3 NDC=11015 cm-3 WBB= 1 m

6) Dados los transistores NPN de la figura a temperatura ambiente, a) Suponiendo los tres transistores en la zona activa, y con iguales tensiones de polarizacin, ordenar (en orden decreciente) para los tres transistores los valores del parmetro F. b) Si se intercambian Emisor y Colector en el transistor T1, representar las principales componentes de las corrientes cuando el nuevo transistor se polariza en la zona activa.
E
10 cm
17 -3

B
10 cm
15 -3

C
10 cm
14 -3 17

E
10 cm-3

B
1015cm-3

C
1014cm-3

T1

WBB0 E
1017cm-3

T2
B
1014cm-3

2WBB0 C
1014cm-3

T3

WBB0
10 V

7) En la figura siguiente se muestra el circuito de polarizacin de un transistor bipolar. Las caractersticas de salida estn representadas en la figura adjunta. a) Determina los valores de VCE, IC, e IB en continua b) Calcula los valores de , r y r0.

310 K

2 K

T1

T2

T3

8) Se tiene un transistor N+PN. Si el dopado NA de la base aumenta, cmo se modifican los siguientes parmetros? a) Ganancia de corriente en emisor comn b) Resistencia de salida en pequea seal rO 9) Suponer un transistor bipolar P++N+P. Cmo se modifican los siguientes parmetros si se aumenta la anchura de la base? (razonar muy brevemente) a) T b) c) dc d) efecto Early 10) Por un fallo en el proceso de fabricacin de un transistor PNP, el dopado del emisor ha quedado igual que el dopado de la base: NA1, E = ND1, B >> NA1, C (T1), cuando se pretenda que NA2, E >> ND1, B (T2). El resto de los parmetros ha quedado como se esperaba. Este fallo afecta a las caractersticas elctricas del transistor. a) Cmo sern los valores de la ganancia de corriente en IC (mA) continua en emisor comn F para el transistor T1 IE IC2 comparados con el T2? b) La curva caracterstica IC(VCB) esperada para el transistor T2 para una corriente de base IE es la representada en la figura (base comn). Cmo ser la VCB (Volts) correspondiente al transistor T1 para la misma IE?
+1 -1 -2 -3 -4

13) Para el circuito de la figura: a) Para cada uno de los siguientes casos (i)-(iii): RC RE=2 K - Calcular el punto de trabajo del transistor e indicar si se encuentra en saturacin, activa o corte. VEE VCC = 4 V - Representar grficamente en el plano de las caractersticas IC(VCB) el punto de trabajo y la recta de carga. (i) VEE = 20 V, RC = 0,5 K (ii) VEE = 10 V, RC = 0,5 K (iii) VEE = 3 V, RC = 0,5 K b) Calcular el punto de trabajo del transistor, y representarlo grficamente, as como tambin la recta de carga para los siguientes casos: (i) VEE = 4 V, RC = 2 K (ii) VEE = 4 V, RC = 0,5 K (iii) VEE = 4 V, RC = 0,1 K

14) En el circuito de la figura: a) Calcular IE, IC, IB, VCB y VCE si RE = 4 K y RC = 2 K. b) Calcular los valores que deben tener RE y RC para que IC=3.5mA y VCE=6V.

VEE= -12 V RE RC

VCC= +18

11) Un grupo de investigadores estn diseando un transistor bipolar para ciertas aplicaciones concretas. La estructura sobre la que trabajan es de tipo P/N+/P (NE << NB >> NC). a) Comparar la eficiencia de inyeccin del emisor , y la ganancia de corriente en emisor comn F de este transistor con los correspondientes a uno con los dopados habituales P++/N+/P. b) Hacer un esquema con las componentes de la corriente que entran o salen de cada terminal del transistor en saturacin directa. c) Representar de forma cualitativa las densidades de portadores minoritarios en el emisor npE(x), en la base pnB(x), y en el colector npC(x), cuando el transistor se encuentre polarizado en activa. 12) Se tienen dos transistores bipolares T1 y T2. Son P++N+P, y se sabe que los dopados de emisor, base y colector son iguales para ambos y que F1 > F2. a) En cul de ellos la anchura de la base WBB ser mayor? b) Cul tendr mayor factor de transporte en la base T? c) Cul tendr mayor eficiencia de inyeccin del emisor ? d) En cul ser ms importante el efecto Early?

15) (a) Para el circuito de la figura, calcular el punto de trabajo del transistor indicando si se encuentra en saturacin, activa o corte, y representar grficamente el punto de trabajo y la recta de carga en el plano de las caractersticas IC(VCE) para los siguientes valores de RB: (i) RB = 100 K (ii) RB = 50 K (ii) RB = 20 K (b) Razonar hacia qu zona se mueve el punto de trabajo al disminuir la resistencia de base RB. (c) Razonar hacia qu zona se mueve el punto de trabajo si se aumenta la resistencia de colector RC.

VCC=10 V RC=1 K VBB=4 V RB =100 VCE(sat) = 0

16) Suponer un transistor bipolar N++P+N cuyas caractersticas de salida ideales en emisor comn se representan en la figura 16.1. a) Representar en un esquema todas las componentes de la corriente de electrones y huecos en la zona activa, indicando brevemente cules son importantes. b) De los siguientes parmetros, cules afectan a la ganancia en emisor comn F y en qu forma?: Dopado del emisor NE, de la base NB y del colector NC; anchura del emisor WEE, de la base WBB y del colector WCC; densidad de centros profundos en la base NT. c) La fig. 16.2 representa las caractersticas de salida en emisor comn de un transistor comercial. Comentar la(s) diferencia(s) ms importante(s) que se aprecia(n) con las ideales y qu efecto(s) la(s) produce(n). d) Para el circuito de la figura, calcular el punto de trabajo (VCE, IC) y representarlo grficamente junto con la recta de carga. Usar para ello las caractersticas de la figura 16.1. Si es necesario, interpolar las caractersticas. e) Si disminuye el voltaje de la fuente VBB, razonar hacia qu zona de polarizacin se desplazar el punto de trabajo.
IC (mA) 10

c) Ordena (en orden creciente) los tres transistores para los valores de: (NE/NB), WB y NC . d) Considerar el transistor T2. Cul de las dos grficas representa mejor la distribucin de portadores minoritarios en la base en funcin de la posicin? Por qu? 3) Se han fabricado tres transistores PNP que tienen el mismo T ICn factor de ganancia en emisor comn, =24. Sin embargo, se T1 0,98 0,032 A ha observado que la estructura interna de los mismos no es T2 0,965 0,01 A igual. Todos tienen el mismo dopado en el emisor NE, pero T3 0,99 0,030 A diferentes dopados en la base NB y en el colector NC, as como diferente anchura de la base WB. Se ha encontrado que para un cierto valor de los voltajes aplicados en activa, la corriente de colector de huecos es ICp = 2,9 mA (igual en los tres transistores). Para estas condiciones, en la tabla se indican los valores de T e ICn de cada transistor. a) Para el transistor T1, indicar los valores de las componentes de la corriente de base IB, su sentido y origen. b) Ordena (en orden creciente) los tres transistores para los valores de: NB, WB, NC. c) Dibujar el diagrama de bandas de los transistores T2 y T3 mostrando las diferencias entre los dos de forma cualitativa.

IB = 30 A IB = 24 A

IC (mA) VCC=18 V

8 6

RC=2,5 K

IB = 18 A
VBB=4 V

IB = 12 A IB = 6 A

RB=550K

Fig. 16.3 0 4 8 12 Fig. 16.1 20 16 VCE (Volts) Fig. 16.2

VCE (Volts)

17) Se tienen tres transistores PNP IEp IEn polarizados en activa. Todos tienen el T1 8,0 mA 0,06 mA mismo dopado en la base NB, y tambin T2 7,8 mA 0,26 mA igual tiempo de vida media de los T3 7,2 mA 0,86 mA portadores minoritarios, pero diferentes dopados en el emisor NE y en el colector NC, (1) as como diferente anchura de la base WB. En la tabla se indican las corrientes de los tres p (x) transistores. a) Para el transistor T1, indicar los valores de las componentes de la corriente de base Zona neutra de la base IB, su sentido y origen. b) Calcula los parmetros , T, F y F para cada transistor
nB

ICp 7,97 mA 7,74 mA 7,19 mA

(2) pnB(x)

ICn 0,2 A 0,8 A 0,3 A

Zona neutra de la base